TWI502752B - 太陽電池模組 - Google Patents

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Description

太陽電池模組
本發明係關於太陽電池模組，尤其關於具備有藉由配線構件將形成於太陽電池的表面上之電極連接起來而相互連接的複數個太陽電池之太陽電池模組。
太陽電池模組具有藉由電性連接於太陽電池的表面的電極之配線構件而將複數個太陽電池予以串聯及/或並聯連接之構造。製作此太陽電池模組之際，在太陽電池的電極與配線構件的連接上，一直以來，都是使用焊錫。焊錫因為導通性、固著強度等之連接可靠度很好，便宜且具有泛用性故受到廣泛的使用。
另一方面，為了減低配線構件之連接時的熱影響，也有不使用焊錫之配線的連接方法曾經提出來探討過。已知的有例如：使用具有樹脂接著劑之接著膜(adhesive film)來連接太陽電池與配線構件之方法(例如參照專利文獻1)。
使用接著膜之配線的連接，係將接著膜配置於太陽電池的電極與配線材之間，然後一邊以相對的方式對太陽電池與配線材進行加壓一邊加熱，藉此而利用樹脂接著劑使配線構件連接至太陽電池的電極。
然而，為了做到太陽電池的低成本化、低耗費資源化，還有要使太陽電池薄型化之要求。
如上所述，利用樹脂接著劑進行配線構件的連接之方法，係以相對的方式對配線構件與太陽電池進行加壓來使兩者連接。此時之壓力的一部份，會通過電極而傳達至太陽電池。於是，依形成於太陽電池的受光面之電極與形成於背面之電極的位置關係，會有剪切應力作用於太陽電池的基板之情形，而有基板發生破裂等而使得良率降低之問題。尤其，伴隨著太陽電池的薄型化，如何因應剪切應力變得越來越重要。
為了解決上述的問題點，本案申請人曾提出一種太陽電池模組，其具有配設於受光面且與配線構件連接之複數個第一指狀電極(finger electrode)、以及配設於背面且與配線構件連接之複數個第二指狀電極，而且第一指狀電極及第二指狀電極電極，係在與受光面平行之投影面上配置於相互重疊的位置(參照專利文獻2)。
【先前技術文獻】 (專利文獻)
(專利文獻1)日本特開2007-214533號公報
(專利文獻2)日本特開2008-235354號公報
在專利文獻2中，如第38圖所示，配設於太陽電池1的受光面側之指狀電極110與配設於背面側之指狀電極120相對齊之情況最理想。在表面之指狀電極110與背面之指狀電極120的位置對齊的狀態下，在配線構件20與表面背面的指狀電極之間配置樹脂接著膜，然後如圖中箭號所示，將配線構件20朝向太陽電池1的方向加壓。在如第38圖所示之受光面側之指狀電極110與背面側之指狀電極120的位置完全對齊之情況，剪切力作用於太陽電池之情形會受到抑制，而抑制太陽電池1破裂情形之發生。第38圖中並未顯示出樹脂接著膜。
然而，考慮到包含裝置誤差在內的因素時，會有難以將受光面側之指狀電極110與背面側之指狀電極120的位置予以對準之情形。如第39圖所示，當表面之指狀電極110與背面之指狀電極120的位置偏移時，就會有如圖中箭號(一點鏈線)所示之剪切應力作用於夾在指狀電極110與指狀電極120之間的太陽電池1，而有在最糟的情況下發生破裂的情形，導致良率降低之問題點。第39圖中也未顯示出樹脂接著膜。
本發明係鑑於上述之以往的問題點而完成者，其所欲解決之課題在於提供一種考慮到裝置的誤差，而控制背面側的指狀電極的位置及寬度，以讓至少與表面側的指狀電極相對之背面側有指狀電極存在，而可抑制太陽電池破裂情形之發生，使良率提高之太陽電池模組。
本發明係為一種具備有藉由配線構件而相連接的複數個太陽電池之太陽電池模組，其中，前述太陽電池具有：配設於受光面，與前述配線構件連接之複數個表面側指狀電極；以及配設於背面，與前述配線構件連接之複數個背面側指狀電極，且前述表面側指狀電極與背面側指狀電極的至少一方之指狀電極，係在將連接前述配線構件之區域而且為與另一方之指狀電極相對之區域，具有用來覆蓋比另一方之指狀電極寬的區域之輔助電極部。另外，可將前述背面側指狀電極的條數形成得比前述表面側指狀電極的條數多。
此外，可在前述太陽電池的受光面或背面之至少一方，與將連接導電片(tab)的位置一致而設置折線狀的母線電極(bus bar electrode)。
另外，本發明中，前述輔助電極部可利用至少其中之將連接配線構件之部份的寬度形成得比表面側的指狀電極寬之背面側的指狀電極來構成。
另外，形成得比前述表面側的指狀電極寬之背面側指狀電極部份，可形成得比前述表面側的指狀電極大出機械性誤差之量。
另外，表面側指狀電極不存在的區域之背面側指狀電極，可形成得比與表面側的指狀電極相對之背面側指狀電極窄。
本發明中，前述輔助電極部可利用至少其中之將連接配線構件之部份的寬度形成得比背面側的指狀電極寬之表面側的指狀電極來構成。
另外，形成得比前述背面側的指狀電極寬之表面側指狀電極部份，可形成得比前述背面側的指狀電極大出機械性誤差之量。
此外，前述輔助電極部可利用與導電片配置的方向平行之複數個電極線部來形成。而且，可使前述電極線部的長度對應於前述母線電極與指狀電極交叉的位置而變化。另外，前述電極線部的長度，可形成為距前述母線電極較遠位置之電極線部較長。
另外，可將位於前述太陽電池的端部之前述輔助電極部的面積形成得比其他位置的輔助電極部大。
根據本發明，則即使在表背兩面的指狀電極的位置因為裝置的誤差的影響等之理由而偏移時，也可減低產生於配線材安裝時之剪切應力的發生，而可使良率提高。
以下參照圖式來詳細說明本發明之實施形態。圖中，相同或相當的部份都標以相同的符號，且為了避免說明之重複，不對相同或相當的部份進行重複的說明。
首先，針對本發明之第一實施形態相關的太陽電池模組，參照第1至5圖進行說明。第1圖係本發明之實施形態相關的太陽電池模組中的太陽電池的平面圖，第2圖係第1圖之A-A’線斷面圖，第3圖係將第1圖之A-A’線斷面的重要部份予以擴大顯示之模式的斷面圖，第4圖係顯示太陽電池之平面圖，其中(a)係從受光面側所見者，(b)係從背面側所見者。第5圖係顯示本發明之太陽電池的重要部份之模式的平面圖。
該太陽電池模組具備有複數個板狀的太陽電池1。此太陽電池1係由例如以厚度為0.15 mm左右的單晶矽或多晶矽等構成之結晶系半導體所製成，且具有一邊為125 mm之大致正方形形狀，惟厚度及大小等並不限於此，亦可使用其他的太陽電池。
該太陽電池1內，形成有例如n型區域及p型區域，且在n型區域與p型區域的界面部份形成有用來形成載子(carrier)分離用的電場之半導體接合部。
該太陽電池1在受光面上具備有表面電極11。在本實形態中，該表面電極11係由相互平行而形成之複數個指狀電極110所構成。此指狀電極110係以例如指狀電極寬度約100 μm，節距(pitch)約2 mm之形態形成達55條左右。作為配線構件之導電片(tab)20與指狀電極110正交而連接。
另外，太陽電池1在背面上具備有背面電極12。此背面電極12係由相互平行而形成之複數個指狀電極120所構成。此指狀電極120係以例如指狀電極寬度約100 μm，節距約0.5 mm之形態形成達217條左右。
如此之表面電極11及背面電極12，可藉由例如熱硬化型或熱燒結型的銀膏(silver paste)之網版印刷來形成。除此以外，亦可利用蒸鍍法、濺鍍法等或者電鍍法等其他的方法來形成。
本實施形態中，係在表面電極11上、背面電極12上連接三條導電片。在第4圖及第5圖中，係在圖中虛線所示的位置黏貼導電片20。本實施形態中，導電片20的寬度a約為1.2 mm。在此情況，雖然裝置也會造成誤差，但由於機械精度而產生之導電片的黏貼位置的精度誤差約有0.2 mm左右。
在本第一實施形態中，如第3圖至第5圖所示，為了使入射至太陽電池1的受光面之光的量增大，而使表面電極11的指狀電極110的條數比背面電極12的指狀電極120的條數少。而且，藉由使表面電極11的指狀電極110的厚度比背面電極12的指狀電極120的厚度還厚，可降低表面電極11的電阻，而更加提高太陽電池特性。此外，形成為至少在與表面的指狀電極110相對的位置之背面配置背面側的指狀電極120b之設計。本實施形態係形成為：以相對於每四條背面側的指狀電極120就有一條表面側的指狀電極110與之相對之方式配置兩側的指狀電極之設計。另外，將背面的指狀電極120b的電極寬度形成得較寬，以確保即使電極形成位置產生誤差，也會有背面電極12的指狀電極120b存在於與表面電極11的指狀電極110相對的位置之背面側。具體而言，在與表面的指狀電極110相對的位置之背面側的指狀電極120b的電極寬度，係形成為表面側的指狀電極110的電極寬度之兩倍寬度之約200 μm。電極寬度形成得較寬之指狀電極120b構成面積比指狀電極110的電極面積大之輔助電極部。
位於相對的表面側不存在指狀電極110的區域之背面的指狀電極120，則如上述，在本實施形態中係形成約為100 μm。亦即，位於相對的表面側不存在指狀電極110的區域之背面的指狀電極120的寬度，係形成得比與表面的指狀電極110相對之背面的指狀電極120b的寬度為窄。
