TWI529956B - 光耦合器 - Google Patents

Description

光耦合器

本發明係關於一種，具有發光元件及光接收元件之光耦合器。

一般的光耦合器，2個引線框架對向並隔著間隔配置，於輸入側之引線框架黏裝及接合發光元件(例如發光二極體)，於輸出側之引線框架黏裝及接合光接收元件(例如光接收IC)，成為使發光元件與光接收元件對向並隔著間隔配置之構成(例如參考專利文獻2之圖5)。此等光耦合器，由於在輸出入間(發光元件-光接收元件間)等效地存在寄生電容(雜散電容)，故因雜訊訊號或高速切換動作而急遽地改變之電壓施加於寄生電容時，即便未將發光元件點燈電流(位移電流)仍自輸入側(發光元件及引線框架)往光接收元件流通，有引起輸出之誤作動的情形。

關於此一誤作動，作為表示誤動作之困難度的指標有稱作CMR(Common Mode Rejection；共態拒斥電壓)之指標。CMR係為，可將光耦合器之輸出狀態維持在正確狀態的最大共模電壓V_CM之轉換率，以每1μs之電壓變化值表示(參考非專利文獻1)。

如上述之一般的光耦合器中，介由因雜訊訊號或高速切換動作使電壓急遽地改變而產生之輸出入間的寄生電容流通之位移電流i_d，可如同〔式1〕地表示。

D：電通量密度

t：時間

n：單位法線向量

S：導體面積

ρ：輸入側之電荷密度

Q：電荷密度ρ的積分值

C：輸出入間的電容

V：輸出入間的電壓

V_CM：共模電壓

t_r：上升時間

因共模電壓V_CM之轉換率為「△V_CM/t_r」，故若將轉換率增高則位移電流i_d自輸入側(發光元件側)朝向輸出側(光接收元件側)大量流通。即便位移電流大量流通仍不產生誤作動(可將光耦合器之輸出狀態維持在正確狀態)，係指流通的位移電流難以進入光接收元件之情形。

作為提高CMR特性之1種手法，例如，專利文獻1中，揭露一種在光接收IC之光接收部形成透光性且為導電性之多晶矽層，使多晶矽層之電位接地的手法。此一手法，在多晶矽層接收位移電流使其接地地逸散藉而防止輸出的誤動作。

【習知技術文獻】

【專利文獻】

【專利文獻1】：日本特開平4-354379號公報

【專利文獻2】：日本特開平7-122779號公報

【非專利文獻】

【非專利文獻1】：蛯名清志編著，「光學裝置的基礎與應用」，CQ出版，2005年6月，p.253,270

以下之分析，係由本案發明人所分析。

如同上述，關於位移電流i_d係「i_d=C．dV/dt=C．△V_CM/t_r」，故i_d和輸出入間的寄生電容C與雜訊或高速切換動作產生之輸出入間的電壓之時間變動「dV/dt=△V_CM/t_r」成正比。輸出入間的間隔小之光耦合器，與間隔大之光耦合器相比則寄生電容C大，位移電流亦大。此一情況，僅以如專利文獻1的輸出側之光接收元件為對策則位移電流未完全逸散，未完全逸散之位移電流被光接收元件的光電晶體放大而輸出，因而引起輸出的誤動作。此一情況，光耦合器之封裝體的構造必須有誤作動的對策。

作為光耦合器之封裝體的構造之誤作動的對策例，例如專利文獻2揭露一種光耦合器，包含：第1及第2引線框架，互相對向；發光元件，搭載於該第1引線框架之與該第2引線框架的對向面；光接收元件，搭載於該第2引線框架之與該第1引線框架的對向面之相反面；以及反射構件，將來自該發光元件的光線朝向該光接收元件反射。依此一光耦合器，則因位移電流不進入光接收元件故提高CMR特性。

然而，專利文獻2記載之光耦合器，在發光元件之正下方未具備光接收元件，係利用光的反射，故CTR(Current Transfer Ratio：輸出側光電流與輸入側順電流的比)特性劣化。此處，CTR高者較佳。此係因CTR越高的封裝體可使流通於發光元件的電流越小而可節能之故。此外，專利文獻2記載之光耦合器，由於使用特殊形狀之反射構件，故構件的製造成本變高。 亦即，專利文獻2記載之光耦合器，無法兼顧CMR特性及CTR特性，且製造成本高。

