TWI519456B - And a wafer storage container having a back support structure - Google Patents

Description

具有背面支承構造的晶圓收納容器

本發明是關於用來搬運或保管半導體晶圓之晶圓收納容器。

關於半導體晶圓的尺寸，現在已開始討論最大450mm的晶圓規格，其口徑是越做越大，但半導體晶圓的厚度並不厚，因此，在半導體晶圓的製作過程中之半導體晶圓的處理，特別是在用來保管半導體晶圓的晶圓收納容器內必須謹慎的處理。另外，半導體元件的最小圖案也開始進入50nm以下。隨著如此般微細化的進展，在裝載著100nm以下的設計規則的元件之半導體晶圓，製程中產生的粒子的存在，會對晶圓上的圖案造成致命的缺陷。因此，在用來保持半導體晶圓的環境氣氛內，即使是非常微小且微量的粒子也必須完全防止。特別是在晶圓收納容器內，必須儘量避免讓半導體晶圓和晶圓收納容器內發生接觸。以防止因接觸而產生粒子。在以往所提出或使用的晶圓收納容器，是將半導體晶圓的周緣部用V形溝槽或U形溝槽來支承(專利文獻1)，或是將半導體晶圓的邊緣側面部及半導體晶圓的背面周緣部予以支承(專利文獻2)。

專利文獻1：日本特開2002-353301

專利文獻2：日本實登3020287

在專利文獻1之晶圓收納容器的晶圓支承部是形成V形溝槽的情況，是用V形溝槽來支承晶圓周邊，且晶圓支承部是與要形成元件之半導體晶圓的表面的晶圓周緣部接觸。結果，在晶圓周緣部之形成於半導體晶圓的薄膜(氧化膜、氮化膜、或金屬膜等)會稍微剝離而飛揚，以粒子的形式附著在比晶圓周緣部更內側的形成有元件(或是要形成元件)的表面上。或是，與晶圓周緣部接觸的晶圓支承部(材質為高分子材料)之些微剝離等，也會產生前述問題。再者，晶圓表面側僅在晶圓周緣部受到支承是當然的，而在晶圓背面也是僅在晶圓周緣部受到支承，因此，特別是在晶圓變得大口徑化的情況，因晶圓本身的重量會造成晶圓發生撓曲，而使晶圓的穩定度變差。特別是在晶圓從收納容器取出或放入時，晶圓可能會傾斜而造成晶圓破損。另外，保管於收納容器的晶圓，受到反覆的晶圓撓曲振動，也可能會造成晶圓破壞。再者，晶圓彼此也可能在晶圓收納容器內接觸而造成元件損傷，或因接觸而產生粒子等。

專利文獻2所示之半導體晶圓的支承方法，由於半導體背面周緣部與收納容器接觸，因接觸所產生的粒子等會繞行到半導體表面而附著在半導體表面。或是，會附著在載置於下方之其他半導體晶圓的表面。結果會產生圖案缺陷而使半導體晶圓的良率和特性變差。

本發明的目的是為了提供一種晶圓收納容器，除了可防止搬運中的衝擊等所造成的半導體晶圓的破損，且在取出半導體晶圓時，能將半導體晶圓以無破損的狀態進行安全且容易的取出。另外是為了提供一種能使晶圓收納容器內產生的粒子等降低至最少的晶圓收納容器。

為了達成上述目的，本發明之晶圓收納容器，係具備：至少具有1個開口之收納容器本體、閉合前述開口的蓋體、在將前述收納容器本體用前述蓋體閉合時使前述收納容器本體的內部和外部環境氣密地隔離的密封構件、形成於前述收納容器本體的內部且將晶圓以整齊排列的狀態支承之晶圓保持具；其特徵在於：晶圓保持具係具備：將複數個晶圓以隔既定間隔沿軸方向整齊排列的狀態支承之複數個層架、用來支承前述層架的支承板部、用來將前述支承板部安裝於前述收納容器本體的內部之支承板安裝部、形成於前述支承板部而將前述複數個晶圓在徑方向施以限制的限制部；又在層架內側穿設1個或複數個孔。另外，層架具有：形成於層架的上面(載置晶圓時的上側，與晶圓背面接觸的側)而用來支承並載置上述晶圓背面的1個或複數個載置突起。

另外，上述限制部，僅在半導體晶圓的側端頂部、或是僅在半導體晶圓的側端頂部和半導體晶圓的斜面部與半導體晶圓接觸。再者，限制部和層架的邊界，是形成傾斜(與半導體晶圓背面的斜面下部接觸的部分是形成傾斜)。晶圓保持具，是在晶圓收納容器內，形成以二側基準面為對稱面而呈相對置的一對鏡像體構造。

因此，當蓋體卸下且將晶圓收納容器橫向放置並在前述晶圓收納容器內載置有晶圓時，前述晶圓受到前述載置突起及前述限制部所限制，且前述晶圓不與前述載置突起以外的層架接觸。當前述蓋體閉合前述收納容器的開口且 在前述收納容器內收納有晶圓時，前述晶圓是藉由安裝於前述蓋體之晶圓按壓構件、前述載置突起及前述限制部施以固定，且前述晶圓不與前述載置突起以外的層架接觸。

藉由採用本發明的晶圓保持具，能以不接觸晶圓背面的晶圓周緣部分的方式，在比晶圓背面的晶圓周緣部分更內側的微小部分支承晶圓。因此，從半導體晶圓背面側繞行到半導體晶圓表面側的粒子等變得非常少。再者，在晶圓背面之比其周緣部更內側，用載置突起來支承，如此可將晶圓的撓曲量抑制成最小。特別是在大口徑的晶圓的情況，由於晶圓的撓曲量大，故本發明的晶圓保持具的效果顯著。而且，由於撓曲量變小，積層於晶圓收納容器的晶圓間距可縮小，結果可增加晶圓收納容器可保管的晶圓數量。再者，在將半導體晶圓取出放入時，由於是將半導體晶圓載置於複數個載置突起上，故能將半導體晶圓穩定地設置成水平。結果半導體晶圓就不會發生破損。

再者，限制部的構造，是僅在晶圓側端頂部或者晶圓側端頂部和晶圓的斜面部與晶圓接觸，如此對於形成有半導體元件的半導體晶圓表面，包含半導體晶圓的周緣部完全都不會接觸，而能以此狀態將半導體晶圓收納保管於半導體晶圓收納容器。半導體晶圓的背面，是在形成於收納容器本體的內部且用來將晶圓以整齊排列的狀態支承的晶圓保持具，載置於形成在複數個層架(連接於安裝部，用來將複數個晶圓以隔既定的間隔沿軸方向整齊排列的狀態支承)上的複數個載置突起，而且半導體晶圓的晶圓側端頂部或晶圓側端頂部和斜面部是被限制部按壓，藉此將半導體晶圓固定住。限制部對半導體晶圓的按壓力，是強力作用於從半導體晶圓的周邊往中心的方向，亦即與半導體晶圓的平面平行的方向，因此半導體晶圓不會破損，而且能確實地進行半導體晶圓的固定。

層架是朝收納容器的中心伸出但在中心側未受到固定，但在層架的內側(內部)具有1個或複數個孔(形成穿孔狀態的環狀構造)，且至少由兩側的臂部(桿件)來支承，因此能減輕層架本身的重量，同時能抑制支承強度的減少，而能儘量減少層架因本身重量所造成的撓曲。再者，該層架，在將晶圓收納容器縱向置放(開口朝上)時，具備將半導體晶圓筆直豎起之導件作用。

半導體晶圓是位於層架和層架之間，但僅半導體晶圓的側端頂部、或是半導體晶圓的側端頂部和半導體晶圓的背面側(特別是斜面下部)與限制部接觸，半導體晶圓表面之晶圓半導體周緣部的內側則不會與限制部接觸，如此起因於接觸而產生的粒子等就不會產生。結果，在半導體晶圓表面的元件上(或是將來要形成的區域)不會發生缺陷。因此，在半導體晶圓的周緣部和斜面上部，由於難以防止熱氧化、CVD(化學氣相沉積)法、PVD(物理氣相沉積)法等所沉積之絕緣膜、導電體膜、半導體膜，以往必須附加用來將附著於周緣部之該等膜除去的步驟，但在採用本發明的晶圓收納容器的情況，則不一定要附加這種薄膜除去步驟。再者，在將光阻塗布於半導體表面的情況也是，可省略將半導體晶圓的表面側之晶圓周緣部的光阻除去的步驟(邊緣清洗，edge rinse)。

再者，對應於使半導體晶圓儘量薄的要求，或是對於厚度不厚但大口徑化的晶圓，在支承背面的層架不存在的情況，在僅半導體晶圓的側端頂部、或是僅半導體晶圓的側端頂部和半導體晶圓的背面側(特別是斜面下部)與限制部接觸的狀態下，要固定半導體晶圓非常困難，但依本發明的晶圓收納容器，由於半導體晶圓背面也被層架支承，故能將半導體晶圓固定住。

再者，可能會要求，連在半導體晶圓的背面周緣部也不與晶圓收納容器的任何一部分接觸。其理由是為了防止：在半導體晶圓背面之半導體晶圓與晶圓收納容器(例如支承部)的接觸部產生的粒子等，從背面繞行而附著於半導體晶圓表面。以往的支承半導體晶圓背面的情況，由於是支承半導體晶圓背面的周緣部，並無法克服上述問題點。本發明的晶圓收納容器的層架，由於在層架內側具有1個或複數個孔(或是形成穿孔狀態的環狀構造)，可減輕層架重量而朝晶圓收納容器的中心部側延伸。例如，由於層架內側形成穿孔狀態，可分散施加於層架和支承板部的根部的荷重而使其變小，因此能使層架的前端部延伸至遠離根部的地方。結果，藉由將晶圓載置於離開晶圓周緣部一定程度的載置突起上，能以不接觸晶圓周緣部的方式來固定晶圓。

