TWI503292B - 行動型電子機器用保護玻璃之玻璃基板、行動型電子機器用畫像顯示裝置、行動型電子機器、以及行動型電子機器用保護玻璃之玻璃基板之製造方法 - Google Patents

行動型電子機器用保護玻璃之玻璃基板、行動型電子機器用畫像顯示裝置、行動型電子機器、以及行動型電子機器用保護玻璃之玻璃基板之製造方法 Download PDF

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Description

行動型電子機器用保護玻璃之玻璃基板、行動型電子機器用畫像顯示裝置、行動型電子機器、以及行動型電子機器用保護玻璃之玻璃基板之製造方法
本發明係有關於行動型電子機器用保護玻璃的玻璃基板、行動型電子機器用畫像顯示裝置、行動型電子機器以及行動型電子機器用保護玻璃的製造方法。
在手機等包括液晶面板、有機EL面板等畫像顯示面板的行動型電子機器中，為了保護畫像顯示面板，設置有保護玻璃。這種行動型電子機器用保護玻璃，例如按照下述方式製造。首先，將平板狀玻璃以規定形狀切割，由此製造被切割成小片的平板狀玻璃。然後，接著將該平板狀小片玻璃沉浸在熔融鹽而進行化學強化。然後，在做過化學強化的平板狀玻璃的表面上，根據需要形成反射防止膜等各種功能膜(專利文獻1)。即，專利文獻1中記載的技術特徵為，在進行切割工程之後實施化學強化工程。另外，如專利文獻1中記載的技術特徵相同的順序實施切割工程和化學強化工程時，還提出了通過蝕刻方法實施切割工程的技術特徵(專利文獻2)。
在專利文獻2中記載有利用濕式蝕刻(化學蝕刻)方法對平板狀玻璃進行切割的技術特徵，但也公開有利用乾式蝕刻方法進行切割的技術特徵(專利文獻3)。另外，在專利文獻3中還公開有在平板狀玻璃上形成各種功能膜之後，利用蝕刻方法進行切割的技術。但是，作為平板狀玻璃的切割方法，通常比蝕刻切割方法更多是採用劃線切割方法。另外，還公開有用劃線切割方法對風冷強化玻璃或化學強化玻璃進行切割時，風冷強化玻璃上粉碎成碎片、在化學強化玻璃上不能按照沿劃線線分割或者通過劃線切割所得到的玻璃基板的負荷小於設想負荷而被破壞的內容(專利文獻4)。因此，在專利文獻4中公開有為了將化學強化玻璃沿著劃線準確地切割，採用壓縮應力層厚度範圍為10μm~30μm，且壓縮應力值範圍為30kgf/mm2 ~60kgf/mm2 的化學強化玻璃的技術。
除此之外，有關本發明的現有技術還公開有如專利文獻5所示將大的化學強化玻璃利用鐳射切割或劃線切割等物理加工方法進行切割的技術特徵。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2007-99557號公報(段落編號0042、0043、0056、0057等)
[專利文獻2]WO2009/078406(申請專利範圍等)
[專利文獻3]日本特開昭63-248730號公報(申請專利範圍、第3項右下欄等)
[專利文獻4]日本特開2004-83378號公報(請求項第1項、段落編號0007、實施例等)
[專利文獻5]日本特開2008-247732號公報(申請專利範圍等)
如專利文獻1、2等中例示，製造出施以化學強化、根據需要在其表面上形成有功能膜的方形且平板狀的玻璃製品(玻璃基板)時，利用劃線加工或蝕刻處理來對其進行切割後，進行離子交換處理。因此，從玻璃基板的表面側、背面側以及端面側進行了離子交換處理。即，在玻璃基板的角部分上、從三個方向側(表面側或背面側、以及兩個端面側)因離子交換處理而形成壓縮應力層。因此，在玻璃基板的角部分上形成的壓縮應力層厚度相比在角部分以外的地方形成的壓縮應力層厚度大幅增大，因此應變應力容易集中，進而導致角部分的耐衝擊性差。
本發明為了解決上述存在的問題，提供一種角部分的耐衝擊性優良的行動型電子機器用保護玻璃的玻璃基板、以及採用該玻璃基板的行動型電子機器畫像顯示裝置和行動型電子機器、以及行動型電子機器用保護玻璃的玻璃基板的製造方法。
利用下面的發明解決上述課題，即，第一之本發明的行動型電子機器用保護玻璃的玻璃基板，該玻璃基板具有表面、背面和端面，並且前述端面的至少一部分區域是利用蝕刻處理形成，其特徵在於，在前述表面和前述背面上分別形成有利用離子交換法形成的壓縮應力層，該壓縮應力層在前述表面與前述背面的面方向的中心部和前述表面與前述背面的面方向的端部上按照層的厚度互相相同的方式形成。
第一之本發明的行動型電子機器用保護玻璃的玻璃基板的一個實施態樣是，前述端面的玻璃基板的厚度方向中心側的區域是利用研磨處理形成的呈平坦面的區域者為佳。
第一之本發明的行動型電子機器用保護玻璃的玻璃基板的其它實施態樣是，前述端面由利用前述研磨處理形成的平坦面區域和表面粗糙度Ra為10nm以下的曲面區域構成者為佳。
第一之本發明的行動型電子機器用保護玻璃的玻璃基板的其它實施態樣是，前述端面為鏡面者為佳。
第一之本發明的行動型電子機器用保護玻璃的玻璃基板的其它實施態樣是，從表面和背面中選擇的至少一個面上設置有一層以上的裝飾層者為佳。
第一之本發明的行動型電子機器用保護玻璃的玻璃基板的其它實施態樣是，利用於從顯示器面板保護用保護玻璃和觸控式螢幕中選擇的至少一種方式上者為佳。
第二之本發明的行動型電子機器用保護玻璃的玻璃基板，其特徵在於，利用離子交換法形成的壓縮應力層僅設置在表面側和背面側上，端面為凸出的曲面，端面的粗糙度Ra為10nm以下。
第三之本發明的行動型電子機器用保護玻璃的玻璃基板，其特徵在於，利用離子交換法形成的壓縮應力層僅設置在表面側和背面側上，端面的至少一部分區域為通過研磨處理形成的平坦面。