本發明一觀點中，光耦合器中，具備：輸入側引線框架；輸出側引線框架，與該輸入側引線框架相對向並隔著間隔配置；發光元件，黏裝於該輸入側引線框架的該輸出側引線框架側之面；光接收元件，於該輸出側引線框架的該輸入側引線框架側之面與該發光元件相對向並隔著間隔黏裝；以及突起物，配置於該輸出側引線框架的該光接收元件之周圍區域的至少一部分，且由往該輸入側引線框架側突出之導電性的接合導線或凸塊構成。

依一觀點，藉由將突起物設置於黏裝光接收元件之輸出側引線框架，而可使CTR特性不劣化，且製造成本不變高地，減少進入光接收元件之位移電流量，可提高CMR特性。

1‧‧‧光耦合器

2‧‧‧輸入側引線框架

2a‧‧‧黏裝部

2b、2c‧‧‧導線部

2d‧‧‧凹部

3‧‧‧輸出側引線框架

3a‧‧‧黏裝部

3b、3c‧‧‧導線部

3d‧‧‧凹部(其他凹部)

4‧‧‧發光元件

5‧‧‧光接收元件

6‧‧‧透明樹脂

7‧‧‧透光性樹脂

8‧‧‧遮光性樹脂

9a‧‧‧接合導線

9b、9c‧‧‧接合導線(其他接合導線)

10‧‧‧導線突起物(突起物)

11‧‧‧凸塊突起物(突起物)

12‧‧‧電力線

13‧‧‧位移電流路

14‧‧‧光

圖1示意實施形態1的光耦合器之構成的側視圖。

圖2示意實施形態1的光耦合器之構成的俯視圖。

圖3示意實施形態1的光耦合器之輸入側引線框架及發光元件的構成之立體圖。

圖4示意實施形態1的光耦合器之輸出側引線框架及光接收元件的構成之立體圖。

圖5示意比較例的光耦合器之輸出側引線框架及光接收元件的構成之立體圖。

圖6示意實施形態1的光耦合器之電場向量的模擬結果之圖。

圖7示意比較例的光耦合器之電場向量的模擬結果之圖。

圖8示意實施形態1的光耦合器之電流向量的模擬結果之圖。

圖9示意比較例的光耦合器之電流向量的模擬結果之圖。

圖10示意實施形態2的光耦合器之構成的側視圖。

圖11示意實施形態2的光耦合器之構成的俯視圖。

圖12示意實施形態2的光耦合器之輸出側引線框架及光接收元件的構成之立體圖。

圖13示意實施形態3的光耦合器之構成的側視圖。

圖14示意實施形態3的光耦合器之構成的俯視圖。

圖15示意實施形態3的光耦合器之輸入側引線框架及發光元件的構成之立體圖。

圖16示意實施形態3的光耦合器之來自發光元件的光線之路徑的圖。

圖17示意實施形態4的光耦合器之構成的側視圖。

圖18示意實施形態4的光耦合器之構成的俯視圖。

圖19示意實施形態4的光耦合器之輸出側引線框架及光接收元件的構成之立體圖。

圖20示意實施形態5的光耦合器之構成的側視圖。

圖21示意實施形態5的光耦合器之元件附近的構成之放大側視圖。

圖22示意實施形態6的光耦合器之構成的側視圖。

圖23示意實施形態6的光耦合器之構成的俯視圖。

圖24示意實施形態6的光耦合器之輸出側引線框架及光接收元件的構成之立體圖。

【實施本發明之最佳形態】

[實施形態1]

使用附圖對本發明之實施形態1的光耦合器加以說明。圖1為，示意實施形態1的光耦合器之構成的側視圖。圖2為，示意實施形態1的光耦合器之構成的俯視圖。圖3為，示意實施形態1的光耦合器之輸入側引線框架及發光元件的構成之立體圖。圖4為，示意實施形態1的光耦合器之輸出側引線框架及光接收元件的構成之立體圖。

光耦合器1為，將輸入的電訊號以發光元件4轉換為光，並將此光線以光接收元件5轉換為電訊號而輸出該電訊號的元件(電子零件)(參考圖1、圖2)。光耦合器1成為，於內部(遮光性樹脂8之內側)收納發光元件4與光接收元件5，封入將來自外部的光線隔離之遮光性樹脂8的構造。光耦合器1，在內部使2個引線框架2、3相對向並隔著間隔配置，於輸入側引線框架2黏裝及接合發光元件4，於輸出側引線框架3黏裝及接合光接收元件5，成為使發光元件4與光接收元件5相對向並隔著間隔配置的構成。光耦合器1，具有輸入側引線框架2、輸出側引線框架3、黏裝部3a、發光元件4、光接收元件5、透明樹脂6、透光性樹脂7、遮光性樹脂8、接合導線9a、9b、9c、以及導線突起物10。

