TWI521039B - Adhesive tape - Google Patents

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Shinsuke Ikishima
Katsutoshi Kamei
Fumiteru Asai
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Description

黏著帶
本發明係關於一種黏著帶。
包含矽、鎵、砷等之半導體晶圓被製成大直徑之狀態，於其表面形成圖案之後，磨削背面，通常將晶圓之厚度縮減至100~600 μm左右，進而切斷分離(切割)為元件小片，進而轉移至安裝步驟。
於磨削半導體晶圓之背面之步驟(背面磨削步驟)中，為了保護半導體晶圓之表面(圖案面)而使用黏著帶。該黏著帶通常於背面磨削步驟後剝離。用於此種目的之黏著帶必須具有於背面磨削步驟中不會剝離程度之黏著力，另一方面，要求具有於背面磨削步驟後可容易地剝離且不使半導體晶圓破損之程度之較小黏著力。先前，作為此種黏著帶，使用於基材上塗佈有黏著劑之黏著帶，例如揭示有於含有聚乙烯系樹脂之基材上設置有塗佈有丙烯酸系黏著劑之黏著劑層的黏著帶(專利文獻1)。
但是，此種先前之黏著帶無法充分填埋半導體晶圓之圖案面之凹凸，或即使剛貼合後填埋了凹凸，黏著帶亦隨著時間經過而隆起，且於供於背面磨削步驟時依然無法充分填埋圖案面之凹凸。如此於無法充分填埋半導體晶圓之圖案面之情形時，磨削時半導體晶圓之壓力變得不均勻，圖案面之凹凸對半導體晶圓之背面產生影響，而產生無法平滑地磨削之問題，或產生半導體晶圓上產生裂紋之問題。 於實際之步驟中，貼合有黏著帶之半導體晶圓較多於貼合後經過特定時間之後供於背面磨削步驟，於如上所述隨著時間經過而黏著帶隆起之情形時，亦產生同樣之問題。
先前技術文獻 專利文獻
[專利文獻1]國際公開WO2007/116856號公報
本發明係為解決上述先前之問題而成者。其目的在於提供一種黏著帶，其具有可充分填埋被黏著體之凹凸之階差追隨性，且可隨時間經過而維持充分填埋凹凸之狀態。
本發明之黏著帶具備黏著劑層與基材層，該黏著劑層於20℃下之儲存彈性模數為0.5×106 Pa~1.0×108 Pa，該黏著劑層於20℃~80℃下之損耗正切tanδ為0.1以上。
於較佳實施形態中，上述黏著劑層包含使用二茂金屬觸媒聚合而獲得之非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物，該丙烯-(1-丁烯)共聚物之重量平均分子量(Mw)為200,000以上，該丙烯-(1-丁烯)共聚物之分子量分佈(Mw/Mn)為2以下。
於較佳實施形態中，針對矽製半導體鏡面晶圓之鏡面的JIS-Z-0237所規定之180°剝離黏著力為0.2 N/20 mm~3.0 N/20 mm。
於較佳實施形態中，本發明之黏著帶係將黏著劑層形成材料與基材層形成材料共擠壓成形而獲得。
根據本發明，可提供一種黏著帶，其藉由具備具有特定之儲存彈性模數及損耗正切tanδ之黏著劑層，而具有可充分填埋被黏著體之凹凸之階差追隨性，且可隨時間經過而維持充分填埋凹凸之狀態。
A.黏著帶之全體構成
圖1係本發明之較佳實施形態之黏著帶之概略剖面圖。黏著帶100具備黏著劑層10與基材層20。
黏著帶100之厚度較佳為25 μm~500 μm，進而較佳為60 μm~300 μm，尤佳為130 μm~265 μm。
黏著劑層10之厚度較佳為20 μm~100 μm，進而較佳為30 μm~65 μm。
基材層20之厚度較佳為5 μm~400 μm，進而較佳為10 μm~300 μm，尤佳為30 μm~200 μm。
本發明之黏著帶可進而具備任意之適當之其他層。作為其他層，例如可列舉基材層之與黏著劑相反側所具備之可對黏著帶賦予耐熱性的表面層。
本發明之黏著帶可以利用間隔層進行保護之形式提供。本發明之黏著帶於利用間隔層進行保護之狀態下，可捲取為輥狀。間隔層具有作為保護黏著帶直至供於實用的保護材料之功能。作為間隔層，例如可列舉：利用矽系剝離劑、氟系剝離劑、藉由長鏈丙烯酸烷基酯系剝離劑等剝離劑進行表面塗佈之塑料膜(例如聚對苯二甲酸乙二酯 (PET)、聚乙烯、聚丙烯)、由非極性材料(例如聚乙烯、聚丙烯)所形成之膜、不織布或紙等。