本發明的行動型電子機器用畫像顯示裝置，其特徵在於，該裝置至少包括：畫像顯示面板，具有方形的畫像顯示區域；行動型電子機器用保護玻璃，該保護玻璃由設置在該畫像顯示面板的畫像顯示面側上，且具有與畫像顯示區域的平面方向的輪廓形狀大致一致的平面形狀的第一、第二或第三之任意一個本發明的行動型電子機器用保護玻璃的玻璃基板構成。
本發明的行動型電子機器，其特徵在於，該電子設備包括：畫像顯示面板；行動型電子機器用保護玻璃，該保護玻璃由設置在該畫像顯示面板的畫像顯示面側上的第一、第二或第三之任意一個本發明的行動型電子機器用保護玻璃的玻璃基板構成。
本發明的行動型電子機器的一個實施態樣是手機者為佳。
第一之本發明的行動型電子機器用保護玻璃的玻璃基板的製造方法，其特徵在於，該製造方法至少經過如下工程：離子交換處理工程，該工程為使包括一種以上的鹼金屬的平板狀玻璃與包括一種以上鹼金屬的熔融鹽接觸，由此進行離子交換處理；耐蝕刻膜形成工程，已完成離子交換處理的平板狀玻璃的至少一個面上形成耐蝕刻膜；圖案製造工程，至少對耐蝕刻膜進行圖案製造；切割工程，使已完成離子交換處理的上述平板狀玻璃的、設置有被圖案化的耐蝕刻膜的面與蝕刻溶液接觸而進行蝕刻，由此將已完成離子交換處理的平板狀玻璃切割成小片。
第二之本發明的行動型電子機器用保護玻璃的玻璃基板的製造方法，其特徵在於，該製造方法至少經過如下工程：耐蝕刻膜形成工程，經過使包括一種以上的鹼金屬的平板狀玻璃與包括一種以上鹼金屬的熔融鹽接觸而進行離子交換處理的離子交換處理工程的上述平板狀玻璃表面和背面中的至少在一個表面上形成耐蝕刻膜；圖案製造工程，至少對耐蝕刻膜進行圖案製造；切割工程，使已完成離子交換處理的上述平板狀玻璃的、設置有被圖案化的耐蝕刻膜的面與蝕刻溶液接觸而進行蝕刻，由此將已完成離子交換處理的平板狀玻璃切割成小片。
第一和第二之本發明的行動型電子機器用保護玻璃的玻璃基板的製造方法的實施態樣優選的是，在進行離子交換處理工程後且實施耐蝕刻膜形成工程之前實施裝飾層形成工程，在該工程中，在進行離子交換的平板狀玻璃的至少一個表面上形成一層以上裝飾層。
第一和第二之本發明的行動型電子機器用保護玻璃的玻璃基板的製造方法的實施態樣是，進一步包括端面研磨工程，在該工程中，對經過切割工程後形成的切割面的至少一部分進行研磨者為佳。
根據本發明可以提供一種角部分的耐衝擊性優良的行動型電子機器用保護玻璃的玻璃基板以及採用該玻璃基板的行動型電子機器畫像顯示裝置和行動型電子機器、以及行動型電子機器用保護玻璃的玻璃基板的製造方法。
在下面的說明中，將行動型電子機器用保護玻璃的玻璃基板簡單地稱之為“玻璃基板”，將行動型電子機器用畫像顯示裝置簡單地稱之為“畫像顯示裝置”，行動型電子機器用保護玻璃的玻璃基板的製造方法簡單地稱之為“玻璃基板的製造方法”。
(玻璃基板、畫像顯示裝置和行動型電子機器)
本實施方式的玻璃基板為，利用離子交換法形成的壓縮應力層僅設置在表面側和背面側上，端面為凸出的曲面，端面的表面粗糙度Ra為例如10nm以下。
圖1為表示本實施方式的玻璃基板的一個例的模式剖面圖，具體來說，是表示端面附近剖面的剖面圖。圖1所示的玻璃基板10A(和其它例一起統稱時用符號“10”表示)，在表面20U側和背面20B側上設置有利用離子交換法形成為一定厚度的壓縮應力層30U、30B。這樣的壓縮應力層30U、30B是通過使表面20U側和背面20B側與熔融鹽接觸而進行離子交換處理而形成。
另外，端面40A(40)為凸出的曲面，其表面粗糙度Ra為例如10nm以下。在此，「端面為凸出的曲面」更為具體地是指，其端面具有位於玻璃基板的平面方向的最外側的頂部和按照從頂部延伸至表面側和背面側中選擇的至少一側的主表面側的方式形成的傾斜面，且該傾斜面由向玻璃基板的內側凹進去的曲面(凹曲面)構成。另外，該曲面如果是在製造玻璃基板10A時從表面側和/或背面側利用等方向性的濕式蝕刻方法形成的蝕刻面則其曲率不作特別的限定。
在此，在圖1所示的例子中，在端面40A的玻璃基板10A厚度方向的中央部附近，形成有按照位於玻璃基板10A的平面方向的最外側方式突出的頂部42。並且，從該頂部42朝向表面20U側和背面20B側形成有緩緩彎曲的傾斜面44U、44B。該傾斜面44U、44B是朝向玻璃基板10A的內側凹進去的凹面。即，傾斜面44U按照相對於連接圖1所示的頂部42和表面20U的端部的直線(圖中用虛線表示的直線L1)凹進的方式形成，傾斜面44B按照相對於連接圖1所示的頂部42和背面20B的端部的直線(圖中用虛線表示的直線L2)凹進的方式形成。具有如此形狀的端面40A是，在表面20U側和背面20B側上形成壓縮應力層30U、30B之後，利用從表面20U側和背面20B側進行作為等方向性的蝕刻的濕式蝕刻來形成。即，端面40A的整個面是利用濕式蝕刻形成的面。另外，端面40A的形狀只要是具有利用濕式蝕刻形成的曲面、表面粗糙度Ra為10nm以下，則該形狀並不限定於圖1所示的例子。例如，僅從表面20U側實施濕式蝕刻時，端面40A由傾斜面44U和位於背面20B側的頂部42構成。
