TWI507493B - 導電性接著劑及使用其之電路基板、電子零件模組 - Google Patents

導電性接著劑及使用其之電路基板、電子零件模組 Download PDF

Info

Publication number
TWI507493B
TWI507493B TW100134969A TW100134969A TWI507493B TW I507493 B TWI507493 B TW I507493B TW 100134969 A TW100134969 A TW 100134969A TW 100134969 A TW100134969 A TW 100134969A TW I507493 B TWI507493 B TW I507493B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
solder
conductive adhesive
organic acid
particles
solder particles
Prior art date
Application number
TW100134969A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201221602A (en
Inventor
Arata Kishi
Naomichi Ohashi
Atsushi Yamaguchi
Original Assignee
Panasonic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp filed Critical Panasonic Corp
Publication of TW201221602A publication Critical patent/TW201221602A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI507493B publication Critical patent/TWI507493B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J9/00—Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
    • C09J9/02—Electrically-conducting adhesives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/04—Non-macromolecular additives inorganic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/08—Metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/04—Oxygen-containing compounds
    • C08K5/09—Carboxylic acids; Metal salts thereof; Anhydrides thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/4853—Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/13198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/13199—Material of the matrix
    • H01L2224/1329—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/13198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/13298—Fillers
    • H01L2224/13299—Base material
    • H01L2224/133—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13301—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/13313—Bismuth [Bi] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
    • H01L2224/81192—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/812—Applying energy for connecting
    • H01L2224/8122—Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/8185—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/81855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/81874—Ultraviolet [UV] curing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013—Fully indexed content
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0263—Details about a collection of particles
    • H05K2201/0272—Mixed conductive particles, i.e. using different conductive particles, e.g. differing in shape
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/04—Soldering or other types of metallurgic bonding
    • H05K2203/0425—Solder powder or solder coated metal powder
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
    • H05K3/4053—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques
    • H05K3/4069—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques for via connections in organic insulating substrates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Description

導電性接著劑及使用其之電路基板、電子零件模組 發明領域
本發明係有關於一種主要在將電子零件等焊接在電子電路基板上時使用之導電性接著劑及使用其之電路基板、電子零件模組。
 發明背景
焊接電子零件之方法可舉迴流焊接法，流動焊接法等為例，但是近年來，IC晶片，QFP等之表面安裝採用的是在零件間及引線間不產生橋接部份，且生產性亦優異之迴流焊接法。通常，在迴流焊接法中，使用混合焊料合金與助熔劑之焊料膏，且使用金屬遮罩將該焊料膏印刷在電子電路基板之預定位置，並在迴焊爐中加熱而進行焊接。
用於迴流焊接法之焊料膏之焊料之一是SnBi系之低熔點焊料。此外，在本說明書中，焊料膏是由(1)焊料粉末，及(2)由去除在焊料粒子表面或塗布焊料膏之金屬表面上產生之氧化膜之有機酸、松香、溶劑及增黏劑等構成的助熔劑形成。
但是在SnBi系中，有由於焊料是脆的，所以只能使用在一部份電子機器中之問題。
