TWI538582B - 多層電路板及其製作方法 - Google Patents

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Description

多層電路板及其製作方法
本發明涉及電路板製作領域，尤其涉及一種多層電路板及其製作方法。
印刷電路板因具有裝配密度高等優點而得到了廣泛的應用。關於電路板的應用請參見文獻Takahashi,A.Ooki,N.Nagai,A.Akahoshi,H.Mukoh,A.Wajima,M.Res.Lab,High density multilayer printed circuit board for HITAC M-880，IEEE Trans.on Components,Packaging,and Manufacturing Technology,1992,15(4)：1418-1425。
於多層電路板的製作過程中，通常先從電路板的內層基板開始製作，通過於內層基板的兩側層壓膠層和導電層進行增層。具體為，通過於壓合的膠層中形成盲孔，於盲孔內填充導電材料得到導電孔，再將導電層製作形成導電線路。重複上述的增層操作，得到多層電路板。然後，於各層導電孔的製作過程中，需要與內層的導電線路精準對位。多次進行增層，需要多次對位，多次對位可能使得製成的電路板存於對位偏差。並且，按照這樣的方式製作的多層電路板，需要從內層逐步到外層進行製作，製作流程很長。於每進行一次增層，都會出現製作的不良，從而，於整個電 路板製作完成時，發生電路板製作不良的幾率較高。
有鑑於此，提供一種多層電路板及其製作方法，以能提高電路板製作的對位精度實屬必要。
一種多層電路板的製作方法，包括步驟：提供三個銅箔基板，每個所述銅箔基板包括依次堆疊的第一銅箔層、第一絕緣層及第二銅箔層；將每個銅箔基板的第一銅箔層製作形成第一導電線路層，將第二銅箔層製作形成第二導電線路層，從而將三個銅箔基板製成三個第一電路基板；於其中兩個第一電路基板的第一導電線路層表面壓合半固化狀態的介電層，從而得到兩個第二電路基板，於另一個第一電路基板的第一導電線路層上形成至少一個第一金屬凸塊，並於該第一電路基板的第二導電線路層上形成第二金屬凸塊，得到一個第三電路基板；堆疊所述兩個第二電路基板及一個第三電路基板，使得所述第三電路基板位於兩個第二電路基板之間，使得每個第二電路基板的介電層均與第三電路基板相接觸，一次壓合所述兩個第二電路基板及一個第三電路基板，第一金屬凸塊和第二金屬凸塊分別貫穿一個介電層，並分別與一個第二電路基板的第一導電線路層電導通，得到多層電路板。
一種多層電路板的製作方法，包括步驟：提供2N+3個銅箔基板，每個所述銅箔基板包括依次堆疊的第一銅箔層、第一絕緣層及第二銅箔層，N為大於1的自然數；將每個銅箔基板的第一銅箔層製作形成第一導電線路層，將第二銅箔層製作形成第二導電線路層，從而將2N+3個銅箔基板製成2N+3個第一電路基板；於其中兩個第一電路基板的第一導電線路層表面壓合半固化狀態的介電層， 從而得到兩個第二電路基板，於N個第一電路基板的第一導電線路層表面和第二導電線路層表面分別壓合半固化狀態的介電層，從而得到N個第四電路基板，於另外N+1個第一電路基板的第一導電線路層上形成第一金屬凸塊，並於該第一電路基板的第二導電線路層上形成第二金屬凸塊，得到N+1個第三電路基板；堆疊所述兩個第二電路基板、N+1個第三電路基板及N個第四電路基板，使得N+1個第三電路基板和N個第四電路基板位於兩個第二電路基板之間，並使得相鄰的兩個第三電路基板之間僅有一個第四電路基板，相鄰的兩個第四電路基板之間僅有一個第三電路基板，每個第二電路基板的介電層均與第三電路基板相接觸，一次壓合所述兩個第二電路基板、N+1個第三電路基板及N個第四電路基板，每個第一金屬凸塊貫穿與其相鄰的第二電路基板的介電層或者第四電路基板的一個介電層，並與該第二電路基板或者該第四電路基板的第一導電線路層電導通，每個第二金屬凸塊貫穿與其相鄰的第四電路基板的一個介電層，並與該第四電路基板的第一導電線路層或者第二導電線路層電導通，得到多層電路板。
