TWI513049B - Resin sealing device and resin sealing body - Google Patents

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TWI513049B TW102100214A TW102100214A TWI513049B TW I513049 B TWI513049 B TW I513049B TW 102100214 A TW102100214 A TW 102100214A TW 102100214 A TW102100214 A TW 102100214A TW I513049 B TWI513049 B TW I513049B
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Description

樹脂密封裝置及樹脂密封體之製造方法
本發明係關於使用壓縮成形用的成形模與粉狀或粒狀的樹脂密封用材料，對晶片狀的電子零件進行樹脂密封而製造樹脂密封體的樹脂密封裝置與樹脂密封體之製造方法。
在對IC(Integrated Circuit)晶片、LED(Light Emitting Diode)晶片、晶片電容器等之晶片狀電子零件(以下稱為「晶片」)進行樹脂密封的步驟中，藉由使流動性樹脂固化而形成由固化樹脂構成的密封樹脂。藉此，安裝於引線框架(lead frame)、印刷基板等(以下稱為「基板本體」)的晶片被樹脂密封。近年來，作為進行樹脂密封的方法，除了轉移成形(transfer molding)之外，另有使用壓縮成形(compressing molding)(例如，參照專利文獻1)。與轉移成形相比，壓縮成形具有流動性樹脂對接合用的引線施加的壓力小、能夠對應密封樹脂的薄型化等的優點。在壓縮成形中，作為流動性樹脂的原料，使用由熱固性樹脂構成的粉狀或粒狀的樹脂密封用材料、或者在常溫下為液狀的樹脂密封用材料(液狀樹脂)。
本發明係以使用由熱固性樹脂構成的粉狀或粒狀的樹脂密封用材料的情形作為對象。對樹脂密封裝置具有的成形模的腔室供給樹脂密封用材料，藉由設置在成形模的加熱器，加熱樹脂密封用材料並使其熔融，且生成具有流動性的熔融樹脂(以下稱為「流動性樹脂」)。藉由繼 續加熱流動性樹脂並使其固化，而在腔室中形成由固化樹脂構成的密封樹脂。
然而，在此種技術領域中，近年來以下之需求越來越強烈。第1個需求係對於作為完成品的電子零件(以下稱為「電子元件」)的所謂的輕薄短小化的需求。隨之，引線的小徑化及密封樹脂的薄型化的需求更加強烈。第2個需求係伴隨著廣泛採用LED而產生的需求，具體而言係如下所示者。亦即，在電子元件之中以LED為代表的發光元件中，使用具有透光性的密封樹脂，但在這種密封樹脂中殘存有氣泡(空隙)的情形下，將有損光學特性。第2個需求係要求在發光元件中，在密封樹脂不存在氣泡。
專利文獻1：日本特開2007-125783號公報(第5~9頁、第1圖)
作為密封樹脂的原材料即粉狀或粒狀的樹脂密封用材料，通常被轉用使用作為轉移成形的樹脂密封用材料的樹脂錠(tablet)的原材料。樹脂錠係藉由將原材料即粉狀或粒狀的樹脂密封用材料壓錠成圓柱狀而形成。在轉移成形中，藉由加熱並熔融供給到被稱為坩堝(pot)的圓筒形空間的樹脂錠而生成熔融樹脂。生成的熔融樹脂，藉由柱塞(plunger)按壓並注入腔室。注入腔室的熔融樹脂，藉由加熱而固化。藉由到此為止的步驟，形成由固化樹脂構成的密封樹脂。
在轉移成形中，藉由圓柱狀的樹脂錠在坩堝中被加熱而生成熔融樹脂。因此，對於樹脂錠的原材料即粉狀或粒狀的樹脂密封用材料， 並不那麽被要求粒徑(粒子徑)的偏差小。由此，樹脂錠的原材料、即在壓縮成形中使用的粉狀或粒狀的樹脂密封用材料的粒徑，在多數情形下具有較大偏差。另外，在本申請文件中，「粉狀或粒狀」之用語，包含微粉狀、顆粒狀、粒狀、短棒狀、塊狀、小板狀、類似球的形狀即不確定的形狀(例如，扭曲的形狀、不規則的形狀、具有凹凸的形狀)等。在以下，作為「粉狀或粒狀的樹脂密封用材料」的總稱，適當地使用「粒狀樹脂」之用語。
然而，本發明的發明人等發現以下情況。第1個發現，係樹脂密封用材料的粒徑，具有從μm級至2~3mm左右之大的偏差。
第2個發現，係於使用具有上述大的偏差的樹脂密封用材料的情形下，使供給到腔室的樹脂密封用材料，具有在腔室底面(腔室的內底面)被配置成斑塊狀(不均等地混亂)的傾向。尤其是，在使用具有大的偏差的樹脂密封用材料並欲製造密封樹脂的厚度(指從基板本體的上面到密封樹脂的上面的尺寸)的目標值t為t=0.2~0.3mm左右的封裝的情形，該傾向係顯著的，在該情形下，應供給到腔室的樹脂密封用材料係少量，而引起被配置成斑塊狀的傾向強。在該情形下，關於粒徑具有大的偏差的樹脂密封用材料，成為在腔室底面不均勻地配置。由此引起，在腔室中，在樹脂密封用材料熔融並直到生成的流動性樹脂中浸漬晶片的過程中，存在有不均勻地存在之流動性樹脂進行流動的情形。流動性樹脂的流動，成為引線的變形、密封樹脂的未填充(換言之即氣泡)等發生的原因。
第3個發現，係於存在具有突出且大的粒徑(例如，10t左右：t為如上述般密封樹脂的厚度的目標值)的粒狀的樹脂密封用材料的情形下，在該樹脂密封用材料未充分熔融的階段中，具有與引線接觸的情 形。與引線的如此的接觸，將引起引線的變形。
第4個發現，係於組合擋板(shutter)與狹縫(slit)構件並將樹脂密封用材料供給到腔室的情形下(例如，參照專利文獻1)，具有突出且大的粒徑的樹脂密封用材料的存在，將引起流動性樹脂的重量的增加。據此，封裝的密封樹脂的厚度t的偏差變大。
第5個發現，係根據樹脂密封用材料的特性，具有小粒徑的樹脂密封用材料，在被供給到腔室的情形下，恐有可能附著在本來樹脂密封用材料不應該存在的地方。如此之附著，存在有在樹脂密封用材料的密度為較小的情形下，因具有小粒徑的樹脂密封用材料進行浮游而引起的情況。此外，如此之附著，在樹脂密封用材料易於帶電的情形下，存在有因具有小粒徑的樹脂密封用材料帶靜電而引起的情況。樹脂密封用材料往未被意圖的地方的附著，將引起以下的弊端。第1個弊端，係在腔室底面使樹脂密封用材料不均勻地配置。第2個弊端，係成形模的沾污。第3個弊端，係合模不充分造成的樹脂毛刺的發生。
本發明所欲解決的課題，係消除由密封樹脂的原材料即粉狀或粒狀的樹脂密封用材料的粒徑的偏差引起的引線的變形、密封樹脂中的氣泡的發生、密封樹脂的厚度t的偏差增大等弊端。
為了解決上述課題，本發明之樹脂密封裝置，係具備具有腔室的壓縮成形用的成形模，且藉由使用供給到腔室的粉狀或粒狀的樹脂密封用材料，成形對厚度的目標值t(mm)設定第1規格的密封樹脂，而對電子零件進行樹脂密封；其特徵在於，具備：基板接收手段，從樹脂密封裝置的外部接收安裝有電子零件的密封前基板；樹脂材料接收手段，從 樹脂密封裝置的外部接收樹脂密封用材料；分選手段，在從樹脂密封用材料被供給到樹脂密封裝置到被搬入成形模的過程中，根據與樹脂密封用材料的粒徑D相關的第2規格D≦a×t(mm)分選樹脂密封用材料(a為正實數)；第1搬送手段，將分選的結果判斷為滿足第2規格的規格內材料搬送到成形模；以及加熱手段，藉由加熱熔融供給到腔室的樹脂密封用材料而生成熔融樹脂；第1規格係0.03(mm)≦t≦1.2(mm)，且藉由熔融樹脂固化而成形密封樹脂。
本發明之樹脂密封體之製造方法，係對樹脂密封裝置具備的壓縮成形用的成形模具有的腔室，供給呈粉狀或粒狀的樹脂密封用材料，且使該樹脂密封用材料熔融並生成熔融樹脂，使該熔融樹脂固化，藉由成形對厚度的目標值t(mm)設定第1規格的密封樹脂，而對電子零件進行樹脂密封並製造樹脂密封體；其特徵在於，具備：樹脂密封裝置接收樹脂密封用材料的步驟；根據與樹脂密封用材料的粒徑D相關的第2規格即D≦a×t(mm)而分選樹脂密封用材料的步驟(a為正實數)；以及將分選樹脂密封用材料的結果判斷為滿足第2規格的第1規格內材料搬送到成形模的步驟，且第1規格係0.03(mm)≦t≦1.2(mm)。