本發明之黏著帶例如於未利用間隔層進行保護之情形時，亦可於與黏著劑層相反側之最外層進行背面處理。背面處理例如可使用矽系剝離劑或丙烯酸長鏈烷基酯系剝離劑等剝離劑而進行。本發明之黏著帶藉由進行背面處理，可捲取為輥狀。
本發明之黏著帶對矽製半導體鏡面晶圓之鏡面的JIS-Z-0237所規定之180°剝離黏著力較佳為0.2 N/20 mm~3.0 N/20 mm，進而較佳為0.4 N/20 mm~2.5 N/20 mm，尤佳為0.4 N/20 mm~2.0 N/20 mm。只要為此種範圍，則可同時具備黏著性與剝離性，例如可獲得於半導體晶圓之背面磨削步驟之磨削加工中不剝離，且於磨削加工後可容易地剝離之黏著帶。再者，於本說明書中，上述黏著力係指製造黏著帶之後，於以50℃熟化2天之後，藉由依據JIS-Z-0237之方法(貼合條件：2 kg輥往返1次、剝離速度：300 mm/min、剝離角度180°)所測得之黏著力。
於本說明書中，黏著帶之階差追隨性之指標係使用「隆起寬度」。所謂「隆起寬度」，如圖2所示，係指將黏著帶100貼合於具有階差x之被黏著體200上時，該黏著帶隆起而未與被黏著體200相接之部分之寬度a。所謂該隆起寬度較小，係指黏著帶階差追隨性優異，可良好地填埋被黏著體之凹凸。
將本發明之黏著帶貼合於矽製半導體鏡面晶圓上時，剛 貼合後之本發明之黏著帶對階差30 μm之被黏著體的隆起寬度較佳為420 μm以下，進而較佳為5 μm~300 μm，尤佳為10 μm~220 μm。本發明之黏著帶之隆起寬度較小，即對被黏著體之凹凸(例如半導體晶圓之圖案)追隨性良好，可良好地填埋該凹凸。於將此種黏著帶用於半導體晶圓加工時之圖案面保護之情形時，於背面磨削步驟時，對半導體晶圓均勻地施加壓力，圖案面之凹凸不會對半導體晶圓之背面產生影響，可平滑地磨削。又，可防止半導體晶圓之裂紋。進而，可防止磨削水浸入至半導體晶圓與黏著帶之間。
將本發明之黏著帶貼合於矽製半導體鏡面晶圓上時，貼合後1小時之對階差30 μm之隆起寬度的增加量較佳為10%以內，進而較佳為5%以內。只要為此種範圍，則將黏著帶貼合於半導體晶圓上之後，經過特定時間之後，即便將半導體晶圓供於背面磨削步驟之情形時，亦可維持良好地填埋半導體晶圓之圖案面之凹凸的狀態，如上所述可平滑地磨削背面，又，可防止半導體晶圓之裂紋。上述黏著帶尤佳為於貼合後經過1小時後，隆起寬度不增加。
將本發明之黏著帶貼合於矽製半導體鏡面晶圓上時，貼合並經過1小時後本發明之黏著帶對階差30 μm之被黏著體的隆起寬度較佳為470 μm以下，進而較佳為10 μm~350 μm，尤佳為20 μm~300 μm，最佳為30 μm~250 μm。
B.黏著劑層
上述黏著劑層於20℃下之儲存彈性模數(G')為0.5×106 Pa~1.0×108 Pa，較佳為0.8×106 Pa~3.0×107 Pa。只要上述黏著劑層之儲存彈性模數(G')為此種範圍，則可獲得階差追隨性優異之黏著帶。更具體而言，如上所述可獲得隆起寬度較小之黏著帶。若將此種黏著帶用於半導體晶圓之加工之背面磨削步驟，則如上所述可平滑地磨削背面，又，可防止半導體晶圓之裂紋。又，只要上述黏著劑層之儲存彈性模數(G')為上述範圍，則可獲得可同時具備對表面具有凹凸之被黏著體之充分之黏著力與適度之剝離性的黏著帶。再者，本發明之儲存彈性模數(G')可藉由動態黏彈性譜測定測定。
上述黏著劑層於20℃~80℃下之損耗正切tanδ為0.1以上，較佳為0.2以上，進而較佳為0.2~1。黏著劑層於20℃下之損耗正切tanδ較佳為0.1~0.5，進而較佳為0.1~0.25。黏著劑層於80℃下之損耗正切tanδ較佳為0.2~1.0，進而較佳為0.45~1，尤佳為0.5~1。
