JP6436685B2

JP6436685B2 - 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法

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Publication number: JP6436685B2
Application number: JP2014172225A
Authority: JP
Inventors: 和司清田
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2014-08-27
Filing date: 2014-08-27
Publication date: 2018-12-12
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Description

本発明は液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法に関するものである。

液晶表示装置を製造する際の、例えば、液晶表示素子に用いられるガラス基板上に、配向膜又はカラーフィルタなどの薄膜を形成する方法として、フレキソ印刷装置による印刷法が一般に知られている。

この印刷法では、アニロックスロール（彫刻ロール又はＡロールともいう）とドクターブレードとの間に薄膜形成材料の溶液を適下し、アニロックスロールの外周面に転写された薄膜形成材料を版胴上の転写版（印刷版）に転写する。そして、転写版に転写された薄膜形成材料をガラス基板の上面に転写（印刷）して塗布し、このガラス基板上に塗布された薄膜形成材料を加熱して硬化する。これによって、ガラス基板上に薄膜が形成される。

この薄膜に体積抵抗値が高い材料を使用した場合、特に、この薄膜が横電界方式の液晶表示装置に用いられる配向膜である場合には、信頼性試験時、ｔｈｉｎｆｉｌｍｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＴＦＴ）アレイ基板からの縦電界によるパネル周辺部の液晶配向乱れ（周辺白抜け）が発生しにくい。その一方で、残留ＤＣ電圧による焼き付き特性が悪化する場合がある。

また、逆に、この薄膜に体積抵抗値が低い材料を使用した場合、上記の残留ＤＣ電圧による焼き付き特性は良好であるが、ＴＦＴアレイ基板からの縦電界によるパネル周辺部の液晶配向乱れ（周辺白抜け）が発生してしまう。このようなトレードオフの関係により、膜組成のバランス設計が困難である。

焼き付き特性を良化させる液晶表示パネルとしては、特許文献１には、液晶の体積抵抗値と配向膜の体積抵抗値とを所望の関係にする方法が開示されている。

特開２００３−００５１８７号公報

しかし、特許文献１に示された構成では、パネル周辺部の液晶配向乱れ（周辺白抜け）までを抑制することはできないという問題があった。

本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、焼き付き特性良化とパネル周辺部の液晶配向乱れ（周辺白抜け）の抑制とを両立させ、良好な表示品位を有する液晶表示パネル及びその製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様に関する液晶表示装置は、１対の基板に挟まれる液晶を備え、かつ、液晶表示を行う画素領域を含む表示領域と、平面視において前記表示領域を囲む辺であり、かつ、前記画素領域を含まない額縁領域が設けられる液晶表示装置であり、少なくとも一方の前記基板の、前記液晶に接触する側の面に設けられる配向膜を備え、前記配向膜は、積層構造であり、前記基板の前記液晶に接触する側の面に設けられる第１抵抗膜と、前記第１抵抗膜の上面に部分的に設けられる、前記第１抵抗膜よりも体積抵抗値が低い第２抵抗膜とを備え、前記第２抵抗膜は、平面視における前記第１抵抗膜の周辺領域を除く領域の上面に設けられ、前記第２抵抗膜は、平面視において、前記表示領域と周辺白抜けが発生しやすい辺を除く辺に対応する前記額縁領域とに重なる。

本発明の一態様に関する液晶表示装置の製造方法は、１対の基板に挟まれる液晶を備え、かつ、液晶表示を行う画素領域を含む表示領域と、平面視において前記表示領域を囲む辺であり、かつ、前記画素領域を含まない額縁領域が設けられる液晶表示装置の製造方法であり、少なくとも一方の前記基板の前記液晶に接触する側の面に、少なくとも１つの塗布装置を用いて配向膜を塗布し、前記配向膜を塗布することは、前記液晶に接触する側の面に第１抵抗膜を塗布し、前記第１抵抗膜の上面に、前記第１抵抗膜よりも体積抵抗値が低い第２抵抗膜を部分的に塗布することであり、前記第２抵抗膜は、平面視における前記第１抵抗膜の周辺領域を除く領域の上面に塗布され、前記第１抵抗膜と前記第２抵抗膜とは、それぞれ異なるアニロックスロールを介して塗布され、前記第２抵抗膜は、平面視において、前記表示領域と周辺白抜けが発生しやすい辺を除く辺に対応する前記額縁領域とに重なる。

