TWI510658B - 成膜裝置及成膜方法 - Google Patents

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Shinya Nakamura
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Description

成膜裝置及成膜方法
本發明係關於一種用以於基板之表面形成覆膜之成膜裝置及成膜方法，尤其關於一種設置有複數個濺鍍陰極之成膜裝置及使用該裝置之成膜方法。
本申請案對於在2010年6月30日申請之日本專利特願2010-149321號主張優先權，並將其內容引用於此。
先前，例如使用有於半導體元件之製作之成膜步驟中使用濺鍍法之成膜裝置(以下稱為「濺鍍裝置」)。其中，作為於同一裝置內可不破壞真空地連續進行成膜或多靶濺鍍(Multi-Target Sputtering)之濺鍍裝置，已知有多靶濺鍍裝置。多靶濺鍍裝置為如下濺鍍裝置：對於可保持為特定之真空度之真空腔室內所配置之處理基板，設置有複數個濺鍍陰極，其等分別具有根據欲成膜於處理基板表面之薄膜之組成而製作之靶材。
於多靶濺鍍裝置中係使濺鍍粒子自傾斜方向朝基板方向入射，因此為提高基板面上之膜厚均一性，已知有一面使基板及支持基板之基板支持台旋轉一面進行成膜之方法(例如參照專利文獻1)。
又，於近年之濺鍍裝置中，為提高濺鍍之性能而謀求濺鍍時之輸入功率之增加。藉此，可於更短時間內成膜，可實現處理量之提高。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2007-321238號公報
另外，此種用途之濺鍍裝置中，在LED(Light Emitting Diode，發光二極體)、光學膜等之成膜步驟中所要求之膜厚變薄並且強烈要求可膜厚均一性良好地成膜。
於如上述之使基板旋轉之類型之情形時，為進一步提高膜厚均一性，較佳為相對於基板之旋轉週期而使成膜時間足夠長。然而，隨著薄膜化及輸入功率之增加而成膜時間縮短，因此存在相對於基板之旋轉週期，成膜時間變得不充分之問題。
例如，若設為與基板之旋轉週期為1秒(60 rpm)相對，濺鍍成膜時間為1.5秒，則於濺鍍成膜時間內基板旋轉一周半。於此種情形時，1.5秒之濺鍍成膜時間中最後之0.5秒成為膜厚不均一之主要原因，較大地損害膜厚分佈。換言之，於濺鍍成膜時間1.5秒內基板旋轉540°，因此在相對於一周360°之剩餘之旋轉(180°)中形成不均一之膜厚。
針對該問題，考慮有藉由進一步加快旋轉速度而改善膜厚分佈之方法。然而，存在如下問題：藉由加快旋轉速度，而導致成膜裝置之消耗電力之增加、或旋轉裝置之短壽命化。
又，與處理量直接相關之基板每1片之處理室停留時間不僅包含濺鍍成膜時間，亦包含在將基板載置於基板支持台後，使基板之旋轉速度加速至特定之旋轉速度為止之時間及減速之時間。若欲加快旋轉速度，則加速時間及減速時間亦變長，因此存在處理量惡化之問題。
本發明係考慮上述情形而完成者，其目的在於提供一種可實現膜厚均一化，可抑制濺鍍時之消耗電力，並且實現使基板支持台旋轉之驅動機構之長壽命化，且可於更短時間內進行濺鍍的成膜裝置及成膜方法。
為達成上述目的，本發明提供以下之手段。
本發明之成膜裝置之特徵在於包含：腔室，其於內部配置藉由濺鍍成膜而應形成覆膜之基板；靶材，其配置於上述腔室內且包含上述覆膜之形成材料；基板支持台，其配置於上述腔室之內部；驅動機構，其使上述基板支持台旋轉；濺鍍陰極，其安裝有上述靶材且對於上述基板支持台上之基板使濺鍍粒子自傾斜方向入射；及控制裝置，其以形成所期望之膜厚之覆膜所需的濺鍍成膜時間且上述支持台以特定之旋轉週期旋轉之濺鍍成膜時間成為上述基板支持台之旋轉週期之整數倍的方式決定旋轉週期，進行上述驅動機構之控制。