在本發明中亦可讓背面的各指狀電極120都相同，藉此，使表面電極11中使用的銀的量與背面電極12中使用的銀的量之差變小，而抑制由於銀的使用量的差所造成太陽電池的翹曲等。
接著，針對使用上述的太陽電池1來製造太陽電池模組之方法進行說明。太陽電池模組，係如第1圖至第3圖所示，將作為配線構件之導電片20電性連接至表面電極11、背面電極12。為了將該導電片20連接至表面電極11、背面電極12而使用樹脂接著膜5。樹脂接著膜係使用例如異向性導電接著膜(anisotropic conductive film)。
首先，在太陽電池1的表面電極11及背面電極12與導電片20,20之間配置樹脂接著膜5。樹脂接著膜5以寬度與所要連接的導電片20的寬度相同或略窄者為佳。例如，導電片20的寬度若為0.5 mm至3 mm，則使樹脂接著膜5的寬度也對應於導電片20的寬度而為0.5 mm至3 mm。在本實施形態中，如第1圖所示，係使用寬度1.2 mm之三條導電片20。因此，在將要黏接導電片20之位置上配置具有與導電片20的寬度對應之寬度之三條樹脂接著膜5。樹脂接著膜5若為硬化後也具有透光性者，則寬度比導電片20的寬度還寬亦無妨。
導電片20最好由銅薄板20a所構成，且在該導電片的表面施加錫、焊錫或銀等之鍍覆(coating)。在本實施形態中，係設置鍍錫而形成之鍍覆層20b。此鍍覆層20b構成比指狀電極110、120軟之軟導體層。
將導電片20按壓至樹脂接著膜5，然後一邊按壓一邊實施加熱處理，使樹脂接著膜5的接著層熱硬化而使導電片20連接至表面電極11、背面電極12。
在樹脂接著膜5為異向性導電接著膜之情況，樹脂接著膜5係至少包含接著用的樹脂、及分散於該接著用的樹脂中之導電性粒子而構成。接著用的樹脂的成分係由含有熱硬化性樹脂之組成物所構成，可使用例如環氧樹脂(epoxy resin)、苯氧基樹脂(phenoxy resin)、丙烯酸系樹脂(acrylic resin)、聚醯亞胺樹脂(polyimide resin)、聚醯胺樹脂(polyamide resin)、聚碳酸酯樹脂(polycarbonate resin)、胺甲酸乙酯樹脂(urethane resin)等。此等熱硬化性樹脂可單獨使用一種或組合兩種以上來使用，且以從環氧樹脂、苯氧基樹脂及聚碳酸酯樹脂所組成的群組中選出之一種以上的熱硬化性樹脂為佳。
導電性粒子可使用例如以金屬層等之導電層被覆金粒子、銀粒子、銅粒子及鎳粒子等之金屬粒子，或者鍍金粒子、鍍銅粒子及鍍鎳粒子等之具導電性或絕緣性的核粒子的表面而構成的導電性粒子。
在藉由導電片20將複數個太陽電池1的各個與相鄰接的其他的太陽電池1予以電性連接時，係以將導電片20的一端側連接至預定的太陽電池1的表面電極11，將另一端側連接至與該預定的太陽電池1鄰接之另一太陽電池的背面電極12之方式，在配置於太陽電池1的表面背面之樹脂接著膜5上分別配置導電片20。
如第7圖所示，使用加熱器組件(heater block)以例如3 Mpa程度的壓力按壓載置於例如熱板(hot plate)上的太陽電池1，使導電片20分別透過樹脂接著膜5而壓接至太陽電池1側。然後，將加熱器組件、熱板的溫度升高至樹脂接著膜5的樹脂接著成分會熱硬化之溫度，例如120℃以上200℃以下之溫度，以壓接導電片20使之固定，以此方式固定導電片20而以讓太陽電池1整齊排列的方式將太陽電池1電性連接起來。
在上述的實施形態中，雖使用異向性導電接著膜來作為樹脂接著膜5，但亦可使用不含導電性粒子之絕緣性的樹脂接著膜來作為樹脂接著膜5。使用絕緣性的樹脂接著膜之情況，係藉由使表面及背面電極11、12的表面的一部份與導電片20的表面直接接觸，來進行電性的連接。在此情況，最好使用在銅箔板等的導電體的表面形成有錫(Sn)或焊錫等之比集電極11、12柔軟的導電膜者來作為導電片20，且以使表面電極11、背面電極12的一部份嵌入到導電膜中之方式進行連接。
然後，將利用導電片20而連接起來之複數個太陽電池1，以表面電極11在由玻璃所構成之表面構件41側，背面電極12在由耐候性膜片或玻璃、塑膠之類的構件所構成之背面構件42側，並利用EVA(乙烯-乙酸乙烯酯共聚物)等之具有透光性的密封片材將之夾在中間的狀態重疊配置在表面構件41與背面構件42之間。然後，使用層壓裝置(laminating apparatus)進行層壓，以利用密封材43將太陽電池1密封在表面構件41與背面構件42之間，而得到如第6圖所示之太陽電池模組。
上述太陽電池模組，係視需要而在其外周使用密封材然後嵌入由鋁等所構成之外框內。此外框係以鋁、不銹鋼或鋼板輥軋成形(roll forming)材等形成。如有需要，可在例如背面構件42的表面設置端子盒(未圖示)。
第3圖中擴大顯示太陽電池的A-A’線斷面中的重要部份，第7圖中顯示進行導電片的連接之工序的概略圖。
上述本發明之第一實施形態之太陽電池模組，係在配設導電片20的區域，於背面的指狀電極120與表面側指狀電極相對之區域具有電極寬度較寬之輔助電極部120b。因此，即使產生機械性誤差，也有背面側的輔助電極部120b位於與表面側的指狀電極110相對之位置。因而，進行壓接時施加的壓力可由指狀電極110及輔助電極部120b來承受，而可緩和剪切應力。如此，就可減低由於壓接時之太陽電池1破裂等情形的發生所造成之太陽電池模組的不良狀況。
此外，在本實施形態中，係使未與表面側的指狀電極110相對之背面側的指狀電極120的線寬形成得較窄。以如此之方式選擇背面側的指狀電極120的線寬，在以銀膏形成電極之情況，就不會有銀的使用量多出到需要程度以上之情形，可防止成本之上昇。
再者，包含有線寬較窄之指狀電極，可使背面側的指狀電極120施加於太陽電池之應力較小，而可減低太陽電池之翹曲。因而，可使良率提高。
接著，針對第8圖中顯示之本發明的第一實施形態的變化例進行說明。在上述的實施形態中，背面側的指狀電極120係在與表面側指狀電極110相對之區域，整體形成得寬度較寬。相對於此，此第8圖所示的實施形態，太陽電池1的背面側指狀電極120，係在與表面側指狀電極110相對之區域，且只有在配置導電片20之區域具有寬度較寬之輔助電極部122。此輔助電極部122的長度，係考慮到黏貼導電片20之際之機械性誤差等而形成為可覆蓋比導電片20的寬度略寬的區域之長度。例如，導電片20的寬度a為1.2 mm之情況，假設因機械精度而產生之導電片的黏貼位置的誤差為±0.2 mm，則考慮該機械精度而在1.6 mm的間隔(圖中b)中設置輔助電極部122。
如此，在配置導電片20之處所，且只在太陽電池1的表面及背面的指狀電極110、120相對的部份設置輔助電極部122，因此即使產生機械性誤差，也有背面側的指狀電極120的輔助電極部122位於與表面側的指狀電極110相對之位置。因而，進行壓接時施加的壓力可由表背的指狀電極110及輔助電極部122部份來承受，而可緩和剪切應力。本實施形態中，並未將電極的整個長度都形成為較寬的寬度，因此可在以銀膏來形成電極之情況減少銀的使用量。而且，可使指狀電極施加於太陽電池之應力較小，而可減低太陽電池之翹曲。因而，可使良率提高。此外，在太陽電池1的背面也受光之情況，可減低由於背面側指狀電極120遮光所造成之遮光損失。
第9圖至第14圖係顯示輔助電極部的變化例之模式圖。第9圖所示之形態，係在配置導電片20的區域而且為太陽電池1的背面側指狀電極120之與表面側指狀電極110相對之區域，設置折線狀的輔助電極部123者。此輔助電極部123的長度，係考慮導電片的機械性誤差而形成為與第8圖一樣之長度(b)。
第10圖所示之形態，係在配置導電片20的區域而且為太陽電池1的背面側指狀電極120之與表面側指狀電極110相對之區域，設置由在與導電片20的長度方向平行的方向延伸之複數個電極線部124a所構成之輔助電極部124者。此輔助電極部124的長度，亦即設置複數個電極線部124a之指狀電極120部份的長度，係考慮導電片的機械性誤差而形成為與第8圖一樣之長度(b)。
第11圖所示之形態，係在配置導電片20的區域而且為太陽電池1的背面側指狀電極120之與表面側指狀電極110相對之區域，設置矩形脈衝形狀之輔助電極部125者。此輔助電極部125的長度，係考慮導電片的機械性誤差而形成為與第8圖一樣之長度(b)。
第12圖所示之形態，係在配置導電片20的區域而且為太陽電池1的背面側指狀電極120之與表面側指狀電極110相對之區域，設置螺旋狀之輔助電極部126者。此輔助電極部126的長度，係考慮導電片的機械性誤差而形成為與第8圖一樣之長度(b)。
第13圖所示之形態，係在配置導電片20的區域而且為太陽電池1的背面側指狀電極120之與表面側指狀電極110相對之區域，設置由與指狀電極平行而延伸之複數個電極線部127b所構成之輔助電極部127者。此輔助電極部127的長度，係考慮導電片的機械性誤差而形成為與第8圖一樣之長度(b)。