特別地，在行動電話及數位相機等之行動式系統中，在由於使用時落下等來自外部之衝擊、振動造成對接合部的影響下產生裂縫，或產生焊接零件脫落等，因此希望提高接合強度。
因此，為了改善接合強度，最近已開發出如記載於專利文獻1之混合焊料粉末及具有助熔劑作用之環氧系接著劑的導電性接著劑，作為取代焊料之接合材料。
此外，在本說明書中，導電性接著劑是由焊料粉末，環氧樹脂，硬化劑，有機酸，及增黏劑構成之材料。
如此之導電性接著劑是使用金屬遮罩印刷在電子電路基板之預定位置後，藉迴焊加熱，且藉在具有助熔劑作用之環氧系接著劑中含有有機酸之作用，去除焊料之氧化膜後，藉焊料之接合與樹脂之硬化，同時進行電子電路基板與零件之接合及補強的材料。
揭示在專利文獻1中之導電性接著劑之構成是由混合具有助熔劑作用之環氧系接著劑，及SnBi系焊料粉末而形成之導電性接著劑。此外，揭示於專利文獻1中之具有助熔劑作用之環氧系接著劑是所謂在環氧系樹脂中含有硬化劑及有機酸者。
在專利文獻1中，就SnBi系焊料粉末之粒徑而言，粒徑過小時，不能良好地達成粒子接合，另一方面，過大時，無法良好地進行經微小間距化之電路基板之焊墊(land)部份之印刷，因此使用25~45μm之粒徑的Sn42Bi58(42wt%Sn-58wt%Bi)焊料粉末。
如此之導電性接著劑使用於將晶片零件等安裝在電子電路基板上時，藉金屬遮罩等，將導電性接著劑印刷在預定位置，且安裝晶片零件後，藉加熱使焊料粉末熔融。
此時，導電性接著劑之焊料熔融而使接著劑分離。焊料濕潤焊接部之金屬，且進行焊料接合，但是接著劑形成樹脂膜以便覆蓋焊料之周圍。樹脂膜在與焊料熔融之同時藉其熱開始硬化，且焊接結束後硬化完成。
此外，在專利文獻1之導電性接著劑中，由於焊接時焊料熔融，所以為使對金屬部之濕潤(焊料凝集性)平順地進行，即，為了增加有機酸在環氧樹脂或與硬化劑之混合物中的溶解性，使用在側鏈上具有烷基之二元酸作為有機酸。已有記載的是該有機酸使用2,5-二乙基己二酸，且直鏈之碳數在6以上，並且使用碳數1~5之烷基作為側鏈之烷基。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：特開2006-199937號公報
但是，在上述專利文獻1之導電性接著劑中，雖然揭示對於0.8mm之微小間距，可確保導電性接著劑對基板之印刷性能，但是對於比0.8更細之微小間距，不易確保印刷性能。
本發明係考慮習知導電性接著劑之如此課題，且目的是提供對於具有比習知細之微小間距之焊墊的電路基板可確保印刷性能之導電性接著劑及使用其之電路基板、電子零件模組。
第1本發明係一種導電性接著劑，係包含10~90wt%之SnBi系焊料粉末，及剩餘部份含有有機酸之接著劑者，前述SnBi系焊料粉末係由粒徑L1 為20~30μm之焊料粒子，及粒徑L2 為8~12μm之焊料粒子所構成，且前述SnBi系焊料粉末之混合比例係前述粒徑20~30μm之焊料粒子為焊料粉末全體之40~90wt%，且剩餘部份為具有8~12μm之粒徑之焊料粒子。
又，第2本發明係一種導電性接著劑，係包含10~90wt%之SnBi系焊料粉末，及剩餘部份含有有機酸之接著劑者，前述SnBi系焊料粉末係由粒徑L1 為20~30μm之焊料粒子，及粒徑L2 為8~12μm之焊料粒子所構成，且前述SnBi系焊料粉末之混合比例係前述粒徑20~30μm之焊料粒子為焊料粉末全體之60~80wt%，且剩餘部份為具有8~12μm之粒徑之焊料粒子。
又，第3本發明係上述第1或第2本發明之導電性接著劑，其中前述含有有機酸之接著劑係至少由環氧樹脂，硬化劑，前述有機酸，及增黏劑構成，且前述有機酸包含己二酸及戊二酸。
又，第4本發明係上述第3本發明之導電性接著劑，其中前述己二酸與前述戊二酸之比例係前述己二酸為10~50wt%，且剩餘部份為前述戊二酸。
又，第5本發明係上述第4本發明之導電性接著劑，其中前述己二酸與前述戊二酸之比例係前述己二酸為20~40wt%，且剩餘部份為前述戊二酸。
又，第6本發明係上述第3至5中任一個本發明之導電性接著劑，其中前述有機酸之粒度分布中，粒徑10μm以下之粒子量在有機酸之粒子全體中含有5~70%。
又，第7本發明係上述第1至6中任一個本發明之導電性接著劑，其中前述SnBi系焊料粉末係42wt%Sn-58wt%Bi，42wt%Sn-57wt%Bi-1.0wt%Ag，或16wt%Sn-56wt%Bi-28wt%In。
又，第8本發明係一種導電性接著劑，係包含10~90wt%之SnBi系焊料粉末，及剩餘部份含有有機酸之接著劑者，前述SnBi系焊料粉末係由粒徑L1 為20~30μm之焊料粒子，及粒徑L2 為8~12μm之焊料粒子所構成，且前述SnBi系焊料粉末之混合比例係前述粒徑20~30μm之焊料粒子為焊料粉末全體之60~80wt%，且剩餘部份為具有8~12μm之粒徑之焊料粒子，且前述含有有機酸之接著劑係至少由環氧樹脂，硬化劑，前述有機酸，及增黏劑構成，且前述有機酸包含己二酸及戊二酸，且前述己二酸與前述戊二酸之比例係前述己二酸為有機酸全體之20~40wt%，且剩餘部份為前述戊二酸。
又，第9本發明係上述第1、第2、第8中任一個本發明之導電性接著劑，其中前述粒徑L2 為前述粒徑L1 之0.4倍。
又，第10本發明係一種電路基板，其包含：基材；及導電部，其係在前述基材上，使用上述第1至7中任一個本發明之導電性接著劑所形成者。
又，第11本發明係一種電子零件模組，其包含：電路基板；導電部，係在前述電路基板上，使用上述第1至7中任一個本發明之導電性接著劑所形成者；及電子零件，係透過前述導電部安裝在前述電路基板上。
依據上述構造，藉混合2種粒徑之SnBi系焊料粉末，可對具有比0.8mm更細之微小間距之焊墊的電子電路基板進行印刷。
如上所述，依據本發明，可提供對於具有更細之微小間距之焊墊的電路基板可確保印刷性能之導電性接著劑及使用其之電路基板、電子零件模組。
此外，依據本發明，除了上述效果以外，可提供可使對焊料熔融時之金屬部之濕潤(焊料凝集性)平順地進行，且可確保刮漿板壽命(印刷時之黏度安定性)之導電性接著劑及使用其之電路基板、電子零件模組。
圖式簡單說明
第1圖是用以說明本發明實施形態中之導電性接著劑之焊料粒子之粒徑的模式圖。
第2(2-a)~(2-c)圖是藉本發明實施形態5中之導電性接著劑所形成之導電部之製造方法的模式截面圖。
第3(3-a)~(3-d)圖是藉本發明實施形態6中之導電性接著劑所形成之多層電路基板之製造方法的模式截面圖。
第4(4-a)~(4-d)圖是使用本發明實施形態7中之導電性接著劑接合之電子零件模組之製造方法的模式截面圖。
 用以實施發明之形態
以下，就本發明之實施形態進行說明。
在此，先共同地說明與後述各實施形態之說明共通的事項(材料名，評價方法)。
本發明實施形態中之導電性接著劑係由含有有機酸之接著劑及SnBi系焊料粉末構成。
此外，本實施形態之「含有有機酸之接著劑」具有助熔劑作用(在此，助熔劑作用係指去除在塗布導電性接著劑之金屬表面上產生之氧化膜的作用，及使熔融焊料之表面張力降低而促進焊料膏對接合金屬表面之濕潤性的作用)。
SnBi系焊料粒子之特徵在於混合粒徑L1 為20~30μm之焊料粒子及粒徑L2 為8~12μm焊料粒子的2種粒徑。
此外，含有有機酸之接著劑之特徵在於由至少環氧樹脂、硬化劑、有機酸、增黏劑構成，且有機酸係，具體而言，混合己二酸與戊二酸兩種酸。
用於後述實施例及比較例之材料係以下述方法作成者，或已取得者。
(1)導電性接著劑之材料調製
a)焊料粒子：混合下述之焊料粒子第1號與第2號使用。
該焊料粒子第1號與第2號之粒徑係藉雷射折射、散射測定，且使用累積粒子量為50%之粒徑的中間直徑(D50)。
a-1)SnBi系焊料粒子第1號(粒徑20~30μm)
商品名：Sn/Bi58(20-30)(三井金屬礦藥公司製)
a-2)SnBi系焊料粒子第2號(粒徑8~12μm)
商品名：Sn/Bi58(DS10)(三井金屬礦藥公司製)
此外，在此之粒徑表示1個粒子為真球時之直徑，但是在其他形狀時，為其形狀之外接長方體之最大長度。
b)：環氧樹脂
b-1)雙酚A型環氧樹脂
商品名：Epicoat YL980(Japan Epoxy Resin公司製)
b-2)雙酚F型環氧樹脂
