TWI543667B - 阻氣基板、有機電激發光元件的封裝結構及封裝方法 - Google Patents

阻氣基板、有機電激發光元件的封裝結構及封裝方法 Download PDF

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Description

阻氣基板、有機電激發光元件的封裝結構及封裝方法
本發明是有關於一種阻氣基板(gas barrier substrate)及其製造方法，且特別是有關於一種有機電激發光元件(organic electro-luminescent device)的封裝結構與封裝方法。
相較於一般硬質基板，可撓性基板的應用更為廣泛，其優點為具可撓性、方便攜帶、符合安全性、產品應用層面廣，但其缺點為不耐高溫、阻水阻氧氣性較差、耐化學藥品性較差以及熱膨脹係數大。由於典型之可撓性基板無法完全阻隔水氣及氧氣的穿透，進而加速基板上之電子元件老化，導致電子元件之壽命減短，無法充分符合商業上的需求。為了讓可撓性基板具有較佳的阻隔水氣及氧氣之特性，已有習知技術提出具有阻氣材料層之可撓性基板，以期提昇電子元件的信賴性(reliability)，以下將搭配圖1與圖2針對習知的可撓性阻氣基板做進一步的說明。
圖1為一種習知的可撓性阻氣基板之剖面示意圖。請參照圖1，習知的可撓性阻氣基板100通常是在載板C上製作，且可撓性阻氣基板100包括一基板110以及一阻氣層120，其中阻氣層120僅覆蓋於基板110的上表面110a及側壁110b上，且基板110的下表面100c係與載板C接觸。由圖1可知，當可撓性阻氣基板100從載板C上取下時，基板110的下表面100c會外露。由於基板110的下表 面100c未覆蓋有阻氣層120，因此可撓性阻氣基板100為因為應力不平衡而產生嚴重的捲曲問題。
為了改善可撓性阻氣基板100嚴重捲曲的問題，已有習知技術提出解決之道，其詳細內容如圖2所示。
圖2為另一種習知的可撓性阻氣基板之剖面示意圖。請參照圖2，習知的可撓性阻氣基板200同樣是在載板C上製作，且可撓性阻氣基板200包括一基板210、一第一阻氣層220以及一第二阻氣層230，其中第一阻氣層220僅覆蓋於基板210的下表面210c，第二阻氣層230則覆蓋於基板210a的上表面210a、側壁210b以及第一阻氣層220的側壁220a上。從圖2可清楚得知，第二阻氣層230會與第一阻氣層220的側壁220a接合，但受限於第一阻氣層220的厚度，第二阻氣層230與第一阻氣層220之間的接合強度仍不足，因此，可撓性阻氣基板200在撓曲的過程中，覆蓋於側壁210b上的第二阻氣層230容易破裂。此外，若增加第一阻氣層220的厚度以期增進第二阻氣層230與第一阻氣層220之間的接合強度，將會導致可撓性阻氣基板200的整體厚度增加。
承上述，如何在不增加可撓性阻氣基板的整體厚度之情況下，有效改善可撓性阻氣基板的阻氣特性，實為研發者關注的問題之一。
本發明提供一種阻氣基板，其具有良好的阻氣能力。
本發明另提供一種阻氣基板的製造方法，以製造出具 有良好的阻氣能力之阻氣基板。
本發明又提供一種有機電激發光元件的封裝結構，其具有良好的信賴性。
本發明再提供一種有機電激發光元件的封裝方法，以確保有機電激發光元件之信賴性。
本發明提供一種阻氣基板，其包括一第一阻氣層、一基材以及一第二阻氣層。第一阻氣層具有一中央接合表面以及一環繞中央接合表面之周圍接合表面，基材與第一阻氣層之中央接合表面接合，而第二阻氣層全面性覆蓋基材以及第一阻氣層。第二阻氣層與基材以及第一阻氣層之周圍接合表面接合，基材的邊緣到第一阻氣層的邊緣之最短距離大於第一阻氣層的厚度。
本發明提供一種阻氣基板的製造方法，包括：於一載板上形成一離形層(de-bonding layer)；於載板與離形層上形成一掀離材料層(lift-off layer)；於掀離材料層上形成一第一阻氣層，第一阻氣層具有一中央接合表面以及一環繞中央接合表面之周圍接合表面；於第一阻氣層之中央接合表面上形成一基材，其中基材與中央接合表面接合；以及於基材與第一阻氣層上全面性形成一第二阻氣層，其中第二阻氣層與基材以及第一阻氣層之周圍接合表面接合，且基材的邊緣到第一阻氣層的邊緣之最短距離大於第一阻氣層的厚度。
本發明提供一種有機電激發光元件的封裝結構，其包括一第一阻氣基板、一第二阻氣基板以及一有機電激發光元件。第一阻氣基板包括一第一阻氣層、一第一基材以及 一第二阻氣層，其中第一阻氣層具有一第一中央接合表面以及一環繞第一中央接合表面之第一周圍接合表面，第一基材與第一阻氣層之第一中央接合表面接合，第二阻氣層係全面性覆蓋第一基材以及第一阻氣層，其中第二阻氣層與第一基材以及第一阻氣層之第一周圍接合表面接合，第一基材的邊緣到第一阻氣層的邊緣之最短距離大於第一阻氣層的厚度。第一阻氣基板與第二阻氣基板接合。有機電激發光元件配置於第一阻氣基板與第二阻氣基板之間。
本發明提供一種有機電激發光元件的封裝方法，包括：於一第一阻氣基板上形成一有機電激發光元件；提供一第二阻氣基板；以及令第一阻氣基板與第二阻氣基板接合，以使有機電激發光元件被密封於第一阻氣基板與第二阻氣基板之間，其中第一阻氣基板與第二阻氣基板至少其中之一係採用前述之阻氣基板的製造方法來製作。
基於上述，由於本發明採用具有良好阻氣能力的阻氣基板來對有電激發光元件進行封裝，因此本發明能夠確保有電激發光元件之信賴性。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
【第一實施例】
圖3A至圖3E為本發明第一實施例的阻氣基板之製造流程示意圖。請參照圖3A，首先，於一載板C上形成一離形層DBL，接著於載板C與離形層DBL上形成一掀離 材料層L。在本實施例中，離形層DBL之材質例如為聚對二甲苯(parylene)系列材料，而掀離材料層L之材質例如為聚乙醯胺(polyimide)或其他能夠自離型層DBL表面掀離的材料。在本發明之其他實施例中，可以透過對載板C進行表面處理而製作出離形層DBL。當然，本實施例之掀離材料層L亦可以與離型層DBL一併從載板C上剝落。舉例而言，掀離材料層L可以是由單一層掀離薄膜所構成、多層彼此堆疊的掀離薄膜所構成。在其他實施例中，掀離材料層L可以是一掀離基板。承上述，掀離材料層L的厚度例如是介於10微米至30微米之間。
