TWI520848B - 層壓裝置 - Google Patents

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TWI520848B
TWI520848B TW101108355A TW101108355A TWI520848B TW I520848 B TWI520848 B TW I520848B TW 101108355 A TW101108355 A TW 101108355A TW 101108355 A TW101108355 A TW 101108355A TW I520848 B TWI520848 B TW I520848B
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Description

層壓裝置
本發明係關於一種通過黏著劑而將一撓性基板層壓至一剛性基板之層壓裝置。
近年來,已開發以顯示裝置為代表之各種電子裝置。此等電子裝置包含一電路板,用於驅動之薄膜電晶體(TFT)及類似電路器件係安裝在該電路板上以實施各種功能,諸如一顯示功能。
一剛性基板(諸如一玻璃板)係廣泛用作為一電路板之一支撐基板。然而,為實施一撓性電子裝置,可考慮使用一撓性基板,諸如一塑膠膜。在此情況下,由於需要在該撓性基板之表面上形成電路器件(諸如TFT),所以需要確保該撓性基板免於變形(諸如偏斜或應變)。
為使用一剛性基板來支撐一撓性基板,已提出通過黏著劑而將該撓性基板層壓至該剛性基板,如(例如)日本專利特許公開案第2006-237542號、第2007-251080號或第2009-246090號中所揭示。亦已提出一種用於此層壓之裝置且在(例如)www.mck-web.co.jp/company_profile/history/index.html中揭示該裝置。
在過去,由於黏著劑係用以將一撓性基板層壓至一剛性基板,所以需要較長時間且工作效率不夠高。除此之外,若層壓花費過多時間,則黏著劑之性能會因吸水性等等而 劣化且層壓後之該撓性基板會因此變得易於自該剛性基板脫落。
因此,可期望提供一種可通過黏著劑而在短時間內將一撓性基板有效率地層壓至一剛性基板之層壓裝置。
根據本發明之一實施例,提供一種層壓裝置,其包含:一機構,其經組態以傳送包含彼此層疊之一轉移層及一支撐層之一帶狀撓性基板;一機構,其經組態以傳送一片狀剛性基板;一機構,其經組態以在傳送該帶狀撓性基板時將黏著劑塗覆至該轉移層;一機構,其經組態以在傳送該帶狀撓性基板時將其上已塗覆該黏著劑之該轉移層切割成一片材;及一機構,其經組態以在傳送該帶狀撓性基板及該片狀剛性基板時通過該黏著劑而將已裁剪成該片材之該轉移層層壓至該剛性基板。
就根據本發明之一實施例之層壓裝置而言,在傳送包含一支撐層及一轉移層之一帶狀撓性基板及一片狀剛性基板時,將黏著劑塗覆在該轉移層上且接著將該轉移層裁剪成一片材。接著,將經裁剪之轉移層層壓至該剛性基板。因此,可通過該黏著劑而在短時間內將該撓性基板有效率地層壓至該剛性基板。
結合附圖(其中相同部件或元件由相同元件符號標示),將自以下描述及隨附技術方案而明白本發明之以上及其他特徵及優點。
下文中,參考附圖而詳細描述本發明之一實施例。應注 意描述係依以下順序給出:
1.層壓裝置之組態
2.層壓裝置之操作
<1.層壓裝置之組態>
首先,描述根據本發明之一實施例之一層壓裝置之一組態。圖1及圖2示意性顯示該層壓裝置之一組態,且圖3顯示被引入至該層壓裝置中之一撓性基板1之一橫截面組態。應注意,圖1及圖2中顯示處於一狀態之撓性基板1,其中撓性基板1係經傳送以利於識別撓性基板1之一傳送路徑。