本発明の別の態様に関する液晶表示装置の製造方法は、１対の基板に挟まれる液晶を備え、かつ、液晶表示を行う画素領域を含む表示領域と、平面視において前記表示領域を囲む辺であり、かつ、前記画素領域を含まない額縁領域が設けられる液晶表示装置の製造方法であり、少なくとも一方の前記基板の前記液晶に接触する側の面に、配向膜を塗布し、前記配向膜を塗布することは、前記液晶に接触する側の面に第１抵抗膜を塗布し、前記第１抵抗膜の上面に、前記第１抵抗膜よりも体積抵抗値が低い第２抵抗膜を部分的に塗布することであり、前記第２抵抗膜は、平面視における前記第１抵抗膜の周辺領域を除く領域の上面に塗布され、前記第１抵抗膜は、アニロックスロールを介して転写版に転写され、さらに、前記基板の前記液晶に接触する側の面に塗布され、前記第２抵抗膜は、インクジェット印刷装置を用いて、前記第１抵抗膜の上面に部分的に塗布され、前記第２抵抗膜は、平面視において、前記表示領域と周辺白抜けが発生しやすい辺を除く辺に対応する前記額縁領域とに重なる。

本発明の別の態様に関する液晶表示装置の製造方法は、１対の基板に挟まれる液晶を備え、かつ、液晶表示を行う画素領域を含む表示領域と、平面視において前記表示領域を囲む辺であり、かつ、前記画素領域を含まない額縁領域が設けられる液晶表示装置の製造方法であり、少なくとも一方の前記基板の前記液晶に接触する側の面に、複数の塗布装置を用いて配向膜を塗布し、前記配向膜を塗布することは、前記液晶に接触する側の面に第１抵抗膜を部分的に塗布し、前記液晶に接触する側の面に、前記第１抵抗膜よりも体積抵抗値が低い第２抵抗膜を部分的に塗布することであり、前記第２抵抗膜は、平面視において前記第１抵抗膜に囲まれて塗布され、前記第１抵抗膜は、アニロックスロールを介して転写版に転写され、さらに、前記基板の前記液晶に接触する側の面に塗布され、前記第２抵抗膜は、インクジェット印刷装置を用いて、前記液晶に接触する側の面に部分的に塗布され、前記第２抵抗膜は、平面視において、前記表示領域と周辺白抜けが発生しやすい辺を除く辺に対応する前記額縁領域とに重なる。

本発明の上記態様によれば、焼き付き特性良化とパネル周辺部の液晶配向乱れ（周辺白抜け）の抑制とを両立させ、良好な表示品位を実現することができる。

本発明の目的、特徴、局面及び利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。

実施形態に関する液晶表示装置の構造を示す断面図である。実施形態に関する液晶表示装置の構造の第１変形例を示す断面図である。実施形態に関する液晶表示装置の構造の第２変形例を示す断面図である。実施形態に関する液晶表示装置の構造の第３変形例を示す、カラーフィルタ基板側から見た場合の上面図である。実施形態に関する液晶表示装置の製造に使用する配向膜転写装置を示す側面図である。実施形態に関する液晶表示装置の製造に使用する配向膜転写装置を示す側面図である。実施形態に関する液晶表示装置の製造に使用する配向膜転写装置の第１変形例を示す側面図である。実施形態に関する液晶表示装置の製造に使用する配向膜転写装置の第２変形例を示す側面図である。実施形態に関する液晶表示装置の製造に使用する配向膜転写装置の第２変形例を示す側面図である。実施形態に関する液晶表示装置を構成する液晶パネルを示す平面図である。図１０におけるＡ−Ｂ断面における断面図である。実施形態に関する液晶表示装置における特徴的な組立て工程を示すフローチャートである。前提技術に関する液晶表示装置の製造に使用する配向膜転写装置を示す側面図である。

以下、添付の図面を参照しながら実施形態について説明する。なお、図面は模式的に示されるものであり、異なる図面にそれぞれ示されている画像のサイズ及び位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得る。また、以下の説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称及び機能も同様のものとする。よって、それらについての詳細な説明を省略する場合がある。

