TWI494666B - 液晶顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

Description

液晶顯示裝置及其製造方法

本發明係關於一種液晶顯示裝置，尤其關於一種具備藉由光之照射而賦予配向膜配向控制功能之液晶顯示面板之液晶顯示裝置。

於液晶顯示裝置中，設置像素電極及薄膜電晶體(TFT，Thin Film Transistor)等形成為矩陣狀之TFT基板、及與TFT基板對向且於對應於TFT基板之像素電極之位置形成有彩色濾光片等之對向基板，於TFT基板與對向基板之間夾持有液晶。而且藉由針對每個像素控制取決於液晶分子之光之透過率而形成圖像。

液晶顯示裝置為平坦且輕量，因此用途自TV等大型顯示裝置擴大至行動電話或DSC(Digital Still Camera，數位靜態相機)等各種領域。另一方面，於液晶顯示裝置中，視角特性成為問題。視角特性係於自正面觀察畫面之情形時及自斜向觀察之情形時，亮度發生變化或色度發生變化之現象。關於視角特性，藉由水平方向之電場使液晶分子動作之IPS(In Plane Switching，橫向電場效應)方式具有優異特性。

作為對液晶顯示裝置所使用之配向膜進行配向處理即賦予配向控制功能之方法，作為先前技術有利用摩擦進行處理之方法。該藉由摩擦進行之配向處理係藉由以布擦拭配向膜而進行配向處理者。另一方面，存在對配向膜非接觸 地賦予配向控制功能之光配向法之方法。由於IPS方式無需預傾角，故可應用光配向法。

於「專利文獻1」中揭示有藉由以紫外線為代表之光之照射進行之光分解型之光配向處理，且記載有：藉此於光分解型光配向處理中，(1)減少由像素部之複雜之階差構造引起之配向混亂；(2)解決藉由摩擦進行之配向處理中之顯示不良，該顯示不良之原因係由靜電導致之薄膜電晶體之破損、摩擦布毛端之混亂或灰塵導致之配向混亂，並解決為獲得均質之配向控制功能所需之頻繁更換摩擦布所致之製程之繁雜。

於「專利文獻2」中記載有如下構成：將配向膜之上層製成分子量較大且可有效地進行光配向之膜，並藉由具有光導電性之分子量較小之膜形成下層，從而減少殘像。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2004-206091號公報

[專利文獻2]日本專利特開2010-72011號公報

然而，已知於對配向膜賦予配向控制功能方面，光配向處理若與摩擦處理相比，一般而言配向穩定性較低。若配向穩定性較低，則初始配向方向發生變動，導致顯示不良。尤其，於使用要求較高之配向穩定性之橫向電場方式之液晶顯示面板之液晶顯示裝置中，由於配向穩定性較 低，容易產生殘像所象徵之顯示不良。

光配向處理中，於LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)製程中不存在如摩擦處理般之延伸高分子之主鏈使其成為直線狀之步驟。因此，於光配向處理中，照射有偏光之以聚醯亞胺為代表之合成高分子之配向膜係藉由在與該偏光方向正交之方向上切割主鏈而被賦予單軸性。液晶分子未被切割而於直線上延伸且沿剩餘之長主鏈方向進行配向，但若該主鏈之長度變短，則單軸性下降，與液晶之相互作用變弱致配向性下降，故而容易產生上述殘像。

因此，為提高配向膜之單軸性，提高配向穩定性，必需增大配向膜之分子量，作為解決該問題之方法，可使用將聚醯胺酸烷基酯醯亞胺化而成之光配向膜材料。藉此，於聚醯胺酸烷基酯材料中，不會伴隨如先前之聚醯胺酸材料中產生之醯亞胺化反應時之向二胺及酸酐之分解反應，於醯亞胺化後仍可較大地保持分子量，從而可獲得與摩擦處理同等之配向穩定性。

