CN1291345A - 用在处理系统晶片搬运器上的端部操作装置 - Google Patents

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Abstract

一个真空处理系统,具有一个或多个带有一个端部操作装置的晶片搬运器,该端部操作装置从其固定的一端起,先向里回缩,在端部操作装置的背对两侧上形成一对侧部凹进,然后再向外扩出到自由端,使其宽度大于固定端的宽度。在其自由端,端部操作装置设置了另一个凹进,该凹进形成了一对凸指,晶片放置在这对凸指上。自由端上的凸指延伸到晶片检测切孔区域。这对凸指形成了端部操作装置自由端上的晶片支撑件,它们间的跨距大于标准300毫米晶片承载体上最靠里两个禁区的宽度,但要小于最外侧禁区间的宽度。在一个实施例中,端部操作装置为晶片设置了一个三点式球形或隆突状支撑件。

Description

用在处理系统晶片搬运器上的端部操作装置
本发明总的涉及晶片的储存和传送，其中的晶片一般用于制造集成电路。具体来讲，本发明涉及一种用在晶片搬运器上的端部操作装置或托板，搬运器用于将晶片在晶片处理系统的各个处理腔室间进行传送。
用于处理100毫米、200毫米、300毫米或其它直径晶片的真空处理系统在现有技术中是广泛存在的。通常，这样的真空处理系统具有安装在一个单体平台上的一个中央传送室。该中转室是在系统中进行处理的晶片进行运动时的转运中心。在中转室的缝隙阀处安装了一个或多个处理室，晶片由中转室中的一个晶片搬运器或机械手通过该缝隙阀进行出入。当晶片在处理室中进行处理时，该缝隙阀关闭以隔绝处理室。晶片搬运器使晶片途经中转室、在中转室相通的多个其它腔室之间进行传送。
某些普通的中转室具有和四到六个腔室相通的棱面。这些处理腔室包括快速热处理(RTP)室、物理蒸发沉积(PVD)室、化学蒸发沉积(CVD)室、蚀刻室等。事实上，这些处理室既可以由中转室及其单体平台支撑安装，也可以支撑安装在它们各自的平台上。在系统内部，通常中转室中保持一个恒定的真空度；而各处理室为执行各自的处理过程则可被泵吸到更高的负压。处理完成之后，在要打开缝隙阀使腔室被接通之前，处理腔室中的压力要回升到中转室中的压力水平。
对例如应用材料公司(Applied Materials Inc)的CenturaTM系统等许多真空处理系统来说，晶片通常是经过一个或多个载入闸室从系统外部或制造设备传送到中转室中的。对其它一些真空处理系统，例如应用材料公司(Applied Materials Inc)的EnduraTM系统，还在中转室和载入闸室之间设置了其它一些腔室，其中包括一个隔离室。因而，晶片在系统真空环境中传送要经过几级压力变化：隔离室中的压力通常定在1×10-6毫米汞柱左右，中转室的压力一般设定在1×10-7毫米汞柱左右，而处理室中的真空压力、对物理蒸发沉积室的情况而言一般设定在1×10-9毫米汞柱左右。
隔离室是一个过渡传送室，在该腔室上还可选择地安装预处理室或后处理室，以对晶片执行其它的处理工艺。此外，在隔离室和中转室之间还设置了一个预清理室和一个冷却室。由于隔离室和中转室的真空度通常并不相同，预清理室除了对晶片进行清理、为处理室中的处理过程作准备外，还使晶片从隔离室的真空度过渡到中转室的真空度。在进行了初级的处理之后，冷却室在冷却晶片的同时，还将晶片从中转室的真空度过渡到隔离室的真空度。在隔离室内布置了另一个晶片搬运器，其类似于布置在中转室中的那个搬运器，用于将晶片途经隔离室在隔离室相通的各个腔室间传送。
载入闸室内的压力往复地处于周围环境压力和中转室或隔离室压力，以使得晶片可在它们之间进行输送，因而载入闸室成为超净环境中大气压力和系统真空环境之间的过渡腔室。该载入闸室和一个微环境相连，该微环境将晶片从大气压力下超净环境中的晶片箱传送到载入闸室内。因而，在微环境中有另一个晶片搬运器用于传送晶片。