另外，除了在表面20U側、背面20B側上存在壓縮應力層30U、30B之外，端面40A上不存在利用離子交換處理形成的壓縮應力層。因此，作為表面20U和端面40A的境界部分的角部分50U和作為背面20B和端面40A的境界部分的角部分50B的壓縮應力層30U、30B的厚度(即，表面20U的面方向的端部厚度)與玻璃基板10A的中央部附近的壓縮應力層30U、30B厚度實質上相同。因此，應變應力不會集中在角部分50U和角部分50B上。另外，圖1所示的角部分50U、50B是主表面20(20U、20B)和端面40A的境界部分，即兩個面的境界部分。但是，壓縮應力層30U、30B即使是在主表面20、端面40A和與端面40A交叉的其它端面(未圖示)的境界部分，即，作為三個面之間的境界部分形成的角部分也與玻璃基板10A的中央部附近的壓縮應力層30U、30B厚度實質上相同。因此，與作為兩個面之間的境界部分形成的角部分(以下有時稱之為“兩面角部分”)一樣，即使在作為三個面之間的境界部分形成的角部分(以下有時稱之為“三面角部分”)應變應力也不會集中。因此，即使在任何角部分也不會產生由於應變應力集中而導致的耐衝擊性的劣化。另外，所謂三面角部分是相當於六方體的八個頂角部分。
另一方面，相對於具有與圖1所示的玻璃基板10A相同的剖面形狀的平板狀玻璃(離子交換處理之前的玻璃)或者是通過劃線切割被切割成小片的平板狀玻璃(離子交換處理之前的玻璃)，利用進行離子交換處理可以得到圖1所示的玻璃基板10A和具有類似結構的玻璃基板。圖2和圖3為對被切割加工成規定形狀的整個平板狀玻璃進行離子交換處理而製造的玻璃基板的一個例，是表示第一和第二比較例的模式剖面圖。在此，圖2所示的玻璃基板是和圖1所示的玻璃基板10A一樣利用經由濕式蝕刻進行切割的平板狀玻璃製造的基板，圖3所示的玻璃基板是利用經由劃線切割所得到的平板狀玻璃製造的基板。在此，圖2和圖3中，對具有與圖1所示的形狀相同形狀的結構用相同的符號表示。
在圖2所示的玻璃基板200中，形成有從主表面20(表面20U、背面20B)側向端面40A側連續的壓縮應力層32，在圖3所示的玻璃基板210中，形成有從主表面20(表面20U、背面20B)側向端面46側連續的壓縮應力層34。另外，圖3所示的端面46是利用劃線切割所形成的平坦面。並且，製造玻璃基板200時，角部分50U、50B附近部分的離子交換是利用主表面20和端面40A的兩個面進行。在這一點上，製造玻璃基板210時，作為表面20U和端面46的境界部分的角部分52U、作為背面20B和端面46的境界部分的角部分52B的附近部分的離子交換也相同。因此，角部分50U、50B的附近部分的壓縮應力層32厚度和角部分52U、52B的附近部分的壓縮應力層34厚度相比於其它部分厚，應變應力容易集中。並且，這樣的壓縮應力層厚度的增大和應變應力的集中在從三面進行離子交換的三面角部分更為明顯。即，角部分特別是三面角部分的耐衝擊性來說，圖1所示的本實施方式的玻璃基板10A比圖2、圖3所示的玻璃基板200、210優良很多。
另一方面，玻璃表面上存在微小的裂紋(微裂紋)時，將該微裂紋作為起點容易產生應力的集中，因為這樣的應力集中玻璃被容易破壞。在此，利用濕式蝕刻所形成的切割面是由於經由利用化學反應的濕式蝕刻而能夠去除上述的微裂紋，因此將微裂紋作為起點的應力集中難以產生。但是，利用劃線切割等機械加工所形成的切割面是透過施加外力而形成，因此，難以避免在切割面上發生微裂紋。從以上說明的內容可知，與圖3所示的玻璃基板210比較，圖1所示的本實施方式的玻璃基板10A在其端面的耐衝擊性更優秀。
在此，從機械強度和外觀的方面考慮，玻璃基板200的端面40A是鏡面者為佳。該鏡面是指，相對於具有無數微細凹凸的梨皮狀表面(凹凸均勻的底面)精細加工成像鏡子一樣能映射物的面。也可以如下定義鏡面：例如，在某個面上相互呈垂直的兩個方向的表面粗糙度(算數平均粗糙度Ra)為0.1以下。
另外，如果端面40A的表面粗糙度Ra(算數平均粗糙度)為10nm以下就可以，但是其表面粗糙度為5nm以下者為佳。而且，雖然對其表面粗糙度Ra的下限沒做特別的限定，但實用的是0.1nm以上。10nm以下的表面粗糙度Ra是可以利用形成端面40A時的濕式蝕刻容易實現。另外，表面粗糙度Ra能夠利用AFM(原子力顯微鏡)測量。
另外，壓縮應力層30U、30B厚度雖然是根據玻璃基板的用途適當地選擇，但從確保主表面20的耐損傷性或玻璃基板10A的耐衝擊性的方面考慮，其厚度是10μm以上者為佳，更佳的是其厚度為30μm以上，進一步更佳的是其厚度為40μm以上。另一方面，壓縮應力層30U、30B厚度的上限雖然沒有特別限定，但從防止離子交換處理所需時間的增加或製造玻璃基板10A時利用濕式蝕刻切割時的表面20U側和背面20B側的應力均衡惡化而導致的自發性粉碎(自爆)等的實用性方面考慮，其厚度上限是100μm以下者為佳，更佳的是70μm以下。另外，壓縮應力層30U厚度和壓縮應力層30B厚度可以不同，但此時，玻璃基板10A的表面和背面應力均衡被破壞，因此玻璃基板10A容易彎曲。因此，通常是使壓縮應力層30U厚度和壓縮應力層30B厚度大致相同者為佳。
玻璃基板10A的板厚沒有特別地限定，但從控制利用玻璃基板10A的各種設備的重量增大或設備的薄型化方面考慮，通常板厚是1mm以下者為佳，更佳的是0.7mm以下。另外，從確保玻璃基板10A的機械強度的方面考慮，板厚的下限值是0.2mm者為佳。
另外，如圖1所示。本實施方式的玻璃基板10可以是僅由玻璃基板10A的主體構成，但也可以是根據玻璃基板10的利用用途從表面20U和背面20B選擇的至少一個面上設置有一層以上的裝飾層的玻璃基板(帶有膜的玻璃基板)。圖4為表示本實施方式的玻璃基板的其它第一例的模式剖面圖，具體來說，是表示關於圖1所示的玻璃基板10A的表面20U側上設置有裝飾層的構成的剖面圖。圖4所示的玻璃基板10B是在玻璃基板10A的主體表面20U上設置有一層裝飾層60。作為裝飾層60例如可以舉出：(1)AR層(防反射塗層)、防眩光塗層、半透明反射鏡塗層、偏振光膜等具有光學功能的層；(2)以ITO(氧化銦錫)膜為代表的透明電極膜等的具有電功能的層；(3)印刷層等具有提高審美度的功能的層等。另外，通過層壓多個裝飾層60、進行圖案加工等，在玻璃基板主體10A上可以形成觸控式螢幕等各種元件。