本發明之層壓裝置係用以通過黏著劑而將撓性基板1層壓至一剛性基板2。雖然層壓至剛性基板2之撓性基板1之施加不受特別限制,但(例如)撓性基板1係施加至一電路板(其施加至用於各種應用之電子裝置)之一支撐基板。此電子裝置可為顯示裝置(諸如液晶顯示裝置、有機電致發光(EL)顯示裝置及電子紙顯示裝置)或可為用於除顯示應用以外之任何其他應用之裝置。
參考圖1及圖2,層壓裝置包含傳送機構10及20、一塗覆機構30、一切割機構40及一層壓機構50。塗覆機構30、切割機構40及層壓機構50係沿撓性基板1之一傳送路徑佈置。此外,層壓裝置可額外包含(例如)一乾燥機構60、一緩衝機構70、一加熱機構80及清洗機構90與91。
參考圖3,撓性基板1包含彼此層疊之一支撐層或保護層1A及一轉移層1B且具有一帶狀形式。「帶狀」表示一狀 態:由於撓性基板1具有遠大於一寬度之一長度,所以其沿縱向方向延伸且可被卷成一輥。支撐層1A可剝落地支撐轉移層1B,且轉移層1B係經調適以自支撐層1A剝落並層壓至剛性基板2。然而,撓性基板1可視情況包含與支撐層1A及轉移層1B在一起之某一其他層。
雖然支撐層1A及轉移層1B不受特別限制(只要其等具有撓性),但其等可由(例如)一塑膠膜形成。該塑膠膜之材料可為(例如)聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚醚碸、聚醚醯亞胺、聚醚醚酮、聚苯硫醚、聚芳酯、聚醯亞胺、聚醯胺、聚碳酸酯、三乙酸纖維素、聚烯烴、聚苯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、環氧樹脂、苯酚樹脂、尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、聚矽氧樹脂或丙烯酸樹脂。然而,應注意支撐層1A及轉移層1B可由相同材料或彼此不同之材料形成。
剛性基板2具有一片狀形式。術語「剛性」在本文中用以表示一性質:剛性基板2可穩定支撐層壓至其上之轉移層1B使得轉移層1B不會變形。此外,術語「片狀」在本文中用以表示:不同於沿縱向方向延伸之帶狀撓性基板1,剛性基板2具有彼此分離之複數個平板之一形式。雖然剛性基板2不受特別限制(只要其具有剛性),但其可為(例如)一石英板或一玻璃基板(諸如一耐熱玻璃)。另外,剛性基板2可為(例如)一金屬板或一陶瓷板。應注意,在較佳地確定剛性基板2之組態條件時不僅考量上述剛性,且考量層壓後引入剛性基板2之一後續步驟中之一溫度條件、處 理性質等等。剛性基板2之此等組態條件為:例如,一熔點=約500℃或更高,一線性膨脹係數=10 ppm或更小,且一厚度=0.4毫米或更大。「後續步驟」為使一電路器件(諸如一TFT)形成於轉移層1B上之一步驟。
傳送機構10為用於傳送帶狀撓性基板1之一機構,且包含一輸送輥11、一清洗輥12、進給輥13至18及一捲取輥19。該等輥可圍繞其等中心處之各自軸(即,圍繞沿圖1及圖2中所繪示之X軸延伸之軸)旋轉。施加至圖1及圖2中之輥之各者之一箭頭標記代表輥之旋轉方向。傳送機構10傳送撓性基板1使得(例如)撓性基板1之轉移層1B提供撓性基板1之一外表面。
輸送輥11具有於其上卷成一輥形式之層壓前之撓性基板1,且捲取輥19具有卷成一輥形式之層壓後之撓性基板1。可針對個別輥而調整撓性基板1之輸送速度及捲取速度。進給輥13至18通過上述機構而將供應至該等進給輥之撓性基板1自輸送輥11引導至捲取輥19。清洗輥12係佈置在(例如)塗覆機構30前面且清洗待由塗覆機構30塗覆黏著劑之轉移層1B之表面。然而,清洗輥12可由超音波清洗設備或類似物替換。應注意進給輥15為一速度調整輥,其之旋轉速度可經調整以實施(例如)下文中所述之緩衝機構70之一功能。
傳送機構20為用於沿不同於傳送機構10之路徑之一路徑傳送片狀剛性基板2之一機構,且包含一製備室21與一恢復室22及藉由進給輥23及24而支撐在其相對端處之一可移 動部件25。所提及之該等輥可圍繞其等中心處之各自軸(即,圍繞沿X軸延伸之軸)旋轉。施加至圖1及圖2中之各輥之一箭頭標記代表輥之旋轉方向。