根據本發明，在對密封樹脂的厚度的目標值t(mm)設定第1規格(0.03(mm)≦t≦1.2(mm))的情形下，使用樹脂密封用材料的粒徑D滿足所謂D≦a×t(mm)的第2規格的樹脂密封用材料。藉此，能夠抑制相對於厚度的目標值t具有較大的粒徑D的粒狀樹脂的存在引起的弊端的發生。而且，第1規格亦可以是0.05(mm)≦t≦1.0(mm)。在此情形下，將增大抑制上述弊端發生的效果。
根據本發明，在對密封樹脂的厚度的目標值t(mm)設定第1規格(0.03(mm)≦t≦1.2(mm))的情形下，根據與樹脂密封用材料的粒徑D相關的第2規格即D≦3.0×t(mm)而分選供給到樹脂密封裝置的樹脂密封用材料。該分選，例如根據藉由光學性手段拍攝樹脂密封用材料而得到的影像中的該等粒子的投影面積的面積等效圓直徑而進行。將分選的結果判斷為滿足第2規格的第1規格內材料搬送到成形模。藉此，在供給原有的樹脂密封用材料的情形，能夠將判斷為滿足第2規格的第1規格內材料搬送到成形模。因此，能夠抑制相對於厚度的目標值t具有較大的粒徑D的粒狀樹脂的存在引起的弊端的發生。
根據本發明，在將密封樹脂的厚度的目標值t(mm)設定為(第1規格(0.03(mm)≦t≦1.2(mm))的情形下，根據與樹脂密封用材料的粒徑D相關的第2規格即D≦3.0×t(mm)而分選供給到樹脂密封裝置的樹脂密封用材料。該分選，根據藉由光學性手段拍攝樹脂密封用材料而得到的影像中的該等粒子的投影面積的面積等效圓直徑而進行。將分選的結果判斷為不滿足第2規格的規格外材料粉碎，並分選粉碎後的規格外材料。將分選的結果判斷為滿足第2規格的第2規格內材料搬送到成形模。因此，能夠抑制相對於厚度的目標值t具有較大的粒徑D的粒狀樹脂的存在引起的弊端的發生。而且，能夠有效地利用樹脂密封用材料。
1‧‧‧下模
2‧‧‧上模
3‧‧‧第1供給手段
4‧‧‧腔室
5‧‧‧樹脂密封用材料
6‧‧‧脫模膜
7‧‧‧外框構件
8‧‧‧腔室構件
9‧‧‧吸引通道(吸引手段)
10‧‧‧加熱器(加熱手段)
11‧‧‧密封構件(外氣隔絕手段)
12‧‧‧吸引通道(減壓手段)
13‧‧‧基板本體
14‧‧‧晶片(電子零件)
15‧‧‧密封前基板
16‧‧‧引線
17‧‧‧邊界線
18‧‧‧區域
19‧‧‧外框
20‧‧‧供給用擋板
21‧‧‧收容部
22‧‧‧熔融樹脂
23‧‧‧外氣隔絕空間
24‧‧‧被排出的氣體等
25‧‧‧密封樹脂
26‧‧‧成形體(樹脂密封體)
27‧‧‧旋轉刀片
28‧‧‧電子元件
29‧‧‧單位基板
30‧‧‧單位密封樹脂
31‧‧‧材料接收手段
32、59‧‧‧樹脂材料處理手段
33‧‧‧成形手段
34‧‧‧成形體分配手段
35、57‧‧‧基板接收手段
36、58‧‧‧樹脂材料接收手段
37‧‧‧搬送軌道
38‧‧‧主搬送手段(第1搬送手段)
39‧‧‧基板接收部
40‧‧‧基板搬送部
41‧‧‧樹脂接收部
42‧‧‧計量部
43‧‧‧容器
44‧‧‧第1樹脂搬送部
45、49‧‧‧擋板(分隔手段)
46‧‧‧分選手段
47‧‧‧粉碎手段
48‧‧‧第2樹脂搬送部(第2搬送手段)
50‧‧‧集塵手段
51‧‧‧追逐保持器
52‧‧‧第2供給手段
53‧‧‧減壓泵(減壓手段)
54‧‧‧成形體搬送部
55‧‧‧成形體用容器
56‧‧‧成形體收容部
60‧‧‧樹脂材料用手段
A1、A2‧‧‧樹脂密封裝置
D‧‧‧粒徑
t‧‧‧密封樹脂的厚度的目標值
圖1的(1)~(3)，係分別表示本發明之樹脂密封體之製造方法中，供給樹脂密封用材料的步驟、加熱樹脂密封用材料的步驟、以及合模成形 模的步驟的概略圖。
圖2的(1)~(4)，係分別表示在合模成形模的狀態下使流動性樹脂固化的步驟、形成密封樹脂之後開模成形模的步驟、使樹脂密封體構成的成形體單片化的步驟、以及單片化完成的電子元件的概要圖。
圖3，係表示對於本發明之樹脂密封裝置及樹脂密封體之製造方法中使用的樹脂密封用材料，在密封樹脂的厚度的目標值t為0.19mm、樹脂密封用材料的供給量w為4.91g的情形下，調查對粒徑設定的4個水準與在腔室底面樹脂密封用材料不均勻地配置的狀況的關係的實驗結果的說明圖。
圖4，係表示對於本發明之樹脂密封裝置以及樹脂密封體之製造方法中使用的樹脂密封用材料，在密封樹脂的厚度的目標值t為0.32mm、樹脂密封用材料的供給量w為7.91g的情形下，調查對粒徑設定的4個水準與在腔室底面樹脂密封用材料不均勻地配置的狀況的關係的實驗結果的說明圖。
圖5，係表示本發明之樹脂密封裝置的一個例子的俯視圖。
圖6，係表示本發明之樹脂密封裝置的另一個例子的俯視圖。
根據本發明，在密封樹脂的厚度具有其厚度的目標值設為t(mm)的所謂的0.03(mm)≦t≦1.2(mm)之第1規格的情形下，根據與樹脂密封用材料的粒徑(粒子徑)D相關的第2規格即D≦3.0×t(mm)，分選供給到樹脂密封裝置的樹脂密封用材料。該分選，根據藉由光學性手段拍攝樹脂密封用材料而得到的影像中的該等粒子的投影面積的面積等效圓直徑而進行。將分選的結果判斷為滿足第2規格的第1規格內材料搬送到成形模。另一方面，將分選的結果判斷為不滿足第2規格的規格外材料 粉碎，並分選粉碎後的規格外材料。將分選的結果判斷為滿足第2規格的第2規格內材料搬送到成形模。
[實施例1] 參照圖1~圖4，對本發明之樹脂密封體之製造方法及樹脂密封裝置進行說明。另外，為了易於理解，對於本申請文件中的任何圖式，亦進行適宜地省略或誇張地、示意性地描繪。對於相同的構成元件標記相同的符號，並適宜地省略說明。
如圖1的(1)所示，本發明之樹脂密封裝置，具有下模1與上模2。下模1與上模2，一起構成成形模。在下模1與上模2之間，將供給樹脂密封用材料(後述)的第1供給手段3設置成進退自如。在下模1，設置有由凹部構成的腔室4。第1供給手段3，將呈粉狀或粒狀的樹脂密封用材料5供給到腔室4。亦即，腔室4係用於被供給樹脂密封用材料5的空間。脫模膜6在被拉伸的狀態下供給到下模1與上模2之間。
下模1與上模2，能夠相對地進行升降。藉此，下模1與上模2相對地接近並合模，且相對地遠離並開模。在圖1中，揭示有下模1由外框構件7與腔室構件8構成，且外框構件7藉由彈性構件(渦捲彈簧等；未圖示)而彈性支撐的例子。外框構件7構成腔室4的側面，腔室構件8構成腔室4的底面。不限於此，腔室4亦可以被刻入一體地設置的下模1。取代外框構件7被彈性支撐，或者除此以外，亦可腔室構件8藉由彈性構件而彈性支撐。
在下模1，設置有用於吸引脫模膜6並使其與下模1的模面緊貼的、換言之係用於將脫模膜6吸附於下模1的模面的吸引通道9。在圖1中，對兩個吸引通道9分別描繪的向下的兩個箭頭，呈現出外部吸引 機構(未圖示)吸引脫模膜6的樣子。在下模1，設置有加熱樹脂密封用材料5的加熱器10。另外，設置在腔室構件8的加熱器並未圖示。
在上模2，在與下模1相對向的面(以下稱為「上模2的模面」)中，以俯視為包圍腔室4的方式設置有密封構件11。在上模2的模面中，俯視為在密封構件11的內側設置有吸引包含腔室4的空間中的氣體的吸引通道12。
在基板本體13安裝有多個晶片14的密封前基板15，藉由吸附等眾知的方法固定於上模2。密封前基板15，以在俯視為完全包含腔室4並且位於密封構件11與吸引通道12的內側的方式固定。基板本體13的電極與晶片14的電極(均未圖示)，藉由金線等引線16而電連接。基板本體13，藉由虛擬設置的格子狀的邊界線17而劃分成多個區域18。在各區域18安裝有一個或多個晶片14。
第1供給手段3，具有外框19、及在外框19的下部設置成開閉自如的供給用擋板20。在供給用擋板20關閉的狀態下，收容樹脂密封用材料5的收容部21形成於外框19的內側。