如此，於高溫區域具有較高之損耗正切tanδ之黏著劑層，於高溫區域黏著力較高，且難以變形。此處，於高溫區域之黏著劑層之難變形性可基於時間-溫度換算法則之理論，轉換為於室溫下隨著時間經過而產生之黏著劑層之緩慢變形而進行研究。即，認為如上所述於高溫區域具有較高之損耗正切tanδ的黏著劑層，於室溫下之緩慢變形(具體而言，隆起寬度隨著時間經過而增加之現象)獲得抑制。因此，只要上述黏著劑層之損耗正切tanδ為如上所述之範圍，則可獲得於貼合後經過特定時間後，亦可維持隆 起寬度較小、即良好地填埋被黏著體之凹凸之狀態的黏著帶。
作為構成上述黏著劑層之材料，只要獲得上述所需之特性則可採用任意之適當之材料。具代表性的是黏著劑層包含聚烯烴系樹脂。
上述黏著劑層較佳為包含非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物。只要為此種黏著劑層，則藉由與基材層之共擠壓成形可製造黏著帶，以較少之步驟數且不使用有機溶劑便可獲得黏著帶。再者，於本說明書中，所謂「非晶質」係指不像結晶質般具有明確之熔點的性質。
上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物可藉由使用二茂金屬觸媒將聚合丙烯與1-丁烯聚合而獲得。更詳細而言，非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物例如可藉由如下方式獲得：使用二茂金屬觸媒進行使丙烯與1-丁烯聚合之聚合步驟，於該聚合步驟後，進行觸媒殘餘除去步驟、異物除去步驟等後處理步驟。非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物經由此種步驟，例如以粉狀、顆粒狀等形狀獲得。作為二茂金屬觸媒，例如可列舉：含有二茂金屬化合物與鋁氧烷之二茂金屬均勻混合觸媒、於微粒子狀之載體上承載有二茂金屬化合物之二茂金屬承載型觸媒等。
如上所述使用二茂金屬觸媒聚合而獲得之非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物顯示出狹窄之分子量分佈。上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物之分子量分佈(Mw/Mn)較佳為2以下，進而較佳為1.1~2，尤佳為1.2~1.9。由於分子量分佈狹窄 之非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物之低分子量成分較少，因此只要使用此種非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物，則可獲得可防止由低分子量成分之溢出引起之對被黏著體之污染的黏著帶。此種黏著帶例如可適宜地用於半導體晶圓加工用途。
於上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物中，源自丙烯之構成單元之含有比率較佳為80莫耳%~99莫耳%，進而較佳為85莫耳%~99莫耳%，尤佳為90莫耳%~99莫耳%。
於上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物中，源自1-丁烯之構成單元之含有比率較佳為1莫耳%~15莫耳%，進而較佳為1莫耳%~10莫耳%。只要為此種範圍，則可獲得韌性與柔軟性之平衡性優異，且上述隆起寬度較小之黏著帶。
上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物可為嵌段共聚物，亦可為無規共聚物。
上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物之重量平均分子量(Mw)較佳為200,000以上，進而較佳為200,000~500,000，尤佳為200,000~300,000。只要非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物之重量平均分子量(Mw)為此種範圍，則可獲得與普通之苯乙烯系熱塑性樹脂、丙烯酸系熱塑性樹脂(Mw為100,000以下)相比低分子量成分較少且可防止被黏著體之污染之黏著帶。又，共擠壓成形時，可於無加工不良之情況下形成黏著劑層，且可獲得適當之黏著力。