製備室21為其中貯存層壓前之剛性基板2之一室,且(例如)複數個剛性基板2被容納在製備室21中。傳送機構20相繼傳送複數個剛性基板2。圖2中顯示某一剛性基板2係自製備室21傳送至恢復室22。恢復室22係定位在製備室21之相對側上(其中層壓機構50被插置於製備室21與恢復室22之間)且容納層壓後之剛性基板2。進給輥23及24係分別單獨佈置在(例如)製備室21及恢復室22中。可移動部件25延伸於進給輥23與24之間且纏繞進給輥23及24使得進給輥23及24充當可移動部件25之旋轉支撐軸,且可移動部件25係回應於進給輥23及24之旋轉而可滑動地移動。進給輥23與24及可移動部件25可為(例如)一帶式運送機。應注意可視情況自恢復室22取出層壓後之剛性基板2。
塗覆機構30為用於在傳送機構傳送帶狀撓性基板1時將黏著劑塗覆至轉移層1B之一機構,且包含一塗覆裝置31、一黏著劑供應裝置32及一膜厚度檢測儀33。塗覆機構30(除膜厚度檢測儀33以外)係沿撓性基板1之傳送路徑而(例如)佈置在輸送輥11與乾燥機構60之間。
塗覆裝置31將自黏著劑供應裝置32供應至塗覆裝置31之黏著劑(尤其是黏著劑溶液)塗覆在轉移層1B之表面上。雖然塗覆方法不受特別限制,但其可為(例如)模塗覆、凹板塗覆、刀塗覆、唇緣塗覆、狹縫塗覆或噴射塗覆。黏著劑 供應裝置32包含用於混合及攪拌有機溶劑與基體樹脂(其為黏著劑及固化劑之一構造材料)之一自動攪拌裝置、用於將黏著劑自該自動攪拌裝置供應至塗覆裝置31之一泵等等。較佳地,該自動攪拌裝置可調整黏著劑之供應量。膜厚度檢測儀33量測由塗覆裝置31塗覆之黏著劑之膜厚度且為(例如)紅外線型之一膜厚度計量儀。雖然膜厚度檢測儀33之位置不受特別限制,但膜厚度檢測儀33係定位在(例如)沿撓性基板1之傳送路徑之乾燥機構60與緩衝機構70之間以量測乾燥後之黏著劑之膜厚度。應注意塗覆裝置31可經組態使得其可回應於由膜厚度檢測儀33量測之膜厚度而調整黏著劑之塗覆量。
雖然黏著劑之類型不受特別限制,但可使用(例如)丙烯基黏著劑、聚矽氧基黏著劑、矽氧烷基黏著劑或天然橡膠基黏著劑。特定言之,較佳使用在一後續步驟(其中引入層壓至剛性基板2之轉移層1B)之一溫度條件下具有一足夠耐熱性之一黏著劑。更特定言之,一黏著劑在一峰值溫度下之熱重下降較佳地低於約1%,且更佳地低於約0.1%。「一後續步驟中之溫度條件」為(例如)一電路器件(諸如一TFT)之一形成溫度。
切割機構40為用於在傳送帶狀撓性基板1時將其上已塗覆黏著劑之轉移層1B切割成片材之一機構,且包含一切割器41。切割機構40係沿撓性基板1之傳送路徑而(例如)佈置在緩衝機構70與層壓機構50之間。
切割器41包含一單刀或一拉刀且可移動於自撓性基板1 之傳送路徑縮回之一位置P1與使切割器41可切割轉移層1B之一位置P2之間。然而,應注意切割片41可為可實施遠端切割之類型,諸如一雷射切割裝置。無論何種情況,切割器41可在傳送機構傳送撓性基板1時僅切割轉移層1B且不切割支撐層1A。應注意轉移層1B之切割位置或範圍被任意確定(只有切割器41可將轉移層1B切割成一片材)且可為一全寬度區域或具有小於全寬度之一寬度之一期望區域。
層壓機構50為用於在傳送機構傳送帶狀撓性基板1及片狀剛性基板2時通過黏著劑而將已切割成一片材之轉移層1B層壓至剛性基板2之一機構,且包含一層壓輥51。層壓機構50係沿撓性基板1之傳送路徑而(例如)佈置在切割機構40與捲取輥19之間,且層壓輥51之佈置位置為與剛性基板2之傳送路徑之部分重疊之一位置。
