TWI524516B - 有機電致發光顯示裝置用彩色濾光片及有機電致發光顯示裝置 - Google Patents

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Description

有機電致發光顯示裝置用彩色濾光片及有機電致發光顯示裝置
本發明係關於有機電致發光(以下時稱為「有機EL」)顯示裝置中所使用之彩色濾光片，以及具備該彩色濾光片而構成之有機EL顯示裝置。
近年來，平面顯示器被使用於許多領域、場所，在資訊化的進展當中，其重要性日益升高。
目前，平面顯示器中，液晶顯示器(LCD)雖可稱得上佔有中心地位，但作為根據與液晶顯示器(LCD)相異之顯示原理的平面顯示器，有機EL、無機EL、電漿顯示器面板(PDP)、發光二極體顯示裝置(LED)、螢光顯示管顯示裝置(VFD)及真空螢光顯示器(FED)等之開發亦興盛地進行著。
此等新穎之平面顯示器均被稱為自發光型，與液晶顯示器(LCD)之間在下述特點大不相同，並具有液晶顯示器(LCD)所不具有的優點。
液晶顯示器(LCD)被稱為受光型，液晶不僅本身進行發光，亦作為使外光穿透、遮斷之所謂快門而動作，以構成顯示裝置。因此，必須有光源，一般係必須有背光源。相對於此，自發光型因裝置本身進行發光，故不需要其他光源。又，如液晶顯示器(LCD)般之受光型並不受顯示資訊樣態的拘束，經常性地點亮背光源，而消耗與全顯示裝置幾乎無異的 無力。相對於此，自發光型則配合顯示資訊而僅有需要點燈處才消耗電力，故相較於受光型顯示裝置，其原理上即存在電力消耗較少的優點。
同樣地，液晶顯示器(LCD)由於將背光源之光進行遮光以得到暗狀態，故即使僅為少量，仍難以完全消除漏光情形；相對地，自發光型由於其不發光狀態即屬於暗狀態，故可輕易獲得理想的暗狀態，在對比方面，自發光型具有壓倒性的優勢。又，液晶顯示器(LCD)由於利用液晶之雙折射所進行的偏光控制，故因觀察方向使顯示狀態大幅改變、亦即所謂的視角依存性強，但自發光型則幾乎無此問題。再者，液晶顯示器(LCD)由於利用來自屬於有機彈性物質之液晶之介電各異向性的配向變化，故原理上對電氣信號的應答時間為1ms以上。相對於此，正進行開發中之上述自發光型的技術，由於例如利用電子/電洞之所謂載子遷移、電子放出、電漿放電等，故應答時間為ns位數，屬於無法與液晶比較的高速，且不發生液晶顯示器(LCD)之因應答慢速所造成的動畫殘影問題。
最近，此等之中，尤其是有機EL顯示裝置的研究特別活躍，已提案有：(1)將三原色之發光層依各個發光色以既定圖案予以形成者；(2)使用白色發光之發光層，經由三原色之彩色濾光片進行顯示者；(3)使用藍色發光之發光層，設置利用了螢光色素的色轉換層，將藍色光轉換為綠色螢光或 紅色螢光而進行三原色顯示者等。
有機EL顯示裝置主要已實用化為車輛用導航器、行動電話、數位相機等之數吋左右的小型畫面用，但最近，開始希望進行以薄型電視為代表之例如20吋以上的大畫面化的開發。
然而，在將有機EL顯示裝置作成為例如20吋以上的大畫面時，在畫面之外周部與中央部，用於對各像素供給驅動電流的佈線長度極端相異。因此，於畫面的中央部，其電壓下降的程度較畫面外周部更大，而有發生輝度不均的不良情況。
越是企圖更大畫面化，則此傾向變得越明顯。尤其是供給驅動電流之佈線係經由形成於含有發光層之有機EL層上的ITO等透明電極所導通，該ITO的電阻較例如金屬Cu等大，因此ITO的電壓下降的影響較大。
尚且，作為有機EL顯示裝置的驅動方法，有如被動矩陣方式與主動矩陣方式，前者雖構造單純，但有難以實現大型化且高精細之顯示裝置等問題，為了達到大型化，而正盛行後者之主動矩陣方式的開發。主動矩陣方法中，係藉由設置於各有機EL元件之驅動電路內的TFT(Thin Film Trasnsistor，薄膜電晶體)控制各像素所配置之有機EL元件中所流通的電流。
尚且，作為被認為與本案發明有關之先行技術，可舉例如 下述專利文獻1~專利文獻4。
專利文獻1：日本專利第4489472號公報
專利文獻2：日本專利第4367346號公報
專利文獻3：日本專利特開2009-26828號公報
專利文獻4：日本專利特開2001-96682號公報
專利文獻1揭示有一種有機電致發光顯示裝置，係以即使大型化仍不致發生因上部透明電極之電壓下降所造成的發光輝度不均為目的之一，依使位於形成於第1基板之元件分離用組(bank)上的上部電極與形成於第2基板之導電性遮光圖案電氣性連接的方式，將第1基板與第2基板對向配置，並使至少上述上部電極或上述導電性遮光圖案連接於給電點而成。
然而，專利文獻1係將屬於柱狀突起之元件分離用組，形成於TFT或有機EL層所形成之第1基板側。由於形成有TFT或有機EL層，故第1基板側成為複雜的構成，相較於將元件分離用組設置於相反側之第2基板側的製程，將元件分離用組設置於第1基板側上時，可謂使產率降低的機率極高。而且，第1基板側之產率降低，係造成需經由複雜步驟予以形成、使步驟數多之TFT或有機EL層之形成步驟浪費，而於成本上的損失極大。又，具備由一對電極所挾持之狀態的有機EL層的有機EL元件，通常係由用於保護有機EL元件之密封層所被覆而保護，故必須考慮到此密封層的 存在而於技術上研究達到與被覆之電極間的導通。
另外，專利文獻2中，雖提案有一種可使電源佈線及第2電極更加低電阻化，減低顯示之光度不均，達到高輝度化、高對比化的高輸出品質的有機EL裝置等之電光學裝置，但該提案中，仍可能發生與上述專利文獻1相同的問題。
另外，專利文獻3，雖提案一種以提高對向電極之電位之面內均一性為目的而開發之上面發光型之有機EL顯示裝置，但該提案中，仍可能發生與上述專利文獻1相同的問題。
另外，專利文獻4中，雖提案有一種發光裝置，可降低透明電極之實效性電阻值，並可對有機EL層施加均一之電壓，故可防止顯示不均等之顯示不良，但該提案中，仍可能發生與上述專利文獻1相同之問題。
根據此等實情而開創出本發明，其目的在於在開發大畫面之有機EL顯示裝置時，提供可防止畫面之中央部與畫面之外周部的輝度不均發生，且該輝度不均之發生防止手段之形成可依減低成本風險的構成進行，且可維持對有機EL元件之原本之保護機能的有機電致發光顯示裝置用彩色濾光片及有機電致發光顯示裝置。
為了解決此種課題，本發明為一種有機電致發光顯示裝置 用彩色濾光片，係以來自有機電致發光元件之有機EL層的光為發光光源之有機電致發光顯示裝置中所使用者，該彩色濾光片係構成為具有：透明基板；形成於該透明基板上之屬於像素部分的著色層；與形成於著色層周圍之非像素區域；於上述非像素區域之至少一處以上形成有凸狀柱，於上述凸狀柱之頂部、側部、及上述非像素區域，具有輔助電極層。
另外，作為本發明之有機電致發光顯示裝置用彩色濾光片的較佳態樣，上述輔助電極層係具有金屬輔助電極層及透明電極層而構成，上述金屬輔助電極層係於非像素區域進行圖案配設為線狀，在使金屬輔助電極層配設為線狀之非像素區域上形成凸狀柱，上述透明電極層係形成為被覆上述凸狀柱之頂部及側部及上述非像素區域，並與金屬輔助電極層相接。
另外，作為本發明之有機電致發光顯示裝置用彩色濾光片之較佳態樣，上述透明電極層係形成為被覆上述金屬輔助電極層之整面。
另外，作為本發明之有機電致發光顯示裝置用彩色濾光片之較佳態樣，係於形成於顯示區域周圍之顯示區域外遮光區域形成有遮光部，於上述遮光部上形成有上述金屬輔助電極層，依被覆形成於上述顯示區域外遮光區域之上述金屬輔助電極層的方式形成上述透明電極層，形成於上述顯示區域外遮光區域之上述金屬輔助電極層係具有複數之開口部。
另外，作為本發明之有機電致發光顯示裝置用彩色濾光片之較佳態樣，係於上述透明基板上之上述非像素區域形成有遮光部，依被覆上述遮光部及上述著色層之方式形成頂塗層，於上述頂塗層上形成上述金屬輔助電極層，於上述著色層之間的上述非像素區域中之上述遮光部上，設置至少一色的上述著色層，在設有上述著色層之上述遮光部上之上述金屬輔助電極層上，形成上述凸狀柱。
另外，作為本發明之有機電致發光顯示裝置用彩色濾光片之較佳態樣，上述輔助電極層係具有透明電極層而構成，上述透明電極層係形成為被覆上述凸狀柱之頂部及側部及上述非像素區域。
另外，作為本發明之有機電致發光顯示裝置用彩色濾光片之較佳態樣，上述輔助電極層係具有金屬輔助電極層而構成，上述金屬輔助電極層係於非像素區域上配設為線狀，進而在形成於非像素區域之凸狀柱的側部及頂部上亦配設為一連串且線狀。
另外，作為本發明之有機電致發光顯示裝置用彩色濾光片的較佳態樣，上述輔助電極層係構成為形成於上述非像素區域之導電性遮光部。
