TWI512882B - And a substrate stage of the substrate processing apparatus - Google Patents
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Description
本發明係關於對以半導體晶圓為代表之基板施予成膜、蝕刻等之特定處理的基板處理裝置之基板載置台。
就以對基板之晶圓施予當作電漿處理例如蝕刻處理的基板處理裝置，具備收容晶圓之收容室(腔室)，和被配置在該腔室內，載置晶圓之基板載置台。基板處理裝置係在腔室內產生電漿，藉由該電漿對被載置在基板載置台之晶圓施予蝕刻處理。
基板載置台在上部具備絕緣性構件，例如由陶瓷所構成之靜電吸盤，在靜電吸盤之內部配置有靜電電極板。對晶圓施予蝕刻處理之期間，對靜電電極板施加直流電壓，藉由以該直流電壓所產生之庫倫力或強生拉貝克(Johnsen-Rahbek)力，靜電吸盤吸附保持晶圓。
第5圖為表示以往之基板處理裝置之基板載置台之概略構成的剖面圖。
該基板載置台70主要係由例如以金屬鋁所構成之基部71、被配置在該基部71之上部平面的靜電吸盤(ESC)72、接合靜電吸盤72和基部71之接合劑層73、被配置在靜電吸盤72之周圍的聚焦環75所構成，在靜電吸盤72之上部平面載置有圓板狀之晶圓W。
在基部71之上部平面，形成有應絕緣該基部71，例
如熔射由鋁、釔等所構成之陶瓷的熔射皮膜。再者，由於必須以電漿洗淨腔室內，故靜電吸盤72被要求耐電漿性及耐壓性，故在近年來，最佳適用形成一體的板吸盤以當作靜電吸盤72。當作板吸盤之靜電吸盤72係由厚度大約1mm之陶瓷所構成，在其內部內藏有靜電電極板74。
聚焦環75係由例如單結晶矽所構成，以包圍被載置在靜電吸盤72之晶圓W之方式，被載置在基部71之上部平面之外周部。聚焦環75因由導電體所構成，故電漿之分布區域不僅在晶圓W上，擴大至聚焦環75上而將晶圓W之周緣部上之電漿密度維持與該晶圓W之中央部上之電漿密度相同程度。依此，可以維持被施予在晶圓W之全面的電漿蝕刻處理之均勻性。
在如此以往之基板載置台中，因在靜電吸盤72和聚焦環75之間具有間隙，故有電漿經由該間隙和晶圓W和聚焦環75之間的間隙而進入，由有機物所構成之接合劑層73接受電漿之照射而耗損之問題。再者，靜電吸盤72和聚焦環75之間中之基部71之表面71a露出。該露出表面71a被照射電漿，熔射皮膜耗損，不久當基部71之金屬鋁露出時，則有產生異常放電(電弧)之問題。接合劑層73之消耗及異常放電之產生，係對作為基板載置台之功能產生壞影響，成為縮短基板載置台之壽命的原因。
在此，期待開發可以迴避接合靜電吸盤和基部之接合劑層之消耗等的基板載置台之開發，提案有以保護被覆覆蓋接合劑層之週邊部的基板載置台(例如，參照專利文獻
1)。
[專利文獻1]日本特開2000-286332號公報
但是，記載於專利文獻1之基板載置台，不僅藉由與靜電吸盤本體和基部之接合部，也藉由以另外構件之氟樹脂保護膜被覆靜電吸盤本體全體和基部之一部分，具備基部、被載置在基部之靜電吸盤、被配置在靜電吸盤之周圍的聚焦環，為追加新構成構件的氟樹脂保護膜，有增加零件數量及組裝工時之問題。
本發明之目的係提供不會增加零件數量及組裝工時，可以防止因電漿進入所引起之接合靜電吸盤和基部之接合劑層之消耗及基部表面中之電弧(異常放電)之產生的基板處理裝置之基板載置台。