輸入側引線框架2為，輸入電訊號之引線框架(參考圖1、圖2、圖3)。輸入側引線框架2，由導體構成，例如可使用銅、銅系合金、鐵系合金等。輸入側引線框架2，具有黏裝部2a、導線部2b、導線部2c。於黏裝部2a，在輸出側引線框架3的黏裝部3a側之面，黏裝(搭載、黏接、表面安裝)發光元件4，以覆蓋發光元件4的方式黏裝透明樹脂6。黏裝部2a，與發光元件4之陰極電性連接。導線部2b為，自黏裝部2a引出至遮光性樹脂8之外部的引線端子。導線部2b，介由黏裝部2a與發光元件4之陰極電性連接。導線部2c為，未與黏裝部2a連接之引出至外部的引線端子。導線部2c，於內部介由接合導線9a與發光元件4之陽極電性連接。輸入側引線框架2，其黏裝部2a、導線部2b的一部分(內部)、與導線部2c的一部分(內部)為透光性樹脂7所覆蓋；於透光性樹脂7之外側，以遮光性樹脂8覆蓋導線部2b的一部分(中間部)、及導線部2c的一部分(中間部)；於遮光性樹脂8之外側，露出導線部2b的一部分(外部)、及導線部2c的一部分(外部)。

輸出側引線框架3為，輸出電訊號之引線框架(參考圖1、圖2、圖4)。輸出側引線框架3，由導體構成，例如可使用銅、銅系合金、鐵系合金等。輸出側引線框架3，具有黏裝部3a、導線部3b、導線部3c。於黏裝部3a，在輸入側引線框架2的黏裝部2a側之面，黏裝(搭載、黏接、表面安裝) 光接收元件5。黏裝部3a，介由接合導線9b與光接收元件5之射極電性連接。黏裝部3a，於光接收元件5之周圍區域的一部分(既定部分)，設置1個或複數個導線突起部10，與導線突起部10電性連接。導線部3b為，自黏裝部3a引出至遮光性樹脂8之外部的引線端子。導線部3b，介由黏裝部3a及接合導線9b與光接收元件5之射極電性連接。導線部3b，介由黏裝部3a與導線突起部10電性連接。導線部3c為，未與黏裝部3a連接之引出至外部的引線端子。導線部3c，於內部介由接合導線9c與光接收元件5之集極電性連接。輸出側引線框架3，其黏裝部3a、導線部3b的一部分(內部)、及導線部3c的一部分(內部)為透光性樹脂7所覆蓋；於透光性樹脂7之外側，以遮光性樹脂8覆蓋導線部3b的一部分(中間部)、及導線部3c的一部分(中間部)；於遮光性樹脂8之外側，露出導線部3b的一部分(外部)、及導線部3c的一部分(外部)。

發光元件4為，將輸入的電訊號轉換為光之元件(參考圖1、圖2、圖3)。發光元件4，例如可使用發光二極體。發光元件4，以與光接收元件5對向的方式配置。發光元件4，黏裝(搭載、黏接、表面安裝)於輸入側引線框架2的黏裝部2a中之朝向輸出側引線框架3的黏裝部3a側之面，隔著透明樹脂6被透光性樹脂7覆蓋。發光元件4，將陰極與輸入側引線框架2的黏裝部2a及導線部2b電性連接，介由接合導線9a將陽極與導線部2c電性連接。

光接收元件5為，將輸入的光轉換為電訊號之元件(參考圖1、圖2、圖4)。光接收元件5，例如可使用光電晶體。光接收元件5，以與發光元件4對向的方式配置。光接收元件5，黏裝(搭載、黏接、表面安裝)於輸出側引線框架3的黏裝部3a中之朝向輸入側引線框架2的黏裝部2a側之面，以透光性樹脂7覆蓋。光接收元件5係介由接合導線9b將射極與輸出側引線框架3的黏裝部3a及導線部3b電性連接，並介由接合導線9c將集極與導線部3c電性連接。

