TWI535496B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種處理基板之基板處理裝置，尤其關於一種減少附著於基板之微粒之量之技術。
先前，為減少附著於基板之微粒，有以去除處理液之微粒為目的，於配管介插具有配合所要捕捉之微粒尺寸之孔徑之過濾器的情形(例如專利文獻1)。
[專利文獻1]日本專利特開2008-66351號公報
然而，若為去除更細小之微粒，而設置孔徑較小之過濾器、或設置複數個過濾器，則配管內之壓力損失變大。因此，為實現利用高壓進行送液，考慮使用高性能之泵，但產生泵之巨大化、泵所消耗之電力等驅動能源之增加以及成本之增加等各種問題。又，為減少壓力損失，亦考慮增大過濾器，但產生過濾器之安裝位置產生制約之問題。
又，若壓力損失變大，則因過濾器之下游側之配管內壓力急遽下降，而於處理液中易產生氣泡101(參照圖10)。如圖10所示，有大
量之微粒103附著並聚集於所產生之氣泡101之界面之情形。如此，因附著有大量之微粒103之氣泡101接觸於基板109之表面，而亦產生附著於基板109之表面之微粒量增多之問題。
因此，謀求以相對簡單之構成抑制微粒附著於基板之技術。
本發明係鑒於上述問題而成者，其目的在於提供一種以簡單之構成減少附著於基板之微粒之量的技術。
為解決上述問題，第1態樣係一種噴出處理液對基板進行處理之基板處理裝置，其包含：噴出部，其朝向上述基板噴出處理液；供給配管，其一端經由去除微粒之第1過濾器而連接於供給上述處理液之處理液供給部，另一端連接於上述噴出部；及氣泡捕捉部，其介插於上述供給配管中之上述第1過濾器與上述噴出部之間之位置，捕捉上述處理液中所含有之氣泡；且由上述氣泡捕捉部所引起之壓力損失與由上述第1過濾器所引起之壓力損失大致相同或較其小。
又，第2態樣係於第1態樣之基板處理裝置中，上述氣泡捕捉部包含第2過濾器，上述第2過濾器之孔徑大於上述第1過濾器之孔徑。
又，第3態樣係於第1態樣之基板處理裝置中，上述氣泡捕捉部包含中空纖維膜。
又，第4態樣係於第1至3中任一態樣之基板處理裝置中，上述供給配管中之自上述氣泡捕捉部至上述噴出部之距離短於上述供給配管中之自壓送上述處理液之壓力源至上述氣泡捕捉部之距離。
根據第1態樣之基板處理裝置，可藉由氣泡捕捉部捕捉產生於通過第1過濾器之處理液中之氣泡。藉此，可減少附著有微粒之氣泡附著於基板。又，藉由使氣泡捕捉部之壓力損失與第1過濾器之壓力損失大致相同或較其小，可抑制於通過第2過濾器之處理中產生氣泡。
藉此，可減少附著於基板之微粒量。
根據第2樣態，藉由使第2過濾器之孔徑大於第1過濾器之孔徑，可使第2過濾器之壓力損失小於第1過濾器之壓力損失。
根據第3態樣之基板處理裝置，可藉由中空纖維膜捕捉氣泡，並且可減少由氣泡捕捉部所引起之壓力損失。因此，可抑制於通過氣泡捕捉部之處理液中產生氣泡。因此，可減少附著於基板之微粒量。
根據第4態樣之基板處理裝置，藉由使氣泡捕捉部靠近噴出口，可抑制於自氣泡捕捉部流動至噴出口之處理液中產生氣泡。藉此，可減少附著於基板之微粒量。
9、109‧‧‧基板
10、10a‧‧‧基板處理裝置
11‧‧‧噴嘴
13‧‧‧旋轉台
15‧‧‧腔室
20‧‧‧處理液供給部
21‧‧‧槽
30、30a、30b‧‧‧供給配管
31‧‧‧泵
33‧‧‧流量計
35‧‧‧供給閥
40‧‧‧循環配管
41‧‧‧循環閥
51‧‧‧第2過濾器
53‧‧‧膜
60‧‧‧脫氣機構
61‧‧‧脫氣配管
63‧‧‧脫氣閥
71、71a、73、73a、75、77‧‧‧曲線
101、Ba1‧‧‧氣泡
103‧‧‧微粒
300‧‧‧第1配管部
302‧‧‧第2配管部
F1‧‧‧第1過濾器
F2、F2a‧‧‧氣泡捕捉部
PL1、PL2、PL2a‧‧‧壓力損失
