TWI497192B - A charged particle beam rendering method, a charged particle beam drawing program and a charged particle beam rendering device - Google Patents

A charged particle beam rendering method, a charged particle beam drawing program and a charged particle beam rendering device Download PDF

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TWI497192B
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Hikaru Yamamura
Osamu Iizuka
Hideyuki Tsurumaki
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Description

帶電粒子束描繪方法、帶電粒子束描繪程式及帶電粒子束描繪裝置
本發明係關於一種帶電粒子束描繪方法、帶電粒子束描繪程式及帶電粒子束描繪裝置。
為在半導體元件形成所希望之電路圖案，可使用光微影技術。光微影技術中，使用稱為遮罩(倍縮光罩，reticle)之原始圖案來轉印圖案。又，為製造高精度的倍縮光罩，使用解析度優異之電子束描繪技術。
作為對遮罩進行電子束描繪之電子束描繪裝置之一方式，存在有可變成形方式。可變成形方式中，藉由因通過例如第1成形細孔部開口與第2成形細孔部開口而成形，由偏光器偏向控制之電子束在載置於可動平台之試樣上描繪圖形。電子束之1次照射稱為shot。
於對遮罩描繪中或待命描繪中，有時會發生電子束之照射位置自希望位置偏離之漂移(或光束漂移)。例如，若對遮罩射出電子束即會產生反射電子。產生之反射電子碰撞電子束描繪裝置內之光學系或偵測器等而發生充電，產生新的電場。如此，朝遮罩偏向照射之電子束軌道即會變化。如此之充電會成為電子束漂移之一原因。
電子束漂移量若超過允許範圍，圖案描繪精度即會劣化。因此進行用來在描繪中監視電子束漂移量之漂移診斷。又，依漂移診斷之結果進行對 應所獲得之漂移量而修正漂移之漂移修正。
日本專利公開公報2010-192666號中，記載有一電子束描繪方法，根據描繪之區域的面積密度之變化量，變更進行漂移修正之時間間隔。
本發明提供一種帶電粒子束描繪方法、帶電粒子束描繪程式及帶電粒子束描繪裝置，使描繪中之漂移診斷之時間間隔最佳化，兼顧高描繪精度與高處理能力。
本發明之一態樣之帶電粒子束描繪方法中，將進行漂移量診斷之位置座標儲存於帶電粒子束描繪裝置，使定義進行帶電粒子束之漂移量診斷之時間間隔之第1時間間隔模式，與和該位置座標相關聯，定義進行該帶電粒子束之漂移量診斷之時間間隔之第2時間間隔模式，儲存於帶電粒子束描繪裝置，使用該描繪裝置，進行在試樣上照射該帶電粒子束，於描繪之間的空檔，根據該第1時間間隔模式進行該帶電粒子束之漂移量診斷，同時在該試樣上描繪既定描繪圖案之第1描繪，描繪到達該位置座標時，進行該帶電粒子束之漂移量診斷，描繪到達該位置座標後，進行在試樣上照射該帶電粒子束，於描繪之間的空檔，根據該第2時間間隔模式進行該帶電粒子束之漂移量診斷，同時在該試樣上描繪既定描繪圖案之第2描繪。
