TWI507109B - A supporting substrate for manufacturing a multilayer wiring board, and a method for manufacturing the multilayer wiring board - Google Patents

Description

多層配線基板製造用支持基板及多層配線基板的製造方法

本發明係關於一種具有交互層積複數個樹脂絕緣層與複數個導體層而多層化的構造之多層配線基板製造用支持基板、及使用支持基板之多層配線基板的製造方法。

用作電腦之微處理器等的半導體積體電路元件(IC晶片)近幾年日益高速化、高功能化，端子數伴隨地增加，端子間之間距亦傾向於變窄。一般多數端子在IC晶片的底面密集並配置成陣列狀，此種端子群係對母板側的端子群以倒裝晶片的形態連接。然而，在IC晶片側的端子群與母板側的端子群方面，由於在端子間之間距有大的差距，所以難以將IC晶片直接連接於母板上。因此，通常採用下述手法：製作將IC晶片搭載於IC晶片搭載用配線基板上而成的半導體封裝件，將該半導體封裝件搭載於母板上。

就構成此種封裝件的IC晶片搭載用配線基板而言，在核心基板表面及背面形成有增層的多層配線基板已實用化。在此多層配線基板方面，使用例如使補強纖維含漬樹脂的樹脂基板(環氧玻璃基板等)作為核心基板。然後，藉由利用該核心基板的剛性，在核心基板表 面及背面交互層積樹脂絕緣層與導體層，形成增層。即，在此多層配線基板方面，核心基板起補強的作用，形成比增層厚很多。此外，在核心基板上貫通形成有用於謀求形成於表面及背面的增層間導通的配線(具體而言係通孔導體等)。

且說，近幾年來，伴隨著半導體積體電路元件的高速化，所使用的信號頻率成為高頻波段。此情況，貫穿核心基板的配線貢獻很大的電感，導致產生高頻信號的傳輸損失或電路錯誤動作，而阻礙高速化。於是，提出一種使多層配線基板作成不具有核心基板的無核心配線基板。如此一來，由於全體的配線長度因為省略了較厚的核心基板而變短，所以減低高頻信號的傳輸損失，可使半導體積體電路元件以高速作動。

再者，無核心配線基板係藉由例如以下的手法所製造(參照例如專利文獻1)。如第10圖所示，首先，準備由環氧玻璃樹脂所構成的支持基板101、及使基底側金屬箔102與表層側金屬箔103以可剝離的狀態密接而成的積層金屬板體104(可剝離的銅箔)。其次，進行在支持基板101之基板主面105及基板背面106上設置積層金屬板體104的積層金屬板設置步驟。其後，藉由進行在積層金屬板體104上交互層積複數個樹脂絕緣層及複數個導體層而多層化的積層步驟(增建步驟)，得到積層構造體(增層)。再者，藉由進行在積層構造體上將位於比製品區域還外側的周圍部連同支持基板101一起去除的去除步驟，使積層金屬板體104的剝離界面(基底側金屬箔102與 表層側金屬箔103的界面)露出。其後，藉由進行在基底側金屬箔102與表層側金屬箔103的界面分離的分離步驟，從支持基板101分離積層構造體，得到不具有核心基板的薄型多層配線基板。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2007-214427號公報(段落[0055]第12圖等)

且說，第10圖所示的積層金屬板體104係依如下那樣地形成。首先，對支持基板101之各面105、106配置由面積及形狀與面105、106相等的金屬箔107、108所構成的積層體109(參照第11圖)。其次，進行在金屬箔108上層疊蝕刻用的遮罩即乾膜(圖示省略)的層疊步驟。再者，進行經由光罩使乾膜曝光的曝光步驟、及使經曝光過的乾膜顯影並去除乾膜外周部的顯影步驟，使積層體109的外周部露出於表面。然後，進行藉由進行蝕刻而去除金屬箔107、108的外周部，使面105、106的外周部露出於表面的蝕刻步驟。其後，藉由進行去除乾膜的乾膜去除步驟，形成第10圖所示的積層金屬板體104。

