TWI538921B - 樹脂、光阻組成物，以及光阻圖案之製造方法 - Google Patents

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Description

樹脂、光阻組成物，以及光阻圖案之製造方法 相關申請案之交互參照
本申請案主張於2010年9月21日申請之日本申請案第2010-210490號的優先權。日本申請案第2010-210490號之整體揭露併入本文列為參考。
本發明係有關一種樹脂、光阻組成物以及光阻圖案之製造方法。
以短波長光如ArF準分子雷射(193奈米(nm)波長)為曝光光源之各種微影技術在半導體製造上於過去已被積極地研究。使用於該種微影技術之光阻組成物含有不溶或難溶於鹼性水溶液但藉由酸的作用變成可溶於鹼性水溶液之樹脂。該樹脂為混合樹脂，係包含具有下述結構單元之樹脂
及具有下述結構單元之另一樹脂(參見，JP-2006-276851-A之實施例1)。
然而，使用此含有上述樹脂之習知光阻組成物，所獲得之光阻圖案的光罩錯誤因子(MEF)可能無法總是令人滿意。
本發明係提供下述發明。
<1>一種樹脂，具有衍生自式(I)所示之化合物的結構單元：
式中R1表示視需要具有鹵素原子之C1至C6烷基、氫原子或鹵素原子；A1表示視需要經取代之C1至C6烷二基或式(a-1)所示之基團；
式中s表示0至2之整數；A10及A11於每次出現時獨立地表示視需要經取代之C1至C5脂肪族烴基；A12表示視需要經取代之C1至C5脂肪族烴基或單鍵；X10及X11於每次出現時獨立地表示氧原子、羰基、羰基氧基或氧基羰基；但A10、A11、A12、X10及X11之碳原子的總數為12或更少；環X1表示C2至C36雜環，含於雜環中之氫原子可被鹵素原子、羥基、C1至C24烴基、C1至C12烷氧基、C2至C4醯基或C2至C4醯基氧基取代。
<2>如<1>所述之樹脂，其中式(I)所示之化合物係式(III)所示之化合物：
式中R1及A1表示與上述者相同之意義；R3、R4、R5、R6、R7及R8於每次出現時獨立地表示氫原子或C1至C24烴基，且R3至R8之至少兩個可結合在一起以形成C3至C30環，含於烴基或環中之氫原子可被鹵素原子、羥基、C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、C2至C4醯基或C2至C4醯基氧基取代，且含於烴基或環中之-CH2-可被-CO-或-O-置換；t1表示0至3之整數。
<3>如<1>所述之樹脂，其中式(I)所示之化合物係式(IV)所示之化合物：
式中R1及A1表示與上述者相同之意義；R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18及R19於每次出現時獨立地表示氫原子或C1至C12烴基，且R10至R19之至少兩個可結合在一起以形成C3至C24環，含於烴基或環中之氫原子可被鹵素原子、羥基、C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、C2至C4醯基或C2至C4醯基氧基置換，且含於烴基或環中之-CH2-可被-CO-或-O-置換；t2及t3各自表示0至3之整數。
<4>如<1>所述之樹脂，其中式(I)所示之化合物係式(V)所示之化合物：
式中R1及A1表示與上述者相同之意義；R21於每次出現時表示鹵素原子、羥基、C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、C2至C4醯基或C2至C4醯基氧基；t4表示0至8之整數。
<5>如<1>所述之樹脂，其包括酸不穩定基，且不溶或難溶於鹼性水溶液但藉由酸的作用變成可溶於鹼性水溶液。
<6>一種光阻組成物，包括如<1>至<5>中任一者所述之樹脂，及酸產生劑。
<7>如<6>所述之光阻組成物，其進一步包括溶劑。
<8>如<6>或<7>中任一者所述之光阻組成物，其進一步包括鹼性化合物。
<9>一種製造光阻圖案之方法，包括下述步驟：
(1)將如<6>至<8>中任一者所述之光阻組成物塗敷至基材上；
(2)乾燥所塗敷之組成物以形成組成物層；
(3)使用曝光裝置使組成物層曝光；
(4)加熱經曝光之組成物層；以及
(5)使用顯影裝置使經加熱之組成物層顯影。
依據本發明之樹脂或光阻組成物，在製造光阻圖案時可能製得具有優異MEF之光阻圖案。
<樹脂(A)>
樹脂(A)具有衍生自式(I)所示之化合物(後文可稱為"化合物(I)")的結構單元。
<化合物(I)>
式中R1表示視需要具有鹵素原子之C1至C6烷基、氫原子或鹵素原子；A1表示視需要經取代之C1至C6烷二基或式(a-1)所示之基團；
式中s表示0至2之整數；A10及A11於每次出現時獨立地表示視需要經取代之C1至C5脂肪族烴基；A12表示視需要經取代之C1至C5脂肪族烴基或單鍵；X10及X11於每次出現時獨立地表示氧原子、羰基、羰基氧基或氧基羰基；但A10、A11、A12、X10及X11之碳原子的總數為12或更少；環X1表示C2至C36雜環，含於雜環中之氫原子可被鹵素原子、羥基、C1至C24烴基、C1至C12烷氧基、C2至C4醯基或C2至C4醯基氧基取代。
R1之鹵素原子的實例包含氟、氯、溴及碘原子。
烷基的實例包含甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、正己基及庚基。
具有鹵素原子之烷基的實例包含三氟甲基、全氟乙基、全氟丙基、全氟異丙基、全氟丁基、全氟第二丁基、全氟第三丁基、全氟戊基及全氟己基。
A1之烷二基可為直鏈或支鏈烷二基。烷二基的實例包含直鏈烷二基如亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丙烷-1,2二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基、戊烷-1,4-二基、己烷-1,6-二基及己烷-1,5-二基；支鏈烷二基如1-甲基-1,3-伸丙基、2-甲基-1,3-伸丙基、2-甲基-1,2-伸丙基、1-甲基-1,4-伸丁基及2-甲基-1,4-伸丁基。
烷二基之取代基的實例包含羥基及C1至C6烷氧基。
基團(a-1)為含有氧原子之原子或原子基團、羰基、羰基氧基或氧基羰基之二價基團如X10及X11。
基團(a-1)中之A10、A11及A12之脂肪族烴基的實例包含烷基如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基及第三丁基。
含有X11之氧原子之基團(a-1)的實例包含如下者。
含有X11之羰基之基團(a-1)的實例包含如下者。
含有X11之羰基氧基之基團(a-1)的實例包含如下者。
含有X11之氧基羰基之基團(a-1)的實例包含如下者。
環X1之雜環可具有雜原子如氧原子及除了結合A1之氮原子以外之氮原子作為構成環之原子。又，含於雜環中之-CH2-可被-O-或-CO-置換。環X1可具有，例如，兩個或更多個-CO-。
環X1可為芳香族雜環或非芳香族雜環之任一者只要其含有含於至少一個羰基中之碳原子及至少一個氮原子作為環構成原子。環X1可為單環或多環基團之任一者。又，如上所述，含於雜環中之-CH2-可被-O-或-CO-置換。化合物(I)中下式所示之基團
的特定實例包含下述者。在下述基團中，*表示鍵結(後文中類似者應稱為"鍵結")。尤其，此處之鍵結表示與A1之鍵結位置。
又，含於雜環中之氫鍵可被鹵素原子、羥基、C1至C24烴基、C1至C12烷氧基、C2至C4醯基或C2至C4醯基氧基取代。
烴基可為脂肪族烴基、脂環族基或芳香族烴基之任一者。其實例包含脂肪族烴基如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、正己基、庚基、2-乙基己基、辛基、壬基、癸基、十一烷基及十二烷基；脂環族基如環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環壬基、環癸基、降冰片基、1-金剛烷基、2-金剛烷基及異冰片基；芳香族基如苯基、萘基、蒽基、對-甲基苯基、對-第三丁基苯基、對-金剛烷基苯基、甲苯基、二甲苯基、異丙苯基、均三甲苯基、聯苯基、菲基、2,6-二乙基苯基及2-甲基-6-乙基苯基。烴基的實例包含其組合。其中，C1至C12烷基為較佳之烴基。
烷氧基的實例包含甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、正戊氧基、正己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、十一烷氧基及十二烷氧基。
醯基的實例包含乙醯基、丙醯基及丁醯基。
醯基氧基的實例包含乙醯基氧基、丙醯基氧基、丁醯基氧基及異丁醯基氧基。
式(I)中，R1較佳為氫原子及甲基。
A1之(a-1)基團較佳為具有羰基之二價基及具有氧原子之二價基，更佳為具有羰基之二價基。
X1較佳為4至6員雜環基，且可為4至6員雜環基與脂環族基的縮合環。-CO-的較佳位置係與氮原子相鄰。文中，"4員雜環基"係指具有四個構成環之原子之雜環基。
至於具有X1中-CO-係位在與氮原子相鄰之式(I)所示之化合物，較佳為式(III)所示之化合物(後文可稱為"化合物(III)")；
式中R1及A1表示與上述者相同之意義；R3、R4、R5、R6、R7及R8於每次出現時獨立地表示氫原子或C1至C24烴基，且R3至R8之至少兩個可結合在一起以形成C3至C30環，含於烴基或環中之氫原子可被鹵素原子、羥基、C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、C2至C4醯基或C2至C4醯基氧基置換，且含於烴基或環中之-CH2-可被-CO-或-O-置換；t1表示0至3之整數。
至於其中式(III)中之R3至R8之至少兩個可結合在一起以形成C3至C30環之式(I)所示之化合物，較佳為式(IV)所示之化合物(後文可稱為"化合物(IV)")；
式中R1及A1表示與上述者相同之意義；R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18及R19於每次出現時獨立地表示氫原子或C1至C12烴基，且R10至R19之至少兩個可結合在一起以形成C3至C24環，含於烴基或環中之氫原子可被鹵素原子、羥基、C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、C2至C4醯基或C2至C4醯基氧基置換，且含於烴基或環中之-CH2-可被-CO-或-O-置換；t2及t3獨立地表示0至3之整數。
至於其中式(IV)中之R10至R19之至少兩個可結合在一起以形成環之式(I)所示之化合物，較佳為式(VI)所示之化合物(後文可稱為"化合物(VI)")；
式中R1及A1表示與上述者相同之意義；R23、R24、R25、R26、R27、R28、R29、R30、R31、R32、R33、R34、R35、R36、R37及R38於每次出現時獨立地表示氫原子或C1至C12烴基，且R23至R38之至少兩個可結合在一起以形成C3至C18環，含於烴基或環中之氫原子可被鹵素原子、羥基、C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、C2至C4醯基或C2至C4醯基氧基置換，且含於烴基或環中之-CH2-可被-O-或-CO-置換；t5，t6及t7獨立地表示0至3之整數。
至於式(IV)所示之化合物，較佳為式(V)所示之化合物(後文可稱為"化合物(V)")；
式中R1及A1表示與上述者相同之意義；R21於每次出現時獨立地表示鹵素原子、羥基、C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、C2至C4醯基或C2至C4醯基氧基；t4表示0至8之整數。
至於式(VI)所示之化合物，較佳為式(VII)所示之化合物(後文可稱為"化合物(VII)")；
式中R1及A1表示與上述者相同之意義；R40於每次出現時獨立地表示鹵素原子、羥基、C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、C2至C4醯基或C2至C4醯基氧基；t8表示0至14之整數。
化合物(III)中之R3至R8、化合物(IV)中之R10至R19、化合物(V)中之R21、化合物(VI)中之R23至R38、化合物(VII)中之R40之鹵素原子、烷基、烷氧基、醯基及醯基氧基的實例包含X1之取代基之相同實例。
t1較佳為0或1之整數，更佳為0。
t2較佳為0或1之整數，更佳為0。
t3較佳為1或2之整數，更佳為1。
t5較佳為0或1之整數，更佳為0。
t6較佳為0或1之整數，更佳為0。
t7較佳為0或1之整數，更佳為0。
化合物(I)的實例包含下述化合物。
化合物(I)可藉由，例如，下述方法製造之。
其中A1為-CH2-CO-之化合物(I)可藉由使式(Ia-a)所示之化合物與式(Ia-b)所示之化合物在催化劑存在下於溶劑中反應而獲得之。催化劑的較佳實例包含碳酸鉀及碘化鉀。溶劑的較佳實例包含二甲基甲醯胺。
式中X1及R1表示與上述者相同之意義；X表示鹵素原子。
鹵素原子的實例包含氟、氯、溴或碘原子。較佳為氯原子。
式(Ia-b)所示之化合物的實例包含丙烯酸及甲基丙烯酸。使用市售化合物作為這些化合物。
式(Ia-a)所示之化合物可藉由使式(Ia-c)所示之化合物與式(Ia-d)所示之化合物在鹼性催化劑存在下於溶劑中反應而獲得之。鹼性催化劑的較佳實例包含吡啶。溶劑的較佳實例包含四氫呋喃。
式(Ia-d)所示之化合物的實例包含氯乙醯氯。使用市售化合物作為這些化合物。
式(Ia-c)所示之化合物的實例包含，例如，下述化合物。
