JPH10303142A

JPH10303142A - 半導体装置及びその作製方法

Info

Publication number: JPH10303142A
Application number: JP11880797A
Authority: JP
Inventors: Setsuo Nakajima; 節男中嶋
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1997-04-22
Filing date: 1997-04-22
Publication date: 1998-11-13

Abstract

(57)【要約】【課題】チタン膜とＩＴＯ膜との電気的なコンタクト
を確実なものとする。【解決手段】チタン膜３２の表面に窒化珪素膜３３を
成膜する。この際、チタン膜と窒化珪素膜とが反応して
窒化チタン層３６が形成される。そして層間絶縁膜３４
を成膜後、コンタクト用の開孔３５を形成する。そし
て、ＩＴＯ電極３７を形成する。この際、窒化チタン層
がＩＴＯ電極とが反応して酸化されることがないものと
することができ、コンタクトを安定なものとすることが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本明細書で開示する発明は、
ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）で代表されるような半導体
装置の電極の接続構造（コンタクト構造）に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、アクティブマトリクス型の液晶
表示装置の画素マトリクスのそれぞれに配置されるＴＦ
Ｔのドレイン領域には、画素電極であるＩＴＯを接続さ
せる構造が必要とされる。

【０００３】このような構造を実現する方法として、ド
レイン領域にアルミニウムでなる配線や電極を接続し、
さらにこの配線や電極にＩＴＯ電極を接続する構造が採
用される。

【０００４】この際、アルミニウムとＩＴＯとの電気的
なコンタクトを確実なものとするためにアルミニウムの
表面にチタン膜を成膜し、このチタン膜とＩＴＯとが接
続するような構造が採用される。このような構造が採用
されるのは、アルミニウムの表面に形成される酸化膜の
影響を排除するためである。

【０００５】この技術については、例えば特開平０９−
０４５９２７号公報に記載されている。

【０００６】図１に上記従来技術の概略を説明する。こ
こでは、アルミニウム電極（または配線）とＩＴＯ電極
とがコンタクトする部分の作製工程の概略を説明する。

【０００７】まず、アルミニウムの電極１１を形成す
る。そしてその表面にチタン膜１２を成膜する。さらに
層間絶縁膜となるポリイミド１３を成膜する。こうして
図１（Ａ）に示す状態を得る。

【０００８】次にコンタクト用の開孔１４を形成する。
こうして図１（Ｂ）に示す状態を得る。

【０００９】次にＩＴＯ電極１５を形成する。こうして
図１（Ｃ）に示す状態を得る。

【００１０】この構造は、アルミニウムとＩＴＯとが直
接接触する構造に比較すれば、遙に良好なコンタクト特
性を得ることができる。

【００１１】しかしながら、この構造でも多数のＴＦＴ
を同時に作製した場合における特性のバラツキが問題と
なる。

【００１２】このバラツキに関して鋭意研究した結果、
以下の知見を得た。即ち、（１）ＩＴＯと接触するチタン膜の表面は酸化され、そ
こで抵抗が増大する。（２）その結果としてコンタクトの電気的な接触が不安
定になる。（３）このことが、ＴＦＴ素子の特性のバラツキに関係
する。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】本明細書で開示する発
明は、上述した電極のコンタクト不良の問題を解決する
ことを課題とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】チタン膜とＩＴＯ膜との
接触は、酸化膜の存在を排除すれば極めて良好なものと
して得られる。

【００１５】本明細書で開示する発明は、チタン膜の表
面が酸化しない状態とするために以下の構造を採る。

【００１６】即ち、チタン膜の表面を窒化し、窒化チタ
ンとし、チタンが酸化しない状態とする。窒化チタンは
安定な存在であるので、酸化されにくい。また窒化チタ
ンは比較的抵抗が低い。従って、ＩＴＯと接触させても
酸化されにくく、低抵抗な接触を得ることができる。

【００１７】本明細書で開示する発明の一つは、窒化チ
タン材料と導電性を有する酸化物材料とを接触させたコ
ンタクト構造を有する。

【００１８】他の発明の構成は、チタン膜と、該膜の表
面に形成された窒化膜と、前記窒化膜に形成された開孔
と、該開孔の底部において形成された酸化物材料でなる
膜と前記チタン膜とのコンタクトと、を有し、前記コン
タクト部分においてチタン膜の表面には窒化チタン層が
形成されていることを特徴とする。

