TWI533947B - 降低基板上粒子污染的系統及方法 - Google Patents

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Description

降低基板上粒子污染的系統及方法
本發明係大致關於半導體處理領域以及以一特定示範實施例說明之處理室中之微粒計數的控制系統與方法。
在半導體裝置的製造中，處理室經常被相接，以利晶圓或基板在例如相接的處理室之間傳送。此種傳送典型上係透過傳送模組來執行，該傳送模組可例如透過設置在該相接的處理室之相鄰室壁上的槽縫或通口來移動晶圓。傳送模組通常用於與各種包含半導體蝕刻系統、材料沈積系統以及平面顯示器蝕刻系統的晶圓處理模組(PMs)相接。
由於半導體裝置在數十年前就已開始導入，其幾何尺寸(即積體電路設計準則)現已大幅降低。在處理室中形成之積體電路(ICs)通常遵循莫耳定律(Moore’s Law)，也就是說可在單一積體電路晶片中安裝入的裝置數目每兩年會成長一倍。當代的IC製造廠(晶圓廠)常態性生產65nm(0.065μm)及更小特徵尺寸的裝置。未來的晶圓廠很快地會生產具有更小特徵尺寸的裝置。隨著特徵尺寸的縮小，污染以及微粒的預算也隨之縮小，即使是一個30nm的粒子亦可造成IC的致命傷。
或許更重要的是，從一個良率以及成本的角度，使用在製造程序的該類設備(例如處理工具)也變成一個主要的技術推動者。製造程序必須是有效的，但其亦必須是快速而不會增加整體粒子或污染的預算。目前對於在許多應用上所使用之的300mm晶圓世代的產出需求是每小時360片晶圓或更多。目前系統需在非生產時間區段時僅使用單一載體線性晶圓運動，而該晶圓載體則回到處理工具之起始點。如此，晶圓的處理便會緩慢。可增加產出的提案均集中在將複數個處理工具平行連結起來。雖然此種的方案可增加產出，卻花了工具足跡的費用、增加設備的成本、降低穩定 度，且在很多例子中，因工具內之晶圓傳送機構而增加了粒子的產生。因此，在半導體處理的領域中，必須加強改善，尤其必須著重在設備的穩定度、產出率以及效率。
在一示範實施例中，係揭露降低基板上粒子污染的系統。此系統包含一具有軌道之基板移車台機構，其利用裝設於環繞(至少部分)該軌道之一個以上的移車台管道來運送基板載體。該一個以上之管道沿著至少一段軌道的一實質部分上具有狹縫。一移車台排氣風扇乃耦合於該一個以上之管道中每一個的一端。該風扇提供足夠的容積氣流而使該容積氣流通過狹縫時的速度大於預定粒子尺寸的臨界沈降速度。該風扇便將由基板移車台機構產生之小於約略預定粒子尺寸的粒子抽至該一個以上之移車台管道。
在另一示範實施例中，乃揭露一降低基板上粒子污染的系統。該系統包含一外殼，其將基板生產工具耦合至一風扇過濾單元以將濾過之空氣提供至該外殼；一設備連接裝置，將該基板生產工具耦合至一降壓排氣機構；以及一耦合於該外殼與該設備連接裝置之間的基板傳送部。該基板傳送部部分包含一時鐘手臂基板載體機構，其具有複數個載體手臂，每一手臂均具有一在兩相對端點之間的中間點，並且可在彼此平行的平面上繞著中間點旋轉。基板傳送部更包含一線性基板移車台機構，其具有數個線性基板載體安裝於其上。每一線性基板載體的設置均使基板的傳送與載體手臂所在之平面實質平行的平面上進行。此外，每一基板載體均彼此位於不同的平面上。基板處理區域係利用該時鐘手臂基板載體機構而藉由一個以上之基板傳送槽縫與基板傳送部耦合，該時鐘手臂基板載體機構係透過該一個以上之基板傳送槽縫而將基板在基板處理區域與基板傳送部之間傳送。一處理室係實質包含基板傳送部以及基板處理區域，且該處理室乃耦合至該外殼以接收過濾空氣，並耦合至設備連接裝置以便對多餘的氣體流提供排氣。該處理室並將該基板處理區域保持在相對於基板傳送 部較低的壓力。
在另一示範實施例中，乃揭露在晶圓處理工具中降低晶圓上微粒污染的系統。該系統包含一風扇過濾單元，以提供晶圓處理工具經過濾的空氣；一設備連接裝置，其將該晶圓處理工具耦合至一晶圓製造設備之降壓排氣機構；一晶圓傳送部，位於該風扇過濾單元與該設備連接裝置之間。該晶圓傳送部部分包含一時鐘手臂基板載體機構，其具有複數個載體手臂，每一手臂均具有一在兩相對端點之間的中間點，並且可在彼此平行的平面上繞著中間點旋轉。晶圓傳送部更包含一線性晶圓移車台機構，其具有數個線性晶圓載體。每一線性晶圓載體均可使晶圓的傳送與載體手臂所在之平面實質平行的平面上進行，且每一線性晶圓載體均彼此位於不同的平面上。晶圓處理區域係利用該時鐘手臂晶圓載體機構而藉由一個以上之晶圓傳送槽縫與晶圓傳送部耦合，該時鐘手臂晶圓載體機構係透過該一個以上之晶圓傳送槽縫而將晶圓在晶圓處理區域與晶圓傳送部之間傳送。一處理室係實質包含晶圓傳送部以及晶圓處理區域，且該處理室乃耦合至該風扇過濾器單元以接收過濾空氣，並耦合至設備連接裝置以便對多餘的氣體流提供排氣。該處理室並將該晶圓處理區域保持在相對於晶圓傳送部低的壓力。
在另一示範實施例中，乃揭露一降低基板上微粒污染的方法。本方法包含提供一外殼，而將一基板生產工具耦合至一風扇過濾器單元，以將濾過之空氣提供至該基板生產工具；一設備連接裝置，將該基本生產工具耦合至一降壓排氣機構，以針對基板生產工具中多餘的氣體流提供排氣；以及一耦合於該外殼與該設備連接裝置之間的基板傳送部。該基板傳送部部分包含一時鐘手臂基板載體機構，其具有複數個載體手臂，每一手臂均具有一在兩相對端點之間的中間點，並且可在彼此平行的平面上繞著中間點旋轉。基板傳送部更包含一線性基板移車台機構，其具有數個線性基板載體。每一線性基板載體的設置均使基板的傳送與載體手臂所在之平面實質平行的平面上進行，且每一線性基板載體均 彼此位於不同的平面上。該示範性方法更包含將基板生產工具之基板處理區域維持在比基板生產工具之基板傳送部較低的壓力，而將基板處理區域維持在高於降壓排氣機構的壓力，並將基板傳送部的壓力維持在高於該降壓排氣機構的程度。
以下的說明包含可體現此處所討論之發明主體的各種實施態樣之說明系統、方法以及技術。在下面的描述中，為了說明之便，所需特定的細節均已設定以提供對本發明主體之各種實施例的瞭解。然而，對於熟知本技藝者而言，本發明主體之實施例亦可在沒有該等特定細節下實施。且，此處不再贅述為人所熟知之操作、結構以及技術之細節。
此處所使用之「或者」一詞可有包含或不包含的意涵。類似地，「示範性的」一詞亦僅是表示某物或範例的一個例子而不一定代表達成目標之一較佳或理想手段。此外，雖然下面討論的各種示範性實施例均聚焦在基板傳送機構以及有關降低污染相關之技術，該等實施例的提供僅是為了清楚揭露本發明。因此，任何種類的基板傳送機構均可使用此處描述之該系統的各種實施例，並仍被視為落入本發明主體之範圍內。
且，此處所使用之「基板」一詞，僅是為了方便指稱各種使用在半導體及相關產業之基板型態而選。基板的型態因此包含矽基板、複合基板、薄膜頭組件、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜、空白光罩及標線片或是在本技藝中為人熟知之許多其他基板型態。
此處所詳細描述之各種示範性實施例中，乃揭露可提供濾過空氣的方法與系統而可降低與在處理工具中(例如用於半導體業中之晶圓清洗工具)運送並進行處理之基板的接觸所產生的微粒污染。本方法及系統更維持將化學與蒸汽圍堵在基板的貫穿設計中，同時使工具內之處理室可有不同化學區域變化的需求。過濾單元從基板上方提供空氣。該過濾單元可移動進行維修，且其在 基板傳送及處理區域上方具有一間隙使其在降低震動傳送時易於移動。在一示範性實施例中，空氣乃透過一槽縫而進入處理室之化學處理部，該槽縫之設計係用以提供該化學處理部以及基板傳送部之間的壓力差。基板通過使來自處理室下部的氣流降至最低的槽縫而自該化學處理部移出。進入該化學處理部的主要氣流乃係通過一上部槽縫而可降低來自處理室下表面被揚起的顆粒。在基板傳送機構通過而到達處理室之化學區域的情況下，基板會通過兩個維持壓力差的槽縫，因此會將粒子自化學區域脫離而同時使該化學蒸汽遠離非化學區域。因此此處所描述之各種示範性實施例可讓基板在通過切分處理室之不同區域之槽縫時，使基板表面之氣體速率低。各種示範性實施例更可降低或預防化學蒸汽離開化學區域，並可提供清理以防止來自高粒子區域的氣體到達基板。
在另一示範性實施例中，由所設計之壓力差產生的氣體流可降低或預防粒子來自於複數個具有外露線性皮帶之線性基板傳送器。此處所描述者，由線性皮帶驅動滑軌所驅動之複數個基板載體由於摩擦及移動機件而易成為粒子產生器。理想中應可預防從滑軌或皮帶所產生之粒子落在基板上。使用粒子端點速度之控制方程式，便可決定通過基板穿越之水平槽縫(以便將基板連接至線性滑軌)之氣流需求。在此決定小於預定顆粒尺寸之所需氣流速率。預定之粒子尺寸可例如小於50μm，如此其氣流速率會比所關注範圍之粒子尺寸的端點速率流得快。在此範例中，大於50μm的顆粒會以足夠高的速率降落，而無法穿越該水平槽縫。設計阻擋以使槽縫在一端有狹縫抽取的情況下仍可流速一致。
參考圖1A，顯示用於處理基板(例如半導體晶圓)之設備零件之展開透視圖。此處顯示一處理工具100(通常指處理工具或其他基板生產工具)，其包含一設備前端模組(EFEM)110、一處理模組130、以及一電子殼體150。
在操作時，EFEM 110、處理模組130以及電子殼體150乃合為一體。處理模組130包含一處理室131(或其他類型之內置有基板 的處理室，例如原位量測處理室)。該處理室可包含一基板傳送部以及一基板處理區域(兩者在下面會詳細定義)，可在其中對一批基板進行各種處理。該等處理可包含各種類型的步驟，例如分別於半導體及相關技藝領域為人所知之基板清洗與濕式蝕刻(例如化學蝕刻)。此外，處理模組130通常係被包覆住，以降低在處理模組130及處理室131中基板可能的微粒污染、有機或其他污染。此外，該包覆物(未顯示)可使設備操作員與處理模組130中之移動機構之間的有毒互動風險降至最低，藉此增加操作員的安全性。操作電源係利用該電子殼體150供應至該EFEM 110以及處理模組130。
