TWI556049B - 光電顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

Description

光電顯示裝置及其製造方法

本發明係關於一種光電顯示裝置及其製造方法。

一般而言，眾所周知若使電場作用於液體中分散有微粒子之分散液，則微粒子將因庫侖力(Coulomb Force)而於分散過程中移動(遷移)。該現象稱為電泳。

近年來，利用該電泳來顯示所需之資訊(圖像)之電泳顯示裝置作為新式顯示裝置受到關注。電泳顯示裝置係具備如下特徵：於已停止施加電壓之狀態下具有顯示記憶性或具有寬視角性，以及可以低耗電實現高對比度顯示等。

又，由於電泳顯示裝置係為非發光型器件，故而與如陰極射線管之發光型顯示器件相比，亦具有保護眼睛之特徵。於此種電泳顯示裝置中，已知有藉由隔離壁而將一對基板間劃分為複數個空間(以下，亦稱為單元)，並將上述分散液封閉於各單元內而成者(專利文獻1、2)。該構造亦稱為隔離壁型。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2008-107484號公報

[專利文獻2]日本專利特開2004-04773號公報

隔離壁型電泳顯示裝置，係於將分散液供給至形成於具有像素電極之元件基板上之隔離壁之單元內後，藉由將具有對向電極之對向基板黏合於該元件基板上而獲得。有時於使基板彼此黏合時使用接著劑，但該接著劑會向外側漏出等而需要進行後處理，從而花費工時。

此外，有時因接著劑混入分散液中而導致未能表現所需之遷移行為。又，於使用封閉膜將供給至隔離壁之單元內之分散液封閉後，使用接著劑將基板彼此黏合之情形時，會產生如下問題：因層壓時之加熱溫度而導致封閉膜熔融，或因封閉膜熔融而導致分散液浸透至封閉膜，從而使封閉性能降低等。

本發明係鑒於上述先前技術之問題而完成者，其目的之一在於提供一種提高基板彼此黏合時之製造效率且可靠性較高之光電顯示裝置及其製造方法。

本發明之光電顯示裝置之特徵在於包括：第1基板，其具有第1電極；透光性之第2基板，其具有透光性之第2電極；電泳層，其係夾持於上述第1基板與上述第2基板之間，且包含液狀之光電材料、將上述光電材料分割於複數個收容部之隔離壁、以及將上述光電材料封閉且配置於上述隔離壁與上述第2電極之間的透光性之封閉膜而成；以及熱熔導電接著膜，其配置於上述封閉膜與上述第2電極之間且具有透光性。

據此，由於介隔著熱熔導電接著膜黏合電泳層與第2基板，因此，能夠以利用熱之簡便之製造方法迅速地使隔離壁及電泳層與對向基板接著。

又，由於加熱熔融之熱熔導電接著膜係無間隙地形成於封閉膜與對向基板之間，且亦具有導電性，故而可可靠地獲得第2電極與電泳層之電氣傳導。

又，由於熱熔導電接著膜具有透光性，故而可將第2基板側作為顯示面側(可視側)。

又，亦可為上述熱熔導電接著膜於80℃至100℃之範圍內軟化之構成。

藉此，由於熱熔導電接著膜係於如上述溫度範圍內之相對低溫(低於封閉膜之熔融溫度之溫度)下軟化之構成，故而，可於介隔熱熔導電接著膜使電泳層與對向基板黏合時防止封閉膜熔融。又，可防止因封閉膜熔融而導致分散液浸透至封閉膜，從而使封閉性能減弱。又，亦可防止液狀之電泳層蒸發。

又，上述熱熔導電接著膜之電阻於厚度方向上較佳為1000 Ω以下，進而更佳為500 Ω以下。

藉此，可介隔在膜厚方向上具有導電性之熱熔導電接著膜獲得電泳層與第2電極之傳導。

又，亦可為上述熱熔導電接著膜具有1 μm至50 μm之範圍內之膜厚之構成。

據此，於厚於上述範圍之情形時，將難以獲得第1基板側與第2電極之電氣傳導，但若為上述範圍內之膜厚，則能夠可靠地獲得第1基板側與第2電極之電氣傳導。藉此，便可於製造時容易地使導電接著膜黏合於第2基板。