【００１９】他の発明の構成は、チタンまたはチタンを
主成分とする膜と酸化物材料でなる電極または配線との
電気的なコンタクトを形成する方法であって、チタン膜
の表面に窒化膜を形成し、前記チタン膜と前記窒化膜と
の界面に窒化チタン層を形成する工程と、前記窒化膜に
開孔を形成する工程と、前記開孔が形成された部分に酸
化物材料でなる電極または配線を形成し、前記開孔の底
部において前記窒化チタン層と前記酸化物材料でなる電
極または配線との電気的なコンタクトを形成する工程
と、を有することを特徴とする。

【００２０】他の発明の構成は、チタンまたはチタンを
主成分とする膜と酸化物材料でなる電極または配線との
電気的なコンタクトを形成する方法であって、チタン膜
の表面に窒化膜を形成する工程と、前記窒化膜に開孔を
形成する工程と、前記開孔が形成された部分に酸化物材
料でなる電極または配線を形成し、前記開孔の底部にお
いて前記チタン膜と前記酸化物材料でなる電極または配
線との電気的なコンタクトを形成する工程と、を有する
ことを特徴とする。

【００２１】他の発明の構成は、チタンまたはチタンを
主成分とする膜と酸化物材料でなる電極または配線との
電気的なコンタクトを形成する方法であって、チタン膜
の表面にプラズマ窒化法により窒化層を形成する工程
と、絶縁膜を成膜する工程と、前記絶縁膜に開孔を形成
する工程と、前記開孔が形成された部分に酸化物材料で
なる電極または配線を形成し、前記開孔の底部において
前記チタン膜と前記酸化物材料でなる電極または配線と
の電気的なコンタクトを形成する工程と、を有すること
を特徴とする。

【００２２】他の発明の構成は、チタンまたはチタンを
主成分とする膜と酸化物材料でなる電極または配線との
電気的なコンタクトを形成する方法であって、絶縁膜を
成膜する工程と、前記絶縁膜に開孔を形成する工程と、
前記開孔の底部において露呈したチタン膜の表面にプラ
ズマ窒化法により窒化層を形成する工程と、前記開孔が
形成された部分に酸化物材料でなる電極または配線を形
成し、前記開孔の底部において前記チタン膜と前記酸化
物材料でなる電極または配線との電気的なコンタクトを
形成する工程と、を有することを特徴とする。

【００２３】

【発明の実施の形態】

（実施の形態その１）この発明では、アルミニウム表面
に窒化チタン膜を成膜し、この窒化チタン膜とＩＴＯ電
極とを接触させることを骨子とする。

【００２４】この構成では、窒化チタン膜の膜厚がそれ
なりに必要なので、接触抵抗が比較的高くなるという問
題がある。これは、アルミニウムに比較すれば、窒化チ
タンの抵抗は高いからである。

【００２５】この問題を解決するには、窒化チタン膜を
数十Å程度というような極薄い薄膜とすることが考えら
れるが、その場合は、数十Å程度というような極薄い薄
膜を制御性良く成膜する技術が必要になり、生産性の点
から好ましくない。

【００２６】特に窒化チタン膜を薄くしよとすると、制
御が難しく、再現性に問題がある。そして、そのことに
起因して接触抵抗がバラツキ、素子の特性にバラツキが
発生する要因となる。また、窒化チタン膜の膜厚を一定
にしなければコンタクト状態を一定にできないという問
題もあるが、極薄い膜を一定の膜厚で成膜することは困
難であり、この点でも不利である。

【００２７】（実施の形態その２）この構成では、（１）アルミニウムの表面にチタン膜を成膜する。（２）チタン膜の表面に窒化珪素膜と適当な層間絶縁膜
を積層して成膜する。（３）窒化珪素膜と層間絶縁膜との積層膜にコンタクト
ホールを形成する。（４）ＩＴＯ電極を形成し、コンタクトホールの底部に
おいてＩＴＯ電極とアルミニウムとを接触させる。