第14圖所示之形態，係在配置導電片20的區域而且為太陽電池1的背面側指狀電極120之與表面側指狀電極110相對之區域，設置矩形框狀之輔助電極部128者。此輔助電極部128的長度，係考慮導電片的機械性誤差而形成為與第8圖一樣之長度(b)。
第9圖至第14圖所示的輔助電極部的形態，也一樣是在配設導電片20的區域，於背面的指狀電極120與表面側的指狀電極110相對之區域具有電極寬度較寬之輔助電極部。因此，即使產生機械性誤差，也有背面側的輔助電極部位於與表面側的指狀電極110相對之位置。因而，進行壓接時施加的壓力可由表背之指狀電極110及輔助電極部來承受，而可緩和剪切應力。就此等實施形態而言，在以銀膏來形成電極之情況，同樣並未將電極的整個長度都形成為較寬的寬度，因此可減少銀的使用量。而且，可使指狀電極施加於太陽電池之應力更小，而可減低太陽電池之翹曲。因而，可使良率提高。
以下，針對本發明之第二實施形態，參照第15圖及第16圖來進行說明。第15圖係顯示本發明之太陽電池的重要部份之模式的平面圖，第16圖係將重要部份予以擴大顯示之模式的斷面圖。就黏貼導電片20之位置而言，即使將該部份形成得寬度較寬也一樣會為導電片20所覆蓋。因此，在本第二實施形態中，係受光面側的指狀電極110在配置導電片20之部位具有輔助電極部112。換言之，表面側指狀電極110，係在與背面側指狀電極120相對之區域而且為配置導電片20之區域具有輔助電極部。此輔助電極部112，係考慮導電片之機械性誤差而形成於比導電片20的寬度略寬的區域。例如，導電片20的寬度a為1.2 mm之情況，假設因機械精度而產生之導電片的黏貼位置的誤差為±0.2 mm，則考慮該機械精度而在1.6 mm的間隔(圖中b)中設置輔助電極部112。
如第16圖所示，表面側指狀電極110，係在配置導電片20之區域，且只在與太陽電池1的背面的指狀電極120相對的部份具有輔助電極部112，因此即使產生機械性誤差，也有輔助電極部112存在於表面側指狀電極110之與背面側的指狀電極120相對之區域。因而，進行壓接時施加的壓力可由表背的指狀電極120及輔助電極部112部份來承受，而可緩和剪切應力。
在本第二實施形態中，由於黏貼導電片20之位置之表面側指狀電極110具有輔助電極部112，因此不會阻礙光線往太陽電池1的受光面之入射。而且，由於在指狀電極的條數較少之表面側設置輔助電極部112，因此表面及背面的指狀電極的體積差會變小，可使指狀電極施加於太陽電池之應力較小，而可減低太陽電池之翹曲。因而，可使良率提高。
第17圖至第22圖係顯示形成於表面側之輔助電極部的變化例之模式圖。第17圖所示之形態，係在配置導電片20的區域而且為太陽電池1的背面側指狀電極120之與表面側指狀電極110相對之區域，設置折線狀的輔助電極部113者。此輔助電極部113的長度，係考慮導電片的機械性誤差而形成為與第15圖一樣之長度(b)。
第18圖所示之形態，係在配置導電片20的區域而且為太陽電池1的背面側指狀電極120之與表面側指狀電極110相對之區域，設置由與導電片20平行之複數個電極線部114a所構成之輔助電極部114者。此輔助電極部114的長度，亦即設置複數個電極線部114a之指狀電極110部份的長度，係考慮導電片的機械性誤差而形成為與第15圖一樣之長度(b)。
第19圖所示之形態，係在配置導電片20的區域而且為太陽電池1的背面側指狀電極120之與表面側指狀電極110相對之區域，設置矩形脈衝形狀之輔助電極部115者。此輔助電極部115的長度，係考慮導電片的機械性誤差而形成為與第15圖一樣之長度(b)。
第20圖所示之形態，係在配置導電片20的區域而且為太陽電池1的背面側指狀電極120之與表面側指狀電極110相對之區域，設置螺旋狀之輔助電極部116者。此輔助電極部116的長度，係考慮導電片的機械性誤差而形成為與第15圖一樣之長度(b)。
第21圖所示之形態，係在配置導電片20的區域而且為太陽電池1的背面側指狀電極120之與表面側指狀電極110相對之區域，設置由與指狀電極平行之複數個電極線部117b所構成之輔助電極部117者。此輔助電極部117的長度，係考慮導電片的機械性誤差而形成為與第15圖一樣之長度(b)。
第22圖所示之形態，係在配置導電片20的區域而且為太陽電池1的背面側指狀電極120之與表面側指狀電極110相對之區域，設置矩形框狀之輔助電極部118者。此輔助電極部118的長度，係考慮導電片的機械性誤差而形成為與第15圖一樣之長度(b)。
第17圖至第22圖所示的輔助電極部的形態也一樣，表面側指狀電極110在配置導電片20的區域，且只在與太陽電池1的背面側指狀電極120相對的部份設置輔助電極部，因此即使產生機械性誤差，也有輔助電極部存在於表面側指狀電極110之與背面側指狀電極120相對之區域。因而，進行壓接時施加的壓力可由表背之指狀電極110及輔助電極部來承受，而可緩和剪切應力。就此等實施形態而言，表面側指狀電極110同樣只在黏貼導電片20之區域具有輔助電極部，因此不會阻礙光線之入射。而且，在以銀膏來形成電極之情況，並未將電極的長度全都形成為較寬的寬度，因此可減少銀的使用量。而且，可使指狀電極施加於太陽電池之應力更小，而可減低太陽電池之翹曲。因而，可使良率提高。
為了使在配線部的接著性以及指狀電極110、120與導電片20的電性連接良好，而有設置折線狀的母線電極之情況。設置母線電極之情況，本發明也同樣適用。接下來，參照第23圖及第24圖來說明使用母線電極之本發明的第三實施形態。第23圖係顯示本發明之第三實施形態相關的太陽電池之平面圖，其中(a)係從受光面側所見者，(b)係從背面側所見者。第24圖係顯示本發明之第三實施形態相關的太陽電池的重要部份之模式的平面圖。
如第23圖及第24圖所示，表面電極11上，與連接導電片之位置一致而設有母線電極111。此母線電極111與所有的指狀電極110電性連接。如上所述，導電片20的寬度a為1.2 mm之情況，假設因機械精度而產生之導電片的黏貼位置的誤差以及母線電極的位置精度誤差的總和為±0.2 mm，則考慮該機械精度而形成為將折線狀的母線電極111配置在比導電片20的寬度略寬之1.6 mm的間隔(圖中b)中之形態。將母線電極111配置在第23圖之以一點鏈線表示之考慮過導電片20的機械性誤差之範圍內。亦即，從中心位置往圖中左方向斜向延伸然後從到達左側0.8 mm之點往右方向斜向彎折而從左端到右端延伸到1.6 mm之位置。然後，到達右端之後就向左方向彎折而形成折線狀，以此方式在導電片的黏貼方向形成母線電極111。本實施形態係設置三條母線電極111。
如第24圖所示，本例係以五條指狀電極110的間隔形成一個折線的周期。
在此第三實施形態，係如第23圖、第24圖所示，將表面電極11的指狀電極110的條數形成得比背面電極12的指狀電極120的條數少。而且，也與表面電極11一樣在該背面電極12設置母線電極121。此母線電極121與表面的母線電極111一樣形成為折線狀。此母線電極121與所有的指狀電極120電性連接。表面電極11的母線電極111與背面電極12的母線電極121係形成在相互重合的位置。亦即，以有表面側的母線電極111存在之太陽電池1的背面側也有背面側的母線電極121存在之方式設置兩母線電極111、121。
此第三實施形態也與上述之第一實形態一樣，在配設導電片20的區域，於背面側的指狀電極120與表面側指狀電極110相對之區域具有電極寬度較寬之成為輔助電極部120b之電極。因此，以即使在電極形成位置產生機械性誤差，也會有背面電極12的輔助電極部120b位於與表面電極11的指狀電極110相對的位置之方式，將輔助電極部120b的電極寬度形成得較寬。
在本實施形態中，係使背面與表面一致部份之指狀電極120b的寬度為其他的指狀電極120的兩倍寬之約200 μm。
位於表面的指狀電極110並不存在的區域之背面的指狀電極120，係如上述，在本實施形態中為約100 μm。亦即，位於表面的指狀電極110並不存在的區域之背面的指狀電極120，係形成得比與表面的指狀電極110相對之背面的指狀電極120的寬度為窄。
如第24圖所示，背面側的指狀電極120(120b)的總條數，係比表面側的指狀電極110的條數多。而且，在此第三實施形態中，係以相對於四條背面側的指狀電極120有一條表面側的指狀電極110與之相對之方式在太陽電池1的表背兩面形成兩方之指狀電極。表面的指狀電極110的相對位置之背面側指狀電極120b的電極寬度，係為表面側的電極寬度的兩倍寬之約200 μm。其他的背面側指狀電極120的電極寬度，則為與表面側指狀電極110相同之約100 μm。
在此第三實施形態中，也使表面電極11的指狀電極110的條數比背面電極12的指狀電極120的條數少。如此，使表面電極11的條數較少，可使入射至太陽電池1的表面之光的量增大，因而可使太陽電池特性提高。