接著請參照圖3B，於掀離材料層L上形成一第一阻氣層GB1，第一阻氣層GB1具有一中央接合表面S1以及一環繞中央接合表面S1之周圍接合表面S2。在本實施例中，第一阻氣層GB1例如為單層薄膜(如單層氮化矽層)或是由多層薄膜所構成之疊層。舉例而言，第一阻氣層GB1例如為至少一氮化矽層以及至少一旋塗式玻璃塗層(SOG layer)堆疊而成。在其他可行之實施例中，第一阻氣層GB1為1對或2對之氮化矽層/旋塗式玻璃塗層所構成。然，值得注意的是，本發明不限定第一阻氣層GB1之層數與構成材質。承上述，當第一阻氣層GB1是由多層薄膜所構成之疊層時，第一阻氣層GB1例如是由有機薄膜與無機薄膜交替堆疊所構成之疊層，當然，第一阻氣層GB1亦可以是由多層無機薄膜堆疊所構成之疊層。當第一阻氣層GB1是由多層無機薄膜堆疊所構成之疊層時，第一阻氣層GB1具有十分良好的可撓性以及阻氣特性，且在製造上較為容易。
接著請參照圖3C，提供一預先製作之基材SUB，並將此預先製作之基材SUB與中央接合表面S1接合。在本實施例中，基材SUB具有一側壁SW，且此側壁SW實質上垂直於第一阻氣層GB1之中央接合表面S1。此外，基材SUB例如為聚乙醯胺(polyimide)或其他可撓性材質。從圖3C可清楚得知，掀離材料層L的側壁與載板C的側壁實質上切齊，離形層DBL的尺寸與基材SUB的尺寸皆小於載板C的尺寸。換言之，離形層DBL的側壁介於基材SUB的側壁SW與掀離材料層L的側壁之間。
接著請參照圖3D，於基材SUB與第一阻氣層GB1上全面性形成一第二阻氣層GB2，其中第二阻氣層GB2與基材SUB以及第一阻氣層GB1之周圍接合表面S2接合，且基材SUB的邊緣(即側壁SW)到第一阻氣層GB1的邊緣之最短距離D大於第一阻氣層GB1的厚度T。此外，覆蓋於第一阻氣層GB1與基材SUB上之第二阻氣層GB2例如為一共形薄膜(conformal thin film)。
在本實施例中，第二阻氣層GB2例如為單層薄膜(如單層氮化矽層)或是由多層薄膜所構成之疊層。舉例而言，第二阻氣層GB2例如為至少一氮化矽層以及至少一旋塗式玻璃塗層(SOG layer)堆疊而成。在其他可行之實施例中，第二阻氣層GB2為1對或2對之氮化矽層/旋塗式玻璃塗層所構成。然，值得注意的是，本發明不限定第二阻氣層GB2之層數與構成材質。承上述，當第二阻氣層GB2是由多層薄膜所構成之疊層時，第二阻氣層GB2例如是由有機薄膜與無機薄膜交替堆疊所構成之疊層，當然，第二 阻氣層GB2亦可以是由多層無機薄膜堆疊所構成之疊層。當第二阻氣層GB2是由多層無機薄膜堆疊所構成之疊層時，第二阻氣層GB2具有十分良好的可撓性以及阻氣特性，且在製造上較為容易。
從圖3D可知，由於最短距離D大於第一阻氣層GB1的厚度T，因此第一阻氣層GB1與第二阻氣層GB2之間的接合強度便可獲得有效的改善。若第一阻氣層GB1與第二阻氣層GB2之材質屬於相同或類似材質，則第一阻氣層GB1與第二阻氣層GB2之間的接合屬於同質性接合(homogeneous bonding)，故接合強度佳。此外，由於最短距離D大於第一阻氣層GB1的厚度T，因此，相較於習知技術(圖2)，水氧若要穿透本實施例之阻氣基板，其穿透路徑較長。
接著請參照圖3D與圖3E，在製作完第二阻氣層GB2之後，阻氣基板300已經初步製作完成。為了將阻氣基板從載板C上取下，本實施例可透過切割的方式沿著切割線CL(如圖3D中的虛線CL所示)切割離形層DBL、掀離材料層L、第一阻氣層GB1與第二阻氣層GB2，以使掀離材料層L與離形層DBL分離。在本實施例中，前述的切割製程例如為雷射切割(laser cutting)或其他適當的切割製程。
請繼續參照圖3E，在掀離材料層L與離形層DBL分離之後，便可獲得單一阻氣基板300，而此阻氣基板300至少包括一第一阻氣層GB1、一基材SUB以及一第二阻氣層GB2。第一阻氣層GB1具有一中央接合表面S以及 一環繞中央接合表面S1之周圍接合表面S2，基材SUB與第一阻氣層GB1之中央接合表面S1接合，而第二阻氣層GB2全面性覆蓋基材SUB以及第一阻氣層GB1。第二阻氣層GB2與基材SUB以及第一阻氣層GB1之周圍接合表面S2接合，基材SUB的邊緣(即側壁SW)到第一阻氣層GB1的邊緣之最短距離D’大於第一阻氣層GB1的厚度T。值得注意的是，本實施例之阻氣基板300可進一步包括前述之掀離材料層L，此掀離材料層L與第一阻氣層GB1的下表面接合，有助於進一步提升阻氣基板300之阻氣能力。
在本實施例中，第一阻氣層GB1與第二阻氣層GB2例如皆為可撓性阻氣層，而基材SUB例如為一可撓性基材，且掀離材料層L例如為可撓性掀離材料層。此外，如圖3E所示，阻氣基板300中的第一阻氣層GB1的邊緣與第二阻氣層GB2的邊緣實質上切齊。
圖3D’與圖3E’為另一種阻氣基板之製造流程示意圖。請同時參照圖3D、圖3E、圖3D’與圖3E’，在圖3D與圖3E中，覆蓋於第一阻氣層GB1與基材SUB上之第二阻氣層GB2為一共形薄膜，而在圖3D’與圖3E’中，覆蓋於第一阻氣層GB1與基材SUB上之第二阻氣層GB2為一上表面平坦之薄膜。
【第二實施例】
圖4A至圖4E為本發明第二實施例的阻氣基板之製造流程示意圖。請參照圖4A至圖4E，本實施例的阻氣基板 400之製造流程與第一實施例類似，惟二者主要差異之處在於：本實施例之基材SUB’具有一傾斜側壁SW’，且此傾斜側壁SW’與中央接合表面S1夾一銳角θ。
值得注意的是，本實施例之基材SUB’例如係以塗佈的方式形成。詳言之，本實施例可先於中央接合表面S1上塗佈一材料層，之後再將此材料層固化，以形成基材SUB’。由於基材SUB’係利用塗佈的方式形成，故基材SUB’之傾斜側壁SW’係與中央接合表面S1夾一銳角θ。承上述，銳角θ與塗佈製程之製程參數相關，故本實施例不限定銳角θ之範圍。