【００２８】この構成では、窒化珪素膜の成膜時にチタ
ン膜の表面が窒化され、極薄い窒化チタン層が形成され
る。即ち、窒化珪素膜とチタン膜とのが反応して、界面
に窒化チタン層が形成される。そしてこの窒化チタン層
とＩＴＯ電極とが接触する構造とする。

【００２９】この構造では、チタン膜の表面（ＩＴＯ電
極とのコンタクト部の表面）で酸化が進行しない（また
は進行しにくい）ので、チタン膜とＩＴＯ電極との接触
抵抗が増加することを抑制することができる。また、チ
タン膜とＩＴＯ電極との電気的な接触が不安定になるこ
とを抑制することができる。

【００３０】この方法では、窒化層の厚さを薄くするこ
とができ、接触抵抗が高くなる懸念もない。そして、高
い再現性を得ることができる。

【００３１】（実施の形態その３）この構成は、チタン
膜の成膜後に窒素プラズマにその表面を曝し、チタン膜
の表面にプラズマ窒化法により窒化チタン層を形成する
ものである。ただし、再現性の点では（実施の形態その
２）の方が好ましい。

【００３２】窒素プラズマ以外には、アンモニアガスを
プラズマ化させ、このプラズマにチタン膜の表面を曝す
ことにより、窒化層を形成する手段がある。

【００３３】プラズマ窒化を行うタイミングは、チタン
膜の表面に絶縁膜を成膜する前の段階で全面に行う場合
と、絶縁膜を成膜した後にチタン膜に達する開孔を形成
し、その後に開孔の底部に露呈したチタン膜の表面に行
う場合とがある。

【００３４】

【実施例】

〔実施例１〕図２に実施例の作製工程の概略を示す。本
実施例は、アルミニウム電極とＩＴＯ電極との接触を窒
化チタン膜を介して行う構成に関する。

【００３５】まず図２（Ａ）に示すようにアルミニウム
膜とチタン膜とを積層した構造を有する電極を形成す
る。ここでアルミニウムの膜厚は４００ｎｍ、チタン膜
の膜厚は１０ｎｍとする。また成膜方法は、スパッタ法
を用いる。

【００３６】次に層間絶縁膜としてポリイミド樹脂でな
る膜２３を形成する。ポリイミド以外には、他の樹脂材
料や酸化珪素膜等を利用することができる。

【００３７】こうして図２（Ａ）に示す状態を得たら、
図２（Ｂ）に示すように、ポリイミド樹脂でなる層間絶
縁膜２３に開孔２４を形成する。この開孔は、アルミニ
ウム膜２１と窒化チタン膜２２との積層構造を有する電
極へのコンタクト用の開孔である。

【００３８】次にＩＴＯ電極２５を形成する。こうして
図２（Ｃ）に示す状態を得る。この状態では、ＩＴＯ電
極２５との接触に起因する窒化チタン膜２２の表面の酸
化が進行しないので、結果的にアルミニウム膜２１でな
る電極とＩＴＯ電極２５との接触抵抗が増加してしまう
ことを抑制することができる。

【００３９】また、アルミニウム膜２１でなる電極とＩ
ＴＯ電極２５との電気的な接触が不安定になることを抑
制することができる。

【００４０】〔実施例２〕本実施例は、窒化珪素膜の成
膜により、チタン膜の表面に窒化チタン層を形成する構
成に関する。

【００４１】図３に本実施例の作製工程を示す。まず図
３（Ａ）に示すようにアルミニウム膜３１、チタン膜３
２とが積層された電極を形成する。

【００４２】次に窒化珪素膜３３をプラズマＣＶＤ法に
より、２５０ｎｍの厚さに成膜し、さらにポリイミド樹
脂膜３４を成膜する。この窒化珪素膜３３とポリイミド
樹脂膜３４との積層膜が層間絶縁膜となる。

【００４３】こうして図３（Ａ）に示す状態を得る。次
に図３（Ｂ）に示すようにコンタクトホール３５を形成
する。このコンタクトホール３５は、ポリイミド樹脂膜
３４と窒化珪素膜３３の一部をエッチングすることによ
って形成する。