又，亦可為上述熱熔導電接著膜包含在黏合樹脂中混合有導電材料之材料之構成。

據此，對熱熔導電接著膜不僅可賦予接著性，且可賦予導電性。

又，亦可為上述導電材料之含量為5至50重量%之構成。

據此，可維持熱熔導電接著膜之良好之接著性，並且可賦予導電性。

本發明之光電顯示裝置之製造方法之特徵在於包括如下步驟：準備一面側開口且具有複數個空間之隔離壁，對該隔離壁之上述空間內供給液狀之光電材料，且於在上述空間內形成有上述光電材料之上述隔離壁之上述開口側形成封閉膜，藉此，形成電泳層；將具有像素電極之上述第1基板與上述電泳層黏合；以及，介隔著經加熱熔融之上述熱熔導電接著膜，將具有上述第2電極之上述第2基板黏合於上述隔離壁之上述開口側。

據此，由於介隔經加熱熔融之熱熔導電接著膜將電泳層與具有第2電極之第2基板黏合，因此，能夠以利用熱之簡便之製造方法迅速地使該等接著。又，可藉由使經加熱熔融之熱熔導電接著膜無間隙地在電泳層與第2電極之間延展，而可靠地獲得第1基板與第2基板之電氣傳導。

又，亦可為上述黏合步驟中之層壓溫度為80℃至100℃之範圍內之方法。

若層壓溫度較高，則存在導致封閉膜或光電材料蒸發之情形。

因此，可藉由使用於如上述溫度範圍之相對低溫下熔融之熱熔導電接著膜，而防止層壓時封閉膜熔融，或光電材料蒸發。

又，亦可為包括對上述第2電極之與上述第2基板為相反側之表面上供給膜狀之熱熔導電接著膜之步驟的方法。

據此，可藉由膜狀之熱熔導電膜，而實現對第2基板之穩定供給。由於不會如液態之接著劑般於黏合後向外側溢出，故而容易進行操作。

又，亦可為包括於上述空間內形成有上述電泳層之上述隔離壁之開口側，形成封閉膜之步驟的方法。

據此，可將電泳層封閉於空間內。又，可防止電泳層與第2電極直接接觸，因此，可防止例如因與構成電泳層之分散介質接觸而導致第2電極腐蝕之情形。

以下，參照圖式對本發明之實施形態進行說明。再者，以下說明中使用之各圖式，係使各構件為可辨識之大小，故而適當變更了各構件之縮尺。

(第1實施形態)

圖1係表示作為本發明之光電顯示裝置之一例的電泳顯示裝置之概略構成之剖面圖。

如圖1及圖2所示，電泳顯示裝置(光電顯示裝置)100，係於包含第1基板30及像素電極(第1電極)35之元件基板300、與包含第2基板31及對向電極(第2電極)37之對向基板310之間夾持電泳層(光電層)320而成者。

於第1基板30上，對每一像素設置有像素電晶體(例如，TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)(圖示省略))、像素電極35及單元矩陣4。

像素電晶體係經由配線分別連接於像素電極35，且可藉由接通、斷開該像素電晶體而選擇性地對像素電極35施加電壓。

像素電極35，係包含厚度50 nm之ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)，但並不限於此。

第1基板30中，使用包含聚碳酸酯(PC，Polycarbonate)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET，Polyethylene Terephthalate)等絕緣性樹脂材料之基板(即，樹脂基板)、或玻璃基板，且具有0.5 nm之厚度。

再者，於對電泳顯示裝置100賦予可撓性之情形時，選擇具有可撓性之樹脂基板。又，由於像素電極35及第1基板30並非可視側，故亦可使用非透光性之材料，而不必使用具有透光性之材料。

像素電極35係形成於元件基板300之與電泳層320對向之側之面。又，對向電極37係形成於對向基板310(圖1)之與電泳層320對向之側之面。像素電極35係例如形成於每一像素之電極，對向電極37係例如遍及複數個像素共通地形成之電極。此種像素電極35與對向電極37係由例如鋁(Al)等缺乏透光性(不透明)之導電膜、或例如氧化銦錫(ITO)等具有透光性之導電膜構成。

再者，於元件基板300為透明基板，且像素電極35由ITO等構成之情形時，可自元件基板300側觀測畫面中顯示之文字、圖像等。或者，於未圖示之對向基板310為透明之基板，且對向電極37由ITO等構成之情形時，可自對向基板310側觀測畫面中顯示之文字、圖像等。