又，於聚醯胺酸烷基酯材料中，其化學結構中不含羧酸，故而與聚醯胺酸材料相比，LCD之電壓保持率上升，亦可確保長期可靠性之提昇。

為獲得光配向膜之配向穩定性、長期可靠性，有效的是應用聚醯胺酸烷基酯材料，但一般而言，該材料與聚醯胺酸材料相比，配向膜比電阻較高。因此，於驅動液晶分子之信號波形中直流電壓重疊而成為殘留DC(Direct Current)之情形時，至殘留DC緩解為止之時間常數變大，而容易 導致殘像(DC殘像)。

於「專利文獻2」中，為解決該問題，揭示有如下構成：於下層以聚醯胺酸為前驅物而形成具有光導電性之聚醯亞胺，於上層如上所述，形成光配向特性優異之以聚醯胺酸酯為前驅物之聚醯亞胺。

下層之具有光導電性之聚醯亞胺係藉由來自背光源之光而獲得光導電性者。然而，於液晶顯示面板中存在配線等，且存在未照射背光之區域，該區域保持電阻較高之狀態。因此，產生由於存在無法獲得光導電性之區域而導致殘像特性整體下降之問題。

本發明之目的在於實現如下構成：即便於未照射背光源之光之區域，亦可藉由使蓄積電荷容易移動或減小配向膜之電阻，而改善液晶顯示面板整體之殘像特性。

本發明係克服上述問題者，主要具體手段如下。

(1)一種液晶顯示裝置，其特徵在於：其係配置有液晶顯示面板及於前述液晶顯示面板背面之背光源者，上述液晶顯示面板係於TFT基板與對向基板之間夾持有液晶而形成，該TFT基板係於由在第1方向上延伸且於第2方向上排列之掃描線及於第2方向上延伸且於第1方向上排列之影像信號線所圍成之區域中形成有像素電極，該對向基板具有對應於上述像素之彩色濾光片；且形成覆蓋上述掃描線、上述影像信號線、上述像素電極之配向膜，上述配向膜接受光配向處理，上述配向膜具有光導電特性，且於覆蓋上 述掃描線之上述配向膜下配置有光阻劑。

(2)一種液晶顯示裝置，其特徵在於：其係配置有液晶顯示面板及於上述液晶顯示面板背面之背光源者，上述液晶顯示面板係於TFT基板與對向基板之間夾持有液晶而形成，該TFT基板係於由在第1方向上延伸且於第2方向上排列之掃描線及於第2方向上延伸且於第1方向上排列之影像信號線所圍成之區域中形成有像素電極，該對向基板具有對應於上述像素之彩色濾光片；且形成覆蓋上述掃描線、上述影像信號線、上述像素電極之配向膜，上述配向膜接受光配向處理，上述配向膜具有光導電特性，於上述背光源熄滅之狀態下的覆蓋上述掃描線之上述配向膜之比電阻較覆蓋上述像素電極之上述配向膜之比電阻小。

(3)一種液晶顯示裝置之製造方法，其特徵在於：其係製造配置有液晶顯示面板及於上述液晶顯示面板背面之背光源之液晶顯示裝置之方法，上述液晶顯示面板係於TFT基板與對向基板之間夾持有液晶而形成，該TFT基板係於由在第1方向上延伸且於第2方向上排列之掃描線及於第2方向上延伸且於第1方向上排列之影像信號線所圍成之區域中形成有像素電極，該對向基板具有對應於上述像素之彩色濾光片；且該液晶顯示裝置之製造方法包括如下步驟：塗佈覆蓋上述掃描線、上述影像信號線、上述像素電極之配向膜；使上述配向膜乾燥；焙燒上述配向膜而使其醯亞胺化；對上述配向膜照射偏光紫外線而進行光配向；照射上述偏光紫外線後加熱；及一面加熱上述配向膜，一 面僅對覆蓋上述掃描線之上述配向膜照射紫外線。

