TWI502638B - 電子構件之製造方法 - Google Patents

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TWI502638B TW100135544A TW100135544A TWI502638B TW I502638 B TWI502638 B TW I502638B TW 100135544 A TW100135544 A TW 100135544A TW 100135544 A TW100135544 A TW 100135544A TW I502638 B TWI502638 B TW I502638B
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Takeshi Saito
Tomomichi Takatsu
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Denki Kagaku Kogyo Kk
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Description

電子構件之製造方法
本發明關於一種電子構件之製造方法，其係包含使用黏著片切割晶圓。
在電子構件之製造方法中，已知一種製造方法，其係具有下述步驟：將在晶圓或絕緣基板上形成有複數個電路圖案的電子構件集合體貼附於黏著片之貼合步驟；以切割刀切割電子構件集合體而製成半導體晶片之切割步驟；在自黏著片側照射紫外線以減低黏著片與電子構件集合體的黏著力之後，自黏著片拾取切斷的晶片之拾取步驟；及在拾取的晶片底面塗布黏著劑之後，以該黏著劑將晶片固定於導線框架等之固定步驟。
在這樣的製造方法中，已提出一種方法，其係使用多層黏著片(黏著層或黏晶薄膜一體成型片)，該多層黏著片藉由在黏著片進一步積層黏著層或黏晶薄膜並一體化而形成，能夠兼具作為切割用的黏著片與作為將晶片固定於導線框架等的黏著劑的機能(專利文獻1及專利文獻2)。
另一方面還已知一種方法，其係藉由預先在半導體晶圓側塗布糊狀黏著劑，並對此糊狀黏著劑照射放射線或加熱，使其半硬化成為片狀，而形成黏著劑半硬化層，將其貼合於黏著片並進行切割步驟，而得到附有黏著劑半硬化層的晶片。
藉由使用多層黏著片或預先形成黏著劑半硬化層的半導體晶圓，而會有可省略切割後的黏著劑的塗布步驟，同時容易進行黏著劑部分的厚度控制或溢出現象的抑制這些優點。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2006-049509號公報
[專利文獻2]日本特開2007-246633號公報
然而，在半導體晶圓側設置黏著劑半硬化層並將其貼附於黏著片的黏著層加以固定的方法之中，構成黏著層的黏著劑所含的低分子量成分的光聚合起始劑遷移至黏著劑半硬化層側，而會有引起晶片對於導線框架等的黏著不良的情況。具體而言，在切割步驟及拾取步驟之後，將所得到附有黏著劑半硬化層的晶片黏著於導線框架，並以密封樹脂封膠成型，在以260℃左右的溫度進行加熱後，在導線框架與黏著劑半硬化層之間會發生剝離，其結果將導致在半導體製造步驟之中使產率降低的情形。
本發明鑑於上述狀況而完成，發明人發現藉由將構成黏著片的黏著層的黏著劑設定為特定的組成，可減低對於形成於半導體晶圓側的黏著劑半硬化層的污染，這樣一來即可改善晶片對於導線框架等的黏著性，由此完成本發明。
亦即，本發明關於下述電子構件之製造方法。
(1).一種電子構件之製造方法，其特徵係該製造方法包括下述步驟：在晶圓背面(亦即非電路形成面)全面塗布糊狀黏著劑，並進行放射線照射或加熱，以使糊狀黏著劑半硬化成為片狀的黏著劑半硬化層形成步驟；將形成於晶圓之黏著劑半硬化層與環形框架貼附於黏著片的黏著層而固定之貼附步驟；以切割刀將晶圓連帶黏著劑半硬化層一起切割而製成半導體晶片之切割步驟；在照射放射線之後自黏著層拾取附有黏著劑半硬化層的晶片之拾取步驟，而黏著片係具有基材薄膜、與積層於基材薄膜的其中一面之黏著層，構成黏著層的黏著劑係具有：(甲基)丙烯酸酯共聚物、紫外線聚合性化合物、多官能異氰酸酯硬化劑、與光聚合起始劑，