另外，使表面電極11的指狀電極110的厚度比背面電極12的指狀電極120的厚度還厚，可使表面電極11的電阻較小，可使太陽電池特性更為提高。
接著，針對使用上述的太陽電池1來製造太陽電池模組之方法進行說明。太陽電池模組，係如第1圖及第2圖所示，將作為配線構件之導電片20電性連接至表面電極11、背面電極12。為了將該導電片20連接至表面電極11、背面電極12而使用樹脂接著膜5。
首先，在太陽電池1的表面電極11及背面電極12與導電片20、20之間配置樹脂接著膜5。此用於進行壓接之樹脂接著膜5以寬度與所要連接的導電片20的寬度相同或略窄者為佳。在本實施形態中，如第1圖所示，係使用寬度1.2 mm之三條導電片20。因此，在黏接導電片20之位置將具有與導電片20的寬度對應之寬度之三條導電性樹脂接著膜5黏貼於太陽電池1的母線電極111、121上。樹脂接著膜5若為硬化後也具有透光性者，則使用寬度比導電片20的寬度還寬者亦無妨。
導電片20係與上述的第一實施形態一樣，由銅薄板所構成，且設有鍍錫而形成之鍍覆層。此鍍覆層構成比指狀電極110、120軟之軟導體層。
將導電片20按壓至樹脂接著膜5，然後一邊按壓一邊實施加熱處理，使樹脂接著膜5的接著層熱硬化而使導電片20連接至表面電極11、背面電極12。
在藉由導電片20將複數個太陽電池1的各個與相鄰接的其他的太陽電池1電性連接時，係以將導電片20的一端側連接至預定的太陽電池1的表面電極11，將另一端側連接至與該預定的太陽電池1鄰接之另一太陽電池的背面電極12之方式，在配置於太陽電池1的表面背面之樹脂接著膜5上分別配置導電片20。
然後，如第7圖所示，使用加熱器組件以例如3 Mpa左右的壓力按壓載置於例如熱板上的太陽電池1，使導電片20分別透過樹脂接著膜5而壓接至太陽電池1側。然後，將加熱器組件、熱板的溫度升高至樹脂成分會熱硬化之溫度，例如120℃以上200℃以下之溫度，以壓接導電片20使之固定，以此方式固定導電片20而以讓太陽電池1整齊排列的方式將太陽電池1電性連接起來。
在本第三實施形態中，係將折線狀母線電極111、121的一部份設於與導電片20連接之部位。藉由此母線電極111、121，使與導電片20的電性連接變得良好。在指狀電極110、120不存在之區域，會在母線電極111、121與導電片20之間相接，而提高與導電片20的接著強度及電氣特性。
本實施形態也與前述的實施形態一樣，可使用異向性導電樹脂膜或絕緣性的樹脂接著膜來作為樹脂接著膜5。使用絕緣性的樹脂接著膜之情況，係藉由使表面電極11、背面電極12的表面的一部份與導電片20的表面直接接觸，來進行電性的連接。在此情況，最好使用在銅箔板等的導電體的表面形成有錫(Sn)或焊錫等之比表面及背面的電極11、12柔軟的導電膜者來作為導電片20，且以使表面電極11、背面電極12的一部份嵌入到導電膜中之方式進行連接。
然後，將利用導電片20而連接起來之複數個太陽電池1，以表面電極11在由玻璃所構成之表面構件41側，背面電極12在由耐候性膜片或玻璃、塑膠之類的構件所構成之背面構件42側，並利用EVA等之具有透光性的密封材43將之夾在中間的狀態重疊配置在表面構件41與背面構件42之間。然後，使用層壓裝置進行層壓，以利用密封材43將太陽電池1密封在表面構件41與背面構件42之間，而得到如第6圖所示之太陽電池模組。
上述太陽電池模組，係視需要而在其外周使用密封材然後嵌入由鋁等所構成之外框內。此外框係以鋁、不銹鋼或鋼板輥軋成形材等形成。如有需要，可在例如背面構件42的表面設置端子盒(未圖示)。
上述本發明的第三實施形態之太陽電池模組，係在配設導電片20的區域，於背面側指狀電極120與表面側指狀電極110相對之區域具有電極寬度較寬之背面的輔助電極部120b。因此，即使產生機械性誤差，也有背面側的輔助電極部120b位於與表面側的指狀電極110相對之位置。因而，進行壓接時施加的壓力可由表背之指狀電極110、120部份來承受，而可緩和剪切應力。如此，就可消除由於壓接時之太陽電池1破裂等情形的發生所造成之太陽電池模組的不良狀況。
此外，在本實施形態中，係使未與表面側的指狀電極110相對之背面側的指狀電極120的線寬形成得較窄。以如此之方式選擇背面側的指狀電極120的線寬，在以銀膏形成電極之情況，就不會有銀的使用量多出到需要程度以上之情形，可防止成本之上昇。
再者，包含有線寬較窄之指狀電極，可使背面側的指狀電極120施加於太陽電池之應力較小，而可減低太陽電池之翹曲，因而可使良率提高。
接著，針對第25圖中顯示之本發明的第三實施形態的變化例進行說明。在上述的第三實施形態中，背面側指狀電極120係在與表面側指狀電極110相對之區域，整體形成得寬度較寬。相對於此，此第25圖所示的第三實施形態的變化例，背面側指狀電極120，係在與表面側指狀電極110相對之區域，且只有在配置導電片20之區域具有寬度較寬之輔助電極部122。此輔助電極部122的長度，係考慮導電片的機械性誤差而形成為可覆蓋比導電片20的寬度略寬的區域之長度，且形成為與彎折形成上述母線電極121之寬度(b)相同程度之長度。
如此，在太陽電池1的表面及背面的指狀電極110、120相對之區域，且只在配置導電片20之區域設置輔助電極部122，因此即使產生機械性誤差，也有背面側的指狀電極120的輔助電極部122位於與表面側的指狀電極110相對之位置。因而，進行壓接時施加的壓力可由表背的指狀電極110及輔助電極部122部份來承受，使壓力在表背面相抵消，而可緩和剪切應力。本實施形態中，並未將電極的整個長度都形成為較寬的寬度，因此可在以銀膏來形成電極之情況減少銀的使用量。而且，可使指狀電極施加於太陽電池之應力較小，而可減低太陽電池之翹曲，因而可使良率提高。
輔助電極部122並不限於第25圖中所示者，第9圖至第14圖所示構造之輔助電極部亦同樣可以採用。
以下，針對本發明之第四實施形態，參照第26圖及第27圖來進行說明。第26圖係顯示本發明之第四實施形態相關的太陽電池之平面圖，其中(a)係從受光面側所見者，(b)係從背面側所見者。第27圖係顯示本發明之第四實施形態相關的太陽電池的重要部份之模式的平面圖。此第四實施形態，係為了提高集電效果以及接著強度而設置母線電極111、121，且在第二實施形態之在表面側的指狀電極110之配置導電片20之部位設置輔助電極部112者。
如第26圖及第27圖所示，表面電極11上，與連接導電片之位置一致而設有母線電極111。如上所述，導電片20的寬度a為1.2 mm之情況，假設因機械精度而產生之導電片的黏貼位置的誤差以及母線電極的位置精度誤差的總和為±0.2 mm，則考慮該機械精度而形成為將寬度大於指狀電極110且厚度與指狀電極110相同程度之母線電極111呈折線狀配置在1.6 mm的間隔(圖中b)中之形態。將母線電極111配置在第26圖之以一點鏈線表示之考慮導電片20的機械性誤差而求出的範圍內(圖中b)。亦即，從中心位置往圖中左方向斜向延伸然後從到達左側0.8 mm之點往右方向斜向彎折而從左端到右端延伸到1.6 mm之位置。然後，到達右端之後就向左方向彎折而形成折線狀，以此方式在導電片的黏貼方向形成母線電極111。本實施形態係設置三條母線電極111。表面側的指狀電極110在配置導電片20之區域具有輔助電極部112。
如第27圖所示，本例係在五條指狀電極110的間隔內形成一個折線的周期。
如上所述之表面電極11及母線電極111，係進行例如銀膏的網版印刷然後以一百數十度之溫度使銀膏硬化而形成者。
另外，在太陽電池1的背面側，形成有背面電極12。背面電極12也與連接導電片之位置一致而設有母線電極121。如上所述，導電片20的寬度a為1.2 mm之情況，假設因機械精度而產生之導電片的黏貼位置的誤差以及母線電極的位置精度誤差的總和為±0.2 mm，則考慮該機械精度而形成為將寬度大於指狀電極120且厚度與指狀電極120相同程度之母線電極121呈折線狀配置在1.6 mm的間隔(圖中b)中之形態。將母線電極121配置在第26圖之以一點鏈線表示之考慮導電片20的機械性誤差而求出的範圍內(圖中b)。亦即，從中心位置往圖中左方向斜向延伸然後從到達左側0.8 mm之點往右方向斜向彎折而從左端到右端延伸到1.6 mm之位置。然後，到達右端之後就向左方向彎折而形成折線狀，以此方式在導電片的黏貼方向形成母線電極121。本實施形態係設置三條母線電極121。表面電極11的母線電極111與背面電極12的母線電極121係形成在相互重合的位置。亦即，以有表面側的母線電極111存在之太陽電池1的背面側也有背面側的母線電極121存在之方式形成兩母線電極111、121。
該表面電極12具有相互平行而形成之複數個指狀電極120。此指狀電極120係以例如指狀電極寬度約100 μm、節距約0.5 mm之形態形成達217條左右。
在本實施形態，係如第26圖及第27圖所示，將背面電極12的指狀電極120的條數形成得比表面電極11的指狀電極110的條數多。