針對本發明之樹脂密封裝置及樹脂密封體之製造方法中所使用的樹脂密封用材料5進行說明。樹脂密封用材料5，如以下說明般製造。首先，準備至少包含由熱固化樹脂構成的粉狀或粒狀的樹脂材料、添加劑、以及由二氧化矽等構成的填料(填充劑)的原材料組。接著，混煉原材料組並生成第1中間材料。接著，粉碎混煉後的第1中間材料並生成第2中間材料。接著，根據既定的規格分選第2中間材料。將第2中間材料之中判斷為滿足既定的規格的第1規格內材料決定為樹脂密封用材料5。
作為樹脂材料，可以包含環氧系樹脂或矽系樹脂。在以製造光學元件之目的而使用樹脂密封用材料5之情形，樹脂材料具有透光性。此外，在使用樹脂密封用材料5之情形，亦可於樹脂密封用材料5中含有作為添加劑之螢光體。
在本發明中，使用樹脂密封用材料5，形成由固化樹脂構成且具有厚度的目標值t的密封樹脂。作為厚度的目標值t的規格(第1規格)，例如考量近年來之對於電子元件的輕薄短小化的需求而設為0.1(mm)≦t≦1.2(mm)。在考量與輕薄短小化相關的更為強烈的需求之情形下，第1規格較佳為0.05(mm)≦t≦1.2(mm)，更佳為0.05(mm)≦t≦1.0(mm)。在根據電子元件的用途而考量晶片厚為15μm左右之預測之情形下，第1規格較佳為0.03(mm)≦t≦1.0(mm)。此外，在包含材料的有效利用而考量之情形下，第1規格較佳為0.03(mm)≦t≦1.2(mm)。從現實的需求觀點來看，第1規格較佳為0.2(mm)≦t≦1.0(mm)。
樹脂密封用材料5，滿足與粒徑(粒子徑)D與密封樹脂的厚度的目標值t相關的0.03(mm)≦D≦3t(mm)之既定的規格(第2規格)。該第2規格較佳為0.05(mm)≦D≦2t(mm)。關於樹脂密封用材料5之相關的該等第2規格，將在後面詳細說明。在本申請文件中，樹脂密封用材料5的粒徑D，係指藉由光學性手段拍攝樹脂密封用材料5而得到的影像中的該等粒子的投影面積的面積等效圓直徑。具體而言，根據拍攝樹脂密封用材料5而得到的影像計算出投影面積，且將該等投影面積的面積等效圓直徑處理作為粒徑D。在圖1的(1)中，簡單地呈現出粒徑D。
另外，針對藉由光學性手段以外的其他手段，例如氣流產 生的離心力、篩網等眾知的手段測定樹脂密封用材料5的粒徑D的情形進行說明。在該情形下，藉由上述的光學性手段測定的粒徑D的測定值A與藉由其他手段測定的粒徑D的測定值B有可能不同。因此，較佳為，預先調查測定值A與測定值B的相關性，根據該相關性而決定新的第2規格。較佳為，取代現有的第2規格而採用新的第2規格，根據該新的第2規格而對樹脂密封用材料5的粒徑D進行判斷。
以下，針對藉由使用本發明之樹脂密封裝置對晶片14進行樹脂密封而製造樹脂密封體的樹脂密封體之製造方法，參照圖1和圖2進行說明。繼而對晶片14進行樹脂密封而形成的成形體、換言之係對由樹脂密封體製造電子元件的電子元件的製造方法進行說明。
如圖1的(1)所示，在下模1與上模2之間，將脫模膜6以拉伸之方式供給於腔室4的上方。然後，藉由吸引通道9朝向腔室4的底面吸引脫模膜6。藉此，使脫模膜6吸附於構成腔室4的模面(以下稱為「腔室面」)的整面。至少在到對晶片14進行樹脂密封之後下模1與上模2開模的階段，持續吸附脫模膜6。另外，在本申請文件中，為方便起見，對於在腔室面的整面吸附脫模膜6的狀態下用於被供給樹脂密封用材料5的空間，亦稱為「腔室」。
接著，使第1供給手段3進入下模1與上模2之間，且在腔室4的上方使第1供給手段3停止。然後，往圖式的左右方向打開供給用擋板20，對腔室4供給樹脂密封用材料5。
接著，如圖1的(2)所示，使用加熱器10加熱供給到腔室4的樹脂密封用材料5。藉此，使第1供給手段3熔融並生成流動性樹脂 (參照圖1的(3)的熔融樹脂22)。與加熱樹脂密封用材料5並行地，使上模2下降。另外，亦可使下模1上升。重點是，若下模1與上模2相對地接近即可。
接著，如圖1的(3)所示，進一步使上模2下降而使密封構件11的下端與下模1的模面接觸。藉此，形成包含腔室4的空間、與成形模的外部隔絕的外氣隔絕空間23。使用設置在成形模的外部的減壓泵(吸引泵)、減壓槽等減壓手段(未圖示)，對外氣隔絕空間23進行減壓。藉此，將包含在外氣隔絕空間23中的微小的粒子、與包含在外氣隔絕空間23及熔融樹脂22中的氣體等排出到成形模的外部。在圖1的(3)中，在吸引通道12附近所示的兩個向上的箭頭，係表示藉由減壓而被排出到成形模的外部的被排出的氣體等24。較佳為：在從密封構件11的下端與下模1的模面接觸，到下模1與上模2完全合模的狀態(中間合模狀態)下，開始對外氣隔絕空間23進行減壓的步驟。此外，較佳為：在直到熔融樹脂22完全固化的期間，執行對外氣隔絕空間23進行減壓的步驟。
接著，如圖2的(1)所示，繼續使上模2下降。藉此，在熔融樹脂22中浸漬(浸泡)晶片14與引線16，並完全合模下模1與上模2。在下模1與上模2完全合模的狀態(完全密合狀態)下，一邊藉由下模1與上模2加壓熔融樹脂22，一邊繼續加熱熔融樹脂22。藉此，使熔融樹脂22固化，如圖2的(2)所示，形成由固化樹脂構成的密封樹脂25。
接著，如圖2的(2)所示，使上模2上升而開模下模1與上模2。之後，將由具有基板本體13、晶片14、引線16及密封樹脂25的樹脂密封體(密封後基板)構成的成形體26取出到成形模之外。藉由到 目前為止的步驟，完成對安裝於基板本體13的多個晶片14進行樹脂密封的步驟，而完成多個晶片14被樹脂密封的成形體26。
接著，如圖2的(3)所示，使用黏著膜或吸附等眾知的方法，將成形體26固定於工作臺(未圖示)。使用旋轉刀片27，沿著各邊界線17完全地切斷成形體26(全切)。具體而言，分別沿著圖2的(3)中的X方向的各邊界線17與Y方向的各邊界線17，完全地切斷成形體26。藉此，執行成形體26的單片化(singulation)。藉由到目前為止的步驟，成形體26以各區域18為單位而單片化，而製造圖2的(4)所示的電子元件28。各電子元件28具有基板本體13以各區域18為單位而單片化的單位基板29、晶片14、引線16、及密封樹脂25以各區域18為單位而單片化的單位密封樹脂30。
另外，在使成形體26單片化的步驟中，取代全切，亦可以在成形體26的厚度方向的途中形成槽之後(半切之後)，對成形體26施加外力而進行單片化。取代旋轉刀片27，亦可以使用鐳射光、水刀(water-jet)、線鋸(wire saw)等。
以下，針對本發明之樹脂密封裝置中所使用的樹脂密封用材料5，對與粒徑D與密封樹脂25的厚度的目標值t相關的既定的規格進行說明。首先，關於對樹脂密封用材料5的粒徑D設定的第2規格的下限進行說明。粒徑D的第2規格的下限，無論是在密封樹脂25的厚度的目標值t較大之情形，亦或在較小之情形，原則上無需確定。但是，根據樹脂密封用材料的特性，而存在有如下問題發生：因樹脂密封用材料浮游或帶電引起樹脂密封用材料5附著在本來樹脂密封用材料5不應該存在的地方。 為了防止該問題，樹脂密封用材料5的粒徑D的第2規格的下限較佳為某種程度大的值。根據經驗，辨明了在粒徑D的值未滿0.05mm之情形下，在供給或搬送樹脂密封用材料5時，易發生上述的浮游或帶電等。而且，辨明了在粒徑D的值未滿0.03mm之情形下，更易發生上述的浮游或帶電等。根據該等情況，關於粒徑D的第2規格的下限，可以說較佳為0.03mm以上，更佳為0.05mm以上。因此，在對粒徑D的第2規格設置下限之情形，決定作為下限為0.03(mm)≦D，較佳為0.05(mm)≦D。