另外，本實施方式的玻璃基板10可以是具有如圖1所示的由凸出的曲面構成的端面40A的玻璃基板10A的端面40A的至少一部分區域利用研磨處理被加工成呈平坦面的區域的基板。此時，研磨處理之後的端面可以是其整個面都被研磨處理成平坦面的端面，還可以是由被研磨處理成平坦面的區域和表面粗糙度Ra為10nm以下的曲面區域構成的端面。另外，被研磨處理成平坦面的區域是由至少將頂部42和該頂部42附近通過研磨去除的形狀形成，且通過研磨處理形成的平坦面相對於表面20U和背面20B大致垂直的面者為佳。此時，例如端面40A的玻璃基板10A的厚度方向中心側的區域形成為利用研磨處理形成的呈平坦面的區域。由此，被研磨處理後的端面上由於不存在因頂部42而引起的明顯的突出部，因此相對於圖1所示的玻璃基板10A能夠更加提高端面部的平坦性或縱橫尺寸精度。
在此，作為研磨處理可以採用刷磨等機械研磨處理。除此之外，作為研磨處理還可以採用蝕刻處理等公知的化學研磨處理。
圖5為表示本實施方式的玻璃基板的其它的第二例的模式剖面圖，具體來說，是表示關於將圖1所示的玻璃基板10A的頂部42和其附近通過研磨處理去除，在端面的一部分上形成平坦面的形狀的剖面圖。在圖5中對與圖1相同的結構由相同附圖標號表示。圖5所示的玻璃基板10C的端面40B(40)由位於表面20U側的傾斜面44U1、位於背面20B側的傾斜面44B1以及位於傾斜面44U1和傾斜面44B1之間且利用研磨處理去除頂部42和其附近所形成的平坦面(研磨面)48構成。在此，平坦面48是相對於表面20U和背面20B大致呈正交的面。另外，如果除去以上的點，圖5所示的玻璃基板10C具有和圖1所示的玻璃基板10A相同的結構。另外，玻璃基板10C的表面20U和/或背面20B上還可以進一步設置如圖4例示的裝飾層60。
本實施方式的玻璃基板10的利用用途沒有特別地限定，但從主表面20的耐衝擊性、耐損傷性優良的方面考慮，利用於要求表面的耐衝擊性和/或耐損傷性的用途上者為佳。作為這樣的用途典型的可以舉出液晶面板、有機EL面板、等離子體顯示器面板等各種顯示器面板保護用保護玻璃(以下有時簡稱為“保護玻璃”)或觸控式螢幕。
圖6為表示利用本實施方式的玻璃基板的觸控式螢幕的一例的模式剖面圖。另外，關於圖6所示的玻璃基板10的具體的剖面構成在此省略說明。圖6所示的觸控式螢幕100由在玻璃基板10的表面20U上設置有第一透明導電膜102、相對於該第一透明導電膜102透過墊片相對而置的第二透明導電膜106和在第二透明導電膜106的與設置有玻璃基板10側相反的一側上設置的樹脂薄膜層108構成。在該觸控式螢幕100中，利用對樹脂薄膜108表面108A擠壓，使第一透明導電膜102和第二透明導電膜106接觸，在第一透明導電膜102和第二透明導電膜106之間產生電流的流動，並利用解除擠壓而阻斷第一透明導電膜102和第二透明導電膜106的導通。並且，將此時的電流的ON/OFF作為輸入資訊傳遞給與觸控式螢幕100連接的控制電路(未圖示)上，而且控制電路向配置在玻璃基板10的背面20B側上的顯示器(未圖示)上傳遞相應輸入資訊的顯示資訊，由此實現觸控式螢幕操作。
圖7為表示本實施方式的畫像顯示裝置的一例的模式剖面圖。另外，圖7是表示畫像顯示裝置的主要部分的構成的剖面圖，關於其它的構成，省略對其的說明。另外，關於圖7所示的本實施方式的玻璃基板10的具體的剖面構成，省略對其的說明。圖7所示的畫像顯示裝置110至少包括面板框體112、保持在該面板框體112上的液晶面板等畫像顯示面板114、按照大致覆蓋畫像顯示面板114的整個畫像顯示面114A的方式配置在畫像顯示面114A上的玻璃基板10。另外，圖7所示的例子中，畫像顯示面114A和玻璃基板10可以是相互緊密接觸，也可以設置有微小的間隙，還可以是在兩者之間配置有樹脂薄膜等其它的層。另外，畫像顯示裝置110可以是單獨發揮功能的裝置，也可以是如手機等的行動型電子機器的顯示面板部分等構成其它電子設備的一部分的裝置。
另外，玻璃基板10的端面40在圖7所示的例子中完全地暴露，並且和面板框體112的側面112S大致位於同一個面上。但是，還可以是玻璃基板10與畫像顯示面板114一起埋入面板框體112內而端面40呈不暴露的狀態。但是，從設計的角度考慮，多種情況下使端面40完全暴露者為佳。因此，從提高設計的角度考慮，適合的是端面40呈暴露的狀態。此時，畫像顯示裝置110與地面或壁等碰撞時，玻璃基板10的角部50直接暴露在機械性碰撞的狀態。但是，本實施方式的玻璃基板10由於角部50的耐衝擊性優良，因此與利用圖2和圖3中例示的玻璃基板200、210的情況比較，保護玻璃發生損傷的可能性小。因此，從耐衝擊性的方面考慮，本實施方式的玻璃基板10能夠更加提高包括保護玻璃的畫像顯示裝置的外觀設計的自由度。
