TWI565374B - 印刷佈線板及製造方法 - Google Patents

Description

印刷佈線板及製造方法

本發明係關於一種印刷佈線板及製造方法。

近年來，隨著對電子機器之高功能化及輕薄短小化之要求，電子零件之高密度集成化與高密度安裝化不斷進步。適應於此種要求，一直使用一種佈線密度更高且佈線層積層複數層而成之印刷佈線板。印刷佈線板包括核心層及於核心層上積層複數層而成之增層。作為此種印刷佈線板，例如有專利文獻1中所記載者。

專利文獻1中所記載之印刷佈線板之核心層之製造方法如下所述。首先，製作基材偏向下方之含基材絕緣層，於含基材絕緣層之單面上形成金屬箔。對未形成金屬箔之含基材絕緣層之表面照射二氧化碳氣體雷射。於專利文獻1中，利用來自金屬箔之雷射之反射光，將自通道下部之側壁突出之基材完全地除去。藉此，可使通道之內壁之整面平滑，故而可大幅地提高均鍍性。

[先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本專利特開2001-277426號公報

專利文獻2：國際公開第2010/076875號手冊

專利文獻3：日本專利特開2003-163461號公報

然而，專利文獻1中所記載之印刷佈線板於連接可靠性之提昇之方面具有改善之餘地。

根據本發明，提供一種印刷佈線板，其包括：樹脂層；及纖維基材，其位於上述樹脂層內；且於上述樹脂層上，形成有具有開口徑自上述樹脂層之第1面朝向第2面而變小之區域且貫通上述樹脂層之開口部；又具有：導體，其填埋上述開口部；端子，其抵接於上述樹脂層之上述第2面，並自上述第2面側被覆上述開口部之第2面側之開口面；且上述端子電性地連接於上述導體，並與上述導體形成為分體，上述纖維基材具有自上述開口部之側壁突出之突出部，上述突出部位於上述導體內部。

此處，端子只要為電性地連接於導體且與導體形成為分體者即可。例如，既可為配置於樹脂層之第二面側之電路或佈線層，又，亦可為焊墊等。

根據本發明，纖維基材自開口部之側壁突出，該突出部位於導體內部。另一方面，纖維基材位於樹脂層內。藉此，可利用纖維基材，抑制樹脂層與導體之相對位置之偏移。又，例如，即便於樹脂層自第2面朝向第1面地受到應力時，纖維基材亦將導體之位置固定，故而導體自開口部脫離、或發生位置偏移得以抑制。從而，可提高印刷佈線板之連接可靠性。

進而，根據本發明，亦可提供一種上述之印刷佈線板之製造方法。即，根據本發明，亦可提供一種上述印刷佈線板之製造方法，其包括如下步驟：準備包括具有第1面及第2面之樹脂層、位於上述樹脂層內之纖維基材、及配置於上述樹脂層之第2面側之端子之積層體之步驟， 形成貫通上述纖維基材且具有開口徑自上述樹脂層之第1面朝向第2面而變小之區域並貫通上述樹脂層之開口部之步驟，及藉由導體填埋上述開口部內之步驟，且於形成開口部之上述步驟中，以自上述第1面至上述第2面為止藉由自上述第1面側將上述樹脂層除去，並自上述開口部之第2面側之開口面露出上述端子之方式，形成上述開口部，以上述纖維基材之端部自上述開口部之側壁突出之方式，形成上述開口部，於藉由導體填埋上述開口部內之步驟中，以自上述開口部之側壁突出之上述纖維基材之突出部位於上述導體內部之方式，藉由導體填埋上述開口部內，將上述導體與自上述開口部之第2面側之開口面露出之上述端子電性地連接。

根據本發明，可提供一種連接可靠性優異之印刷佈線板及製造方法。

上述目的以及其他目的、特徵及優點藉由以下所述之較佳實施形態、及隨附於其之以下之圖式進而明瞭化。

以下，根據圖式對本發明之實施形態進行說明。

首先，對本實施形態之印刷佈線板之概要進行說明。

印刷佈線板如圖1、10、14、22、31所示， 具備樹脂層106(或106')、及位於樹脂層106(或106')內之纖維基材108。

於樹脂層106(或106')上，形成有具有開口徑自第1面10朝向第2面20而變小之區域且貫通樹脂層106(或106')之開口部116。

印刷佈線板具有填埋開口部116之導體124、及電性地連接於導體124之端子(內部電路)104。端子104抵接於樹脂層106(或106')之第2面，並且自上述第2面側被覆而封閉上述開口部116之第2面側之開口面。端子104並未與導體124構成為一體，而是與導體124形成分體。纖維基材108具有自開口部116之側壁突出之突出部109，突出部109位於導體124內部。

再者，於以下之實施形態中，端子為內部電路，但端子亦可為佈線層，又，亦可為焊墊。

以下對印刷佈線板之實施形態詳細地進行說明。

(第1實施形態) [印刷佈線板100]

圖1係表示第1實施形態之印刷佈線板100之構成之剖面圖。

第1實施形態之印刷佈線板100具有樹脂層106、纖維基材108及導體(通道124)。如圖1所示，樹脂層106形成於基板102上。纖維基材108較樹脂層106之中央部(厚度之中心位置)更偏向第1面10側。於本實施形態中，纖維基材並未較樹脂層106之中央部(厚度之中心位置)更靠近第2面20側地配置。又，通道124(導體)埋設於圖示之開口部116之內部。於沿著樹脂層106之厚度方向之剖面中，開口部116係以開口徑自樹脂層106之第1面10朝向第2面20而變小之方式構成。

又，於此種印刷佈線板100中，纖維基材108之一部分自較樹脂層106中央部更靠近第1面10側之開口部116之側壁突出。突出之纖維基材108之端部位於導體(通道124)內部。即，纖維基材108具有嵌入於通道124之內部之突出部109。

又，圖1所示之M1、M2、D1~D4及L1~L3係以如下方式而定義。M1表示纖維基材108之中心線。M2表示樹脂層106之中心線。D1表示第1面10至纖維基材108之中心線M1之距離。D2表示第2面20至纖維基材108之中心線M1之距離。D3表示第1面10至第2面20之距離，即樹脂層106之膜厚。D4表示第2面20至樹脂層106之中心線M2之距離。L1表示剖面視(沿著樹脂層106之厚度方向之剖面)時開口部之最大開口徑(以下，有時亦稱為頂徑)。 L2表示剖面視(沿著樹脂層106之厚度方向之剖面)時開口部之最小開口徑(以下，有時亦稱為底徑)。L3表示自開口部116之側壁至突出部109之前端之平均長度。突出部109之長度L3例如可由通道124之剖面視時之SEM影像算出。

以下，對印刷佈線板100之各構成詳細地進行說明。

本實施形態之印刷佈線板100包括核心層及形成於核心層上之增層。於本實施形態中，核心層相當於基板102。另一方面，增層相當於形成在基板102上之第1增層128。第1增層128既可僅形成於基板102之單面上，亦可分別形成於基板102之兩面上。又，基板102上之第1增層128之積層數只要為1層以上便無特別限定，亦可為2層以上。

第1增層128至少具有樹脂層106、纖維基材108及通道124。樹脂層106之整體之膜厚D3並無特別限定，較佳為20 μm以上100 μm以下，更佳為30 μm以上80 μm以下。有時會為了獲得微細化之半導體裝置而降低增層之膜厚。於此種構造中通道容易自開口部脫離。與此相對地，根據本實施形態，即便於如上所述膜厚D3較薄之情形時，由於纖維基材108之一部分(突出部109)埋設於通道124之內部，故而可防止通道124之脫離。

纖維基材108自樹脂層106之厚度之中心線，偏向樹脂層106之第1面10側。膜厚D3之一部分包括第1面10至纖維基材108之中心線M1之距離D1，膜厚D3之剩餘部分包 括纖維基材108之中心線M1至第2面20之距離D2。所謂纖維基材108之偏向係指纖維基材108之整體埋設於樹脂層106之中心線M2與第1面10之間，即距離D1小於距離D2。例如，D2/D1較佳為6/4以上9/1以下，更佳為7/3以上8/2以下，D2/D1較大者尤其較佳。又，藉由將D2/D1設定為6/4以上，可減小樹脂層106之表面之線膨脹率，故而可降低其表面之翹曲。另一方面，藉由將D2/D1設定為9/1以下，可提昇鍍敷液向開口部116內部之回流性。

通道124包括基底膜(金屬膜)118及鍍敷層(金屬層)122。於本實施形態中，通道124為填充開口部116內部之實心之場通道。於通道124之上部之周圍形成有導電電路126。於面內方向上，通道124既可以與導電電路126電性地連接之方式構成，亦可以隔離而未電性地連接之方式構成。另一方面，通道124之下部係以與設置於基板102之一面上之內部電路104之一部分相接之方式設置。於本實施形態中，通道124作為將內部電路104與未圖示之半導體元件電性地連接之外部端子而發揮作用。例如，於積層有複數層第1增層128之情形時，最下層之通道124作為將內部電路104與上層電路圖案連接之連接通道而發揮功能。通道124無論包括單層或多層金屬膜之哪一者均可，較佳為至少一部分積層金屬膜包括鍍膜。

又，導電電路126形成於樹脂層106上，包括金屬箔層 114、基底膜118及鍍敷層122。金屬箔層114係以與樹脂層106之第1面10相接之方式形成。導電電路126於俯視時既可為矩形形狀，亦可為沿特定方向延伸之電路圖案。

基底膜118包括堆積金屬膜或無電解鍍膜。基底膜118沿著開口部116之側壁及自開口部116露出之內部電路104之表面以膜狀延伸，一體化地被覆開口部116之側壁及內部電路104表面。於本實施形態中，基底膜118形成於開口部116之側壁上及自開口部116露出之內部電路104表面之整面上。進而，基底膜118形成於金屬箔層114之側壁上及上表面上。基底膜118既可以覆蓋至突出部109之前端部為止之方式形成，亦可以僅覆蓋突出部109之一部分(其中，不覆蓋突出部109之前端部)之方式形成。

鍍敷層122係埋設於開口部116之內部整體之實心狀之導電體。本實施形態中，於被覆開口部116之內面之基底膜118之內側填充有鍍敷層122。即，開口部116之內部僅包括基底膜118及鍍敷層122(其中，基底膜118並非必需)。該鍍敷層122既可為單層亦可為多層。又，於自第1面10側俯視樹脂層106時，鍍敷層122亦可形成在位於開口部116之外側之金屬箔層114之上表面上。

開口部116係指以自樹脂層106之第1面10跨至第2面20而貫通之方式形成之空間。於剖面視時，開口部116係以開口徑自第1面10朝向第2面20連續地或不連續地變小 之方式構成，更佳為以連續地變小之方式構成。開口部116自第1面10開始縮徑直至第2面20側為止。例如，開口部116之剖面形狀既可為自第1面10朝向第2面20尖端變細之楔形形狀，亦可為側壁具有複數個階差之圓筒形狀(其中，構成開口部116之樹脂層106之側壁且第2面20附近之部分亦可具有藉由軟蝕刻令其缺損之缺損區域。此處，軟蝕刻係與下述形成開口部116之方法相比，種類及步驟不同之處理)。

開口部116之一開口面與樹脂層106第1面10位於同一面上，且具有開口部116之最大開口徑L1。另一方面，開口部116之另一開口面具有開口部116之最小開口徑L2。於本實施形態中，開口徑L1只要大於開口徑L2便無特別限定，例如，開口徑L1較佳為開口徑L2之1.1倍以上L2之3倍以下，更佳為1.5倍以上L2之2倍以下。有時會為了減小通道之電阻值或增層之膜厚，而採用使開口徑L1比開口徑L2大之構造。此種構造中通道容易自開口部脫離。與此相對地，本實施形態中，由於通道124中埋設有突出部109，故而即便於此種構造中亦可抑制通道124之脫離。

開口徑L1、開口徑L2之大小於下述實施形態中亦相同。

關於此種開口部116之製造方法詳細敍述如下，即自樹脂層106之第1面10直至第2面20為止地，僅自第1面10側將樹脂層106除去而獲得。即，開口部116係藉由自第1 面10側朝向第2面20側將樹脂層106之一部分除去而形成者，並非自第2面20側朝向第1面10側將樹脂層106之一部分除去而獲得者。該點於下述實施形態中亦相同。

纖維基材108之突出部109係以於沿著印刷佈線板之厚度方向之剖面中位於第1面10與中心線M2之間，且位於通道124之內部之方式構成。突出部109與通道124結合(換而言之，於通道124內嵌入有突出部109)。

於沿著印刷佈線板之厚度方向之剖面中，介隔通道124而對向之突出部109彼此隔離。俯視時，開口部116內部之突出部109既可以構成環狀，亦可以沿著圓之外緣散落分佈之方式構成。又，於開口內壁之周緣方向上，突出部109之長度之最大值既可整體均一亦可不均一。例如，於開口內壁之周緣方向上，亦可並設有突出部109自內壁突出之第1區域與突出部109未自內壁突出之第2區域。又，第1區域與第2區域亦可交替地鄰接設置。而且，第1區域之中之任一區域之突出部109之長度之最大值較佳為下述範圍內。突出部109既可以與鍍敷層122直接相接之方式埋設於通道124內，亦可於前端整體受到基底膜118覆蓋之狀態下埋設於通道124內。

再者，自成為開口部116之最小徑之部分，未突出纖維基材。藉由採用此種構造，可防止鍍敷液之回流性降低。該構成於下述實施形態中亦相同。

纖維基材108只要位於第1面10至中心線M2之間(即，只要偏向第1面10側)，便可沿積層方向隔離而配置複數個。於沿著印刷佈線板之厚度方向之剖面中，自開口部116之1個側壁面，亦可突出複數個突出部109，但為了使連接可靠性與鍍敷液回流性之平衡優異，較佳為僅突出1個突出部109。

突出部109之長度L3/開口部116之最大開口徑L1較佳為1/100以上1/5以下，更佳為1/20以上1/6以下。又，突出部109之長度L3例如較佳為0.1 μm以上30 μm以下，更佳為1 μm以上20 μm以下，尤佳為3 μm以上15 μm以下。藉由將突出部109之長度L3指定於上述範圍內，可獲得鍍敷回流性及連接可靠性之平衡優異之印刷佈線板100。突出部109之長度L3既可為平均值亦可為最大值，但較佳為指定成最大值。