圖4D’與圖4E’為另一種阻氣基板之製造流程示意圖。請同時參照圖4D、圖4E、圖4D’與圖4E’，在圖4D與圖4E中，覆蓋於第一阻氣層GB1與基材SUB’上之第二阻氣層GB2為一共形薄膜，而在圖4D’與圖4E’中，覆蓋於第一阻氣層GB1與基材SUB’上之第二阻氣層GB2為一上表面平坦之薄膜。
【第三實施例】
圖5A至圖5E為本發明第三實施例的有機電激發光元件的封裝流程示意圖。請參照圖5A，首先，於一載板C上形成一離形層DBL，接著於載板C與離形層DBL上形成一掀離材料層L。在本實施例中，離形層DBL之材質例如為聚對二甲苯(parylene)系列材料，而掀離材料層L之材質例如為聚乙醯胺(polyimide)或其他能夠自離型層DBL表面掀離的材料。在本發明之其他實施例中，可以透 過對載板C進行表面處理而製作出離形層DBL。當然，本實施例之掀離材料層L亦可以與離型層DBL一併從載板C上剝落。舉例而言，掀離材料層L可以是由單一層掀離薄膜所構成、多層彼此堆疊的掀離薄膜所構成。在其他實施例中，掀離材料層L可以是一掀離基板。承上述，掀離材料層L的厚度例如是介於10微米至30微米之間。
接著請參照圖5B，於掀離材料層L上形成一第三阻氣層GB3，第三阻氣層GB3具有一第二中央接合表面S3以及一環繞該中央接合表面S3之第二周圍接合表面S4。在本實施例中，第三阻氣層GB3例如為單層薄膜(如單層氮化矽層)或是由多層薄膜所構成之疊層。舉例而言，第三阻氣層GB3例如為至少一氮化矽層以及至少一旋塗式玻璃塗層(SOG layer)堆疊而成。在其他可行之實施例中，第三阻氣層GB3為1對或2對之氮化矽層/旋塗式玻璃塗層所構成。然，值得注意的是，本發明不限定第三阻氣層GB3之層數與構成材質。承上述，當第三阻氣層GB3是由多層薄膜所構成之疊層時，第三阻氣層GB3例如是由有機薄膜與無機薄膜交替堆疊所構成之疊層，當然，第三阻氣層GB3亦可以是由多層無機薄膜堆疊所構成之疊層。當第三阻氣層GB3是由多層無機薄膜堆疊所構成之疊層時，第三阻氣層GB3具有十分良好的可撓性以及阻氣特性，且在製造上較為容易。
接著請參照圖5C，提供一第二基材SUB2，並將第二基材SUB2與中央接合表面S3接合。在本實施例中，第二基材SUB例如為聚乙醯胺(polyimide)或其他可撓性材質。 從圖5C可知，掀離材料層L、第三阻氣層GB3以及第二基材SUB2即構成一阻氣基板500。
接著請參照圖5D，在形成第二基材SUB2之後，接著在第二基材SUB2上製作有機電激發光元件OLED。在本實施例中，有機電激發光元件OLED例如為主動式有機電激發光元件或是被動式有機電激發光元件，有機電激發光元件OLED可為一顯示器、一面光源等。
接著請參照圖5E，在製作完有機電激發光元件OLED之後，接著提供一阻氣基板300，並令阻氣基板300與阻氣基板500接合，以使有機電激發光元件OLED被密封於阻氣基板300與阻氣基板500之間。詳言之，阻氣基板300與阻氣基板500例如係透過框膠600達成彼此接合的目的，當然，在其他可行之實施例中，亦可採用熔接膠，如玻璃熔接膠(glass frit)，來取代框膠600，以使阻氣基板300與阻氣基板500彼此接合。此外，在其他實施例中，亦可同時採用熔接膠以及框膠600，以使阻氣基板300與阻氣基板500彼此接合。
本實施例中使用了圖3E’所繪示之阻氣基板300，但值得注意的是，本實施例並不限定阻氣基板的結構必須如圖3E，所繪示，圖3E、圖4E或圖4E’中所繪示之阻氣基板300、400亦可被應用於本實施例中。
在阻氣基板300與阻氣基板500彼此接合之後，為了將阻氣基板500從載板C上取下，本實施例可透過切割的方式沿著切割線CL’切割離形層DBL、掀離材料層L以及第三阻氣層GB3，以使掀離材料層L與離形層DBL分離。 在本實施例中，前述的切割製程例如為雷射切割(laser cutting)或其他適當的切割製程。
從圖5E可知，本實施例之有機電激發光元件的封裝結構包括一阻氣基板300、一阻氣基板500以及一有機電激發光元件OLED，其中阻氣基板300如圖3E’所繪示，阻氣基板300與阻氣基板500彼此接合，且有機電激發光元件OLED配置於阻氣基板300與阻氣基板500之間。
圖5E’為本發明第三實施例的另一種有機電激發光元件之封裝結構示意圖。請同時參照圖5E與圖5E’，圖5E’中的有機電激發光元件之封裝結構與圖5E中的有機電激發光元件之封裝結構類似，惟二者主要差異之處在於：圖5E中的有機電激發光元件之封裝結構採用阻氣基板300，而圖5E’中的有機電激發光元件之封裝結構採用金屬蓋板300’。從圖5E’可知，金屬蓋板300’具備反射光線的特性，故金屬蓋板300’適用於向下發光型態(bottom emission type)之有機電激發光元件OLED。
【第四實施例】
圖6A至圖6E為本發明第四實施例的有機電激發光元件的封裝流程示意圖。請參照圖6A，首先，於一載板C上形成一離形層DBL，接著於載板C與離形層DBL上形成一掀離材料層L。在本實施例中，離形層DBL之材質例如為聚對二甲苯(parylene)系列材料，而掀離材料層L之材質例如為聚乙醯胺(polyimide)或其他能夠自離型層DBL表面掀離的材料。在本發明之其他實施例中，可以透 過對載板C進行表面處理而製作出離形層DBL。當然，本實施例之掀離材料層L亦可以與離型層DBL一併從載板C上剝落。舉例而言，掀離材料層L可以是由單一層掀離薄膜所構成、多層彼此堆疊的掀離薄膜所構成。在其他實施例中，掀離材料層L可以是一掀離基板。承上述，掀離材料層L的厚度例如是介於10微米至30微米之間。
接著請參照圖6B，於掀離材料層L上形成一第三阻氣層GB3，第三阻氣層GB3具有一第二中央接合表面S3以及一環繞該中央接合表面S3之第二周圍接合表面S4。在本實施例中，第三阻氣層GB3例如為單層薄膜(如單層氮化矽層)或是由多層薄膜所構成之疊層。舉例而言，第三阻氣層GB3例如為至少一氮化矽層以及至少一旋塗式玻璃塗層(SOG layer)堆疊而成。在其他可行之實施例中，第三阻氣層GB3為1對或2對之氮化矽層/旋塗式玻璃塗層所構成。然，值得注意的是，本發明不限定第三阻氣層GB3之層數與構成材質。承上述，當第三阻氣層GB3是由多層薄膜所構成之疊層時，第三阻氣層GB3例如是由有機薄膜與無機薄膜交替堆疊所構成之疊層，當然，第三阻氣層GB3亦可以是由多層無機薄膜堆疊所構成之疊層。當第三阻氣層GB3是由多層無機薄膜堆疊所構成之疊層時，第三阻氣層GB3具有十分良好的可撓性以及阻氣特性，且在製造上較為容易。