為了達成上述目的，申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置之基板載置台具有圓板狀的基部；藉由接合劑層被接合於該基部之上部平面，藉由圓形之吸附面支撐基板的圓板狀之靜電吸盤；被配置在該靜電吸盤之周圍，包圍上述基板，並且覆蓋上述基部之上述上部平面之外周部
的圓環狀之聚焦環，上述靜電吸盤係呈具有上部圓板部和直徑較該上部圓板部大之下部圓板部的兩段構造，上述基部具有上述靜電吸盤之上述下部圓板部嵌合的凹部，嵌合於上述凹部之接合上述下部圓板部之側面和上述凹部之內部壁面之間的間隙，及接合上述下部圓板部和上述基部之上述接合劑層之外周部，於從上述基板側觀看上述靜電吸盤時，被上述聚焦環隱藏。
申請專利範圍第2項所記載之基板處理裝置之基板載置台，係如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置之基板載置台中，上述聚焦環係被載置在包圍上述基部之上述凹部的上部平面，上述聚焦環之下部平面和上述靜電吸盤之上述下部圓板部之上部平面不抵接，上述聚焦環之下部平面和上述靜電吸盤之上述下部圓板部之上部平面之間隙(D)大於0mm且為0.4mm以下。
申請專利範圍第3項所記載之基板處理裝置之基板載置台，係如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置之基板載置台中，上述聚焦環係被載置在上述靜電吸盤之上述下部圓板部，上述聚焦環之下部平面和包圍上述基部之上述凹部的上部平面不抵接，包圍上述聚焦環之下部平面和上述基部之上述凹部的上部平面之間隙(E)大於0mm且為0.4mm以下。
申請專利範圍第4項之基板處理裝置之基板載置台，係如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置之基板載置台中，上述聚焦環具有上述靜電吸盤之上述下部圓板部
之外周部及上述接合劑層之外周部滑動嵌合之缺口部，上述下部圓板部之外周部及上述接合劑層之外周部和上述缺口部之內壁面之間隙，於從上述基板側觀看上述靜電吸盤時，被上述聚焦環隱藏。
如申請專利範圍第5項所記載之基板處理裝置之基板載置台，係如申請專利範圍第1至4項中之任一項所記載之基板處理裝置之基板載置台中，上述基板為圓形之板狀體，該基板和上述聚焦環係在垂直方向一部分重疊，沿著上述基板之半徑方向的一個重疊部分中之重疊寬度(A)為0.5~1.5mm。
申請專利範圍第6項所記載之基板處理裝置之基板載置台，係如申請專利範圍第5項所記載之基板處理裝置之基板載置台中，上述重疊部分中之上述基板之下部平面和上述聚焦環之上部平面之間隙(B)為0.4mm以下。
申請專利範圍第7項所記載之基板處理裝置之基板載置台，係如申請專利範圍第1至4項中之任一項所記載之基板處理裝置之基板載置台中，上述靜電吸盤之上述上部圓板部之外周面和上述聚焦環之內周面之間隙(C)為0.05~0.4mm。
若藉由申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置之基板載置台，靜電吸盤呈具有上部圓板部和直徑大於該上部圓板部之下部圓板部的兩段構造，嵌合於凹部之下部圓
板部之側面和凹部之內部壁面之間的間隙，及接合下部圓板部和基部之接合劑層之外周部，因從基板側觀看靜電吸盤時，被聚焦環隱藏，故不用追加其他構成構件，可以抑制電漿到達至基部在上述間隙之露出表面或接合劑層之外周部，進而可以不用增加零件數量及組裝時數，防止因電漿之進入所引起之接合靜電吸盤和基部之接合劑層之消耗及基部表面中之電弧(異常放電)之產生，並防止因電弧所產生之基部或接合劑層之損傷。再者，可以增長電漿往基部在上述間隙之露出表面或接合劑層之外周部的進入路徑，確實地抑制電漿到達至基部之表面或接合層之外周部而確實地防止接合劑之消耗。