尽管不是完全相同的，中转室和隔离室中的晶片搬运器通常都是非常相似的。图1a和图1b中表示了这样的一种晶片搬运器10。该晶片搬运器可以进行转动，但由于其固定在腔室的中央，而并不能平动。该晶片搬运器具有一个端部操作装置12、14或一个托板，该端部操作装置和一个臂件16相连接，该臂件16连接到晶片搬运器10的转动部分18上。晶片安放在端部操作装置12、14上以进行传送。一个检测波束从晶片检测孔15中射出，以检测是否有晶片位于端部操作装置12、14上。该检测波束可以是射向一个探测器的红外光束。晶片检测孔15的尺寸通常是标准的，半径大约为0．87英寸或22毫米。臂件16可将端部操作装置12、14在晶片搬运器10的径向方向上推远或拉近，从而将一个晶片送入到一个腔室中或从一个腔室中取出。
在微空间内的晶片搬运器由于常常既能进行转动也能进行平动，所以一般是和中转室或隔离室内的晶片搬运器不同的，图1c表示了此类晶片搬运器20的一个示例的俯视结构。该晶片搬运器一般安装在导轨上，使其在微环境的内部可向前向后平动，以伺服于每个晶片箱装卸器和与此相通连的各个载入闸室。该晶片搬运器20也具有安装在臂件24上的一个端部操作装置22，臂件24安装在晶片搬运器20的转动部26上。晶片安放在端部操作装置22上以进行传送。臂件24可将端部操作装置22在转动部26的径向上推远或拉近。端部操作装置22的接触部分25一般是端部操作装置上唯一和晶片接触的部分。该接触部分通常使用真空抽吸作用来抓持晶片。但在中转室或隔离室的情况中，用真空抽吸来抓持晶片则不是一个实用的方法，这是因为在这些区域内已经存在真空作用，而该真空度将削弱真空吸盘的抓持力。另外，也希望只用一种类型的端部操作装置，它可以被应用在所有的晶片搬运器上，以便于减少整个处理系统所用的零部件数。
图1a中所示的端部操作装置14的宽度从端部操作装置安装架27、或机械手托板关节部一直到其自由端都没有变化。在自由端的一个浅凹进形成了自由端上的两个凸起。晶片被支撑在一些搁板上，这些搁板部分靠近自由端，位于两个凸起上，部分靠近固定在安装架27上的那一端头。这些搁板支撑架被设置得使晶片和端部操作装置14之间的间隙不大于0．12英寸(120密耳)。对300毫米规格的晶片而言，端部操作装置的宽度涉及一个与禁区有关的问题，该禁区是由SEMI 300毫米晶片承载体及适配标准划定的，该标准是由国际半导体设备及材料协会(SEMI)制定的，制定该标准尤其是为了规范晶片承载体的行业标准结构。
禁区是在300毫米晶片的承载体或夹持件上预留出的一个区域，用来使晶片承载体对晶片进行支撑，在图4中以区域100和102来表示。禁区100约为29毫米宽、170毫米长，两个100禁区间的距离为250毫米。禁区102约为25亳米宽、32毫米长，并相隔100毫米。晶片的中心要精确地对准成对禁区100的几何中心，并相对于禁区102的中心有大约120毫米的偏移量。当端部操作装置将一个晶片从晶片承载体的支撑件上托起时，不能越过这些禁区，否则在端部操作装置和晶片承载体的支撑件之间将产生运动干涉。因而，一个端部操作装置在设计时必须避开这些禁区100、102。但图1a中所示的端部操作装置14将直接越入禁区102的部分区域。
图1b表示了一种方案来避免禁区100、102和端部操作装置12发生干涉。在图4中，端部操作装置12的外轮廓和禁区有关的部分还用虚线进行了表示。类似于端部操作装置14，端部操作装置12的宽度也是恒定的，除了在靠近安装件一端的部位宽度陡然发生缩窄，在此部位之后，宽度没有变化，一直延伸到自由端。因而，如图4所示，在端部操作装置12自由端上的两个凸起将穿入到禁区102之间。端部操作装置12存在的问题是：由于两个凸起上的支撑件的位置是如此靠近，晶片在这些支撑件上的放置并不是稳定的。而一个稳定性较差的结构需要晶片必须移动得慢一些，才不会使晶片从端部操作装置上滑落下来。这样，处理系统的生产率就降低了。端部操作装置12自由端上的支撑件这样靠近的另一个问题在于：由于300毫米规格晶片的尺寸是这样的大，晶片可能在中部发生弯曲或挠垂。由于端部操作装置12上支撑晶片的搁板的高度不超过120密耳，这样就存在潜在的可能性：晶片的底面由于挠垂了足够的高度而和端部操作装置12的中央部位接触，而被弄脏。
使端部操作装置既可以避开禁区100、102、又能提供稳定的支撑、且避免晶片发生弯曲的另一种解决方案是使端部操作装置的宽度大于装置14的宽度，从而使自由端上的凸起位于禁区102的外侧，但位于禁区100的内侧。但是对这种总体形状类似于端部操作装置14、只是陡然向外扩出一段恒定宽度的端部操作装置来说，问题是它的大质量使其动量也增大，导致端部操作装置运动时加速／减速变慢，相应地，晶片通过腔室需要更长的时间。这种较重的端部操作装置的另一个问题在于它将需要一个更结实、因而造价更高的臂件16、24来对它进行支撑和移动。