然而，若對金屬箔107、108進行蝕刻，則有可能蝕刻液會侵入金屬箔107與金屬箔108的界面，所以不良品發生率變高而良率降低的問題。例如，一面在生 產線上搬送支持基板101一面進行蝕刻的情況，有時導輥等會接觸金屬箔107、108之外周緣。此時，若金屬箔108之外周部分捲縮，則金屬箔108會一下子剝落，而有大量的蝕刻液侵入界面的問題。此外，在形成積層金屬板體104之際，需要層疊步驟、曝光步驟、顯影步驟、蝕刻步驟、乾膜去除步驟等多個步驟(合計5個步驟)，所以無法避免工時的增加，也有導致製造成本上升或製造效率降低的問題。

本發明係有鑑於上述課題而完成，其第一目的在於提供一種可使良率提升，並可謀求製造成本減低或製造效率提升的多層配線基板製造用支持基板。此外，第二目的在於提供一種使用上述支持基板的合適的多層配線基板的製造方法。

就用於解決上述課題之手段(手段1)而言，有多層配線基板製造用支持基板，其係用於製造具有交互層積複數個樹脂絕緣層與複數個導體層而多層化的構造之多層配線基板的支持基板，其特徵在於具備：支持基板本體，其具有基板主面；及積層金屬板體，其配置於前述基板主面上，使基底側金屬層與表層側金屬層以可剝離的狀態密接而成；前述基底側金屬層的外形尺寸係設定大於前述表層側金屬層的外形尺寸。

因此，依據手段1之多層配線基板製造用支持基板，積層金屬板體係藉由以機械方式去除表層側金屬層之外周部，使基底側金屬層的外形尺寸比表層側金屬 層的外形尺寸更大而得到的構造。即，積層金屬板體係為即使不利用例如蝕刻等去除表層側金屬層之外周部也可得到的構造，所以畢竟不會產生蝕刻液侵入基底側金屬層與表層側金屬層的界面等問題。因此，可將不良品發生率抑制得較低，故所製造的多層配線基板的良率變高。此外，在利用機械加工形成積層金屬板體的情況，只是進行僅切斷表層側金屬層的步驟或去除已切斷的表層側金屬層之外周部的步驟即可。其結果，工時比進行蝕刻而形成積層金屬板體的情況還減少，所以可減低多層配線基板的製造成本，並且多層配線基板的製造效率提升。

再者，上述多層配線基板可考慮成本性、加工性、絕緣性、機械強度等而適當選擇。作為多層配線基板，使用具有交互層積複數個樹脂絕緣層與複數個導體層而多層化的構造者。再者，除了此種多層配線基板之外，亦容許使用例如在核心基板的一面或兩面具有交互層積樹脂絕緣層與導體層而成的增層之增建多層配線基板。如此一來，容易謀求多層配線基板的高密度化。

構成多層配線基板的複數個樹脂絕緣層可考慮絕緣性、耐熱性、耐濕性等而適當選擇。作為用於形成各樹脂絕緣層的高分子材料的合適例，可舉出環氧樹脂、酚醛樹脂、胺基甲酸乙酯樹脂、矽氧樹脂、聚醯亞胺樹脂等熱硬化性樹脂、聚碳酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、聚縮醛樹脂、聚丙烯樹脂等之熱可塑性樹脂等。

構成多層配線基板的複數個導體層主要是由 銅構成，藉由消去法、半加法、全加法等之類的周知的手法而形成。具體而言，適用例如銅箔的蝕刻、無電解銅鍍敷或電解銅鍍敷等手法。再者，也可以藉由濺鍍或CVD等手法形成薄膜後進行蝕刻而形成導體層、或藉由導電性糊料等的印刷而形成導體層。

而且，多層配線基板製造用支持基板具備具有基板主面的支持基板本體。就支持基板本體而言，可以使用由完全硬化的樹脂材料所構成的樹脂板，也可以使用由金屬材料所構成的金屬板。再者，就用於形成支持基板本體的樹脂材料或金屬材料而言，使用低成本且比較硬的材料即可。然而，在連同支持基板本體切斷層積複數個樹脂絕緣層及複數個導體層而成的積層構造體的情況，宜使用容易切斷的樹脂基板作為支持基板。