【００４４】こうして図３（Ｂ）に示す状態を得る。こ
の状態では、チタン膜３２に達する開孔３５が形成され
る。

【００４５】この際、チタン膜３２の表面（窒化珪素膜
３３に接した表面）は、窒化された窒化チタン層が形成
されたものとなる。

【００４６】次に図３（Ｃ）に示すようにＩＴＯ電極３
７を形成する。この際、チタン膜３２の表面には窒化チ
タン層３６が形成されているので、ＩＴＯ電極３７とチ
タン膜３２との接触部分において、チタン膜３２の表面
が酸化されない。そして、ＩＴＯ電極とチタン膜３２と
の接触抵抗が増加しない、さらには電気的な接触状態が
不安定にならない状態とすることができる。

【００４７】〔実施例３〕本実施例は、チタン膜の表面
を窒素プラズマによって処理し、窒化チタン層を形成
し、その後にＩＴＯ電極を形成してコンタクトを形成す
る場合の例である。

【００４８】図４に本実施例の作製工程の概略を示す。
まず図４（Ａ）に示すようにアルミニウム膜とチタン膜
とを積層し、電極を形成する。

【００４９】次にポリイミド樹脂でなる層間絶縁膜４３
を成膜する。こうして図４（Ａ）に示す状態を得る。

【００５０】次にポリイミド樹脂膜４３にコンタクト用
の開孔４４を形成する。この状態でチタン膜４２の表面
が開孔４４の底部において露呈する。こうして図４
（Ｂ）に示す状態を得る。

【００５１】次に図４（Ｂ）に示す状態で窒素プラズマ
雰囲気に曝し、開孔４４の底部において露呈したチタン
膜４２の表面を窒化し、窒化チタン層４５を形成する。
こうして図４（Ｃ）に示す状態を得る。

【００５２】次にＩＴＯ電極４６を形成する。こうして
チタン膜４２とＩＴＯ電極４６とのコンタクトが開孔４
４において行われる。

【００５３】なお、窒素プラズマの代わりにアンモニア
プラズマを利用してもよい。また、図４（Ａ）に段階で
窒化プラズマ処理を施してもよい。

【００５４】〔実施例４〕本実施例では、アクティブマ
トリクス型の液晶表示装置の作製に本明細書で開示する
発明を利用する場合の例である。

【００５５】図５乃至図７に本実施例の作製工程を示
す。まず図５（Ａ）に示すように、ガラス基板５０１上
にＴＦＴの活性層５０２、ゲイト絶縁膜５０３、アルミ
ニウムパターン５０４を形成する。

【００５６】ガラス基板以外には石英基板や、その他絶
縁表面を有する基板を利用することができる。一般にガ
ラス基板を利用する場合には、その表面を平坦性が良く
ないことから、その表面に酸化珪素膜等の絶縁膜を形成
する。（図５では記載を省略してある）

【００５７】本明細書では、このような絶縁膜が形成さ
れた基板も、また絶縁膜が形成されていない基板も、そ
の表面が絶縁性であれば、絶縁表面を有する基板と称す
ることとする。

【００５８】活性層５０２の形成方法を説明する。ま
ず、減圧熱ＣＶＤ法により、非晶質珪素膜を５０ｎｍの
厚さに成膜する。次に加熱によりこの非晶質珪素膜を結
晶化させ、結晶性珪素膜を得る。結晶化はレーザー光の
照射によって行ってもよい。

【００５９】こうして結晶性珪素膜（図示せず）を得た
ら、パターニングを施すことにより、５０２で示すパタ
ーンを得る。（図５（Ａ））

【００６０】次にゲイト絶縁膜として機能する酸化珪素
膜５０３をプラズマＣＶＤ法により１００ｎｍの厚さに
成膜する。

【００６１】次に後にゲイト電極を構成することとなる
アルミニウム膜をスパッタ法で００ｎｍの厚さに成膜す
る。このアルミニウム膜中には、スカンジウムやチタン
や珪素を微量に含有させたものを用いる。これは、後の
工程でヒロックと呼ばれるアルミニウムの異常成長に起
因する刺あるいは針状の突起物の形成を抑制するためで
ある。

【００６２】次に先に成膜したアルミニウム膜上にレジ
ストマスク５０５を形成する。そしてこのレジストマス
ク５０５を利用してアルミニウム膜をパターニングする
ことにより、５０４で示すアルミニウム膜であるパター
ンを得る。（図５（Ａ））

