TWI553143B - 薄膜形成之循環性沉積方法，半導體製造方法，及半導體裝置 - Google Patents

薄膜形成之循環性沉積方法，半導體製造方法，及半導體裝置 Download PDF

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Description

薄膜形成之循環性沉積方法，半導體製造方法，及半導體裝置 【相關申請案之交互參照】
本申請案主張2013年12月27日向韓國智慧財產局提交申請之韓國專利申請案第10-2013-0165686號之權益，該案之揭示內容係以引用方式併入本文。
本揭示內容係關於用於薄膜形成之循環性沉積方法，半導體製造方法及半導體裝置，且更特定而言，係關於在使用所產生電漿來預處理矽膜之表面之後形成絕緣膜的用於薄膜形成之循環性沉積方法，半導體製造方法及半導體裝置。
歸因於半導體工業之發展且為滿足使用者之需求，電子裝置日益得到更高度地積體化來達成更高水準之效能。因此，亦需要作為許多電子裝置中之核心組件的半導體裝置得以更高度地積體化來達成更高水準之效能。然而，實現用於高度積體化之半導體裝置之微結構存在某些問題。
例如，為實現微結構，需要較薄絕緣膜；然而，過薄的絕緣膜引起在絕緣膜品質減小、絕緣特徵劣化及類似者等方面之問題。此外，過量薄膜可導致難以獲得良好步進覆蓋率(step coverage)。
[相關技術文件]
韓國專利特許公開案第2005-0060268號。
本揭示內容中之一些實施例可提供能夠沉積具有緻密結構之絕緣膜的用於薄膜形成之循環性沉積方法，半導體製造方法及半導體裝置。
本揭示內容中之一些實施例可提供能夠沉積具有極佳膜品質及步進覆蓋率之絕緣膜的用於薄膜形成之循環性沉積方法，半導體製造方法及半導體裝置。
根據本揭示內容之示範性實施例，用於薄膜形成之循環性沉積方法可包括：藉由將矽前驅物注入其中加載物體之腔室中來於該物體上形成矽薄膜，將矽沉積於該物體上，且執行第一沖洗，自該腔室之內部移除該矽前驅物之未反應部分及反應副產物；藉由在該腔室中形成電漿氣氛來預處理該矽薄膜之表面且供應具有氫原子之第一反應源；以及藉由在該腔室中形成該電漿氣氛且供應具有一或多個氧原子、一或多個氮原子或其混合物之第二反應源來使矽薄膜形成為包括矽之絕緣膜。
第一反應源可為選自由NH3及H2組成之群的一或多種氣體。
第二反應源可為選自由O2、O3、N2及NH3組成之群的一或多種氣體。
預處理可持續0.05至10秒。
預處理可於0.01至10托之腔室壓力條件下執行，且物體之溫度可為50至600℃。
該矽薄膜之形成及該絕緣膜之形成可於0.01至10托之腔室壓力條件下執行。
矽前驅物可包括胺基矽烷或氯化物矽烷之任一者。
包括矽之絕緣膜可為氧化矽膜或矽絕緣膜。
預處理或絕緣膜之形成可包括注入選自由Ar、He、Kr及Xe組成之群的一或多種點火氣體。
第一反應源可以10至2000sccm之量注入，點火氣體可以100至3000sccm之量注入，且第二反應源可以10至500sccm之量注入。
用於薄膜形成之循環性沉積方法可進一步包括執行第二沖洗，在絕緣膜之形成之後自腔室之內部移除反應副產物，且可重複地執行矽薄膜之形成、預處理、絕緣膜之形成及第二沖洗。
矽薄膜之形成可包括重複沉積及第一沖洗1至10次。
矽薄膜之形成可包括使用非晶矽或具有多晶特徵之多晶矽來形成矽薄膜。