接著請參照圖6C，提供一第二基材SUB2，並將第二基材SUB2與中央接合表面S3接合。在本實施例中，第二基材SUB例如為聚乙醯胺(polyimide)或其他可撓性材質。 從圖5C可知，掀離材料層L、第三阻氣層GB3以及第二基材SUB2即構成一阻氣基板500’。
接著請參照圖6D，在形成第二基材SUB2之後，接著在第二基材SUB2上製作有機電激發光元件OLED。在本實施例中，有機電激發光元件OLED例如為主動式有機電激發光元件或是被動式有機電激發光元件，有機電激發光元件OLED可為一顯示器、一面光源等。
在有機電激發光元件OLED製作完成之後，於有機電激發光元件OLED、第二基材SUB2與第三阻氣層GB3上全面性形成一第四阻氣層GB4，其中第四阻氣層GB4與有機電激發光元件OLED、第二基材SUB2以及第三阻氣層GB3之周圍接合表面S4接合，且第二基材SUB2的邊緣到第三阻氣層GB3的邊緣之最短距離D”大於第三阻氣層GB3的厚度T’。此外，覆蓋於第三阻氣層GB3與第二基材SUB2上之第四阻氣層GB4例如為一上表面平坦之薄膜。當然，在其他可行的實施例中，第四阻氣層GB4亦可為一共形薄膜。從圖6D可知，掀離材料層L、第三阻氣層GB3、第二基材SUB2以及第四阻氣層GB4即構成一阻氣基板500’。
在本實施例中，第四阻氣層GB4例如為單層薄膜(如單層氮化矽層)或是由多層薄膜所構成之疊層。舉例而言，第四阻氣層GB4例如為至少一氮化矽層以及至少一旋塗式玻璃塗層(SOG layer)堆疊而成。在其他可行之實施例中，第四阻氣層GB4為1對或2對之氮化矽層/旋塗式玻璃塗層所構成。然，值得注意的是，本發明不限定第四阻 氣層GB4之層數與構成材質。
從圖6D可知，由於最短距離D”大於第三阻氣層GB3的厚度T’，因此第三阻氣層GB3與第四阻氣層GB4之間的接合強度便可獲得有效的改善。此外，若第三阻氣層GB3與第四阻氣層GB4之材質屬於相同或類似材質，則第三阻氣層GB3與第四阻氣層GB4之間的接合屬於同質性接合，故接合強度佳。
接著請參照圖6E，在製作完有機電激發光元件OLED以及第四阻氣層GB4之後，接著提供一阻氣基板300，並令阻氣基板300與阻氣基板500’接合，以使有機電激發光元件OLED被密封於阻氣基板300與阻氣基板500’之間。詳言之，阻氣基板300與阻氣基板500’例如係透過黏著層700達成彼此接合的目的，意即，第二阻氣層GB2與第四阻氣層GB4係透過黏著層700彼此接合。
本實施例中使用了圖3E’所繪示之阻氣基板300，但值得注意的是，本實施例並不限定阻氣基板的結構必須如圖3E’所繪示，圖3E、圖4E或圖4E’中所繪示之阻氣基板300、400亦可被應用於本實施例中。
在阻氣基板300與阻氣基板500’彼此接合之後，為了將阻氣基板500’從載板C上取下，本實施例可透過切割的方式沿著切割線CL”切割離形層DBL、掀離材料層L、第三阻氣層GB3以及第四阻氣層GB4，以使掀離材料層L與離形層DBL分離。在本實施例中，前述的切割製程例如為雷射切割(laser cutting)或其他適當的切割製程。
圖6E’為本發明第四實施例的另一種有機電激發光元 件之封裝結構示意圖。請同時參照圖6E與圖6E’，圖6E’中的有機電激發光元件之封裝結構與圖6E中的有機電激發光元件之封裝結構類似，惟二者主要差異之處在於：圖6E中的有機電激發光元件之封裝結構採用阻氣基板300，而圖6E’中的有機電激發光元件之封裝結構採用金屬蓋板300’。從圖6E’可知，金屬蓋板300’具備反射光線的特性，故金屬蓋板300’適用於向下發光型態(bottom emission type)之有機電激發光元件OLED。
【第五實施例】
圖7A至圖7E為本發明第五實施例的有機電激發光元件的封裝流程示意圖。請參照圖7A，首先，於一載板C上形成一離形層DBL，接著於載板C與離形層DBL上形成一掀離材料層L。在本實施例中，離形層DBL之材質例如為聚對二甲苯(parylene)系列材料，而掀離材料層L之材質例如為聚乙醯胺(polyimide)或其他能夠自離型層DBL表面掀離的材料。在本發明之其他實施例中，可以透過對載板C進行表面處理而製作出離形層DBL。當然，本實施例之掀離材料層L亦可以與離型層DBL一併從載板C上剝落。舉例而言，掀離材料層L可以是由單一層掀離薄膜所構成、多層彼此堆疊的掀離薄膜所構成。在其他實施例中，掀離材料層L可以是一掀離基板。承上述，掀離材料層L的厚度例如是介於10微米至30微米之間。
接著請參照圖7B，於掀離材料層L上形成一第三阻氣層GB3，第三阻氣層GB3具有一第二中央接合表面S3 以及一環繞該中央接合表面S3之第二周圍接合表面S4。在本實施例中，第三阻氣層GB3例如為單層薄膜(如單層氮化矽層)或是由多層薄膜所構成之疊層。舉例而言，第三阻氣層GB3例如為至少一氮化矽層以及至少一旋塗式玻璃塗層(SOG layer)堆疊而成。在其他可行之實施例中，第三阻氣層GB3為1對或2對之氮化矽層/旋塗式玻璃塗層所構成。然，值得注意的是，本發明不限定第三阻氣層GB3之層數與構成材質。承上述，當第三阻氣層GB3是由多層薄膜所構成之疊層時，第三阻氣層GB3例如是由有機薄膜與無機薄膜交替堆疊所構成之疊層，當然，第三阻氣層GB3亦可以是由多層無機薄膜堆疊所構成之疊層。當第三阻氣層GB3是由多層無機薄膜堆疊所構成之疊層時，第三阻氣層GB3具有十分良好的可撓性以及阻氣特性，且在製造上較為容易。
接著請參照圖7C，提供一第二基材SUB2，並將第二基材SUB2與中央接合表面S3接合。在本實施例中，第二基材SUB例如為聚乙醯胺(polyimide)或其他可撓性材質。