如第26圖、第27圖所示，表面側的指狀電極110，係在與背面側的指狀電極120相對的區域，且只在將配置導電片20之區域具有輔助電極部112，因此即使產生機械性誤差，也有表面側的指狀電極110的輔助電極部112位在與背面側的指狀電極120相對之位置。因而，進行壓接時施加的壓力可由表面及背面的指狀電極110、120及輔助電極部112來承受，在表面及背面抑制壓力，而可緩和剪切應力。
在此第四實施形態中，由於將黏貼導電片20之位置之表面側指狀電極110具有輔助電極部112，因此不會阻礙光線入射。而且，由於在指狀電極的條數較少之表面側設置輔助電極部112，因此表面及背面的指狀電極的體積差會變小，可使指狀電極施加於太陽電池之應力較小，而可減低太陽電池之翹曲。因而，可使良率提高。
再者，此第四實施形態係在與導電片20連接之部位設置折線狀的母線電極111、121。藉由此母線電極111、121，使與導電片20的電性連接變得良好。在指狀電極110、120不存在之區域，會在母線電極111、121與導電片20之間黏接，而提高與導電片20的接著強度及電氣特性。
輔助電極部112並不限於第27圖中所示者，第17圖至第22圖所示構造之輔助電極部亦同樣可以採用。
另外，當異向性導電樹脂膜等之樹脂接著膜5的厚度做得較薄時，用來連接導電片20與輔助電極部112、指狀電極120之接著劑的部份會變少。例如，如第28圖、第29圖之模式圖所示，因為表面側的指狀電極110的輔助電極部112與導電片20連接的部位，係在加熱過的狀態下將導電片20壓接上，所以樹脂接著膜5的接著劑會在連接導電片20與輔助電極部112之端部以從導電片20的表面上跨到輔助電極部112的側面上的方式形成為圓角(fillet)狀，而以此圓角狀接著層51將導電片20與輔助電極部112連接起來。因此，表面側的指狀電極110與導電片20的連接強度係藉由圓角狀接著層51來維持，即使樹脂接著膜5變薄也能維持接著強度。
另外，背面側的指狀電極120部份也一樣利用圓角狀接著層來與導電片20連接，但背面側的指狀電極120與表面側相比，其條數比較多，因此與表面側相比其接著強度會變大。
有鑑於如此的事情，第30圖至第32圖係顯示構成為讓表面側的輔助電極部處的接著強度增大的第四實施形態的變化例。此變化例中，太陽電池1之兩端部以外的輔助電極部，係以由與導電片20平行的複數個電極線部114a所構成之輔助電極部114所形成，兩端部則是設置線寬形成得較寬且面積較大之輔助電極部119。
如此，利用複數個電極線部114a來構成輔助電極部，就會如第32圖所示，分別在電極線部114a的兩側形成圓角狀接著層51。成為利用設於複數個電極線部114a之各圓角狀接著層51來將指狀電極110與導電片20連接起來之構成。於是，與導電片20連接之圓角狀接著層51的數量增加，而可使導電片20與表面側電極11之間的接著強度增加。
太陽電池1之兩端部以外的指狀電極110，因為其兩側有其他的指狀電極110存在，所以與導電片20連接時的應力會分散。相對於此，兩端部的指狀電極110，其外側並沒有電極存在。因此，與導電片20連接時，應力會集中。因而，本例構成為在兩端部之位於導電片之下的部位設置面積較大的輔助電極部119，以分散連接時的應力之構成。
另外，本實施形態中之母線電極111、121係形成為折線狀。亦即，在將配置導電片20的區域，設置母線電極111、121之位置係從中心位置分別斜向延伸到考慮機械性誤差而求出的端點，然後在該端點彎折而形成為折線狀。因而，母線電極111之位置係在指狀電極110之在考慮機械性誤差而求出之導電片20的配置位置(圖中b)的兩端部交叉的位置、以及在中央交叉的位置等設置有母線電極111的位置有所不同。
因為如上述形成之指狀電極110與母線電極111的關係，所以在此上部配置導電片20，並進行該導電片20的壓接時，有因母線電極111之位置，所受到的應力並不相同。
例如，在第33圖所示的實施形態中，指狀電極1101 為位於太陽電池1的端部之指狀電極，指狀電極1102 到指狀電極1106 則為依序設在指狀電極1101 的內側之指狀電極。在此例中，母線電極111從指狀電極1101 之考慮導電片的機械性誤差而求出之以一點鏈線表示之圖中最下方的位置開始朝右上方斜向延伸，然後在一個相鄰的指狀電極1102 的中央與之交叉，再到達其相鄰的指狀電極1103 之以一點鏈線表示之圖中最上方的位置，然後在該處彎折後朝右下方斜向延伸。然後，於其相鄰之所形成的位置在指狀電極1104 的中央與之交叉，再到達其相鄰之指狀電極1105 之以一點鏈線表示之圖中最下方的位置，然後在該處彎折後朝右上方斜向延伸。
在如此形成之表面電極11中，母線電極111彎折位置之指狀電極1103 、1105 與並未配置母線電極111之相反側的導電片20的端部，在導電片20的壓接時作用於其上的應力會不平衡。亦即，在有母線電極111的部份，有母線電極111配置在指狀電極1103 的左右，而母線電極111不存在的部份則只有指狀電極1103 ，位於導電片20之下之構成電極之區域的面積有很大的不同。
此面積之不同，會使得應力變得不平衡，而有接著強度等參差不齊之情形。因此，在本實施形態中，依據母線電極111的位置而變更構成輔助電極部114之電極線部114a的長度而使位於導電片20之下的指狀電極110的電極面積平均化。
在第33圖的例子中，係變更設於指狀電極1103 、1105 之輔助電極部114的電極線部的長度。本例中，靠近母線電極111之兩條電極線部114a，係構成為指狀電極110的寬度的約兩倍寬之電極線部114a。相當於導電片20的端側之外側的兩條電極線部114b，則構成為比電極線部114a長。電極線部114b可構成為例如電極線部114a的寬度的約兩倍寬。
母線電極111在中央部份與之交叉之指狀電極1102 、1104 ，係以全部相同長度之電極線部114a來構成輔助電極部114。
如此之使輔助電極部114的各電極線部114a、114b的長度對應於母線電極111與指狀電極交叉的位置而變化，就可使導電片20之下的電極的面積平均化，而可使導電片20連接時的應力分散化。結果，就可確實進行母線電極111、輔助電極部114與導電片20的連接，也可得到充分的接著強度。
另外，樹脂接著膜5的厚度形成得較薄者，因為係利用圓角狀的接著層51而連接至指狀電極110的電極線部及母線電極111，所以很適合採用本實施形態之輔助電極部的構成。
如此，利用複數個電極線部114a來構成輔助電極部，就會如第32圖所示，分別在電極線部114a的兩側形成圓角狀接著層51。成為利用設於複數個電極線部114a之各圓角狀接著層51來將指狀電極110與導電片20連接起來之構成。於是，與導電片20連接之圓角狀接著層51的數量增加，而可使導電片20與表面側電極11之間的接著強度增加。
太陽電池1之兩端部以外的指狀電極110，因為其兩側有其他的指狀電極110存在，所以與導電片20連接時的應力會分散。相對於此，兩端部的指狀電極110，其外側並沒有電極存在。因此，與導電片20連接時，應力會集中。因而，本例構成為在兩端部之位於導電片之下的部位設置面積較大的輔助電極部119，以分散連接時的應力之構成。
另外，背面側的指狀電極120部份也一樣利用圓角狀接著層來與導電片20連接，但背面側的指狀電極120與表面側相比，其條數比較多，因此與表面側相比其接著強度會變大。
此外，雖然可考慮將所有的電極線部114a的長度都形成為長的，但全部都形成為長的，銀的使用量就會增加。因此，僅使必須的區域的電極線部的長度較長之作法較好。
在第33圖所示的實施形態中，係變更設於指狀電極1103 、1105 之輔助電極部114的電極線部的長度。本例中，靠近母線電極111之兩條電極線部114a，係構成為指狀電極110的寬度的約兩倍寬之電極線部114a，而相當於導電片20的端側之外側的兩條電極線部114b，則構成為比電極線部114a長。輔助電極部114的電極線部的長度並不限於此，亦可如第34圖所示般構成為使電極線部的長度離折線狀的母線電極111越遠越長之形態。亦即，設於指狀電極1103 、1105 之輔助電極部114的電極線部，係由從與母線電極111相接之電極線部114a開始依序變長之電極線部114b1 、114b2 、114b3 、114b4 所構成。
如上所述，在兩端部之位於導電片之下的部位，係構成為設置面積較大的輔助電極部119，以分散連接時的應力之構成，但此輔助電極部只要其整體的面積較大即可，並不限於如第31圖、第33圖、第34圖所示般形成為一個島狀，只要如第35圖或第36圖所示般設置與導電片20平行的複數個電極線部119a，並使此等複數個電極線部的總面積達到預定的大小，就可得到希望的效果。第35圖的例子，係由寬度較寬的電極線部所構成。第36圖的例子，係將電極線部119c形成得較長來確保預定的面積。如此，藉由以複數個電極線部來構成輔助電極部119，就會在此等電極線部的兩側形成圓角狀的接著層，接著強度就會增大。