根據本發明，於未照射背光源之區域中，由於使電荷容易移動或減小配向膜之電阻，故而可改善顯示區域整體之殘像特性。因此，可實現畫質優異之液晶顯示裝置。

於說明本發明之具體實施例前，對應用本發明之IPS方式之液晶顯示裝置之構成進行說明。圖17係表示IPS方式之液晶顯示裝置之顯示區域之構造的剖面圖。對IPS方式之液晶顯示裝置之電極構造有各種提案，且已實用化。圖17之構造為目前廣泛使用之構造，簡言之，於形成於平面整面上之對向電極108上夾持絕緣膜而形成有梳齒狀之像素電極110。而且，藉由像素電極110與對向電極108間之電壓使液晶分子301旋轉，藉此針對每個像素控制液晶層300之光之透過率，從而形成圖像。以下詳細說明圖17之構造。再者，本發明係以圖17之構成為例進行說明，但亦可應用於圖17以外之IPS型液晶顯示裝置。

圖17中，於由玻璃形成之TFT基板100上形成有閘極電極101。閘極電極101與掃描線形成於同層。閘極電極101於AlNd合金上積層有MoCr合金。

覆蓋閘極電極101之閘極絕緣膜102係由SiN形成。於閘極絕緣膜102上，於與閘極電極101對向之位置藉由a-Si膜形成有半導體層103。a-Si膜係藉由電漿CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)而形成。a-Si膜形成TFT 之通道部，夾持通道部於a-Si膜上形成源極電極104及汲極電極105。再者，於a-Si膜與源極電極104或汲極電極105之間形成未圖示之n+Si層。用以取得半導體層與源極電極104或汲極電極105之歐姆接觸。

源極電極104兼用影像信號線，汲極電極105與像素電極110連接。源極電極104及汲極電極105均於同層且同時形成。於本實施例中，源極電極104或汲極電極105由MoCr合金形成。於欲降低源極電極104或汲極電極105之電阻之情形時，例如可使用以MoCr合金包夾AlNd合金而成之電極構造。

覆蓋TFT之無機鈍化膜106係由SiN形成。無機鈍化膜106保護TFT之尤其通道部不受雜質影響。於無機鈍化膜106上形成有機鈍化膜107。由於有機鈍化膜107於保護TFT之同時亦具有使表面平坦化之作用，故而較厚地形成。厚度為1 μm至4 μm。

有機鈍化膜107中使用感光性之丙烯酸系樹脂、矽樹脂、或聚醯亞胺樹脂等。有機鈍化膜107中必需於像素電極110與汲極電極105連接之部分形成通孔111，但由於有機鈍化膜107為感光性，故而可不使用光阻劑，而將有機鈍化膜107本身曝光顯影而形成通孔111。

於有機鈍化膜107上形成對向電極108。對向電極108係藉由將作為透明導電膜之ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)濺鍍於整個顯示區域而形成。即，對向電極108形成為面狀。藉由濺鍍於整面而形成對向電極108後，僅用以導 通像素電極110及汲極電極105之通孔111部係藉由蝕刻對向電極108而去除。

覆蓋對向電極108之上部絕緣膜109係由SiN而形成。形成上部電極後，藉由蝕刻形成通孔111。使該上部絕緣膜109成為光阻劑並蝕刻無機鈍化膜106而形成通孔111。其後，藉由濺鍍而形成覆蓋上部絕緣膜109及通孔111之成為像素電極110之ITO。將經濺鍍之ITO圖案化而形成像素電極110。成為像素電極110之ITO亦被黏著於通孔111。於通孔111中，自TFT延伸出之汲極電極105及像素電極110導通，而將影像信號供給至像素電極110。

圖18中表示像素電極110之1例。像素電極110為梳齒狀電極。於梳齒與梳齒之間形成有狹縫112。於像素電極110下方形成有平面狀之對向電極108。若對像素電極110施加影像信號，則藉由通過狹縫112而於與對向電極108之間產生之電力線使液晶分子301旋轉。藉此控制通過液晶層300之光而形成圖像。