商品名：Epicoat 806(Japan Epoxy Resin公司製)
c)硬化劑：
咪唑系硬化劑(10μm以下之粉體)
商品名：2P4MHZ(2-苯-4-甲-5-羥甲咪唑：四國化成工業公司製)
d)有機酸：
d-1)己二酸(關東化學公司製)
d-2)戊二酸(關東化學公司製)
e)增黏劑：二苯苄基山梨醇
商品名：GEL ALL D(新日本理化公司製)
使用以上材料，關於由含有有機酸之接著劑及SnBi系焊料粉末構成之導電性接著劑，利用以下處方作成。
測量雙酚A型環氧樹脂，雙酚F型環氧樹脂，咪唑系硬化劑，己二酸，戊二酸，增黏劑，且在18℃~28℃之環境下，大約攪拌30分鐘至全體成為均一，並且作成含有有機酸之接著劑。
接著，在藉上述攪拌步驟得到之含有有機酸之接著劑中，添加任意量之2種粒徑的焊料粒子，且使用攪拌機、磨碎攪拌機、3支輥、行星式攪拌機等之分散裝置，在18℃~28℃之環境下，大約攪拌120分鐘至全體成為均一，並且作成導電性接著劑。
關於各實施例及比較例之品質評價係藉以下(2)~(4)之方法進行。
(2)印刷性能之評價方法
關於印刷性能係利用下述方法實施。
即，在後述之本實施形態中，藉使用金屬遮罩之導電性接著劑的印刷，觀察有無橋接部份及有關欠缺部份，且綜合兩者之結果判定印刷性能是否合格。在此，橋接部份是指連接相鄰導電性接著劑之塗布部份之間的部份，且欠缺部份是指在導電性接著劑之應塗布部份上產生之未塗布部份。
藉厚度為0.12mm，且以0.4mm間距間隔形成長方形開口(3mm×0.25mm)之第1金屬遮罩及以0.3mm間距間隔形成相同長方形開口(3mm×0.25mm)之第2金屬遮罩的2種遮罩，使用印刷機印刷導電性接著劑，且使用顯微鏡觀察印刷形狀。此時之顯微鏡倍率為150倍。
使用0.4mm間距間隔之第1金屬遮罩的原因是要對具有微小間距之焊墊的電子電路基板評價可否印刷判斷。
此外，使用0.3mm間距間隔之第2金屬遮罩的原因是要對具有更細之微小間距之焊墊的電子電路基板評價可否印刷判斷。
藉使用金屬遮罩，觀察有無橋接部份及有無欠缺部份，且如下地綜合兩者之結果判定印刷性能是否合格。
a)有無橋接部份：
在使用第1金屬遮罩及第2金屬遮罩之印刷結果中，同時未產生橋接部份時附上◎記號(表示合格之記號)。此外，只在使用第1金屬遮罩之印刷結果中，未產生橋接部份時附上○記號(表示合格之記號)(只在使用第2金屬遮罩之印刷結果中，產生橋接部份)。
此外，在使用第1金屬遮罩之印刷結果中，產生橋接部份時附上×記號(表示不合格之記號)。
b)有無欠缺部份：
在使用第1金屬遮罩及第2金屬遮罩之印刷結果中，同時未產生欠缺部份時附上◎記號(表示合格之記號)。此外，只在使用第1金屬遮罩之印刷結果中，未產生欠缺部份時附上○記號(表示合格之記號)(只在使用第2金屬遮罩之印刷結果中，產生欠缺部份)。
此外，在使用第1金屬遮罩之印刷結果中，產生欠缺部份時(焊料量少等等)附上×記號(表示不合格之記號)。
c)印刷性能之評價
上述2個項目a)與b)之評價結果同時為○記號時，附上○記號作為印刷性能之評價，且判斷為合格。此外，上述2個項目a)與b)之評價結果同時為◎記號時，附上◎記號作為印刷性能之評價，且判斷為可印刷比○記號更微小之間距。又，上述2個項目a)與b)之評價結果即使為一個×記號時，亦附上×記號作為印刷性能之評價。
(3)焊料凝集性評價(凝集性評價)
根據JIS Z3197，使用第3金屬遮罩(開口尺寸為Φ0.3mm或□0.3mm)及第4金屬遮罩(開口尺寸為Φ0.1mm或□0.1mm)作為開口大小不同之2種金屬遮罩，就在焊料陶瓷基板上之焊料球之產生量進行調查。
在使用第3金屬遮罩及第4金屬遮罩之陶瓷基板上的各焊墊上，在凝集焊料粒子之周圍，不論是否凝集均不存在任何狀態之焊料粒子時附上◎記號(表示合格之記號)。此外，只在使用第3金屬遮罩之陶瓷基板上的各焊墊上，在凝集焊料粒子之周圍，不論是否凝集均不存在任何狀態之焊料粒子時附上○記號(表示合格之記號)(只在使用第4金屬遮罩之結果中，在凝集焊料粒子之周圍，焊料粒子不論是什麼狀態都存在)。
此外，在使用第3金屬遮罩之陶瓷基板上的各焊墊上，在凝集焊料粒子之周圍，焊料粒子不論是什麼狀態都存在時附上×記號(表示不合格之記號)。
(4)刮漿板壽命評價(導電性接著劑之黏度測定方法)
使用E型黏度計，測定在25℃之環境氣體中，以0.5rpm、5rpm使輥旋轉時之黏度。此外，以此時之5rpm之黏度值為代表值。
以E型黏度計測定導電性接著劑之刮漿板刮擦測試前之初期黏度(σ0 ：5rpm)後，在25±1℃之環境氣體下使用印刷機對該導電性膏進行刮漿板刮擦測試(藉印刷機刮漿板刮擦導電性接著劑預定時間)，且測定24小時後之黏度(σ24 ：5rpm)。藉σ24 /σ0 之比值，評價導電性接著劑之增黏程度。
σ24 /σ0 之值係在1~1.2以下時為合格(表示為○)，且在大於1.2時為不合格(表示為×)。
實施形態1(SnBi系焊料粒子第1號與SnBi系焊料粒子第2號之比例)
在實施形態1中，就SnBi系焊料粉末之粒徑與混合比例進行檢討。
首先，就使用本實施形態之含有有機酸之接著劑之混合比例進行說明，然後，就使用其之導電性接著劑的作成進行說明。
即，測量雙酚A型環氧樹脂16wt%，雙酚F型環氧樹脂62wt%，咪唑系硬化劑12wt%，己二酸3.0wt%，戊二酸6.0wt%，增黏劑1.0wt%，且在18℃~28℃之環境下，大約攪拌30分鐘至全體成為均一，並且作成含有有機酸之接著劑。
接著，令相對於藉上述攪拌步驟得到之含有有機酸之接著劑18wt%，剩餘部份82wt%為SnBi系焊料粒子，且一邊使其SnBi系焊料粒子內，SnBi系焊料粒子第1號與SnBi系焊料粒子第2號之比例變化，一邊作成希望之導電性接著劑，且評價印刷性能(參照表1)。
此時之SnBi系焊料粒子之組成為Sn42/Bi58(42wt%Sn-58wt%Bi)。
關於焊料粒子，在如下考量下，計算粒徑比，且藉使混合比例變化，導出最適當比例。
即，近年來，在各種電氣機器中，隨著高密度安裝不斷演進，電子零件小型化，且電子零件之配置間隔狹間距化。因此，焊料接合面積不斷狹小化。
因此，由含有有機酸之接著劑及焊料粒子構成之導電性接著劑在焊料接合後，以樹脂覆蓋焊料周圍，所以即使焊料接合面積變小時，亦可藉樹脂之補強效果，得到充分之接合強度。
要將之合於材料使用時之必要條件，就需要對具有微小間距之焊墊之電子電路基板的印刷性能。解決該課題之方法需要減少焊料粒徑，但是焊料熔融時之凝集性成為課題。這是因為焊料粒徑小時，焊料粒子全體之實質上的表面積變大且氧化膜增加的緣故。
又，焊料粒徑大時，印刷0603晶片零件及0402晶片零件等之焊墊圖案時，容易產生橋接部份。
因此，關於成為基準之焊料粒徑，已知的是可藉20~30μm之焊料粒徑，確保導電性接著劑對焊墊圖案之良好印刷性能。
另一方面，在0603晶片零件及0402晶片零件等中，金屬遮罩之開口之一邊為0.3mm、0.2mm，且藉大於30μm之焊料粒子無法將必要量之導電性接著劑印刷在焊墊上。
對於粒徑20~30μm之焊料粒子，重覆研究之結果，採行混合具有8~12μm之粒徑之焊料粒子。
如此混合2種粒徑之焊料粒子的理由是考慮，為了達成對微小間距之焊墊之電子電路基板的印刷性能，無間隙地填充焊料粒子是重要的。
就該粒徑之選定，使用第1圖進一步說明。
第1圖是，為了容易理解，顯示假想模型之圖，且假定粒徑大之4個焊料粒子係全部相同之直徑(L1)。
如第1圖所示，粒徑大之焊料粒子為A、B、C、D，且各個直徑為L1 ，並且粒徑小之焊料粒子為E，其直徑為L2 ，且A-C間距離為L3 時，成為以下之關係(參照數1)。此外，焊料粒子A~E以外的位置是間隙100，且填充樹脂等。
【數1】
L3 =√2×L1
L2 =L3 -L1 ≒0.4L1
因此，將20μm、25μm、30μm代入上述(數1)之第2行之式右邊之焊料粒子A、B、C、D之直徑的L1 且計算時，L2 分別為8.0μm、10μm、12μm。
以由上述假想模型產生之檢討結果為線索，考慮藉對焊料粒徑為20~30μm，混合8~12μm者，可對焊墊為微小間距之電子電路基板印刷，且檢討焊料粒子之混合比例與印刷性能的關係。
在此，就混合不同粒徑焊料粒子時，上述(數1)有什麼樣的關係進一步說明。