乾燥機構60為用於加熱已塗覆至轉移層1B之黏著劑以使其乾燥之一機構,且包含一乾燥爐罩61。乾燥機構60係沿撓性基板1之傳送路徑而(例如)佈置在塗覆機構30與緩衝機構70之間。乾燥機構60之加熱處理不僅起到去除揮發性組分(諸如有機溶劑)之一作用,且亦起到促進黏著劑中基體樹脂之一固化反應等等之另一作用。乾燥爐罩61包含於其內之複數個加熱器。雖然乾燥機構60之乾燥條件(諸如一加熱溫度)不受特別限制,但較佳地(例如)回應於黏著劑之類型或固化溫度而確定該等乾燥條件。
緩衝機構70係經設置以暫時增大或減小撓性基板1之傳送距離以消除由不同機構施加至撓性基板1之處理之所需 時間不同引起之一傳送速度差,且包含一可移動輥71。可移動輥71可在支撐用於傳送之帶狀撓性基板1時移動於相對於帶狀撓性基板1之傳送路徑之一較近位置P4與一較遠位置P3之間。
緩衝機構70可佈置在沿撓性基板1之傳送路徑之兩個不同機構(該等機構之間出現一傳送速度差)之間,且緩衝機構70之位置不受特別限制。此處,假定塗覆機構30之塗覆處理之所需時間長於層壓機構50之層壓處理之所需時間。因此,緩衝機構70係佈置在塗覆機構30與層壓機構50之間,更特定言之,佈置在乾燥機構60與切割機構40之間。
緩衝機構70消除速度差之原理如下。特定言之,由於上述處理時間之差值,所以雖然層壓機構50之層壓處理在短時間內被完成,但塗覆機構30之塗覆處理需要較長時間。因此,在此狀態中,無法避免確定撓性基板1之傳送速度以便使其等於適合於需要一較低速度之塗覆處理之傳送速度。因此,在層壓之後,為使處於緩衝機構70後方之傳送路徑中撓性基板1之傳送速度可暫時大於其處於緩衝機構70前方時之傳送速度,將可移動輥71自位置P3移動至位置P4。因此,若使捲取速度高於輸送速度,則待供應至層壓機構50之撓性基板1之數量會暫時增加,且因此可局部增大處於緩衝機構70後方之傳送路徑中撓性基板1之傳送速度。隨即,由於進給輥15(其為速度調整輥)之旋轉速度係保持固定且與緩衝機構70之操作是否存在無關,所以處於緩衝機構70前方之傳送路徑中撓性基板1之傳送速度係保 持固定。應注意,在完成層壓機構50之層壓處理之後,使可移動輥71在實施下一操作週期之層壓處理前之一時段內自位置P4返回至位置P3。每一層壓重複緩衝結構70之此操作等等。
為使緩衝機構70可消除速度差,可移動輥71之移動距離(即,位置P3與P4之間之距離)較佳等於或長於轉移層1B與剛性基板2之間之層壓長度,且更佳地,前者距離大於後者距離。
應注意,例如,若層壓機構50之層壓處理需要比塗覆機構30之塗覆處理長之時間(不同於上述情況),則可在層壓之後將可移動輥71自位置P4移動至位置P3。此係因為可藉由一類似原理而暫時增大處於緩衝機構70前方之傳送路徑中撓性基板1之傳送速度。自然地,緩衝機構70未必需要定位在塗覆機構30與層壓機構50之間(如上所述),但可佈置在其等之間出現一傳送速度差之兩個機構之間。
加熱機構80加熱(老化)藉由插置於其等之間之黏著劑而層壓至彼此之轉移層1B與剛性基板2,且包含一加熱裝置,諸如處理腔室內側中之一烘爐或一熱板。較佳地,加熱機構80係沿剛性基板2之傳送路徑而佈置以使自層壓完成後至加熱開始之時間儘可能短。因此,層壓至彼此之轉移層1B與剛性基板2係沿直線快速傳送至加熱機構80中。藉由加熱機構80之加熱處理而去除保留在黏著劑中之揮發性組分(諸如有機溶劑)且使黏著劑之黏著力穩定化。
清洗機構90清洗層壓前之剛性基板2之表面(即,待層壓 至轉移層1B之表面)且包含處理腔室內側中之一清洗裝置。清洗機構90係沿剛性基板2之傳送路徑而佈置在製備室21與對應於層壓機構50之一位置之間。雖然清洗方法不受特別限制,但使用(例如)化學清洗或研磨清洗,且可在清洗之後實施一沖洗處理、一乾燥處理等等。化學清洗可為(例如)使用鹼性溶液或類似物之浸漬清洗或淋浴清洗,且研磨清洗可為(例如)磁帶拋光或乾冰噴射。