因而，希望有一种可用在任何腔室中的任何形式的晶片搬运器上的端部操作装置，其可以避开禁区，并为晶片提供稳定的支撑，还具有较轻的质量。
一个真空处理系统，在其中转室、隔离室和／或微环境中都具有一个晶片搬运器，它带有一个端部操作装置，该端部操作装置从其固定一端起，宽度先向里回缩，缩窄到端部操作装置背对两侧上的一对侧部凹进处，然后再向外扩出到宽度大于固定端的自由端处，端部操作装置的自由端上具有另一个凹进，该凹进形成了一对凸指，晶片放置在这对凸指上。自由端的凹进一直延伸到晶片检测器切孔区。延入到端部操作装置中的侧边凹进和自由端凹进在保证了端部操作装置强度的同时，限制了其重量。侧凹进使端部操作装置具有独特的沙漏形状。
在端部操作装置自由端的这对凸指上设置了晶片支撑件，这对凸指间的跨距大于标准的300毫米晶片承载体上最靠里的两个禁区间的宽度，但要小于其最外侧的两个禁区间的宽度。换句话讲，这对凸指的内侧相对边沿间的跨度要至少在150毫米左右到160毫米左右之间，其外侧的背对边沿间的宽度至多只能在200毫米左右至250毫米左右之间。很宽叉开的凸指为晶片提供了一个稳定的安放平台，并防止了晶片的弯曲。
在一个实施例中，端部操作装置为晶片设置了一个三点式支撑件，其一点靠近端部操作装置的固定端，另两点靠近自由端，位于两个凸指上。该三点支撑件的形式为球形或隆突结构。
为了便于详细地理解本发明上述的特征、优点、目的是如何实现的，尽管本发明在上文简要地进行了概括，下文仍参照几种实施方式对本发明进行更加具体的描述，这几个实施例表示在附图中。
但是应当注意，附图仅用于表示本发明典型的实施方式，而不应被看作是对本发明保护范围的限定，这是因为本发明完全可以采用其它具有等同效果的实施方式。
图1a是一个装备已有端部操作装置的晶片搬运器的立体图；
图1b是一个带有另一种现有端部操作装置的晶片搬运器的立体图；
图1c是具有另外一种现有端部操作装置的一个晶片搬运器的俯视图；
图2是一个具有多个晶片搬运器的真空处理系统的俯视示意图；
图3表示一个带有根据本发明设计的端部操作装置的晶片搬运器的立体图；
图4是表示端部操作装置和禁区相互位置关系的俯视图；
图5是端部操作装置自由端上的一个凸指的侧视图；
图6是端部操作装置自由端上凸指的另一种实施形式的侧视图；
图7是端部操作装置的另一种实施方式的立体图。
图2表示了本发明的真空处理系统30的一种实施方式的总体俯视示意结构。这种系统30一般用于在真空环境中在晶片上制造集成电路。该真空处理系统30包括一个中转室32和一个隔离室36，隔离室通常安装在一个平台(图中未示出)上，并通常构成了一个系统单体基台。中转室32在其棱面35上安装了四个腔室34。系统单体在棱面47上连接了两个载入闸室46。有一个微环境54和该载入闸室46相连通。中转室32、隔离室36和微环境54中都至少具有一个晶片搬运器或机械手44、42、58，用于在这些腔室中传送晶片。这些晶片搬运器44、42、58每个都具有至少一个端部操作装置(在下文将进行描述)，用来抓持晶片。
处理室34对真空处理系统30中的晶片进行处理。处理腔室34可以是任何类型的处理室，例如为快速热处理室、物理蒸发沉积室、化学蒸发沉积室、蚀刻室等。处理室34是承装在中转室32上、还是安装在它们各自的平台上取决于某个处理室34的具体结构。在棱面35上的缝隙阀(图中未示出)将中转室32和处理室34相连通或隔断。相应地，处理室34在它的壁面上具有正对着该缝隙阀的开孔(图中未示出)。
在中转室32和隔离室36之间布置了一个预清理室38和一个冷却室40。预清理室38在晶片进入到中转室32之前对其进行清理，晶片在处理室34中处理之后，由冷却室40对其进行冷却。预清理室38和冷却室40还使晶片从中转室32的真空度水平过渡到隔离室36的真空度水平。隔离室36具有两个扩展腔室48，以对晶片执行一些另外的处理工艺。隔离室36还包括一个除湿室50，以在必要时对晶片进行干燥。在隔离室36上一般还连接了一个晶片排列室52，在其中布置了一个晶片排列器，用于从晶片搬运器42上接收晶片，并在晶片搬运器42将晶片传送到预清理室38或预处理室48之前，将它们进行排列。作为替代方案，腔室38、40可以都是连通室／冷却室，而腔室48可作为单独的预清理室38。