EFEM 110乃顯示包含數個基板裝卸站111、一第一操作員控制介面115A以及一第二操作員控制介面115B。從這些控制介面其中之一，操作員便可輸入並對某一特定批次的基板執行例如處理配方。EFEM 110亦顯示包含一放置在基板裝卸站111其中之一處的前端開口晶圓傳送盒(FOUP)113。FOUP 113是一種特殊種類的塑膠盒，其係設計用來放置半導體晶圓(例如通常是矽(Si)晶圓，但亦可包含其他由基本半導體材料製成之不同種類的晶圓類型，例如鍺(Ge)、或例如砷化鎵(GaAs)或砷化銦(InAs)等之複合半導體材料)。FOUP 113可牢固並安全地將晶圓(未顯示)固定在一經控制的環境中。雖然在圖1A中並未明確地顯示，熟知本技藝者應可輕易認出FOUP可同時出現在每一基板裝卸站111上。一個以上的機器人(未顯示)可與每一FOUP協做。
一旦FOUP 113放置在基板裝卸站111上，EFEM 110中的機器人(未顯示)便可直接存取放在FOUP 113中之晶圓。EFEM 110因此可讓操作員利用例如兩葉片或四葉片之機器人(未顯示但在本技藝中為獨立可知)從FOUP 113將基板裝卸至處理室131。雖然並不限制使用某一特定機器人種類，但可例如使用由位於美國密西根州威克森市(Wixom)的Kawasaki(USA)Inc.所製造之FC06N模型的機器人。在某一特定示範性實施例中，其機器人可包含有四個3.8mm葉片的可拆卸式末端效應器，其相鄰葉片彼此相距約 10mm。該10mm的距離與典型FOUP中晶圓與晶圓之間的距離相符。下面將參照圖4A、4B及5來更詳細地描述處理室131中所發生之傳送處理的各種細節。
現在參照圖1B並同時參照圖1A，基板(未顯示)被機器人從FOUP 113傳送至位於一時鐘手臂基板載體機構(未明確顯示在圖1A或1B中，但參照圖2在下面有詳細描述)上之數個基板載體135(旋轉裝設之基板載體)的其中之一處。該基板乃穿過基板傳送槽縫133而裝卸進出處理室131。
位於風扇過濾器單元(FFU)137中之高效率粒子空氣(HEPA)過濾器提供處理室131中實質潔淨的空氣。FFU 137位於處理室131之上方，提供氣流以及處理室內之特定氣壓梯度，以降低基板上方及附近之微粒污染。該氣流藉由在基板上方產生小粒子無法通過之邊界層而部分降低微粒的污染。大粒子及小粒子便被掃出處理室131而進入排氣系統，如下所述。透過所產生之氣壓梯度亦改善了化學的污染(下面將詳細描述)。
雖然此處之FFU 137係使用HEPA過濾器，但對於熟知本技藝者而言，應瞭解其他種類之過濾器可輕易地替換掉HEPA過濾器，只要盡可能地增加風扇風量以因應通過例如ULPA過濾器之較高壓降的情況下。下面將參照圖6~7H來討論由FFU 137所產生之氣流及氣壓梯度的計算。處理室131亦顯示包含游離棒139，其與FFU 137之一長軸平行運作。游離棒139會降低靜電荷，否則因來自FFU137而通過基板的氣流所產生之摩擦，會使靜電荷累積在處理室131中的基板上。帶有電荷之基板更容易吸引帶相反電荷之粒子。熟知本技藝者已知，游離劑降低任意表面(例如基板)上之電荷的能力係與時間相依。因此，游離棒139可位在基板(位於游離棒下方)附近的位置，而相當長的駐紮時間(例如一秒到五秒的時間，但至少部分取決於局部的氣流)有助於產生基板上靜電荷之預定降低。游離棒139可位於處理室131內的其他位置，可以是單極(也就是產生陰離子或陽離子)或兩極(也就是一個平衡的離子產生器)，也可是其他的尺寸和形狀，也可以例如是位於處 理室131內之基板上方的多個位置。在一特定之示範性實施例中，游離棒139長約64英吋(約1.63公尺)。
在一特定之示範性實施例中，FFU 137具有約每分鐘910立方英尺的體積流速率(cfm或約每分鐘25.8m3)，並具有從該HEPA過濾器之出口側的面速度約每分鐘90英尺(fpm或約每分鐘27.4m)。在其他實施例中，FFU 137具有約每分鐘1300立方英尺的體積流速率(約每分鐘36.8m3)。該HEPA過濾器可由四氟乙烯材料(TFE)製成，並在粒徑0.3μm的情況下具有99.99995%的過濾效率。熟知本技藝者可瞭解上述之ULPA過濾器可具有更高的過濾效率(在粒徑0.12μm的情況下測量)。FFU 137以及處理室131的設計使得因基板傳送考量而增加的微粒數少於5顆(尺寸55nm或更小)。
繼續參照圖1B，一第一腔室排氣管141以及一第二腔室排氣管143乃將微粒及流體(例如多餘的處理氣體，如FFU 137產生之氣體以及多餘的處理液體)從處理室131之相對側抽出至一橫管組件145。在一示範性實施例中，一腔室排氣煙囪147提供補充氣流而使微粒及流體進入橫管組件145，進而立即被抽入製造設備中之排氣/排洩系統(未顯示)。在其他示範性實施例中，腔室排氣煙囪147可選擇性地耦合至該製造設備內之一排氣連接部以提供排氣。關於排氣系統的更多細節將在參照圖5A及5B後在下面說明。
圖2顯示時鐘手臂基板載體機構200之一示範性實施例。時鐘手臂基板載體機構200係顯示包含數個旋轉手臂201，旋轉手臂201之每一末端均具有一相關連之基板載體135、一內軌部203、一外軌部205以及基板升降器207。每一旋轉手臂201均可獨立驅動，因此可獨立於其他旋轉手臂201而啟動、停止及加速。此外，此處雖僅顯示出四隻旋轉手臂201，時鐘手臂基板載體機構200可改造成管理任意數量的手臂。手臂的數量至少部分取決於例如外軌部205直徑的實際尺寸以及每一基板載體135的實際尺寸。旋轉手臂201以及基板載體135的大小可依照需求修改而適合給定的基板尺寸。例如基板載體135可設計成容納300mm矽晶圓、100mm砷化鎵 晶圓，或下一世代的450mm晶圓。
在一特定示範性實施例中，外軌部205係實際上設計成可容納從旋轉手臂201的中點到基板載體135的中心的30英吋(約760mm)半徑。如上所討論，外軌部205可根據所使用之旋轉手臂數量以及所處理之基板尺寸來適當調整尺寸。
基板升降器207可以是用於例如半導體業之任一種眾所皆知的種類。如所顯示者，基板升降器207的兩個實例為彼此相隔約180°。在其他實施例中(未顯示)，可使用更多數量的基板升降器207。
此外，基板升降器207的其中之一或兩者可旋轉180°以透過時鐘手臂基板載體機構200而將基板做180°的矯正旋轉。當基板在時鐘手臂載體以及下面描述之線性載體之間移動時，便會發生此等旋轉。當僅有其中一個基板升降器207旋轉180°時，此等180°的旋轉便在將基板從時鐘載體移動到線性載體時發生，也在將基板從線性載體移動到時鐘載體時發生。
在一般操作中，一旦某一特定基板載體135定位於基板升降器207上方時，一外部機器人(未顯示)便會放置一晶圓至一基板載體(例如一晶舟或FOUP 113)或從一基板載體拿取一晶圓至基板升降器207之一上。該所選之基板升降器207便將基板降低放置到該特定之基板載體135上，升降器接著繼續降低到足夠遠的程度，以避免與旋轉手臂201或其他時鐘手臂基板載體機構200內部之其他移動機構碰撞。
繼續參照圖2，時鐘手臂基板載體機構200更包含一上化學釋放頭211以及一下化學釋放頭213，其作用係用以在基板通過上化學釋放頭211及下化學釋放頭213附近時噴灑或施加化學品(例如清洗或蝕刻化學品的各種組合)。使用至少兩個頭可使基板在一次通過時便讓化學品施加至基板的兩面而不需將基板反轉。或者，上化學釋放頭211及下化學釋放頭213可設置成同時將化學品施加至基板兩面。對於熟知本技藝者而言，任意數量的化學釋放頭均 可使用。
在一特定示範性實施例中，上化學釋放頭211及下化學釋放頭213的每一個均設計成一塊派的形狀，其在時鐘手臂基板載體機構200之一外周圍比在其內周圍具有較寬的橫剖面寬度。此種派餅的形狀可使基板的最外部比其內部具有較高的角速度。因此，更多的化學品必須透過例如指向基板之更多數量的噴嘴，送到基板的外部，如此而確保化學品可均勻地覆蓋在基板的每一面。
由於此處所描述之各種特徵的結果，時鐘手臂基板載體機構200可提供連續的流動生產，且有助於製程處理而不受接續基板間顯著的時間間隔影響。如上所提到，濕式化學清洗或蝕刻會牽涉到數個不同的步驟。開始以及停止濕式化學品是非常難以控制的，浪費且沒有效率。時鐘手臂基板載體機構200藉由使每一基板載體135行進整整360°的弧形而以一種連續的方式來處理基板。不像習知之各種系統，其僅提供線性系統而需180°之沒有進行任何晶圓清洗或處理的迴轉，而時鐘手臂基板載體機構200卻可在相對的兩面同時平行進行清洗處理。因此，可分享化學品的控制，藉此降低控制系統費用及無謂的電路。如此一來，在當代的線性系統中，化學品便可節省高達300%(也就是說降低四倍的化學品使用)。
在處理室131中(見圖1B)，至少有兩個處理平行進行：化學控制以及基板移動。下面將參照圖3進一步解說，基板載體135的速度及加速的獨立控制可進行退場步驟以及讓一個以上的基板實質同時進行裝及卸。基板載體135的獨立控制更可在載體一旦裝載或卸載後，讓載體加速以趕上處理流程，下面將詳細解說。
現在參照圖3，顯示一基板移車台機構300之一示範性實施例，其包含一對上軌道301，一對下軌道303，一對右置基板載體305以及一對左置基板載體307。如圖所示，該等基板載體可在彼此平行之不同平面上移動，亦可在與時鐘手臂基板載體機構200之旋轉手臂201平行之平面上移動。此處顯示每一載體均夾持住一半 導體基板311的情況僅是為了協助說明下面基板的整體移動及運送。圖3中，參照基板傳送槽縫133可顯示出基板移車台機構300的所在位置。