本發明之一態樣之帶電粒子束描繪程式中，令搭載於該描繪裝置之電腦進行下列處理：將進行漂移量診斷之位置座標儲存於帶電粒子束描繪裝置；使定義進行帶電粒子束之漂移量診斷之時間間隔之第1時間間隔模式，與和該位置座標相關聯，定義進行該帶電粒子束之漂移量診斷之時間間隔之第2時間間隔模式，儲存於帶電粒子束描繪裝置； 使用該描繪裝置，進行在試樣上照射該帶電粒子束，於描繪之間的空檔，根據該第1時間間隔模式進行該帶電粒子束之漂移量診斷，同時在該試樣上描繪既定描繪圖案之第1描繪；描繪到達該位置座標時，進行該帶電粒子束之漂移量診斷；及描繪到達該位置座標後，進行在試樣上照射該帶電粒子束，於描繪之間的空檔，根據該第2時間間隔模式進行該帶電粒子束之漂移量診斷，同時在該試樣上描繪既定描繪圖案之第2描繪。
本發明之一態樣之帶電粒子束描繪裝置中，包含：第1儲存部，將進行漂移量診斷之位置座標加以儲存；第2儲存部，儲存有定義進行帶電粒子束之漂移量診斷之時間間隔之第1時間間隔模式，與和該位置座標相關聯，定義進行帶電粒子束之漂移量診斷之時間間隔之第2時間間隔模式；描繪部，在試樣上照射該帶電粒子束，在該試樣上描繪既定描繪圖案；描繪位置監視部，監視描繪位置；及漂移診斷控制部，具有下列功能：根據該第1或第2時間間隔模式進行該帶電粒子束之漂移量診斷，根據由該描繪位置監視部獲得之描繪位置之資訊，自根據該第1時間間隔模式之漂移量之診斷，變更為根據該第2時間間隔模式之漂移量之診斷。
α、β‧‧‧描繪區域
10‧‧‧圖案區域
12‧‧‧條紋區域
100‧‧‧描繪裝置
101‧‧‧試樣
102‧‧‧電子鏡筒
103‧‧‧描繪室
105‧‧‧XY平台
108‧‧‧驅動電路
109‧‧‧描繪資料儲存部
110‧‧‧偏向控制電路
111‧‧‧輸入部
112、114、116‧‧‧數位類比轉換器(DAC)
120‧‧‧控制計算機
121‧‧‧緩衝記憶體
122‧‧‧漂移診斷控制部
124‧‧‧位置座標計算部
126‧‧‧判斷部
150‧‧‧描繪部
152‧‧‧程式儲存部
154‧‧‧第1儲存部
156‧‧‧第2儲存部
160‧‧‧控制部
172‧‧‧描繪位置監視部
200‧‧‧電子束
200‧‧‧描繪裝置
201‧‧‧電子槍
202‧‧‧照明透鏡
203‧‧‧第1細孔部
204‧‧‧投影透鏡
205‧‧‧偏向器
206‧‧‧第2細孔部
207‧‧‧物鏡
208‧‧‧偏向器
212‧‧‧遮沒(BLK)偏向器
214‧‧‧遮沒(BLK)細孔部
300‧‧‧描繪裝置
圖1係顯示依第1實施形態之描繪裝置之構成之概念圖。
圖2係顯示依第1實施形態之描繪方法之流程圖。
圖3係依第1實施形態之描繪方法之說明圖。
圖4係依第1實施形態之時間間隔模式變更之說明圖。
圖5係顯示依第3實施形態之描繪裝置之構成之概念圖。
圖6係顯示依第3實施形態之描繪方法之流程圖。
圖7係顯示依第4實施形態之描繪裝置之構成之概念圖。
圖8係顯示依第4實施形態之描繪方法之流程圖。
圖9係依第4實施形態之描繪方法之說明圖。
以下，參照圖式並同時說明關於本發明實施形態。以下，實施形態中，作為帶電粒子束之一例，說明關於使用電子束之構成。惟帶電粒子束不限於電子束，亦可為離子束等使用帶電粒子之光束。
且實施形態中，作為描繪「描繪圖案」之「試樣」之一例，以用於製造半導體等之遮罩基板(或遮罩)為例說明之。
本說明書中，所謂「描繪資料」係描繪於試樣之圖案之基礎資料。描繪資料係將以CAD等由設計者所產生之設計資料轉換成在描繪裝置內可運算處理的格式之資料。圖形等描繪圖案以例如圖形頂點等座標定義。
且本說明書中所謂「shot」意指帶電粒子束之1次照射。
且本說明書中所謂「shot密度」意指描繪區域中每單位面積之shot數，或描繪中每單位時間之shot數。
且本說明書中所謂「描繪中」係表示：非僅實際上對試樣照射帶電粒子束時，亦包含帶電粒子束照射前後，即廣義下「描繪處理期間內」之概念。
且本說明書中所謂「事件(event)」意指成為將診斷漂移量之時間間隔模式變更之契機之事項。