式(Ia-c-1)所示之化合物可藉由使環戊烯與異氰酸氯磺醯基酯(chlorosulfonyl isocyanate)反應而獲得之(參見，JP2007-514775-A)。
相對於樹脂(A)的總重量，樹脂(A)中衍生自化合物(I)之結構單元的比例通常為1至100重量%，較佳為5至95重量%，更佳為10至80重量%。
樹脂(A)不溶或難溶於鹼性水溶液但藉由酸的作用轉變成可溶於鹼性水溶液之樹脂。此處"藉由酸的作用轉變成可溶於鹼性水溶液之樹脂"係指樹脂在與酸接觸之前不溶或難溶於鹼性水溶液，與酸接觸之後變成可溶於鹼性水溶液。因此，樹脂(A)較佳具有衍生自下述酸不穩定單體或能夠提供酸不穩定基之已知單體之至少一個結構單元。
本說明書中，除非另有說明，以下示例之任何基團皆可適用於任何具有視需要選擇碳原子數目之類似基團的化學式。"C"所附之數字係指各基團的碳數。除非另有說明，當基團可為直鏈和支鏈及/或環狀結構時，可包含所有結構且可同時存在於一個基團中。當有立體異構物形式時，包含所有立體異構物形式。各基團可為單價，或者二-或多-價基團，視鍵結位置及鍵結形式而定。
烴基包含脂肪族烴基及芳香族基。脂肪族烴基包含鏈狀脂肪族烴基、脂環族烴基及其組合。
單價鏈狀脂肪族烴基的實例包含甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、癸基、十二烷基、十六烷基、十五烷基、己基癸基、十七烷基及十八烷基。脂肪族烴基可為直鏈及支鏈脂肪族烴基之任一者。鏈狀脂肪族烴基可包含碳-碳雙鍵，但較佳為飽和鏈狀脂肪族烴基，亦即，烷基。
二價鏈狀脂肪族烴基的實例包含其中自上述單價鏈狀脂肪族烴基移除一個氫原子之基團，亦即，烷基二基。
環狀脂肪族烴基可為單環或多環脂肪族烴基之任一者。環狀脂肪族烴基在後文可能稱為"脂環族烴基"。脂環族烴基可包含碳-碳雙鍵，但較佳為飽和脂環族烴基。
單價脂環族烴基的實例包含其中自脂環族烴移除一個氫原子之基團。二價脂環族烴基的實例包含其中自脂環族烴基移除兩個氫原子之基團。
脂環族烴基的實例通常包含下述之環烷。
芳香族烴基的實例通常包含芳基如苯基、萘基、蒽基、聯苯基、菲基及薄基。
脂肪族烴基及芳香族烴基可經取代基取代。
脂肪族烴基之取代基的典型實例包含鹵素原子、烷氧基、醯基、芳基、芳烷基及芳基氧基。
芳香族烴基之取代基的典型實例包含鹵素原子、烷氧基、醯基、烷基及芳基氧基。
鹵素原子的實例包含氟、氯、溴及碘原子。
烷氧基的實例包含甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、癸氧基及十二烷氧基。烷氧基可為直鏈及支鏈烷氧基之任一者。
醯基的實例包含鍵結羰基至烷基之基團，如乙醯基、丙醯基、丁醯基、戊醯基、己基羰基、庚基羰基、辛基羰基、癸基羰基及十二烷基羰基，以及，鍵結羰基至芳基之基團，如苯甲醯基。醯基中之烷基可為直鏈及支鏈烷基之任一者。
芳基氧基的實例包含鍵結氧原子至上述芳基之基團。
芳烷基的實例包含，例如，苄基、苯乙基、苯丙基、萘甲基及萘乙基。
"(甲基)丙烯酸系單體"係指具有"CH2=CH-CO-"或"CH2=C(CH3)-CO-"之結構的至少一種單體，以及"(甲基)丙烯酸酯"及"(甲基)丙烯酸"係分別指"至少一種丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯"及"至少一種丙烯酸或甲基丙烯酸"。
<酸不穩定單體>
樹脂(A)除了衍生自化合物(I)之結構單元外，較佳亦具有衍生自具有酸不穩定基之單體之結構單元。當製造樹脂(A)時，具有酸不穩定基之單體可以單一化合物或者兩種或更多種化合物之混合物使用之。
含於酸不穩定單體中之酸不穩定基係指受到與酸接觸時可被移除之保護基所保護之親水基團。因此，不溶或難溶於鹼性水溶液之含有衍生自酸不穩定單體之結構單元的樹脂，經由酸的作用使保護基去保護而提供親水基團並轉變成可溶於鹼性水溶液之樹脂。親水基團的實例包含羥基及羧基，較佳為羧基。
當親水基團為羧基時之酸不穩定基的實例包含其中羧基(亦即，-COOH)之氫原子以有機基團予以置換且鍵結於羧基之-O-之有機基團的原子為三級碳原子之基團。
該些酸不穩定基中，其較佳實例包含下述式(1)所示之基團。後文，式(1)所示之基團可稱為"酸不穩定基(1)"。
式中Ra1、Ra2及Ra3獨立地表示C1至C8脂肪族烴基，或者Ra1及Ra2可與鍵結於Ra1及Ra2之碳原子一起結合以形成C3至C20環，含於脂肪族烴基或環中之-CH2-可被-O-、-S-或-CO-置換，*表示鍵結。
Ra1至Ra3之脂肪族烴基的實例包含烷基及脂環族烴基。
烷基及脂環族烴基的實例包含上述之相同實例。
當Ra1與Ra2一起結合以形成環時，基團-C(Ra1)(Ra2)(Ra3)的實例包含下述基團。此環較佳具有3至12個碳原子。
酸不穩定基的特定實例包含，例如，1,1-二烷基烷氧基羰基(式(1)中，其中Ra1至Ra3為烷基，較佳為第三丁氧基羰基之基團)，2-烷基金剛烷-2-基氧基羰基(式(1)中，其中Ra1、Ra2與碳原子形成金剛烷基，且Ra3為烷基之基團)，以及1-(金剛烷-1-基)-1-烷基烷氧基羰基(式(1)中，其中Ra1及Ra2為烷基，且Ra3為金剛烷基之基團)。
當親水基團為羥基時之酸不穩定基的實例包含其中羥基之氫原子以有機基團予以置換而導致具有縮醛結構或縮酮結構之基團。該些酸不穩定基中，其較佳實例包含下述式(2)所示之基團。後文，式(2)所示之基團可稱為"酸不穩定基(2)"。
式中Rb1及Rb2獨立地表示氫原子或C1至C12烴基，Rb3表示C1至C20烴基，或者Rb2及Rb3可與分別鍵結於Rb2及Rb3之碳原子及氧原子一起結合以形成C3至C20環。含於烴基及環中之-CH2-可被-O-、-S-或-CO-置換，*表示鍵結。
Rb1至Rb3之烴基的實例包含脂肪族烴基及芳香族烴基之任一者。
脂肪族烴基及芳香族烴基的實例包含上述之相同實例。
藉由與Rb2及Rb3結合所形成之環的實例包含藉由與Ra1及Ra2結合所形成之相同環。
Rb1及Rb2之至少一者較佳為氫原子。
酸不穩定基(2)的特定實例包含下述基團。
<單體(a1)>
具有酸不穩定基之單體(後文可稱為"單體(a1)")較佳為具有酸不穩定基及碳-碳雙鍵之單體，更佳為具有酸不穩定基之(甲基)丙烯酸系單體。
單體(a1)的較佳實例包含具有酸不穩定基(1)及/或酸不穩定基(2)以及碳-碳雙鍵之單體，更佳為具有酸不穩定基(1)之(甲基)丙烯酸系單體。
具有酸不穩定基(1)之(甲基)丙烯酸系單體中，較佳為含有具有C5至C20脂環族烴結構之酸不穩定基(1)之單體。當使用可藉由聚合具有龐大結構(bulky structure)如脂環族烴基之單體而得到之樹脂(A)時，在光阻圖案製造期間，易於得到具有優異解析度之光阻組成物。
至於含有具有脂環族烴結構之酸不穩定基(1)之(甲基)丙烯酸系單體，其實例包含式(a1-1)所示之單體(後文可稱為"單體(a1-1)")及式(a1-2)所示之單體(後文可稱為"單體(a1-2)")。這些可以單一化合物或者兩種或更多種化合物之混合物使用之。
式中La1及La2獨立地表示*-O-或*-O-(CH2)k1-CO-O-，k1表示1至7之整數，*表示對羰基(-CO-)之鍵結；Ra4及Ra5獨立地表示氫原子或甲基；Ra6及Ra7獨立地表示C1至C10脂肪族烴基；m1表示0至14之整數；n1表示0至10之整數；以及n2表示0至3之整數。
式(a1-1)及式(a1-2)中，La1及La2較佳為*-O-或*-O-(CH2)k1’-CO-O-，此處k1’表示1至4之整數，更佳為*-O-或*-O-CH2-CO-O-，又更佳為*-O-。
Ra4及Ra5較佳為甲基。
Ra6及Ra7之脂肪族烴基獨立地較佳為C1至C8烷基或C3至C10脂環族烴基，更佳為C1至C8烷基或C3至C8脂環族烴基，又更佳為C1至C6烷基或C3至C6脂環族烴基。
m1較佳為0至3之整數，更佳為0或1。
n1較佳為0至3之整數，更佳為0或1。
n2較佳為0或1，更佳為1。
單體(a1-1)的實例包含下述基團。
這些之中，作為單體(a1-1)，較佳為(甲基)丙烯酸2-甲基金剛烷-2-基酯、(甲基)丙烯酸2-乙基金剛烷-2-基酯及(甲基)丙烯酸2-異丙基金剛烷-2-基酯，更佳為甲基丙烯酸2-甲基金剛烷-2-基酯、甲基丙烯酸2-乙基金剛烷-2-基酯及甲基丙烯酸2-異丙基金剛烷-2-基酯。
單體(a1-2)的實例包含下述基團。
這些之中，作為單體(a1-2)，較佳為(甲基)丙烯酸1-乙基環己烷-1-基酯，更佳為甲基丙烯酸1-乙基環己烷-1-基酯。
當樹脂(A)含有衍生自單體(a1-1)及/或單體(a1-2)之結構單元時，相對於樹脂(A)之總結構單元(100莫耳%)，其總比例通常為10至95莫耳%，較佳為15至90莫耳%，更佳為20至85莫耳%。
當製造樹脂(A)時，為了使衍生自單體(a1-1)之結構單元及/或衍生自單體(a1-2)之結構單元的比例達到在上述範圍內，單體(a1-1)及/或單體(a1-2)的用量可相對於所使用之單體的總用量予以調整(同樣地可用於後文中相應的比例調整)。
具有酸不穩定基(1)及碳-碳雙鍵之單體的實例包含具有式(a1-3)所示之降冰片烯環之單體。該種單體在後文可稱為"單體(a1-3)"。
式中Ra9表示氫原子、視需要具有羥基之C1至C3烷基、羧基、氰基或-COORa13，Ra13表示C1至C20脂肪族烴基，含於脂肪族烴基中之氫原子可被羥基置換，其中所含之-CH2-可被-O-或-CO-置換；Ra10、Ra11及Ra12獨立地表示C1至C20脂肪族烴基，或Ra10與Ra11可結合在一起以形成C1至C20環，含於脂肪族烴基及環中之氫原子可被羥基等置換，含於脂肪族烴基及環中之-CH2-可被-O-或-CO-置換。
Ra9之具有羥基之烷基的實例包含羥基甲基及2-羥基乙基。
Ra13之脂肪族烴基較佳為C1至C8烷基及C3至C20脂環族烴基，-COORa13的實例包含其中羰基鍵結於烷氧基之基團，如甲氧基羰基及乙氧基羰基。
Ra10至Ra12之脂肪族烴基為鏈狀脂肪族烴基、脂環族烴基及其組合之任一種。Ra10至Ra12之脂肪族烴基的實例包含甲基、乙基、環己基、甲基環己基、羥基環己基、酮基環己基及金剛烷基。
與Ra10及Ra11一起形成之環的實例包含脂環族烴基如環己烷及金剛烷環。
具有降冰片烯環之單體(a1-3)的實例包含5-降冰片烯-2-羧酸第三丁酯、5-降冰片烯-2-羧酸1-環己基-1-甲基乙酯、5-降冰片烯-2-羧酸1-甲基環己酯、5-降冰片烯-2-羧酸2-甲基-2-金剛烷-2-基酯、5-降冰片烯-2-羧酸2-乙基-2-金剛烷-2-基酯、5-降冰片烯-2-羧酸1-(4-甲基環己基)-1-甲基乙酯、5-降冰片烯-2-羧酸1-(4-羥基環己基)-1-甲基乙酯、5-降冰片烯-2-羧酸1-甲基-(4-酮基環己基)-1-乙酯及5-降冰片烯-2-羧酸1-(1-金剛烷-1-基)-1-甲基乙酯。
具有衍生自單體(a1-3)之結構單元的樹脂可改良所得之光阻組成物的解析度，此乃因其具有龐大結構之故，且亦可改良所得之光阻組成物的乾蝕刻耐受度，此乃因為將剛性降冰片烯環併入樹脂(A)的主鏈中之故。
當樹脂(A)含有衍生自式(a1-3)所示之單體之結構單元時，相對於構成樹脂(A)之總結構單元(100莫耳%)，其比例通常為10至95莫耳%，較佳為15至90莫耳%，更佳為20至85莫耳%。
具有酸不穩定基(2)及碳-碳雙鍵之單體的實例包含式(a1-4)所示之單體。該種單體在後文可稱為"單體(a1-4)"。
式中Ra32表示氫原子、鹵素原子或視需要具有鹵素原子之C1至C6烷基；Ra33於每次出現時獨立地表示鹵素原子、羥基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、C2至C4醯基、C2至C4醯基氧基、丙烯醯基或甲基丙烯醯基；1a表示0至4之整數；Ra34及Ra35獨立地表示氫原子或C1至C12烴基；Xa2表示單鍵或視需要經取代之C1至C17二價脂肪族烴基，其中所含之氫原子可被鹵素原子、羥基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、C2至C4醯基或C2至C4醯基氧基取代，其中所含之-CH2-可被-CO-、-O-、-S-、-SO2-或-N(Rc)-置換，Rc表示氫原子或C1至C6烷基；Ya3表示C1至C18烴基，其中所含之氫原子可被鹵素原子、羥基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、C2至C4醯基及C2至C4醯基氧基取代。
Ra32之視需要具有鹵素原子之烷基的實例包含三氟甲基、全氟乙基、全氟丙基、全氟異丙基、全氟丁基、全氟第二丁基、全氟第三丁基、全氟戊基、全氟己基、三氯甲基、三溴甲基及三碘甲基。
鹵素原子、烷基、烷氧基等之實例包含上述之相同實例。
醯基的實例包含乙醯基、丙醯基及丁醯基。
醯基氧基的實例包含乙醯基氧基、丙醯基氧基及丁醯基氧基。
式(a1-4)中，Ra32及Ra33之烷基較佳為C1至C4烷基，更佳為C1至C2烷基，又更佳為甲基。
Ra33之烷氧基較佳為C1至C4烷氧基，更佳為C1至C2烷氧基，又更佳為甲氧基。
Ra34及Ra35之烴基的實例包含鏈狀脂肪族烴基、脂環族烴基及芳香族烴基之任一者。
脂肪族烴基之較佳實例包含異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、辛基、及2-乙基己基。
脂環族烴基之較佳實例包含單環或多環飽和烴基如環己基、金剛烷基、2-烷基-金剛烷-2-基、1-(1-金剛烷-1-基)-1-烷基、烷-1-基及異冰片基。
芳香族烴基之較佳實例包含苯基、萘基、蒽基、對-甲基苯基、對-第三丁基苯基、對-金剛烷基苯基、甲苯基、二甲苯基、異丙苯基、均三甲苯基、聯苯基、菲基、2,6-二乙基苯基及2-甲基-6-乙基苯基。
Xa2之脂肪族烴基較佳為鏈狀脂肪族烴基，更佳為飽和鏈狀脂肪族烴基。