電泳層320係包括單元矩陣4、包含複數個電泳粒子(光電材料)26與使該等電泳粒子26分散之分散介質21(光電材料)的分散液32(光電材料)、以及封閉膜5而成者。此處，電泳粒子26係例如顏料粒子、樹脂粒子或該等之複合粒子。作為組成顏料粒子之顏料，例如，有苯胺黑、碳黑等黑色顏料，氧化鈦、氧化銻等白色顏料等。又，作為組成樹脂粒子之樹脂材料，例如有丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、尿素樹脂、環氧系樹脂、聚苯乙烯、聚酯等。作為複合粒子，例如有由利用樹脂材料或其他顏料被覆顏料粒子之表面者、利用顏料被覆樹脂粒子之表面者、以適當之組成比混合有顏料與樹脂粒子之混合物所構成之粒子等。包含該等各種材料之電泳粒子26係例如以帶正電或帶負電之狀態分散於分散介質中。

分散介質21例如為親油性之烴系溶劑，例如，包含異構烷烴(註冊商標)。即，分散介質21為包含例如異構烷烴E、異構烷烴G、異構烷烴H、異構烷烴L、異構烷烴M中之任一種之液體、或混合有該等中之2種以上而成之液體、或者混合有該等中之任一種以上與其他種類之烴系溶劑而成之液體。

或者，分散介質21亦可為例如戊烷、己烷、辛烷等脂肪族烴類；環己烷、甲基環己烷等脂環式烴類；如苯、甲苯、二甲苯、已基苯、庚基苯、辛基苯、壬基苯、癸基苯、十一烷基苯、十二烷基苯、十三烷基苯、十四烷基苯之具有長鏈烷基之苯類(烷基苯衍生物)等芳香族烴類；吡啶、吡、呋喃、吡咯、噻吩、甲基吡咯烷酮等芳香族雜環類；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、甲酸乙酯等酯類；丙酮、甲基乙基酮、二乙基酮、甲基異丁基酮、金紅石型異丙基酮、環己酮等酮類；乙腈、丙腈、丙烯腈等腈類；N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺等醯胺類；以及羧酸鹽或其他各種油類等，且可使該等單獨或作為混合物使用。

單元矩陣4係於第1基板30上形成複數個空間(即，收容部)，並且於各單元(收容部)15內收容作為電泳材料之分散液32者。

單元矩陣4係具有例如板狀之基部13、及配置於基部13上之柵格狀隔離壁14，且包含片狀(板狀)之構件。基部13係構成單元矩陣4之底部者，且與配置於一面上之隔離壁14一體形成。基部13之厚度並無特別限制，例如，亦可為數[μm]~數十「μm」左右之薄膜。又，隔離壁14係形成單元矩陣4之側壁者，且係將作為電泳材料之分散液32分割收容於複數個收容部(單元15內)者。藉由該隔離壁14，而將元件基板300上劃分為複數個空間(即，單元15)，且對該等複數個單元15之各者，分別填充電泳材料。

隔離壁14之俯視時之形狀係為例如正方柵格狀、六邊柵格狀或三角柵格狀。

圖2(a)、(b)係表示單元矩陣之構成之平面圖。

如圖2(a)所示，於隔離壁14之平面形狀呈正方柵格狀之情形時，單元15之平面形狀成為正方形，如圖2(b)所示，於隔離壁14之平面形狀呈正六邊柵格狀之情形時，單元15之平面形狀成為正六邊形。

本實施形態之單元矩陣4係一體地形成有基部13與隔離壁14，但並不限定於此，亦可藉由將各自形成之基部13與隔離壁14固定而構成。或者亦可省略基部13，而僅由隔離壁14構成單元矩陣4。於此情形時，亦可將隔離壁14直接安裝於元件基板300之像素電極35側之最上層。

本實施形態之單元矩陣4係一體形成有基部13與隔離壁14，故而由同一材料構成，但於單獨形成基部13與隔離壁14之情形時，可使用不同之材料。

作為構成基部13之材料，可為具有可撓性者、硬質者中之任一者，例如，可列舉環氧系樹脂、丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、三聚氰胺系樹脂、苯酚系樹脂等各種樹脂材料、或二氧化矽、氧化鋁、二氧化鈦等各種陶瓷材料。其中，於對電泳顯示裝置100賦予可塑性之情形時，對於基部13選擇具有可塑性之樹脂材料者。

作為構成隔離壁14之材料，例如，可列舉環氧系樹脂、丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、三聚氰胺系樹脂、苯酚系樹脂等各種樹脂材料、或二氧化矽、氧化鋁、二氧化鈦等各種陶瓷材料。