本發明提供一種用來收納複數片的半導體晶圓之晶圓收納容器，其完全不接觸形成有半導體元件之半導體晶圓的表面側，而僅與半導體晶圓的側端頂部或是僅與半導體晶圓的側端頂部及半導體晶圓的斜面部接觸，且連半導體晶圓的背面周緣部也不接觸。

關於半導體晶圓的尺寸，現在已開始討論最大450mm的晶圓規格，其口徑是越做越大。另外，半導體元件的最小圖案也開始進入50nm以下。在如此般超微小的圖案，連用來保持半導體晶圓的環境氣氛內的非常微小的粒子和釋氣(outgas)也必須完全防止。特別是在始終保管著半導體晶圓的晶圓收納容器內，必須儘量減少半導體晶圓與晶圓收納容器的接觸，以防止因接觸而產生粒子。

第12圖是將半導體晶圓的端緣(端)周邊部放大的示意圖。半導體晶圓101的表面105側，是由平坦區域X及邊緣區域Y所構成。在平坦區域X形成有半導體元件。然而，一般而言，包含電晶體等的主動元件和電阻等的被動元件之半導體元件，是形成在從X和Y的邊界起算一定距離W的內側(元件形成區域107)。這是除了受到薄膜形成、蝕刻製程、光微影等的製程條件的限制以外，還考慮到為了防止前述粒子等所造成的缺陷。通常W為3~7mm，隨著近年來製程技術的進步以及半導體裝置的高性能化，W變得越來越小。邊緣區域Y，是由傾斜部103和晶圓邊緣最外部之晶圓側端頂部102所構成。由於傾斜部被稱為斜面(bevel)，在本說明書，將半導體表面側的傾斜部103稱為斜面上部，將半導體背面側的傾斜部104稱為斜面下部。如上述般，在近年來的超微細製程，對晶圓收納容器是要求著，與半導體晶圓表面側，亦即X部或斜面上部103完全不接觸。

為了將半導體晶圓支承固定於收納容器，一定要在某個部位讓半導體晶圓與晶圓收納容器接觸，因此不得不在晶圓邊緣Y最外部之側端頂部102進行最低限度的接觸。再者，在連接於側端頂部102之半導體背面側的斜面下部104，也不得不進行一定程度的接觸(在無法與斜面上部103接觸的情況，是與斜面下部104接觸)。若半導體晶圓為小口徑且厚度夠厚而具有充分的強度，僅藉由側端頂部及斜面下部的接觸，就能將半導體晶圓從邊緣側用力按壓，而支承固定於收納容器。然而，在半導體晶圓口徑變大但半導體晶圓的厚度不厚之現在的狀況下(將來應該也會維持這種傾向)，以及將半導體晶圓研磨變薄後使半導體晶圓的強度變得更小的狀況下，僅藉由半導體晶圓的側端頂部102及斜面下部104與晶圓收納容器的接觸，對於收納容器內之半導體晶圓的支承固定並不充分，在將晶圓從晶圓收納容器取出或放入時，在晶圓搬運中及收納容器的移送中可能發生半導體晶圓的破損。於是，不得不容許其接觸半導體晶圓的背面106側，但如前述般會發生：在半導體晶圓的背面周緣部與晶圓收納容器的接觸部產生的粒子等繞行到半導體晶圓表面側的現象。於是，變成必須使半導體晶圓背面周緣部Z(例如，半導體晶圓的側端頂部102及斜面下部104除外之距離晶圓側端頂部2~10mm處)完全不接觸晶圓收納容器的任何部分(在晶圓厚0.8~1.0mm之450mm晶圓的情況，邊緣區域Y的尺寸約0.4~1.0mm)。

本發明的晶圓收納容器，為了確實地因應這種要求，係具備：至少具有1個開口之收納容器本體、閉合前述開口的蓋體、在將前述收納容器本體用前述蓋體閉合時使前述收納容器本體的內部和外部環境氣密地隔離的密封構件、形成於前述收納容器本體的內部且將晶圓以整齊排列的狀態支承之晶圓保持具；其特徵在於：晶圓保持具係具備：將複數個晶圓以隔既定間隔沿軸方向整齊排列的狀態支承之複數個層架、用來支承前述層架的支承板部、用來將前述支承板部安裝於前述收納容器本體的內部之支承板安裝部、形成於前述支承板部而將前述複數個晶圓在徑方向施以限制的限制部；又在層架內側穿設1個或複數個孔。在本說明書記載的「在層架內側穿孔的構造」或「穿孔狀態的環狀構造」，除了層架內側的孔完全被層架及支承板包圍的構造(例如，層架及支承板狀呈環狀或框狀而周圍是完全連在一起的構造)以外，還包含層架內側的孔不完全被層架及支承板包圍的構造(例如，環狀或框狀的一部分缺口的構造，構成環狀或框狀的支承板狀的一部分或全部不存在的構造)。前者的例子，可列舉後述的B字形、D字形的層架、大致等邊三角形的層架。後者的例子，可列舉後述第22圖所示之E字形、D字形或B字形的無縱棒的形狀的層架。另外，層架具有：形成於層架上面(載置晶圓時的上側，與晶圓背面接觸的側)且用來支承載置上述晶圓背面之1個或複數個載置突起。

第1圖及第2圖係顯示本發明的晶圓收納容器的例子。第2圖係將容器本體2用蓋體4閉合的狀態之晶圓收納容器1的立體圖。第1圖，是為了充分掌握本發明，而將第2圖所示的晶圓收納容器1切成一半以觀察其內部的立體圖。其具備：分別設置於用來收納複數片的半導體晶圓S之容器本體2的對置側壁，將收納於內部的半導體晶圓S僅從一側(半導體晶圓S的背面)支承之晶圓保持具3；用來閉合容器本體2的開口2F之蓋體4。另外還具備：供搬運裝置(未圖示)的臂部把持之頂突緣5、在作業員用手搬運晶圓收納容器1時供其握持搬運用的把手6。

在第1圖及第2圖，容器本體2整體是形成大致立方體形。該容器本體2，通常是以縱向置放狀態(底板部2E朝下的狀態)來進行搬運，而在要將半導體晶圓S取出放入的情況，則橫向置放成半導體晶圓的表面朝上。另外，該容器本體2，是由周圍壁部之4片的側壁部2A、2B、2C、2D和底板部2E所構成，在其上部設置開口2F。在各側壁部2A、2B、2C、2D設置補強用肋9等。該容器本體2，在半導體晶圓S的生產線上等和晶圓搬運用機器人(未圖示)呈對置時，是在載置台上進行正確的定位且形成橫向置放狀態(第2圖的狀態)。在橫向置放狀態下，在構成頂部的側壁部2B的外側，藉由拆裝機構12將頂突緣5安裝於拆裝自如。在橫向置放狀態下，在構成橫壁部之側壁部2C、2D的外側，藉由拆裝機構12將搬運用的把手6安裝成拆裝自如。

在容器本體2的上端部，如第1圖所示，設置用來嵌合蓋體4之蓋體收容段部47。該蓋體收容段部47，是將容器本體2的上端部擴展成蓋體4的尺寸。藉此，蓋體4可嵌合於蓋體收容段部47的垂直板部47A的內側並抵接於水平板部47B，藉此安裝於蓋體收容段部47。再者，安裝於蓋體4下面側的密封構件(未圖示)是抵接於水平板部47B，藉此將晶圓收納容器1的內部施以密封。在蓋體收容段部47的垂直板部47A的內側設置嵌合孔48，以將在半導體製造過程專用的蓋體(未圖示)固定於容器本體2側。該嵌合孔48設置於蓋體收容段部47的四角部。另外，嵌合孔48的位置及形狀，是對應於半導體製造過程專用的蓋體來做適當的設定。

晶圓保持具3，如第1圖及第3圖所示，是分別設置於容器本體2內之相對置的側壁部2C、2D，用來將收納於內部的半導體晶圓S從兩側支承。晶圓保持具3是在容器本體2內的內側安裝成拆裝自如，在晶圓收納容器內，形成以二側基準面為對稱面而呈相對置的一對鏡像體構造(二側基準面，是SEMI規格所制定的，指通過晶圓中心而將晶圓收納容器的開口分成左右兩個的基準面)。晶圓保持具3主要具備：將多數個隔著一定間隔排列的各半導體晶圓S逐一分開支承的層架50、將各層架50以隔著一定間隔排列的狀態實施一體地支承之(晶圓保持具)支承板部51。此外，支承板部51具有：將半導體晶圓S在晶圓徑方向施以限制之限制部201(第4圖至第9圖)。

如第3圖所示，層架50在內側具有1個大孔。亦即是形成：內側為穿孔狀態的環狀構造，在至少兩處(M及N)被支承板部51支承之橋形。亦可將其稱為D字形層架。層架50是被支承板部51支承，是由從支承板部51延伸出的2個臂部34以及連結兩臂部的帶狀部分33所構成，由其等包圍的部分36成為內側穿孔狀態。亦即，是被支承板部51、2個臂部34以及帶狀部分33所包圍，而形成層架內側為穿孔狀態的環狀構造(以下稱「環狀」或「環狀構造」)。在第3圖雖顯示支承板部51為一體物(1片彎曲的板狀物)，但如第13圖所示，將支承板分割成用來支承層架50的支承板35、用來支承該支承板35的(縱向)支承板37(第13圖有2片)亦可。這種分割的支承板，有減輕支承板重量的好處。另外，由於可調整2片支承板37的寬度，可在2片支承板37之間形成充分的空間，而能從外側(晶圓收納容器為透明的情況，從晶圓收納容器的外側)觀察晶圓的配置狀況。第13圖雖顯示支承板37在支承板35上進行支承，但也能挾持在支承板35彼此之間，或是將其等成形為一體物。