根據本揭示內容之示範性實施例，半導體製 造方法可包括經由以上所述的用於薄膜形成之循環性沉積方法來沉積絕緣膜。
根據本揭示內容之示範性實施例，包括藉由以上所述的用於薄膜形成之循環性沉積方法所沉積的絕緣膜之半導體裝置可特徵在於，絕緣膜可具有0.4至0.6之濕式蝕刻率。
S100~S600‧‧‧步驟
10‧‧‧半導體製造設備
11‧‧‧腔室
12‧‧‧通路
13‧‧‧噴淋頭
14‧‧‧卡盤
16‧‧‧卡盤支撐件
17‧‧‧出口
18‧‧‧電漿產生器
50‧‧‧矽前驅物
60‧‧‧基板
70‧‧‧第二反應源
100‧‧‧基板
110‧‧‧矽薄膜
112‧‧‧矽層
114‧‧‧矽層
116‧‧‧矽層
120a‧‧‧矽之絕緣膜
120b‧‧‧矽之絕緣膜
本揭示內容之以上及其他態樣、特徵及優點將自以下結合隨附圖式之詳細描述得以更清晰地理解，該等圖式中：圖1為例示根據本揭示內容之示範性實施例的用於薄膜形成之循環性沉積方法的流程圖；圖2為半導體製造設備之示意橫截面圖，其例示根據本揭示內容之示範性實施例的用於薄膜形成之循環性沉積方法；圖3為例示根據本揭示內容之示範性實施例的用於薄膜形成之循環性沉積方法之製程的圖；圖4A至4C為例示根據本揭示內容之示範性實施例的矽沉積的橫截面圖；圖5為例示根據本揭示內容之示範性實施例的其中形成複數個矽薄膜之狀態的橫截面圖；圖6為例示根據本揭示內容之示範性實施例的矽薄膜的示意圖；圖7A為例示根據本揭示內容之示範性實施例的矽薄 膜之預處理的橫截面圖；圖7B為例示根據本揭示內容之示範性實施例的其中使矽薄膜形成為包括矽之絕緣膜之製程的橫截面圖；圖7C為例示根據本揭示內容之示範性實施例的其中已執行第二沖洗之狀態的橫截面圖；圖8為例示根據本揭示內容之另一示範性實施例的其中形成包括矽之絕緣膜之狀態的橫截面圖；圖9為例示根據本揭示內容之示範性實施例的絕緣膜之生長率的圖表；以及圖10為例示根據本揭示內容之示範性實施例的絕緣膜之濕式蝕刻率的圖表。
在下文，本揭示內容中之示範性實施例將參考隨附圖式詳細地描述。然而，本揭示內容可以許多不同形式來具體化且不應解釋為限於本文闡述之實施例。實情為，提供此等實施例以便本揭示內容將為徹底及完全的，且將為熟習此項技術者完全傳達本揭示內容之範疇。因此，圖式中元件之尺寸可加以誇示以達清晰性，且相同參考數字將在全部圖式中用以指定相同或類似元件。
圖1為例示根據本揭示內容之示範性實施例的用於薄膜形成之循環性沉積方法的流程圖。如圖1中所例示，在S100，基板可加載於半導體製造設備之腔室中。在S200，矽薄膜可形成於加載至腔室中之基板上。為形成矽薄膜，可執行矽之沉積S210及第一沖洗S220。
為沉積矽，可在S210藉由將矽前驅物注入腔室中來使矽沉積於基板之表面上。在使矽沉積於基板之表面上之後，可執行第一沖洗S220來移除矽前驅物之未反應部分及反應副產物。隨後，可在S230重複地執行矽之沉積S210及第一沖洗S220，從而於基板之表面上形成矽薄膜。
例如，矽之沉積S210及第一沖洗S220可重複1至10次。在各別矽之沉積S210中，一至複數個矽原子層可形成於基板之表面上。因此，當在S230重複地執行矽之沉積S210及第一沖洗S220時，使用非晶矽或具有多晶特徵之多晶矽所形成的矽薄膜可形成於基板之表面上。具有非晶矽或多晶矽之矽薄膜可具有例如1至10Å之厚度。
隨後，可在S250於矽薄膜之表面上執行預處理。為預處理矽薄膜之表面，可於腔室之內部形成電漿氣氛，且可將第一反應源注入該腔室中。第一反應源可為具有氫原子之氣體，諸如NH3或H2，且該第一反應源例如可以10至2000sccm之量來注入。
