TWI500250B - Rectifier device - Google Patents

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TWI500250B
TWI500250B TW103107050A TW103107050A TWI500250B TW I500250 B TWI500250 B TW I500250B TW 103107050 A TW103107050 A TW 103107050A TW 103107050 A TW103107050 A TW 103107050A TW I500250 B TWI500250 B TW I500250B
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Masafumi Otsuka
Hirotoshi Aizawa
Toru Takayama
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Toshiba Kk
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Description

整流裝置 [參照相關申請案]
本申請案係享受2013年6月26日所申請之日本專利申請號2013-134096之優先權的利益，該日本專利申請案之所有內容被援用在本申請案中。
本發明之實施形態係關於整流裝置。
為改善習知之同步整流裝置的損失，若降低接通電阻時，整流動作變得較難，會有發生逆流的問題。以其逆流對策而言，有一種強制高側(High Side)的pMOS電晶體作為二極體使用者。在該習知之整流裝置中，藉由pMOS電晶體的寄生元件流通電流，效率會惡化。
本發明所欲解決之課題在提供一種可一面抑制來自輸出端子的逆流，一面使效率提升的整流裝置。
實施形態的無線供電系統係接受由送電裝置藉由無線 供電所被傳送的電力，將所得電流進行整流而輸出的整流裝置，其特徵為：具備有：受電線圈，其係被連接在第1受電端子與第2受電端子之間，與前述送電裝置的送電線圈作電磁耦合；受電電容器，其係在前述第1受電端子與前述第2受電端子之間，與前述受電線圈作串聯連接；第1pMOS電晶體，其係源極被連接在輸出端子，汲極被連接在前述第1受電端子；第2pMOS電晶體，其係源極被連接在前述輸出端子，汲極被連接在前述第2受電端子；第1nMOS電晶體，其係汲極被連接在前述第1受電端子，源極被連接在固定電位；第2nMOS電晶體，其係汲極被連接在前述第2受電端子，源極被連接在前述固定電位；電流檢測電路，其係檢測流至連接負荷的負荷端子與前述輸出端子之間的負荷電流，輸出對應將前述負荷電流與所被設定的臨限值進行比較後的結果的電流檢測訊號；第1電壓檢測電路，其係檢測前述第1受電端子與前述固定電位之間或前述輸出端子與前述第1受電端子之間的電壓；第2電壓檢測電路，其係若前述第1電壓檢測電路檢測前述第1受電端子與前述固定電位之間的電壓時，檢測前述第2受電端子與前述固定電位之間的電壓，此外，若 前述第1電壓檢測電路檢測前述輸出端子與前述第1受電端子之間的電壓時，檢測前述輸出端子與前述第2受電端子之間的電壓；第1控制電路，其係根據前述第2電壓檢測電路的檢測結果，控制前述第1pMOS電晶體；第2控制電路，其係根據前述第1電壓檢測電路的檢測結果，控制前述第2pMOS電晶體；第3控制電路，其係根據前述電流檢測訊號及前述第1電壓檢測電路的檢測結果，控制前述第1nMOS電晶體；及第4控制電路，其係根據前述電流檢測訊號及前述第2電壓檢測電路的檢測結果，控制前述第2nMOS電晶體。
其他實施形態的整流裝置係將藉由第1受電端子及第2受電端子所得的電流進行整流而輸出的整流裝置，其特徵為：具備有：第1pMOS電晶體，其係源極被連接在輸出端子，汲極被連接在前述第1受電端子；第2pMOS電晶體，其係源極被連接在前述輸出端子，汲極被連接在前述第2受電端子；第1nMOS電晶體，其係汲極被連接在前述第1受電端子，源極被連接在固定電位；第2nMOS電晶體，其係汲極被連接在前述第2受電 端子，源極被連接在前述固定電位；電流檢測電路，其係檢測流至連接負荷的負荷端子與前述輸出端子之間的負荷電流，輸出對應將前述負荷電流與所被設定的臨限值進行比較後的結果的電流檢測訊號；第1電壓檢測電路，其係檢測前述第1受電端子與前述固定電位之間或前述輸出端子與前述第1受電端子之間的電壓；第2電壓檢測電路，其係若前述第1電壓檢測電路檢測前述第1受電端子與前述固定電位之間的電壓時，檢測前述第2受電端子與前述固定電位之間的電壓，此外，若前述第1電壓檢測電路檢測前述輸出端子與前述第1受電端子之間的電壓時，檢測前述輸出端子與前述第2受電端子之間的電壓；第1控制電路，其係根據前述第2電壓檢測電路的檢測結果，控制前述第1pMOS電晶體；第2控制電路，其係根據前述第1電壓檢測電路的檢測結果，控制前述第2pMOS電晶體；第3控制電路，其係根據前述電流檢測訊號及前述第1電壓檢測電路的檢測結果，控制前述第1nMOS電晶體；及第4控制電路，其係根據前述電流檢測訊號及前述第2電壓檢測電路的檢測結果，控制前述第2nMOS電晶體。
藉由上述構成之整流裝置，可一面抑制來自輸出端子 的逆流，一面使效率提升。
100‧‧‧整流裝置
101‧‧‧送電裝置
200‧‧‧整流裝置
A1‧‧‧第1AND電路
A2‧‧‧第2AND電路
AC1、AC2‧‧‧訊號波形
C1‧‧‧受電電容器
COMD‧‧‧電流檢測用比較器
COM1‧‧‧第1比較器
COM2‧‧‧第2比較器
COM3‧‧‧第3比較器
COM4‧‧‧第4比較器
COUT‧‧‧輸出電容器
CX‧‧‧變換電路
D1‧‧‧第1驅動器
D2‧‧‧第2驅動器
DI‧‧‧電流檢測電路
DV1‧‧‧第1電壓檢測電路
DV2‧‧‧第2電壓檢測電路
IN1‧‧‧第1換流器
IN2‧‧‧第2換流器
IN3‧‧‧第3換流器
IN4‧‧‧第4換流器
IN5‧‧‧第5換流器
IN6‧‧‧第6換流器
IOUT‧‧‧負荷電流
L1‧‧‧受電線圈
L2‧‧‧送電線圈
N1‧‧‧第1nMOS電晶體
N2‧‧‧第2nMOS電晶體
of1‧‧‧第1直流電源
of2‧‧‧第2直流電源
of3‧‧‧第3直流電源
of4‧‧‧第4直流電源
O1‧‧‧第1OR電路
O2‧‧‧第2OR電路
P1‧‧‧第1pMOS電晶體
P2‧‧‧第2pMOS電晶體
PGND‧‧‧接地
R‧‧‧負荷
S1‧‧‧訊號
S2‧‧‧訊號
SD‧‧‧電流檢測訊號
SW1‧‧‧第1切換元件
SW2‧‧‧第2切換元件
TAC1‧‧‧第1受電端子
TAC2‧‧‧第2受電端子
TOUT‧‧‧輸出端子
TR‧‧‧負荷端子
Vref‧‧‧基準直流電源
Vx‧‧‧變換電壓
X1‧‧‧第1控制電路
X2‧‧‧第2控制電路
X3‧‧‧第3控制電路
X4‧‧‧第4控制電路
X5‧‧‧第5控制電路
X6‧‧‧第6控制電路
Z1‧‧‧寄生二極體
Z2‧‧‧寄生二極體
Z3‧‧‧寄生二極體
Z4‧‧‧寄生二極體
圖1係顯示第1實施形態之整流裝置100之構成之一例的電路圖。
圖2係顯示整流裝置100之平常動作時之各訊號之一例的波形圖。