再者，支持基板具備積層金屬板體，其係配置於基板主面上，使基底側金屬層與表層側金屬層以可剝離的狀態密接而成。此處，基底側金屬層及表層側金屬層的厚度不特別限定，若比基底側金屬層的厚度加大表層側金屬層的厚度，則從基底側金屬層剝下表層側金屬層之際，表層側金屬層變得不易破裂。

再者，支持基板本體也可以具有基板主面與位於基板主面相反側的基板背面，積層金屬板體亦可分別配置於基板主面及基板背面。如此一來，可從一個支持基板製造兩個多層配線基板，所以多層配線基板的製造效率更加提升。

作為就用於解決上述課題之別的手段(手段 2)，有多層配線基板的製造方法，其係使用上述手段1所記載之多層配線基板製造用支持基板製造多層配線基板的方法，其特徵在於包含：積層金屬板設置步驟，其係在前述基板主面上設置前述積層金屬板體；外周金屬層去除步驟，其係藉由機械方式去除前述表層側金屬層之外周部，使前述基底側金屬層之外周部及前述表層側金屬層露出於表面；積層步驟，其係層積前述複數個樹脂絕緣層及前述複數個導體層，得到在前述基底側金屬層之外周部上及前述表層側金屬層上具有應成為前述多層配線基板之配線積層部而成的積層構造體；去除步驟，其係在前述積層步驟後，從前述積層構造體將位於比前述配線積層部還外側的周圍部連同前述支持基板本體一起去除；及分離步驟，其係在前述基底側金屬層與前述表層側金屬層的界面分離前述配線積層部與前述支持基板本體。

因此，依據手段2之多層配線基板的製造方法，在外周金屬層去除步驟中藉由機械方式去除表層側金屬層之外周部，形成基底側金屬層的外形尺寸是大於表層側金屬層的外形尺寸之積層金屬板體。即，即使不利用例如蝕刻等去除表層側金屬層之外周部也可以得到積層金屬板體，所以畢竟不會產生蝕刻液侵入基底側金屬層與表層側金屬層的界面等問題。因此，可將不良品發生率抑制得較低，使所製造的多層配線基板的良率變高。此外，在外周金屬層去除步驟中進行機械加工，所以只進行僅由切斷表層側金屬層的步驟與去除已切斷的表 層側金屬層之外周部的步驟所構成的外周金屬層去除步驟，就可形成積層金屬板體。其結果，工時比進行蝕刻而形成積層金屬板體的情況還減少，所以可減低多層配線基板的製造成本，並且多層配線基板的製造效率提升。

以下，就多層配線基板的製造方法進行說明。

在積層金屬板設置步驟中，在支持基板本體之基板主面上設置積層金屬板體。

在後續的外周金屬層去除步驟中，藉由機械方式去除表層側金屬層之外周部，使基底側金屬層之外周部及表層側金屬層露出於表面。此處，就機械方式去除表層側金屬層之外周部的方法而言，可舉出切斷表層側金屬層之外周部的方法、或研磨表層側金屬層之外周部表面的方法等。就切斷表層側金屬層之外周部的方法而言，有切刀的切斷加工、使用冲孔裝置的冲孔加工、使用雷射裝置的雷射加工等。此外，就研磨表層側金屬層之外周部表面的方法而言，可舉出噴砂或砂紙的研磨等。

再者，在外周金屬層去除步驟中，也可以在切斷表層側金屬層之外周部的同時，於基底側金屬層之成為表層側金屬層外周緣正下方處，形成在基底側金屬層表面開口的切口部，將表層側金屬層之外周緣部彎向基底側金屬層側。如此一來，由於基底側金屬層與表層側金屬層的界面被壓入切口部內，所以可確實地防止表 層側金屬層從基底側金屬層剝落。因此，可將不良品發生率抑制得更低，而所製造的多層配線基板的良率更加提升。