再者，於本實施形態中，作為構成隔離壁14之材料，較佳為選擇與電泳層320之親和性較高之材料者。例如，於電泳層320為親油性之情形時，較佳為由親油性之材料構成隔離壁14。於此情形時，既可使隔離壁14本身為親油性之材料，亦可僅使隔離壁14之表面為親油性。作為僅使隔離壁14之表面為親油性之方法，例如，可列舉表面處理(即，使用塗佈、物理氣相沈積或化學氣相沈積等方法，於隔離壁14之表面形成親油性之膜之處理，或者黏合親油性之膜之處理)。

又，於實施形態中，較佳為，分散介質21與隔離壁14之接觸角θ進入0°<θ<20°之範圍內。若為此種構成，則可提高分散介質21與隔離壁14之密接性，且於複數個單元15之各自之中，可容易地使電泳層320之表面成為剖面觀察為凹狀之形狀。

封閉膜5係用以將作為電泳材料之分散液32封閉於(有時「封閉」亦表現為「密封」)於各單元15內之膜，且沿著分散液32之表面以固定之膜厚形成於隔離壁14之開口側。如圖1所示，分散液32之表面之凹狀係呈現於封閉膜5之表面。封閉膜5之膜厚係為例如5~10 μm左右。作為構成封閉膜5之材料，例如，可列舉水溶性高分子，具體而言，為包含聚乙烯醇(亦稱為PVA(Polyvinyl Alcohol))、胺基酸、阿拉伯樹膠、阿拉伯膠、海藻酸衍生物、白蛋白、羧甲基纖維素、纖維素衍生物、明膠、聚氧化乙烯、聚苯乙烯磺酸、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯酚、聚乙酸乙烯酯衍生物或卵磷脂中之任一種、或者該等中之2種以上者。

再者，作為分散介質21之烴系溶劑(例如，異構烷烴)及PVA均為廉價。因此，可降低電泳顯示裝置100之製造成本。又，可使封閉膜5形成為無色透明，且可大體上確保90%左右之透光率。由於封閉膜5導致之光之衰減較少，故而可提高由封閉膜5所覆蓋之畫面(即，複數個單元15之集合體)中顯示之文字、圖像等之可視性。

又，由於封閉膜5與分散液32之相容性極低，故而可密閉性較高地將分散液32封閉於單元15內。

於本實施形態中，由上述隔離壁14、分散液32及封閉膜5構成電泳層320。

繼而，於第2基板31上，以覆蓋其表面整體之方式設置有對向電極37。對向電極37包含厚度100 nm之ITO，第2基板31包含厚度0.5 μm之玻璃或PET基材，且分別具有透光性。

於對向電極37之表面(與第2基板31為相反側之面)，以覆蓋其表面整體之方式形成有透光性之熱熔導電接著膜38。熱熔導電接著膜38係於高分子材料(黏合樹脂)中含有特定量之金屬填料(導電材料)28而成之膜狀者，其厚度適當設定於1 μm~50 μm之範圍內。

作為可用作熱熔材料之熱塑性高分子，可列舉聚烯烴(例如聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、及該等之共聚物)、聚四氟乙烯、聚酯(例如聚對苯二甲酸乙二酯)、聚乙酸乙烯酯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯丁醛、丙烯酸系樹脂(例如聚丙烯酸酯、及聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯)、聚醯胺(即尼龍)、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚胺基甲酸酯、纖維素樹脂(即硝酸纖維素、乙酸纖維素、乙酸丁酸纖維素、乙基纖維素等)、上述材料之任一者之共聚物(例如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物及苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物)等，但並不限定於該等。

又，作為透明金屬填料28，可列舉經氯化鋰、氯化鎂等無機鹽類，氯矽烷、四氯化矽之水解生成物即矽化物，金屬氧化物粉末、氧化銦(錫)、氧化錫(銻)表面處理所得之玻璃珠等。透明金屬填料28之含量為5[wt%]~50[wt%](重量百分比)。

再者，高分子材料及透明金屬填料28並不限定於上述者。

然而，該電泳顯示裝置100，係於複數個單元15之各自中，熱熔導電接著膜38朝向電泳層320側而成為凸狀。即，如圖1所示，於複數個單元15之各自中，熱熔導電接著膜38之下側(電泳層320側)之表面成為凸狀。

(電泳顯示裝置之製造方法)