圖3係顯示整流裝置100之輕負荷時之各訊號之一例的波形圖。
圖4係被適用在整流裝置100之第1nMOS電晶體N1的剖面圖。
圖5係顯示第2實施形態之整流裝置200之構成之一例的電路圖。
圖6係顯示整流裝置200之平常動作時之各訊號之一例的波形圖。
圖7係顯示整流裝置200之輕負荷時之各訊號之一例的波形圖。
本發明之一態樣之整流裝置係具備有：被連接在第1受電端子與第2受電端子之間，與前述送電裝置的送電線圈作電磁耦合的受電線圈。整流裝置係具備有：在前述第1受電端子與前述第2受電端子之間，與前述受電線圈作串聯連接的受電電容器。整流裝置係具備有：源極被連接 在輸出端子，汲極被連接在前述第1受電端子的第1pMOS電晶體。整流裝置係具備有：源極被連接在前述輸出端子，汲極被連接在前述第2受電端子的第2pMOS電晶體。整流裝置係具備有：汲極被連接在前述第1受電端子，源極被連接在固定電位的第1nMOS電晶體。整流裝置係具備有：汲極被連接在前述第2受電端子，源極被連接在前述固定電位的第2nMOS電晶體。整流裝置係具備有：檢測流至連接負荷的負荷端子與前述輸出端子之間的負荷電流，輸出對應將前述負荷電流與所被設定的臨限值進行比較後的結果的電流檢測訊號的電流檢測電路。整流裝置係具備有：檢測前述第1受電端子與前述固定電位之間或前述輸出端子與前述第1受電端子之間的電壓的第1電壓檢測電路。整流裝置係具備有：若前述第1電壓檢測電路檢測前述第1受電端子與前述固定電位之間的電壓時，檢測前述第2受電端子與前述固定電位之間的電壓，此外，若前述第1電壓檢測電路檢測前述輸出端子與前述第1受電端子之間的電壓時，檢測前述輸出端子與前述第2受電端子之間的電壓的第2電壓檢測電路。整流裝置係具備有：根據前述第2電壓檢測電路的檢測結果，控制前述第1pMOS電晶體的第1控制電路。整流裝置係具備有：根據前述第1電壓檢測電路的檢測結果，控制前述第2pMOS電晶體的第2控制電路。整流裝置係具備有：根據前述電流檢測訊號及前述第1電壓檢測電路的檢測結果，控制前述第1nMOS電晶體的第3控制電路。整流裝 置係具備有：根據前述電流檢測訊號及前述第2電壓檢測電路的檢測結果，控制前述第2nMOS電晶體的第4控制電路。
[用以實施發明的形態]
以下根據圖示，說明實施形態。
[第1實施形態]
圖1係顯示第1實施形態之整流裝置100之構成之一例的電路圖。
在圖1中，送電裝置101係傳送電力。該送電裝置101係例如智慧型手機、平板PC等攜帶式機器的充電器。
此外，整流裝置(受電裝置)100係接受由送電裝置101所被輸出的電力。該整流裝置100係例如電池、或內置電池的智慧型手機、平板PC等攜帶式機器，甚至與該等機器相連接的電池充電用機器。此外亦若為接受由相對應的送電裝置101所被輸出的電力者，以整流裝置(受電裝置)100而言，則亦可為充電式的電動汽車、家電製品、適於水中應用的製品等。
在此，由送電裝置101對整流裝置(受電裝置)100的電力傳送係藉由使被設在送電裝置101的送電線圈(一次線圈)L2、及被設在整流裝置(受電裝置)100的受電線圈(二次線圈)L1作電磁耦合而形成電力傳送變壓器 來實現。藉此，可以非接觸來進行電力傳送。
如上所示，整流裝置100係接受由送電裝置101藉由無線供電所被傳送的電力，將所得電流進行整流而輸出。
在此，整流裝置100係例如圖1所示，具備有：受電線圈L1、受電電容器C1、輸出電容器COUT、第1pMOS電晶體P1、第2pMOS電晶體P2、第1nMOS電晶體N1、第2nMOS電晶體N2、電流檢測電路DI、第1電壓檢測電路DV1、第2電壓檢測電路DV2、第1控制電路X1、第2控制電路X2、第3控制電路X3、及第4控制電路X4。
受電線圈L1係被連接在第1受電端子TAC1與第2受電端子TAC2之間，與送電裝置101的送電線圈L2作電磁耦合。
在此，整流裝置100係例如將用以控制輸出電力的訊號，由受電線圈L1傳送至送電裝置101的送電線圈L2。接著，送電裝置101係由在送電線圈L2所接收到的訊號，藉由包絡線檢測，取得根據負荷電流IOUT的資訊。
受電電容器C1係在第1受電端子TAC1與第2受電端子TAC2之間與受電線圈L1作串聯連接。
輸出電容器COUT係被連接在負荷端子TR與接地PGND之間。該輸出電容器COUT係將負荷端子TR的輸出電壓平滑化。
第1pMOS電晶體P1係源極被連接在輸出端子TOUT，汲極被連接在第1受電端子TAC1。該第1pMOS 電晶體P1係包含寄生二極體Z1。接地PGND係固定電位之一例。因此，在本實施例中，接地係可置換成固定電位。
第2pMOS電晶體P2係源極被連接在輸出端子TOUT，汲極被連接在第2受電端子TAC2。該第2pMOS電晶體P2係包含寄生二極體Z2。
第1nMOS電晶體N1係汲極被連接在第1受電端子TAC1，源極被連接在接地PGND。該第1nMOS電晶體N1係包含寄生二極體Z3。
第2nMOS電晶體N2係汲極被連接在第2受電端子TAC2，源極被連接在接地PGND。該第2nMOS電晶體N2係包含寄生二極體Z4。
電流檢測電路DI係檢測流至連接負荷R的負荷端子TR與輸出端子TOUT之間的負荷電流IOUT，輸出對應將負荷電流IOUT與預先設定的臨限值進行比較後的結果的電流檢測訊號SD。
該電流檢測電路DI係例如若負荷電流IOUT為未達臨限值時，輸出“High”位準的電流檢測訊號SD。
另一方面，電流檢測電路DI係若負荷電流IOUT為大於等於臨限值時，輸出“Low”位準的電流檢測訊號SD。
該電流檢測電路DI係例如圖1所示，具有：變換電路CX、電流檢測用比較器COMD、及基準直流電源Vref。
變換電路CX係輸出對應負荷電流IOUT的變換電壓Vx。更具體而言，變換電路CX係輸出與負荷電流IOUT成正比的變換電壓Vx。
基準直流電源Vref係負極被連接在接地PGND，正極被連接在電流檢測用比較器COMD的輸入。該基準直流電源Vref係輸出基準電壓。
電流檢測用比較器COMD係將變換電壓Vx與預先設定的基準電壓進行比較，輸出對應該比較結果的訊號作為電流檢測訊號SD。
該電流檢測用比較器COMD係例如若變換電壓Vx為未達基準電壓時，輸出“High”位準的電流檢測訊號SD。
另一方面，電流檢測用比較器COMD係若變換電壓Vx為大於等於基準電壓時，輸出“Low”位準的電流檢測訊號SD。
第1電壓檢測電路DV1在圖1之例中，係檢測第1受電端子TAC1與接地PGND之間的電壓。但是，該第1電壓檢測電路DV1亦可檢測輸出端子TOUT與第1受電端子TAC1之間的電壓。
接著，該第1電壓檢測電路DV1係輸出對應所檢測到的電壓的訊號。
該第1電壓檢測電路DV1係例如圖1所示，具有：第1直流電源of1、及第1比較器COM1。
第1直流電源of1係負極被連接在第1受電端子 TAC1。
第1比較器COM1係將第1直流電源of1的正極的第1電壓與接地電壓進行比較。接著，第1比較器COM1係例如若第1電壓為未達接地電壓時，輸出“High”位準的訊號S1，另一方面，若第1電壓為大於等於接地電壓時，則輸出“Low”位準的訊號S1。
第1控制電路X1係根據第2電壓檢測電路DV2的檢測結果，將第1控制訊號輸出至第1pMOS電晶體P1的閘極來控制第1pMOS電晶體P1。
