JPH065905A - 光学装置用リードフレームおよびこれを使用した光学装置の製造方法 - Google Patents

光学装置用リードフレームおよびこれを使用した光学装置の製造方法

Info

Publication number
JPH065905A
JPH065905A JP16276492A JP16276492A JPH065905A JP H065905 A JPH065905 A JP H065905A JP 16276492 A JP16276492 A JP 16276492A JP 16276492 A JP16276492 A JP 16276492A JP H065905 A JPH065905 A JP H065905A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
light emitting
emitting element
recess
pressing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16276492A
Other languages
English (en)
Inventor
Takayuki Taminaga
隆之 民長
Shoji Yonekawa
昭治 米川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP16276492A priority Critical patent/JPH065905A/ja
Publication of JPH065905A publication Critical patent/JPH065905A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 プレスの押圧力を上げずにクランプ不良を防
ぐ 【構成】 リードフレーム11の凹部22の形成位置に
逃がし孔23を形成し、凹部22のプレス時に凹部22
の肉厚分を逃がし孔23へ逃がす。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光結合装置等の光学装
置用リードフレームおよびこれを使用した光学装置の製
造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の光学装置の製造方法を、二重トラ
ンスファーモールドタイプの光学装置(フォトカプラ)
を例にして説明する。図3に二重トランスファーモール
ドタイプの光結合装置の構造を示す。図3において、
1,2はリードフレーム、4は発光素子、6はAuワイ
ヤ、7はプリコート樹脂、8は受光素子、9は一次モー
ルド樹脂、そして10は二次モールド樹脂を示す。
【0003】上記光学装置の製造方法を説明する。発光
側リードフレーム1および受光側リードフレーム2のヘ
ッダー部に発光素子4、受光素子8を夫々ダイボンドお
よびワイヤボンドした後、発光素子4をプリコート樹脂
7にて覆い、スポット溶接等により発光素子4と受光素
子8を対向させ、一次モールド金型内で一次モールド樹
脂9を注入する。一次モールド樹脂9のバリを除去した
後、二次モールド金型内で二次モールド樹脂10を注入
し、二次モールド樹脂10のバリの除去、タイバーカッ
ト、そしてフォーミングの工程を経て光結合素子が完成
する。
【0004】次に、図4にて発光素子搭載部の詳細につ
いて説明する。
【0005】発光素子4の材料は通常GaAsである
が、GaAsは脆い特性を持っており、一次モールド樹
脂9との膨張係数の違いのため、温度ストレスによりク
ラックが生じやすい。
【0006】この発光素子4と一次モールド樹脂9の膨
張係数の違いを吸収するために、発光素子4はプリコー
ト樹脂7で覆われている。したがって、プリコート樹脂
7は発光素子4をスッポリ覆うことが必要であり、一部
でも覆われていない部分があるとその部分からクラック
が発生しやすい。
【0007】ここで、仮に図5のようにリードフレーム
1が平坦な場合には、発光素子4が高くなるため、プリ
コート樹脂7で完全には覆いにくい。そこで、発光素子
4をの最高点を低くしてプリコート樹脂7にて確実に覆
うことができるよう、リードフレーム1の発光素子搭載
部に、図4に示すように、凹部3が設けられている。発
光素子4は、この凹部3に導電性ペースト5を介して搭
載される。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、リード
フレーム1の発光素子搭載部には凹部3が設けられてい
るのであるが、その裏面は、凹部3の深さに応じた分だ
け突出しているため、特にワイヤボンド工程において、
発光素子搭載部のクランプを確実にするのが困難である
という問題がある。
【0009】すなわち、発光素子4の搭載部裏面は、ワ
イヤボンド時の超音波が逃げないように、下に位置する
クランプ治具に密着させなければならないが、凹部3の
裏面が突出しているため、クランプ治具自体の設計、製
作が困難な上、ワイヤボンド時の僅かな位置ずれがクラ
ンプ不良を引き起こす。
【0010】なお、図6に示すように、凹部3の裏面を
突出させないように形成しようとすると、通常のプレス
では凹部の深さDを十分に確保できない。プレスの押圧
力を大きくして無理やり深さDを確保することもできな
いことはないが、凹部3及びその周囲にかなりの残留応
力が生じ、その後高さ精度の維持が困難となる。
【0011】また、通常リードフレームの加工は順送型
で行なうため、凹部3の加工ステージだけ大きい押圧力
のプレスを使用することになり、他のステージとのバラ
ンスがくずれて、リードフレーム製造上好ましくない。
【0012】本発明は、上記課題に鑑み、クランプ不良
の防止、寸法精度の向上、およびプレス押圧力の低減を
達成できる光結合素子搭載用リードフレームの製造方法
の提供を目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明請求項1による課
題解決手段は、図1,2の如く、光学素子12を搭載し
てプリコート樹脂16にて確実に覆うための凹部22が
形成されたリードフレーム11において、該凹部22の
形成位置に、プレス時における肉厚逃がし用の逃がし孔
23が形成されたものである。
【0014】本発明請求項2による課題解決手段は、リ
ードフレーム11のヘッダー部21に予め凹部22を形
成し、該凹部22に光学素子12を搭載し、該凹部22
の光学素子12の周囲全部をプリコート樹脂16で被覆
し、さらに透光性樹脂等17,18で封止する光学装置
の製造方法において、前記ヘッダー部21の凹部22の
形成位置に逃がし孔23を形成し、凹部22のプレス時
に凹部22の肉厚分を逃がし孔23へ逃がすものであ
る。
【0015】本発明請求項3による課題解決手段は、請
求項1記載の逃がし孔23の形成容積は、請求項1記載
の凹部22のプレス時の逃がし量とほぼ同一とされたも
のである。
【0016】
【作用】上記請求項1,2による課題解決手段におい
て、リードフレーム11のプレス時に、凹部22として