隨後，形成於基板之表面上的矽薄膜可形成為包括矽之絕緣膜S300。包括矽之絕緣膜例如可為氧化矽膜或氮化矽膜。為將矽薄膜形成為包括矽之絕緣膜，可於腔室之內部形成電漿氣氛，且可將第二反應源注入該腔室中。第二反應源可例如為選自由O2、O3、N2及NH3組成之群的一或多種氣體。
在包括矽之絕緣膜為氧化矽膜的狀況下，第二反應源可為具有氧原子之氣體，諸如O2或O3。在包括矽 之絕緣膜為氮化矽膜的狀況下，第二反應源可為具有氮原子之氣體，諸如N2或NH3。
為將矽薄膜形成為包括矽之絕緣膜，例如形成為氧化矽膜，可使用O2或O3作為點火氣體在腔室之內部中形成電漿氣氛。為將矽薄膜形成為包括矽之絕緣膜，例如形成為氮化矽膜，可使用N2或NH3作為點火氣體在腔室之內部中形成電漿氣氛。
隨後，可執行第二沖洗S400自腔室之內部移除反應副產物及反應氣體或點火氣體。
為獲得所要厚度的包括矽之絕緣膜，可於必要時在S500重複地執行其中在S200形成矽薄膜之製程、在S300使形成於基板之表面上的矽薄膜形成為包括矽之絕緣膜的製程，以及第二沖洗S400。
在使包括矽之絕緣膜形成為具有所要厚度的狀況下，可在S600將基板自腔室卸載。
圖2為半導體製造設備之示意橫截面圖，其例示根據本揭示內容之示範性實施例的用於薄膜形成之循環性沉積方法。如圖2中所例示，可形成進入通路12來允許反應源得以引入半導體製造設備10之腔室11。經由進入通路12提供的反應源氣體可通過噴淋頭13且噴射至腔室11中。欲於其上沉積薄膜之基板100可定位於卡盤14上，且卡盤14可藉由卡盤支撐件16來支撐。在必要時，卡盤14可向基板100施加熱來使基板100具有預定溫度。在使用此設備執行沉積製程之後，腔室11中之殘餘物可經由出口17 排出。此外，半導體製造設備10可包括用於形成電漿氣氛之電漿產生器18。
圖3為例示根據本揭示內容之示範性實施例的用於薄膜形成之循環性沉積方法之製程的圖。參考圖3，可重複地執行矽前驅物之注入及沖洗。在分別重複地執行矽前驅物之注入及沖洗若干次之後，可順序地形成複數個電漿氣氛。在其中形成電漿氣氛之狀態下，第一及第二反應源可於必要時分別進行注入。
因此，矽前驅物之重複注入及沖洗直至順序地形成電漿氣氛之製程可在單一循環中執行。換言之，可在單一循環中執行其中經由矽前驅物之注入及沖洗之重複製程來形成矽薄膜的製程、形成第一電漿氣氛來執行預處理的製程，以及形成第二電漿氣氛來形成包括矽之絕緣膜的製程。
因此，在用於薄膜形成之循環性沉積方法中，不僅可重複地執行矽前驅物之注入及沖洗，而且亦可重複地執行矽薄膜之形成及絕緣膜之形成。
基於前文描述，根據本揭示內容之示範性實施例的用於薄膜形成之循環性沉積方法之製程將參考圖4A至7來詳細地描述。在圖4A至7之描述中，可使用與圖1至3之彼等者相同的參考數字。
圖4A至4C為例示根據本揭示內容之示範性實施例的矽沉積的橫截面圖。圖4A為例示根據本揭示內容之示範性實施例的矽前驅物之注入的橫截面圖。