接著，對粒徑D設定的第2規格的上限進行說明。關於第2規格的上限，藉由以下順序而決定。作為第1順序，係在將成為粒徑D的水準的多個(本實施例以四個為例)特定的範圍設定為粒徑D的基礎上，以使粒徑D落入設定的特定的範圍內之方式分選樹脂密封用材料5。另外，該等特定的範圍與上述的第2規格不同。作為第2順序，係設定由作為密封樹脂25的厚度的目標值t(mm)適當的值構成的兩個水準值。另外，該等水準值，係與上述的第1規格不同。作為第3順序，係計算出與各個密封樹脂25的厚度的目標值t對應的樹脂密封用材料5的重量w(g)，並將該重量的樹脂密封用材料5散佈在實際評價用腔室(平面尺寸：233×67mm)中。光學性地測定已散佈的樹脂密封用材料5覆蓋該腔室底面的比例(以下稱為「樹脂佔有率」)。作為第4順序，係針對在已使用該樹脂密封用材料5而樹脂密封之情形，若為何種程度的樹脂佔有率則可以允許實際的密封樹脂25的厚度的偏差等進行評價。關於樹脂密封用材料5的粒徑D，按照以上四個順序，決定被認為可實際使用的第2規格的上限。
以下，針對已決定對樹脂密封用材料5的粒徑D設定的第 2規格的上限的順序，參照圖3和圖4進行說明。作為第1順序，係分選樹脂密封用材料5，並準備粒徑D分別落入成為四個水準的特定範圍1~4中的樹脂密封用材料Ma、Mb、Mc、Md。其中，特定範圍1為D=1.0~2.0(mm)，特定範圍2為D=0.2~2.0(mm)，特定範圍3為D=0.2~1.0(mm)，特定範圍4為D=0.2~0.4(mm)。
樹脂密封用材料Ma：D=1.0~2.0(mm)
樹脂密封用材料Mb：D=0.2~2.0(mm)
樹脂密封用材料Mc：D=0.2~1.0(mm)
樹脂密封用材料Md：D=0.2~0.4(mm)
作為第2順序，係設定t=0.19(mm)及t=0.32(mm)的兩個水準值作為密封樹脂25的厚度的目標值t。t=0.19(mm)之水準值，係考量近年來對電子元件28的輕薄短小化的需求而設定的水準值。
作為第3順序，係在上述兩個水準值(密封樹脂25的厚度的目標值為t=0.19(mm)及0.32(mm))的情形下，計算出與其目標值t分別對應的樹脂密封用材料5的重量。計算出的重量，在水準值1(目標值t=0.19(mm))之情形為4.91(g)，在水準值2(目標值t=0.32(mm))之情形為7.91(g)。另外，上述重量的值，係安裝有晶片14之情形的算出值(理論值)。
另外，在實驗中，在晶片14未安裝於基板本體13的狀態，換言之係以虛擬基板為對象，供給樹脂密封用材料5。作為實際的供給量w，係取代相當於水準值1(目標值t=0.19(mm))之情形的w=4.91(g)，而將w=6.03(g)的樹脂密封用材料5散佈在評價用腔室中，此外，取代 相當於水準值2(目標值t=0.32(mm))之情形的w=7.91(g)，而將w=10.16(g)的樹脂密封用材料5散佈在評價用腔室中。
繼而，作為第3順序，係準備相當於供給量w=4.91(g)的樹脂密封用材料5的樹脂密封用材料Ma、Mb、Mc、Md，並將該等依次散佈在評價用腔室中。同樣地，準備相當於供給量w=7.91(g)的樹脂密封用材料5的樹脂密封用材料Ma、Mb、Mc、Md，並將該等依次散佈在評價用腔室中。從評價用腔室的上方拍攝散佈後的樹脂密封用材料5的狀態。對藉由拍攝而得到的影像進行二值化處理，計算出樹脂密封用材料5的樹脂佔有率。具體而言，在具有256階度(將級別0作為黑，將級別255作為白)的影像中，將級別25作為閾值而對影像進行二值化處理。在二值化影像中，將級別25以下判斷為「存在樹脂密封用材料」，並計算出在評價用腔室的底面存在樹脂密封用材料的部分的面積比。
圖3的(1)~(4)中呈現出，在供給量w=4.91(g)的情形下，對分別散佈有樹脂密封用材料Ma~Md的狀態進行二值化處理而得到的影像與樹脂佔有率的圓餅圖。圖4的(1)~(4)中呈現出，在供給量w=7.91(g)的情形下，對分別散佈有樹脂密封用材料Ma~Md的狀態進行二值化處理而得到的影像與樹脂佔有率的圓餅圖。
作為第4順序，係使用圖3的(1)~(4)中所示的四種樹脂密封用材料Ma~Md，成形目標值t=0.19(mm)的密封樹脂25(參照圖2的(2))。根據其結果，在圖3的(1)~(3)的情形，判斷為不允許作為密封樹脂25，圖3的(4)的情形，判斷為十分充分允許作為密封樹脂25。
根據圖3所示的結果，第一，作為對樹脂密封用材料5的粒徑D(mm)設定的第2規格的下限，判斷D=0.2(mm)係妥當。在作為第2規格的下限係D=1.0(mm)之情形，由於在評價用腔室的底面，樹脂密封用材料5被配置成斑塊狀的傾向較強(參照圖3的(1))，因此清楚可知不允許作為密封樹脂25。
根據圖3所示的結果，第二，樹脂密封用材料5的粒徑D(mm)的第2規格的上限，預想成存在於D=0.4(mm)以上、1.0(mm)以下的範圍內。對如此之粒徑D的第2規格的上限設定的範圍，在樹脂密封用材料5的粒徑D(mm)的第2規格的下限為0.2mm的情形之中，為圖3的(3)所示的情形與圖3的(4)所示的情形之間，樹脂佔有率相當於41%以上、84%以下的範圍。
繼而，作為第4順序，係使用圖4的(1)~(4)所示的四種樹脂密封用材料Ma~Md，成形厚度的目標值t=0.32(mm)的密封樹脂25(參照圖2的(2))。根據其結果，在成為圖4的(1)、(2)所示的狀態之情形，判斷為不允許作為密封樹脂25者，在成為圖4的(3)、(4)所示的狀態之情形，判斷為允許作為密封樹脂25者。進而，在成為圖4的(3)所示的狀態之情形，判斷為係允許的界限。因此，根據圖4(尤其是圖4的(3))所示的結果，在樹脂密封用材料5的粒徑D(mm)的第2規格的下限為0.2mm的情形下，作為第2規格的上限推定D=1.0(mm)是適當的。作為第2規格的上限的D=1.0(mm)之值，相當於相對於密封樹脂25的厚度的目標值t=0.32(mm)，D/t=3.125之關係。另外，在成為圖4的(3)所示的狀態的情形(D=0.2~1.0mm)下，樹脂佔有率為72%。
繼而，作為第4順序，係根據相當於根據圖4所推定的粒徑D(mm)的第2規格的上限(D=1.0(mm))的樹脂佔有率(72%)，對圖3所示的情形下的粒徑D(mm)的第2規格的上限進行研究。在圖3的(3)中，粒徑D(mm)為D=0.2~1.0mm，樹脂佔有率為41%，在圖3的(4)中，粒徑D(mm)為D=0.2~0.4mm，樹脂佔有率為84%。當在該等之間按比例計算樹脂佔有率為72%的情形時，作為粒徑D(mm)的第2規格的上限，得到D=0.567mm。該D=0.567mm之值，相當於樹脂佔有率為72%的情形，並且相當於相對於密封樹脂25的厚度的目標值t=0.19(mm)，D/t=2.99之關係。
綜上所述，關於對粒徑D(mm)設定的第2規格，第2規格的下限為0.2mm的情形下的第2規格的上限與密封樹脂25的厚度的目標值t(mm)的關係(D/t)，在圖3的情形為D/t=3.125，圖4的情形為D/t=2.99。根據該等情況，關於粒徑D(mm)的第2規格的上限與密封樹脂25的厚度的目標值t(mm)的關係，判斷為D/t=3.0大致是妥當的。
另外，圖3的(4)的情形判斷為十分充分允許作為密封樹脂25。根據該情況，判斷較佳為圖3的(4)所示的情形，亦即對粒徑D(mm)設定的第2規格的上限與密封樹脂25的厚度的目標值t(mm)的關係為D/t≒2.11的情形。因此，關於粒徑D(mm)的第2規格的上限與密封樹脂25的厚度的目標值t(mm)的較佳關係，判斷為D/t=2.0大致是妥當的。
根據到目前為止的說明，關於粒徑D(mm)可以說以下的規格是妥當的。第一，在設置粒徑D的第2規格的下限之情形係為0.03(mm)≦D，且較佳係為0.05(mm)≦D。第二，作為粒徑D的第2規格的上限， 與密封樹脂25的厚度的目標值t(mm)的關係係為D≦3.0×t，且較佳係為D≦2.0×t。
因此，對粒徑D(mm)設定的第2規格為如下所示。亦即，第2規格成為粒徑D與密封樹脂25的厚度的目標值t(mm)相關的D≦3.0×t(mm)之規格。該第2規格，從提高樹脂密封用材料5的產率(有效利用率)的觀點來看是佳的。另一方面，從與更薄的電子元件28對應的觀點來看，較佳為D≦2.0×t(mm)之第2規格。根據抑制樹脂密封用材料5的浮游或帶電的觀點，在對該等第2規格設置下限之情形，可附加0.03(mm)≦D之規格、或0.05(mm)≦D之規格。