另外，畫像顯示面板114通常在畫像顯示面114A側具有方形的畫像顯示區域。此時，作為設置在畫像顯示面板114的畫像顯示面114A側的保護玻璃的是，利用具有和畫像顯示區域的平面方向的輪廓形狀大致一致的平面形狀的本實施方式的玻璃基板10者為佳。這是因為此時不存在畫面四角的畫質下降的情況。其理由如下所述。首先，圖2和圖3例示的玻璃基板200、210中，三面角部分附近的壓縮應力層32、34厚度比除三面角部分附近之外的壓縮應力層32、34厚度厚很多。另外，在三面角部分附近和不是三面角部分附近的部分上，壓縮應力層32、34的折射率不同。因此，三面角部分附近和不是三面角部分附近的部分的壓縮應力層32、34厚度不同會導致保護玻璃表面的三面角部分附近和不是三面角部分附近的部分的光的偏振光或散射情況不同。因此，將具有與畫像顯示區域的平面方向的輪廓形狀大致一致的平面形狀的玻璃基板200、210作為保護玻璃使用時，畫面四角的畫像的視覺性與畫面四角以外的其它部分相比，看上去不一樣。但是，在本實施方式的玻璃基板10中，由於三面角部分附近的壓縮應力層20厚度和三面角部分附近之外的壓縮應力層20厚度大致相同，因此可以避免上述問題的發生。另外，「和畫像顯示區域的平面方向的輪廓大致一致的平面形狀」是指，具有相對於構成畫像顯示區域的平面方向的輪廓形狀的輪廓線向外側或內側露出±10mm範圍的大小的平面形狀。
另外，四角部分面積占整個畫像顯示區域面積的比率，如果畫像顯示區域的面積越小其比率相對越大。這就意味著，當四角部分的畫質下降的情況發生時，畫像顯示區域的大小越小，對於看畫像的人來說，四角部分的畫像的視覺性的不適感越增加。考慮到這樣的情況，畫像顯示區域的大小是對角線長度為1.5英寸以上者為佳，更佳的是對角線長度為2.0英寸以上。另外，畫像顯示區域的大小的上限沒有特別地限定，實用上是對角線長度為5.0英寸以下者為佳。
本實施方式的玻璃基板的更佳的利用方式是，作為至少包括畫像顯示面板、設置在畫像顯示面板的畫像顯示面側的保護玻璃的行動型電子機器、特別佳的是作為手機的保護玻璃使用。行動型電子機器、特別是手機，從其利用方式來看，保護玻璃的角面部分多處於發生機械性碰撞的狀態，也要求設計多樣性。但是，本實施方式的玻璃基板10如上所述容易滿足兩方面的要求。
圖8為表示本實施方式的行動型電子機器的一例的側面圖，具體來說，是表示關於在畫像顯示面板的畫像顯示面側包括作為保護玻璃的本實施方式的玻璃基板10的手機的圖。圖8所示的手機120包括主體部122、包括畫像顯示面板的顯示器部124、以可折疊的方式連接主體部122和顯示器部124的鉸鏈部126、按照大致覆蓋整個顯示器部的畫像顯示面124A的方式配置的玻璃基板10。
作為構成本實施方式的玻璃基板10的玻璃材料，只要是能夠進行離子交換處理的包含鹼金屬氧化物的玻璃材料不管是什麼樣的都可以利用，但是使用如(1)包括利用下拉法等製造平板狀玻璃時所使用的SiO2 、Al2 O3 、Li2 O和Na2 O中選擇的至少一種鹼金屬氧化物的矽鋁酸鹽玻璃、(2)利用浮標法等製造平板狀玻璃時所使用的鈉鈣玻璃等公知的玻璃材料者為佳。另外，由利用下拉法的平板狀玻璃製造出玻璃基板10的情況下，與利用浮標法等情況比較，平板狀玻璃表面的損傷極少，平板狀玻璃表面的光滑性也呈奈米級粗糙度。因此，不僅能夠省略製造玻璃基板10時用於形成主表面20的鏡面研磨加工，而且主表面20上也極少發生微裂紋。
另外，從平板狀玻璃製造性、機械強度、化學耐久性等實用性的方面考慮，作為矽鋁酸鹽玻璃是包含62~75重量%的SiO2 、5~15重量%的Al2 O3 、0~8重量%的Li2 O、4~16重量%的Na2 O、0~6重量%的K2 O、0~12重量%的ZrO2 、0~6重量%的MgO者為佳。
另外，壓縮應力層20是將構成玻璃基板10的玻璃材料自身含有的鹼金屬的一部分置換成離子半徑更大的鹼金屬的變質層。例如，如果構成玻璃基板10的玻璃材料自身含有的鹼金屬是Li，則被置換成Na、K等，如果構成玻璃基板10的玻璃材料自身含有的鹼金屬是Na，則被置換成K等。
(玻璃基板的製造方法)
接著，關於本實施方式的玻璃基板10的製造方法進行說明。首先，圖1所示的玻璃基板10A至少利用如下工程而可製造。具體工程為：離子交換處理工程，使包含一種以上鹼金屬的平板狀玻璃與包含一種以上鹼金屬的熔融鹽接觸，由此進行離子交換處理；耐蝕刻膜形成工程，已完成離子交換處理的平板狀玻璃的至少一個面上形成耐蝕刻膜；圖案製造工程，至少對耐蝕刻膜製造圖案；切割工程，使己完成離子交換處理的平板狀玻璃的、設置有被圖案化的耐蝕刻膜的面與蝕刻液接觸而進行蝕刻，由此將已完成離子交換處理的平板狀玻璃切割成小片。下面，關於各個工程進行更詳細的說明。
-離子交換處理工程-
在離子交換處理工程中使包含一種以上鹼金屬的平板狀玻璃與包含一種以上鹼金屬的熔融鹽接觸而進行離子交換處理。在該離子交換處理中，通常利用使平板狀玻璃沉浸在熔融鹽中而對平板狀玻璃的兩面進行離子交換處理。熔融鹽的組成和溫度以及沉浸時間可以根據平板狀玻璃的玻璃組成、形成在平板狀玻璃的表層部分的壓縮應力層20厚度等適當地選擇。例如，平板狀玻璃的玻璃組成如果是上述的矽鋁酸鹽玻璃或鈉鈣玻璃，熔融鹽的組成和溫度以及沉浸時間一般情況下是下面例示的範圍中選擇者為佳。
(1)熔融鹽的組成：硝酸鉀、或者是硝酸鉀和硝酸鈉的混鹽
(2)熔融鹽的溫度：320℃~470℃
(3)沉浸時間：3~600分鐘
-耐蝕刻膜形成工程-
在耐蝕刻膜形成工程中，己完成離子交換處理的平板狀玻璃的至少一個面上形成耐蝕刻膜。該耐蝕刻膜通常形成在己完成離子交換處理的平板狀玻璃的兩面上，但是在切割工程中只把一面與蝕刻液接觸時，可以只在該一面上形成耐蝕刻膜。另外，下面說明的是將耐蝕刻膜形成在己完成離子交換處理的平板狀玻璃的兩面上的情況。作為耐蝕刻膜，只要是在圖案製造工程中能夠透過圖案製造處理一部分被去除，且對於切割工程中所使用的蝕刻液具有不被溶解和不被去除的性質的膜，可以適當地選擇。作為這樣的耐蝕刻膜使用至少對於氟酸溶液具有難溶性或不溶性的抗蝕膜者為佳。此時，可以在圖案製造工程中，經由利用光掩膜的曝光處理和利用顯影液的顯影處理對抗蝕膜進行圖案製造處理，在切割工程中可以利用蝕刻液進行切割。