一種多層電路板，其包括壓合於一起的兩個第二電路基板和一個第三電路基板，所述第二電路基板包括第一電路基板及介電層，所述第三電路基板包括第一電路基板、第一金屬凸塊和第二金屬凸塊，所述第一電路基板包括絕緣層、第一導電線路層以及第二導電線路層，所述第一導電線路層和第二導電線路層分別貼合於絕緣層的相對兩側，所述第二電路基板的介電層形成於第一電路基板的第一導電線路層上，所述第三電路基板的第一金屬凸塊形成於第一電路基板的第一導電線路層上，第二金屬凸塊形成於第二電路基板的第二導電線路層上，所述第三電路基板位於兩個第 二電路基板之間，且每個第二電路基板的介電層均與第三電路基板相接觸，第一金屬凸塊和第二金屬凸塊分別貫穿一個介電層，並分別與第二電路基板的第一導電線路層電導通。
一種多層電路板，其包括壓合於一起的兩個第二電路基板、N+1個第三電路基板及N個第四電路基板，所述第二電路基板包括第一電路基板及介電層，所述第三電路基板包括第一電路基板、第一金屬凸塊和第二金屬凸塊，所述第四電路基板包括第一電路基板及兩個介電層，所述第一電路基板包括絕緣層、第一導電線路層以及第二導電線路層，所述第一導電線路層和第二導電線路層分別貼合於絕緣層的相對兩側，所述第二電路基板的介電層形成於第一電路基板的第一導電線路層上，所述第三電路基板的第一金屬凸塊形成於第一電路基板的第一導電線路層上，第三電路基板的第二金屬凸塊形成於第二電路基板的第二導電線路層上，所述第四電路基板的第一導電線路層和第二導電線路層上分別形成有介電層，N+1個第三電路基板及N個第四電路基板位於兩個第二電路基板之間，相鄰的兩個第三電路基板之間僅有一個第四電路基板，相鄰的兩個第四電路基板之間僅有一個第三電路基板，每個第二電路基板的介電層均與第三電路基板相接觸，第一金屬凸塊和第二金屬凸塊分別貫穿介電層，分別與相鄰的電路基板的導電線路層電導通。
相較於習知技術，本技術方案提供的多層電路板製作方法，同時製作複數第一電路基板，然後部分的第一電路基板通過壓合的方式於部分電路基板的表面形成介電層。另外部分的第一電路基板的導電線路層形成有金屬凸塊。根據需要，堆疊形成有介電層的 電路基板和形成有金屬凸塊的電路基板，從而通過一次壓合，使得金屬凸塊與相鄰的電路基板的導電線路層相互電導通，便可得到多層電路板。由於複數電路基板可以同時進行製作，從而可以縮短電路板製作的時間。
10、50‧‧‧第一電路基板
20、70‧‧‧第二電路基板
30、90‧‧‧第三電路基板
80‧‧‧第四電路基板
40、60‧‧‧介電層
100、200‧‧‧多層電路板
110、210‧‧‧銅箔基板
1101‧‧‧通孔
111、211‧‧‧第一銅箔層
112、212‧‧‧絕緣層
113、213‧‧‧第二銅箔層
114、214‧‧‧導電孔
115、215‧‧‧第一導電線路層
1151、2151‧‧‧第一金屬凸塊
1152、2152‧‧‧第一銅層
1153、2153‧‧‧第一錫層
116、216‧‧‧第二導電線路層
1161、2161‧‧‧第二金屬凸塊
1162、2162‧‧‧第二銅層
1163、2163‧‧‧第二錫層
117‧‧‧第一阻擋層
1171‧‧‧第一通孔
118‧‧‧第二阻擋層
1181‧‧‧第二通孔
圖1係本技術方案第一實施例提供的銅箔基板的剖面示意圖。
圖2係圖1的銅箔基板中形成通孔後的剖面示意圖。
圖3係圖2的銅箔基板中形成導電孔後的剖面示意圖。
圖4係圖3的銅箔基板製作形成第一電路基板後的剖面示意圖。
圖5係圖4的第一電路基板的表面貼合介電層得到第二電路基板的剖面示意圖。
圖6係第一電路基板的兩側分別形成阻擋層後的剖面示意圖。
圖7係圖6的第一電路基板的阻擋層中形成通孔後的剖面示意圖。
圖8係圖7的第一電路基板的阻擋層中通孔形成銅層後的剖面示意圖。
圖9係圖8的第一電路基板的阻擋層的通孔的銅層上形成錫層後的剖面示意圖。