清洗機構91清洗層壓後之轉移層1B之表面(即,待在一後續步驟中於其上形成一電路器件(諸如一TFT)之轉移層1B之表面)且具有(例如)類似於清洗機構90之組態之一組態。清洗機構91係沿剛性基板2之傳送路徑而佈置在對應於層壓機構50之一位置與恢復室22之間。
<2.層壓裝置之操作>
現描述層壓裝置之操作。圖4A至圖4E繪示層壓裝置之操作且示意性顯示撓性基板1、剛性基板2及與其等相關聯之層壓裝置之組件之一橫截面組態。應注意,圖3至圖4E中之箭頭標記Y1及Y2代表個別引入至層壓位置之一撓性基板1及一剛性基板2之移動方向。
在層壓裝置中,如圖1及圖3中所見,傳送機構10首先傳送一帶狀撓性基板1使得撓性基板1之轉移層1B提供撓性基板1之一外表面。在此情況下,撓性基板1係自輸送輥11供應且由捲取輥19捲取。此外,轉移層1B之表面係由清洗輥12清洗。在撓性基板1之傳送處理之前半部分內,轉移層1B係定位在相對於支撐層1A之上側上,如圖3中所見。
同時,放置在傳送機構20之可移動部件25上之一剛性基板2係自製備室21傳送向恢復室22使得待層壓至轉移層1B之其表面成為上側。在此情況下,在清洗機構90之清洗裝置清洗剛性基板2之表面之後,將剛性基板2引入至層壓位置。
接著,在傳送帶狀撓性基板1時,塗覆機構30之塗覆裝置31將黏著劑3塗覆至轉移層1B(如圖4A中所見)且接著乾燥機構60之乾燥爐罩61加熱黏著劑3以使其乾燥。雖然乾燥條件不受特別限制,但(例如)加熱溫度=約80℃至200℃且加熱時間=約10分鐘至1小時。
在撓性基板1之傳送路徑之後半部分內,由於進給輥16及17使撓性基板1之傳送方向反向,所以轉移層1B係定位在相對於支承層1A之下側上,如圖4B中所見。因此,切割機構40之切割器41係與轉移層1B相對且因此可切割轉移層1B。
其後,切割器41自位置P1移動至位置P2(如圖4C中所見)以在撓性基板1中形成一切口1C以僅切割各預定距離處之撓性基板1之轉移層1B。因此,由相鄰切口1C界定之轉移層1B之一部分被放置於可自支撐板1A將其剝落之一狀態中。此處,例如切割整個全寬度上之轉移層1B。
接著,層壓機構50之層壓輥51使撓性基板1緊貼剛性基板2,如圖4D中所見。因此,由切口1C界定之轉移層1B之部分係藉由插置於轉移層1B與剛性基板2之間之黏著劑3而層壓至剛性基板2。因此,轉移層1B係轉移至剛性基板2。
在此層壓之後,由於緩衝機構70之可移動輥71自位置P3移動至位置P4(如圖1及圖2中所見),所以緩衝機構70前後之撓性基板1之傳送速度之間之差值被消除。
其後,在將層壓後之撓性基板1傳送向捲取輥19時,沿不同於朝向捲取輥19之方向之一方向(即,沿朝向恢復室22之一方向)傳送層壓後之剛性基板2。因此,自支撐層1A剝落由切口1C界定之轉移層1B之部分,如圖4E中所見。
其後,藉由傳送機構20而將經過清洗機構91及加熱機構80之層壓至彼此之轉移層1B與剛性基板2傳送至恢復室22。在此情況下,首先藉由清洗機構91之清洗裝置而清洗轉移層1B之表面,且接著藉由加熱機構80之加熱裝置而加熱轉移層1B、黏著劑3及剛性基板2。雖然此情況下之加熱條件不受特別限制,但其等(例如)為一加熱溫度=約120℃至200℃且加熱時間=約1小時。
層壓裝置之工作效應
在本發明層壓裝置中,在傳送包含支撐層1A及轉移層1B之帶狀撓性基板1及片狀剛性基板2時,將黏著劑3塗覆至轉移層1B且將轉移層1B切割成一片材,而後將轉移層1B層壓至剛性基板2。在此情況下,藉由將帶狀撓性基板1及片狀剛性基板2引入至單一裝置中,沿直線連續實施定形成一片材之撓性基板1與剛性基板2之一層壓處理。因此,無需預先製備呈一片材形式之一撓性基板1且亦無需使用複數個裝置來實施一系列處理,諸如一塗覆處理、一切割處理及一層壓處理。此外,由於無需彼此單獨地實施 一系列處理,所以該系列處理之所需時間被縮短,且全部處理由單一裝置完成。因此,處理效率被改良。因此,可在短時間內通過黏著劑3而將撓性基板1有效率地層壓至剛性基板2。此外,亦可使裝置小型化以減少裝置之佔用面積。