另外，作為本發明之有機電致發光顯示裝置用彩色濾光片的較佳態樣，上述非像素區域係構成為具有縱橫方向之線相交的交差部位，並於上述交差部位具有上述凸狀柱。
另外，作為本發明之有機電致發光顯示裝置用彩色濾光片之較佳態樣，凸狀柱係構成為由基部側至頂部為止其直徑漸減的錐形狀。
另外，本發明之有機電致發光顯示裝置用彩色濾光片之較佳態樣，係構成為具有1個或複數個之凸狀柱，比較配設於基板中央部之凸狀柱之配設密度D1、與基板外周部之凸狀柱之配設密度D2時，D1≧D2、尤其是D1>D2。
本發明為一種有機電致發光顯示裝置，係具有下述者：上述記載之彩色濾光片；與有機EL元件側基板，其具有含基板及形成於該基板上之有機EL層之有機電致發光元件；上述彩色濾光片與上述有機EL元件側基板係配置成使上述著色層及上述有機電致發光元件相對向，上述有機電致發光元件係含有上述有機EL層、配置成挾持上述有機EL層的一對之下面電極層與上面透明電極層，且依被覆該元件之方式於上面透明電極層上形成有密封層，於上述密封層係具有凹部，該凹部形成為可使形成於上述彩色濾光片之上述凸狀柱之前端部分插黏，達成使形成於上述凸狀柱頂部之上述輔助電極層之部分與上述上面透明電極層相接觸而導通。
另外，作為本發明之有機電致發光顯示裝置的較佳態樣，上述凹部所形成的部位，係相鄰接之有機EL層彼此間的間隙部分。
另外，作為本發明之有機電致發光顯示裝置之較佳態樣， 上述凹部的深度，係到達上述上面透明電極層的深度。
另外，作為本發明之有機電致發光顯示裝置之較佳態樣，構成為在上述凹部之側面形成導電膜。
另外，作為本發明之有機電致發光顯示裝置之較佳態樣，構成為在上述有機EL元件側基板之基板上，依每個元件形成有控制上述有機電致發光元件中流通之電流的TFT。
另外，作為本發明之有機電致發光顯示裝置之較佳態樣，上述有機EL層所含有之發光層係構成為白色發光層。
本發明之彩色濾光片由於構成為具有透明基板、形成於該透明基板上之屬於像素部分的著色層、與形成於著色層周圍之非像素區域，於上述非像素區域之至少一處以上形成有凸狀柱，於上述凸狀柱之頂部及側部及上述非像素區域，具有輔助電極層，故在構成大畫面之有機EL顯示裝置時，可防止畫面中央部與畫面外周部間之輝度不均的發生。再者，由於在彩色濾光片側具備有具輔助電極層的凸狀柱，故可使該輝度不均之發生防止手段之形成依減低成本風險的方向進行。再者，藉由該彩色濾光片與有機EL元件側基板的一體化而構成有機EL顯示裝置時，可於確保對有機EL元件具有充分保護機能之密封層的存在之下，達到形成於凸狀柱之輔助電極層與有機EL元件之電極間的接合。
以下參照圖式，詳細說明用於實施本發明之複數實施形態。又，本發明並不限定於以下說明之形態，在不脫離技術思想之範圍內可進行各種變形而實施。又，於所附之圖式中，為了說明，有將左右比例誇大圖示的情形。而有與實際比例相異的情形。
<第1實施形態>
參照圖1~圖3，說明本發明第1實施形態之有機EL顯示裝置用彩色濾光片及有機EL顯示裝置。
圖1為表示本發明之有機EL顯示裝置用彩色濾光片10及有機EL元件側基板70的剖面圖。此等之構成構件的剖面圖，係觀看圖3所示之有機電致發光顯示裝置用彩色濾光片10之平面圖之A-B-C-D-E-F-G-H-I-J-K-L-M-N線的切剖面及根據其之有機EL元件側基板70的切剖面的剖面圖。圖2為藉由將圖1所示之有機EL顯示裝置用彩色濾光片10及有機EL元件側基板70接合而形成的有機EL顯示裝置100的剖面圖。圖3為表示第1實施形態之有機EL顯示裝置用彩色濾光片10之一部分的平面圖，相當於圖1之α-α箭頭平面圖。
(有機EL顯示裝置用彩色濾光片10之說明)
本發明之有機EL顯示裝置用彩色濾光片10，係用於以來自有機EL元件之含有發光層之有機EL層的光作為發光光源的有機EL顯示裝置中所使用的有機EL顯示裝置用彩色 濾光片(以下有時簡稱為彩色濾光片)。
如圖1所示，本發明之彩色濾光片10係具有透明基板11、形成於該透明基板11上之屬於像素部分的著色層13、與形成於著色層13周圍之非像素區域12。通常，若著眼於除了配置於基板最外周之著色層13以外的其他大部分之著色層13，則非像素區域12存在於相鄰接之著色層13彼此間的間隙部分。
透明基板11若為對可見光呈透明的基板，則無特別限定，可使用與一般彩色濾光片所使用之透明基板相同者。具體而言，可使用石英玻璃、PYREX(註冊商標)玻璃、合成石英等之堅固材、或透明樹脂薄膜、光學用樹脂板等之具有可撓性的透明可撓材。
著色層13係具有紅色著色層13R、綠色著色層13G及藍色著色層13B，通常依使此等依序配列的狀態進行圖案形成，但其圖案配列並不特別限定於圖示者。可設為條紋型、馬賽克型、三角型、4像素配置型等之公知配列，並可任意設定各著色層的面積。
尚且，圖式中之屬於像素部分的著色層13之數量(像素數)僅止於記載為例示，並不限定於圖示例者。作為著色層13之形成方法，可使用一般之彩色濾光片中之著色層13的形成方法，例如光刻法、噴墨法、印刷法等。
本實施形態中之非像素區域12，通常最好形成遮光部 12a(有時亦稱為所謂的黑矩陣)，但其並非用於表現本發明作用效果的必要者。遮光部12a通常係構成為格子狀之遮光層，通常使用含有黑色顏料與黏結劑樹脂與溶劑的光阻劑或印刷用油墨、或鉻等之金屬所構成。作為印刷用油墨中所使用之黑色顏料，可舉例如碳黑、鈦黑等；作為黏結劑樹脂，可舉例如甲基丙烯酸苄酯：苯乙烯：丙烯酸：甲基丙烯酸2-羥基乙酯之共聚物等；作為溶劑，可由公知之各種中選定使用。
作為遮光部12a之形成方法，可藉由光刻法、各種圖案印刷方法、各種鍍覆方法等形成。
本發明中之彩色濾光片10，係於非像素區域12之至少一處以上形成凸狀柱17。該凸狀柱17係於其外部如後述般賦予導電性，而形成為可防止本發明課題之畫面中央部與畫面外周部之輝度不均的發生。因此，凸狀柱17係為了發揮其作用，最好形成於容易發生輝度不均處、尤其是基板之中央部附近。本實施形態中，雖於圖1中之剖面圖之中央部附近形成3根之凸狀柱17，但此等僅為例示記載，其根數及配置場所並不限定於圖示者。本發明之作用效果係依可表現最佳狀態的方式，適當設定根數、配置場所即可。
本發明中，凸狀柱17係如後述般，藉由使來自具有有機EL層83之有機EL元件側基板70的電流經由形成於凸狀柱17之輔助電極層18而引導並脫離至彩色濾光片10側， 而具有防止電壓降低的作用。
本發明中之凸狀柱17係適合由樹脂材料構成，藉由例如光刻法等所形成。又，本發明中，構成為於凸狀柱17之頂部17a及側部17b及上述非像素區域12，具有具導電性之輔助電極層18。凸狀柱最好構成為由基部側至頂部17a其直徑漸減的錐形狀。如後述，此係為了使其與具有有機EL層之有機EL元件側基板70間的一體化變得容易。作為凸狀柱之具體形狀，可舉例如錐形狀。藉由使凸狀柱為錐形狀，可在使透明電極層形成為被覆凸狀柱之頂部及側部時，防止透明電極層之斷線。作為此種錐形狀，可舉例如圖示般之屬於切取了圓錐前端部之形狀的圓錐梯形，或圓柱、三角錐梯形、四角錐梯形等。
屬於凸狀柱17根底之基部的寬，設為8~100μm左右，頂部17a之寬為3~95μm左右，高度為2.5~25μm左右。又，基部側起至頂部17a的B錐角度為30~85°左右。
在凸狀柱為錐形狀且具有上底面及下底面的情況時，作為上底面之面積相對於下底面之面積的比率，係在將有機EL顯示裝置用彩色濾光片接合至有機EL元件側基板時，若凸狀柱之上底面面積成為可使凸狀柱上底面與上面透明電極層電氣連接之程度，則無特別限定。較佳為例如5%~60%之範圍，更佳10%~50%之範圍內，特佳15%~40%之範圍內。
若更具體說明第1實施形態，輔助電極層18係構成為由 透明電極層18’所構成的所謂原膜(beta膜)。亦即，在具有形成於透明基板11上之屬於像素部分的著色層13、形成於著色層13周圍之非像素區域12(較佳為形成有遮光部12a)、與形成於非像素區域12之凸狀柱17的透明基板11的單面整體上，形成作為輔助電極層18之透明電極層18’以作為原膜。亦即，圖3之整面係被覆透明電極層18’作為原膜。藉由形成此種透明電極層18’之原膜，則可如上述般在凸狀柱17之頂部17a及側部17b及上述非像素區域12，形成具導電性的輔助電極層18。本實施形態中，著色層13亦由透明電極層18’所被覆。
作為透明電極層18’之形成材料，可舉例如具有透明性及導電性的金屬氧化物。作為此種金屬氧化物，可舉例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦、氧化鋅、或氧化錫等。透明電極層18’之膜厚設為50nm~1500nm、更佳120nm~1200nm。