再者，所謂突出部109之長度係指突出部109突出之開口部側壁至突出部109前端之長度。

又，只要突出部109埋設於開口部116內部之通道124中，突出部109之長度L3便無特別限定，較佳為(開口徑L1-開口徑L2)/2以下，更佳為(開口徑L1-開口徑L2)/10以上(開口徑L1-開口徑L2)/3以下。由於將長度L3設定為上述範圍內，故而長度L3適度，因此可使鍍敷液之回流性與通道124之連接可靠性一併提昇。

關於該等突出部109之長度L3、突出部109之長度L3/開口部116之最大開口徑L1，於下述實施形態中亦相同。

內部電路104為銅等金屬層，且具有電性地連接於通道124之區域。內部電路104配置於基板102上。又，內部電路104與樹脂層106之第2面20直接接觸，內部電路104之一部分自第2面20側被覆開口部116之開口面，通道124連接於自內部電路104之開口面露出之部分。

其次，對第1實施形態之印刷佈線板之製造方法進行說明。圖3~6係表示印刷佈線板100之製造步驟之順序之步驟剖面圖。

第1實施形態之印刷佈線板100之製造方法包括如下步驟。形成核心層(基板102)之步驟、形成包括非對稱預成形體之積層體110之步驟、及形成通道124之步驟。以下，對各步驟進行說明。

<核心層形成步驟>

首先，準備一面上黏附有金屬箔之基板102。基板102只要由絕緣性之材料構成便無特別限定，例如可由環氧樹脂、玻璃基材-環氧樹脂積層板、玻璃基材-聚醯亞胺樹脂積層板、玻璃基材-鐵弗龍(登錄商標，Teflon)樹脂積層板、玻璃基材-雙順丁烯二醯亞胺‧三氮雜苯樹脂積層板、玻璃基材-氰酸酯樹脂積層板、玻璃基材-聚苯醚樹脂積層板、聚酯樹脂、陶瓷、含浸陶瓷之樹脂之任一者等而構成。又，作為基 板102，亦可使用下述構成積層體110之預成形體。另一方面，金屬箔可使用含有銅、鋁、鎳等至少任一金屬元素之金屬箔。其中，較佳為低電阻之銅箔。金屬箔既可形成於基板102之兩面上，亦可僅形成於單面上。

其次，於金屬箔上形成未圖示之保護膜。繼而，將保護膜以特定形狀圖案化。使用該保護膜，對金屬箔選擇性地進行蝕刻。藉此，如圖3(a)所示，於基板102之上形成具有特定圖案形狀之內部電路104。於本步驟中，可使用蝕刻阻劑或感光性抗蝕劑等作為保護膜。

<積層體形成步驟>

繼而，如圖3(b)所示，準備積層體110。積層體110並無特別限定，例如，可使用於含纖維基材108之樹脂層106之至少一面上積層有金屬箔層112者。即，積層體110係藉由於纖維基材中含浸有樹脂組成物而成之預成形體上形成金屬箔而形成。作為金屬箔，較佳為使用例如銅箔。積層體110既可為單層亦可具有多層構造。積層體110可使用例如將複數片預成形體重合而成者等。作為積層體，可使用至少於單面上重合帶載體箔之極薄金屬箔並進行加熱加壓成形而成者等。再者，增層亦可使用與核心層(基板102)相同之材料，但纖維基材或樹脂組成物亦可不同。

(預成形體)

此處，對預成形體(含纖維基材108之樹脂層106)之製造 方法進行詳細敍述。

預成形體係使一或二種以上樹脂組成物含浸於纖維基材108中，其後，使其半硬化而獲得，且包括纖維基材108與樹脂層106之片狀之材料。此種構造之片狀材料之介電特性、於高溫多濕下之機械式或電氣式之連接可靠性等各種特性優異，適於電路基板用之積層板之製造，較佳。

作為使本實施形態中所使用之樹脂組成物含浸於纖維基材中之方法，並無特別限定，可列舉例如：將樹脂組成物溶於溶劑中調製樹脂清漆而將纖維基材浸漬於樹脂清漆中之方法、藉由各種塗佈機進行塗佈之方法、藉由噴霧進行噴塗之方法、對帶支持基材之樹脂層進行層壓之方法等。其中，較佳為自纖維基材之兩面對膜狀之樹脂層進行層壓之方法。藉此，可自如地調節樹脂組成物相對於纖維基材之含浸量，可進而提昇預成形體之成形性。再者，於對膜狀之樹脂層進行層壓之情形時，更佳為使用真空之層壓裝置等。

使用圖9，對利用層壓方法之製造步驟進行說明。圖9係表示預成形體之製造步驟之一例之步驟剖面圖。

首先，準備載體材料5a、載體材料5b、片狀基材4，作為材料。又，準備真空層壓裝置、及熱風乾燥裝置2，作為裝置。載體材料5a包括由第1樹脂組成物所獲得之樹脂層106a。載體材料5b包括由第2樹脂組成物所獲得之樹脂層106b。載體材料5a、5b可藉由例如於載體膜上塗敷第1樹 脂組成物、第2樹脂組成物之樹脂清漆之方法等而獲得。作為片狀基材4，可使用例如將單層或複數片重合而成之纖維基材。

用於樹脂清漆之溶劑較佳為對樹脂組成物中之樹脂成分表現出良好之溶解性，於不帶來負面影響之範圍內亦可使用不良溶劑。作為表現出良好之溶解性之溶劑，可列舉例如：丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮、四氫呋喃、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、二甲亞碸、乙二醇、賽路蘇系、卡必醇系等。再者，第1樹脂組成物、及第2樹脂組成物之詳情將於下文敍述。

繼而，使用真空層壓裝置1形成將載體材料5a、片狀基材4及載體材料5b依序接合而成之接合體。真空層壓裝置1具備捲繞載體材料5a之輥、捲繞載體材料5b之輥、捲繞片狀基材4之輥、及層壓輥7。於減壓下，對於自各輥送出之薄片，使載體材料5a、及載體材料5b重合於片狀基材4之兩面上。藉由層壓輥7將重合而成之積層體接合。藉此，可獲得包括載體材料5a、片狀基材4及載體材料5b之接合體。

藉由於減壓下進行接合，即便於片狀基材4之內部或各載體材料5a、5b與片狀基材4之接合部位存在非填充之部分，亦可將其視為減壓孔隙或實質之真空孔隙。故而，可使最終所獲得之預成形體3處於無孔隙等之產生之良好之成形狀 態下。其原因在於：減壓孔隙或真空孔隙可於下述加熱處理中消去。對於此種接合步驟，可使用例如真空盒裝置等其他裝置。

繼而，使用熱風乾燥裝置2，於構成構成接合體之各載體材料5a、5b之樹脂組成物之熔融溫度以上之溫度下進行加熱處理。藉此，可將於減壓下之接合步驟中所產生之減壓孔隙等消去。進行熱處理之其他方法，例如可使用紅外線加熱裝置、加熱輥裝置、平板狀之熱板壓裝置等實施。

由上可獲得非對稱之預成形體3(相當於圖3(b)之樹脂層106及纖維基材108)。如圖3(b)所示，纖維基材108自樹脂層106之厚度之中心位置，偏向厚度方向。將此種預成形體稱為非對稱預成形體。

(樹脂組成物)

繼而，對用於預成形體之製造之第1樹脂組成物、第2樹脂組成物(其等既可為異種亦可為同種，較佳為同種。以下，將其等統稱為樹脂組成物)進行詳細敍述。樹脂組成物含有例如熱硬化性樹脂、硬化劑、及填充劑。以下，對各成分進行說明。

作為熱硬化性樹脂，並無特別限定，可列舉例如：苯酚酚醛樹脂、苯甲酚酚醛樹脂、聯苯酚A酚醛樹脂等酚醛型苯酚樹脂、未改質之可溶酚醛苯酚樹脂、經桐油、亞麻籽油、核桃油等改質之油改質可溶酚醛苯酚樹脂等可溶酚醛型苯 酚樹脂等苯酚樹脂、聯苯酚A型環氧樹脂、聯苯酚F型環氧樹脂、聯苯酚S型環氧樹脂、聯苯酚E型環氧樹脂、聯苯酚M型環氧樹脂、聯苯酚P型環氧樹脂、聯苯酚Z型環氧樹脂等聯苯酚型環氧樹脂、苯酚酚醛型環氧樹脂、苯甲酚酚醛型環氧樹脂等酚醛型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、聯苯芳烷基型環氧樹脂、芳基伸烷基型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、苯氧基型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、降烯型環氧樹脂、金剛烷型環氧樹脂、茀型環氧樹脂等環氧樹脂、脲(尿素)樹脂、三聚氰胺樹脂等具有三氮雜苯環之樹脂、不飽和聚酯樹脂、雙順丁烯二醯亞胺樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂、矽酮樹脂、具有苯并環之樹脂、氰酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、苯并環丁烯樹脂等。既可單獨使用該等之中之1種，亦可將具有不同之重量平均分子量之2種以上併用，還可將1種或2種以上與其等之預聚物併用。

自該等之中，亦可使用例如氰酸酯樹脂(包括氰酸酯樹脂之預聚物在內)。藉由使用氰酸酯樹脂，可縮小樹脂層之熱膨脹係數。進而，氰酸酯樹脂之電氣特性(低介電率、低介電正切)、機械強度等亦優異。

作為酚醛型氰酸酯樹脂，例如，可使用下述通式(1)所示者。

[化1]

通式(1)所示之酚醛型氰酸酯樹脂之平均重複單位n為任意之整數，並無特別限定，較佳為1以上10以下，尤佳為2以上7以下。藉由將平均重複單位n設定為下限值以上，可抑制酚醛型氰酸酯樹脂之耐熱性之降低、以及加熱時低量體之脫離、揮發。又，藉由將平均重複單位n設定為上限值以下，可抑制熔融黏度變得過高、及樹脂層之成形性降低。

熱硬化性樹脂之含量並無特別限定，相對於樹脂組成物整體之合計值，較佳為5質量%以上50質量%以下，尤佳為20質量%以上40質量%以下。藉由將熱硬化性樹脂之含量設定為下限值以上，使得樹脂層之製造穩定性提昇，另一方面，藉由設定為上限值以下，可獲得強度優異之樹脂層。

又，樹脂組成物較佳為包含無機填充材料。藉此，即便使積層板薄型化亦可賦予優異之強度。進而，可使積層板之低熱膨脹化提昇。

作為無機填充材料，可列舉例如：滑石、煅燒黏土、未煅燒黏土、雲母、玻璃等矽酸鹽、氧化鈦、氧化鋁、矽土、熔融矽土等氧化物、碳酸鈣、碳酸鎂、鋁碳酸鎂等碳酸鹽、氫氧化鋁、氫氧化鎂、氫氧化鈣等氫氧化物、硫酸鋇、硫酸鈣、亞硫酸鈣等硫酸鹽或亞硫酸鹽、硼酸鋅、偏硼酸鋇、硼酸鋁、 硼酸鈣、硼酸鈉等硼酸鹽、氮化鋁、氮化硼、氮化矽、氮化碳等氮化物、鈦酸鍶、鈦酸鋇等鈦酸鹽等。

無機填充材料之含量並無特別限定，相對於樹脂組成物整體之合計值，較佳為20質量%以上80質量%以下，尤佳為30質量%以上70質量%以下。若含量為上述範圍內，則尤其可實現低熱膨脹、低吸水。

又，於使用氰酸酯樹脂(尤其是酚醛型氰酸酯樹脂)作為熱硬化性樹脂之情形時，較佳為進而添加環氧樹脂(實質上不含鹵原子)。作為環氧樹脂，可列舉例如：聯苯酚A型環氧樹脂、聯苯酚F型環氧樹脂、聯苯酚E型環氧樹脂、聯苯酚S型環氧樹脂、聯苯酚M型環氧樹脂、聯苯酚P型環氧樹脂、聯苯酚Z型環氧樹脂等聯苯酚型環氧樹脂、苯酚酚醛型環氧樹脂、苯甲酚酚醛型環氧樹脂等酚醛型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、二甲苯型環氧樹脂、聯苯芳烷基型環氧樹脂等芳基伸烷基型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、苯氧基型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、降烯型環氧樹脂、金剛烷型環氧樹脂、茀型環氧樹脂等。作為環氧樹脂，既可單獨使用該等之中之1種，亦可將具有不同之重量平均分子量之2種以上併用，還可將1種或2種以上與其等之預聚物併用。該等之中，尤佳為芳基伸烷基型環氧樹脂或萘型環氧樹脂。藉此，可進而使吸濕焊錫耐熱性及難燃性提昇。

於使用氰酸酯樹脂(尤其是酚醛型氰酸酯樹脂)作為熱硬化性樹脂之情形時，可進而添加苯酚樹脂。作為苯酚樹脂，可列舉例如：酚醛型苯酚樹脂、可溶酚醛型苯酚樹脂、芳基伸烷基型苯酚樹脂等。作為苯酚樹脂，既可單獨使用該等之中之1種，亦可將具有不同之重量平均分子量之2種以上併用，還可將1種或2種以上與其等之預聚物併用。該等之中，尤佳為芳基伸烷基型苯酚樹脂。藉此，可進而使吸濕焊錫耐熱性提昇。

另外，根據需要，可向樹脂組成物中適當調配耦合劑、硬化促進劑、硬化劑、熱塑性樹脂、有機填充材料等添加劑。本實施形態中所使用之樹脂組成物可較佳地以藉由有機溶劑等使上述成分溶解及/或分散而成之液狀形態使用。

進而，根據需要，亦可向樹脂組成物中，添加顏料、染料、消泡劑、調平劑、紫外線吸收劑，發泡劑、抗氧化劑、難燃劑、離子捕捉劑等上述成分以外之添加物。

(纖維基材)

作為本實施形態中所使用之纖維基材，並無特別限定，可列舉：玻璃布等玻璃纖維基材，包括選自聚苯并唑樹脂纖維、聚醯胺樹脂纖維、芳香族聚醯胺樹脂纖維、全芳香族聚醯胺樹脂纖維等之聚醯胺系樹脂纖維、選自聚酯樹脂纖維、芳香族聚酯樹脂纖維、全芳香族聚酯樹脂纖維等之聚酯系樹脂纖維、聚醯亞胺樹脂纖維、氟樹脂纖維之至少任1種之合 成纖維基材，以牛皮紙、棉短絨紙、棉絨與牛皮紙漿之混抄紙等任1種以上為主成分之紙基材等有機纖維基材等。該等之中，自強度、吸水率之點而言尤佳為玻璃纖維基材。又，藉由使用玻璃布，可進而縮小樹脂層之熱膨脹係數。