其次，對上述電泳顯示裝置之製造方法進行說明。

圖3~圖5係表示本發明第1實施形態之電泳層320之製造方法的剖面圖，圖3係對向基板側之製造步驟圖。圖4(a)~圖5(b)係元件基板側之製造步驟圖。

如圖3(a)所示，首先，於包含樹脂基板或玻璃基板之第2基板31上之大致整個面，塗佈ITO材料形成對向電極37。

其次，如圖3(b)所示，將膜狀之熱熔導電接著膜38供給至對向電極37之表面上之大致整個面。該熱熔導電接著膜38，係包含使透明金屬填料28分散於常溫下呈固體形狀之熱塑性高分子中而成之接著性膜。此處，熱熔導電接著膜38之電阻值係於膜厚方向上為1000 Ω以下。更佳為500 Ω以下。

如此，形成對向基板310。再者，亦可於熱熔導電接著膜38之表面(與對向電極37為相反側之外表面)黏貼剝離片。

其次，如圖4(a)所示，準備包含一面側開口之複數個單元15之單元矩陣4。

繼而，如圖4(b)所示，通過各單元15之開口部15a，對單元矩陣4之各單元15內供給分散液32(包含複數個電泳粒子26與分散介質21之分散液)。再者，分散液32對各單元15內之供給，例如，可列舉使用分注器之滴下法、噴墨法(液滴噴出法)、旋轉塗佈法、浸漬塗佈法等各種塗佈法，而於該等中，較佳為使用滴下法或噴墨法。根據滴下法或噴墨法，可對各單元15(收容部)選擇性地供給分散液32，故而可無浪費且更可靠地供給至單元15內。

較佳為，於對單元15內供給分散液32後，設置固定之待機時間。藉此，如圖4(c)所示，於單元15之中心部，分散液32之表面(液面)下降，其剖面觀察之形狀變為凹狀。

此處，圖6係表示分散液32之液面高度與待機時間之關係之圖。

如圖6所示，供給至單元15內之分散液32之液面高度、與供給分散液32後之待機時間之間具有相關性，且存在隨著待機時間變長液面高度下降之傾向。

又，該液面下降之傾向，相較單元15之周邊部，於單元15之中心部更顯著。即，存在單元15之中心部中之液面高度相較單元15之周邊部中之分散液32之液面高度更快地下降之傾向。其原因在於，於單元15之周邊部中分散液32與隔離壁14接觸而使分散液32之液面受到支撐，相對於此，於單元15之中心部中液面未受到支撐。

又，存在分散液32與隔離壁14之密接性越高，則單元15之周邊部中之分散液32之液面高度越難以下降之傾向。因此，就分散液32與隔離壁14而言，藉由選擇相互親和性較高之材料，可防止液面高度h2之下降。

再者，封閉膜5之厚度係藉由h1與d1(像素電極35與熱熔導電接著膜38之間之距離)之差而獲得。

例如，於分散液32為親油性之情形時，由親油性之材料構成隔離壁14。藉此，可提高分散液32與隔離壁14之密接性，從而可防止液面高度h2之下降(可使圖6中之依存於待機時間t而下降之h2之斜度變得平緩)。親油性之分散液32例如可藉由將親油性的烴系溶劑(以異構烷烴作為一例)用於分散介質介質21而實現。或者，以使分散介質21與隔離壁14之接觸角各落入0°<θ<20°之範圍內之方式，分別選擇分散介質21與隔離壁14之材料，藉此，便可提高該等之密接性。亦於此情形時，可選擇親油性之溶劑作為分散介質21，選擇親油性之材料作為隔離壁14。更佳為，使分散介質21與隔離壁14之接觸角θ落入0°<θ<10°之範圍內。

如此，基於圖6所示之相關性，調整待機時間之長短，並且選擇分散液32與隔離壁14之材質之組合，藉此，便可將單元15之中心部及周邊部中之分散液32之液面之高度h1、h2設定為所需之值。亦即，可使分散液32之表面所出現之凹狀之形狀、深度等接近於所需之形態。

其次，如圖4(d)所示，將分散液32封閉於各單元15內，且形成封閉膜5。具體而言，利用封閉膜5覆蓋供給有分散液32之單元矩陣4(隔離壁14)之開口部15a側，將分散液32封入於單元矩陣4之各單元15內。封閉膜5之成膜方法例如為如下所述。

將水溶性高分子溶解於例如水或親水性之液體(以甲醇或乙醇作為一例)中形成液狀，製成封入液。例如，選擇PVA作為水溶性高分子，並將PVA溶解於水中，製成3[wt%]~40[wt%](重量百分比)之封入液。