以下，針對本發明之實施形態，一面參照圖面一面予以詳細說明。
第1圖為概略性表示具備本發明之實施形態所涉及之基板載置台的基板處理裝置之構成的剖面圖。該基板處理裝置係對當作基板之半導體裝置用之晶圓(以下單稱為「晶圓」)施予電漿蝕刻處理。
在第1圖中，基板處理裝置10具有收容晶圓W之腔室11，在腔室11內配置有載置晶圓W之圓柱狀的基板載置台(以下稱為「承載器」)12。在該基板處理裝置10中藉由腔室11之內側壁和承載器12之側面，形成側方排氣路13。在側方排氣路13之途中，配置排氣板14。
排氣板14為具有多數貫通孔之板狀構件，當作將腔室11內部分隔成上部和下部之分隔板而發揮功能。在藉由排氣板14而分隔之腔室11內部之上部(以下稱為「處理室」)15如後述般產生電漿。再者，在腔室11內部之下部(以下，稱為「排氣室(歧管)」)16連接排出腔室11內之氣體的排氣管17。排氣板14係將產生於處理室15之電漿的擴散予以阻斷或反射而防止洩漏至歧管16。
排氣管17連接TMP(Turbo Molecular Pump)及DP(Dry Pump)(任一者皆無圖示)，該些泵將腔室11內予以抽真空而減壓至特定壓力。並且，腔室11內之壓力藉由APC閥(無圖示)而被控制。
腔室11內之承載器12係經第1整合器19連接第1高頻電源18，並且經第2整合器21連接第2高頻電源20，第1高頻電源18係將比較低之頻率，例如2MHz之偏壓用之高頻電力供給至承載器12，第2高頻電源20係將比較高之頻率，例如60MHz之電漿生成用之高頻電力供給至承載器12。依此，承載器12係當作下部電極而發揮功能。再者，第1整合器19及第2整合器21係降低來自承載器12之高頻電力之反射，使高頻電力對承載器12的施加效率成為最大。
在承載器12之上部設置有在內部具有靜電電極板22之靜電吸盤23。靜電吸盤23係由陶瓷所構成，具有下部圓板部之直徑大於上部圓板部之直徑的兩段構件。
在靜電電極板22連接有直流電源24，當對靜電極板
22施加正的直流電壓時，則在晶圓W中之靜電吸盤23側之面(以下，稱為「背面」)產生負電位，在靜電電極板22及晶圓W之背面之間產生電位差，因該電位差引起之庫倫力或強生拉別克(Johnsen-Rahbek)力，晶圓W被吸附保持於靜電吸盤23。
再者，以包圍被靜電吸盤23吸附保持之晶圓W的方式，載置環狀構件之聚焦環25。聚焦環25係藉由例如矽(Si)或碳化矽(SiC)等所構成。
在承載器12之內部設置有例如延伸於圓周方向之環狀冷媒室26。在該冷煤室26自冷卻單元(省略圖示)經冷煤用配管27循環供給低溫之冷媒例如冷卻水或油脂(Galden：註冊商標)。藉由冷媒而被冷卻之承載器12，經靜電吸盤23冷卻晶圓W及聚焦環25。
在靜電吸盤23中吸附保持晶圓W之部分(以下，稱為「吸附面」)，開口有多數傳熱氣體供給孔28。傳熱氣體供給孔28經傳熱氣體供給管線29而連接於傳熱氣體供給部(省略圖示)，該傳熱氣體供給部經傳熱氣體供給孔28將當作傳熱氣體之氦(He)氣供給至吸附面及晶圓W之背面之間隙。被供給至吸附面及晶圓W之背面之間隙的氦氣係有效果地將晶圓W之熱傳達至靜電吸盤23。
在腔室11之頂棚部以與承載器12對向之方式配置有噴淋頭30。噴淋頭30具有上部電極31、可裝卸垂釣支撐該上部電極31之冷卻板32，和覆蓋該冷卻板32之蓋體33。上部電極板31係由具有貫通於厚度方向之多數氣孔
34之圓板狀構件所構成，藉由屬於半導體之矽所構成。再者，在該冷卻板32之內部設置緩衝室35，在該緩衝室35連接有氣體導入管36。