再者，在外周金屬層去除步驟中，可將切口部形成至到達支持基板本體程度的深度，亦可將切口部形成至未切斷基底側金屬層程度的深度。在將切口部形成至到達支持基板本體程度的深度的情況，由於基底側金屬層與表層側金屬層的界面被更深地壓入切口部內，所以可更加確實地防止表層側金屬層從基底側金屬層剝落。另一方面，在將切口部形成至未切斷基底側金屬層程度的深度的情況，可防止起因於深的切口進入支持基板本體的支持基板本體的強度降低之情形。再者，若使切口部的深度成為未切斷基底金屬層的程度，則可使用基底金屬層作為種子層，而可省略種子層的形成步驟。

在後續的積層步驟中，層積複數個樹脂絕緣層及複數個導體層，得到在基底側金屬層之外周部上及表層側金屬層上具有應成為多層配線基板之配線積層部而成的積層構造體。

再者，多層配線基板不具有核心基板，形成於複數個樹脂絕緣層上的通路導體也可以在樹脂絕緣層的各層朝同一方向擴大直徑。即，多層配線基板也可以是以同一樹脂絕緣層為主體所形成且僅利用朝同一方向擴大直徑的通路導體連接各個導體層的無核心配線基板。如此一來，配線的配線長度因省略了較厚的核心基板而變短，所以減低高頻信號的傳輸損失，可使半導體積 體電路元件以高速作動。

在積層步驟後的去除步驟中，從積層構造體將位於比配線積層部還外側的周圍部連同支持基板本體一起去除。在後續的分離步驟中，在基底側金屬層與表層側金屬層的界面分離配線積層部與支持基板本體。於此時點，可得到所期望的多層配線基板。

10‧‧‧半導體封裝件

11‧‧‧多層配線基板

21‧‧‧IC晶片

22‧‧‧端子

23‧‧‧IC晶片搭載區域

40‧‧‧配線積層部

41‧‧‧主面

42‧‧‧背面

43、44、45、46‧‧‧樹脂絕緣層

47‧‧‧抗焊料

48‧‧‧開口部

51‧‧‧導體層

52‧‧‧端子焊墊

53‧‧‧BGA用焊墊

54‧‧‧焊料凸塊

55‧‧‧焊料凸塊

56‧‧‧通路孔

57‧‧‧通路導體

70‧‧‧支持基板

71、171‧‧‧支持基板本體

72‧‧‧基板主面

73‧‧‧基板背面

74‧‧‧基材

75‧‧‧預浸材

81‧‧‧積層金屬板體

82、182‧‧‧作為基底側金屬層之基底側銅箔

83、183‧‧‧作為表層側金屬層之表層側銅箔

84、184‧‧‧表層側金屬層之外周緣

85‧‧‧基底側金屬層之表面

86、186‧‧‧切口部

87‧‧‧表層側金屬層之外周緣部

90‧‧‧積層構造體

91‧‧‧周圍部

185‧‧‧基底側銅箔之外周緣

第1圖為顯示本實施形態之半導體封裝件概略構造的概略剖面圖。

第2圖為顯示多層配線基板的製造方法的說明圖。

第3圖為顯示多層配線基板的製造方法的說明圖。

第4圖為顯示多層配線基板的製造方法的說明圖。

第5圖為顯示多層配線基板的製造方法的說明圖。

第6圖為顯示多層配線基板的製造方法的說明圖。

第7圖為顯示多層配線基板的製造方法的說明圖。

第8圖為顯示多層配線基板的製造方法的說明圖。

第9圖為顯示其他實施形態之多層配線基板的製造方法的說明圖。

第10圖為顯示先前技術之多層配線基板的製造方法的說明圖。

第11圖為顯示先前技術之多層配線基板的製造方法的說明圖。

[實施發明之形態]

以下，依據圖面詳細地說明將本發明具體化的一實施形態。

如第1圖所示，本實施形態之半導體封裝件10係為由多層配線基板11與半導體積體電路元件即IC晶片21所構成的BGA(球格陣列)。再者，半導體封裝件10的形態不僅限於BGA，也可以是例如PGA(針格陣列)或LGA(閘格陣列)等。IC晶片21為長度15.0mm×寬度15.0mm×厚度0.8mm的矩形平板狀，由熱膨脹係數為4.2ppm/℃的矽所構成。