又，上述控制裝置較佳為以使直至上述基板支持台之旋轉週期成為特定之旋轉週期為止之加速中、及成膜結束後之減速中的加速時間及減速時間相等，且加速時間及減速時間成為上述旋轉週期之整數倍之方式進行設定之後，以於上述加速中及減速中亦進行濺鍍成膜之方式控制上述驅動機構。
本發明之成膜方法之特徵在於，其係使用下述成膜裝置者，該成膜裝置包含：腔室，其於內部配置藉由濺鍍成膜而應形成覆膜之基板；靶材，其配置於上述腔室內，且包含上述覆膜之形成材料；基板支持台，其配置於上述腔室之內部；驅動機構，其使上述基板支持台旋轉；及濺鍍陰極，其安裝有上述靶材且使濺鍍粒子自傾斜方向對上述基板支持台上之基板入射；以形成所期望之膜厚之覆膜所需的濺鍍成膜時間且上述支持台以特定之旋轉週期旋轉之濺鍍成膜時間成為上述基板支持台之旋轉週期之整數倍的方式決定旋轉週期，進行上述驅動機構之控制。
又，上述成膜方法較佳為，設定最長旋轉週期，以上述旋轉週期不長於上述最長旋轉週期之方式決定旋轉週期。
又，上述成膜方法較佳為，以使直至上述基板支持台之旋轉週期成為特定之旋轉週期之加速中、及成膜結束後之減速中的加速時間及減速時間相等，且加速時間及減速時間成為上述旋轉週期之整數倍之方式進行設定之後，於上述加速中及減速中亦進行濺鍍成膜。
根據本發明，在包含安裝有靶材且使濺鍍粒子自傾斜方向對基板支持台上之基板入射的濺鍍陰極之成膜裝置中，藉由成為包含下述控制裝置之構成，而可使膜厚分佈更加均一，上述控制裝置以形成所期望之膜厚之覆膜所需的濺鍍成膜時間成為基板支持台之旋轉週期之整數倍之方式決定旋轉週期，進行基板支持台之驅動機構之控制。
又，由於基板支持台之旋轉速度降低，故而消耗電力得以抑制，且可實現裝置之長壽命化。
又，藉由於直至基板支持台之旋轉週期成為特定之旋轉週期為止之加速中、及成膜結束後之減速中亦進行濺鍍成膜，而可進一步縮短成膜時間。
以下，參照圖式對本發明之實施形態進行詳細說明。再者，本發明並不限定於以下之實施形態，基於本發明之技術思想可進行各種變形。
(濺鍍裝置)
圖1係本實施形態之成膜裝置1之概略剖面圖。於本實施形態中，成膜裝置1作為磁控濺鍍裝置而構成。
成膜裝置1包含：可將內部氣密地密封之腔室2、配置於該真空腔室2之內部之基板支持台3、使該基板支持台3以旋轉軸4為軸心進行旋轉之驅動機構7、及配置於真空腔室2之內部之複數個(於本實施形態中為3組)濺鍍陰極5A、5B、5C等。
真空腔室2於內部劃分有處理室6，且設為經由未圖示之真空排氣機構可將處理室6減壓至特定之真空度為止。又，用以向處理室6之內部導入氬氣等處理氣體或氧氣、氮氣等反應性氣體之氣體導入噴嘴(未圖示)安裝於真空腔室2之特定位置。
基板支持台3構成為使用未圖示之溫度調整機構，可將載置於基板支持台3上之基板W加熱至特定溫度。又，基板W例如藉由靜電吸盤而固定於基板支持台3上。
旋轉軸4構成為經由馬達等驅動機構7而可旋轉。藉此，構成有使基板W繞其中心自轉之基板旋轉機構。於旋轉軸4之軸封中，使用有磁流體密封。
如圖2所示，濺鍍陰極5A~5C係於真空腔室2之上部且在以基板W為中心之同心圓上等角度間隔地配置。該等濺鍍陰極5A~5C分別獨立地配備有用以於處理室6內形成電漿之高頻電源或磁力機構等電漿產生源。
於各個濺鍍陰極5A~5C中，分別保持有包含成膜於基板W上之任意材料之靶材。濺鍍陰極5A~5C係以利用電漿中之氬離子自靶材所敲出之濺鍍粒子相對於基板W之法線方向自傾斜方向入射之方式分別傾斜特定角度而設置於腔室2。