潰されたリードフレーム11の肉厚分が逃がし孔23に
逃げ、大きい押圧力のプレス機器を必要としなくても、
凹部22およびその周囲に生じる残留応力が低減する。
【0017】請求項3では、プレス後、凹部22から逃
げた肉厚分が逃がし孔23を塞ぐため、光学素子12を
ダイボンドする際の導電性ペーストが逃がし孔23から
漏れ出さない。
【0018】
【実施例】図1は本発明の一実施例を示すリードフレー
ムであって、(A)はプレス前の状態を示す断面図、
(B)はプレス後の状態を示す断面図、(C)は光学素
子を搭載した状態を示す断面図、図2は本発明の一実施
例のリードフレームが使用される光結合装置の断面図で
ある。
【0019】本実施例のリードフレーム11は、図2の
如く、発光素子12(例えばLED)からの光を受光素
子13(例えばフォトトランジスタ)で受け、再び光電
変換して電気的に出力する光結合装置において、特に発
光素子12を搭載するために使用される。なお、図2
中、14は受光側リードフレーム、15はボンディング
ワイヤ、16はシリコン等の透光性プリコート樹脂、1
7は透光性エポキシ樹脂等の一次モールド体、18は遮
光性エポキシ樹脂等の二次モールド体である。
【0020】そして、前記発光側リードフレーム11
は、例えば42アロイ等が用いられ、図1(A)〜
(B)の如く、発光素子12を搭載するためのヘッダー
部21の中央に、前記発光素子12をプリコート樹脂1
6にて確実に覆うための凹部22が形成されている。該
凹部22の面積は、前記発光素子12の底面積より大と
され、凹部22の深さ寸法Dは、リードフレーム11の
板厚の半分程度に設定され、例えば、リードフレーム厚
が0.2mmの場合、凹部22の深さ寸法Dは0.1mm
とされる。なお、該発光側リードフレーム11の裏面
は、凹部22が形成されているか否かにかかわらず平滑
とされる。
【0021】また、該発光側リードフレーム凹部22の
中央部には、プレス時における肉厚逃がし用の円形の逃
がし孔23が形成されている。該逃がし孔23の径φ
は、0.2〜0.4mm程度にしておく。これは、プレス
後、リードフレーム11の肉厚分が孔内に逃げて、これ
が塞がるようになるくらいの寸法だからである。なお、
該逃がし孔23は、凹部22の大きさに応じて、複数個
形成してもよい。
【0022】上記光結合装置は、次のように製造され
る。
【0023】まず、42アロイ等の一枚の金属板を打ち
抜き加工して、発光側リードフレーム11および受光側
リードフレーム14を作成する。この際、タイバーにて
複数デバイス分を連結して作成する。
【0024】また、発光側リードフレーム11の加工時
には、図1(A)の如く、ヘッダー部21の凹部22の
形成領域中央部に逃がし孔23を形成しておく。
【0025】次に、図1(B)の如く、発光側リードフ
レーム11のヘッダー部21に、プレス機器31を用い
て、発光側リードフレーム11の裏面が突出しないよう
に凹部22を形成する。
【0026】このとき、凹部22を形成することにより
肉厚が薄くなった分が、逃がし孔23に逃げる。そうす
ると、図6のように逃がし孔を設けない従来例に比べて
残留応力が低減する。したがって、特に大きい押圧力の
プレス機器を必要としなくても、凹部22の形状誤差を
軽減できる。
【0027】その後、導電性ペースト32を用いて、発
光側リードフレーム11の凹部22に発光素子12を、
受光側リードフレーム14に受光素子13を夫々ダイボ
ンド搭載する。
【0028】ここで、特に発光素子12のダイボンド時
において、逃がし孔23は既にプレスによりほぼ塞がっ
た状態となっているため、導電性ペースト32の粘度等
をコントールすることにより、塗布しても穴からペース
トが漏れることなく、通常通りダイボンドすることが可
能である。
【0029】そして、発光素子12の周囲全部をプリコ
ート樹脂16で被覆する。この際、発光素子12を凹部
22にダイボンドすることにより、発光素子12の高さ
が相対的に低くなるため、プリコート樹脂16にて発光
素子12の周囲全部を被覆しやすくなる。
【0030】しかる後、透光性樹脂17で一次モールド
し,遮光性樹脂18で二次モールドして、光結合装置は
完成する。
【0031】以上のように、予ね逃がし孔23を設け、
その後リードフレーム11の裏面が突出しないように、
逃がし孔23を含む部分を凹部とすることにより、特に
大きい押圧力のプレス機器を必要とせずに凹部22を形
成することができる上、凹部22およびその周囲に生じ
る残留応力を低減することができる。
【0032】また、予め設ける逃がし孔23の径を適当
に選択することにより、凹部22を形成した後、逃がし
孔23をほぼ塞ぐことができるので、従来と同様の製造
方法により光結合装置を製造することが可能である。
【0033】なお、本発明は、上記実施例に限定される
ものではなく、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修
正および変更を加え得ることは勿論である。
【0034】例えば、上記実施例では、光学素子として
LED等の発光素子を使用していたが、受光素子を使用
してもよい。もちろん、光結合素子としてでなく、発光
素子または受光素子のいずれか一方のみを備えたもので
あってもよい。
【0035】また、上記実施例では、逃がし孔23の形
状を円形としていたが、楕円形や多角形等、その形状を
問わないのはいうまでもない。
【0036】
【発明の効果】以上の説明から明らかな通り、本発明請
求項1,2によると、リードフレームの凹部に逃がし孔
を形成しているので、特に大きい押圧力のプレス機器を
必要とせずに、凹部およびその周囲に生じる残留応力を
低減することができる。
【0037】したがって、ワイヤボンド工程等におい
て、光学素子搭載部のクランプを確実にできる。
【0038】また、請求項3によると、逃がし孔の径を
適当に選択することにより、凹部を形成した後、プレス
にて逃がし孔をほぼ塞ぐことができるので、その後のペ
ースト漏れを考慮する必要がなく、従来と同様の製造方
法により光形成装置を製造することができるといった優
れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示すリードフレームであっ
て、(A)はプレス前の状態を示す断面図、(B)はプ
レス後の状態を示す断面図、(C)は光学素子を搭載し
た状態を示す断面図
【図2】本発明の一実施例のリードフレームが使用され
る光結合装置の断面図
【図3】従来の光結合装置の断面図
【図4】従来の凹部がある場合のプリコート塗布状態を
示す図
【図5】従来の凹部がない場合のプリコート塗布状態を
示す図
【図6】従来の凹部形成方法の説明図
【符号の説明】
11 リードフレーム 12 光学素子 16 プリコート樹脂 17 透光性樹脂 18 遮光性樹脂 21 ヘッダー部 22 凹部 23 逃がし孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 23/31 23/50 Z 9272−4M 31/02

