TWI538400B - 訊號處理裝置 - Google Patents

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TWI538400B
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川崎研一
田中悠介
山岸弘幸
阿里 哈吉米里
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新力股份有限公司
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Description

訊號處理裝置
本技術係關於一種訊號處理裝置，且更特定言之，係關於一種能夠減少(例如)IC(積體電路)或類似物之製造成本之訊號處理裝置。
在電子設備中，其上安裝IC(包含LSI(大型積體電路))之板容納於外殼中。
最近，IC已形成為SoC(系統單晶片)。根據SoC，雖然多功能性降級，但是相較於藉由使用複數個一般用途半導體晶片實施一系列功能之情況，可達成佔據區域之減少，速度之增加及功耗之減少。
在電子設備中，可將(例如)係由金屬或類似物製成之導電體之金屬線用作安裝於相同板上之IC與另一IC，安裝於不同板上之IC或類似物之間之資料傳輸的傳輸媒體。因此，在IC中，可將透過金屬線傳輸及接收訊號之輸入/輸出介面用作用於將訊號傳輸至外部電路及從外部電路接收訊號之輸入/輸出介面。
但是，在透過金屬線之通信(資料傳輸)中，對於金屬線之佈線，可對板上之IC配置或電子設備之外殼中之板配置進行限制。
如此，已提出透過經由自由空間之無線通信傳輸電路之間之訊號的訊號處理裝置(例如，參見JP-A-2003-179821)。
根據經由自由空間之無線通信，相較於透過金屬線之通信，可改進板上之IC配置之自由度或電子設備之外殼內部之板配置。
但是，在透過經由自由空間之無線通信傳輸訊號之電路(諸如IC)中，可使用(例如)用於(例如)透過經由自由空間之無線通信接收及傳輸訊號之輸入/輸出介面。
因此，例如，對於使用透過金屬線傳輸及接收訊號之輸入/輸出介面之IC，從板或類似物上之IC配置之觀點而言，在需要透過經由自由空間之無線通信傳輸及接收訊號之情況中，有必要重製包含輸入/輸出介面之IC，且結果，IC之製造成本增加。
不僅在傳輸媒體類型改變之情況(諸如，IC傳輸及接收訊號所利用之傳輸媒體從金屬線改變為自由空間之情況)中，而且在傳輸媒體之特性改變之情況中，可發生如上IC之重製。
如此，期望藉由防止重製電路(諸如IC)來減少製造成本。
本技術之實施例針對一種訊號處理裝置，其包含：複數個訊號處理電路。該訊號處理電路包含由用作一預定頻帶之一訊號之一輸入介面的一輸入電路及用作該預定頻帶之一訊號之一輸出介面的一輸出電路之一者或兩者組態之一輸入/輸出電路且執行該訊號處理電路與另一訊號處理電路之間之該預定頻帶之一訊號的傳輸，該等訊號處理電路 之一者之該輸出電路及另一訊號處理電路之該輸出電路包含具有相同組態之電路，該一個訊號處理電路之該輸入電路及該另一訊號處理電路之該輸入電路包含具有相同組態之其他電路，且甚至在調解變具有互相不同之特性之複數個傳輸媒體之任一者的情況中，該一個訊號處理電路之該輸入/輸出電路及該另一訊號處理電路之該輸入/輸出電路可執行該預定頻帶之一訊號之傳輸。
在以上描述之訊號處理裝置中，該訊號處理電路包含由用作一預定頻帶之一訊號之一輸入介面的一輸入電路及用作該預定頻帶之一訊號之一輸出介面的一輸出電路之一者或兩者組態之一輸入/輸出電路且執行該訊號處理電路與另一訊號處理電路之間之該預定頻帶之一訊號的傳輸。此外，該等訊號處理電路之一者之該輸出電路及另一訊號處理電路之該輸出電路包含具有相同組態之電路，該一個訊號處理電路之該輸入電路及該另一訊號處理電路之該輸入電路包含具有相同組態之其他電路，且甚至在調解變具有互相不同之特性之複數個傳輸媒體之任一者的情況中，該一個訊號處理電路之該輸入/輸出電路及該另一訊號處理電路之該輸入/輸出電路可執行該預定頻帶之一訊號之傳輸。
根據本技術之實施例，可藉由防止重製電路來減少製造成本。
[根據本技術之實施例之輸入/輸出電路]
圖1係繪示根據本技術之實施例之輸入/輸出電路之組態實例的方塊圖。
如圖1中所示，輸入/輸出電路1及2之每一者組態於半導體晶片(諸如CMOS(互補金屬氧化物半導體))上。半導體晶片用作將訊號傳輸至外部電路及從外部電路接收訊號之介面。
此處，例如，假設輸入/輸出電路1及2組態於不同半導體晶片上。
輸入/輸出電路1包含輸出電路100及輸入電路110。
輸出電路100包含一個或多個傳輸單元1011、1012、...、101N、多工器102及墊(PAD)103且用作將預定頻帶之訊號(諸如高頻帶之訊號)輸出至外部之輸出介面。
換言之，基頻帶訊號(例如，串列資料)從圖中未繪示之其中組態輸入/輸出電路1之半導體晶片內之電路供應至傳輸單元101i。
傳輸單元101i執行作為基頻帶訊號之串列資料之頻率轉換且輸出為高頻帶訊號之轉換之後之一訊號。
因此，傳輸單元101i用作執行基頻帶訊號變為作為高頻帶訊號之轉換之後之一訊號之頻率轉換的轉換電路。
由傳輸單元101i輸出之轉換之後之訊號供應至多工器102。
多工器102合成(多工)從傳輸單元1011至101N之每一者輸出之轉換之後之訊號且輸出合成之訊號。
此處，當由傳輸單元101i輸出之轉換之後之訊號之頻帶 的中心頻率由fsi指示時，多工器102可由用於將具有由傳輸單元101i輸出之頻率fsi之中心頻率之轉換之後之訊號的頻帶限於預定頻寬之BPF(帶通濾波器)及連接限制由傳輸單元1011至101N輸出之轉換之後之訊號之頻帶之每一者的N個BPF之輸出之連接線的連接點組態。
現在，當組態多工器102之N個BPF之中的用於限制具有由傳輸單元101i輸出之頻率fsi之中心頻率之轉換之後之訊號之頻帶的BPF指示為BPF#i時，在由N個BPF#1至BPF#N及連接N個BPF#1至BPF#N之輸出之連接線之連接點組態的多工器102中，在BPF#i中，限制由傳輸單元101i輸出之轉換之後之訊號之頻帶，且接著，從N個BPF#1至BPF#N輸出之轉換之後之訊號在連接N個BPF#1至BPF#N之輸出之連接線的連接點處合成。
由多工器102輸出之合成訊號(即，藉由執行由傳輸單元1011至101N輸出之轉換之後之訊號之頻率多工獲得之訊號)從墊103輸出且透過預定傳輸媒體傳輸。
如上，從其中組態輸入/輸出電路1之半導體晶片獲得之串列資料作為合成訊號傳輸至另一半導體晶片(例如，其中組態輸入/輸出電路2之半導體晶片)。
類似於作為另一輸入/輸出電路之輸入/輸出電路2(從輸入/輸出電路1來看)之將在稍後描述之輸入電路210組態輸入電路110。
輸入/輸出電路2包含輸出電路200及輸入電路210。
類似於作為另一輸入/輸出電路之輸入/輸出電路1(從輸 入/輸出電路2來看)之輸出電路100組態輸出電路200。