-圖案製造工程-
在圖案製造工程中至少對耐蝕刻膜進行圖案製造。由此，在覆蓋已完成離子交換處理的平板狀玻璃的整個表面的耐蝕刻膜中，去除除與最終製造的玻璃基板10的平面方向的形狀所對應的區域之外的耐蝕刻膜。作為耐蝕刻膜的圖案製造方法典型的可以利用使上述的曝光和顯影組合而實施的光刻法。另外，圖案製造工程可以是對基板兩面上形成有耐蝕刻膜的已完成離子交換處理的平板狀玻璃的至少一個面實施，也可以是對其兩面實施。另外，後面的情況是，在實施切割工程之後，如圖1例示形成端面形狀具有頂部42和兩個傾斜面44U、44B的端面40A。
-切割工程-
在切割工程中，使已完成離子交換處理的平板狀玻璃的、設置有被圖案製造的耐蝕刻膜的面與蝕刻液接觸而進行蝕刻，由此將已完成離子交換處理的平板狀玻璃切割成小片。蝕刻處理通常是使平板狀玻璃沉浸在蝕刻液而進行。作為蝕刻液，只要是至少包含氟酸的就沒有特別地限定，但是根據需要也可以添加鹽酸等其它酸或表面活性劑等各種添加劑。
圖9為說明本實施方式的玻璃基板的製造方法的一例的模式剖面圖，具體來說，是說明製造圖1所示的玻璃基板10A時的切割工程的一例的圖。在此，圖9(A)為表示切割工程實施前的狀態的圖，換言之，是表示在已完成離子交換處理的平板狀玻璃上形成的耐蝕刻膜被圖案製造處理之後的狀態。另外，圖9(B)為表示切割工程實施過程中的狀態的圖。另外，在圖9中，關於平板狀玻璃上形成的壓縮應力層20，省略對其的描述。
圖9(A)所示的切割工程實施前的狀態中，在平板狀玻璃12的兩面上形成有耐蝕刻膜70(70U、70B)。並且，在耐蝕刻膜70(70U、70B)上設置有利用圖案製造工程按照使平板狀玻璃12的表面暴露的方式形成的開口部72(72U、72B)。另外，平板狀玻璃12的一面上設置的開口部72U和另一個面上設置的開口部72B在平板狀玻璃12的平面方向上其設置位置相同，並且開口部72U和開口部72B的寬度相同。另外，開口部72，從圖9中的紙面前側向裡側延伸的方式以帶狀形成。
接著，使設置有圖9(A)所示的開口部72的帶有耐蝕刻膜70的平板狀玻璃12沉浸在蝕刻液(圖9中未圖示)。此時，向開口部72內侵入的蝕刻液只對曝光在開口部72底部的平板狀玻璃12選擇性地進行蝕刻。並且，如圖9(B)中的箭頭方向所示，以開口部72的底部側作為起點從平板狀玻璃12的兩面大體上等方向性地進行對平板狀玻璃12的蝕刻。因此，經過切割工程所得到的玻璃基板10A具有如圖1所示的由吐出的曲面構成的端面40A。另外，利用蝕刻液的濕式蝕刻中由於蝕刻面變為光滑，因此在相互垂直的兩個方向上能夠容易使端面40A的表面粗糙度Ra為10nm以下。即，將端面40A能夠鏡面加工。
-裝飾層形成工程-
另外，不是製造圖1所示的玻璃基板10A，而是製造圖4所示的形成有裝飾層60的玻璃基板10B時，經過離子交換處理工程後、且實施耐蝕刻膜形成工程之前，在已被離子交換的平板狀玻璃的至少一個表面上實施形成一層以上裝飾層60的裝飾層形成工程。此時，在耐蝕刻膜形成工程中，在裝飾層60的表面上形成耐蝕刻膜。
在此，在圖案製造工程中只對耐蝕刻膜進行圖案製造時，在切割工程中對耐蝕刻膜被去除的區域的裝飾層60和平板狀玻璃進行蝕刻，由此進行切割。此時，作為在切割工程中所使用的蝕刻液的組成，選擇不會侵蝕耐蝕刻膜而侵蝕裝飾層60和平板狀玻璃的組成。
另一方面，在圖案製造工程中對耐蝕刻膜和裝飾層60同時進行圖案製造時，在切割工程中對去除耐蝕刻膜和裝飾層60的區域的平板狀玻璃進行蝕刻，由此進行切割。此時，作為在切割工程中所使用的蝕刻液的組成，選擇不會侵蝕耐蝕刻膜和裝飾層而侵蝕平板狀玻璃的組成。
作為裝飾層60的成膜方法，根據構成裝飾層60的材料、膜厚等，可以適當地利用公知的成膜方法，例如可以利用絲網印刷法等的各種印刷方法、浸漬法、噴霧塗布法、溶膠凝膠塗布法、鍍金法等公知的液相成膜法或真空鍍膜法、濺射法、化學氣相沉積法(CVD，Chemical Vapor Deposition)等公知的氣相成膜法等。
在以上說明的本實施方式的玻璃基板製造方法中，為了製造玻璃基板10以大尺寸平板狀玻璃12的狀態實施離子交換處理和根據需要實施的裝飾層形成工程之後，實施將平板狀玻璃12切割成小片的切割工程。因此，和平板狀玻璃12是以預先被切割成同玻璃基板10相同尺寸的小片的狀態實施離子交換處理和根據需要實施的裝飾層形成工程而製造圖2、圖3例示的玻璃基板200、210或在這些玻璃基板200、210上形成有裝飾層60的基板的情況相比，本實施方式的玻璃基板製造方法有以下優點：(1)生產性和成本更優良、且、(2)所製造出的玻璃基板的尺寸精度高。
(1)作為生產性和成本更優良的理由可以舉出，當實施離子交換處理或形成裝飾層的工程時，相對於所使用的平板狀玻璃12被切割成小片之前的大尺寸的情況，所使用的平板狀玻璃12已被切割成小片的小尺寸的情況下，必須對多枚平板狀玻璃12進行處理。例如，當實施離子交換處理時，要進行使多枚被切割成小片的平板狀玻璃12沉浸在熔融鹽中的沉浸處理時，向在熔融鹽中用於保持平板狀玻璃12的支架上必須佈置多枚被切割成小片的平板狀玻璃12。因此，和使用大尺寸的平板狀玻璃12的情況相比，使用被切割成小片的平板狀玻璃12的情況在支架上佈置平板狀玻璃12時的作業效率極低。