光聚合起始劑係一種藉由下式所計算出的質量減少率成為10%時的溫度為250℃以上之物：
質量減少率={(昇溫前質量-昇溫後質量)/(昇溫前質量)}×100(%)
(式中，昇溫前質量表示在25℃的光聚合起始劑質量，昇溫後質量表示以10℃/分鐘的昇溫速度由23℃昇溫至500℃時，在各溫度的光聚合起始劑質量)。
(2).如(1)所記載之電子構件之製造方法，其中光聚合起始劑係乙酮、1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-,1-(O-乙醯基肟)、2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯-膦氧化物、及2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基]-苯基}-2-甲基-丙-1-酮。
(3).如(1)或(2)所記載之電子構件之製造方法，其中黏著劑係具有：100質量份的(甲基)丙烯酸酯聚合物、5質量份以上200質量份以下的紫外線聚合性化合物、0.5質量份以上20質量份以下的多官能異氰酸酯硬化劑、與0.1質量份以上20質量份以下的光聚合起始劑。
(4).如(1)至(3)中之任一項所記載之電子構件之製造方法，其中黏著劑半硬化層形成步驟中之糊狀黏著劑至少具有環氧樹脂及/或(甲基)丙烯酸酯。
依據本發明之電子構件之製造方法，將構成黏著片的黏著層的黏著劑設定為特定的組成，可提升對於形成於半導體晶圓側的黏著劑半硬化層的污染防止性，這樣一來即可抑制晶片與導線框架等的黏著不良。
另外，依據本發明之電子構件之製造方法，在得到污染防止性之外，還能夠減少切割造成晶片脫離現象，而且在拾取時黏著片與黏著劑半硬化層之間容易剝離。
＜用語的說明＞
所謂單體單元意指來自單體之構造單元。「份」及「%」係以質量為基準。所謂(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯的總稱。(甲基)丙烯酸等之含有(甲基)的化合物等也同樣是指在名稱中具有「甲基」的化合物與不具有「甲基」的化合物之總稱。
＜電子構件之製造方法＞
本發明之電子構件之製造方法包括以下步驟(1)～(4)。
(1)在晶圓背面全面塗布糊狀黏著劑，並進行放射線照射或加熱，以使糊狀黏著劑半硬化成為片狀的黏著劑半硬化層形成步驟；
(2)將形成於晶圓之黏著劑半硬化層與環形框架貼附於黏著片的黏著層而固定之貼附步驟；
(3)以切割刀將晶圓連帶黏著劑半硬化層一起切割而製成半導體晶片之切割步驟；
(4)在照射放射線之後自黏著片的黏著層拾取附有黏著劑半硬化層的晶片之拾取步驟。
以下針對各步驟作說明。
＜(1)黏著劑半硬化層形成步驟＞
就黏著劑半硬化層的典型來說，可藉由在晶圓背面，亦即在用於與導線框架或電路基板黏著的電路非形成面，全面塗布糊狀黏著劑，並進行放射線照射或加熱，以使其半硬化成為片狀而形成。
構成黏著劑半硬化層的糊狀黏著劑有：(甲基)丙烯酸酯、聚醯胺、聚乙烯、聚碸、環氧樹脂、聚醯亞胺、聚醯胺酸、矽氧樹脂、酚樹脂、橡膠、氟橡膠及氟樹脂的單體或該等的混合物、共聚物。從與晶片的黏著信賴性的層面看來，係以含有環氧樹脂及/或(甲基)丙烯酸酯為佳。在糊狀黏著劑中亦可添加光聚合起始劑、加熱聚合起始劑、抗靜電劑、交聯劑、交聯促進劑、填料等。
在晶圓背面全面塗布糊狀黏著劑的方法並未受到特別限定，可使用例如凹版塗布機、逗號形刮刀塗布機、棒式塗布機、刀片式塗布機、輥式塗布機、凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、膠版印刷、柯式印刷、網版印刷、噴霧、旋轉塗布等。
