TWI520249B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於處理基板之基板處理裝置及基板處理方法。
過去以來，於半導體基板(以下簡稱為「基板」)的製造步驟中，係使用基板處理裝置對基板施行各種處理。例如，藉由對表面上形成有抗蝕劑之圖案的基板供給藥液，而對基板表面進行蝕刻等處理。又，於蝕刻處理結束後，亦進行將基板上之抗蝕劑去除、或洗淨基板的處理。
日本專利特開2008-85150號公報(文獻1)係關於一種對形成有細微圖案之基板進行洗淨的方法。文獻1之洗淨裝置中，係藉由將設置了基板之密閉護套內進行真空吸引而進行基板脫氣，以改善基板表面之濕潤性。接著，對密閉護套內供給藥液，使基板全體浸漬於藥液中。然後，使密閉護套內回復為常壓並卸除密閉護套後，開始旋轉基板，一邊於基板上供給藥液、一邊進行洗淨處理等。該洗淨裝置中，係藉由改善基板表面之濕潤性，而使洗淨液良好接觸至細微圖案之凹部。又，該洗淨裝置中，係藉由以基板浸漬於洗淨液之狀態進行加壓，而亦使洗淨液滲透至細微圖案凹部中。
日本專利特開2005-191251號公報(文獻2)係揭示一種對 配置於加壓室內之晶圓，於加壓環境下供給蒸氣等，藉此使水分滲透至晶圓上表面上之不需物後，於常壓或減壓環境下，供給溫水等以去除上表面上之不需物的裝置。又，日本專利特開平6-283413號公報(文獻3)之半導體晶圓顯影裝置，係藉由依使收容了半導體晶圓之處理室內成為減壓環境的狀態，打開顯影液供給閥，而使顯影液填充處理室。然後，藉由使半導體晶圓浸漬於顯影液中，而進行半導體晶圓之顯影處理。
日本專利第3099053號公報(文獻4)之成膜裝置，係於腔室內，在晶圓上方設置處理氣體供給部，於晶圓下方設置紅外線燈。然後，依腔室內成為真空環境的狀態，一邊加熱晶圓、一邊供給處理氣體，藉此於晶圓表面形成薄膜。又，日本專利特開平9-246156號公報(文獻5)之裝置，係藉潤洗液沖洗晶圓上之顯影液等後，於減壓環境下使晶圓高速旋轉而進行晶圓之乾燥。
另一方面，日本專利特開平3-22428號公報(文獻6)之半導體製造裝置，揭示了使朝基板滴下藥液之藥液吐出噴嘴，於旋轉中之基板上在徑方向上直線性移動，藉此使基板之中央部與外周部的藥液滴下量均勻化的技術。
然而，文獻1之洗淨裝置中，係於常壓下對旋轉中之基板之中央部供給洗淨液，藉離心力使其擴展至基板外周部，藉此進行基板的洗淨處理。該洗淨裝置中，在洗淨液由基板之中央部移動至外周部時，洗淨液之一部分氣化，因氣化熱而基板溫度降低。因此，基板之溫度隨著由基板之中央部朝向外周部變低，而有洗淨處理由基板之中央部起朝外周部變得不均勻之虞。
另一方面，文獻6之製造裝置，由於在常壓下一邊於旋 轉中之基板上方使藥液吐出噴嘴移動、一邊吐出藥液，故在基板之中央部與外周部並未發生基板溫度之較大差異，但由於需要移動藥液吐出噴嘴的機構，故若於腔室內在對基板進行處理之裝置應用該構造，則使腔室及裝置全體變得大型化。
本發明係關於處理基板之基板處理裝置，其目的在於提升處理液之處理中的基板主要表面的溫度均勻性。
本發明之基板處理裝置係具備：基板保持部，其在將主要表面朝上側之狀態下保持基板；處理液供給部，係對上述基板之上述主要表面之中央部供給處理液；基板旋轉機構，係使上述基板與上述基板保持部一起旋轉；腔室，係將上述基板保持部收容於內部空間；壓力變更部，係變更上述腔室之上述內部空間的壓力；與控制部，係藉由控制上述處理液供給部、上述基板旋轉機構及上述壓力變更部，而依使上述腔室之上述內部空間成為加壓環境的狀態，一邊旋轉上述基板、一邊對上述主要表面之上述中央部連續地供給上述處理液以進行既定處理。根據該基板處理裝置，可提升處理液之處理中的基板主要表面的溫度均勻性。