载入闸室46作为晶片在周围环境压力和隔离室真空压力之间的过渡室。在棱面47上的开孔(图中未示出)构成了连接通路，而缝隙阀则提供了载入闸室46和隔离室36之间的隔绝措施。相应地，载入闸室46在它的壁面上有开孔，该开孔正对着棱面47上的开孔。载入闸室46和微环境54间也具有相对应的开孔(图中未示出)，为二者之间提供了通道，而开孔的阀门(图中未示出)则提供了隔断措施。
微环境54在其前侧端与四个晶片箱装卸器56相连接，其间的开孔(图中未示出)和对应的阀门55形成了微环境54和晶片箱装卸器56之间的通路和隔断装置。晶片箱装卸器56安装在微环境54的一侧，基本是一些支撑晶片辊箱的搁板件，用于将晶片传送到真空处理系统30中或从系统中取出。
晶片搬运器44被布置在中转室32中，用于将晶片45在预清理室38、冷却室40和处理室34之间进行传送。在隔离室36中布置了一个类似的晶片搬运器42，用于将晶片43在载入闸室46、扩展处理室48、除温室50、晶片排列室52、预清理室38和冷却室50之间传送。同样，在微环境54中也布置了一个或多个晶片搬运器58，用于在晶片箱装卸器56和载入闸室46之间传送晶片。晶片搬运器58通常安装在一个导轨上，使其可在微环境54中前后平动。
在此处，晶片搬运器44、42被描述成一种单托板形式的机械手，这表明它们只安装了一个托板、或端部操作装置，且一次只能承装一块晶片。图3表示了一种双托板的晶片搬运器60，表明它的连接件62上安装了两个端部操作装置64，并能一次运装两块晶片。本发明既可以应用在这些类型的晶片搬运器上，也可以应用在其它适当形式的晶片搬运器上，例如图1c所示的那种类型。
晶片搬运器60具有一个安装板70，该板件安装在晶片搬运器所在腔室内的底壁上。在安装板上方是一个转动部分68，其可以相对于安装板70进行转动，以将端部操作装置64对准某一个腔室的开孔，来插入或取出一个晶片。一个动作臂件66将端部操作装置64在转动部分68转动中心的径向方向上向内和向外运动。在安装板的下方是一个电机组件72，用于转动晶片搬运器60。
端部操作装置64具有一个关节部74(见图3和图4)，用于安装到连接件62上，以固定端部操作装置64的一端。其自由端具有两个凸指或凸起76，它们是由外侧背对边沿78和内侧相对边沿80形成的。端部操作装置64在一个标准位置上设置了一个晶片检测切孔82，用于使一束例如为红外光的检测波束通过，用于检测在端部操作装置64上是否有一个晶片。端部操作装置64还有一个晶片中央寻位孔84。工作人员可能打开该腔室，并在该孔84中插入一个钉销，来对端部操作装置64的中央位置进行校准，使端部操作装置64在从支撑件上托起一个晶片或将一个晶片放置在一个支撑件上时能正确地定位晶片。这样，端部操作装置64将一个晶片放下时，该晶片能正确地排列，因而就可以正确地执行一些对定位状态敏感的处理工艺，而不会损坏晶片。既可定期地进行位置校正，来保证端部操作装置64不会从它的正确位置上逐渐漂移，也可以在估计端部操作装置64已存在定位误差的情况下随时进行校准。
外边沿78为独特的沙漏曲线形状，在靠近端部操作装置64关节部74的固定端，曲线的起始段向内回缩。该外边沿之后又向外扩出，从而在背对的两个外边沿78上形成了一对凹进86。外边沿上的外渐扩锥角地将端部操作装置64的宽度扩到一个大于其固定端宽度的数值，然后锥度减小，直至在端部操作装置64的自由端处没有锥度。相对的内侧缘80也一同进行曲线化，从而形成一个延伸到晶片检测切孔82所处区域的凹进。在端部操作装置64上的凹进限制了端部操作装置64的质量，从而使它变得很轻，而且并不对端部操作装置64的强度造成负面影响，使其超过在其上支撑一个晶片所要求的最低强度。本发明并不仅限于图4的俯视图所示的具体形状，相反，其它轮廓的边沿形状78、80，包括有斜度的直条边沿，都在本发明的范围之内。为了进行对比，在图4中以虚线表示出了现有技术中的端部操作装置12，这种端部操作装置12具有较窄的恒定宽度，因而其自由端上的凸指能穿入到两个禁区102之间。