圖17係將該情況以剖面圖形式進行說明者。梳齒狀電極與梳齒狀電極之間成為圖17所示之狹縫112。對向電極108中施加固定電壓，像素電極110中施加影像信號產生之電壓。若對像素電極110施加電壓，則如圖17所示，產生電力線使液晶分子301於電力線方向上旋轉而控制來自背光源之光之透過。由於針對每個像素控制來自背光源之光之透過，故而形成圖像。

於圖17之例中，於有機鈍化膜107上配置有形成為面狀 之對向電極108，於上部絕緣膜109上配置有梳齒電極110。然而，亦有與此相反地，於有機鈍化膜107上配置形成為面狀之像素電極110，於上部絕緣膜109上配置梳齒狀之對向電極108的情形。

於像素電極110上形成有用以使液晶分子301配向之配向膜113。於本發明中，如此後說明般，於形成於掃描線等金屬配線上且未照射背光之區域之配向膜、及如開口部般照射背光之區域之配向膜中改變構成，但於圖17中記載為相同形式。

於圖17中，夾持液晶層300而設置有對向基板200。於對向基板200內側形成有彩色濾光片201。彩色濾光片201於每一像素形成有紅、綠、藍之彩色濾光片201，從而形成彩色圖像。於彩色濾光片201與彩色濾光片201之間形成黑矩陣202，提高圖像之對比度。再者，黑矩陣202亦有作為TFT之遮光膜之作用，防止TFT中流通光電流。

形成有覆蓋彩色濾光片201及黑矩陣202之保護層膜203。由於彩色濾光片201及黑矩陣202之表面成為凹凸，故而藉由保護層膜203使表面平坦。

於保護層膜203上，形成有用以決定液晶之初始配向之配向膜113。由於對向基板側之配向膜113不會對殘像特性造成較大影響，故而未如TFT基板100側之配向膜般根據區域而改變配向膜之構成。

再者，於本發明中，亦可如圖19所示，藉由光配向特性優異之上層配向膜113U及具有光導電性之下層配向膜113L 而構成配向膜113。然而，於本說明書中，並未特別區分下層及上層，而是以整個配向膜之形式作為具有光導電性者進行說明。原因在於，只要下層具有光導電性則可認為整個配向膜具有光導電性。藉由以下實施例詳細說明本發明之內容。

[實施例1]

圖1係表示本發明之實施例1之構成之剖面圖，圖2係實施例1之平面圖。於說明圖1及圖2前，使用圖3~圖6對殘像長期存在之機制進行說明。殘像包括當出現相同圖像時其圖案烙印且圖案漸漸消失之所謂DC殘像、及由於配向膜之配向性能下降而產生之殘像即所謂之AC(Alternating Current，交流)殘像。本發明係對應所謂之DC殘像者。

圖3表示於顯示特定圖案後於配向膜113表面上蓄積有電荷之狀態。圖3中，於TFT基板100上形成有掃描線10，於掃描線10上形成有包含圖17中所說明之閘極絕緣膜、無機鈍化膜等各種絕緣層之中間層150，於中間層150上形成有配向膜113。

若自TFT基板100之背面照射背光源，則未由掃描線10遮蔽之開口部55中之配向膜113之電阻由於光導電特性而下降。另一方面，由掃描線10所遮蔽之部分之配向膜113由於未照射背光，故而電阻不會下降。

圖4係表示於顯示特定圖案後，經過某段時間t1之情形時之配向膜113上之蓄積電荷之狀態的圖。未由掃描線10遮蔽之開口部55由於光導電效應而配向膜113之電阻變 小，故而電荷迅速消失，但由於蓄積於由掃描線10所遮蔽之部分之電荷向開口部55移動，故而於開口部55存在蓄積電荷。

圖5係表示顯示特定圖案後，經過更長之時間t2之情形時之配向膜113上之蓄積電荷之狀態的圖。開口部55之配向膜113之電阻由於光導電效應而電阻變小，儘管電荷儘早消失，但由於自遮光部分供給電荷，故而於開口部55之配向膜113中依然存在電荷，出現殘像現象。