驅動機構7藉由控制裝置8而控制。控制裝置8構成為可使旋轉軸4以特定之旋轉速度旋轉。即，使用者可使基板W以所期望之旋轉速度、及旋轉週期旋轉。
控制裝置8具有如下功能：由根據成膜裝置1之規格等所決定之濺鍍成膜速度、與使用者所期望之成膜膜厚而計算濺鍍成膜時間T(秒)。
進而，控制裝置8具有如下功能：根據所計算之濺鍍時間T，決定旋轉週期P(秒)。此處，所謂旋轉週期P係指基板支持台3旋轉一周所需之時間(秒)，若將基板支持台3之旋轉速度設定為Srpm(轉/分鐘)，則為以P=60/S所計算之值。
控制裝置8係以濺鍍成膜時間T成為旋轉週期P之整數倍之方式進行控制。即，若將濺鍍成膜時間設為T，則旋轉週期P按以下之算式(1)計算。n表示整數。
T=n×P...(1)
即，按以下之算式(2)計算旋轉週期P。
P=(1/n)×T...(2)
藉由進行以如成為按上述方法算出之旋轉週期P之旋轉速度S使基板支持台3旋轉之控制，基板支持台3(基板W)於濺鍍成膜時間T內準確地旋轉n周。
換言之，以於濺鍍成膜時間T內基板支持台3以固定速度準確地旋轉(360×n)°之方式決定旋轉週期P(旋轉速度S)。當然，進行濺鍍成膜之時間(濺鍍成膜時間T)亦得以準確地控制。
若考慮消耗電力或驅動機構7之壽命，則較佳為旋轉速度S較慢(旋轉週期P較長)。即，較佳為n為較小之整數。
然而，於旋轉週期P過長之情形時，即，因旋轉速度S過慢，而產生膜厚均一度及驅動馬達之振動等之問題，因此較佳為預先設定最長旋轉週期Pmax(最低旋轉速度)。於計算之旋轉週期P不滿足最長旋轉週期Pmax之情形時，藉由依次增大上述計算式之n之值而進行不超出最長旋轉週期Pmax之再計算。
另一方面，較佳為根據驅動機構7之規格而設定最短旋轉週期Pmin(最高旋轉速度)。於即便n=1時亦計算出低於最短旋轉週期Pmin之旋轉週期P之情形時，在未圖示之顯示裝置顯示警告後，以最短旋轉週期Pmin進行處理。
又，於可在某種程度上預測濺鍍成膜時間T之情形時，亦可設為預先決定相對於濺鍍成膜時間T之旋轉次數(上述計算式中之整數n)之方法。
例如，於可預測濺鍍成膜時間T為60秒以下之情形時，在濺鍍成膜時間為1秒以上且未達30秒之情形時，決定為以於濺鍍成膜時間T內使基板支持台3旋轉1周之方式進行控制。又，於濺鍍成膜時間T為30秒以上且60秒以下之情形時，決定為以於濺鍍成膜時間T內使基板支持台3旋轉2周之方式進行控制。藉由準備此種資料表，可更加容易地計算旋轉週期P(旋轉速度S)。
例如，於如上述之資料表之情形時，在計算出濺鍍成膜時間T為50秒時，以使基板支持台3旋轉2周之方式進行控制。即，算出旋轉週期P為(50秒/2周=)25秒。
又，於使基板支持台3以特定之旋轉速度S旋轉之情形時，在實際之處理室停留時間中加速至特定之旋轉速度S為止之時間(加速時間)、及減速之時間(減速時間)為必需。
為進一步縮短處理室停留時間，較佳為以如下所述之方法於加速時間及減速時間內亦進行濺鍍成膜。即，藉由將加速時間之加速度設為固定，將減速時間之加速度設為固定，且以使加速時間之加速度與減速時間之加速度的絕對值相等之方式進行加速減速，而於加速時間及減速時間內亦進行濺鍍成膜。
雖加速時之膜厚分佈不均衡，但減速時之膜厚分佈之不均衡將其彌補。利用上述方法，可於加速、減速中亦進行濺鍍成膜，因此可不使膜厚分佈惡化地縮短處理室停留時間。其中，加速時間及減速時間必需設為旋轉速度S之旋轉週期P之整數倍。
[實施例]
以下，示出實施例進一步詳細地說明本發明，但本發明並不限定於該等實施例。
<實施例1>
於實施例1中，使用圖1、2所示之成膜裝置1，成膜Cu膜。作為基板W，使用Φ 300 mm之Si晶圓。又，作為靶材，使用Cu之組成比為99%且濺鍍面之直徑製作為Φ 125 mm者。所要成膜之Cu膜之膜厚為1.5 μm。