其次，將該封入液塗佈於單元矩陣4之開口部側，形成封閉膜5。分散液32係親油性，封閉膜5係親水性，故分散液32與封閉膜5不混合。因此，可藉由在供給至單元15內之分散液32之露出部分形成封閉膜5，而密閉性較高地將分散液32封閉於單元15內。又，可防止分散液32與對向電極37直接接觸，因此，可防止分散介質21與分散液32之接觸而導致對向電極37被腐蝕。

再者，封入液之塗佈步驟，係例如使用刮刀17將封閉膜5均勻地塗佈於單元矩陣4(隔離壁14)之開口部15a側之整個面。又，封入液之塗佈方法亦可為除此以外之塗佈方法，例如，可列舉使用狹縫塗佈機或刮刀式塗佈機之塗佈方法。

其次，對塗佈封入液而形成之封閉膜5實施乾燥處理使其硬化。例如，將封閉膜5放置於室溫~50[℃]左右之溫度環境下，使其乾燥硬化。乾燥處理之所需時間亦取決於封閉膜5之厚度，但例如為數分鐘至數小時左右。由於封閉膜5之膜中之PVA之濃度較高，故而可使封閉膜5以自然乾燥之方式、或於相對低溫下進行乾燥。於該乾燥處理中，由於封閉膜5中所含之水分揮發(蒸發)，故而如圖5(a)所示，可使封閉膜5之厚度相較剛塗佈後變薄。以此方式，形成電泳層320。

繼而，如圖5(b)所示，準備具有另行形成之像素電極35之元件基板300、與上述具有熱熔導電接著膜38之對向基板310。

此處，元件基板300係於包含樹脂基板、或玻璃基板之第1基板30上具備複數個選擇電晶體、及像素電極35者，且藉由先前公知之方法而製造。

其次，將元件基板300與對向基板310安裝於電泳層320。

於本實施形態中，使用真空層壓法使對向基板310、電泳層320、元件基板300互相黏合。

首先，如圖5(b)所示，將元件基板300之具有像素電極35之側之面安裝於單元矩陣4之基部13側之面。再者，亦可於該安裝中例如使用接著劑(未圖示)。

又，將對向基板310之具有熱熔導電接著膜38之側之面安裝於大量存在有單元矩陣4之各單元15之開口部的隔離壁14側之面。此時，於將黏貼於熱熔導電接著膜38之表面之剝離片剝離後，於使熱熔導電接著膜38之表面接觸於隔離壁14之表面之狀態下以特定之溫度80℃~100℃下使之加熱熔融。如此一來，賦予流動性，從而於封閉膜5與對向電極37之間無間隙地密接於兩者。以此方式，藉由將熱熔導電接著膜38加熱熔融而使其活化，藉此，使電泳層320與對向基板310瞬間接著。

其後，使經熔融之熱熔導電接著膜38藉由進行冷卻而恢復為原來之固體，從而維持電泳層320與對向基板310之接著狀態。

以此方式，介隔著電泳層320使元件基板300與對向基板310黏合，獲得圖1所示之本實施形態之電泳顯示裝置100。

如此般，根據本實施形態之電泳顯示裝置100，由於利用熱熔導電接著膜38使電泳層320與對向基板310黏合，故而能夠以利用熱之簡便之製造方法迅速地使被接著構件彼此接著。

又，於本實施形態中，供給至單元15內之分散液32之液面高度係與單元15之周邊部相比，中央部凹陷，使得封閉膜5模擬該分散液32之液面形狀而形成為凹狀。因此，若使用不熔融之硬化性接著劑，則無法嵌入至形成為凹狀之封閉膜5與對向電極37之間，從而無法獲得對向基板310與元件基板300之間之電氣傳導。因此，於本實施形態中，可使熱熔導電接著膜38藉由加熱熔融而無間隙地嵌入至封閉膜5上與對向電極37之間，故而能夠可靠地獲得對向基板310與元件基板300之電氣傳導。

又，熱熔導電接著膜38可以優異之接著力使構件彼此接著，並且經時變化較少，耐老化性亦優異。

又，由於先前所使用之接著劑為液態，故而為防止所含有之透明金屬填料28之沈澱而必須進行攪拌。

相對於此，由於本實施形態之熱熔導電接著膜38不含溶劑，故而於使電泳層320與對向基板310黏合後剩餘溶劑不會溢出，且溶劑無需去除即可。由此，於製造時僅使各構件彼此黏合即可，無需特別之處理。