(2)另外，作為所製造出的玻璃基板的尺寸精度高的理由可以舉出，在本實施方式的玻璃基板製造方法中經過伴隨平板狀玻璃12尺寸變化的離子交換處理之後，利用濕式蝕刻實施切割。即，經過利用濕式蝕刻或劃線切割等實施切割處理之後，利用被切割成小片的平板狀玻璃12實施離子交換處理時，為了得到所需尺寸的玻璃基板必須在預測實施離子交換處理所伴隨的尺寸變化的基礎上實施切割處理。但是，伴隨離子交換處理的實施而發生的尺寸變化程度有偏差。因此，在切割處理中不管如何高精度地切割，但所得到的玻璃基板尺寸也容易產生偏差。對於此，在本實施方式的玻璃基板製造方法中，在離子交換處理中尺寸不管發生如何變化，但透過在此之後實施的利用濕式蝕刻的切割處理，決定玻璃基板10的尺寸。因此，很容易使玻璃基板10的尺寸滿足所要求的值。
-端面研磨工程-
另外，在本實施方式的玻璃基板製造方法中，還可以包括對經過切割工程所形成的切割面的至少一部分進行研磨的端面研磨工程。在此，切割面是指，例如，如圖1、圖4等中例示的端面40A，由利用濕式蝕刻形成的凸出的曲面構成的端面。利用實施該端面研磨工程能夠得到如圖5中例示的基板10C一樣其端面的至少一部分區域為通過研磨處理後呈平坦面的玻璃基板。在此，關於圖4所示的玻璃基板10B的端面40A，利用研磨處理去除其頂部42和頂部附近，由此加工成如圖5所示的端面40B時，能夠防止利用研磨處理而發生的裝飾層60的端面40B側的磨削、破損或剝離。
[實施例]
下面透過實施例更加詳細地說明本發明，但本發明並不僅限定於下面的實施例。
(實施例1)
將通過下拉法製造的矽鋁酸鹽玻璃制的平板狀玻璃(厚度為0.5mm、縱橫為400mm×320mm)沉浸在熔融鹽中，由此在兩面上形成厚度為大約40μm的壓縮應力層20U、20B。在此，平板狀玻璃的玻璃組成是包含63.5重量%的SiO2 、8.2重量%的Al2 O3 、8.0重量%的Li2 O、10.4重量%的Na2 O、11.9重量%的ZrO2 。另外，當進行離子交換處理時，作為熔融鹽使用硝酸鉀和矽酸鈉的混鹽(用重量%表示的混合比為，硝酸鉀：矽酸鈉=60:40)，為了使壓縮應力層20U、20B厚度達到上述厚度，將熔融鹽的溫度保持在320℃~360℃範圍，並適當地調整沉浸時間。
接著，在已被離子交換處理的平板狀玻璃的兩面上透過輥塗機形成具有耐氟酸性的負性抗蝕膜(厚度為30μm)，進一步在150℃的溫度下進行30分鐘的烘乾處理。然後，利用光掩膜將抗蝕膜曝光之後，利用顯影液(Na2 CO3 溶液)進行顯影而去除抗蝕膜的一部分，由此完成形成開口部的圖案製造處理。
接著，將被圖案處理的形成有抗蝕膜的平板狀玻璃沉浸在含有氟酸和鹽酸的蝕刻液中，並對平板狀玻璃的兩面進行濕式蝕刻，由此進行切割。然後，利用有機溶劑溶解和去除抗蝕膜，並進一步洗淨，由此得到具有圖1所示的剖面結構的玻璃基板10A(縱橫：90mm×45mm)。利用SEM(掃描電子顯微鏡)對所得到的玻璃基板10A的端面40A進行觀察時，沒有觀察到微裂紋或通過劃線切割形成的切割面或通過研磨處理形成的研磨面等特有的面形狀，而是發現整個面都是非常光滑的面。另外，通過AFM(原子力顯微鏡)測量(接觸式、測量區域：5μm×5μm)端面40A的傾斜面44U時，表面粗糙度Ra為大約2nm。
(比較例1)
將實施例1中使用的平板狀玻璃不進行離子交換處理的基礎上如實施例1一樣依次實施抗蝕膜的形成、圖案製造處理、利用濕式蝕刻的切割處理而得到和實施例1中製造的玻璃基板10A相同尺寸的平板狀玻璃。然後，將該平板狀玻璃按照角部附近以外的地方的壓縮應力層厚度與實施例1中製造的玻璃基板10A幾乎相同程度的方式在與實施例1大致相同的條件下進行了離子交換處理。由此，得到具有圖2所示的剖面結構的玻璃基板200。
(比較例2)
將實施例1中使用的平板狀玻璃不進行離子交換處理的基礎上實施劃線切割，由此得到和實施例1中製造的玻璃基板10A相同尺寸的平板狀玻璃。然後，將該平板狀玻璃按照角部分附近以外的地方的壓縮應力層厚度與實施例1中製造的玻璃基板10A幾乎相同程度的方式在和實施例1大致相同的條件下實施離子交換處理。由此，得到具有圖3所示的剖面結構的玻璃基板210。
<評價>
利用在各實施例和比較例中得到的玻璃基板實施耐衝擊性評價和四角部分的目測評價，將其結果表示在表1中。
另外，表1所示的耐衝擊性評價和四角部分的目測評價的評價方法和評價基準如下。
-耐衝擊性評價-
針對30枚玻璃基板進行了以玻璃基板的三面角部分朝向正下方的狀態從100cm的高度位置落到鋪上硬質瓷磚的地面上的落地試驗，並對此時的玻璃基板的破損率進行了評價。評價基準如下：
A：破損率為5%以下。
B：破損率超過5%且為20%以下。
C：破損率超過20%。
-四角部分的目測評價-
以取出保護玻璃的狀態的手機用液晶顯示器表面上配置有玻璃基板，用目測的方法比較玻璃基板的四角部分的畫像的視覺性和玻璃基板的中央部分的畫像的視覺性。評價基準如下：
A：四角部分和中央部的視覺性差異幾乎沒有。
B：相對於中央部分的視覺性，四角部分的視覺性稍有形變。
C：相對於中央部分的視覺性，四角部分的視覺性明顯有形變。
10、10A、10B、10C．．．玻璃基板
12．．．平板狀玻璃
20．．．主表面
20U．．．表面
20B．．．背面
30U、30B、32、34．．．壓縮應力層
40、40A、40B．．．端面
42．．．頂部
44U、44B、44U1、44B1．．．傾斜面
46．．．端面
48．．．平坦面(研磨面)
50、50U、50B、52U、52B．．．角部分
60．．．裝飾層
70、70U、70B．．．耐蝕刻膜
72、72U、72B．．．開口部
100．．．觸控式螢幕
102．．．第一透明導電膜
104．．．墊片
106．．．第二透明導電膜
108．．．樹脂薄膜層
108A．．．表面
110．．．畫像顯示裝置
112．．．面板框體
112S．．．側面