輸入電路210包含墊211、解多工器212及一個或多個接收單元2131、2132、...、213N且用作接收預定頻帶之訊號(諸如高頻帶之訊號)之輸入的輸入介面。
換言之，透過預定傳輸媒體傳輸之合成訊號輸入(供應)至墊211且輸入至墊211之合成訊號供應至解多工器212。
解多工器212將包含於供應至接收單元2131至213N之合成訊號中之轉換之後之訊號分配至該等接收單元之每一者中，該等訊號具有至少接收單元213i執行頻率轉換所針對之目標頻帶。
此處，如稍後描述，雖然接收單元213i執行用於將轉換之後之訊號轉換為基頻帶訊號的頻率轉換，但是當作為接收單元213i之頻率目標的轉換之後之訊號的頻帶之中心頻率由fri指示時，解多工器212至少將包含於從墊211傳輸之合成訊號中的轉換之後之訊號(其中中心頻率係頻率fri)分配至接收單元213i。
如上之解多工器212可由(例如)用於從合成訊號擷取具有作為接收單元213i執行頻率轉換所針對之目標的頻率fri之中心頻率的轉換之後之訊號的BPF及連接用於接收單元2131至213N之N個BPF之輸入之連接線的連接點組態。
現在，在組態解多工器212之N個BPF之中，當用於擷取具有頻率fri之中心頻率的轉換之後之訊號的BPF由BPF'#i指示時，在由N個BPF'#1至BPF'#N及連接N個BPF'#1至BPF'#N之輸入之每一者之連接線之連接點組態的解多工器 212中，合成訊號從連接N個BPF'#i至BPF'#N之輸入連接線之每一者之連接點供應至N個BPF'#i至BPF'#N之每一者。接著，在BPF'#i中，具有頻率fri之中心頻率的轉換之後之訊號被擷取且供應(分配)至接收單元213i。
此外，當從輸入/輸出電路1傳輸之資料由輸入/輸出電路2接收時，由傳輸單元101i處置之轉換之後的訊號之頻率fsi及由接收單元213i處置之轉換之後的訊號之頻率fri係相同的。
接收單元213i執行具有頻率fri之中心頻率且從解多工器212傳輸的轉換之後之訊號的頻率轉換且輸出作為基頻帶訊號之串列資料。
因此，接收單元213i用作執行係高頻帶訊號變為基頻帶訊號的轉換之後之訊號的頻率轉換之逆轉換電路。
由接收單元213i輸出之串列資料供應至未繪示於圖中之其中組態輸入/輸出電路2之半導體晶片內之電路。
如上，由其中組態輸入/輸出電路2之半導體晶片從另一半導體晶片(例如，其中組態輸入/輸出電路1之半導體晶片)接收作為合成訊號傳輸之串列資料。
此外，由傳輸單元101i處置之轉換之後的訊號之頻率fsi及由另一傳輸單元101i處置之轉換之後的訊號之頻率fsi'(i≠i')彼此不同。此類似地適用於由接收單元213i處置之轉換之後的訊號之頻率fri。
此外，可僅由輸出電路100或輸入電路110組態輸入/輸出電路1。類似地，可僅由輸出電路200或輸入電路210組 態輸入電路2。
例如，在僅執行從其中組態輸入/輸出電路1之半導體晶片至其中組態輸入/輸出電路2之半導體晶片之資料傳輸之情況中，可僅由輸出電路100組態輸入/輸出電路1，且可僅由輸入電路210組態輸入電路2。
此外，在僅一傳輸單元1011安置於輸出電路100中之情況中，可組態輸出電路100而無需配置多工器102。類似地，在僅一接收單元2131安置於輸入電路210中之情況中，可組態輸入電路210而無需配置解多工器212。安置於輸出電路100中之傳輸單元1011至101N之數量N及安置於輸入電路210中之接收單元2131至213N之數量N經設定，使得可(例如)基於資料從輸出電路100傳輸至輸入電路210之資料速率及類似物在資料速率下執行資料傳輸。
此處，因為類似地組態輸入/輸出電路1之輸入電路110及輸入/輸出電路2之輸入電路210，所以輸入電路110包含類似於包含於輸入電路210中之墊211之墊(未繪示於圖中)。在輸入/輸出電路1中，包含於輸出電路100中之墊103及包含於輸入電路110中之未繪示於圖中之墊可由一個墊提供。此同樣地適用於輸入/輸出電路2。
[傳輸單元101i之組態實例]
圖2係繪示圖1中所示之傳輸單元101i之組態實例輸之方塊圖。
例如，傳輸單元101i執行(例如)基頻帶訊號變為毫波區訊號之頻率轉換(升頻轉換器)。
此處，毫波區訊號係具有約30GHz至300GHz頻率(具有約1mm至10mm之波形)之訊號。根據毫波區訊號，頻率係高且因此，資料傳輸可在高速率下執行，且在以無線方式執行傳輸及接收之情況中，例如，約1mm之接合導線用作天線。
傳輸單元101i包含振盪器71i、混頻器72i及放大器73i。
例如，振盪器71i透過振盪產生毫波區之載波且將載波供應至混頻器72i。
由傳輸單元101i輸出之轉換之後的訊號之中心頻率fsi相對應於包含於傳輸單元101i中之由振盪器71i產生的載波之頻率。
載波從振盪器71i供應至混頻器72i且供應係基頻帶訊號之串列資料。
此處，當供應至混頻器72i之串列資料之資料速率(例如)為約2.5Gbps至5.0Gbps，以減少透過傳輸單元1011至101N之每一者中執行之串列資料之頻率轉換獲得的轉換之後之訊號之間的干擾且容許轉換之後之訊號與藉由合成轉換之後之訊號獲得之合成訊號分開時，較佳的是，由振盪器71i產生之載波之頻率(例如)係30GHz或更高。
混頻器72i執行串列資料及從振盪器71i傳輸之載波之混頻(乘法)，從振盪器71i傳輸之載波係根據串列資料調變，調變訊號之頻率轉換獲得為其結果(即，變為相對應於從振盪器71i傳輸之載波之頻帶之RF(無線電頻率)訊號之作為基頻帶訊號之串列資料)且接著所得訊號供應至放大器 73i。
放大器73i放大作為從混頻器72i傳輸之轉換之後之訊號的RF訊號且輸出作為轉換之後之放大訊號之RF訊號。
由放大器73i輸出之轉換之後之訊號供應至多工器102(圖1)。
[接收單元213i之組態實例]
圖3係繪示圖1中所示之接收單元213i之組態實例之方塊圖。
例如，接收單元213i執行用於毫波區變為基頻帶訊號之逆轉換(降頻轉換器)之頻率轉換。
接收單元213i包含放大器81i、振盪器82i及混頻器83i。
將至少包含具有接收單元213i之目標頻帶的轉換之後之訊號的RF訊號從解多工器212(圖1)供應至放大器81i。
放大器81i放大供應至其之RF訊號且將透過放大獲得之作為具有為接收單元213i用於頻率轉換之目標之頻帶之轉換之後之訊號的RF訊號供應至振盪器82i及混頻器83i。
例如，振盪器82i根據從放大器81i傳輸之作為注入訊號的轉換之後之訊號(RF訊號)操作且透過振盪產生與作為注入訊號之轉換之後之訊號(其載波)同步的再現載波(即，相對應於用於變為轉換之後之訊號之頻率轉換的載波之再現載波)且將再現載波供應至混頻器83i。
混頻器83i藉由執行從放大器81i傳輸之轉換之後之訊號及從振盪器82i傳輸之再現載波之混頻(相乘)調變轉換之後之訊號(調變訊號)且輸出作為其結果獲得之解調變訊號， 即，藉由執行轉換之後之訊號變為基頻帶訊號之頻率轉換獲得之串列資料。