x1、x1a、x2、x3‧‧‧位置
SA、SAa、SB、SBa、SC‧‧‧區間
圖1係表示第1實施形態之基板處理裝置及處理液供給部之概略之整體圖。
圖2係表示第1實施形態之氣泡捕捉部之側視圖。
圖3係表示供給配管之各位置上之壓力之曲線圖。
圖4係表示附著於經基板處理裝置處理之基板之微粒量之曲線圖。
圖5係表示第2過濾器之壓力損失與附著於基板之微粒量之相關關係之曲線圖。
圖6係表示第2過濾器之孔徑與附著於基板之微粒量之相關關係之曲線圖。
圖7係表示第2實施形態之基板處理裝置及處理液供給部之概略之整體圖。
圖8係表示供給配管之各位置上之壓力之曲線圖。
圖9係表示第3實施形態之氣泡捕捉部之概略剖面圖。
圖10係表示附著有微粒之氣泡附著於基板之情況之概念圖。
以下，一面參照隨附之圖式一面對本發明之實施形態進行說明。再者，以下之實施形態為將本發明具體化之一例，而並非限定本發明之技術範圍之事例。再者，於隨附之圖式中，為易於理解，有視需要將各部之尺寸或數誇張或者簡化而圖示之情形。
圖1係表示第1實施形態之基板處理裝置10及處理液供給部20之概略之整體圖。基板處理裝置10係藉由將自處理液供給部20接受供給之處理液供給至保持於旋轉台13之基板9，而對基板9實施處理。旋轉台13內置有未圖示之馬達。基板處理裝置10一面利用旋轉台13使基板9旋轉，一面將處理液自噴嘴11(噴出部)供給至基板9之中央附近，藉此使處理液擴展至基板9之整體。藉此，利用處理液對基板9實施處理。基板處理裝置10例如構成為對基板9實施蝕刻處理或清洗處理等之裝置。再者，於基板處理裝置10中，噴嘴11以及旋轉台13構成為於腔室15之內部進行基板處理。
具體而言，於基板處理裝置10中，進行自基板9之表面去除微粒之處理之情形時，將作為處理液之SC1(ammonia-hydrogen peroxide mixture：氨與過氧化氫之混合物)等自處理液供給部20供給至基板處理裝置10。又，於基板處理裝置10中，進行自基板9之表面蝕刻氧化膜等之處理時，供給氫氟酸或BHF(Buffered HF，緩衝氫氟酸)等。進而，於基板處理裝置10中，進行將形成於基板9之表面之抗蝕劑膜剝離之處理、或將成為聚合物殘留於剝離抗蝕劑後之基板9之表面之抗蝕劑殘渣去除的處理時，供給SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture：硫酸與過氧化氫之混合物)或者SC1(ammonia-hydrogen peroxide mixture：氨與過氧化氫之混合物)等抗蝕劑剝離液或者聚合物去除液。而且，於去除金屬污染物之清洗處理中，使用氫氟酸、SC2(hydrochloric acid/hydrogen peroxide mixture：鹽酸與過氧化氫之
混合物)或者SPM等。又，亦可將作為沖洗液之IPA(異丙醇)或者去離子水(DIW)等自處理液供給部20供給至基板處理裝置10。
槽21與噴嘴11係藉由供給配管30而連通連接。即，供給配管30之一端連接於處理液供給部20之槽21，供給配管30之另一端連接於噴嘴11。供給配管30係藉由例如不鏽鋼或者樹脂等而形成。於供給配管30之路徑中途，自靠近槽21之側起依序介插有泵31、第1過濾器F1、流量計33、供給閥35以及氣泡捕捉部F2。再者，於供給配管30之路徑上之該等要素之排列可任意變更。例如，可進行將第1過濾器F1設置於流量計33與供給閥35之間等變化。其中，氣泡捕捉部F2設置於第1過濾器F1與噴嘴11之間之位置。
泵31構成朝向噴嘴11壓送貯存於槽21之處理液之壓力源。流量計33計測流經供給配管30之處理液之流量。供給閥35藉由打開或關閉供給配管30之流路而控制處理液向噴嘴11之供給。