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光学素子を搭載してプリコート樹脂を充
    填するための凹部が形成されたリードフレームにおい
    て、該凹部形成位置に、プレス時における肉厚逃がし用
    の逃がし孔が形成されたことを特徴とする光学装置用リ
    ードフレーム。
  2. 【請求項2】 リードフレームのヘッダー部に予め凹部
    を形成し、該凹部に光学素子を搭載し、該凹部の光学素
    子の周囲全部をプリコート樹脂で被覆し、さらに透光性
    樹脂で封止する光学装置の製造方法において、前記ヘッ
    ダー部の凹部形成位置に逃がし孔を形成し、凹部のプレ
    ス時に凹部の肉厚分を逃がし孔へ逃がすことを特徴とす
    る光学装置の製造方法。
  3. 【請求項3】 請求項1記載の逃がし孔の形成容積は、
    請求項1記載の凹部プレス時の逃がし量とほぼ同一とさ
    れたことを特徴とする光学装置用リードフレーム。
JP16276492A 1992-06-22 1992-06-22 光学装置用リードフレームおよびこれを使用した光学装置の製造方法 Pending JPH065905A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16276492A JPH065905A (ja) 1992-06-22 1992-06-22 光学装置用リードフレームおよびこれを使用した光学装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16276492A JPH065905A (ja) 1992-06-22 1992-06-22 光学装置用リードフレームおよびこれを使用した光学装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH065905A true JPH065905A (ja) 1994-01-14