作為構成玻璃纖維基材之玻璃，可列舉例如：E玻璃、C玻璃、A玻璃、S玻璃、D玻璃、NE玻璃、T玻璃、H玻璃等任1種以上。該等之中較佳為S玻璃、或T玻璃。藉此，可縮小玻璃纖維基材之熱膨脹係數，從而可縮小預成形體之熱膨脹係數。

纖維基材之厚度通常可以說是成為纖維基材108之厚度。纖維基材108之厚度並無特別限定，較佳為5 μm以上60 μm以下，更佳為10 μm以上35 μm以下，尤佳為14 μm以上20 μm以下。纖維基材108既可包括單獨之纖維基材，亦可包括複數層積層而成之纖維基材。再者，於將複數片纖維基材重合而使用之情形時，只要其合計之厚度滿足上述之範圍即可。藉由使用具有此種厚度之纖維基材，預成形體製造時之基環性進而提昇，減少翹曲之效果尤其顯著。

又，本實施形態中所使用之纖維基材於1 MHz下之介電率較佳為3.8以上7.0以下，更佳為4.7以上7.0以下，尤佳為5.4以上6.8以下。藉由使用具有此種介電率之玻璃纖維基材，可進而減少積層板之介電率，對於使用高速信號之半導體封裝體較佳。作為具有如上所述之線膨脹係數、楊式 模數及介電率之玻璃纖維基材，可較佳地使用例如E玻璃、S玻璃、NE玻璃、或T玻璃等。

(積層體110)

繼而，於所得之非對稱預成形體之單面或兩面(此處為樹脂層106之單面或兩面)上，以配置有金屬箔層112之構成進行加熱加壓而積層。藉此獲得積層體110。亦可對金屬箔層112之表面賦予載體箔。

金屬箔層112之厚度較佳為1 μm以上18 μm以下，更佳為2 μm以上12 μm以下。若金屬箔層112之厚度為上述範圍內，則可形成微細圖案，從而可藉由控制脫線度而進一步減少翹曲。

作為構成金屬箔層112之金屬，可列舉例如：銅及銅系合金、鋁及鋁系合金、銀及銀系合金、金及金系合金、鋅及鋅系合金、鎳及鎳系合金、錫及錫系合金、鐵及鐵系合金等至少任1種以上。又，作為金屬箔層112，亦可使用附載體之電解銅箔等。

<通道形成步驟>

繼而，如圖3(c)所示，於基板102之一面上配置積層體110。例如，藉由加熱加壓於基板102上形成積層體110。本實施形態中，僅於基板102之單面上形成有積層體110，但並不限定於此，亦可於基板102之兩面上均形成有積層體110。又，於本實施形態中，係將形成有金屬箔層112之非 對稱預成形體形成於基板102上，但並不限定於此，亦可在於基板102上形成非對稱預成形體之後，於該非對稱預成形體上形成金屬箔層。

繼而，於金屬箔層112上形成未圖示之抗蝕劑。繼而，如圖4(a)所示，將抗蝕劑作為遮罩，對金屬箔層112進行選擇性之蝕刻。藉此，形成具有特定圖案之金屬箔層114。金屬箔層114例如作為俯視時沿特定方向延伸之電路圖案或矩形狀之焊墊而發揮功能。

繼而，如圖4(b)所示，使用雷射等，選擇性地將樹脂層106除去。藉此，於樹脂層106上形成開口部116。於本步驟中，開口部116係以成為自樹脂層106之第1面10貫通至第2面20之貫通孔之方式形成。開口部116係藉由自第1面10側沿一個方向將樹脂層106除去而形成。即，不自第2面20側除去樹脂層106。

自開口部116之底面(開口面)，露出內部電路104之上表面之一部分。又，於開口部116之側壁，突出纖維基材108之一部分(突出部109)。

於先前之技術中，始終期望能使鍍敷液之回流特性提昇。又，亦未意識到開口部內部之通道脫離之問題。因此，於先前，通常為開口部之側壁平滑地形成。

與此相對地，本實施形態之印刷佈線板係可藉由使纖維基材自通孔上部之側壁突出並埋設於通道內部，而抑制開口部 內部之通道脫離者。

因此，本發明者等人研究之結果判明：藉由適當地選擇樹脂層及纖維基材之材料或雷射條件，可使纖維基材自通孔(開口部)上部側之側壁突出。例如，除了(i)降低樹脂層中之無機填充材料之含量、(ii)提高纖維基材之熔點、或(iii)降低樹脂之硬度以外，藉由使用(iv)延長脈衝寬度及/或(v)提高基準能量且較少曝光照射數等條件，可延長自本實施形態之開口部之上部之側壁突出之纖維基材之長度。相反地，例如，除了(i)提高樹脂層中之無機填充材料之含量、(ii)降低纖維基材之熔點、或(iii)提高樹脂之硬度以外，藉由使用(iv)縮短脈衝寬度及/或(v)降低基準能量且增加曝光照射數等條件，可縮短自本實施形態之開口部之上部之側壁突出之纖維基材之長度。

此外，可藉由適當地選擇雷射之照射能量、脈衝寬度、照射次數等，調節開口部之開口徑L1及開口徑L2之大小。

繼而，對樹脂層106之開口部116之內部，進行除膠渣處理。除膠渣處理係將膠渣等除去而使表面潔淨之處理。作為除膠渣處理，並無特別限定，可使用如下等公知之方法：濕式法，其使用具備有機物分解作用之氧化劑溶液等；及乾式法，其包括對作為對象物者直接照射氧化作用較強之活性種(電漿、自由基等)而將有機物殘渣除去之電漿法等。

例如，作為藉由藥液進行之除膠渣處理，具體而言，可列 舉如下方法等，即於實施樹脂表面之膨潤處理之後，藉由鹼處理進行蝕刻，繼而進行中和處理。又，例如，作為藉由電漿處理進行之除膠渣處理，例如藉由於數mTorr~數Torr之氣體環境下利用數kHz~數十MHz左右之高頻電源進行放電而進行。再者，作為使用氣體，可使用例如氧等反應性氣體、抑或氮或氬等惰性氣體。藉由電漿而活化之氣體成分依據壓力與使用氣體之種類，而產生化學反應、因氣體分子本身之衝突(轟擊)而產生之物理反應、或該等兩者，藉此可將由通孔中之殘渣或低分子所造成之表面污跡除去。藉由電漿處理進行之清潔例如可以平行平板方式進行。

藉由使用電漿之除膠渣處理，可將於藉由藥液進行之清潔中未能澈底除去之頑固之樹脂組成物之殘渣除去。又，亦可不使用藥液。藉由不使用藥液，例如，可確實地防止向內部電路104等佈線層或纖維基材108之界面之藥液之浸染或離子之進入。進而，可使露出之樹脂層106之表面產生電漿，而進行樹脂層106之第1面10之改質。藉此，可提昇第1面10與導體膜之密接性。如此根據樹脂層106之第1面10或開口部116之內壁之表面之狀態，適當地採用各種除膠渣處理之方法。

於除膠渣處理後，如圖4(c)所示，於金屬箔層114上、開口部116之底面(自開口部116露出之內部電路104)上及側壁上形成基底膜118。基底膜118亦可使用離子塗鍍、濺鍍、 真空蒸鍍、PVD法(physical vapor deposition，物理氣相沈積)、或CVD法(chemical vapor deposition，化學氣相沈積)而形成。又，基底膜118亦可使用無電解鍍敷法而形成。對無電解鍍敷法之例進行說明。例如，首先，至少於開口部116之底面(內部電路104之上表面)及側壁上賦予觸媒核。作為該觸媒核，並無特別限定，例如，可使用貴金屬離子或鈀膠體。繼而，以該觸媒核為核，藉由無電解鍍敷處理形成薄層之無電解鍍敷層。對於無電解鍍敷，可使用例如包含硫酸銅、福馬林、錯合劑、氫氧化鈉等者。再者，於無電解鍍敷後，較佳為實施100~250℃之加熱處理，使鍍敷被膜穩定化。120~180℃之加熱處理於可形成能抑制氧化之被膜之點上尤佳。又，無電解鍍敷層之平均厚度只要為可進行如下之電鍍之厚度即可，例如，為0.1~1 μm左右即足夠。

此處，如上所述，於本實施形態中，突出部109之前端並未受到基底膜118被覆，而是自基底膜118突出。於突出部109之前端未形成基底膜118，藉此可防止於沿著樹脂層106之厚度方向之剖面中對向之突出部109間被基底膜118填埋之情況。

繼而，如圖5(a)所示，於基底膜118上形成具有特定之開口圖案之抗蝕劑層120。該開口圖案相當於例如電路圖案。作為抗蝕劑層120，並無特別限定，可使用公知之材料，且可使用液狀及乾膜。於形成微細佈線之情形時，作為抗蝕劑 層120，較佳為使用感光性乾膜等。對使用感光性乾膜之一例進行說明。例如，於基底膜118上積層感光性乾膜，將非電路形成區域曝光而使其光硬化，利用顯影液將未曝光部分溶解而除去。使已硬化之感光性乾膜殘存，藉此形成抗蝕劑層120。

其次，如圖5(b)所示，至少於抗蝕劑層120之開口圖案內部且無電解鍍敷層上，藉由電鍍處理，形成鍍敷層122。鍍敷處理中，基底膜118係作為供電層而發揮作用。該基底膜118形成於開口部116之內壁。因此，於開口部116之內部埋設鍍敷層122。作為電鍍，並無特別限定，可使用通常之印刷佈線板中所使用之公知之方法，例如，可使用於使其浸漬在硫酸銅等鍍敷液中之狀態下向鍍敷液中導流電流等方法。鍍敷層122既可為單層亦可具有多層構造。作為鍍敷層122之材料，並無特別限定，可使用例如：銅、銅合金、42合金、鎳、鐵、鉻、鎢、金、焊錫任1種以上。

繼而，如圖5(c)所示，使用鹼性剝離液、硫酸或市售之抗蝕劑剝離液等將抗蝕劑層120除去。

繼而，如圖6所示，將形成有鍍敷層122(藉由鍍敷層122被覆)之區域以外之基底膜118及金屬箔層114除去。例如，可藉由使用軟蝕刻(閃蝕)等，將基底膜118及金屬箔層114除去。此處，軟蝕刻處理可藉由例如使用包含硫酸及過氧化氫之蝕刻液之蝕刻而進行。藉此，可形成通道124及導電電 路126。通道124包括基底膜118及鍍敷層122。另一方面，導電電路126係將金屬箔層114及金屬層(無電解鍍敷層之基底膜118及鍍敷層122)積層而構成。以此方式，可藉由於積層體110上形成通道124，而形成第1增層128。

由上，可獲得本實施形態之印刷佈線板100。又，亦可將第1實施形態中所得之印刷佈線板100用作內層電路基板，於該內層電路基板上進而形成增層。

[半導體裝置150]

圖2係表示半導體裝置150之構造之剖面圖。

可於第1實施形態之印刷佈線板100上安裝未圖示之半導體晶片，而獲得半導體裝置150。如圖2所示，半導體裝置150具有印刷佈線板100、安裝於印刷佈線板100上之半導體元件138、及將印刷佈線板100與半導體元件138電性地連接之凸塊134。於該等印刷佈線板100與半導體元件138之間形成有焊錫抗蝕劑層130。於焊錫抗蝕劑層130內，通道124經由佈線層132及凸塊134與半導體元件138電性地連接。即，於通道124之上部、佈線層132及凸塊134之周圍形成有焊錫抗蝕劑層130。另一方面，半導體元件138係於其周圍形成底膠136而得以封裝。

佈線層132係藉由例如減成法而製作。又，亦可將任意之增層積層，反覆實施藉由加成法進行層間連接及電路形成之步驟，從而形成印刷佈線板。作為焊錫抗蝕劑層130之積層 方法，並無特別限定，既可為與積層體110或第1增層128之積層方法相同之方法，亦可為不同之方法。用於焊錫抗蝕劑層130之材料並無特別限定，既可適當使用積層體110或第1增層128中所使用之材料，亦可使用不同之材料。例如，焊錫抗蝕劑材料較佳為使纖維基材包含於樹脂組成物中而成之材料。焊錫抗蝕劑層130之製作方法並無特別限定，既可為與本實施形態之樹脂層106相同之製作方法，亦可為不同之製作方法。

對第1實施形態之作用效果進行說明。

根據本實施形態之印刷佈線板100，於開口徑自樹脂層106之第1面10朝向第2面20逐漸變小之開口部116埋設有通道124。本發明者等人研究之結果判明：此種埋設於開口部中之通道易於藉由自第2面朝向第1面方向對樹脂層施加之負荷而自樹脂層中拔出。因此，進而研究發現，藉由於通道124之上部採用纖維基材108之一部分(突出部109)自樹脂層106突出並陷入通道124之內部之構造，可防止通道124之脫離。於本實施形態中，纖維基材108嵌入於樹脂層106中並且埋設於通道124之內部。因此，纖維基材108可抑制樹脂層106與通道124之相對位置之偏移。藉此，即便沿樹脂層106之膜厚方向施加應力，纖維基材108亦將通道124之位置固定，故而通道124自開口部116脫離之情況得以抑制。從而，可獲得連接可靠性優異之印刷佈線板100。

如圖1所示，開口部116之剖面形狀為下端自下方朝向上方而變寬之構造。當於此種構造下受到自下方向上方之應力之情形時，本發明者等人明確了如下事實。第1：開口部116之高度越小，開口部116內面與通道124之接觸面積越小，埋設於開口部116中之通道124越容易脫離(第1種情形)。第2：開口部116之下端之寬度(開口徑L1比開口徑L2之比率)越大，力學上而言埋設於開口部116中之通道124越容易脫離(第2種情形)。根據本實施形態，即便於如上所述之第1及第2種情形時，突出部109亦將通道124之位置固定，故而通道124自開口部116脫離之情況得以抑制。

先前之專利文獻2之印刷佈線板之製造方法如下所述。首先，準備中間層上具有加強材料之樹脂層作為核心層。自樹脂層之上面朝向中央部進行雷射照射，並且自下面朝向中央部進行雷射照射。藉此，自兩側形成2個開口部，形成兩面具有楔形之通孔。通孔中，於該等開口部交叉之中央部，突出加強材料。繼而，對此種通孔進行除膠渣處理，藉由鍍敷埋設金屬膜。