端部操作装置64是针对支撑300毫米大的晶片设计的，但是结合本发明设计思想的其它端部操作装置也可以被设计来支撑其它尺寸的晶片，例如100毫米、150毫米或200毫米的晶片。对300毫米的晶片来说，国际半导体设备及材料协会(SEMI)制定了SEMI 300毫米晶片承载体及适配标准，制定该标准尤其是为了规范晶片承载体的行业标准结构。一般来讲，在一个例如为晶片盒箱的晶片承载体中，在一组搁板上安放了一个或多个晶片。晶片搬运器必须能够从该承载体上移走一片晶片，而晶片搬运器的端部操作装置还不能和这些搁板发生运动干涉。因而，必须对搁板的尺寸制定一个标准，使得所有的端部操作装置都能适当地和晶片承载体配合工作而和装置的生产厂商无关。由SEMI 300毫米晶片承载体及适配标准限定的特定区域被称作为禁区，晶片承载体的搁板位于该区域内，而端部操作装置则必须避开该区域。300毫米晶片的禁区表示为图4中的区域100和102。禁区100、102的尺寸是通过示例性地在晶片盒搁板上放置一个晶片、再由晶片中心点的相对位置来确定的。在图4中，晶片中心点的位置基本是和中央寻位孔84的中心点一致的。
从禁区100的相对边沿104到中心点的距离大约为125毫米，因而相对边沿104之间的跨度为大约250毫米，在300毫米晶片的每侧上有25毫米的搭压宽度。从禁区100的背对边沿106到中心点的距离大约为154毫米，从而背对边沿106之间的跨度为大约308毫米，在300毫米晶片的每侧边有4毫米的空余。每个禁区100的边沿108之间的宽度为170毫米，禁区100的边沿108正中间的假想X轴正对着中心点。边沿110距离中心点的距离大约为170毫米。禁区102的背对边沿112之间的距离大约为150毫米，且边沿112正中间的虚拟Y轴正对着中心点。相对边沿114之间的距离大约为100毫米，这两个边沿和Y轴等距离。边沿116距离X轴大约为120毫米，边沿118距离X轴大约为152毫米。
端部操作装置64要避开由SEMI 300毫米晶片承载体及界面标准所划定的禁区100、102。端部操作装置64在托起或放下一个晶片时，不能突入到任何禁区100、102的上方。这是因为不然的话支撑搁板将干涉端部操作装置的运动。
由于在端部操作装置64自由端上的凸指76必须穿入到禁区102的边沿112和禁区100的边沿104之间，所以自由端附近的相对边沿80间的距离大约不能小于150毫米，且自由端附近的背对边沿78之间的距离不能大于大约250毫米。最好是，在自由端附近，相对内边沿80的距离大约为160毫米，背对的外边沿78间距离大约为200毫米。
除了300毫米晶片的禁区之外，端部操作装置64还必须能插入到一组托举销130之间，这些托举销通常被用于在多种应用条件下托举一个晶片。一组托举销130典型的布置形式是使它们和放置在其上的一个晶片的中心点等距，并相互之间成120度角，使托举销130为晶片提供一个稳定的三点式支撑。因而，对托举销130而言，从晶片的中心到托举销最近边缘之间的距离最好大约为120毫米，从而在端部操作装置64的每一边都能有大约4毫米的间隙，该装置的外侧背对边沿78间的宽度为200毫米。
图5表示了一个凸指76的断面结构。靠近自由端的一个搁板150用来支撑晶片，并使晶片底面和端部操作装置64的主部分152之间在高度方向上留有一个间隙。在靠近固定端的一侧，由另一个搁板154来支撑晶片。凸指76具有一个低型面高度的端部缘板156，用于从侧边上围住晶片。图6表示了另一种凸指76的实施例，该替换方案的凸指76具有类似的用于将晶片架在主部分152上面的搁板150，但这种凸指76上用于从侧边上围住晶片的端部缘板158的型面高度较高。高型面的端部缘板158形成了一个斜角空间160，如果晶片在径向方向上有多达3．7毫米的偏移量，该斜角空间也可对晶片进行轻微的重新定位，但高型面使端部操作装置64处于狭窄空间时间隙变小。而在另一方面，低型面缘板156却能在诸如晶片盒中各个晶片间的紧凑空间内具有更大的间隙。因而，具有低型面端缘板156的端部操作装置64通常被用在隔离室36中，而具有高型面端缘板158的端部操作装置64则通常被用在中转室32中。