如圖4A中所例示，矽前驅物50可注入至腔室11中，基板100係加載於該腔室11中。基板100之實例可包括半導體基板，諸如矽半導體晶圓或化合物半導體晶圓。在此，基板100可包括不同於半導體之材料的基板材料，諸如玻璃、金屬、陶瓷、石英或類似物。矽前驅物50例如可為：基於胺基的矽烷之前驅物，諸如雙乙基甲基胺基矽烷(BEMAS)、雙二甲基胺基矽烷(BDMAS)、BDEAS、肆乙基甲基胺基矽烷(TEMAS)、肆二甲基胺基矽烷(TDMAS)及TEDAS；基於氯化物的矽烷之前驅物，諸如六氯二矽烷(HCD)；或基於矽烷的前驅物，包括矽及氫。基板100可維持於50至600℃之溫度下，例如以便基板100可與矽前驅物50反應。此外，將基板100加載於其中之腔室11之內部的壓力可例如維持於0.01至10托下。
圖4B為例示根據本揭示內容之示範性實施例的其中矽沉積於基板表面上之狀態的橫截面圖。如圖4B中所例示，矽前驅物50之一部分可與基板100反應，從而允許矽原子沉積於基板100之表面上，以便於其上形成矽層112。矽層112可由一或多個矽原子層構成。矽前驅物50可與基板100反應，且可形成副產物52。此外，矽前驅物50之一部分可不與基板100反應，且可保留於未反應狀態。
圖4C為例示根據本揭示內容之示範性實施例的其中已執行第一沖洗之狀態的橫截面圖。如圖4C中所例示，在矽層112形成於基板100之表面上之後，可執行 沖洗以自腔室11之內部移除剩餘的未反應矽前驅物50及反應副產物52。其中自腔室11之內部移除剩餘的未反應矽前驅物50及反應副產物52之沖洗製程可稱為第一沖洗。在第一沖洗期間，基板100可例如維持於50至600℃之溫度下。此外，將基板100加載於其中之腔室11之內部的壓力可例如維持於0.01至10托下。例如，在矽層112之沉積及第一沖洗期間，基板100之溫度及腔室11之內部中的壓力可維持於恆定位準下。
圖5為例示根據本揭示內容之示範性實施例的其中形成複數個矽薄膜之狀態的橫截面圖。如圖5中所例示，可重複參考圖4A至4C描述的製程，從而於基板100之表面上沉積複數個矽層112、114及116，以便使用非晶矽或具有多晶特徵之多晶矽來形成矽薄膜110。矽薄膜110例如可具有1至10Å之厚度。可重複地執行矽薄膜110之沉積及第一沖洗1至10次，以便矽薄膜110可包括3至10個矽層112、114及116。因為矽薄膜110可以此方式由複數個矽層112、114及116構成，所以矽薄膜110可具有極佳膜品質及步進覆蓋率。
圖6為例示根據本揭示內容之示範性實施例的矽薄膜的示意圖，且在此雙二乙基胺基矽烷(BDEAS，SiH2[N(C2H5)2]2)可用作矽前驅物50。如在BDEAS之實例中可見，矽前驅物50可包括矽原子及氫原子。如圖6中所例示，矽薄膜110可包括矽前驅物50之分子結構中所包括的矽原子及氫原子，且矽原子及氫原子可包括於矽前驅物 50之分子結構。
在其中矽薄膜110形成於基板100之表面上之狀態中，矽原子可吸收於基板100之表面上，且氫原子可與矽原子組合。因此，吸收於基板100之表面上的矽前驅物50之密度可由於氫原子而減小，且在氫原子經由後續製程以矽-氫(Si-H)化合物之形式存在於絕緣膜(氧化矽膜或氮化矽膜)中的狀況下，可在由於增加絕緣膜中之孔隙率而增加濕式蝕刻率方面出現問題。後文描述解決此問題之製程。
圖7A為例示根據本揭示內容之示範性實施例的矽薄膜之預處理的橫截面圖。如圖7A中所例示，電漿可施加於基板100之表面，於該表面上形成矽薄膜110。例如，電漿氣氛可形成於腔室11之內部中，基板100已加載至該腔室中。為形成電漿氣氛，可使用感應耦合電漿(ICP)方法、電容耦合電漿(CCP)方法或微波(MW)電漿方法。在此，為形成電漿氣氛，可使用10W至3kW之功率。