在圖3中所示之接收單元213i中，對於RF訊號之偵測，使用其中RF訊號及再現載波相乘在一起之同步偵測，對於用於同步偵測之再現載波之產生，使用其中RF訊號用作注入訊號之注入同步，且執行用於將轉換之後之訊號轉換為基頻帶訊號之頻率轉換。但是，其中RF訊號之偵測透過平方律偵測執行之方法，其中RF訊號之偵測透過同步偵測執行且PLL(相鎖迴路)用於產生用於同步偵測之再現載波之方法或類似物可用作接收單元213i中使用之頻率轉換方法。
[放大器73i及81i之組態實例]
圖4係繪示可用作圖2中所示之放大器73i及圖3中所示之放大器81i之RF放大器之組態實例之電路圖。
因為放大器73i及81i係放大RF訊號之RF放大器，可類似地組態其等。
如圖4中繪示，電容器C1之一端連接至RF放大器之輸入端子T1，且電容器C1之另一端連接至線圈L1之一端。此外，線圈L1之另一端連接至DC電源供應器Vcc1之正端子，DC電源供應器Vcc1之負端子接地。
電容器C1及線圈L1之連接點連接至具有接地之源極之FET(MOS FET)#1之閘極。
FET#1之汲極連接至FET(MOS FET)#2之源極，且fet#2之閘極及汲極分別連接至線圈L2之一端及另一端。
此外，FET#1及FET#2之基板接地。
FET#2之閘極及線圈L2之連接點連接至具有接地之負端子之DC電源供應器Vcc2之正端子。
FET#2之汲極及線圈L2之連接點連接至電容器C2之一端，且電容器C2之另一端連接至RF放大器之輸出端子T2。
可透過級聯連接使用圖4中所示之RF放大器，且可藉由僅使用圖4中所示之一RF放大器來組態放大器73i及81i之每一者，或根據需要，藉由圖4中所示之複數個RF放大器之級聯連接來組態放大器73i及81i之每一者。
此外，在藉由僅使用圖4中所示之一RF放大器來組態放大器73i或81i之情況中，每一者具有接地端之電阻器R1及R2之另一端連接至輸入端子T1及輸出端子T2。
在下文中，為了簡化描述，假設僅藉由圖4中所示之一RF放大器來組態放大器73i及81i之每一者。
因為放大器73i及81i放大作為具有高頻率之訊號的毫波區之RF訊號，所以可將電感器用作作為放大器73i及81i之RF放大器之輸入側或輸出側之負載。
對於毫波區，可將小型電感線圈用作電感器，且易於將此線圈組態於CMOS上。
在圖4中所示之RF放大器中，線圈L1係輸入側電感器，且線圈L2係輸出側電感器。
在電感器用作RF放大器之輸入側負載之情況中，RF放大器之輸入側之頻率特性具有如BPF之頻率特性之帶通濾 波器類型特性，且頻帶之部分之訊號可與輸入(供應)至RF放大器之RF訊號分開且被放大。
此外，在電感器用作RF放大器之輸出側負載之情況中，RF放大器之輸出側之頻率特性具有如BPF之頻率特性之帶通濾波器類型特性，且可限制從RF放大器輸出之RF訊號之頻帶。
如上，藉由將其輸入側負載或輸出側負載係電感器之RF放大器用作放大器73i及81i，輸入側或輸出側之頻率特性具有帶通濾波器類型之特性。因此，可藉由使用連接連接線之連接點而無需使用圖1中描述之BPF來組態輸出電路100之多工器102或輸入電路210之解多工器212。
此外，對於藉由至少將輸入側及輸出側之中之RF放大器之輸出側之頻率特性組態為帶通濾波器類型之特性的作為連接至多工器102之傳輸單元101i之放大器73i之RF放大器，可在不使用BPF下組態多工器102。
因此，對於作為連接至多工器102之傳輸單元101i之放大器73i之RF放大器，可將除了電感器之外之負載用作輸入側負載，換言之，可使用電阻器來代替線圈L1。
此外，對於藉由至少將輸入側及輸出側之中之RF放大器之輸入側之頻率特性組態為帶通濾波器類型之特性的作為連接至解多工器212之接收單元213i之放大器81i之RF放大器，可在不使用BPF下組態解多工器212。
因此，對於作為連接至解多工器212之接收單元213i之放大器81i之RF放大器，可將除了電感器之外之負載用作 輸出側負載，換言之，可使用電阻器來代替線圈L2。
但是，在等於或高於特定位準之增益為作為接收單元213i之放大器81i之RF放大器所必需之情況中，較佳的是，除了電阻器之外之電感器用作輸出側負載。
如上，藉由在不使用BPF下組態多工器102及解多工器212，輸出電路100及輸入電路210與輸入/輸出電路1及2可經組態以便具有小尺寸。
[用於資料傳輸之由輸入/輸出電路1及2使用之傳輸媒體]
圖5係繪示用於資料傳輸(例如，從輸入/輸出電路1之輸出電路100至輸入/輸出電路2之輸入電路210之資料傳輸)之由圖1中所示之輸入/輸出電路1及2使用之傳輸媒體的圖。
在輸入/輸出電路1及2之間，例如，使用毫波區中之轉換之後之訊號(用作調解變)，且因此，可在不重製輸入/輸出電路1及2下透過具有不同特性(傳輸特性)之傳輸媒體執行資料傳輸。
更明確言之，例如，雖然包含金屬線(銅線)(諸如銅線)、介電波導(諸如塑膠波導)、自由空間及類似物之不同類型之傳輸媒體具有互相不同之傳輸特性，但是可藉由調解變輸入/輸出電路1及2之間之具有不同傳輸特性之傳輸媒體之任一者來執行資料傳輸。
此外，甚至相同類型之傳輸媒體具有互相不同之傳輸特性。由於類型上差異及相同類型之傳輸媒體具有互相不同之傳輸特性，所以具有不同傳輸特性之傳輸媒體可為具有互相不同之傳輸特性之傳輸媒體之任一者。
此處，例如，雖然共面帶狀線係金屬線之傳輸媒體且係由配置成彼此平行之兩個帶狀導體組態之平衡傳輸線(其中交換差動訊號之傳輸線)，但是(例如)其中切去兩個帶狀導體之部分之共面帶狀線及其中並不切斷兩個帶狀導體，而是使其等連續之共面帶狀線相對應於具有互相不同之傳輸特性的相同種類之傳輸媒體。
圖6係繪示金屬線(銅線)、介電波導(塑膠波導)及自由空間之傳輸特性之圖。
此外，可將(例如)其中從兩個帶狀導體之每一者之一端至另一端之長度係約25mm之共面帶狀線用作金屬線。可將(例如)從一端至另一端之長度係約120mm且寬度係2mm之塑膠波導用作介電波導。可將(例如)約5mm之空間(空氣中)用作自由空間。
圖6係示意性繪示上文描述之金屬線、介電波導及自由空間之傳輸特性(振幅特性)之圖。
金屬線具有與LPF(低通濾波器)之傳輸特性相同之傳輸特性，介電波導有與HPF(高通濾波器)之傳輸特性相同之傳輸特性，且自由空間具有與BPF之傳輸特性相同之傳輸特性。
作為傳輸媒體用於輸入/輸出電路1及2之間之資料傳輸的金屬線、介電波導及自由空間之所有傳輸特性係用於使(例如)作為輸入/輸出電路1及2之間之資料傳輸之間使用的毫波區之頻帶的約40GHz至100GHz之頻帶通過之特性。
在輸入/輸出電路1及2之間執行資料傳輸之情況中，如 參考圖1所描述，雖然由傳輸單元101i處置之轉換之後的訊號之頻率fsi及由接收單元213i處置之轉換之後的訊號之頻率fri係相同的，但是當相同頻率由fi(=fsi=fri)指示，且f1、f2、...、fN滿足f1<f2<…<fN之條件時，可將(例如)高於30 GHz之頻率用作頻率f1，且可將(例如)低於300 GHz之頻率用作頻率fN。