在層架50的既定位置設置用來支承載置半導體晶圓背面之載置突起52。第4圖至第8圖係具有各種形狀之本發明的層架50和支承板部51及半導體晶圓的狀態之說明圖。是從晶圓保持具3的橫側觀察，在容器本體2內的相對置的側壁部2C或2D配置晶圓保持具3的狀態。晶圓保持具3，是在晶圓收納容器內，形成以二側基準面為對稱面而呈相對置的一對鏡像體構造，因此在第4圖至第8圖僅顯示其單側(二側基準面，是與圖中的通過晶圓中心的縱向中心線(一點鏈線)一致。第4圖用符號H表示)。第4圖係顯示半圓弧狀的環狀層架的例子(第4圖的層架在內側有一個大孔，可視為D字形層架的一種)。在晶圓保持具3的支承板部51設置層架50，層架50是由支承板部51的兩處(圖中的M、N)來支承。層架50，是從M及N延伸成圓弧狀的帶狀，層架50的內側(內部)成為環狀構造。由於層架50是成為環狀構造，可減輕層架50的重量，而能抑制層架50本身重量所造成之撓曲。

另外，由於層架50是在M及N兩處被支承板部51支承，故能更強固地支承層架50。因此，層架50可朝半導體晶圓的徑向伸出，而使其位置(支承半導體晶圓背面的位置)的調整自由度變大。由於在層架50上載置半導體晶圓，為了維持層架50不變形的狀態，除了在M及N之支承板部的支承強度加大、或將層架本身的強度加大以外，減輕層架本身的重量也是有效的，因此除了形成環狀構造以外，隨著離開支承部M、N而使層架50變薄變細的構造也是有效的。另外，藉由形成環狀構造，能使層架住晶圓中心延伸，而能支承更廣區域的晶圓背面，如此可增大晶圓背面的支承位置(亦即載置突起52的位置)之自由度。

在層架50的三處(圖中的P、Q、R)設置載置突起52，其與半導體晶圓的背面的既定部分接觸以將半導體晶圓從背面側支承。半導體晶圓，在晶圓保持具3的(支承板部51)的限制部201，使半導體晶圓的周緣部與晶圓保持具3接觸而在徑方向施以限制。亦即，在將半導體晶圓從晶圓收納容器取出放入時，是以半導體晶圓的背面朝下的方式來配置晶圓收納容器1(層架50的載置突起52朝上)。打開蓋體4，將晶圓插入晶圓收納容器本體2(例如將晶圓背面載置於叉構件)，而載置在層架50的載置突起52上。由於層架50是在晶圓收納容器本體2內形成1對(亦即兩處，載置突起52也是在層架50設置複數個)，因此將半導體晶圓載置於載置突起52上之後，即使移去叉構件，半導體晶圓也不會移動(當然必須使載置突起52的高度一致以讓半導體晶圓形成水平)。在將期望片數的半導體晶圓放入晶圓收納容器後，閉合蓋體4。在蓋體4安裝有：與晶圓周緣部接觸，且具備用來將晶圓在徑方向施以限制的限制部之晶圓按壓構件94(第10圖)。如此，半導體晶圓，是藉由從設置於晶圓收納容器本體的1對晶圓保持具3的限制部201及安裝於蓋體4的晶圓按壓構件94朝半導體晶圓徑方向的施力，而被按壓固定住。

在此，根據第9圖來說明本發明的晶圓保持具3的限制部201。第9圖是將在晶圓保持具設置半導體晶圓的狀態從晶圓厚度方向觀察的圖。S代表半導體晶圓，50代表層架，52代表載置突起，201代表限制部。限制部201是晶圓邊緣部與晶圓保持具3的支承板部51接觸的區域，用來將晶圓在徑方向施以限制。圖中，雖顯示限制部和層架位在相同位置，但晶圓邊緣與限制部接觸的位置，有時也會和層架的位置不同。又從第4圖至第7圖可看出，限制部201不一定要和層架50形成連續的(也是有連續的情況。亦即，可在L、M、N部設置限制部)。限制部201較佳為設置在可固定半導體晶圓之最佳位置。在期望儘量減少與半導體晶圓接觸的部分的情況，只要儘量減少與晶圓接觸的部分即可。然而，在因接觸所產生的粒子等非常少的情況，或因接觸所產生的粒子等不致構成問題的情況，若增大限制部201之與晶圓接觸的區域，則可更強固地固定住晶圓。

第9(a)圖係顯示限制部201具有V形溝槽(或U形溝槽)的情況。半導體晶圓S的邊緣被限制部的V形溝槽202挾持，而且半導體晶圓S背面被層架50的載置突起52支承固定著。在如此般使用V形溝槽或U形溝槽作為限制部201的情況，由於半導體晶圓邊緣部Y的斜面上部103也會接觸限制部201，故從接觸部產生的粒子等容易附著於半導體晶圓表面的元件區域而發生問題。

第9(b)圖係顯示具有大致垂直壁狀的側壁之限制部201的圖。僅半導體晶圓S的邊緣前端，亦即僅半導體晶圓S的側端頂部102與限制部201的側壁203接觸，半導體晶圓S的斜面上部103和斜面下部104都沒有接觸。半導體晶圓S的背面被載置突起52支承。在此情況，由於半導體晶圓邊緣部的斜面上部並未接觸限制部201，故不會發生如第9(a)圖所示之從接觸部產生的粒子等容易附著於半導體晶圓表面的元件區域的問題。

第9(c)圖係顯示限制部201的下部204(與半導體晶圓S的背面側接觸的部分)呈傾斜的情況。半導體晶圓S的邊緣當中的斜面下部104會與該傾斜面204接觸。藉由調整載置突起52的高度，能使限制部201的傾斜面204接觸半導體晶圓S的斜面下部104且使半導體晶圓S的側端頂部102接觸限制部201的垂直側壁203。相較於第9(b)圖的情況，由於半導體晶圓S和限制部201的接觸面積增大，晶圓收納容器內之半導體晶圓的穩定度變佳。在此情況也是，由於半導體晶圓邊緣部的斜面上部103未接觸限制部201，故不會發生如第9(a)圖所示之從接觸部產生的粒子等容易附著於半導體晶圓表面的元件區域的問題。

載置突起(52(P)、52(Q)、52(R))，在本發明，是以晶圓中心為中心，從上述晶圓收納容器的面部(facial)基準面朝前述開口側及底側(相對於開口側之裏側，以開口側朝上的方式置放收納容器時是收納容器的下側，或是與開口側相對置的側)方向以0度~δ度配置(δ為30~70的數值)。面部基準面是指，將收納於收納容器本體的晶圓二等分，而與收納容器的前面(晶圓取出放入的地方，亦即開口面)平行的垂直面。在第4圖，面部基準面，是包含通過晶圓中心的中心線G且與紙面垂直的面。在第4圖，載置突起52(P)是以晶圓中心O為中心而從面部基準面G朝開口側(第4圖的上側)方向形成角度r1；載置突起52(R)是以晶圓中心O為中心而從面部基準面G朝底側(第4圖的下側)方向形成角度r2。r1及r2是在0度~δ度(δ=30~70)的範圍，藉此能穩定地載置晶圓。再者，在r1和r2大致相等的情況，晶圓的穩定性更佳。另外，在超出上述範圍的情況，特別是r1超過70度的情況，層架和載置突起會成為阻礙，也可能會造成把持部(end effector)無法進入。特別是，若所載置的晶圓間的間距小，其阻礙會變大。52(Q)是在52(P)和52(R)之間，其角度比r1和r2更小。不管載置突起是1個的情況或載置突起是多數個的情況，載置突起的位置都是以0度~δ度(δ為30~70的數值)為佳。

在第4圖雖是顯示，載置突起是以面部基準面為邊界而在其上下及基準面附近分別設置1個的情況，但只要考慮附設在其他晶圓保持具的層架上的載置突起的關係而能將晶圓穩定地載置於層架上，將載置突起偏置於其中任一方亦可。載置突起為1個或2個的情況也是同樣的，能以面部基準面為邊界而偏置於其上下或基準面附近。又具有4個以上的載置突起的情況也是，載置突起能以面部基準面為邊界而偏置於其上下或基準面附近，或是可分散配置於該等區域。另外，如上述般載置突起雖以0度~δ度(δ為30~70的數值)的範圍為佳，但在不致妨礙晶圓的出入或不致影響晶圓穩定性的情況下，也能在偏離前述角度的位置設置載置突起。特別是在底側，如後述第8圖所示一方的晶圓保持具的層架和另一方的晶圓保持具的層架互相連結的情況，亦可在該連結部分等設置載置突起。

若考慮到與收納於收納容器的晶圓中心隔著大致一定距離的晶圓背面可接觸的區域(亦即載置突起的位置)，而針對晶圓從收納容器的出入容易性及晶圓的撓曲性等進行探討，該距離為晶圓直徑的0.3倍~0.5倍。再者，在晶圓收納容器1中，如上述般用來取出放入晶圓的叉構件和臂構件等會進入，因此從晶圓收納容器1的中心部起算的某個範圍內可能無法配置層架50。亦即，在設計層架50的配置及大小時，必須避開晶圓的操作區域。又由於在層架50內的載置突起52上載置半導體晶圓，為了防止半導體晶圓發生轉動或移動，必須計算整體的均衡而算出層架50內的載置突起52的位置。例如，如第4圖所示，以r1和r2大致相等且52(Q)位於其中間(亦即面部面附近)的方式在三處設置載置突起52，藉此形成穩定的狀態。另外，藉由採用微小形狀的載置突起52，可減少與半導體晶圓背面的接觸面積，而能減少接觸部產生的影響，但若過於微小，單位面積的荷重變大，因此也要考慮磨耗程度來算出最佳的形狀。另外，載置突起52的數目並不限於上述三處，也可以更多。或者，考慮到晶圓保持具有1對且進一步安裝後述後層架的情況，只要晶圓穩定，載置突起52為1或2個亦可。因此，載置突起52能在上述角度0度~δ度(δ為30~70的數值)內設置1處以上。