また、以下の説明では、「上」、「下」、「側」、「底」、「表」又は「裏」などの特定の位置及び方向を意味する用語が用いられる場合があるが、これらの用語は、実施形態の内容を理解することを容易にするため便宜上用いられているものであり、実際に実施される際の方向とは関係しない。

図１３は、前提技術に関する液晶表示装置の製造に使用する配向膜転写装置を示す側面図である。図１３に示されるように、まず、ディスペンサ４からアニロックスロール１２（彫刻ロール又はＡロールともいう）へ配向材１１ｂが滴下される。そして、アニロックスロール１２とドクターブレード１３との間に配向材１１ｂが流れ込み、配向材１１ｂがアニロックスロール１２の外周面に転写される。

さらに、配向材１１ｂは、アニロックスロール１２の外周面と接している版胴１４（転写ローラ）の外周面である転写版１５（樹脂凸版又は印刷版）に転写される。そして、転写版１５に転写された配向材１１ｂは、基板１の上面に塗布される。

そして、基板１の上面に塗布された配向材１１ｂは、加熱されることによって硬化する。これによって、基板１の上面に配向膜３０が形成される。

この薄膜に体積抵抗値が高い材料を使用した場合、特に、この薄膜が横電界方式の液晶表示装置に用いられる配向膜である場合には、信頼性試験時、ＴＦＴアレイ基板からの縦電界によるパネル周辺部の液晶配向乱れ（周辺白抜け）が発生しにくい。その一方で、残留ＤＣ電圧による焼き付き特性が悪化する場合がある。

以下に説明する実施形態は、上記のような問題を解決する液晶表示装置に関するものである。

＜実施形態＞
図１は、本実施形態に関する液晶表示装置の構造を示す断面図である。図１に示されるように、基板１の上面に体積抵抗値の高い配向膜である高抵抗膜２が形成され、さらに、高抵抗膜２の上面に、高抵抗膜２と比べて体積抵抗値の低い配向膜である低抵抗膜３が形成される。図１においては、１層目（下地側）には高抵抗膜２が配置され、２層目（表面側）には低抵抗膜３が配置される。

高抵抗膜２の体積抵抗値としては、例えば、２．０×１０^１３Ω・ｃｍ以上が想定され、低抵抗膜３の体積抵抗値としては、例えば、５．０×１０^１２Ω・ｃｍ以下が想定される。

低抵抗膜３は、パネル周辺部（表示領域内の周辺部又は額縁領域）を除く範囲に配置される。低抵抗膜３がこのように配置されることによって、焼き付き特性良化とパネル周辺部の液晶配向乱れ（周辺白抜け）の抑制とを両立させることができる。

図２は、本実施形態に関する液晶表示装置の構造の第１変形例を示す断面図である。図１に示されるような積層構造ではなく、体積抵抗値の高い高抵抗膜２ａがパネル周辺部に配置され、高抵抗膜２ａと比べて体積抵抗値の低い低抵抗膜３ａがパネル周辺部を除く範囲に配置される。すなわち、低抵抗膜３ａは、平面視において高抵抗膜２ａに囲まれて設けられる。

このように配置されることによって、焼き付き特性良化とパネル周辺部の液晶配向乱れ（周辺白抜け）の抑制とを両立させることができる。

図３は、本実施形態に関する液晶表示装置の構造の第２変形例を示す断面図である。図２に示される構造において、さらに、表示領域内における低抵抗膜３ａの周辺部において、高抵抗膜２ｂが低抵抗膜３ａの上面を覆って形成される。

図４は、本実施形態に関する液晶表示装置の構造の第３変形例を示す、カラーフィルタ（ｃｏｌｏｒｆｉｌｔｅｒ、ＣＦ）基板側から見た場合の上面図である。例えば図１に示された高抵抗膜２及び低抵抗膜３が備えられる場合に、パネル周辺部を除く範囲に配置される低抵抗膜３が、ある特定の辺に寄せて配置される。低抵抗膜３を寄せる先の辺は１つの辺でもよいが、図４に示されるように、隣り合う２つの辺に寄せられてもよい。すなわち、高抵抗膜２が低抵抗膜３よりも外側に延び出て形成される領域の、内側に向かう方向の幅である周辺幅が、内側の領域を挟んで反対側における周辺幅と異なるように、低抵抗膜３が配置されてもよい。