首先，根據成膜裝置1之濺鍍速度、與所要形成之Cu膜之膜厚，計算出濺鍍成膜時間。濺鍍成膜時間為1.5秒。若設為於該1.5秒內使基板支持台3旋轉1周，則根據P=(1/n)×T，旋轉週期P為((1/1)×1.5=)1.5秒(40 rpm)。
於該條件下進行成膜時，於1.5秒之成膜時間內基板支持台3準確地旋轉1周，因此可進行膜厚均一度較高之成膜。
<比較例1>
除不控制旋轉週期P(旋轉速度)之外，以與實施例1相同之方法進行成膜。旋轉週期P為1秒(旋轉速度60 rpm)。
由於成膜裝置1相同，故而濺鍍成膜時間T為1.5秒。於該條件下進行成膜時，於1.5秒之成膜時間內基板支持台3旋轉1.5周，因此成為較大地損害膜厚分佈之結果。
如上所述，若比較實施例1與比較例1，則雖濺鍍成膜時間T相同，但實施例1可實現膜厚均一度更高之成膜。
<實施例2>
於實施例2中，使用圖1所示之成膜裝置1，成膜Cu膜。作為基板W，使用Φ 300 mm之Si晶圓。又，作為靶材，使用Cu之組成比為99%且濺鍍面之直徑製作為Φ 125 mm者。所要成膜之Cu膜之膜厚為180 μm。即，與實施例1相比，加厚了Cu膜之膜厚。
又，於將最短旋轉週期設定為1秒(60 rpm)、最長旋轉週期設定為60秒(1 rpm)之後，準備如以下所記載之資料表。
1≦T≦10(秒)：n=1(周)
10<T≦20(秒)：n=2(周)
20<T≦60(秒)：n=3(周)
60<T≦120(秒)：n=4(周)
120<T≦300(秒)：n=5(周)
首先，根據成膜裝置1之濺鍍速度與所要形成之Cu膜之膜厚，計算出濺鍍成膜時間。濺鍍成膜時間為120秒。
根據上述資料表，於濺鍍成膜時間T內旋轉之基板支持台3之旋轉次數為4。根據上述式即P=(1/n)×T，旋轉週期P為((1/4)×120=)30秒。
若將旋轉週期P=30秒之旋轉換算成旋轉速度，則為2 rpm(轉/分鐘)。本實施例中使用之成膜裝置中，加速至旋轉速度2 rpm為止所需之時間、及自2 rpm至使基板支持台3停止為止所需之時間分別為2秒，因此如圖3所示，每1片之處理室停留時間為(120+4=)124秒。
<實施例3>
除於基板支持台3之加速中、及基板支持台3之減速中亦進行濺鍍成膜之外，以與實施例2相同之方法進行成膜。
雖將基板支持台3加速至2 rpm為止所需之時間為2秒，但由於加速時間及減速時間必須設為至少2 rpm中之旋轉週期P=30秒之整數倍，故而加速時間及減速時間分別設為30秒。
又，以加速中之加速度與減速中之加速度為固定，且加速中之加速度與減速中之加速度之絕對值相同之方式進行加速、減速。
如圖4所示，於加速、減速中所進行之濺鍍成膜相當於以旋轉速度2 rpm之濺鍍成膜中之60秒之濺鍍成膜。因此，可將所計算出之濺鍍成膜時間自120秒縮短至60秒。因此，每1片之處理室停留時間為60+60=120秒。
<比較例2>
以先前之方法進行成膜。成膜時間與實施例同樣為120秒。另一方面，平台旋轉速度為60 rpm(旋轉週期為1秒)。又，加速至60 rpm為止所需之時間為30秒，自60 rpm至停止所需之時間亦為30秒。
於該情形時，由於平台旋轉速度足夠快，故而於膜厚均一度上不存在問題。每1片之處理室停留時間為(120+30×2=)180秒。
比較實施例2與比較例2，成為如下結果：就每1片之處理室停留時間而言，比較例2更多地耗費(180秒-120秒=)60秒之時間。其係由將基板支持台3加速至特定之旋轉速度為止之時間、及減速使之停止之時間的差所致。又，藉由以於濺鍍時間T內基板支持台3準確地旋轉2周之方式進行控制，雖旋轉速度慢於比較例2，但於膜厚均一度上不存在問題。