遮光部分對圖像形成無影響，僅開口部55與圖像形成有關。即，遮光部分之電荷耗費時間而移動至開口部55成為殘像較長持續之原因。圖6係模式性地表示該現象者。圖6為液晶顯示面板之剖面圖，構造與圖3中所說明者相同。

圖6中，於遮光部之配向膜113與開口部55之配向膜113之間形成有電阻R1，該電阻大部分為遮光部分之配向膜113電阻。原因在於，於遮光部分，由於無光導電效應故而電阻較大。即，若電阻R1較大，則電荷之移動變得緩慢，電荷耗費較長時間自遮光部之配向膜113朝向開口部55之配向膜113移動。因此，殘像持續較長時間。為防止此情況，只要減小自遮光部之配向膜113朝向開口部55之配向膜113之電阻即可。

圖1所示之本發明之實施例1係於遮光部中藉由在中間層150與配向膜113之間配置光阻劑30而加速電荷自遮光部之配向膜113向開口部55之配向膜113之流通的構成。於圖1中，並列於遮光部之配向膜113與開口部55之配向膜113間 之電阻R1配置有光阻劑30與開口部55之配向膜113間之電阻R2。光阻劑30厚度例如為1.5 μm左右，故而電阻R2小於R1。

另外，配向膜113之厚度為70 nm左右。無光導電效應之情形時之配向膜113之比電阻為10¹⁵ Ωcm，光阻劑30之比電阻亦相同。然而，由於光阻劑30之厚度為配向膜113之20倍以上，故而電阻R2為電阻R1之1/20以下。因此，蓄積於遮光部之電荷移動至開口部55之時間亦變快。即便光阻劑30之厚度為配向膜113之厚度之10倍以上，即電阻R2為電阻R1之1/10以下左右，亦可發揮本發明之效果。再者，產生光導電效應之配向膜113之比電阻為10¹³ Ωcm左右。

圖2係表示顯示區域中之像素構成之平面圖。於圖2中，掃描線10於橫向上延伸，於縱向上排列。又，影像信號線20於縱向上延伸，於橫向上排列。由掃描線10及影像信號線20所圍成之區域成為開口部55，即具有像素電極之像素部。圖2中省略了TFT。

圖2中，於掃描線10上形成有光阻劑30。配向膜113形成於光阻劑30上，該光阻劑30形成於開口部55、影像信號線20、及掃描線10上。來自由掃描線10所遮蔽之部分之配向膜113之電荷由於光阻劑30之影響而迅速向開口部55移動，可縮短殘像時間。

圖2中，由於影像信號線20亦成為遮光部，故而可藉由亦於影像信號線20上形成光阻劑30而獲得使影像信號線20上之電荷迅速向像素部移動之效果。然而，施加於影像信 號線20之影像信號由於交流驅動而於每根線或每個訊框中變化極性。因此，於影像信號線20上難以蓄積電荷。另一方面，由於施加於掃描線10之掃描信號始終為相同極性，故而容易蓄積電荷。因此，形成光阻劑30之區域係掃描線10上最具效果。

圖7及圖8係表示於圖6所示之先前構造及圖1所示之本發明之構造中，模擬殘像並進行比較而得之結果的圖表。圖7對應於圖6之先前例，圖8對應圖1之本發明。圖7及圖8之橫軸為時間，縱軸為殘像強度。殘像強度與開口部中之殘留電荷量意義相同。模擬時之單位為任意。模擬係設為遮光部及開口部之面積相同而進行。

圖7及圖8中，一點鏈線表示僅蓄積於開口部之電荷對殘像之影響。由於開口部於圖6及圖1中均為相同構成，故而僅蓄積於開口部之電荷引起之殘像時間相同。圖7及圖8中，虛線表示僅蓄積於遮光部之電荷之影響對殘像之效果。於圖7所示之先前例中，由於僅蓄積於遮光部之電荷耗費較長時間移動至顯示區域，故而殘像較長地產生。另一方面，於圖8所示之本發明中，由於遮光部中之光阻劑之影響而僅蓄積於遮光部之電荷迅速移動至開口部，故而殘像迅速消失。