非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物於230℃、2.16 kfgf下之熔融流動速率較佳為1 g/10 min~50 g/10 min，進而較佳為5 g/10 min~30 g/10 min，尤佳為5 g/10 min~20 g/10 min。只 要非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物之熔融流動速率為此種範圍，則藉由共擠壓成形可於無加工不良之情況下形成厚度均勻之黏著劑層。熔融流動速率可藉由依據JISK7210之方法而測定。
上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物於不損害本發明之效果之範圍內，亦可進而包含源自其他單體之構成單元。作為其他單體，例如可列舉：乙烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、4-甲基-1-戊烯、3-甲基-1-戊烯等α-烯烴。
較佳為上述黏著劑層實質上不包含F-、Cl-、Br-、NO2 -、NO3 -、SO4 2-、Li+、Na+、K+、Mg2+、Ca2+、NH4 +。其原因在於：可防止該離子污染被黏著體。具備此種黏著劑層之黏著帶例如在用於半導體晶圓加工用途之情形時，不會使電路發生斷線或短路。不包含上述離子之黏著劑層例如可如上所述使用二茂金屬觸媒，將該黏著劑層所包含之非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物溶液聚合而獲得。於使用該二茂金屬觸媒之溶液聚合中，非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物可使用與聚合溶劑不同之不良溶劑反覆進行析出單離(再沈澱法)，而進行純化，因此可獲得不包含上述離子之黏著劑層。再者，於本說明書中，所謂「實質上不包含F-、Cl-、Br-、NO2 -、NO3 -、SO4 2-、Li+、Na+、K+、Mg2+、Ca2+、NH4 +」，係指標準之離子層析分析(例如使用Dionex公司製造、商品名「DX-320」、「DX-500」之離子層析分析)中未達檢測極限。具體而言，係指相對於黏著劑層1 g，F-、Cl-、Br-、NO2 -、NO3 -、SO4 2-及K+分別為0.49 μg以下，Li+及 Na+分別為0.20 μg以下，Mg2+及Ca2+分別為0.97 μg以下，NH4 +為0.5 μg以下之情形。
為了調整黏著劑層之黏著力(結果為上述黏著帶之黏著力)及上述儲存彈性模數，上述黏著劑層亦可包含結晶性聚丙烯系樹脂。藉由含有結晶性聚丙烯系樹脂，可降低上述黏著力，增加上述儲存彈性模數。結晶性聚丙烯系樹脂之含有比率可根據所需之黏著力及儲存彈性模數而設定任意之適當之比率。相對於上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物與該結晶性聚丙烯系樹脂之合計重量，結晶性聚丙烯系樹脂之含有比率較佳為0重量%~45重量%，進而較佳為0重量%~40重量%，尤佳為0重量%~20重量%。
上述結晶性聚丙烯系樹脂可為均聚丙烯，亦可為由丙烯與可與丙烯共聚合之單體而獲得之共聚物。作為可與丙烯共聚合之單體，例如可列舉：乙烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、4-甲基-1-戊烯、3-甲基-1-戊烯等α-烯烴等。
上述結晶性聚丙烯系樹脂較佳為與上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物同樣地藉由使用二茂金屬觸媒聚合而獲得。若使用如此而獲得之結晶性聚丙烯系樹脂，則可防止由低分子量成分溢出引起之對被黏著體之污染。
上述結晶性聚丙烯系樹脂之結晶度較佳為10%以上，進而較佳為20%以上。具代表性的是藉由示差掃描熱量分析(DSC，differential scanning calorimeter)或X射線繞射而求得結晶度。