另一方面，多層配線基板11不具有核心基板，而具有配線積層部40，該配線積層部40係交互層積由環氧樹脂所構成的四層樹脂絕緣層43、44、45、46與由銅所構成的導體層51而多層化。本實施形態之配線積層部40為長度50.0mm×寬度50.0mm×厚度0.4mm且俯視略呈矩形。在本實施形態中，樹脂絕緣層43~46的熱膨脹係數為10~60ppm/℃程度(具體而言為20ppm/℃程度)。 再者，樹脂絕緣層43~46的熱膨脹係數係指30℃~玻璃轉移溫度(Tg)間的測定值的平均值。

如第1圖所示，在配線積層部40之主面41上(第四層的樹脂絕緣層46之表面上)，端子焊墊52配置成陣列狀。再者，在端子焊墊52之表面上配設有複數個焊料凸塊54。在各焊料凸塊54上以面連接方式連接IC晶片21之端子22。即，IC晶片21搭載於配線積層部40之主面41側。再者，形成各端子焊墊52及各焊料凸塊54的區域為可搭載IC晶片21的IC晶片搭載區域23。

另一方面，在配線積層部40之背面42上(第一層的樹脂絕緣層43之下表面上)，BGA用焊墊53配設成陣列狀。此外，樹脂絕緣層43之下表面全體大致被抗焊料47所覆蓋。在抗焊料47的預定處上形成有使BGA用焊墊53露出的開口部48。在各BGA用焊墊53之表面上配設有母板連接用的複數個焊料凸塊55，配線積層部40利用各焊料凸塊55安裝於未圖示的母板上。

如第1圖所示，在各樹脂絕緣層43~46上分別設有通路孔56及通路導體57。各通路孔56呈圓錐台形狀，藉由對於各樹脂絕緣層43~46施以使用YAG雷射或二氧化碳雷射的穿孔加工而形成。各通路導體57在樹脂絕緣層43~46的各層具有朝同一方向(在第1圖中為下方向)擴大直徑的形狀，將各導體層51、端子焊墊52及BGA用焊墊53相互電性連接。

其次，就多層配線基板11的製造方法進行說明。

首先，準備具有充分強度的支持基板(環氧玻璃基板等)，在該支持基板上增建樹脂絕緣層43~46及導體層51而形成配線積層部40。

詳述之，首先，藉由在基材74之兩面貼附預浸材(prepreg)75，得到由基材74及預浸材75所構成的支持基板本體71(參照第2圖)。再者，預浸材75係藉由使玻璃布含漬不含填料的樹脂(在本實施形態中為熱硬化性樹脂即環氧樹脂)而形成。此外，支持基板本體71具有基板主面72與位於基板主面72相反側的基板背面73。

然後，進行積層金屬板設置步驟，對於支持基板本體71設置積層金屬板體81(參照第2圖)。再者，積層金屬板體81係使基底側銅箔82(基底側金屬層)與表層側銅箔83(表層側金屬層)以可剝離的狀態密接而成，於基底側銅箔82之背面(接觸預浸材75之面)全體上設有接著層。此外，基底側銅箔82之厚度設定為3μm，表層側銅箔83之厚度設定為18μm，所以表層側銅箔83之厚度大於基底側銅箔82之厚度。

在後續的外周金屬層去除步驟中，藉由機械方式去除表層側銅箔83之外周部，使基底側銅箔82之外周部及表層側銅箔83露出於表面(參照第3圖、第4圖)。具體而言，在使用切刀切斷表層側銅箔83之外周部的同時，於基底側銅箔82之成為表層側銅箔83之外周緣84正下方處，形成在基底側銅箔82之表面85開口的切口部86(參照第4圖)。伴隨此，將表層側銅箔83之外周緣部87彎向基底側銅箔82側，使得基底側銅箔82與表層側銅箔83的界面被壓入切口部86內。再者，本實施形態之切口部86形成至未切斷基底側銅箔82程度的深度(2μm)，所以不會到達支持基板本體71。其後，若去除表層側銅箔83之外周部，則基底側銅箔82之外周部及表層側銅箔83就露出於表面。在此時點，基底側銅箔82的外形尺寸大於表層側銅箔83的外形尺寸。