圖7及圖8中，實際之殘像為僅蓄積於開口部之電荷及僅蓄積於遮光部之電荷之影響的合成。圖7及圖8之實線為表示實際殘像之曲線。圖8所示之本發明中之實際殘像與圖7所示之先前例之殘像相比，迅速消失。即，於圖8中之本 發明之效果中，藉由形成於遮光部之光阻劑之影響，可使實際殘像儘早消失。

圖9係表示實施例1中之液晶顯示面板之顯示區域之周邊部之剖面圖。圖9中，於TFT基板100上形成中間層150，於其上形成配向膜113。TFT基板100藉由密封材料60與對向基板200黏著，於TFT基板100與對向基板200之間夾持有液晶層300。於顯示區域50之外側，形成有掃描線10及影像信號線20之引出線等，相對於來自背光源之光成為遮光區域。因此，由於該部分之配向膜113無法獲得光導電效應，故而電阻較大。如此，蓄積於形成於顯示區域50外側之配向膜113上之電荷耗費較長時間移動至顯示區域50，而引起殘像。

圖9中，於顯示區域50之外側，於中間層150上配置光阻劑30，並於其上形成配向膜113。由於光阻劑30較厚地形成為1.5 μm左右，故而可減小顯示區域50內之配向膜113與光阻劑30間之電阻R2，其結果，由於蓄積於顯示區域50外側之電荷可迅速移動至顯示區域50，故而可縮短殘像時間。因此，根據圖9之構成，可緩解顯示區域周邊部之殘像現象。

圖10係表示用以實現實施例1之構成之製程之圖。圖10中，直至於TFT基板上形成像素電極為止之步驟與先前相同。形成像素電極後，塗佈光阻劑並進行圖案化。由於光阻劑僅殘留於遮光部，故而透明度等之影響不成問題。因此，光阻劑材料可使用苯酚酚醛清漆系等相對廉價的光阻 劑。將光阻劑圖案化，僅於遮光部殘留光阻劑後，以140℃至150℃進行焙燒。其後，塗佈配向膜。其後之步驟與先前相同。

由於TFT基板側之配向膜之狀態對殘像之影響處於支配地位，故而於對向基板中，未必需要為使配向膜之比電阻下降而於遮光部形成光阻劑。

[實施例2]

圖11係表示顯示區域中之本發明之實施例2的構成之剖面圖，圖12為其平面圖。於圖6所示之先前例中，由於遮光部中之配向膜113無法獲得光導電效應，故而存在電阻較大，蓄積於遮光部之電荷無法迅速移動至開口部之問題。本實施例之特徵在於：即便無法獲得光導電效應，亦使遮光部中之配向膜113之電阻本身變小。

圖11所示之實施例2之構成係於形成配向膜113後，使用光罩80遮蔽開口部55，僅對遮光部照射紫外線。將形成有配向膜113之TFT基板100配置於加熱板70上，於照射紫外線之同時對基板以200℃~210℃進行加熱。如此，藉由對遮光部之配向膜113一面加熱一面照射紫外線，而使遮光部之配向膜113之構造發生變化，可減小配向膜之比電阻。另一方面，由於未對開口部55之配向膜113照射紫外線，故而配向膜113之特性未變化，配向能力亦未變化。由於遮光部並非顯示圖像之部分，故而即便配向膜113性質變化，配向能力降低，亦對圖像特性無影響。

由於使用之紫外線之目的在於使配向膜113變質，故於 deep-UV(深紫外線)(波長為300 nm以下)中，使用不發生偏光之紫外線最能獲得效果。然而，為簡化製造裝置，可使用於光配向中使用之偏光紫外線。即亦可使用波長為240 nm~400 nm之直線偏光之紫外線。然而，難以與光配向同時進行。原因在於，本實施例中之紫外線之照射必需同時進行基板之加熱。例如，於使用波長為250 nm之偏光紫外線之情形，於將基板加熱至200℃之情形時，配向膜之比電阻減少至2/3，於以230℃加熱之情形時，配向膜之比電阻為1/2。