且本說明書中，所謂「漂移量之診斷」或「漂移診斷」意指測定描繪中所產生之帶電粒子束之照射位置自希望位置起之偏移量(漂移量)。
且本說明書中所謂「漂移修正」意指：根據漂移量之診斷結果進行之帶電粒子束漂移之修正。因漂移量為零或極小而不修正漂移之所謂零修正亦包含於「漂移修正」。
[第1實施形態]
本實施形態之電子束描繪裝置中，包含：第1儲存部，將進行漂移量診斷之位置座標加以儲存；第2儲存部，儲存有：定義進行帶電粒子束之漂移量診斷之時間間隔之第1時間間隔模式，與和該位置座標相關聯，定義進行帶電粒子束之漂移量診斷之時間間隔之第2時間間隔模式；描繪部，在試樣上照射該帶電粒子束，在該試樣上描繪既定描繪圖案；描繪位置監視部，監視描繪位置；及漂移診斷控制部，具有下列功能：根據該第1或第2時間間隔模式進行該帶電粒子束之漂移量診斷，根據由該描繪位置監視部獲得之描繪位置之資訊，自根據該第1時間間隔模式之漂移量之診斷，變更為根據該第2時間間隔模式之漂移量之診斷。
由於實施形態之電子束描繪裝置具有上述構成，當描繪到達上述位置座標時，進行漂移診斷，變更進行漂移診斷之時間間隔模式。藉此，可進行適當之漂移診斷，兼顧高描繪精度與高處理能力。本實施形態中，上述位置座標係以該特定位置為邊界、預期漂移量會大幅變化之位置的位置座標之情形為例進行說明。
圖1係顯示依本實施形態之描繪裝置的構成之概念圖。
圖1中，描繪裝置100包含描繪部150與控制部160。描繪裝置100係帶電粒子束描繪裝置之一例。又，描繪裝置100於試樣101描繪所希望之圖案。
描繪部150包含電子鏡筒102、描繪室103。於電子鏡筒102內，配置電子槍201、照明透鏡202、遮沒(BLK)偏向器212、遮沒(BLK)細孔部214、 第1細孔部203、投影透鏡204、偏向器205、第2細孔部206、物鏡207、及偏向器208。
且於描繪室103內，配置有以可移動之方式配置之XY平台105。且在XY平台105上，配置試樣101。作為試樣101，例如，包含轉印圖案至晶圓之曝光用遮罩基板。作為遮罩基板，包含尚未描繪之空白遮罩(mask blanks)。
控制部160包含輸入部111、描繪資料儲存部109、程式儲存部152、第1儲存部154、第2儲存部156、描繪位置監視部172、驅動電路108、偏向控制電路110、數位類比轉換器(DAC)112、114、116、控制計算機120、及緩衝記憶體121。於控制計算機120，設有漂移診斷控制部122等功能。
於描繪資料儲存部109，儲存有描繪在試樣101上的圖案的描繪資料。於程式儲存部152，儲存有令控制計算機120進行各處理之控制程式。於第1儲存部154，儲存有係進行漂移診斷之位置，成為自第1時間間隔模式變更為第2時間間隔模式之契機的位置座標。於第2儲存部156，儲存有將進行電子束之漂移量診斷之時間間隔加以定義之第1及第2時間間隔模式。
於控制計算機120，經由匯流排連接：輸入部111、描繪資料儲存部109、程式儲存部152、第1儲存部154、第2儲存部156、描繪位置監視部172、驅動電路108、偏向控制電路110、緩衝記憶體121等。偏向控制電路110連接：DAC112、114、116。DAC112連接BLK偏向器212。DAC114連接偏向器205。DAC116連接偏向器208。
對控制計算機120，輸入由描繪資料儲存部109儲存之描繪資料。且控制計算機120藉由，例如由程式儲存部152儲存之控制程式進行各處理。每次將輸入控制計算機120之資訊或是運算處理中及處理後的各項資訊儲存於，例如緩衝記憶體121。
漂移診斷控制部122具有：根據由描繪位置監視部172獲得之描繪位置 之資訊，自根據第1時間間隔模式之漂移量之診斷，變更為根據第2時間間隔模式之漂移量之診斷之功能。