透明樹脂6為，覆蓋黏裝於輸入側引線框架2的黏裝部2a上之發光元 件4的透明樹脂(參考圖1、圖2)。透明樹脂6，例如可使用透明矽樹脂。

透光性樹脂7為，覆蓋輸入側引線框架2的黏裝部2a、導線部2b與2c的一部分(內部)、透明樹脂6、接合導線9a、輸出側引線框架3的黏裝部3a、導線部3b與3c的一部分(內部)、光接收元件5、接合導線9b與9c、以及導線突起物10之透光性的樹脂(參考圖1、圖2)。透光性樹脂7，例如可使用透光性白色環氧樹脂。

遮光性樹脂8為，覆蓋輸入側引線框架2之導線部2b與2c的一部分(中間部)、輸出側引線框架3之導線部3b與3c的一部分(中間部)、以及透光性樹脂7之遮光性的樹脂(參考圖1、圖2)。遮光性樹脂8，例如可使用黑色環氧樹脂。

接合導線9a為，將發光元件4之陽極與輸入側引線框架2之導線部2c電性連接的導線(參考圖1、圖2、圖3)。接合導線9a，在發光元件4附近的部分被透明樹脂6覆蓋，其他部分被透光性樹脂7覆蓋。接合導線9a，例如可使用由金、鋁、銅等構成之導線(關於接合導線9b、9c、導線突起物10亦相同)。

接合導線9b為，將光接收元件5之射極與輸出側引線框架3的黏裝部3a及導線部3b電性連接的導線(參考圖1、圖2、圖4)。接合導線9b，被透光性樹脂7覆蓋。

接合導線9c為，將光接收元件5之集極與輸出側引線框架3之導線部3c電性連接的導線(參考圖1、圖2、圖4)。接合導線9b，被透光性樹脂7覆蓋。

導線突起物10為，以接合導線形成之突起物。導線突起物10，與光接收元件5分離而設置在光接收元件5之周圍區域的一部分。導線突起物10，接合導線的兩端部與輸出側引線框架3的黏裝部3a相連接(接合)，接合 導線的中間部朝向輸入側引線框架2的黏裝部2b突出。導線突起物10，未與黏裝部2b接觸。導線突起物10，宜較光接收元件5的厚度更高地突出，使突出之前端部呈尖形。導線突起物10，以未配置於自發光元件4往光接收元件5之光路上的方式形成。導線突起物10，宜為與接合導線9b、9c相同的材料(與9a相同的材料亦可)。亦可藉由形成接合導線9b、9c的步驟形成導線突起物10，可降低製造成本。

此處，在藉由封裝體構造的手段提高CMR(瞬間同相去除電壓)特性上，考慮：(1)使其為如減少發光元件-光接收元件間的電容之構造而減少產生的位移電流量，(2)使位移電流逸散，減少進入光接收元件之位移電流量。實施形態1的光耦合器之構造，為利用上述(2)之構造。

其次，將實施形態1的光耦合器之電場向量及電流向量的模擬結果與比較例對比並使用附圖加以說明。圖5為，示意比較例的光耦合器之輸出側引線框架及光接收元件的構成之立體圖。圖6為，示意實施形態1的光耦合器之電場向量的模擬結果之圖。圖7為，示意比較例的光耦合器之電場向量的模擬結果之圖。圖8為，示意實施形態1的光耦合器之電流向量的模擬結果之圖。圖9為，示意比較例的光耦合器之電流向量的模擬結果之圖。

此處，比較例為，不具有導線突起物(圖4的10)之構成(參考圖5)，其他構成與實施形態1(參考圖1~圖3)相同。

關於光耦合器的電場向量、電場分布、電流向量、電流分布、S參數、封裝體的電容、全位移電流量，係使用市售之電磁場模擬器施行驗證。

[電場向量、電場分布]

參考圖7，則如同比較例地未具備導線突起物10之情況，電力線僅有朝向光接收元件5、黏裝部3a進入之電力線12。另一方面，參考圖6，則如同實施形態1地有具備導線突起物10之情況，存在朝向導線突起物10 進入之電力線12，自電場分布來看電場集中於導線突起物10之前端。

[電流向量、電流分布]

參考圖9，則如同比較例地未具備導線突起物10之情況，位移電流路僅有朝向光接收元件5進入之位移電流路13。另一方面，參考圖8，則如實施形態1地具備導線突起物10之情況，存在朝向導線突起物10進入之位移電流路13，進入光接收元件5之位移電流路13較比較例更為減少。