作為透明電極層之形成方法，可使用例如蒸鍍法或濺鍍法等。
另外，作為使透明電極層進行硬化時的退火溫度，最好為較低。較佳為例如150℃~250℃之範圍內，更佳170℃~230℃之範圍內，特佳180℃~210℃之範圍內。藉由將使透明電極層進行硬化時之退火溫度為上述範圍內，則可抑制透明電極層之硬化收縮，維持透明電極層與接於透明電極層之著色層或遮光部、頂塗層等之透明電極層之基底層的密黏性。又， 可維持後述之透明電極層之光穿透性。
作為透明電極層之光穿透性，係在將本實施形態之有機EL顯示裝置用彩色濾光片用於有機EL顯示裝置時，若為可得到所需效果的程度，則無特別限定，較佳為例如在380nm~780nm之平均穿透率為85%~98%範圍內，更佳90%~97%範圍入，特佳92%~96%範圍內。
尚且，平均穿透率可藉由例如島津製作所製紫外可見光分光光度計UV-3600進行測定。
尚且，為了對構成凸狀柱17之樹脂材料賦予導電性，亦可使其含有導電性材料，但有發生凸狀柱17之強度不足、或無法得到充分導電性等問題的疑慮，故雖然可於凸狀柱17中含有某程度導電性材料，但必須於凸狀柱17形成輔助電極層18。
以下進一步說明本發明之彩色濾光片10所適合使用的著色層13。
具有紅色著色層13R、綠色著色層13G及藍色著色層13B而構成的著色層13，係對應至有機EL顯示裝置100(參照圖2)之單位像素而設置。而且，此等之紅色著色層13R、綠色著色層13G及藍色著色層13B，係在分別使各色之顏料或染料等著色劑分散或溶解於感光性樹脂中後再形成於基板上。
作為紅色著色層13R所使用之著色劑，可舉例如苝系顏 料、色澱顏料、偶氮系顏料、喹吖酮系顏料、蒽醌系顏料、蒽系顏料、異吲哚啉系顏料等。此等顏料可單獨使用或混合2種以上使用。
作為綠色著色層13G所使用之著色劑，可舉例如鹵素多取代酞菁系顏料或鹵素多取代銅酞菁系顏料等之酞菁系顏料、三苯基甲烷系鹼素染料、異吲哚啉系顏料、異吲哚啉酮系顏料等。此等顏料或染料可單獨使用或混合2種以上使用。
作為藍色著色層13B所使用之著色劑，可舉例如銅酞菁系顏料、蒽醌系顏料、陰丹士林系顏料、靛酚系顏料、靛青系顏料、雙系顏料等。此等顏料可單獨使用或混合2種以上使用。
尚且，如圖13所示，非像素區域12較佳係具有使縱橫方向之線交差的交差部位，並於該非像素區域12之交差部位形成凸狀柱17。其理由在於可使凸狀柱17之形成位置有空間上之緩衝，而可依提高強度的狀態予以形成。又，可使形成較為容易而有助於提升產率。又，視TFT的設計，凸狀柱17之形成位置亦可不為交差部位。
(有機EL元件側基板70之說明)
圖1所示之有機EL元件側基板70，係具有基板71、與含有形成於該基板71上之有機EL層83的有機電致發光元件80而構成。
藉由將此種有機EL元件側基板70與上述彩色濾光片10一體化‧接合，則形成圖2所示般之有機電致發光顯示裝置100。又，在將有機EL元件側基板70與上述彩色濾光片10一體化‧接合時，係配置成使有機EL元件側基板70良有機電致發光元件80、與彩色濾光片10之著色層13相對向。
有機電致發光元件80係具有有機EL層83、配置成挾持該有機EL層83之一對的下面電極層81與上述透明電極層85而構成。又，於有機EL層83周圍形成絕緣層91，藉該絕緣層91區畫有機EL層83，並防止下面電極層81與上面透明電極層85直接接觸。又，於上面透明電極層85上，係使主要用於保護有機EL層83之密封層95形成為被覆元件整體。
然後，在此種密封層95之與上述彩色濾光片10相對的面上，形成凹部95a。該凹部95a係形成為可使形成於上述彩色濾光片10之凸狀柱17之前端部分插黏，而達到使形成於上述凸狀柱17之頂部17a的輔助電極層18的部分、與有機電致發光元件80之上面透明電極層85接觸並導通。凹部95a最好作成為具有與所插入之凸狀柱17之前端部分相同的錐形狀的形態，並作成為可使凸狀柱17之前端部分嵌黏至凹部95a中的形態。又，凹部95a之深度係設為到達上面透明電極層85的深度。又，雖未圖示，為了容易確保輔助電極層18與上面透明電極層85間的導通，亦可事先於凹部 95a之側面形成導電膜。
凹部95a所形成之部位，係為了不使發光區域變窄而最好設置於不存在有機EL層的部位。例如圖1或圖2所示般，可於相鄰接之有機EL層83彼此間之間隙部分形成凹部95a。
藉由採用上述般之構成，而如上述般使來自具有有機EL層83之有機EL元件側基板70的電流經由形成於凸狀柱17之輔助電極層18而引導並脫離至彩色濾光片10，則可具有防止電壓下降的作用。
尚且，於基板71，依每個像素配置形成用於控制構成像素之有機電致發光元件80中所流通之電流的TFT(Thin Film Transistor)75，通常，於各TFT之電路上，連接著未圖示之閘極線、信號線、電源線。此種TFT75之形成手法可依照公知方法進行，於TFT75上通常形成絕緣層77。又，作為絕緣層77，可使用與後述絕緣層91相同的材料。
以下，進一步說明有機EL元件側基板70的各構成。
(基板71)
作為本發明所使用之基板71，若為可支撐有機電致發光元件80等者即可，可使用一般作為有機EL顯示裝置的構成構件中所使用者。又，本實施形態係由有機EL顯示裝置用彩色濾光片10側取出光，即所謂的頂發光方式，故作為有機EL元件側基板70的基板71，可為透明或不透明。
(絕緣層91)
本發明之絕緣層91，係如上述般用於防止下面電極層81與上面透明電極層85的直接接觸而形成。
作為此種絕緣層91的形成材料，可使用例如感光性聚醯亞胺樹脂、丙烯酸系樹脂等之光硬化型樹脂、及熱硬化型樹脂，以及無機材料等。絕緣層91之圖案通常可設為線狀，藉由絕緣層91之形成，可形成例如矩陣狀或條紋狀等之具有開口部的圖案。
作為絕緣層91之形成方法，可舉例如塗佈上述材料，藉光刻法進行圖案化的方法。又，亦可使用印刷法等。
(有機EL層83)
本發明所使用之有機EL層83，係構成為具有發光層、較佳白色發光層。亦可取代白色發光層，構成為依序具有紅色發光層、藍色發光層及綠色發光層，於此，以更佳態樣之具有白色發光層的情況為例進行說明。
另外，有機EL層83係除了發光層之外，通常由複數層之有機層所構成，可具有所謂電洞注入層或電子注入層之電荷注入層、或所謂對白色發光層輸送電洞的電洞輸送層、對白色發光層輸送電子的電子輸送層的電荷輸送層。
(白色發光層)
本發明中適合使用作為發光層的白色發光層，若為可發出白色光者即可。此種白色發光層，具體而言，若為在對有機 EL層83施加電壓時，至少具有藍色光(430nm~470nm)、綠色光(470nm~600nm)、及紅色光(600nm~700nm)之波長區域的發光光譜即可。再者，較佳係於發光光譜中，綠色光(470nm~600nm)波峰之最大發光強度與藍色光(430nm~470nm)波峰之最大發光強度的比(綠色光波峰之最大發光強度/藍色光波峰之最大發光強度)為0.3~0.8範圍內，更佳0.3~0.7範圍內，特佳0.3~0.5範圍內。
藉由使綠色光波峰之最大發光強度與藍色光波峰之最大發光強度的比為上述範圍內，則可更有效地發揮因藍色圖案之穿透率較大而造成的消耗電力減低效果。又，關於紅色光(600nm~700nm)，較佳係紅色光波峰之最大發光強度與藍色光波峰之最大發光強度的比(紅色光波峰之最大發光強度/藍色光波峰之最大發光強度)為0.3~1.0範圍內。
作為構成此種白色發光層的材料，若為發出螢光或磷光者即可，並無特別限定。又，發光材料亦可具有電洞輸送性或電子輸送性。作為發光材料，可舉例如色素系材料、金屬錯合物系材料、及高分子系材料。
作為上述色素系材料，可舉例如環五胺衍生物、四苯基丁二烯衍生物、三苯基胺衍生物、二唑衍生物、吡唑并喹啉衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、二苯乙烯基伸芳基衍生物、矽雜環戊二烯(silole)衍生物、噻吩環化合物、吡啶環化合物、芘酮衍生物、苝衍生物、寡聚噻吩衍生物、三反丁烯二 醯基胺衍生物、二唑二元體及吡唑啉二元體等。
另外，作為上述金屬錯合體系材料，可舉例如鋁喹啉酮錯合物、苯并喹啉酮鈹錯合物、苯并唑鋅錯合物、苯并唑鋅錯合物、偶氮甲基鋅錯合物、紫質鋅錯合物、及銪錯合物，或於中心金屬上具有Al、Zn、Be等或Tb、Eu、Dy等之稀土族金屬，並於配位子上具有二唑、噻二唑、苯基吡啶、苯基苯并咪唑、及醌啉構造等的金屬錯合物等。