再者，在噴淋頭30之上部電極31連接有直流電源37，對上部電極板31施加負的直流電壓。此時，上部電極板31係藉由正離子之衝突而釋放二次電子，防止在處理室15內部中之晶圓W上電子密度下降之情形。被釋放出之二次電子係從晶圓W流向在側方排氣路13被設置成包圍承載器12之側面之半導電體，即為藉由碳化矽或矽所構成之接地電極(接地環)38。
在如此構成之電漿處理裝置10中，自處理氣體導入管36供給至緩衝室35之處理氣體經氣孔34而被導入至處理室15內部，該被導入之處理氣體係依據自第2高頻電源20經承載器12被施加於處理室15內部之電漿生成用之高頻電力被激勵而成為電漿。電漿中之離子係第1高頻電源18藉由施加於承載器12之偏壓用之高頻電力而朝向載置晶圓W引入，對該晶圓W施予電漿蝕刻處理。
基板處理裝置10之各構成構件之動作，係基板處理裝置10具有之控制部(省略圖式)之CPU因應對應於電漿蝕刻處理之程式而予以控制。
第2圖為表示第1圖中之基板載置台的部分剖面圖。
在第2圖中，承載器12主要係以基部(以下，稱為「金屬基座」)41；藉由接合劑層42被接合於該金屬基座41之上部表面，藉由圓形之吸附面而支撐晶圓W之圓板
狀的靜電吸盤23；和被配置在該靜電吸盤23之周圍，包圍晶圓W之圓環狀的聚焦環25所構成。
靜電吸盤23具有下部圓板部23a之直徑大於上部圓板部23b之直徑的兩段構件(新型形狀)。下部圓板部23a及上部圓板部23b之厚度例如各為1mm。金屬基座41係由以陶瓷之溶射膜所覆蓋之金屬鋁所構成之圓筒狀之構件，在金屬基座41之上部表面，設置有靜電吸盤23之下部圓板部23a嵌合之凹部41a。靜電吸盤23之下部圓板部23a係被嵌合在金屬基座41之凹部41a，藉由接合劑層42而被接合於凹部41a之底部平面。
聚焦環25係被載置在包圍金屬基座41之凹部41a的上部平面41b，聚焦環25係覆蓋上部平面41b。聚焦環25之內周部分係較金屬基座41之上部平面41b之內周側端部突出至內周方向，嵌合於凹部41a之靜電吸盤23之下部平板部23a之外周部及接合劑層42之外周部係藉由聚焦環25而被覆蓋。即是，靜電吸盤23之下部圓板部23a和金屬基座41之凹部41a之嵌合部係以聚焦環25而被覆蓋。在此，靜電吸盤23之下部圓板部23a和聚焦環25之靜電吸盤23之半徑方向中之一個重疊寬度(F)為例如0.5mm以上。藉由將該重疊寬度(F)設為0.5mm以上，增大阻止電漿進入之效果。
靜電吸盤23之下部圓板部23a之厚度，和接合劑層42之厚度之合計，比金屬基座41之凹部41a之深度些許薄。因此，被載置於包圍金屬基座41之凹部41a之上部
平面41b的聚焦環25之下部平面和靜電吸盤23之下部圓板部23a之上部平面之間具有間隙(D)。該間隙(D)為例如0.4mm以下。當將該間隙設為大於0.4mm以上時，無法充分取得阻止電漿進入之效果。
藉由在被載置於金屬基座41之上部平面41b的聚焦環25之下部表面和靜電吸盤23之下部圓板部23a之間設置間隙，可以吸收各構成構件之製作時的製作誤差，可以確保組裝容易性。例如，即使將金屬基座41之上部平面41b和靜電吸盤23之下部圓板部23a之上部平面設為相同高度，並將聚焦環25同時抵接於金屬基座41之上部平面41b及靜電吸盤23之下部圓板部23a之上部平面之雙方，使能進行載置，由於尺寸誤差之影響41b和23a之上部平面也不成為相同高度，無法進行良好之組裝。