該第1控制電路X1係例如圖1所示，具有第1換流器IN1。
該第1換流器IN1係輸入被連接在第2比較器COM2的輸出，輸出被連接在第1pMOS電晶體P1的閘極。
第2控制電路X2係根據第1電壓檢測電路DV1的檢測結果，將第2控制訊號輸出至第2pMOS電晶體P2的閘極來控制第2pMOS電晶體P2。
該第2控制電路X2係例如圖1所示，具有第2換流器IN2。
該第2換流器IN2係輸入被連接在第1比較器COM1的輸出，輸出被連接在第2pMOS電晶體P2的閘極。
第2電壓檢測電路DV2係例如在圖1之例中，檢測第2受電端子TAC2與接地PGND之間的電壓。但是，該第2電壓檢測電路DV2亦可若第1電壓檢測電路DV1檢測輸出端子TOUT與第1受電端子TAC1之間的電壓時， 檢測輸出端子TOUT與第2受電端子TAC2之間的電壓。
亦即，第2電壓檢測電路DV2係若第1電壓檢測電路DV1檢測第1受電端子TAC1與接地PGND之間的電壓時，係檢測第2受電端子TAC2與接地PGND之間的電壓。此外，若第1電壓檢測電路DV1檢測輸出端子TOUT與第1受電端子TAC1之間的電壓時，係檢測輸出端子TOUT與第2受電端子TAC2之間的電壓。
接著，該第2電壓檢測電路DV2係輸出對應所檢測到的電壓的訊號。
該第2電壓檢測電路DV2係例如圖1所示，具有：第2直流電源of2、及第2比較器COM2。
第2直流電源of2係負極被連接在第2受電端子TAC2，輸出與第1直流電源of1為相同大小的電壓(第1偏置電壓)。
第2比較器COM2係將第2直流電源of2的正極的第2電壓與接地電壓進行比較。接著，該第2比較器COM2係當第2電壓為未達接地電壓時，輸出“High”位準的訊號S2。另一方面，第2比較器COM2係若第2電壓為大於等於接地電壓時，則輸出“Low”位準的訊號S2。
第3控制電路X3係根據電流檢測訊號SD及第1電壓檢測電路DV1的檢測結果，對第1nMOS電晶體N1的閘極輸出第3控制訊號而控制第1nMOS電晶體N1。
該第3控制電路X3係例如圖1所示，具有：第3換流器IN3、第1AND電路A1、及第1驅動器D1。
第3換流器IN3係被輸入電流檢測訊號SD。
第1AND電路A1係輸入被連接在第1比較器COM1的輸出及第3換流器IN3的輸出。
第1驅動器D1係輸入被連接在第1AND電路A1的輸出，輸出被連接在第1nMOS電晶體N1的閘極。該第1驅動器D1係將所被輸入的訊號放大來進行輸出。
第4控制電路X4係根據電流檢測訊號SD及第2電壓檢測電路DV2的檢測結果，將第4控制訊號輸出至第2nMOS電晶體N2的閘極來控制第2nMOS電晶體N2。
第4控制電路X4係具有：第4換流器IN4、第2AND電路A2、及第2驅動器D2。
第4換流器IN4係被輸入電流檢測訊號SD。
第2AND電路A2係輸入被連接在第2比較器COM2的輸出及第4換流器IN4的輸出。
第2驅動器D2係輸入被連接在第2AND電路A2的輸出，輸出被連接在第2nMOS電晶體N2的閘極。該第2驅動器D2係將所被輸入的訊號放大來進行輸出。
在此，例如，若第1電壓檢測電路DV1檢測出第1受電端子TAC1的電壓AC1(+第1偏置電壓)為未達接地PGND的接地電壓時，第2控制電路X2係將第2pMOS電晶體P2接通(ON)，而且第3控制電路X3係將第1nMOS電晶體N1接通。
另一方面，若第1電壓檢測電路DV1檢測到第1受電端子TAC1的電壓AC1(+第1偏置電壓)為大於等於 接地電壓時，第2控制電路X2係將第2pMOS電晶體P2斷開(OFF)，而且，第3控制電路X3係將第1nMOS電晶體N1斷開。
此外，若第2電壓檢測電路DV2檢測到第2受電端子TAC2的電壓AC2(+第1偏置電壓)為未達接地電壓時，第1控制電路X1係將第1pMOS電晶體P1接通，而且，第4控制電路X4係將第2nMOS電晶體N2接通。
另一方面，若第2電壓檢測電路DV2檢測到第2受電端子TAC2的電壓AC2(+第1偏置電壓)為大於等於接地電壓時，第1控制電路X1係將第1pMOS電晶體P1斷開，而且，第4控制電路X4係將第2nMOS電晶體N2斷開。
其中，第3控制電路X3及第4控制電路X4係不僅第1及第2電壓檢測電路DV1、DV2的檢測結果，連電流檢測訊號SD亦被輸入。亦即，若負荷電流IOUT為未達臨限值時，第3控制電路X3係以將第1nMOS電晶體N1強制性斷開的方式輸出第3控制訊號，而且，第4控制電路X4係以將前述第2nMOS電晶體N2強制性斷開的方式輸出前述第4控制訊號。
接著，說明具有如以上所示之構成之整流裝置100之動作之一例。首先，說明整流裝置100之平常動作之一例。在此，圖2係顯示整流裝置100之平常動作時之各訊號之一例的波形圖。圖2所示之訊號波形AC1及AC2係表示與電壓AC1、AC2分別加算偏置電壓後的波形。以 下，圖3、6及7亦同。
此時，電流檢測電路DI由於負荷電流IOUT為大於等於臨限值，因此輸出“Low”位準的電流檢測訊號SD。
例如，若電流由第2受電端子TAC2透過受電線圈L1而流至第1受電端子TAC1時，電壓AC2比接地電壓PGND為更低。
接著，第2電壓檢測電路DV2係檢測第2受電端子TAC2的電壓AC2(+第1偏置電壓)為未達接地電壓，輸出“High”位準的訊號S2。藉此，第1控制電路X1將第1pMOS電晶體P1接通，而且，第4控制電路X4將第2nMOS電晶體N2接通(時刻t1)。
此時，第1電壓檢測電路DV1係檢測第1受電端子TAC1的電壓AC1(+第1偏置電壓)為大於等於接地電壓，輸出“Low”位準的訊號S1。藉此，第2控制電路X2係將第2pMOS電晶體P2斷開，而且，第3控制電路X3係將前述第1nMOS電晶體N1斷開(時刻t1)。
如上所示，將第1pMOS電晶體P1及第2nMOS電晶體N2接通而在輸出端子TOUT流通電流。
接著，第2電壓檢測電路DV2係檢測第2受電端子TAC2的電壓AC2(+第1偏置電壓)為大於等於接地電壓，輸出“Low”位準的訊號S2。藉此，第1控制電路X1將第1pMOS電晶體P1斷開，而且，第4控制電路X4將第2nMOS電晶體N2斷開(時刻t2)。
之後，若電流由第1受電端子TAC1透過受電線圈L1而流至第2受電端子TAC2時，電壓AC1比接地電壓PGND為更低。
接著，第1電壓檢測電路DV1係檢測第1受電端子TAC1的電壓AC1(+第1偏置電壓)為未達接地電壓，輸出“High”位準的訊號S1。藉此，第2控制電路X2係將第2pMOS電晶體P2接通，而且，第3控制電路X3係將第1nMOS電晶體N1接通(時刻t3)。
此時，第2電壓檢測電路DV2係檢測第2受電端子TAC2的電壓AC2(+第1偏置電壓)為大於等於接地電壓，輸出“Low”位準的訊號S2。藉此，第1控制電路X1係將第1pMOS電晶體P1斷開，而且，第4控制電路X4係將第2nMOS電晶體N2斷開(時刻t3)。
如上所示，將第2pMOS電晶體P2及第1nMOS電晶體N1接通，且電流流至輸出端子TOUT。
接著，第1電壓檢測電路DV1係檢測第1受電端子TAC1的電壓AC1(+第1偏置電壓)為大於等於接地電壓，輸出“Low”位準的訊號S1。藉此，第2控制電路X2係將第2pMOS電晶體P2斷開，而且，第3控制電路X3係將第1nMOS電晶體N1斷開(時刻t4)。