在後續的積層步驟中，在兩積層金屬板體81上層積板狀的絕緣樹脂基材，使用真空壓接熱壓機(圖示省略)在真空下加壓加熱後，藉由使其硬化，形成包覆基 底側銅箔82之外周部及表層側銅箔83的第四層的樹脂絕緣層46(參照第5圖)。然後，藉由施以雷射加工，在樹脂絕緣層46的預定位置上形成通路孔56，接著進行去除各通路孔56內的污跡的除污處理。

其次，按照以往周知的手法進行無電解銅鍍敷及電解銅鍍敷，在各通路孔56內形成通路導體57。再者，藉由利用以往周知的手法(例如半加法)進行蝕刻，在樹脂絕緣層46上圖案形成導體層51。

此外，關於第一層~第三層的樹脂絕緣層43~45及導體層51，也藉由和上述第四層的樹脂絕緣層46及導體層51同樣的手法形成，逐漸層積於樹脂絕緣層46上。然後，藉由在形成有BGA用焊墊53的樹脂絕緣層43上塗布感光性環氧樹脂並使其硬化，形成抗焊料47。其次，在配置有預定遮罩的狀態下進行曝光及顯影，在抗焊料47上將開口部48圖案化。利用以上的製造步驟，在支持基板70的兩側分別形成層積有積層金屬板體81、樹脂絕緣層43~46及導體層51而成的積層構造體90(參照第6圖)。再者，如第6圖所示，積層構造體90中，位於積層金屬板體81上(具體而言，表層側銅箔83上)的區域成為配線積層部40。

在積層步驟後的去除步驟中，利用切割裝置(圖示省略)切斷此積層構造體90，從積層構造體90將位於比配線積層部40還外側的周圍部91連同支持基板本體71一起去除。此時，在配線積層部40與周圍部91的境界部分(參照第6圖的鏈線)，連同支持基板70切斷配線積層部 40(參照第7圖)。以樹脂絕緣層46密封的表層側銅箔83之外緣部係因該切斷而成為露出的狀態。

在後續的分離步驟中，將積層構造體90分離為配線積層部40與支持基板70，使基底側銅箔82及表層側銅箔83露出。具體而言，在基底側銅箔82與表層側銅箔83的界面剝離積層金屬板體81，從支持基板70分離配線積層部40(參照第8圖)。

其次，在第四層的樹脂絕緣層46上形成端子焊墊52。具體而言，藉由對位在配線積層部40(樹脂絕緣層46)之主面41上的表層側銅箔83進行運用蝕刻之圖案化，在樹脂絕緣層46之主面41上的區域形成端子焊墊52。

再者，在形成於最表層的樹脂絕緣層46上的複數個端子焊墊52上形成IC晶片21連接用的焊料凸塊54。具體而言，使用未圖示的焊球搭載裝置在各端子焊墊52上配置焊球後，藉由將焊球加熱至預定的溫度後進行回焊，在各端子焊墊52上形成焊料凸塊54。同樣地，在形成於樹脂絕緣層43上的複數個BGA用焊墊53上形成焊料凸塊55。

其後，在配線積層部40之IC晶片搭載區域23上載置IC晶片21。此時，將IC晶片21側的端子22與配線積層部40側的焊料凸塊54進行定位。然後，加熱將各焊料凸塊54進行回焊，藉以接合端子22與焊料凸塊54，在配線積層部40上搭載IC晶片21。

因此，依據本實施形態可得到以下的效果。

(1)依據本實施形態之多層配線基板11的製造方法，在外周金屬層去除步驟中，藉由以機械方式去除表層側銅箔83之外周部，形成基底側銅箔82的外形尺寸大於表層側銅箔83的外形尺寸之積層金屬板體81。即，即使不利用例如蝕刻等去除表層側銅箔83之外周部也可以得到積層金屬板體81，所以畢竟不會產生蝕刻液侵入基底側銅箔82與表層側銅箔83的界面等問題。因此，可將不良品發生率抑制得較低，而所製造的多層配線基板11的良率變高。