低抵抗膜３を寄せる特定の辺は、焼き付きが発生しやすいパネル辺（すなわち、周辺白抜けが発生しにくいパネル辺）とする。逆に、周辺白抜けが発生しやすいパネルの辺からは低抵抗膜３を遠ざけるように配置することが望ましい。すなわち、周辺白抜けが発生しやすい側の周辺幅は、平面視において内側の領域を挟んで反対側の周辺幅よりも広いことが望ましい。

このように配置することによって、焼き付き特性良化とパネル周辺部の液晶配向乱れ（周辺白抜け）の抑制とを両立させることができる。

なお、上記の図４の説明では、図１に示された高抵抗膜２及び低抵抗膜３が備えられる場合が記載されているが、図２に示された高抵抗膜２ａ及び低抵抗膜３ａが備えられた場合であってもよいし、図３に示された高抵抗膜２ｂが備えられた場合であってもよい。

＜液晶表示装置の製造方法＞
図５及び図６は、本実施形態に関する液晶表示装置の製造に使用する配向膜転写装置を示す側面図である。図５に示されるように、まず、ディスペンサ４からアニロックスロール１２へ配向材１１が滴下される。この配向材１１は、体積抵抗値の高い高抵抗膜用の材料である。そして、アニロックスロール１２とドクターブレード１３との間に配向材１１が流れ込み、配向材１１がアニロックスロール１２の外周面に転写される。

さらに、配向材１１は、アニロックスロール１２の外周面と接している版胴１４（転写ローラ）の外周面である転写版１５（樹脂凸版）に転写される。そして、転写版１５に転写された配向材１１は、基板１の上面に塗布される。

次に、図６に示されるように、ディスペンサ４からアニロックスロール１２へ配向材１１ａが滴下される。この配向材１１ａは、体積抵抗値の低い低抵抗膜用の材料である。滴下された配向材１１ａは、図５における配向材１１と同様に、転写版１５（樹脂凸版）に転写される。そして、基板１の上面に形成されている高抵抗膜２の上面に塗布される。

なお、配向膜を転写する際に配向膜転写装置を２台使用することによって、積層膜形成のためのジョブチェンジのための時間が不要となり、連続的に２つの膜を形成することができる。

図７は、本実施形態に関する液晶表示装置の製造に使用する配向膜転写装置の第１変形例を示す側面図である。この変形例では、１つの転写版１５にその外周面が接するアニロックスロールが、アニロックスロール１２及びアニロックスロール１２ａの２つ備えられている。まず、ディスペンサ４からアニロックスロール１２へ配向材１１が滴下され、ドクターブレード１３を介して転写版１５に転写された配向材１１が基板１の上面に塗布される。次に、ディスペンサ４ａからアニロックスロール１２ａへ配向材１１ａが滴下され、ドクターブレード１３ａを介して転写版１５に転写された配向材１１ａが、基板１の上面に形成されている高抵抗膜２の上面に塗布される。

このような構成とすることによって、積層膜形成のためのジョブチェンジのための時間が不要となり、連続的に２つの膜を形成することができる。また、装置の縮小化も可能となる。

図８及び図９は、本実施形態に関する液晶表示装置の製造に使用する配向膜転写装置の第２変形例を示す側面図である。この変形例では、まず、図８に示されるように、アニロックスロール１２へ配向材１１が滴下され、転写版１５に転写された配向材１１が基板１の上面に塗布される。次に、図９に示されるように、インクジェット印刷装置（図示せず）を用いて、基板１の上面に形成されている高抵抗膜２よりもシュリンクさせたパターン塗布と行う。当該構成においては、表示領域として用いられるのは低抵抗膜３の周辺部を除く範囲であるため、インクジェット印刷方式のデメリットであるパターンエッジ（端部）のガタつきを考慮する必要がない。図２に示されるように、基板１の上面において、低抵抗膜３ａが高抵抗膜２ａに囲まれて形成される場合にインクジェット印刷方式を適用した場合でも同様である。