進而，藉由如實施例3般於加速中及減速中亦進行濺鍍成膜，而對實施例2可進一步縮短4秒之處理時間。
1．．．成膜裝置
2．．．腔室
3．．．基板支持台
4．．．旋轉軸
5．．．濺鍍陰極
6．．．處理室
7．．．驅動機構
P．．．旋轉週期
T．．．濺鍍成膜時間
W．．．基板
圖1係本發明之成膜裝置之概略剖面圖。
圖2係成膜裝置之概略平面圖。
圖3係表示成膜時間與旋轉速度之關係之圖表。
圖4係表示成膜時間與旋轉速度之關係之圖表。
1．．．成膜裝置
2．．．腔室
3．．．基板支持台
4．．．旋轉軸
5A．．．濺鍍陰極
5B．．．濺鍍陰極
5C．．．濺鍍陰極
6．．．處理室
7．．．驅動機構
8．．．控制裝置
W．．．基板

Claims (5)

  1. 一種成膜裝置，其特徵在於包含：腔室，其於內部配置藉由濺鍍成膜而應形成覆膜之基板；靶材，其配置於上述腔室內，且包含上述覆膜之形成材料；基板支持台，其配置於上述腔室之內部；驅動機構，其使上述基板支持台旋轉；濺鍍陰極，其安裝有上述靶材，且使濺鍍粒子自傾斜方向對上述基板支持台上之基板入射；及控制裝置，其以形成所期望之膜厚之覆膜所需的濺鍍成膜時間且上述支持台以特定之旋轉週期旋轉之濺鍍成膜時間成為上述基板支持台之旋轉週期之整數倍的方式決定旋轉週期，進行上述驅動機構之控制。
  2. 如請求項1之成膜裝置，其中上述控制裝置以使直至上述基板支持台之旋轉週期成為特定之旋轉週期為止之加速中、及成膜結束後之減速中的加速時間及減速時間相等，且加速時間及減速時間成為上述旋轉週期之整數倍之方式進行設定之後，以於上述加速中及減速中亦進行濺鍍成膜之方式控制上述驅動機構。
  3. 一種成膜方法，其特徵在於，其係使用下述成膜裝置者，該成膜裝置包含：腔室，其於內部配置藉由濺鍍成膜而應形成覆膜之基板；靶材，其配置於上述腔室內，且包含上述覆膜之形成材料；基板支持台，其配置於上述腔室之內部；驅動機構，其使上述基板支持台旋轉；及濺鍍陰極，其安裝有上述靶材，且使濺鍍粒子自傾斜方向對上述基板支持台上之基板入射；以形成所期望之膜厚之覆膜所需的濺鍍成膜時間且上述支持台以特定之旋轉週期旋轉之濺鍍成膜時間成為上述基板支持台之旋轉週期之整數倍的方式決定旋轉週期，進行上述驅動機構之控制。
  4. 如請求項3之成膜方法，其中設定最長旋轉週期，以上述旋轉週期不長於上述最長旋轉週期之方式決定旋轉週期。
  5. 如請求項3或4之成膜方法，其中以使直至上述基板支持台之旋轉週期成為特定之旋轉週期為止之加速中、及成膜結束後之減速中的加速時間及減速時間相等，且加速時間及減速時間成為上述旋轉週期之整數倍之方式進行設定之後，於上述加速中及減速中亦進行濺鍍成膜。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
HK1215127A2 (zh) * 2015-06-17 2016-08-12 Master Dynamic Ltd 製品塗層的設備、儀器和工藝
EP3396016A4 (en) * 2015-12-24 2019-08-28 Konica Minolta, Inc. FILM-EDITING DEVICE AND FILM-EDGING PROCESS
JP2020026575A (ja) * 2018-08-10 2020-02-20 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜システム、および成膜方法