藉由以上，實施形態1中，由於位移電流流通於導線突起物10側，進入光接收元件5之位移電流量減少，故可提高CMR特性。

依實施形態1，則藉由在輸入側引線框架2與輸出側引線框架3之間的間隙，設置與輸出側引線框架3連接之導線突起物10，而使電力線對等電位面垂直地入射，故電場集中於導線突起物10，位移電流亦流通於導線突起物10側。此一結果，進入光接收元件5之位移電流減少，可提高CMR特性。此外，因導線突起物10不妨礙自發光元件4進入光接收元件5的光線，故可維持CTR(輸出側光電流與輸入側順電流的比)特性。進一步，因以接合導線形成導線突起物10，故可在將輸出側引線框架3與光接收元件5以接合導線9b、9c連結之步驟中形成導線突起物10，可降低構件的製造成本。

[實施形態2]

使用附圖對本發明之實施形態2的光耦合器加以說明。圖10為，示意實施形態2的光耦合器之構成的側視圖。圖11為，示意實施形態2的光耦合器之構成的俯視圖。圖12為，示意實施形態2的光耦合器之輸出側引線框架及光接收元件的構成之立體圖。

實施形態2為，實施形態1之變形例，將導線突起物10與光接收元件5分離並在光接收元件5之周圍區域全盤地設置。其他構成，與實施形態1相同。

依實施形態2，則可達到與實施形態1相同的效果，並使進入光接收元件5之位移電流較實施形態1進一步地減少。

[實施形態3]

使用附圖對本發明之實施形態3的光耦合器加以說明。圖13為，示意實施形態3的光耦合器之構成的側視圖。圖14為，示意實施形態3的光耦合器之構成的俯視圖。圖15為，示意實施形態3的光耦合器之輸入側引線框架及發光元件的構成之立體圖。圖16為，示意實施形態3的光耦合器之來自發光元件的光線之路徑的圖。

實施形態3為實施形態1之變形例，雖在輸出側引線框架3的黏裝部3a設置導線突起物10的點與的點與實施形態1相同，但其設置藉由引線框架製造時之蝕刻或打印使輸入側引線框架2的黏裝部2a凹陷的凹部2d，於凹部2d黏裝發光元件4。藉由將發光元件4黏裝於凹部2d，可使自發光元件4之側面射出的光，被凹部2d之側面反射而進入光接收元件5。於凹部2d充填透明樹脂6以覆蓋發光元件4。其他構成，與實施形態1相同。另，實施形態3中，亦可應用實施形態2。

依實施形態3，則與實施形態1同樣地，可藉導線突起物10提高CMR特性，並可使自發光元件4之側面射出的光線，被凹部2d之側面反射而進入光接收元件5，故可較實施形態1更提高CTR(輸出側光電流與輸入側順電流的比)特性。

[實施形態4]

使用附圖對本發明之實施形態4的光耦合器加以說明。圖17為，示意實施形態4的光耦合器之構成的側視圖。圖18為，示意實施形態4的光耦合器之構成的俯視圖。圖19為，示意實施形態4的光耦合器之輸出側引線框架及光接收元件的構成之立體圖。

實施形態4為實施形態1之變形例，設置藉由引線框架製造時之蝕刻或打印使輸出側引線框架3的黏裝部3a凹陷的凹部3d，於凹部3d黏裝光接收元件5，在凹部3d之周圍區域設置導線突起物10。於凹部3d充填透光性樹脂7以覆蓋光接收元件5。其他構成，與實施形態1相同。另，實施形態4中，亦可應用實施形態2。

依實施形態4，雖因使發光元件4與光接收元件5之間的間隔遠離而CTR特性劣化，在令突起物的高度與實施形態1相同的情況，由於光接收元件5之光接收面遠離發光元件4之故，位移電流越容易流往導線突起物10，可較實施形態1進一步提高CMR特性。

[實施形態5]

使用附圖對本發明之實施形態5的光耦合器加以說明。圖20為，示意實施形態5的光耦合器之構成的側視圖。圖21為，示意實施形態5的光耦合器之元件附近的構成之放大側視圖。

(構成)

實施形態5為實施形態1之變形例，於實施形態1的構造中，將實施形態3之輸入側引線框架2的凹部2d與實施形態4之輸出側引線框架3的凹部3d組合。其他構成，與實施形態1相同。另，實施形態5中，亦可應用實施形態2。

依實施形態5，則獲得實施形態3與實施形態4雙方的效果。

[實施形態6]