是否進行2次紫外線照射可藉由對配向膜照射紅外線，並評價其吸收光譜而判別。即，經2次紫外線照射之遮光部中之配向膜之聚醯亞胺環之數量減少。其結果為，紅外線之吸收光譜變得不同。

圖12係本實施例之平面圖。圖12係於形成配向膜113之TFT基板100上配置光罩80之狀態之平面圖。圖12中，於光罩80中，於TFT基板100之掃描線10所對應之部分形成光罩孔85。即，成為紫外線於掃描線10上僅照射至配向膜113之構成。因此，僅掃描線10上之配向膜113變質，比電阻下降。

於圖12中，僅於掃描線10上形成有光罩孔85，但亦可於影像信號線20上形成光罩孔85，使影像信號線20上之配向膜113變質。然而，將配向膜113低電阻化之效果係如實施例1中所述，使掃描線10上之配向膜113低電阻化之效果更大。

圖13係實施例2中之液晶顯示面板之剖面圖。圖13中，於TFT基板100上之中間層150上形成有配向膜113。對向基板200藉由密封材料60與TFT基板100黏著。於TFT基板100與對向基板200之間夾持有液晶層300。於顯示區域50中，配向膜113係接收來自背光源之光而低電阻化，但於顯示區域50外側，由於掃描線10或影像信號線20等之引出線之影響而成為遮光區域，於該部分之配向膜113中，由於未產生光導電效應故而電阻較高。

於本實施例中，藉由一面對基板進行加熱一面對顯示區域50外側之配向膜113照射紫外線，可使比電阻降低，電荷迅速自遮光區域移動至顯示區域50。藉此，可使顯示區域50周邊之殘像儘早消失。

圖14係表示用以實現本實施例構成之製程之圖。於圖14中，於已形成像素電極之TFT基板上塗佈配向膜。其後，將配向膜乾燥並調平而製成均勻之膜。其後，以230℃焙燒，進行醯亞胺化。其後，照射波長為230 nm~400 nm之經直線偏光之紫外線進行光配向。其後，以230℃~240℃進行加熱，使伸苯基雙順丁烯二醯亞胺之單體等揮發，改善配向特性。其後，使用光罩僅對TFT基板中之遮光部照射紫外線，使該部分之配向膜之比電阻下降。於照射紫外線之同時，以200℃~230℃對基板進行加熱。其後，與對向基板組合而形成液晶顯示面板。TFT基板側之配向膜之狀態對殘像的影響處於支配地位，故而於對向基板中，未必需要為降低配向膜之比電阻而照射紫外線之製程。

本發明之對於DC殘像之效果可使用如圖15所示之黑白顯示之8×8之格子標記圖案而進行。即，將如圖15所示之黑白顯示之8×8之格子標記圖案顯示12小時，其後，恢復為純灰色之中間色。中間色之灰階為64/256。

圖16為DC殘像之評價結果。於圖16中，橫軸為恢復至純灰色之中間色後之時間。縱軸為殘像之級別。於縱軸中，RR為恢復至中間色時格子標記圖案清晰可見之狀態，為NG(no good，不佳)。R為恢復至中間色時格子標記圖案雖較淡但可見之狀態。於圖16中，曲線A為使用本發明之配向膜之情形時之DC殘像特性。曲線B為使用不具有光導電效果之配向膜之情形時之殘像特性。

恢復至中間色時，即便殘像級別為R，若其於短時間內消失，則於實際應用上不成問題。於配向膜使用無光導電效應之配向膜之情形即曲線B之情形時，由於恢復至中間色時之級別R持續較長時間，故而於實際應用上留下問題。另一方面，根據本發明之配向膜構成，DC殘像急遽減少，且恢復至中間色後，於13分鐘左右DC殘像完全消失。

於圖16中，若比較成為DC殘像標準之恢復至中間色10分鐘後之DC殘像級別，則於配向膜僅為1層光配向膜之情形時，DC殘像為90%，但與此相對，本發明中之DC殘像為10%以下，可知本發明之效果非常大。