圖10係圖9的第一電路基板製作形成第三電路基板後的剖面示意圖。
圖11係本技術方案第一實施例製作得到的多層電路板的剖面示意圖。
圖12係圖11的多層電路板的外層到點線路層表面形成防焊層後的剖視圖。
圖13係本技術方案第二實施例提供的銅箔基板的剖面示意圖。
圖14係圖13的銅箔基板製作形成第一電路基板後的剖面示意圖。
圖15係圖14的第一電路基板表面貼合介電層後得到第二電路基板後的剖面示意圖。
圖16係圖14的第一電路基板兩個相對表面貼合介電層後得到第四電路基板後的剖面示意圖。
圖17係圖14的第一電路基板製作形成第三電路基板後的剖面示意圖。
圖18係本技術方案第二實施例提供的方法製得的多層電路板的剖面示意圖。
圖19係圖18的多層電路板的外層導電線路層表面形成防焊層後的剖視圖。
下面以製作六層電路板為例，來說明本技術方案第一實施例提供的多層電路板的製作方法，所述的多層電路板的製作方法包括如下步驟：
第一步，請參閱圖1，提供三個雙面的銅箔基板110。
雙面的銅箔基板110包括依次堆疊的第一銅箔層111、絕緣層112及第二銅箔層113。銅箔基板110可以為軟性的銅箔基板，也可以為硬性的銅箔基板。
第二步，請參閱圖2至圖4，於每個銅箔基板110內形成導電孔114，並將第一銅箔層111製作形成第一導電線路層115，將第二銅箔層113製作形成第二導電線路層116，第一導電線路層115和第二導電線路層116通過導電孔114相互電導通，從而得到三個第一電路基板10。
導電孔114的形成可以採用如下方法：首先，採用紫外雷射及二氧化碳雷射燒蝕的方式於每個銅箔基板110內形成貫穿第一銅箔層111、絕緣層112和第二銅箔層113的通孔1101。然後，採用電鍍的方式於所述通孔1101的內部電鍍金屬，從而得到導電孔114。優選地，於進行電鍍時，電鍍的金屬將所述通孔完全填充。
第一導電線路層115和第二導電線路層116通過影像轉移工藝及蝕刻工藝形成。
本實施例中，三個第一電路基板10中的第一導電線路層115和第二導電線路層116根據實際要製得的電路板進行設定，各第一電路基板10中的第一導電線路層115和第二導電線路層116設置可以相同，也可以不同。
第三步，請參閱圖5，於其中兩個第一電路基板10的第一導電線路層115上壓合介電層40，從而得到兩個第二電路基板20。
本實施例中，介電層40採用味之素組成薄膜(Ajinomoto build-up film，ABF)製成。採用真空壓合機分別於兩個第一電路基板10的第一導電線路層115上壓合味之素組成薄膜形成介電層40。經過壓合之後，介電層40為半固化(B-stage)狀態，即該介電層40加熱加壓下會軟化，冷卻後會反應固化。
第四步，請一併參閱圖6至圖10，將另外一個第一電路基板10的第一導電線路層115上形成第一金屬凸塊1151，於第二導電線路層116上形成第二金屬凸塊1161，從而得到第三電路基板30。
本實施例中，第一金屬凸塊1151和第二金屬凸塊1161的形成包括如下步驟：首先，於第一電路基板10的第一導電線路層115上形成第一阻擋層117，於第二導電線路層116上形成第二阻擋層118。
第一阻擋層117和第二阻擋層118可以為顯影性光致抗蝕劑材料。第一阻擋層117和第二阻擋層118可以通過印刷方式形成，也可以通過貼合膜狀材料的方式形成。第一阻擋層117的厚度和第二阻擋層118的厚度與介電層40的厚度大致相等。
其次，採用雷射切割的方式於第一阻擋層117內形成第一通孔1171，使得部分第一導電線路層115從第一通孔1171處露出，於第二阻擋層118內形成第二通孔1181，使得部分第二導電線路層116從第二通孔1181處露出。
本步驟中，通過控制採用雷射的能量，使得第一通孔1171僅貫穿第一阻擋層117，第二通孔1181僅貫穿第二阻擋層118。
再次，於第一通孔1171內形成第一金屬凸塊1151，於第二通孔1181內形成第二金屬凸塊1161。