接著請參照圖7D，在形成第二基材SUB2之後，接著形成一第四阻氣層GB4，此第四阻氣層GB4係全面性覆蓋第二基材SUB2以及第三阻氣層GB3，其中第四阻氣層GB4與第二基材SUB2以及第三阻氣層GB3之周圍接合表面S4接合，且第二基材SUB2的邊緣到第三阻氣層GB3的邊緣之最短距離D”大於該第三阻氣層的厚度T’。從圖7D可知，掀離材料層L、第三阻氣層GB3、第二基材SUB2以及第四阻氣層GB4即構成一阻氣基板500”。
請繼續參照圖7D，在形成第四阻氣層GB4之後，接著在第四阻氣層GB4上製作有機電激發光元件OLED。在本實施例中，有機電激發光元件OLED例如為主動式有機電激發光元件或是被動式有機電激發光元件，有機電激發光元件OLED可為一顯示器、一面光源等。
接著請參照圖7E，在製作完有機電激發光元件OLED之後，接著提供一阻氣基板300，並令阻氣基板300與阻氣基板500”接合，以使有機電激發光元件OLED被密封於阻氣基板300與阻氣基板500”之間。詳言之，阻氣基板300與阻氣基板500”例如係透過框膠600達成彼此接合的目的，當然，在其他可行之實施例中，亦可採用熔接膠，如玻璃熔接膠(glass frit)，來取代框膠600，以使阻氣基板300與阻氣基板500”彼此接合。此外，在其他實施例中，亦可同時採用熔接膠以及框膠600，以使阻氣基板300與阻氣基板500”彼此接合。
本實施例中使用了圖3E’所繪示之阻氣基板300，但值得注意的是，本實施例並不限定阻氣基板的結構必須如圖3E’所繪示，圖3E、圖4E或圖4E’中所繪示之阻氣基板300、400亦可被應用於本實施例中。
在阻氣基板300與阻氣基板500”彼此接合之後，為了將阻氣基板500”從載板C上取下，本實施例可透過切割的方式沿著切割線CL'''切割離形層DBL、掀離材料層L、第三阻氣層GB3以及第四阻氣層GB4，以使掀離材料層L與離形層DBL分離。在本實施例中，前述的切割製程例如為雷射切割(laser cutting)或其他適當的切割製程。
7E’為本發明第五實施例的另一種有機電激發光元件之封裝結構示意圖。請同時參照圖7E與圖7E’，圖7E’中的有機電激發光元件之封裝結構與圖7E中的有機電激發光元件之封裝結構類似，惟二者主要差異之處在於：圖7E中的有機電激發光元件之封裝結構採用阻氣基板300，而圖7E’中的有機電激發光元件之封裝結構採用金屬蓋板300’。從圖7E’可知，金屬蓋板300’具備反射光線的特性，故金屬蓋板300’適用於向下發光型態(bottom emission type)之有機電激發光元件OLED。
【第六實施例】
圖8A至圖8F為本發明第六實施例的有機電激發光元件的封裝流程示意圖。本實施例之圖8A至圖8D中的製程步驟與第三實施例(圖5A至圖5D)相同，故以下僅針對本實施例與第三實施例之差異(圖8E與圖8F)進行詳細之描述。
請參照圖8E，在製作完有機電激發光元件OLED之後，接著於第三阻氣層GB3上製作至少一側向阻障層SWB，此側向阻障層SWB具有環形圖案以環繞有機電激發光元件OLED。
請參照圖8F，在製作完側向阻障層SWB之後，接著提供一阻氣基板300，並令阻氣基板300與阻氣基板500接合，以使有機電激發光元件OLED被密封於阻氣基板300與阻氣基板500之間。詳言之，阻氣基板300與阻氣基板500例如係透過框膠600達成彼此接合的目的，當然，在 其他可行之實施例中，亦可採用熔接膠，如玻璃熔接膠(glass frit)，來取代框膠600，以使阻氣基板300與阻氣基板500彼此接合。此外，在其他實施例中，亦可同時採用熔接膠以及框膠600，以使阻氣基板300與阻氣基板500彼此接合。值得注意的是，側向阻障層SWB係被前述之框膠600或是熔接膠所包覆。
本實施例中使用了圖3E’所繪示之阻氣基板300，但值得注意的是，本實施例並不限定阻氣基板的結構必須如圖3E’所繪示，圖3E、圖4E或圖4E’中所繪示之阻氣基板300、400亦可被應用於本實施例中。
在阻氣基板300與阻氣基板500彼此接合之後，為了將阻氣基板500從載板C上取下，本實施例可透過切割的方式沿著切割線CL'''切割離形層DBL、掀離材料層L以及第三阻氣層GB3，以使掀離材料層L與離形層DBL分離。在本實施例中，前述的切割製程例如為雷射切割(laser cutting)或其他適當的切割製程。
從8F可知，本實施例之有機電激發光元件的封裝結構包括一具有側向阻障層SWB之阻氣基板300、一阻氣基板500以及一有機電激發光元件OLED，其中阻氣基板300與阻氣基板500彼此接合，且有機電激發光元件OLED配置於阻氣基板300與阻氣基板500之間。
基於上述，由於本發明採用具有良好阻氣能力的阻氣基板來對有電激發光元件進行封裝，因此本發明能夠確保有電激發光元件之信賴性。
100、200‧‧‧可撓性阻氣基板
110、210‧‧‧基材
110a、210a‧‧‧上表面
110b、210b‧‧‧側壁
110c、210c‧‧‧下表面
120‧‧‧阻氣層
220‧‧‧第一阻氣層
220a‧‧‧側壁
230‧‧‧第二阻氣層
300、400、500、500’、500”‧‧‧阻氣基板
300’‧‧‧金屬蓋板
600‧‧‧框膠
700‧‧‧黏著層
C‧‧‧載板
DBL‧‧‧離形層
L‧‧‧掀離材料層
GB1‧‧‧第一阻氣層
S1、S3‧‧‧中央接合表面
S2、S4‧‧‧周圍接合表面
SUB、SUB’、SUB2‧‧‧基材
SW‧‧‧側壁
SW’‧‧‧傾斜側壁
GB2‧‧‧第二阻氣層
D、D’、D”‧‧‧最短距離
T、T’‧‧‧厚度
GB3‧‧‧第三阻氣層
GB4‧‧‧第四阻氣層
CL、CL’、CL”、CL'''、CL''''‧‧‧切割線
SWB‧‧‧側向阻障層
圖1為一種習知的可撓性阻氣基板之剖面示意圖。
圖2為另一種習知的可撓性阻氣基板之剖面示意圖。
圖3A至圖3E為本發明第一實施例的阻氣基板之製造流程示意圖。
圖3D’與圖3E’為另一種阻氣基板之製造流程示意圖。
圖4A至圖4E為本發明第二實施例的阻氣基板之製造流程示意圖。