再者，層架50，為了符合半導體工業的規格，在半導體晶圓的背面位置，宜形成在以晶圓中心為中心而具有60~140度的視角r的位置(第7圖)。在此的視角，從第7圖可看出，從晶圓中心觀察層架時，是相當於晶圓圓周方向的層架所佔範圍的中心角。因此，例如佔全圓周的層架的情況，視角為360度；佔圓周一半的層架的情況，視角為180度。若考慮到與二側(bilateral)面隔著大致一定距離的晶圓背面可接觸的區域，而針對晶圓從收納容器的出入容易性及晶圓的撓曲性等進行探討，該距離為晶圓直徑的0.3倍~0.5倍，且可接觸區域的視角r最大為約140度。又為了穩定地載置晶圓，視角r必須為60度左右(晶圓保持具的層架為1個的情況)。

再者，在晶圓收納容器1中，如上述般用來取出放入晶圓的叉構件和臂構件等會進入，因此從晶圓收納容器1的中心部起算的某個範圍內可能無法配置層架50。亦即，在設計層架50的配置及大小時，必須避開晶圓的操作區域。又由於在層架50內的載置突起52上載置半導體晶圓，為了防止半導體晶圓發生轉動或移動，必須計算整體的均衡而算出層架50內的載置突起52的位置。例如，若在形成上述視角r之層架50的帶狀部分33上，在將視角大致二等分的位置共三處設置載置突起52，會成為穩定的狀態，再者，藉由採用微小形狀的載置突起52，可減少與半導體晶圓背面的接觸面積，而能減少接觸部產生的影響，但若過於微小，單位面積的荷重變大，因此也要考慮磨耗程度來算出最佳的形狀。另外，載置突起52的數目並不限於上述三處，也可以更多。或者，只要晶圓穩定，載置突起52為1或2個亦可。基於以上說明，載置突起52，可在形成上述視角r之層架50的帶狀部分33上，以將視角大致二等分的位置為中心而設置1處以上。

在禁止半導體晶圓的背面周緣部與晶圓收納容器接觸的情況，也能使用本發明的層架50。亦即，在層架50的臂部34或帶狀部分33(第4圖的層架呈圓弧狀，故臂部和帶狀部一致)中，只要在相當於晶圓周緣部的部分(通常為臂部34的場所)不設置載置突起，即可輕易地實現。

第5圖係顯示其他的層架50的例子。在晶圓保持具3的支承板部51附設層架50，層架50是被支承板部51的兩處(圖中的M及N)所支承。層架50，是從M及N延伸而在中途彎曲，沿半導體晶圓的圓周方向呈帶狀延伸而連結在一起。層架50的內側當然是形成環狀構造。在第5圖，載置突起52是在圓周方向的帶狀部分33設置於三處(P、Q、R)。這個狀態，也是取半導體晶圓的力矩的平衡(晶圓載置位置，相對於晶圓中心位於大致等距離的位置)，因此半導體晶圓的穩定性佳。又同時顯示限制部201。另外，第5圖的層架也是，在層架內側的1個大孔是被臂部及帶狀部分所包圍，因此也能視為是D字形層架。

第6圖係顯示其他的層架50的例子。在晶圓保持具3的支承板部51附設層架50，層架50是被支承板部51的兩處(圖中的M及N)所支承。層架50是形成內側為環狀構造之長方形帶狀。在第6圖，載置突起52是在長方向的帶狀部分33設置於三處(P、Q、R)。載置突起52，在僅在一處載置晶圓時不穩定的情況，是如此般設置二處以上，亦即設置複數個(第5圖、第6圖的情況是同樣的)。另外，在第6圖的層架也是屬於D字形的1種。

第7圖係層架50在支承板部51的三處(圖中的L、M、N)被支承的情況，是形狀和第4圖相同的內側為環狀構造之圓弧狀層架50。也受到支承板部51的正中央的支承以補強帶狀部分33。在第7圖，載置突起52是在圓周方向的帶狀部分33設置三處(P、Q、R)。第5圖及第6圖的形狀的層架50也是同樣的，可在正中央附近受支承板部51的支承以補強帶狀部分33。第7圖所示的層架在內側具有2個孔，可稱為B字形層架。

本發明的層架，也能具有比第7圖所示的B字形層架(內側具有2個孔的層架)更多的孔。例如，以臂部或帶狀部作為框架來形成網狀。在該網狀框架部分的1或複數部位設置載置突起，而在其上方載置晶圓。依據這種構造，可將載置突起上所載置的晶圓重量分散於多數個框架。如以上所說明，本發明的層架，藉由在內側具有1個或複數個孔，可減輕層架重量，可減少施加於層架和支承板部的根部的力量，即使在層架的載置突起上載置晶圓，層架也不會發生過度撓曲。

第8圖係顯示，在容器本體2內的相對置的側壁部2C及2D設有1對層架50之2個晶圓保持具3的層架相連結的狀態。第8圖所示的晶圓保持具3的形狀，是和第5圖所示的類似，層架50的帶狀部分33沿圓周方向(下方)延伸，和另一方的晶圓保持具3的層架50的帶狀部分連結。本發明也能使用這種連續的晶圓保持具3。

如前述說明般，層架50的作用，是將複數個晶圓以隔既定的間隔沿(半導體晶圓的)軸方向整齊排列的狀態予以支承。半導體晶圓的厚度，雖依晶圓尺寸而定，但在進行背面磨削前為約0.4mm~約1.2mm(直徑100mm~600mm的晶圓)。另外，層架厚度為約0.2mm~約2.0mm。若考慮到載置突起的高度、層架和晶圓的間隙，收納容器之層架間的間距為約5mm~25mm。

如第3圖所示，在晶圓保持具3的上部設置2個把手54。該把手54，是抬起晶圓保持具3時供握持的部分。可用手指或機械握持2個把手54而往上抬起。上述支承板部51，是將各層架及限制部以一體的方式支承著。晶圓保持具3，係藉由上部嵌合部55、下部嵌合部56而以可拆裝的方式固定於容器本體2之相對置的各側壁部2C、2D。該上部嵌合部55及下部嵌合部56是構成晶圓保持具3的安裝部。

第1圖係顯示晶圓保持具3安裝於晶圓收納容器本體的側壁部2D的狀態。關於將晶圓保持具3固定在晶圓收納容器的方法，例如是詳細記載於日本特開2004-214269號。在將蓋體4(用來閉合收納容器本體4的開口2F)蓋合於收納容器本體4時，藉由設置於收納容器本體側及/或蓋體側的密封構件，使收納容器本體2的內部和外部環境氣密地隔離。

第10圖係顯示配合蓋體而按壓晶圓之晶圓按壓構件的立體圖，第11圖係其俯視圖。晶圓按壓構件94如第10圖及第11圖所示，是形成大致長方形。該晶圓按壓構件94的長邊方向兩端部和中央部是固定在蓋體4的背面，在其間構成按壓部95。按壓部95，是將半導體晶圓S從其上部施以彈性按壓以進行支承的構件，是由多數個並排的按壓帶96所構成。按壓帶96是有彈性的構件，是形成向下彎曲。再者，按壓帶96的平面形狀(第10圖的狀態的形狀)，是沿著半導體晶圓S的周緣彎曲成波形，而使半導體晶圓S不致進入按壓帶96的間隙。

按壓帶96的側面形狀，是形成朝下側的山形。在該山形部分的2個頂點位置設置：將半導體晶圓S逐一嵌合而隔著一定間隔予以支承之嵌合溝槽97。嵌合溝槽97是形成銳角以挾持半導體晶圓S的周緣。

晶圓按壓構件94，可在收納容器本體裝設晶圓後，放入收納容器本體，然後再將蓋體4對準收納容器本體2而蓋合。或是，將晶圓按壓構件94預先安裝於蓋體4，在將蓋體4蓋合於收納容器本體2時，使其對準裝設在收納容器本體2內的晶圓。後者的情況適用於自動化。嵌合於晶圓按壓構件94的嵌合溝槽97之半導體晶圓S，是被形成銳角的嵌合溝槽97所挾持而受支承。在此嵌合溝槽97雖是形成銳角，但一般而言，是將嵌合溝槽97的角度最佳化以適當地進行晶圓的取出和保持。換言之，嵌合溝槽97不一定要是銳角，也可以是鈍角或以大致垂直面來支承之U字形。藉此，即使是對晶圓支承容器1施加強力衝擊的情況，嵌合溝槽97仍能挾持半導體晶圓S的周緣而抑制旋轉及移動，以進行確實的支承。另外，由於按壓帶96沿著半導體晶圓S的周緣而形成波形，即使半導體晶圓S脫離嵌合溝槽97仍不會進入各按壓帶96之間。

嵌合溝槽97，可如第9(a)圖所示般形成V形溝槽(或U形溝槽)。這時，可獲得和嵌合溝槽97形成銳角的情況相同的效果。或是如第9(b)圖或第9(c)圖所示般形成：僅半導體晶圓的側端頂部、或是僅半導體晶圓的側端頂部和晶圓的斜面下部與晶圓接觸的構造。這時，雖沒有挾持晶圓的效果，但利用從半導體晶圓的側端頂部朝半導體晶圓徑方向的按壓力，可藉由晶圓保持具3的限制部(1對)和晶圓按壓構件94來固定半導體晶圓。