本發明之一較佳實施形態中，進一步具備對上述基板進行加熱的加熱部；藉由以上述控制部控制上述壓力變更部及上述加熱部，依使上述腔室之上述內部空間成為減壓環境的狀態，進行上述基板的加熱。
更佳係上述加熱部為藉由朝上述基板照射光而加熱上述基板。
本發明之其他較佳實施形態中，係以上述控制部控制上 述壓力變更部及上述基板旋轉機構，依使上述腔室之上述內部空間成為減壓環境之狀態，旋轉上述基板並進行上述基板之乾燥。
本發明亦關於一種處理基板之基板處理方法。
上述目的及其他目的、特徵、態樣及優點，將參照隨附圖式藉由以下之本發明詳細說明而闡明。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧基板保持部
3‧‧‧第1處理液供給部
4‧‧‧第2處理液供給部
5‧‧‧基板旋轉機構
7‧‧‧腔室
8‧‧‧加熱部
9‧‧‧基板
11‧‧‧控制部
30‧‧‧第1貯存部
31‧‧‧第1處理液配管
32‧‧‧泵
40‧‧‧第2貯存部
41‧‧‧第2處理液配管
42‧‧‧泵
51‧‧‧定子
52‧‧‧轉子
61‧‧‧氣體供給部
62‧‧‧吸引部
70‧‧‧內部空間
71‧‧‧腔室底部
72‧‧‧腔室側壁部
73‧‧‧腔室蓋部
75‧‧‧上部配管
76‧‧‧下部中央配管
77‧‧‧下部外周配管
78‧‧‧上部配管
81‧‧‧燈
91‧‧‧(基板)上表面
92‧‧‧(基板)下表面
610‧‧‧氣體供給源
611‧‧‧氣體配管
612‧‧‧泵
613‧‧‧閥
621‧‧‧閥
751‧‧‧上部切換閥
761‧‧‧下部切換閥
S11~S18‧‧‧步驟
圖1為表示一實施形態之基板處理裝置之構成的圖。
圖2為表示基板處理流程的圖。
圖3為基板處理之時序圖。
圖1係表示本發明一實施形態之基板處理裝置1之構成的圖。基板處理裝置1係對大致圓板狀之半導體基板9(以下簡稱為「基板9」)供給處理液而單片處理基板9的單片式裝置。
基板處理裝置1具備基板保持部2、第1處理液供給部3、第2處理液供給部4、基板旋轉機構5、氣體供給部61、吸引部62、腔室7、加熱部8及控制部11。圖1中，以剖面表示基板保持部2、基板旋轉機構5及腔室7。
腔室7係具備：大致圓板狀之腔室底部71；固定於腔室底部71外周之大致圓筒狀的腔室側壁部72；與封閉腔室側壁部72之上部開口的大致圓板狀之腔室蓋部73。腔室蓋部73可於上下方向移動，於腔室蓋部73移動至上方而由腔室側壁部72呈分開的狀態下，進行基板9對腔室7內的搬出入。又，藉由將腔室蓋部73於腔室側壁部72上部賦予勢能，而形成屬於密閉空間之腔室7的內部空間70。腔 室底部71及腔室蓋部73係由石英等所形成之具有透光性的構件。
於腔室蓋部73之中央部設置上部配管75，於上部配管 75周圍設置剖面為圓環狀之上部配管78。於上部配管75，經由上部切換閥751連接第1處理液供給部3及第2處理液供給部4，於上部配管78連接氣體供給部61。於腔室底部71之中央部，設置下部中央配管76。於下部中央配管76，經由下部切換閥761，連接第1處理液供給部3及第2處理液供給部4。又，於腔室底部71之外周部，使複數之下部外周配管77於圓周方向上等間隔地設置。於複數之下部外周配管77經由閥621連接吸引部62。