自作為射出部之一例之電子槍201射出電子束200。自電子槍201發出之電子束200，藉由照明透鏡202照亮具有矩形孔之第1細孔部203整體。
於第1細孔部203，電子束200首先成形為矩形。又，藉由投影透鏡204，使通過第1細孔部203之第1細孔部像之電子束200在第2細孔部206上投影。藉由偏向器205可偏向控制在第2細孔部206上的第1細孔部像的位置，使光束形狀與尺寸變化。其結果，電子束200成形。
又，藉由物鏡207使通過第2細孔部206之第2細孔部像之電子束200對焦，藉由偏向器208使其偏向。其結果，朝連續移動之XY平台105上的試樣101之希望位置射出。XY平台105之移動藉由驅動電路108而驅動。偏向器205之偏向電壓由偏向控制電路110及DAC114控制。偏向器208之偏向電壓由偏向控制電路110及DAC116控制。
描繪位置監視部172監視以電子束描繪試樣101的哪一位置。例如，使用雷射干涉儀掌握XY平台105之位置，確定描繪位置。
在此，試樣101上的電子束200使希望射出量朝試樣101入射之射出時間t到達時，會發生如下所述之遮沒。亦即，為使電子束200不過量射出於試樣101上，以例如靜電型BLK偏向器212使電子束200偏向，並以BLK細孔部214截斷電子束200。藉此，使電子束200無法到達試樣101面上。BLK偏向器212之偏向電壓由偏向控制電路110及DAC112控制。
光束ON(遮沒OFF)時，自電子槍201發出之電子束200沿著圖1中之實線所示之軌道前進。另一方面，光束OFF(遮沒ON)時，自電子槍201發出之電子束200沿著圖1中之虛線所示之軌道前進。且電子鏡筒102內及描繪室103內藉由未圖示之真空泵抽真空，呈壓力低於大氣壓之真空環境。
使用上述構成之描繪裝置100，在試樣101上描繪「描繪圖案」。
圖1中，記載有為說明本實施形態所需之構成部分。對描繪裝置100而言，通常當然包含必要之其他構成。
且圖1中，於作為電腦之一例之控制計算機120內，雖可進行漂移診斷控制部122各功能之處理，但不限於此。例如，亦可藉由電路以硬體實施。或是，亦可藉由以電路構成之硬體與軟體之組合來實施。或是，相關之硬體與韌體之組合亦可。
圖2係顯示依本實施形態之描繪方法之流程圖。以下，參照圖2所示之描繪方法之流程，說明關於使用描繪裝置100之電子束描繪方法。
本實施形態之電子束描繪方法中，將進行漂移量診斷之位置座標儲存於電子束描繪裝置，使定義進行電子束之漂移量診斷之時間間隔之第1時間間隔模式，與和該位置座標相關聯，定義進行該電子束之漂移量診斷之時間間隔之第2時間間隔模式，儲存於電子束描繪裝置，使用該描繪裝置，進行在試樣上照射該電子束，於描繪之間的空檔，根據該第1時間間隔模式進行該電子束之漂移量診斷，同時在該試樣上描繪既定描繪圖案之第1描繪，描繪到達該位置座標時，進行該電子束之漂移量診斷，描繪到達該位置座標後，進行在試樣上照射該電子束，於描繪之間的空檔，根據該第2時間間隔模式進行該電子束之漂移量診斷，同時在該試樣上描繪既定描繪圖案之第2描繪。
首先，在描繪前，先儲存進行漂移量診斷之位置座標於描繪裝置100(S1)。輸入係例如自具有電子記錄媒體之讀取功能之輸入部111讀入位置座標作為電子資料。或亦可自具有鍵盤之輸入部111直接輸入位置座標。讀 入之時間間隔模式儲存於第1儲存部154。
上述位置座標，例如係以該特定位置為邊界，預期漂移量會大幅變化之位置的位置座標。例如，係描繪圖案之圖形形狀發生變化之位置，或描繪條件發生變化之位置等，與描繪相關之參數發生變化之位置。
位置座標，例如係試樣101上之XY座標，X座標或Y座標任一方皆可。
本實施形態中，儲存例如2個位置座標，亦即第1位置座標與第2位置座標(S1)。