供給配管30於其路徑中途分支並連接於循環配管40。循環配管40之基端側連接於供給配管30中之流量計33與供給閥35之間之位置，其前端側連接於槽21。於循環配管40中，介插有循環閥41。
循環閥41打開或關閉循環配管40之流路。於供給閥35關閉供給配管30之狀態下，藉由打開循環閥41，流經供給配管30之處理液流入循環配管40並返回至槽21。如上所述，藉由利用循環配管40使處理液循環，而可藉由第1過濾器F1始終維持清潔度。又，藉由視情況進行加熱或冷卻，可將槽21內之處理液之溫度維持為固定。作為供給閥35及循環閥41，一般而言可採用空氣閥。又，供給閥35及循環閥41可為電動者亦可為手動者。
第1過濾器F1係主要以去除處理液中所含有之微粒為目的而設置。第1過濾器F1之孔徑並無特別限定，例如考慮採用10nm~50nm者。
圖2係表示第1實施形態之氣泡捕捉部F2之側視圖。如圖2所示，氣泡捕捉部F2形成為構成供給配管30之第1配管部300與第2配管部302之連接部分。第2配管部302係藉由插入於第1配管部300而連結。
氣泡捕捉部F2包含安裝於第2配管部302之基端部之第2過濾器51。第2過濾器51具有將複數之例如聚四氟乙烯(鐵氟龍(註冊商標))製等的疏水性之膜53隔開特定間隔而重疊之多層構造。再者，膜53之原材料可根據處理液等之種類等而適當選擇。於膜53，設置有孔徑為例如100nm之多個孔55。然而，第2過濾器51之孔徑並不限定於此，亦可設為更大之孔徑(例如100μm)。
氣泡捕捉部F2之第2過濾器51係以使其孔徑大於第1過濾器F1之孔徑之方式構成。以此方式構成氣泡捕捉部F2之原因在於，於氣泡捕捉部F2所要捕捉之對象為氣泡Ba1而並非微粒。即，如圖2所示，於處理液通過第1過濾器F1後至到達氣泡捕捉部F2之期間會產生各種大小之氣泡Ba1。氣泡Ba1係因如下情況而出現：因由第1過濾器F1所引起之壓力損失(壓力差)、或由供給配管30之彎曲等所引起之壓力損失、或者處理液之溫度變化，導致處理液中之溶存氣體未完全溶解。
氣泡捕捉部F2係藉由第2過濾器51防止該等氣泡Ba1之通過而進行捕捉者(參照圖2所示之放大圖)。無法通過第2過濾器51之氣泡Ba1於處理液中上升並積存，藉此於第1配管部300之上端部形成氣相。
如圖2所示，氣泡捕捉部F2包含脫氣機構60。脫氣機構60包含：脫氣配管61，其基端部連接於第1配管部300中之收容有第2過濾器51之收容部分之上端部；及脫氣閥63，其介插於該脫氣配管61之中途。藉由打開脫氣閥63，形成於第1配管部300之氣相連通於脫氣配管61。藉此，可將積存於第1配管部300之氣體釋出至外部。
此種脫氣機構60亦可配備於第1過濾器F1。於第1過濾器F1，亦會捕捉於槽21、供給配管30(自槽21至第1過濾器F1)、循環配管40等
內產生之氣泡Ba1。因此，排出該等所捕捉之氣泡Ba1之脫氣機構60亦可設置於第1過濾器F1。
又，使由氣泡捕捉部F2之第2過濾器51所引起之壓力損失小於由第1過濾器F1所引起之壓力損失之另一原因在於，儘量減少氣泡捕捉部F2之壓力損失。一面參照圖3一面對該點進行說明。
圖3係表示供給配管30之各位置上之壓力之曲線圖。於圖3中，橫軸表示於供給配管30中之位置，縱軸表示供給配管30之內部之壓力。又，於圖3中，將供給配管30中之介插有泵31之位置設為原點(0)，將設置有第1過濾器F1之位置設為x1，將設置有氣泡捕捉部F2之位置設為x2，將設置有噴嘴11之位置設為x3。又，將自泵31至第1過濾器F1之區間設為區間SA，將自第1過濾器F1至氣泡捕捉部F2之區間設為區間SB，將自氣泡捕捉部F2至噴嘴11之區間設為區間SC。