然而，本發明者等人研究之結果發現：上述之先前技術中，於如下方面存在改善之餘地。首先，於專利文獻2中，在通孔之最小開口徑之部分，突出加強材料。於該部分，加強材料會堵塞通孔之開口。因此，會使鍍敷液向通孔之下部之回流性降低、或通孔之下部之除膠渣處理變得不充分。因 此，於先前之印刷佈線板中，良率降低。又，於剖面視時，難以正確地控制2個開口部之公差位置與加強材料之位置。又，於俯視時，有時會發生第1開口部之最小徑之開口位置與第2開口部之最小徑之開口位置之位置偏移之情況。因此，於先前之印刷佈線板中，製造容度降低，並且作業性亦降低。

與此相對地，根據本實施形態，於開口部116之側壁之中之構成大於最小開口徑之開口徑之部分形成有纖維基材108之突出部109。換而言之，於開口徑較大之開口部116之上部形成有突出部109。因此，既不會妨礙鍍敷液向開口部116之下部流入，亦不會妨礙對開口部116之底部之除膠渣處理。從而，可獲得良率優異之印刷佈線板100。

又，根據本實施形態，開口部116係自第1面10側朝向第2面20側沿一個方向而形成。開口部116形成為較沿對向之2個方向而形成之開口部更簡單之構造。又，亦無需2個開口之位置對準。又，只要突出部109偏向開口部116之上部側之任一位置即可，故而製造容度較高。從而，根據本實施形態，可獲得製造容度較高且製造穩定性亦較高之印刷佈線板100。

又，纖維基材108偏向印刷佈線板之半導體晶片搭載面側，故而可縮小印刷佈線板之半導體晶片側之部分與半導體晶片之線膨脹係數差。藉此，可防止半導體晶片之剝離等。

對第1實施形態之變形例進行說明。圖7及圖8表示第1實施形態之印刷佈線板100之變形例。

如圖7所示，亦可於基板102之兩面上均形成有增層。即，亦可於基板102之一面上形成有第1增層128，於基板102之另一面上形成有第2增層128。各增層既可使用同種之材料，亦可使用異種之材料。於各層中，通道數或佈線數等可適當地設定。

又，如圖8所示，亦可於基板102上形成有貫通孔142。於貫通孔142之內壁形成有鍍膜144。該鍍膜144可將形成於基板102之一面上之佈線與形成於另一面上之佈線電性地連接。例如，在圖3(c)所示之步驟之後，於基板102上形成貫通孔142。其後，於貫通孔142上形成鍍膜144。其後，進行與圖4(a)所示之步驟以後相同之操作。藉此，可獲得圖8所示之印刷佈線板。

於其他變形例中，作為積層體110，不僅可用於增層中，亦可用於核心層中。又，於第1增層128之面內方向上，只要至少於1個通道124中埋入突出部109即可，但較佳為於所有通道124中均埋入突出部109。又，於增層為多層之情形時，只要至少於1層上，在通道124中埋入突出部109即可，但較佳為於各層上，在通道124中均埋入突出部109。

又，形成圖6所示之導電電路126之步驟亦可更換成各步驟，例如，既可為如下步驟，即在於金屬箔層114上形成抗 蝕劑層120且形成鍍敷層122之後，將抗蝕劑層120除去；亦可為如下步驟，即在於金屬箔層114上形成鍍敷層122，於鍍敷層122上形成抗蝕劑層120並進行蝕刻之後，將抗蝕劑層120除去。

(第2實施形態)

圖10表示將印刷佈線板200之一部分放大所得之放大剖面圖。

於第2實施形態之印刷佈線板200中，形成有包含開口部208A及間隙208之開口部204A，除了於該開口部204A中嵌入有導體(通道124)之點以外其他與第1實施形態均相同。

印刷佈線板200中，於較成為開口部116之最小徑之部分更靠近第2面20側之區域內，形成有位於樹脂層106與內部電路104之間之間隙208。該間隙208形成於樹脂層106及內部電路104之中之至少任一者上，經由開口部208A連通於開口部116。藉由使開口部116之周壁或內部電路104之表面缺損，而形成間隙208。

而且，於自第1面10側俯視時，間隙208位於較構成成為開口部116之最小開口徑之部分之側壁而言更靠近開口部116外側之位置，於間隙208及開口部116中填充有通道124。

內部電路104係與樹脂層106之第2面20直接接觸而設 置，且與通道124電性地連接者。此處，通道124上部位於具有開口部116之最大開口徑L1之開口端之上部。通道124中部位於具有開口部116之最大開口徑L1之開口端至形成最小開口徑L2之部分之間。又，通道124下部位於具有開口部116之最小開口徑L2之部分之下方。該等通道124之上部、中部及下部連續且一體地形成。其中，通道124之下部具有防止脫落功能。

通道124於具有開口部116之最小開口徑L2之部分之下方，具有大於開口徑L2之橫寬(與印刷佈線板之厚度方向正交之方向之寬度尺寸)之區域。該區域包括填充於開口部204A內之部分。即，於自第1面10側俯視時，開口部204A之側壁位於較構成成為開口部116之最小開口徑之部分之側壁而言更靠近開口部116外側之位置。

通道124之下部並非與通道124之上部對稱，而是具有不同之構造。即，於剖面視時，通道124較佳為具有最小開口徑L2之開口之下方之橫寬小於具有最大開口徑L1之開口之上方之橫寬。

通道124係自開口部202之側壁沿著第2面20而形成。於通道124之中部與下部之間形成有收縮部。樹脂層106之側壁係沿著通道124之收縮部而形成。該樹脂層106之剖面形狀為銳角形狀(此處，銳角係只要沿著通道124而形成之開口部202之側壁與第2面20所成之角為銳角即可，其 前端之一部分亦可帶有弧度)。

開口部202包含開口部116、及連通於該開口部116之開口部204A。於剖面視時，開口部202係以開口徑自第1面10朝向第2面20連續地或不連續地變小之方式構成，更佳為以連續地變小之方式構成。於本實施形態中，於開口部202之下部之一部分(形成有纖維基材108之位置之下方)，具有較開口部116之最小開口徑L2更寬之開口部204A。

其中，自成為開口部116之最小開口徑之部分，未突出纖維基材。

開口部204A具備藉由使自開口部116露出之內部電路104之表面缺損而形成之開口部208A、及連通於該開口部208A且沿與印刷佈線板之厚度方向正交之方向延伸之間隙208。開口部208A之直徑與自開口部116側至內部電路104側相等，開口部208A形成為圓柱形狀。

間隙208係由內部電路104之底面204、側壁206及樹脂層106之第2面20包圍而構成。於本實施形態中，藉由使內部電路104之表面缺損，而形成有間隙208。

間隙208之剖面形狀並無特別限定，可列舉字狀、U字狀等。間隙208只要於俯視時形成於具有開口部116之最小開口徑L2之部分之外側即可。間隙208既可形成於開口部208A之周緣之一部分上，亦可以環狀形成於開口部208A之全周圍。

於開口部208A及間隙208內，埋設有通道124。

於間隙208，只要埋設有通道124便無特別限定，既可埋設有基底膜118及鍍敷層122兩者，亦可僅埋設基底膜118或鍍敷層122之任一者。此種通道124較佳為例如與樹脂層106之第2面20、內部電路104之底面204及側壁206之各者相接。從而，於第2實施形態中，通道124與內部電路104之接觸面積和第1實施形態相比而言提高，故而可使印刷佈線板200之耐衝擊性及耐熱衝擊性提昇。

於第2實施形態中，通道124埋設至較最小開口徑L2更寬之開口部204A之內部為止。該通道124之下部(埋設於開口部204A中之導體之埋設部)具有較開口徑L2更寬之橫寬。因此，通道124之下部可制止通道124整體通過開口徑L2之開口而自開口徑L1之開口脫離。從而，通道124自開口部202脫離之情況得到抑制。由此，可獲得連接可靠性優異之印刷佈線板200。

又，通道124與內部電路104之接觸面積和通道124未埋設於間隙208內之情形相比而言增加。因此，通道124與內部電路104之連接不良得以減少。從而，於本實施形態中，耐熱循環特性提昇。

其次，對第2實施形態之印刷佈線板200之製造方法進行說明。

圖11~圖12係說明第2實施形態之印刷佈線板200之製 造方法之步驟順序之步驟剖面圖。第2實施形態之印刷佈線板200之製造方法除了於形成開口部後，對開口部進行軟蝕刻之點以外，其他與第1實施形態均相同。適當省略與第1實施形態共通之製法之說明。

首先，如圖11(a)所示，藉由經過第1實施形態之圖3(a)~圖4(b)之步驟，而獲得圖示之構造體。該構造體中，於開口部116之底面(第2面側之開口端)露出內部電路104之表面。繼而，如圖11(b)所示，對導電層(內部電路104)之表面進行軟蝕刻。例如，以除去膜厚0.2~2 μm左右之方式進行軟蝕刻。於內部電路104上，形成有沿深度方向及橫向方向(內部電路104之厚度方向及正交於厚度方向之橫向方向)剜出之開口部204A。對於軟蝕刻，可使用例如包含硫酸與過氧化氫之混合液之藥液。此處，將開口部116與開口部204A連續而構成之空隙部設定為開口部202。又，亦可藉由軟蝕刻，沿側壁方向對開口部202之內部之樹脂層106之一部分進行側面蝕刻。

例如，如圖13所示，於開口部116之第2面20側之區域內，亦可形成有較成為最小開口徑之部分更寬之部分。於該情形時，開口部116包括自第1面側朝向第2面側縮徑之開口部116A、及連通於該開口部116A之開口部116B。

又，開口部116B之直徑自開口部116A側至開口部208A側相等，開口部116B形成為圓柱形狀。於該情形時，形成 於開口部116B之較開口部116A之最小徑部分更外側之部分相當於間隙。

於開口部116、間隙208內，填充有通道。

再者，即便於形成如圖13所示之開口部116之情形時，亦自樹脂層106之第1面至第2面為止藉由自第1面側將樹脂層106除去。

進而，於圖13中，亦可不形成開口部204A。

繼而，如圖11(c)所示，與第1實施形態同樣地，於開口部202之底面(內部電路104上)及側壁上、樹脂層106之第1面10上形成基底膜118。繼而，與第1實施形態同樣地，如圖12(a)所示，於配置在第1面10上之基底膜118上，形成具有特定圖案之抗蝕劑層120。繼而，如圖12(b)所示，以填埋開口部202之內部及抗蝕劑層120之隔離部之方式形成鍍敷層122。繼而，於將該抗蝕劑層120除去之後，將形成有鍍敷層122之區域以外之基底膜118及金屬箔層114除去。由上，可獲得如圖12(c)所示之印刷佈線板200。第2實施形態之印刷佈線板200可取得與第1實施形態相同之效果。

(第3實施形態)

參照圖14~圖19，對本發明之第3實施形態進行說明。

[印刷佈線板300]

圖14係表示第3實施形態之印刷佈線板300之構成之剖 面。

本實施形態之印刷佈線板300於纖維基材108較樹脂層106之中央部更偏向第2面20側之點上與第1實施形態不同。於本實施形態中，纖維基材並非較樹脂層106之中央部(厚度之中心位置)更靠近第1面10側而配置。而且，纖維基材108之一部分(突出部109)較樹脂層106中央部更傾向於自第2面20側之開口部116之側壁突出。其他點與第1實施形態均相同。

又，圖14所示之L4表示於沿著印刷佈線板之厚度方向之剖面中，突出部109之前端部至另一突出部109之前端部之隔離距離。

以下，對印刷佈線板300之各構成詳細地進行說明。

纖維基材108偏向樹脂層106之第2面20側。所謂纖維基材108之偏向係指纖維基材108之整體埋設於樹脂層106之中心線M2與第2面20之間，即距離D1大於距離D2。例如，D1/D2較佳為6/4以上9/1以下，更佳為7/3以上8/2以下。藉由將D1/D2設定為下限值以上，可提高鍍敷液向開口部116內部之回流性。藉此，可獲得製造穩定性優異之印刷佈線板。D1/D2之範圍於下述實施形態中亦相同。

纖維基材108之突出部109剖面視時位於第2面20至中心線M2之間，並陷入通道124之內部。換而言之，突出部109並未配置於第1面10至中心線M2之間。突出部109 與通道124結合(換而言之，於通道124內嵌入有突出部109)。

又，於沿著印刷佈線板之厚度方向之剖面中，對向之突出部109之前端間之距離L4/開口徑L2較佳為1/5以上9/10以下，更佳為1/2以上4/5以下。只要突出部109埋設於開口部116內部之通道124中突出部109之長度L3便無特別限定，距離L4/開口徑L2較佳為以處在上述範圍內之方式指定。由於將距離L4/開口徑L2設定為上述範圍內，故而長度L3適度，因此可使鍍敷液之回流性與通道124之連接可靠性一併提昇。

其次，對本實施形態之印刷佈線板之製造方法進行說明。圖16~19係表示印刷佈線板300之製造步驟之順序之步驟剖面圖。

本實施形態之印刷佈線板300之製造方法包括如下步驟。形成核心層(基板102)之步驟、形成包括非對稱預成形體之積層體110A之步驟、及形成通道124之步驟。以下，對各步驟進行說明。

<核心層形成步驟>

首先，與第一實施形態同樣地，準備一面上黏附有金屬箔之基板102。

繼而，與第一實施形態同樣地，於金屬箔上形成未圖示之保護膜。繼而，將保護膜以特定形狀圖案化。使用該保護膜， 對金屬箔選擇性地進行蝕刻。藉此，如圖16(a)所示，於基板102之上形成具有特定圖案形狀之內部電路104。於本步驟中，可使用蝕刻阻劑或感光性抗蝕劑等作為保護膜。

<積層體形成步驟>

繼而，如圖16(b)所示，準備積層體110A。積層體110A僅於纖維基材108之位置偏向樹脂層106之第2面20側之點上與第一實施形態之積層體110不同。其他點均相同。積層體110A並無特別限定，例如，可使用於含纖維基材之樹脂層106之至少一面上積層有金屬箔層112者。即，積層體110係藉由於含浸有基材之預成形體上形成金屬箔而形成。作為金屬箔，較佳為使用例如銅箔。積層體110可使用例如將複數片預成形體重合而成者等。作為積層體，可使用至少於單面上重合帶載體箔之極薄金屬箔並進行加熱加壓成形而成者等。再者，對於增層之層間絕緣層，亦可使用與核心層相同之材料，但基材或樹脂組成物亦可不同。