TW202104628A (zh) * 2019-04-19 2021-02-01 美商應用材料股份有限公司 用於控制pvd沉積均勻性的系統及方法
US11557473B2 (en) 2019-04-19 2023-01-17 Applied Materials, Inc. System and method to control PVD deposition uniformity
TW202129045A (zh) * 2019-12-05 2021-08-01 美商應用材料股份有限公司 多陰極沉積系統與方法
JP7111380B2 (ja) * 2020-04-01 2022-08-02 株式会社シンクロン スパッタ装置及びこれを用いた成膜方法
US20220189749A1 (en) * 2020-12-14 2022-06-16 Applied Materials, Inc. Process Kit Conditioning Chamber

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000319096A (ja) * 1999-04-28 2000-11-21 Fujikura Ltd 薄膜の形成方法
JP2009132966A (ja) * 2007-11-30 2009-06-18 Shincron:Kk 成膜装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE59205106D1 (de) * 1991-12-27 1996-02-29 Balzers Hochvakuum Vakuumbehandlungsanlage und deren Verwendungen
JPH0850815A (ja) * 1994-04-21 1996-02-20 Sekisui Chem Co Ltd 透明導電体及びその製造方法
JP4223614B2 (ja) * 1999-01-12 2009-02-12 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング方法及び装置及び電子部品の製造方法
CN1614077A (zh) * 2003-11-04 2005-05-11 电子科技大学 基于转速调制的提高薄膜厚度均匀性的方法
JP4726704B2 (ja) * 2006-06-05 2011-07-20 株式会社アルバック スパッタ装置およびスパッタ方法
KR20100049536A (ko) * 2007-08-29 2010-05-12 아사히 가라스 가부시키가이샤 도전체층의 제조 방법
WO2009157341A1 (ja) * 2008-06-25 2009-12-30 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置及びその制御用プログラムを記録した記録媒体
JP2010126789A (ja) * 2008-11-28 2010-06-10 Shibaura Mechatronics Corp スパッタ成膜装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000319096A (ja) * 1999-04-28 2000-11-21 Fujikura Ltd 薄膜の形成方法
JP2009132966A (ja) * 2007-11-30 2009-06-18 Shincron:Kk 成膜装置

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