具體地，先於第一通孔1171內電鍍銅形成第一銅層1152，使得電鍍的第一銅層1152部分填充第一通孔1171。於第二通孔1181內電鍍銅形成第二銅層1162，使得電鍍的第二銅層1162部分填充第二通孔1181。再於電鍍的第一銅層1152的表面電鍍金屬錫形成第一 錫層1153，於第二銅層1162的表面也電鍍金屬錫形成第二錫層1163。
最後，將第一阻擋層117和第二阻擋層118去除，從而得到凸出於第一導電線路層115的第一金屬凸塊1151和凸出於第二導電線路層116的第二金屬凸塊1161。第一金屬凸塊1151由與第一導電線路層115相連接第一銅層1152及形成於第一銅層1152遠離第一導電線路層115的一端的第一錫層1153組成。第二金屬凸塊1161由與第二導電線路層116相連接第二銅層1162及形成於第二銅層1162遠離第二導電線路層116的一端的第二錫層1163組成。
可以理解，第一金屬凸塊1151和第二金屬凸塊1161的個數可以根據實際需要進行設定，第一金屬凸塊1151和第二金屬凸塊1161的數量可以分別為兩個或者兩個以上。本實施例的圖示中，僅繪示一個第一金屬凸塊1151和一個第二金屬凸塊1161以進行示意。
如圖10所示，本實施例中，將所述第一金屬凸塊1151形成於所述第一導電線路層115一側之導電孔114之表面，所述第二金屬凸塊1161形成於所述第二導電線路層116一側之導電孔114之表面。
第五步，請參閱圖11，堆疊兩個第二電路基板20及一個第三電路基板30，使得第三電路基板30位於兩個第二電路基板20之間，使得每個第二電路基板20的介電層40均與第三電路基板30相接觸，一次壓合所述兩個第二電路基板20及一個第三電路基板30，經過壓合，第一金屬凸塊1151和第二金屬凸塊1161分別貫穿介電層40，分別與第二電路基板20的第一導電線路層115相接觸，得到預製電路板。
本步驟中，採用真空壓合機進行一次性壓合，由於介電層40為半固化狀態，於進行壓合時，第一金屬凸塊1151和第二金屬凸塊1161分別貫穿介電層40，分別與第二電路基板20的第一導電線路層115相接觸。
第六步，對所述預製電路板回流烘烤，使得第一錫層1153和第二錫層1163分別與其接觸的第二電路基板20的第一導電線路層115相互結合。
本步驟中，將預製電路板101至於回流爐中進行加熱，加熱的峰值溫度為210攝氏度至230攝氏度，使得第一錫層1153和第二錫層1163熔化，從而與接觸的第二電路基板20的第一導電線路層115相互結合，從而使得兩個第二電路基板20的第一導電線路層115與第三電路基板30相互電導通。
第七步，介完全固化回流烘烤之後的所述預製電路板的介電層40，從而得到多層電路板100。
本步驟中，通過對回流烘烤之後的所述預製電路板進行烘烤的方法使得介電層40固化。烘烤的溫度為100攝氏度至150攝氏度，烘烤時間為30分鐘至90分鐘。
於本步驟之後，請參閱圖12，還可以進一步包括於外層的第二電路基板20的第二導電線路層116表面形成防焊層101的步驟。
請參閱圖11及圖12，本實施例製得的多層電路板100，其包括壓合於一起的兩個第二電路基板20和一個第三電路基板30，所述第二電路基板20包括第一電路基板10及介電層40，所述第三電路基板30包括第一電路基板10、第一金屬凸塊1151和第二金屬凸塊 1161，所述第一電路基板10包括絕緣層112、形成於絕緣層112一表面的第一導電線路層115以及形成於絕緣層112另一相對表面的第二導電線路層116，所述介電層40形成於第一電路基板10的第一導電線路層115上，第一金屬凸塊1151形成於第一電路基板10的第一導電線路層115上，第二金屬凸塊1161形成於第一電路基板10的第二導電線路層116上，所述第三電路基板30位於兩個第二電路基板20之間，且每個第二電路基板20的介電層40均與第三電路基板30相接觸，第一金屬凸塊1151和第二金屬凸塊1161分別貫穿介電層40，分別與第二電路基板20的第一導電線路層115相接觸。