(預成形體)

預成形體之製造方法與第1實施形態相同，可獲得非對稱之預成形體3。如圖16(b)所示，就樹脂層106而言，纖維基材108相對於樹脂層106之厚度方向而偏向。將此種預成形體稱為非對稱預成形體。

(積層體110A)

於所得之非對稱預成形體(樹脂層106)之單面或兩面上， 以配置有金屬箔層112之構成進行加熱加壓而積層。藉此獲得積層體110A。亦可對金屬箔層112之表面賦予載體箔。

<通道形成步驟>

繼而，如圖16(c)所示，於基板102之一面上配置積層體110A。例如，藉由加熱加壓於基板102上形成積層體110A。本實施形態中，僅於基板102之單面上形成有積層體110A，但並不限定於此，亦可於基板102之兩面上均形成有積層體110A。又，於本實施形態中，係將形成有金屬箔層112之非對稱預成形體形成於基板102上，但並不限定於此，亦可在於基板102上形成非對稱預成形體之後，於該非對稱預成形體上形成金屬箔層。

繼而，於金屬箔層112上形成未圖示之抗蝕劑。繼而，如圖17(a)所示，將抗蝕劑作為遮罩，進行選擇性之蝕刻。藉此，形成具有特定圖案之金屬箔層114。

繼而，與第1實施形態同樣地，如圖17(b)所示，使用雷射等，選擇性地將樹脂層106除去。藉此，於樹脂層106上形成開口部116。於本步驟中，開口部116係以成為自樹脂層106之第1面10貫通至第2面20之貫通孔之方式形成。於開口部116之側壁，突出纖維基材108之一部分(突出部109)。

繼而，對樹脂層106之開口部116之內部，進行除膠渣處理。

於除膠渣處理後，如圖17(c)所示，於金屬箔層114上、開口部116之底面上及側壁上形成基底膜118。基底膜118亦可使用離子塗鍍、濺鍍、真空蒸鍍、PVD法(physical vapor deposition)、或CVD法(chemical vapor deposition)而形成。此處，與第1實施形態同樣地，基底膜118係使用無電解鍍敷法而形成。

繼而，如圖18(a)所示，於基底膜118上形成具有特定之開口圖案之抗蝕劑層120。

繼而，如圖18(b)所示，至少於抗蝕劑層120之開口圖案內部且無電解鍍敷層上，藉由電鍍處理，形成鍍敷層122。鍍敷處理中，基底膜118係作為供電層而發揮作用。該基底膜118為形成於開口部116之內壁之薄膜。另一方面，鍍敷層122為埋設於開口部116之內部之埋設體。作為電鍍，並無特別限定，可使用通常之印刷佈線板中所使用之公知之方法，例如，可使用於使其浸漬在硫酸銅等鍍敷液中之狀態下向鍍敷液中導流電流等方法。鍍敷層122既可為單層亦可具有多層構造。作為鍍敷層122之材料，並無特別限定，可使用例如：銅、銅合金、42合金、鎳、鐵、鉻、鎢、金、焊錫等。

繼而，如圖18(c)所示，使用鹼性剝離液、硫酸或市售之抗蝕劑剝離液等將抗蝕劑層120除去。

繼而，如圖19所示，將形成有鍍敷層122之區域以外之 基底膜118及金屬箔層114除去。例如，可藉由使用軟蝕刻(閃蝕)等，將基底膜118及金屬箔層114除去。此處，軟蝕刻處理可藉由例如使用包含硫酸及過氧化氫之蝕刻液之蝕刻而進行。藉此，可形成通道124及導電電路126。通道124包括基底膜118及鍍敷層122。另一方面，導電電路126係將金屬箔層114及金屬層(無電解鍍敷層之基底膜118及鍍敷層122)積層而構成。以此方式，可藉由於積層體110上形成通道124，而形成第1增層128。

由上，可獲得本實施形態之印刷佈線板300。又，亦可將第1實施形態中所得之印刷佈線板300用作內層電路基板，於該內層電路基板上進而形成增層。

[半導體裝置150]

圖15係表示具有印刷佈線板300之半導體裝置之構造之剖面圖。

可於本實施形態之印刷佈線板300上安裝未圖示之半導體晶片，而獲得半導體裝置150。如圖15所示，半導體裝置具有印刷佈線板300、安裝於印刷佈線板300上之半導體元件138、及將印刷佈線板300與半導體元件138電性地連接之凸塊134。於該等印刷佈線板300與半導體元件138之間形成有焊錫抗蝕劑層130。於焊錫抗蝕劑層130內，通道124經由佈線層132及凸塊134與半導體元件138電性地連接。即，於通道124之上部、佈線層132及凸塊134之周圍 形成有焊錫抗蝕劑層130。另一方面，半導體元件138係於其周圍形成底膠136而得以封裝。

對本實施形態之作用效果進行說明。

根據本實施形態，可取得與第1實施形態相同之效果，還可取得以下之效果。

由於纖維基材108偏向基板102側，故而可縮小樹脂層106之基板102側之區域與基板102之間之線膨脹係數之差量。藉此，不易引起於樹脂層106與基板102之接合面附近之膜剝落，從而可獲得良率優異之印刷佈線板300。

進而，根據本實施形態，於上表面之開口附近並未形成纖維基材108之突出部109。因此，不會妨礙鍍敷液自開口部116之上面開口流入。從而，可獲得良率優異之印刷佈線板300。

對本實施形態之變形例進行說明。圖20及圖21表示本實施形態之印刷佈線板300之變形例。

如圖20所示，亦可於基板102之兩面上均形成有增層。即，亦可於基板102之一面上形成有第1增層128，於基板102之另一面上形成有第2增層128。各增層既可使用同種之材料，亦可使用異種之材料。於各層中，通道數或佈線數等可適當地設定。

又，如圖21所示，亦可於基板102上形成有貫通孔142。於貫通孔142之內壁形成有鍍膜144。該鍍膜144可將形成 於基板102之一面上之佈線與形成於另一面上之佈線電性地連接。例如，在圖16(c)所示之步驟之後，於基板102上形成貫通孔142。其後，於貫通孔142上形成鍍膜144。其後，進行與圖17(a)所示之步驟以後相同之操作。藉此，可獲得圖21所示之印刷佈線板。

於其他變形例中，作為積層體110A，不僅可用於增層中，亦可用於核心層中。又，於第1增層128之面內方向上，只要至少於1個通道124中埋入突出部109即可，但較佳為於所有通道124中均埋入突出部109。又，於增層為多層之情形時，只要至少於各層在1個以上通道124中埋入突出部109即可，但較佳為遍及整層於所有通道124中均埋入突出部109。又，形成圖18所示之導電電路126之步驟亦可更換成各步驟，例如，既可為如下步驟，即在於金屬箔層114上形成抗蝕劑層120且形成鍍敷層122之後，將抗蝕劑層120除去；亦可為如下步驟，即在於金屬箔層114上形成鍍敷層122，於鍍敷層122上形成抗蝕劑層120並進行蝕刻之後，將抗蝕劑層120除去。

(第4實施形態)

參照圖22~圖28，對本實施形態之印刷佈線板400進行說明。

圖22、23係表示第4實施形態之印刷佈線板400之構成之剖面。

本實施形態之印刷佈線板400於纖維基材108較樹脂層106之中央部更偏向第2面20側之點上與第2實施形態不同。而且，纖維基材108之一部分(突出部109)較樹脂層106中央部更傾向於自第2面20側之開口部116之側壁突出。其他點與第2實施形態均相同。

又，圖22所示之M1、M2、D1~D4及L1~L4與第三實施形態相同。

纖維基材108之突出部109以剖面視時位於第2面20至中心線M2之間，且陷入通道124之內部之方式構成。換而言之，突出部109並未形成於第1面10至中心線M2之間且通道124之內部。突出部109與通道124結合。突出部109之前端部於沿著印刷佈線板之厚度方向之剖面中，並未與對向之前端部連續而是隔離地構成。

纖維基材108只要位於第2面20至中心線M2之間(即，只要偏向第2面20側)，便可沿積層方向隔離而配置複數個。於剖面視時，自開口部116之1個側壁面，亦可突出複數個突出部109，但為了使連接可靠性與鍍敷液回流性之平衡優異，較佳為僅突出1個突出部109。

又，剖面視時之突出部109之前端部至對向之前端部之L4/開口徑L2較佳為1/5以上9/10以下，更佳為1/2以上4/5以下。只要突出部109埋設於開口部116內部之通道124中，突出部109之長度L3便無特別限定，較佳為距離L4/ 開口徑L2以處在上述範圍內之方式指定。由於將距離L4/開口徑L2設定為上述範圍內，長度L3為適當，因此可使鍍敷液之回流性與通道124之連接可靠性一併提昇。

其次，對本實施形態之印刷佈線板之製造方法進行說明。圖25~28係表示印刷佈線板400之製造步驟之順序之步驟剖面圖。

本實施形態之印刷佈線板400之製造方法包括如下步驟。形成核心層(基板102)之步驟、形成包括非對稱預成形體之積層體110之步驟、及形成通道124之步驟。以下，對各步驟進行說明。

<核心層形成步驟>

首先，與第一實施形態同樣地，準備一面上黏附有金屬箔之基板102。

繼而，於金屬箔上形成未圖示之保護膜。繼而，將保護膜以特定形狀圖案化。使用該保護膜，對金屬箔選擇性地進行蝕刻。藉此，如圖25(a)所示，於基板102之上形成具有特定圖案形狀之內部電路104。於本步驟中，可使用蝕刻阻劑或感光性抗蝕劑等作為保護膜。

<積層體形成步驟>

繼而，與第3實施形態同樣地，如圖25(b)所示，準備積層體110A。

<通道形成步驟>

繼而，如圖25(c)所示，於基板102之一面上配置積層體110A。

繼而，於金屬箔層112上形成未圖示之抗蝕劑。繼而，將抗蝕劑作為遮罩，進行選擇性之蝕刻。藉此，形成具有特定圖案之金屬箔層114。

繼而，如圖26(a)所示，使用雷射等，選擇性地將樹脂層106除去。藉此，於樹脂層106上形成開口部116。於本步驟中，開口部116係以成為自樹脂層106之第1面10貫通至第2面20之貫通孔之方式形成。於開口部116之底面，露出內部電路104之上表面之一部分。又，於開口部116之側壁，突出纖維基材108之一部分(突出部109)。

開口部116與第1實施形態同樣地，自第1面10直至第2面20為止，藉由自第1面10側將樹脂層除去而形成。

繼而，如圖26(b)所示，與第2實施形態同樣地，對內部電路104之表面進行軟蝕刻。例如，以除去膜厚0.2~2 μm左右之方式進行軟蝕刻。於內部電路104上，形成有沿深度方向及橫向方向剜出之開口部204A。對於軟蝕刻，可使用例如包含硫酸與過氧化氫之混合液之藥液。此處，將開口部116與開口部204A連續而構成之空隙部設定為開口部202。又，亦可藉由軟蝕刻，沿側壁方向對開口部202之內部之樹脂層106之一部分進行側面蝕刻。

例如，於本實施形態中，亦與第2實施形態同樣地，也可 如圖13所示，於開口部116之第2面側，形成有較成為最小開口徑之部分更寬之部分。於該情形時，開口部116包括自第1面側朝向第2面側縮徑之開口部116A、及連通於該開口部116A之開口部116B。

又，開口部116B之直徑與自開口部116A側至開口部208A側相等，開口部116B形成為圓柱形狀。進而，與第2實施形態同樣地，於圖13中，亦可不形成開口部204A。

繼而，對樹脂層106之開口部202之內部，進行除膠渣處理。

於除膠渣處理後，如圖26(c)所示，於金屬箔層114上、開口部202之底面(內部電路104)上及側壁上形成基底膜118。

繼而，如圖27(a)所示，於基底膜118上形成具有特定之開口圖案之抗蝕劑層120。

繼而，如圖27(b)所示，至少於抗蝕劑層120之開口圖案內部且無電解鍍敷層上，藉由電鍍處理，形成鍍敷層122。

繼而，如圖27(c)所示，使用鹼性剝離液、硫酸或市售之抗蝕劑剝離液等將抗蝕劑層120除去。

繼而，如圖28所示，將形成有鍍敷層122之區域以外之基底膜118及金屬箔層114除去。例如，可藉由使用軟蝕刻(閃蝕)等，將基底膜118及金屬箔層114除去。以此方式，可藉由於積層體110上形成通道124，而形成第1增層128。 由上，可獲得本實施形態之印刷佈線板400。又，亦可將印刷佈線板400用作內層電路基板，於該內層電路基板上進而形成增層。

[半導體裝置150]

圖24係表示具有印刷佈線板400之半導體裝置之構造之剖面圖。

可於本實施形態之印刷佈線板400上安裝未圖示之半導體晶片，而獲得半導體裝置。如圖24所示，半導體裝置具有印刷佈線板400、安裝於印刷佈線板400上之半導體元件138、及將印刷佈線板100與半導體元件138電性地連接之凸塊134。於該等印刷佈線板400與半導體元件138之間形成有焊錫抗蝕劑層130。於焊錫抗蝕劑層130內，通道124經由佈線層132及凸塊134，與半導體元件138電性地連接。即，於通道124之上部、佈線層132及凸塊134之周圍形成有焊錫抗蝕劑層130。另一方面，半導體元件138係於其周圍形成底膠136而得以封裝。

佈線層132係藉由例如減成法而製作。又，亦可將任意之增層積層，反覆實施藉由加成法進行層間連接及電路形成之步驟，從而形成印刷佈線板。作為焊錫抗蝕劑層130之積層方法，並無特別限定，既可為與積層體110A或第1增層128之積層方法相同之方法，亦可為不同之方法。用於焊錫抗蝕劑層130之材料並無特別限定，既可適當使用積層體110A 或第1增層128中所使用之材料，亦可使用不同之材料。例如，焊錫抗蝕劑材料較佳為使纖維基材包含於樹脂組成物中而成之材料。焊錫抗蝕劑層130之製作方法並無特別限定，既可為與本實施形態中之樹脂層106相同之製作方法，亦可為不同之製作方法。