於圖3中，實線所示之曲線71為對應於本實施形態之供給配管30之內部之壓力變化者，且表示由氣泡捕捉部F2所引起之壓力損失PL2小於由第1過濾器F1所引起之壓力損失PL1時之供給配管30內部之壓力變化。相對於此，虛線所示之曲線73表示採用壓力損失PL2a大於由第1過濾器F1所引起之壓力損失PL1之氣泡捕捉部(未圖示)時之供給配管30內部之壓力變化。
如曲線71所示，供給配管30內部之壓力於泵31之位置(原點)最高，受到位置x1、x2上之壓力損失PL1、PL2以及區間SA、SB、SC內之壓力損失，於噴嘴11之位置x3最低。再者，為易於理解，於區間SA、SB、SC中設為對應於該區間之長度均勻地產生壓力損失。
如曲線73所示，於使用壓力損失PL2a大於第1過濾器F1之壓力損失PL1之氣泡捕捉部之情形時，供給配管30中之總壓力損失變大。因此，為自噴嘴11噴出處理液，泵31必須對處理液施加更大之壓力。因此，必須提高泵31之能力，而導致泵31巨大化、高成本化，並且用以
驅動泵31之驅動能源(電力等)之消耗量亦增大。進而，若由氣泡捕捉部F2所引起之壓力損失PL2a變大，則於自氣泡捕捉部F2至噴嘴11之區間SC中，處理液中易產生氣泡Ba1。因此，亦有附著於基板9之微粒量增大之問題。因此，如曲線71所示般儘量減少氣泡捕捉部F2之壓力損失PL2於基板處理之方面更有利。
又，期望氣泡捕捉部F2設置於儘量靠近噴嘴11之位置。以此方式設置氣泡捕捉部F2之原因在於，藉由縮短自氣泡捕捉部F2至噴嘴11之區間SC而減少該區間SC中之氣泡Ba1之產生量。因此，區間SC之距離(=自氣泡捕捉部至噴出部之距離)設定為至少短於區間SA及區間SB之總距離(=自壓力源至氣泡捕捉部之距離)。
再者，實際上處理液供給部20設置於較設置基板處理裝置10之高度低之位置(例如另一層)之情形較多。此種情形時，於區間SB中會產生更多之壓力損失，因此氣泡Ba1之產生量亦增加。即便於此種情形時，亦藉由在距噴嘴11較近之位置包含氣泡捕捉部F2，而可有效地捕捉配管中產生之氣泡Ba1。
圖4係表示附著於經基板處理裝置10處理之基板9之微粒量之曲線圖。於圖4中，橫軸表示附著於基板9之微粒之尺寸，縱軸表示附著於基板9之微粒之相對量。又，於圖4中，實線所示之曲線75表示於供給配管30設置氣泡捕捉部F2時附著於基板9之微粒量，二點鏈線所示之曲線77表示未設置氣泡捕捉部F2時附著於基板9之微粒量。
根據圖4所示之曲線77可知，於省略氣泡捕捉部F2之情形時，於基板9附著有較多之直徑未達100nm之尺寸之微粒。相對於此，根據曲線75可知，藉由設置氣泡捕捉部F2，可抑制直徑未達100nm之尺寸之微粒附著於基板9。由此可知：雖藉由第1過濾器F1(孔徑10nm)大致上可捕捉直徑超過100nm之微粒，但未被完全捕捉之直徑未達100nm之微粒會因通過第1過濾器F1之處理液中產生之氣泡Ba1而附著於
基板9。
於先前之基板處理裝置中，通常藉由介插於供給配管之複數個過濾器而去除自處理液供給部送至基板處理裝置之處理液中之微粒。於該情形時，以自供給配管之上游側至下游側過濾器之孔徑依序變小(即，壓力損失逐漸變大)之方式介插複數個過濾器。然而，藉由設置複數個過濾器，供給配管內之壓力損失會變大，於處理液中易產生大量氣泡Ba1。根據圖4所示之曲線77可知，若處理液中存在氣泡Ba1，則微粒會聚集於氣泡Ba1，且該氣泡Ba1會接觸於基板9，藉此變成微粒附著於基板9。
本實施形態中，以去除該氣泡Ba1為目的，於供給配管30中之第1過濾器F1與噴嘴11之間之位置設置氣泡捕捉部F2，藉由氣泡捕捉部F2捕捉通過第1過濾器F1之處理液中產生之氣泡Ba1。藉此，如曲線75所示，可有效地減少附著於基板9之微粒量。
進而，藉由使氣泡捕捉部F2所包含之第2過濾器51之孔徑大於第1過濾器F1之孔徑，而使由氣泡捕捉部F2所引起之壓力損失小於第1過濾器F1。因此，於通過氣泡捕捉部F2之處理液中不易產生氣泡Ba1，故而可減少附著於基板9之微粒量。如上所述，於捕捉微粒之第1過濾器F1之下游側設置相較於第1過濾器F1而孔徑較大(即，壓力損失較少)之氣泡捕捉部F2可謂為構思與先前之技術思想不同之技術思想。