其中所述介電層40的材料為味之素組成薄膜。所述第一金屬凸塊1151包括第一銅層1152和第一錫層1153，所述第二金屬凸塊1161包括第二銅層1162和第二錫層1163，所述第一錫層1153和第二錫層1163分別與相鄰的電路基板的導電線路層相結合。
本技術方案第二實施例也提供一種多層電路板的製作方法，該方法包括步驟：
第一步，請參閱圖13，提供五個雙面的銅箔基板210。
雙面的銅箔基板210包括依次堆疊的第一銅箔層211、絕緣層212及第二銅箔層213。銅箔基板210可以為軟性的銅箔基板，也可以為硬性的銅箔基板。
第二步，請參閱圖14，於每個銅箔基板210內形成導電孔214，並將第一銅箔層211製作形成第一導電線路層215，將第二銅箔層213製作形成第二導電線路層216，第一導電線路層215和第二導 電線路層216通過導電孔214相互電導通，從而得到五個第一電路基板50。
導電孔214的形成可以採用如下方法：首先，採用紫外雷射及二氧化碳雷射燒蝕的方式於每個銅箔基板210的第一銅箔層211、絕緣層212和第二銅箔層213內形成通孔。然後，採用電鍍的方式於所述通孔的內部電鍍金屬，從而得到導電孔214。優選地，於進行電鍍時，電鍍的金屬將所述通孔完全填充。
第一導電線路層215和第二導電線路層216通過影像轉移工藝及蝕刻工藝形成。
本實施例中，五個第一電路基板50中的第一導電線路層215和第二導電線路層216根據實際要製得的電路板進行設定，各第一電路基板50中的第一導電線路層215和第二導電線路層216設置可以相同，也可以不同。
第三步，請參閱圖15及圖16，於其中兩個第一電路基板50的第一導電線路層215上壓合介電層60，從而得到兩個第二電路基板70，並將其中另一個第一電路基板50的第一導電線路層215和第二導電線路層216上均壓合介電層60，形成第四電路基板80。
本實施例中，介電層60採用味之素組成薄膜(Ajinomoto build-up film，ABF)製成。採用真空壓合機分別於兩個第一電路基板50的第一導電線路層215上壓合味之素組成薄膜形成介電層60。經過壓合之後，介電層60為半固化(B-stage)狀態。
第四步，請參閱圖17，將另兩個第一電路基板50的第一導電線路層215上形成至少一個第一金屬凸塊2151，於第二導電線路層216 上形成至少一個第二金屬凸塊2161，從而得到兩個第三電路基板90。
本實施例中，第一金屬凸塊2151和第二金屬凸塊2161的形成與第一實施例中的第一金屬凸塊1151和第二金屬凸塊1161的形成方法相同。第一金屬凸塊2151由與第一導電線路層215相連接第一銅層2152及形成於第一銅層2152遠離第一導電線路層215的一端的第一錫層2153組成。第二金屬凸塊2161由與第二導電線路層216相連接第二銅層2162及形成於第二銅層2162遠離第二導電線路層216的一端的第二錫層2163組成。
如圖17所示，本實施例中，將所述第一金屬凸塊2151形成於所述第一導電線路層215一側的導電孔214之表面，所述第二金屬凸塊2161形成於所述第二導電線路層216一側的導電孔214之表面。
第五步，請參閱圖18，堆疊兩個第二電路基板70、兩個第三電路基板90及一個第四電路基板80，使得兩個第三電路基板90位於兩個第二電路基板70之間，第四電路基板80位於兩個第三電路基板90之間，使得每個第二電路基板70的介電層60均與第三電路基板90相接觸，第四電路基板80的兩個介電層60分別與一個第三電路基板90相接觸，一次壓合所述兩個第二電路基板70、兩個第三電路基板90及一個第四電路基板80，經過壓合，第一金屬凸塊2151和第二金屬凸塊2161分別貫穿與其相鄰的介電層60，分別與第二電路基板20的第二導電線路層116、第四電路基板80的第一導電線路層215和第四電路基板80的第二導電線路層216相接觸，得到預製電路板。