對本實施形態之作用效果進行說明。

根據此種本實施形態，可取得與第3實施形態及第2實施形態相同之效果。

又，與第2實施形態同樣地，如圖13所示，亦可藉由軟蝕刻對樹脂層106進行側面蝕刻。該情形時，於開口部202之最下部(於纖維基材108之位置之下部)，相對地線膨脹係數較大之樹脂層106之體積減少，相對地線膨脹係數較小之通道124之體積增大。

從而，耐熱循環特性提昇。

對本實施形態之變形例進行說明。圖29及圖30表示本實施形態之印刷佈線板400之變形例。

如圖29所示，亦可於基板102之兩面上均形成有增層。即，亦可於基板102之一面上形成有第1增層128，於基板102之另一面上形成有第2增層128。各增層既可使用同種之材料，亦可使用異種之材料。於各層中，通道數或佈線數等可適當地設定。

又，如圖30所示，亦可於基板102上形成有貫通孔142。 於貫通孔142之內壁形成有鍍膜144。該鍍膜144可將形成於基板102之一面上之佈線與形成於另一面上之佈線電性地連接。例如，在圖25(a)所示之步驟之後，於基板102上形成貫通孔142。其後，於貫通孔142上形成鍍膜144。其後，進行與圖25(b)所示之步驟以後相同之操作。藉此，可獲得圖30所示之印刷佈線板。

於其他變形例中，作為積層體110A，不僅可用於增層中，亦可用於核心層中。又，於第1增層128之面內方向上，只要至少於1個通道124中埋入突出部109即可，但較佳為於所有通道124中均埋入突出部109。又，於增層為多層之情形時，只要至少於各層在1個以上通道124中埋入突出部109即可，但較佳為遍及整層於所有通道124中均埋入突出部109。又，形成圖26所示之導電電路126之步驟亦可更換成各步驟，例如，既可為如下步驟，即在於金屬箔層114上形成抗蝕劑層120且形成鍍敷層122之後，將抗蝕劑層120除去；亦可為如下步驟，即在於金屬箔層114上形成鍍敷層122，於鍍敷層122上形成抗蝕劑層120並進行蝕刻之後，將抗蝕劑層120除去。

(第5實施形態)

參照圖31~圖41，對本實施形態之印刷佈線板500進行說明。

圖31係表示第5實施形態之印刷佈線板500之構成之剖 面。

本實施形態之印刷佈線板500具有密接層(第二樹脂層)146。其他點與第3實施形態均相同。

若更詳細地進行說明，則印刷佈線板500具有樹脂層(第一樹脂層)106、纖維基材108、導體(通道124)、端子(內部電路104)、及密接層146。纖維基材108位於樹脂層106之內部。與第3實施形態同樣地，通道124(導體)埋設於圖示之開口部116之內部。於本實施形態中，樹脂層106'包括第一樹脂層即樹脂層106、及第二樹脂層即密接層146，開口部116包括形成於樹脂層106上之開口部116A、及形成於密接層146上之開口部146A。該開口部146A與開口部116A連通。由開口部116A及開口部146A形成一個開口部116，該開口部116自樹脂層106之第一面側朝向密接層146之內部電路104側之面而縮徑。

而且，詳細情況將於下文敍述，該開口部116係自樹脂層106之第1面10側至密接層146之內部電路104側之面為止，藉由自樹脂層106之第1面10側將樹脂層106、密接層146除去而獲得者。

通道124將開口部116A及開口部146A內部一體化地填埋，且電性地連接於自開口部146A露出之內部電路104。換而言之，通道124將開口部116A及開口部146A貫通。

於沿著印刷佈線板500之厚度方向之剖面視時，開口部 116係以開口徑自樹脂層106之第1面10朝向第2面20而變小之方式構成。導電部(內部電路104)設置於樹脂層106之第2面20上，且與導體(通道124)電性地連接。

密接層146設置於纖維基材108與內部電路104之間，含有作為熱塑性成分之熱塑性樹脂。於密接層146內部並未配置纖維基材，於纖維基材108與內部電路104之間不存在其他纖維基材。又，密接層146並未含浸於纖維基材108中。

又，於此種印刷佈線板500中，纖維基材108係自開口部116之側壁突出。突出之纖維基材108之末端位於導體(通道124)內部。即，該纖維基材108具有嵌入於通道124之內部之突出部109。

於本實施形態中，所謂形成於上包括於直接相接之狀態下形成於上之態樣及經由第三構件間接地形成於上之態樣之任一者。又，如圖31所示，纖維基材108亦可於樹脂層106之內部中，較樹脂層106之中央部更偏向第2面側，且較中央部更傾向於自第2面側之開口部之側壁突出，但並不限定於該態樣，亦可偏向樹脂層106之中央部或第1面10側。其中，纖維基材108較佳為較樹脂層106之中央部更偏向第2面側。

又，圖31所示之M1、M2、D1~D4及L1~L4與上述實施形態相同，該等之較佳之範圍亦與第3實施形態相同。

以下，對印刷佈線板500之構成詳細地進行說明。本實施 形態之印刷佈線板500除了具有密接層146之點以外，其他與第3實施形態均相同。

密接層146除了通道124及內部電路104之接合區域以外而形成於纖維基材108與內部電路104之間。

密接層146既可以除了突出部之下表面以外而覆蓋纖維基材108之下表面整體之方式形成，亦可僅在對應於內部電路104之區域內形成圖案。密接層146之膜厚例如為如下。密接層146之膜厚之下限值並無特別限定，例如，較佳為2 μm以上，更佳為5 μm以上。另一方面，密接層146之膜厚之上限值並無特別限定，例如，為20 μm以下，更佳為10 μm以下。藉由將密接層146之膜厚設定為上述範圍內，可使通道間之連接可靠性與良率之平衡優異。

密接層146含有熱塑性樹脂作為熱塑性成分。該熱塑性樹脂之重量平均分子量為1萬以上。又，熱塑性樹脂之重量平均分子量之上限值例如為100萬以下。

再者，詳細情況將於下文敍述，自防止纖維基材108與內部電路104之接觸之觀點而言，熱塑性樹脂之重量平均分子量較佳為3萬以上，更佳為9萬以上。

例如，作為熱塑性樹脂，可使用由苯氧基樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚苯醚樹脂、聚醚碸樹脂、聚酯樹脂、聚乙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂等樹脂、苯乙烯-丁二烯共聚合體、苯乙烯-異戊二烯共聚合體等聚苯乙 烯系熱塑性彈性體、聚烯烴系熱塑性彈性體、聚醯胺系彈性體、聚酯系彈性體等熱塑性彈性體、聚丁二烯、環氧改質聚丁二烯、丙烯酸改質聚丁二烯、甲基丙烯酸改質聚丁二烯等二烯系彈性體所組成之群之中之任1種以上。

於本實施形態中，密接層146藉由含有熱塑性成分，而於印刷佈線板之積層步驟之中之加熱加壓步驟中，使熱時變形變得容易。密接層146較佳為含有熱塑性樹脂作為基底聚合物，例如，相對於全樹脂組成成分之合計值，熱塑性樹脂之含量較佳為20質量%以上，更佳為30質量%以上，尤佳為50質量%以上。熱塑性樹脂之含量之上限值並無特別限定，樹脂成分既可僅包含上述熱塑性樹脂，亦可相對於樹脂組成成分之合計值為90質量%以下。

又，上述熱塑性樹脂相對於密接層146之樹脂組成物成分整體含有率高於樹脂層106，例如，亦可設定為樹脂層106之該含有率之2倍以上。

從而，藉由使密接層146之重量平均分子量為1萬以上之熱塑性樹脂之含量高於樹脂層106，可使密接層146不易含浸於纖維基材108內部。藉由使此種密接層146存在於纖維基材108與內部電路104之間，可使纖維基材108不易與內部電路104接觸。

進而，密接層146中所含之上述熱塑性樹脂較佳為玻璃轉移點(Tg)係25℃以上320℃以下。藉由使用此種剛性之熱塑 性樹脂，可使密接層146不易含浸於纖維基材內部。作為此種熱塑性樹脂，較佳為於重複單位中具有芳香環或脂環式烴之樹脂，例如可自由聚醯胺醯亞胺、聚醯胺、聚苯醚、聚醚醯亞胺、聚醚碸、苯氧基樹脂所組成之群中選擇1種以上而使用。藉由使用該等，可進而提高耐熱性或耐化學品性。

其次，對本實施形態之印刷佈線板之製造方法進行說明。圖33~36係表示印刷佈線板500之製造步驟之順序之步驟剖面圖。

本實施形態之印刷佈線板500之製造方法包括如下步驟。形成核心層(基板102)之步驟、形成包括非對稱預成形體之積層體110之步驟、及形成通道124之步驟。以下，對各步驟進行說明。

<核心層形成步驟>

首先，與第3實施形態同樣地，準備一面上黏附有金屬箔之基板102。

繼而，與第3實施形態同樣地，於金屬箔上形成未圖示之保護膜。繼而，將保護膜以特定形狀圖案化。使用該保護膜，對金屬箔選擇性地進行蝕刻。藉此，如圖33(a)所示，於基板102之上形成具有特定圖案形狀之內部電路104。於本步驟中，可使用蝕刻阻劑或感光性抗蝕劑等作為保護膜。

<積層體形成步驟>

繼而，如圖33(b)所示，準備積層體110B。積層體110B 係於第三實施形態之積層體110A上添加有密接層146而成者。其他點與積層體110A相同。即，積層體110B具有樹脂層106、纖維基材108、密接層146及金屬箔層112。於積層體110B中，在樹脂層106之第1面10上積層金屬箔層112。作為上述金屬箔，較佳為使用例如銅箔。積層體110既可具有1層預成形體，亦可具有複數層。對於積層體110B之增層，亦可使用與核心層相同之材料，但纖維基材或樹脂組成物亦可不同。

積層體110B可以如下方式製造。

例如，於使纖維基材108含浸之樹脂層106(第1樹脂層106a及第2樹脂層106b)上直接積層形成密接層146。或者，亦可採用如下方法。如圖41所示，於剝離膜S1上形成包含熱塑性成分之密接層146。例如，於剝離膜上，塗敷包含構成密接層146之樹脂組成物之溶液而成膜。繼而，於剝離膜S2上形成樹脂層。例如，於剝離膜上，塗敷包含構成樹脂層106之樹脂組成物之溶液而成膜。於該等密接層146與樹脂層106之間配置纖維基材108並將帶剝離膜之密接層146與帶剝離膜之樹脂層106重合而壓接。此時，藉由適當調整壓接力等條件可將纖維基材108配置於樹脂層106內部，使密接層146壓接於第1樹脂層106a上。例如，作為第1及第2剝離膜，可使用PET(Polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸乙二醇酯)等，但並不限定於此。藉此，可統一地 形成構造體。

其後，對構造體，以配置有金屬箔層112之構成進行加熱加壓而積層。藉此獲得積層體110B。

其次，如圖33(c)所示，壓接設置有內部電路104之基板102與積層體110B。

圖39表示積層體110B之一部分(省略金屬箔層112)、內部電路104、及基板102之積層構造。

於本實施形態中，作為圖33(c)所示之積層構造，可使用圖39(a)所示之積層構造。圖39(a)所示之積層構造具有以樹脂層106a、纖維基材108、樹脂層106b及金屬箔層114之順序積層而成之構造。藉由樹脂層106a、106b，而構成樹脂層106。如圖39(a)所示，密接層146之膜厚亦可厚於內部電路104之膜厚。該密接層146之膜厚亦可厚於纖維基材108之下層之樹脂層106b之膜厚。

再者，於圖39(a)所示之積層構造中，密接層146之樹脂層106側之表面平坦，但亦可如圖39(b)、(c)所示，密接層146之樹脂層106側之表面不平坦。

於圖39(b)及圖39(c)所示之積層構造中，密接層146之膜厚等於或薄於內部電路104之膜厚。該密接層146之膜厚亦可薄於纖維基材108之下層之樹脂層106b之膜厚。於圖39(b)及圖39(c)所示之積層構造中，密接層146上形成有與電路104之圖案相應之凹凸。密接層146遵循內部電路104之形 狀，其外表面之形狀例如既可為階梯型，亦可為吊鐘型。

再者，作為積層體110B之一部分(省略金屬箔層112)、基板102、及內部電路104之積層構造，可採用圖40所示者。

圖40(a)所示之積層構造係以樹脂層106a、纖維基材108、密接層146及樹脂層106b之順序積層而成之構造。藉由樹脂層106a、106b，而構成樹脂層106。

圖40(b)所示之積層構造係以樹脂層106a、纖維基材108、樹脂層106b、密接層146及樹脂層106c之順序積層而成之構造。藉由樹脂層106a、106b、106c，而構成樹脂層106。

圖40(c)所示之積層構造係以樹脂層106、纖維基材108及密接層146之順序積層而成之構造。例如，如圖40(a)及圖40(c)所示，密接層146亦可與纖維基材108相接，但較佳為不含浸纖維基材108。

此種密接層146較佳為形成於纖維基材108之下側之整面上，亦可於與內部電路104之形成位置對應之部分選擇性地形成。換而言之，下述步驟中，只要於使積層體110與基板102壓接之步驟中，在內部電路104與纖維基材108之間配置密接層146即可。

再者，於本實施形態中，僅於基板102之單面上形成有積層體110B，但並不限定於此，亦可於基板102之兩面上均形成有積層體110B。於該情形時，較佳為在積層體110B與基板102之間，兩側均配置有密接層146，亦可僅於一面上 配置。又，於本實施形態中，密接層146形成於積層體110B之下部，但並不限定於該態樣，亦可在形成於基板102之上表面上之狀態下，於該基板102上積層帶銅箔之預成形體。又，在於基板102上配置具有密接層146之樹脂層106之後，亦可於該樹脂層106上形成金屬箔層112。又，於本實施形態中，係將形成有金屬箔層112之非對稱預成形體形成於基板102上，但並不限定於此，亦可在於基板102上形成非對稱預成形體之後，於該非對稱預成形體上形成金屬箔層。

<通道形成步驟>

繼而，於金屬箔層112上形成未圖示之抗蝕劑。繼而，如圖34(a)所示，將抗蝕劑作為遮罩，進行選擇性之蝕刻。藉此，形成具有特定圖案之金屬箔層114。

繼而，如圖34(b)所示，使用雷射等選擇性地將樹脂層106及密接層146除去。藉此，於樹脂層106上形成開口部116A，並且於密接層146上形成開口部146A，從而形成開口部116。於本步驟中，自樹脂層106之第1面10直至密接層146之內部電路104側之面為止，藉由自第1面10側選擇性地將樹脂層106及密接層146除去。並未自密接層146側朝向樹脂層106側地將密接層146或樹脂層106除去。