上述黏著劑層於不損害本發明之效果之範圍內，亦可進而包含其他成分。作為該其他成分，例如可列舉：抗氧化劑、紫外線吸收劑、光穩定劑、耐熱穩定劑、抗靜電劑等。其他成分之種類及使用量可根據目的而適當選擇。
C.基材層
作為構成上述基材層之材料，可採用任意之適當之材料。作為構成上述基材層之材料，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等聚酯系樹脂；聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)等聚烯烴系樹脂；聚醯亞胺(PI)；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)；聚醚醚酮(PEEK)；聚氯乙烯(PVC)等聚氯乙烯系樹脂；聚苯乙烯系樹脂；丙烯酸系樹脂；氟系樹脂；纖維素系樹脂；聚碳酸酯系樹脂；金屬；紙等。基材層亦可為包含同種或不同種之材料之多層構造。
上述黏著劑層於不損害本發明之效果之範圍內，亦可進而包含其他成分。作為該其他成分，例如可使用與上述B項中所說明之可包含於黏著劑層中之其他成分相同之成分。
D.黏著帶之製造方法
本發明之黏著帶較佳為將上述黏著劑層及上述基材層之形成材料共擠壓成形而製造。藉由共擠壓成形，可以較少之步驟數且不使用有機溶劑而製造層間之接著性良好之黏著帶。
於上述共擠壓成形中，上述黏著劑層及上述基材層之形成材料可使用藉由任意之適當之方法將上述各層之成分混 合而成之材料。
作為上述共擠壓成形之具體方法，例如可列舉如下方法：於與模具連結之至少2台擠壓機中，向其中一台供給黏著劑層形成材料，向另一台供給基材層形成材料，於熔融後進行擠壓，藉由接觸輥成形法進行拉取，而成形積層體。擠壓時，各形成材料合流之部分越靠近模具出口(模唇)越好。其原因在於：於模具內難以產生各形成材料之合流不良。因此，作為上述模具，適宜使用多歧管形式之模具。再者，於發生合流不良之情形時，會發生合流不均等外觀不良，具體而言會於經擠壓之黏著劑層與基材層之間發生波狀之外觀不均，故而欠佳。又，合流不良例如係由如下原因引起：不同種形成材料於模具內之流動性(熔融黏度)之差異較大，及各層之形成材料之剪切速率之差異較大，因此若使用多歧管形式之模具，則對於存在流動性差之不同種形成材料，與其他形式(例如進料模組形式)相比，材料選擇之範圍更廣。用於各形成材料之熔融之擠壓機之螺桿類型可為單軸，亦可為雙軸。擠壓機亦可為3台以上。於擠壓機為3台以上之情形時，可進而供給其他層之形成材料。又，使用3台以上之擠壓機而製造2層構造(基材層+黏著劑層)之黏著帶之情形時，將同一形成材料供於鄰接之2台以上之擠壓機即可，例如使用3台擠壓機之情形時，可將同一形成材料供於鄰接之2台擠壓機。
上述共擠壓成形之成形溫度較佳為160℃~220℃，進而較佳為170℃~200℃。只要為此種範圍，則成形穩定性優 異。
上述黏著劑層形成材料與上述基材層形成材料於溫度180℃、剪切速率100 sec-1之條件下之剪切黏度之差(黏著劑形成材料-基材層形成材料)較佳為-150 Pa．s~600 Pa．s，進而較佳為-100 Pa．s~550 Pa．s，尤佳為-50 Pa．s~500 Pa．s。只要為此種範圍，則上述黏著劑形成材料及基材層形成材料於模具內之流動性接近，可防止合流不良之發生。再者，剪切黏度可利用雙毛細管型之伸長黏度計而測定。
實施例
以下，藉由實施例具體說明本發明，但本發明不受該等實施例之任何限定。又，於實施例中，只要無特別明記，則「份」及「%」為重量基準。
[實施例1]
黏著劑層形成材料係使用利用二茂金屬觸媒聚合而獲得之非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物(住友化學公司製造、商品名「Tafthren H5002」：源自丙烯之構成單元90莫耳%/源自1-丁烯之構成單元10莫耳%、Mw=230,000、Mw/Mn=1.8)。
基材層形成材料係使用乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)(三井杜邦公司製造、商品名「Evaflex P-1007」)。