因為可透過具有不同特性(傳輸特性)之傳輸媒體在輸入/輸出電路1及2之間執行資料傳輸，所以甚至在用於輸入/輸出電路1及2之間之傳輸的傳輸媒體改變之情況中，無必要重製其中組態輸入/輸出電路1或2之半導體晶片，且結果，可減少半導體晶片(此外，使用此半導體晶片之作為訊號處理裝置之電子裝置)之製造成本。
此外，輸入/輸出電路1之輸出電路100及輸入/輸出電路2之輸出電路200包含作為具有相同組態之電路之傳輸單元101i。此外，輸入/輸出電路1之輸入電路110及輸入/輸出電路2之輸入電路210包含作為具有相同組態之其他電路之接收單元213i。此外，如圖1中所示，輸入/輸出電路1之輸出電路100及輸入/輸出電路2之輸出電路200具有相同組態，且輸入/輸出電路1之輸入電路110及輸入/輸出電路2之輸入電路210具有相同組態。
如上，類似地組態輸入/輸出電路1及2，且無必要改變用於每個傳輸媒體之資料傳輸之組態，且可以簡易方式執行輸入/輸出電路1及2之大量生產。
此外，在介電波導或自由空間用作用於輸入/輸出電路1 及2之間之資料傳輸之傳輸媒體的情況中，用於將毫波區之RF訊號有效地輻射至介電波導或自由空間中之天線可連接至係與傳輸媒體連接之連接器的作為耦合器之墊103及211。在此天線中，例如，可使用具有毫波區中之波長λ之1/2(或更多)之長度的接合線或線圈(迴路天線)。
此外，由於透過墊103及211的毫波區之訊號之RF訊號之簡易量測(量測毫波區之訊號之量測裝置之探測器相對應於單端訊號)，安裝於CMOS晶片上之電路之簡單電路組態及低功耗，所以期望將可交換單端訊號之單端I/F用作輸出毫波區之訊號之傳輸單元101i、輸出RF訊號之輸出電路100之部分之電路、接收毫波區之訊號之輸入之接收單元213i及接收輸入電路210之RF訊號之輸入電路210之部分之電路。
另一方面，例如，作為金屬線之傳輸媒體之共面帶狀線係可交換差動訊號之平衡傳輸線(差動傳輸線)。
因此，在共面帶狀線用作採用單端I/F之輸出電路100與輸入電路210之間之傳輸媒體之情況中，有必要將執行單端訊號與差動訊號之間之轉換(平衡-不平衡(非平衡)轉換)的稱為平衡-不平衡轉換器之電路連接至墊103及211。
但是，在平衡-不平衡轉換器連接至墊103及211之情況中，增加藉由使用利用輸入/輸出電路1或2之半導體晶片組態之電子裝置之大小，且增加其製造成本。
如此，在為差動傳輸線之共面帶狀線用作傳輸媒體之情況中，該共面帶狀線可經組態，使得交換訊號分量所在之 墊103(211)係電及直接連接至組態共面帶狀線之兩個導體之中之一個導體，且輸出電路100(輸入電路210)之未繪示於圖中之接地(GND)直接連接至另一導體。
在此情況中，為從輸出電路100之墊103輸出之單端訊號的毫波區之訊號在共面帶狀線中作為差動訊號傳輸(至輸入電路210)。
在使用單端訊號之資料傳輸中，相較於使用差動訊號之資料傳輸，存在更多不必要之輻射，且對從外部(傳輸單端訊號所利用之傳輸線之外部)傳輸之雜訊之抵抗較弱，藉此可使資料傳輸之品質退化。但是，藉由將單端訊號作為差動訊號傳輸，可執行具有高品質之資料傳輸。
此外，通常而言，差動傳輸線之阻抗高於單端I/F之阻抗，且在差動傳輸線之阻抗及單端I/F之阻抗通常彼此不同之情況中，由於由阻抗失配引起之反射，可阻止具有高品質之資料傳輸。
因此，在作為差動傳輸線之共面帶狀線用作傳輸媒體之情況中，藉由配置介電體，減少共面帶狀線之阻抗(特性阻抗)，以便達成阻抗匹配。
換言之，藉由增加電容減少作為差動傳輸線之共面帶狀線之特性阻抗。如此，藉由配置為差動傳輸線之共面帶狀線上之介電質，可減少共面帶狀線之電容且此外，減少其特性阻抗。
此外，在為差動傳輸線之共面帶狀線用作傳輸媒體之情況中，具有約λ/4之長度之短截線可連接至組態共面帶狀 線之兩個導體之中之一個導體，該導體連接至交換訊號分量所在之墊103(211)。
因為短截線用作BPF，所以可消除低頻率雜訊，且減少共面帶狀線上之共模雜訊，藉此可改進差動模式(正常模式)之傳輸特性。
[根據本技術之實施例之電子裝置之組態實例]
圖7係繪示根據本技術之實施例的作為訊號處理裝置之電子裝置之組態實例之透視圖。
電子裝置由複數個板組態，且複數個板容納於電子裝置之外殼中。圖7繪示容納於電子裝置之外殼內部之複數個板之中的兩個板300及400。
板300及400係平坦的板狀印刷板，且經配置，以便在一平面上對準。
在作為板300之一面之前面上，安裝作為訊號處理電路之半導體晶片(在下文中，簡單地稱作晶片)310，且在與前面相對之如由圖中之虛線指示之後面上，安裝晶片320。
晶片310包含(併入)輸入/輸出電路(I/O)311及312，且晶片320包含輸入/輸出電路321。
在作為板400之一面之前面上，安裝晶片410、420、430及440。
晶片410包含輸入/輸出電路411、412、413、414及415，且晶片420包含輸入/輸出電路421，晶片430包含輸入/輸出電路431，且晶片440包含輸入/輸出電路441。
如上，如圖7中所示，作為訊號處理裝置之電子裝置包 含作為複數個訊號處理電路之六個(或更多個)晶片310、320及410至440。
類似於輸入/輸出電路1(圖1)組態輸入/輸出電路311、312、321、411至415、421、431及441。因此，在具有不同特性之複數個傳輸媒體(諸如金屬線、介電波導、自由空間或類似物)之任一者在相對應之輸入/輸出電路與另一輸入/輸出電路之間調解變之情況中，輸入/輸出電路311、312、321、411至415、421、431及441可執行資料傳輸。
如圖7中所示，用於透過自由空間交換電波之天線連接至安裝於板300之前面上之晶片310之輸入/輸出電路311及安裝於板300之後面上之晶片320之輸入/輸出電路321之部分，該部分相對應於圖1中所示之墊103或211。
因此，輸入/輸出電路311及321透過自由空間(無線)執行資料傳輸(當板300被認作介電波導時，板300作為介電波導)。
此外，如圖7中所示，用於透過自由空間交換電波之天線連接至安裝於板300上之晶片310之輸入/輸出電路312及安裝於其他板400(除了板300之外之板)上之晶片410之輸入/輸出電路412之部分，該部分相對應於圖1中所示之墊103或211。
因此，輸入/輸出電路312及412透過自由空間(無線)執行資料傳輸。
此外，如圖7中所示，用於透過介電波導(諸如，具有高效率之塑膠波導)交換作為RF訊號之毫波區之訊號之天線 可連接至安裝於板400上之晶片410之輸入/輸出電路411之部分，該部分相對應於圖1中所示之墊103或211。
此外，連接至未在圖中所示及未在板400(或板300)上所示之外部電路之帶狀塑膠波導經配置，使得一端與連接至輸入/輸出電路411之天線接觸。
因此，在安裝於板400上之晶片410之輸入/輸出電路411與未在圖中所示之外部電路之間，透過作為介電波導之塑膠波導執行資料傳輸。
此外，如圖7中所示，用於透過介電波導(諸如，具有高效率之塑膠波導)交換作為RF訊號之毫波區之電波之天線可連接至安裝於板400上之晶片410之輸入/輸出電路413及安裝於板400上之晶片420之輸入/輸出電路421之部分，該等部分相對應於圖1中所示之墊103或211。