Ya3之烴基較佳為C3至C18脂環族烴基及C6至C18芳香族烴基。
Xa2及Ya3之視需要經取代之取代基的較佳實例包含羥基。
式(a1-4)所示之單體的實例包含下述單體。
當樹脂(A)含有衍生自式(a1-4)所示之單體之結構單元時，相對於構成樹脂(A)之總結構單元(100莫耳%)，其比例通常為10至95莫耳%，較佳為15至90莫耳%，更佳為20至85莫耳%。
具有酸不穩定基(2)及碳-碳雙鍵之單體的實例包含式(a1-5)所示之單體。該種單體在後文可稱為"單體(a1-5)"。
式中R31表示氫原子、鹵素原子或視需要具有鹵素原子之C1至C6烷基；L1、L2及L3獨立地表示*-O-、*-S-或*-O-(CH2)k1-CO-O-，k1表示1至7之整數，*表示對羰基(-CO-)之鍵結；s1表示0至4之整數；s2表示0至4之整數；Z1表示單鍵或C1至C6烷二基，含於烷二基中之-CH2-可被-O-或-CO-置換。
式(a1-5)中，R31較佳為氫原子、甲基或三氟甲基；L1較佳為-O-；L2及L3獨立地較佳為*-O-或*-S-，更佳係一個為-O-且另一個為-S-；s1較佳為1；s2較佳為0至2之整數；Z1較佳為單鍵或-CH2-CO-O-。
式(a1-5)所示之化合物的實例包含下述化合物。
當樹脂(A)含有衍生自式(a1-5)所示之單體之結構單元時，相對於構成樹脂(A)之總結構單元(100莫耳%)，其比例通常為10至95莫耳%，較佳為15至90莫耳%，更佳為20至85莫耳%。
當樹脂(A)含有衍生自單體(a1)之結構單元時，相對於樹脂(A)之總結構單元(100莫耳%)，其總比例通常為10至95莫耳%，較佳為20至80莫耳%。
(酸穩定單體>
樹脂(A)較佳為化合物(1)、具有酸不穩定基之單體(a1)與不具有酸不穩定基之單體(後文可稱為"酸穩定單體")的共聚物。
酸穩定單體可以單一化合物或者兩種或更多種化合物之混合物使用之。
當以酸穩定單體製造樹脂(A)時，酸穩定單體的比例可基於酸不穩定單體(a1)的用量予以調整。例如，[酸不穩定單體(a1)]：[酸穩定單體]的比率較佳為10至80莫耳%：90至20莫耳%，更佳為20至60莫耳%：80至40莫耳%。
至於酸穩定單體，較佳為具有羥基或內酯環之單體。當使用含有衍生自具有羥基之酸穩定單體(後文該種酸穩定樹脂可稱為"酸穩定單體(a2)")或具有內酯環之酸穩定單體(後文該種酸穩定樹脂可稱為"酸穩定單體(a3)")之結構單元的樹脂時，易於改良光阻對基板之黏著性及光阻之解析度。
<酸穩定單體(a2)>
酸穩定單體(a2)較佳依據製造光阻圖案時之曝光光源的種類選擇之。
例如，當對光阻組成物使用KrF準分子雷射微影技術(248nm)，或高能輻射如電子束或EUV光時，較佳使用具有酚系羥基之酸穩定單體(a2-0)如羥基苯乙烯作為酸穩定單體(a2)。
當使用ArF準分子雷射微影技術(193nm)，亦即，短波長準分子雷射微影技術時，較佳使用式(a2-1)所示之具有羥基金剛烷基之酸穩定單體作為具有羥基之酸穩定單體(a2)。
具有羥基之酸穩定單體(a2)可以單一化合物或者兩種或更多種化合物之混合物使用之。
具有酚系羥基之酸穩定單體(a2)的實例包含式(a2-0)所示之苯乙烯單體(後文此單體可稱為"酸穩定單體(a2-0)")如對-或間-羥基苯乙烯。
式中Ra30表示氫原子、鹵素原子或視需要具有鹵素原子之C1至C6烷基；Ra31於每次出現時獨立地表示鹵素原子、羥基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、C2至C4醯基、C2至C4醯基氧基、丙烯醯基或甲基丙烯醯基；ma表示0至4之整數。
式(a2-0)中，Ra30之具有鹵素原子之烷基的實例包含式(a1-4)之Ra32中所述之相同實例。
Ra30及Ra31之烷基較佳為C1至C4烷基，更佳為C1至C2烷基，又更佳為甲基。
Ra31之烷氧基的實例包含式(a1-4)之Ra33中所述之相同實例。
Ra31之烷氧基較佳為C1至C4烷氧基，更佳為C1至C2烷氧基，又更佳為甲氧基。
ma較佳為0，1或2，更佳為0或1，又更佳為0。
當使用酸穩定單體(a2-0)製造樹脂(A)時，可使用其中酚系羥基受到保護基保護之單體。該種保護基可為經由與酸或鹼接觸可去保護之基團。由於受到保護基保護之酚系羥基可經由與酸或鹼接觸而去保護，故可輕易得到酸穩定單體(a2-0)。然而，由於樹脂(A)具有如上述之衍生自具有酸不穩定基之單體(a1)的結構單元，當將受到保護基保護之酚系羥基去保護時，較佳使酚系羥基與鹼接觸，以能不會嚴重地損及酸不穩定基。藉由鹼去保護之保護基的實例包含乙醯基。鹼的實例包含4-二甲基胺基吡啶及三乙胺。
酸穩定單體(a2-0)的特定實例包含下述單體。
這些之中，較佳為4-羥基苯乙烯及4-羥基-α-甲基苯乙烯。此等4-羥基苯乙烯及4-羥基-α-甲基苯乙烯可藉由適合的保護基保護其酚系羥基。
當樹脂(A)含有衍生自式(a2-0)所示之單體之結構單元時，相對於構成樹脂(A)之總結構單元(100莫耳%)，其比例通常為5至95莫耳%，較佳為10至80莫耳%，更佳為15至80莫耳%。
具有羥基金剛烷基之酸穩定單體的實例包含式(a2-1)所示之單體(後文此單體可稱為"酸穩定單體(a2-1)")。
式中La3表示*-O-或*-O-(CH2)k2-CO-O-，k2表示1至7之整數，*表示對羰基(-CO-)之鍵結；Ra14表示氫原子或甲基；Ra15及Ra16獨立地表示氫原子、甲基或羥基；o1表示0至10之整數。
式(a2-1)中，La3較佳為*-O-或*-O-(CH2)k2’-CO-O-，此處k2’表示1至4之整數，更佳為*-O-或*-O-CH2-CO-O-，又更佳為*-O-；Ra14較佳為甲基。
Ra15較佳為氫原子。
Ra16較佳為氫原子或羥基。
o1較佳為0至3之整數，更佳為0或1之整數。
具有羥基金剛烷基之酸穩定單體(a2-1)的實例包含下述單體。這些之中，較佳為(甲基)丙烯酸3-羥基金剛烷-1-基酯，(甲基)丙烯酸3,5-二羥基金剛烷-1-基酯及(甲基)丙烯酸1-(3,5-二羥基金剛烷-1-基氧基羰基)甲酯，更佳為(甲基)丙烯酸3-羥基金剛烷-1-基酯及(甲基)丙烯酸3,5-二羥基金剛烷-1-基酯，又更佳為甲基丙烯酸3-羥基金剛烷-1-基酯及甲基丙烯酸3,5-二羥基金剛烷-1-基酯。
當樹脂(A)含有衍生自式(a2-1)所示之單體之結構單元時，相對於構成樹脂(A)之總結構單元(100莫耳%)，其比例通常為3至40莫耳%，較佳為5至35莫耳%，更佳為5至30莫耳%。
<酸穩定單體(a3)>
包含於酸穩定單體(a3)中之內酯環可為單環化合物如β-丙內酯環、γ-丁內酯、δ-戊內酯，或者具有單環內酯環及其他環之縮合環。這些之中，較佳為γ-丁內酯及具有γ-丁內酯和其他環之縮合環。
具有內酯環之酸穩定單體(a3)的實例包含式(a3-1)、式(a3-2)或式(a3-3)之任一者所示之單體。後文這些單體可稱為"酸穩定單體(a3-1)"、"酸穩定單體(a3-2)"或"酸穩定單體(a3-3)"。這些單體可以單一化合物或者兩種或更多種化合物之混合物使用之。
式中La4、La5及La6獨立地表示*-O-或*-O-(CH2)k3-CO-O-，k3表示1至7之整數，*表示對羰基之鍵結；Ra18、Ra19及Ra20獨立地表示氫原子或甲基；Ra21於每次出現時表示C1至C4烷基；Ra22及Ra23於每次出現時獨立地表示羧基、氰基或C1至C4烷基；p1表示0至5之整數；q1及r1獨立地表示0至3之整數。
式(a3-1)至式(a3-3)中，La4至La6獨立地較佳為*-O-、*-O-(CH2)k3’-CO-O-，此處k3’表示1至4之整數，更佳為*-O-或*-O-CH2-CO-O-，又更佳為*-O-；Ra18至Ra20較佳為甲基。
Ra21較佳為甲基。
Ra22及Ra23獨立地較佳為羧基、氰基或甲基。
p1，q1及r1獨立地較佳為0至2之整數，更佳為0或1。
具有γ-丁內酯環之酸穩定單體(a3-1)的實例包含下述單體。
具有γ-丁內酯環及降冰片烯環之酸穩定單體(a3-2)的實例包含下述單體。
具有γ-丁內酯環與環己烷環之縮合環之酸穩定單體(a3-3)的實例包含下述單體。
具有內酯環之酸穩定單體(a3)中，較佳為(甲基)丙烯酸(5-酮基-4-氧雜三環[4.2.1.03,7]壬烷-2-基)酯、(甲基)丙烯酸四氫-2-酮基-3-呋喃酯及(甲基)丙烯酸2-(5-酮基-4-氧雜三環[4.2.1.03,7]壬烷-2-基氧基)-2-酮基乙酯，更佳為(甲基)丙烯酸酯化合物。
當樹脂(A)含有衍生自式(a3-1)所示之單體之結構單元、衍生自式(a3-2)所示之單體之結構單元及/或衍生自式(a3-3)所示之單體之結構單元時，相對於構成樹脂(A)之總結構單元(100莫耳%)，其總比例較佳為5至60莫耳%，更佳為5至50莫耳%，又更佳為10至40莫耳%，再更佳為15至40莫耳%。
當樹脂(A)含有衍生自式(a3-1)所示之單體之結構單元、衍生自式(a3-2)所示之單體之結構單元及衍生自式(a3-3)所示之單體之結構單元時，相對於構成樹脂(A)之總結構單元(100莫耳%)，其比例分別係通常為5至60莫耳%，較佳為10至55莫耳%，更佳為20至50莫耳%。
<酸穩定單體(a4)>
酸穩定單體(a4)具有下式(3)所示之基團。
式中R10表示C1至C6氟化烷基；*表示鍵結。
R10之氟化烷基的實例包含二氟甲基、三氟甲基、1,1-二氟乙基、2,2-二氟乙基、2,2,2-三氟乙基、全氟乙基、1,1,2,2-四氟丙基、1,1,2,2,3,3-六氟丙基、全氟乙基甲基、1-(三氟甲基)-1,2,2,2-四氟乙基、全氟丙基、1,1,2,2-四氟丁基、1,1,2,2,3,3-六氟丁基、1,1,2,2,3,3,4,4-八氟丁基、全氟丁基、1,1-雙(三氟)甲基-2,2,2-三氟乙基、2-(全氟丙基)乙基、1,1,2,2,3,3,4,4-八氟戊基、全氟戊基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-十氟戊基、1,1-雙(三氟甲基)-2,2,3,3,3-五氟丙基、2-(全氟丁基)乙基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-十氟己基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-十二氟己基、全氟戊基甲基及全氟己基。
R10之氟化烷基較佳具有1至4個碳原子，更佳為三氟甲基、全氟乙基及全氟丙基，又更佳為三氟甲基。
具有式(3)所示之基團之酸穩定單體(a4)的特定實例包含下述單體。
當樹脂(A)含有衍生自具有式(3)所示之基團之式(a4)所示之酸穩定單體之結構單元時，相對於樹脂(A)之總結構單元(100莫耳%)，其比例通常為1至30莫耳%，較佳為3至25莫耳%，更佳為5至20莫耳%。
<酸穩定單體(a5)>
酸穩定單體(a5)具有式(4)所示之基團。
式中R11表示視需要經取代之C6至C12芳香族烴基；R12表示視需要經取代之C1至C12烴基，此烴基可含有雜原子；A2表示單鍵、-(CH2)m10-SO2-O-*或-(CH2)m10-CO-O-*，含於[-(CH2)m10-]中之-CH2-可被-O-、-CO-或-SO2-置換，含於[-(CH2)m10-]中之氫原子可被氟原子置換；m10表示1至12之整數。
R11之芳香族烴基的實例包含上述之相同實例。
含於芳香族烴基中之氫原子可被C1至C4烷基、鹵素原子、苯基、硝基、氰基、羥基、苯基氧基及第三丁基苯基置換。
R11之較佳基團的特定實例包含下述基團。*表示對碳原子之鍵結。
R12之烴基可為鏈狀脂肪族烴基、脂環族烴基及芳香族烴基之任一者。
脂肪族烴基的典型實例為烷基，烷基的實例包含式(a1-4)中之Ra34及Ra35之相同基團。
當R12為脂肪族烴基或脂環族烴基時，其可含有雜原子。雜原子的實例包含鹵素原子、硫原子、氧原子及氮原子，且可包含聯結基團之構型如磺醯基及羰基。
含有此等雜原子之R12的特定實例包含下述基團。
當R12為芳香族烴基時，其特定實例包含上述之相同實例。
A2之特定實例包含下述基團。
含有式(4)所示之基團之酸穩定單體(a5)包含式(a5-1)所示之酸穩定單體。
式中R13表示氫原子或甲基；R11、R12及A2係與上述者相同之意義。
酸穩定單體(a5-1)的特定實例包含下述單體。
當樹脂(A)含有衍生自式(a5-1)所示之單體之結構單元時，相對於構成樹脂(A)之總結構單元(100莫耳%)，其比例通常為1至30莫耳%，較佳為3至25莫耳%，更佳為5至20莫耳%。
<酸穩定單體(a6)>
酸穩定單體(a6)為具有脂環族烴基之(甲基)丙烯酸系單體如式(a6-1)所示之單體。
式中環W1表示C3至C36脂環族烴環；A3表示單鍵或C1至C17二價脂肪族烴基，且含於脂肪族烴基中之-CH2-可被-O-或-CO-置換，但鍵結於-O-之原子為碳原子；R14表示視需要具有鹵素原子之C1至C6烷基、氫原子或鹵素原子；R15及R16獨立地表示視需要具有鹵素原子之C1至C6烷基。環W1之脂環族烴基包含單環或多環烴基，較佳為C5至C18脂環族烴基，更佳為C6至C12脂環族烴基。其實例包含式(KA-1)至式(KA-22)所示之環。亦即，如下例示之式(a6-1)中之基團
係其中鍵結於構成式(KA-1)至式(KA-22)所示之任一環之一原子的一個氫原子被連結A3之鍵置換，且鍵結於構成環之另一原子之其他兩個氫原子分別被連結-O-CO-R15之鍵及連結-O-CO-R16之鍵置換的基團。
環W1之實例較佳包含環己烷環、金剛烷環、降冰片烯環及降冰片烷環。
A3之二價脂肪族烴基的實例包含上述之二價鏈狀烷二基及二價脂環族烴基，及其組合。
烷二基與脂環族烴基之組合的實例包含下述基團。
式中XX1及XX2獨立地表示C1至C6烷二基或單鍵，但XX1及XX2兩者不為單鍵，且基團之總碳數分別為17或更少。