另外，作為上述高分子系之材料，可舉例如聚對伸苯基伸乙烯基衍生物、聚噻吩衍生物、聚對伸苯基衍生物、聚矽烷衍生物、聚乙炔衍生物等，聚茀衍生物、聚乙烯基咔唑衍生物，及將上述色素系材料及金屬錯合物系材料經高分子化者等。
作為上述白色發光層之形成方法，可舉例如蒸鍍法、印刷法、噴墨法、或旋塗法、流延法、浸塗法、棒塗法、刮塗法、輥塗法、凹版印刷法、可撓印刷法、噴塗法、及自我組織法(交叉吸附法，自我組織化單分子膜法)等。此等之中，較佳係使用蒸鍍法、旋塗法、及噴墨法。
本發明所使用之白色發光層的膜厚，通常設為5nm~5μm左右。
(電洞注入層)
本發明中，亦可於白色發光層與陽極(下面電極層81或上面透明電極層85)之間形成電洞注入層。藉由設置電洞注入 層，則可使電洞對白色發光層的注入穩定，提高發光效率。
作為本發明所使用之電洞注入層的形成材料，可使用一般於有機EL元件之電洞注入層中所使用的材料。又，電洞注入層之形成材料亦可具有電洞之注入性或電子之屏蔽性的任一者。
具體而言，作為電洞注入層之形成材料，可例示三唑衍生物、二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烴衍生物、吡唑啉衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、胺基取代查耳酮衍生物、唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、茀衍生物、腙衍生物、二苯乙烯衍生物、矽氮烷衍生物、聚矽烷系、苯胺系共聚物、及噻吩寡聚物等之導電性高分子寡聚物等。又，作為電洞注入層之形成材料，可例示紫質化合物、芳香族三級胺化合物、及苯乙烯基胺化合物等。
由此種材料所構成之電洞注入層的膜厚，通常設為5nm~1μm左右。
(電子注入層)
本發明中，於白色發光層與陰極(上面透明電極層85與下面電極層81)之間亦可形成電子注入層。藉由設置電子注入層，可使電子對白色發光層的注入穩定，提高發光效率。
作為本發明所使用之電子注入層的形成材料，可舉例如硝基取代茀衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、二苯基醌衍生物、二氧化噻喃衍生物、萘苝等之雜環四羧酸酐、碳二醯胺、亞茀 基甲烷衍生物、蒽醌二甲烷及蒽酮衍生物、二唑衍生物、二唑衍生物之二唑環之氧原子被取代為硫原子的噻唑衍生物、具有已知作為電子吸引基之喹啉環的喹啉衍生物、參(8-喹啉酚)鋁等之8-喹啉酚衍生物的金屬錯合物、酞菁、金屬酞菁、及二苯乙烯基哌啶衍生物等。
由此種材料所構成之電子注入層的膜厚，通常設為5nm~1μm左右。
(上面透明電極層85)
本發明之上面透明電極層85係用於對其與後述之下面電極層81間所挾持的有機EL層83施加電壓，於白色發光層產生發光而設置者。
另外，上面透明電極層85係使白色發光層所產生之光穿透至有機EL顯示裝置用彩色濾光片側者，故如圖1所示般，配置於有機EL層83、與位於有機EL層83上側之有機EL顯示裝置用彩色濾光片10之間。
作為本發明所使用之上面透明電極層85的形成材料，可舉例如具有透明性及導電性的金屬氧化物等。作為此種金屬氧化物，可舉例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦、氧化鋅及氧化錫等。
由此種材料所構成之上面透明電極層85的膜厚，通常設為100nm~300nm左右。
作為上面透明電極層85之形成方法，適合使用例如在藉 蒸鍍法或濺鍍法等形成薄膜後，藉光刻法進行圖案化的方法。
(下面電極層81)
本發明之下面電極層81係如圖1所示，配置在有機EL層83、與位於有機EL層83下側之基板71之間。下面電極層81係形成用於使白色發光層發光之另一方電極，構成為具有與上述上面透明電極層85相反之電荷的電極。
作為所使用之下面電極層81的形成材料，可舉例如功函數小至4eV以下程度的金屬、合金、及其等之混合物等。具體可例示如鈉、鈉-鉀合金、鎂、鋰、鎂/銅混合物、鎂/銀混合物、鎂/鋁混合物、鎂/銦混合物、鋁/氧化鋁(Al2O3)混合物、銦、鋰/鋁混合物、及稀土族金屬等。更佳係鎂/銀混合物、鎂/鋁混合物、鎂/銦混合物、鋁/氧化鋁(Al2O3)混合物、及鋰/鋁混合物。
下面電極層81較佳係其片電阻為數Ω/cm以下。又，下面電極層81之膜厚通常設為10nm~1μm左右。
作為下面電極層81之形成方法，適合使用例如在藉蒸鍍法或濺鍍法等形成薄膜後，藉光刻法進行圖案化的方法。又，於下面電極層81係連接著用於控制於有機EL元件中流通之電流的TFT(Thin Film Transistor)75。
(密封層95)
具有上述凹部95a之密封層95，係形成於上面透明電極 層85上，亦即上面透明電極層85與有機EL顯示裝置用彩色濾光片10之間。密封層95通常設置作為阻斷水蒸氣或氧到達有機EL層83的保護層。
作為密封層95，若為可對水蒸氣或氧表現阻蔽性、且呈透明者，則無特別限定，可使用例如透明無機膜、透明樹脂膜、或有機-無機混合膜等。其中，由阻蔽性較高的觀點而言，較佳為透明無機膜。
作為適合使用為密封層95的透明無機膜的形成材料，可使用例如氧化鋁、氧化矽、及氧化鎂等之氧化物；氮化矽等之氮化矽；氮化氧化矽等之氮化氧化物；等。由不易發生針孔且阻氣性高而言，特佳為氮化氧化矽。
密封層95可為單層，亦可為多層。例如在密封層95為使複數之氮化氧化矽積層的多層時，可進一步提高阻蔽性。又，在密封層95為多層時，各層分別可使用相異的材料。
密封層95之膜厚可配合所使用之密封層95的形成材料種類等而適當決定。通常設為5nm~5μm左右。若此密封層95的厚度過薄，則會發生阻蔽性不充分的傾向，又，當密封層95的厚度過厚，則有容易發生因薄膜膜應力所造成之裂痕等現象的傾向。
在密封層95為透明之無機膜時，作為此透明無機膜之形成方法，若為可依真空狀態形成之膜的形成方法則無特別限定，可舉例如濺鍍法、離子鍍法、電子束(EB)蒸鍍法或電阻 加熱法等之真空蒸鍍法、原子層磊晶(ALE)法、雷射剝蝕法、化學氣相成長(CVD)法等。此等之中，由生產性的觀點而言，較佳係使用濺鍍法、離子鍍法、CVD法。
作為在密封層95之既定處形成上述凹部95a的手法，適合使用例如在形成密封層95之薄膜後，藉光刻法進行圖案化的方法。
藉由將具有此種構成的有機EL元件側基板70、與上述彩色濾光片10一體化‧接合，形成圖2所示之有機電致發光顯示裝置100。亦即，在有機EL元件側基板70與上述彩色濾光片10的一體化‧接合時，係將有機EL元件側基板70之形成於密封層95的凹部95a、與彩色濾光片10之形成於非像素區域的凸狀柱17前端部位置對準後，將凸狀柱17之前端部嵌黏至密封層95之凹部95a，使其一體化為形成於凸狀柱17之頂部17a的上述輔助電極層18的部分與上述上面透明電極層85接觸而達到導通。其後，於密封層95與輔助電極層18的間隙部分，填充如圖2所示般之接黏劑層99，達成彩色濾光片10與有機EL元件側基板70的一體化‧接合，形成圖2所示之有機電致發光顯示裝置100。
作為接黏劑層99，若呈透明並具有接黏力、且具有硬化性者，則無特別限定。作為形成此種接黏劑層99的材料，較佳例可舉例如具有熱硬化性的接黏劑、或具有光硬化性的接黏劑。通常以不需溶劑的形式為佳。又，亦可使用薄膜狀 之接黏片形式。具體可舉例如環氧系、丙烯酸系、聚醯亞胺系、合成橡膠系等之接黏劑或接黏片。
另外，亦可不設置接黏劑層99而先空出密封層95與輔助電極層18之間隙部分，於氮等之惰性氣體環境中藉密封劑密封上述有機EL元件側基板70及有機EL顯示裝置用彩色濾光片10的周緣部，並於中空之內部具備氧化鋇等之捕水劑。
來自電源的佈線形態，係例如圖2所示般，具有自電源P之一極至各TFT75的佈線201、自電源之另一極至上面透明電極層85的佈線202-203、與自電源之另一極至輔助電極層18的佈線202-204而構成。用於使有機EL元件80發光之佈線電路為佈線201與佈線202-203，用於使TFT側之電流逃離至彩色濾光片側之輔助電極層18以防止電壓下降的佈線電路為佈線201與佈線204-202。
藉由採用此種構成，如上述般使來自具有有機EL層83之有機EL元件側基板70的電流經由形成於凸狀柱17之輔助電極層18而引導並逃離至彩色濾光片10側，故可具有防止電壓下降的作用。