其次，於電子束描繪裝置100儲存：定義進行電子束之漂移量診斷之時間間隔之第1、第2及第3時間間隔模式(S2)。時間間隔模式定義於描繪中，暫停描繪而進行之漂移診斷之時間間隔。第2時間間隔模式與上述第1位置座標相關聯。亦即，與描繪位置到達第1位置座標時發生之第1位置座標到達事件相關聯。且第3時間間隔模式與上述第2位置座標相關聯。亦即，與描繪位置到達第2位置座標時發生之第2位置座標到達事件相關聯。
第1時間間隔模式與第2時間間隔模式亦可分別定義不同時間間隔。例如，第2時間間隔模式定義較第1時間間隔模式狹窄之時間間隔。亦即，依第2時間間隔模式，於描繪中，以高於第1時間間隔模式之頻度對描繪圖案進行漂移量之診斷。
且例如亦可使第1時間間隔模式定義等間隔之時間間隔模式，第2時間間隔模式定義較第1時間間隔模式更狹窄之間隔之等間隔之時間間隔模式。
輸入係例如自具有電子記錄媒體之讀取功能之輸入部111，讀入第1及第2時間間隔模式作為電子資料。讀入之時間間隔模式儲存於第2儲存部156。
描繪「描繪圖案」時，首先，控制計算機120自描繪資料儲存部109讀入描繪資料。將描繪資料，例如自輸入部111取入描繪裝置100。輸入部111係輸入機構之一例，例如，自外部記憶體讀取資訊之讀取裝置。
其次，自作為射出部之一例之電子槍201對試樣101射出電子束200，在試樣101上描繪根據既定描繪資料之描繪圖案(S3-1：第1描繪)。
第1描繪中，於描繪之間的空檔，根據第1時間間隔模式進行電子束之漂移量診斷(S4-1：第1漂移診斷)。又，在試樣101上，根據漂移量之診斷結果進行漂移修正，同時描繪既定之圖案(第1描繪)。亦即，重複：描繪-第1漂移診斷-描繪，之週期。此漂移診斷之時間間隔之控制，由漂移診斷控制部122進行。漂移診斷於描繪過程中，每次在圖案之描繪停止之狀態下進行。
第1描繪中，藉由描繪位置監視部172，監視描繪位置。又，描繪到達第1位置座標(S3-2)。因到達第1位置座標，第1位置座標到達事件發生。
到達第1位置座標時，進行漂移量之診斷。又，到達第1位置座標後，於第2描繪中不根據第1時間間隔模式，代之以第2時間間隔模式進行電子束之漂移量診斷(S4-2)。又，在試樣101上，根據漂移量之診斷結果進行漂移修正，同時描繪既定之圖案(S3-3：第2描繪)。亦即，重複：描繪-第2漂移診斷-描繪，之週期。
在此，漂移診斷控制部122根據由描繪位置監視部172獲得之描繪位置之資訊，自根據第1時間間隔模式之漂移量之診斷，變更為根據第2時間間隔模式之漂移量之診斷。
第2描繪中，藉由描繪位置監視部172，監視描繪位置。又，描繪到達第2位置座標(S3-4)。因到達第2位置座標，第2位置座標到達事件發生。
到達第2位置座標時，進行漂移量之診斷。到達第2位置座標後，於第3描繪中根據第3時間間隔模式進行電子束之漂移量診斷(S4-3：第3漂移診斷)。又，在試樣101上，根據漂移量之診斷結果進行漂移修正，同時描繪既定之圖案(S3-5：第3描繪)。亦即，重複：描繪-第3漂移診斷-描繪，之週期。
在此，漂移診斷控制部122根據由描繪位置監視部172獲得之描繪位置之資訊，自根據第2時間間隔模式之漂移量之診斷，變更為根據第3時間間隔模式之漂移量之診斷。
圖3係依本實施形態之描繪方法之說明圖。
如圖3所示，在試樣101上，存在描繪圖案之圖案區域10。又，此圖案區域10被分割為，例如複數之細長之長方形之條紋區域12。
條紋區域12之寬度，由例如電子束可偏向之寬度來限定。條紋區域12係相當於電子束掃描1次之單位區域。描繪圖案時，例如令XY平台105沿X方向移動，藉此電子束自圖中，最下部之條紋區域12起，沿箭頭之方向掃描。最下部之條紋區域12之描繪結束後，令XY平台105沿Y方向移動，依序進行上側之條紋區域12之描繪。