該對右置基板載體305以及該對左置基板載體307的每一個均是由馬達309獨立且線性驅動。該馬達可以從各式馬達中選擇。例如在一示範性實施例中，每一馬達309均可是標準NEMA 23框架尺寸，例如具有一整合編碼器之SM2315D伺服馬達(可由Animatics Corporation取得，地址為3200Patrick Henry Drive,Santa Clara,California,USA)。雖然在此未明確顯示，該等載體均由馬達309所驅動，連同一由線性致動器(例如一線性輸送帶驅動系統)驅動之給定載體。此種線性致動器系統在本領域可獨立得知。例如Festo EGC-50輸送帶驅動線性致動器(由FESTO KG所生產，地址Ruiter Strasse 82,Esslingen,Federal Republic of Germany)可用來當作本基板移車台機構300之載體驅動機構。
如同此處所描述之各種示範性實施例，該基板移車台機構300乃顯示僅具有一特定數量的軌道、基板載體、馬達以及相關之驅動機構。然而，對於熟知本技藝者而言，應認出此處所說明之概念可輕易的推斷出任意數量之軌道以及基板載體。
現在請參照圖4A，其顯示一示範性實施例中之時鐘手臂基板載體機構200(見圖2)連同基板移車台機構300(見圖3)的平面圖400。在此示範性實施例中，基板移車台機構300係在時鐘機器手臂基板載體機構200上方運作。
此處將同時參照圖2及圖4A來說明合併之時鐘機器手臂以及移車台機構的示範性操作。在基板已經在處理室131(見圖1B)中經過處理之後，旋轉手臂201的其中之一便暫時停滯在基板升降器207其中之一上方(例如位於基板傳送槽縫133之相對側之升降器)。基板升降器207便將位於該旋轉手臂201上之基板載體135上的半導體基板311升起。若尚未到位，基板移車台機構300上之其中一基板載體(例如其中一右置基板載體305)便移動到基板升降 器207的後方(也就是說在該基板傳送槽縫133之相對側的移車台末端的極端位置處或其附近)。基板升降器207接著便將半導體基板311高舉到足以清洗該右置基板載體305的最上層之載體表面。該載體接著橫向移動以接收(也就是到載有基板之升降器下方之載體的中心)該半導體基板311，基板升降器207降低，如此而將該基板放置在該右置基板載體305上。基板升降器207接著繼續降低至由基板載體135的最低部所形成之平面之下。此時，之前停止的旋轉手臂201便可移動到另一個位置。一旦半導體基板311放置到右置基板載體305上之後，該基板便可被機器人線性傳送到基板傳送槽縫133，並傳送回到FOUP 113(見圖1A)的狹縫中。
與上述剛說明的基板移除處理實質同時發生的是可利用機器人將一未經處理之基板自FOUP 113移開而例如放置到左置基板載體307之其中之一上。(再一次回顧圖3，左置基板載體307可視為髒的基板載體，而右置基板載體305則視為乾淨的基板載體)。利用其中一基板升降器207，可將未經處理的基板放置在目前停止的其中之一旋轉手臂201的基板載體上。例如，未經處理的基板可放置在同一個剛移開已處理基板(如上述)的基板載體135上。(繼續回顧圖3，基板移車台機構300上的每一基板載體彼此係在不同的高度下橫向移動，以避免從處理室131移開之已處理的基板與即將進入處理室131之未經處理的基板之間彼此干擾)。或者，未經處理的基板也可放在已經移除已處理基板的旋轉手臂201之相對末端上的基板載體上。再另一選擇，未經處理的基板也可放在任一旋轉手臂201之任一末端的基板載體上。熟知本技藝者應認出，額外的旋轉手臂、基板升降器、以及線性基板載體均有助於加強基板的產出。
且，上述說明的時鐘手臂基板載體機構200以及基板移車台機構300的設計均可讓每一基板沿著一單軸不需人工操作地移動。例如，不需人工操作的情況下需要兩個元件，一第一機構用以傳送基板，以及一第二機構用以接收基板。然而如同此處所說明，該兩個機構其中之一不移動(也就是說是固定的)，因此增加了基 板傳送操作的穩定度，並可實質降低此兩機構之溝通問題(例如由於一機構為固定，因此時間緊迫的問題較少)。因此，機器人總是有相對固定的位置以移動基板。該固定位置係與寬裕的時間間隔相關連(由於時鐘手臂基板載體機構200之旋轉手臂201彼此獨立)。因此，每小時超過五百片基板的高產出率便可輕易達成。此外，除了機器人之外，此處所討論之移動均為單一軸向而使時鐘手臂基板載體機構200以及基板移車台機構300的生產相對便宜。
吾人應注意右置基板載體305以及左置基板載體307之C形結構可使基板升降器升或降而不受基板載體的干擾。由於基板升降器207為垂直升起，基板升降器207的指爪便伸入基板載體135的槽縫。當基板升降器207持續升起，左置基板載體307便會橫向移動直到與基板升降器207的指爪同中心(也就是以其為中心)，且結果以半導體基板311為中心。基板升降器207此時便下降，左置基板載體307此時便抓住半導體基板311並加以固持。雖然C形結構對此處說明之本發明標的之實施態樣在功能上並非必須，然而熟知本技藝者應瞭解C形載體在操作上的某些優點。此外，熟知本技藝者應可查知由於每一旋轉手臂201均可獨立移動，當其中一手臂停下來裝載或卸載時，其他的手臂可繼續移動，藉此大幅的增加整體系統的效率及產出。
現在請參照圖4B，顯示圖2~4A之時鐘手臂基板載體機構200以及基板移車台機構300的透視圖410，其包含一對移車台排氣風扇411，將氣體從基板移車台機構300周圍導引至附近環境。該對移車台排氣風扇411乃耦合至一對移車台遮罩415的一端，每一移車台遮罩415均具有相連的一對移車台遮罩管道413。該對移車台遮罩管道413乃與該對移車台遮罩415氣流相通，如下參照圖4C的說明。圖4B亦顯示包含一對處理室中央遮罩417。雖然此處為了保持簡潔而未明顯表示，一對位於處理室中央遮罩417上方及左右的處理室蓋(未顯示)乃將時鐘手臂基板載體200(見圖2)與處理室131之容積分隔開來(見圖1B)。
同時參照圖3、4B及4C，基板移車台機構300在圖4C顯示之前視圖包含基板移車台機構300的左側及右側(此前視圖430乃從該對移車台排氣風扇411所在之基板移車台機構300之末端的遠方觀看)。該前視圖430的每一側均為實質彼此對稱。然而，熟知本技藝者應可認出分別用於基板移車台機構300之不論左側或右側的各種元件數量，以維持元件說明的簡潔。一下移車台容積433乃對應於參照圖4B所說明之該對移車台遮罩415。相同地，一上移車台容積431則對應至移車台遮罩管道413。該移車台容積實質包圍上軌道301以及下軌道303。一對狹縫435(只標示在右側)位於下移車台容積433中，其實質沿著基板移車台機構300的長度設置而位於上軌道301及下軌道303的上面和下面。為了平衡通過該對狹縫435的氣流，設置了數個位於下移車台容積433以及上移車台容積411之間的垂直通道。每一移車台容積均可設置成具有不同的橫截面積以補償沿著容積長度方向上遭遇到的壓降。用壓降來平衡此等相異截面積的技術對熟知本技藝者而言均已獨立得知。
一入口氣流437A從該對移車台排氣風扇411被導入至該對狹縫435，該對移車台排氣風扇411乃將氣體抽上並環繞位於下移車台容積433內之基板移車台機構300上之移動的粒子產生機構。如箭頭所顯示之氣流移動，在下移車台容積433中產生之粒子便被導引至該對移車台排氣風扇411，如氣流指示器437B所示(導引入紙的平面)。
在一特定示範實施例中，該對移車台排氣風扇411中的每一個均可抽取約60cfm(約每分鐘1.7m3)的氣體。該對狹縫435的每一個約長1800mm、高21mm，產生約0.41feet2(約0.038m2)的區域。配上由該對移車台排氣風扇411所抽取的60cfm，可產生約每秒2.45feet(約每秒0.75m)或是約每分鐘147feet(約每分鐘44.8m)的氣流速度。因此，使用此種構造，對於粒子尺寸小於50μm所產生之氣流速度比所關注的粒子尺寸範圍的臨界沈降速度VTS還快。大於50μm的粒子會以夠高的速率落下而無法穿過水平狹縫。例如利用下列等式可大致決定克服臨界沈降速度VTS(其為粒子尺 寸之一函數)的所需速度： 其中ρp表示粒子的密度，d是粒子直徑，CC是康寧漢滑溜修正係數(Cunningham slip correction factor)(其本身是粒子直徑以及攜帶氣體的平均自由徑兩者的一個函數)，g為重力加速度，η為空氣的黏滯係數(coefficient of viscosity for the gas)。雖然一般為史多克區域(Stokes regime)內的粒子運動(也就是說當慣性力與黏滯力相比為微不足道時，例如當在雷諾數(Reynolds number)小於1的區域時)，熟知本技藝者應可認出其他區域的粒子亦可以其他控制等式加以特徵化。
現在參照圖5A，顯示處理室131(見圖1B)之下腔室部500的透視圖，並顯示與圖4之示範性時鐘手臂基板載體機構以及基板移車台機構共同使用之示範性處理室排氣及排洩的位置。雖然實際上並非是排氣或排洩系統的一部份，下腔室部500係顯示包含基板升降器207(見圖2)的一對開口501。由於該對開口501並非是排氣或排洩系統的一部份，此處顯示主要是為了圖5A的完整性，雖然約50cfm(約每分鐘1.4m3)會通過該對開口501的每一個被抽取出，以更為降低基板上的潛在污染。
下腔室部500亦顯示包含數個外移車台排氣口503A、503B、數個處理排氣口505A、505B、數個內移車台口507A、507B以及一對處理排洩口509。該等各種排氣口及排洩口的設置均是為了使來自FFU 137的氣流(見圖1B)可以降低處理室131中之微粒計數並提供化學品的控制。下面將參照圖7A-7G，提供關於處理室131中之氣流及氣壓梯度分析之更多額外的細節。