在图7中轴测表示了端部操作装置64的另一种实施方式。该端部操作装置64和图4中的端部操作装置64具有相同的整体尺寸，但为晶片设置了球形或隆突状的支撑块162。球形支撑162形成了一个三点式晶片支撑件，以减小对晶片的接触。一个三点式晶片-托板接触结构通常需要接触点的布置要相当匀称，以实现稳定的支撑。位于自由端附近且很宽地分开的球形支撑162为使端部操作装置64能方便地采用这样的三点式接触而提供了相当均匀布置的支撑点。
本文所描述的端部操作装置64的优点在于其不会侵入到SEMI划定的晶片抓夹禁区内，因而其可以用在系统30中的任何位置处，包括中转室32、隔离室36和微环境54。其它的优点在于其自由端超常的宽度，从而为晶片提供了非常稳定的支撑，使传送可以更快，更高地提高生产率。其它的优点在于其自由端超常的宽度还提供了非常均匀的支撑力分布结构，使晶片不会在其自身重量的作用下发生弯曲而接触到端部操作装置64的中间部位。端部操作装置64另外一个优点在于设置的凹进从端部操作装置64上去除了不必要的质量，使端部操作装置64可更轻便地进行运动，而不需要有更结实、因而也更昂贵的晶片搬运器60来进行配套。
尽管上文的描述是针对于本发明的优选实施例，但在不超出本发明的基本范围的前提下，可构思本发明其它的实施方式，本发明的范围是由后续的权利要求书来限定的。

Claims (38)

1．一种真空处理系统，其包括：
一个第一腔室；
至少一个与所说的第一腔室相配接的第二腔室，以使晶片在二者之间进行传送；
一个布置在第一腔室中的晶片搬运器，用于将晶片从此腔室传送向第二腔室或从第二腔室中传送到该腔室；以及
一个端部操作装置，该端部操作装置具有：
一个连接到晶片搬运器上的固定端和一个自由端；
一个靠近固定端的第一晶片支撑件；
两个靠近自由端且相互分开的晶片端部支撑件，当晶片在第一腔室和第二腔室之间来回传送时，第一晶片支撑件和两个端部晶片支撑件将晶片支撑在它们上面；
一个晶片检测孔；
在两个端部晶片支撑件之间的一个端部凹进，其从自由端延伸到晶片检测切孔的位置；以及
设置在端部操作装置两背对侧边上的一个第一侧凹进和第二侧凹进。
2．根据权利要求1所述的真空处理系统，其特征在于：
所说的端部操作装置用于支撑具有约300毫米直径的晶片；
两个端部晶片支撑件具有相对的两个边沿；以及
两个端部晶片支撑件的相对边沿间的距离至少在150毫米到160毫米左右之间。
3．根据权利要求1所述的真空处理系统，其特征在于：
所说的端部操作装置用于支撑具有约300毫米直径的晶片；
两个端部晶片支撑件具有背对的两个边沿；以及
两个端部晶片支撑件的背对边沿间的距离至多在200毫米到250毫米左右之间。
4．根据权利要求1所述的真空处理系统，其特征在于：
所说的端部操作装置用于支撑具有约300毫米直径的晶片；
该端部操作装置可将晶片插入到一个具有两个内侧禁区和两个外侧禁区的晶片盒中或从该晶片盒中取出晶片，这两个禁区是由SEMI 300毫米晶片承载体及界面标准划定的；以及
两个端部晶片支撑件的间距小于外侧禁区的跨度，但大于两个内侧禁区间的宽度。
5．根据权利要求1所述的真空处理系统，其特征在于：第一晶片支撑点和两个端部晶片支撑点形成了一个三点式支撑件。
6．根据权利要求5所述的真空处理系统，其特征在于：所说的三点式支撑件包括三个球形支撑。
7．一种真空处理系统，其包括：
一个第一腔室；
至少一个与所说的第一腔室相配接的第二腔室，晶片在二者之间进行传送；
一个布置在第一腔室中用于输送晶片的晶片搬运器；以及
一个端部操作装置，用于在晶片从第一腔室传送向第二腔室或从第二腔室中传送到第一腔室时支撑晶片，该端部操作装置具有：
一个连接到晶片搬运器上、具有第一宽度的固定端；
一个具有第二宽度的自由端，第二宽度大于第一宽度；
固定端背对边沿间的宽度从第一宽度逐步收缩，弯曲成一个向外的圆锥形，并向自由端的第二宽度逐渐扩开；以及
一个自由端凹进形成了两个凸指，凸指终止于自由端处，端部操作装置将晶片支撑在固定端附近的部位和靠近自由端的两个凸指上。
8．根据权利要求7所述的真空处理系统，其特征在于：
所说的端部操作装置用于支撑具有约300毫米直径的晶片；
两个端部晶片支撑件具有相对的两个边沿；以及