又，於使用液狀之接著劑之情形時，有時接著劑本身或接著劑之溶劑會使封閉膜5溶解。若溶解後之封閉膜5混入至分散液32內，則存在對電泳粒子26之電泳造成影響之虞，並且亦存在氣泡混入至與對向電極37之間之虞。

相對於此，由於本實施形態之熱熔導電接著膜38不含溶劑，故而不存在使封閉膜5熔融之虞，因此，可獲得電泳粒子26之所需之電泳，並且可防止氣泡之混入，從而可靠地獲得與元件基板300側之電氣傳導。

又，由於本實施形態係膜狀之熱熔導電接著膜38，故而容易進行操作，且可實現朝向對向基板310上之穩定供給。又，由於熱熔導電接著膜38為膜狀，故而膜中之透明金屬填料28之分散性亦均勻。

又，由於在熱熔導電接著膜38內混合有大量之透明金屬填料28，故而可獲得與對向電極37之電氣傳導。

又，由於熱熔導電接著膜38包含具有透光性之材料，故而可將黏合側(對向基板310側)作為顯示面。

[實施例1]

以下，表示實施例1中之電泳顯示裝置之構成。

‧熱熔材料：聚乙酸乙烯酯(熔點100℃)

‧金屬填料材料：氧化錫

‧熱熔導電性接著膜之厚度：10 μm

‧對向基板：於聚酯膜(PET)上蒸鍍氧化銦錫(ITO)而形成之透明導電性膜(Toray NXC1)

‧層壓溫度：80℃

‧供給壓力：0.4 MPa

[實施例2]

其次，表示實施例2中之電泳顯示裝置之構成。

‧熱熔材料：聚胺基甲酸酯(熔點90℃)

‧金屬填料材料：氯化鎂

‧熱熔導電接著膜38之厚度：10 μm

‧對向基板：於聚酯膜(PET)上蒸鍍氧化銦錫(ITO)而形成之透明導電性膜(Toray NXC1)

‧層壓溫度：85℃(亦可與實施例1相同)

‧供給壓力：0.4 MPa

其次，表示作為比較例之電泳顯示裝置之構成。

[比較例1]

‧熱熔材料：丙烯酸酯系UV(Ultraviolet，紫外線)硬化劑(熔點170℃)→封閉膜5熔融。

[比較例2]

‧熱熔材料：環氧系接著劑(熔點150℃)→封閉膜5熔融。

‧無熱熔材料→在封閉膜5與對向電極37之間產生間隙而未能進行動作。

根據以上結果，可藉由使熱熔材料採用可低溫熔融之聚乙酸乙烯酯或聚胺基甲酸酯等，而防止封閉膜5之熔融，且可獲得良好之接著性。

另一方面，若使熱熔材料使用相對於上述材料在相對高溫下熔融之丙烯酸酯系UV接著劑或環氧系接著劑，則存在封閉膜5熔融，對分散液32造成影響之虞，故而欠佳。又，於高溫層壓之情形時，亦存在導致作為電泳材料之分散液32蒸發之虞。

由此，較佳為使用上述實施例1及2中所示之低溫下熔融之熱熔材料。

以上，一面參照隨附圖式一面對本發明之較佳之實施形態進行了說明，但勿庸置疑本發明並不限定於上述例。業者應知悉，可於申請專利範圍中記載之技術性思想之範疇內，設想各種變更例或修正例，且知道該等當然亦屬於本發明之技術性範圍。

例如，熱熔導電接著膜38之膜厚係設定為於使對向基板與單元矩陣黏合時，可嵌入至沿著分散液32之液面形狀形成為凹狀之封閉膜5與對向電極37之間之厚度。其中，若過厚形成，則會導致難以獲得與對向電極37之導電性，故而如上所述，設定為1 μm~50 μm之範圍內，較佳為設定為10 μm~20 μm之範圍內。

再者，於上述實施形態中，作為光電顯示裝置係以電泳顯示裝置為例列舉說明，但只要為具備光電層之光電顯示裝置則可應用本發明。例如，亦可於包含TN(Twisted Nematic，扭轉向列)液晶顯示器、STN(Super TN，超扭轉向列)液晶顯示器、鐵電性液晶顯示器、膽固醇狀液晶顯示器、碳粉方式顯示器、扭轉球型顯示器等顯示裝置的光電裝置中應用本發明。

4．．．單元矩陣

5．．．封閉膜

13．．．基部

14．．．隔離壁

15．．．單元(收容部)