圖5B顯示一示範性處理室排氣及排洩系統550之透視圖，其設置係機械性地耦合於圖5A之下腔室部500下方。圖5B因此讓熟知本技藝者更加瞭解圖5A中與圖1B之處理模組130相關之各排氣口 及排洩口互連的狀況。該處理室排氣及排洩系統550亦顯示包含一入口處理排洩歧管551、一P形彎管553以及一第二圍堵托盤555。該入口處理排洩歧管551乃在橫管組件145下方將每一處理排洩口耦合在一起。P形彎管553提供一實質氣密狀態，其係利用在P形彎管553之最下方部分的常設液體而形成。此常設液體可防止連接至製造設備之任何氣體流回處理室131，如此而降低回流氣體之化學或其他的污染。第二圍堵托盤555會接住在其他情況下從處理模組130所漏出或滴出的液體。在一示範性實施例中，聚偏二氟乙烯(PVDF)的材料可用來作為化學排洩管線，而氯化聚氯乙烯(CPVC)的材料則可作為各種氣流管線。熟知本技藝者應可理解，在本技藝中可單獨得知之其他材料亦可使用。
在一特定示範性實施例中，從處理室131的每一化學區域抽出約120cfm(約每分鐘3.4m3)的體積氣流，再加上額外從兩個處理室131(合併)之非化學區域抽出之約160cfm(約每分鐘4.5m3)，總共來自處理室之約400cfm(約每分鐘11m3)。為了降低處理室131中基板上微粒的污染，該氣流更幫助降低化學品從一處理室溢流至另一處理室的情況，且因此降低化學蒸汽在其他情況下逃竄至製造設備的量。在此特定示範性實施例中，全部的氣流可至少部分如下切分。每一外移車台排氣口503A抽取約24cfm(約每分鐘0.68m3)，而每一外移車台排氣口503B則抽取約26cfm(約每分鐘0.74m3)。每一內移車台排氣口507A抽取約12.5cfm(約每分鐘0.35m3)，而每一內移車台排氣口507B則抽取約25cfm(約每分鐘0.71m3)。每一處理排氣口505A抽取約48cfm(約每分鐘1.4m3)，而每一處理排氣口505B則抽取約52cfm(約每分鐘1.5m3)。
在第一腔室排氣管141以及第二腔室排氣管143中的每一處理排氣口505A附近均存在著約0.5 inches H2O(約0.9torr)的負表壓，而在每一處理排氣口505B附近的排氣管內則存在著稍微較高之約0.6 inches H2O(約1.1torr)的負表壓。從第一腔室排氣管141進入橫管組件145之排壓約為0.8 inches H2O(約1.5torr)，而從第二腔室排氣管143進入橫管組件145之稍微較高的負壓則約為1.2 inches H2O(約2.2torr)。每一處理排洩口509均抽取約6cfm(約每分鐘0.17m3)。在腔室排氣煙囪147至設備介面的連接處的負排氣壓在約400cfm的體積抽取時為約1.7 inches H2O(約3.2torr)。此處雖未明確顯示，但可在腔室排氣煙囪147中使用一壓力感測器以確認腔室氣流。該壓力感測器可在例如第一操作員控制介面115A(見圖1a)處硬線連接至處理工具100，以防止萬一負排氣壓掉到預定水準以下時系統啟動或繼續運轉的情況。
現在同時參照圖1B及圖6，一示範性氣體處理示意圖顯示進出EFEM 110以及圖1A之處理模組130的體積流速率。熟知本技藝者可瞭解所有的體積流速率均僅為大約值，且僅用來增進對整個系統之整體設計的瞭解。亦可使用其他的流速率。在此示範性實施例中，一個以上之風扇601進入HEPA過濾器603(兩者均位於FFU 137內)產生了約910cfm(約每分鐘25.8m3)的體積流速率。從初始的910cfm，大約有590cfm(約每分鐘16.7m3)直接流經移車台容積607，176cfm(約每分鐘4.98m3)流入處理室容積609，而有145cfm(約每分鐘4.10m3)潔淨過剩的氣流便就近通過位於耦合在FFU 137下方的遮罩下之周圍狹縫753(下請見圖7B)而回到設備中。在一示範性實施例中，該周圍狹縫753高約12mm，且環繞該遮罩的周圍形成。該通過周圍狹縫753之過剩氣流具有約每秒鐘一公尺的排出速度，並萬一在一個以上之風扇601有降低之容積氣體輸出時，其可協助確保移車台及處理室容積隨時都有足夠的氣流。
繼續參照圖1B及圖6，EFEM口605另增加了約90cfm(約每分鐘2.5m3)至移車台容積607中，如此而使位於基板裝載位置(見圖1A)上之任意半導體基板311(見圖3)的壓力得以維持在比移車台容積607高的程度，並降低或防止來自處理室131回流至EFEM 110、最終流入製造設備的任何化學或微粒的污染。移車台容積607乃被維持在相對於處理室容積609的正壓力。此壓力係由移車台壓力計619A所監測。移車台壓力計619A可電子耦合至操作員控制介面其中之一(例如圖1A之第一操作員控制介面115A)。
由於移車台容積607內之正壓，有64cfm(約每分鐘1.8m3)的氣體從移車台容積607流入處理室容積609，而有60cfm(約每分鐘1.7m3)的氣體流入軌槽容積611(包含內軌部203以及外軌部205，見圖2)。該64cfm的體積氣流通常與載體位於同一平面，並且保持在可預防處理室許多紊流的速度，但其速度比載體速度大，介於約每秒3英呎到10英呎(約每秒1公尺到每秒3公尺)，以防止化學蒸汽被拉出。由於內軌部203以及外軌部205乃機械性的引導旋轉手臂201，當這些滑動元件相遇時，便會在其各自的表面上產生一些微粒污染。因此，該60cfm的氣流便提供氣流將軌槽容積611處的粒子進行清洗並沖至洗滌後排氣裝置617。洗滌後排氣裝置617乃相對於本系統之其餘部分維持在約1~2 inches of H2O(約1.9~3.7torr)的負壓狀態。移車台容積607從該對移車台排氣風扇411(見圖4B)另外產生了120cfm。圖6指出該120cfm(約每分鐘3.4m3)消散在周圍環境中。然而，熟知本技藝者可瞭解由該對移車台排氣風扇411所進行之排氣可選擇性地導引至一地面排洩系統容積613。該產生之送至移車台容積607之剩餘436cfm(約每分鐘12.3m3)則被導引至該地面排洩系統容積613。
再度參照處理室容積609，處理室容積609亦由一處理室壓力計619B來監測。該移車台壓力計619A以及處理室壓力計619B可確保微粒污染以及化學污染如上述般地從移車台容積607及處理室容積609分別被適當地掃除。
在進入處理室容積609的240cfm(約每分鐘6.8m3)中，該氣流之一可調整的部分係導引至化學頭容積615(與圖2之化學釋放頭相關)以及軌槽容積611，而多餘的氣流則導引至洗滌後排氣裝置617。除了那145cfm的潔淨多餘氣流就近透過周圍狹縫753回流至該設備之外，所有其他的氣流(潛在性已被化學或微粒污染)實質上均透過設備內之地面排洩系統(FDS)613或洗滌後排氣裝置617而回流。
現在參照圖7A並繼續參照圖6，在此顯示圖1B之處理室131之實體元件的示範性透視圖700(部分被切掉)以及示範性平面圖 730。如上述參照圖5B及圖6的說明，該實體元件乃用於各種氣流及氣壓梯度決定之計算流體力學(CFD)模型中。示範性透視圖700顯示包含用於FFU 137(見圖1B)之外殼區域703，FFU 137包含一個以上之風扇601以及HEPA過濾器603。遮罩701可將來自外殼區域703之氣流連接至基板移車台機構(未明確顯示以保留此處之清晰度)並進入處理室131。一載體手臂通道狹縫705協助保留移車台容積607中相對於處理室容積609較高的壓力，因此促成處理室131之外部的化學圍堵。圖2之旋轉手臂201在操作時乃透過載體手臂通道狹縫705來移動。示範性平面圖730顯示包含化學區域731，圖2之化學頭便位於其中。
現在參照圖7B，一透視圖750以及一側視圖770(兩圖都是位於對稱線的一側)顯示圖1B之處理室的流體域，該處理室乃用於使用圖7A之實體元件之計算流體力學模型。圖7B則提供對接下來的各種CFD模型流程圖以及壓力圖的整體瞭解。在一般情況下，FFU 137之主要氣體入口751以及EFEM 110的次要氣體入口757的組合會將氣流送進圖1B的處理室131中。參照上述圖6B所說明之周圍狹縫753，其提供潔淨剩餘氣流755回流至製造設備。上化學釋放頭211以及處理排氣口505A及505B的顯示可幫助熟知本技藝者更易瞭解此處所說明之各個不同圖示(例如圖1B~5B)的元件之間的關係。如同圖6所討論的，上述每一排氣氣流最後均實質流向FDS出口，因此而提供一排氣氣流出口759。
圖7C~7H均是為了協助熟知CFD模型技巧者更加全面瞭解以及領會參照圖5B及圖6所說明之本發明的各種實施態樣。例如，圖7C為透視圖750、平面圖790以及側視圖770(此三視圖均是在一對稱線的一側)顯示在圖1B之處理室內一般氣體流運動之流體域中經過計算的粒子軌跡。熟知本技藝者應瞭解該經計算之粒子軌跡確認了上述關於圖6之氣體處理示意圖的廣義描述。
圖7D為透視圖750及平面圖790(兩圖均位於一對稱線的一側)，顯示一經計算的壓力場，以查證處理室131中相關壓力差之位置。該經計算之壓力場可查證例如微粒及化學兩者侷限的區 域。化學蒸汽以及較小的微粒(例如小於50μm)均實質容納於具有降低壓力(也就是相對於其他周圍區域較高的負壓)的區域中。
圖7E為一透視圖(位於一對稱線的一側)，顯示一經計算的速度流動場，說明來自處理室中之HEPA入口的一般氣流運動。圖7F則類似地顯示處理室入口中之遮罩狹縫到各種出口的一般氣流運動。
圖7G為一透視圖(位於一對稱線的一側)，顯示一經計算的速度流動場，說明來自處理室之一部分中之HEPA入口以及位於游離棒139之一附近的周圍狹縫753(見圖7B)中一般氣流運動。類似地，圖7H則為一側視圖(在對稱線的一側且沒有游離棒139)，顯示一經計算之壓力場，說明來自處理室中HEPA入口以及周圍狹縫753的氣壓梯度。