如上所示，整流裝置100係以第1、第2電壓檢測電路DV1、DV2檢測第1、第2nMOS電晶體N1、N2的電壓，根據該檢測結果，控制第1、第2pMOS電晶體P1、P2、第1、第2nMOS電晶體N1、N2。
藉由反覆如以上所示之動作，整流裝置100係將藉由受電線圈L1、受電電容器C1所被共振的訊號進行全波整流且形成為DC電壓而輸出至輸出端子TOUT。
相較於二極體的順向電壓，因MOS電晶體的接通電阻所致之電壓降遠為較低，因此整流裝置100係可改善電力損失。
接著，說明輕負荷時當負荷電流為未達臨限值時之整流裝置100之動作之一例。圖3係顯示整流裝置100之輕負荷時之各訊號之一例的波形圖。
如圖3所示，時刻t1至時刻t4中的第1、第2控制訊號S1、S2的波形係與圖2所示之平常動作時的波形相同。
在此，電流檢測電路DI由於負荷電流IOUT為未達臨限值(輕負荷時)，因此輸出表示負荷電流IOUT為未達臨限值的“High”位準的電流檢測訊號SD。
此時，第3控制電路X3係輸出“Low”位準的第3控制訊號，且將第1nMOS電晶體N1強制性斷開。此外，第4控制電路X4係輸出“Low”位準的第4控制訊號，且將第2nMOS電晶體N2強制性斷開。
藉此，第1、第2nMOS電晶體N1、N2的寄生二極體Z3、Z4進行動作且流通電流。亦即，可利用寄生二極體Z3、Z4來遮斷負荷電流IOUT逆流的路徑。
在此，圖4係被適用在整流裝置100的第1nMOS電晶體N1的剖面圖。其中，第2nMOS電晶體N2的構成亦 成為相同的剖面圖。
如圖4所示，在第1nMOS電晶體N1的構造中，若第1受電端子TAC1的電位比接地PGND的電位為更低時，作為二極體來進行動作。此時，接地PGND係成為與基板P-Sub為相同電位，因此在寄生的PNP型雙極電晶體並未流通電流。
因此，在基板P-Sub，未遺漏電流而不會發生較大損失，當負荷電流IOUT較小時，可防止逆流。
如以上所示，藉由本第1實施形態之整流裝置，可一面抑制來自輸出端子的逆流，一面使效率提升。
[第2實施形態]
圖5係顯示第2實施形態之整流裝置200之構成之一例的電路圖。其中，在該圖5中，與圖1相同的符號係表示與第1實施形態為相同的構成且省略說明。
如圖5所示，第1電壓檢測電路DV1係具有：第1直流電源of1、第3直流電源of3、第1比較器COM1、及第3比較器COM3。亦即，第1電壓檢測電路DV1係與第1實施形態相比較，另外具有：第3直流電源of3、及第3比較器COM3。
在此，第1直流電源of1係負極被連接在第1受電端子TAC1。
第1比較器COM1係將第1直流電源of1的正極的第1電壓與接地電壓進行比較。接著，該第1比較器COM1 係若第1電壓為未達接地電壓時，輸出“High”位準的訊號S1，另一方面，若第1電壓為大於等於接地電壓時，則輸出“Low”位準的訊號S1。
第3直流電源of3係負極被連接在第1受電端子TAC1。該第3直流電源of3係輸出比第1直流電源of1為更大的電壓(第2偏置電壓)。
第3比較器COM3係將第3直流電源of3的正極的第3電壓與接地電壓進行比較。接著，該第3比較器COM3係若第3電壓為未達接地電壓時，輸出“High”位準的訊號S3，另一方面，若第3電壓為大於等於接地電壓時，則輸出“Low”位準的訊號S3。
此外，如圖5所示，第2電壓檢測電路DV2係具有：第2直流電源of2、第2比較器COM2、第4直流電源of4、及第4比較器COM4。
第2直流電源of2係負極被連接在第2受電端子TAC2。該第2直流電源of2係輸出與第1直流電源of1為相同大小的電壓(第1偏置電壓)。
第2比較器COM2係將第2直流電源of2的正極的第2電壓與接地電壓進行比較。接著，該第2比較器COM2係若第2電壓為未達接地電壓時，輸出“High”位準的訊號S2，另一方面，若第2電壓為大於等於接地電壓時，則輸出“Low”位準的訊號S2。
第4直流電源of4係負極被連接在第2受電端子TAC2。該第4直流電源of4係輸出與第3直流電源of3為 相同大小的電壓(第2偏置電壓)。
其中，第2偏置電壓係比前述的第1偏置電壓為更低。
第4比較器COM4係將第4直流電源of4的正極的第4電壓與接地電壓進行比較。接著，第4比較器COM4係若第4電壓為未達接地電壓時，輸出“High”位準的訊號S4，另一方面，若第4電壓為大於等於接地電壓時，則輸出“Low”位準的訊號S4。
此外，第1控制電路X1係例如圖5所示，具有第1換流器IN1。
第1換流器IN1係輸入被連接在第4比較器COM4的輸出，輸出被連接在第1pMOS電晶體P1的閘極。
此外，第2控制電路X2係例如圖5所示，具有第2換流器IN2。
第2換流器IN2係輸入被連接在第3比較器COM3的輸出，輸出被連接在第2pMOS電晶體P2的閘極。
此外，第3控制電路X3係例如圖5所示，具有：第3換流器IN3、第1AND電路A1、及第1驅動器D1。
第3換流器IN3係被輸入電流檢測訊號SD。
第1AND電路A1係輸入被連接在第1比較器COM1的輸出及第3換流器IN3的輸出。
第1驅動器D1係輸入被連接在第1AND電路A1的輸出，輸出被連接在第1nMOS電晶體N1的閘極。
第4控制電路X4係例如圖5所示，具有：第4換流 器IN4、第2AND電路A2、及第2驅動器D2。
第4換流器IN4係被輸入電流檢測訊號SD。
第2AND電路A2係輸入被連接在第2比較器COM2的輸出及第4換流器IN4的輸出。
第2驅動器D2係輸入被連接在第2AND電路A2的輸出，輸出被連接在第2nMOS電晶體N2的閘極。
此外，如圖5所示，整流裝置200係例如與第1實施形態的整流裝置100進行比較，另外具備有：第1切換元件SW1、第2切換元件SW2、第5控制電路X5、及第6控制電路X6。
第1切換元件SW1係以將第1nMOS電晶體N1的閘極與接地PGND之間的導通進行接通(ON)/斷開(OFF)的方式予以連接。
該第1切換元件SW1係例如圖5所示，汲極被連接在第1nMOS電晶體N1的閘極，源極被連接在接地PGND，第5控制訊號被輸入至閘極的nMOS電晶體。
接著，第5控制電路X5係被輸入電流檢測訊號SD及第1電壓檢測電路DV1的檢測結果(訊號S3)，且輸出第5控制訊號。
該第5控制電路X5係例如圖5所示，具有：第5換流器IN5、及第1OR電路O1。
第5換流器IN5係輸入被連接在第3比較器COM3的輸出。
第1OR電路O1係被輸入電流檢測訊號SD及第5換 流器IN5的輸出，且輸出第5控制訊號。
此外，第2切換元件SW2係以將第2nMOS電晶體N2的閘極與接地PGND之間的導通進行接通(ON)/斷開(OFF)的方式予以連接。
該第2切換元件SW2係例如圖5所示，汲極被連接在第2nMOS電晶體N2的閘極，源極被連接在接地PGND，第6控制訊號被輸入至閘極的nMOS電晶體。
接著，第6控制電路X6係被輸入電流檢測訊號SD及第2電壓檢測電路DV2的檢測結果(訊號S4)，且輸出第6控制訊號。
該第6控制電路X6係具有：第6換流器IN6、及第2OR電路O2。
第6換流器IN6係輸入被連接在第4比較器COM4的輸出。