本實施例中所使用的樹脂密封用材料5，作為密封樹脂25的厚度的目標值t的規格(第1規格)，以滿足0.03(mm)≦t≦1.2(mm)之規格(較佳為0.05(mm)≦t≦1.0(mm)之規格)為前提，並滿足以下的第2規格。係粒徑D與密封樹脂25的厚度的目標值t相關的、D≦3.0×t(mm)之第2規格。從與更薄的電子元件28對應的觀點來看，較佳為D≦2.0×t(mm)之第2規格。在對該等第2規格設置下限之情形，可附加0.03(mm)≦D之規格、或0.05(mm)≦D之規格。
藉由樹脂密封用材料5滿足該等規格，而可得到以下的效果。第一，即使在密封樹脂25的厚度的目標值t較小之情形，換言之，即使在供給到腔室4的樹脂密封用材料5少量的情形下，亦可抑制樹脂密封用材料5在腔室底面不均勻地配置之情況。藉此，在圖1、2所示的腔室4中，可抑制樹脂密封用材料5熔融而生成的流動性樹脂22流動。因此，抑制引線16的變形、密封樹脂25中的未填充等的發生。
第二，粒徑D的上限可控制成適當的值。因此，可抑制相對於厚度的目標值t具有較大的粒徑的粒狀樹脂的存在而引起的弊端的發生。具體而言，可抑制封裝中的密封樹脂的厚度的偏差。
第三，可抑制由具有小粒徑的樹脂密封用材料5浮游、或者由帶靜電而引起的樹脂密封用材料5往未意圖的地方附著。因此，可抑制如此之樹脂密封用材料5的附著而引起的弊端的發生。
另外，在本申請文件中，對粒徑D設定的第2規格的下限，並不意味著排除包含較該下限小的粒徑D的樹脂密封用材料5者。實際上，在搬送或計量樹脂密封用材料5等的過程，因樹脂密封用材料5破裂或殘缺等，有可能生成微小的粉體或粒體(樹脂密封用材料5引起的微粒子，以下稱為「樹脂系微粒子」)。如此之樹脂系微粒子，有可能具有較粒徑D的第2規格的下限小的粒徑D。因此，以存在具有較粒徑D的第2規格的下限小的粒徑D的樹脂系微粒子為理由，而判斷為不屬於本發明中的樹脂密封用材料5是不妥當的。
[實施例2] 參照圖5針對本發明之樹脂密封裝置的一個實施例進行說明。如圖5所示，樹脂密封裝置A1，具備材料接收手段31、樹脂材料處理手段32、多個(在圖5為兩個)成形手段33、以及成形體分配手段34。材料接收手段31，具備接收密封前基板15的基板接收手段35、以及接收樹脂密封用材料5的樹脂材料接收手段36。從材料接收手段31依序經由樹脂材料處理手段32與多個成形手段33，到成形體分配手段34，設置有搬送軌道37。在搬送軌道37設置有主搬送手段38。主搬送手段38能夠沿著搬送軌道37在圖式之橫方向移動。另外，成形手段33亦可以為單個。
材料接收手段31，具有從樹脂密封裝置A1的外部接收密封前基板15的基板接收部39、以及將接收的密封前基板15搬送到主搬送手段38的基板搬送部40。樹脂材料接收手段36，具有從樹脂密封裝置A1的外部接收樹脂密封用材料5的樹脂接收部41、以及計量接收的樹脂密封用材料5的重量、體積等的計量部42。應計量的樹脂密封用材料5或計量後的樹脂密封用材料5，例如，收容在由托盤(tray)等構成的容器43中。收容在容器43的樹脂密封用材料5，藉由第1樹脂搬送部44就各容器43一起搬送到主搬送手段38。
基板接收手段35與樹脂材料接收手段36，較佳為在第1樹脂搬送部44進退時，根據需要而藉由進行開閉的擋板45分隔。藉此，可抑制包含樹脂系微粒子的微粒子侵入基板接收手段35。
在本實施例之樹脂密封裝置A1中，採用與樹脂材料處理手段32相關的以下的第1構成。亦即，在樹脂密封裝置A1中，樹脂材料處理手段32與材料接收手段31相鄰並設置成裝卸自如。藉由採用如此第1構成，樹脂材料處理手段32根據需要而安裝於樹脂密封裝置A1，或者根據需要而從樹脂密封裝置A1拆卸。
樹脂材料處理手段32，具有按照粒徑的第2規格分選樹脂密封用材料5的分選手段46、以及粉碎分選的結果判斷為粒徑大於第2規格的規格外材料的粉碎手段47。此外，樹脂材料處理手段32，具有在樹脂接收部41、分選手段46與粉碎手段47之間，搬送樹脂密封用材料5及規格外材料的第2樹脂搬送部48。
作為分選手段46，例如選擇或適當地組合光學性手段、氣 流產生的離心力、篩網等眾知的手段而使用。作為粉碎手段47，例如使用攪拌、輥磨機(roll mill)等眾知的手段。分選手段46與粉碎手段47包含在樹脂材料處理手段32。
為了防止樹脂系微粒子等侵入基板接收手段35，較佳為在樹脂材料處理手段32設置以下的構成元件。該等構成元件，包含與擋板45一起運作將包含樹脂材料接收手段36、分選手段46與粉碎手段47的空間與其他空間隔絕的擋板49、以及對存在於藉由擋板45與擋板49隔絕的空間中的微粒子進行吸引並集塵的集塵手段50。
作為在分選手段46中所適用的粒徑D的第2規格，可以與對密封樹脂25的厚度的目標值t設定的第1規格相關聯而採用以下的規格。作為厚度的目標值t的第1規格，例如採用0.03(mm)≦t≦1.2(mm)之規格(較佳為0.05(mm)≦t≦1.0(mm)之規格)。作為對粒徑D的特定的範圍設定的第2規格，例如採用0.03(mm)≦D≦3.0×t(mm)之規格(較佳為0.05(mm)≦D≦2.0×t(mm)之規格)。
多個成形手段33，分別具有以下的構成元件。亦即，作為構成元件而被提出者，係追逐(chase)保持器51、安裝於追逐保持器51且具有腔室4的下模1、與下模1相對向設置且固定密封前基板15的上模2(圖5中未圖示)、於下模1與上模2之間供給並捲繞脫模膜6的第2供給手段52、以及對形成在下模1與上模2之間的外氣隔絕空間(參照圖1的(3)所示的外氣隔絕空間23)進行減壓的減壓泵53。
在成形體分配手段34，設置有搬送成形體26的成形體搬送部54、以及配置有由收容成形體26的托盤等構成的成形體用容器55的 成形體收容部56。
在本實施例之樹脂密封裝置A1中，除了與樹脂材料處理手段32相關的前述的第1構成之外，另採用有與單個或多個(圖5中為兩個)成形手段33相關的以下的第2構成。亦即，圖5所示的左側的成形手段33，與樹脂材料處理手段32相鄰，且與右側的成形手段33相鄰(換言之，係被樹脂材料處理手段32與右側的成形手段33夾著)，在樹脂密封裝置A1中設置成裝卸自如。此外，右側的成形手段33，與左側的成形手段33相鄰，且與成形體分配手段34相鄰(換言之，係被左側的成形手段33與成形體分配手段34夾著)，在樹脂密封裝置A1中設置成裝卸自如。
另外，在樹脂密封裝置A1設置有單個成形手段33之情形，在樹脂密封裝置A1中，該成形手段33安裝成被樹脂材料處理手段32與成形體分配手段34夾著。假若從樹脂密封裝置A1拆卸成形體分配手段34，則能夠在樹脂密封裝置A1中以與該單個成形手段33的右側相鄰之方式裝卸其他成形手段33。
本實施例之樹脂密封裝置A1，發揮了以下的效果。第一，藉由粉碎手段47粉碎藉由分選手段46分選的結果判斷為不滿足第2規格的規格外材料。藉由分選手段46分選粉碎後的規格外材料。將分選的結果判斷為滿足第2規格的第2規格內材料搬送到成形模。因此，能夠有效地利用供給到樹脂密封裝置A1的樹脂密封用材料5。
第二，關於樹脂材料處理手段32，藉由採用第1構成，能夠根據需要，於事後將樹脂材料處理手段32安裝於樹脂密封裝置A1，或者，於事後將樹脂材料處理手段32從樹脂密封裝置A1拆卸。藉此，能夠 根據樹脂密封用材料5的規格、電子元件28的密封樹脂25的厚度的目標值t(參照圖2)等，於事後對樹脂密封裝置A1安裝樹脂材料處理手段32，以及，於事後從樹脂密封裝置A1拆卸樹脂材料處理手段32。此外，能夠將在第1工廠中從樹脂密封裝置A1拆卸的樹脂材料處理手段32，移送到需要該樹脂材料處理手段32的第2工廠，並安裝於第2工廠保有的樹脂密封裝置A1。因此，使用樹脂密封裝置A1的電子元件28(參照圖2的(4))的製造商，能夠根據市場的動向、樹脂密封用材料5及電子元件28的規格的變化等，容易地對樹脂密封裝置A1裝卸樹脂材料處理手段32。