A3之脂肪族烴基可具有取代基。
其中含於脂肪族烴基中之-CH2-可被-O-或-CO-置換之A3的實例包含，例如，式(I)中之基團(a-1)之相同實例。
A3較佳為單鍵或*-(CH2)s1-CO-O-所示之基團，s1表示1至6之整數，*表示鍵結，更佳為單鍵或*-CH2-CO-O-。
R14較佳為氫原子或甲基。
R14至R16之鹵素原子較佳為氟原子。
具有鹵素原子之烷基的實例包含三氟甲基、全氟乙基、全氟丙基、全氟異丙基及全氟丁基。這些之中，較佳為三氟甲基、全氟乙基及全氟丙基。
酸穩定單體(a6-1)的實例包含下述之酸穩定單體。R14至R16及A3係與上述定義相同意義。
這些之中，較佳為下式所示之酸穩定單體(a6-1)。
酸穩定單體(a6-1)的特定實例包含下述之酸穩定單體。
較佳之酸穩定單體(a6-1)可藉由使式(a6-1-a)所示之化合物與式(a6-1-b)所示之化合物反應而製造之。
式中R14、R15、R16、A3及W1具有如上定義之相同意義。
式(a6-1-a)所示之典型化合物為JP2002-226436-A所述之1-甲基丙烯醯氧基-4-酮基金剛烷。
式(a6-1-b)所示之化合物的實例包含五氟丙酸酐，七氟丁酸酐及三氟丁酸酐。此反應較佳在所使用之式(a6-1-b)所示之化合物的沸點左右進行之。
當樹脂(A)含有衍生自式(a6-1)所示之單體之結構單元時，相對於構成樹脂(A)之總結構單元(100莫耳%)，其比例通常為1至30莫耳%，較佳為3至25莫耳%，更佳為5至20莫耳%。
<酸穩定單體(a7)>
上述以外之酸穩定單體的實例包含式(a7-1)所示之馬來酸酐、式(a7-2)所示之衣康酸酐或式(a7-3)所示之具有降冰片烯環之酸穩定單體，例如，後文此等單體可分別稱為"酸穩定單體(a7-1)"、"酸穩定單體(a7-2)"及"酸穩定單體(a7-3)"。
式中Ra25及Ra26獨立地表示氫原子、視需要具有羥基之C1至C3烷基、氰基、羧基或-COORa27，或者Ra25與Ra26結合在一起以形成-CO-O-CO-，Ra27表示C1至C18脂肪族烴基，含於脂肪族烴基中之-CH2-可被-O-或-CO-置換，但排除其中-COORa27為酸不穩定基之基團，亦即，Ra27不包含其中三級碳原子鍵結於-O-之基團。
Ra25及Ra26之視需要具有羥基之烷基的實例包含，例如，甲基、乙基、丙基、羥基甲基及2-羥基乙基。
Ra27之脂肪族烴基較佳為C1至C8烷基及C4至C18脂環族烴基，更佳為C1至C6烷基及C4至C12脂環族烴基，又更佳為甲基、乙基、丙基、2-酮基-氧雜環戊烷-3-基及2-酮基-氧雜環戊烷-4-基。
具有降冰片烯環之酸穩定單體(a7-3)的特定實例包含2-降冰片烯、2-羥基-5-降冰片烯、5-降冰片烯-2-羧酸、5-降冰片烯-2-羧酸甲酯、5-降冰片烯-2-羧酸2-羥基-1-乙酯、5-降冰片烯-2-甲醇及5-降冰片烯-2,3-二羧酸酐。
當樹脂(A)含有衍生自式(a7-1)所示之單體之結構單元、衍生自式(a7-2)所示之單體之結構單元及/或衍生自式(a7-3)所示之單體之結構單元時，相對於構成樹脂(A)之總結構單元(100%)，其總比例通常為2至40莫耳%，較佳為3至30莫耳%，更佳為5至20莫耳%。
再者，上述以外之酸穩定單體的實例包含式(a7-4)所示之具有磺內酯環之單體。
式中La7表示氧原子或*-T-(CH2)k2-CO-O-，k2表示1至7之整數，T表示氧原子或NH，*表示連結羰基之單鍵；Ra28表示氫原子或甲基；W16表示具有視需要經取代之磺內酯環之基團。
磺內酯環係其中兩個相鄰的亞甲基分別被氧原子及磺醯基置換之環，其實例包含下述之環。磺內酯環基係其中含於下述磺內酯環中之氫原子被一鍵結置換之基團，該鍵結係相應於連結式(a7-4)中之La7之鍵結。
具有視需要經取代之磺內酯環之基團係指其中被鍵結(bond)所置換之氫原子以外之含於磺內酯環中的氫原子被取代基(氫原子以外之單價基團)置換之基團，其實例包含羥基、氰基、C1至C6烷基、C1至C6氟化烷基、C1至C6羥基烷基、C1至C6烷氧基、C1至C7烷氧基羰基、C1至C7醯基及C1至C8醯基氧基。
具有磺內酯環之酸穩定單體(a7-4)的特定實例包含下述單體。
當樹脂(A)含有衍生自式(a7-4)所示之酸穩定單體(a7)之結構單元時，相對於構成樹脂(A)之總結構單元(100莫耳%)，其比例通常為2至40莫耳%，較佳為3至35莫耳%，更佳為5至30莫耳%。
<酸穩定單體(a8)>
使用如下之含有氟原子之酸穩定單體(a8)於製造樹脂(A)，
這些之中，較佳為(甲基)丙烯酸5-(3,3,3-三氟-2-羥基-2-[三氟甲基]丙基)雙環[2.2.1]庚-2-基酯、(甲基)丙烯酸6-(3,3,3-三氟-2-羥基-2-[三氟甲基]丙基)雙環[2.2.1]庚-2-基酯、4,4-雙(三氟甲基)-3-氧雜三環[4.2.1.02,5]壬基，其具有單-或多-脂環族烴基。
當樹脂(A)含有衍生自酸穩定單體(a8)之結構單元時，相對於構成樹脂(A)之總結構單元(100莫耳%)，其比例通常為1至20莫耳%，較佳為2至15莫耳%，更佳為3至10莫耳%。
<樹脂的製造>
樹脂(A)可為藉由聚合化合物(I)及單體(a1)，與所需之酸穩定單體所得之共聚物，較佳為聚合化合物(I)、單體(a1)與酸穩定單體(a2)及/或酸穩定單體(a3)之共聚物。
製造樹脂(A)時，欲使用之單體(a1)較佳為具有金剛烷基之單體(a1-1)及具有環烷基之單體(a1-2)之至少一者，更佳為具有金剛烷基之單體(a1-1)。
酸穩定單體較佳為具有羥基金剛烷基之單體(a2-1)及酸穩定單體(a3)。具有內酯環之單體(a3)較佳為具有γ-丁內酯環之單體(a3-1)，及具有γ-丁內酯環和降冰片烯環之縮合環之單體(a3-2)之至少一者。
當使用具有金剛烷基之單體作為單體(a1)時，相對於具有酸不穩定基之單體(a1)，具有金剛烷基之單體(尤其是具有酸不穩定基之單體(a1-1))的比例較佳為15莫耳%或更多。當具有金剛烷基之單體的莫耳比率在此範圍內增加時，能改良所得之光阻的乾蝕刻耐受度。
樹脂(A)可藉由已知聚合方法，例如，自由基聚合方法製造之。單體可以單一化合物或者兩種或更多種化合物之混合物使用之。
樹脂(A)的重量平均分子量較佳為2500或更大(更佳為3000或更大，又更佳為3500或更大)，且為50,000或更小(更佳為30,000或更小，又更佳為10,000或更小)。重量平均分子量係藉由使用聚苯乙烯作為標準品之凝膠滲透層析術所測定之值。此分析之詳細條件見述於實施例。
<光阻組成物>
本發明之光阻組成物含有：樹脂(後文可稱為"樹脂(A)")，以及酸產生劑。
再者，視需要，此光阻組成物可含有溶劑及添加劑如鹼性化合物(其在此技術領域中為已知之淬冷劑)。
藉由含有樹脂(A)，可能經由樹脂(A)及酸產生劑的效果形成具有優異MEF之光阻圖案。
<酸產生劑>
酸產生劑(後文可稱為"酸產生劑(B)")分類成非離子性或離子性酸產生劑。本光阻組成物可使用任一種酸產生劑。
非離子性酸產生劑的實例包含有機鹵化化合物；磺酸酯如2-硝基苄基酯、芳香族磺酸酯、肟磺酸酯、N-磺醯基氧基亞醯胺、磺醯基氧基酮及重氮萘醌4-磺酸酯；碸如二碸、酮基碸及碸重氮甲烷(sulfone diazomethane)。
離子性酸產生劑的實例包含含有鎓陽離子之鎓鹽如重氮鎓鹽、鏻鹽、鋶鹽、錪鹽。
鎓鹽之陰離子的實例包含磺酸陰離子、磺醯亞胺陰離子(sulfonylimide anion)及磺醯基甲基化物陰離子。
對酸產生劑(B)而言，不僅可使用此領域所使用之酸產生劑(特別是光酸產生劑)，亦可使用光陽離子聚合反應之光起始劑，藉由輻射(光線)產生酸之已知化合物如顏料之光放電劑及光脫色劑，及其組合。其實例包含見述於JP S63-26653-A，JP S55-164824A，JP S26-69263-A，JP S63-146038-A，JP S63-163452-A，JP S62-153853-A，JP S63-146029-A，US3,779,778-B，US3,849,137-B，DE3,914,407-B及EP-126,712-A之藉由輻射產生酸之化合物。
含氟之酸產生劑為較佳之酸產生劑(B)，更佳為式(B1)所示之磺酸鹽，後文，該種酸產生劑可稱為"酸產生劑(B1)"，如下所述。酸產生劑(B1)中，正電Z+在後文可稱為"有機陽離子"，而其中已自化合物移除有機陽離子之負電者可稱為"磺酸鹽陰離子"。藉由在光阻組成物中含有酸產生劑(B1)，可能形成具有優異MEF的光阻圖案。
式中Q1及Q2獨立地表示氟原子或C1至C6全氟烷基；Lb1表示視需要經取代之C1至C17二價脂肪族烴基，且含於脂肪族烴基中之-CH2-可被-O-或-CO-置換；Y表示視需要經取代之C1至C18脂肪族烴基，且含於脂肪族烴基中之-CH2-可被-O-、-CO-或-SO2-置換；以及Z+表示有機陽離子。
Q1及Q2之全氟烷基的實例包含三氟甲基、全氟乙基、全氟丙基、全氟異丙基、全氟丁基、全氟第二丁基、全氟第三丁基、全氟戊基及全氟己基。
這些之中，Q1及Q2獨立地較佳為三氟甲基或氟原子，更佳係兩者皆為氟原子。
Lb1之二價脂肪族烴基的實例包含上述之烷二基及移除兩個氫原子之式(KA-1)至式(KA-22)所示之基團。
其中含於脂肪族烴基中之-CH2-被-O-或-CO-置換之Lb1之二價脂肪族烴基的實例包含下述式(b1-1)至式(b1-6)所示之基團。這些之中，較佳為式(b1-1)至式(b1-4)所示之基團，更佳為式(b1-1)或式(b1-2)所示之基團。
式(b1-1)至式(b1-6)中，基團係表示成相應於式(B1)的兩側，亦即，基團的左側鍵結於C(Q1)(Q2)-且基團的右側鍵結於-Y(式(b1-1)至式(b1-6)的實例與上述者相同)。*表示鍵結。
式中Lb2表示單鍵或C1至C15二價脂肪族烴基，脂肪族烴基較佳為飽和脂肪族烴基；Lb3表示單鍵或C1至C12二價脂肪族烴基，脂肪族烴基較佳為飽和脂肪族烴基；Lb4表示C1至C13二價脂肪族烴基，脂肪族烴基較佳為飽和脂肪族烴基；Lb3與Lb4之碳原子的總數至多為13；Lb5表示C1至C15二價飽和烴基；Lb6及Lb7獨立地表示C1至C15二價脂肪族烴基，脂肪族烴基較佳為飽和脂肪族烴基，Lb6與Lb7之碳原子的總數至多為16；Lb8表示C1至C14二價脂肪族烴基，脂肪族烴基較佳為飽和脂肪族烴基；Lb9及Lb10獨立地表示C1至C11二價脂肪族烴基，脂肪族烴基較佳為飽和脂肪族烴基；Lb9與Lb10之碳原子的總數至多為12。
這些之中，較佳為式(b1-1)所示之二價基團，更佳為其中Lb2表示單鍵或-CH2-之式(b1-1)所示之二價基團。
式(b1-1)所示之二價基團的特定實例包含下述基團。下式中，*表示鍵結。
式(b1-2)所示之二價基團的特定實例包含下述基團。
式(b1-3)所示之二價基團的特定實例包含下述基團。
式(b1-4)所示之二價基團的特定實例包含下述基團。
式(b1-5)所示之二價基團的特定實例包含下述基團。
式(b1-6)所示之二價基團的特定實例包含下述基團。
La1之脂肪族烴基可具有取代基。
La1之脂肪族烴基之取代基的實例包含鹵素原子、羥基、羧基、C6至C18芳香族烴基、C7至C21芳烷基、C2至C4醯基及縮水甘油基氧基。其實例包含上述之相同實例。
Y之脂肪族烴基較佳為烷基及脂環族烴基或者其組合，更佳為C1至C6烷基及C3至C12脂環族烴基。
Y之取代基的實例包含鹵素原子(氟原子以外)、羥基、C1至C12烷氧基、C6至C18芳香族烴基、C7至C21芳烷基、C2至C4醯基、縮水甘油基氧基或-(CH2)j2-O-CO-Rb1基，式中Rb1表示C1至C16烴基，j2表示0至4之整數。芳香族烴基及芳烷基可進一步具有取代基如C1至C6烷基、鹵素原子或羥基。
Rb1之烴基的實例包含C1至C16鏈狀脂肪族烴基、C3至C16脂環族烴基及C6至C18芳香族烴基。
其中含於脂肪族烴基中之-CH2-被-O-、-CO-或-SO2-置換之Y的實例包含，例如，環狀醚基(以一個或兩個-O-取代一個或兩個-CH2-之基團)，環狀酮基(以一個或兩個-CO-取代一個或兩個-CH2-之基團)，磺內酯環基(如式(a7-4)所述之分別以-O-及-SO2-取代相鄰的兩個-CH2-之基團)，或內酯環基(分別以-O-及-CO-取代相鄰的兩個-CH2-之基團)。
Y之脂肪族烴基較佳為式(Y1)至式(Y5)所示之基團，更佳為式(Y1)、式(Y2)、式(Y3)或式(Y5)所示之基團，又更佳為式(Y1)及式(Y2)所示之基團。其取代基較佳為羥基。
具有含烷基之脂環族烴基之Y的實例包含下述基團。
具有羥基或含羥基之脂環族烴基之Y的實例包含下述基團。
具有含芳香族烴基之脂環族烴基之Y的實例包含下述基團。
具有含-(CH2)j2-O-CO-Rb1之脂環族烴基之Y的實例包含下述基團。
Y較佳為視需要經，例如，羥基取代之金剛烷基，更佳為金剛烷基及羥基金剛烷基。
磺酸陰離子較佳為其中Lb1為式(b1-1)所示之基團之下述式(b1-1-1)至式(b1-1-9)所示之陰離子。
式(b1-1-1)至式(b1-1-9)中，Q1、Q2及Lb2表示如上述定義之相同意義(較佳係Q1及Q2兩者皆為氟原子)。Rb2及Rb3獨立地表示Y之取代基中所述之相同基團的基團，較佳為C1至C4脂肪族烴基或羥基，更佳為甲基或羥基。
具有Y之鏈狀脂肪族烴基或未經取代之脂環族烴基，及La1之式(b1-1)所示之二價基團的磺酸陰離子的實例包含下述陰離子。
具有Y之未經取代之脂環族烴基或經脂肪族烴基取代之脂環族烴基，及La1之式(b1-1)所示之二價基團之磺酸陰離子的實例包含下述陰離子。
具有Y之經-(CH2)j2-O-CO-Rb1基取代之脂環族烴基，及La1之式(b1-1)所示之二價基團之磺酸陰離子的實例包含下述陰離子。
具有Y之經羥基取代之脂環族烴基，及La1之式(b1-1)所示之二價基團之磺酸陰離子的實例包含下述陰離子。