【００６３】こうして図５（Ａ）に示す状態を得る。次
にレジストマスク５０５を残存させた状態でアルミニウ
ム膜でなるパターン５０４を陽極とした陽極酸化を行う
ことにより、多孔質状の陽極酸化膜５０６を得る。（図
５（Ｂ））

【００６４】ここでは、電解溶液として３％（体積％）
の蓚酸を含んだ水溶液を利用する。また陽極酸化膜５０
６の膜厚は４００ｎｍとする。

【００６５】次にレジストマスク５０５を除去する。そ
して、３％（体積％）の酒石酸を含んだエチレングルコ
ール溶液をアンモニア水で中和した溶液を用いて、再度
の陽極酸化を行う。

【００６６】この工程では、電解溶液が多孔質状の陽極
酸化膜５０６中に侵入する関係で、５０７で示される陽
極酸化膜が形成される。この陽極酸化膜５０７は、緻密
な膜質を有している。（図５（Ｂ））

【００６７】次に露呈した酸化珪素膜５０３を垂直異方
性を有するドライエッチング法によって除去する。この
結果、図５（Ｃ）に示す状態を得る。この状態で５０８
が残存している酸化珪素膜である。

【００６８】次に多孔質状の陽極酸化膜５０６を除去す
る。こうして図５（Ｄ）に示す状態を得る。

【００６９】次に層間絶縁膜として酸化珪素膜５０９を
５００ｎｍの厚さにプラズマＣＶＤ法でもって成膜す
る。そして、ポリイミド樹脂膜５１０をスピンコート法
で成膜する。（図６（Ａ））

【００７０】ポリイミド樹脂膜５１０は、最小の膜厚が
８００ｎｍとなるように形成条件を設定する。（図６
（Ａ））

【００７１】ポリイミド樹脂以外には、ポリアミド、ポ
リイミドアミド、ポリアミド、アクリル、エポキシ等の
樹脂材料を利用することができる。（図６（Ａ））

【００７２】次に１００ｎｍ厚のチタン膜と４００ｎｍ
厚のアルミニウム膜と１００ｎｍ厚のチタン膜とをスパ
ッタ法を用いて積層し、それをパターニングすることに
より、５１１、５１２で示されるパターンを形成する。
（図６（Ｂ））

【００７３】ここで、５１１がＴＦＴのソース電極（ソ
ース配線も兼ねる）であり、５１２がドレイン電極であ
る。

【００７４】ここで、５１５と５１３が電極５１１を構
成するチタン膜である。また、５１４が電極５１１を構
成するアルミニウム膜である。

【００７５】また、５１６と５１８が電極５１２を構成
するチタン膜である。また、５１７が電極５１２を構成
するアルミニウム膜である。

【００７６】次にプラズマＣＶＤ法により、窒化珪素膜
５１９を１５０ｎｍの厚さに成膜する。さらにポリイミ
ド樹脂膜５２０をスピンコート法でもって成膜する。
（図６８Ｃ））

【００７７】ポリイミド樹脂膜５２０は、最小の膜厚が
５００ｎｍの厚さとなるように設定する。

【００７８】図６（Ｃ）の状態において、窒化珪素膜５
１９と接するチタン膜５１３、５１６の表面に窒化チタ
ン層５２１、５２２が形成される。（図６（Ｃ））

【００７９】次に図７（Ａ）に示すようにポリイミド樹
脂膜５２０と窒化珪素膜５１９に開孔５２を形成する。
（図７（Ａ））

【００８０】この開孔５２１を形成することにより、そ
の底部において、窒化チタン層５２２が露呈する。

【００８１】次にＩＴＯ膜をスパッタ法でもって３００
ｎｍの厚さに成膜する。そしてこのＩＴＯ膜をパターニ
ングすることにより、５２３で示す画素電極パターンを
形成する。

【００８２】この構成においては、ドレイン電極５１２
（図６（Ｂ）参照）とＩＴＯ電極（画素電極）５２３と
のコンタクト部分５２４において、窒化チタン層５２２
と酸化物であるＩＴＯ電極５２３とが接触する。