在塗布糊狀黏著劑之後，使其半硬化而形成黏著劑半硬化層的方法為放射線照射或加熱。放射線的種類並未受到特別限定，可使用周知的方法。在藉由紫外線形成黏著劑半硬化層時，紫外線的光源並未受到特別限定，可使用周知的物品。紫外線源可列舉黑光燈、低壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、金屬鹵素燈、準分子燈等。紫外線的照射光量並未受到特別限定，可依照糊狀黏著劑的設計適當地選擇，而一般而言係以100mJ/cm2 以上小於5000mJ/cm2 為佳。若照射光量少，則會有糊狀黏著劑的硬化變得不足，拾取性劣化的傾向，若照射光量多，則會因為UV照射時間的長期化而使作業性降低。
在藉由加熱形成黏著劑半硬化層時，加熱溫度並未受到特別限定，可依照糊狀黏著劑的設計適當地選擇，而一般而言係以60℃以上小於250℃為較佳。若加熱溫度過低，則會有糊狀黏著劑的硬化變得不足，拾取性劣化的傾向，若加熱溫度過高，則糊狀黏著劑的硬化過度進行，黏著力降低。加熱時間也同樣並未受到特別限定，可依照糊狀黏著劑的設計適當地選擇，而一般而言係以10秒鐘以上小於30分鐘為較佳。
黏著劑半硬化層的厚度為、3μm以上100μm以下為佳，5μm以上20μm以下為特佳。
＜(2)貼附步驟＞
貼附步驟係將形成於晶圓之黏著劑半硬化層與環形框架貼附於黏著片的黏著層而固定之步驟，一般而言可使用具備輥子的貼膜裝置來進行。在貼附步驟之中所使用的黏著片具有基材薄膜、與積層於基材薄膜的其中一面之黏著層。
[基材薄膜]
基材薄膜並未受到特別限定，可使用周知的樹脂材料。具體而言可列舉聚氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸-丙烯酸酯薄膜、乙烯-乙基丙烯酸酯共聚物、聚乙烯、聚丙烯、丙烯系共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、及以金屬離子使乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物或乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸酯共聚物等交聯的離子聚合物樹脂。基材薄膜亦可為該等樹脂的混合物、共聚物或該等的積層物。
其中基材薄膜係以丙烯系共聚物為較佳。藉由使用丙烯系共聚物，可抑制切斷半導體晶圓時所產生的切屑。丙烯系共聚物有例如丙烯與其他成分的隨機共聚物、丙烯與其他成分的嵌段共聚物、丙烯與其他成分的交互共聚物。其他成分可列舉乙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-庚烯等α-烯烴、由至少2種以上的α-烯烴所構成共聚物、苯乙烯-二烯共聚物等。該等之中係以1-丁烯為較佳。
使丙烯系共聚物聚合的方法可列舉例如：溶劑聚合法、整體聚合法、氣相聚合法、逐次聚合方法等，而以至少二階段以上的逐次聚合方法為較佳，其係在第一階段製造丙烯單獨聚合物或丙烯與少量乙烯及/或α-烯烴的隨機共聚物之後，在第二階段以後製造α-烯烴之單獨聚合物或丙烯與少量乙烯及/或α-烯烴的隨機共聚物。
基材薄膜係以施加抗靜電處理為較佳。藉由施加抗靜電處理，在黏著劑半硬化層剝離時可防止帶電。抗靜電處理例如有：(1)在構成基材薄膜的組成物中摻合抗靜電劑的處理、(2)在基材薄膜的黏著層側的表面塗布抗靜電劑的處理、(3)藉由電暈放電進行的帶電處理。抗靜電劑例如有四級胺鹽單體等。
四級胺鹽單體例如有：(甲基)丙烯酸二甲基胺乙酯四級氯化物、(甲基)丙烯酸二乙基胺乙酯四級氯化物、(甲基)丙烯酸甲基乙基胺乙酯四級氯化物、對二甲基胺基苯乙烯四級氯化物、及對二乙基胺基苯乙烯四級氯化物，而以二甲基胺乙基甲基丙烯酸酯四級氯化物為較佳。
[黏著層]
黏著層係在基材薄膜上塗布黏著劑而形成。構成黏著層的黏著劑含有(甲基)丙烯酸酯共聚物、紫外線聚合性化合物、多官能異氰酸酯硬化劑、與光聚合起始劑。
[(甲基)丙烯酸酯共聚物]
(甲基)丙烯酸酯共聚物係只有(甲基)丙烯酸酯單體的共聚物，或(甲基)丙烯酸酯單體與乙烯基化合物單體的共聚物。
(甲基)丙烯酸酯的單體例如有：(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯、(甲基)丙烯酸鯨蠟酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯、(甲基)丙烯酸丁氧基甲酯及(甲基)丙烯酸乙氧基正丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯。
乙烯基化合物單體例如有：具有羧基、環氧基、醯胺基、胺基、羥甲基、磺酸基、磺胺酸基或(亞)磷酸酯基這些官能基群中1種以上之含官能基的單體。
具有羧基的單體可列舉例如：(甲基)丙烯酸、巴豆酸、馬來酸、馬來酸酐、伊康酸、富馬酸、丙烯醯胺N-羥乙酸、及桂皮酸等。
具有環氧基的單體例如有：烯丙基縮水甘油醚及(甲基)丙烯酸縮水甘油醚。
具有醯胺基的單體例如有(甲基)丙烯醯胺。
具有胺基的單體例如有(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺乙酯。
具有羥甲基的單體有N-羥甲基丙烯醯胺。
(甲基)丙烯酸酯共聚物之製造方法例如有：乳化聚合、溶液聚合。
[紫外線聚合性化合物]
紫外線聚合性化合物可使用例如三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、三聚氰酸三乙基丙烯酸酯、市售的寡酯丙烯酸酯等。
進一步而言，紫外線聚合性化合物除了如上述般的丙烯酸酯系化合物之外，還可使用胺甲酸乙酯-丙烯酸酯寡聚物。
胺甲酸乙酯-丙烯酸酯寡聚物係使聚酯型或聚醚型等多元醇化合物與多價異氰酸酯化合物，例如2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-二甲苯二異氰酸酯、1,4-二甲苯二異氰酸酯、二苯甲烷4,4-二異氰酸酯、三甲基六亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛酮二異氰酸酯等進行反應，並使所得到末端異氰酸酯胺甲酸乙酯預聚物與具有羥基之(甲基)丙烯酸酯，例如(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯、季戊四醇三丙烯酸酯、縮水甘油二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯等進行反應而得。
紫外線聚合性化合物係以具有4個以上乙烯基的胺甲酸乙酯-丙烯酸酯寡聚物為較佳，這是由於可使藉由紫外線照射的紫外線硬化型黏著劑充分硬化，黏著片與黏著劑半硬化層容易剝離，而能夠得到良好的拾取性。
相對於100質量份(甲基)丙烯酸酯共聚物而言，紫外線聚合性化合物的摻合量較佳為5質量份以上200質量份以下。若紫外線聚合性化合物的摻合量太少，則在照射放射線之後，黏著劑半硬化層變得難以自黏著片剝離，半導體晶片的拾取性相關的問題變得容易發生。若紫外線聚合性化合物的摻合量過多，則在切割時，因為糊膠被挑起而使得拾取失敗變得容易發生，同時反應殘渣造成微小的殘膠產生，黏著劑半硬化層會受到污染，因此將附有黏著劑半硬化層的半導體晶片黏著於導線框架上之後，在加熱時黏著不良變得容易發生。
[多官能異氰酸酯硬化劑]
多官能異氰酸酯硬化劑係具有2個以上異氰酸酯基，例如有：芳香族聚異氰酸酯、脂肪族聚異氰酸酯、脂環族聚異氰酸酯。
芳香族聚異氰酸酯，例如有：1,3-苯二異氰酸酯、4,4'-二苯二異氰酸酯、1,4-苯二異氰酸酯、4,4'-二苯甲烷二異氰酸酯、2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、4,4'-甲苯胺二異氰酸酯、2,4,6-三異氰酸酯甲苯、1,3,5-三異氰酸酯苯、聯茴香胺二異氰酸酯、4,4'-二苯醚二異氰酸酯、4,4',4"-三苯甲烷三異氰酸酯、ω,ω'-二異氰酸酯-1,3-二甲基苯、ω,ω'-二異氰酸酯-1,4-二甲基苯、ω,ω'-二異氰酸酯-1,4-二乙苯、1,4-四甲基茬二異氰酸酯及1,3-四甲基茬二異氰酸酯。
脂肪族聚異氰酸酯例如有：三亞甲基二異氰酸酯、四亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、五亞甲基二異氰酸酯、1,2-丙烯二異氰酸酯、2,3-丁烯二異氰酸酯、1,3-丁烯二異氰酸酯、十二亞甲基二異氰酸酯及2,4,4-三甲基六亞甲基二異氰酸酯。
脂環族聚異氰酸酯例如有：3-異氰酸酯甲基-3,5,5-三甲基環己基異氰酸酯、1,3-環戊烷二異氰酸酯、1,3-環己烷二異氰酸酯、1,4-環己烷二異氰酸酯、甲基-2,4-環己烷二異氰酸酯、甲基-2,6-環己烷二異氰酸酯、4,4'-亞甲基雙(環己基異氰酸酯)、1,4-雙(異氰酸酯甲基)環己烷及1,4-雙(異氰酸酯甲基)環己烷。
上述聚異氰酸酯之中，係以1,3-苯二異氰酸酯、4,4'-二苯二異氰酸酯、1,4-苯二異氰酸酯、4,4'-二苯甲烷二異氰酸酯、2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、4,4'-甲苯胺二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯為較佳。
相對於(甲基)丙烯酸酯共聚物100質量份而言，多官能異氰酸酯硬化劑的摻合比較佳為0.5質量份以上20質量份以下，下限係以1.0質量份以上，上限係以10質量份以下為較佳。多官能異氰酸酯硬化劑只要在0.5質量份以上，則黏著力不會過強，因此可抑制拾取失敗的發生。多官能異氰酸酯硬化劑只要在20質量份以下，則黏著強度不會有過低的情形，因此在切割時可維持半導體晶片的保持性。
[光聚合起始劑]
光聚合起始劑在使溫度由23℃以10℃/分鐘的昇溫速度昇溫至500℃時，相對於昇溫前質量(在25℃的光聚合起始劑質量)的質量減少率成為10%時的溫度為250℃以上。這種光聚合起始劑可列舉乙酮、1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-,1-(O-乙醯基肟)(BASF Japan公司製，製品名IRGACURE OXE02)、2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯-膦氧化物(BASF Japan公司製，製品名LUCIRIN TPO)、及2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基]-苯基}-2-甲基-丙-1-酮(BASF Japan公司製，製品名IRGACURE 127)、2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-丁酮-1(BASF Japan公司製，製品名IRGACURE 369)、2-二甲基胺基-2-(4-甲基-苄基)-1-(4-嗎啉-4-基-苯基)-丁-1-酮(BASF Japan公司製，製品名IRGACURE 379)、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基膦氧化物(BASF Japan公司製，製品名IRGACURE 819)等。特別是質量減少率成為10%時的溫度為270℃以上的乙酮、1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-,1-(O-乙醯基肟)(BASF Japan公司製，製品名IRGACURE OXE02)、2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯-膦氧化物(BASF Japan公司製，製品名LUCIRIN TPO)、及2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基]-苯基}-2-甲基-丙-1-酮(BASF Japan公司製，製品名IRGACURE 127)為佳。藉由使質量減少率成為10%時的溫度為250℃以上，在切割、拾取後將所得到附有黏著劑半硬化層的晶片黏著於導線框架，並以密封樹脂進行封膠成型，在260℃左右進行加熱步驟時，可抑制導線框架與黏著劑半硬化層之間的黏著不良。
相對於(甲基)丙烯酸酯聚合物100質量份而言，光聚合起始劑的摻合量較佳為的0.1質量份以上20質量份以下。若此摻合量過少，則會有在照射放射線之後黏著劑半硬化層變得不容易自黏著片剝離，而發生半導體晶片的拾取性降低的傾向。若此比例過多，則因為往黏著層表面溢出而變得無法抑制黏著劑半硬化層的污染，將附有黏著劑半硬化層的半導體晶片搭載於導線框架上之後，在加熱時會有黏著不良變得容易發生的傾向。
在黏著劑中，在不會對其他材料造成影響的範圍內，可添加以矽氧聚合物為代表的剝離賦予劑、軟化劑、老化防止劑、填充劑、紫外線吸收劑及光安定劑等添加劑。
黏著層的厚度係以3μm以上100μm以下為佳，以5μm以上20μm以下為特佳。
＜(3)切割步驟＞
切割步驟係使用切割裝置，藉由使含有鑽石研磨粒的切割刀高速旋轉，將矽晶圓連帶黏著劑半硬化層一起切成半導體晶片之步驟。切割裝置及切割條件可依照常規使用。
＜(4)拾取步驟＞
拾取步驟，藉由對於黏著片的黏著層照射放射線，使黏著層與黏著劑半硬化層之間的黏著力降低，將附有黏著劑半硬化層的半導體晶片自黏著層剝離之步驟。放射線種類並未受到特別限定，可使用周知的種類。在藉由紫外線使黏著力降低的情況下，紫外線源可列舉黑光燈、低壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、金屬鹵素燈、準分子燈等。
紫外線之照射光量並未受到特別限定，可藉由黏著劑的設計而適當地選擇，而一般而言係以5mJ/cm2 以上小於1000mJ/cm2 為佳。若照射光量少，則會有黏著劑的硬化變得不足，拾取性劣化的傾向，若照射光量多，則會因為UV照射時間的長期化而使得作業性降低。
在將附有黏著劑半硬化層的半導體晶片自黏著層剝離時，一般而言使用拾取裝置或晶粒黏著裝置。
本實施形態之電子構件之製造方法由於使用上述黏著片，因此可減低黏著劑半硬化層之污染，其結果，晶片與導線框架等之間的黏著不良不易發生，而且在上述(4)拾取步驟之中，可輕易將附有黏著劑半硬化層的半導體晶片自黏著片剝離而拾取，另外，在上述(3)切割步驟之中，可減低晶片脫離現象的發生。
[實施例]
使用以下所記載的基材薄膜與由黏著劑所構成的黏著層，製造出實施例及比較例所使用的各種黏著片。
＜基材薄膜＞
在全部的實施例及比較例之中，基材薄膜使用Sunallomer公司製丙烯系共聚物(商品型號：X500F)。此薄膜的MFR(熔融流率)值為7.5g/10分鐘，密度為0.89g/cm3 ，厚度為80μm。
＜黏著層＞
黏著層使用含有以下所記載(甲基)丙烯酸酯共聚物、紫外線聚合性化合物、多官能異氰酸酯硬化劑及光聚合起始劑的黏著劑而形成。
[(甲基)丙烯酸酯共聚物]
A-1：綜研化學公司製SK-DYNE1496；96%丙烯酸2-乙基己酯、4%丙烯酸2-羥乙酯之共聚物，藉由溶液聚合所得到。
A-2：日本Zeon公司製丙烯酸橡膠AR53L；40%丙烯酸乙酯、23%丙烯酸丁酯、37%丙烯酸甲氧基乙酯之共聚物，藉由乳化聚合所得到。
[紫外線聚合性化合物]
B-1：根上工業公司製UN-3320HS；使異佛酮二異氰酸酯三聚物與二季戊四醇五丙烯酸酯反應而得，乙烯基數目為15個。
B-2：新中村化學公司製A-TMPT；三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、乙烯基數目為3個。
[多官能異氰酸酯硬化劑]
C-1：日本聚氨酯公司製CORONATE L-45E；2,4-甲苯二異氰酸酯的三羥甲基丙烷加成體。
[光聚合起始劑]
D-1：BASF Japan公司製IRGACURE OXE02；乙酮、1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-,1-(O-乙醯基肟)。質量減少率成為10%時的溫度為320℃。
D-2：BASF Japan公司製LUCIRIN TPO；2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯-膦氧化物。質量減少率成為10%時的溫度為270℃。
D-3：BASF Japan公司製IRGACURE 127；2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基]-苯基}-2-甲基-丙-1-酮。質量減少率成為10%時的溫度為275℃。
D-4：BASF Japan公司製IRGACURE 379；2-二甲基胺基-2-(4-甲基-苄基)-1-(4-嗎啉-4-基-苯基)-丁-1-酮。質量減少率成為10%時的溫度為265℃。
D-5：BASF Japan公司製IRGACURE 651；2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮。質量減少率成為10%時的溫度為185℃。
＜光聚合起始劑質量減少率之測定方法＞
光聚合起始劑質量減少率，係在25℃環境下測定光聚合起始劑質量(昇溫前質量)之後，使用示差熱‧熱重量同時測定裝置[TG/DTA同時測定裝置，Seiko製，TG/DTA220]，以10℃/分鐘的昇溫速度由23℃昇溫至500℃，對於光聚合起始劑測定在各溫度的光聚合起始劑質量(昇溫後質量)，並藉由下式計算出。對於各光聚合起始劑調查質量減少率成為10%時的溫度。
質量減少率={(昇溫前質量-昇溫後質量)/(昇溫前質量)}×100(%)
＜黏著片之製造＞
在聚對苯二甲酸乙二酯製的分隔件薄膜上，以使乾燥後的黏著層的厚度成為10μm的方式塗布黏著劑。使此黏著層積層於基材薄膜，並使其在40℃熟成7天，而得到附有分隔件薄膜的黏著片。
＜黏著片之評估＞
依照以下的步驟(1)～(4)，在矽晶圓上形成黏著劑半硬化層，使用上述黏著片固定矽晶圓，並加以切割，然後拾取半導體晶片，針對晶片保持性、拾取性及污染防止性進行評估。
(1)黏著劑半硬化層形成步驟：在形成有虛擬電路圖案而直徑8英吋×厚度0.1mm的矽晶圓背面，藉由網版印刷全面塗布以環氧樹脂及丙烯酸酯為主成分的糊狀黏著劑，以照射光量1000mJ/cm2 進行紫外線照射，使其半硬化成為厚度30μm的片狀。
(2)貼附步驟：將形成於矽晶圓背面的黏著劑半硬化層與環形框架貼附於黏著片的黏著層而固定。
(3)切割步驟：以切割刀將矽晶圓連帶黏著劑半硬化層一起切成9mm×9mm的半導體晶片。切割步驟使用以下的裝置及條件進行。
切割裝置：DISCO公司製DAD341
切割刀：DISCO公司製NBC-ZH205O-27HEEE
切割刀形狀：外徑55.56mm、刀刃寬度35μm、內徑19.05mm
切割刀轉速：40,000rpm
切割刀移送速度：50mm/秒鐘
往黏著片的切入量：15μm
切割水溫：25℃
切割水量：1.0L/分鐘
(4)拾取步驟：以高壓水銀燈照射紫外線150mJ/cm2 ，自黏著層拾取附有黏著劑半硬化層的晶片。拾取步驟使用以下的裝置及條件進行。
拾取裝置：Canon-Machinery公司製CAP-300II
頂針形狀：250μmR
頂針頂起高度：0.5mm
擴張量：8mm
＜晶片保持性＞
晶片保持性係以在切割步驟後保持在黏著片的半導體晶片的殘存率進行評估。
◎(優)：晶片脫離小於5%。
○(良)：晶片脫離為5%以上小於10%。
╳(不良)：晶片脫離為10%以上。
＜拾取性＞
拾取性係以在拾取步驟之中可拾取的晶片的比率進行評估。
◎(優)：可拾取的晶片95%以上。
○(良)：可拾取的晶片80%以上小於95%。
╳(不良)：可拾取的晶片小於80%。
＜污染防止性＞
為了評估污染防止性，測定黏著劑半硬化層的逸出氣體量。在黏著片的黏著層貼附黏著劑半硬化層，並在保管2週之後以高壓水銀燈照射紫外線500mJ/cm2 ，然後將黏著劑半硬化層自黏著片剝離。對於由該剝離的黏著劑半硬化層產生而來自光聚合起始劑的逸出氣體量進行評估。逸出氣體量係將剝離的黏著劑半硬化層3mg封入逸出氣體測定用的樣品瓶，使用頂部空間取樣器，在250℃保持30分鐘之後，導入GC-MS而進行測定。
◎(優)：來自光聚合起始劑的逸出氣體量小於200μg/g。
○(良)：來自光聚合起始劑的逸出氣體量為200μg/g以上小於800μg/g。
╳(不良)：來自光聚合起始劑的逸出氣體量為800μg/g以上。
將構成黏著層的黏著劑的組成及評估結果揭示於表1。在表1之中，表示構成黏著層的黏著劑組成的數值為質量份。
如表1所示般，藉由將構成黏著片的黏著層的黏著劑設定為特定的組成，可提升對於形成於半導體晶圓側的黏著劑半硬化層的污染防止性，而且晶片保持性及拾取性皆優異。

Claims (5)

  1. 一種電子構件之製造方法，其特徵係該製造方法包括：在晶圓背面全面塗布糊狀黏著劑，並進行放射線照射或加熱，以使糊狀黏著劑半硬化成為片狀的黏著劑半硬化層形成步驟；將形成於晶圓之黏著劑半硬化層與環形框架貼附於黏著片的黏著層而固定之貼附步驟；以切割刀將晶圓連帶黏著劑半硬化層一起切割而製成半導體晶片之切割步驟；以及在照射放射線之後，自黏著層拾取附有黏著劑半硬化層的晶片之拾取步驟，而黏著片係具有基材薄膜、與積層於基材薄膜的其中一面之黏著層，構成黏著層的黏著劑係具有(甲基)丙烯酸酯共聚物、紫外線聚合性化合物、多官能異氰酸酯硬化劑、與光聚合起始劑，光聚合起始劑係一種藉由下式所計算出的質量減少率成為10%時的溫度為250℃以上之物：質量減少率={(昇溫前質量-昇溫後質量)/(昇溫前質量)}×100(%)(式中，昇溫前質量表示在25℃的光聚合起始劑質量，昇溫後質量表示以10℃/分鐘的昇溫速度由23℃昇溫至500℃時，在各溫度的光聚合起始劑質量)。
  2. 如申請專利範圍第1項之電子構件之製造方法，其中光聚合起始劑係乙酮、1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-,1-(O-乙醯基肟)、2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯-膦氧化物、及2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基]-苯基}-2-甲基-丙-1-酮。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之電子構件之製造方法，其中黏著劑係具有100質量份的(甲基)丙烯酸酯聚合物、5質量份以上200質量份以下的紫外線聚合性化合物，0.5質量份以上20質量份以下的多官能異氰酸酯硬化劑，與0.1質量份以上20質量份以下的光聚合起始劑。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之電子構件之製造方法，其中黏著劑半硬化層形成步驟中之糊狀黏著劑係至少具有環氧樹脂及/或(甲基)丙烯酸酯。
  5. 一種電子構件製造用黏著片，其係貼附在形成於晶圓背面的黏著劑半硬化層而使用之電子構件製造用黏著片，其特徵為：具有基材薄膜、與積層於基材薄膜的其中一面之黏著層，構成黏著層的黏著劑係具有(甲基)丙烯酸酯共聚物、紫外線聚合性化合物、多官能異氰酸酯硬化劑、與光聚合起始劑，光聚合起始劑係一種藉由下式所計算出的質量減少率成為10%時的溫度為250℃以上之物：質量減少率={(昇溫前質量-昇溫後質量)/(昇溫前質量)}×100(%)(式中，昇溫前質量表示在25℃的光聚合起始劑質量，昇溫後質量表示以10℃/分鐘的昇溫速度由23℃昇溫至500℃時的在各溫度的光聚合起始劑質量)。
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