第2OR電路O2係被輸入電流檢測訊號SD及第6換流器IN6的輸出，且輸出第6控制訊號。
在此，若第1電壓檢測電路DV1檢測出第1受電端子TAC1的電壓為未達接地PGND的接地電壓時，第2控制電路X2係將第2pMOS電晶體P2接通，之後，第3控制電路X3將第1nMOS電晶體N1接通。
另一方面，若第1電壓檢測電路DV1檢測出第1受電端子TAC1的電壓為大於等於接地電壓時，第3控制電路X3係將第1nMOS電晶體N1斷開，之後，第2控制電路X2將第2pMOS電晶體P2斷開。
此外，若第2電壓檢測電路DV2檢測出第2受電端子TAC2的電壓為未達接地電壓時，第1控制電路X1係將第1pMOS電晶體P1接通，之後，第4控制電路X4係將第2nMOS電晶體N2接通。
另一方面，若第2電壓檢測電路DV2檢測出第2受電端子TAC2的電壓為大於等於接地電壓時，第4控制電路X4係將第2nMOS電晶體N2斷開，之後，第1控制電路X1係將第1pMOS電晶體P1斷開。
其中，在上述第1、第2電壓檢測電路DV1、DV2的動作中，更具體而言，第1、第2電壓檢測電路DV1、DV2係將由第1、第2受電端子TAC1、TAC2的電壓減算第1、第2偏置電壓後的值與接地電壓進行比較。
其中，整流裝置200之其他構成係與第1實施形態的整流裝置100相同。
在此，說明具有如以上所示之構成之整流裝置200之動作之一例。首先，說明整流裝置200之平常動作之一例。圖6係顯示整流裝置200之平常動作時之各訊號之一例的波形圖。
此時，電流檢測電路DI係由於負荷電流IOUT為大於等於臨限值，因此輸出“Low”位準的電流檢測訊號SD。
如上所示，在平常動作時，顯示電流檢測訊號SD輸出“Low”位準，負荷電流IOUT為大於等於臨限值。此時，第5控制電路X5係將第1切換元件SW1形成為斷 開，而且，第6控制電路X6係將前述第2切換元件SW2形成為斷開。
例如，若電流由第2受電端子TAC2透過受電線圈L1而流至第1受電端子TAC1時，電壓AC2比接地電壓PGND為更低。
接著，第2電壓檢測電路DV2的第4比較器COM4係檢測第2受電端子TAC2的電壓(+第2偏置電壓)為未達接地電壓，且輸出“High”位準的訊號S4(時刻t1)。藉此，第1控制電路X1係將第1pMOS電晶體P1接通。
之後，第2電壓檢測電路DV2的第2比較器COM2係檢測第2受電端子TAC2的電壓(+第1偏置電壓)為未達接地電壓，且輸出“High”位準的訊號S2(時刻t2)。藉此，第4控制電路X4係將第2nMOS電晶體N2接通。
之後，第2電壓檢測電路DV2的第2比較器COM2係檢測第2受電端子TAC2的電壓(+第1偏置電壓)為大於等於接地電壓，且輸出“Low”位準的訊號S2(時刻t3)。藉此，第4控制電路X4係將第2nMOS電晶體N2斷開。
之後，第2電壓檢測電路DV2的第4比較器COM4係檢測第2受電端子TAC2的電壓(+第2偏置電壓)為大於等於接地電壓，且輸出“Low”位準的訊號S4(時刻t4)。藉此，第1控制電路X1係將第1pMOS電晶體P1 斷開。
接著，若電流由第1受電端子TAC1透過受電線圈L1而流至第2受電端子TAC2時，電壓AC1會變得比接地電壓PGND為更低。
接著，第1電壓檢測電路DV1的第3比較器COM3係檢測第1受電端子TAC1的電壓(+第2偏置電壓)為未達接地PGND的接地電壓，且輸出“High”位準的訊號S3(時刻t5)。藉此，第2控制電路X2將第2pMOS電晶體P2接通。
之後，第1電壓檢測電路DV1的第1比較器COM1係檢測第1受電端子TAC1的電壓(+第1偏置電壓)為未達接地PGND的接地電壓，且輸出“High”位準的訊號S1(時刻t6)。藉此，第3控制電路X3將第1nMOS電晶體N1接通。
之後，第1電壓檢測電路DV1的第1比較器COM1係檢測第1受電端子TAC1的電壓(+第1偏置電壓)為大於等於接地電壓，且輸出“Low”位準的訊號S1。藉此，第3控制電路X3將前述第1nMOS電晶體N1斷開。
之後，第1電壓檢測電路DV1的第3比較器COM3係檢測第1受電端子TAC1的電壓(+第2偏置電壓)為大於等於接地電壓，輸出“Low”位準的訊號S3。藉此，第2控制電路X2將第2pMOS電晶體P2斷開。
如上所示，整流裝置200係以第1、第2電壓檢測電路DV1、DV2檢測第1、第2nMOS電晶體N1、N2的電 壓，根據該檢測結果，控制第1、第2pMOS電晶體P1、P2、第1、第2nMOS電晶體N1、N2。
藉由反覆如以上所示之動作，整流裝置200係將藉由受電線圈L1、受電電容器C1所被共振的訊號進行全波整流且形成為DC電壓而輸出至輸出端子TOUT。
相較於二極體的順向電壓，MOS電晶體的電壓降遠為較低，因此整流裝置200係可改善電力損失。
接著，說明輕負荷時當負荷電流為未達臨限值時之整流裝置200之動作之一例。圖7係顯示整流裝置200之輕負荷時之各訊號之一例的波形圖。
如圖7所示，時刻t1至時刻t4中之訊號S1、S2的波形係與圖6所示之平常動作時的波形為相同。
在此，電流檢測電路DI係由於負荷電流IOUT為未達臨限值未滿(輕負荷時)，因此輸出表示負荷電流IOUT為未達臨限值的“High”位準的電流檢測訊號SD。
此時，第3控制電路X3係以將第1nMOS電晶體N1強制性斷開的方式輸出第3控制訊號，而且，第4控制電路X4係以將第2nMOS電晶體N2強制性斷開的方式輸出第4控制訊號。
此外，第5控制電路X5係將第1切換元件SW1接通，而且第6控制電路X6係將前述第2切換元件SW2接通。
藉此，第1、第2nMOS電晶體N1、N2的寄生二極體Z3、Z4進行動作且流通電流。亦即，可利用寄生二極體 Z3、Z4來遮斷負荷電流IOUT逆流的路徑。
在此，如前述圖4所示，在第1nMOS電晶體N1的構造中，若第1受電端子TAC1的電位比接地PGND的電位為更低時，作為二極體進行動作。此時，接地PGND係成為與基板P-Sub為相同電位，因此在寄生的PNP型雙極電晶體並未流通電流。
因此，在基板P-Sub，未遺漏電流而不會發生較大損失，當負荷電流IOUT較小時，可防止逆流。
其中，整流裝置200之其他動作係與第1實施形態的整流裝置100相同。
如以上所示，藉由本第2實施形態之整流裝置，可一面抑制來自輸出端子的逆流，一面使效率提升。
其中，在實施形態之整流裝置係有以下態樣。
在實施形態之整流裝置中，若前述電流檢測訊號表示前述負荷電流為大於等於前述臨限值時，前述第5控制電路係將前述第1切換元件形成為斷開，而且，前述第6控制電路係將前述第2切換元件形成為斷開。
此外，在實施形態之整流裝置中，若前述電流檢測訊號表示前述負荷電流為未達前述臨限值時，前述第3控制電路係將前述第1nMOS電晶體強制性斷開，而且，前述第4控制電路係將前述第2nMOS電晶體強制性斷開，此外，前述第5控制電路係將前述第1切換元件形成為接通，而且，前述第6控制電路係將前述第2切換元件形成為接通。
此外，在實施形態之整流裝置中，前述第5控制電路係具有：輸入被連接在前述第3比較器的輸出的第5換流器、及輸入被連接在前述電流檢測訊號及前述第5換流器的輸出，且輸出被連接在前述第1切換元件的控制端子的第1OR電路，前述第6控制電路係具有：輸入被連接在前述第4比較器的輸出的第6換流器、及輸入被連接在前述電流檢測訊號及前述第6換流器的輸出，且輸出被連接在前述第2切換元件的控制端子的第2OR電路。