在上述的實施形態中，係使用在銅箔板等的導電體的表面形成有錫(Sn)或焊錫等之比表面及背面電極11、12柔軟的導電膜者來作為導電片20，且以使表面電極11、背面電極12的一部份嵌入到導電膜中之方式進行連接，但導電片20並不限於此，亦可採用例如：如第37圖所示之以銀之皮膜20b1 、20b2 被覆銅箔板等的導電體20a的表面而構成之導電片20。此導電片20係構成為讓皮膜20b2 的表面形成為微細的凹凸形狀，以使光散射之構成。此以銀被覆之導電片20係形成為與表面及背面電極11、12同等或更加堅硬。因此，表面及背面電極11、12不會嵌入導電片20，反之，會使表面及背面電極11、12的表面變形而與導電片20緊密接合，但是在如此的構成中，指狀電極110的輔助電極部112與導電片20的皮膜20b1 的表面之間也是藉由圓角狀的接著層51來連接，同樣可得到預定的接著強度。
而且，利用圓角狀的接著層51連接指狀電極110、120與導電片20時，與該圓角狀的接著層51之間的間隙等會發揮緩衝層之作用，而可期待能夠抑制太陽電池模組使用之際發生的重複的熱膨脹、熱收縮所導致之導電片20的剝離等情況。
上述的實施形態，在設置用來連接導電片20與電極11、12之接著層51方面，使用的雖然是樹脂接著帶，但亦可使用異向性導電樹脂膏(paste)等之樹脂膏來設置用來連接導電片20與電極11、12之接著層51。
此次揭示的實施形態其所有的點都只是例示，不應將之視為限制條件。本發明之範圍，並不是由上述實施形態之說明而是由申請專利範圍加以表示，且意圖包含與申請專利範圍均等之意義及範圍內的所有的變更。
1．．．太陽電池
5．．．樹脂接著膜
11．．．表面電極
12．．．背面電極
20．．．導電片
20a．．．銅薄板
20b．．．鍍覆層
20b1 、20b2 ．．．皮膜
41．．．表面構件
42．．．背面構件
43．．．密封材
51．．．圓角狀接著層
110．．．指狀電極
1101 至1106 ．．．指狀電極
111．．．母線電極
112至118．．．輔助電極部
114a、114b．．．電極線部
114b1 至114b4 ．．．電極線部
119．．．輔助電極部
119a、119c．．．電極線部
120．．．指狀電極
120b．．．輔助電極部
121．．．母線電極
122至128．．．輔助電極部
a．．．導電片的寬度
b．．．考慮機械性誤差而求出之範圍
第1圖係本發明之實施形態相關的太陽電池模組中的太陽電池的平面圖。
第2圖係第1圖之A-A’線斷面圖。
第3圖係將第1圖之A-A’線斷面的重要部份予以擴大顯示之模式的斷面圖。
第4圖係顯示太陽電池之平面圖，其中(a)係從受光面(表面)側所見者，(b)係從背面側所見者。
第5圖係顯示本發明之第一實施形態相關的太陽電池的重要部份之模式的平面圖。
第6圖係本發明之太陽電池模組的概略斷面圖。
第7圖係顯示本發明之太陽電池模組的導電片的連接工序之模式圖。
第8圖係顯示本發明之第一實施形態的變化例之太陽電池的模式的平面圖。
第9圖係顯示本發明之第一實施形態的變化例之太陽電池的模式的平面圖。
第10圖係顯示本發明之第一實施形態的變化例之太陽電池的模式的平面圖。
第11圖係顯示本發明之第一實施形態的變化例之太陽電池的模式的平面圖。
第12圖係顯示本發明之第一實施形態的變化例之太陽電池的模式的平面圖。
第13圖係顯示本發明之第一實施形態的變化例之太陽電池的模式的平面圖。
第14圖係顯示本發明之第一實施形態的變化例之太陽電池的模式的平面圖。
第15圖係顯示本發明之第二實施形態相關的太陽電池的重要部份之模式的平面圖。
第16圖係將本發明之第二實施形態相關的太陽電池的重要部份予以擴大顯示之模式的斷面圖。
第17圖係顯示本發明之第二實施形態的變化例之太陽電池的模式的平面圖。
第18圖係顯示本發明之第二實施形態的變化例之太陽電池的模式的平面圖。
第19圖係顯示本發明之第二實施形態的變化例之太陽電池的模式的平面圖。
第20圖係顯示本發明之第二實施形態的變化例之太陽電池的模式的平面圖。
第21圖係顯示本發明之第二實施形態的變化例之太陽電池的模式的平面圖。
第22圖係顯示本發明之第二實施形態的變化例之太陽電池的模式的平面圖。
第23圖係顯示本發明之第三實施形態相關的太陽電池之平面圖，其中(a)係從受光面(表面)側所見者，(b)係從背面側所見者。
第24圖係顯示本發明之第三實施形態相關的太陽電池的重要部份之模式的平面圖。
第25圖係顯示本發明之第三實施形態的變化例之太陽電池的模式的平面圖。
第26圖係顯示本發明之第四實施形態相關的太陽電池之平面圖，其中(a)係從受光面(表面)側所見者，(b)係從背面側所見者。
第27圖係顯示本發明之第四實施形態相關的太陽電池的重要部份之模式的平面圖。
第28圖係顯示本發明之第四實施形態中連接片與輔助電極部、指狀電極連接後的狀態之模式的平面圖。
第29圖係顯示本發明之第四實施形態中連接片與輔助電極部、指狀電極連接後的狀態之模式的斷面圖。
第30圖係顯示本發明之第四實施形態的變化例相關的太陽電池之平面圖，其中(a)係從受光面(表面)側所見者，(b)係從背面側所見者。
第31圖係顯示本發明之第四實施形態的變化例相關的太陽電池的重要部份之模式的平面圖。
第32圖係顯示本發明之第四實施形態中連接片與輔助電極部、指狀電極連接後的狀態之模式的斷面圖。
第33圖係顯示本發明之第四實施形態的變化例相關的太陽電池的重要部份之模式的平面圖。
第34圖係顯示本發明之第四實施形態的變化例相關的太陽電池的重要部份之模式的平面圖。
第35圖係顯示本發明之第四實施形態的變化例相關的太陽電池的重要部份之模式的平面圖。
第36圖係顯示本發明之第四實施形態的變化例相關的太陽電池的重要部份之模式的平面圖。
第37圖係顯示本發明之實施形態的變化例中連接片與輔助電極部、指狀電極連接後的狀態之模式的斷面圖。
第38圖係顯示以往的太陽電池模組的導電片連接工序之模式圖。
第39圖係顯示以往的太陽電池模組的導電片連接工序之模式圖。
11．．．表面電極
12．．．背面電極
110．．．指狀電極
120．．．指狀電極
120b．．．輔助電極部

Claims (16)

  1. 一種太陽電池模組，係具備有藉由配線構件而相互連接的複數個太陽電池者，其特徵在於：前述太陽電池具有：配設於受光面，且與前述配線構件連接之複數個表面側指狀電極；以及配設於背面，且與前述配線構件連接之複數個背面側指狀電極；且前述表面側指狀電極與背面側指狀電極的至少一方之指狀電極，係在位於與另一方之指狀電極相對之位置的指狀中具備有：具有用來覆蓋比前述另一方的指狀電極還寬廣的輔助電極部之區域、及未具有前述輔助電極部之區域；具有前述輔助電極部之區域的長度係比前述一方的指狀電極整體還短，前述配線構件係連接於具有前述輔助電極部之區域。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之太陽電池模組，其中，前述複數個背面側指狀電極的條數係形成得比前述複數個表面側指狀電極的條數多。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之太陽電池模組，其中，在前述太陽電池的受光面或背面之至少一方，與連接前述配線構件的位置一致而設有折線狀的母線電極。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之太陽電池模組，其中，前述複數個表面側指狀電極與前述複數個背面側指狀電 極的至少一方，係在複數個指狀中位於與另一方之指狀電極相對之位置的指狀中具備有：具有第一粗度之第一區域、及具有比第一粗度還粗之第二粗度之第二區域；前述第二區域之寬度係用來覆蓋比前述一方的指狀電極還寬廣的寬度，並且前述配線構件係連接於前述第二區域。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之太陽電池模組，其中，形成得比前述表面側的指狀電極寬之前述背面側指狀電極部份，係形成較大的機械性誤差量。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之太陽電池模組，其中，與不存在前述表面側指狀電極之區域相對的前述背面側指狀電極，其寬度係形成得比與前述表面側的指狀電極相對之前述背面側指狀電極窄。
  7. 如申請專利範圍第3項所述之太陽電池模組，其中，前述一方的指狀電極係前述表面側指狀電極，而前述另一方的指狀電極係前述背面側指狀電極，並且前述輔助電極部，係至少連接前述配線構件之部份之前述表面側指狀電極的寬度形成得比前述背面側的指狀電極寬。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之太陽電池模組，其中，形成得比前述背面側的指狀電極寬之前述表面側指狀電極部份，係形成較大的機械性誤差量。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之太陽電池模組，其中，前述輔助電極部，係利用與配置前述配線構件的方向平行 之複數個電極線部來形成。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之太陽電池模組，其中，使前述電極線部的長度對應於前述母線電極與前述指狀電極交叉的位置而變化。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之太陽電池模組，其中，前述電極線部的長度，係使距前述母線電極較遠位置之前述電極線部形成得較長。