使用附圖對本發明之實施形態6的光耦合器加以說明。圖22為，示意實施形態6的光耦合器之構成的側視圖。圖23為，示意實施形態6的光耦合器之構成的俯視圖。圖24為，示意實施形態6的光耦合器之輸出側引線框架及光接收元件的構成之立體圖。

實施形態6為實施形態1之變形例，取代實施形態1之導線突起物(圖1、圖2、圖3的10)，將重疊有導電性凸塊之凸塊突起物11，與光接收元件5分離而設置於光接收元件5之周圍區域的一部分。凸塊突起物11，宜較光接收元件5的厚度更高，前端呈尖形。凸塊突起物11，例如可使用Au、Pb/Sn系合金等。其他構成，與實施形態1相同。另，實施形態6之凸塊突起物11，亦可取代實施形態2~5之導線突起物使用。

依實施形態6，則達到與實施形態1相同的效果。

另，上述一觀點的光耦合器中，宜如同以下內容。

該光耦合器中，該突起物，較該光接收元件的厚度更高地突出。

該光耦合器中，該突起物，前端部呈尖形。

該光耦合器中，該突起物，未配置於自該發光元件至該光接收元件的光路上。

該光耦合器中，該輸入側引線框架，於該輸出側引線框架側之面具有凹部；該發光元件，黏裝於該凹部內。

該光耦合器中，該輸出側引線框架，於該輸入側引線框架側之面具有其他凹部，該光接收元件，黏裝於該其他凹部內。

該光耦合器中，具備將該光接收元件與該輸出側引線框架電性連接之其他接合導線；該突起物由接合導線構成之情況，該其他接合導線，為與該突起物相同的材料。

此外，本發明中附加附圖參考符號之情況，其等係僅為幫助理解所用，並非用於限定圖示之態樣。

進一步，本發明之全部揭露內容(包含專利申請範圍及附圖)的範圍內，可進一步依照其基本技術思想，變更．調整實施形態乃至於實施例。此外，在本發明之專利申請範圍的範圍內可為各種揭露要素(包含各申請專利範圍之各要素、各實施形態或實施例之各要素、各附圖之各要素等)的多樣組合或選擇。亦即，本自然包含，若為所屬技術領域中具有通常知識者則可依據專利申請範圍及附圖之全部揭露內容、技術思想而獲得的各種變形、修正。

1‧‧‧光耦合器

2‧‧‧輸入側引線框架

2a‧‧‧黏裝部

2b‧‧‧導線部

3‧‧‧輸出側引線框架

3a‧‧‧黏裝部

3b、3c‧‧‧導線部

4‧‧‧發光元件

5‧‧‧光接收元件

6‧‧‧透明樹脂

7‧‧‧透光性樹脂

8‧‧‧遮光性樹脂

9a‧‧‧接合導線

9b、9c‧‧‧接合導線(其他接合導線)

10‧‧‧導線突起物(突起物)

Claims (5)

1. 一種光耦合器，包含：輸入側引線框架；輸出側引線框架，與該輸入側引線框架相對向並隔著間隔配置；發光元件，黏裝於該輸入側引線框架的朝向該輸出側引線框架側之面；光接收元件，與該發光元件相對向並隔著間隔，黏裝在該輸出側引線框架的朝向該輸入側引線框架側之面；以及突起物，配置於該輸出側引線框架的該光接收元件之周圍區域的至少一部分，且由朝該輸入側引線框架側突出之導電性的接合導線或凸塊構成；且該突起物，突出至較高於該光接收元件的厚度，該突起物之前端部呈尖形，該光接收元件的平面形狀係由多邊形而成，該突起物於俯視，係沿著該光接收元件的第1邊而設置多數個。
2. 如申請專利範圍第1項之光耦合器，其中，該突起物未配置於由該發光元件到該光接收元件的光路上。
3. 如申請專利範圍第1或2項之光耦合器，其中，該輸入側引線框架，於朝向該輸出側引線框架側之面具有凹部；該發光元件，黏裝於該凹部內。
4. 如申請專利範圍第1或2項之光耦合器，其中，該輸出側引線框架，於朝向該輸入側引線框架側之面具有其他凹部，該光接收元件，黏裝於該其他凹部內。
5. 如申請專利範圍第1或2項之光耦合器，其中，具備將該光接收元件與該輸出側引線框架電性連接之其他接合導線；在該突起物由接合導線構成之情況，該其他接合導線係為與該突起物相同的材料。