成為自第1時間間隔模式變更為第2時間間隔模式之契機之位置為圖中之位置A，其位置座標為(xa ，ya )。電子束進行掃描，描繪到達位置座標(xa ，ya )後，即進行漂移診斷，漂移量之診斷之時間間隔模式自第1時間間隔模式變更為第2時間間隔模式。
又，漂移診斷之進行，朝第2時間間隔模式切換之時機只要以位置A為契機即可，無特別限定。例如，可為包含位置A之條紋區域描繪結束之時點，亦可為到達位置A後，經過既定之時間後。
亦可同樣地進行自第2時間間隔模式變更為第3時間間隔模式。
圖4係本實施形態之時間間隔模式變更之說明圖。例如，描繪開始(描繪開始事件)後，即根據第1時間間隔模式進行漂移量之診斷。
又，時間軸上的縱條每條表示1次漂移診斷。又，如圖所示，吾人希望採用自事件發生隨著時間經過，時間間隔增大之時間間隔模式。此因吾人擔心事件剛結束後漂移量最大。
描繪到達位置座標(xa ，ya )(第1位置座標到達事件)後，即變更為根據第2時間間隔模式進行漂移量之診斷。在此，第2時間間隔模式定義較第1時間間隔模式狹窄之時間間隔。亦即，依第2時間間隔模式，以更高頻度進行漂移量之診斷。
且第2時間間隔模式宜定義較第1時間間隔模式狹窄之時間間隔。此因漂移量大幅變化時，可進行適當之漂移量之診斷與修正。
同樣地進行關於第2位置座標到達事件為契機之漂移診斷，與自第2時間間隔模式變更為第3時間間隔模式。
漂移診斷之方法雖無特別限定，但可藉由下列方式進行：例如，中斷描繪後，對固定在XY平台105上的漂移診斷用基準標記射出電子束，測定自所希望之光束位置之偏離。又，漂移診斷結果，對應所獲得之漂移量，修正光束照射位置，進行所謂漂移修正。藉由修正例如DAC112、114、116之偏向感度係數等修正漂移。如此漂移診斷後之圖案描繪，係根據漂移診斷之結果，一面修正漂移一面進行。
又，依避免描繪之圖案不連續之觀點，吾人希望漂移修正不止一次修正因漂移診斷所獲得之漂移量，而是在描繪中階段性或連續性地進行修正。
實施形態之電子束描繪程式係用來令搭載於描繪裝置100之電腦執行上述電子束描繪方法之程式。控制計算機120係電腦之一例。
具體而言，該程式令搭載於該描繪裝置100之電腦進行下列處理：將進行漂移量診斷之位置座標儲存於電子束描繪裝置；使定義進行電子束之漂移量診斷之時間間隔之第1時間間隔模式，與和該位置座標相關聯，定義進行該電子束之漂移量診斷之時間間隔之第2時間間隔模式，儲存於電子束描繪裝置；使用該描繪裝置，進行在試樣上照射該電子束，於描繪之間的空檔，根據該第1時間間隔模式進行該電子束之漂移量診斷，同時在該試樣上描繪既定描繪圖案之第1描繪；描繪到達該位置座標時，進行該電子束之漂移量診斷；及描繪到達該位置座標後，進行在試樣上照射該電子束，於描繪之間的空檔，根據該第2時間間隔模式進行該電子束之漂移量診斷，同時在該試樣上描繪既定描繪圖案之第2描繪。
此程式儲存於，例如磁碟裝置、磁帶裝置、FD或是ROM(唯讀記憶體)等電腦可讀取之記錄媒體。具體而言，例如儲存於描繪裝置100之程式儲存部152。
以上，依本實施形態，可進行適當之漂移診斷，兼顧高描繪精度與高處理能力。
[第2實施形態]
本實施形態之電子束描繪裝置中，由電子束描繪裝置儲存之位置座標將描繪「描繪圖案」時shot密度之變化率超過既定變化率(閾值)之位置加以確定。shot密度可為每單位面積之shot數，亦可為每單位時間之shot數。除關於上述位置座標以外與第1實施形態相同。因此，關於與第1實施形態重複之內容省略記述。
例如，shot密度之變化量可以描繪裝置100在描繪前，為估計描繪時間等而進行之shot數之估計結果為基礎計算。參照此計算結果，可確定shot密度之變化率超過既定變化率之位置的位置座標。
於shot密度之變化率超過既定變化率之位置，可預期例如漂移量劇烈變化。
依本實施形態，到達預期漂移量會劇烈變化之位置時，進行漂移診斷。且將其後之漂移診斷之時間間隔，變更為適於預期之變化之時間間隔，藉此保證描繪之精度。藉此，可進行適當之漂移診斷，兼顧高描繪精度與高處理能力。