两个端部晶片支撑件的相对边沿间的距离至少在150毫米到160毫米左右之间。
9．根据权利要求7所述的真空处理系统，其特征在于：
所说的端部操作装置用于支撑具有约300毫米直径的晶片；
两个端部晶片支撑件具有背对的两个边沿；以及
两个端部晶片支撑件的背对边沿间的距离至多在200毫米到250毫米左右之间。
10．根据权利要求7所述的真空处理系统，其特征在于：
所说的端部操作装置用于支撑具有约300毫米直径的晶片；
该端部操作装置可将晶片插入到一个具有两个内侧禁区和两个外侧禁区的晶片盒中或从该晶片盒中取出晶片，这两个禁区是由SEMI 300毫米晶片承载体及界面标准划定的；以及
两个端部晶片支撑件的间距小于外侧禁区的跨度，但大于两个内侧禁区间的宽度。
11．根据权利要求7所述的真空处理系统，其特征在于：第一晶片支撑点和两个端部晶片支撑点形成了一个三点式支撑件。
12．根据权利要求11所述的真空处理系统，其特征在于：所说的三点式支撑件包括三个球形支撑。
13．根据权利要求7所述的真空处理系统，其特征在于：还包括一个晶片检测切孔，自由端凹进延伸到该晶片检测切孔区域中。
14．一种应用在一腔室中并用于输送晶片的晶片搬运器，该晶片搬运器包括：
一个运动臂；以及
一个端部操作装置，该端部操作装置具有：
一个连接到运动臂上的固定端和一个自由端；
一个靠近固定端的第一晶片支撑件；
两个靠近自由端且相互分开的晶片端部支撑件，当晶片在腔室中进行传送时，第一晶片支撑件和两个端部晶片支撑件将晶片支撑在它们上面；
一个晶片检测孔；
在两个端部晶片支撑件之间的一个端部凹进，其从自由端延伸到晶片检测切孔的位置；以及
设置在端部操作装置两背对侧边上的一个第一侧凹进和第二侧凹进。
15．根据权利要求14所述的晶片搬运器，其特征在于：
所说的端部操作装置用于支撑具有约300毫米直径的晶片；
两个端部晶片支撑件具有相对的两个边沿；以及
两个端部晶片支撑件的相对边沿间的距离至少在150毫米到160毫米左右之间。
16．根据权利要求14所述的晶片搬运器，其特征在于：
所说的端部操作装置用于支撑具有约300毫米直径的晶片；
两个端部晶片支撑件具有背对的两个边沿；以及
两个端部晶片支撑件的背对边沿间的距离至多在200毫米到250毫米左右之间。
17．根据权利要求14所述的晶片搬运器，其特征在于：
所说的端部操作装置用于支撑具有约300毫米直径的晶片；
该端部操作装置可将晶片插入到一个具有两个内侧禁区和两个外侧禁区的晶片盒中或从该晶片盒中取出晶片，这两个禁区是由SEMI 300毫米晶片承载体及界面标准划定的；以及
两个端部晶片支撑件的间距小于外侧禁区的跨度，但大于两个内侧禁区间的宽度。
18．根据权利要求14所述的晶片搬运器，其特征在于：第一晶片支撑点和两个端部晶片支撑点形成了一个三点式支撑件。
19．根据权利要求18所述的晶片搬运器，其特征在于：所说的三点式支撑件包括三个球形支撑。
20．一种应用在一个第一腔室中并用于在第一腔室和一个第二腔室间来回传送晶片的晶片搬运器，该晶片搬运器包括：
一个端部操作装置动作元件；以及
一个端部操作装置，用于在晶片从第一腔室传送向第二腔室或从第二腔室中传送到第一腔室时支撑晶片，该端部操作装置具有：
一个连接到端部操作装置动作元件上、具有第一宽度的固定端；
一个具有第二宽度的自由端，第二宽度大于第一宽度；
固定端背对边沿间的宽度从第一宽度逐步收缩，弯曲成一个向外的圆锥形，并向自由端的第二宽度逐渐扩开；以及
一个自由端凹进形成了两个凸指。
21．根据权利要求20所述的晶片搬运器，其特征在于：
所说的端部操作装置用于支撑具有约300毫米直径的晶片；
两个端部晶片支撑件具有相对的两个边沿；以及
两个端部晶片支撑件的相对边沿间的距离至少在150毫米到160毫米左右之间。
22．根据权利要求20所述的晶片搬运器，其特征在于：
所说的端部操作装置用于支撑具有约300毫米直径的晶片；
两个端部晶片支撑件具有背对的两个边沿；以及
两个端部晶片支撑件的背对边沿间的距离至多在200毫米到250毫米左右之间。
23．根据权利要求20所述的晶片搬运器，其特征在于：
所说的端部操作装置用于支撑具有约300毫米直径的晶片；