  12. 如申請專利範圍第7項所述之太陽電池模組，其中，位於前述太陽電池的端部之前述輔助電極部，其面積係形成得比其他位置的前述輔助電極部大。
  13. 一種太陽電池模組，係具備有藉由配線構件而相互連接的複數個太陽電池者，其特徵在於：前述太陽電池具有：配設於受光面，且與前述配線構件連接之複數個表面側指狀電極；以及配設於背面，且與前述配線構件連接之複數個背面側指狀電極；且前述表面側指狀電極與背面側指狀電極的至少一方之指狀電極，係在連接前述配線構件之區域而且為與另一方之指狀電極相對之區域，具有用來覆蓋比另一方的指狀電極寬廣的區域之輔助電極部；前述輔助電極部，係使至少連接前述配線構件之部份的寬度形成得比前述背面側的指狀電極寬之前述表面側指狀電極；前述輔助電極部，係以與配置導電片的方向平行之複數個電極線部形成。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之太陽電池模組，其中，在前述太陽電池的受光面或背面之至少一方，與連接前述導電片的位置一致而設有折線狀的母線電極。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之太陽電池模組，其中，使前述電極線部的長度對應於前述母線電極與前述指狀電極交叉的位置而變化。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之太陽電池模組，其中，前述電極線部的長度，係使距前述母線電極較遠位置之前述電極線部形成得較長。
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Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5178489B2 (ja) * 2008-12-17 2013-04-10 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール及びその製造方法
JP5602498B2 (ja) * 2009-07-30 2014-10-08 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール
JP5479228B2 (ja) * 2010-05-28 2014-04-23 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール
EP2634818B1 (en) * 2010-10-26 2017-02-08 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Method for producing solar cell module
JP5884077B2 (ja) * 2010-12-29 2016-03-15 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池及び太陽電池モジュール
JP5687506B2 (ja) * 2011-01-28 2015-03-18 三洋電機株式会社 太陽電池及び太陽電池モジュール
JP5874011B2 (ja) * 2011-01-28 2016-03-01 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池及び太陽電池モジュール
TW201246584A (en) * 2011-03-08 2012-11-16 Hitachi Chemical Co Ltd Solar battery cell, solar battery module, fabricating method of solar battery cell and fabricating method of solar battery module
DE102011001999A1 (de) * 2011-04-12 2012-10-18 Schott Solar Ag Solarzelle
US9455359B2 (en) * 2011-05-31 2016-09-27 Hitachi Chemical Company, Ltd. Solar battery cell, solar battery module and method of making solar battery module
JP2012253062A (ja) * 2011-05-31 2012-12-20 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール及びその製造方法
JP5745349B2 (ja) * 2011-06-27 2015-07-08 デクセリアルズ株式会社 太陽電池モジュールの製造方法
JP2013033819A (ja) * 2011-08-01 2013-02-14 Jx Nippon Oil & Energy Corp 太陽電池モジュール及びその製造方法
TWI458104B (zh) 2011-09-14 2014-10-21 Au Optronics Corp 太陽能電池模組
WO2013046384A1 (ja) * 2011-09-29 2013-04-04 三洋電機株式会社 太陽電池、太陽電池モジュール、及び太陽電池の製造方法
JP5886588B2 (ja) * 2011-10-18 2016-03-16 デクセリアルズ株式会社 導電性接着剤、並びに、それを用いた太陽電池モジュール、及びその製造方法
JP5616913B2 (ja) * 2012-01-24 2014-10-29 三菱電機株式会社 太陽電池モジュール及びその製造方法
WO2013136436A1 (ja) * 2012-03-13 2013-09-19 三洋電機株式会社 太陽電池
WO2013136433A1 (ja) * 2012-03-13 2013-09-19 三洋電機株式会社 太陽電池
EP2830101A4 (en) 2012-03-23 2015-04-08 Sanyo Electric Co SOLAR CELL MODULE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
JP5889701B2 (ja) * 2012-04-06 2016-03-22 デクセリアルズ株式会社 結晶系太陽電池モジュール及びその製造方法
KR101889850B1 (ko) * 2012-07-25 2018-08-20 엘지전자 주식회사 태양 전지
WO2014055781A1 (en) * 2012-10-04 2014-04-10 Silevo, Inc. Photovoltaic devices with electroplated metal grids
TW201431096A (zh) * 2013-01-24 2014-08-01 Motech Ind Inc 太陽能電池、其模組及其製造方法
TWI527251B (zh) * 2013-02-27 2016-03-21 茂迪股份有限公司 太陽能電池及其模組
TWI482289B (zh) * 2013-03-14 2015-04-21 Motech Ind Inc 太陽能電池
WO2014155415A1 (ja) * 2013-03-26 2014-10-02 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール
KR20140126819A (ko) * 2013-04-22 2014-11-03 엘지전자 주식회사 태양 전지
JP6326890B2 (ja) * 2013-04-30 2018-05-23 日立化成株式会社 太陽電池モジュールの製造方法
JP2015029014A (ja) * 2013-07-30 2015-02-12 京セラ株式会社 太陽電池素子および太陽電池モジュール
DE112014003918T5 (de) 2013-08-29 2016-05-12 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Solarzelle