即，在本實施形態中，如上所述，粒徑使用累積粒子量為50%之粒徑的中間直徑(D50)。因此，粒徑20μm之焊料粒子由於粒度分布亦包含粒徑30μm之粒子，所以即使與粒徑12μm之焊料粒子組合時，亦存在上述(數1)之關係成立之粒子。
此外，粒徑30μm之焊料粒子由於粒度分布亦包含粒徑20μm之粒子，所以即使與粒徑8.0μm之焊料粒子組合時，亦存在上述(數1)之關係成立之粒子。
由以上，本發明人認為若以中間直徑表示之2種粒徑分別進入20~30μm之範圍內及8~12μm之範圍內，則與該等2種粒徑之焊料粒子如何組合無關地，可印刷為本發明效果之微小間距之焊墊。
藉實施例1~15、比較例1~12作成之導電性接著劑之混合比例及印刷性能的評價結果顯示在表1~表3中。
此外，表1~表3之由上方算起第4~5方格之數值係表示焊料粒子之混合比例的重量比。
如表1所示，在實施例1~5中，使焊料粒子第1號與焊料粒子第2號之比例變化，且使用第1金屬遮罩，並評價印刷性能。結果，由於未產生橋接部份及欠缺部份，故判斷為合格。
此外，在實施例1~5中，使用第2金屬遮罩，且評價印刷性能。結果，就實施例2~4而言，由於未產生橋接部份及欠缺部份，故判斷為合格(參照表1中之◎記號)。
即，當焊料粒子第1號之比例為40~90wt%，剩餘部份為焊料粒子第2號時，在使用第1金屬遮罩之情形下，可確保印刷性能。
又，當焊料粒子第1號之比例為60~80wt%，剩餘部份為焊料粒子第2號時，在使用第1及第2金屬遮罩之情形下，可確保印刷性能(參照表1中之◎記號)。
接著，只以焊料粒子第1號調製導電性接著劑，且評價印刷性能。結果，由於產生橋接部份，判斷為不合格(參照表1之比較例1)。
此外，相反地，只以焊料粒子第2號調製導電性接著劑。結果，未發生橋接部份，但是由於印刷後移除金屬遮罩時，經印刷之導電性接著劑之一部份附著於其金屬遮罩之開口的緣部，因此產生欠缺部份，故判斷為不合格(參照表1之比較例2)。
又，為了詳細檢討焊料粒子第1號與焊料粒子第2號之比例，調製以焊料粒子第1號35wt%，焊料粒子第2號65w%之比例混合之導電性接著劑，且評價印刷性能。結果，未產生橋接部份，但是由於產生欠缺部份，故判斷為不合格(參照表1之比較例3)。
此外，相反地，過剩地供給焊料粒子第1號，且評價印刷性能。結果，未產生欠缺部份，但是由於產生橋接部份，故判斷為不合格(參照表1之比較例4)。
又，在表2~表3中，使焊料粒子第1號與焊料粒子第2號之比例與表1之例子一致，且使含有有機酸之接著劑與焊料粒子之混合比例變化，並評價印刷性能。
即，使導電性接著劑所含之含有有機酸之接著劑與焊料粒子之重量比變化。
如表2所示，相對於含有有機酸之接著劑10wt%，剩餘部份之90wt%為焊料粒子，且一邊使SnBi系焊料粒子第1號與SnBi系焊料粒子第2號之比例變化，一邊作成希望之導電性接著劑，且評價印刷性能。
具體而言，在實施例6~10中，使用第1金屬遮罩，並評價印刷性能。結果，由於未產生橋接部份及欠缺部份，故判斷為合格。
此外，在實施例6~10中，使用第2金屬遮罩，且評價印刷性能。結果，就實施例7~9而言，由於未產生橋接部份及欠缺部份，故判斷為合格(參照表2中之◎記號)。
接著，只以焊料粒子第1號調製導電性接著劑，且評價印刷性能。結果，由於產生橋接部份，判斷為不合格(參照表2之比較例5)。
此外，相反地，只以焊料粒子第2號調製導電性接著劑。結果，未發生橋接部份，但是由於印刷後移除金屬遮罩時，經印刷之導電性接著劑之一部份附著於其金屬遮罩之開口的緣部，因此產生欠缺部份，故判斷為不合格(參照表2之比較例6)。
又，為了詳細檢討焊料粒子第1號與焊料粒子第2號之比例，調製以焊料粒子第1號35wt%，焊料粒子第2號65w%之比例混合之導電性接著劑，且評價印刷性能。結果，未產生橋接部份，但是由於產生欠缺部份，故判斷為不合格(參照表2之比較例7)。
此外，相反地，過剩地供給焊料粒子第1號，且評價印刷性能時，未產生欠缺部份，但是由於產生橋接部份，故判斷為不合格(參照表2之比較例8)。
接著，如表3所示，相對於含有有機酸之接著劑90wt%，剩餘部份之10wt%為焊料粒子，且一邊使SnBi系焊料粒子第1號與SnBi系焊料粒子第2號之比例變化，一邊作成希望之導電性接著劑，且評價印刷性能。
具體而言，在實施例11~15中，使用第1金屬遮罩，並評價印刷性能。結果，由於未產生橋接部份及欠缺部份，故判斷為合格。
此外，在實施例11~15中，使用第2金屬遮罩，且評價印刷性能。結果，就實施例12~14而言，由於未產生橋接部份及欠缺部份，故判斷為合格(參照表3中之◎記號)。
接著，只以焊料粒子第1號調製導電性接著劑，且評價印刷性能。結果，由於產生橋接部份，判斷為不合格(參照表3之比較例9)。
此外，相反地，只以焊料粒子第2號調製導電性接著劑。結果，未發生橋接部份，但是由於印刷後移除金屬遮罩時，經印刷之導電性接著劑之一部份附著於其金屬遮罩之開口的緣部，因此產生欠缺部份，故判斷為不合格(參照表3之比較例10)。
又，為了詳細檢討焊料粒子第1號與焊料粒子第2號之比例，調製以焊料粒子第1號35wt%，焊料粒子第2號65w%之比例混合之導電性接著劑，且評價印刷性能。結果，未產生橋接部份，但是由於產生欠缺部份，故判斷為不合格(參照表3之比較例11)。
此外，相反地，過剩地供給焊料粒子第1號，且評價印刷性能時，未產生欠缺部份，但是由於產生橋接部份，故判斷為不合格(參照表3之比較例12)。
由該結果可知，在本發明之導電性接著劑中，焊料粒子第1號之比例為40~90wt%，且剩餘部份為焊料粒子第2號時，可確實地印刷微小間距(0.4mm間距)之焊墊。
此外，由該結果可知，更佳地，在本發明之導電性接著劑中，焊料粒子第1號之比例為60~80wt%，且剩餘部份為焊料粒子第2號時，可確實地印刷更微小間距(0.3mm間距)之焊墊。
這被認為是因為焊料粒子第1號及含有有機酸之接著劑混合時產生之間隙大小與焊料粒子第2號之大小一致的緣故。
此外，可知的是在本發明之導電性接著劑中，較佳地的是焊料粒子第1號之比例為60~80wt%，且剩餘部份為焊料粒子第2號時。
這被認為是因為若著眼於焊料粒子之粒徑大小，則有粒徑大之焊料粒子越多，由於間隙變大故越容易產生橋接部份，另一方面，粒徑大之焊料粒子越少，越容易產生欠缺部份之傾向的緣故。
由以上結果，用以確保比以往更微小間距之焊墊之印刷性能之2種粒徑焊料粒子大小的比例如下。
即，可了解的是焊料粒子第1號與焊料粒子第2號之比例為20~30對8~12，即，大概5比2為佳，且焊料粒子第1號之比例為40~90wt%，且剩餘部份為焊料粒子第2號時，可確保印刷性能。
此外，可了解較佳地的是焊料粒子第1號之比例為60~80wt%，且剩餘部份為焊料粒子第2號時。
實施形態2(有機酸之比例)
在實施形態2中，就構成含有有機酸之接著劑之有機酸進行檢討。有機酸係以己二酸(熔點：152℃)及戊二酸(熔點：97℃)進行檢討。
首先，就在本實施形態中使用之含有有機酸之接著劑的混合比例進行說明，然後，就使用其之導電性接著劑的作成進行說明。
即，測量雙酚A型環氧樹脂16wt%，雙酚F型環氧樹脂62wt%，咪唑系硬化劑12wt%，有機酸(己二酸與戊二酸)9.0wt%，增黏劑1.0wt%，且在18℃~28℃之環境下，大約攪拌30分鐘至全體成為均一，並且作成含有有機酸之接著劑。
接著，令相對於藉上述攪拌步驟得到之含有有機酸之接著劑18wt%，剩餘部份82wt%為SnBi系焊料粒子，且，令該SnBi系焊料粒子內，SnBi系焊料粒子第1號為70wt%，SnBi系焊料粒子第2號為30wt%，並且作成希望之導電性接著劑，且實施焊料凝集性評價及刮漿板壽命之評價(參照表4)。
此時之SnBi系焊料粒子之組成為Sn42/Bi58。
藉實施例16~20，參考例1~2，比較例13~16作成之導電性接著劑的混合比例，及焊料凝集性評價結果，刮漿板壽命評價結果顯示在表4~6中。
此外，表4~6之由上方算起第4~5方格之數值係表示己二酸與戊二酸之比例的重量比。
在實施例16~20中，使作為有機酸使用之己二酸與戊二酸之比例變化，且實施焊料凝集性評價(使用第3金屬遮罩，及第4金屬遮罩)及刮漿板壽命評價(參照表4)。