基板旋轉機構5為所謂的中空馬達，具備：在腔室側壁 部72內部配置於圓周方向上之定子51；在腔室7之內部空間70配置於定子51內側的大致圓環狀之轉子52。轉子52係藉由與定子51間進行作用的磁力，不與定子51及腔室側壁部72接觸地被支持，以朝上下方向之中心軸為中心進行旋轉。
基板保持部2係被固定於基板旋轉機構5之轉子52之 內周面的大致圓環板狀之構件，與轉子52一起被收容於腔室7之內部空間70。基板9係依以形成有細微圖案之一主要表面91(以下稱為「上表面91」)朝上側之狀態被載置於基板保持部2上，藉此由基板保持部2所保持。換言之，基板保持部2係藉由抵接於基板9之下表面92，而保持基板9。再者，基板保持部2亦可例如由轉子52之內周面朝徑方向內側突出的複數之凸部。基板處理裝置1係藉由以控制部11控制基板旋轉機構5，使基板9以通過基板9中心且垂直於基板9上表面91之上述中心軸為中心，與基板保持部2及轉子52一起依水平姿勢進行旋轉。
第1處理液供給部3係具備：將貯存第1處理液之第1 貯存部30與上部配管75連接的第1處理液配管31；及設於第1處理液配管31上之泵32。第2處理液供給部4係具備：將貯存第2處理液之第2貯存部40與上部配管75連接的第2處理液配管41；及設於第2處理液配管41上之泵42。氣體供給部61係具備：將氣體供給源610與上部配管78連接之氣體配管611；與設於氣體配管611上之泵612及閥613。上述之上部配管75、下部中央配管76、上部切換閥751及下部切換閥761係由第1處理液供給部3及第2處理液供給部4所共有。
基板處理裝置1係藉由以控制部11控制第1處理液供 給部3之泵32、上部切換閥751及下部切換閥761，而由上部配管75朝基板9之上表面91之中央部供給第1處理液，由下部中央配管76朝基板9之下表面92之中央部供給第1處理液。又，藉由以控制部11控制第2處理液供給部4之泵42、上部切換閥751及下部切換閥761，而由上部配管75朝基板9之上表面91之中央部供給第2處理液，由下部中央配管76朝基板9之下表面92之中央部供給第2處理液。本實施形態中，第1處理液為氫氟酸或氫氧化四甲基銨水溶液等之蝕刻液，第2處理液為純水(DIW(Deionzed water))。
基板處理裝置1係藉由以控制部11控制氣體供給部61之泵612及閥613，而由上部配管78對腔室7之內部空間70供給氣體。本實施形態中，係藉由氣體供給部61，將氮(N2)供給至腔室7內。
吸引部62係經由複數之下部外周配管77於基板9之邊緣附近進行吸引。藉此，將腔室7之內部空間70之氣體排出至腔室7外。基板處理裝置1係藉由以控制部11控制氣體供給部61及吸引部 62，而變更腔室7之內部空間70的壓力。具體而言，係依吸引部62與下部外周配管77之間之閥621呈關閉的狀態，由氣體供給部61對腔室7內供給氣體，藉此使腔室7之內部空間70的壓力增大並變得較常壓(大氣壓)高，內部空間70成為加壓環境。又，於氣體供給部61之閥613呈關閉的狀態下，藉由以吸引部62將腔室7內之氣體排出至腔室7外，而減少內部空間70之壓力使其低於常壓，內部空間70成為減壓環境。如此，氣體供給部61及吸引部62發揮變更腔室7之內部空間70之壓力的壓力變更部的功能。
吸引部62另外經由複數之下部外周配管77於基板9之 邊緣附近進行吸引，藉此將由第1處理液供給部3及第2處理液供給部4供給至腔室7內之處理液排出至腔室7外。如此，吸引部62發揮作為處理液排出部的功能。
加熱部8係具備配置於腔室7上方及下方的燈81。燈 81係經由腔室底部71及腔室蓋部73而朝基板9照射光以加熱基板9。