晶圓按壓構件94，可具有和第9圖所示相同的層架及載置突起，以支承半導體晶圓的背面。如此般藉由具備層架等，可更穩定地固定半導體晶圓。

若晶圓大口徑化成300mm以上，若維持晶圓厚度不變其撓曲量會變大，為了抑制撓曲量則必須增大其厚度，隨著晶圓的體積變大，晶圓重量也會變大。因此在本發明的層架呈水平的情況，若晶圓變得大口徑化，在載置晶圓時，依層架的強度可能造成層架向下撓曲。若該撓曲量變大，在用載置突起來支承晶圓背面的情況，晶圓周緣部會和層架接觸，起因於該接觸會產生粒子。為防止此現象，在本發明的層架，是從(晶圓保持具)支承板部的根部朝層架的前端，亦即朝所載置的晶圓徑方向的晶圓中心而形成往晶圓中心軸側上方傾斜，也就是從所載置的晶圓的背面側朝表面側方向傾斜。而且，層架的最上部，就是形成於該層架的載置突起的最上部。

第14圖係前述呈傾斜的層架之示意圖，是將晶圓收納容器的蓋體卸下，從載置晶圓的方向、亦即晶圓徑方向觀察的圖(第1圖的側壁部2A朝下的狀態)。圖中之下方為晶圓背面側，圖中之上方為晶圓表面側。在收納容器本體311的兩側壁部(左右的側壁部，第1圖及第2圖的2C、2D)安裝(晶圓保持具)支承板部312。如第14圖所示，(晶圓保持具)支承板部312，是在三處的安裝部(上部315、中央316、下部317)大致垂直地安裝於收納容器本體311的側壁部(2C、2D)。另外，(晶圓保持具)支承板部312是大致對稱地安裝於收納容器本體311的側壁部(2C、2D)。層架313是以朝上方傾斜的方式安裝於(晶圓保持具)支承板部312。沿晶圓軸方向配置的層架313數目，是和收納於晶圓收納容器的晶圓數目相同，傾斜角為一定(θ)且層架313的間距也是一定的。傾斜角，可以是呈傾斜的層架的中心軸和晶圓背面的夾角，也可以是呈傾斜的層架所支承的晶圓背面和該層架之與該晶圓背面相對置的側面的的夾角。在層架313的前端部附設載置突起319，該載置突起319的最上部是在層架313當中最高的部分。如第14圖所示，晶圓S背面被載置在該層架上，並收納於晶圓收納容器。如前述般，晶圓S周緣部是與用來將晶圓S在徑方向施以限制的限制部314接觸，其接觸狀態是和第9圖的說明相同。

晶圓S背面是與層架313當中最高的部分，亦即載置突起319接觸。若晶圓S僅在周緣部受支承而在晶圓S的背面呈自由狀態(未受支承)，其重量會造成晶圓S撓曲，且如前述般隨著晶圓S的大口徑化，其撓曲量變大。只要在本發明的層架上載置晶圓S，由於晶圓S是連背面也受到支承，故能抑制晶圓撓曲。然而，在水平層架的情況，晶圓S的重量可能造成層架往下沉。特別是在厚度薄的層架或由低強度的材料構成的層架的情況，由於往下方的變形量變大，可能會導致晶圓S彼此接觸或層架與晶圓表面接觸。又為了防止該等的接觸，必須將層架間距加大而使收納容器變大。再者，若層架往下方變形，晶圓背面可能會接觸層架的根部附近。

於是，藉由採用第14圖所示之往上傾斜的層架319，可抑制往下方的傾斜，可縮小層架的間距而使晶圓收納容器小型化，或能在晶圓收納容器內收納更多數的晶圓。此外，由於晶圓S的背面不會與載置突起319以外的層架313部分接觸，從晶圓表面繞到晶圓背面周緣部的薄膜不會剝離而產生粒子，因此不致污染晶圓，如此可將晶圓收納容器內保持在極清淨的狀態。再者，也能使層架變薄或寬度變窄，而能謀求層架的輕量化。

在第14圖雖僅顯示1個載置突起319，但只要載置突起319的高度一致，也能設置複數個載置突起319。在具有複數個載置突起319的情況，由於層架呈傾斜，必須使該等載置突起319的最上部的高度一致而和晶圓背面同時接觸。晶圓背面是載置於該等的載置突起319上，若載置突起319最上部的高度不一致，晶圓會發生傾斜，或存在著無法與晶圓背面接觸的載置突起319，並不理想。在層架313之高度相等的複數場所設置載置突起319的情況，可設置相同大小(單體的載置突起的高度相同)之載置突起319。但在層架313的高度不同的複數場所設置載置突起319的情況，必須調整載置突起319的大小(單體的載置突起的高度)，以使完成時(或安裝於晶圓收納容器時)的層架最上部的高度相同。

在讓層架傾斜的情況也是，從晶圓的中心軸上方(亦即晶圓面的上方)觀察的圖，是例如和第4圖至第8圖相同。層架的形狀為第4圖所示的圓弧形的情況，圓弧狀的層架的中央附近在層架中最高。若僅在該部分設置1個載置突起(第4圖的52(Q))時，只要考慮該載置突起的高度即可，若在其他部分也要設置載置突起(第4圖的52(P)、52(R))時，則必須加高52(P)、52(R)(單體)載置突起的高度而使其和52(Q)的高度相等。

第5圖的形狀的情況會變得稍微複雜。層架的臂部34當然是往上傾斜，層架的帶狀部分33可為整體的高度相同，該帶狀部分33亦可進一步往上方或下方傾斜。在帶狀部分33高度相同的情況，可設置高度相同的載置突起52(P)、52(Q)、52(R)。在呈傾斜的情況，必須調整單體的載置突起52(P)、52(Q)、52(R)的高度，而使其全部成為相同高度。

第6圖的形狀的情況也是變得稍微複雜。層架的臂部34當然是往上傾斜，層架的帶狀部分33可為整體的高度相同，該帶狀部分33亦可進一步往上方或下方傾斜。在帶狀部分33高度相同的情況，可設置高度相同的載置突起52(P)、52(Q)、52(R)。在呈傾斜的情況，必須調整單體的載置突起52(P)、52(Q)、52(R)的高度，而使其全部成為相同高度。

在第7圖的形狀的情況，是和第4圖所示的情況類似。圓弧狀部分34、33往上傾斜，補強部分也往上傾斜。圓弧狀的層架的中央附近是在層架當中最高。若僅在該部分設置1個載置突起(第7圖的52(Q))時，只要考慮該載置突起的高度即可，若在其他部分也設置載置突起(第7圖的52(P)、52(R))時，則必須將52(P)、52(R)(單體)載置突起的高度增高成和52(Q)的高度相等。

第8圖的形狀的情況也是變得稍微複雜。層架的臂部34當然是往上傾斜，層架的帶狀部分33可為整體的高度相同，該帶狀部分33亦可進一步往上方或下方傾斜。在帶狀部分33高度相同的情況，可設置高度相同的載置突起52(P)、52(Q)、52(R)。在呈傾斜的情況，必須調整單體的載置突起52(P)、52(Q)、52(R)的高度，而使其全部成為相同高度。再者，在與另一側的層架相連結的部分，可為高度相同，亦可為進一步往上或往下傾斜。在該連結部分設置載置突起的情況，其高度必須和其他的載置突起(52(P)、52(Q)、52(R))相同。

第15圖係顯示形狀和第4圖~第8圖不同的層架的例子，晶圓收納容器本體331是處於通常設置的狀態，亦即，晶圓收納容器本體331的底部(第1圖的2E)朝下，晶圓出入側(開口側)(第1圖的2F)朝上，是在正面看得到晶圓面的方向的截面圖(未顯示晶圓面)。第15圖所示的晶圓保持具，是和第4圖~第8圖同樣的，呈對稱地分別安裝於容器本體331內的相對置的側壁部2C及2D。形成於晶圓保持具的層架仍是呈環狀構造，複數個層架是鄰接於一側的(晶圓保持具)支承板部332或333，藉此可謀求層架的輕量化和強度提昇。

第15圖所示的層架，是呈底邊位於收納容器本體側(側壁部2C側或2D側)之大致等邊三角形(底邊部沿晶圓外周呈大致圓弧狀，二個子層架(為了和到此為止所敘述的配置在收納於收納容器的晶圓的軸方向之層架區別而稱為「子層架」)為等邊且在前端部交會的形狀)的環狀構造，是將同大小且同形狀的二個大致等邊三角形的子層架334(第1子層架334-1、第2子層架334-2)形成於一方的晶圓保持具。另外，在安裝於相對置的側壁部之晶圓保持具也是，以大致對稱的方式形成二個同樣的子層架335(335-1、335-2)。1組子層架之2個等邊子層架交會的前端部(也稱為頂點(部))是大致朝向晶圓中心。在這種懸 臂式的子層架的情況，在以相同材料和相同重量來做比較時，等邊三角形的形狀是強度最強的形狀之一，因此是最適用於本發明的晶圓保持具的形狀。而且由於具備複數個同樣的等邊三角形形狀，即使支承大口徑晶圓，也能使撓曲和扭曲成為最小。在第15圖由於晶圓保持具有2個，晶圓是由4個等邊三角形的子層架來支承。一般而言，子層架的個數的最大數目是取決於：1個大致等邊三角形的前端部之交角(頂角)、等邊長度以及(晶圓保持具)支承板部的尺寸。