為形成電漿氣氛，可注入例如選自包括Ar、He、Kr及Xe之群的一或多種點火氣體，以及例如具有氫原子之第一反應源60，諸如NH3或H2。在此狀況下，點火氣體可例如以100至3000sccm之量注入，且第一反應源60可例如以10至2000sccm之量注入。在此，為形成電漿氣氛，可注入例如選自包括NH3或H2之群的一或多種第一反應源60。在此時，第一反應源60可充當點火氣體，且可不注入單獨的點火氣體。為在電漿氣氛中預處理矽薄膜110 之表面，其中加載基板100之腔室11中的壓力可例如維持於0.01至10托下。隨後，可執行第二沖洗來移除剩餘的第一反應源60或反應副產物。
以上所述的預處理可減小矽薄膜110之孔隙率，且藉由自矽薄膜110移除氫原子而使矽薄膜之結構緻密化。例如，在預處理中，第一反應源60中包括的氫原子可在電漿氣氛中轉化成自由基形式，且矽薄膜110中矽原子及氫原子之組合可藉由氫自由基破壞。隨後，矽薄膜110中之氫原子可藉由在矽薄膜110中與氫原子組合的氫自由基移除，且產生氫(H2)氣體。因此，矽薄膜110可經由預處理而具有減小的孔隙率及緻密結構。
另一方面，不同於本揭示內容之示範性實施例，包括氫原子之第一反應源60可藉由包括氧原子之氣體置換，該氣體諸如N2O、O2或O2。在預處理中，第一反應源60中包括的氧原子可在電漿氣氛中轉化成自由基形式，且矽薄膜110中矽原子及氫原子之組合可藉由氧自由基破壞。隨後，矽薄膜110中之氫原子可藉由在矽薄膜110中與氫原子組合的氧自由基移除，且因此產生水(H2O)。然而，將其中第一反應源60可為包括氫原子之氣體的狀況與其中第一反應源60可為包括氧原子之氣體的狀況相比較，考慮鍵能，矽薄膜110中之氫原子可易於在其中第一反應源60可為包括氫原子之氣體的前一狀況下移除，且因此，可應用其中第一反應源60可為包括氫原子之氣體的狀況。
圖7B為例示根據本揭示內容之示範性實施例的其中使矽薄膜形成為包括矽之絕緣膜之製程的橫截面圖。如圖7B中所例示，電漿可施加於基板100之表面，於該表面上形成矽薄膜110。例如，電漿氣氛可形成於腔室11之內部中，基板100係加載至該腔室中。為形成電漿氣氛，可使用感應耦合電漿(ICP)方法、電容耦合電漿(CCP)方法或微波(MW)電漿方法。在此，為形成電漿氣氛，可使用10W至3kW之功率。
為形成電漿氣氛，可注入例如選自包括Ar、He、Kr及Xe之群的一或多種點火氣體，以及例如選自包括O2、O3、N2及NH3之一或多種第二反應源70。在此，點火氣體可例如以100至3000sccm之量注入。或者，為形成電漿氣氛，可注入例如選自包括O2、O3、N2及NH3之群的一或多種第二反應源70。在此狀況下，第二反應源70可充當點火氣體，且可不注入單獨的點火氣體。
在第二反應源70之一實例中，在使用諸如O2及O3的包括氧原子之氣體的狀況下，矽薄膜110可與第二反應源70中包括的氧原子反應，且形成為氧化矽膜。或者，在第二反應源70之一實例中，在使用諸如N2及NH3的包括氮原子之氣體的狀況下，矽薄膜110可與第二反應源70中包括的氮原子反應以形成為氮化矽膜。
為在電漿氣氛中使矽薄膜110變化至且形成為以下描述的包括矽之絕緣膜(諸如氧化矽膜或氮化矽膜)，其中加載基板100之腔室11中的壓力可例如維持於 0.05至10托下。
圖7C為例示根據本揭示內容之示範性實施例的其中已執行第二沖洗之狀態的橫截面圖。參考圖7B及圖7C，可執行第三沖洗來移除剩餘的第二反應源70及反應副產物，且可形成包括矽之絕緣膜120a。包括矽之絕緣膜120a可例如為氧化矽膜或氮化矽膜。