分別將上述黏著劑形成材料與基材層形成材料投入至擠壓機中，進行T型模熔融共擠壓(擠壓機：GM ENGINEERING公司製造、商品名「GM30-28」/T型模： 進料模組方式；擠壓溫度180℃)，並將熔融狀態之樹脂與向接觸輥成形部通紙之Si塗佈PET間隔層(三菱化學公司製造、商品名「Diafoil MRF」：38 μm)積層之後，進行冷卻，而獲得黏著劑層之厚度為45 μm且基材層之厚度為160 μm之黏著帶。再者，各層之厚度係藉由T型模出口之形狀而控制。
[實施例2]
黏著劑層形成材料係使用利用二茂金屬觸媒聚合而獲得之非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物(住友化學公司製造、商品名「Tafthren H5002」：源自丙烯之構成單元90莫耳%/源自1-丁烯之構成單元10莫耳%、Mw=230,000、Mw/Mn=1.8)80份、及利用二茂金屬觸媒聚合而獲得之結晶性聚丙烯系樹脂(日本聚丙烯公司製造、商品名「WINTEC WFX4」、Mw=363,000、Mw/Mn=2.87)20份之混合物。
基材層形成材料係使用有乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(三井杜邦公司製造、商品名「Evaflex P-1007」)。
分別將上述黏著劑形成材料與基材層形成材料投入至擠壓機中，進行T型模熔融共擠壓(擠壓機：GM ENGINEERING公司製造、商品名「GM30-28」/T型模：進料模組方式；擠壓溫度180℃)，並將熔融狀態之樹脂與向接觸輥成形部通紙之Si塗佈PET間隔層(三菱化學公司製造、商品名「Diafoil MRF」：38 μm)積層之後，進行冷卻，而獲得黏著劑層之厚度為45 μm且基材層之厚度為160 μm之黏著帶。
[實施例3]
除了將非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物之混合量自80份換為60份，將結晶性聚丙烯系樹脂之混合量自20份換為40份以外，與實施例2同樣地獲得黏著帶。
[比較例1]
除了將非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物之混合量自80份換為50份，將結晶性聚丙烯系樹脂之混合量自20份換為50份之外，與實施例2同樣地獲得黏著帶。
[比較例2]
調配將丙烯酸丁酯100份與丙烯酸5份共聚合而獲得之共聚物(重量平均分子量：900,000、固形物成分：20%)100份、作為交聯劑之異氰酸酯系交聯劑(日本聚氨酯公司製造、商品名「Coronate L」)2份、及環氧系交聯劑(三菱瓦斯公司製造、商品名「Tetrad C」)1份而調製成黏著劑層形成材料。
將該黏著劑層形成材料以乾燥後之厚度成為45 μm之方式塗佈於經矽剝離處理之聚酯膜(厚度：38 μm)上，以120℃乾燥2分鐘，而獲得丙烯酸系黏著劑。
其後，將上述丙烯酸系黏著劑轉印於以乙烯-乙酸乙烯酯共聚物作為形成材料之基材層(厚度：160 μm)上，而獲得黏著帶。
[評價]
將實施例及比較例中所獲得之黏著帶供於以下之評價。將結果示於表1。
(1)黏著力(剝離速度300 mm/min)
將獲得之黏著帶以50℃熟化2天後，藉由4英吋半導體晶圓之鏡面(矽製)、及依據JIS Z 0237(2000)之方法(貼合條件：2 kg輥往返1次、剝離速度：300 mm/min、剝離角度180°)進行測定。
(2)隆起寬度
於半導體晶圓(矽製)上放置厚度30 μm、寬度2 cm之鋁板。以橫跨該鋁板之方式貼附切為長度10 cm寬度2 cm之黏著帶(2 kg輥往返1次)，並於顯微鏡下觀察針對階差30 μm之隆起寬度而測定。隆起寬度係於剛貼附黏著帶後、及貼附經過1小時後測定。
(3)儲存彈性模數(G')
黏著劑層之儲存彈性模數係使用動態黏彈性譜測定器(Rheometric Scientific公司製造、商品名「ARES」)，以頻率10 Hz、升溫速度5℃/分、-50℃~100℃之範圍進行測定。
(4)損耗正切tanδ