開口部116A自樹脂層106之第1面10貫通至第2面20。開口部146A貫通密接層146。自開口部146A，露出內部電 路104之上表面之一部分。又，於開口部116之側壁，突出纖維基材108之一部分(突出部109)。

其次，與第3實施形態同樣地，對開口部116之內部，進行除膠渣處理。

於除膠渣處理後，與第3實施形態同樣地，如圖34(c)所示，於金屬箔層114上、開口部116A之側壁上、開口部146A之側壁上、及自開口部146A露出之內部電路104上形成基底膜118。基底膜118為無電解鍍膜。

繼而，如圖35(a)所示，與第三實施形態同樣地，於基底膜118上形成具有特定之開口圖案之抗蝕劑層120。該開口圖案相當於例如電路圖案。

繼而，如圖35(b)所示，與第三實施形態同樣地，至少於抗蝕劑層120之開口圖案內部且基底膜118上，藉由電鍍處理，形成鍍敷層122。

繼而，如圖35(c)所示，與第三實施形態同樣地，使用鹼性剝離液、硫酸或市售之抗蝕劑剝離液等將抗蝕劑層120除去。

繼而，如圖36所示，與第三實施形態同樣地，將形成有鍍敷層122之區域以外之基底膜118及金屬箔層114除去。

由上，可獲得本實施形態之印刷佈線板500。又，亦可將第5實施形態中所得之印刷佈線板500用作內層電路基板，於該內層電路基板上進而形成增層。

[半導體裝置150]

圖32係表示具有印刷佈線板500之半導體裝置之構造之剖面圖。

可於本實施形態之印刷佈線板500上安裝未圖示之半導體晶片，而獲得半導體裝置150。如圖32所示，半導體裝置具有印刷佈線板500、安裝於印刷佈線板500上之半導體元件138、及將印刷佈線板500與半導體元件138電性地連接之凸塊134。於該等印刷佈線板500與半導體元件138之間形成有焊錫抗蝕劑層130。於焊錫抗蝕劑層130內，通道124經由佈線層132及凸塊134與半導體元件138電性地連接。即，於通道124之上部、佈線層132及凸塊134之周圍形成有焊錫抗蝕劑層130。另一方面，半導體元件138係於其周圍形成底膠136而得以封裝。

佈線層132係藉由例如減成法而製作。又，亦可將任意之增層積層，反覆實施藉由加成法進行層間連接及電路形成之步驟，從而形成印刷佈線板。作為焊錫抗蝕劑層130之積層方法，並無特別限定，既可為與積層體110B或第1增層128之積層方法相同之方法，亦可為不同之方法。用於焊錫抗蝕劑層130之材料並無特別限定，既可適當使用積層體110B或第1增層128中所使用之材料，亦可使用不同之材料。例如，焊錫抗蝕劑材料較佳為使纖維基材包含於樹脂組成物中而成之材料。焊錫抗蝕劑層130之製作方法並無特別限定， 既可為與本實施形態中之樹脂層106相同之製作方法，亦可為不同之製作方法。

根據本實施形態，可取得與第3實施形態相同之效果，還可取得以下之效果。

於本實施形態中，密接層146係重量平均分子量為1萬以上之熱塑性樹脂之含量高於樹脂層106，且比起樹脂層106，具有不易含浸於纖維基材108內部之特性者。重量平均分子量為1萬以上之熱塑性樹脂之分子鏈變長，且易於產生分子鏈間之纏繞，故而有不易含浸於纖維基材108內部之傾向。又，重量平均分子量為1萬以上之熱塑性樹脂之分子不易移動，故而即便於受到加熱之情形時，黏度亦不易變低。因此，既便於加熱狀態下，亦不易含浸於纖維基材108內部。此種密接層146存在於纖維基材108與內部電路104之間，由此纖維基材108變得不易與內部電路104接觸。藉此，可提高印刷佈線板500之可靠性。

尤其是，藉由將密接層146之重量平均分子量為1萬以上之熱塑性樹脂之含量設定為樹脂成分整體之20質量%以上，可使密接層146不易含浸於纖維基材108內部。

通常，內部電路104之厚度於面內方向上不均。因此，於未設置密接層146之情形時，在對內部電路104，加熱壓接含纖維基材108之樹脂層之步驟等中，存在內部電路104之厚度較厚之部分與纖維基材108接觸之可能性。於該情形 時，令人擔心的是內部電路104之金屬元素遷移至纖維基材108上而對通道間之絕緣可靠性造成影響。

與此相對地，藉由設置密接層146，使纖維基材108變得不易與內部電路104接觸，從而可確保通道間之絕緣可靠性。

對本實施形態之變形例進行說明。圖37及圖38表示本實施形態之印刷佈線板500之變形例。

如圖37所示，亦可於基板102之兩面上均形成有增層。即，亦可於基板102之一面上形成有第1增層128，於基板102之另一面上形成有第2增層128。各增層既可使用同種之材料，亦可使用異種之材料。於各層中，通道數或佈線數等可適當地設定。

又，如圖38所示，亦可於基板102上形成有貫通孔142。於貫通孔142之內壁形成有鍍膜144。該鍍膜144可將形成於基板102之一面上之佈線與形成於另一面上之佈線電性地連接。例如，在圖34(a)所示之步驟之後，於基板102上形成貫通孔142。其後，於貫通孔142上形成鍍膜144。其後，進行與圖34(b)所示之步驟以後相同之操作。藉此，可獲得圖38所示之印刷佈線板。

於其他變形例中，作為積層體110B，不僅可用於增層中，亦可用於核心層中。又，於第1增層128之面內方向上，只要至少於1個通道124中埋入突出部109即可，但較佳為於 所有通道124中均埋入突出部109。又，於增層為多層之情形時，只要至少於各層上在1個以上通道124中埋入突出部109即可，但較佳為遍及整層而於所有通道124中均埋入突出部109。又，形成圖35所示之導電電路126之步驟亦可更換成各步驟，例如，既可為如下步驟，即在於金屬箔層114上形成抗蝕劑層120且形成鍍敷層122之後，將抗蝕劑層120除去；亦可為如下步驟，即在於金屬箔層114上形成鍍敷層122，於鍍敷層122上形成抗蝕劑層120並進行蝕刻之後，將抗蝕劑層120除去。

再者，上述之實施形態及複數個變形例當然可於不違反其內容之範圍內組合。又，於上述之實施形態及變形例中，具體地對各部分之構造等進行了說明，但該構造等可於滿足本申請發明之範圍內進行各種變更。

再者，本發明係包括以下之態樣者。

(1)一種印刷佈線板，其包括：樹脂層；纖維基材，其於上述樹脂層之內部較上述樹脂層之中央部更偏向第1面側；及導體，其設置有開口徑自上述樹脂層之第1面朝向第2面而變小之開口部，且嵌入於上述開口部中；上述纖維基材較上述中央部更傾向於自上述第1面側之上述開口部之側壁突出，突出之上述纖維基材之端部位於上述導體內部。

(2)如(1)所記載之印刷佈線板，其中於剖面視時，突出之上述纖維基材之長度為0.1 μm以上30 μm以下。

(3)如(1)或(2)所記載之印刷佈線板，其中於剖面視時，上述開口部之上述側壁至前端之上述突出部之長度/最大開口徑為1/100以上1/5以下。

(4)如(1)至(3)中任一項所記載之印刷佈線板，其中於剖面視時，將上述第1面至上述纖維基材之中心線之距離設為D1，於剖面視時，將上述第2面至上述纖維基材之中心線之距離設為D2，D1/D2為6/4以上9/1以下。

(5)如(1)至(4)中任一項所記載之印刷佈線板，其中當於剖面視時，將上述開口部之最大開口徑設為L1，將上述開口部之最小開口徑設為L2時，L1為L2之1.1倍以上且L2之3倍以下。

(6)如(1)至(5)中任一項所記載之印刷佈線板，其中上述導體係至少包含無電解鍍膜及電解鍍膜之金屬膜。

(7)如(1)至(6)中任一項所記載之印刷佈線板，其中上述樹脂層為增層。

(8)如(1)至(7)中任一項所記載之印刷佈線板，其包括導電部，其設置於上述樹脂層之上述第2面上，且與上述導體電性地連接；在形成於上述樹脂層與上述導電部之間且自於剖面視時自成為最小開口徑之上述開口部之上述側壁朝向外側而形成之間隙中，嵌入有上述導體。

(9)如(8)所記載之印刷佈線板，其中上述間隙係藉由對上述導電層之表面進行軟蝕刻而形成。

(10)如(8)或(9)所記載之印刷佈線板，其中上述間隙係藉由沿側壁方向對上述開口部之內部之上述樹脂層進行側面蝕刻而形成。

(11)如(1)至(10)中任一項所記載之印刷佈線板，其中上述纖維基材為T玻璃或S玻璃。

(12)一種印刷佈線板，其包括：樹脂層；纖維基材，其於上述樹脂層之內部，較上述樹脂層之中央部更偏向第2面側；及導體，其設置有開口徑自上述樹脂層之第1面朝向第2面而變小之開口部，且嵌入於上述開口部中；上述纖維基材較上述中央部更傾向於自上述第2面側之上述開口部之側壁突出，突出之上述纖維基材之端部位於上述導體內部。

(13)如(12)所記載之印刷佈線板，其中於剖面視時，上述開口部之上述側壁至前端之上述突出部之長度/最大開口徑為1/100以上1/5以下。

(14)如(12)或(13)所記載之印刷佈線板，其中於剖面視時，突出之上述纖維基材之長度為0.1 μm以上30 μm以下。

(15)如(12)至(14)中任一項所記載之印刷佈線板，其中於剖面視時，將上述第1面至上述纖維基材之中心線之距離設為D1，於剖面視時，將上述第2面至上述纖維基材之中心線之距離設為D2，D1/D2為6/4以上9/1以下。

(16)如(12)至(15)中任一項所記載之印刷佈線板，其中當於剖面視時，將上述開口部之最大開口徑設為L1，將上述 開口部之最小開口徑設為L2時，L1為L2之1.1倍以上且L2之3倍以下。

(17)如(12)至(16)中任一項所記載之印刷佈線板，其中於上述導體內部隔離而設置有2個上述突出部，於將2個上述突出部之距離設為L4，將上述開口部之最小開口徑設為L2時，L4/L2為1/5以上9/10以下。

(18)如(12)至(17)中任一項所記載之印刷佈線板，其中上述導體係至少包含無電解鍍膜及電解鍍膜之金屬膜。

(19)如(12)至(18)中任一項所記載之印刷佈線板，其中上述樹脂層為增層。

(20)如(12)至(19)中任一項所記載之印刷佈線板，其中上述纖維基材為T玻璃或S玻璃。

(21)一種印刷佈線板，其包括：樹脂層；纖維基材，其於上述樹脂層之內部較上述樹脂層之中央部更偏向第2面側；導體，其設置有開口徑自上述樹脂層之第1面朝向第2面而變小之開口部，且嵌入於上述開口部中；及導電部，其設置於上述樹脂層之上述第2面上，且與上述導體電性地連接；上述纖維基材較上述中央部更傾向於自上述第2面側之上述開口部之側壁突出，突出之上述纖維基材之端部位於上述導體內部，在形成於上述樹脂層與上述導電部之間且於剖面視時於自成為最小開口徑之上述開口部之上述側壁朝向外側而形成之間隙中，嵌入有上述導體。

(22)如(21)所記載之印刷佈線板，其中上述間隙係藉由對上述導電層之表面進行軟蝕刻而形成。

(23)如(21)或(22)所記載之印刷佈線板，其中上述間隙係藉由沿側壁方向對上述開口部之內部之上述樹脂層進行側面蝕刻而形成。

(24)如(21)至(23)中任一項所記載之印刷佈線板，其中於剖面視時，上述開口部之上述側壁至前端之上述突出部之長度/最大開口徑為1/100以上1/5以下。

(25)如(21)至(24)中任一項所記載之印刷佈線板，其中於剖面視時，突出之上述纖維基材之長度為0.1 μm以上30 μm以下。

(26)如(21)至(25)中任一項所記載之印刷佈線板，其中於剖面視時，將上述第1面至上述纖維基材之中心線之距離設為D1，於剖面視時，將上述第2面至上述纖維基材之中心線之距離設為D2，D1/D2為6/4以上9/1以下。

(27)如(21)至(26)中任一項所記載之印刷佈線板，其中當於剖面視時，將上述開口部之最大開口徑設為L1，將上述開口部之最小開口徑設為L2時，L1為L2之1.1倍以上且L2之3倍以下。

(28)如(21)至(27)中任一項所記載之印刷佈線板，其中於上述導體內部隔離而設置有2個上述突出部，於將2個上述突出部之距離設為L4，將上述開口部之最小開口徑設為L2 時，L4/L2為1/5以上9/10以下。

(29)如(21)至(28)中任一項所記載之印刷佈線板，其中上述導體係至少包含無電解鍍膜及電解鍍膜之金屬膜。

(30)如(21)至(29)中任一項所記載之印刷佈線板，其中上述樹脂層為增層。

(31)如(21)至(30)中任一項所記載之印刷佈線板，其中上述纖維基材為T玻璃或S玻璃。

(32)一種印刷佈線板，其包括：樹脂層；纖維基材，其位於上述樹脂層之內部；導體，其設置有開口徑自上述樹脂層之第1面朝向第2面而變小之開口部，且嵌入於上述開口部中；導電部，其設置於上述樹脂層之上述第2面上，且與上述導體電性地連接；及密接層，其設置於上述纖維基材與上述導電部之間，且包含熱塑性成分；上述纖維基材自上述開口部之側壁突出，突出之上述纖維基材之端部位於上述導體內部。

(33)如(32)所記載之印刷佈線板，其中於剖面視時，上述開口部之上述側壁至前端之上述突出部之長度/最大開口徑為1/100以上1/5以下。

(34)如(32)或(33)所記載之印刷佈線板，其中於剖面視時，突出之上述纖維基材之長度為0.1 μm以上30 μm以下。

(35)如(32)至(34)中任一項所記載之印刷佈線板，其中於剖面視時，將上述第1面至上述纖維基材之中心線之距離設 為D1，於剖面視時，將上述第2面至上述纖維基材之中心線之距離設為D2，D1/D2為6/4以上9/1以下。