接著，帶狀塑膠波導經配置，使得一端與連接至輸入/輸出電路413之天線接觸，且另一端與連接至輸入/輸出電路421之天線接觸。
因此，輸入/輸出電路413及421透過作為介電波導之塑膠波導執行資料傳輸。
此外，如圖7中所示，金屬線(銅線)(諸如，共面帶狀線)之一端及另一端可連接至安裝於板400上之晶片410之輸入/輸出電路414及安裝於板400上之晶片430之輸入/輸出電路431之部分，該等部分相對應於圖1中所示之墊103或211。
因此，輸入/輸出電路414及431透過金屬線(銅線)(諸如，共面帶狀線)執行資料傳輸。
此外，如圖7中所示，用於透過自由空間交換電波之天線可連接至安裝於板400上之晶片410之輸入/輸出電路415及安裝於板400上之晶片440之輸入/輸出電路441之部分，該等部分相對應於圖1中所示之墊103或211。
因此，輸入/輸出電路415及441透過自由空間(無線)執行資料傳輸。
雖然透過自由空間之資料傳輸對於抵抗來自外部之中斷(干預)較弱，但是佈線並非必需且例如，由於佈局及類似物之關係，對並不易於佈線之晶片之間之資料傳輸採用自由空間。
對於透過介電波導之資料傳輸，雖然有必要配置具有與用於資料傳輸之RF訊號(例如，毫波區之電波中之波長)成比例之一寬度之介電質，但是甚至對於長距離，可在高效率下傳輸毫波區之訊號。因此，例如，可對定位成彼此離得較遠之晶片之間之資料傳輸採用介電波導。
雖然，在透過金屬線之資料傳輸中，對於較長距離之資料傳輸，雖然難以忽略電阻，且效率降低，但是佈線所必需之區域較小，且毫波區之電場可集中於小範圍。因此，例如，對於定位成接近於彼此之晶片或其中以窄間隔或類似物配置許多佈線之晶片之間之資料傳輸採用金屬線。
類似於輸入/輸出電路1(圖1)組態輸入/輸出電路311、312、321、411至415、421、431及441且甚至在自由空間、介電波導或金屬線之任一者用作傳輸媒體之情況中，無必要重製輸入/輸出電路。
因此，甚至在自由空間、介電質及金屬線之任一者用作傳輸媒體之情況中，無必要重製晶片310、320及410至440。
在圖7中，雖然分別為自由空間用作晶片310與320之間之傳輸媒體，自由空間用作晶片310與410之間之傳輸媒體，塑膠波導用作晶片410與420之間之傳輸媒體，金屬線用作晶片410與430之間之傳輸媒體且自由空間用作晶片410與440之間之傳輸媒體，但是晶片之間之傳輸媒體並不限於其等。
換言之，例如，在圖7中，可將作為相同傳輸媒體或類似物之自由空間用作晶片310與320之間之傳輸媒體，用作晶片310與410之間之傳輸媒體，用作晶片410與420之間之傳輸媒體，用作晶片410與430之間之傳輸媒體及用作晶片410與440之間之傳輸媒體。
此外，其後，例如，僅其中可配置塑膠波導之晶片之間之傳輸媒體可從自由空間變為塑膠波導。
此處，板300及400容納於電子裝置之外殼內部，且外殼內部係一種封閉空間，藉此外殼內部之通信環境幾乎沒有改變。
因此，在透過外殼內部之自由空間之資料傳輸中，干擾有點穩定，且可相對以簡易方式設定針對干擾之對策。
[晶片之配置實例]
圖8係繪示組態電子裝置之晶片配置之第一實例之截面圖。
在圖8中，平坦的板狀板1100及1200配置成彼此平行，以便容許平坦的板狀面面向彼此。
在板1100中，晶片1110安裝於作為一面之前面上。
晶片1110包含類似於輸入/輸出電路1(圖1)組態之輸入/輸出電路(未繪示於圖中)，且耦合器1101(諸如，用於在自由空間或介電波導中有效地輻射毫波區之電波之天線)連接至相對應於輸入/輸出電路之墊103或211(圖1)之一部分。
在板1200中，晶片1210及1220安裝於作為一面之前面上。
晶片1210及1220兩者包含類似於輸入/輸出電路1(圖1)組態之輸入/輸出電路(未繪示於圖中)。
類似於耦合器1101之耦合器1201及1202可分別連接至相對應於墊103及211(圖1)之包含於晶片1210及1220中之輸入/輸出電路之部分。
此外，在板1200中，帶狀塑膠波導1203經配置，使得一端及另一端分別與耦合器1201及1202接觸。
此外，安裝於板1100上之晶片1110及安裝於板1200上之晶片1210經配置，使得耦合器1101及1201面向彼此。
在其中晶片1110、1210及1220係如上配置之電子裝置中，安裝於板1100上之晶片1110及安裝於另一板1200上之晶片1210藉由透過自由空間交換毫波區之電波來執行資料傳輸。
此外，安裝於板1200上之晶片1210及1220藉由透過塑膠波導1203交換毫波區之電波來執行資料傳輸。
圖9係繪示組態電子裝置之晶片配置之第二實例之截面圖。
在圖中，相同參考數字係指派給相對應於圖8中所示之情況之部分，且將適當地省略其描述。
在圖9中，類似於圖8中所示之情況，在板1200之前面上安置耦合器1201及1202、塑膠波導1203及晶片1210及1220。
此外，在圖9中，晶片1230安裝於板1200之後面上。
晶片1230包含類似於輸入/輸出電路1(圖1)組態之輸入/輸出電路(未繪示於圖中)，且類似於耦合器1101(圖8)之耦合器1204(諸如用於在自由空間或介電波導中有效地輻射毫波區之電波之天線)連接至相對應於輸入/輸出電路(未繪示於圖中)之墊103或211(圖1)之一部分。
此外，在圖9中，在板1200中，安裝於前面上之晶片1210及安裝於後面上之晶片1230經配置，使得耦合器1201及1204面向彼此。
在其中晶片1210、1220及1230係如上配置之電子裝置中，安裝於板1200之前面上之類似於圖8中所示之情況之晶片1210及1220藉由透過塑膠波導1203交換毫波區之電波來執行資料傳輸。
此外，安裝於板1200之前面上之晶片1210及安裝於後面上之晶片1230藉由透過作為自由空間之板1200(當板1200 被認作介電波導時，板1200作為介電波導)交換毫波區之電波來執行資料傳輸。
圖10係繪示組態電子裝置之晶片配置之第三實例之截面圖。
在圖10中，具有平坦的板形狀之晶片2010、2020及2030經配置，以便按從上側之順序堆疊。
晶片2010、2020及2030分別包含類似於輸入/輸出電路1(圖1)組態之輸入/輸出電路2011、2021及2031。
耦合器(未繪示於圖中)(諸如用於在自由空間或介電波導中有效地輻射毫波區之電波之天線)連接至相對應於墊103及211(圖1)(在下文中，亦稱為輸入/輸出墊)之輸入/輸出電路2011、2021及2031之所有部分。
此處，在平坦的板狀晶片2010之一面上，使輸入/輸出電路2011之輸入/輸出墊暴露。在下文中，其中使輸入/輸出墊暴露之晶片2010之面亦將稱為暴露面。
在圖10中，堆疊所有晶片2010、2020及2030，以便使暴露面面向圖中之上側。
例如，現在，當假設在晶片2010與2020之間及晶片2020及2030之間執行資料傳輸時，對於使暴露面面向上側之晶片2010、2020及2030，難以在晶片2010與2020之間及晶片2020與2030之間安置金屬線或介電波導。