熟知本技藝者應瞭解由圖7B~7H之流動以及壓力圖所顯示出之每一經計算的流動及壓力場均被視為圖5B之示範性處理室排氣及排洩系統以及圖6之示範性氣體處理示意圖之一實體配置，以更完整瞭解此處說明之各種示範性實施例。熟知本技藝者將更進一步瞭解，有了此處所提供之各種描述，處理工具內之氣流管理用之示範性系統亦可安裝在不同的工具以及一條製程線的多個點上。熟知本技藝者可更進一步瞭解到本系統可輕易地安裝在典型的製造設備之不同部分中的複數個處理及計量工具上(例如在前端處理、後端處理以及測試操作)。
且，雖然已參照特定示範性實施例說明本發明標的之概要，在不悖離本發明標的實施態樣之較寬精神及範圍之下，可對實施例進行各種修改及變更。本發明標的之此等實施例為了方便起見，可單獨或聯合稱之為「本發明」，但並不主動限制本應用範圍為單一發明或發明概念(若有一個以上的應用實際上揭露的話)。此處說明之實施例乃以足夠之細節說明，使熟知本技藝者可依揭露之教示操作。其他實施例亦可使用並據以延伸，使結構性或邏輯性之替代物或變更可在不偏離本揭露範圍的情況下進行。因 此，此處之詳細說明不應被視為限制性，且各種實施例之範圍僅藉由所附之申請專利範圍以及此等申請專利範圍之相等物的全部範圍所界定。
且，此處說明為單一之結構性元件或操作，亦得為複數情況。功能性的其他配置亦為可行。該等其他配置亦落入本發明標的之各種實施例的範圍。總之，在示範性結構中視為不同資源的結構及功能性可裝設成一合併結構或資源。類似地，以單一資源出現之結構及功能性亦可以分開的資源來設置。
此外，許多與半導體產業相關之工業亦可使用此處描述之系統及技術。例如，資料處理行業中的薄膜頭(TFH)處理、平面顯示器產業中的主動矩陣液晶顯示器(AMLCD)、或者微電機產業(MEM)亦可輕易使用此處說明之系統及技術。因此「半導體」應被視為包含前述之相關產業。在不脫離由所附之申請專利範圍所界定之本發明的範圍內，此等以及其他之變型、修改、增添以及改善仍應落入本發明之範圍。因此，本說明書及圖示應被視為例示性而非限制性。
100‧‧‧處理工具
110‧‧‧設備前端模組(EFEM)
111‧‧‧基板裝卸站
113‧‧‧FOUP
115A‧‧‧第一操作員控制介面
115B‧‧‧第二操作員控制介面
130‧‧‧處理模組
131‧‧‧處理室
133‧‧‧基板傳送槽縫
135‧‧‧基板載體
137‧‧‧風扇過濾器單元(FFU)
139‧‧‧游離棒
141‧‧‧第一腔室排氣管
143‧‧‧第二腔室排氣管
145‧‧‧橫管組件
147‧‧‧腔室排氣煙囪
150‧‧‧電子殼體
200‧‧‧時鐘手臂基板載體機構
201‧‧‧旋轉手臂
203‧‧‧內軌部
205‧‧‧外軌部
207‧‧‧基板升降器
211‧‧‧上化學釋放頭
213‧‧‧下化學釋放頭
300‧‧‧基板移車台機構
301‧‧‧上軌道
303‧‧‧下軌道
305‧‧‧右置基板載體
307‧‧‧左置基板載體
309‧‧‧馬達
311‧‧‧半導體基板
411‧‧‧移車台排氣風扇
413‧‧‧移車台遮罩管道
415‧‧‧移車台遮罩
417‧‧‧處理室中央遮罩
431‧‧‧上移車台容積
433‧‧‧下移車台容積
435‧‧‧狹縫
437A‧‧‧入口氣流
437B‧‧‧氣流指示器
500‧‧‧下腔室部
501‧‧‧開口
503A、503B‧‧‧外移車台排氣口
505A、505B‧‧‧處理排氣口
507A、507B‧‧‧內移車台排氣口
509‧‧‧處理排洩口
550‧‧‧處理室排氣及排洩系統
551‧‧‧入口處理排洩歧管
553‧‧‧P形彎管
555‧‧‧第二圍堵托盤
601‧‧‧風扇
603‧‧‧HEPA過濾器
605‧‧‧EFEM口
607‧‧‧移車台容積
609‧‧‧處理室容積
611‧‧‧軌槽容積
613‧‧‧地面排洩系統容積
615‧‧‧化學頭容積
617‧‧‧洗滌後排氣裝置
619A‧‧‧移車台壓力計
619B‧‧‧處理室壓力計
701‧‧‧遮罩
703‧‧‧外殼區域
705‧‧‧載體手臂通道狹縫
731‧‧‧化學區域
751‧‧‧主要氣體入口
753‧‧‧周圍狹縫
755‧‧‧潔淨剩餘氣流
757‧‧‧次要氣體入口
759‧‧‧排氣氣流出口
此處所附之各種圖示僅為說明本發明之實施例，並不視為對本申請專利範圍之限縮。
圖1A為一示範性基板處理工具之展開透視圖，其包含設備前端模組(EFEM)、處理模組、以及電子殼體，包含至少此處所描述之發明主體之實施態樣；圖1B為一透視圖，說明圖1A中包含處理室之處理模組；圖2為一透視圖，說明用於圖1B之處理室中之示範性時鐘手臂基板載體機構；圖3為一透視圖，說明與圖2之時鐘手臂基板載體機構共同使用且位於圖1B之處理室內之一示範性基板移車台機構。
圖4A為一平面圖，說明在一示範性實施例中與圖3之基板移車 台機構共同使用之圖2之時鐘手臂基板載體機構。
圖4B為一透視圖，說明圖4A之時鐘手臂基板載體機構以及基板移車台機構，並以一移車台管道及遮罩機構的示範性實施例來說明之。
圖4C為圖3之基板移車台機構之一前視圖，其包含圖4B之示範性移車台管道及遮罩機構。
圖5A為處理室之一下部的透視圖，顯示與圖4A之該示範性時鐘手臂載體機構及基板移車台機構共同使用並位於圖1B之該處理模組中之示範性處理室排氣及排洩的位置。
圖5B顯示一示範性處理室排氣及排洩系統之透視圖，其用於圖1B之該處理模組中。
圖6顯示一示範性氣體處理示意圖，說明進出圖1A之EFEM以及處理模組的體積流速率。
圖7A顯示圖1B之處理室之實體元件的示範性透視圖以及示範性平面圖，該實體元件乃用於計算流體力學(CFD)模型中。
圖7B顯示一透視圖以及一側視圖(兩圖都是位於對稱線的一側)，說明圖1B之處理室的流體域，該處理室乃用於使用圖7A之實體元件之計算流體力學模型。
圖7C為一透視圖、一平面圖以及一側視圖(此三視圖均在對稱線的一側)，顯示一經過計算的粒子軌跡，說明在圖1B之處理室內一般氣體流運動。
圖7D為一透視圖及一平面圖(兩圖均位於對稱線的一側)，顯示一經計算的壓力場，以驗證圖1B之處理室中負壓的位置。
圖7E為一透視圖(位於對稱線的一側)，顯示一經計算的速度流動場，說明圖1B之處理室中之高效能微粒氣體過濾器(HEPA)入口的一般氣流運動。
圖7F為一透視圖(位於對稱線的一側)，顯示一經計算的速度流動場，說明圖1B之處理室入口中之遮罩狹縫到圖5A及5B指出之出口位置的一般氣流運動。
圖7G為一側視圖(位於對稱線的一側)，顯示一經計算的速度流動場，說明來自HEPA入口以及圖1B之處理室中環繞游離棒139的周圍狹縫753的一般氣流運動。以及圖7H為一側視圖(在對稱線的一側)，顯示一經計算之壓力場，說明來自圖1B之處理室中HEPA入口以及周圍狹縫753的氣壓梯度。
133‧‧‧基板傳送槽縫
410‧‧‧透視圖
411‧‧‧移車台排氣風扇
413‧‧‧移車台遮罩管道
415‧‧‧移車台遮罩
417‧‧‧處理室中央遮罩

Claims (35)

  1. 一種降低基板上粒子污染的系統，包含一基板傳送部，其具有一個以上的軌道以傳送基板載體，其中該基板傳送部部分包含一時鐘手臂基板載體機構，該機構具有複數個載體手臂，且每一手臂均具有一在其兩相對端點之間的中間點，並可在彼此平行的平面上繞著該中間點旋轉，其中該基板傳送部具有一線性基板移車台機構，其中該線性基板移車台機構具有數個線性基板載體安裝於其上，其中該每一線性基板載體的設置均使基板的傳送在與該載體手臂所在之平面實質平行的平面上進行，且其中該數個線性基板載體的每一個均位於與該數個線性基板載體之其他者不同的平面上；一個以上之移車台管道，裝設成至少部分環繞該一個以上的軌道，並在沿著一段該一個以上的軌道的至少一實質部分上具有狹縫；以及一移車台排氣風扇，其耦合於該一個以上之移車台管道中每一個的一端，該移車台排氣風扇提供足夠的體積氣流而使該體積氣流通過該狹縫時的速度大於預定粒子尺寸的臨界沈降速度，該移車台排氣風扇進一步將該線性基板移車台機構產生之小於約略預定粒子尺寸的粒子抽至該一個以上之移車台管道。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之降低基板上粒子污染的系統，其中該一個以上之移車台管道沿著其長度方向上具有不同的橫截面積以平衡來自該移車台排氣風扇之壓降，而使沿著該狹縫長度方向上的氣流速度為實質一致。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之降低基板上粒子污染的系統，其中該臨界沈降速度係為了小於約50μm的預定粒子尺寸而定。
  4. 一種降低基板上粒子污染的系統，包含一外殼，將一基板生產工具耦合至一風扇過濾單元，該風扇 過濾單元乃將濾過之空氣提供至該外殼；一設備連接裝置，其將該基板生產工具耦合至一降壓排氣機構；一基板傳送部，耦合於該外殼下方，並與該設備連接裝置氣流相通，該基板傳送部部分包含一時鐘手臂基板載體機構，該機構具有複數個載體手臂，且每一手臂均具有一在其兩相對端點之間的中間點，並可在彼此平行的平面上繞著中間點旋轉，該基板傳送部更包含一線性基板移車台機構，其具有數個線性基板載體安裝於其上，該每一線性基板載體的設置均使基板的傳送在與該載體手臂所在之平面實質平行的平面上進行，且該複數個線性基板載體的每一個均彼此位於不同的平面上；一基板處理區域，藉由一個以上之基板傳送口與該基板傳送部耦合，該時鐘手臂基板載體機構係透過該一個以上之基板傳送口而將基板在該基板處理區域與該基板傳送部之間傳送；以及一處理室，係實質包含該基板傳送部以及該基板處理區域，且該處理室乃耦合至該外殼以接收過濾空氣，並耦合至該設備連接裝置以便對多餘的氣體流提供排氣，該處理室的設置乃將該基板處理區域保持在相對於該基板傳送部低的壓力。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之降低基板上粒子污染的系統，其中更包含至少一周圍基板傳送口，其位於最接近一旋轉路徑之外周圍的位置及該線性基板移車台機構之一端，該旋轉路徑為該複數載體手臂橫越的路徑。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之降低基板上粒子污染的系統，其中該至少一周圍基板傳送口的設置係用以從一基板盒接收進出該處理室的基板，該至少一周圍基板傳送口係維持在相對於該基板盒低的壓力。