圖2為表示基板處理裝置1中之基板9之處理流程的 圖。圖3為基板9之處理時序圖。圖3中之線101表示腔室7內之壓力，線102表示來自第1處理液供給部3之第1處理液的供給量，線103表示來自第2處理液供給部4之第2處理液的供給量，線104表示加熱部8之燈81的ON/OFF。
基板處理裝置1係首先，將基板9搬入至腔室7內並由 基板保持部2所保持，藉腔室蓋部73封閉腔室側壁部72之上部開口以使腔室7內密閉。腔室7內被密閉時，藉由以控制部11控制基板旋轉機構5，使基板9之旋轉開始(步驟S11)。
接著，藉由以控制部11控制加熱部8及吸引部62，將 燈81點燈，使腔室7內之氣體被排出至腔室7外。然後，依腔室7之內部空間70成為減壓環境的狀態，進行僅既定時間之加熱部8所進行之基板9加熱(步驟S12)。成為減壓環境之腔室7之內部空間70的壓力，較佳為依低於常壓、大約15kPa以上之壓力範圍進行設定。
接著，藉由以控制部11控制第1處理液供給部3，於減 壓環境之腔室7內，在旋轉中之基板9之上表面91，連續地由上部配管75供給第1處理液。被供給至基板9之上表面91中央部的第1處理液，係藉由基板9之旋轉而擴展至外周部，上表面91全體被第1處理液所被覆(步驟S13)。由基板9之上表面91溢出之第1處理液，係被由控制部11所控制之吸引部62所吸引而被排出至腔室7外。又，亦由下部中央配管76對基板9之下表面92中央部供給第1處理液，使其藉由基板9之旋轉而擴展至外周部。
第1處理液對基板9之上表面91的被覆結束時，藉由 以控制部11控制氣體供給部61，而使腔室7之內部空間70之壓力增大，成為較常壓高之既定壓力(較佳係較常壓高、較常壓高大約0.1MPa的壓力以下)。又，以控制部11控制第1處理液供給部3及基板旋轉機構5，使來自第1處理液供給部3之第1處理液的每單位時間的供給量(以下稱為「流量」)減少且使基板9之旋轉數減少(亦即，降低基板9之旋轉速度)。又，如圖3中之二點虛線所示，在內部空間70之壓力上升中，亦可停止第1處理液的供給。在使腔室7之內部空間70成為既定之加壓環境時，在依較步驟S13低之旋轉數(亦即，較低之旋轉速度)進行旋轉中的基板9的上表面91上，使屬於蝕刻液之第1處理液依較步驟S13少之流量連續地供給，進行既定時間之蝕刻處理(步驟S14)。
接著，藉由以控制部11控制吸引部62，減少腔室7之 內部空間70的壓力，成為較常壓低之既定壓力(較佳係低於常壓、大約15kPa以上之壓力)。然後，停止來自第1處理液供給部3之第1處理液的供給，同時亦將燈81關燈以停止加熱部8進行之基板9加熱。
接著，藉由以控制部11控制第2處理液供給部4，於減 壓環境之腔室7內，在旋轉中之基板9之上表面91上，由上部配管75連續地供給第2處理液。供給至被第1處理液所被覆之上表面91中央部的第2處理液，係因基板9之旋轉而擴展至外周部，上表面91上之第1處理液係由基板9之邊緣被擠出至外側。然後，基板9上表面91上之第1處理液被第2處理液所取代，且上表面91全體被第2處理液所被覆(步驟S15)。由基板9上表面91上所溢出的第1處理液及第2處理液，係藉由吸引部62被吸引而排出至腔室7外。又，亦由下部中央配管76對基板9之下表面92中央部供給第2處理液，因基板9之旋轉而擴展至外周部。