本步驟中，採用真空壓合機進行一次性壓合，由於介電層60為半 固化狀態，於進行壓合時，第一金屬凸塊2151和第二金屬凸塊2161分別貫穿與其接觸的介電層60，從而分別與第二電路基板70的第二導電線路層116、第四電路基板80的第一導電線路層215和第四電路基板80的第二導電線路層216相接觸。
第六步，對預製電路板201回流烘烤，使得第一錫層2153和第二錫層2163分別與第二電路基板70的第二導電線路層116、第四電路基板80的第一導電線路層215和第四電路基板80的第二導電線路層216相互結合。
本步驟中，將預製電路板201至於回流爐中進行加熱，加熱的峰值溫度為210攝氏度至230攝氏度，使得第一錫層2153和第二錫層2163熔化，從而與其接觸的第二電路基板70的第二導電線路層116、第四電路基板80的第一導電線路層215和第四電路基板80的第二導電線路層216相互結合，從而使得兩個第二電路基板70、兩個第三電路基板90及一個第四電路基板80相互電導通。
第七步，固化回流烘烤之後的所述預製電路板內的介電層60，從而得到多層電路板200。本步驟中，通過對回流烘烤之後的所述預製電路板進行烘烤的方法使得介電層60固化。烘烤的溫度為100攝氏度至150攝氏度，烘烤時間為30分鐘至90分鐘。
於本步驟之後，請參閱圖19，還可以進一步包括於外層的第二電路基板70的第二導電線路層216表面形成防焊層201的步驟。
可以理解，採用本技術方案提供的多層電路板的製作方法還可以用於製作更多層的電路板，只需要於兩個第二電路基板70之間設置N+1個第三電路基板90及N個第四電路基板80，並使得相鄰的兩 個第三電路基板90之間僅有一個第四電路基板80，相鄰的兩個第四電路基板80之間僅有一個第三電路基板90，其中N為大於或者等於1的自然數。經過一次壓合之後便可以得到多層的預製電路板。然後進行第六步及第七步對所述預製電路板進行處理，便可得到多層電路板。
採用本實施例提供的多層電路板製作方法製得的多層電路板，其包括壓合於一起的兩個第二電路基板70、N+1個第三電路基板90及N個第四電路基板80，所述第二電路基板70包括第一電路基板50及介電層60，所述第三電路基板90包括第一電路基板50、第一金屬凸塊2151和第二金屬凸塊2161，所述第四電路基板80包括第一電路基板50及兩個介電層60，所述第一電路基板50包括絕緣層212、形成於絕緣層一表面的第一導電線路層215以及形成於絕緣層另一相對表面的第二導電線路層216，所述第二電路基板70的介電層60形成於第一電路基板50的第一導電線路層215上，所述第三電路基板90的第一金屬凸塊2151形成於第一電路基板50的第一導電線路層215上，第二金屬凸塊2161形成於第一電路基板50的第二導電線路層216上，所述第四電路基板80的第一導電線路層215和第二導電線路層216上分別形成有介電層60，N+1個第三電路基板90及N個第四電路基板80位於兩個第二電路基板70之間，相鄰的兩個第三電路基板90之間僅有一個第四電路基板80，相鄰的兩個第四電路基板80之間僅有一個第三電路基板90，每個第二電路基板70的介電層60均與第三電路基板90相接觸，第一金屬凸塊2151和第二金屬凸塊2161分別貫穿介電層60，分別與相鄰的電路基板的導電線路層電導通。
其中所述介電層60的材料為味之素組成薄膜。所述第一金屬凸塊2151包括第一銅層2152和第一錫層2153，所述第二金屬凸塊2161包括第二銅層2162和第二錫層2163，所述第一錫層2153和第二錫層2163分別與相鄰的電路基板的導電線路層相結合。
本技術方案提供的多層電路板製作方法，同時製作複數第一電路基板，然後部分的第一電路基板通過壓合的方式於部分電路基板的表面形成介電層。另外部分的第一電路基板的導電線路層形成有金屬凸塊。根據需要，堆疊形成有介電層的電路基板和形成有金屬凸塊的電路基板，從而通過一次壓合，使得金屬凸塊與相鄰的電路基板的導電線路層相互接觸，便可得到多層電路板。由於複數電路基板可以同時進行製作，從而可以縮短電路板製作的時間。由於各電路基板分別單獨製作，相較於先前技術中逐層疊加的方式，能夠降低電路板製作的不良率。