具有Y之經芳香族烴基或芳烷基取代之脂肪族烴基，及La1之式(b1-1)所示之二價基團之磺酸陰離子的實例包含下述陰離子。
具有Y之環狀醚基，及La1之式(b1-1)所示之二價基團之磺酸陰離子的實例包含下述陰離子。
具有Y之內酯環，及La1之式(b1-1)所示之二價基團之磺酸陰離子的實例包含下述陰離子。
具有Y之環狀酮基，及La1之式(b1-1)所示之二價基團之磺酸陰離子的實例包含下述陰離子。
具有Y之磺內酯基，及La1之式(b1-1)所示之二價基團之磺酸陰離子的實例包含下述陰離子。
具有Y之鏈狀脂肪族烴基或未經取代之脂環族烴基，及La1之式(b1-2)所示之二價基團之磺酸陰離子的實例包含下述陰離子。
具有Y之經-(CH2)j2-O-CO-Rb1基取代之脂環族烴基，及La1之式(b1-2)所示之二價基團之磺酸陰離子的實例包含下述陰離子。
具有Y之經羥基取代之脂環族烴基，及La1之式(b1-2)所示之二價基團之磺酸陰離子的實例包含下述陰離子。
具有Y之經芳香族烴基或芳烷基取代之脂肪族烴基，及La1之式(b1-2)所示之二價基團之磺酸陰離子的實例包含下述陰離子。
具有Y之環狀醚基，及La1之式(b1-2)所示之二價基團之磺酸陰離子的實例包含下述陰離子。
具有Y之內酯環，及La1之式(b1-2)所示之二價基團之磺酸陰離子的實例包含下述陰離子。
具有Y之環狀酮基，及La1之式(b1-2)所示之二價基團之磺酸陰離子的實例包含下述陰離子。
具有Y之磺內酯環基，及La1之式(b1-2)所示之二價基團之磺酸陰離子的實例包含下述陰離子。
具有Y之鏈狀脂肪族烴基，及La1之式(b1-3)所示之二價基團之磺酸陰離子的實例包含下述陰離子。
具有Y之經烷氧基取代之脂環族烴基，及La1之式(b1-3)所示之二價基團之磺酸陰離子的實例包含下述陰離子。
具有Y之經羥基取代之脂環族烴基，及La1之式(b1-3)所示之二價基團之磺酸陰離子的實例包含下述陰離子。
具有Y之環狀酮基，及La1之式(b1-3)所示之二價基團之磺酸陰離子的實例包含下述陰離子。
具有Y之鏈狀脂肪族烴基，及La1之式(b1-4)所示之二價基團之磺酸陰離子的實例包含下述陰離子。
具有Y之經烷氧基取代之脂環族烴基，及La1之式(b1-4)所示之二價基團之磺酸陰離子的實例包含下述陰離子。
具有Y之經羥基取代之脂環族烴基，及La1之式(b1-4)所示之二價基團之磺酸陰離子的實例包含下述陰離子。
具有Y之環狀酮基，及La1之式(b1-4)所示之二價基團之磺酸陰離子的實例包含下述陰離子。
這些之中，較佳為含有La1之式(b1-1)所示之二價基團之磺酸陰離子。較佳之磺酸陰離子的特定實例包含下述陰離子。
尤其，更佳為其中Y為視需要經取代之C3至C18脂環族烴基之磺酸陰離子。
酸產生劑(B)之陽離子的實例包含鎓陽離子，例如，鋶陽離子、錪陽離子、銨陽離子、苯并噻唑鎓陽離子及鏻陽離子。這些之中，較佳為鋶陽離子及錪陽離子，更佳為式(b2-1)至式(b2-4)所示之有機陽離子。
式(B1)之Z+較佳以式(b2-1)至式(b2-4)之任一者表示之。
式中Rb4、Rb5及Rb6獨立地表示C1至C30烴基(其較佳包含C1至C30烷基)、C3至C18脂環族烴基或C6至C18芳香族烴基，該烷基可經羥基、C1至C12烷氧基或C6至C18芳香族烴基取代，脂環族烴基可經鹵素原子、C2至C4醯基及縮水甘油基氧基取代，芳香族烴基可經鹵素原子、羥基、C1至C18烷基、C3至C18脂環族烴基或C1至C12烷氧基取代。
Rb7及Rb8於每次出現時獨立地表示羥基、C1至C12烷基或C1至C12烷氧基；m2及n2獨立地表示0至5之整數；Rb9及Rb10獨立地表示C1至C18烷基或C3至C18脂環族烴基，或者Rb9及Rb10可與和其鍵結之硫原子一起結合以形成含硫之3-至12-員(較佳為3-至7-員)脂環族烴環，且含於脂環族烴環中之-CH2-可被-O-，-S-或-CO-置換；Rb11表示氫原子、C1至C18烷基、C3至C18脂環族烴基或C6至C18芳香族烴基；Rb12表示C1至C18烴基(其較佳包含C1至C18烷基)、C3至C18脂環族烴基及C6至C18芳香族烴基，芳香族烴基可經C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、C3至C18脂環族烴基或C1至C12烷基羰基氧基取代；Rb11及Rb12可與和其鍵結之-CH-CO-一起結合以形成3-至12-員(較佳為3-至7-員)脂環族烴環，且含於脂環族烴環中之-CH2-可被-O-、-S-或-CO-置換；Rb13、Rb14、Rb15、Rb16、Rb17及Rb13於每次出現時獨立地表示羥基、C1至C12烷基或C1至C12烷氧基；Lb11表示-S-或-O-；o2、p2、s2及t2獨立地表示0至5之整數；q2或r2獨立地表示0至4之整數；u2表示0或1之整數。
較佳之烷基的實例包含甲基、乙基、丙基、丁基、己基、辛基及2-乙基己基，尤其，Rb9至Rb11之烷基較佳為C1至C12烷基。
較佳之脂環族烴基的實例包含環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環癸基、2-烷基金剛烷-2-基、1-(金剛烷-1-基)烷-1-基及異冰片基，尤其，Rb9至Rb11之脂環族烴基較佳為C3至C18脂環族烴基，更佳為C4至C12脂環族烴基。
較佳之芳香族烴基的實例包含苯基、4-甲氧基苯基、4-乙基苯基、4-第三丁基苯基、4-環己基苯基、4-甲氧基苯基、聯苯基及萘基。
經烷基取代之芳香族基的實例通常表示芳烷基如苄基、苯乙基、苯丙基、三苯甲基、萘甲基及萘乙基。
具有-CH-CO-且由Rb9與Rb10結合在一起所形成之環的實例包含硫雜環戊-1-鎓環(thiolane-1-ium ring)(四氫噻吩鎓環)、硫雜環己-1-鎓環(thian-1-ium ring)及1,4-氧雜硫雜環己-4-鎓環(1,4-oxathian-4-ium ring)。
具有硫原子且由Rb11與Rb12結合在一起所形成之環的實例包含酮基環庚烷環、酮基環己烷環、酮基降冰片烷環及酮基金剛烷環。
Rb12之烷基羰基氧基的實例包含甲基羰基氧基、乙基羰基氧基、正丙基羰基氧基、異丙基羰基氧基、正丁基羰基氧基、第二丁基羰基氧基、第三丁基羰基氧基、戊基羰基氧基、己基羰基氧基、辛基羰基氧基及2-乙基己基羰基氧基。
式(b2-1)至式(b2-4)所示之陽離子中，較佳為式(b2-1)所示之陽離子，更佳為三苯基鋶陽離子(式(b2-1-1)中v2=w2=x2=0)及三甲苯基鋶陽離子(v2=w2=x2=1，且式(b2-1-1)中Rb19、Rb20及Rb21為甲基)。
式中，Rb19、Rb20及Rb21於每次出現時獨立地表示鹵素原子、羥基、C1至C18脂肪族烴基或C1至C12烷氧基；v2至x2獨立地表示0至5之整數。
脂肪族烴基較佳為C1至C12脂肪族烴基，更佳為C1至C12烷基或C4至C18脂環族烴基。
式(b2-1-1)中，Rb19至Rb21獨立地較佳表示鹵素原子(更佳為氟原子)、羥基、C1至C12烷基或C1至C12烷氧基；以及v2至x2獨立地較佳表示0或1。
式(b2-1-1)之陽離子的特定實例包含下述陽離子。
包含具有該等有機陽離子之酸產生劑(B1)之光阻組成物在製造光阻圖案時可導致良好的聚焦界限(focus margin)。
式(b2-2)之陽離子的特定實例包含下述陽離子。
式(b2-3)之陽離子的特定實例包含下述陽離子。
式(b2-4)之陽離子的特定實例包含下述陽離子。
酸產生劑(B1)係一種上述磺酸陰離子與有機陽離子之組合的化合物。
上述之磺酸陰離子與有機陽離子可視需要地組合，較佳為式(b1-1-1)至式(b1-1-9)所示之陰離子之任一者與式(b2-1-1)所示之陽離子的組合，以及式(b1-1-3)至式(b1-1-5)所示之陰離子之任一者與式(b2-3)所示之陽離子的組合。
較佳之酸產生劑(B1)為式(B1-1)至式(B1-17)所示之鹽。這些之中，較佳為含有三苯基鋶陽離子或三甲苯基鋶陽離子之式(B1-1)、(B1-2)、(B1-3)、(B1-6)、(B1-11)、(B1-12)、(B1-13)及(B1-14)。
酸產生劑(B)可包含酸產生劑(B1)以外之酸產生劑。相對於酸產生劑(B)的總重量(100重量%)，酸產生劑(B1)的比例較佳為70重量%或更多，更佳為90重量%或更多，又更佳為實質上100重量%。
<鹼性化合物(後文可稱為"鹼性化合物(C)")>
本發明之光阻組成物可含有鹼性化合物(C)。鹼性化合物(C)係一種具有淬冷由酸產生劑所產生之酸之性質的化合物，稱為"淬冷劑"。
至於鹼性化合物(C)，較佳為含氮之鹼性化合物(例如，胺及銨鹽)。胺可為脂肪族胺或芳香族胺。脂肪族胺包含一級胺，二級胺及三級胺之任一者。芳香族胺包含其中胺基係鍵結於芳香環之胺如苯胺，及雜-芳香族胺如吡啶。
較佳之鹼性化合物(C)包含式(C2)所示之芳香族胺，特別是式(C2-1)所示之芳香族胺。
式中Arc1表示芳香族烴基；Rc5及Rc6獨立地表示氫原子、脂肪族烴基(較佳為C1至C6鏈狀脂肪族烴基，亦即，烷基，或C5至C10脂環族烴基，亦即，環烷基)或芳香族烴基(較佳為C6至C10芳香族烴基)，含於脂肪族烴基、脂環族烴基及芳香族烴基中之氫原子可被羥基、胺基或C1至C6烷氧基置換，含於胺基中之氫原子可被C1至C4烷基置換；Rc7於每次出現時獨立地表示鏈狀脂肪族烴基(較佳為C1至C6烷基)、C1至C6烷氧基、脂環族烴基(較佳為C5至C10脂環族烴基，更佳為C5至C10環烷基)或芳香族烴基(較佳為C6至C10芳香族烴基)，含於脂肪族烴基、烷氧基、脂環族烴基及芳香族烴基中之氫原子可被羥基、胺基或C1至C6烷氧基置換，含於胺基中之氫原子可被C1至C4烷基置換；m3表示0至3之整數。
式(C2)所示之芳香族胺的特定實例包含1-萘基胺及2-萘基胺。
式(C2-1)所示之苯胺的特定實例包含苯胺，二異丙基苯胺，2-、3-或4-甲基苯胺，4-硝基苯胺，N-甲基苯胺，N,N-二甲基苯胺及二苯基胺。
又，鹼性化合物(C)的實例包含式(C3)至式(C11)所示之化合物；
Rc8、Rc20、Rc21、Rc23、Rc24、Rc25、Rc26、Rc27及Rc28於每次出現時獨立地表示如Rc7所述之基團之任一者；Rc9、Rc10、Rc11、Rc12、Rc13、Rc14、Rc16、Rc17、Rc18、Rc19及Rc22獨立地表示如Rc5及Rc6所述之基團之任一者；Rc15於每次出現時獨立地表示脂肪族烴基、脂環族烴基或烷醯基；n3表示0至8之整數；o3、p3、q3、r3、s3、t3及u3獨立地表示0至3之整數；Lc1及Lc2獨立地表示二價脂肪族烴基(較佳為C1至C6脂肪族烴基，更佳為C1至C6烷二基)、-CO-、-C(=NH)-、-C(=NRc3)-、-S-、-S-S-或其組合；Rc3表示C1至C4烷基。
Rc15之脂肪族烴基較佳為C1至C6脂肪族烴基，更佳為C3至C6脂環族烴基，烷醯基較佳為C2至C6烷醯基。
烷醯基的實例包含乙醯基、2-甲基乙醯基、2,2-二甲基乙醯基、丙醯基、丁醯基、異丁醯基、戊醯基及2,2-二甲基丙醯基。
式(C4)所示之化合物的特定實例包含，例如，哌。
式(C5)所示之化合物的特定實例包含，例如，嗎啉。
式(C6)所示之化合物的特定實例包含，例如，哌，見述於JP H11-52575-A之具有哌骨架之受阻胺化合物。
式(C7)所示之化合物的特定實例包含，例如，2,2’-亞甲基雙苯胺。
式(C8)所示之化合物的特定實例包含，例如，咪唑及4-甲基咪唑。
式(C9)所示之化合物的特定實例包含，例如，吡及4-甲基吡。
式(C10)所示之化合物的特定實例包含，例如，1,2-二(2-吡啶基)乙烷、1,2-二(4-吡啶基)乙烷、1,2-二(2-吡啶基)乙烯、1,2-二(4-吡啶基)乙烯、1,3-二(4-吡啶基)丙烷、1,2-二(4-吡啶基氧基)乙烷、二(2-吡啶基)酮、4,4’-二吡啶基硫化物、4,4’-二吡啶基二硫化物、2,2’-二吡啶基胺及2,2’-二吡啶甲基胺。
式(C11)所示之化合物的特定實例包含，例如，聯吡啶。
式(C3)所示之化合物的特定實例包含，例如，己胺、庚胺、辛胺、壬胺、癸胺、二丁胺、二戊胺、二己胺、二庚胺、二辛胺、二壬胺、二癸胺、三乙胺、三甲胺、三丙胺、三丁胺、三戊胺、三己胺、三庚胺、三辛胺、三壬胺、三癸胺、甲基二丁胺、甲基二戊胺、甲基二己胺、甲基二環己胺、甲基二庚胺、甲基二辛胺、甲基二壬胺、甲基二癸胺、乙基二丁胺、乙基二戊胺、乙基二己胺、乙基二庚胺、乙基二辛胺、乙基二壬胺、乙基二癸胺、二環己基甲胺、參[2-(2-甲氧基乙氧基)乙基]胺、參異丙醇胺、乙二胺、四亞甲二胺、六亞甲二胺、4,4’-二胺基-1,2-二苯基乙烷、4,4’-二胺基-3,3’-二甲基二苯基甲烷及4,4’-二胺基-3,3’-二乙基二苯基甲烷。
氫氧化銨的實例包含氫氧化四甲銨、氫氧化四異丙銨、氫氧化四丁銨、氫氧化四己銨、氫氧化四辛銨、氫氧化苯基三甲銨、氫氧化3-(三氟甲基)苯基三甲銨、水楊酸四正丁銨及膽鹼。
這些之中，二異丙基苯胺(特別是2,6-二異丙基苯胺)為較佳之作為含於本光阻化合物中之鹼性化合物(C)。
<溶劑(後文可稱為"溶劑(D)")>
本發明之光阻組成物可包含溶劑(D)。由良好塗佈性質的觀點來看，溶劑(D)可較佳視具有衍生自化合物(I)之結構單元之樹脂(A)的種類及用量，和酸產生劑的種類及用量選擇之。
溶劑(D)的實例包含二醇醚酯如乙酸乙基溶纖素酯、乙酸甲基溶纖素酯及乙酸丙二醇單甲基醚酯；醚類如二乙二醇二甲基醚；酯類如乳酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸戊酯及丙酮酸乙酯；酮類如丙酮、甲基異丁基酮、2-庚酮及環己酮；及環狀酯類如γ-丁內酯。這些溶劑可以單一溶劑或者兩種或更多種溶劑之混合物使用之。
<其他成分(後文可稱為"其他成分(F)")>