尚且，上述實施形態中，作為較佳態樣，係列舉了使由具備白色發光層之有機EL層所發出之白色光，使用具備紅色著色層13R、綠色著色層13G及藍色著色層13B的彩色濾光片，而依RGB三色進行發光的方式進行說明。然而，並 不限定於此方法，亦可將本發明主要部分之構件應用至例如：將藍色發光之有機EL層，使用吸收藍色光並依綠色或紅色進行發光之色轉換層(CCM)，而依RGB三色進行發光的所謂藍色EL色轉換(CCM)全彩方式；或將RGB發光之有機EL元件依各像素分別塗佈之所謂RGB發光層並置全彩方式的任一者。此種可變形例係於後述之第2實施形態~第4實施形態中亦相同。
<第2實施形態>
參照圖4~圖6說明本發明第2實施形態之有機EL顯示裝置用彩色濾光片及有機EL顯示裝置。
圖4為表示本發明之有機EL顯示裝置用彩色濾光片20及有機EL元件側基板70的剖面圖。此等構成構件之剖面圖係觀看圖6所示之有機電致發光顯示裝置用彩色濾光片20之平面圖的A-B-C-D-E-F-G-H-I-J-K-L-M-N線的切剖面及根據其之有機EL元件側基板70切剖面的剖面圖。圖5為藉由將圖4所示之有機EL顯示裝置用彩色濾光片20及有機EL元件側基板70接合而形成之有機EL顯示裝置100的剖面圖。圖6(A)為表示第2實施形態之有機EL顯示裝置用彩色濾光片20之一部分的平面圖，相當於圖4之β-β箭頭平面圖；圖6(B)為表示凸狀柱與輔助電極層之配置關係的模示斜視圖。
尚且，本發明之各圖式中，同一符號表示實質上相同的構 件。
圖4~圖6所示之第2實施形態與上述第1實施形態的相異點在於，第2實施形態係於凸狀柱17下，配置作為輔助電極層18的金屬輔助電極層18”。亦即，輔助電極層18係具有金屬輔助電極層18”及透明電極層18’，金屬輔助電極層18”係如圖6(A)所示般，於非像素區域12配設為線狀，在金屬輔助電極層18”配置為線狀之非像素區域12上形成凸狀柱17(參照圖6(B))，屬於原膜之透明電極層18’係被覆上述凸狀柱17之頂部17a及側部17b及上述非像素區域12，並形成為與金屬輔助電極層18”相接。亦即，由立體性地加以想像，應為在圖6(B)所示之狀態上，使屬於透明原膜之透明電極層18’被覆的狀態。
藉由此種第2實施形態、亦即進一步附加金屬輔助電極層18”，則可使輔助電極層18之電阻進一步降低，或可使透明電極層18’之膜厚減薄而發揮光穿透率提升等的效果。
作為金屬輔助電極層18”所使用的材料，可舉例如Cu、Ag、Au、Pt、Al、Cr、Co等金屬或其等之合金，或以MAM(鉬/鋁‧釹合金/鉬)為代表之複層金屬膜等。
作為此種金屬輔助電極層18”之形成方法，適合使用例如在藉由蒸鍍法或濺鍍法等形成薄膜後，藉光刻法進行圖案化的方法。
<第3實施形態>
參照圖7~圖9說明本發明第3實施形態之有機EL顯示裝置用彩色濾光片及有機EL顯示裝置。
圖7為表示本發明之有機EL顯示裝置用彩色濾光片30及有機EL元件側基板70的剖面圖。此等構成構件之剖面圖係觀看圖9所示之有機電致發光顯示裝置用彩色濾光片30之平面圖的A-B-C-D-E-F-G-H-I-J-K-L-M-N線的切剖面及根據其之有機EL元件側基板70切剖面的剖面圖。圖8為藉由將圖7所示之有機EL顯示裝置用彩色濾光片30及有機EL元件側基板70接合而形成之有機EL顯示裝置100的剖面圖。圖9(A)為表示第3實施形態之有機EL顯示裝置用彩色濾光片30之一部分的平面圖，相當於圖7之γ-γ箭頭平面圖；圖9(B)為表示凸狀柱與輔助電極層之配置關係的模示斜視圖。
尚且，本發明之各圖式中，同一符號表示實質上相同的構件。
圖7~圖9所示之第3實施形態與上述第1實施形態的相異點在於，僅使用金屬輔助電極層18”作為輔助電極層18，而且將此金屬輔助電極層18”於非像素區域12及凸狀柱17上形成為線狀且連續。亦即，輔助電極層18係具有金屬輔助電極層18”而構成，金屬輔助電極層18”係於非像素區域12上配置為線狀(參照圖9(A))，進而在形成於非像素區域12之凸狀柱17的側部17b及頂部17a上亦配設為一連串且 線狀。其立體性之想像圖，可參照圖9(B)所示之立體圖。
作為此種金屬輔助電極層18”之形成方法，例如可在藉濺鍍法等於凸狀柱17形成後之彩色濾光片上形成金屬層後，藉光刻法殘留為既定圖案。
根據此種第3實施形態，由於可僅由低電阻之金屬輔助電極層18”構成輔助電極層18，故可進一步減低輔助電極層18之電阻。
尚且，根據第3實施形態，由於必須於凸狀柱17之側部17b形成金屬輔助電極層18”，故最好考慮此情況而和緩地設定凸狀柱17之錐形狀(例如，錐形角=30~85°左右)。
尚且，金屬輔助電極層18”之材料可使用與上述第2實施形態中說明者相同的材料。
<第4實施形態>
參照圖10~圖11說明本發明第4實施形態之有機EL顯示裝置用彩色濾光片及有機EL顯示裝置。
圖10為表示本發明之有機EL顯示裝置用彩色濾光片40及有機EL元件側基板70的剖面圖。此等構成構件之剖面圖係根據上述第1實施形態~第3實施形態之剖面位置。圖11為藉由將圖10所示之有機EL顯示裝置用彩色濾光片40及有機EL元件側基板70接合而形成之有機EL顯示裝置100的剖面圖。
尚且，本發明之各圖式中，同一符號表示實質上相同的構 件。
圖10~圖11所示之第4實施形態與上述第1實施形態的相異點在於，輔助電極層18兼具構成形成於非像素區域12的導電性遮光部。亦即，由具有導電性且遮光性之材料所構成的輔助電極層18，係形成於非像素區域12的整體，存在於非像素區域12之凸狀柱17的側部17b及頂部17a之整面亦被輔助電極層18之材料所被覆。
作為此種輔助電極層18之形成方法，可例如在藉光刻法對遮罩進行圖案化後，於圖案凹部藉濺鍍法等填充輔助電極層之材料。
作為本實施例所使用之輔助電極層的材料，可舉例如具有導電性及遮光性之材料的Cu、Ag、Au、Pt、Al、Cr、Co等金屬或其等之合金，或以MAM(目/鋁‧釹合金/鉬)為代表之複層金屬膜等。
根據此種第4實施形態，由於可同時形成遮光部12a與輔助電極層18，故產生可達到製程的簡略化，或降低與有機EL元件側基板70間之電極接觸部的電阻等優點。
尚且，本發明中，在具有1個或複數個凸狀柱的情形，比較配設於基板中央部之凸狀柱之配設密度D1、與基板外周部之凸狀柱之配設密度D2時，較佳係構成為D1≧D2、更佳D1>D2。
尚且，在求取D1及D2時，係如圖12所示般將相當於畫 面尺寸之基板的尺寸縱橫3等分而使基板成為3x3之9分割。其中央部之區域Sc即屬於基板中央部，將於此所測定之凸狀柱之配設密度定義為D1。然後，此中央部之區域Sc以外之8個外區域Sp屬於基板外周部，將由此等各區域所測定之凸狀柱之配設密度中的最大值定義為D2。
如以上說明，本發明之彩色濾光片由於構成為具有透明基板、形成於該透明基板上之屬於像素部分的著色層、與形成於著色層周圍的非像素區域，並於上述非像素區域之至少一處以上形成凸狀柱，於上述凸狀柱之頂部及側部以及上述非像素區域具有輔助電極層，故在構成大畫面之有機EL顯示裝置時，可防止畫面中央部與畫面外周部間之輝度不均的發生。再者，由於在彩色濾光片側具備具有輔助電極層的凸狀柱，故可於減低成本風險之下形成該輝度不均之發生防止手段。再者，在藉該彩色濾光片與有機EL元件側基板的一體化而構成有機EL顯示裝置時，可於確保對有機EL元件具有充分保護機能之密封層的存在之下，達到形成於凸狀柱之輔助電極層與有機EL元件之電極間的接合。
<第5實施形態>
參照圖13~圖14說明本發明第5實施形態之有機EL顯示裝置用彩色濾光片及有機EL顯示裝置。
圖13為表示本發明之有機EL顯示裝置用彩色濾光片50及有機EL元件側基板70的剖面圖。此等構成構件之剖面 圖係根據上述第1實施形態~第4實施形態之剖面位置。圖14為藉由將圖13所示之有機EL顯示裝置用彩色濾光片50及有機EL元件側基板70接合而形成之有機EL顯示裝置100的剖面圖。
尚且，本發明之各圖式中，同一符號表示實質上相同的構件。
圖13~圖14所示之第5實施形態與上述第2實施形態的相異點在於，透明電極層18’係形成為被覆輔助電極層18”之整面。
另外，圖13~圖14所示之第5實施形態，係表示於非像素區域12形成遮光部12a，於遮光部12a上形成金屬輔助電極層18”之情況的一例。
尚且，第5實施形態之遮光部12a並非必要構成，但本實施形態中，較佳係形成有遮光部12a。
藉由此種第5實施形態、亦即透明電極層18’形成為被覆金屬輔助電極層18”整面，則可防止因金屬輔助電極層18”之氧化所造成的劣化，防止金屬輔助電極層18”的電阻值上升。