第15圖所示的載置突起336(336-1、336-2)及337(337-1、337-2)，是形成於等邊三角形的子層架的和底邊相對置的頂點附近。亦即，在第1子層架334-1的頂點附近設置第1載置突起336-1，在第2子層架334-2的頂點附近設置第2載置突起336-2。另外，在對稱位置之子層架335-1的頂點附近設置第1載置突起337-1，在子層架335-2的頂點附近設置第2載置突起337-2。第15圖所示的4個等邊三角形由於具有同程度的大小，形成於各頂點之載置突起的位置，是將載置於其上方的晶圓之與周緣部隔著大致等距離的位置的背面予以支承。亦即，載置突起是位於環狀區域，換言之當載置有晶圓時，配置成位於晶圓之大致同心圓周上。因此，晶圓重量是同程度地分配於載置突起，晶圓本身重量所造成的撓曲變得更均一。層架(子層架也是同樣的)呈水平的情況，如前述般，依層架強度及層架重量可能發生層架往下變形，但圖示之等邊三角形的形狀是變形量最少的形狀之一。為了進一步減少變形量，如第14圖所示，相對於晶圓面，使層架形成往上傾斜的構造。亦即，層架是形成：從層架和(晶圓保持具)支承板部的根部朝層架前端部往晶圓中心(軸)側上方傾斜。如此般將層架設計成複數個大致等邊三角形且讓層架傾斜，可在確實地抑制層架變形的狀態下僅藉由載置突起來支承晶圓。結果，晶圓本身的撓曲也會變得非常少。

層架及載置突起，由於通常是使用樹脂來成形，可製作出對應於其等的形狀之模具，將樹脂注入模具(例如射出成形)而製作成層架及載置突起。

第19圖係將第14圖所示的晶圓保持具(支承板部及層架)放大的示意圖。層架513，相對於(晶圓保持具)支承板部511是以前述角度θ傾斜。如前述般(晶圓保持具)支承板部511在安裝於收納容器的狀態下，在載置晶圓時，相對於水平面(晶圓面)呈垂直狀態，因此這時角度θ是相對於水平面為鉛垂方向的角度。在層架513的前端部附設載置突起514，在其上方以接觸晶圓S背面的方式載置晶圓S。角度θ，是層架513所支承的晶圓背面和層架513的與晶圓背面相對置的側面的夾角。若層架513與水平的夾角為α，則α=90-θ。另外，如前述般，晶圓S的邊緣部與(晶圓保持具)支承板部511的限制部512接觸。角度α只要為0.1度以上即可，但在載置晶圓S時，受到晶圓重量使層架513往下變形而使層架變得比水平位置更低的情況，是比0.1度更大。若加大該角度α，當然層架513的間隔(間距)會變大。另外，依層架513長度的不同，其間隔也會改變。在晶圓收納容器雖希望能收納多數的晶圓，但由於受到晶圓收納容器大小的限制，角度α宜為0.1~3.5度。另外，由於(晶圓保持具)支承板部也可能發生彎曲的情況，角度θ有時宜視為：在層架載置晶圓時，相對於晶圓面(水平面)的鉛垂方向和層架的夾角。

若層架513的間距為a，(晶圓保持具)支承板部511的限制部512至載置突起514的最上部(晶圓接觸位置)的距離、亦即(晶圓保持具)支承板部511的根部至形成於層架513之載置突起514的最上部的連結線之晶圓徑方向成分為b，層架513的根部厚度為c，層架513根部上端至載置突起514的最上端部的距離為d，載置突起514的最上端部至層架513根部下端的距離為e，則a=c+d+e。另外，若層架513長度(層架513的根部至載置突起514的最上端部所在的層架位置的距離)為m，則b=msinθ。

b只要比晶圓周緣部(從晶圓邊緣端起算1~5mm的部位)更內側即可，但在晶圓變得大口徑化的情況，由於晶圓重量會造成晶圓本身撓曲，故不宜過短(晶圓之比b更內側的部分發生撓曲)。在晶圓徑300~500mm的情況，b宜為40~100mm。具有上述b及α的層架，能以不致阻礙晶圓出入且儘量減少晶圓重量所造成的晶圓撓曲的方式來支承晶圓背面。例如，在載置450mm晶圓的情況，能以儘量抑制晶圓撓曲的方式來支承晶圓背面，且能以樹脂毛邊等(層架等的成形時發生在層架上)不致接觸晶圓的方式來支承晶圓。

c=約2.5mm、e=約2mm時，b=約90mm、α=約3.5度時，層架間的間距a為約10mm。然而，c、α會依層架的材料強度而可能變得更小，e會依晶圓厚度和晶圓出入收納容器的裕度而有增減。又關於b，會依層架本身重量所造成的變形程度、晶圓出入時的困難程度等而改變。例如，晶圓本身重量所造成的變形程度完全沒有問題且晶圓出入時困難度小的情況，在大口徑晶圓的情況，可往比90mm更內側、亦即往晶圓中心側延伸，再者若在其間設置1個以上的載置突起等，可進一步減少晶圓本身的撓曲。

第15圖所示之大致等邊三角形的子層架，其頂角為15~140度，較佳為45~75度，最佳為大致60度。例如在300mm的收納容器，1個晶圓保持具(相對於晶圓中心之晶圓保持具部區域的視角為約75度)所附設的子層架的數目說明如下。在b=40mm、頂角15度的情況，大致等邊三角形的底邊長為約11mm、等邊長約41mm，因此是附設最多約18個的等邊三角形子層架。在b=40mm、頂角45度的情況，大致等邊三角形的底邊長為約34mm、等邊長約44mm，因此是附設最多約6個的等邊三角形子層架。在b=40mm、頂角60度的情況，是附設最多約4個；在b=40mm、頂角75度的情況，是附設最多約3個；在b=40mm、頂角140度的情況，是附設1個大致等邊三角形子層架。

在300mm的收納容器，1個晶圓保持具(相對於晶圓中心之晶圓保持具部區域的視角為約75度)所附設的子層架，在b=90mm的情況其數目說明如下。在頂角15度時，附設最多約8個的大致等邊三角形子層架。在頂角45度時，附設最多2個的大致等邊三角形子層架。在頂角60度時，附設約2個的大致等邊三角形子層架。在頂角75度時，附設1個的大致等邊三角形子層架。

在450mm的收納容器，1個晶圓保持具(相對於晶圓中心之晶圓保持具部區域的視角為約75度)所附設的子層架，在b=90mm的情況其數目說明如下。在頂角15度時，附設最多約12個的大致等邊三角形子層架。在頂角45度時，附設最多約4個的大致等邊三角形子層架。在頂角60度時，附設2個的大致等邊三角形子層架。在頂角75度時，附設約2個的大致等邊三角形子層架。

第16圖係顯示本發明之具有呈傾斜的層架之其他實施例。第16圖所示的層架343，是和第14圖所示的層架同樣的，相對於(晶圓保持具)支承板部呈傾斜，亦即如前述般在載置晶圓時，相對於水平面(或晶圓面)呈傾斜。且進一步具備層架補強肋350。層架補強肋350，是形成在與層架所支承的晶圓相對置的側之層架面和(晶圓保持具)支承板部之間，從層架的根部延伸到層架中段，可將層架予以補強。藉由該層架補強肋350，在載置晶圓時，可將晶圓重量所造成之層架撓曲抑制成最小，且能防止層架的間距變大，結果可增加容器內之晶圓收納數目。

第19圖也顯示層架補強肋515。層架補強肋515，是在(晶圓保持具)支承板部511和層架513的根部，以厚實且水平的狀態往晶圓徑方向延伸，藉此來補強層架513。該根部的受力最大。亦即，除了承受層架整體的重量以外，在將晶圓載置於層架時還承受晶圓重量。因此，根部之肋高度(厚度)大。由於層架側的層架補強肋的重量也會負荷於根部，隨著遠離根部，逐漸使其高度變小，以避免發生應力集中部分。換言之，層架補強肋是從層架(和支承板部)的根部延伸至層架中段，層架補強肋的晶圓軸方向的尺寸，在根部最大，而隨著接近層架中段逐漸變小。另外，取代這種層架補強肋，使層架具有厚度，且使根部的厚度較厚，而隨著接近層架前端使其厚度變薄，如此也能有效地強化層架。另外，上述層架的補強，不僅是適用於呈傾斜的層架，也適用於未傾斜而呈水平的層架。例如，可將層架局部增厚(但在將晶圓載置於載置突起時，不致接觸晶圓表面及背面的程度)，或配合不同材料來使用等，以將層架施以補強。

第17圖係顯示，和第15圖同樣的大致等邊三角形形狀的複數個子層架之層架補強肋，是從晶圓面側觀察的截面圖。在大致等邊三角形的各子層架362、363、365、366的2個等邊(362-1和362-2、363-1和363-2、365-1和365-2、366-1和366-2)的內側附設：從子層架和(晶圓保持具)支承板部(361、364)的根部延伸至各等邊的中段之層架補強肋371(371-1、371-2)、372(372-1、372-2)、373(373-1、373-2)、374(374-1、374-2)。另外，在子層架362、363、365、366的頂角部分別附設載置突起367、368、369、370，這4個載置突起367、368、369、370最上部的高度相等，在載置晶圓S時，由於這4個載置突起是均一地與晶圓S背面接觸，故晶圓S不會傾斜。

第20圖係顯示，在和第17圖同樣的層架(子層架)上載置晶圓的狀態之立體圖。層架522，是相對於(晶圓保持具)支承板部521呈傾斜安裝，且具備：以(晶圓保持具)支承板部521為底邊之大致等邊三角形的2個等邊(522-1、522-2)。在2個等邊的交會部分之頂角附近附設載置突起523，晶圓S背面載置於該載置突起523上。從層架522的根部至2個等邊的的中央附近附設有層架補強肋524(524-1、524-2)。由於是在層架522上載置晶圓S，層架522會受到晶圓S重量所產生之往下的力。層架522是呈懸臂樑狀，在(晶圓保持具)支承板部521和層架522的根部承受著晶圓S重量及層架522本身的重量。因此，若根部的強度不足，層架522在根部附近可能發生變形。層架補強肋524也附設在(晶圓保持具)支承板部521，層架補強肋524可在根部將層架522施以補強，以抑制根部的變形。另外，雖然層架522本身也有往下變形的可能性，但藉由層架補強肋524可儘量減少其變形發生。特別是由於層架補強肋524是在根部較厚而往前端部逐漸變薄，因此可進一步強化其補強程度。