在第2處理液對基板9之上表面91的被覆結束時，藉 由以控制部11控制氣體供給部61，而使腔室7之內部空間70之壓力增大，成為較常壓高之既定壓力(較佳係較常壓高、較常壓高大約0.1MPa的壓力以下)。在內部空間70之壓力增大中、以及內部空間70成為既定之加壓環境後，亦繼續由第2處理液供給部4供給第2處理液。然後，於加壓環境之內部空間70中，在旋轉中的基板9的上表面91上，連續地供給純水即第2處理液，進行既定時間之潤洗處理(步驟S16)。
潤洗處理結束後，停止來自第2處理液供給部4之第2 處理液的供給，以控制部11控制吸引部62，藉此使腔室7之內部空間 70之壓力減少，成為低於常壓之既定壓力(較佳係低於常壓、大約15kPa以上之壓力)。然後，於內部空間70成為既定之減壓環境的狀態下，藉由控制部11控制基板旋轉機構5，而增大基板9之旋轉數，且藉由使基板9高速旋轉，而由基板9上去除第2處理液以進行基板9之乾燥處理(步驟S17)。在進行基板9之減壓乾燥的期間，自基板9上被去除之第2處理液被吸引部62所吸引而排出至腔室7外。再者，如圖3中之二點虛線所示，在進行基板9之減壓乾燥的期間，亦可並行加熱部8對基板9之加熱。藉此，可促進基板9之乾燥。
基板9之乾燥結束時，停止基板9之旋轉(步驟S18)， 使腔室7之內部空間70回復為常壓。其後，腔室蓋部73自腔室側壁部72分開，自腔室7搬出基板9。
如以上所說明，基板處理裝置1係於步驟S12，於使腔 室7之內部空間70成為減壓環境的狀態下，進行加熱部8之基板9加熱。藉此，抑制熱由基板9朝周圍氣體的移動，可對基板9依較常壓下更短之時間進行加熱。又，加熱部8由於具備朝基板9照射光以加熱基板9的燈81，故可使腔室7或腔室7內之構造簡單化。
步驟S13係於使腔室7之內部空間70成為減壓環境的 狀態下，一邊旋轉基板9、一邊於基板9上表面91上供給第1處理液，藉此使第1處理液於上表面91上由中央部迅速擴展至外周部。藉此，可以較常壓下更短的時間進行第1處理液對基板9之上表面91的被覆。又，藉由以吸引部62由基板9之邊緣附近吸引第1處理液，則可使基板9上表面91上之第1處理液的移動速度增大。其結果，可以更短時間進行第1處理液對基板9上表面91的被覆，可縮短基板9之處理所需的時間。
步驟S13係如上述般，藉由使腔室7之內部空間70成 為減壓環境，而使基板9上之細微圖案之間隙(以下稱為「圖案間隙」)中所存在之氣體量較常壓下減少，故使供給至基板9上表面91上之第1處理液容易進入至圖案間隙。藉此，可適當進行圖案間隙內之蝕刻處理。又，在以第1處理液被覆基板9之上表面91後，藉由增大腔室7之內部空間70之壓力，而使第1處理液被擠入圖案間隙中。其結果，可使第1處理液更容易進入至圖案間隙。進而藉由使腔室7之內部空間70之壓力變得較常壓高而成為加壓環境，則可更加容易使第1處理液進入至圖案間隙中。
步驟S14係於使腔室7之內部空間70成為加壓環境的 狀態下，一邊旋轉基板9、一邊於基板9之上表面91上連續供給第1處理液而進行蝕刻處理。藉此，較常壓下抑制基板9上之第1處理液的氣化，可抑制基板9之溫度隨著由基板9之中央部朝外周部因氣化熱而變低的情形。其結果，可提升第1處理液之蝕刻處理中的基板9上表面91的溫度均勻性，並可提升基板9之上表面91全體的蝕刻處理的均勻性。又，亦可提升基板9之下表面92全體的蝕刻處理的均勻性。
如上述，於步驟S14中，對基板9進行蝕刻處理時之基 板9的旋轉數，係較步驟S13中以第1處理液被覆基板9之上表面91時的基板9的旋轉數小。藉此，可更加抑制第1處理液自基板9的氣化，可更加提升蝕刻處理中之基板9之上表面91的溫度均勻性。其結果，可更加提升基板9之上表面91全體的蝕刻處理的均勻性。