114．．．畫像顯示面板
114A．．．畫像顯示面
120．．．手機
122．．．主體部
124．．．顯示器部
124A．．．畫像顯示面
126．．．鉸鏈部
200、210．．．玻璃基板
[圖1]為表示本實施方式的玻璃基板的一個例的模式剖面圖；
[圖2]為第一比較例，表示對被切割加工成規定形狀的整個平板狀玻璃面進行離子交換處理而製造的玻璃基板的一個例的模式剖面圖；
[圖3]為第二比較例，表示對被切割加工成規定形狀的整個平板玻璃面進行離子交換處理而製造的玻璃基板的其它例的模式剖面圖；
[圖4]為表示本實施方式的玻璃基板的其它的第一例的模式剖面圖；
[圖5]為表示本實施方式的玻璃基板的其它的第二例的模式剖面圖；
[圖6]為表示採用本實施方式的玻璃基板的觸控式螢幕的一個例的模式剖面圖；
[圖7]為表示本實施方式的畫像顯示裝置的一個例的模式剖面圖；
[圖8]為表示本實施方式的行動型電子機器的一個例的側面圖；
[圖9]為說明本實施方式的玻璃基板製造方法的一個例的模式剖面圖；圖9(A)為表示實施切割工程之前的狀態圖；圖9(B)為表示正在實施切割工程的狀態圖。
10A(10)．．．玻璃基板
20．．．主表面
20U．．．表面
20B．．．背面
30U、30B．．．壓縮應力層
40A(40)．．．端面
42．．．頂部
44U、44B．．．傾斜面
50U(50)、50B(50)．．．角部分
L1．．．表面20U的端部的直線(圖中用虛線表示的直線)
L2．．．背面20B的端部的直線(圖中用虛線表示的直線)

Claims (12)

  1. 一種行動型電子機器用保護玻璃的玻璃基板，係經由對板狀玻璃之其表面及背面之兩面側予以蝕刻處理而切割，來形成規定的平面形狀，該板狀玻璃具有表面、背面、及前述板狀玻璃經過蝕刻處理所形成的端面；其特徵為：在前述表面及前述背面上分別形成有利用離子交換法所成的壓縮應力層，該壓縮應力層係在前述表面及前述背面中的面方向的中心部、與前述表面及前述背面中的面方向的端部上，按照層的厚度為相互相同的方式形成；前述端面的玻璃基板的厚度方向中心側的區域，乃是利用化學研磨處理而形成的平坦面所成的區域；前述端面，是利用以下所構成：利用前述化學研磨處理而形成的平坦面所成的區域；以及分別設在前述端面的玻璃基板的厚度方向的表面側及背面側，形成表面粗糙度Ra為10nm以下的曲面之區域。
  2. 如請求項1之行動型電子機器用保護玻璃的玻璃基板，其中，作為表面或背面、端面、以及與該端面交叉的另一端面之3面間的境界部分所形成的3面角部分，係利用等方向性的蝕刻所形成，帶有圓狀。
  3. 如請求項1或2之行動型電子機器用保護玻璃的玻璃基板，其中，前述端面為鏡面。
  4. 請求項1或2之行動型電子機器用保護玻璃的玻璃基板，其中，於前述表面及前述背面中選擇至少一個面，設有一層以上的裝飾層。
  5. 如請求項1或2之行動型電子機器用保護玻璃的玻璃基板，其中，被利用於顯示器面板保護用保護玻璃、及觸控式螢幕中選擇至少一種的態様上。
  6. 一種行動型電子機器用畫像顯示裝置，至少具備有：畫像顯示面板，其具有方形的畫像顯示區域；以及行動型電子機器用保護玻璃，係利用以下所構成：設置在該畫像顯示面板的畫像顯示面側，而且，具有與上述畫像顯示區域的平面方向的輪郭形狀成大略一致的平面形狀之如請求項1至5中任1項之行動型電子機器用保護玻璃的玻璃基板。
  7. 一種行動型電子機器，至少具備有：畫像顯示面板；以及行動型電子機器用保護玻璃，係利用以下所構成：設在該畫像顯示面板的畫像顯示面側之如請求項1至6中任1項之行動型電子機器用保護玻璃的玻璃基板。
  8. 如請求項7之行動型電子機器，其中，該行動型電子機器為行動型電話。
  9. 一種行動型電子機器用保護玻璃的玻璃基板的製 造方法，係至少經過以下工程，來製造端面為凸的曲面之玻璃基板：離子交換處理工程，其使包含1種以上的鹼金屬之板狀玻璃，與包含1種以上的鹼金屬的熔融鹽接觸，由此進行離子交換處理；耐蝕刻膜形成工程，其在離子交換處理完畢之上述板狀玻璃的表面及背面的面上，形成耐蝕刻膜；圖案製造工程，係至少對上述耐蝕刻膜進行圖案製造；以及切割工程，係以使離子交換處理完畢的上述板狀玻璃之設有圖案製造過的上述耐蝕刻膜的面，與蝕刻溶液接觸後從上述板狀玻璃的表面及背面進行蝕刻的方式，把離子交換處理完畢之上述板狀玻璃切割成小片。
  10. 一種行動型電子機器用保護玻璃的玻璃基板的製造方法，係至少經過以下工程，來製造端面為凸的曲面之玻璃基板：耐蝕刻膜形成工程，係在乃是包含1種以上的鹼金屬的板狀玻璃之經過了與包含1種以上的鹼金屬之熔融鹽接觸所致之離子交換處理工程之上述板狀玻璃的表面及背面的面上，形成耐蝕刻膜；圖案製造工程，係至少對上述耐蝕刻膜進行圖案製造；以及切割工程，係以使離子交換處理完畢的上述板狀玻璃之設有圖案製造過的上述耐蝕刻膜的面，與蝕刻溶液接觸 後從上述板狀玻璃的表面及背面進行蝕刻的方式，把離子交換處理完畢之上述板狀玻璃切割成小片。
  11. 如請求項9或10之行動型電子機器用保護玻璃的玻璃基板的製造方法，其中，在經過前述離子交換處理工程之後，而且，在實施前述耐蝕刻膜形成工程之前，實施裝飾層形成工程，係在離子交換過的前述板狀玻璃之表面及背面之至少一個面，形成一層以上的裝飾層。
  12. 如請求項9或10之行動型電子機器用保護玻璃的玻璃基板的製造方法，其中，更具有端面研磨工程，係對經過前述切割工程所形成的切割面的至少一部分進行研磨。
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