圖5係表示第2過濾器51之壓力損失與附著於基板9之微粒量之相關關係之曲線78。於圖5中，橫軸表示壓力損失，縱軸表示微粒之相對量。
又，圖6係表示第2過濾器51之孔徑與附著於基板9之微粒量之相關關係之曲線79。於圖6中，橫軸表示孔徑，縱軸表示微粒之相對量。
圖5及圖6所示之曲線78、79表示使用孔徑互不相同之4種第2過
濾器51時之微粒量之變動。具體而言，使用孔徑20nm(53kPa)、50nm(20kPa)、100nm(12kPa)以及200nm(9kPa)者。再者，括號內之數值表示各者之壓力損失。又，於圖5及圖6中，將直徑為26nm以上之微粒作為測定對象。
首先，若著眼於第2過濾器51之壓力損失，則根據圖5所示之曲線78可知，於第2過濾器51之壓力損失大於第1過濾器F1之壓力損失(18kPa)之53kPa之情形時，微粒量變為極多。然而，可知藉由使第2過濾器51之壓力損失與第1過濾器F1之壓力損失(18kPa)大致相同之20kPa、或較其小之12kPa或者9kPa，附著於基板9之微粒量會減少。
再者，於本申請案中，於第1過濾器F1之壓力損失與氣泡捕捉部F2(具體而言為第2過濾器51)之壓力損失之差為氣泡捕捉部F2之壓力損失之1/10以下之情形時，設為第1過濾器F1與氣泡捕捉部F2之壓力損失大致相同。
若著眼於第2過濾器51之孔徑，則根據圖6所示之曲線79可知，藉由相對於第1過濾器F1(孔徑10nm)而增大第2過濾器51之孔徑，微粒量會減少。尤佳為第2過濾器51之孔徑大於第1過濾器F1之孔徑(10nm)之2倍之情形，更佳為5倍以上之情形。
上述實施形態中，第1過濾器F1設置於基板處理裝置10之外部，但設置第1過濾器F1之位置並不限定於此。
圖7係表示第2實施形態之基板處理裝置10a及處理液供給部20之概略之整體圖。如圖7所示，本實施形態中，由連接槽21與噴嘴11之供給配管30a進行連接。該供給配管30a具有與供給配管30大致相同之構成，但於第1過濾器F1介插於穿過基板處理裝置10a之內部之供給配管30a之部分的方面不同。詳細而言，本實施形態之第1過濾器F1介插於供給閥35與氣泡捕捉部F2之間之位置，較第1實施形態之情形設置
於更靠近氣泡捕捉部F2之位置。
圖8係表示供給配管30a之各位置上之壓力之曲線圖。於圖8中，橫軸表示於供給配管30a中之位置，縱軸表示供給配管30a之內部之壓力。又，於圖3中，將供給配管30a中之設置有第1過濾器F1之位置設為x1a。又，將供給配管30a中之自泵31至第1過濾器F1之區間設為SAa，將自第1過濾器F1至氣泡捕捉部F2之區間設為SAb。
於圖8中，實線所示之曲線71a係對應於第2實施形態之供給配管30a之內部之壓力變化者，且表示由氣泡捕捉部F2a所引起之壓力損失PL2小於由第1過濾器F1所引起之壓力損失PL1時之供給配管30a內部之壓力變化。相對於此，虛線所示之曲線73a表示採用壓力損失PL2a大於由第1過濾器F1所引起之壓力損失PL1之氣泡捕捉部(未圖示)時之供給配管30a內部之壓力變化。
如曲線71a所示，即便將第1過濾器F1靠近氣泡捕捉部F2而設置，供給配管30a內部之壓力亦與圖3所示之曲線71同樣地變化。即，關於供給配管30a內部之壓力，於作為壓力源之泵31之位置壓力最高，受到位置x1a、x2上之壓力損失PL1、PL2a以及區間SAa、SBa內之壓力損失，於噴嘴11之位置x3最低。