以與上述儲存彈性模數(G')相同之條件下，測定儲存彈性模數(G')及損失彈性模數(G")，藉由下述式算出黏著劑層於20℃及80℃下之損耗正切tanδ。
損耗正切tanδ=損失彈性模數(G")/儲存彈性模數(G')
(5)分子量測定
實施例及比較例1中所使用之利用二茂金屬觸媒聚合而獲得之非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物(住友化學公司製造、 商品名「Tafthren H5002」)、及比較例3中所使用之共聚物之分子量係藉由以下方式測定。即，將試樣製備為1.0 g/l之THF溶液並靜置一晚後，以孔徑0.45 μm之薄膜過濾器進行過濾，將所獲得之濾液投入至TOSOH公司製造之HLC-8120GPC中，於以下之條件下進行測定，藉由聚苯乙烯換算而算出分子量。
管柱：TSKgel Super HZM-H/HZ4000/HZ3000/HZ2000
管柱尺寸：6.0 mm I.D.×150 mm
管柱溫度：40℃
溶離液：THF
流量：0.6 ml/min
注入量：20 μl
檢測器：RI(示差折射率檢測器)
又，實施例2~3及比較例1中所使用之利用二茂金屬觸媒聚合而獲得之結晶性聚丙烯系樹脂(日本聚丙烯公司製造、商品名「WINTEC WFX4」)之分子量係藉由以下方式測定。即，將試樣製備為0.10%(w/w)之鄰二氯苯溶液，於140℃下進行溶解後，將該溶液以孔徑為1.0 μm之燒結過濾器進行過濾，將所獲得之濾液投入至Waters公司製造凝膠滲透層析儀Alliance GPC 2000型中，於以下之條件下進行測定，藉由聚苯乙烯換算而算出分子量。
管柱：TSKgel GMH6-HT，TSKgel GMH6-HTL
管柱尺寸：7.5 mm I.D.×300 mm各2根
管柱溫度：140℃
溶離液：鄰二氯苯
流量：1.0 ml/min
注入量：0.4 ml
檢測器：RI(示差折射率檢測器)
由表1得知，本發明之黏著帶藉由黏著劑層具有特定之儲存彈性模數而隆起寬度較小，又，藉由具有特定之損耗正切tanδ而隆起寬度之增加率較小。此種黏著帶對被黏著體之凹凸(例如半導體晶圓之圖案)之追隨性良好，可良好地填埋該凹凸。
產業上之可利用性
本發明之黏著帶例如可適宜地用於半導體裝置製造時之工件(半導體晶圓等)之保護。
10‧‧‧黏著劑層
20‧‧‧基材層
100‧‧‧黏著帶
圖1係本發明之較佳實施形態之黏著帶之概略剖面圖。
圖2係說明成為本發明之黏著帶之階差追隨性之指標的「隆起寬度」之圖。
10‧‧‧黏著劑層
20‧‧‧基材層
100‧‧‧黏著帶

Claims (5)

  1. 一種黏著帶，其具備黏著劑層與基材層，該黏著劑層於20℃下之儲存彈性模數為0.5×106Pa~1.0×108Pa，該黏著劑層於20℃~80℃下之損耗正切tanδ為0.1以上，該黏著劑層包含使用二茂金屬觸媒聚合而獲得之非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物及結晶性聚丙烯系樹脂，相對非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物與結晶性聚丙烯系樹脂之合計重量，結晶性聚丙烯系樹脂之含有比率為20重量%~45重量%。
  2. 如請求項1之黏著帶，其中上述黏著劑層包含使用二茂金屬觸媒聚合而獲得之非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物，該丙烯-(1-丁烯)共聚物之重量平均分子量(Mw)為200,000以上，該丙烯-(1-丁烯)共聚物之分子量分佈(Mw/Mn)為2以下。
  3. 如請求項1或2之黏著帶，其中針對矽製半導體鏡面晶圓之鏡面的JIS-Z-0237所規定之180°剝離黏著力為0.2N/20mm~3.0N/20mm。
  4. 如請求項1或2之黏著帶，其係將黏著劑層形成材料與基材層形成材料共擠壓成形而獲得。
  5. 如請求項3之黏著帶，其係將黏著劑層形成材料與基材層形成材料共擠壓成形而獲得。
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