此外，在實施形態之整流裝置中，前述第1切換元件係汲極被連接在前述第1nMOS電晶體的閘極，源極被連接在前述接地，前述第1OR電路的輸出被連接在閘極的nMOS電晶體，前述第2切換元件係汲極被連接在前述第2nMOS電晶體的閘極，源極被連接在前述接地，前述第2OR電路的輸出被連接在閘極的nMOS電晶體。
此外，在實施形態之整流裝置中，另外具有被連接在前述負荷端子與前述接地之間的輸出電容器。
此外，在實施形態之整流裝置中，前述電流檢測電路係若前述負荷電流為未達前述臨限值時，係將前述電流檢測訊號形成為“High”位準，另一方面，若前述負荷電流為大於等於前述臨限值時，則將前述電流檢測訊號形成為“Low”位準。
此外，在實施形態之整流裝置中，前述電流檢測電路係具有：輸出對應前述負荷電流的變換電壓的變換電路；及將前述變換電壓與預先設定的基準電壓進行比較，將對 應該比較結果的訊號作為前述電流檢測訊號進行輸出的電流檢測用比較器。
此外，在實施形態之整流裝置中，前述電流檢測電路係另外具有負極被連接在前述接地且輸出前述基準電壓的基準直流電源。
此外，在實施形態之整流裝置中，前述電流檢測用比較器係若前述變換電壓為未達前述基準電壓時，係將前述電流檢測訊號形成為“High”位準，另一方面，若前述變換電壓為大於等於前述基準電壓時，則將前述電流檢測訊號形成為“Low”位準。
此外，在實施形態之整流裝置中，前述整流裝置係將包含根據前述負荷電流的資訊的訊號，由前述受電線圈傳送至前述送電裝置的前述送電線圈，前述送電裝置係由在前述送電線圈所接收到的訊號，藉由包絡線檢測，取得根據前述負荷電流的資訊。
以上說明了本發明之幾個實施形態，惟該等實施形態係作為例子而提示者，並未意圖限定發明之範圍。該等新穎的實施形態係可以其他各種形態實施，在未脫離發明要旨的範圍內，可進行各種省略、置換、變更。該等實施形態或其變形係包含在發明範圍或要旨內，並且包含在申請專利範圍所記載之發明及其均等的範圍。
100‧‧‧整流裝置
101‧‧‧送電裝置
A1‧‧‧第1AND電路
A2‧‧‧第2AND電路
AC1、AC2‧‧‧訊號波形
C1‧‧‧受電電容器
COMD‧‧‧電流檢測用比較器
COM1‧‧‧第1比較器
COM2‧‧‧第2比較器
COUT‧‧‧輸出電容器
CX‧‧‧變換電路
D1‧‧‧第1驅動器
D2‧‧‧第2驅動器
DI‧‧‧電流檢測電路
DV1‧‧‧第1電壓檢測電路
DV2‧‧‧第2電壓檢測電路
IN1‧‧‧第1換流器
IN2‧‧‧第2換流器
IN3‧‧‧第3換流器
IN4‧‧‧第4換流器
IOUT‧‧‧負荷電流
L1‧‧‧受電線圈
L2‧‧‧送電線圈
N1‧‧‧第1nMOS電晶體
N2‧‧‧第2nMOS電晶體
of1‧‧‧第1直流電源
of2‧‧‧第2直流電源
P1‧‧‧第1pMOS電晶體
P2‧‧‧第2pMOS電晶體
PGND‧‧‧接地
R‧‧‧負荷
S1‧‧‧訊號
S2‧‧‧訊號
SD‧‧‧電流檢測訊號
TAC1‧‧‧第1受電端子
TAC2‧‧‧第2受電端子
TOUT‧‧‧輸出端子
TR‧‧‧負荷端子
Vref‧‧‧基準直流電源
Vx‧‧‧變換電壓
X1‧‧‧第1控制電路
X2‧‧‧第2控制電路
X3‧‧‧第3控制電路
X4‧‧‧第4控制電路
Z1‧‧‧寄生二極體
Z2‧‧‧寄生二極體
Z3‧‧‧寄生二極體
Z4‧‧‧寄生二極體

Claims (20)

  1. 一種整流裝置，其係接受由送電裝置藉由無線供電所被傳送的電力，將所得電流進行整流而輸出的整流裝置，其特徵為：具備有：受電線圈，其係被連接在第1受電端子與第2受電端子之間，與前述送電裝置的送電線圈作電磁耦合；受電電容器，其係在前述第1受電端子與前述第2受電端子之間，與前述受電線圈作串聯連接；第1pMOS電晶體，其係源極被連接在輸出端子，汲極被連接在前述第1受電端子；第2pMOS電晶體，其係源極被連接在前述輸出端子，汲極被連接在前述第2受電端子；第1nMOS電晶體，其係汲極被連接在前述第1受電端子，源極被連接在固定電位；第2nMOS電晶體，其係汲極被連接在前述第2受電端子，源極被連接在前述固定電位；電流檢測電路，其係檢測流至連接負荷的負荷端子與前述輸出端子之間的負荷電流，輸出對應將前述負荷電流與所被設定的臨限值進行比較後的結果的電流檢測訊號；第1電壓檢測電路，其係檢測前述第1受電端子與前述固定電位之間或前述輸出端子與前述第1受電端子之間的電壓；第2電壓檢測電路，其係若前述第1電壓檢測電路檢 測前述第1受電端子與前述固定電位之間的電壓時，檢測前述第2受電端子與前述固定電位之間的電壓，此外，若前述第1電壓檢測電路檢測前述輸出端子與前述第1受電端子之間的電壓時，檢測前述輸出端子與前述第2受電端子之間的電壓；第1控制電路，其係根據前述第2電壓檢測電路的檢測結果，控制前述第1pMOS電晶體；第2控制電路，其係根據前述第1電壓檢測電路的檢測結果，控制前述第2pMOS電晶體；第3控制電路，其係根據前述電流檢測訊號及前述第1電壓檢測電路的檢測結果，控制前述第1nMOS電晶體；及第4控制電路，其係根據前述電流檢測訊號及前述第2電壓檢測電路的檢測結果，控制前述第2nMOS電晶體。
  2. 如申請專利範圍第1項之整流裝置，其中，若前述第1電壓檢測電路檢測出前述第1受電端子的電壓為未達前述固定電位電壓時，前述第2控制電路係將前述第2pMOS電晶體接通，而且，前述第3控制電路係將前述第1nMOS電晶體接通，另一方面，前述第1電壓檢測電路檢測出前述第1受電端子的電壓為大於等於前述固定電位電壓時，前述第2控制電路係將前述第2pMOS電晶體斷開， 而且，前述第3控制電路係將前述第1nMOS電晶體斷開，此外，若前述第2電壓檢測電路檢測出前述第2受電端子的電壓為未達前述固定電位電壓時，前述第1控制電路將前述第1pMOS電晶體接通，而且，前述第4控制電路將前述第2nMOS電晶體接通，另一方面，前述第2電壓檢測電路檢測出前述第2受電端子的電壓為大於等於前述固定電位電壓時，前述第1控制電路將前述第1pMOS電晶體斷開，而且，前述第4控制電路將前述第2nMOS電晶體斷開。
  3. 如申請專利範圍第1項之整流裝置，其中，若前述電流檢測訊號表示前述負荷電流為未達前述臨限值時，前述第3控制電路係將前述第1nMOS電晶體強制性斷開，而且，前述第4控制電路係將前述第2nMOS電晶體強制性斷開。
  4. 如申請專利範圍第1項之整流裝置，其中，前述第1電壓檢測電路檢測出前述第1受電端子的電壓為未達前述固定電位電壓時，前述第2控制電路係將前述第2pMOS電晶體接通，之後，前述第3控制電路係將前述第1nMOS電晶體接通，另一方面，前述第1電壓檢測電路檢測出前述第1受電端子的電壓為大於等於前述固定電位電壓時，前述第3控制電路係將前述第1nMOS電晶體斷開， 之後，前述第2控制電路係將前述第2pMOS電晶體斷開，此外，若前述第2電壓檢測電路檢測出前述第2受電端子的電壓為未達前述固定電位電壓時，前述第1控制電路係將前述第1pMOS電晶體接通，之後，前述第4控制電路係將前述第2nMOS電晶體接通，另一方面，前述第2電壓檢測電路檢測出前述第2受電端子的電壓為大於等於前述固定電位電壓時，前述第4控制電路係將前述第2nMOS電晶體斷開，之後，前述第1控制電路係將前述第1pMOS電晶體斷開。