晶圓W為例如由矽所構成之圓形之板狀體，晶圓W和聚焦環25係在垂直方向中，一部分即使晶圓W之外周部與聚焦環25之內周部重疊。沿著晶圓W之半徑方向的一部分的重疊部分中之重疊寬度(A)為0.5~1.5mm。因當重疊寬度(A)少於0.5mm時，防止電漿進入之效果並不充分，當大於1.5mm時靜電吸盤23和晶圓W之接觸面積相對性變小，故控制晶圓W之溫度之時的傳熱效率下降。若重疊寬度(A)為0.5~1.5mm時，則不會使傳熱效率下降，可以防止電漿通過晶圓W和聚焦環25之間隙的情形。
晶圓W和聚焦環25重疊之重疊部分中之晶圓W和聚
焦環25之間隙(B)為例如0.4mm以下。當該間隙設為大於0.4mm以上時，阻止電漿進入之效果則不充分。若晶圓W和聚焦環25之間隙為0.4mm以下時，則可以有效果阻止電漿之進入。此時，即使抵接晶圓W之下部平面和聚焦環25之上部平面亦可，但是為了迴避因從聚焦環25之上部平面承受之垂直阻力所引起之應力造成的損傷，以確保些微的間隙，例如0.1mm左右之間隙為佳。
靜電吸盤23之上部圓板部23b之外周面和聚焦環25之內周面之間之間隙(C)為例如0.4m以下，最佳為0.05mm以上0.4mm以下。當該間隙(C)設為大於0.4mm以上時，阻止電漿進入之效果則變小。再者，該間隙(C)小於0.05mm時，則有靜電吸盤23之上部圓板部23b之外周面和聚焦環25之內周面接觸而損傷之虞。間隙(C)若為0.05~0.4mm時，則可以一面防止因接觸所造成之損傷，一面阻止電漿之進入。即使針對間隙(D)也相同。
若藉由本實施態時，則將靜電吸盤23設為具有上部圓板部23b和直徑大於該上部圓板部23b之下部圓板部23a，設為將下部圓板部23a嵌合於金屬基座41之凹部41a的掩埋構造，以聚焦環25覆蓋嵌合部，故可以使金屬基座41之表面(凹部41a之底部表面)或接合層42之外周部，位於下部圓板部23a及凹部41a之嵌合部41c之下部，可以增長電漿至金屬基座41之表面或接合劑層42之外周部的路徑，進而可以抑制電漿到達至金屬基座41之表面或接合劑層42之外周部。其結果，不用追加其他構
成構件，可以防止在接合劑層42之消耗或金屬基座41表面產生電弧。
即是，若藉由本實施形態時，將在垂直方向使晶圓W和聚焦環25一部分重疊，延伸於形成在晶圓W和聚焦環25之間的水平方向之間隙之厚度(B)，延伸於形成在靜電吸盤23之上部圓板部之外周面和聚焦環25之內周面之間的垂直方向之間隙的寬度(C)，以及形成在聚焦環25之下部平面和靜電吸盤23之下部圓板部23a之上部平面之間的水平方向之間隙之厚度(D)，各設為0.4mm以下，依此成為形成在晶圓W及靜電吸盤23，和聚焦環25之間，將連通於晶圓W之上部空間之間隙設為迷路狀之迷宮構造，故可以阻止對晶圓W施予電漿之時之電漿經該間隙而到達至金屬基座41之表面或接合劑層42，防止接合劑層42之消耗或金屬基座41之表面產生電弧，而防止該些損傷。並且，也可以依據電弧所產生之微粒產生及金屬污染。
再者，若藉由本實施形態時，因設為將靜電吸盤23之下部圓板部23a嵌合至金屬基座41之凹部41a的掩埋構造，故即使塗佈於靜電吸盤23之下部圓板部23a之下部平面的接合劑量多少變多時，亦可以藉由下部圓板部23a和凹部41a之內部壁面之間的些許間隙而吸收。因此，不需要嚴密調整接合劑之塗佈量。再者，可以提升承載器全體之組裝容易性，並且抑制因剩餘之接合劑剝離而產生微粒。
再者，若藉由本實施形態，因將靜電吸盤23和金屬基座41之接合部設為掩埋構造，也具有聚焦環25可以原樣地適用以往構造的效果。