15a．．．單元15之開口部

17．．．刮刀

21．．．分散介質(光電材料)

26．．．電泳粒子(光電材料)

28．．．金屬填料(導電材料)

30．．．第1基板

31．．．第2基板

32．．．分散液(光電材料)

35．．．像素電極(第1電極)

37．．．對向電極(第2電極)

38．．．熱熔導電接著膜

100．．．電泳顯示裝置(光電顯示裝置)

300．．．元件基板

310．．．對向基板

320．．．電泳層(光電層)

d1．．．像素電極35與熱熔導電接著膜38之間之距離

h1．．．單元之中心部中之液面高度

h2．．．單元之周邊部中之液面高度

圖1係表示作為本發明之光電顯示裝置之一例的電泳顯示裝置之概略構成之剖面圖。

圖2(a)、(b)係表示單元矩陣之構成之平面圖。

圖3(a)、(b)係對向基板側之製造步驟圖。

圖4(a)~(d)係元件基板側之製造步驟圖。

圖5(a)、(b)係元件基板側之製造步驟圖。

圖6係表示電泳層之液面高度與待機時間之關係之圖。

4．．．單元矩陣

5．．．封閉膜

13．．．基部

14．．．隔離壁

15．．．單元(收容部)

21．．．分散介質(光電材料)

26．．．電泳粒子(光電材料)

30．．．第1基板

31．．．第2基板

32．．．分散液(光電材料)

35．．．像素電極(第1電極)

37．．．對向電極(第2電極)

38．．．熱熔導電接著膜

100．．．電泳顯示裝置(光電顯示裝置)

300．．．元件基板

310．．．對向基板

320．．．電泳層(光電層)

Claims (11)

1. 一種光電顯示裝置，其特徵在於包括：第1基板，其具有第1電極；透光性之第2基板，其具有透光性之第2電極；電泳層，其係夾持於上述第1基板與上述第2基板之間，且包含液狀之光電材料、將上述光電材料收容於複數個收容部之隔離壁、以及將上述光電材料封閉且配置於上述隔離壁與上述第2電極之間並包含水溶性高分子之膜厚為5μm至10μm的透光性之封閉膜而成；以及熱熔導電接著膜，其配置於上述封閉膜與上述第2電極之間，厚度方向之電阻為1000Ω以下且具有透光性。
2. 如請求項1之光電顯示裝置，其中上述熱熔導電接著膜係於80℃至100℃之範圍內軟化。
3. 如請求項1或2之光電顯示裝置，其中上述熱熔導電接著膜之厚度方向之電阻為500Ω以下。
4. 如請求項1或2之光電顯示裝置，其中上述熱熔導電接著膜具有1μm至50μm之範圍內之膜厚。
5. 如請求項1或2之光電顯示裝置，其中上述熱熔導電接著膜包含在黏合樹脂中混合有導電材料之材料，上述導電材料包含無機鹽類、矽化物之任一者。
6. 如請求項5之光電顯示裝置，其中上述無機鹽類為氯化鋰、氯化鎂之任一者，上述矽化物為將氯矽烷或四氯化矽水解獲得者。
7. 如請求項1或2之光電顯示裝置，其中於上述複數個收容 部之各者中，上述熱熔導電接著膜之上述電泳層側之表面係朝上述電泳層側成為凸狀。
8. 如請求項5之光電顯示裝置，其中上述導電材料之含量為5至50重量%。
9. 一種光電顯示裝置之製造方法，其特徵在於包括如下步驟：準備一面側開口且具有複數個空間之隔離壁，對該隔離壁之上述空間內供給液狀之光電材料，且於在上述空間內形成有上述光電材料之上述隔離壁之上述開口側形成透光性之封閉膜，藉此形成電泳層；將具有像素電極之第1基板與上述電泳層黏合；以及，介隔著經加熱熔融之具有透光性之熱熔導電接著膜，將具有第2電極之第2基板黏合於上述隔離壁之上述開口側，上述封閉膜包含水溶性高分子且膜厚為5μm至10μm，上述熱熔導電接著膜之厚度方向之電阻為1000Ω以下。
10. 如請求項9之光電顯示裝置之製造方法，其中上述黏合步驟中之層壓溫度為80℃至100℃之範圍內。
11. 如請求項9或10之光電顯示裝置之製造方法，其中包括對上述第2電極之與上述第2基板為相反側之表面上，供給膜狀之熱熔導電接著膜之步驟。