[第3實施形態]
本實施形態之電子束描繪裝置中，包含將成為自第1時間間隔模式變更為第2時間間隔模式之契機的位置座標，於描繪裝置內自動加以計算之位置座標計算部，除此以外，與第1實施形態相同。因此，就與第1實施形態重複之內容省略記述。
圖5係顯示本實施形態之描繪裝置之構成之概念圖。
如圖5所示，描繪裝置200之控制部160之控制計算機120包含位置座標計算部124。位置座標計算部124具有將成為自第1時間間隔模式變更為第2時間間隔模式之契機的位置座標，於描繪裝置內自動加以計算之功能。
本實施形態之電子束描繪方法中，於描繪裝置200內，計算成為自第1時間間隔模式變更為第2時間間隔模式之契機的位置座標，除此以外，與第1實施形態相同。
圖6係顯示本實施形態之描繪方法之流程圖。位置座標計算(S21)作為描繪裝置200內之處理進行。
具體而言，例如以由描繪資料儲存部109儲存之描繪資料為基礎，計算描繪時每單位面積之shot密度，或每單位時間之shot密度。又，計算此shot密度之變化率。且計算shot密度之變化率超過預先決定之閾值之位置的位置座標。計算之位置座標由，例如第2儲存部156儲存。
依本實施形態，位置座標可於描繪裝置200內自動計算。因此，與第1實施形態相比較，可實現更高之描繪效率。
[第4實施形態]
本實施形態之電子束描繪裝置中，包含判斷是否變更為根據第2時間間隔模式之漂移量之診斷之判斷部，除此以外，與第1實施形態相同。因此，就與第1實施形態重複之內容省略記述。
圖7係顯示本實施形態之描繪裝置之構成之概念圖。
如圖7所示，描繪裝置300之控制部160之控制計算機120包含判斷部126。判斷部126具有：到達既定之位置座標時，判斷是否自第1時間間隔模式變更為第2時間間隔模式之功能。
圖8係顯示本實施形態之描繪方法之流程圖。描繪到達第1位置座標(S3-2)後，以判斷部126，判斷可否自第1時間間隔模式變更為第2時間間隔模式(S31)。
以判斷部126判斷變更為可時，切換至第2時間間隔模式，進行電子束第2漂移量之診斷(S4-2)。另一方面，以判斷部126判斷變更為不可時，持續以第1時間間隔模式為基礎，進行電子束第2漂移量之診斷。
同樣地，描繪到達第2位置座標(S3-2)後，以判斷部126，判斷可否自第2時間間隔模式變更為第3時間間隔模式(S31)。
以判斷部126判斷變更為可時，切換至第3時間間隔模式，進行電子束第3漂移量之診斷(S4-3)。另一方面，以判斷部126判斷變更為不可時，持續，以於緊接在前之描繪使用之第1或第2時間間隔模式為基礎，進行電子束第3漂移量之診斷。
變更可否之判斷基準係，例如描繪中之描繪區域之種類。圖9係本實施形態之描繪方法之說明圖。
例如，試樣101之圖案區域10之圖案具有階層構造，存在有描繪區域α與描繪區域β。在此，所謂描繪區域係描繪時適用同一描繪條件之區域。不同描繪區域，如圖9，即使在位置上重疊，亦無法於1次電子束掃描中同時描繪。
在此，想像例如決定位置A時，不以描繪區域α之圖案之shot密度為基礎，而以描繪區域β之圖案之shot密度為基礎之情形。此時，即使在描繪區域α之描繪中到達位置A，亦不需變更時間間隔模式。因此，例如以判斷部126取得現在描繪中之描繪區域之資訊，判斷可否變更時間間隔模式。
且變更可否之判斷基準於另一例中，例如係有無與以另一事件為契機之第2時間間隔模式以外之第3時間間隔模式之競爭。例如存在有因使用者之情事等描繪暫時停止之描繪暫時停止事件，與對應其之第3時間間隔模式。
例如，想像於掃描同一條紋中，位置座標到達事件與描繪暫時停止事件同時發生之情形。此時，描繪裝置300需判斷是否選擇第2時間間隔模式與第3時間間隔模式中任一者。可考慮例如以判斷部126進行此判斷。