如此，在圖10中，在晶片2010與2020之間(在輸入/輸出電路2011與2021之間)及晶片2020及2030之間(在輸入/輸出電路2021與2031之間)，毫波區之電波透過自由空間交 換，藉此執行資料傳輸。
圖11係繪示組態電子裝置之晶片配置之第四個實例之截面圖。
在圖中，相同參考數字係指派給相對應於圖10中所示之情況之部分，且將適當地省略其描述。
在圖11中，類似於圖10中所示之情況，具有平坦的板形狀之晶片2010、2020及2030經配置，以便按從上側之順序堆疊。
但是，在圖11中，雖然類似於圖10之晶片2020及2030係在其中暴露面面向圖中之上側之狀態中，但是晶片2010係在其中暴露面面向圖中之下側之狀態中。
此外，晶片2010(其輸入/輸出電路2011)之輸入/輸出墊及晶片2020(其輸入/輸出電路2021)之輸入/輸出墊面向彼此且由作為金屬線之凸塊(電極)2040連接。
在圖11中，在晶片2010與2020之間，藉由透過作為金屬線之凸塊2040交換毫波區之電波來執行資料傳輸，且在晶片2020與2030之間，藉由透過自由空間交換毫波區之電波來執行資料傳輸。
[測試晶片之方法]
圖12係繪示用於檢查包含類似於輸入/輸出電路1(圖1)或類似物組態之輸入/輸出電路之晶片之操作的測試方法之截面圖。
在圖12中，晶片2110包含類似於輸入/輸出電路1(圖1)組態之輸入/輸出電路2111、2112及2113。
此外，在圖12中，在平坦的板狀晶片2110之兩個面中，圖中之上面組態其中使輸入/輸出電路2111、2112及2113之輸入/輸出墊暴露之暴露面。
為了檢查晶片2110之操作，有必要交換輸入/輸出電路2111、2112及2113之間之訊號。
作為交換輸入/輸出電路2111、2112與2113之每一者之間之訊號之方法，例如，存在其中用於量測之探測器(金屬)與輸入/輸出電路2111、2112及2113之輸入/輸出墊接觸之方法，且透過探測器量測輸入/輸出電路2111、2112及2113之每一者之間交換之訊號。
但是，在探測器與輸入/輸出電路2111、2112及2113之輸入/輸出墊接觸之情況中，輸入/輸出墊由於輸入/輸出墊或類似物中之劃痕之出現而受到損害。
如此，在輸入/輸出電路2111、2112及2113之測試中，藉由經由使用非金屬接觸耦合器透過自由空間交換輸入/輸出電路2111、2112及2113之每一者之間之訊號，可量測輸入/輸出電路2111、2112及2113之每一者之間交換之訊號而無需實體與輸入/輸出墊接觸。
在圖12中，非金屬接觸耦合器可接近於晶片2110之暴露面，且訊號在非金屬接觸耦合器與輸入/輸出電路2111、2112及2113之每一者之間交換。
在類似於輸入/輸出電路1(圖1)組態之輸入/輸出電路2111、2112及2113中，自由空間、介電波導及金屬線之任一者可用作傳輸媒體，且因此，藉由將自由空間用作傳輸 媒體，可執行非侵入式測試，即，並不對輸入/輸出墊引起任何損害之測試。
圖13A及圖13B係繪示執行非侵入式測試之後圖12中所示之晶片2110之安裝之截面圖。
圖13A係繪示使用插入物之晶片2110之安裝之實例的截面圖。
在圖13A中，晶片2110及插入物2200經配置，以便堆疊。
在插入物2200內部，給金屬線2201、2202及2203佈線，且金屬線2201、2202及2203之一端連接至安置於平坦的板狀插入物2200之一面上之凸塊2210、2220及2230。
此外，堆疊插入物2200，使得凸塊2210、2220及2230分別連接至輸入/輸出電路2111、2112及2113之輸入/輸出墊。
輸入/輸出電路2111透過凸塊2210及金屬線2201執行針對另一晶片(除了晶片2110之外之晶片)之資料傳輸。類似地，輸入/輸出電路2112透過凸塊2220及金屬線2202執行針對另一晶片之資料傳輸。此外，輸入/輸出電路2113透過凸塊2230及金屬線2203執行針對另一晶片之資料傳輸。
圖13B係繪示並不藉由使用插入物之晶片2110之安裝之實例的截面圖。
在圖13B中，具有平坦的板形狀之晶片2110、2310及2410經配置，以便按從下側之順序堆疊。
晶片2310包含類似於輸入/輸出電路1(圖1)組態之輸入/ 輸出電路2311及2312。
晶片2410包含類似於輸入/輸出電路1(圖1)組態之輸入/輸出電路2411及2412。
在圖13B中，分別堆疊其中暴露面面向上側之狀態中之晶片2110，其中暴露面面向下側之狀態中之晶片2310及其中暴露面面向下側之狀態中之晶片2410。
此外，晶片2110之輸入/輸出電路2111之輸入/輸出墊及晶片2310之輸入/輸出電路2311之輸入/輸出墊面向彼此且由作為金屬線之凸塊2320連接。
此外，晶片2110之輸入/輸出電路2113之輸入/輸出墊及晶片2310之輸入/輸出電路2312之輸入/輸出墊面向彼此且由作為金屬線之凸塊2330連接。
此外，在晶片2110之輸入/輸出電路2111與晶片2310之輸入/輸出電路2311之間，藉由透過作為金屬線之凸塊2320交換毫波區之電波來執行資料傳輸。
類似地，在晶片2110之輸入/輸出電路2113與晶片2310之輸入/輸出電路2312之間，藉由透過作為金屬線之凸塊2330交換毫波區之電波來執行資料傳輸。
此外，在晶片2110之輸入/輸出電路2112與晶片2410之輸入/輸出電路2411及2412之間，藉由透過自由空間交換毫波區之電波來執行資料傳輸。
此外，可以其中輸入/輸出電路2112將資料廣播至輸入/輸出電路2411及2412兩者之形式執行晶片2110之輸入/輸出電路2112與晶片2410之輸入/輸出電路2411及2412之每 一者之間之資料傳輸。或者，可分別在輸入/輸出電路2112與2411之間及輸入/輸出電路2112與2412之間獨立地執行資料傳輸。
作為在輸入/輸出電路2112與2411之間及輸入/輸出電路2112及2412之間獨立地執行晶片2110之輸入/輸出電路2112與晶片2410之輸入/輸出電路2411及2412之每一者之間之資料傳輸之方法，例如，存在透過其中不同地設定用於輸入/輸出電路2112及2411之間之資料傳輸的毫波區之電波及用於輸入/輸出電路2112及2412之間之資料傳輸的毫波區之電波之載波之頻率的頻分執行資料傳輸之方法。此外，作為在輸入/輸出電路2112及2411之間及輸入/輸出電路2112及2412之間獨立地執行資料傳輸之方法，例如，存在透過時分或碼分執行資料傳輸之方法。
圖14係繪示安裝之後測試晶片2110之方法之截面圖。
換言之，圖14繪示執行圖13A中所示之插入物2200之安裝，以便堆疊所針對之晶片2110。
在圖14中，非金屬接觸耦合器可接近於位於與晶片2110之暴露面相對之側上之面，且訊號在非金屬接觸耦合器與輸入/輸出電路2111、2112及2113之每一者之間交換。