在實施例16中，相對己二酸10wt%，令剩餘部份為戊二酸，且評價焊料凝集性及刮漿板壽命。結果，可得到兩評價全部合格之結果(參照表4)。
此外，在表4~表6中，○記號表示在使用第3金屬遮罩時，焊料凝集性為合格，◎記號表示在使用第3及第4金屬遮罩時，焊料凝集性為合格，且×記號表示不合格。此外，在表4~表6中，由於刮漿板壽命評價不受金屬遮罩之開口的尺寸支配，故合格時附上○記號，且不合格時附上×記號。
此外，相對己二酸50wt%，令剩餘部份為戊二酸時，亦可得到與實施例6同樣之結果(實施例20)。
當然，相對己二酸33wt%，令剩餘部份為戊二酸時亦得到合格之結果(實施例18)。特別地，在實施例18中，在使用第4金屬遮罩之焊料凝集性評價方面，亦得到合格之結果。
此外，相對己二酸20wt%，令剩餘部份為戊二酸，及相對己二酸40wt%，令剩餘部份為戊二酸時，亦可得到與實施例18同樣之結果(實施例17、19)。
接著，己二酸33wt%，且令剩餘部份為戊二酸，調製含有有機酸之接著劑，作為參考例，且相對接著劑18wt%，投入焊料粒子82wt%，調製導電性接著劑。
此時，使焊料粒子第1號與焊料粒子第2號之比例變化，且分別在焊料粒子第1號為10wt%，剩餘部份為焊料粒子第2號時(參考例1)，及在焊料粒子第1號為90wt%，剩餘部份為焊料粒子第2號時(參考例2)時，調製導電性接著劑，且進行焊料凝集性及刮漿板壽命評價，結果不論何種情形均可得到合格之結果(參照表4)。
如以上所述，在本實施形態中，為了不進行與焊料粒子之反應，有機酸係由己二酸及戊二酸2種構成。此外，其比例是己二酸為10~50wt%且剩餘部份為戊二酸。
藉成為該比例，可抑制有機酸與焊料粒子之反應，且可確保焊料凝集性及刮漿板壽命。
此外，為了進一步深入理解本實施形態之上述效果，關於上述專利文獻1之導電性接著劑之有機酸(二元酸)與焊料粒子之反應，說明本發明人確認之結果。
即，專利文獻1係在製造導電性接著劑後，在預定時間內(例如，24小時以內)將其印刷在印刷配線基板上後，若立刻實行焊料熔融步驟，則可確保焊接性能。但是，本發明人確認在專利文獻1時，溶解於環氧樹脂或硬化劑中之二元酸在導電性接著劑之製造後緩緩地與焊料粒子反應，且形成鹽。
結果，第1問題是如此之反應進行一定程度以上後，在印刷其導電性接著劑時，於實行焊料熔融步驟之際，有機酸(二元酸)未起作為酸之作用，且焊料未濕潤擴展至金屬部，因此可確認無法確保焊接性能。
此外，第2問題是由有機酸(二元酸)與焊料粒子之反應所形成之鹽由於具有強親核性，故與環氧樹脂反應。因此，可確認無法確保印刷時之刮漿板壽命及長時間之保存安定性等。即，可確認在專利文獻1之情況下，由材料製造時至裝運，或在客戶端使用時之確保焊接性能的期間是有限的。
如由上述說明可知，依據本實施形態之導電性接著劑，由於可抑制有機酸與焊料粒子之反應，故不會產生專利文獻1中之上述第1及第2問題。
接著，再回到本實施形態之比較例的說明。
即，己二酸91wt%，且使剩餘部份為戊二酸，作為比較例13時，可得到焊料凝集性評價合格之結果，但是刮漿板壽命評價與實施例16~20比較為不佳，且判別為不合格。即，確認黏度上升(參照表4)。
分析其原因之結果如下。
即，刮漿板壽命評價時放置在金屬遮罩上之導電性接著劑吸收空氣中之水分，且戊二酸溶解在材料中之水分。因此，被認為是由於戊二酸在金屬遮罩上不必要地作為酸而作用，所以進行焊料與酸之反應，結果使刮漿板壽命評價不合格。實際上，已知的是對於20℃之水溶液，相對戊二酸溶解38.7%，己二酸溶解1.5%。
接著，在比較例14中，使己二酸與戊二酸之比例為51wt%對49wt%，且進行評價之後，焊料凝集性評價之結果為不合格(參照表4)。這被認為相對於SnBi系焊料熔點138℃，己二酸之熔點152℃，戊二酸為97℃，及己二酸之熔點比SnBi系焊料粒子高是主要原因。
即，材料加熱時，在焊料熔融後，己二酸溶解，且作為酸而作用，因此被認為是表示焊料熔融，到凝集之間所需之酸不由己二酸供給。
為了確認，在比較例15、16中，進行己二酸、戊二酸、單體之焊料凝集性評價及刮漿板壽命評價(參照表4)。
接著，如表5所示，相對於含有有機酸之接著劑18wt%，令剩餘部份之82wt%為焊料粒子，且令該焊料粒子內，SnBi系焊料粒子第1號為60wt%，且SnBi系焊料粒子第2號40wt%，並且作成希望之導電性接著劑，且實施焊料凝集性評價及刮漿板壽命評價(參照表5之實施例21~25)。
在實施例21~25之情形中，亦得到與實施例16~20同樣之結果。特別地，在實施例22~24中，在使用第4金屬遮罩之焊料凝集性評價方面，亦得到合格之結果。
接著，如表6所示，相對於含有有機酸之接著劑18wt%，令剩餘部份之82wt%為焊料粒子，且令該焊料粒子內，SnBi系焊料粒子第1號為80wt%，且SnBi系焊料粒子第2號20wt%，並且作成希望之導電性接著劑，且實施焊料凝集性評價及刮漿板壽命評價(參照表6之實施例26~30)。
在實施例26~30之情形中，亦得到與實施例16~20同樣之結果。特別地，在實施例27~29中，在使用第4金屬遮罩之焊料凝集性評價方面，亦得到合格之結果。
由以上之結果，可了解的是在本實施形態之導電性接著劑中，焊料粒子第1號之比例係40~90wt%，且剩餘部份係焊料粒子第2號，並且己二酸與戊二酸之比例係己二酸為10~50wt%，且剩餘部份為戊二酸時，可得到良好之印刷形狀，且在焊料凝集性評價與刮漿板壽命評價兩方面都可得到合格之結果。
可了解的是更佳的是焊料粒子第1號之比例係60~80wt%，且剩餘部份係焊料粒子第2號，且己二酸與戊二酸之比例係己二酸為20~40wt%，且剩餘部份為戊二酸時。
實施形態3(有機酸之大小)
在實施形態3中，關於構成含有有機酸之接著劑之有機酸粒子的大小進行檢討。
此外，關於在本實施形態使用之含有有機酸之接著劑之混合比例與攪拌步驟，由於與在上述實施形態1說明者相同，故省略其說明。
又，本實施形態之有機酸包含之己二酸與戊二酸的比例為己二酸33wt%，戊二酸67wt%。
接著，令相對於藉上述攪拌步驟得到之含有有機酸之接著劑18wt%，剩餘部份82wt%為SnBi系焊料粒子。而且，令該SnBi系焊料粒子內，SnBi系焊料粒子第1號為70wt%，SnBi系焊料粒子第2號為30wt%，且作成希望之導電性接著劑。
此時之SnBi系焊料粒子之組成為Sn42/Bi58。
藉實施例31~34，比較例17~18作成之導電性接著劑的混合比例，及焊料凝集性評價及刮漿板壽命評價結果顯示在表7中。
此外，在實施形態3之焊料凝集性評價方面，只進行使用第3金屬遮罩之評價。
又，表7之由上方算起第4方格之數值係在有機酸粒子之粒度分布中，活性劑(有機酸)之粒徑10μm以下之粒子量在全體中佔的比例。
關於有機酸之粉碎，使用大阪化學製之ABSOLUTE MILL，藉調製粉碎時間，調製具有希望大小之有機酸。
就使用本發明之導電性接著劑之有機酸(己二酸及戊二酸)之粒子大小進行檢討。
此外，如第1圖所示，在由含有有機酸之接著劑及焊料粒子構成之本發明的導電性接著劑中，由相對於焊料粒子之大小20~30μm者，欲填充其他粒徑之粒子作為有機酸之目的，及取得有機酸與2種粒徑之焊料粒子之大接觸面積之目的來看，考慮有機酸之大小為10μm以下是較佳的，且進行評價。
在有機酸粒子之粒度分布中，粒徑10μm以下之粒子量在全體中佔的比例為5~70%時，可得到焊料凝集性評價、刮漿板壽命評價同時合格之結果(參照表7之實施例31、32)。
接著，就令82wt%之焊料粒子中之2種粒徑的焊料比例在焊料粒子第1號方面為10wt%，且剩餘部份為焊料粒子第2號時(參照表7之實施例33)，及在焊料粒子第1號方面為90wt%，且剩餘部份為焊料粒子第2號時(參照表7之實施例34)而言，進行與上述相同之評價後，可得到與實施例31同樣合格之結果(參照表7之實施例33、34)。
然而，在有機酸粒子之粒度分布中，粒徑10μm以下之粒子量在全體中佔的比例為4%時，得到刮漿板壽命評價合格之結果，但關於焊料凝集性評價則為不合格(參照表7之比較例17)。
這表示由於相對於使用本發明之導電性接著劑的焊料粒子，有機酸之粒徑大者的比率為高，所以關於焊料粒子之粒徑小的焊料沒有效果。其原因是，焊料粒子之粒徑越小，焊料粒子全體實質上之表面積越大，且氧化膜多半存在。因此，表示大粒徑之活性劑(有機酸)由於活性劑本身之表面積亦變小，故不易作為有機酸而作用。