JP2015050412A (ja) 2013-09-04 2015-03-16 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール、太陽電池及びその製造方法
KR102053138B1 (ko) * 2013-09-27 2019-12-06 엘지전자 주식회사 태양 전지
JP2015076446A (ja) * 2013-10-07 2015-04-20 日立化成株式会社 太陽電池セル
EP2960946B1 (en) * 2014-06-26 2020-11-18 LG Electronics Inc. Solar cell module
USD877061S1 (en) * 2014-11-17 2020-03-03 Solaria Corporation Solar cell article
JP6455099B2 (ja) * 2014-11-27 2019-01-23 日立化成株式会社 太陽電池ユニット及び太陽電池ユニットの製造方法
TWI535039B (zh) * 2015-03-27 2016-05-21 新日光能源科技股份有限公司 太陽能電池
CN106129161B (zh) * 2016-02-17 2020-05-26 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种太阳能电池组件
JP6307131B2 (ja) * 2015-09-08 2018-04-04 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池モジュール及びその製造方法
WO2017051482A1 (ja) * 2015-09-25 2017-03-30 三菱電機株式会社 太陽電池の製造方法および太陽電池
US20180219109A1 (en) * 2015-10-16 2018-08-02 Mitsubishi Electric Corporation Solar module and method for manufacturing the solar module
USD817264S1 (en) * 2016-08-12 2018-05-08 Solaria Corporation Solar cell article
USD815028S1 (en) * 2016-08-12 2018-04-10 Solaria Corporation Solar cell article
USD810675S1 (en) * 2016-08-12 2018-02-20 Solaria Corporation Solar cell article
USD810676S1 (en) * 2016-08-12 2018-02-20 Solaria Corporation Solar cell article
USD815029S1 (en) * 2016-08-12 2018-04-10 Solaria Corporation Solar cell article
JP2018056490A (ja) * 2016-09-30 2018-04-05 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池モジュールおよび太陽電池セル
JP6761958B2 (ja) * 2016-12-22 2020-09-30 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池モジュールおよび太陽電池セル
KR102459719B1 (ko) * 2017-06-14 2022-10-27 상라오 징코 솔라 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 태양 전지, 태양전지 모듈과 그 제조 방법
US11804559B2 (en) * 2017-06-29 2023-10-31 Kaneka Corporation Solar cell module and method for manufacturing solar cell module
FR3089060B1 (fr) * 2018-11-27 2022-12-30 Commissariat Energie Atomique Cellule et guirlande photovoltaiques et procedes de fabrication associes
JP2021034659A (ja) * 2019-08-28 2021-03-01 パナソニック株式会社 太陽電池モジュール
USD978781S1 (en) * 2020-01-31 2023-02-21 Sunpower Corporation Solar cell wafer

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200818525A (en) * 2005-11-10 2008-04-16 Hitachi Chemical Co Ltd Connected structure and method for manufacture thereof
JP2008135652A (ja) * 2006-11-29 2008-06-12 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
JP2008235354A (ja) * 2007-03-16 2008-10-02 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3094439A (en) * 1961-07-24 1963-06-18 Spectrolab Solar cell system
WO1992022928A1 (en) * 1991-06-11 1992-12-23 Mobil Solar Energy Corporation Improved solar cell and method of making same
JP4232597B2 (ja) * 2003-10-10 2009-03-04 株式会社日立製作所 シリコン太陽電池セルとその製造方法
JP4502845B2 (ja) * 2005-02-25 2010-07-14 三洋電機株式会社 光起電力素子
JP2007214533A (ja) 2006-01-16 2007-08-23 Hitachi Chem Co Ltd 導電性接着フィルム及び太陽電池モジュール
JP5025135B2 (ja) * 2006-01-24 2012-09-12 三洋電機株式会社 光起電力モジュール
EP2058868A4 (en) 2006-08-29 2010-01-27 Hitachi Chemical Co Ltd CONDUCTIVE ADHESIVE FILM AND SOLAR CELL MODULE
JP4429306B2 (ja) * 2006-12-25 2010-03-10 三洋電機株式会社 太陽電池セル及び太陽電池モジュール
JP5279334B2 (ja) * 2008-04-28 2013-09-04 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール
JP5178489B2 (ja) * 2008-12-17 2013-04-10 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール及びその製造方法
JP5602498B2 (ja) 2009-07-30 2014-10-08 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200818525A (en) * 2005-11-10 2008-04-16 Hitachi Chemical Co Ltd Connected structure and method for manufacture thereof
JP2008135652A (ja) * 2006-11-29 2008-06-12 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
JP2008235354A (ja) * 2007-03-16 2008-10-02 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
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