在本實施形態中，即使將加熱器埋設在靜電吸盤23，從更近之位置控制晶圓W之溫度。如此一來，藉由在靜電吸盤23埋設加熱器，比起不具備加熱器之以往型之靜電吸盤，其厚度變厚，但其部分容易形成由直徑大之下部圓板部23a，和直徑小之上部圓板部所構成之兩段構造而當作靜電吸盤23本體。然後，藉由將靜電吸盤23設為兩段構造，依據絕對性厚度薄例如3mm左右之聚焦環25容易覆蓋下部圓板部23a。因此，抑制電漿到達至金屬基座41及接合劑層42，可以增長作為基板載置台全體之壽命。
再者，若藉由本實施形態時，因將靜電吸盤23設為下部圓板部23a和上部圓板部23b所構成之兩段構造(心型構造)，故比起以往技術，可以將在靜電吸盤23內傳導之熱的境界部移動至承載器12之外側。因此，容易提升傳熱效率，確保靜電吸盤23及晶圓W中之熱的均勻性。
在本實施形態中，因設為將靜電吸盤23之下部圓板部23a嵌合至金屬基座41之凹部41a的掩埋構造，故成為以金屬基座41之凹部41a拘束靜電吸盤23之下部圓板部23a之熱膨脹，但是因金屬基座41之一側的熱膨脹係數大於靜電吸盤23a，故在兩者間不會產生熱應力。因此，可以迴避因熱應力引起之靜電吸盤23之變形或損傷
而保持基板載置面之精度。
在本實施形態中，為了使接合劑層42之厚度均勻，可以使間隔物介在靜電吸盤23之下部圓板部23a之下部平面和金屬基座41之凹部41a之底部平面之間。就以間隔物而言，可以適用例如由陶瓷所構成之小球。
接著，針對本實施形態之變形例予以說明。
第3圖為表示本實施形態之變形例所涉及之基板載置台的部分剖面圖。
在第3圖中，該基板載置台52與第2圖之基板載置台12不同之處，在靜電吸盤23中對上部圓板部23a之直徑更增大下部圓板部23a之直徑，即是對上部圓板部23b之外周面增長下部圓板部23a之外周面之突出長而將聚焦環25載置在下部圓板部23a之點。
若藉由本實施形態之變形例時，因將聚焦環25載置在靜電吸盤23之下部圓板部23a，故在晶圓W對聚焦環25的定位時，在兩構件之間，僅介在靜電吸盤23，可更正確執行定位，使形成在兩構件間之間隙(B)之尺寸安定。再者，可以迴避因蓄積各構成構件之製作公差引起的定位不良。
在本實施形態之變形例中，沿著聚焦環25和靜電吸盤23之下部圓板部23a之半徑方向的一個重疊部分中之重疊寬度(G)為例如1~30mm。依此，聚焦環25係藉由靜電吸盤23而安定被支撐。
在本實施形態之變形例中，形成在聚焦環25之下部
平面和金屬基座41之上部平面41b之間的間隙(E)係與形成在第2圖中之聚焦環25之下部平面和下部圓板部23a之上部平面之間的間隙(D)相同，例如0.4mm以下。依此，可以阻止電漿進入至該間隙(E)。
接著，針對本實施形態之另外的變形例予以說明。
第4圖為表示本實施形態之另外的變形例所涉及之基板載置台的部分剖面圖。
在第4圖中，該基板載置台62與第2圖之基板載置台12不同之處，係無當作金屬基座61的靜電吸盤23嵌合之凹部，設為具有扁平之上部平面，在聚焦環55設置靜電吸盤23之下部圓板部23a之外周部及接合劑層42之外周部嵌合之缺口部55a，使靜電吸盤23之下部圓板部23a及接合劑層42之外周部滑動嵌合在該缺口部55a之點。
若藉由本實施形態之另外的變形例時，因靜電吸盤23之下部圓板部23a之外周部和接合劑層42之外周部，和聚焦環55之缺口部55a之內壁面之間隙，藉由聚焦環55本身覆蓋，故阻止電漿進入至該間隙。因此，可以防止由於照射電漿使得接合劑層42之消耗或在金屬基座61表面產生電弧。
在上述各實施形態中，施予電漿處理之基板並不限定於半導體裝置用之晶圓，即使為使用於包含LCD(Liquid Crystal Display)之FPD(Flat Panel Display)等之各種基板，或光罩、CD基板、印刷基板等亦可。