接著，進行在有機酸粒子之粒度分布中，粒徑10μm以下之粒子量在全體中佔的比例為71%時之評價。
結果，藉使用粒徑10μm以下之粒子量在全體中佔的比例為71%之有機酸粒子，雖然可維持焊料凝集性合格之結果，但是使刮漿板壽命評價蒙受不良影響而得到不合格之結果(參照表7之比較例18)。
這被認為是當有機酸粒子之粒徑10μm以下之粒子量的比例過大時，本發明之導電性接著劑在放置於金屬遮罩上時導電性接著劑吸收空氣中之水分，且經粉碎之戊二酸首先溶解於經吸收之水分中，且在金屬遮罩上不必要地作為酸而作用，因此進行焊料與酸之反應，結果使刮漿板壽命評價惡化。
由這些結果可知，為了使焊料凝集性與刮漿板壽命並存，使用本發明導電性接著劑之有機酸(己二酸及戊二酸)之粒子大小係有機酸之大小為10μm以下較佳，且在有機酸粒子之粒度分布中，粒徑10μm以下之粒子量在全體中佔的比例為5~70%較佳。
此外，依據本實施形態，相對於樹脂，可更有效率地填充焊料粒子、有機酸，且可確保對具有微小間距之焊墊之電子電路基板的印刷性能、焊料凝集性及刮漿板壽命性能等。
即，可了解的是為了使印刷性能、焊料凝集性及刮漿板壽命性能並存，不僅有機酸之混合比例，亦必須管理到有機酸粒子之大小、焊料粒子之大小。
實施形態4(焊料組成)
在實施形態4中，關於SnBi系焊料之合金組成進行檢討。
此外，關於在本實施形態使用之含有有機酸之接著劑之混合比例及攪拌步驟，由於與在上述實施形態1說明者相同，故省略其說明。
又，本實施形態之有機酸包含之己二酸與戊二酸的比例，與上述實施形態3同樣，為己二酸33wt%，戊二酸67wt%。
接著，令相對於藉上述攪拌步驟得到之含有有機酸之接著劑18wt%，剩餘部份82wt%為SnBi系焊料粒子，且令該SnBi系焊料粒子內，SnBi系焊料粒子第1號為70wt%，SnBi系焊料粒子第2號為30wt%，並且作成希望之導電性接著劑。
藉實施例3，35~36作成之導電性接著劑的混合比例，及焊料凝集性評價及刮漿板壽命評價結果顯示在表8中。
此外，在實施形態4之焊料凝集性評價方面，只進行使用第3金屬遮罩之評價。
藉如實施形態1~3所示方法關於本發明之導電性接著劑，就焊料組成進行檢討。
結果，在實施形態1顯示之Sn42/Bi58之焊料組成中，在焊料凝集性評價及刮漿板壽命評價方面得到合格之結果(參照表8之實施例3)。
與其同樣地，使用焊料組成為Sn42/Bi57/Ag1.0(42wt%Sn-57wt%Bi-1.0wt%Ag)之焊料粉末作為SnBi系焊料粉末，進行焊料凝集性評價及刮漿板壽命評價之結果，得到與實施例3同樣之結果(參照表8之實施例35)。
又，使用焊料組成Sn16/Bi56/In28(16wt%Sn-56wt%Bi-28wt%In)之焊料粉末，進行焊料凝集性評價及刮漿板壽命評價之結果，得到與實施例3同樣之結果(參照表8之實施例36)。
由以上說明，顯示本發明之導電性接著劑之焊料粉末可適用於Sn42/Bi58，Sn42/Bi57/Ag1.0，Sn16/Bi56/In28之焊料粉末，且可了解的是若焊料固相線之值在作為有機酸之己二酸及戊二酸之各個熔點之間或在該等熔點以下，焊料組成是有用的。
實施形態5(由導電性接著劑所形成之導電部)
在實施形態5中，檢討使用本發明之導電性接著劑形成導電部。
此外，關於在本實施形態使用之含有有機酸之接著劑之混合比例及攪拌步驟，由於與在上述實施形態1說明者相同，故省略其說明。
接著，相對於藉上述攪拌步驟得到之含有有機酸之接著劑18wt%，以SnBi系焊料粒子第1號及SnBi系焊料粒子第2號混合剩餘部份之82wt%，且作成希望之導電性接著劑。
此時之焊料粒子第1號與焊料粒子第2號之比例為70wt%對30wt%，且SnBi系焊料粒子之組成為Sn42/Bi58。
第2圖顯示有關本發明之實施形態5之電子電路基板的製造方法。
首先，準備第2(2-a)圖顯示之基材1。該基材1可使用由聚對苯二甲酸乙二酯，聚2,6萘二甲酸乙二酯，聚碳酸酯，聚醯亞胺，熱可塑性樹脂，環氧樹脂，熱硬化性樹脂，醯胺不織布，玻璃織布，玻璃不織布等構成之基材，但不限於此。
接著，如第2(2-b)圖所示，使用有關本實施形態5之導電性接著劑2，在基材1之表面上，藉金屬遮罩3及刮漿板4，繪畫電路圖案。除了網版印刷以外，繪畫之方法可使用噴墨，分配器，浸滲，旋塗等各種方法。
接著，如第2(2-c)圖所示，使熱5或，紫外線、電子束等作用在電路圖案20上且使導電性接著劑硬化。藉上述方法，可製造有關上述實施形態5之導電部。
此外，電路圖案20是本發明之導電部之一例。
以往，用於藉導電性接著劑形成之導電部之導電性接著劑的代表可舉Ag系導電性接著劑為例，但是Ag系導電性接著劑接觸電阻高，且有產生遷移等之問題，並且需要開發代替品。
在Ag系之情況，接觸電阻為高的原因是因硬化樹脂時之硬化收縮，Ag粒子彼此鄰接而可導通，且電阻變得比較高，並且由於未使Ag粒子熔融故亦沒有自動對準性。
此外，樹脂硬化時，由於在Ag粒子表面上作為還原劑作用之酸，產生所謂電路腐蝕之遷移的問題。
除此以外，Ag系之導電性接著劑係硬化溫度為100~300℃，硬化時間長達10~180分鐘，且無法使用在面安裝方面。
在此，本發明之由含有有機酸之接著劑及焊料粒子構成之導電性接著劑係硬化溫度為150~170℃，硬化時間短至4~8分鐘，且藉使焊料熔融，表現自動對準性，因此可得到安定之電阻，且由於酸亦在焊料熔融時被消耗，故不需擔心電路腐蝕及遷移等。
實施形態6(由導電性接著劑所形成之多層電路基板)
在實施形態6中，檢討使用本發明之導電性接著劑形成多層電路基板。
此外，關於在本實施形態使用之含有有機酸之接著劑的混合比例及攪拌步驟，由於與在上述實施形態1說明者相同，故省略其說明。
接著，相對於藉上述攪拌步驟得到之含有有機酸之接著劑18wt%，以SnBi系焊料粒子第1號及SnBi系焊料粒子第2號混合剩餘部份之82wt%，且作成希望之導電性接著劑。
此時之焊料粒子第1號與焊料粒子第2號之比例為70wt%對30wt%，且SnBi系焊料粒子之組成為Sn42/Bi58。
第3圖顯示有關本發明之實施形態6之多層電路基板的製造方法。
首先，準備第3(3-a)圖顯示之在任意位置上具有貫穿孔的基材10。該基材10可使用由聚對苯二甲酸乙二酯，聚2,6萘二甲酸乙二酯，聚碳酸酯，聚醯亞胺，熱可塑性樹脂，環氧樹脂，熱硬化性樹脂，醯胺不織布，玻璃織布，玻璃不織布等構成之基材，但不限於此。
此外，貫穿孔6可藉鑽孔及衝壓等機械加工，或使用雷射等熱加工等形成。
接著，如第3(3-b)圖所示，使用金屬遮罩3及刮漿板4，在貫穿孔6中填充導電性接著劑2(第3(3-c)圖)。除了與在第2(2-b)圖說明者同樣之網版印刷以外，填充方法可使用噴墨，分配器，浸滲，旋塗等各種方法。
接著，使用網版印刷，如第3(3-d)圖所示，形成電路圖案7。電路圖案7之形成可使用上述實施形態5之方法，或一般之電路圖案形成方法。
如第3(3-d)圖所示，使熱5，或紫外線、電子束等作用在電路圖案7上且使導電性接著劑硬化。藉上述方法，可製造有關上述實施形態6之多層電路基板。
以往，用於藉導電性接著劑形成之導電部之導電性接著劑的代表可舉Ag系導電性接著劑為例，但是Ag系導電性接著劑接觸電阻高，且有產生遷移等之問題，並且需要開發代替品。
在Ag系之情況，接觸電阻為高的原因是因硬化樹脂時之硬化收縮，Ag粒子彼此鄰接而可導通，且電阻變得比較高，並且由於未使Ag粒子熔融故亦沒有自動對準性。
此外，樹脂硬化時，由於在Ag粒子表面上作為還原劑作用之酸，產生所謂電路腐蝕之遷移的問題。
除此以外，Ag系之導電性接著劑係硬化溫度為100~300℃，硬化時間長達10~180分鐘，且無法使用在面安裝方面。
在此，本發明之由含有有機酸之接著劑及焊料粒子構成之導電性接著劑係硬化溫度為150~170℃，硬化時間短至4~8分鐘，且藉使焊料熔融，表現自動對準性，因此可得到安定之電阻，且由於酸亦在焊料熔融時被消耗，故不需擔心電路腐蝕及遷移等。
實施形態7(使用導電性接著劑接合之電子零件模組)
在實施形態7中，檢討使用本發明之導電性接著劑接合、形成電子零件模組。