(36)如(32)至(35)中任一項所記載之印刷佈線板，其中當於剖面視時，將上述開口部之最大開口徑設為L1，將上述開口部之最小開口徑設為L2時，L1為L2之1.1倍以上且L2之3倍以下。

(37)如(32)至(36)中任一項所記載之印刷佈線板，其中於上述導體內部隔離而設置有2個上述突出部，於將2個上述突出部之距離設為L4，將上述開口部之最小開口徑設為L2時，L4/L2為1/5以上9/10以下。

(38)如(32)至(37)中任一項所記載之印刷佈線板，其中上述導體係至少包含無電解鍍膜及電解鍍膜之金屬膜。

(39)如(32)至(38)中任一項所記載之印刷佈線板，其中上述樹脂層為增層。

(40)如(32)至(39)中任一項所記載之印刷佈線板，其中上述纖維基材為T玻璃或S玻璃。

(41)如(32)至(40)中任一項所記載之印刷佈線板，其中上述密接層比起上述樹脂層，上述熱塑性成分相對於樹脂成分整體之含有率更高。

(42)如(32)至(41)中任一項所記載之印刷佈線板，其中上述密接層不含浸上述纖維基材。

(43)如(32)至(42)中任一項所記載之印刷佈線板，其中上 述纖維基材於上述樹脂層之內部，較上述樹脂層之中央部更偏向第2面側，且較上述中央部更傾向於自上述第2面側中之上述開口部之側壁突出。

(44)一種印刷佈線板之製造方法，其包括如下步驟：於第1剝離膜上形成包含熱塑性成分之密接層之步驟、於第2剝離膜上形成樹脂層之步驟、於上述密接層與上述樹脂層之間配置上述纖維基材並將上述第1剝離膜與上述第2剝離膜重合而壓接之步驟。

該申請案主張以2011年6月17日申請之日本專利申請案2011-135421、2011-135430、2011-135431、2011-135433為基礎之優先權，並將其揭示全部援用於本文。

1‧‧‧真空層壓裝置

2‧‧‧熱風乾燥裝置

3‧‧‧預成形體

4‧‧‧片狀基材

5a、5b‧‧‧載體材料

7‧‧‧層壓輥

10‧‧‧第1面

20‧‧‧第2面

100、200、300、400、500‧‧‧印刷佈線板

102‧‧‧基板

104‧‧‧內部電路

106、106c、106'‧‧‧樹脂層

106a‧‧‧第1樹脂層

106b‧‧‧第2樹脂層

108‧‧‧纖維基材

109‧‧‧突出部

110、110A、110B‧‧‧積層體

112、114‧‧‧金屬箔層

116‧‧‧開口部

118‧‧‧基底膜(金屬膜)

120‧‧‧抗蝕劑層

122‧‧‧鍍敷層(金屬層)

124‧‧‧導體

126‧‧‧導電電路

128‧‧‧第1增層

130‧‧‧焊錫抗蝕劑層

132‧‧‧佈線層

134‧‧‧凸塊

136‧‧‧底膠

138‧‧‧半導體元件

142‧‧‧貫通孔

144‧‧‧鍍膜

146‧‧‧密接層(第二樹脂層)

150‧‧‧半導體裝置

116A、116B、146A、202、204A、208A‧‧‧開口部

204‧‧‧內部電路之底面

206‧‧‧內部電路之側壁

208‧‧‧間隙

S1、S2‧‧‧剝離膜

M1、M2‧‧‧中心線

D1~D4、L4‧‧‧距離

L1‧‧‧開口部之最大開口徑

L2‧‧‧開口部之最小開口徑

L3‧‧‧自開口部之側壁至突出部之前端 之平均長度

圖1係表示第1實施形態之印刷佈線板之構成之剖面圖。

圖2係表示第1實施形態之半導體裝置之構成之剖面圖。

圖3係表示第1實施形態中之印刷佈線板之製造順序之步驟剖面圖。

圖4係表示第1實施形態中之印刷佈線板之製造順序之步驟剖面圖。

圖5係表示第1實施形態中之印刷佈線板之製造順序之步驟剖面圖。

圖6係表示第1實施形態中之印刷佈線板之製造順序之步驟剖面圖。

圖7係表示第1實施形態中之印刷佈線板之變形例之剖面圖。

圖8係表示第1實施形態中之印刷佈線板之變形例之剖面圖。

圖9係表示製造預成形體之步驟之一例之步驟剖面圖。

圖10係表示圖12(c)所示之印刷佈線板之構成之剖面放大圖。

圖11係表示第2實施形態中之印刷佈線板之製造順序之步驟剖面圖。

圖12係表示第2實施形態中之印刷佈線板之製造順序之步驟剖面圖。

圖13係表示第2實施形態之變形例之剖面圖。

圖14係表示第3實施形態之印刷佈線板之構成之剖面圖。

圖15係表示第3實施形態之半導體裝置之剖面圖。

圖16係表示第3實施形態中之印刷佈線板之製造順序之步驟剖面圖。

圖17係表示第3實施形態中之印刷佈線板之製造順序之步驟剖面圖。

圖18係表示第3實施形態中之印刷佈線板之製造順序之步驟剖面圖。

圖19係表示第3實施形態中之印刷佈線板之製造順序之步驟剖面圖。

圖20係表示第3實施形態中之印刷佈線板之變形例之剖面圖。

圖21係表示第3實施形態中之印刷佈線板之變形例之剖面圖。

圖22係表示第4實施形態之印刷佈線板之構成之剖面圖。

圖23係表示第4實施形態之印刷佈線板之主要部分之剖面圖。

圖24係表示第4實施形態之半導體裝置之剖面圖。

圖25係表示第4實施形態中之印刷佈線板之製造順序之步驟剖面圖。

圖26係表示第4實施形態中之印刷佈線板之製造順序之步驟剖面圖。

圖27係表示第4實施形態中之印刷佈線板之製造順序之步驟剖面圖。

圖28係表示第4實施形態中之印刷佈線板之製造順序之步驟剖面圖。

圖29係表示第4實施形態中之印刷佈線板之變形例之剖面圖。

圖30係表示第4實施形態中之印刷佈線板之變形例之剖面圖。

圖31係表示第5實施形態之印刷佈線板之構成之剖面圖。

圖32係表示第5實施形態之半導體裝置之剖面圖。

圖33係表示第5實施形態中之印刷佈線板之製造順序之步驟剖面圖。

圖34係表示第5實施形態中之印刷佈線板之製造順序之步驟剖面圖。

圖35係表示第5實施形態中之印刷佈線板之製造順序之步驟剖面圖。

圖36係表示第4實施形態中之印刷佈線板之製造順序之步驟剖面圖。

圖37係表示第4實施形態中之印刷佈線板之變形例之剖面圖。

圖38係表示第4實施形態中之印刷佈線板之變形例之剖面圖。

圖39係表示用於第4實施形態中之印刷佈線板上之積層體之變形例之剖面圖。

圖40係表示用於第4實施形態中之印刷佈線板上之積層體之變形例之剖面圖。

圖41係表示第4實施形態中之印刷佈線板之製造順序之步驟剖面圖。

10‧‧‧第1面

20‧‧‧第2面

100‧‧‧印刷佈線板

102‧‧‧基板

104‧‧‧內部電路

106‧‧‧樹脂層

108‧‧‧纖維基材

109‧‧‧突出部

114‧‧‧金屬箔層

116‧‧‧開口部

118‧‧‧基底膜(金屬層)

122‧‧‧鍍敷層(金屬層)

124‧‧‧導體

126‧‧‧導電電路

128‧‧‧第1增層

M1、M2‧‧‧中心線

D1~D4‧‧‧距離

L1‧‧‧開口部之最大開口徑

L2‧‧‧開口部之最小開口徑

L3‧‧‧自開口部之側壁至突出部之前端之平均長度

Claims (22)

1. 一種印刷佈線板，其包括：樹脂層；及纖維基材，其位於上述樹脂層內；且於上述樹脂層上，形成有具有開口徑自上述樹脂層之第1面朝向第2面而變小之區域且貫通上述樹脂層之開口部；該印刷佈線板具有：導體，其填埋上述開口部；端子，其抵接於上述樹脂層之上述第2面，並自上述第2面側被覆上述開口部之第2面側之開口面；且上述端子電性地連接於上述導體，並與上述導體形成為分體，上述纖維基材較上述樹脂層之中央部更偏向第1面側或第2面側，具有自上述開口部之側壁突出之突出部，上述突出部位於上述導體內部。
2. 如申請專利範圍第1項之印刷佈線板，其中，上述導體為實心。
3. 如申請專利範圍第1項之印刷佈線板，其中，上述開口部貫通上述樹脂層之第1面及第2面間，且上述開口部係自上述第1面至上述第2面為止藉由自上述第1面側將上述樹脂層除去而獲得者。
4. 如申請專利範圍第1項之印刷佈線板，其中， 自構成成為上述開口部之最小徑之部分之側壁，未突出纖維基材。
5. 如申請專利範圍第1項之印刷佈線板，其中，上述導體為實心，且上述導體包括：金屬膜，其將自上述開口部之上述第2面側之開口面露出之上述端子表面及上述開口部之側壁一體化被覆；及金屬層，其填充於上述金屬膜之內側。
6. 如申請專利範圍第5項之印刷佈線板，其中，上述金屬膜為無電解鍍膜，且上述金屬層為電解鍍膜。
7. 如申請專利範圍第1項之印刷佈線板，其中，於較成為上述開口部之最小徑之部分更傾向於上述第2面側之區域內，在上述樹脂層及上述端子之中至少任一者上，形成連通於上述開口部之間隙，且於自上述第1面側俯視時，上述間隙位於較構成成為上述開口部之最小開口徑之部分之側壁更靠近上述開口部外側之位置，於上述間隙及上述開口部中填充有上述導體。
8. 如申請專利範圍第7項之印刷佈線板，其中，上述間隙係藉由進行沿厚度方向及正交於厚度方向之橫向方向對上述端子之表面進行蝕刻之軟蝕刻而形成。
9. 如申請專利範圍第7項之印刷佈線板，其中，上述間隙係藉由對包圍上述開口部之上述樹脂層之側壁進行側面蝕刻而形成。
10. 如申請專利範圍第1項之印刷佈線板，其中，上述樹脂層包括：第一樹脂層，其內部配置有上述纖維基材；及第二樹脂層，其設置於上述端子與上述纖維基材之間，且包含熱塑性樹脂；上述第二樹脂層較上述第一樹脂層更多地包含重量平均分子量為1萬以上之上述熱塑性樹脂。
11. 如申請專利範圍第10項之印刷佈線板，其中，上述第二樹脂層包含上述第二樹脂層之樹脂成分整體之20質量%以上之重量平均分子量為1萬以上之上述熱塑性樹脂。
12. 如申請專利範圍第10項之印刷佈線板，其中，上述熱塑性樹脂係由選自由聚醯胺醯亞胺、聚醯胺、聚苯醚、聚醚醯亞胺、聚醚碸及苯氧基樹脂所組成之群中之1種以上樹脂所構成。
13. 如申請專利範圍第10項之印刷佈線板，其中，上述第二樹脂層未含浸於上述纖維基材中。
14. 如申請專利範圍第1項之印刷佈線板，其中，上述纖維基材之上述突出部之長度為0.1μm以上且30μm以下。
15. 如申請專利範圍第1項之印刷佈線板，其中，上述開口部之上述側壁至前端之上述突出部之長度/上述開口部之最大開口徑為1/100以上且1/5以下。
16. 如申請專利範圍第1項之印刷佈線板，其中，於沿著上述樹脂層之厚度方向之剖面視時，將上述第1面至上述纖維基材之中心線之距離設為D1，於沿著上述樹脂層之厚度方向之剖面視時，將上述第2面至上述纖維基材之中心線之距離設為D2，D1/D2為6/4以上且9/1以下。
17. 如申請專利範圍第1項之印刷佈線板，其中，於將上述開口部之最大開口徑設為L1，將上述開口部之最小開口徑設為L2時，L1為L2之1.1倍以上且L2之3倍以下。
18. 如申請專利範圍第1項之印刷佈線板，其中，上述樹脂層為增層(build-up layer)。
19. 如申請專利範圍第1項之印刷佈線板，其中，上述纖維基材為T玻璃或S玻璃。
20. 如申請專利範圍第1項之印刷佈線板，其中，進而具備核心層，上述樹脂層係形成於上述核心層上。
21. 一種印刷佈線板之製造方法，其包括如下步驟：準備包括具有第1面及第2面之樹脂層、位於上述樹脂層內並相對於上述樹脂層之厚度方向而偏向之纖維基材、及配 置於上述樹脂層之第2面側之端子之積層體之步驟，形成貫通上述纖維基材且具有開口徑自上述樹脂層之第1面朝向第2面而變小之區域並貫通上述樹脂層之開口部之步驟，及藉由導體填埋上述開口部內之步驟，且於形成開口部之上述步驟中，以自上述第1面至上述第2面為止藉由自上述第1面側將上述樹脂層除去，並自上述開口部之第2面側之開口面露出上述端子之方式，形成上述開口部，以上述纖維基材之端部自上述開口部之側壁突出之方式，形成上述開口部，於藉由導體填埋上述開口部內之上述步驟中，以自上述開口部之側壁突出之上述纖維基材之突出部位於上述導體內部之方式，藉由導體填埋上述開口部內，將上述導體與自上述開口部之第2面側之開口面露出之上述端子電性地連接。
22. 如申請專利範圍第21項之印刷佈線板之製造方法，其中，於準備積層體之上述步驟中，包括：於第1剝離膜上形成第一樹脂層之步驟，將較上述第一樹脂層更多地包含重量平均分子量為1萬以上之上述熱塑性樹脂之第二樹脂層，形成於第2剝離膜上 之步驟，於上述第二樹脂層與上述第一樹脂層之間配置上述纖維基材，並將附上述第1剝離膜之第一樹脂層與附上述第2剝離膜之第二樹脂層重合而壓接之步驟，將上述第1剝離膜自上述第一樹脂層剝離，將上述第2剝離膜自上述第二樹脂層剝離，而獲得由上述第一樹脂層、上述纖維基材、上述第二樹脂層所構成之構造體之步驟，及設置抵接於上述構造體之上述第二樹脂層之上述端子，而獲得上述積層體之步驟，而且於形成開口部之上述步驟中，形成貫通上述第一樹脂層、上述纖維基材及上述第二樹脂層之開口部。