因為類似於輸入輸出電路1(圖1)組態之輸入/輸出電路2111、2112及2113可將自由空間、介電波導及金屬線之任一者用作傳輸媒體，所以對於安裝之後將在其中輸入/輸出墊因堆疊插入物2200而不暴露之狀態中之晶片2110，可藉由經由使用非金屬接觸耦合器從輸入/輸出電路2111、 2112及2113之輸入/輸出墊接收洩漏至作為傳輸媒體之自由空間之訊號來執行用於檢查操作之測試。
圖15至圖17係繪示用於圖12中所示之晶片2110之回送測試方法之圖。
圖15繪示晶片2110之截面圖及其中暴露面組態為頂面之情況中之俯視圖。
例如，現在，訊號從輸入/輸出電路2112傳輸，且訊號由輸入/輸出電路2111或2113接收，藉此執行回送測試。
圖16係繪示執行其中由輸入/輸出電路2112傳輸之訊號由輸入/輸出電路2111及2113兩者接收之回送測試之方法之圖。
在圖16中(類似地，在將在稍後描述之圖17中)，繪示晶片2110之截面圖及俯視圖。
在其中由輸入/輸出電路2112傳輸之訊號由輸入/輸出電路2111及2113兩者接收之情況中，如圖16中所示，帶狀介電質2501配置為介電波導，以便覆蓋輸入/輸出電路2111、2112及2113之所有輸入/輸出墊。
因此，由輸入/輸出電路2112傳輸之訊號透過介電質2501由輸入/輸出電路2111及2113之每一者接收。
此外，藉由將具有比由輸入/輸出電路2112傳輸之訊號之波長λ之1/2短之長度的天線連接至輸入/輸出電路2111、2112及2113之輸入/輸出墊，當配置具有高介電常數之介電質2501時，使由輸入/輸出電路2112傳輸之訊號之波長等效地縮短，藉此訊號可在輸入/輸出電路2112與輸入/輸 出電路2111及2113之每一者之間有效地傳輸及接收。
圖17係繪示其中由輸入/輸出電路2112傳輸之訊號(例如)僅由輸入/輸出電路2111及2113之中之輸入/輸出電路2111接收之回送測試方法之圖。
在由輸入/輸出電路2112傳輸之訊號僅由輸入/輸出電路2111接收之情況中，如圖17中所示，帶狀介電質2511配置為介電波導，以便僅從輸入/輸出電路2111之輸入/輸出墊覆蓋至輸入電路2112之輸入/輸出墊。
因此，由輸入/輸出電路2112傳輸之訊號透過介電質2511僅由輸入/輸出電路2111接收。
如上，藉由配置介電質2501或2511，可執行回送測試。
此外，本技術之實施例並不限於以上描述之實施例，且可在並不脫離本技術之概念之範圍中對實施例進行多種改變。
例如，在輸入/輸出電路1(圖1)中，用於資料傳輸之RF訊號並不限於毫波區之訊號。
此外，可在以下組態中實施本技術。
[1]一種訊號處理裝置，其包含：複數個訊號處理電路。該訊號處理電路包含由用作一預定頻帶之一訊號之一輸入介面的一輸入電路及用作該預定頻帶之一訊號之一輸出介面的一輸出電路之一者或兩者組態之一輸入/輸出電路且執行該訊號處理電路與另一訊號處理電路之間之該預定頻帶之一訊號的傳輸，該等訊號處理電路之一者之該輸出電路及另一訊號處理電路之該輸出電路包含具有相同組 態之電路，該一個訊號處理電路之該輸入電路及該另一訊號處理電路之該輸入電路包含具有相同組態之其他電路，且甚至在調解變具有互相不同之特性之複數個傳輸媒體之任一者的情況中，該一個訊號處理電路之該輸入/輸出電路及該另一訊號處理電路之該輸入/輸出電路可執行該預定頻帶之一訊號之傳輸。
[2]描述於[1]中之訊號處理裝置，其中該預定頻率頻寬之訊號係一毫波區之一訊號。
[3]描述於[2]中之訊號處理裝置，其中具有該相同組態之該等電路係將一基頻帶訊號轉換為該毫波區之一訊號之轉換電路，且具有該等相同組態之該等其他電路係執行該毫波區之該訊號變為該基頻帶訊號之逆轉換之逆轉換電路。
[4]描述於[1]至[3]中之任一項中之訊號處理裝置，其中具有互相不同之特性之該複數個傳輸媒體係不同類型之複數個傳輸媒體。
[5]描述於[4]中之訊號處理裝置，其中不同類型之該複數個傳輸媒體係一自由空間、一介電波導及一金屬線之兩者或更多者。
[6]描述於[1]至[5]中之任一項中之訊號處理裝置，其中在該等訊號處理電路之該複數者之中，該等訊號處理電路之至少一對透過具有預定特性之一傳輸媒體執行其間之該預定頻帶之一訊號之傳輸，且該等訊號處理電路之至少另一對透過具有不同於該等預定特性之特性之一傳輸媒體執 行其間之該預定頻帶之一訊號之傳輸。
[7]描述於[1]至[6]中之任一項中之訊號處理裝置，其中該訊號處理電路包含該等輸入/輸出電路之複數者。
[8]描述於[1]至[7]中之任一項中之訊號處理裝置，其中執行該預定頻帶之一訊號之傳輸的該等訊號處理電路之該一對安置於不同板上。
熟悉此項技術者應理解，只要設計要求及其他因素在隨附申請專利範圍或其等等效物之範疇內，可取決於該等設計要求及其他因素發生多種修改、組合、次組合及更改。
1‧‧‧輸入/輸出電路
2‧‧‧輸入/輸出電路
71i‧‧‧振盪器
721至72N‧‧‧混頻器
72i‧‧‧混頻器
731至73N‧‧‧放大器
73i‧‧‧放大器
811至81N‧‧‧放大器
81i‧‧‧放大器
82i‧‧‧振盪器
831至83N‧‧‧混頻器
83i‧‧‧混頻器
100‧‧‧輸出電路
1011至101N‧‧‧傳輸單元
102‧‧‧多工器
103‧‧‧墊(PAD)
110‧‧‧輸入電路
200‧‧‧輸出電路
210‧‧‧輸入電路
211‧‧‧墊
212‧‧‧解多工器
2131至213N‧‧‧接收單元
300‧‧‧板
310‧‧‧半導體晶片
311‧‧‧輸入/輸出電路(I/O)
312‧‧‧輸入/輸出電路(I/O)
320‧‧‧晶片
321‧‧‧輸入/輸出電路
400‧‧‧板
410‧‧‧晶片
411‧‧‧輸入/輸出電路
412‧‧‧輸入/輸出電路
413‧‧‧輸入/輸出電路
414‧‧‧輸入/輸出電路
415‧‧‧輸入/輸出電路
420‧‧‧晶片
421‧‧‧輸入/輸出電路
430‧‧‧晶片
431‧‧‧輸入/輸出電路
440‧‧‧晶片
441‧‧‧輸入/輸出電路
1100‧‧‧板
1101‧‧‧耦合器
1110‧‧‧晶片
1200‧‧‧板
1201‧‧‧耦合器
1202‧‧‧耦合器
1203‧‧‧塑膠波導
1204‧‧‧耦合器
1210‧‧‧晶片
1220‧‧‧晶片
1230‧‧‧晶片
2010‧‧‧晶片
2011‧‧‧輸入/輸出電路
2020‧‧‧晶片
2021‧‧‧輸入/輸出電路
2030‧‧‧晶片
2031‧‧‧輸入/輸出電路
2040‧‧‧凸塊(電極)
2110‧‧‧晶片
2111‧‧‧輸入/輸出電路
2112‧‧‧輸入/輸出電路
2113‧‧‧輸入/輸出電路
2200‧‧‧插入物
2201‧‧‧金屬線
2202‧‧‧金屬線
2203‧‧‧金屬線
2210‧‧‧凸塊
2220‧‧‧凸塊
2230‧‧‧凸塊
2310‧‧‧晶片
2311‧‧‧輸入/輸出電路
2312‧‧‧輸入/輸出電路
2320‧‧‧凸塊
2330‧‧‧凸塊
2410‧‧‧晶片
2411‧‧‧輸入/輸出電路
2412‧‧‧輸入/輸出電路
2501‧‧‧介電質