10‧‧‧基板處理裝置
12、52、62‧‧‧基板載置台(承載器)
22‧‧‧靜電電極板
23‧‧‧靜電吸盤(ESC)
23a‧‧‧下部圓板部
23b‧‧‧上部圓板部
25、55‧‧‧聚焦環
41、61‧‧‧金屬基座(基部)
41a‧‧‧凹部
41b‧‧‧上部平面
42‧‧‧接合劑層
第1圖為概略性表示具備本發明之實施形態所涉及之基板載置台的基板處理裝置之構成的剖面圖。
第2圖為表示第1圖中之基板載置台的部分剖面圖。
第3圖為表示實施形態之變形例所涉及之基板載置台的部分剖面圖。
第4圖為表示實施形態之另外的變形例所涉及之基板載置台的部分剖面圖。
第5圖為表示以往之基板載置台之概略構成的剖面圖。
12‧‧‧基板載置台(承載器)
22‧‧‧靜電電極板
23‧‧‧靜電吸盤(ESC)
23a‧‧‧下部圓板部
23b‧‧‧上部圓板部
25‧‧‧聚焦環
41‧‧‧金屬基座(基部)
41a‧‧‧凹部
41b‧‧‧上部平面
41c‧‧‧嵌合部
42‧‧‧接合劑層
W‧‧‧晶圓
Claims (7)
- 一種基板處理裝置之基板載置台，其特徵為具有：基部；藉由接合劑層被接合於該基部之上部平面，藉由圓形之吸附面支撐基板的圓板狀之靜電吸盤；及被配置在該靜電吸盤之周圍，包圍上述基板，並且覆蓋上述基部之上述上部平面之外周部的圓環狀之聚焦環，上述靜電吸盤係呈具有上部圓板部和直徑較該上部圓板部大之下部圓板部的兩段構造，上述基部具有上述靜電吸盤之上述下部圓板部嵌合的凹部，嵌合於上述凹部之上述下部圓板部之側面和上述凹部之內部壁面之間的間隙，及接合上述下部圓板部和上述基部之上述接合劑層之外周部，於從上述基板側觀看上述靜電吸盤之時，被上述聚焦環隱藏。
- 如申請範圍第1項所記載之基板處理裝置之基板載置台，其中上述聚焦環係被載置在包圍上述基部之上述凹部的上部平面，上述聚焦環之下部平面和上述靜電吸盤之上述下部圓板部之上部平面不抵接，上述聚焦環之下部平面和上述靜電吸盤之上述下部圓板部之上部平面之間隙(D)大於0mm且為0.4mm以下。
- 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置之基板載置台，上述聚焦環係被載置在上述靜電吸盤之上述下部圓板 部，上述聚焦環之下部平面和包圍上述基部之上述凹部的上部平面不抵接，包圍上述聚焦環之下部平面和包圍上述基部之上述凹部的上部平面之間隙(E)大於0mm且為0.4mm以下。
- 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置之基板載置台，其中上述聚焦環具有上述靜電吸盤之上述下部圓板部之外周部及上述接合劑層之外周部滑動嵌合之缺口部，上述下部圓板部之外周部及上述接合劑層之外周部和上述缺口部之內壁面之間隙，於從上述基板側觀看上述靜電吸盤時，被上述聚焦環隱藏。
- 如申請專利範圍第1至4項中之任一項所記載之基板處理裝置之基板載置台，其中上述基板為圓形之板狀體，該基板和上述聚焦環係在垂直方向一部分重疊，沿著上述基板之半徑方向的一個重疊部分中之重疊寬度(A)為0.5~1.5mm。
- 如申請專利範圍第5項所記載之基板處理裝置之基板載置台，其中上述重疊部分中之上述基板之下部平面和上述聚焦環之上部平面之間隙(B)為0.4mm以下。
- 如申請專利範圍第1至4項中之任一項所記載之基板處理裝置之基板載置台，其中上述靜電吸盤之上述上部圓板部之外周面和上述聚焦環之內周面之間隙(C)為0.05~0.4mm。
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