另外，如14所示之有機EL顯示裝置，在於有機EL顯示裝置用彩色濾光片50與有機EL元件側基板70之間填充接黏劑層99予以一體化‧接合時，藉由以透明電極層18’被覆金屬輔助電極層18”整面，則可防止金屬輔助電極層18” 與接黏劑層99間的接觸。因此，可防止因在使接黏劑層99硬化時所產生之接黏劑層99之硬化收縮，而金屬輔助電極層18”被接黏劑層99所拉伸，使輔助電極層18”由遮光部12a等基底層剝離的現象。亦即，可維持金屬輔助電極層18”對基底層的密黏性。
本實施形態中，若使透明電極層18’形成為被覆金屬輔助電極層18”，則無特別限定，通常亦形成為亦被覆著色層13表面。其中，較佳係如圖13~圖14所示般使透明電極層18’形成於整面上。
<第6實施形態>
參照圖15~圖16說明本發明第6實施形態之有機EL顯示裝置用彩色濾光片及有機EL顯示裝置。
圖15為表示本發明之有機EL顯示裝置用彩色濾光片60的剖面圖。此等構成構件之剖面圖係屬於觀看圖16(a)所示之有機EL顯示裝置用彩色濾光片60之平面圖O-P線之切剖面的剖面圖。圖16(a)係表示屬於第6實施形態之有機EL顯示裝置用彩色濾光片60之一部分的平面圖，相當於圖15之δ-δ箭頭平面圖；圖16(b)為說明開口部的概略圖。
尚且，本發明之各圖式中，同一符號表示實質上相同的構件。
圖15~圖16所示之第6實施形態與上述第5實施形態的相異點在於，在形成於顯示區域周圍之顯示區域外遮光區域 19上形成有遮光部12a，且於遮光部12a上形成金屬輔助電極層18”，進而依被覆顯示區域外遮光區域19上所形成之金屬輔助電極層18”的方式形成透明電極層18’，再者，形成於顯示區域外遮光區域19之金屬輔助電極層18”具有複數之開口部15。
藉由此種第6實施形態、亦即於顯示區域外遮光區域19形成有遮光部12a、金屬輔助電極層18”及透明電極層18’，且金屬輔助電極層18”具有複數之開口部15，則可得到以下效果。
首先，習知有金屬輔助電極層18”與樹脂間之密黏性較低的課題。因此，在使金屬輔助電極層18”形成於由樹脂所構成之遮光部12a上時，或如本實施形態般使金屬輔助電極層18”形成於頂塗層14上時，有因金屬輔助電極層18”及遮光部12a、或金屬輔助電極層18”及頂塗層14之密黏性低而產生金屬輔助電極層18”剝離之虞。
另外，在金屬輔助電極層18”與由ITO等所構成之透明電極層18’中，一般有因形成步驟時之硬化處理所造成之收縮程度差距大的情形。因此，存在有藉由進行硬化處理，而金屬輔助電極層18”與透明電極層18’容易剝離的課題。
相對於此，圖15~圖16所示之本實施形態中，由於形成於顯示區域外遮光區域19之金屬輔助電極層18”具有複數之開口部15，進而使透明電極層18’形成為被覆該金屬輔助 電極層18”，故金屬輔助電極層18”與金屬輔助電極層18”相接，可減少密黏性較低之頂塗層14或遮光部12a等之與金屬輔助電極層18”之基底層間的接觸面積。又，可使相當於形成於金屬輔助電極層18”之複數開口部15之面積的區域，成為透明電極層18’、與對透明電極層18’之密黏性較石之頂塗層14或遮光部12a等之金屬輔助電極層18”之基底層間的接觸區域。亦即，藉由經由金屬輔助電極層18”提升透明電極層18’與金屬輔助電極層18”之基底層間的密黏性，則可防止金屬輔助電極層18’由頂塗層14或遮光部12a等之基底層剝離的現象。
另外，藉由使具有複數開口部15之金屬輔助電極層18”形成於顯示區域外之顯示區域外遮光區域19，則可將顯示區域外遮光區域19中之金屬輔助電極層18”使用作為包圍有機EL顯示裝置之顯示區域19的邊框。再者，本實施形態中，藉由在顯示區域外遮光區域19形成遮光部12a及金屬輔助電極層18”，則可使重疊了遮光部12a及金屬輔助電極層18”的顯示區域外遮光區域19的色調更接近黑色。藉此，可使有機EL顯示裝置用彩色濾光片中之顯示區域、與包圍上述顯示區域之邊框間的境界更加鮮明，可提升有機EL顯示裝置的外觀。
另外，作為形成於金屬輔助電極層之複數開口部，較佳係如圖16(a)所示之本實施形態般，均等地形成於金屬輔助電 極層。在複數之開口部並未均等地形成於顯示區域外遮光區域中之輔助電極層時，係於顯示區域外遮光區域中，在金屬輔助電極層之形成較多開口部之區域、及形成較少開口部之區域，金屬輔助電極層、與塗頂層或遮光部等之金屬輔助電極層之基底層間的黏密性產生偏差，而有無法得到高可靠性之虞，並有於顯示區域外遮光區域之遮光機能發生偏差之虞。
於此，所謂均等，係指開口部之數量係於金屬輔助電極層1cm2內，為±100個以外。
本實施形態中，作為顯示區域外遮光區域中之金屬輔助電極層，若為具有複數開口部者，則無特別限定，作為顯示區域外遮光區域中之複數開口部之總面積相對於金屬輔助電極層之面積的比率，較佳為例如1%~40%之範圍內，更佳3%~30%之範圍內，特佳5%~20%之範圍內。
作為形成於金屬輔助電極層之開口部的每單個的面積，係配合開口部之形成方法等而適當調整，較佳為例如25μm2~100mm2之範圍內，更佳100μm2~100mm2之範圍內，特佳500μm2~50mm2之範圍內。
開口部之每單個的面積若小於上述範圍，則有難以在金屬輔助電極層形成開口部的情形。又，開口部之每單個的面積若大於上述範圍，則於顯示區域外遮光區域中，在形成了開口部之區域與未形成開口部之區域，金屬輔助電極層、與塗 頂層或遮光部等之金屬輔助電極層之基底層間的黏密性產生偏差，而有無法得到高可靠性之虞，並有於顯示區域外遮光區域之遮光機能發生偏差之虞。
作為形成於金屬輔助電極層之開口部的形狀，係配合開口部之形成方法而適當選擇，可每個開口部的形狀相同，亦可相異。作為開口部之具體形狀，可舉例如矩形、梯形、圓形等，其中較佳為矩形。
作為開口部為矩形時之開口部之長度L及寬W，較佳係長度L為5μm~250μm之範圍內，更佳8μm~100μm之範圍內，特佳10μm~80μm之範圍內。又，較佳係寬W為5μm~4000μm之範圍內，更佳12.5μm~1000μm之範圍內，特佳50μm~625μm之範圍內。
藉由使開口部之長度及寬為上述範圍內，則可經由開口部使透明電極層與金屬輔助電極層的基底層充分接觸，有效防止金屬輔助電極層由基底層剝離的情形。
尚且，於此所謂開口部之長度及寬，係圖17(b)所示之L及W。
作為此種開口部的形成方法，若為可於金屬輔助電極層形成所需之開口部的方法，則無特別限定，可舉例如光刻法。
另外，圖15~圖16所示之第6實施形態，係依被覆遮光部12a及著色層13之方式形成頂塗層14，並於頂塗層14上形成金屬輔助電極層18”、透明電極層18’及凸狀柱17 之情形的一例。又，第6實施形態中，頂塗層14並非必要構成，本實施形態中係由使著色層13及遮光部12a之表面平坦化的觀點而言，較佳係形成頂塗層14。
作為頂塗層之材料，若為具有既定之光穿透性者則無特別限定，可為光硬化性樹脂，亦可為熱硬化性樹脂。
作為此種塗頂層的材料，可舉例如一般之黏著劑樹脂、單體成分、光聚合起始劑、熱聚合起始劑等。
作為頂塗層之厚度，若為可得到既定之光穿透性的程度，可使著色層及遮光部之表面平坦化的程度，則無特別限定，例如較佳為0.5μm~5.0μm之範圍內，更佳0.7μm~3.0μm之範圍內，特佳0.9μm~2.0μm之範圍內。
作為頂塗層之形成方法，若為可形成為被覆著色層及遮光部之表面的方法則無特別限定，可舉例如旋塗法、流延法、浸塗法、棒塗法、刮塗法、輥塗法、凹版印刷法、可撓印刷法、噴塗法等。
<第7實施形態>
參照圖17說明本發明第8實施形態之有機EL顯示裝置用彩色濾光片及有機EL顯示裝置。
圖17(a)為表示本發明之有機EL顯示裝置用彩色濾光片90之一部分的剖面圖。此等構成構件之剖面圖係屬於觀看圖17(b)所示之有機EL顯示裝置用彩色濾光片90之平面圖Q-P線之切剖面的剖面圖。圖17(b)係表示屬於第7實施形 態之有機EL顯示裝置用彩色濾光片90之一部分的平面圖，相當於圖17(a)之ε-ε箭頭平面圖。
尚且，本發明之各圖式中，同一符號表示實質上相同的構件。
圖17所示之第7實施形態與上述第5實施形態的相異點在於，於非像素區域12形成有遮光部12a，於遮光部及著色層上形成有頂塗層14及金屬輔助電極層18”，在屬於副像素之由各著色層13所構成之像素周圍之遮光部12a上，設有至少1色之著色層13，進而在設有著色層13之遮光部12a上之金屬輔助電極層18”上形成有凸狀柱。又，於圖17所示之本實施形態中，係具有紅色著色層13R、綠色著色層13G、藍色著色層13B偶白色著色層13W作為副像素，並由上述RGBW之4種著色層13構成像素。