此外，在外周金屬層去除步驟中，進行機械加工，所以只是進行僅由切斷表層側銅箔83的步驟與去除已切斷的表層側銅箔83之外周部的步驟所構成的外周金屬層去除步驟，就可形成積層金屬板體81。其結果，工時比進行蝕刻而形成積層金屬板體的情況還減少，所以可減低多層配線基板11的製造成本，並且多層配線基板11的製造效率提升。

(2)在本實施形態之外周金屬層去除步驟中，在切斷表層側銅箔83之外周部的同時，於基底側銅箔82之成為表層側銅箔83之外周緣84正下方處形成切口部86，將表層側銅箔83之外周緣部87彎向基底側銅箔82側。其結果，由於基底側銅箔82與表層側銅箔83的界面被壓入切口部86內，所以可確實地防止表層側銅箔83從基底側銅箔82剝落。因此，可將不良品發生率抑制得更低，故所製造的多層配線基板11的良率更加提升。

(3)在本實施形態中，下側的銅箔(基底側銅 箔82)比上側的銅箔(表層側銅箔83)外徑大，將上側的銅箔以不從下側的銅箔之外周部露出之方式配置在支持基板70上。在此情況，即使從上側壓住絕緣樹脂基材，也可以充分確保上側銅箔的平坦度。因此，藉由將露出於配線積層部40表面的表層側銅箔83圖案化，可形成平坦度高的端子焊墊52，可充分確保端子焊墊52的連接可靠性。

(4)在本實施形態中，藉由將用以分離配線積層部40與支持基板70所採用的表層側銅箔83圖案化而形成端子焊墊52。如此一來，相較於利用別的銅箔或銅鍍敷而形成端子焊墊52的情況，可抑制多層配線基板11的製造成本。

再者，本實施形態亦可按如下那樣變更。

‧在上述實施形態之外周金屬層去除步驟中，雖是藉由使用切刀切斷表層側銅箔83之外周部而形成切口部86，但切口部的形成方法不受此所限，也可以使用其他的方法形成切口部。例如，也可以藉由使用雷射切斷表層側銅箔183之外周部而形成切口部186(參照第9圖)。再者，若將切口部186形成至到達支持基板本體171程度的深度，則表層側銅箔183之外周緣184與基底側銅箔182之外周緣185就可藉由雷射之熱而繫接(參照第9圖之區域A1)。其結果，由於可確實地防止表層側銅箔183從基底側基底側銅箔182剝落，所以可將不良品發生率抑制得更低，所製造的多層配線基板11的良率更加提升。

‧在上述實施形態之外周金屬層去除步驟中 ，雖然將切口部86形成至未切斷基底側銅箔82程度的深度，但也可以形成至到達支持基板本體71程度的深度。如此的情況，若使用切刀切斷表層側銅箔83之外周部，則基底側銅箔82與表層側銅箔83的界面被更深地壓入切口部86內，所以可更加確實地防止表層側銅箔83從基底側銅箔82剝落。

‧在上述實施形態中，雖然在支持基板70的兩側形成有配線積層部40，但也可以只在支持基板70的一側上形成配線積層部40。

‧在上述實施形態中，雖然藉由將表層側銅箔83圖案化而形成端子焊墊52，但不受此所限。例如，在積層步驟中，在表層側銅箔83上預先將端子焊墊52圖案化。然後，在分離步驟後，利用蝕刻完全去除露出於配線積層部40之主面41的表層側銅箔83。即使如此，也可以製造不具有核心基板的多層配線基板。

‧在上述實施形態中，雖然導體層51、端子焊墊52及BGA用焊墊53係利用從主面41側向背面42側逐漸擴大直徑的通路導體57而互相連接，但不受此所限。通路導體為朝同一方向擴大直徑的形狀即可，也可以利用從背面42側向主面41側逐漸擴大直徑的通路導體將導體層51、端子焊墊52及BGA用焊墊53互相連接。

‧上述實施形態之積層金屬板體81係設定基底側銅箔82的外形尺寸大於表層側銅箔83的外形尺寸。然而，也可以變更為基底側銅箔82的外形尺寸與表層側銅箔83的外形尺寸互相相等的積層金屬板體。