此光阻組成物視需要亦可包含各種添加劑。
其他成分(F)的實例包含敏化劑、解離抑制劑、界面活性劑、安定劑及染料。
<製備光阻組成物>
本光阻組成物可藉由混合樹脂(A)與酸產生劑(B)，或者藉由混合樹脂(A)、酸產生劑(B1)與鹼性化合物(C)、視需要之溶劑(D)和其他成分(F)製備之。混合次序沒有特別限制。混合可以任意次序進行之。混合溫度可在10℃至40℃之範圍內調整至適當溫度，視具有衍生自化合物(I)之結構單元之樹脂(A)的種類及具有衍生自化合物(I)之結構單元之樹脂於溶劑(D)的溶解度而定。混合時間可在0.5至24小時之範圍內調整至適當時間，視混合溫度而定。混合工具沒有特別限制。可採用攪拌混合。
相對於光阻組成物之總固體比例，本發明之光阻組成物較佳含有80重量%或更多，且99重量%或更少之樹脂(A)。
本說明書中，術語"光阻組成物之固體比例"係指溶劑(D)以外之所有成分的總比例。例如，若溶劑(D)的比例為90重量%，則光阻組成物之固體比例為10重量%。
本發明之光阻組成物中，相對於100重量份樹脂(A)，酸產生劑(B)的比例較佳為1重量份或更多(更佳為3重量份或更多)，亦較佳為30重量份或更少(更佳為25重量份或更少)。
當光阻組成物含有鹼性化合物(C)時，相對於光阻組成物之總固體比例，其比例較佳為0.01至1重量%。
溶劑的比例可視樹脂(A)的種類予以調整，其可為90重量%或更多，較佳為92重量%或更多，更佳為94重量%或更多，亦較佳為99.9重量%或更少，更佳為99重量%或更少。若光阻組成物含有該範圍內之溶劑時，此等光阻組成物較佳用於形成可使用於製造30至300 nm厚組成物層之薄光阻膜。
樹脂(A)、酸產生劑(B)、鹼性化合物(C)及溶劑(D)的比例可視本光阻組成物製備期間所使用之各成分予以調整，且可在本光阻組成物製備後，以已知的分析方法如，例如，液相層析術及氣相層析術測量之。
若本光阻組成物中使用其他成分(F)，則其比例亦可視其種類予以調整。
在混合上述成分後，可藉由經由具有約0.01至0.2微米(μm)孔徑之過濾器過濾此混合物而製備本光阻組成物。
<形成光阻圖案之方法>
本發明之形成光阻圖案之方法包含下述步驟：
(1)將本發明之光阻組成物塗敷至基材上；
(2)乾燥所塗敷之組成物以形成組成物層；
(3)使用曝光裝置使組成物層曝光；
(4)加熱經曝光之組成物層；以及
(5)使用顯影裝置使經加熱之組成物層顯影。
將光阻組成物塗敷至基材上通常可經由使用光阻塗敷裝置，如半導體微製造技術領域所知之旋轉塗佈機進行之。所塗敷之光阻組成物層的厚度可藉由控制光阻塗敷裝置之各種條件而予以調整。這些條件可基於先前進行之預實驗選擇之。基材可選自意欲微製造之各種基材。在塗敷光阻組成物之前，基材可經清洗，且可藉由使用市售之抗反射組成物在基材上形成有機抗反射膜。
乾燥經塗敷之組成物層可藉由，例如，使用加熱裝置如加熱板(所謂的"預烘烤")、減壓裝置，或其組合進行之。因此，溶劑自光阻組成物蒸發而形成溶劑被移除之組成物層。加熱裝置或減壓裝置的條件可視所使用之溶劑的種類予以調整。此情形下的溫度通常在50℃至200℃的範圍內。又，壓力通常在1至1.0×105 Pa的範圍內。
通常使用曝光裝置或液體浸漬曝光裝置使由此得到之組成物層曝光。曝光通常係經由對應於所要之圖案之光罩進行之。可使用各種曝光光源，如具有紫外線雷射之輻射線如KrF準分子雷射(波長：248 nm)，ArF準分子雷射(波長：193 nm)，F2準分子雷射(波長：157 nm)，或者來自固態雷射源(YAG或半導體雷射等)或真空紫外線諧波雷射等之具有遠紫外線波長-轉換雷射光之輻射線。又，曝光裝置可為放射電子束或極紫外光(EUV)者。
藉由經由光罩進行上述曝光，可形成具有曝光部份及未曝光部份之組成物層。在曝光部份中，接收到曝光能量時自含於光阻組成物中之酸產生劑產生酸。因此，含於樹脂(A)中之酸不穩定基與酸反應以消除保護基而產生親水基。因此，組成物層之曝光部份中的樹脂變成可溶於鹼性水溶液。另一方面，在未曝光部份中，因為沒有曝光，樹脂(A)依然不溶或難溶於鹼性水溶液。如此一來，在曝光部份中之組成物層與未曝光部份中之組成物層之間存在對鹼性溶液之溶解度的差異。
曝光後，對組成物層施加熱處理(所謂的"曝光後烘烤")以促進去保護反應。加熱處理可使用加熱裝置如加熱板進行之。加熱溫度通常在50℃至200℃的範圍內，較佳為在70℃至150℃的範圍內。
加熱處理後，通常利用鹼性顯影溶液及使用顯影裝置使組成物層顯影。此處顯影係指在加熱處理後使組成物層與鹼性溶液接觸。因此，藉由鹼性溶液溶解組成物層之曝光部份而移除之，組成物層之未曝光部份則依然留在基材上，從而製造出光阻圖案。此處，可使用此領域中所使用之各種鹼性水溶液作為鹼性顯影溶液。實例包含氫氧化四甲銨及氫氧化(2-羥基乙基)三甲銨(俗名：膽鹼)的水溶液。
顯影後，較佳以超純水沖洗基材及圖案且移除基板及圖案上任何殘留的水。
依據本發明之製造光阻圖案之方法，可能形成具有優異MEF之光阻圖案。
<應用>
本發明之光阻組成物可用於作為使用如ArF、KrF等之準分子雷射微影技術的光阻組成物，與用於作為電子束(EB)曝光微影技術和極紫外光(EUV)曝光微影技術的光阻組成物，以及用於作為液體浸漬曝光微影技術之光阻組成物。
本發明之光阻組成物可使用於半導體微製造及液晶、電路板之熱印刷頭等之製造，更進一步使用於其他光製造製程，其可適合地使用於廣範圍的應用。
實施例
本發明將藉由實施例更加明確地說明，其不闡釋為限制本發明的範圍。
除非另有說明，使用於實施例及比較例之表示比例或用量的所有百分比及份數皆以重量計。
重量平均分子量係藉由使用聚苯乙烯作為標準品之凝膠滲透層析術所測定之值。
管柱：TSK凝膠Multipore HXL-Mx3連接+保護管柱(Tosoh公司)
沖提液：四氫呋喃
流動速率：1.0毫升/分鐘(mL/min)
偵測裝置：RI偵測器
管柱溫度：40℃
注射量：100微升(μL)
計算分子量之標準材料：標準聚苯乙烯(Tosoh公司)
樹脂之合成例
使用於合成樹脂之單體如下所示。
這些單體稱為"單體(A)"至"單體(K)"。
樹脂A1之合成
以單體(A)：單體(E)：單體(B)：單體(C)：單體(I)=25：18：3：45：9之莫耳比率將單體(A)、單體(E)、單體(B)、單體(C)與單體(I)混合在一起，再對其添加用量等於單體總量之1.5倍重量之二烷以得到溶液。對其添加相對於單體總量，分別為1莫耳%及3莫耳%之作為起始劑之偶氮雙異丁腈及偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)，使所得之混合物在75℃加熱約5小時。之後，將所得之反應混合物倒入大量甲醇與水之混合物中以沉澱樹脂。過濾所得之樹脂。將由此所得之樹脂溶解在另一二烷中以得到溶液，再將此溶液倒入甲醇與水之混合物中以沉澱樹脂。過濾所得之樹脂。最後兩句所述之這些操作重複兩次，得到69%產率之具有約7600之重量平均分子量的共聚物。具有衍生自下式單體之結構單元之此共聚物，被稱為樹脂A1。
樹脂A2之合成
以單體(A)：單體(E)：單體(B)：單體(C)：單體(D)：單體(I)=32：7：8：10：38：5之莫耳比率將單體(A)、單體(E)、單體(B)、單體(C)、單體(D)與單體(I)混合在一起，再對其添加用量等於單體總量之1.5倍重量之二烷以得到溶液。對其添加相對於單體總量，分別為1莫耳%及3莫耳%之作為起始劑之偶氮雙異丁腈及偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)，使所得之混合物在73℃加熱約5小時。之後，將所得之反應混合物倒入大量甲醇與水之混合物中以沉澱樹脂。過濾所得之樹脂。將由此所得之樹脂溶解在另一二烷中以得到溶液，再將此溶液倒入甲醇與水之混合物中以沉澱樹脂。過濾所得之樹脂。最後兩句所述之這些操作重複兩次，得到62%產率之具有約7800之重量平均分子量的共聚物。具有衍生自下式單體之結構單元之此共聚物，被稱為樹脂A2。
樹脂A3之合成
以單體(A)：單體(B)：單體(C)：單體(I)=50：20：20：10之莫耳比率將單體(A)、單體(B)、單體(C)與單體(I)混合在一起，再對其添加用量等於單體總量之1.5倍重量之二烷以得到溶液。對其添加相對於單體總量，分別為1莫耳%及3莫耳%之作為起始劑之偶氮雙異丁腈及偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)，使所得之混合物在75℃加熱約5小時。之後，將所得之反應混合物倒入大量甲醇與水之混合物中以沉澱樹脂。過濾所得之樹脂。將由此所得之樹脂溶解在另一二烷中以得到溶液，再將此溶液倒入甲醇與水之混合物中以沉澱樹脂。過濾所得之樹脂。最後兩句所述之這些操作重複兩次，得到70%產率之具有約7300之重量平均分子量的共聚物。具有衍生自下式單體之結構單元之此共聚物，被稱為樹脂A3。
樹脂A4之合成
以單體(H)：單體(G)：單體(F)：單體(A)=0.3：39：20.7：40之莫耳比率將單體(H)、單體(G)、單體(F)與單體(A)混合在一起，再對其添加用量等於單體總量之1.5倍重量之二烷以得到溶液。對其添加相對於單體總量，分別為0.9莫耳%及2.7莫耳%之作為起始劑之偶氮雙異丁腈及偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)，使所得之混合物在70℃加熱約5小時。之後，將所得之反應混合物倒入大量甲醇與水之混合物中以沉澱樹脂。過濾所得之樹脂。將由此所得之樹脂溶解在另一二烷中以得到溶液，再將此溶液倒入甲醇與水之混合物中以沉澱樹脂。過濾所得之樹脂。最後兩句所述之這些操作重複兩次，得到68%產率之具有約10000之重量平均分子量的共聚物。具有衍生自下式單體之結構單元之此共聚物，被稱為樹脂A4。
樹脂A5之合成
以單體(G)：單體(F)：單體(A)=40：20：40之莫耳比率將單體(G)、單體(F)、與單體(A)混合在一起，再對其添加用量等於單體總量之1.5倍重量之二烷以得到溶液。對其添加相對於單體總量，分別為1莫耳%及3莫耳%之作為起始劑之偶氮雙異丁腈及偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)，使所得之混合物在70℃加熱約5小時。之後，將所得之反應混合物倒入大量甲醇與水之混合物中以沉澱樹脂。過濾所得之樹脂。將由此所得之樹脂溶解在另一二烷中以得到溶液，再將此溶液倒入甲醇與水之混合物中以沉澱樹脂。過濾所得之樹脂。最後兩句所述之這些操作重複兩次，得到82%產率之具有約8800之重量平均分子量的共聚物。具有衍生自下式單體之結構單元之此共聚物，被稱為樹脂A5。
樹脂A6之合成
以單體(J)：單體(E)：單體(B)：單體(C)：單體(D)：單體(I)=30：14：6：20：20：10之莫耳比率將單體(J)、單體(E)、單體(B)、單體(C)、單體(D)與單體(I)混合在一起，再對其添加用量等於單體總量之1.5倍重量之二烷以得到溶液。對其添加相對於單體總量，分別為1莫耳%及3莫耳%之作為起始劑之偶氮雙異丁腈及偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)，使所得之混合物在70℃加熱約5小時。之後，將所得之反應混合物倒入大量甲醇與水之混合物中以沉澱樹脂。過濾所得之樹脂。將由此所得之樹脂溶解在另一二烷中以得到溶液，再將此溶液倒入甲醇與水之混合物中以沉澱樹脂。過濾所得之樹脂。最後兩句所述之這些操作重複兩次，得到61%產率之具有約7600之重量平均分子量的共聚物。具有衍生自下式單體之結構單元之此共聚物，被稱為樹脂A6。
樹脂A7之合成
以單體(J)：單體(K)：單體(B)：單體(C)：單體(D)：單體(I)=30：14：6：20：20：10之莫耳比率將單體(J)、單體(K)、單體(B)、單體(C)、單體(D)與單體(I)混合在一起，再對其添加用量等於單體總量之1.5倍重量之二烷以得到溶液。對其添加相對於單體總量，分別為1莫耳%及3莫耳%之作為起始劑之偶氮雙異丁腈及偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)，使所得之混合物在70℃加熱約5小時。之後，將所得之反應混合物倒入大量甲醇與水之混合物中以沉澱樹脂。過濾所得之樹脂。將由此所得之樹脂溶解在另一二烷中以得到溶液，再將此溶液倒入甲醇與水之混合物中以沉澱樹脂。過濾所得之樹脂。最後兩句所述之這些操作重複兩次，得到61%產率之具有約7800之重量平均分子量的共聚物。具有衍生自下式單體之結構單元之此共聚物，被稱為樹脂A7。
(製備光阻組成物)
藉由混合及溶解表1中所示之各成分，然後經由具有0.2μm孔徑之氟樹脂過濾器予以過濾而製備光阻組成物。
<樹脂>
A1至A7：合成例所製備之樹脂A1至樹脂A7
<酸產生劑>
酸產生劑B1：
酸產生劑B2：全氟丁基磺酸三苯基鋶(triphenyl sulfonium nonaflate)(C4F9SO3 -)
<淬冷劑>
C1：2,6-二異丙基苯胺
<溶劑>
乙酸丙二醇單甲基醚酯　265.0份
丙二醇單甲基醚　20.0份
2-庚酮　20.0份
γ-丁內酯　3.5份
(製造光阻圖案)
將有機抗反射膜之組成物("ARC-29"，Nissan化學公司)塗敷至矽晶圓上，然後在205℃烘烤60秒，以在各矽晶圓上形成78 nm厚有機抗反射膜。
然後將上述光阻組成物藉由旋轉塗佈而塗敷於其上，使得在乾燥後所得之組成物層的厚度變成85 nm。
然後使所得之晶圓在直接加熱板上於表1 "PB"欄所示之溫度預烘烤60秒以形成組成物層。
然後使用浸潤式微影技術之ArF準分子雷射步進器("XT：1900Gi"，ASML公司出品：NA=1.35，3/42環形，X-Y偏極)，經由逐步改變曝光量，利用光罩圖案(孔間距：100 nm，孔直徑：70 nm)，在其上由此形成有組成物層之晶圓上曝光出接觸孔圖案。使用超純水作為浸潤的介質。