於此所謂像素，係指由各著色層所構成的最小單位。亦即，於圖17(a)中，由RGBW之四種著色層成為1個像素。再者，所謂副像素係指各著色層。又，圖17(a)中，各像素係表示由RGBW之4種著色層所構成的情況，但並不限定於構成各像素之著色層為RGBW之4種，亦可為例如RGB之3種。
另外，圖17所示之第7實施形態，係與上述第6實施形態同樣地，依被覆遮光部12a及著色層13之方式形成頂塗層14，並於頂塗層14上形成有金屬輔助電極層18”、透明 電極層18’及凸狀柱17。
再者，本實施形態中，於屬於副像素之各著色層13之間的遮光部12a上，若設有至少1色之著色層13，則無特別限定，其中，較佳係圖17所示，在由副像素所構成之1個像素之周圍的遮光部12a上，設有至少1個著色層13。
再者，本實施形態中，若於屬於副像素之各著色層13之遮光部12a上，設有至少1色之著色層13，則無特別限定，其中，較佳係如圖17所示，使各著色層13中之設於遮光部12a上的著色層13，為由像素部分之著色層13所延長設置者，此係由於可提升平坦性所致。
尚且，圖17中之白色著色層13W，通常使用透明樹脂。
藉由此種第7實施形態、亦即於各著色層13中之遮光部12a上，設有至少1色之著色層13，則設於遮光部12a上之相當於著色層13厚度的份，將有助於凸狀柱17的高度，而使凸狀柱17的形成變得容易。
另外，本實施形態中，若於既定之遮光部12a上設有至少1色之著色層13，並於該遮光部12a上形成有頂塗層及金屬輔助電極層18”，且於設有著色層13之遮光部12a上之金屬輔助電極層18”上形成有凸狀柱17，則無特別限定，如圖17所示，較佳係於既定之遮光部12a上，經由一個著色層13與遮光部12a而設置相鄰之其他著色層13。可使設有著色層之遮光部12a上平坦化，並可防止形成於該遮光部 12a上之金屬輔助電極層18”的斷線。
另外，此係由於可穩定確保經由金屬輔助電極層18”而形成之凸狀柱17的台座部分。再者，在形成頂塗層14時，可防止形成頂塗層14之頂塗層形成用塗佈液，在遮光部12a上由設有著色層13之區域流至未設有著色層13之區域的情形，而可維持頂塗層14的高度。
再者，本實施形態中，亦可如圖17(a)所示，在遮光部12a上不重疊複數之著色層13而設置，亦可於遮光部12a上重疊複數之著色層13而設置。
尚且，本發明並不限定於上述實施形態。上述實施形態為例示，具有記載於本發明之申請專利範圍的技術思想與實質相同的構成，並發揮相同之作用效果者，均涵括於本發明之技術範圍內。
(實施例)
以下表示實施例及比較例，進一步詳細說明本發明。
[實施例1] (透明基板之準備)
作為透明基板，準備尺寸為100mmxmm，厚度0.7mm的玻璃基板。
(遮光部形成用組成物的調製)
首先，於聚合槽中填裝甲基丙烯酸甲酯(MMA)63質量份、丙烯酸(AA)12質量份、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯(HEMA)6 質量份、二乙二醇二甲基醚(DMDG)88質量份，予以攪拌溶解後，添加2,2’-偶氮雙(2-甲基丁腈)7質量份，使其均勻溶解。
其後，於氮氣流下，依85℃攪拌2小時，再依100℃反應1小時。
於所得之溶液中，進一步添加甲基丙烯酸環氧丙酯(GMA)7質量份、三乙基胺0.4質量份、及氫醌0.2質量份，依100℃攪拌5小時，得到共聚合樹脂溶液(固形份50%)。
接著，於室溫下攪拌、混合下述材料，調製成下述組成之硬化性樹脂組成物A。
<硬化性樹脂組成物A>
‧上述共聚合樹脂溶液(固形份50%)...16質量份
‧二季戊四醇五丙烯酸酯(Sartomer公司，SR399)...24質量份
‧鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(油化Shell Epoxy公司，Epicaote180S70)...4質量份
‧2-甲基-1-(4-甲基硫苯基)-2-啉基丙-1-酮...4質量份
‧二乙二醇二甲基醚...52質量份
接著，混合下述分量之成分，以砂磨器予以充分分散，調製成黑色顏料分散液。
<黑色顏料分散液之組成>
‧黑色顏料(三菱化學公司製#2600)...20質量份
‧高分子分散材(BYK Chemi Japan股份有限公司，Disperbyk111)...16質量份
‧溶劑(二乙二醇二甲基醚)...64質量份
其後，充分混合下述分量之成分，得到遮光部形成用組成物。
<遮光部形成用組成物>
‧上述黑色顏料分散液...50質量份
‧上述硬化性樹脂組成組A...20質量份
‧二乙二醇二甲基醚...30質量份
(遮光部之形成)
接著，將所得之遮光部形成用組成物塗佈於透明基板，藉光刻法進行圖案化，其後進行燒成而形成遮光部。
(著色層之形成)
接著，調製下述組成之紅色著色層形成用組成物、綠色著色層形成用組成物、藍色著色層形成用組成物。
<紅色著色層形成用組成物>
‧C.I.色素紅254...10質量份
‧聚磺酸型高分子分散劑...8質量份
‧上述硬化性樹脂組成物A...15質量份
‧醋酸-3-甲氧基丁酯...67質量份
<綠色著色層形成用組成物>
‧C.I.色素綠58...10質量份
‧C.I.色素黃138...3質量份
‧聚磺酸型高分子分散劑...8質量份
‧上述硬化性樹脂組成物A...12質量份
‧醋酸-3-甲氧基丁酯...67質量份
<藍色著色層形成用組成物>
‧C.I.色素藍1...5質量份
‧聚磺酸型高分子分散劑...3質量份
‧上述硬化性樹脂組成物A...25質量份
‧醋酸-3-甲氧基丁酯...67質量份
接著，依被覆玻璃基板上之遮光部的方式，藉旋塗法塗佈紅色著色層形成用組成物，藉光刻法進行圖案化後，進行燒成而形成紅色著色層。
其後，使用綠色著色層形成用組成物及藍色著色層形成用組成物，依相同操作形成綠色著色層及藍色著色層。藉此，形成配列了紅色著色層、綠色著色層及藍色著色層的著色層。
(金屬輔助電極層的形成)
接著，於遮光部及著色層上，使用蒸鍍法形成厚0.5μm的Ag薄膜，其後，藉光刻法進行圖案化而於形成有遮光部之非像素區域上形成金屬輔助電極層。
(凸狀柱之形成)
其後，於形成在非像素區域之金屬輔助電極層的既定處， 使用光刻法並使用NN780(JSR公司製)形成凸狀柱。所得凸狀柱之基部的寬為40μm，頂部之寬為20μm，高為20μm，自基部側起至頂部的錐形角度為70°。
(透明電極層之形成)
接著，依被覆凸狀柱之頂部、側部及非像素區域的方式，藉濺鍍法形成厚100nm之ITO膜而得到透明電極層。
(退火處理)
其後，於150℃之條件下進行40分鐘退火處理
[實施例2]
除了依170℃進行了退火處理以外，其餘與實施例1同樣地製作有機EL顯示裝置用彩色濾光片。
[實施例3]
除了依190℃進行了退火處理以外，其餘與實施例1同樣地製作有機EL顯示裝置用彩色濾光片。
[實施例4]
除了依200℃進行了退火處理以外，其餘與實施例1同樣地製作有機EL顯示裝置用彩色濾光片。
[實施例5]
除了依230℃進行了退火處理以外，其餘與實施例1同樣地製作有機EL顯示裝置用彩色濾光片。
[比較例1]
除了未進行退火處理以外，其餘與實施例1同樣地製作有 機EL顯示裝置用彩色濾光片。
[比較例2]
除了依260℃進行了退火處理以外，其餘與實施例1同樣地製作有機EL顯示裝置用彩色濾光片。
(評價) 1)金屬輔助電極層之密黏性
金屬輔助電極層對下層之密黏性，係根據JIS-K5400進行試驗，試驗後之金屬輔助電極層之面積殘留50%以上的情況設為○，30%以下的情況設為△，10%以下的情況設為×。
2)透明電極層之密黏性
透明電極層對下層之密黏性，係藉由與上述金屬輔助電極層之密黏性相同的方法進行評價。
3)透明電極層之穿透率
透明電極層之穿透率，係藉由島津製作所製紫外線可見光分光光度計UV-3600所測定。又，於此所謂穿透率，係指380nm~780nm下的平均穿透率。
結果示於表1。
如表1所示，透明電極層之退火溫度為150℃~230℃之實施例1~5，係相較於未進行退火處理之比較例1及退火溫度為260℃之比較例2，其金屬輔助電極層之密黏性、透明電極層之密黏性及透明電極層之穿透率均得到良好的結果。又，其中，透明電極層之退火溫度為170℃~200℃的實施例2~4中，則得更良好的結果。
(產業上之可利用性)
可廣泛利用於包括平面顯示器的電子產業中。
10、20、30、40、 50、60、90‧‧‧有機電致發光顯示裝置用彩色濾光片
11‧‧‧透明基板
12‧‧‧非像素區域
12a‧‧‧遮光部
13‧‧‧著色層
13R‧‧‧紅色著色層
13B‧‧‧藍色著色層
13G‧‧‧綠色著色層