  5. 如申請專利範圍第4項之整流裝置，其中，另外具備有：第1切換元件，其係被連接在前述第1nMOS電晶體的閘極與前述固定電位之間；第5控制電路，其係根據前述電流檢測訊號及前述第1電壓檢測電路的檢測結果，控制前述第1切換元件；第2切換元件，其係被連接在前述第2nMOS電晶體的閘極與前述固定電位之間；及第6控制電路，其係根據前述電流檢測訊號及前述第2電壓檢測電路的檢測結果，控制前述第2切換元件。
  6. 如申請專利範圍第1項之整流裝置，其中，前述第1電壓檢測電路係具有： 第1直流電源，其係負極被連接在前述第1受電端子；及第1比較器，其係將前述第1直流電源的正極的第1電壓與前述固定電位電壓進行比較，若前述第1電壓為未達前述固定電位電壓時，輸出“High”位準的訊號，另一方面，若前述第1電壓為大於等於前述固定電位電壓時，輸出“Low”位準的訊號，前述第2電壓檢測電路係具有：第2直流電源，其係負極被連接在前述第2受電端子，輸出與前述第1直流電源為相同大小的電壓；及第2比較器，其係將前述第2直流電源的正極的第2電壓與前述固定電位電壓進行比較，若前述第2電壓為未達前述固定電位電壓時，輸出“High”位準的訊號，另一方面，若前述第2電壓為大於等於前述固定電位電壓時，輸出“Low”位準的訊號，前述第1控制電路係具有：第1換流器，其係輸入被連接在前述第2比較器的輸出，輸出被連接在前述第1pMOS電晶體的閘極，前述第2控制電路係具有：第2換流器，其係輸入被連接在前述第1比較器的輸出，輸出被連接在前述第2pMOS電晶體的閘極，前述第3控制電路係具有：第3換流器，其係被輸入前述電流檢測訊號；第1AND電路，其係輸入被連接在前述第1比較器的 輸出及前述第3換流器的輸出；及第1驅動器，其係輸入被連接在前述第1AND電路的輸出，輸出被連接在前述第1nMOS電晶體的閘極，前述第4控制電路係具有：第4換流器，其係被輸入前述電流檢測訊號；第2AND電路，其係輸入被連接在前述第2比較器的輸出及前述第4換流器的輸出；及第2驅動器，其係輸入被連接在前述第2AND電路的輸出，輸出被連接在前述第2nMOS電晶體的閘極。
  7. 如申請專利範圍第4項之整流裝置，其中，前述第1電壓檢測電路係具有：第1直流電源，其係負極被連接在前述第1受電端子；第1比較器，其係將前述第1直流電源的正極的第1電壓與前述固定電位電壓進行比較，若前述第1電壓為未達前述固定電位電壓時，輸出“High”位準的訊號，另一方面，若前述第1電壓為大於等於前述固定電位電壓時，輸出“Low”位準的訊號；第3直流電源，其係負極被連接在前述第1受電端子，輸出大於前述第1直流電源的電壓；及第3比較器，其係將前述第3直流電源的正極的第3電壓與前述固定電位電壓進行比較，若前述第3電壓為未達前述固定電位電壓時，輸出“High”位準的訊號，另一方面，若前述第3電壓為大於等於前述固定電位電壓時， 輸出“Low”位準的訊號，前述第2電壓檢測電路係具有：第2直流電源，其係負極被連接在前述第2受電端子，輸出與前述第1直流電源為相同大小的電壓；第2比較器，其係將前述第2直流電源的正極的第2電壓與前述固定電位電壓進行比較，若前述第2電壓為未達前述固定電位電壓時，輸出“High”位準的訊號，另一方面，若前述第2電壓為大於等於前述固定電位電壓時，輸出“Low”位準的訊號；第4直流電源，其係負極被連接在前述第2受電端子，輸出與前述第3直流電源為相同大小的電壓；及第4比較器，其係將前述第4直流電源的正極的第4電壓與前述固定電位電壓進行比較，若前述第4電壓為未達前述固定電位電壓時，輸出“High”位準的訊號，另一方面，若前述第4電壓為大於等於前述固定電位電壓時，輸出“Low”位準的訊號，前述第1控制電路係具有：第1換流器，其係輸入被連接在前述第4比較器的輸出，輸出被連接在前述第1pMOS電晶體的閘極，前述第2控制電路係具有：第2換流器，其係輸入被連接在前述第3比較器的輸出，輸出被連接在前述第2pMOS電晶體的閘極，前述第3控制電路係具有：第3換流器，其係被輸入前述電流檢測訊號； 第1AND電路，其係輸入被連接在前述第1比較器的輸出及前述第3換流器的輸出；及第1驅動器，其係輸入被連接在前述第1AND電路的輸出，輸出被連接在前述第1nMOS電晶體的閘極，前述第4控制電路係具有：第4換流器，其係被輸入前述電流檢測訊號；第2AND電路，其係輸入被連接在前述第2比較器的輸出及前述第4換流器的輸出；及第2驅動器，其係輸入被連接在前述第2AND電路的輸出，輸出被連接在前述第2nMOS電晶體的閘極。
  8. 如申請專利範圍第1項之整流裝置，其中，前述電流檢測電路係具有：變換電路，其係輸出對應前述負荷電流的變換電壓；及電流檢測用比較器，其係將前述變換電壓與所被設定的基準電壓進行比較，輸出對應該比較結果的訊號作為前述電流檢測訊號。
  9. 如申請專利範圍第1項之整流裝置，其中，前述電流檢測電路係前述固定電位為接地電位。
  10. 如申請專利範圍第1項之整流裝置，其中，前述整流裝置係將包含根據前述負荷電流的資訊的訊號，由前述受電線圈傳送至送電裝置的送電線圈，前述送電裝置係由在前述送電線圈所接收到的訊號，藉由包絡線檢測，取得根據前述負荷電流的資訊。
  11. 一種整流裝置，其係將藉由第1受電端子及第2受電端子所得的電流進行整流而輸出的整流裝置，其特徵為：具備有：第1pMOS電晶體，其係源極被連接在輸出端子，汲極被連接在前述第1受電端子；第2pMOS電晶體，其係源極被連接在前述輸出端子，汲極被連接在前述第2受電端子；第1nMOS電晶體，其係汲極被連接在前述第1受電端子，源極被連接在固定電位；第2nMOS電晶體，其係汲極被連接在前述第2受電端子，源極被連接在前述固定電位；電流檢測電路，其係檢測流至連接負荷的負荷端子與前述輸出端子之間的負荷電流，輸出對應將前述負荷電流與所被設定的臨限值進行比較後的結果的電流檢測訊號；第1電壓檢測電路，其係檢測前述第1受電端子與前述固定電位之間或前述輸出端子與前述第1受電端子之間的電壓；第2電壓檢測電路，其係若前述第1電壓檢測電路檢測前述第1受電端子與前述固定電位之間的電壓時，檢測前述第2受電端子與前述固定電位之間的電壓，此外，若前述第1電壓檢測電路檢測前述輸出端子與前述第1受電端子之間的電壓時，檢測前述輸出端子與前述第2受電端子之間的電壓； 第1控制電路，其係根據前述第2電壓檢測電路的檢測結果，控制前述第1pMOS電晶體；第2控制電路，其係根據前述第1電壓檢測電路的檢測結果，控制前述第2pMOS電晶體；第3控制電路，其係根據前述電流檢測訊號及前述第1電壓檢測電路的檢測結果，控制前述第1nMOS電晶體；及第4控制電路，其係根據前述電流檢測訊號及前述第2電壓檢測電路的檢測結果，控制前述第2nMOS電晶體。