该端部操作装置可将晶片插入到一个具有两个内侧禁区和两个外侧禁区的晶片盒中或从该晶片盒中取出晶片，这两个禁区是由SEMI 300毫米晶片承载体及界面标准划定的；以及
两个端部晶片支撑件的间距小于外侧禁区的跨度，但大于两个内侧禁区间的宽度。
24．根据权利要求20所述的晶片搬运器，其特征在于：第一晶片支撑点和两个端部晶片支撑点形成了一个三点式支撑件。
25．根据权利要求24所述的晶片搬运器，其特征在于：所说的三点式支撑件包括三个球形支撑。
26．根据权利要求20所述的晶片搬运器，其特征在于：还包括一个晶片检测切孔，自由端凹进延伸到该晶片检测切孔区域中。
27．一种与一个腔室中的晶片搬运器一起使用并用于对在腔室中进行传送的晶片进行支撑的端部操作装置，该端部操作装置包括：
一个连接到晶片搬运器上的固定端和一个自由端；
一个靠近固定端的第一晶片支撑件；
两个靠近自由端且相互分开的晶片端部支撑件，当晶片在腔室中进行传送时，第一晶片支撑件和两个端部晶片支撑件将晶片支撑在它们上面；
一个晶片检测孔；
在两个端部晶片支撑件之间的一个端部凹进，其从自由端延伸到晶片检测切孔的位置；以及
设置在端部操作装置两背对侧边上的一个第一侧凹进和第二侧凹进。
28．根据权利要求27所述的端部操作装置，其特征在于：
所说的端部操作装置用于支撑具有约300毫米直径的晶片；
两个端部晶片支撑件具有相对的两个边沿；以及
两个端部晶片支撑件的相对边沿间的距离至少在150毫米到160毫米左右之间。
29．根据权利要求27所述的晶片搬运器，其特征在于：
所说的端部操作装置用于支撑具有约300毫米直径的晶片；
两个端部晶片支撑件具有背对的两个边沿；以及
两个端部晶片支撑件的背对边沿间的距离至多在200毫米到250毫米左右之间。
30．根据权利要求27所述的晶片搬运器，其特征在于：
所说的端部操作装置用于支撑具有约300毫米直径的晶片；
该端部操作装置可将晶片插入到一个具有两个内侧禁区和两个外侧禁区的晶片盒中，到或从该晶片盒中取出晶片，这两个禁区是由SEMI300毫米晶片承载体及界面标准划定的；以及
两个端部晶片支撑件的间距小于外侧禁区的跨度，但大于两个内侧禁区间的宽度。
31．根据权利要求27所述的晶片搬运器，其特征在于：第一晶片支撑点和两个端部晶片支撑点形成了一个三点式支撑件。
32．根据权利要求31所述的晶片搬运器，其特征在于：所说的三点式支撑件包括三个球形支撑。
33．一种与一个腔室中的晶片搬运器一起使用并用于对在腔室中进行传送的晶片进行支撑的端部操作装置，该端部操作装置包括：
一个连接到晶片搬运器上、具有第一宽度的固定端；
一个具有第二宽度的自由端，第二宽度大于第一宽度；
固定端背对边沿间的宽度从第一宽度逐步收缩，弯曲成一个向外的锥形，并向自由端的第二宽度逐渐扩开；以及
一个自由端凹进形成了两个凸指。
34．根据权利要求33所述的端部操作装置，其特征在于：
所说的端部操作装置用于支撑具有约300毫米直径的晶片；两个端部晶片支撑件具有相对的两个边沿；以及
两个端部晶片支撑件的相对边沿间的距离至少在150毫米到160毫米左右之间。
35．根据权利要求33所述的端部操作装置，其特征在于：
所说的端部操作装置用于支撑具有约300毫米直径的晶片；
两个端部晶片支撑件具有背对的两个边沿；以及
两个端部晶片支撑件的背对边沿间的距离至多在200毫米到250毫米左右之间。
36．根据权利要求33所述的端部操作装置，其特征在于：
所说的端部操作装置用于支撑具有约300毫米直径的晶片；
该端部操作装置可将晶片插入到一个具有两个内侧禁区和两个外侧禁区的晶片盒中或从该晶片盒中取出晶片，这两个禁区是由SEMI 300毫米晶片承载体及界面标准划定的；以及
两个端部晶片支撑件的间距小于外侧禁区的跨度，但大于两个内侧禁区间的宽度。
37．根据权利要求33所述的端部操作装置，其特征在于：第一晶片支撑点和两个端部晶片支撑点形成了一个三点式支撑件。
38．根据权利要求37所述的端部操作装置，其特征在于：所说的三点式支撑件包括三个球形支撑。
39．根据权利要求33所述的端部操作装置，其特征在于：还包括一个晶片检测切孔，自由端凹进延伸到该晶片检测切孔区域。
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