曝光後，於表1 "PEB"欄所示之溫度進行曝光後烘烤60秒。
然後，以2.38重量%(wt%)氫氧化四甲銨水溶液進行漿式顯影60秒以得到光阻圖案。
如上述般，利用光罩圖案(孔間距：100 nm，孔直徑：70 nm)基於光阻組成物製造各光阻圖案。圖案中達到55 nm-孔直徑時之曝光量定義為有效敏感度。
(光罩錯誤因子(MEF)評估)
藉由與上述相同之方法形成光阻圖案，使用其中線圖案的光罩尺寸分別為72 nm、71 nm、70 nm、69 nm及68 nm之光罩。光罩的間距寬度為100 nm。
以光罩尺寸設定為水平軸，且以利用光罩所形成之線圖案的線寬設定為垂直軸繪出所得之結果，由各繪出的圖所得到之回歸線的斜率測定為MEF。
表2顯示其結果。
本光阻組成物在製造光阻圖案時可能達成優異的MEF。
同時，使用比較例1，在製造光阻圖案時具有不良的MEF。
依據本發明之光阻組成物，在製造光阻圖案時可能製得具有優異MEF之光阻圖案。因此，本光阻組成物可使用於半導體微製造。

Claims (12)

  1. 一種樹脂，具有衍生自式(I)所示之化合物的結構單元： 式中，R1表示視需要具有鹵素原子之C1至C6烷基、氫原子或鹵素原子；A1表示式(a-1)所示之基團； 式中，s表示0至2之整數；A10及A11於每次出現時獨立地表示視需要經取代之C1至C5脂肪族烴基；A12表示視需要經取代之C1至C5脂肪族烴基或單鍵；X10及X11於每次出現時獨立地表示氧原子、羰基、羰基氧基或氧基羰基；但A10、A11、A12、X10及X11之碳原子的總數為12或更少；環X1表示C2至C36雜環，該雜環係含有至少1個-CH2-、至少1個羰基、及至少1個氮原子作為環構成原子，且該-CH2-係亦可被-O-或-CO-置換，含於該雜環中之氫原子可被鹵素原子、羥基、C1至C24烴基、C1至 C12烷氧基、C2至C4醯基或C2至C4醯基氧基取代。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之樹脂，其中，式(I)所示之化合物係式(III)所示之化合物： 式中，R1及A1表示與上述者相同之意義；R3、R4、R5、R6、R7及R8於每次出現時獨立地表示氫原子或C1至C24烴基，且R3至R8之至少兩個可結合在一起以形成C3至C30環，含於該烴基或該環中之氫原子可被鹵素原子、羥基、C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、C2至C4醯基或C2至C4醯基氧基置換，且含於該烴基或該環中之-CH2-可被-CO-或-O-置換；t1表示0至3之整數。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之樹脂，其中，式(I)所示之化合物係式(IV)所示之化合物： 式中，R1及A1表示與上述者相同之意義； R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18及R19於每次出現時獨立地表示氫原子或C1至C12烴基，且R10至R19之至少兩個可結合在一起以形成C3至C24環，含於該烴基或該環中之氫原子可被鹵素原子、羥基、C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、C2至C4醯基或C2至C4醯基氧基置換，且含於該烴基或該環中之-CH2-可被-CO-或-O-置換；t2及t3各自表示0至3之整數。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之樹脂，其中式(I)所示之化合物係式(V)所示之化合物： 式中，R1及A1表示與上述者相同之意義；R21於每次出現時表示鹵素原子、羥基、C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、C2至C4醯基或C2至C4醯基氧基；t4表示0至8之整數。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之樹脂，其包括酸不穩定基，且不溶或難溶於鹼性水溶液但藉由酸的作用變成可溶於鹼性水溶液。
  6. 一種光阻組成物，包括如申請專利範圍第1項所述之樹脂，及酸產生劑。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之光阻組成物，其進一步包括溶劑。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之光阻組成物，其進一步包括鹼性化合物。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之光阻組成物，其進一步包括鹼性化合物。
  10. 一種製造光阻圖案之方法，包括下述步驟：(1)將如申請專利範圍第6項所述之光阻組成物塗敷至基材上；(2)乾燥所塗敷之組成物以形成組成物層；(3)使用曝光裝置使該組成物層曝光；(4)加熱經曝光之組成物層；以及(5)使用顯影裝置使經加熱之組成物層顯影。
  11. 一種製造光阻圖案之方法，包括下述步驟：(1)將如申請專利範圍第7項所述之光阻組成物塗敷至基材上；(2)乾燥所塗敷之組成物以形成組成物層；(3)使用曝光裝置使該組成物層曝光；(4)加熱經曝光之組成物層；以及(5)使用顯影裝置使經加熱之組成物層顯影。
  12. 一種製造光阻圖案之方法，包括下述步驟：(1)將如申請專利範圍第8項所述之光阻組成物塗敷至基材上；(2)乾燥所塗敷之組成物以形成組成物層； (3)使用曝光裝置使該組成物層曝光；(4)加熱經曝光之組成物層；以及(5)使用顯影裝置使經加熱之組成物層顯影。
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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101732205B1 (ko) * 2009-08-28 2017-05-02 주식회사 쿠라레 Ｎ-아실-β-락탐 유도체, 고분자 화합물 및 포토레지스트 조성물
CN102002121A (zh) 2009-08-31 2011-04-06 住友化学株式会社 树脂，抗蚀剂组合物和用于制造抗蚀剂图案的方法
US9063414B2 (en) 2010-07-28 2015-06-23 Sumitomo Chemical Company, Limited Photoresist composition
TWI521302B (zh) 2010-08-30 2016-02-11 住友化學股份有限公司 阻劑組成物及阻劑圖案的產生方法
JP5802394B2 (ja) * 2011-01-17 2015-10-28 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法及び高分子化合物
JP5898520B2 (ja) 2011-02-25 2016-04-06 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5829941B2 (ja) * 2011-02-25 2015-12-09 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5947053B2 (ja) 2011-02-25 2016-07-06 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5829939B2 (ja) 2011-02-25 2015-12-09 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5829940B2 (ja) 2011-02-25 2015-12-09 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6034025B2 (ja) 2011-02-25 2016-11-30 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6034026B2 (ja) 2011-02-25 2016-11-30 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5947051B2 (ja) 2011-02-25 2016-07-06 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5898521B2 (ja) 2011-02-25 2016-04-06 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5886696B2 (ja) 2011-07-19 2016-03-16 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5912912B2 (ja) 2011-07-19 2016-04-27 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6013799B2 (ja) 2011-07-19 2016-10-25 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6013797B2 (ja) 2011-07-19 2016-10-25 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6189020B2 (ja) 2011-07-19 2017-08-30 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5611907B2 (ja) * 2011-08-17 2014-10-22 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法
JP5740375B2 (ja) * 2011-09-30 2015-06-24 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法
JP5856441B2 (ja) * 2011-11-09 2016-02-09 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法及び高分子化合物
JP5793489B2 (ja) * 2011-11-30 2015-10-14 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性組成物、それを用いたレジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
JP6123793B2 (ja) * 2012-03-19 2017-05-10 Jsr株式会社 レジストパターン形成方法及びフォトレジスト組成物
JP6283477B2 (ja) * 2012-06-25 2018-02-21 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ アミド成分を含むフォトレジスト
US20160159953A1 (en) * 2013-06-27 2016-06-09 Toyo Gosei Co., Ltd. Reagent for enhancing generation of chemical species
JP6173989B2 (ja) * 2014-08-29 2017-08-02 東芝メモリ株式会社 パターン形成方法
JP7284660B2 (ja) * 2018-08-02 2023-05-31 住友化学株式会社 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

Family Cites Families (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2150691C2 (de) 1971-10-12 1982-09-09 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen Lichtempfindliches Gemisch und Verwendung eines lichtempfindlichen Gemisches zur Herstellung einer Flachdruckplatte
US3779778A (en) 1972-02-09 1973-12-18 Minnesota Mining & Mfg Photosolubilizable compositions and elements
DE2922746A1 (de) 1979-06-05 1980-12-11 Basf Ag Positiv arbeitendes schichtuebertragungsmaterial
US5073476A (en) 1983-05-18 1991-12-17 Ciba-Geigy Corporation Curable composition and the use thereof
JPS61167662A (ja) * 1985-01-21 1986-07-29 Sumitomo Chem Co Ltd Ｎ−アシル化ラクタム基を持つエチレン性不飽和単量体及びその製造方法