  12. 如申請專利範圍第11項之整流裝置，其中，若前述第1電壓檢測電路檢測出前述第1受電端子的電壓為未達前述固定電位電壓時，前述第2控制電路係將前述第2pMOS電晶體接通，而且，前述第3控制電路係將前述第1nMOS電晶體接通，另一方面，前述第1電壓檢測電路檢測出前述第1受電端子的電壓為大於等於前述固定電位電壓時，前述第2控制電路係將前述第2pMOS電晶體斷開，而且，前述第3控制電路係將前述第1nMOS電晶體斷開，此外，若前述第2電壓檢測電路檢測出前述第2受電端子的電壓為未達前述固定電位電壓時，前述第1控制電路係將前述第1pMOS電晶體接通， 而且，前述第4控制電路係將前述第2nMOS電晶體接通，另一方面，前述第2電壓檢測電路檢測出前述第2受電端子的電壓為大於等於前述固定電位電壓時，前述第1控制電路將前述第1pMOS電晶體斷開，而且，前述第4控制電路將前述第2nMOS電晶體斷開。
  13. 如申請專利範圍第11項之整流裝置，其中，若前述電流檢測訊號表示前述負荷電流為未達前述臨限值時，前述第3控制電路係將前述第1nMOS電晶體強制性斷開，而且，前述第4控制電路係將前述第2nMOS電晶體強制性斷開。
  14. 如申請專利範圍第11項之整流裝置，其中，前述第1電壓檢測電路檢測出前述第1受電端子的電壓為未達前述固定電位電壓時，前述第2控制電路係將前述第2pMOS電晶體接通，之後，前述第3控制電路係將前述第1nMOS電晶體接通，另一方面，前述第1電壓檢測電路檢測出前述第1受電端子的電壓為大於等於前述固定電位電壓時，前述第3控制電路係將前述第1nMOS電晶體斷開，之後，前述第2控制電路係將前述第2pMOS電晶體斷開，此外，若前述第2電壓檢測電路檢測出前述第2受電端子的電壓為未達前述固定電位電壓時，前述第1控制電路係將前述第1pMOS電晶體接通，之後，前述第4控制 電路係將前述第2nMOS電晶體接通，另一方面，前述第2電壓檢測電路檢測出前述第2受電端子的電壓為大於等於前述固定電位電壓時，前述第4控制電路係將前述第2nMOS電晶體斷開，之後，前述第1控制電路係將前述第1pMOS電晶體斷開。
  15. 如申請專利範圍第14項之整流裝置，其中，另外具備有：第1切換元件，其係被連接在前述第1nMOS電晶體的閘極與前述固定電位之間；第5控制電路，其係根據前述電流檢測訊號及前述第1電壓檢測電路的檢測結果，控制前述第1切換元件；第2切換元件，其係被連接在前述第2nMOS電晶體的閘極與前述固定電位之間；及第6控制電路，其係根據前述電流檢測訊號及前述第2電壓檢測電路的檢測結果，控制前述第2切換元件。
  16. 如申請專利範圍第11項之整流裝置，其中，前述第1電壓檢測電路係具有：第1直流電源，其係負極被連接在前述第1受電端子；及第1比較器，其係將前述第1直流電源的正極的第1電壓與前述固定電位電壓進行比較，若前述第1電壓為未達前述固定電位電壓時，輸出“High”位準的訊號，另一方面，若前述第1電壓為大於等於前述固定電位電壓時，輸出“Low”位準的訊號， 前述第2電壓檢測電路係具有：第2直流電源，其係負極被連接在前述第2受電端子，輸出與前述第1直流電源為相同大小的電壓；及第2比較器，其係將前述第2直流電源的正極的第2電壓與前述固定電位電壓進行比較，若前述第2電壓為未達前述固定電位電壓時，輸出“High”位準的訊號，另一方面，若前述第2電壓為大於等於前述固定電位電壓時，輸出“Low”位準的訊號，前述第1控制電路係具有：第1換流器，其係輸入被連接在前述第2比較器的輸出，輸出被連接在前述第1pMOS電晶體的閘極，前述第2控制電路係具有：第2換流器，其係輸入被連接在前述第1比較器的輸出，輸出被連接在前述第2pMOS電晶體的閘極，前述第3控制電路係具有：第3換流器，其係被輸入前述電流檢測訊號；第1AND電路，其係輸入被連接在前述第1比較器的輸出及前述第3換流器的輸出；及第1驅動器，其係輸入被連接在前述第1AND電路的輸出，輸出被連接在前述第1nMOS電晶體的閘極，前述第4控制電路係具有：第4換流器，其係被輸入前述電流檢測訊號；第2AND電路，其係輸入被連接在前述第2比較器的輸出及前述第4換流器的輸出；及 第2驅動器，其係輸入被連接在前述第2AND電路的輸出，輸出被連接在前述第2nMOS電晶體的閘極。
  17. 如申請專利範圍第14項之整流裝置，其中，前述第1電壓檢測電路係具有：第1直流電源，其係負極被連接在前述第1受電端子；第1比較器，其係將前述第1直流電源的正極的第1電壓與前述固定電位電壓進行比較，若前述第1電壓為未達前述固定電位電壓時，輸出“High”位準的訊號，另一方面，若前述第1電壓為大於等於前述固定電位電壓時，輸出“Low”位準的訊號；第3直流電源，其係負極被連接在前述第1受電端子，輸出大於前述第1直流電源的電壓；及第3比較器，其係將前述第3直流電源的正極的第3電壓與前述固定電位電壓進行比較，若前述第3電壓為未達前述固定電位電壓時，輸出“High”位準的訊號，另一方面，若前述第3電壓為大於等於前述固定電位電壓時，輸出“Low”位準的訊號，前述第2電壓檢測電路係具有：第2直流電源，其係負極被連接在前述第2受電端子，輸出與前述第1直流電源為相同大小的電壓；第2比較器，其係將前述第2直流電源的正極的第2電壓與前述固定電位電壓進行比較，若前述第2電壓為未達前述固定電位電壓時，輸出“High”位準的訊號，另一 方面，若前述第2電壓為大於等於前述固定電位電壓時，輸出“Low”位準的訊號；第4直流電源，其係負極被連接在前述第2受電端子，輸出與前述第3直流電源為相同大小的電壓；及第4比較器，其係將前述第4直流電源的正極的第4電壓與前述固定電位電壓進行比較，若前述第4電壓為未達前述固定電位電壓時，輸出“High”位準的訊號，另一方面，若前述第4電壓為大於等於前述固定電位電壓時，輸出“Low”位準的訊號，前述第1控制電路係具有：第1換流器，其係輸入被連接在前述第4比較器的輸出，輸出被連接在前述第1pMOS電晶體的閘極，前述第2控制電路係具有：第2換流器，其係輸入被連接在前述第3比較器的輸出，輸出被連接在前述第2pMOS電晶體的閘極，前述第3控制電路係具有：第3換流器，其係被輸入前述電流檢測訊號；第1AND電路，其係輸入被連接在前述第1比較器的輸出及前述第3換流器的輸出；及第1驅動器，其係輸入被連接在前述第1AND電路的輸出，輸出被連接在前述第1nMOS電晶體的閘極，前述第4控制電路係具有：第4換流器，其係被輸入前述電流檢測訊號；第2AND電路，其係輸入被連接在前述第2比較器的 輸出及前述第4換流器的輸出；及第2驅動器，其係輸入被連接在前述第2AND電路的輸出，輸出被連接在前述第2nMOS電晶體的閘極。
  18. 如申請專利範圍第11項之整流裝置，其中，前述電流檢測電路係具有：變換電路，其係輸出對應前述負荷電流的變換電壓；及電流檢測用比較器，其係將前述變換電壓與所被設定的基準電壓進行比較，輸出對應該比較結果的訊號作為前述電流檢測訊號。
  19. 如申請專利範圍第11項之整流裝置，其中，前述電流檢測電路係前述固定電位為接地電位。
  20. 如申請專利範圍第11項之整流裝置，其中，前述整流裝置係將包含根據前述負荷電流的資訊的訊號，由前述受電線圈傳送至送電裝置的送電線圈，前述送電裝置係由在前述送電線圈所接收到的訊號，藉由包絡線檢測，取得根據前述負荷電流的資訊。
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