其次，將由前述的實施形態所掌握的技術思想列舉如下。

(1)在上述手段1中，一種多層配線基板製造用支持基板，其特徵在於：於前述基底側金屬層之成為前述表層側金屬層外周緣正下方處，形成在前述基底側金屬層表面開口的切口部，前述切口部的深度設定為到達前述支持基板本體的程度。

(2)一種多層配線基板製造用支持基板，係用於製造具有交互層積複數個樹脂絕緣層與複數個導體層而多層化的構造之多層配線基板的支持基板，其特徵在於具備：支持基板本體，其具有基板主面；及積層金屬板體，其配置於前述基板主面上，使基底側金屬層與表層側金屬層以可剝離的狀態密接而成；於前述基底側金屬層之成為前述表層側金屬層外周緣正下方處，形成在前述基底側金屬層表面開口的切口部。

70‧‧‧支持基板

71‧‧‧支持基板本體

72‧‧‧基板主面

73‧‧‧基板背面

74‧‧‧基材

75‧‧‧預浸材

81‧‧‧積層金屬板體

82‧‧‧基底側銅箔

83‧‧‧表層側銅箔

Claims (9)

1. 一種多層配線基板製造用支持基板，前述多層配線基板製造用支持基板用於製造具有交互層積複數個樹脂絕緣層與複數個導體層而多層化的構造，其特徵在於：具備：支持基板本體，其具有基板主面；及積層金屬板體，其配置於前述基板主面上，使基底側金屬層與表層側金屬層以可剝離的狀態密接而成；前述基底側金屬層的外形尺寸係設定為大於前述表層側金屬層的外形尺寸；於前述基底側金屬層之成為前述表層側金屬層外周緣正下方處，形成在前述基底側金屬層表面開口的切口部，前述表層側金屬層之外周緣部彎向前述基底側金屬層側。
2. 如請求項1之多層配線基板製造用支持基板，其中前述支持基板本體具有前述基板主面與位於前述基板主面相反側的基板背面，前述積層金屬板體分別配置於前述基板主面及前述基板背面。
3. 如請求項1之多層配線基板製造用支持基板，其中前述切口部未切斷前述基底側金屬層。
4. 如請求項1至3中任一項之多層配線基板製造用支持基板，其中前述表層側金屬層之厚度大於前述基底側金屬層之厚度。
5. 一種多層配線基板的製造方法，係使用如請求項1至4 中任一項之多層配線基板製造用支持基板製造多層配線基板的方法，其特徵在於包含：積層金屬板設置步驟，係在前述基板主面上設置前述積層金屬板體；外周金屬層去除步驟，係藉由機械方式去除前述表層側金屬層之外周部，使前述基底側金屬層之外周部及前述表層側金屬層露出於表面；積層步驟，係層積前述複數個樹脂絕緣層及前述複數個導體層，得到在前述基底側金屬層之外周部上及前述表層側金屬層上具有應成為前述多層配線基板之配線積層部而成的積層構造體；去除步驟，係在前述積層步驟後，從前述積層構造體將位於比前述配線積層部還外側的周圍部連同前述支持基板本體一起去除；及分離步驟，係在前述基底側金屬層與前述表層側金屬層的界面分離前述配線積層部與前述支持基板本體。
6. 如請求項5之多層配線基板的製造方法，其中在前述外周金屬層去除步驟中，在切斷前述表層側金屬層之外周部的同時，於前述基底側金屬層之成為前述表層側金屬層外周緣正下方處，形成在前述基底側金屬層表面開口的切口部，將前述表層側金屬層之外周緣部彎向前述基底側金屬層側。
7. 如請求項6之多層配線基板的製造方法，其中在前述外周金屬層去除步驟中，將前述切口部形成至到達前述 支持基板本體程度的深度。
8. 如請求項6之多層配線基板的製造方法，其中在前述外周金屬層去除步驟中，將前述切口部形成至未切斷前述基底側金屬層程度的深度。
9. 如請求項5至8中任一項之多層配線基板的製造方法，其中前述多層配線基板不具有核心基板，形成於前述複數個樹脂絕層的通路導體在前述樹脂絕緣層的各層朝同一方向擴大直徑。