圖4D’與圖4E’為另一種阻氣基板之製造流程示意圖。
圖5A至圖5E為本發明第三實施例的有機電激發光元件的封裝流程示意圖。
圖5E’為本發明第三實施例的另一種有機電激發光元件之封裝結構示意圖。
圖6A至圖6E為本發明第四實施例的有機電激發光元件的封裝流程示意圖。
圖6E’為本發明第四實施例的另一種有機電激發光元件之封裝結構示意圖。
圖7A至圖7E為本發明第五實施例的有機電激發光元件的封裝流程示意圖。
7E’為本發明第五實施例的另一種有機電激發光元件之封裝結構示意圖。
圖8A至圖8F為本發明第六實施例的有機電激發光元件的封裝流程示意圖。
300‧‧‧阻氣基板
L‧‧‧掀離材料層
GB1‧‧‧第一阻氣層
S1‧‧‧中央接合表面
S2‧‧‧周圍接合表面
SUB‧‧‧基材
SW‧‧‧側壁
GB2‧‧‧第二阻氣層
D’‧‧‧最短距離
T‧‧‧厚度

Claims (26)

  1. 一種阻氣基板，包括：一第一阻氣層，具有一中央接合表面以及一環繞該中央接合表面之周圍接合表面；一基材，與該第一阻氣層之該中央接合表面接合，且該基材具有一傾斜側壁，該傾斜側壁與該中央接合表面夾一銳角；以及一第二阻氣層，全面性覆蓋該基材以及該第一阻氣層，其中該第二阻氣層與該基材以及該第一阻氣層之該周圍接合表面接合，且該基材的邊緣到該第一阻氣層的邊緣之最短距離大於該第一阻氣層的厚度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之阻氣基板，其中該第一阻氣層與該第二阻氣層為可撓性阻氣層，而該基材為一可撓性基材。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之阻氣基板，其中該基材具有一側壁，且該側壁實質上垂直於該中央接合表面。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之阻氣基板，其中該第一阻氣層的邊緣與該第二阻氣層的邊緣實質上切齊。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之阻氣基板，其中該第一阻氣層包括一氮化矽層。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之阻氣基板，其中該第一阻氣層包括一疊層，且該疊層包括至少一氮化矽層以及至少一旋塗式玻璃塗層。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之阻氣基板，其中該第二阻氣層包括一氮化矽層。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之阻氣基板，其中該第二阻氣層包括一疊層，且該疊層包括至少一氮化矽層以及至少一旋塗式玻璃塗層。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之阻氣基板，更包括一掀離材料層，配置於該第一阻氣層上，其中該掀離材料層與該基材分別位於該第一阻氣層的兩側。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之阻氣基板，其中該掀離材料層包括至少一掀離薄膜或一掀離基板。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之阻氣基板，更包括至少一側向阻障層配置於該第二阻氣層上。
  12. 一種阻氣基板的製造方法，包括：於一載板上形成一離形層；於該載板與該離形層上形成一掀離材料層；於該掀離材料層上形成一第一阻氣層，該第一阻氣層具有一中央接合表面以及一環繞該中央接合表面之周圍接合表面；於該第一阻氣層之該中央接合表面上形成一基材，其中該基材與該中央接合表面接合，該基材具有一傾斜側壁，且該傾斜側壁與該中央接合表面夾一銳角；以及於該基材與該第一阻氣層上全面性形成一第二阻氣層，其中該第二阻氣層與該基材以及該第一阻氣層之該周圍接合表面接合，該基材的邊緣到該第一阻氣層的邊緣之最短距離大於該第一阻氣層的厚度。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之阻氣基板的製造方法，其中於該中央接合表面上形成該基材的方法包括： 於該中央接合表面上塗佈一材料層；以及固化該材料層，以形成該基材。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之阻氣基板的製造方法，其中於該中央接合表面上形成該基材的方法包括：提供一預先製作之基材，並將該預先製作之基材與該中央接合表面接合。
  15. 如申請專利範圍第12項所述之阻氣基板的製造方法，其中形成該第一阻氣層的方法包括：於該掀離材料層上形成一氮化矽層。
  16. 如申請專利範圍第12項所述之阻氣基板的製造方法，其中形成該第一阻氣層的方法包括：於該掀離材料層上形成一疊層，且該疊層包括至少一氮化矽層以及至少一旋塗式玻璃塗層。
  17. 如申請專利範圍第12項所述之阻氣基板的製造方法，其中該形成該第二阻氣層的方法包括：於該掀離材料層上形成一氮化矽層。
  18. 如申請專利範圍第12項所述之阻氣基板的製造方法，其中形成該第二阻氣層的方法包括：於該掀離材料層上形成一疊層，且該疊層包括至少一氮化矽層以及至少一旋塗式玻璃塗層。
  19. 如申請專利範圍第12項所述之阻氣基板的製造方法，更包括切割該離形層、該掀離材料層、該第一阻氣層與該第二阻氣層，以使該掀離材料層與該離形層分離。
  20. 如申請專利範圍第12項所述之阻氣基板的製造方法，更包括沿著一切割線切割該離形層、該掀離材料層、 該第一阻氣層與該第二阻氣層，以使該掀離材料層與該離形層分離，其中該切割線位於該基板的邊緣與該掀離材料層的邊緣之間。