14‧‧‧頂塗層
15‧‧‧開口部
17‧‧‧凸狀柱
17a‧‧‧凸狀柱之頂部
17b‧‧‧凸狀柱之側部
18‧‧‧輔助電極層
18’‧‧‧透明電極層
18”‧‧‧金屬輔助電極層
19‧‧‧顯示區域外遮光區域
70‧‧‧有機EL元件側基板
71‧‧‧基板
75‧‧‧TFT
77‧‧‧絕緣層
80‧‧‧有機電致發光元件
81‧‧‧下面電極層
83‧‧‧有機EL層
85‧‧‧上面透明電極層
91‧‧‧絕緣層
95‧‧‧密封層
95a‧‧‧凹部
99‧‧‧接黏劑層
100‧‧‧有機電致發光顯示裝置
201、202、203、204‧‧‧佈線
Sc‧‧‧中央部區域
Sp‧‧‧外區域
圖1為表示本發明之有機EL顯示裝置用彩色濾光片及有機EL元件側基板之第1實施形態的剖面圖，屬於觀看圖3所示之有機電致發光顯示裝置用彩色濾光片之平面圖的A-B-C-D-E-F-G-H-I-J-K-L-M-N線的切剖面及根據其之有機EL元件側基板的切剖面的剖面圖。
圖2為藉由將圖1所示之有機EL顯示裝置用彩色濾光片及有機EL元件側基板接合而形成之有機EL顯示裝置的剖面圖。
圖3為表示第1實施形態之有機EL顯示裝置用彩色濾光片之一部分的平面圖，相當於圖1之α-α箭頭平面圖。
圖4為表示本發明之有機EL顯示裝置用彩色濾光片及有機EL元件側基板之第2實施形態的剖面圖，屬於觀看圖6(A)所示之有機電致發光顯示裝置用彩色濾光片之平面圖的 A-B-C-D-E-F-G-H-I-J-K-L-M-N線的切剖面及根據其之有機EL元件側基板的切剖面的剖面圖。
圖5為藉由將圖4所示之有機EL顯示裝置用彩色濾光片及有機EL元件側基板接合而形成之有機EL顯示裝置的剖面圖。
圖6(A)為表示第2實施形態之有機EL顯示裝置用彩色濾光片之一部分的平面圖，相當於圖4之β-β箭頭平面圖；圖6(B)為表示凸狀柱與輔助電極層之配置關係的模示斜視圖。
圖7為表示本發明之有機EL顯示裝置用彩色濾光片及有機EL元件側基板之第3實施形態的剖面圖，屬於觀看圖9(A)所示之有機電致發光顯示裝置用彩色濾光片之平面圖的A-B-C-D-E-F-G-H-I-J-K-L-M-N線的切剖面及根據其之有機EL元件側基板的切剖面的剖面圖。
圖8為藉由將圖7所示之有機EL顯示裝置用彩色濾光片及有機EL元件側基板接合而形成之有機EL顯示裝置的剖面圖。
圖9(A)為表示第3實施形態之有機EL顯示裝置用彩色濾光片之一部分的平面圖，相當於圖7之γ-γ箭頭平面圖；圖9(B)為表示凸狀柱與輔助電極層之配置關係的模示斜視圖。
圖10為表示本發明之有機EL顯示裝置用彩色濾光片及有機EL元件側基板之第4實施形態的剖面圖。
圖11為藉由將圖10所示之有機EL顯示裝置用彩色濾光 片及有機EL元件側基板接合而形成之有機EL顯示裝置的剖面圖。
圖12為用於說明配設於基板中央部之凸狀柱之配設密度D1、與基板外周部之凸狀柱之配設密度D2之定義的圖式。
圖13為表示本發明之有機EL顯示裝置用彩色濾光片及有機EL元件側基板之第5實施形態的剖面圖。
圖14為藉由將圖13所示之有機EL顯示裝置用彩色濾光片及有機EL元件側基板接合而形成之有機EL顯示裝置的剖面圖。
圖15為表示第6實施形態之有機EL顯示裝置用彩色濾光片之一部分的剖面圖，屬於觀看圖16(a)所示之有機EL顯示裝置用彩色濾光片之平面圖的O-P線的切剖面的剖面圖。
圖16(a)為表示第6實施形態之有機EL顯示裝置用彩色濾光片之一部分的平面圖，相當於圖15之δ-δ箭頭平面圖；圖16(b)為說明開口部的概略圖。
圖17(a)為表示第7實施形態之有機EL顯示裝置用彩色濾光片之一部分的剖面圖，圖17(b)為表示第7實施形態之有機EL顯示裝置用彩色濾光片之一部分的平面圖，相當於圖17(a)之ε-ε箭頭平面圖。
10‧‧‧有機電致發光顯示裝置用彩色濾光片
11‧‧‧透明基板
12‧‧‧非像素區域
12a‧‧‧遮光部
13‧‧‧著色層
13R‧‧‧紅色著色層
13B‧‧‧藍色著色層
13G‧‧‧綠色著色層
17‧‧‧凸狀柱
18‧‧‧輔助電極層
18’‧‧‧透明電極層
70‧‧‧有機EL元件側基板
71‧‧‧基板
75‧‧‧TFT
77‧‧‧絕緣層
80‧‧‧有機電致發光元件
81‧‧‧下面電極層
83‧‧‧有機EL層
85‧‧‧上面透明電極層
91‧‧‧絕緣層
95‧‧‧密封層
99‧‧‧接黏劑層
100‧‧‧有機電致發光顯示裝置
201、202、203、204‧‧‧佈線

Claims (12)

  1. 一種有機電致發光顯示裝置用彩色濾光片，係以來自有機電致發光元件之有機EL層的光為發光光源之有機電致發光顯示裝置中所使用者，其特徵為，該彩色濾光片具有：透明基板；形成於該透明基板上之屬於像素部分的著色層；與形成於著色層周圍之非像素區域；於上述非像素區域之至少一處以上形成有凸狀柱，於上述凸狀柱之頂部、側部、及上述非像素區域，具有輔助電極層，上述輔助電極層係具有金屬輔助電極層及透明電極層而構成，上述金屬輔助電極層係於非像素區域進行圖案配設為線狀，在使金屬輔助電極層配設為線狀之非像素區域上形成凸狀柱，上述透明電極層係形成為被覆上述凸狀柱之頂部及側部及上述非像素區域，並與金屬輔助電極層相接，於上述透明基板上之上述非像素區域形成有遮光部，依被覆上述遮光部及上述著色層之方式形成頂塗層，於上述頂塗層上形成上述金屬輔助電極層，於上述著色層之間的上述非像素區域中之上述遮光部上，設置至少一色的上述著色層，在設有上述著色層之上述遮光部上之上述金屬輔助電極層上，形成上述凸狀柱。
  2. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光顯示裝置用彩色 濾光片，其中，上述透明電極層係形成為被覆上述金屬輔助電極層之整面。
  3. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光顯示裝置用彩色濾光片，其中，於形成於顯示區域周圍之顯示區域外遮光區域形成有遮光部，於上述遮光部上形成有上述金屬輔助電極層，依被覆形成於上述顯示區域外遮光區域之上述金屬輔助電極層的方式形成上述透明電極層，形成於上述顯示區域外遮光區域之上述金屬輔助電極層係具有複數之開口部。
  4. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光顯示裝置用彩色濾光片，其中，上述非像素區域係具有縱橫方向之線相交的交差部位，於上述交差部位具有上述凸狀柱。
  5. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光顯示裝置用彩色濾光片，其中，凸狀柱係構成為由基部側至頂部為止其直徑漸減的錐形狀。
  6. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光顯示裝置用彩色濾光片，其中，具有1個或複數個之凸狀柱，比較配設於基板中央部之凸狀柱之配設密度D1、與基板外周部之凸狀柱之配設密度D2時，D1>D2。
  7. 一種有機電致發光顯示裝置，係具有下述者：申請專利範圍第1至6項中任一項之彩色濾光片；與 有機EL元件側基板，其具有含基板及形成於該基板上之有機EL層之有機電致發光元件；上述彩色濾光片與上述有機EL元件側基板係配置成使上述著色層及上述有機電致發光元件相對向，上述有機電致發光元件係含有上述有機EL層、配置成挾持上述有機EL層的一對之下面電極層與上面透明電極層，且依被覆該元件之方式於上面透明電極層上形成有密封層，於上述密封層係具有凹部，該凹部形成為可使形成於上述彩色濾光片之上述凸狀柱之前端部分插黏，達成使形成於上述凸狀柱頂部之上述輔助電極層之部分與上述上面透明電極層相接觸而導通。
  8. 如申請專利範圍第7項之有機電致發光顯示裝置，其中，上述凹部所形成的部位，係相鄰接之有機EL層彼此間的間隙部分。
  9. 如申請專利範圍第7項之有機電致發光顯示裝置，其中，上述凹部的深度，係到達上述上面透明電極層的深度。
  10. 如申請專利範圍第7項之有機電致發光顯示裝置，其中，在上述凹部之側面形成導電膜。
  11. 如申請專利範圍第7項之有機電致發光顯示裝置，其中，在上述有機EL元件側基板之基板上，依每個元件形成有控制上述有機電致發光元件中流通之電流的TFT。
  12. 如申請專利範圍第7項之有機電致發光顯示裝置，其 中，上述有機EL層所含有之發光層係白色發光層。
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