綜上所述，本發明符合發明專利要件，爰依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施例，舉凡熟悉本案技藝之人士，於爰依本發明精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下之申請專利範圍內。
10‧‧‧第一電路基板
20‧‧‧第二電路基板
30‧‧‧第三電路基板
40‧‧‧介電層
100‧‧‧多層電路板
115‧‧‧第一導電線路層
1151‧‧‧第一金屬凸塊
1152‧‧‧第一銅層
1153‧‧‧第一錫層
1161‧‧‧第二金屬凸塊
1162‧‧‧第二銅層
1163‧‧‧第二錫層

Claims (10)

  1. 一種多層電路板的製作方法，包括步驟：提供三個銅箔基板，每個所述銅箔基板包括依次堆疊的第一銅箔層、第一絕緣層及第二銅箔層，每個所述銅箔基板內還形成有貫穿第一銅箔層、絕緣層和第二銅箔層的通孔；將金屬完全填充於所述通孔得到導電孔，將每個銅箔基板的第一銅箔層製作形成第一導電線路層，將第二銅箔層製作形成第二導電線路層，第一導電線路層和第二導電線路層通過導電孔相互電導通，從而將三個銅箔基板製成三個第一電路基板；於其中兩個第一電路基板的第一導電線路層表面壓合半固化狀態的介電層，從而得到兩個第二電路基板，於另一個第一電路基板的第一導電線路層一側的導電孔表面上形成至少一個第一金屬凸塊，所述第一金屬凸塊包括第一銅層和第一錫層，並於該第一電路基板的第二導電線路層一側的導電孔表面上形成至少一個第二金屬凸塊，所述第二金屬凸塊包括第二銅層和第二錫層，得到一個第三電路基板；堆疊所述兩個第二電路基板及一個第三電路基板，使得所述第三電路基板位於兩個第二電路基板之間，每個第二電路基板的介電層均與第三電路基板相接觸，並一次壓合所述兩個第二電路基板及一個第三電路基板，第一金屬凸塊和第二金屬凸塊分別貫穿一個介電層，並分別與一個第二電路基板的第一導電線路層電導通，對壓合後的複數電路基板進行回流烘烤，使得第一錫層和第二錫層熔化並與其接觸的導電線路層相互結合，從而得到多層電路板。
  2. 一種多層電路板的製作方法，包括步驟： 提供2N+3個銅箔基板，每個所述銅箔基板包括依次堆疊的第一銅箔層、第一絕緣層及第二銅箔層，於每個所述銅箔基板的第一銅箔層、絕緣層和第二銅箔層內形成通孔，N為大於1的自然數；將金屬完全填充於所述通孔得到導電孔，將每個銅箔基板的第一銅箔層製作形成第一導電線路層，將第二銅箔層製作形成第二導電線路層，第一導電線路層和第二導電線路層通過導電孔相互電導通，從而將2N+3個銅箔基板製成2N+3個第一電路基板；於其中兩個第一電路基板的第一導電線路層表面壓合半固化狀態的介電層，從而得到兩個第二電路基板，於N個第一電路基板的第一導電線路層表面和第二導電線路層表面分別壓合半固化狀態的介電層，從而得到N個第四電路基板，於另外N+1個第一電路基板的第一導電線路層一側的導電孔表面上形成至少一個第一金屬凸塊，所述第一金屬凸塊包括第一銅層和第一錫層，並於該第一電路基板的第二導電線路層一側的導電孔表面上形成至少一個第二金屬凸塊，所述第二金屬凸塊包括第二銅層和第二錫層，得到N+1個第三電路基板；堆疊所述兩個第二電路基板、N+1個第三電路基板及N個第四電路基板，使得N+1個第三電路基板和N個第四電路基板位於兩個第二電路基板之間，相鄰的兩個第三電路基板之間僅有一個第四電路基板，相鄰的兩個第四電路基板之間僅有一個第三電路基板，每個第二電路基板的介電層均與第三電路基板相接觸，並一次壓合所述兩個第二電路基板、N+1個第三電路基板及N個第四電路基板，每個第一金屬凸塊貫穿與其相鄰的第二電路基板的介電層或者第四電路基板的一個介電層，並與該第二電路基板或者該第四電路基板的第一導電線路層電導通，每個第二金屬凸塊貫穿與其相鄰的第四電路基板的一個介電層，並與該第四電路基板的第一導電線路層或者第二導電線路層電導通，對壓合後的複數電路基板進行回 流烘烤，使得第一錫層和第二錫層熔化並與其接觸的導電線路層相互結合，從而得到多層電路板。