【００８３】ここで、窒化チタン層５２２は安定である
ので、ＩＴＯ電極５２３と接触しても酸化されず、接触
抵抗は増加しない。

【００８４】また、窒化チタン層５２２は極めて薄いの
でその存在による抵抗の増加分は問題とならない。さら
に、窒化チタン層５２２は、窒化珪素膜５１９の成膜時
に高い再現性でもって形成されるので、コンタクトの状
態を高い再現性でさらに安定した状態で得ることができ
る。

【００８５】本実施例では、トップゲイト型の構造を有
し、また結晶性珪素膜を活性層に利用したＴＦＴの例を
示した。しかし、ボトムゲイト型のＴＦＴであっても本
明細書に開示する発明は利用することができる。また、
非晶質珪素膜を活性層に利用したものであってもよい。

【００８６】また、ゲイト電極の材料として、アルミニ
ウムではなく、その他の金属材料や各種シリサイド材料
を利用したものであってもよい。また、ゲイト電極の材
料として珪素材料を利用したものであってもよい。

【００８７】また、本実施例の構造は、チタン電極とＩ
ＴＯ電極のコンタクトを形成する場合のみではなく、チ
タン電極と酸化物のコンタクトを形成した場合に一般的
に利用することができる。

【００８８】また、チタン電極の表面が酸化し易い状況
において、その表面に他の電極や配線のコンタクトを形
成した場合に利用することができる。

【００８９】また、チタン膜やアルミニウム膜は、なん
らかの不純物を含有させたものでもよい。また、窒化珪
素膜の代わりに酸化窒化珪素膜を用いてもよい。

【００９０】〔実施例５〕本実施例では、本発明を適用
しうる半導体装置の例と示す。本発明を利用した半導体
装置としては（デジタル）ビデオカメラ、（デジタル）
スチルカメラ、ヘッドマウントディスプレイ、カーナビ
ゲーション、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末
（モバイルコンピュータ、携帯電話等）などが挙げられ
る。また、最近脚光を浴びているＰＨＳ（Personal Han
dyphone System）搭載型携帯情報端末にも適用できる。

【００９１】図８（Ａ）はモバイルコンピュータ（モー
ビルコンピュータ）であり、本体２００１、カメラ部２
００２、受像部２００３、操作スイッチ２００４、アク
ティブマトリクス型の表示装置２００５で構成される。
本発明は表示装置２００５や内部回路に適用することが
できる。

【００９２】アクティブマトリクス型の表示装置２００
５としては、反射型または透過型のいずれでも利用する
ことができる。また、液晶表示装置の代わりＥＬ素子を
利用したものを用いることもできる。このことは他の例
でも同じである。

【００９３】図７（Ｂ）はヘッドマウントディスプレイ
であり、本体２１０１、アクティブマトリクス型の液晶
表示装置２１０２、バンド部２１０３で構成される。本
発明は表示装置２１０２に適用することができる。

【００９４】図７（Ｃ）はカーナビゲーションシステム
であり、本体２２０１、アクティブマトリクス型の液晶
表示装置２２０２、操作スイッチ２２０３、アンテナ２
２０４で構成される。

【００９５】図７（Ｄ）は携帯電話であり、本体２３０
１、音声出力部２３０２、音声入力部２３０３、アクテ
ィブマトリクス型の液晶表示装置２３０４、操作スイッ
チ２３０５、アンテナ２３０６で構成される。

【００９６】図７（Ｅ）はビデオカメラであり、本体２
４０１、アクティブマトリクス型の液晶表示装置２４０
２、音声入力部２４０３、操作スイッチ２４０４、バッ
テリー２４０５、受像部２４０６で構成される。

【００９７】

【発明の効果】本明細書で開示する発明を利用すること
により、チタン膜とＩＴＯ膜との電気的接触を良好なも
のとする構成を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来におけるチタン膜とＩＴＯ膜とのコンタ
クトの構造を示す図。