JPS62153853A (ja) 1985-12-27 1987-07-08 Toshiba Corp 感光性組成物
JPS6269263A (ja) 1985-09-24 1987-03-30 Toshiba Corp 感光性組成物
US5198520A (en) 1985-12-27 1993-03-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Polysilanes, polysiloxanes and silicone resist materials containing these compounds
US4822716A (en) 1985-12-27 1989-04-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Polysilanes, Polysiloxanes and silicone resist materials containing these compounds
JPS6326653A (ja) 1986-07-21 1988-02-04 Tosoh Corp フオトレジスト材
JPS63146029A (ja) 1986-12-10 1988-06-18 Toshiba Corp 感光性組成物
JPS63146038A (ja) 1986-12-10 1988-06-18 Toshiba Corp 感光性組成物
GB8630129D0 (en) 1986-12-17 1987-01-28 Ciba Geigy Ag Formation of image
US4857437A (en) 1986-12-17 1989-08-15 Ciba-Geigy Corporation Process for the formation of an image
US4760152A (en) * 1987-03-02 1988-07-26 Gaf Corporation Pyrrolidonyl acrylate block polymers
DE3711757A1 (de) * 1987-04-07 1988-10-27 Basf Ag Thermoplastische formmassen auf basis von polyphenylenether
US5166291A (en) * 1988-07-20 1992-11-24 Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation Polyester compositions
US4923694A (en) * 1988-08-25 1990-05-08 Gaf Chemicals Corporation Hydrolysis resistant vinyl lactam amino acrylamide polymers
JP2666402B2 (ja) * 1988-08-26 1997-10-22 日本合成ゴム株式会社 カラーフィルター
US5453341A (en) 1989-04-29 1995-09-26 Schwalm; Reinhold Radiation-sensitive polymers and positive-working recording materials
US5260410A (en) 1989-04-29 1993-11-09 Reinhold Schwalm Radiation-sensitive polymer having acid labile groups and onium salt groups
DE3914407A1 (de) 1989-04-29 1990-10-31 Basf Ag Strahlungsempfindliche polymere und positiv arbeitendes aufzeichnungsmaterial
US5206316A (en) * 1991-09-16 1993-04-27 Isp Investments Inc. Lactam-containing emulsifier systems for water-in-oil emulsion polymers
JPH1152575A (ja) 1997-08-04 1999-02-26 Sumitomo Chem Co Ltd 化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物
JP2002023371A (ja) 2000-07-05 2002-01-23 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
KR100760146B1 (ko) 2000-09-18 2007-09-18 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 수지 조성물
JP5064614B2 (ja) 2001-02-01 2012-10-31 株式会社ダイセル 環式骨格を有する（メタ）アクリル酸エステルの製造法
US20050101740A1 (en) * 2003-09-01 2005-05-12 Nathalie Mougin Block ethylenic copolymers comprising a vinyllactam block, cosmetic compositions containing them and cosmetic use of these copolymers
FR2859210B1 (fr) * 2003-09-01 2008-05-09 Oreal Copolymeres ethyleniques sequences comprenant une sequence vinyllactame, compositions cosmetiques les contenant, et utilisation de ces copolymeres en cosmetique
US20050238594A1 (en) * 2003-09-15 2005-10-27 Nathalie Mougin Block ethylenic copolymers comprising a vinyllactam block, cosmetic or pharmaceutical compositions comprising them and cosmetic use of these copolymers
US7511137B2 (en) 2003-12-19 2009-03-31 Rigel Pharmaceuticals, Inc. Stereoisomers and stereoisomeric mixtures of 1-(2,4-pyrimidinediamino)-2-cyclopentanecarboxamide synthetic intermediates
EP1763514A2 (en) 2004-05-18 2007-03-21 Rigel Pharmaceuticals, Inc. Cycloalkyl substituted pyrimidinediamine compounds and their uses
US7473738B2 (en) * 2004-09-30 2009-01-06 Johnson & Johnson Vision Care, Inc. Lactam polymer derivatives
US8741537B2 (en) 2005-03-04 2014-06-03 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern-forming method using the same
JP4667273B2 (ja) 2005-03-04 2011-04-06 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4687878B2 (ja) * 2005-05-27 2011-05-25 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
EP1945691A2 (en) * 2005-08-26 2008-07-23 Wisconsin Alumni Research Foundation Poly-beta-peptides from functionalized beta-lactam monomers and antibacterial compositions containing same
DE102005052931A1 (de) * 2005-11-03 2007-05-10 Basf Ag Katalytisches Verfahren zur Herstellung von (Meth)acrylaten von N-hydroxyalkylierten Lactamen
TWI480698B (zh) * 2006-03-30 2015-04-11 Jsr Corp 負型敏輻射線性樹脂組成物
EP2003148B1 (en) 2006-03-31 2017-07-19 JSR Corporation Radiation-sensitive resin composition comprising a fluorine-containing polymer
JP5393484B2 (ja) * 2007-02-15 2014-01-22 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア Ｎ−ヒドロキシアルキル化ラクタムの（メタ）アクリル酸エステルの触媒的製造方法
US7923200B2 (en) * 2007-04-09 2011-04-12 Az Electronic Materials Usa Corp. Composition for coating over a photoresist pattern comprising a lactam
US20100166985A1 (en) * 2007-05-18 2010-07-01 Basf Se Aqueous dispersions of (meth)acrylic esters of polymers comprising n-hydroxyalkylated lactam units and use of (meth)acrylic esters of polymers comprising n-hydroxyalkylated lactam units
EP2048539A1 (en) * 2007-09-06 2009-04-15 FUJIFILM Corporation Processed pigment, pigment-dispersed composition, colored photosensitive composition, color filter, liquid crystal display element, and solid image pickup element
JP2009079091A (ja) * 2007-09-25 2009-04-16 Fujifilm Corp 光硬化性コーティング組成物、オーバープリント及びその製造方法
JP5046834B2 (ja) 2007-09-28 2012-10-10 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物およびこれを用いたパターン形成方法
JP5489417B2 (ja) * 2008-04-23 2014-05-14 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4771101B2 (ja) * 2008-09-05 2011-09-14 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
TWI403520B (zh) * 2009-05-25 2013-08-01 Shinetsu Chemical Co 光阻改質用組成物及圖案形成方法
JP5783687B2 (ja) * 2009-06-23 2015-09-24 住友化学株式会社 樹脂及びレジスト組成物
KR101732205B1 (ko) * 2009-08-28 2017-05-02 주식회사 쿠라레 Ｎ-아실-β-락탐 유도체, 고분자 화합물 및 포토레지스트 조성물
CN102002121A (zh) * 2009-08-31 2011-04-06 住友化学株式会社 树脂，抗蚀剂组合物和用于制造抗蚀剂图案的方法
US20120219919A1 (en) * 2011-02-24 2012-08-30 Muthiah Thiyagarajan Composition for Coating over a Photoresist Pattern Comprising a Lactam

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KR101827576B1 (ko) 2018-02-08
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TW201313755A (zh) 2013-04-01

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