  21. 一種有機電激發光元件的封裝結構，包括：一第一阻氣基板，包括：一第一阻氣層，具有一第一中央接合表面以及一環繞該第一中央接合表面之第一周圍接合表面；一第一基材，與該第一阻氣層之該第一中央接合表面接合，且該第一基材具有一傾斜側壁，該傾斜側壁與該中央接合表面夾一銳角；以及一第二阻氣層，全面性覆蓋該第一基材以及該第一阻氣層，其中該第二阻氣層與該第一基材以及該第一阻氣層之該第一周圍接合表面接合，該第一基材的邊緣到該第一阻氣層的邊緣之最短距離大於該第一阻氣層的厚度；一第二阻氣基板，與該第一阻氣基板接合；以及一有機電激發光元件，配置於該第一阻氣基板與該第二阻氣基板之間。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之有機電激發光元件的封裝結構，其中該第二阻氣基板包括：一第三阻氣層，具有一第二中央接合表面以及一環繞該第二中央接合表面之第二周圍接合表面；以及一第二基材，與該第三阻氣層之該第二中央接合表面接合，其中該有機電激發光元件配置於該第二基材上。
  23. 如申請專利範圍第21項所述之有機電激發光元件 的封裝結構，其中該第二阻氣基板包括：一第三阻氣層，具有一第二中央接合表面以及一環繞該第二中央接合表面之第二周圍接合表面；一第二基材，與該第三阻氣層之該第二中央接合表面接合，其中該有機電激發光元件配置於該第二基材上；以及一第四阻氣層，全面性覆蓋該第二基材、該有機電激發光元件以及該第三阻氣層，其中該第四阻氣層與該第二基材、該有機電激發光元件以及該第三阻氣層之該周圍接合表面接合，且該第二基材的邊緣到該第三阻氣層的邊緣之最短距離大於該第三阻氣層的厚度。
  24. 如申請專利範圍第21項所述之有機電激發光元件的封裝結構，該第二阻氣基板包括：一第三阻氣層，具有一第二中央接合表面以及一環繞該第二中央接合表面之第二周圍接合表面；一第二基材，與該第三阻氣層之該第二中央接合表面接合；以及一第四阻氣層，全面性覆蓋該第二基材以及該第三阻氣層，其中該第四阻氣層與該第二基材以及該第三阻氣層之該周圍接合表面接合，而該第二基材的邊緣到該第三阻氣層的邊緣之最短距離大於該第三阻氣層的厚度，且該有機電激發光元件配置於該第四阻氣層上。
  25. 如申請專利範圍第21項所述之有機電激發光元件的封裝結構，更包括至少一側向阻障層配置於該第一阻氣基板與該第二阻氣基板之間，且該側向阻障層環繞該有機 電激發光元件。
  26. 一種有機電激發光元件的封裝方法，包括：於一第一阻氣基板上形成一有機電激發光元件；提供一第二阻氣基板；以及令該第一阻氣基板與該第二阻氣基板接合，以使該有機電激發光元件被密封於該第一阻氣基板與該第二阻氣基板之間，其中該第一阻氣基板與該第二阻氣基板至少其中之一係採用申請專利範圍第12項中所述之阻氣基板的製造方法來製作。
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI473264B (zh) * 2012-03-02 2015-02-11 Au Optronics Corp 有機電致發光裝置
TWI477642B (zh) 2012-07-25 2015-03-21 E Ink Holdings Inc 阻氣基板
DE102012214411B4 (de) * 2012-08-14 2022-05-25 Osram Oled Gmbh Vorrichtung und verfahren zum herstellen hermetisch dichter kavitäten
EP2890918B1 (en) 2012-08-31 2019-01-30 Vitriflex Inc. Novel barrier layer stacks and methods and compositions thereof
KR101976134B1 (ko) * 2012-09-12 2019-05-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
CN103794733A (zh) 2012-10-31 2014-05-14 财团法人工业技术研究院 环境敏感电子元件封装体
KR101445044B1 (ko) 2012-11-30 2014-09-26 주식회사 엘지화학 플렉서블 기판을 포함하는 유기 발광 소자 및 이의 제조방법
TWI497655B (zh) * 2012-12-14 2015-08-21 Ind Tech Res Inst 環境敏感電子元件封裝體及其製作方法
CN104051357B (zh) 2013-03-15 2017-04-12 财团法人工业技术研究院 环境敏感电子装置以及其封装方法
CN103384447B (zh) 2013-06-26 2016-06-29 友达光电股份有限公司 软性电子装置
KR20150029429A (ko) * 2013-09-10 2015-03-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 그의 제조 방법
CN104637886B (zh) 2013-11-12 2017-09-22 财团法人工业技术研究院 折叠式封装结构
JP6561399B2 (ja) * 2013-11-20 2019-08-21 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置、およびその製造方法
JP2015195104A (ja) * 2014-03-31 2015-11-05 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102369298B1 (ko) * 2014-04-29 2022-03-03 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN104300091B (zh) * 2014-09-17 2017-02-15 合肥京东方光电科技有限公司 Oled器件封装结构及其制作方法
JP6445358B2 (ja) * 2015-03-17 2018-12-26 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法