Family

ID=15760785

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16276492A Pending JPH065905A (ja) 1992-06-22 1992-06-22 光学装置用リードフレームおよびこれを使用した光学装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH065905A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1020933A1 (en) * 1999-01-13 2000-07-19 Sharp Kabushiki Kaisha Photocoupler device, method for fabricating the same, and lead frame for photocoupler device
US7440038B2 (en) 2004-06-25 2008-10-21 Funai Electric Co., Ltd. Liquid crystal television and liquid crystal display apparatus
US7980731B2 (en) 2006-05-30 2011-07-19 Fujikura Ltd. Light-emitting element mounting substrate, light source, lighting device, display device, traffic signal, and method of manufacturing light-emitting element mounting substrate
CN103681941A (zh) * 2012-09-12 2014-03-26 瑞萨电子株式会社 光耦合器
WO2022219909A1 (ja) * 2021-04-16 2022-10-20 アオイ電子株式会社 半導体装置およびその製造方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1020933A1 (en) * 1999-01-13 2000-07-19 Sharp Kabushiki Kaisha Photocoupler device, method for fabricating the same, and lead frame for photocoupler device
US6507035B1 (en) 1999-01-13 2003-01-14 Sharp Kabushiki Kaisha Photocoupler device, method for fabricating the same, and lead frame for photocoupler device
US7440038B2 (en) 2004-06-25 2008-10-21 Funai Electric Co., Ltd. Liquid crystal television and liquid crystal display apparatus
US7980731B2 (en) 2006-05-30 2011-07-19 Fujikura Ltd. Light-emitting element mounting substrate, light source, lighting device, display device, traffic signal, and method of manufacturing light-emitting element mounting substrate
CN103681941A (zh) * 2012-09-12 2014-03-26 瑞萨电子株式会社 光耦合器
JP2014056935A (ja) * 2012-09-12 2014-03-27 Renesas Electronics Corp フォトカプラ
US9236954B2 (en) 2012-09-12 2016-01-12 Renesas Electronics Corporation Photocoupler with protrusion
CN103681941B (zh) * 2012-09-12 2017-04-12 瑞萨电子株式会社 光耦合器
WO2022219909A1 (ja) * 2021-04-16 2022-10-20 アオイ電子株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2022164132A (ja) * 2021-04-16 2022-10-27 アオイ電子株式会社 半導体装置およびその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5278446A (en) Reduced stress plastic package
JP2843464B2 (ja) 固体撮像装置
CN101218673B (zh) 半导体装置
KR950024308A (ko) 고체촬상소자 및 그 제조방법
KR20020061225A (ko) 적층형 반도체 패키지
JP2005026426A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
EP0996962A2 (en) Resin molded type semiconductor device and a method of manufacturing the same
US4877756A (en) Method of packaging a semiconductor laser and photosensitive semiconductor device
JP2005079537A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
KR20190053783A (ko) 수지 봉지 금형 및 반도체 장치의 제조 방법
US7538416B2 (en) Resin molded type semiconductor device and a method of manufacturing the same
JPH065905A (ja) 光学装置用リードフレームおよびこれを使用した光学装置の製造方法
US7332804B2 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2006332685A (ja) 固体撮像装置
JP2001326316A (ja) 樹脂封止型半導体装置用フレーム
JP3967314B2 (ja) 発光素子
JP2772447B2 (ja) 光半導体装置の製造方法
JPS62115834A (ja) 半導体封止装置
JPH0582573A (ja) 樹脂封止型半導体装置用金型
JPH05121462A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH09232637A (ja) リードフレームおよび発光素子の製法
JP2004193294A (ja) 半導体用中空樹脂パッケージ
JPH02130864A (ja) リードフレームのダイパッド構造
KR100576153B1 (ko) 전하촬상소자 패키지
US20060220196A1 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same, metal component and method of manufacturing the same