第三，關於各成形手段33，藉由採用前述的第2構成，各成形手段33根據需要而安裝於樹脂密封裝置A1，或者，根據需要而從樹脂密封裝置A1拆卸。藉此，能夠根據市場的動向、或需求的增減等，對樹脂密封裝置A1安裝並增設成形手段33，以及，從樹脂密封裝置A1拆卸成形手段33並減少成形手段33的數量。此外，能夠將在第1工廠中從樹脂密封裝置A1拆卸的成形手段33，移送到例如位於需求旺盛的其他地區的第2工廠，並安裝於第2工廠保有的樹脂密封裝置A1。因此，使用樹脂密封裝置A1的電子元件28(參照圖2的(4))的製造商，能夠根據市場的動向、或需求的增減等，而容易地調整電子元件28的生產能力。
第四，設置有集塵手段50，該集塵手段50係藉由擋板45與擋板49而將包含樹脂材料接收手段36、分選手段46與粉碎手段47的空間與其他空間隔絕，對存在於隔絕的空間的樹脂系微粒子等進行吸引並集塵。藉此，能夠集塵包含樹脂系微粒子的微粒子。因此，能夠抑制因包含樹脂系微粒子的異物附著於密封前基板15等而發生的弊端。
第五，藉由使用脫模膜6，而能夠使成形體26容易地從下模1脫模(參照圖2的(2))。此外，透過脫模膜6，能夠將設在腔室面的微細的凹凸確實地轉印於密封樹脂25。藉由該等，在製造電子元件28(參照圖的2(4))之情形，能夠使品質提高。尤其是，在製造具有包含微細的凹凸的透鏡(例如，菲涅爾透鏡等)的光學元件之情形，能夠顯著地使品質提高。
第六，至少在中間合模狀態下形成外氣隔絕空間23，對該外氣隔絕空間23進行減壓(參照圖1的(3))。藉此，可抑制密封樹脂25中的氣泡的發生。因此，在製造電子元件28(參照圖2的(4))之情形，能夠使品質提高。尤其是，在製造具有透光性的密封樹脂25的光學元件之情形，能夠顯著地使品質提高。
[實施例3] 參照圖6，針對本發明之樹脂密封裝置的其他實施例進行說明。如圖6所示，在樹脂密封裝置A2中，採用有以下的第1~第3構成。
第1構成係如下所示。亦即，圖6所示的左側的成形手段33與基板接收手段57相鄰，且與右側的成形手段33相鄰(換言之，係被基板接收手段57與右側的成形手段33夾著)，並在樹脂密封裝置A2中設置成裝卸自如。此外，右側的成形手段33與左側的成形手段33相鄰，且與成形體分配手段34相鄰(換言之，係被左側的成形手段33與成形體分配手段34夾著)，並在樹脂密封裝置A2中設置成裝卸自如。
第2構成係如下所示。亦即，在圖5所示的樹脂密封裝置A1中，樹脂材料接收手段36包含在材料接收手段31，相對於此，在樹脂 密封裝置A2中，從基板接收手段57獨立出的樹脂材料接收手段58，以與樹脂材料處理手段59相鄰之方式設置。在圖6中，樹脂材料接收手段58與樹脂材料處理手段59，在圖式的上下方向相鄰。樹脂材料接收手段58與樹脂材料處理手段59，一起構成樹脂材料用手段60。此外，樹脂材料接收手段58與樹脂材料處理手段59係分別獨立的模組，並以能夠在樹脂材料用手段60中分別裝卸之方式構成。亦即，能夠於事後，在具有樹脂材料接收手段58的樹脂材料用手段60，安裝樹脂材料處理手段59。
另外，在樹脂密封裝置A2設置有單個成形手段33之情形，在樹脂密封裝置A2中，該成形手段33安裝成被基板接收手段57與成形體分配手段34夾著。假若從樹脂密封裝置A2拆卸樹脂材料用手段60與成形體分配手段34，則能夠在樹脂密封裝置A2中，以與該單個成形手段33的右側相鄰之方式裝卸其他成形手段33。
第3構成係如下所示。亦即，樹脂材料用手段60，在俯視中為夾著單個或多個成形手段33(圖6中為兩個)，設置在與基板接收手段57相反側。因此，在樹脂密封裝置A2中，接收密封前基板15的基板接收手段57、與接收且分選呈粉狀或粒狀的樹脂密封用材料5並根據需要而粉碎規格外材料的樹脂材料用手段60，以相距最遠之方式設置。
根據第1構成，各成形手段33，根據需要而安裝於樹脂密封裝置A2，或者，根據需要而從樹脂密封裝置A2拆卸。因此，使用樹脂密封裝置A2的電子元件28(參照圖2的(4))的製造商，能夠根據市場的動向、或需求的增減等而容易地調整電子元件28的生產能力。
根據第2構成，能夠於事後，在具有樹脂材料接收手段58 的樹脂材料用手段60，安裝樹脂材料處理手段59。因此，伴隨著電子元件28具有的單位密封樹脂30(參照圖2的(4))的薄型化的進展等技術動向的變化，且根據電子元件28的製造商的期望，而能夠於事後追加樹脂材料處理手段59。
根據第3構成，能夠防止樹脂系微粒子等侵入基板接收手段57。因此，能夠防止因包含樹脂系微粒子的異物附著於密封前基板15等而發生的弊端。
此外，由於在樹脂密封裝置A2設置有分選手段46與粉碎手段47，因此與圖5所示的樹脂密封裝置A1的情形同樣地，能夠有效地利用供給到樹脂密封裝置A2的樹脂密封用材料5。
此外，由於設置了集塵手段50，該集塵手段50係藉由擋板45而將包含樹脂材料接收手段58、分選手段46與粉碎手段47的空間與其他空間隔絕，並對存在於隔絕的空間的微粒子進行吸引並集塵，因此，與圖5所示的樹脂密封裝置A1的情形同樣地，能夠抑制因包含樹脂系微粒子的異物附著於密封前基板15等而發生的弊端。
此外，在樹脂密封裝置A2中，由於使用脫模膜6，因此與圖5所示的樹脂密封裝置A1的情形同樣地，在製造電子元件28(參照圖2的(4))之情形，能夠使品質提高。
此外，在樹脂密封裝置A2中，由於至少在中間合模狀態下形成外氣隔絕空間23，並對該外氣隔絕空間23進行減壓(參照圖1的(3))，因此，與圖5所示的樹脂密封裝置A1的情形同樣地，在製造電子元件28(參照圖2的(4))之情形，能夠使品質提高。
另外，在圖6所示的樹脂密封裝置A2中，亦可以交換成形體分配手段34與樹脂材料用手段60的平面位置。在如此交換後之情形，樹脂材料用手段60與圖6所示的右側的成形手段33相鄰，且與成形體分配手段34相鄰(換言之，係被右側的成形手段33與成形體分配手段34夾著)，並在樹脂密封裝置A2中設置成裝卸自如。
在本申請文件中說明的粒徑D，係指藉由光學性手段拍攝樹脂密封用材料5而得到的影像中的該等粒子的投影面積的面積等效圓直徑。因此，以同一樹脂密封用材料5為對象，並使用面積等效圓直徑的測定(計算)以外的其他測定法，例如費雷特(feret)直徑的測定、遮光法或篩選法等測定粒徑D之情形，有可能得到與本申請文件中的粒徑D不同的測定值。在使用其他測定法測定粒徑D之情形，置換成藉由本申請文件中的測定法測定之情形的測定值，而判斷是否包含在本申請文件中所說明的粒徑D的第2規格中。換言之，將使用其他測定法而得到的測定值與本申請文件中所說明的粒徑D的第2規格直接進行比對並不妥當。
在測定樹脂密封用材料5的粒徑D之情形，使用從上方拍攝散佈在托盤的樹脂密封用材料5的方法、從側方拍攝從給料機(feeder)自由落下的樹脂密封用材料5的方法等。但是，並不限定於該等。可以設定成欲供給的樹脂密封用材料5的全數作為對象而測定粒徑D。取而代之，亦可從將欲進行供給的樹脂密封用材料5取出一部分樣品，並以該樣品作為對象而測定粒徑D。
在到目前為止的說明中，已針對在樹脂密封裝置A1、A2的內部設置有按照對粒徑D設定的第2規格分選樹脂密封用材料5的分選 手段46、以及粉碎分選的結果判斷為粒徑D較第2規格大的規格外材料的粉碎手段47的例子進行了說明(參照圖5、6)。不限於此，作為變形例，亦可在樹脂密封裝置的外部設置分選手段與粉碎手段之兩者。在此情形下，可將在樹脂密封裝置的外部預先分選並根據需要而粉碎的樹脂密封用材料5供給到樹脂密封裝置。