特定言之,若緩衝機構70消除撓性基板1之傳送速度差,則可在連續傳送撓性基板1時沿直線連續實施複數個處理(其等之處理時段彼此不同)。
此外,若將藉由插置於轉移層1B與剛性基板2之間之黏著劑3而層壓至剛性基板2之轉移層1B沿直線引入至加熱機構80中,則將大氣中之水分吸收至黏著劑3中被抑制。因此,可防止由黏著劑3之黏著力之劣化等等引起之轉移層1B之脫落。
此外,若清洗機構90清洗層壓前之剛性基板2之表面,則可防止外來粒子之混入至層壓界面中等等。此外,若清洗機構91清洗層壓後之轉移層1B之表面,則可防止外來粒子粘著至轉移層1B之表面(一電路器件(諸如一TFT)於一後續步驟中形成於該表面上)等等。
雖然已使用特定術語來描述本發明之一較佳實施例,但本發明不受限於該實施例描述中所述之模式且可被實施成各種修改形式。例如,本發明之層壓裝置可不施加至如上所述之一電路板,而是施加至任何其他應用,只要其可利用通過黏著劑而層壓至一剛性基板之一撓性基板。
本申請案含有與2011年4月28日於日本專利局申請之日 本優先專利申請案JP 2011-101410中所揭示標的相關之標的,該案之全文以引用方式併入本文中。
1‧‧‧帶狀撓性基板
1A‧‧‧支撐層/保護層
1B‧‧‧轉移層
1C‧‧‧切口
2‧‧‧片狀剛性基板
3‧‧‧黏著劑
10‧‧‧傳送機構
11‧‧‧輸送輥
12‧‧‧清洗輥
13‧‧‧進給輥
14‧‧‧進給輥
15‧‧‧進給輥
16‧‧‧進給輥
17‧‧‧進給輥
18‧‧‧進給輥
19‧‧‧捲取輥
20‧‧‧傳送機構
21‧‧‧製備室
22‧‧‧恢復室
23‧‧‧進給輥
24‧‧‧進給輥
25‧‧‧可移動部件
30‧‧‧塗覆機構
31‧‧‧塗覆裝置
32‧‧‧黏著劑供應裝置
33‧‧‧膜厚度檢測儀
40‧‧‧切割機構
41‧‧‧切割器
50‧‧‧層壓機構
51‧‧‧層壓輥
60‧‧‧乾燥機構
61‧‧‧乾燥爐罩
70‧‧‧緩衝機構
71‧‧‧可移動輥
80‧‧‧加熱機構
90‧‧‧清洗機構
91‧‧‧清洗機構
圖1及圖2係示意性顯示根據本發明之一實施例之一層壓裝置之一組態之視圖;圖3係顯示一撓性基板之一組態之一示意截面圖;及圖4A至圖4E係繪示層壓裝置之操作之示意性截面圖。
1‧‧‧帶狀撓性基板
1A‧‧‧支撐層/保護層
1B‧‧‧轉移層
1C‧‧‧切口
2‧‧‧片狀剛性基板
3‧‧‧黏著劑
41‧‧‧切割器

Claims (5)

  1. 一種層壓裝置,其包括:一第一傳送機構,其經組態以傳送包含彼此層疊之一轉移層及一支撐層之一帶狀撓性基板;一第二傳送機構,其經組態以傳送一片狀剛性基板;一塗覆機構,其經組態以在傳送該帶狀撓性基板時將黏著劑塗覆至該轉移層;一切割機構,其經組態以在傳送該帶狀撓性基板時將其上已塗覆該黏著劑之該轉移層切割成一片材,且該支撐層未被切割;及一層壓機構,其經組態以在傳送該帶狀撓性基板及該片狀剛性基板時通過該黏著劑而將已裁剪成該片材之該轉移層層壓至該片狀剛性基板。
  2. 如請求項1之層壓裝置,其進一步包括:一緩衝機構,其定位在該塗覆機構與該層壓機構之間,該機構經組態以在支撐用於傳送之該帶狀撓性基板時移動於相對於該帶狀撓性基板之一傳送路徑之一較遠位置與一較近位置之間。
  3. 如請求項1之層壓裝置,其進一步包括經組態以加熱通過該黏著劑而層壓至該片狀剛性基板之該轉移層之一加熱機構。
  4. 如請求項1之層壓裝置,其中該帶狀撓性基板係一塑膠膜且該片狀剛性基板係一玻璃板。
  5. 如請求項1之層壓裝置,其中該片狀剛性基板以彼此分離之複數個平板的形式被傳送。
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