2511‧‧‧介電質
C1‧‧‧電容器
C2‧‧‧電容器
f1至fN‧‧‧頻率
fri‧‧‧頻率
fsi‧‧‧頻率
L1‧‧‧線圈
L2‧‧‧線圈
R1‧‧‧電阻器
R2‧‧‧電阻器
T1‧‧‧RF放大器之輸入端子
T2‧‧‧RF放大器之輸出端子
Vcc1‧‧‧DC電源供應器
Vcc2‧‧‧DC電源供應器
圖1係繪示根據本技術之實施例之輸入/輸出電路之組態實例的方塊圖。
圖2係繪示傳輸單元之組態實例之方塊圖。
圖3係繪示接收單元之組態實例之方塊圖。
圖4係繪示可用作放大器73i及放大器81i之RF放大器之組態實例之電路圖。
圖5係繪示用於資料傳輸之由輸入/輸出電路1及2使用之傳輸媒體的圖。
圖6係繪示金屬線(銅線)、介電波導(塑膠波導)及自由空間之傳輸特性之圖。
圖7係繪示根據本技術之實施例的作為訊號處理裝置之電子裝置之組態實例之透視圖。
圖8係繪示組態電子裝置之晶片配置之第一實例之截面圖。
圖9係繪示組態電子裝置之晶片配置之第二實例之截面圖。
圖10係繪示組態電子裝置之晶片配置之第三實例之截面圖。
圖11係繪示組態電子裝置之晶片配置之第四個實例之截面圖。
圖12係繪示測試包含類似於輸入/輸出電路1組態之輸入/輸出電路之晶片之方法之截面圖。
圖13A及圖13B係繪示執行非侵入式測試之後晶片之安裝之截面圖。
圖14係繪示安裝之後測試晶片之方法之截面圖。
圖15係繪示用於晶片之回送測試方法之圖。
圖16係繪示用於晶片之回送測試方法之圖。
圖17係繪示用於晶片之回送測試方法之圖。
721至72N‧‧‧混頻器
731至73N‧‧‧放大器
811至81N‧‧‧放大器
831至83N‧‧‧混頻器
100‧‧‧輸出電路
1011至101N‧‧‧傳輸單元
102‧‧‧多工器
103‧‧‧墊(PAD)
210‧‧‧輸入電路
211‧‧‧墊
212‧‧‧解多工器
2131至213N‧‧‧接收單元
f1至fN‧‧‧頻率

Claims (17)

  1. 一種訊號處理裝置，其包含：複數個訊號處理電路，該複數個訊號處理電路之每一訊號處理電路包括一輸入/輸出電路，該輸入/輸出電路包括經組態以在一輸入介面之一墊處接收一預定頻帶之一訊號的一輸入電路及在一輸出介面之一墊處輸出該預定頻帶之一訊號的一輸出電路，其中該複數個訊號處理電路之一第一訊號處理電路經組態以傳輸在該第一訊號處理電路與該複數個訊號處理電路之一第二訊號處理電路之間之該預定頻帶之一訊號，其中該第一訊號處理電路之該輸出電路及該第二訊號處理電路之該輸出電路具有相同組態，其中該第一訊號處理電路之該輸入電路及該第二訊號處理電路之該輸入電路具有相同組態，其中在不重製該等訊號處理電路的情況下當利用一第一傳輸媒體時，該第一訊號處理電路之該輸出電路之該墊經組態以將該預定頻帶之一訊號輸出至該第二訊號處理電路之該輸入電路之該墊，且當利用一第二傳輸媒體時，該第一訊號處理電路之該輸出電路之該墊經組態以將該預定頻帶之一訊號輸出至該第二訊號處理電路之該輸入電路之該墊，其中該第一及該第二傳輸媒體具有不同之特性。
  2. 如請求項1之訊號處理裝置，其中該預定頻率頻寬之該訊號係一毫波區之一訊號。
  3. 如請求項2之訊號處理裝置，其中該第一及該第二訊號處理電路之該等輸出電路係為轉換電路，該等轉換電路將一基頻帶訊號轉換為該毫波區之一訊號，且其中該第一及該第二訊號處理電路之該等輸入電路係為逆轉換電路，該等逆轉換電路執行該毫波區之該訊號變為該基頻帶訊號之逆轉換。
  4. 如請求項3之訊號處理裝置，其中具有多個不同傳輸特性之該第一及該第二傳輸媒體包括具有多個不同傳輸特性之相同類型的傳輸媒體。
  5. 如請求項4之訊號處理裝置，其中該複數個傳輸媒體包括一金屬線以及一自由空間與一介電波導之至少一者。
  6. 如請求項4之訊號處理裝置，其中在該等訊號處理電路之該複數者之中，該等訊號處理電路之至少一對透過具有預定特性之一傳輸媒體執行其間之該預定頻帶之一訊號之傳輸，且該等訊號處理電路之至少另一對透過具有不同於該等預定特性之特性之一傳輸媒體執行其間之該預定頻帶之一訊號之傳輸。
  7. 如請求項4之訊號處理裝置，其中該複數個訊號處理電路之至少一訊號處理電路包括該等輸入/輸出電路之複數者。
  8. 如請求項6之訊號處理裝置，其中執行該預定頻帶之一訊號之傳輸的該等訊號處理電路之該對安置於不同板上。
  9. 如請求項1之訊號處理裝置，其中自該第一訊號處理電路之該輸出電路之該墊所輸出之該預定頻帶之該訊號係一經多工訊號。
  10. 如請求項9之訊號處理裝置，其中提供至該第二訊號處理電路之該輸入電路之該墊之該預定頻帶之該訊號係一經多工訊號。
  11. 如請求項1之訊號處理裝置，其中在任何時間該第一訊號處理電路之該輸出電路與該第二訊號處理電路之該輸入電路之間利用僅該第一及該第二傳輸媒體之其中一者。
  12. 一種用於在一第一晶片與一或多個其他晶片之間通信之通信系統，該第一晶片包含：一核心；及具有相同組態之複數個輸入/輸出電路，該複數個輸入/輸出電路之每一者包括經組態以在一輸入介面之一墊處接收一預定頻帶之一訊號的一輸入電路及在一輸出介面之一墊處輸出該預定頻帶之一訊號的一輸出電路，其中該複數個輸入/輸出電路之至少一者經組態以在該第一晶片與該一或多個其他晶片之間以該預定頻帶傳輸一訊號，其中該第一晶片之該複數個輸入/輸出電路之每一者之該輸出電路及該一或多個其他晶片之該輸出電路具有具有相同組態，其中該第一晶片之該複數個輸入/輸出電路之每一者之 該輸入電路及該一或多個其他晶片之該輸入電路具有具有相同組態，其中該第一晶片之該複數個輸入/輸出電路之一第一者經組態以利用一第一傳輸媒體將該預定頻帶之一第一訊號傳輸至該一或多個其他晶片之一第一者，且該第一晶片之該複數個輸入/輸出電路之一第二者經組態以利用一第二傳輸媒體將該預定頻帶之一第二訊號傳輸至該一或多個其他晶片之一第二者，使得在不重製的情況下，該該第一晶片之該複數個輸入/輸出電路之該第一者之該輸出介面之該墊及該第一晶片之該複數個輸入/輸出電路之該第二者之該輸出介面之該墊經組態以利用具有多個不同傳輸特性之複數個傳輸媒體之任何一者輸出該預定頻帶之一訊號，其中該第一傳輸媒體及該第二傳輸媒體之該等傳輸特性係不同。
  13. 如請求項12之通信系統，其中該預定頻率頻寬之該訊號係一毫波區之一訊號。
  14. 如請求項13之通信系統，其中具有相同組態之該等輸出電路係轉換電路，該等轉換電路將一基頻帶訊號轉換為該毫波區之一訊號，且其中具有相同組態之該輸入電路係逆轉換電路，該等逆轉換電路將該毫波區之該訊號逆轉換為該基頻帶訊號。
  15. 如請求項12之通信系統，其中該第一及該第二傳輸媒體包括具有多個不同傳輸特性之相同類型的傳輸媒體。
  16. 如請求項15之通信系統，其中該複數個傳輸媒體包括一金屬線及一自由空間與一介電波導之至少一者。
  17. 如請求項12之通信系統，其中該晶片及該一或多個其他晶片安置於不同板上。
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