作為其他變形例，亦可在樹脂密封裝置的內部設置分選手段，在樹脂密封裝置的外部設置粉碎判斷為不滿足粒徑D的第2規格的規格外材料的粉碎手段。將規格外材料移送到粉碎手段的步驟，可由作業者以手動進行，亦可使用沿著軌道移動的搬送手段或具有往復地旋轉的臂(arm)的搬送手段來進行。
在到目前為止說明的構成中，取代供給用擋板20，亦可在第1供給手段3設置樹脂密封用材料5的落下口。在該構成中，藉由一邊使樹脂密封用材料5落到腔室4，一邊使第1供給手段3移動，而對腔室4供給樹脂密封用材料5。作為樹脂密封用材料5的落下口，較佳為幾乎水平地設置具有槽狀的形狀的落下口。此外，較佳為：以在俯視中，使樹脂密封用材料5落下的軌跡相對於腔室4的模面不相互重疊且不相交的方式，使第1供給手段3移動。進一步地，較佳為：藉由使用加振手段而對落下口施加振動，而一邊使樹脂密封用材料5振動一邊使樹脂密封用材料5對著腔室4的模面落下。
在到目前為止說明的構成中，亦可採用以下的第1、第2變化構成。第1變化構成，係設置具有外框的第1供給手段，且以在俯視中為覆蓋外框與外框的內側的方式，在第1供給手段的下面吸附矩形狀的 脫模膜6，且對由外框與脫模膜6包圍的空間構成的收容部供給樹脂密封用材料5的構成。根據該構成，在收容部收容有樹脂密封用材料5的狀態下，使第1供給手段移動到腔室4的上方。解除對脫模膜6的吸附的同時，在腔室4的內面吸附脫模膜6。藉此，對腔室4供給脫模膜6與樹脂密封用材料5。
第2變化構成，係設置具有凹部的第1供給手段，且對凹部供給樹脂密封用材料5，並在第1供給手段的上面吸附矩形狀的脫模膜6，使第1供給手段反轉的構成。根據該構成，使反轉後的第1供給手段移動到腔室4的上方。解除對脫模膜6的吸附的同時，在腔室4的內面吸附脫模膜6。藉此，對腔室4供給脫模膜6與樹脂密封用材料5。
即使在上述的兩個變化構成中的任一者，在對第1供給手段供給樹脂密封用材料5時，亦可使用加振手段。此外，藉由對使樹脂密封用材料5對著第1供給手段落下的落下口施加振動，而能夠使樹脂密封用材料5振動。此時，較佳為：在第1供給手段的上方，一邊使樹脂密封用材料5振動，一邊使樹脂密封用材料5對著第1供給手段落下。
在到目前為止的說明中，已針對將搬送密封前基板15與成形體26的搬送系統、與搬送樹脂密封用材料5的搬送系統，共同作為主搬送手段38的例子進行了說明(參照圖5、6)。取代如此之構成，亦可以將搬送密封前基板15與成形體26的搬送系統、與搬送樹脂密封用材料5的搬送系統設定成另一系統。
在到目前為止的說明中，已針對在一個成形手段33設置有 一組成形模的構成進行了說明(參照圖5、6)。取代如此之構成，亦可對一個成形手段33準備兩組包含下模1與上模2的一組成形模，並在上段與下段的兩段分別配置一組成形模。在該構成中，藉由使共同的模開閉機構動作，而可實質且同時地對上段的一組成形模與下段的一組成形模進行合模及開模。作為共同的模開閉機構，例如使用伺服電動機、液壓缸等驅動源、以及齒條(rack)與齒輪(pinion)等的傳動手段。根據該構成，在使用具有相同的專有面積的成形手段33之情形，能夠實現兩倍的生產效率。
在到目前為止的說明中，已針對使用脫模膜6的實施例進行了說明(參照圖2的(2)、5、6)。但是，亦可根據成形模所使用的材料的物性與密封樹脂25的物性的組合，而不使用脫模膜6。
在到目前為止的說明中，已針對至少在中間合模狀態下形成外氣隔絕空間23，並對該外氣隔絕空間23進行減壓的實施例進行了說明(參照圖1的(3))。但是，亦可根據對密封樹脂25所要求的與氣泡等相關的品質水準，而不實施形成外氣隔絕空間23、不實施對該外氣隔絕空間23進行減壓。
在到目前為止的說明中，如圖2的(3)、(4)所示，使成形體26以各區域18為單位單片化。例如，在圖2的(3)中的X方向存在四個、且Y方向存在四個區域18之情形，成形體26單片化成分別由一個區域18構成的十六個電子元件28。但不限於此，亦可使成型體26單片化成於X方向合計一個且於Y方向合計四個的區域(以下表示為「1×4」)，或者，亦可使成形體26單片化成合計為4×1的區域。如此，能夠製造分別由四個區域18構成的四個電子元件28。此外，能夠使成形體26單片化成2× 2的區域，而製造分別由四個區域18構成的四個電子元件28。進一步地，可從成形體26去除端部中的不需要的部分，使成形體26單片化成4×4的區域，而製造十六個由區域18構成的一個電子元件28。因此，在晶片14為LED晶片之情形，能夠容易地製造列狀或面狀的光學元件(發光體)。
本發明並不限定於上述的實施例者，在不脫離本發明的宗旨的範圍內，可以根據需要，而任意且適當地組合、變更或選擇而採用者。
1‧‧‧下模
4‧‧‧腔室
5‧‧‧樹脂密封用材料
6‧‧‧脫模膜
15‧‧‧密封前基板
26‧‧‧成形體(樹脂密封體)
31‧‧‧材料接收手段
32‧‧‧樹脂材料處理手段
33‧‧‧成形手段
34‧‧‧成形體分配手段
35‧‧‧基板接收手段
36‧‧‧樹脂材料接收手段
37‧‧‧搬送軌道
38‧‧‧主搬送手段(第1搬送手段)
39‧‧‧基板接收部
40‧‧‧基板搬送部
41‧‧‧樹脂接收部
42‧‧‧計量部
43‧‧‧容器
44‧‧‧第1樹脂搬送部
45、49‧‧‧擋板(分隔手段)
46‧‧‧分選手段
47‧‧‧粉碎手段
48‧‧‧第2樹脂搬送部(第2搬送手段)
50‧‧‧集塵手段
51‧‧‧追逐保持器
52‧‧‧第2供給手段
53‧‧‧減壓泵(減壓手段)
54‧‧‧成形體搬送部
55‧‧‧成形體用容器
56‧‧‧成形體收容部
A1‧‧‧樹脂密封裝置

Claims (30)

  1. 一種樹脂密封裝置，係具備具有腔室的壓縮成形用的成形模，且藉由使用供給到所述腔室的粉狀或粒狀的樹脂密封用材料成形對厚度的目標值t(mm)設定第1規格的密封樹脂，而對電子零件進行樹脂密封，其特徵在於，具備：基板接收手段，從所述樹脂密封裝置的外部接收安裝有所述電子零件的密封前基板；樹脂材料接收手段，從所述樹脂密封裝置的外部接收所述樹脂密封用材料；分選手段，在從所述樹脂密封用材料被供給到所述樹脂密封裝置到被搬入所述成形模之間，根據與所述樹脂密封用材料的粒徑D相關的第2規格即D≦a×t(mm)而分選所述樹脂密封用材料，其中a為正實數；第1搬送手段，將分選的結果判斷為滿足所述第2規格的規格內材料搬送到所述成形模；以及加熱手段，藉由加熱熔融供給到所述腔室的所述樹脂密封用材料，而生成熔融樹脂；所述第1規格為0.03(mm)≦t≦1.2(mm)，且藉由所述熔融樹脂固化而成形所述密封樹脂。
  2. 如申請專利範圍第1項之樹脂密封裝置，其中，所述第1規格為0.05(mm)≦t≦1.0(mm)。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之樹脂密封裝置，其中，所述分選手段，藉由根據拍攝所述樹脂密封用材料而得到的影像計算出投影面積，且將該 投影面積的面積等效圓直徑處理作為所述粒徑D，而分選所述樹脂密封用材料，且所述a值為3.0。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之樹脂密封裝置，其中，所述分選手段，利用氣流產生的離心力或利用篩分選所述樹脂密封用材料。
  5. 如申請專利範圍1或2項之樹脂密封裝置，其中，進一步具備分別具有所述成形模的一個或多個成形手段；所述基板接收手段與所述樹脂材料接收手段，在俯視中，相對於一個或多個所述成形手段在同一側並列配置；一個或多個所述成形手段之中的一個所述成形手段，在俯視中，與所述基板接收手段和所述樹脂材料接收手段的至少一方相鄰，且在所述樹脂密封裝置中設置成裝卸自如。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之樹脂密封裝置，其中，進一步具備分別具有所述成形模的一個或多個成形手段；所述基板接收手段與所述樹脂材料接收手段，在俯視中，夾著一個或多個所述成形手段並相對向地配置；一個或多個所述成形手段之中的一個所述成形手段，在俯視中，與所述基板接收手段和所述樹脂材料接收手段的至少一方相鄰，且在所述樹脂密封裝置中設置成裝卸自如。