  3. 如請求項1或2所述的多層電路板的製作方法，其中，所述介電層的材料為味之素組成薄膜。
  4. 如請求項1或2所述的多層電路板的製作方法，其中，形成所述第一金屬凸塊和第二金屬凸塊包括步驟：於第一電路基板的第一導電線路層上形成第一阻擋層，於第二導電線路層上形成第二阻擋層；採用雷射切割的方式於第一阻擋層內形成第一通孔，使得部分第一導電線路層從第一通孔處露出，於第二阻擋層內形成第二通孔，使得部分第二導電線路層從第二通孔處露出；於第一通孔內電鍍銅形成第一銅層，於第二通孔內電鍍銅形成第二銅層；於電鍍的第一銅層的表面電鍍金屬錫形成第一錫層，於第二銅層的表面也電鍍金屬錫形成第二錫層；以及將第一阻擋層和第二阻擋層去除。
  5. 如請求項4所述的多層電路板的製作方法，其中，於對壓合後的複數電路基板進行回流烘烤之後，還包括固化介電層的步驟。
  6. 如請求項1或2所述的多層電路板的製作方法，其中，於壓合之後，還包括固化介電層的步驟。
  7. 一種多層電路板，其包括壓合於一起的兩個第二電路基板和一個第三電路基板，所述第二電路基板包括第一電路基板及介電層，所述第三電路基板包括第一電路基板、至少一個第一金屬凸塊和至少一個第二金屬凸塊，所述第一電路基板包括絕緣層、第一導電線路層以及第二導電線路層，所述第一導電線路層和第二導電線路層分別貼合於絕緣層的相對兩 側，所述第二電路基板的介電層形成於第一電路基板的第一導電線路層上，所述第三電路基板的第一金屬凸塊形成於第一電路基板的第一導電線路層一側的導電孔表面上，所述第一金屬凸塊包括第一銅層和第一錫層，第二金屬凸塊形成於第二電路基板的第二導電線路層一側的導電孔表面上，所述第二金屬凸塊包括第二銅層和第二錫層，所述第三電路基板位於兩個第二電路基板之間，且每個第二電路基板的介電層均與第三電路基板相接觸，第一金屬凸塊和第二金屬凸塊分別貫穿一個介電層，所述第一錫層和第二錫層分別與相鄰的第二電路基板的第一導電線路層電導通並相結合。
  8. 一種多層電路板，其包括壓合於一起的兩個第二電路基板、N+1個第三電路基板及N個第四電路基板，所述第二電路基板包括第一電路基板及介電層，所述第三電路基板包括第一電路基板、至少一個第一金屬凸塊和至少一個第二金屬凸塊，所述第四電路基板包括第一電路基板及兩個介電層，所述第一電路基板包括絕緣層、第一導電線路層以及第二導電線路層，所述第一導電線路層和第二導電線路層分別貼合於絕緣層的相對兩側，所述第二電路基板的介電層形成於第一電路基板的第一導電線路層上，所述第三電路基板的第一金屬凸塊形成於第一電路基板的第一導電線路層一側的導電孔表面上，所述第一金屬凸塊包括第一銅層和第一錫層，第三電路基板的第二金屬凸塊形成於第二電路基板的第二導電線路層一側的導電孔表面上，所述第二金屬凸塊包括第二銅層和第二錫層，所述第四電路基板的第一導電線路層和第二導電線路層上分別形成有介電層，N+1個第三電路基板及N個第四電路基板位於兩個第二電路基板之間，相鄰的兩個第三電路基板之間僅有一個第四電路基板，相鄰的兩個第四電路基板之間僅有一個第三電路基板，每個第二電路基板的介電層均與第三電路基板相接觸，每個第一金屬凸塊貫穿與其相鄰的第二電路 基板的介電層或者第四電路基板的一個介電層，所述第一錫層與該第二電路基板或者該第四電路基板的第一導電線路層電導通並相結合，每個第二金屬凸塊貫穿與其相鄰的第四電路基板的一個介電層，所述第二錫層與該第四電路基板的第一導電線路層或者第二導電線路層電導通並相結合。
  9. 如請求項7或8所述的多層電路板，其中，所述介電層的材料為味之素組成薄膜。
  10. 如請求項7或8所述的多層電路板，其中，所述第一錫層和第二錫層經回流烘烤分別與相鄰的電路基板的導電線路層相結合。
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