  7. 如申請專利範圍第4項所述之降低基板上粒子污染的系統，其 中該線性基板移車台機構在運作上係耦合至該複數載體手臂上方。
  8. 如申請專利範圍第4項所述之降低基板上粒子污染的系統，其中該線性基板移車台機構更包含至少兩個上軌道；至少兩個下軌道；以及線性驅動機構，其分別耦合至該至少兩個上軌道以及該至少兩個下軌道中的每一個，每一該複數線性基板載體係機械性地耦合至該線性驅動機構中專有的一個。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之降低基板上粒子污染的系統，其中該線性基板移車台機構乃位於該外殼以及該設備連接裝置之間，該線性基板移車台機構運作時的容積乃設置成比該設備連接裝置的壓力較高，以抽取操作時由該線性驅動機構產生之粒子而進入該降壓排氣機構。
  10. 如申請專利範圍第4項所述之降低基板上粒子污染的系統，其中該一個以上之基板傳送口的設置係將該基板處理區域維持在相對於該基板傳送部低的氣壓。
  11. 如申請專利範圍第4項所述之降低基板上粒子污染的系統，其中該處理室的設置進一步將該基板傳送部維持在相對於該設備連接裝置高的氣壓。
  12. 如申請專利範圍第4項所述之降低基板上粒子污染的系統，其中該處理室的設置進一步將該基板處理區域維持在相對於該設備連接裝置高的氣壓。
  13. 如申請專利範圍第4項所述之降低基板上粒子污染的系統，其 中該基板傳送部以及該基板處理區域位於實質彼此水平的位置。
  14. 如申請專利範圍第4項所述之降低基板上粒子污染的系統，其中該設備連接裝置位於該基板傳送部下方。
  15. 如申請專利範圍第4項所述之降低基板上粒子污染的系統，其中該處理室更包含一基板口，以從一基板盒接收進出該處理室的基板，該基板口乃相對於該基板盒維持在一低氣壓。
  16. 如申請專利範圍第4項所述之降低基板上粒子污染的系統，其中該基板處理區域包含一化學處理部。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之降低基板上粒子污染的系統，其中相對於該基板傳送部，該處理室係設置成在該基板處理區域中維持一低氣壓，以實質將化學蒸汽包容於該化學處理部中而不到達該基板傳送部。
  18. 一種降低晶圓處理工具中之晶圓上粒子污染的系統，其中該系統包含一風扇過濾單元，以提供濾過的空氣至該晶圓處理工具；一設備連接裝置，其將該晶圓處理工具耦合至一晶圓製造設備之降壓排氣機構；一晶圓傳送部，耦合於該風扇過濾單元下方，並與該設備連接裝置氣流相通，該晶圓傳送部部分包含一時鐘手臂晶圓載體機構，其具有複數個載體手臂，每一手臂在其兩相對端點之間均具有一中間點，並且設置成可在彼此平行的平面上繞著該中間點旋轉，該晶圓傳送部更包含一線性晶圓移車台機構，其上設有複數個線性晶圓載體，該複數個線性晶圓載體的每一個的設置均可使晶圓的傳送在與該載體手臂所在之平面實質平行的平面上進行，且每一該複數個線性晶圓載體均彼此位於不同的平面上； 一晶圓處理區域，其係利用一個以上之晶圓傳送口與該晶圓傳送部耦合，該時鐘手臂晶圓載體機構的設置係透過該一個以上之晶圓傳送口而將該晶圓在該晶圓處理區域與該晶圓傳送部之間傳送；以及一處理室，其係實質包含該晶圓傳送部以及該晶圓處理區域，且其設置乃耦合該風扇過濾單元以接收濾過之空氣，其並耦合至該設備連接裝置以便對多餘的氣體流提供排氣，該處理室的設置並將該晶圓處理區域保持在相對於該晶圓傳送部低的壓力。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之降低晶圓處理工具中之晶圓上粒子污染的系統，其中該晶圓處理區域包含一化學處理部。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之降低晶圓處理工具中之晶圓上粒子污染的系統，其中該處理室將該晶圓處理區域保持在相對於該晶圓傳送部低的壓力之設置乃實質將化學蒸汽容納於該化學處理部中，而不使其到達該晶圓傳送部。
  21. 如申請專利範圍第18項所述之降低晶圓處理工具中之晶圓上粒子污染的系統，其中該一個以上之晶圓傳送口的設置係將該晶圓處理區域內維持在該相對於該晶圓傳送部低的壓力。
  22. 如申請專利範圍第18項所述之降低晶圓處理工具中之晶圓上粒子污染的系統，其中該處理室之設置更使該晶圓傳送部內維持在相對於該設備連接裝置高的壓力。
  23. 如申請專利範圍第18項所述之降低晶圓處理工具中之晶圓上粒子污染的系統，其中該處理室之設置更使該晶圓處理區域內維持在相對於該設備連接裝置高的壓力。
  24. 如申請專利範圍第18項所述之降低晶圓處理工具中之晶圓上 粒子污染的系統，其中該晶圓傳送部及該晶圓處理區域係位於彼此實質水平的位置。
  25. 如申請專利範圍第18項所述之降低晶圓處理工具中之晶圓上粒子污染的系統，其中該設備連接裝置係位於該晶圓傳送部下方。
  26. 如申請專利範圍第18項所述之降低晶圓處理工具中之晶圓上粒子污染的系統，其更包含至少一周圍晶圓傳送口，其位於最接近一旋轉路徑之一外周圍以及該線性晶圓移車台機構之一端的位置，該旋轉路徑為該複數個載體手臂橫越的路徑。
  27. 如申請專利範圍第26項所述之降低晶圓處理工具中之晶圓上粒子污染的系統，其中該至少一周圍晶圓傳送口的設置乃用以接收從一晶圓盒進出該處理室之該晶圓，該至少一周圍晶圓傳送口乃被維持在相對於該晶圓盒低的壓力。
  28. 如申請專利範圍第18項所述之降低晶圓處理工具中之晶圓上粒子污染的系統，其中該線性晶圓移車台機構在運作上係耦合至該複數個載體手臂上方。
  29. 如申請專利範圍第18項所述之降低晶圓處理工具中之晶圓上粒子污染的系統，其中該線性晶圓移車台機構更包含至少兩個上軌道；至少兩個下軌道；以及線性驅動機構，分別耦合至該至少兩個上軌道以及該至少兩個下軌道中的每一個，每一該線性晶圓載體均機械性耦合至該線性驅動機構的專有的一個。
  30. 如申請專利範圍第29項所述之降低晶圓處理工具中之晶圓上粒子污染的系統，其中該線性晶圓移車台機構乃位於該風扇過濾 單元以及該設備連接裝置之間，該線性晶圓移車台機構運作時的容積乃設置成比該設備連接裝置的壓力較高，以抽取操作時由該線性驅動機構產生之粒子而進入該降壓排氣機構。
  31. 一種降低基板上粒子污染的方法，其步驟包含提供一外殼，其將一基板生產工具耦合至一風扇過濾單元，該風扇過濾單元乃將濾過之空氣提供至該基板生產工具；提供一設備連接裝置，其將該基板生產工具耦合至一降壓排氣機構，該降壓排氣機構提供該基板生產工具內之多餘氣流的排氣；提供一基板傳送部，耦合於該外殼下方，並與該設備連接裝置氣流相通，該基板傳送部部分包含一時鐘手臂基板載體機構，該機構具有複數個載體手臂，且每一手臂在其兩相對端點之間均具有一中間點，且每一手臂可在彼此平行的平面上繞著該中間點旋轉，該基板傳送部更包含一線性基板移車台機構，其具有數個線性基板載體安裝於其上，該每一線性基板載體的設置均使基板的傳送在與該複數個載體手臂所在之平面實質平行的平面上進行，且該複數個線性基板載體的每一個均彼此位於不同的平面上；將該基板生產工具之一基板處理區域維持在比該基板生產工具之該基板傳送部較低的壓力；將該基板處理區域維持在比該降壓排氣機構較高的壓力；將該基板傳送部維持在比該降壓排氣機構較高的壓力。
  32. 如申請專利範圍第31項所述之降低基板上粒子污染的方法，其步驟更包含提供一個以上之基板傳送口，位於該基板處理區域以及該基板傳送部之間，以維持該基板處理區域內相對於該基板傳送部低的壓力。
  33. 如申請專利範圍第31項所述之降低基板上粒子污染的方法，其步驟包含將該基板傳送部以及該基板處理區域設置在彼此實質 水平的位置，以降低在該基板傳送部以及該基板處理區域間傳送的粒子。
  34. 如申請專利範圍第31項所述之降低基板上粒子污染的方法，其步驟更包含提供一化學處理部，位於該基板處理區域內。
  35. 如申請專利範圍第34項所述之降低基板上粒子污染的方法，其中將該基板處理區域內維持在相對於該基板傳送部低的壓力之設置乃實質將化學蒸汽容納於該化學處理部中，而不使其到達該基板傳送部。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9117870B2 (en) * 2008-03-27 2015-08-25 Lam Research Corporation High throughput cleaner chamber
US8562272B2 (en) * 2010-02-16 2013-10-22 Lam Research Corporation Substrate load and unload mechanisms for high throughput
US8893642B2 (en) * 2010-03-24 2014-11-25 Lam Research Corporation Airflow management for low particulate count in a process tool