在電漿氣氛中形成的諸如氧化矽膜或氮化矽膜的包括矽之絕緣膜120a可具有極佳膜品質。即使當包括矽之絕緣膜120a形成為具有相對小的厚度時，可獲得極佳膜品質。此外，如上所述，矽薄膜110可具有極佳膜品質及步進覆蓋率，且因此，包括矽之絕緣膜120a亦可具有極佳膜品質及步進覆蓋率。進一步詳細而言，因為包括矽之絕緣膜120a可在電漿氣氛中形成，所以可獲得較好膜品質。
圖8為例示根據本揭示內容之另一示範性實施例的其中形成包括矽之絕緣膜之狀態的橫截面圖。參考圖7A至7C，藉由重複地執行參考圖4A至7C描述的製程，可形成包括複數個含有矽之絕緣膜120a及120b的絕緣膜120。
在其中矽薄膜110由包括矽之絕緣膜120a構成的狀況下，如圖7B中所例示，矽薄膜110可自其暴露表面開始轉變成絕緣膜。因此，在其中矽薄膜110為相對厚的狀況下，可需要與矽薄膜110反應的氧或氮穿透形成於矽薄膜110之表面上的絕緣膜以便得以擴散。因此，絕緣 膜之形成速度可隨矽薄膜110之厚度增加而減小。
與其中形成相對厚的矽薄膜且隨後立刻形成為絕緣膜相比較，在其中欲形成的絕緣膜120相對厚的狀況下，處理時間可藉由重複地執行形成相對薄的矽薄膜且使所形成的矽薄膜形成為包括矽之絕緣膜的製程而減小。因此，參考圖4A至7C描述的製程之重複數目可考慮處理時間及包括矽之絕緣膜所需要的厚度而決定。此外，絕緣膜120係例示為包括2個包括矽之絕緣膜120a及120b；然而，絕緣膜亦可包括3個或3個以上的包括矽之絕緣膜。
圖9為例示根據本揭示內容之示範性實施例的絕緣膜之生長率的圖表。在省略預處理的絕緣膜之沉積的狀況下及在預處理之後的絕緣膜之沉積的狀況下，單一循環之生長率係計算為絕緣膜之厚度的值除以在沉積製程期間重複的總循環數目，且生長率為就基板100之整個區域而言的平均值。如圖9中所例示，可確認的是，包括預處理情況下絕緣膜120之生長率比省略預處理情況下絕緣膜之生長率高約10%。
以上結果可如下解釋。在預處理製程中，矽前驅物50中包括的氫原子可自矽薄膜110移除，同時減小矽薄膜110之體積，進而增加矽薄膜110之沉積之密度，且同時允許矽前驅物50均勻地分散於基板100之表面上。因此，矽前驅物50可在後續循環中均勻地吸收於矽薄膜110之表面上，且可增加生長率，該生長率為就基板100之整 個區域而言的絕緣膜之平均值。另一方面，在其中省略預處理的狀況下，矽前驅物50可不均勻地分散於基板100之表面的僅一部分上，且矽前驅物50可不在後續循環中均勻地吸收於矽薄膜110之表面上，且可降低生長率，該生長率為就基板100之整個區域而言的絕緣膜之平均值。
圖10為例示根據本揭示內容之示範性實施例的絕緣膜之濕式蝕刻率(在300：1之緩衝氧化物蝕刻(BOE)溶液的狀況下)的圖表。如圖10中所例示，經由熱化學氣相沉積而沉積的絕緣膜之濕式蝕刻率為0.24，且經由根據相關技術(省略預處理)的用於薄膜形成之循環性沉積方法而沉積的絕緣膜之濕式蝕刻率為0.69。然而，根據以上所述的用於薄膜形成之循環性沉積方法，絕緣膜120之濕式蝕刻率為0.49(預處理持續時間=0.25秒)或0.52(預處理持續時間=0.5秒)，且可瞭解的是，本揭示內容之示範性實施例中絕緣膜之濕式蝕刻率相較於根據相關技術(省略預處理)的用於薄膜形成之循環性沉積方法之濕式蝕刻率降低約25%。經由此結果可見，根據本揭示內容之示範性實施例形成的絕緣膜120之結構相較於根據相關技術(省略預處理)的用於薄膜形成之循環性沉積方法之結構變得更為緻密。