另外，層架522的2個等邊(522-1、522-2)大致相等且在頂角部附設載置突起523，因此往下的力是均等地負荷於各等邊，不致使一方承受較大的力量。如此也能儘量減少層架的變形。再者，如前述般，晶圓S雖與(晶圓保持具)支承板部的限制部525接觸，但層架522的根部之(晶圓保持具)支承板部部分521不一定會與晶圓S接觸。亦即，晶圓S雖是呈圓形，但(晶圓保持具)支承板部不一定是呈圓形。然而，層架底邊側之(晶圓保持具)支承板部的一部分(或全部)是與晶圓邊緣接觸，該接觸部分成為在徑方向限制晶圓之限制部。在層架底邊側之(晶圓保持具)支承板部全部都與晶圓邊緣接觸的情況，限制部(亦即，(晶圓保持具)支承板部之與晶圓邊緣接觸的部分)成為直徑和晶圓徑大致相等的圓弧狀。

第18圖係顯示本發明的其他實施形態，除了具有附設第17圖所示的層架補強肋之大致等邊三角形的子層架之晶圓保持具以外，進一步設置：在與收納容器本體的開口相對置之背面部(第1圖的底板部2E)內側具有後層架(設置於背面的層架而稱為「後層架」)的晶圓保持具。該後層架396(2個等邊396-1、396-2)和相當於底邊部的後(晶圓保持具)支承板部395是形成大致等邊三角形的環狀構造。在與收納容器本體的開口部相對置的背面部內側，藉由後晶圓保持具安裝部398來安裝後晶圓保持具。後層架396是附設於後(晶圓保持具)支承板部395，和安裝於收納容器側壁部的上述層架(子層架)同樣的，其頂角部是朝晶圓中心側。在大致等邊三角形的後層架396的頂角部設置載置突起397。在將收納容器橫向放置時，該載置突起397的高度是和安裝於收納容器側壁部之其他子層架(382、383、385、386)的載置突起(387、388、389、390)的高度相同，因此在載置晶圓S時，是和其他載置突起同樣的使晶圓背面接觸該載置突起397。

因此，後層架396是和其他層架以同程度的角度θ形成傾斜(或是使載置突起397的高度一致)。另外，在其他子層架未傾斜時，後層架396也同樣的不傾斜。如此般藉由設置後層架，不僅是在設置在相對置的兩處之收納容器側壁部之子層架，在設置於其等的大致中間位置的場所也能支承晶圓背面，因此可進一步減少晶圓的撓曲，而能實現更窄的間距，以進一步增多可收納於收納容器內的晶圓數目。

和其他的層架(子層架)同樣的，附設用來補強後層架396的層架補強肋399(399-1、399-2)亦可。另外，後(晶圓保持具)支承板部395，不一定要以大致等邊三角形的底邊部的形式來形成直線狀，也能形成曲線狀。另外，在後(晶圓保持具)支承板部395不一定要設置限制部，晶圓邊緣不與後(晶圓保持具)支承板部接觸亦可(在其他晶圓保持具的限制部與晶圓邊緣接觸)。然而，若在後(晶圓保持具)支承板部395設置限制部來按壓晶圓邊緣，可將晶圓固定地更牢固。

另外，藉由使載置突起和收納於收納容器之晶圓中心隔一定距離，可將晶圓穩定地固定在收納容器。為了容易從收納容器的開口進行晶圓的取出放入，且為了儘量減少晶圓撓曲，該距離宜為所收納的晶圓直徑的0.3倍至0.5倍的範圍。

目前為止所說明的晶圓保持具，主要是針對可和收納容器分割或分離的構件的形式。由於晶圓保持具具有上述般複雜的構造，若考慮到成形模具的製作以及定期洗淨等，以上述分割或分離的形式較佳，但依該晶圓保持具的構造，也能以和收納容器形成一體的方式來製作(例如插入成形)。形成一體的情況之好處在於，可省去晶圓保持具之安裝及組裝作業，經由1次的成形即可製作出收納容器本體和晶圓保持具。又關於洗淨也是，可改良洗淨裝置和洗淨液，以和分別洗淨的情況同樣程度的作業即可完成洗淨。例如，晶圓保持具的構成要素之安裝部可和收納容器本體形成一體。另外，層架(包含子層架)也和收納容器本體形成一體亦可。再者，限制部也和收納容器本體形成一體亦可。這些都例如能在藉由插入成形進行成形時和收納容器本體一起形成。

第21圖係顯示將晶圓保持具((晶圓保持具)支承板部和層架)藉由插入成形進行成形時的形狀的示意圖。插入成形，是預先形成出晶圓保持具的成形體，將該成形體插入收納容器本體的成形模具，然後注入樹脂而形成一體物。以(晶圓保持具)支承板部602配設於收納容器本體601的嵌合部的方式進行插入成形。嵌合部是指，晶圓保持具熔合於收納容器本體而接合成一體的部分。若使接合部分(收納容器本體601和(晶圓保持具)支承板部602的邊界部分)的表面稍熔融而進行熔合，其接合強度變強，因此要插入的晶圓保持具(特別是(晶圓保持具)支承板部602)，宜使用熔點比隨後注入的收納容器本體601樹脂低的材料。然而，只要能形成包圍晶圓保持具的插入部的周圍，不一定要符合前述條件。例如第21圖所示，能使用具有包入部606的晶圓保持具和收納容器本體601的模具，也能使用可形成底切(undercut)607之晶圓保持具和收納容器本體601的模具。結果，附設層架603之晶圓保持具不會從收納容器本體601脫離，而能使(晶圓保持具)支承板部602和收納容器本體601強固地結合在一起。當然，若配合上熔合性，可進一步強化其結合。

另外，藉由使晶圓保持具的插入部的角部儘量形成平滑，可避免應力集中在隨後注入的收納容器本體樹脂，因此可進行高加工精度的加工。另外，宜避免熱膨脹係數差異太大的樹脂。在這種情況，若將成形品加溫，樹脂會產生伸縮，而可能發生接合部的剝離或裂痕等。為了防止熱收縮所造成的剝離，較佳為在局部形成第21圖所示的底切607。再者，在插入成形時，包圍(晶圓保持具)支承板部602之收納容器本體601的樹脂厚度，必須能充分承受插入所產生之內部應力。例如，相當於底切607外側的突緣部和包入部606的厚度的設計很重要。

另外，關於層架，可不和(晶圓保持具)支承板部形成一體而僅將形狀複雜的層架予以分割分離，而在必要時再將層架安裝於收納容器。

第22圖係顯示本發明的晶圓保持具的其他實施例。本實施例的晶圓保持具610的特徵在於，(晶圓保持具)支承板部611的內側呈中空(穿孔狀態)。如此般具有中空的支承板部之晶圓保持具，配合上中空的層架可實現更進一步的輕量化。第22圖的正中央的支承板部611是構成限制部612，晶圓邊緣是與該部分接觸。層架616是形成內側穿孔的E字形(在支承板部側穿孔)。在E字形層架的直線部分的交點(臂部615和帶狀部分613的交點)附近配置載置突起614。第22圖雖是在1個層架配置3個載置突起，但如先前所述並不限於3個，也可以是1個或2個，或是比3個更多。但是，在配置成第22圖所示的位置的情況，在載置晶圓時，晶圓重量和層架重量的合計荷重可均一分散於3個臂部615，層架的穩定性佳而能延長層架壽命。層架呈D字形或B字形等之無縱棒的情況，可使用和第22圖所示的晶圓保持具同樣的中空支承板。另外，這種E字形、B字形或D字形等的無縱棒的層架也是，除了呈水平以外，當然也能使用上述般之呈傾斜的構造。另外，也能如上述般將該等晶圓保持具藉由插入成形來形成出。

目前為止，雖是說明在層架的既定位置配置1個或複數個載置突起，但也能配置比前述實施例所敘述的情況更多的載置突起。另外，載置突起是指，形成突(凸)狀或突起狀之可載置晶圓的部分。載置突起的前端可以是既微小且細，而使接觸晶圓背面的部分較小。或者，載置突起也可以是前端部(載置晶圓的部分)呈平坦狀或曲面狀的載置突起。或者，載置突起可在層架上面(載置晶圓時的上側，是與晶圓背面接觸的側)之既定位置隔著間隔而形成，以支承晶圓背面。載置突起，也可以使載置晶圓的部位和晶圓形成平面重疊，亦即讓層架整體或一部分與晶圓背面接觸。在此情況，是由層架本身來支承晶圓背面。在此情況也是，可將層架的一部分(相當於晶圓背面之不要被支承的部位)設計成凹狀，以避免接觸晶圓背面。例如，若晶圓背面的周緣部不想與層架接觸，可在支承晶圓背面的周緣部之層架部分形成凹陷或讓其消失。或是，載置突起的形狀也可以是半球狀或半圓柱狀。在半球狀載置突起的情況，載置晶圓時，理論上是與晶圓形成點接觸，實際上接觸部承受晶圓重量而稍微下沉，因此是成為大致圓形的面接觸。另外，在半圓柱狀的載置突起的情況，在或置晶圓時，理論上是與晶圓形成點接觸，實際上接觸部承受晶圓重量而稍微下沉，因此是成為大致矩形的面接觸。

關於構成收納容器本體和蓋體的材料，可使用雜質氣體產生少之高純度的聚碳酸酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚醚醯亞胺、環烯烴聚合物、氟樹脂等的高分子材料。特別是在晶圓製程內的容器一般是使用，在前述高分子材料混合導電性填料(碳纖維、碳粉、碳奈米管等)而賦予抗靜電性或導電性的材料。又關於晶圓保持具((晶圓保持具)支承板部、層架)所使用的材料，包括聚丙烯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚四氟乙烯、聚萘二酸丁酯、聚醚醚酮、氟樹脂、聚乙烯、聚乙烯彈性體、聚烯烴彈性體等的高分子材料。較佳為使用：進一步在其等中混合導電性填料(碳纖維、碳粉、碳奈米管等)而賦予抗靜電性或導電性的材料，如此可抑制起因於靜電而附著在收納容器、晶圓保持具((晶圓保持具)支承板部、層架、載置突起)上的粒子等。