步驟S15係依使腔室7之內部空間70成為減壓環境的狀態，一邊旋轉基板9、一邊於基板9之上表面91供給第2處理液， 藉此使第2處理液於上表面91上由中央部迅速擴展至外周部。藉此，可以較常壓下更短之時間進行第1處理液朝第2處理液的取代、以及第2處理液對基板9上表面91的被覆。又，藉由以吸引部62由基板9之邊緣附近吸引第1處理液及第2處理液，而可以更短時間進行對第1處理液以第2處理液的取代、以及第2處理液對基板9上表面91的被覆。
如上述，基板處理裝置1係在以第2處理液被覆基板9 之上表面91後，使腔室7之內部空間70的壓力增大，藉此使第2處理液被擠入至圖案間隙中。其結果，可使第2處理液容易進入至圖案間隙中，而可更確實進行對第1處理液以第2處理液的取代。進而藉由使腔室7之內部空間70之壓力變得較常壓高而成為加壓環境，可使第2處理液更容易進入至圖案間隙中。
步驟S16係於使腔室7之內部空間70成為加壓環境的 狀態下，一邊旋轉基板9、一邊於基板9之上表面91連續供給第2處理液而進行潤洗處理。藉此，可較常壓下抑制基板9上之第2處理液的氣化，而可抑制基板9之溫度隨著由基板9之中央部朝外周部因氣化熱而變低的情形。其結果，可提升第2處理液之潤洗處理中的基板9上表面91的溫度均勻性，並可提升基板9上表面91全體之潤洗處理的均勻性。又，亦可提升基板9下表面92全體之潤洗處理的均勻性。
步驟S17係於使腔室7之內部空間70成為減壓環境的狀態下，旋轉基板9而進行基板9之乾燥。藉此，可依較常壓下更短之時間進行基板9的乾燥。
上述實施形態可進行各種變更。
例如，於潤洗處理(步驟S16)結束後，亦可對基板9之 上表面91及下表面92供給異丙醇(IPA)，將基板9上之第2處理液取代為IPA後，進行乾燥處理(步驟S17)。在進行IPA取代時，較佳係在使腔室7之內部空間70成為減壓環境的狀態，將IPA供給至基板9上。藉此，與對第1處理液以第2處理液之取代(步驟S15)同樣地，可依較常壓下更短之時間進行對第2處理液以IPA的取代、以及IPA對基板9之上表面91的被覆。又，藉由以吸引部62由基板9之邊緣附近吸引第2處理液及IPA，則可以更短之時間進行對第2處理液以IPA的取代、以及IPA對基板9上表面91的被覆。
第1處理液及第2處理液並不一定限定為蝕刻液及純水，其他各種處理液亦可使用作為第1處理液及第2處理液，而對基板9進行各種處理。又，亦可省略第1處理液及第2處理液對下表面92的供給。進而，於基板處理裝置1，亦可省略第2處理液供給部4，僅進行第1處理液對基板9的處理。
加熱部8並不限定於藉由對基板9照射光而加熱基板9者。例如亦可於腔室底部71及腔室蓋部73之內部設置電熱線等之加熱器作為加熱部8。又，亦可取代吸引部62，個別設置吸引腔室7內之氣體的氣體吸引部、與吸引腔室7內之處理液的處理液吸引部。
基板處理裝置1亦可進行對半導體基板以外之各種基板的處理。腔室7之形狀亦可配合基板形狀而適當變更。
上述實施形態及各變形例的構成，係在不互相矛盾之前提下亦可適當組合。
以上雖詳細說明了本發明，但既述之說明僅為例示而並非限定本案發明。因此，在不脫離本發明範圍之下，可為多數之變形或態樣。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧基板保持部
3‧‧‧第1處理液供給部
4‧‧‧第2處理液供給部
5‧‧‧基板旋轉機構
7‧‧‧腔室
8‧‧‧加熱部
9‧‧‧基板
11‧‧‧控制部
30‧‧‧第1貯存部
31‧‧‧第1處理液配管
32‧‧‧泵