根據本揭示內容之示範性實施例，具有緻密結構之絕緣膜可得以沉積，藉以濕式蝕刻率可降低。此外，可沉積具有極佳膜品質及步進覆蓋率之絕緣膜。
雖然以上已展示且描述示範性實施例，但是 熟習此項技術者應明白的是，在不脫離如隨附申請專利範圍所界定的本發明之範疇的情況下，可做出修改及變化。
S100~S600‧‧‧步驟

Claims (14)

  1. 一種用於薄膜形成之循環性沉積方法，該方法包含以下步驟：藉由將一矽前驅物注入其中加載一物體之一腔室中來於該物體上形成一矽薄膜，將矽沉積於該物體上，且執行一第一沖洗，自該腔室之內部移除該矽前驅物之一未反應部分及反應副產物；藉由在該腔室中形成一電漿氣氛來預處理該矽薄膜之一表面且供應具有一氫原子之一第一反應源；以及藉由在該腔室中形成該電漿氣氛且供應具有一或多個氧原子、一或多個氮原子或其混合物之一第二反應源來使該矽薄膜形成為包括矽之一絕緣膜；該預處理持續0.05至10秒。
  2. 如請求項1之用於薄膜形成之循環性沉積方法，其中，該第一反應源為選自由NH3及H2組成之群的一或多種氣體。
  3. 如請求項1或2之用於薄膜形成之循環性沉積方法，其中，該第二反應源為選自由O2、O3、N2及NH3組成之群的一或多種氣體。
  4. 如請求項1或2之用於薄膜形成之循環性沉積方法，其中，該預處理於0.01至10托之腔室壓力條件下執行，其中該物體之一溫度為50至600℃。
  5. 如請求項1或2之用於薄膜形成之循環性沉積方法， 其中，該矽薄膜之該形成及該絕緣膜之該形成於0.01至10托之腔室壓力條件下執行。
  6. 如請求項1或2之用於薄膜形成之循環性沉積方法，其中，該矽前驅物包含一胺基矽烷及一氯化物矽烷之任一者。
  7. 如請求項1或2之用於薄膜形成之循環性沉積方法，其中，該包括矽之絕緣膜可為一氧化矽膜或一矽絕緣膜。
  8. 如請求項1或2之用於薄膜形成之循環性沉積方法，其中，該預處理或該絕緣膜之該形成包含注入選自由Ar、He、Kr及Xe組成之群的一或多種點火氣體。
  9. 如請求項8之用於薄膜形成之循環性沉積方法，其中，該第一反應源以10至2000sccm之一量注入，該點火氣體以100至3000sccm之一量注入，且該第二反應源以10至500sccm之一量注入。
  10. 如請求項1之用於薄膜形成之循環性沉積方法，其中，用於薄膜形成之循環性沉積方法進一步包括執行一第二沖洗，在該絕緣膜之該形成之後自該腔室之該內部移除反應副產物，且重複地執行該矽薄膜之該形成、該預處理、該絕緣膜之該形成及該第二沖洗。
  11. 如請求項1之用於薄膜形成之循環性沉積方法，其中，該矽薄膜之該形成包含重複該沉積及該第一沖洗1至10次。
  12. 如請求項1之用於薄膜形成之循環性沉積方法，其中，該矽薄膜之該形成包含使用非晶矽或具有多晶特徵之多晶矽來形成該矽薄膜。
  13. 一種半導體製造方法，其包含經由如請求項1至2中任一項之用於薄膜形成之循環性沉積方法沉積一絕緣膜。
  14. 一種半導體裝置，其包括如請求項1至2中任一項之用於薄膜形成之循環性沉積方法所沉積的一絕緣膜，其特徵在於，該絕緣膜具有0.4至0.6之一濕式蝕刻率。
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