【図２】窒化チタン膜とＩＴＯ膜のコンタクトの構造
を示す図。

【図３】窒化チタン層を介してチタン膜とＩＴＯ膜と
をコンタクトの構造を示す図。

【図４】窒化チタン層を介してチタン膜とＩＴＯ膜と
をコンタクトの構造を示す図。

【図５】画素アクティブマトリクス回路に配置される
ＴＦＴの作製工程を示す図。

【図６】画素アクティブマトリクス回路に配置される
ＴＦＴの作製工程を示す図。

【図７】画素アクティブマトリクス回路に配置される
ＴＦＴの作製工程を示す図。

【図８】発明を利用した半導体装置の概略を示す図。

【符号の説明】

１１アルミニウム膜１２１２チタン膜１３ポリイミド膜２１アルミニウム膜２２窒化チタン膜２３ポリイミド膜２４開孔２５ＩＴＯ膜３１アルミニウム膜３２チタン膜３３窒化珪素膜３４ポリイミド膜３５開孔３６窒化チタン層３７ＩＴＯ膜４１アルミニウム膜４２窒化チタン膜４３ポリイミド膜４４開孔４５窒化チタン層４６ＩＴＯ膜５０１ガラス基板（または石英基板）５０２活性層５０３酸化珪素膜（ゲイト絶縁膜）５０４アルミニウム膜のパターン５０５レジストマスク５０６多孔質状の陽極酸化膜５０７緻密な膜質を有する陽極酸化膜５０８残存した酸化珪素膜（ゲイト絶縁膜）５０９酸化珪素膜５１０ポリイミド樹脂膜５１１ソース電極５１２ドレイン電極５１３チタン膜５１４アルミニウム膜５１５チタン膜５１６チタン膜５１７アルミニウム膜５１８チタン膜５１９窒化珪素膜５２０ポリイミド樹脂膜５２１窒化チタン層５２２窒化チタン層５２コンタクト用の開孔５２３ＩＴＯ電極（画素電極）５２４コンタクト部分

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】窒化チタン材料と導電性を有する酸化物材
料とを接触させたコンタクト構造を有する半導体装置。
【請求項２】チタン膜と、該膜の表面に形成された窒化膜と、前記窒化膜に形成された開孔と、該開孔の底部において形成された酸化物材料でなる膜と
前記チタン膜とのコンタクトと、を有し、前記コンタクト部分においてチタン膜の表面には窒化チ
タン層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】チタンまたはチタンを主成分とする膜と酸
化物材料でなる電極または配線との電気的なコンタクト
を形成する方法であって、チタン膜の表面に窒化膜を形成し、前記チタン膜と前記
窒化膜との界面に窒化チタン層を形成する工程と、前記窒化膜に開孔を形成する工程と、前記開孔が形成された部分に酸化物材料でなる電極また
は配線を形成し、前記開孔の底部において前記窒化チタ
ン層と前記酸化物材料でなる電極または配線との電気的
なコンタクトを形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】チタンまたはチタンを主成分とする膜と酸
化物材料でなる電極または配線との電気的なコンタクト
を形成する方法であって、チタン膜の表面に窒化膜を形成する工程と、前記窒化膜に開孔を形成する工程と、前記開孔が形成された部分に酸化物材料でなる電極また
は配線を形成する形成し、前記開孔の底部において前記
チタン膜と前記酸化物材料でなる電極または配線との電
気的なコンタクトを形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】チタンまたはチタンを主成分とする膜と酸
化物材料でなる電極または配線との電気的なコンタクト
を形成する方法であって、チタン膜の表面にプラズマ窒化法により窒化層を形成す
る工程と、絶縁膜を成膜する工程と、前記絶縁膜に開孔を形成する工程と、前記開孔が形成された部分に酸化物材料でなる電極また
は配線を形成し、前記開孔の底部において前記チタン膜
と前記酸化物材料でなる電極または配線との電気的なコ
ンタクトを形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】チタンまたはチタンを主成分とする膜と酸
化物材料でなる電極または配線との電気的なコンタクト
を形成する方法であって、絶縁膜を成膜する工程と、前記絶縁膜に開孔を形成する工程と、前記開孔の底部において露呈したチタン膜の表面にプラ
ズマ窒化法により窒化層を形成する工程と、前記開孔が形成された部分に酸化物材料でなる電極また
は配線を形成し、前記開孔の底部において前記チタン膜
と前記酸化物材料でなる電極または配線との電気的なコ
ンタクトを形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。