US8282698B2 (en) 2010-03-24 2012-10-09 Lam Research Corporation Reduction of particle contamination produced by moving mechanisms in a process tool
US8701561B2 (en) 2010-09-13 2014-04-22 Raytheon Company Projectile that includes a sensor to obtain environmental data during launch from a cannon
US9873940B2 (en) 2013-12-31 2018-01-23 Lam Research Corporation Coating system and method for coating interior fluid wetted surfaces of a component of a semiconductor substrate processing apparatus
US9818633B2 (en) 2014-10-17 2017-11-14 Lam Research Corporation Equipment front end module for transferring wafers and method of transferring wafers
US9673071B2 (en) 2014-10-23 2017-06-06 Lam Research Corporation Buffer station for thermal control of semiconductor substrates transferred therethrough and method of transferring semiconductor substrates
US11315816B2 (en) * 2020-06-10 2022-04-26 Kla Corporation Localized purge module for substrate handling

Family Cites Families (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH067542B2 (ja) * 1984-11-22 1994-01-26 株式会社日立製作所 製造装置
US5096364A (en) * 1986-04-28 1992-03-17 Varian Associates, Inc. Wafer arm handler mechanism
FR2620049B2 (fr) * 1986-11-28 1989-11-24 Commissariat Energie Atomique Procede de traitement, stockage et/ou transfert d'un objet dans une atmosphere de haute proprete, et conteneur pour la mise en oeuvre de ce procede
FR2607406B1 (fr) * 1986-11-28 1989-01-27 Commissariat Energie Atomique Procede de traitement d'un objet dans une atmosphere de haute proprete et conteneur pour la mise en oeuvre de ce procede
JPH0237742A (ja) 1988-07-28 1990-02-07 Nec Corp 半導体装置の製造装置
JP2706665B2 (ja) 1990-01-18 1998-01-28 東京エレクトロン株式会社 基板移載装置及び処理装置
US5843233A (en) * 1990-07-16 1998-12-01 Novellus Systems, Inc. Exclusion guard and gas-based substrate protection for chemical vapor deposition apparatus
US5133284A (en) * 1990-07-16 1992-07-28 National Semiconductor Corp. Gas-based backside protection during substrate processing
EP0496006A1 (en) * 1991-01-19 1992-07-29 International Business Machines Corporation Wafer transfer apparatus
JP3309416B2 (ja) * 1992-02-13 2002-07-29 松下電器産業株式会社 連結式クリーン空間装置
US5229615A (en) * 1992-03-05 1993-07-20 Eaton Corporation End station for a parallel beam ion implanter
US5295777A (en) * 1992-12-23 1994-03-22 Materials Research Corporation Wafer transport module with rotatable and horizontally extendable wafer holder
KR0179405B1 (ko) * 1993-04-12 1999-04-15 마스다 쇼오이치로오 크린장치가 부착된 하물보관설비
JP3061339B2 (ja) * 1993-06-01 2000-07-10 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置
JPH0766165A (ja) * 1993-08-23 1995-03-10 Sony Corp 洗浄装置
DE4340522A1 (de) * 1993-11-29 1995-06-01 Leybold Ag Vorrichtung und Verfahren zum schrittweisen und automatischen Be- und Entladen einer Beschichtungsanlage
US5979475A (en) * 1994-04-28 1999-11-09 Hitachi, Ltd. Specimen holding method and fluid treatment method of specimen surface and systems therefor
US5765444A (en) * 1995-07-10 1998-06-16 Kensington Laboratories, Inc. Dual end effector, multiple link robot arm system with corner reacharound and extended reach capabilities
JP3218425B2 (ja) * 1996-03-25 2001-10-15 東京エレクトロン株式会社 処理方法及び処理装置
US6082950A (en) * 1996-11-18 2000-07-04 Applied Materials, Inc. Front end wafer staging with wafer cassette turntables and on-the-fly wafer center finding
US5951770A (en) * 1997-06-04 1999-09-14 Applied Materials, Inc. Carousel wafer transfer system
US6048162A (en) * 1997-08-28 2000-04-11 Cvc Products, Inc. Wafer handler for multi-station tool
US6155768A (en) * 1998-01-30 2000-12-05 Kensington Laboratories, Inc. Multiple link robot arm system implemented with offset end effectors to provide extended reach and enhanced throughput
US6050891A (en) * 1998-02-06 2000-04-18 Applied Materials, Inc. Vacuum processing system with turbo-axial fan in clean-air supply system of front end environment
EP1057214A1 (en) * 1998-02-18 2000-12-06 Applied Materials, Inc. End effector for wafer handler in processing system
US6158951A (en) * 1998-07-10 2000-12-12 Asm America, Inc. Wafer carrier and method for handling of wafers with minimal contact