10‧‧‧掃描線

20‧‧‧影像信號線

30‧‧‧光阻劑

40‧‧‧蓄積電荷

50‧‧‧顯示區域

55‧‧‧開口部

60‧‧‧密封材料

70‧‧‧加熱板

80‧‧‧光罩

100‧‧‧TFT基板

101‧‧‧閘極電極

102‧‧‧閘極絕緣膜

103‧‧‧半導體層

104‧‧‧源極電極

105‧‧‧汲極電極

106‧‧‧無機鈍化膜

107‧‧‧有機鈍化膜

108‧‧‧對向電極

109‧‧‧上部絕緣膜

110‧‧‧像素電極

111‧‧‧通孔

112‧‧‧狹縫

113‧‧‧配向膜

150‧‧‧中間層

200‧‧‧對向基板

201‧‧‧彩色濾光片

202‧‧‧黑矩陣

203‧‧‧保護層膜

210‧‧‧表面導電膜

300‧‧‧液晶層

301‧‧‧液晶分子

113U‧‧‧上層配向膜

113L‧‧‧下層配向膜

BL‧‧‧背光源

R1‧‧‧配向膜間電阻

R2‧‧‧光阻劑-配向膜間電阻

圖1係表示本發明之第1實施例之剖面圖。

圖2係表示本發明之第1實施例之平面圖。

圖3係用以說明本發明之機制之剖面模式圖。

圖4係表示緊接圖3之形態之剖面圖。

圖5係表示緊接圖4之形態之剖面圖。

圖6係表示先前例之剖面模式圖。

圖7係表示先前例之殘像特性之模擬。

圖8係表示本發明之殘像特性之模擬。

圖9係表示實施例1之其他形態之剖面模式圖。

圖10係表示實施例1之製造步驟之圖。

圖11係表示實施例2之構成之剖面圖。

圖12係表示實施例2之構成之平面圖。

圖13係表示實施例2之其他形態之剖面圖。

圖14係表示實施例2之製造步驟之圖。

圖15係用以評價殘像之圖案。

圖16係表示本發明與先前例中之殘像特性之比較之圖表。

圖17係應用本發明之IPS方式之液晶顯示裝置之剖面圖。

圖18係表示像素電極及共用電極之例之平面圖。

圖19係2層配向膜之例。

10‧‧‧掃描線

30‧‧‧光阻劑

55‧‧‧開口部

100‧‧‧TFT基板

113‧‧‧配向膜

150‧‧‧中間層

200‧‧‧對向基板

300‧‧‧液晶層

R1‧‧‧配向膜間電阻

R2‧‧‧光阻劑-配向膜間電阻

Claims (5)

1. 一種液晶顯示裝置，其特徵在於：其係配置有液晶顯示面板及於上述液晶顯示面板背面之背光源者，上述液晶顯示面板係於薄膜電晶體基板與對向基板之間夾持有液晶，該薄膜電晶體基板係於由在第1方向上延伸且於第2方向上排列之掃描線及於第2方向上延伸且於第1方向上排列之影像信號線所圍成之區域中形成有像素電極，該對向基板具有對應於上述像素之彩色濾光片；形成有覆蓋上述掃描線、上述影像信號線、上述像素電極之配向膜；上述配向膜接受光配向處理；上述配向膜具有光導電特性；且於覆蓋上述掃描線之上述配向膜下配置有光阻劑。
2. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中上述光阻劑之厚度為上述配向膜厚度之10倍以上。
3. 如請求項2之液晶顯示裝置，其中上述光阻劑之厚度為上述配向膜厚度之20倍以上。
4. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中於上述背光源熄滅之狀態下的覆蓋上述掃描線之上述配向膜之比電阻較覆蓋上述像素電極之上述配向膜之比電阻小。
5. 如請求項4之液晶顯示裝置，其中覆蓋上述掃描線之上述配向膜中之醯亞胺環之密度較覆蓋上述像素電極之上述配向膜中之醯亞胺環之密度小。