另一方面，如曲線73a所示，於使用壓力損失PL2a大於第1過濾器F1之壓力損失PL1之氣泡捕捉器之情形時，總壓力損失變大，故而泵31必須對處理液施加更大之壓力。因此，引起泵31之巨大化、驅動能源之增加、高成本化等問題。而且，因於位置x2引起急遽之壓力損失PL2a，而亦有於通過氣泡捕捉部之處理液中產生氣泡Ba1，附著於基板9之微粒量增多之虞。因此，即便於將第1過濾器F1設置於靠近氣泡捕捉部F2之位置之情形時，亦如曲線71a所示般儘量減小氣泡捕捉部F2之壓力損失PL2於基板處理之方面更有利。
上述實施形態中，氣泡捕捉部F2係如圖2所示般包含第2過濾器51及脫氣機構60。然而，氣泡捕捉部F2之構成並不限定於此。
圖9係表示第3實施形態之氣泡捕捉部F2a之概略剖面圖。氣泡捕捉部F2a係代替圖2所示之氣泡捕捉部F2而設置。如圖9所示，氣泡捕捉部F2a介插於將槽21與噴嘴11之間連接之供給配管30b。氣泡捕捉部F2a主要由將未圖示之形成為吸管狀之中空纖維集束而成之中空纖維膜構成，中空纖維膜之外側藉由未圖示之真空泵等而減壓。因此，於處理液通過氣泡捕捉部F2a時，處理液中之氣泡Ba1(或者溶存氣體)通過中空纖維膜向外部釋出。
藉由該氣泡捕捉部F2a，亦可與氣泡捕捉部F2同樣地去除處理液中之氣泡Ba1。又，由氣泡捕捉部F2a所引起之壓力損失小於由使用過濾器之氣泡捕捉部F2所引起之壓力損失。因此，可減少於通過氣泡捕捉部F2a之處理液中產生氣泡。再者，於確實地捕捉氣泡Ba1之方面，包含第2過濾器51之氣泡捕捉部F2較氣泡捕捉部F2a更有效。
以上，已對實施形態進行了說明，但本發明並不限定於此，可進行各種變化。
例如，上述實施形態中，如圖1或圖7所示，氣泡捕捉部F2設置於腔室15之外側，但亦可設置於腔室15之內部。
又，圖1或圖3所示之例中，僅設置有1個去除微粒用之第1過濾器F1，但亦可於供給配管30、30a介插複數個過濾器。又，亦可將除微粒去除目的以外之過濾器(例如離子去除過濾器等)介插於供給配管30、30a。
又，上述各實施形態及各變化例中所說明之各構成只要不相互矛盾便可適當組合。
9‧‧‧基板
10‧‧‧基板處理裝置
11‧‧‧噴嘴
13‧‧‧旋轉台
15‧‧‧腔室
20‧‧‧處理液供給部
21‧‧‧槽
30‧‧‧供給配管
31‧‧‧泵
33‧‧‧流量計
35‧‧‧供給閥
40‧‧‧循環配管
41‧‧‧循環閥
F1‧‧‧第1過濾器
F2‧‧‧氣泡捕捉部
Claims (5)
- 一種基板處理裝置，其係噴出處理液對基板進行處理者，其包含：噴出部，其朝向上述基板噴出處理液；供給配管，其一端經由去除微粒之第1過濾器而連接於供給上述處理液之處理液供給部，另一端連接於上述噴出部；及氣泡捕捉部，其介插於上述供給配管中之上述第1過濾器與上述噴出部之間之位置，捕捉上述處理液中所含有之氣泡；其中由上述氣泡捕捉部所引起之壓力損失與由上述第1過濾器所引起之壓力損失大致相同或較其小，且上述氣泡捕捉部包含第2過濾器，上述第2過濾器之孔徑係上述第1過濾器之孔徑的5倍以上。
- 如請求項1之基板處理裝置，其中上述氣泡捕捉部包含中空纖維膜。
- 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述供給配管中之自上述氣泡捕捉部至上述噴出部之距離短於上述供給配管中之自壓送上述處理液之壓力源至上述氣泡捕捉部之距離。
- 一種基板處理方法，其係自處理液中去除具有特定微粒直徑之微粒，並供給至基板者，其包含下列步驟：第1通過步驟，其係將上述處理液通過孔徑小於上述特定微粒直徑之第1過濾器；第2通過步驟，其係將通過上述第1過濾器的上述處理液，通過孔徑大於上述特定微粒直徑之第2過濾器；及供給步驟，其係將通過上述第2過濾器的上述處理液供給至基板。
- 如請求項4之基板處理方法，其中上述第2過濾器的孔徑係上述第1過濾器之孔徑的5倍以上。
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