US6328872B1 (en) * 1999-04-03 2001-12-11 Nutool, Inc. Method and apparatus for plating and polishing a semiconductor substrate
IL143467A (en) 1998-12-02 2005-05-17 Newport Corp Specimen holding robotic arm and effector
US6485250B2 (en) * 1998-12-30 2002-11-26 Brooks Automation Inc. Substrate transport apparatus with multiple arms on a common axis of rotation
US6368183B1 (en) * 1999-02-03 2002-04-09 Speedfam-Ipec Corporation Wafer cleaning apparatus and associated wafer processing methods
US6882416B1 (en) * 1999-09-07 2005-04-19 Applied Materials, Inc. Methods for continuous embedded process monitoring and optical inspection of substrates using specular signature analysis
US6558509B2 (en) 1999-11-30 2003-05-06 Applied Materials, Inc. Dual wafer load lock
US6429139B1 (en) 1999-12-17 2002-08-06 Eaton Corporation Serial wafer handling mechanism
NL1015397C2 (nl) * 2000-06-07 2001-12-10 Asm Int Inrichting voor het behandelen van een wafer.
JP2002151574A (ja) * 2000-11-08 2002-05-24 Nec Kansai Ltd 搬送装置
US20020075478A1 (en) * 2000-12-18 2002-06-20 Applied Materials, Inc. Inspection device having wafer exchange stage
JP2002305232A (ja) * 2001-01-22 2002-10-18 Cosam Inc 半導体製造装置
KR100433067B1 (ko) 2001-01-22 2004-05-27 주식회사 라셈텍 반도체 제조장치
JP4683453B2 (ja) 2001-04-27 2011-05-18 芝浦メカトロニクス株式会社 真空処理装置
US6663333B2 (en) 2001-07-13 2003-12-16 Axcelis Technologies, Inc. Wafer transport apparatus
JP2003229466A (ja) 2002-02-04 2003-08-15 Seiko Instruments Inc 真空処理装置
US20030202865A1 (en) * 2002-04-25 2003-10-30 Applied Materials, Inc. Substrate transfer apparatus
TWI282139B (en) * 2002-07-01 2007-06-01 Advanced Display Kabushiki Kai Carrying vehicle, manufacturing apparatus, and carrying system
JP2004193418A (ja) 2002-12-12 2004-07-08 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
JP2004200329A (ja) 2002-12-17 2004-07-15 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
KR100483428B1 (ko) * 2003-01-24 2005-04-14 삼성전자주식회사 기판 가공 장치
JP4468021B2 (ja) * 2003-03-25 2010-05-26 キヤノン株式会社 ロードロックシステム及び露光処理システム並びにデバイスの製造方法
JPWO2004088742A1 (ja) * 2003-03-28 2006-07-06 平田機工株式会社 基板搬送システム
JP4272484B2 (ja) * 2003-08-28 2009-06-03 東京エレクトロン株式会社 熱処理方法
KR100666346B1 (ko) * 2003-10-08 2007-01-11 세메스 주식회사 기판세정장치 및 그 방법
US7934513B2 (en) * 2003-10-08 2011-05-03 Semes Co., Ltd. Facility with multi-storied process chamber for cleaning substrates and method for cleaning substrates using the facility
WO2005121027A2 (en) * 2004-06-04 2005-12-22 Durr Ecoclean, Inc. An integrated machining module for processing workpieces and a method of assembling the same
JP2006028577A (ja) 2004-07-15 2006-02-02 Canon Anelva Corp Ｃｖｄ装置
KR101279819B1 (ko) * 2005-04-12 2013-06-28 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드 방사-편향 연마 패드
CN100362620C (zh) 2005-08-11 2008-01-16 中微半导体设备(上海)有限公司 半导体工艺件装卸装置及其装载和卸载方法
KR100814238B1 (ko) 2006-05-03 2008-03-17 위순임 기판 반송 장치 및 이를 이용한 기판 처리 시스템
US7833351B2 (en) * 2006-06-26 2010-11-16 Applied Materials, Inc. Batch processing platform for ALD and CVD
US8113757B2 (en) * 2006-08-01 2012-02-14 Tokyo Electron Limited Intermediate transfer chamber, substrate processing system, and exhaust method for the intermediate transfer chamber
WO2008140728A2 (en) 2007-05-08 2008-11-20 Brooks Automation, Inc. Substrate transport apparatus with multiple movable arms utilizing a mechanical switch mechanism
JP2011514652A (ja) * 2007-07-17 2011-05-06 ブルックス オートメーション インコーポレイテッド チャンバ壁に一体化されたモータを伴う基板処理装置
JP4359640B2 (ja) * 2007-09-25 2009-11-04 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及びダウンフロー制御方法
US9117870B2 (en) * 2008-03-27 2015-08-25 Lam Research Corporation High throughput cleaner chamber
WO2011022870A1 (zh) 2009-08-24 2011-03-03 Wang Lvsha 为高强度气体放电灯配置的镇流控制装置及镇流装置
US8562272B2 (en) 2010-02-16 2013-10-22 Lam Research Corporation Substrate load and unload mechanisms for high throughput
US8282698B2 (en) 2010-03-24 2012-10-09 Lam Research Corporation Reduction of particle contamination produced by moving mechanisms in a process tool
US8893642B2 (en) 2010-03-24 2014-11-25 Lam Research Corporation Airflow management for low particulate count in a process tool

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