首先，關於在本實施形態使用之含有有機酸之接著劑的混合比例及攪拌步驟，由於與在上述實施形態1說明者相同，故省略其說明。
接著，相對於藉上述攪拌步驟得到之含有有機酸之接著劑18wt%，以SnBi系焊料粒子第1號及SnBi系焊料粒子第2號混合剩餘部份之82wt%，且作成希望之導電性接著劑。
此時之焊料粒子第1號與焊料粒子第2號之比例為70wt%對30wt%，且SnBi系焊料粒子之組成為Sn42/Bi58。
第4圖顯示有關本發明之實施形態7之電子零件模組的製造方法。
首先，準備第4(4-a)圖顯示之電子電路基板8。該電子電路基板8可以使用可一般性地取得之電子電路基板。
接著如第4(4-b)圖所示，將導電性接著劑2塗布在電子電路基板8之表面上。除了與在第2(2-b)圖說明者同樣之網版印刷以外，塗布方法可使用噴墨，分配器，浸滲，旋塗等各種方法。如此，形成電路圖案30(第4(4-c)圖)。
接著如第4(4-d)圖所示，安裝電子零件9。
接著如第4(4-d)圖所示，使熱5，或紫外線、電子束等作用在導電性接著劑2之塗布部上。然後導電性接著劑硬化且固定電子零件。藉上述方法，可製造有關上述實施形態7之電子零件模組。
因此，藉使用本發明之導電性接著劑2，可藉焊料接合電子電路基板8與電子零件9及藉覆蓋焊料周圍之樹脂補強接合部。
即，到這地步時，藉Sn96.5/Ag3.0/Cu0.5等之膏進行接合後，進行藉底部填充等之接合部的保護，但是有可大幅削減保護步驟等之效果。此外，由於可不藉無鉛焊料之高溫迴流焊接法，而是藉低溫迴流焊接法安裝電子零件，所以可對省資源化有貢獻。
此外，商品需要之機能多樣化，及關於行動電話及數位相機等之行動式機器之輕薄短小等不斷地演進。對此而言，低溫迴流焊接法亦可減少薄板安裝時之翹曲，且與提高兩面安裝時之印刷性及零件搭載品質有關。
又，當然，本發明不限定於上述實施例，且即使未記載於上述實施例，亦可與如一般導電性接著劑包含之其他材料組合。
此外，在上述實施形態中係就使用己二酸及戊二酸作為有機酸之情形來說明，但是不限於此，例如，除了己二酸及戊二酸以外，亦可使用甘醇酸(熔點141℃)、硫二乙酸(熔點121℃)、癸二酸(熔點134.4℃)等作為補助活性劑。
產業上之可利用性
本發明之導電性接著劑具有可對具有更細之微小間距之焊墊的電路基板確保印刷性能之效果，且作為電子零件形成用導電性接著劑，及零件安裝用導電性接著劑等是有用的。
1．．．基材
2．．．導電性接著劑
3．．．金屬遮罩
4．．．刮漿板
5．．．熱
6．．．貫穿孔
7．．．電路圖案
8．．．電子電路基板
9．．．電子零件
10．．．基材
20．．．電路圖案
30．．．電路圖案
100．．．間隙
A,B,C,D．．．粒徑大焊料粒子
E．．．粒徑小焊料粒子
L1 ．．．粒徑大焊料粒子直徑
L2 ．．．粒徑小焊料粒子直徑
L3 ．．．A-C間距離
第1圖是用以說明本發明實施形態中之導電性接著劑之焊料粒子之粒徑的模式圖。
第2(2-a)~(2-c)圖是藉本發明實施形態5中之導電性接著劑所形成之導電部之製造方法的模式截面圖。
第3(3-a)~(3-d)圖是藉本發明實施形態6中之導電性接著劑所形成之多層電路基板之製造方法的模式截面圖。
第4(4-a)~(4-d)圖是使用本發明實施形態7中之導電性接著劑接合之電子零件模組之製造方法的模式截面圖。
100．．．間隙
A,B,C,D．．．粒徑大焊料粒子
E．．．粒徑小焊料粒子
L1 ．．．粒徑大焊料粒子直徑
L2 ．．．粒徑小焊料粒子直徑
L3 ．．．A-C間距離

Claims (7)

  1. 一種導電性接著劑，係包含10~90wt%之SnBi系焊料粉末，及剩餘部份含有有機酸之接著劑者；前述SnBi系焊料粉末係由粒徑L1 為20~30μm之焊料粒子，及粒徑L2 為8~12μm之焊料粒子所構成；且前述SnBi系焊料粉末之混合比例係前述粒徑20~30μm之焊料粒子為焊料粉末全體之40~90wt%，且剩餘部份為具有8~12μm之粒徑之焊料粒子，其中前述含有有機酸之接著劑係至少由環氧樹脂、硬化劑、前述有機酸及增黏劑構成，且前述有機酸包含己二酸及戊二酸。
  2. 如申請專利範圍第1項之導電性接著劑，其中前述己二酸與前述戊二酸之比例係前述己二酸為10~50wt%，且剩餘部份為前述戊二酸。
  3. 如申請專利範圍第2項之導電性接著劑，其中前述有機酸之粒度分布中，粒徑10μm以下之粒子量在前述有機酸之粒子全體中含有5~70%。
  4. 如申請專利範圍第3項之導電性接著劑，其中前述SnBi系焊料粉末係42wt%Sn-58wt%Bi，42wt%Sn-57wt%Bi-1.0wt%Ag，或16wt%Sn-56wt%Bi-28wt%In。
  5. 如申請專利範圍第1項之導電性接著劑，其中前述粒徑L2 為前述粒徑L1 之0.4倍。
  6. 一種電路基板，包含：基材；及 導電部，係在前述基材上，使用申請專利範圍第1至5項中任一項之導電性接著劑形成者。
  7. 一種電子零件模組，包含：電路基板；導電部，係在前述電路基板上，使用申請專利範圍第1至5項中任一項之導電性接著劑形成者；及電子零件，其透過前述導電部安裝在前述電路基板上。
TW100134969A 2010-09-29 2011-09-28 導電性接著劑及使用其之電路基板、電子零件模組 TWI507493B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010218708 2010-09-29
JP2011169966A JP5728636B2 (ja) 2010-09-29 2011-08-03 導電性接着剤、及びそれを用いた回路基板、電子部品モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201221602A TW201221602A (en) 2012-06-01
TWI507493B true TWI507493B (zh) 2015-11-11

Family

ID=45869480

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100134969A TWI507493B (zh) 2010-09-29 2011-09-28 導電性接著劑及使用其之電路基板、電子零件模組

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8940198B2 (zh)
JP (1) JP5728636B2 (zh)
KR (1) KR101747242B1 (zh)
CN (1) CN102559114B (zh)
TW (1) TWI507493B (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5916482B2 (ja) * 2012-03-30 2016-05-11 太陽ホールディングス株式会社 感光性導電ペーストおよび導電回路
US9406314B1 (en) 2012-10-04 2016-08-02 Magnecomp Corporation Assembly of DSA suspensions using microactuators with partially cured adhesive, and DSA suspensions having PZTs with wrap-around electrodes
KR102006057B1 (ko) * 2013-08-06 2019-07-31 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤 도전성 접합제 및 납땜 조인트
JP6234118B2 (ja) * 2013-08-30 2017-11-22 株式会社タムラ製作所 はんだ組成物
JP6192444B2 (ja) * 2013-08-30 2017-09-06 株式会社タムラ製作所 微細パターン塗布用はんだ組成物
JP6247059B2 (ja) * 2013-09-05 2017-12-13 デクセリアルズ株式会社 導電性接着剤、太陽電池モジュール、及び太陽電池モジュールの製造方法