US9561953B1 (en) * 2015-08-24 2017-02-07 Infineon Technologies Ag Method of forming a protective coating for a packaged semiconductor device
KR102552272B1 (ko) * 2015-11-20 2023-07-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP6872849B2 (ja) * 2016-01-04 2021-05-19 東レエンジニアリング株式会社 光変換フィルムの製造方法、光変換フィルム製造装置、及び光変換フィルム
KR102326221B1 (ko) * 2017-07-31 2021-11-12 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
US10396256B2 (en) 2017-08-18 2019-08-27 Industrial Technology Research Institute Electronic device package
CN109411417B (zh) 2017-08-18 2020-09-11 财团法人工业技术研究院 电子组件封装体以及显示面板
TWI634468B (zh) 2017-08-18 2018-09-01 財團法人工業技術研究院 透明顯示裝置
KR20200054425A (ko) * 2018-11-09 2020-05-20 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치 및 그 제조 방법
CN110600636A (zh) * 2019-08-26 2019-12-20 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性显示面板制备方法及柔性显示面板

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5686360A (en) * 1995-11-30 1997-11-11 Motorola Passivation of organic devices
US6660547B2 (en) * 2001-07-26 2003-12-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Stabilization for thin substrates
US6835950B2 (en) * 2002-04-12 2004-12-28 Universal Display Corporation Organic electronic devices with pressure sensitive adhesive layer
US20040229051A1 (en) * 2003-05-15 2004-11-18 General Electric Company Multilayer coating package on flexible substrates for electro-optical devices
TWI276191B (en) * 2005-08-30 2007-03-11 Ind Tech Res Inst Alignment precision enhancement of electronic component process on flexible substrate device and method thereof the same
TWI321241B (en) * 2005-09-14 2010-03-01 Ind Tech Res Inst Flexible pixel array substrate and method of fabricating the same
TWI265606B (en) * 2005-09-19 2006-11-01 Ind Tech Res Inst Method of fabricating flexible thin film transistor array substrate
KR100685845B1 (ko) * 2005-10-21 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법
JP2007251080A (ja) * 2006-03-20 2007-09-27 Fujifilm Corp プラスチック基板の固定方法、回路基板およびその製造方法
TWI421607B (zh) * 2006-08-24 2014-01-01 Creator Technology Bv 可撓性裝置上的滲透阻障
TWI404448B (zh) 2006-12-27 2013-08-01 Ind Tech Res Inst 有機電激發光裝置
JP5150138B2 (ja) * 2007-05-23 2013-02-20 株式会社ジャパンディスプレイイースト 表示装置の製造方法
KR100943185B1 (ko) * 2008-04-24 2010-02-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
TWI354854B (en) * 2008-09-15 2011-12-21 Ind Tech Res Inst Substrate structures applied in flexible electrica
JP5257314B2 (ja) * 2009-09-29 2013-08-07 大日本印刷株式会社 積層体、準備用支持体、積層体の製造方法、及びデバイスの製造方法

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