依本實施形態，以判斷部126判斷可否變更為第2時間間隔模式，藉此更可使描繪中之漂移診斷之時間間隔之設定最佳化，兼顧高描繪精度與高 處理能力。
以上，參照具體例並同時說明關於實施形態。然而，本發明不由此等具體例限定。
且實施形態中，雖已以於圖案區域10中有2個描繪區域時為例說明，但描繪區域數不限於2個。
且雖已就裝置構成或控制手法等，本發明之說明非直接必要之部分等省略記載，但可適當選擇使用必要之裝置構成或控制手法。例如，關於控制帶電粒子束描繪裝置之控制部構成之詳細內容雖省略記載，但當然可適當選擇使用必要之控制部構成。
此外，具備本發明之要素，熟悉該技藝者可適當設計變更之所有帶電粒子束描繪方法、帶電粒子束描繪程式及帶電粒子束描繪裝置，皆包含於本發明之範圍內。

Claims (5)

  1. 一種帶電粒子束描繪方法，將進行漂移量診斷之位置座標儲存於帶電粒子束描繪裝置，使定義進行帶電粒子束之漂移量診斷之時間間隔之第1時間間隔模式，與和該位置座標相關聯，定義進行該帶電粒子束之漂移量診斷之時間間隔之第2時間間隔模式，儲存於帶電粒子束描繪裝置，使用該描繪裝置，進行在試樣上照射該帶電粒子束，於描繪之間的空檔，根據該第1時間間隔模式進行該帶電粒子束之漂移量診斷，同時在該試樣上描繪既定描繪圖案之第1描繪，描繪到達該位置座標時，進行該帶電粒子束之漂移量診斷，描繪到達該位置座標後，進行在試樣上照射該帶電粒子束，於描繪之間的空檔，根據該第2時間間隔模式進行該帶電粒子束之漂移量診斷，同時在該試樣上描繪既定描繪圖案之第2描繪；上述第1及第2時間間隔模式中，隨著時間經過，時間間隔增大。
  2. 如申請專利範圍第1項之帶電粒子束描繪方法，其中該位置座標將該描繪「描繪圖案」時shot密度之變化率超過既定變化率之位置加以確定。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之帶電粒子束描繪方法，其中該第2時間間隔模式定義該較第1時間間隔模式狹窄之該時間間隔。
  4. 一種帶電粒子束描繪程式，令搭載於該描繪裝置之電腦進行下列處理：將進行漂移量診斷之位置座標儲存於帶電粒子束描繪裝置；使定義進行帶電粒子束之漂移量診斷之時間間隔之第1時間間隔模式，與和該位置座標相關聯，定義進行該帶電粒子束之漂移量診斷之時間間隔之第2時間間隔模式，儲存於帶電粒子束描繪裝置；使用該描繪裝置，進行在試樣上照射該帶電粒子束，於描繪之間的空檔，根據該第1時間間隔模式進行該帶電粒子束之漂移量診斷，同時在該試 樣上描繪既定描繪圖案之第1描繪；描繪到達該位置座標時，進行該帶電粒子束之漂移量診斷；及描繪到達該位置座標後，進行在試樣上照射該帶電粒子束，於描繪之間的空檔，根據該第2時間間隔模式進行該帶電粒子束之漂移量診斷，同時在該試樣上描繪既定描繪圖案之第2描繪；上述第1及第2時間間隔模式中，隨著時間經過，時間間隔增大。
  5. 一種帶電粒子束描繪裝置，包含：第1儲存部，將進行漂移量診斷之位置座標加以儲存；第2儲存部，儲存有定義進行帶電粒子束之漂移量診斷之時間間隔之第1時間間隔模式，與和該位置座標相關聯，定義進行帶電粒子束之漂移量診斷之時間間隔之第2時間間隔模式；描繪部，在試樣上照射該帶電粒子束，在該試樣上描繪既定描繪圖案；描繪位置監視部，監視描繪位置；及漂移診斷控制部，具有下列功能：根據該第1或第2時間間隔模式進行該帶電粒子束之漂移量診斷，根據由該描繪位置監視部獲得之描繪位置之資訊，自根據該第1時間間隔模式之漂移量之診斷，變更為根據該第2時間間隔模式之漂移量之診斷；上述第1及第2時間間隔模式中，隨著時間經過，時間間隔增大。
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