JP6995621B2 (ja) 2015-02-11 2022-01-14 アルファ・アセンブリー・ソリューションズ・インコーポレイテッド 電気接続テープ
KR102626385B1 (ko) * 2016-06-08 2024-01-19 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조방법
JP7497136B2 (ja) * 2017-07-06 2024-06-10 積水化学工業株式会社 導電材料、接続構造体及び接続構造体の製造方法
CN107658042B (zh) * 2017-08-16 2020-12-01 北京康普锡威科技有限公司 一种新型太阳能电池电极组件用无铅浆料
CN113695782A (zh) * 2021-09-18 2021-11-26 江苏芯德半导体科技有限公司 一种用于超小间距元件焊接的焊料及制备方法、焊接方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW522063B (en) * 2001-10-26 2003-03-01 Miyazaki Prefecture Monodisperse spherical metal particles and method for preparing the same
CN101018643A (zh) * 2004-09-13 2007-08-15 松下电器产业株式会社 焊膏及使用了它的电子机器

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6010577A (en) * 1997-06-23 2000-01-04 Delco Electronics Corporation Multifunctional soldering flux with borneol
US5874197A (en) * 1997-09-18 1999-02-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thermal assisted photosensitive composition and method thereof
JP3526183B2 (ja) * 1997-09-18 2004-05-10 住友ベークライト株式会社 導電性樹脂ペースト及びこれを用いて製造された半導体装置
JP3254626B2 (ja) * 1997-09-22 2002-02-12 住友ベークライト株式会社 導電性樹脂ペースト及びこれを用いた半導体装置
JP2006199937A (ja) * 2004-12-15 2006-08-03 Tamura Kaken Co Ltd 導電性接着剤、これを用いた導電部及び電子部品モジュール
CN101351296A (zh) * 2005-11-11 2009-01-21 千住金属工业株式会社 焊膏和焊料接头
US7569164B2 (en) * 2007-01-29 2009-08-04 Harima Chemicals, Inc. Solder precoating method
US20080291634A1 (en) * 2007-05-22 2008-11-27 Weiser Martin W Thermal interconnect and interface materials, methods of production and uses thereof
JP4976257B2 (ja) * 2007-10-24 2012-07-18 パナソニック株式会社 導電性ペーストおよびこれを用いた実装体

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW522063B (en) * 2001-10-26 2003-03-01 Miyazaki Prefecture Monodisperse spherical metal particles and method for preparing the same
CN101018643A (zh) * 2004-09-13 2007-08-15 松下电器产业株式会社 焊膏及使用了它的电子机器

Also Published As

Publication number Publication date
CN102559114B (zh) 2015-04-01
US20120073869A1 (en) 2012-03-29
TW201221602A (en) 2012-06-01
JP2012092296A (ja) 2012-05-17
KR101747242B1 (ko) 2017-06-14
KR20120033254A (ko) 2012-04-06
JP5728636B2 (ja) 2015-06-03
US8940198B2 (en) 2015-01-27
CN102559114A (zh) 2012-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI507493B (zh) 導電性接著劑及使用其之電路基板、電子零件模組
EP2875898B1 (en) Solder alloy, solder paste, and electronic circuit board
JP5238088B1 (ja) はんだ合金、ソルダペーストおよび電子回路基板
WO2017110052A1 (ja) ペースト状熱硬化性樹脂組成物、半導体部品、半導体実装品、半導体部品の製造方法、半導体実装品の製造方法
JP5962939B2 (ja) ソルダペースト
JP5324007B1 (ja) はんだ合金、ソルダペーストおよび電子回路基板
JP5093766B2 (ja) 導電性ボール等搭載半導体パッケージ基板の製造方法
JP6534122B2 (ja) 樹脂フラックスはんだペースト及び実装構造体
JP2006199937A (ja) 導電性接着剤、これを用いた導電部及び電子部品モジュール
KR101293914B1 (ko) 도전성 잉크 및 이를 이용한 전자소자
KR20130037631A (ko) 도전성 접합 재료 및 도체의 접합 방법과 반도체 장치의 제조 방법
US20120309866A1 (en) Solder ink and electronic device package using same
JP2013256584A (ja) 熱硬化性樹脂組成物およびフラックス組成物とそれを用いた半導体装置
CN106624452A (zh) 焊膏、钎焊用助焊剂及使用其的安装结构体
TW201347892A (zh) 傳導性接合材料、製造該材料之方法及製造電子元件之方法
JP2010285580A (ja) 熱硬化性樹脂組成物及び回路基板
JP5160576B2 (ja) ソルダペーストと、これを用いたピングリッドアレイパッケージ用基板及びピングリッドアレイパッケージ、並びにピングリッドアレイパッケージ用基板の製造方法
WO2023013732A1 (ja) フラックス用樹脂組成物、はんだペースト及び実装構造体
TW201607992A (zh) 助焊劑組成物
JP2019141878A (ja) はんだペーストおよび実装構造体
JP2018195789A (ja) 熱硬化性樹脂組成物、熱硬化性シート、半導体部品、半導体実装品、半導体部品の製造方法、及び、半導体実装品の製造方法
JP2010245434A (ja) はんだ接合方法およびはんだ接合構造体
JP2013093471A (ja) はんだプリコート及びその形成方法、並びにはんだプリコート付き基板
JP2022187759A (ja) 樹脂フラックスはんだペーストおよび実装構造体
JP2010131605A (ja) はんだコート形成材料及びはんだコート形成材料の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees