WO2012049939A1 - 電子部品の製造方法 - Google Patents

電子部品の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2012049939A1
WO2012049939A1 PCT/JP2011/070964 JP2011070964W WO2012049939A1 WO 2012049939 A1 WO2012049939 A1 WO 2012049939A1 JP 2011070964 W JP2011070964 W JP 2011070964W WO 2012049939 A1 WO2012049939 A1 WO 2012049939A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
adhesive
mass
semi
meth
temperature increase
Prior art date
Application number
PCT/JP2011/070964
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
齊藤　岳史
高津　知道
Original Assignee
電気化学工業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 電気化学工業株式会社 filed Critical 電気化学工業株式会社
Priority to SG2013018007A priority Critical patent/SG188959A1/en
Priority to CN201180045834.9A priority patent/CN103155108B/zh
Priority to US13/825,673 priority patent/US8652942B2/en
Priority to KR1020137008272A priority patent/KR101811190B1/ko
Publication of WO2012049939A1 publication Critical patent/WO2012049939A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/28—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
    • C08G18/40—High-molecular-weight compounds
    • C08G18/62—Polymers of compounds having carbon-to-carbon double bonds
    • C08G18/6216—Polymers of alpha-beta ethylenically unsaturated carboxylic acids or of derivatives thereof
    • C08G18/622—Polymers of esters of alpha-beta ethylenically unsaturated carboxylic acids
    • C08G18/6225—Polymers of esters of acrylic or methacrylic acid
    • C08G18/6229—Polymers of hydroxy groups containing esters of acrylic or methacrylic acid with aliphatic polyalcohols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/70—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the isocyanates or isothiocyanates used
    • C08G18/72—Polyisocyanates or polyisothiocyanates
    • C08G18/80—Masked polyisocyanates
    • C08G18/8003—Masked polyisocyanates masked with compounds having at least two groups containing active hydrogen
    • C08G18/8006—Masked polyisocyanates masked with compounds having at least two groups containing active hydrogen with compounds of C08G18/32
    • C08G18/8009—Masked polyisocyanates masked with compounds having at least two groups containing active hydrogen with compounds of C08G18/32 with compounds of C08G18/3203
    • C08G18/8022—Masked polyisocyanates masked with compounds having at least two groups containing active hydrogen with compounds of C08G18/32 with compounds of C08G18/3203 with polyols having at least three hydroxy groups
    • C08G18/8029—Masked aromatic polyisocyanates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D133/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D4/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; Coating compositions, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09D183/00 - C09D183/16
    • C09D4/06—Organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond in combination with a macromolecular compound other than an unsaturated polymer of groups C09D159/00 - C09D187/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J175/00—Adhesives based on polyureas or polyurethanes; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J175/04—Polyurethanes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2312/00—Crosslinking
    • C08L2312/06—Crosslinking by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/296—Organo-silicon compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing an electronic component including dicing a wafer using an adhesive sheet.
  • One method of manufacturing electronic components includes a bonding step of attaching an electronic component assembly having a plurality of circuit patterns formed on a wafer or an insulating substrate to an adhesive sheet, and dicing the electronic component assembly with a dicing blade.
  • a dicing process for forming a semiconductor chip, a pick-up process for picking up the cut chip from the adhesive sheet after reducing the adhesive force between the adhesive sheet and the electronic component assembly by irradiating ultraviolet rays from the adhesive sheet side, and the picked-up chip There is known a manufacturing method having a fixing step of fixing a chip to a lead frame or the like with an adhesive after applying an adhesive to the bottom surface of the substrate.
  • Patent Documents 1 and 2 A method using an adhesive sheet (adhesive layer or die attach film integrated sheet) has been proposed (Patent Documents 1 and 2).
  • a paste-like adhesive is applied to the semiconductor wafer side in advance, and this paste-like adhesive is semi-cured into a sheet by irradiation or heating to form an adhesive semi-cured layer, which is then applied to the adhesive sheet.
  • a method of obtaining a chip with an adhesive semi-cured layer attached by performing a dicing process is also known.
  • the adhesive application process after dicing can be omitted, and the thickness control of the adhesive part and the suppression of protrusion can be easily performed. There is an advantage of being.
  • the photopolymerization initiator which is a low molecular weight component contained in the adhesive constituting the adhesive layer is In some cases, the chip migrates to the adhesive semi-cured layer side, and the chip causes poor adhesion to the lead frame or the like. Specifically, when the chip with the adhesive semi-cured layer obtained after the dicing process and the pick-up process is bonded to a lead frame, molded with a sealing resin, and heated at around 260 ° C., the lead frame and the adhesive Peeling occurs between the semi-cured layer, and as a result, the yield may be reduced in the semiconductor manufacturing process.
  • This invention is made
  • this invention relates to the manufacturing method of the following electronic component.
  • An adhesive semi-cured layer forming step in which a paste-like adhesive is applied to the entire back surface of the wafer (i.e., a non-circuit-formed surface) and irradiated or heated to semi-cur the paste-like adhesive into a sheet, formed on the wafer
  • Adhesion process to attach and fix the adhesive semi-cured layer and ring frame to the adhesive layer of the adhesive sheet, dicing process to dice the wafer together with the adhesive semi-cured layer with a dicing blade to make a semiconductor chip
  • a pressure-sensitive adhesive comprising a pick-up process for picking up a chip with a semi-cured adhesive layer from an adhesive layer, wherein the adhesive sheet has a base film and an adhesive layer laminated on one surface of the base film, and constitutes an adhesive layer
  • the mass after the temperature increase represents the mass of the photopolymerization initiator at each temperature when the temperature was increased from 23 ° C. to 500 ° C. at a temperature increase rate of 10 ° C./min
  • Photoinitiator is ethanone, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl]-, 1- (O-acetyloxime), 2,4,6-trimethylbenzoyl -Diphenyl-phosphine oxide and 2-hydroxy-1- ⁇ 4- [4- (2-hydroxy-2-methyl-propionyl) -benzyl] -phenyl ⁇ -2-methyl-propan-1-one; (1) The manufacturing method of the electronic component as described. (3).
  • the pressure-sensitive adhesive is 100 parts by weight of a (meth) acrylic acid ester polymer, 5 parts by weight or more and 200 parts by weight or less of an ultraviolet polymerizable compound, 0.5 part by weight or more and 20 parts by weight or less of a polyfunctional isocyanate curing agent, and a photopolymerization initiator 0. having 1 part by mass or more and 20 parts by weight, (1) or (2) method of manufacturing an electronic component according. (4).
  • the anti-contamination property for the adhesive semi-cured layer formed on the semiconductor wafer side is improved by setting the adhesive constituting the adhesive layer of the adhesive sheet to a specific composition.
  • poor adhesion between the chip and the lead frame or the like can be suppressed.
  • a monomer unit means a structural unit derived from a monomer. “Parts” and “%” are based on mass.
  • (Meth) acrylate is a general term for acrylate and methacrylate.
  • a compound containing (meth) such as (meth) acrylic acid is a general term for a compound having “meta” in the name and a compound not having “meta”.
  • the method for manufacturing an electronic component according to the present invention includes the following procedures (1) to (4).
  • An adhesive semi-cured layer forming step in which a paste-like adhesive is applied to the entire back surface of the wafer and irradiated or heated to semi-cur the paste-like adhesive into a sheet;
  • Affixing step of adhering and fixing the adhesive semi-cured layer and ring frame formed on the wafer to the adhesive layer of the adhesive sheet;
  • a pickup step of picking up the chip with the adhesive semi-cured layer from the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive sheet after irradiation with radiation.
  • the adhesive semi-cured layer is typically formed by applying a paste adhesive on the back surface of a wafer, that is, a non-circuit-forming surface for bonding with a lead frame or a circuit board, and irradiating or heating the paste adhesive. It can be formed by semi-curing into a sheet.
  • Paste adhesives constituting the adhesive semi-cured layer include (meth) acrylic acid ester, polyamide, polyethylene, polysulfone, epoxy resin, polyimide, polyamic acid, silicone resin, phenol resin, rubber, fluoro rubber, and fluoro resin. There are a single substance, a mixture thereof, and a copolymer. It is preferable to contain an epoxy resin and / or a (meth) acrylic acid ester from the viewpoint of reliability of bonding with the chip. You may add a photoinitiator, a heat polymerization initiator, an antistatic agent, a crosslinking agent, a crosslinking accelerator, a filler, etc. to a paste adhesive.
  • the method of applying the paste adhesive on the entire back surface of the wafer is not particularly limited.
  • a gravure coater, comma coater, bar coater, knife coater, roll coater, letterpress printing, intaglio printing, planographic printing, flexographic printing, offset printing, Screen printing, spraying, spin coating, etc. can be adopted.
  • a method of forming a semi-cured adhesive layer by applying a paste-like adhesive and then semi-curing is irradiation or heating.
  • the kind of radiation is not specifically limited, A well-known thing can be used.
  • the ultraviolet light source is not particularly limited, and known ones can be used. Examples of the ultraviolet light source include black light, low pressure mercury lamp, high pressure mercury lamp, super high pressure mercury lamp, metal halide lamp, and excimer lamp. Irradiation light amount of the ultraviolet is not particularly limited, can be appropriately selected by the design of the paste adhesive, typically 100 mJ / cm 2 or more 5000 mJ / cm less than 2 are preferred.
  • the heating temperature is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the design of the paste adhesive, but generally 60 ° C. or more and less than 250 ° C. is preferable. If the heating temperature is too low, curing of the paste adhesive will be insufficient and the pick-up property tends to be inferior. If the heating temperature is too high, the curing of the paste adhesive will progress too much and the adhesive strength will decrease. is there.
  • the heating time is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the design of the paste-like adhesive. In general, it is preferably 10 seconds or more and less than 30 minutes.
  • the thickness of the adhesive semi-cured layer is preferably 3 ⁇ m to 100 ⁇ m, and particularly preferably 5 ⁇ m to 20 ⁇ m.
  • the affixing step is a step of adhering and fixing the adhesive semi-cured layer and the ring frame formed on the wafer to the adhesive layer of the adhesive sheet, and can generally be performed using a tape mounter device equipped with a roller. it can.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet used in the attaching step has a base film and a pressure-sensitive adhesive layer laminated on one surface of the base film.
  • the base film is not particularly limited, and a known resin material can be used. Specifically, polyvinyl chloride, polyethylene terephthalate, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid-acrylic acid ester film, ethylene-ethyl acrylate copolymer, polyethylene, polypropylene, propylene copolymer, ethylene- Examples include acrylic acid copolymers and ionomer resins obtained by crosslinking ethylene- (meth) acrylic acid copolymers, ethylene- (meth) acrylic acid- (meth) acrylic acid ester copolymers, etc. with metal ions. .
  • the base film may be a mixture, copolymer or laminate of these resins.
  • a propylene copolymer is preferable as the base film.
  • a propylene-based copolymer By employing a propylene-based copolymer, chips generated when the semiconductor wafer is cut can be suppressed.
  • the propylene-based copolymer include a random copolymer of propylene and other components, a block copolymer of propylene and other components, and an alternating copolymer of propylene and other components.
  • other components include ⁇ -olefins such as ethylene, 1-butene, 1-pentene, 1-hexene and 1-heptene, copolymers composed of at least two kinds of ⁇ -olefins, and styrene-diene copolymers. Can be mentioned. Of these, 1-butene is preferred.
  • Examples of the method for polymerizing the propylene-based copolymer include a solvent polymerization method, a bulk polymerization method, a gas phase polymerization method, a sequential polymerization method, and the like.
  • a homopolymer of ⁇ -olefin or a random copolymer of propylene with a small amount of ethylene and / or ⁇ -olefin is produced in the second and subsequent stages.
  • a stepwise sequential polymerization process is preferred.
  • the base film is preferably subjected to antistatic treatment.
  • the antistatic treatment includes (1) a treatment for adding an antistatic agent to the composition constituting the base film, (2) a treatment for applying the antistatic agent to the adhesive layer side surface of the base film, (3) There is a charging process by corona discharge.
  • Antistatic agents include quaternary amine salt monomers.
  • Examples of the quaternary amine salt monomer include dimethylaminoethyl (meth) acrylate quaternary chloride, diethylaminoethyl (meth) acrylate quaternary chloride, methylethylaminoethyl (meth) acrylate quaternary chloride, p-dimethyl.
  • the adhesive layer is formed by applying an adhesive on the base film.
  • the pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer contains a (meth) acrylic acid ester copolymer, an ultraviolet polymerizable compound, a polyfunctional isocyanate curing agent, and a photopolymerization initiator.
  • the (meth) acrylic acid ester copolymer is a copolymer of only a monomer of (meth) acrylic acid ester, or a copolymer of a monomer of (meth) acrylic acid ester and a vinyl compound monomer. It is.
  • Examples of the (meth) acrylic acid ester monomer include butyl (meth) acrylate, 2-butyl (meth) acrylate, t-butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, 2- Ethylhexyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, tridecyl (meth) acrylate, myristyl ( (Meth) acrylate, cetyl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acryl
  • a functional group having one or more functional groups such as a carboxyl group, an epoxy group, an amide group, an amino group, a methylol group, a sulfonic acid group, a sulfamic acid group, or a (phosphite) ester group Contains monomers.
  • Examples of the monomer having a carboxyl group include (meth) acrylic acid, crotonic acid, maleic acid, maleic anhydride, itaconic acid, fumaric acid, acrylamide N-glycolic acid, and cinnamic acid.
  • Examples of the monomer having an epoxy group include allyl glycidyl ether and (meth) acrylic acid glycidyl ether.
  • Examples of the monomer having an amide group include (meth) acrylamide.
  • Examples of the monomer having an amino group include N, N-dimethylaminoethyl (meth) acrylate.
  • Examples of the monomer having a methylol group include N-methylolacrylamide.
  • Methods for producing the (meth) acrylic acid ester copolymer include emulsion polymerization and solution polymerization).
  • UV polymerizable compound examples include trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1,4-butylene.
  • Glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, cyanuric acid triethyl acrylate, commercially available oligoester acrylate, and the like are used.
  • Urethane acrylate oligomers can also be used as the ultraviolet polymerizable compound.
  • Urethane acrylate oligomer includes a polyol compound such as a polyester type or a polyether type and a polyvalent isocyanate compound such as 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylene diisocyanate, 1,4-
  • the terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting xylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4-diisocyanate, trimethylhexamethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate and the like is used for (meth) acrylate having a hydroxy group, (Meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, polyethylene glycol (meth) acrylate, pentaerythr
  • UV-polymerizable compound urethane acrylate oligomer having 4 or more vinyl groups can sufficiently cure the UV-curable adhesive by UV irradiation, and the adhesive sheet and the adhesive semi-cured layer can be easily peeled, It is preferable because good pickup properties can be obtained.
  • the blending amount of the ultraviolet polymerizable compound is preferably 5 parts by mass or more and 200 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the (meth) acrylic acid ester copolymer. If the blending amount of the UV-polymerizable compound is too small, the adhesive semi-cured layer is difficult to peel off from the pressure-sensitive adhesive sheet after irradiation, and a problem relating to the pick-up property of the semiconductor chip is likely to occur. If the amount of the UV-polymerizable compound is too large, picking up of the glue during dicing is likely to cause pick-up failure, and a minute adhesive residue due to a reaction residue is generated and the adhesive semi-cured layer is contaminated. After bonding the semiconductor chip to which the hardened layer is adhered on the lead frame, adhesion failure during heating is likely to occur.
  • the polyfunctional isocyanate curing agent has two or more isocyanate groups, and examples thereof include aromatic polyisocyanates, aliphatic polyisocyanates, and alicyclic polyisocyanates.
  • Aromatic polyisocyanates include, for example, 1,3-phenylene diisocyanate, 4,4′-diphenyl diisocyanate, 1,4-phenylene diisocyanate, 4,4′-diphenylmethane diisocyanate, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6- Tolylene diisocyanate, 4,4'-toluidine diisocyanate, 2,4,6-triisocyanate toluene, 1,3,5-triisocyanate benzene, dianisidine diisocyanate, 4,4'-diphenyl ether diisocyanate, 4,4 ', 4 ”-Triphenylmethane triisocyanate, ⁇ , ⁇ ′-diisocyanate-1,3-dimethylbenzene, ⁇ , ⁇ ′-diisocyanate-1,4-dimethylbenzene, ⁇ , ⁇ ′-diisocyanate-1,4-diethylbenzene
  • aliphatic polyisocyanate examples include trimethylene diisocyanate, tetramethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, pentamethylene diisocyanate, 1,2-propylene diisocyanate, 2,3-butylene diisocyanate, 1,3-butylene diisocyanate, dodecamethylene diisocyanate and 2 4,4-trimethylhexamethylene diisocyanate.
  • Examples of the alicyclic polyisocyanate include 3-isocyanate methyl-3,5,5-trimethylcyclohexyl isocyanate, 1,3-cyclopentane diisocyanate, 1,3-cyclohexane diisocyanate, 1,4-cyclohexane diisocyanate, methyl-2, There are 4-cyclohexane diisocyanate, methyl-2,6-cyclohexane diisocyanate, 4,4'-methylene bis (cyclohexyl isocyanate), 1,4-bis (isocyanate methyl) cyclohexane and 1,4-bis (isocyanate methyl) cyclohexane.
  • the blending ratio of the polyfunctional isocyanate curing agent is preferably 0.5 parts by mass or more and 20 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the (meth) acrylic acid ester copolymer, and the lower limit is 1.0 part by mass or more and the upper limit is Is more preferably 10 parts by mass or less. If the polyfunctional isocyanate curing agent is 0.5 parts by mass or more, since the adhesive strength is not too strong, the occurrence of pickup failure can be suppressed. If the polyfunctional isocyanate curing agent is 20 parts by mass or less, the adhesive strength is not too low, so that the retention of the semiconductor chip is maintained during dicing.
  • the temperature at which the mass reduction rate is 10% is 250 ° C.
  • the chip with the adhesive semi-cured layer obtained after dicing and picking up is bonded to the lead frame, molded with sealing resin, and around 260 ° C.
  • the adhesion failure between the lead frame and the adhesive semi-cured layer can be suppressed.
  • the blending amount of the photopolymerization initiator is preferably 0.1 parts by mass or more and 20 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the (meth) acrylic acid ester polymer. If the amount is too small, the adhesive semi-cured layer cannot be easily peeled off from the pressure-sensitive adhesive sheet after irradiation, and the pick-up property of the semiconductor chip tends to be lowered. If this ratio is too high, contamination of the adhesive semi-cured layer cannot be suppressed by bleeding out to the surface of the adhesive layer, and after mounting the semiconductor chip with the adhesive semi-cured layer on the lead frame, it adheres when heated. It tends to cause defects.
  • Additives such as release-imparting agents represented by silicone polymers, softeners, anti-aging agents, fillers, UV absorbers and light stabilizers are added to the pressure-sensitive adhesive as long as they do not affect other materials. can do.
  • the thickness of the adhesive layer is preferably 3 ⁇ m or more and 100 ⁇ m, and particularly preferably 5 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • the dicing process is a process of cutting the silicon wafer together with the semi-cured adhesive layer into a semiconductor chip by rotating a dicing blade containing diamond abrasive grains at high speed using a dicing apparatus.
  • a dicing apparatus and dicing conditions that are generally used can be used.
  • the pick-up step reduces the adhesive force between the adhesive layer and the adhesive semi-cured layer by irradiating the adhesive layer of the adhesive sheet with radiation, and peels the semiconductor chip to which the adhesive semi-cured layer is attached from the adhesive layer. It is a process.
  • the kind of radiation is not specifically limited, A well-known thing can be used.
  • examples of the ultraviolet ray source include black light, low pressure mercury lamp, high pressure mercury lamp, ultra high pressure mercury lamp, metal halide lamp, and excimer lamp.
  • Irradiation light amount of the ultraviolet is not particularly limited, it can be appropriately selected according to the design of the pressure-sensitive adhesive, in general preferably less than 5 mJ / cm 2 or more 1000 mJ / cm 2. This is because when the amount of irradiation light is small, the curing of the pressure-sensitive adhesive is insufficient and the pick-up property tends to be inferior, and when the amount of irradiation light is large, workability deteriorates due to the prolonged UV irradiation time.
  • a pickup device or a die bonding device is generally used.
  • the method for manufacturing an electronic component according to this embodiment uses the above-described pressure-sensitive adhesive sheet, contamination of the adhesive semi-cured layer can be reduced, resulting in poor adhesion between the chip and the lead frame and the like.
  • the semiconductor chip with an adhesive semi-cured layer can be easily peeled off and picked up from the pressure-sensitive adhesive sheet in the above (4) pick-up process, and the occurrence of chip skipping is reduced in the above-mentioned (3) dicing process. can do.
  • the base film used was a propylene copolymer (product number: X500F) manufactured by Sun Allomer in all of the Examples and Comparative Examples.
  • This film has an MFR (melt flow rate) value of 7.5 g / 10 min, a density of 0.89 g / cm 3 , and a thickness of 80 ⁇ m.
  • the pressure-sensitive adhesive layer was formed using a pressure-sensitive adhesive containing a (meth) acrylic acid ester copolymer, an ultraviolet polymerizable compound, a polyfunctional isocyanate curing agent and a photopolymerization initiator described below.
  • A-1 SK Dyne 1496 manufactured by Soken Chemical Co., Ltd .; a copolymer of 96% 2-ethylhexyl acrylate and 4% 2-hydroxyethyl acrylate, which can be obtained by solution polymerization.
  • A-2 Acrylic rubber AR53L manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd .; a copolymer of 40% ethyl acrylate, 23% butyl acrylate, and 37% methoxyethyl acrylate, and is obtained by emulsion polymerization.
  • B-1 UN-3320HS manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd .: Diphoretaerythritol pentaacrylate was reacted with isophorone diisocyanate trimer, and the number of vinyl groups was 15.
  • B-2 Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.
  • A-TMPT trimethylolpropane triacrylate, having 3 vinyl groups.
  • C-1 Coronate L-45E manufactured by Nippon Polyurethane; Trimethylolpropane adduct of 2,4-tolylene diisocyanate.
  • D-1 IRGACURE OXE02 manufactured by BASF Japan; ethanone, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl]-, 1- (O-acetyloxime).
  • the temperature at which the mass reduction rate is 10% is 320 ° C.
  • D-2 LUCIRIN TPO manufactured by BASF Japan; 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenyl-phosphine oxide.
  • the temperature at which the mass reduction rate becomes 10% is 270 ° C.
  • D-3 IRGACURE127 manufactured by BASF Japan; 2-hydroxy-1- ⁇ 4- [4- (2-hydroxy-2-methyl-propionyl) -benzyl] -phenyl ⁇ -2-methyl-propan-1-one. The temperature at which the mass reduction rate is 10% is 275 ° C.
  • D-4 IRGACURE 379 manufactured by BASF Japan; 2-dimethylamino-2- (4-methyl-benzyl) -1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one. The temperature at which the mass reduction rate becomes 10% is 265 ° C.
  • D-5 IRGACURE651 manufactured by BASF Japan Ltd .; benzyldimethyl ketal. The temperature at which the mass reduction rate becomes 10% is 185 ° C.
  • the pressure-sensitive adhesive was coated on a polyethylene terephthalate separator film so that the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer after drying was 10 ⁇ m.
  • This pressure-sensitive adhesive layer was laminated on a base film and aged at 40 ° C. for 7 days to obtain a pressure-sensitive adhesive sheet with a separator film.
  • Adhesive semi-cured layer forming step Paste adhesive mainly composed of epoxy resin and acrylic ester is screened on the back surface of a silicon wafer having a diameter of 8 inches and a thickness of 0.1 mm on which a dummy circuit pattern is formed. The entire surface was applied by printing, irradiated with ultraviolet rays at an irradiation light quantity of 1000 mJ / cm 2 and semi-cured into a sheet having a thickness of 30 ⁇ m.
  • Affixing step The adhesive semi-cured layer and the ring frame formed on the back surface of the silicon wafer were affixed and fixed to the adhesive layer of the adhesive sheet.
  • Dicing step The silicon wafer was cut into 9 mm ⁇ 9 mm semiconductor chips together with the adhesive semi-cured layer with a dicing blade.
  • the dicing process was performed with the following apparatus and conditions.
  • Dicing machine DAD341 manufactured by DISCO Dicing blade: NBC-ZH205O-27HEEE made by DISCO Dicing blade shape: outer diameter 55.56 mm, blade width 35 ⁇ m, inner diameter 19.05 mm
  • Dicing blade feed rate 50 mm / sec.
  • Cutting depth into adhesive sheet 15 ⁇ m Cutting water temperature: 25 ° C
  • Cutting water volume 1.0 L / min (4)
  • Pickup process 150 mJ / cm 2 of ultraviolet light was irradiated with a high-pressure mercury lamp, and a chip with an adhesive semi-cured layer was picked up from the adhesive layer. The pickup process was performed with the following equipment and conditions.
  • Pickup device CAP-300II manufactured by Canon Machinery Needle pin shape: 250 ⁇ mR Needle pin push-up height: 0.5mm Expanding amount: 8mm
  • Chip retention was evaluated by the residual ratio of the semiconductor chips held on the adhesive sheet after the dicing process. ⁇ (excellent): Chip skipping is less than 5%. ⁇ (Good): Chip skipping is 5% or more and less than 10%. X (impossible): Chip jump is 10% or more.
  • the outgas amount of the adhesive semi-cured layer was measured.
  • the adhesive semi-cured layer was attached to the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive sheet. After storage for 2 weeks, the adhesive semi-cured layer was peeled off from the pressure-sensitive adhesive sheet after irradiation with 500 mJ / cm 2 of ultraviolet light with a high-pressure mercury lamp. It was assessed outgassing from the photopolymerization initiator that generates from the peel adhesive semi-cured layer.
  • the amount of outgas was measured by sealing 3 mg of the peeled adhesive semi-cured layer in an outgas measurement vial, holding it at 250 ° C. for 30 minutes using a headspace sampler, and then introducing it into GC-MS.
  • Table 1 shows the composition and evaluation results of the pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the numerical value representing the composition of the pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer is part by mass.
  • the anti-contamination property for the adhesive semi-cured layer formed on the semiconductor wafer side can be improved, Excellent chip retention and pick-up performance.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

　半導体ウエハ側に形成した接着剤半硬化層に対する汚染を低減することができ、リードフレーム等に対する接着性に優れた電子部品の製造方法として、ウエハの裏面にペースト状接着剤を全面塗布してペースト状接着剤を放射線照射又は加熱してシート状に半硬化させる接着剤半硬化層形成工程、ウエハに形成された接着剤半硬化層とリングフレームを粘着シートの粘着層に貼り付けて固定する貼付工程、ダイシングブレードでウエハを接着剤半硬化層ごとダイシングして半導体チップにするダイシング工程、放射線を照射した後に接着剤半硬化層付きチップを粘着層からピックアップするピックアップ工程を含み、粘着シートの粘着層中の光重合開始剤に特定の性状を有するものを用いた方法を提供する。

Description

電子部品の製造方法
　本発明は、粘着シートを用いてウエハをダイシングすることを含む電子部品の製造方法に関する。
　電子部品の製造方法の一つに、ウエハや絶縁基板上に複数の回路パターンが形成された電子部品集合体を粘着シートに貼り付ける貼合工程と、ダイシングブレードで電子部品集合体をダイシングして半導体チップにするダイシング工程と、粘着シート側から紫外線を照射して粘着シートと電子部品集合体との粘着力を低減した後に、切断されたチップを粘着シートからピックアップするピックアップ工程と、ピックアップしたチップの底面に接着剤を塗布した後にこの接着剤でチップをリードフレーム等に固定する固定工程を有する製造方法が知られている。
　かかる製造方法において、粘着シートにさらに接着層又はダイアタッチフィルムを積層一体化することにより、ダイシング用の粘着シートとしての機能と、チップをリードフレーム等に固定する接着剤としての機能とを兼ね備える多層粘着シート（接着層又はダイアタッチフィルム一体型シート）を用いる方法が提案されている（特許文献１及び特許文献２）。
　一方、予め半導体ウエハ側にペースト状接着剤を塗布し、このペースト状接着剤を放射線照射又は加熱によりシート状に半硬化させて接着剤半硬化層を形成しておき、これを粘着シートに貼り合わせてダイシング工程を行い、接着剤半硬化層が付着したチップを得る方法も知られている。
　多層粘着シート、もしくは、予め接着剤半硬化層を形成した半導体ウエハを用いることにより、ダイシング後の接着剤の塗布工程を省略することができるとともに、接着剤部分の厚み制御やはみ出し抑制が容易であるという利点がある。
特開２００６－０４９５０９号公報 特開２００７－２４６６３３号公報
　しかしながら、半導体ウエハ側に接着剤半硬化層を設け、これを粘着シートの粘着層に貼り付け固定する方法においては、粘着層を構成する粘着剤に含まれる低分子量成分である光重合開始剤が接着剤半硬化層側にマイグレーションし、リードフレーム等に対してチップが接着不良を起こす場合があった。具体的には、ダイシング工程及びピックアップ工程後に得られた接着剤半硬化層付きチップをリードフレームに接着し、封止樹脂でモールディングし、２６０℃前後で加温した場合に、リードフレームと接着剤半硬化層との間で剥離が生じ、この結果、半導体製造工程において歩留まりを低下させることがあった。
　本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、粘着シートの粘着層を構成する粘着剤を特定の組成とすることにより、半導体ウエハ側に形成した接着剤半硬化層に対する汚染を低減することができ、かくして、リードフレーム等に対するチップの接着性を改善できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
　すなわち、本発明は、下記の電子部品の製造方法に係る。
　（１）．ウエハの裏面（すなわち回路非形成面）にペースト状接着剤を全面塗布して放射線照射又は加熱してペースト状接着剤をシート状に半硬化させる接着剤半硬化層形成工程、ウエハに形成された接着剤半硬化層とリングフレームを粘着シートの粘着層に貼り付けて固定する貼付工程、ダイシングブレードでウエハを接着剤半硬化層ごとダイシングして半導体チップにするダイシング工程、放射線を照射した後に接着剤半硬化層付きチップを粘着層からピックアップするピックアップ工程を含み、粘着シートが基材フィルムと、基材フィルムの一方の面に積層された粘着層とを有し、粘着層を構成する粘着剤が（メタ）アクリル酸エステル共重合体と紫外線重合性化合物と多官能イソシアネート硬化剤と光重合開始剤を有し、
光重合開始剤が、次式：
　質量減少率＝{(昇温前質量－昇温後質量)／(昇温前質量)}×１００(％)
（式中、
昇温前質量は２５℃における光重合開始剤の質量を表し、
昇温後質量は昇温速度１０℃／分で２３℃から５００℃まで昇温させた際の各温度における光重合開始剤の質量を表す）
により算出した質量減少率が１０％となる温度が２５０℃以上のものである、電子部品の製造方法。
　（２）．光重合開始剤がエタノン，１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］－，１－（Ｏ－アセチルオキシム）、２，４，６－トリメチルベンゾイル－ジフェニル－フォスフィンオキサイド、及び２－ヒドロキシ－１－｛４－［４－（２－ヒドロキシ－２－メチル－プロピオニル）－ベンジル］－フェニル｝－２－メチル－プロパン－１－オンである、（１）記載の電子部品の製造方法。
　（３）．粘着剤が（メタ）アクリル酸エステル重合体１００質量部と紫外線重合性化合物５質量部以上２００質量部以下と多官能イソシアネート硬化剤０．５質量部以上２０質量部以下と光重合開始剤０．１質量部以上２０質量部以下を有する、（１）又は（２）記載の電子部品の製造方法。
　（４）．接着剤半硬化層形成工程におけるペースト状接着剤が少なくともエポキシ樹脂及び／又は（メタ）アクリル酸エステルを有する（１）ないし（３）のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。
　本発明の電子部品の製造方法によれば、粘着シートの粘着層を構成する粘着剤を特定の組成とすることにより、半導体ウエハ側に形成した接着剤半硬化層に対する汚染防止性を向上することができ、かくして、チップとリードフレーム等との接着不良を抑制することができる。
　また、本発明の電子部品の製造方法によれば、汚染防止性に加えて、ダイシングによるチップ飛びが少なく、かつ、ピックアップ時における粘着シートと接着剤半硬化層との間の剥離が容易である。
＜用語の説明＞
　単量体単位とは単量体に由来する構造単位を意味する。「部」及び「％」は質量基準である。（メタ）アクリレートとはアクリレート及びメタアクリレートの総称である。（メタ）アクリル酸等の（メタ）を含む化合物等も同様に、名称中に「メタ」を有する化合物と「メタ」を有さない化合物の総称である。
＜電子部品の製造方法＞
　本発明に係る電子部品の製造方法は、次の手順（１）～（４）を含む。
（１）ウエハの裏面にペースト状接着剤を全面塗布して放射線照射又は加熱してペースト状接着剤をシート状に半硬化させる接着剤半硬化層形成工程、
（２）ウエハに形成された接着剤半硬化層とリングフレームを粘着シートの粘着層に貼り付けて固定する貼付工程、
（３）ダイシングブレードでウエハを接着剤半硬化層ごとダイシングして半導体チップにするダイシング工程、
（４）放射線を照射した後に接着剤半硬化層付きチップを粘着シートの粘着層からピックアップするピックアップ工程。
　以下、各工程について説明する。
＜（１）接着剤半硬化層形成工程＞
　接着剤半硬化層は、典型的には、ウエハの裏面、すなわちリードフレーム又は回路基板と接着させるための回路非形成面に、ペースト状接着剤を全面塗布し、これを放射線照射又は加熱してシート状に半硬化させることによって形成できる。
　接着剤半硬化層を構成するペースト状接着剤としては、（メタ）アクリル酸エステル、ポリアミド、ポリエチレン、ポリスルホン、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリアミド酸、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ゴム、フッ素ゴム及びフッ素樹脂の単体又はこれらの混合物、共重合体がある。チップとの接着信頼性の面からエポキシ樹脂及び／又は（メタ）アクリル酸エステルを含むことが好ましい。ペースト状接着剤には、光重合開始剤、加熱重合開始剤、帯電防止剤、架橋剤、架橋促進剤、フィラーなどを添加してもよい。
　ウエハの裏面にペースト状接着剤を全面塗布する方法は特に限定されず、例えばグラビアコーター、コンマコーター、バーコーター、ナイフコーター、ロールコーター、凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷、スクリーン印刷、スプレー、スピンコートなどを採用できる。
　ペースト状接着剤を塗布した後に半硬化させて接着剤半硬化層を形成する方法は放射線照射又は加熱である。放射線の種類は特に限定されず、公知のものが使用できる。紫外線により接着剤半硬化層を形成する場合は、紫外線の光源は特に限定されず、公知のものが使用できる。紫外線源として、ブラックライト、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、メタルハライドランプ、エキシマランプ等が挙げられる。紫外線の照射光量は特に限定されず、ペースト状接着剤の設計により適宜選択できるが、一般的には１００ｍＪ／ｃｍ２以上５０００ｍＪ／ｃｍ２未満が好ましい。照射光量が少ないとペースト状接着剤の硬化が不十分になってピックアップ性に劣る傾向にあり、照射光量が多いとＵＶ照射時間の長期化により作業性が低下するためである。
　加熱により接着剤半硬化層を形成する場合は、加熱温度は特に限定されず、ペースト状接着剤の設計により適宜選択できるが、一般的には６０℃以上２５０℃未満が好ましい。加熱温度が低すぎるとペースト状接着剤の硬化が不十分になってピックアップ性に劣る傾向にあり、加熱温度が高すぎるとペースト状接着剤の硬化が進行しすぎて接着力が低下するためである。加熱時間も同様に特に限定されず、ペースト状接着剤の設計により適宜選択できるが、一般的には１０秒以上３０分未満が好ましい。
　接着剤半硬化層の厚みは、３μｍ以上１００μｍが好ましく、５μｍ以上２０μｍ以下が特に好ましい。
＜（２）貼付工程＞
　貼付工程は、ウエハに形成された接着剤半硬化層とリングフレームを粘着シートの粘着層に貼り付けて固定する工程であり、一般的にはローラーを備えたテープマウンター装置を用いて行うことができる。貼付工程において使用する粘着シートは、基材フィルムと、基材フィルムの一方の面に積層された粘着層とを有する。
［基材フィルム］
　基材フィルムは、特に限定されるものではなく公知の樹脂材料を用いることができる。具体的には、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸－アクリル酸エステルフィルム、エチレン－エチルアクリレート共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、プロピレン系共重合体、エチレン－アクリル酸共重合体、及び、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体やエチレン－（メタ）アクリル酸－（メタ）アクリル酸エステル共重合体等を金属イオンで架橋したアイオノマ樹脂を挙げることができる。基材フィルムは、これら樹脂の混合物、共重合体又はこれらの積層物であっても良い。
　なかでも基材フィルムとしてはプロピレン系共重合体が好ましい。プロピレン系共重合体を採用することにより、半導体ウエハを切断する際に発生する切り屑を抑制することができる。プロピレン系共重合体としては、例えばプロピレンと他成分とのランダム共重合体、プロピレンと他成分とのブロック共重合体、プロピレンと他成分との交互共重合体がある。他成分としては、エチレン、１－ブテン、１－ペンテン、１－ヘキセン、１－ヘプテン等のα－オレフィン、少なくとも２種以上のα－オレフィンからなる共重合体、スチレン－ジエン共重合体等が挙げられる。これらの中でも１－ブテンが好ましい。
　プロピレン系共重合体を重合する方法としては、例えば溶媒重合法、バルク重合法、気相重合法、逐次重合方法等が挙げられるが、一段目でプロピレン単独重合体又はプロピレンと少量のエチレン及び／又はα－オレフィンとのランダム共重合体を製造後、二段目以降でα－オレフィンの単独重合体又はプロピレンと少量のエチレン及び／又はα－オレフィンとのランダム共重合体を製造する、少なくとも二段以上の逐次重合方法が好ましい。
　基材フィルムには、帯電防止処理を施すのが好ましい。帯電防止処理をすることによって、接着剤半硬化層剥離時における帯電を防止することができる。帯電防止処理としては、（１）基材フィルムを構成する組成物に帯電防止剤を配合する処理、（２）基材フィルムの粘着層側の面に帯電防止剤を塗布する処理、（３）コロナ放電による帯電処理がある。帯電防止剤としては、四級アミン塩単量体等がある。
　四級アミン塩単量体としては、例えばジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート四級塩化物、ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート四級塩化物、メチルエチルアミノエチル（メタ）アクリレート四級塩化物、ｐ－ジメチルアミノスチレン四級塩化物、及びｐ－ジエチルアミノスチレン四級塩化物があり、ジメチルアミノエチルメタクリレート四級塩化物が好ましい。
［粘着層］
　粘着層は、基材フィルム上に粘着剤を塗布して形成される。粘着層を構成する粘着剤は、（メタ）アクリル酸エステル共重合体と紫外線重合性化合物と多官能イソシアネート硬化剤と光重合開始剤を含有する。
〔（メタ）アクリル酸エステル共重合体〕
　（メタ）アクリル酸エステル共重合体は、（メタ）アクリル酸エステルの単量体のみの共重合体、又は、（メタ）アクリル酸エステルの単量体とビニル化合物単量体との共重合体である。
　（メタ）アクリル酸エステルの単量体としては、例えばブチル（メタ）アクリレート、２－ブチル（メタ）アクリレート、ｔ－ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、ミリスチル（メタ）アクリレート、セチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボロニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、メトキシエチル（メタ）アクリレート、エトキシエチル（メタ）アクリレート、ブトキシメチル（メタ）アクリレート及びエトキシ－ｎ－プロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレートがある。
　ビニル化合物単量体としては、カルボキシル基、エポキシ基、アミド基、アミノ基、メチロール基、スルホン酸基、スルファミン酸基又は（亜）リン酸エステル基といった官能基群の１種以上を有する官能基含有単量体がある。
　カルボキシル基を有する単量体としては、例えば（メタ）アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、無水マレイン酸、イタコン酸、フマール酸、アクリルアミドＮ－グリコール酸、及びケイ皮酸等が挙げられる。
　エポキシ基を有する単量体としては、例えばアリルグリシジルエーテル及び（メタ）アクリル酸グリシジルエーテルがある。
　アミド基を有する単量体としては、例えば（メタ）アクリルアミドがある。
　アミノ基を有する単量体としては、例えばＮ，Ｎ－ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレートがある。
　メチロール基を有する単量体としては、例えばＮ－メチロールアクリルアミドがある。
　（メタ）アクリル酸エステル共重合体の製造方法としては、乳化重合、溶液重合がある。
〔紫外線重合性化合物〕
　紫外線重合性化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４－ブチレングリコールジアクリレート、１，６－ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、シアヌル酸トリエチルアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレートなどが用いられる。
　さらに紫外線重合性化合物として、上記のようなアクリレート系化合物の他に、ウレタンアクリレートオリゴマを用いることもできる。
　ウレタンアクリレートオリゴマは、ポリエステル型又はポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアネート化合物、例えば２,４－トリレンジイソシアネート、２,６－トリレンジイソシアネート、１,３－キシレンジイソシアネート、１,４－キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン４,４－ジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネートなどを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマに、ヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレート、例えば２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、グリシドールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレートなどを反応させて得られる。
　紫外線重合性化合物としては、ビニル基を４個以上有するウレタンアクリレートオリゴマが紫外線照射による紫外線硬化型粘着剤を十分に硬化させることができ、粘着シートと接着剤半硬化層とが容易に剥離し、良好なピックアップ性を得られるので好ましい。
　紫外線重合性化合物の配合量は、（メタ）アクリル酸エステル共重合体１００質量部に対して５質量部以上２００質量部以下とすることが好ましい。紫外線重合性化合物の配合量が少なすぎると、放射線照射後に粘着シートから接着剤半硬化層が剥離し難しくなり、半導体チップのピックアップ性に関する問題が生じやすくなる。紫外線重合性化合物の配合量が多すぎると、ダイシング時に糊の掻き上げによりピックアップ不良が生じ易くなるとともに、反応残渣による微小な糊残りが生じ接着剤半硬化層が汚染されるため、接着剤半硬化層が付着した半導体チップをリードフレーム上に接着した後に、加温時の接着不良が生じ易くなる。
〔多官能イソシアネート硬化剤〕
　多官能イソシアネート硬化剤は、イソシアネート基を２個以上有するものであり、例えば芳香族ポリイソシアネート、脂肪族ポリイソシアネート、脂環族ポリイソシアネートがある。
　芳香族ポリイソシアネートとしては、例えば１，３－フェニレンジイソシアネート、４，４’－ジフェニルジイソシアネート、１，４－フェニレンジイソシアネート、４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート、２，４－トリレンジイソシアネート、２，６－トリレンジイソシアネート、４，４’－トルイジンジイソシアネート、２，４，６－トリイソシアネートトルエン、１，３，５－トリイソシアネートベンゼン、ジアニシジンジイソシアネート、４，４’－ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４’，４”－トリフェニルメタントリイソシアネート、ω，ω’－ジイソシアネート－１，３－ジメチルベンゼン、ω，ω’－ジイソシアネート－１，４－ジメチルベンゼン、ω，ω’－ジイソシアネート－１，４－ジエチルベンゼン、１，４－テトラメチルキシリレンジイソシアネート及び１，３－テトラメチルキシリレンジイソシアネートがある。
　脂肪族ポリイソシアネートとしては、例えばトリメチレンジイソシアネート、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ペンタメチレンジイソシアネート、１，２－プロピレンジイソシアネート、２，３－ブチレンジイソシアネート、１，３－ブチレンジイソシアネート、ドデカメチレンジイソシアネート及び２，４，４－トリメチルヘキサメチレンジイソシアネートがある。
　脂環族ポリイソシアネートとしては、例えば３－イソシアネートメチル－３，５，５－トリメチルシクロヘキシルイソシアネート、１，３－シクロペンタンジイソシアネート、１，３－シクロヘキサンジイソシアネート、１，４－シクロヘキサンジイソシアネート、メチル－２，４－シクロヘキサンジイソシアネート、メチル－２，６－シクロヘキサンジイソシアネート、４，４’－メチレンビス（シクロヘキシルイソシアネート）、１，４－ビス（イソシアネートメチル）シクロヘキサン及び１，４－ビス（イソシアネートメチル）シクロヘキサンがある。
　上述のポリイソシアネートのうち、１，３－フェニレンジイソシアネート、４，４’－ジフェニルジイソシアネート、１，４－フェニレンジイソシアネート、４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート、２，４－トリレンジイソシアネート、２，６－トリレンジイソシアネート、４，４’－トルイジンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネートが好ましい。
　多官能イソシアネート硬化剤の配合比は、（メタ）アクリル酸エステル共重合体１００質量部に対して０．５質量部以上２０質量部以下が好ましく、下限としては１．０質量部以上、上限としては１０質量部以下がより好ましい。多官能イソシアネート硬化剤が０．５質量部以上であれば、粘着力が強すぎないので、ピックアップ不良の発生を抑制することができる。多官能イソシアネート硬化剤が２０質量部以下であれば、粘着強度が低すぎることがないため、ダイシング時に半導体チップの保持性が維持される。
〔光重合開始剤〕
　光重合開始剤は、温度２３℃から、１０℃／分の昇温速度で５００℃まで昇温させた場合に、昇温前質量（２５℃における光重合開始剤の質量）に対する質量減少率が１０％となる温度が２５０℃以上のものである。このような光重合開始剤としては、エタノン，１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］－，１－（Ｏ－アセチルオキシム）（ＢＡＳＦジャパン社製、製品名ＩＲＧＡＣＵＲＥ　ＯＸＥ０２）、２，４，６－トリメチルベンゾイル－ジフェニル－フォスフィンオキサイド（ＢＡＳＦジャパン社製、製品名ＬＵＣＩＲＩＮ　ＴＰＯ）、及び２－ヒドロキシ－１－｛４－［４－（２－ヒドロキシ－２－メチル－プロピオニル）－ベンジル］－フェニル｝－２－メチル－プロパン－１－オン（ＢＡＳＦジャパン社製、製品名ＩＲＧＡＣＵＲＥ１２７）、２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルフォリノフェニル）－ブタノン－１（ＢＡＳＦジャパン社製、製品名ＩＲＧＡＣＵＲＥ３６９）、２－ジメチルアミノ－２－（４－メチル－ベンジル）－１－（４－モルフォリンー４－イル－フェニル）－ブタン－１－オン（ＢＡＳＦジャパン社製、製品名ＩＲＧＡＣＵＲＥ３７９）、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）－フェニルフォスフィンオキサイド（ＢＡＳＦジャパン社製、製品名ＩＲＧＡＣＵＲＥ８１９）等が挙げられる。特に、質量減少率が１０％となる温度が２７０℃以上である、エタノン，１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］－，１－（Ｏ－アセチルオキシム）（ＢＡＳＦジャパン社製、製品名ＩＲＧＡＣＵＲＥ　ＯＸＥ０２）、２，４，６－トリメチルベンゾイル－ジフェニル－フォスフィンオキサイド（ＢＡＳＦジャパン社製、製品名ＬＵＣＩＲＩＮ　ＴＰＯ）、及び２－ヒドロキシ－１－｛４－［４－（２－ヒドロキシ－２－メチル－プロピオニル）－ベンジル］－フェニル｝－２－メチル－プロパン－１－オン（ＢＡＳＦジャパン社製、製品名ＩＲＧＡＣＵＲＥ１２７）が好ましい。質量減少率が１０％となる温度が２５０℃以上であることにより、ダイシング、ピックアップ後に得られた接着剤半硬化層付きのチップをリードフレームに接着し、封止樹脂でモールディングし、２６０℃前後で加温工程を行う際に、リードフレームと接着剤半硬化層との間の接着不良を抑制することができる。
　光重合開始剤の配合量は、好ましくは、（メタ）アクリル酸エステル重合体１００質量部に対して０．１質量部以上２０質量部以下である。この配合量が少なすぎると放射線照射後に粘着シートから接着剤半硬化層を容易に剥離できなくなって半導体チップのピックアップ性の低下が生じる傾向にある。この割合が多すぎると、粘着層表面へのブリードアウトにより接着剤半硬化層の汚染を抑制できなくなり、接着剤半硬化層が付着した半導体チップをリードフレーム上に搭載した後、加温時に接着不良を生じ易くなる傾向にある。
　粘着剤には、他の素材に影響を与えない範囲で、シリコーン重合体に代表される剥離付与剤、軟化剤、老化防止剤、充填剤、紫外線吸収剤及び光安定剤等の添加剤を添加することができる。
　粘着層の厚みは、３μｍ以上１００μｍが好ましく、５μｍ以上２０μｍ以下が特に好ましい。
＜（３）ダイシング工程＞
　ダイシング工程は、ダイシング装置を用い、ダイヤモンド砥粒を含有するダイシングブレ―ドを高速回転させることにより、シリコンウエハを接着剤半硬化層ごと半導体チップに切断する工程である。ダイシング装置及びダイシング条件は一般に用いられているものを使用することができる。
＜（４）ピックアップ工程＞
　ピックアップ工程は、粘着シートの粘着層に放射線を照射することにより粘着層と接着剤半硬化層との間の粘着力を低下させ、接着剤半硬化層が付着した半導体チップを粘着層から剥離する工程である。放射線の種類は特に限定されず、公知のものが使用できる。紫外線により粘着力を低下させる場合は、紫外線源として、ブラックライト、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、メタルハライドランプ、エキシマランプ等が挙げられる。
　紫外線の照射光量は特に限定されず、粘着剤の設計により適宜選択できるが、一般的には５ｍＪ／ｃｍ２以上１０００ｍＪ／ｃｍ２未満が好ましい。照射光量が少ないと粘着剤の硬化が不十分になってピックアップ性に劣る傾向にあり、照射光量が多いとＵＶ照射時間の長期化により作業性が低下するためである。
　接着剤半硬化層付き半導体チップを粘着層から剥離するときには、一般的にピックアップ装置、又はダイボンディング装置を用いる。
　本実施形態の電子部品の製造方法は、上述の粘着シートを用いているため、接着剤半硬化層の汚染を低減することができ、その結果、チップとリードフレーム等との間の接着不良を生じにくく、しかも、上記（４）ピックアップ工程において接着剤半硬化層付き半導体チップを粘着シートから容易に剥離してピックアップすることができ、また、上記（３）ダイシング工程においてチップ飛びの発生を低減することができる。
　以下に記載する基材フィルムと、粘着剤から構成される粘着層とを用いて、実施例及び比較例に使用する種々の粘着シートを製造した。
＜基剤フィルム＞
　基材フィルムは、実施例及び比較例の全てにおいて、サンアロマー社製プロピレン系共重合体（品番：Ｘ５００Ｆ）を用いた。このフィルムのＭＦＲ（メルトフローレート）値は７．５ｇ／１０分、密度は０．８９ｇ／ｃｍ３、厚さは８０μｍである。
＜粘着層＞
　粘着層は、以下に記載する（メタ）アクリル酸エステル共重合体、紫外線重合性化合物、多官能イソシアネート硬化剤及び光重合開始剤を含有する粘着剤を用いて形成した。
〔（メタ）アクリル酸エステル共重合体〕
　Ａ－１：綜研化学社製ＳＫダイン１４９６；２－エチルヘキシルアクリレート９６％、２－ヒドロキシエチルアクリレート４％の共重合体であり、溶液重合により得られる。
　Ａ－２：日本ゼオン社製アクリルゴムＡＲ５３Ｌ；エチルアクリレート４０％、ブチルアクリレート２３％、メトキシエチルアクリレート３７％の共重合体であり、乳化重合により得られる。
〔紫外線重合性化合物〕
　Ｂ－１：根上工業社製ＵＮ－３３２０ＨＳ；イソホロンジイソシアネートの三量体にジペタエリスリトールペンタアクリレートを反応させたものであり、ビニル基の数が１５個。
　Ｂ－２：新中村化学社製Ａ－ＴＭＰＴ；トリメチロールプロパントリアクリレート、ビニル基の数が３個。
〔多官能イソシアネート硬化剤〕
　Ｃ－１：日本ポリウレタン社製コロネートＬ－４５Ｅ；２，４－トリレンジイソシアネートのトリメチロールプロパンアダクト体。
〔光重合開始剤〕
　Ｄ－１：ＢＡＳＦジャパン社製ＩＲＧＡＣＵＲＥ　ＯＸＥ０２；エタノン,１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］－，１－（Ｏ－アセチルオキシム）。質量減少率が１０％となる温度は３２０℃。
　Ｄ－２：ＢＡＳＦジャパン社製ＬＵＣＩＲＩＮ　ＴＰＯ；２，４，６－トリメチルベンゾイル－ジフェニル－フォスフィンオキサイド。質量減少率が１０％となる温度は２７０℃。
　Ｄ－３：ＢＡＳＦジャパン社製ＩＲＧＡＣＵＲＥ１２７；２－ヒドロキシ－１－｛４－［４－（２－ヒドロキシ－２－メチル－プロピオニル）－ベンジル］－フェニル｝－２－メチル－プロパン－１－オン。質量減少率が１０％となる温度は２７５℃。
　Ｄ－４：ＢＡＳＦジャパン社製ＩＲＧＡＣＵＲＥ３７９；２－ジメチルアミノ－２－（４－メチル－ベンジル）－１－（４－モルフォリンー４－イル－フェニル）－ブタン－１－オン。質量減少率が１０％となる温度は２６５℃。
　Ｄ－５：ＢＡＳＦジャパン社製ＩＲＧＡＣＵＲＥ６５１；ベンジルジメチルケタール。質量減少率が１０％となる温度は１８５℃。
＜光重合開始剤の質量減少率の測定方法＞
　光重合開始剤の質量減少率は、２５℃の環境下で光重合開始剤の質量（昇温前質量）を測定した後、光重合開始剤を、示差熱・熱重量同時測定装置［ＴＧ／ＤＴＡ同時測定装置、セイコー製、ＴＧ／ＤＴＡ２２０］を用いて、昇温速度１０℃／分で２３℃から５００℃まで昇温し、各温度における光重合開始剤の質量（昇温後質量）を測定し、次式により算出した。各光重合開始剤について質量減少率が１０％となる温度を調べた。
　質量減少率＝{(昇温前質量－昇温後質量)／(昇温前質量)}×１００(％)
＜粘着シートの製造＞
　粘着剤を、ポリエチレンテレフタレート製のセパレータフィルム上に、乾燥後の粘着層の厚みが１０μｍとなるように塗工した。この粘着層を基材フィルムに積層し、４０℃で７日間熟成させ、セパレータフィルム付き粘着シートを得た。
＜粘着シートの評価＞
　以下の工程（１）～（４）により、シリコンウエハに接着剤半硬化層を形成し、上記の粘着シートを用いてシリコンウエハを固定し、ダイシングし、半導体チップをピックアップして、チップ保持性、ピックアップ性及び汚染防止性について評価を行った。
（１）接着剤半硬化層形成工程：ダミーの回路パターンを形成した直径８インチ×厚さ０．１ｍｍのシリコンウエハの裏面にエポキシ樹脂及びアクリル酸エステルを主成分とするペースト状接着剤をスクリーン印刷により全面塗布し、紫外線を照射光量１０００ｍＪ／ｃｍ２照射し、厚み３０μｍのシート状に半硬化させた。
（２）貼付工程：シリコンウエハの裏面に形成された接着剤半硬化層とリングフレームを粘着シートの粘着層に貼り付けて固定した。
（３）ダイシング工程：ダイシングブレードでシリコンウエハを接着剤半硬化層ごと９ｍｍ×９ｍｍの半導体チップに切断した。ダイシング工程は以下の装置及び条件で行った。
　ダイシング装置：ＤＩＳＣＯ社製ＤＡＤ３４１
　ダイシングブレード：ＤＩＳＣＯ社製ＮＢＣ－ＺＨ２０５Ｏ－２７ＨＥＥＥ
　ダイシングブレード形状：外径５５．５６ｍｍ、刃幅３５μｍ、内径１９．０５ｍｍ
　ダイシングブレード回転数：４０，０００ｒｐｍ
　ダイシングブレード送り速度：５０ｍｍ／秒
　粘着シートへの切り込み量：１５μｍ
　切削水温度：２５℃
　切削水量　：１．０Ｌ／分
（４）ピックアップ工程：高圧水銀灯にて紫外線を１５０ｍＪ／ｃｍ２照射し、接着剤半硬化層付きチップを粘着層からピックアップした。ピックアップ工程は以下の装置及び条件で行った。
　ピックアップ装置：キヤノンマシナリー社製ＣＡＰ－３００ＩＩ
　ニードルピン形状：２５０μｍＲ
　ニードルピン突き上げ高さ：０．５ｍｍ
　エキスパンド量：８ｍｍ
＜チップ保持性＞
　チップ保持性は、ダイシング工程後において、粘着シートに保持されている半導体チップの残存率で評価した。
◎（優）：チップ飛びが５％未満。
○（良）：チップ飛びが５％以上１０％未満。
×（不可）：チップ飛びが１０％以上。
＜ピックアップ性＞
　ピックアップ性は、ピックアップ工程においてピックアップできたチップの比率で評価した。
◎（優）：９５％以上のチップがピックアップできた。
○（良）：８０％以上９５％未満のチップがピックアップできた。
×（不可）：８０％未満のチップがピックアップできた。
＜汚染防止性＞
　汚染防止性を評価するために、接着剤半硬化層のアウトガス量を測定した。粘着シートの粘着層に接着剤半硬化層を貼り付けて、２週間保管後に高圧水銀灯で紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ２照射した後、粘着シートから接着剤半硬化層を剥離した。この剥離した接着剤半硬化層から発生する光重合開始剤由来のアウトガス量を評価した。アウトガス量は、剥離した接着剤半硬化層３ｍｇをアウトガス測定用のバイアルに封入し、ヘッドスペースサンプラーを用いて２５０℃で３０分間保持したのち、ＧＣ－ＭＳに導入して測定した。
◎（優）：光重合開始剤由来のアウトガス量２００μｇ／ｇ未満。
○（良）：光重合開始剤由来のアウトガス量２００μｇ／ｇ以上８００μｇ／ｇ未満。
×（不可）：光重合開始剤由来のアウトガス量８００μｇ／ｇ以上。
　粘着層を構成する粘着剤の組成及び評価結果を表１に示す。表１において、粘着層を構成する粘着剤の組成を表す数値は質量部である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に示されるとおり、粘着シートの粘着層を構成する粘着剤を特定の組成とすることにより、半導体ウエハ側に形成した接着剤半硬化層に対する汚染防止性を向上することができ、しかも、チップ保持性及びピックアップ性にも優れていた。

Claims (5)

  1. 　ウエハの裏面にペースト状接着剤を全面塗布して放射線照射又は加熱してペースト状接着剤をシート状に半硬化させる接着剤半硬化層形成工程、ウエハに形成された接着剤半硬化層とリングフレームを粘着シートの粘着層に貼り付けて固定する貼付工程、ダイシングブレードでウエハを接着剤半硬化層ごとダイシングして半導体チップにするダイシング工程、放射線を照射した後に接着剤半硬化層付きチップを粘着層からピックアップするピックアップ工程を含み、
    粘着シートが基材フィルムと、基材フィルムの一方の面に積層された粘着層とを有し、
    粘着層を構成する粘着剤が（メタ）アクリル酸エステル共重合体と紫外線重合性化合物と多官能イソシアネート硬化剤と光重合開始剤を有し、
    光重合開始剤が、次式：
    　質量減少率＝{(昇温前質量－昇温後質量)／(昇温前質量)}×１００(％)
    （式中、
    昇温前質量は２５℃における光重合開始剤の質量を表し、
    昇温後質量は昇温速度１０℃／分で２３℃から５００℃まで昇温させた際の各温度における光重合開始剤の質量を表す）
    により算出した質量減少率が１０％となる温度が２５０℃以上のものである、電子部品の製造方法。
  2. 　光重合開始剤がエタノン，１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］－，１－（Ｏ－アセチルオキシム）、２，４，６－トリメチルベンゾイル－ジフェニル－フォスフィンオキサイド、及び２－ヒドロキシ－１－｛４－［４－（２－ヒドロキシ－２－メチル－プロピオニル）－ベンジル］－フェニル｝－２－メチル－プロパン－１－オンである、請求項１記載の電子部品の製造方法。
  3. 　粘着剤が（メタ）アクリル酸エステル重合体１００質量部と紫外線重合性化合物５質量部以上２００質量部以下と多官能イソシアネート硬化剤０．５質量部以上２０質量部以下と光重合開始剤０．１質量部以上２０質量部以下を有する、請求項１又は２記載の電子部品の製造方法。
  4. 　接着剤半硬化層形成工程におけるペースト状接着剤が少なくともエポキシ樹脂及び／又は（メタ）アクリル酸エステルを有する請求項１ないし３のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。
  5. 　ウエハの裏面に形成された接着剤半硬化層に貼り付けて用いられる電子部品製造用粘着シートであって、
    　基材フィルムと、基材フィルムの一方の面に積層された粘着層とを有し、
    粘着層を構成する粘着剤が（メタ）アクリル酸エステル共重合体と紫外線重合性化合物と多官能イソシアネート硬化剤と光重合開始剤を有し、
    光重合開始剤が、次式：
    　質量減少率＝{(昇温前質量－昇温後質量)／(昇温前質量)}×１００(％)
    （式中、
    昇温前質量は２５℃における光重合開始剤の質量を表し、
    昇温後質量は昇温速度１０℃／分で２３℃から５００℃まで昇温させた際の各温度における光重合開始剤の質量を表す）
    により算出した質量減少率が１０％となる温度が２５０℃以上のものである、電子部品製造用粘着シート。
PCT/JP2011/070964 2010-10-14 2011-09-14 電子部品の製造方法 WO2012049939A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SG2013018007A SG188959A1 (en) 2010-10-14 2011-09-14 Method for manufacturing electronic component
CN201180045834.9A CN103155108B (zh) 2010-10-14 2011-09-14 电子元件的制造方法
US13/825,673 US8652942B2 (en) 2010-10-14 2011-09-14 Method for manufacturing electronic parts
KR1020137008272A KR101811190B1 (ko) 2010-10-14 2011-09-14 전자부품의 제조방법

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010231136A JP5161284B2 (ja) 2010-10-14 2010-10-14 電子部品の製造方法
JP2010-231136 2010-10-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012049939A1 true WO2012049939A1 (ja) 2012-04-19

Family

ID=45938172

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/070964 WO2012049939A1 (ja) 2010-10-14 2011-09-14 電子部品の製造方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8652942B2 (ja)
JP (1) JP5161284B2 (ja)
KR (1) KR101811190B1 (ja)
CN (1) CN103155108B (ja)
MY (1) MY160731A (ja)
SG (1) SG188959A1 (ja)
TW (1) TWI502638B (ja)
WO (1) WO2012049939A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5678228B1 (ja) * 2014-06-27 2015-02-25 積水化学工業株式会社 回路基板の処理方法及び硬化型接着剤組成物
JP2017088817A (ja) * 2015-11-17 2017-05-25 日東電工株式会社 粘着シート
JP2017119795A (ja) * 2015-12-28 2017-07-06 三星エスディアイ株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ ＳＤＩ Ｃｏ． 粘着剤組成物および粘着シート

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5468523B2 (ja) * 2010-11-11 2014-04-09 電気化学工業株式会社 粘着剤、粘着シート及び電子部品の製造方法。
JP2014003156A (ja) * 2012-06-19 2014-01-09 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
JP2014033177A (ja) * 2012-07-12 2014-02-20 Denso Corp 半導体装置の製造方法
JP6028459B2 (ja) * 2012-08-24 2016-11-16 日立化成株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP6506756B2 (ja) * 2014-07-14 2019-04-24 デンカ株式会社 粘着シート、電子部品の製造方法
JP6088701B1 (ja) * 2016-10-06 2017-03-01 株式会社きもと レーザーダイシング用補助シート
JP2018117049A (ja) * 2017-01-18 2018-07-26 株式会社ディスコ パッケージデバイスの製造方法
JP7091696B2 (ja) * 2018-02-20 2022-06-28 株式会社デンソー 物理量センサおよび半導体装置
JP7401580B2 (ja) 2022-02-25 2023-12-19 株式会社安川電機 端子台、電気機器

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006264296A (ja) * 2005-02-23 2006-10-05 Nitto Denko Corp 多層シートとその製造方法及びこの多層シートを用いた粘着シート
JP2007246633A (ja) * 2006-03-15 2007-09-27 Denki Kagaku Kogyo Kk 多層粘着シート、多層粘着シート用の粘着シート、及び多層粘着シートを用いた電子部品の製造方法。
JP2008001817A (ja) * 2006-06-23 2008-01-10 Denki Kagaku Kogyo Kk 粘着剤、粘着剤を用いた粘着シート、粘着シートを用いた多層粘着シート、及び多層粘着シートを用いた電子部品の製造方法。
JP2009141009A (ja) * 2007-12-04 2009-06-25 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2010100686A (ja) * 2008-10-21 2010-05-06 Nitto Denko Corp 自発巻回性粘着シート
JP2010219293A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070003758A1 (en) * 2004-04-01 2007-01-04 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Dicing die bonding film
JP4776189B2 (ja) 2004-08-03 2011-09-21 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープ
JP4749751B2 (ja) * 2005-04-07 2011-08-17 電気化学工業株式会社 部材の仮固定方法
CN101184783B (zh) * 2005-05-31 2011-11-30 电气化学工业株式会社 能量射线固化性树脂组合物及使用该组合物的粘接剂
CN101842455A (zh) * 2007-10-16 2010-09-22 电气化学工业株式会社 粘合剂、粘合片、多层粘合片以及生产电子部件的方法
JP2009147201A (ja) * 2007-12-17 2009-07-02 Denki Kagaku Kogyo Kk ダイシングシート、その製造方法、および電子部品の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006264296A (ja) * 2005-02-23 2006-10-05 Nitto Denko Corp 多層シートとその製造方法及びこの多層シートを用いた粘着シート
JP2007246633A (ja) * 2006-03-15 2007-09-27 Denki Kagaku Kogyo Kk 多層粘着シート、多層粘着シート用の粘着シート、及び多層粘着シートを用いた電子部品の製造方法。
JP2008001817A (ja) * 2006-06-23 2008-01-10 Denki Kagaku Kogyo Kk 粘着剤、粘着剤を用いた粘着シート、粘着シートを用いた多層粘着シート、及び多層粘着シートを用いた電子部品の製造方法。
JP2009141009A (ja) * 2007-12-04 2009-06-25 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2010100686A (ja) * 2008-10-21 2010-05-06 Nitto Denko Corp 自発巻回性粘着シート
JP2010219293A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5678228B1 (ja) * 2014-06-27 2015-02-25 積水化学工業株式会社 回路基板の処理方法及び硬化型接着剤組成物
JP2016012631A (ja) * 2014-06-27 2016-01-21 積水化学工業株式会社 回路基板の処理方法及び硬化型接着剤組成物
JP2017088817A (ja) * 2015-11-17 2017-05-25 日東電工株式会社 粘着シート
JP2017119795A (ja) * 2015-12-28 2017-07-06 三星エスディアイ株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ ＳＤＩ Ｃｏ． 粘着剤組成物および粘着シート

Also Published As

Publication number Publication date
JP5161284B2 (ja) 2013-03-13
SG188959A1 (en) 2013-05-31
JP2012084759A (ja) 2012-04-26
KR101811190B1 (ko) 2017-12-21
KR20130142111A (ko) 2013-12-27
US20130183812A1 (en) 2013-07-18
CN103155108A (zh) 2013-06-12
MY160731A (en) 2017-03-15
TWI502638B (zh) 2015-10-01
CN103155108B (zh) 2016-02-10
US8652942B2 (en) 2014-02-18
TW201216346A (en) 2012-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5161284B2 (ja) 電子部品の製造方法
JP5859193B2 (ja) 多層粘着シート及び電子部品の製造方法
JP5178732B2 (ja) 粘着剤、粘着シート、多層粘着シート及び電子部品の製造方法
TWI500728B (zh) 黏著薄片及電子零件
KR102152605B1 (ko) 보호막 형성용 필름
JP5161283B2 (ja) 電子部品の製造方法
TW201100509A (en) Adhesive agent, adhesive sheet and production method of electronic component
JP6506744B2 (ja) 半導体検査用の耐熱性粘着シート、及び半導体検査方法
TWI683881B (zh) 切割片與半導體晶片之製造方法
WO2014199993A1 (ja) 半導体検査用の耐熱性粘着シート
JP7409029B2 (ja) 半導体装置の製造方法、並びにダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法
WO2011077835A1 (ja) 粘着シート及び電子部品の製造方法
JP5890405B2 (ja) 粘着シートおよび電子部品の製造方法
TW200949922A (en) Dicing method
TWI566282B (zh) Cut the adhesive sheet
JP5468523B2 (ja) 粘着剤、粘着シート及び電子部品の製造方法。
JP5210346B2 (ja) 粘着シート及び電子部品の製造方法
JP2011089073A (ja) 粘着剤、粘着シート、多層粘着シート及び電子部品の製造方法
WO2014200071A1 (ja) 粘着シート
JP5016703B2 (ja) 粘着シート及び電子部品の製造方法
TW201722723A (zh) 黏著薄片
JP2023137425A (ja) ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及び半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201180045834.9

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11832377

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12013500426

Country of ref document: PH

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13825673

Country of ref document: US

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20137008272

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11832377

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1