  7. 如申請專利範圍第5項之樹脂密封裝置，其中，設置有多個所述成形手段，且該等多個所述成形手段之中的一個，在俯視中，與其他所述成形手段相鄰，且在所述樹脂密封裝置中設置成裝卸自如。
  8. 如申請專利範圍第6項之樹脂密封裝置，其中，設置有多個所述成形手段，且該等多個所述成形手段之中的一個，在俯視中，與其他所述成形手段相鄰，且在所述樹脂密封裝置中設置成裝卸自如。
  9. 如申請專利範圍第1或2項之樹脂密封裝置，其中，進一步具備：粉碎手段，粉碎藉由所述分選手段分選的結果判斷為不滿足所述第2規格(D≦a×t(mm))的規格外材料；以及第2搬送手段，將粉碎後的所述規格外材料搬送到所述分選手段。
  10. 如申請專利範圍第9項之樹脂密封裝置，其中，進一步具備：分隔手段，分隔至少包含所述樹脂材料接收手段、所述分選手段與所述粉碎手段的空間；以及集塵手段，吸引分隔後的所述空間。
  11. 如申請專利範圍第9項之樹脂密封裝置，其中，所述分選手段與所述粉碎手段，包含在處理接收後的所述樹脂密封用材料的樹脂材料處理手段；所述樹脂材料處理手段，與所述樹脂材料接收手段相鄰，且在所述樹脂密封裝置中設置成裝卸自如。
  12. 如申請專利範圍第10項之樹脂密封裝置，其中，所述分選手段與所述粉碎手段，包含在處理接收後的所述樹脂密封用材料的樹脂材料處理手段；所述樹脂材料處理手段，與所述樹脂材料接收手段相鄰，且在所述樹脂密封裝置中設置成裝卸自如。
  13. 如申請專利範圍第1或2項之樹脂密封裝置，其中，所述樹脂密封用材料包含樹脂材料；所述樹脂材料具有熱固性； 所述加熱手段，藉由加熱固化所述熔融樹脂而成形所述密封樹脂。
  14. 如申請專利範圍第1或2項之樹脂密封裝置，其中，進一步具備：第1供給手段，對所述腔室供給所述樹脂密封用材料；移動手段，至少使所述第1供給手段移動到所述腔室的上方；以及加振手段，在所述腔室的上方或所述第1供給手段的上方，對應被供給到所述腔室的所述樹脂密封用材料施加振動。
  15. 如申請專利範圍第1或2項之樹脂密封裝置，其中，進一步具備：外氣隔絕手段，至少在所述成形模合模的狀態下，將包含所述腔室的空間與所述成形模的外部隔絕，並形成外氣隔絕空間；以及減壓手段，對所述外氣隔絕空間進行減壓。
  16. 如申請專利範圍第1或2項之樹脂密封裝置，其中，進一步具備：第2供給手段，在所述成形模開模的狀態下，以與所述腔室重疊的方式供給脫模膜；以及吸引手段，藉由朝向所述腔室中的模面吸引所述脫模膜，而使所述脫模膜緊貼所述模面。
  17. 一種樹脂密封體之製造方法，係對樹脂密封裝置具備的壓縮成形用的成形模具有的腔室供給呈粉狀或粒狀的樹脂密封用材料，且使該樹脂密封用材料熔融並生成熔融樹脂，使該熔融樹脂固化，並藉由成形對厚度的目標值t(mm)設定第1規格的密封樹脂，而對電子零件進行樹脂密封並製造樹脂密封體，其特徵在於，包含：於所述樹脂密封裝置接收所述樹脂密封用材料的步驟；根據與所述樹脂密封用材料的粒徑D相關的第2規格即D≦a×t (mm)，分選所述樹脂密封用材料的步驟，其中a為正實數；以及將分選所述樹脂密封用材料的結果判斷為滿足所述第2規格的第1規格內材料，搬送到所述成形模的步驟；所述第1規格為0.03(mm)≦t≦1.2(mm)。
  18. 如申請專利範圍第17項之樹脂密封體之製造方法，其中，所述第1規格為0.05(mm)≦t≦1.0(mm)。
  19. 如申請專利範圍第18項之樹脂密封體之製造方法，其中，在分選所述樹脂密封用材料的步驟中，藉由根據拍攝所述樹脂密封用材料而得到的影像計算出投影面積，且將該投影面積的面積等效圓直徑處理作為所述粒徑D，而分選所述樹脂密封用材料；所述a值為3.0。
  20. 如申請專利範圍第18項之樹脂密封體之製造方法，其中，在分選所述樹脂密封用材料的步驟中，利用氣流產生的離心力或利用篩分選所述樹脂密封用材料。
  21. 如申請專利範圍第17至20項中任一項之樹脂密封體之製造方法，其中，在分選所述樹脂密封用材料的步驟中，在所述樹脂密封裝置的內部分選所述樹脂密封用材料。
  22. 如申請專利範圍第17至20項中任一項之樹脂密封體之製造方法，其中，在分選所述樹脂密封用材料的步驟中，在所述樹脂密封裝置的外部分選所述樹脂密封用材料。
  23. 如申請專利範圍第17至20項中任一項之樹脂密封體之製造方法，其中，進一步包含： 粉碎分選的結果判斷為不滿足所述第2規格(D≦a×t(mm))的規格外材料，並生成粉碎後材料的步驟；根據所述第2規格分選所述粉碎後材料的步驟；以及將分選所述粉碎後材料的結果判斷為滿足所述第2規格的第2規格內材料，搬送到所述成形模中的步驟。
  24. 如申請專利範圍第23項之樹脂密封體之製造方法，其中，在生成所述粉碎後材料的步驟中，在所述樹脂密封裝置的內部粉碎所述規格外材料。
  25. 如申請專利範圍第23項之樹脂密封體之製造方法，其中，在生成所述粉碎後材料的步驟中，在所述樹脂密封裝置的外部粉碎所述規格外材料。
  26. 如申請專利範圍第17至20項中任一項之樹脂密封體之製造方法，其中，進一步包含：準備所述樹脂密封裝置的步驟，所述樹脂密封裝置具有從所述樹脂密封裝置的外部接收安裝有所述電子零件的密封前基板的基板接收手段、從所述樹脂密封裝置的外部接收所述樹脂密封用材料的樹脂材料接收手段、以及分別具有所述成形模的一個或多個成形手段；對所述基板接收手段供給所述密封前基板的步驟；以及對所述樹脂材料接收手段供給所述樹脂密封用材料的步驟；在供給所述密封前基板的步驟與供給所述樹脂密封用材料的步驟中，對相鄰的所述基板接收手段與所述樹脂材料接收手段，分別供給所述密封前基板與所述樹脂密封用材料。
  27. 如申請專利範圍第17至20項中任一項之樹脂密封體之製造方法，其中，進一步包含：準備所述樹脂密封裝置的步驟，所述樹脂密封裝置具有從所述樹脂密封裝置的外部接收安裝有所述電子零件的密封前基板的基板接收手段、從所述樹脂密封裝置的外部接收所述樹脂密封用材料的樹脂材料接收手段、以及分別具有所述成形模的一個或多個成形手段；對所述基板接收手段供給所述密封前基板的步驟；以及對所述樹脂材料接收手段供給所述樹脂密封用材料的步驟；在供給所述密封前基板的步驟與供給所述樹脂密封用材料的步驟中，對夾著一個或多個所述成形手段並相對向地配置的所述基板接收手段與所述樹脂材料接收手段，分別供給所述密封前基板與所述樹脂密封用材料。
  28. 如申請專利範圍第17至20項中任一項之樹脂密封體之製造方法，其中，進一步包含：使對所述腔室供給所述樹脂密封用材料的第1供給手段移動到所述腔室的上方的步驟；以及對應被供給到所述腔室中的所述樹脂密封用材料施加振動的步驟；在對所述樹脂密封用材料施加振動的步驟中，在所述腔室的上方或所述第1供給手段的上方，對所述樹脂密封用材料施加振動。
  29. 如申請專利範圍第17至20項中任一項之樹脂密封體之製造方法，其中，進一步包含：將判斷為滿足所述第2規格的所述第1規格內材料搬送到所述成形 模中的步驟之後，在合模所述成形模的途中或合模所述成形模的狀態下，將包含所述腔室的空間與所述成形模的外部隔絕，並形成外氣隔絕空間的步驟；以及對所述外氣隔絕空間進行減壓的步驟。
  30. 如申請專利範圍第17至20項中任一項之樹脂密封體之製造方法，其中，進一步包含：在開模所述成形模的狀態下，以與所述腔室重疊的方式供給脫模膜的步驟；以及藉由朝向所述腔室中的模面吸引所述脫模膜，而使所述脫模膜緊貼所述模面的步驟。
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