作為上述插入材料，如上述般可使用熔點比收納容器本體更低的熱塑性樹脂或金屬材料。收納容器本體為聚碳酸酯製的情況，作為晶圓保持具((晶圓保持具)支承板部、層架、載置突起)的材料，例如可使用聚對苯二甲酸丁二酯、聚四氟乙烯、聚碳酸酯和聚四氟乙烯的樹脂合金(alloy)等。另外，在收納容器本體為環狀烯烴系樹脂或環狀烯烴系共聚物的情況，作為晶圓保持具((晶圓保持具)支承板部、層架、載置突起)的材料，例如可使用其等和聚四氟乙烯的樹脂合金等。作為金屬材料，是包括不鏽鋼系、鈦系、鋁系等。該等金屬材料，由於強度比高分子材料高，故能形成更薄。又具有釋氣非常少的好處。再者，也能使用以高分子材料被覆該等金屬材料而構成的材料。如此般以高分子材料來被覆金屬材料而構成的晶圓保持具((晶圓保持具)支承板部、層架、載置突起)，由於強度佳且表面平滑，層架可做得較薄且變形量變小，結果可縮小層架間距。

本發明的晶圓收納容器，不僅可作為製程用容器而適用在半導體前步驟及後步驟的製程內，當然也能作為出貨容器來使用。另外，雖然主要是針對收納半導體晶圓之晶圓收納容器來做說明，但本發明的晶圓收納容器並不限於半導體晶圓，當然也適用於一般的薄板。例如，本發明也適用於光罩、標線片(reticle)等的收納容器，液晶等的顯示元件形成用基板等的收納容器等。又在上述說明，在某個實施例有記載但在其他實施例未記載的內容，只要不互相矛盾且能適用，當然也能適用在該實施例中。

本發明可適用於，使用晶圓收納容器(用來搬運或保管半導體晶圓)之半導體產業。

1．．．晶圓收納容器

2、311、331、339、341、601．．．晶圓收納容器本體

3、610．．．晶圓保持具

4．．．蓋體

5．．．頂突緣

6．．．搬運用的把手

50、313、334、335、343、513、522、603、613．．．層架

51、312、332、333、342、361、364、381、384、511、521、602．．．(晶圓保持具)支承板部

52、319、336、337、349、397、514、523、604、614．．．載置突起

54．．．把手

55．．．上部嵌合部

56．．．下部嵌合部

58．．．上部被嵌合片

62．．．支承板片

63．．．板材

64、66．．．定位手段

67．．．前後方向定位手段

69．．．下部板部

71．．．缺口

73．．．前後方向支承板片

75‧‧‧制動器

76‧‧‧卡止片

76A‧‧‧彈性板片

76B‧‧‧卡止用爪

314、344、512、525、612‧‧‧限制部

338‧‧‧晶圓保持具前方安裝部

340‧‧‧晶圓保持具後方安裝部

345‧‧‧上部安裝部

346‧‧‧中央安裝部

347‧‧‧下部安裝部

371、372、373、374、391(391-1、391-2)、392(392-1、392-2)、393(393-1、393-2)、394(394-1、394-2)、399(399-1、399-2)、515、524‧‧‧層架補強肋

395‧‧‧後(晶圓保持具)支承板部

396‧‧‧後層架

398‧‧‧後晶圓保持具安裝部

611‧‧‧支承板部

615‧‧‧臂部

616‧‧‧帶狀部分

第1圖係顯示本發明的實施形態之晶圓收納容器本體的內部的立體圖。

第2圖係顯示本發明的實施形態之晶圓收納容器的立體圖。

第3圖係顯示本發明的實施形態之晶圓保持具的立體圖。

第4圖係顯示本發明的實施形態之組裝有晶圓保持具和半導體晶圓之晶圓收納容器的單側的俯視圖。

第5圖係顯示本發明的其他實施形態之組裝有晶圓保持具和半導體晶圓之晶圓收納容器的單側的俯視圖。

第6圖係顯示本發明的其他實施形態之組裝有晶圓保持具和半導體晶圓之晶圓收納容器的單側的俯視圖。

第7圖係顯示本發明的其他實施形態之組裝有晶圓保持具和半導體晶圓之晶圓收納容器的單側的俯視圖。

第8圖係顯示本發明的其他實施形態之組裝有晶圓保持具和半導體晶圓之晶圓收納容器的單側的俯視圖。

第9(a)~(c)圖係顯示本發明的晶圓保持具之限制部及層架。

第10圖係顯示晶圓按壓構件的立體圖。

第11圖係顯示晶圓按壓構件的俯視圖。

第12圖係半導體晶圓的邊緣周邊部的放大俯視圖。

第13圖係顯示本發明的實施形態之其他晶圓保持具的立體圖。

第14圖係顯示具有傾斜層架之晶圓收納容器。

第15圖係顯示本發明的其他形狀的層架。

第16圖係顯示附設具有層架補強肋的層架之晶圓收納容器。

第17圖係顯示附設具有層架補強肋的層架之晶圓收納容器。

第18圖係顯示具有後層架之晶圓收納容器。

第19圖係用來說明傾斜層架的狀態。

第20圖係顯示具有層架補強肋的層架狀態之立體圖。

第21圖係用來說明晶圓保持具的插入成形的狀態。

第22圓係顯示晶圓保持具的其他實施形態。

381、384．．．(晶圓保持具)支承板部

382、383、385、386．．．子層架

387、388、389、390、397．．．載置突起

391(391-1、391-2)、392(392-1、392-2)、393(393-1、393-2)、394(394-1、394-2)、399(399-1、399-2)．．．層架補強肋

395．．．後(晶圓保持具)支承板部

396(396-1、396-2)．．．後層架

398．．．後晶圓保持具安裝部

Claims (10)

1. 一種晶圓收納容器，係具備：至少具有1個開口之收納容器本體、閉合前述開口的蓋體、在將前述收納容器本體用前述蓋體閉合時使前述收納容器本體的內部和外部環境氣密地隔離的密封構件、形成於前述收納容器本體的內部且將晶圓以整齊排列的狀態支承之晶圓保持具；該晶圓收納容器的特徵在於：前述晶圓保持具係具備：將複數個晶圓以隔既定間隔沿軸方向整齊排列的狀態支承之複數個層架、用來支承前述層架的支承板部、用來將前述支承板部安裝於前述收納容器本體的內部之支承板安裝部、以及形成於前述支承板部而將前述複數個晶圓在徑方向施以限制的限制部；在前述層架內側穿設1個或複數個孔；上述層架具有：形成於該層架的上面(載置晶圓時的上側)而用來支承並載置上述晶圓背面的1個或複數個載置突起；當前述蓋體卸下且將前述晶圓收納容器橫向放置並在前述晶圓收納容器內載置有晶圓時，前述晶圓受到前述載置突起及前述限制部所限制，且前述晶圓不與前述載置突起以外的層架接觸；當前述蓋體閉合前述收納容器的開口且在前述收納容 器內收納有晶圓時，前述晶圓是藉由安裝於前述蓋體之晶圓按壓構件、前述載置突起及前述限制部施以固定，且前述晶圓不與前述載置突起以外的層架接觸；形成於前述層架內側之1個或複數個孔的一部分或全部，是配置在晶圓背面的下側。
2. 如申請專利範圍第1項記載的晶圓收納容器，其中，前述晶圓保持具是安裝於晶圓收納容器之2個相對置的側面各個；前述層架，是由臂部及帶狀部分所構成，前述臂部是從前述支承板部朝晶圓收納容器內側延伸而與前述帶狀部分連結之用來支承帶狀部分的部分；前述帶狀部分，是沿著晶圓的圓周方向形成為環狀。
3. 如申請專利範圍第2項記載的晶圓收納容器，其中，形成於前述層架內側之1個或複數個孔，是被前述臂部及帶狀部分及限制部所包圍的空間；前述帶狀部分的一部分或全部配置在晶圓背面的下側，在前述帶狀部分安裝用來載置晶圓的1個或複數個突起，在前述帶狀部分的突起上載置晶圓。
4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項記載的晶圓收納容器，其中，前述晶圓保持具是安裝於晶圓收納容器之2個相對置的側面各個；前述層架，是由臂部及帶狀部分所構成，前述臂部是從前述支承板部朝晶圓收納容器內側延伸而與前述帶狀部 分連結之用來支承帶狀部分的部分；前述臂部有3個，外側的2個臂部相對於中間的臂部是位於對稱的位置。
5. 如申請專利範圍第2或3項記載的晶圓收納容器，其中，前述載置突起僅在前述帶狀部分配置3個，外側的2個載置突起配置成相對於中間的載置突起位於對稱的位置。
6. 如申請專利範圍第2或3項記載的晶圓收納容器，其中，安裝於晶圓收納容器之相對置的側面之2個晶圓保持具中，各晶圓保持具之帶狀部分是朝晶圓收納容器的底面側延伸而連結在一起。
7. 如申請專利範圍第1至3項中任一項記載的晶圓收納容器，其中，僅晶圓之側端頂部與前述限制部接觸。
8. 如申請專利範圍第1項記載的晶圓收納容器，其中，在前述收納容器之相對置的2個側壁部分別設有層架，該層架是由環狀構造之大致等邊三角形的2個子層架所構成。
9. 如申請專利範圍第1至3項中任一項記載的晶圓收納容器，其中，載置突起配置成，當載置晶圓時位於晶圓之同心圓周上。
10. 如申請專利範圍第4項記載的晶圓收納容器，其中，載置突起配置成，當載置晶圓時位於晶圓之同心圓周上。