40‧‧‧第2貯存部
41‧‧‧第2處理液配管
42‧‧‧泵
51‧‧‧定子
52‧‧‧轉子
61‧‧‧氣體供給部
62‧‧‧吸引部
70‧‧‧內部空間
71‧‧‧腔室底部
72‧‧‧腔室側壁部
73‧‧‧腔室蓋部
75‧‧‧上部配管
76‧‧‧下部中央配管
77‧‧‧下部外周配管
78‧‧‧上部配管
81‧‧‧燈
91‧‧‧(基板)上表面
92‧‧‧(基板)下表面
610‧‧‧氣體供給源
611‧‧‧氣體配管
612‧‧‧泵
613‧‧‧閥
621‧‧‧閥
751‧‧‧上部切換閥
761‧‧‧下部切換閥

Claims (8)

  1. 一種基板處理裝置，係對基板進行處理者，其具備：基板保持部，其在將主要表面朝上側之狀態下保持基板；處理液供給部，係對上述基板之上述主要表面之中央部供給處理液；基板旋轉機構，係使上述基板與上述基板保持部一起旋轉；腔室，係將上述基板保持部收容於屬於密閉空間之內部空間；壓力變更部，係變更上述腔室之上述內部空間的壓力；及控制部，係藉由控制上述處理液供給部、上述基板旋轉機構及上述壓力變更部，而於使上述腔室之上述內部空間成為加壓環境的狀態下，一邊旋轉上述基板、一邊對上述主要表面之上述中央部連續地供給上述處理液以進行既定處理；上述壓力變更部係具備：吸引部，係吸引上述腔室之上述內部空間的氣體；及氣體供給部，係將氣體供給至上述腔室之上述內部空間，藉此使上述內部空間的壓力增大至較大氣壓為高的壓力，而使上述內部空間成為加壓環境。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，進一步具備對上述基板進行加熱的加熱部；藉由以上述控制部控制上述壓力變更部及上述加熱部，於使上述腔室之上述內部空間成為減壓環境的狀態下，進行上述基板的加熱。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，上述加熱部係藉由朝上述基板照射光而加熱上述基板。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理裝置，其中，藉由上述控制部控制上述壓力變更部及上述基板旋轉機構，於使上述腔 室之上述內部空間成為減壓環境之狀態下，旋轉上述基板並進行上述基板之乾燥。
  5. 一種基板處理方法，係對基板進行處理者，其具備：a)於腔室之屬於密閉空間之內部空間中，在將主要表面朝上側之狀態下保持基板的步驟；及b)於藉由將氣體供給至上述腔室之上述內部空間俾使上述內部空間的壓力增大至較大氣壓為高的壓力而使上述內部空間成為加壓環境的狀態下，一邊旋轉上述基板、一邊對上述主要表面之中央部連續地供給處理液以進行既定處理的步驟。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理方法，其中，進一步具備c)在上述b)步驟之前，於使上述腔室之上述內部空間成為減壓環境的狀態下，對上述基板進行加熱的步驟。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理方法，其中，於上述c)步驟中，藉由朝上述基板照射光而加熱上述基板。
  8. 如申請專利範圍第5至7項中任一項之基板處理方法，其中，進一步具備d)在上述b)步驟之後，於使上述腔室之上述內部空間成為減壓環境的狀態下，旋轉上述基板以進行上述基板之乾燥的步驟。
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