図５から図９に示される製造方法では、配向膜の仮乾燥を経ずに連続的に積層膜を形成することで、若干の配向膜同士の混入が生じてもよい。その場合においては、膜形成ごとに仮乾燥をさせずに（乾燥する前に）連続して積層膜を形成することができるため、処理時間を短縮して配向膜を形成することができる。また、高抵抗膜と低抵抗膜との境界部の抵抗段差などが緩やかになることも期待できる。

＜液晶表示装置（液晶パネル）の構成＞
図１から図９において示される液晶表示装置の構成として、特に主要部である液晶パネルの具体的な構成について図１０及び図１１を参照しつつ説明する。なお、詳細部については、図１及び図４の構成を例として説明を行う。

図１０は、本実施形態に関する液晶表示装置を構成する液晶パネル１０を示す平面図である。また、図１１は、図１０におけるＡ−Ｂ断面（長破線で示される）における断面図である。なお、図面が煩雑とならないよう、発明の主要部以外の構成の省略及び構成の一部簡略化などを適宜行っている。ここでは、一例として、液晶の動作モードがｔｗｉｓｔｅｄｎｅｍａｔｉｃ（ＴＮ）モードで、スイッチング素子に薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎｆｉｌｍｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）を用いた液晶パネルに本発明を適用した場合について説明する。

後述する製造方法に関する説明部分において別途詳細に説明を行うが、図１０及び図１１に示されるように、この液晶パネル１０は、ＴＦＴなどのスイッチング素子と画素電極とがアレイ状に配列されるＴＦＴアレイ基板１１０と、液晶層１３０を挟んでＴＦＴアレイ基板１１０と対向配置される対向基板であるカラーフィルタ基板１２０とを備えている。さらに、この液晶パネル１０は、この一対の基板であるＴＦＴアレイ基板１１０及びカラーフィルタ基板１２０のいずれか一方の基板の表面に、液晶が複数の液滴として配置された後に両方の基板間に挟まれることにより、シールパターン１３３で囲まれる領域内に液晶が封止されて形成される滴下注入（ｏｎｅｄｒｏｐｆｉｌｌｉｎｇ、ＯＤＦ）方式により製造される。

したがって、シールパターン１３３は、図１０でも示されるように閉ループ形状であり、真空注入方式で製造される液晶パネルのような液晶を注入するための注入口は形成されておらず、また、別途注入口を封止するための封止材も設けられていない。また、シールパターン１３３の材質は、例えば、導電性粒子を混在させた光硬化型シール剤（光硬化型樹脂）である。

図１０では、カラーフィルタ基板１２０の下方に配置されるＴＦＴアレイ基板１１０の構成を図示するために、図中左上の一部のみでカラーフィルタ基板１２０の構造を詳細に図示し、それ以外の領域では、カラーフィルタ基板１２０の詳細な図示を省略してＴＦＴアレイ基板１１０の構成を図示している。実際の構成としては、カラーフィルタ基板１２０は、シールパターン１３３により囲まれる領域の外側の図中破線で示される領域まで設けられている。

また、この表示領域１００の外側を額縁状に囲うように額縁領域１０１が配置される。図１０では、表示領域１００となる矩形領域を点線で囲み、当該点線が額縁領域１０１との境界として示されている。なお、表示領域１００及び額縁領域１０１については、液晶パネル１０のＴＦＴアレイ基板１１０上、カラーフィルタ基板１２０上又は両基板間に挟まれる領域のすべてにおいて使用することとし、本明細書中においてはすべて同様の意味で使用する。

図１１に示されるように、ＴＦＴアレイ基板１１０の、透明基板であるガラス基板１１１の一方の表面には、画素電極１１３に電圧を供給するスイッチング素子であるＴＦＴ１１４と、ＴＦＴ１１４を覆う絶縁膜１１５とが設けられる。さらに、絶縁膜１１５の上面には、液晶を駆動する電圧を印加する画素電極１１３が設けられる。この画素電極１１３を覆って、液晶を配向させる２層配向膜１１２が設けられる。２層配向膜１１２は、下層（ガラス基板１１１に近い側）が配向膜１１２ａであり、上層（ガラス基板１１１から遠い側）が配向膜１１２ｂである。配向膜１１２ａは、例えば図１に示される高抵抗膜２に対応し、配向膜１１２ｂは、例えば図１に示される低抵抗膜３に対応する。

図１０に示されるように、表示領域１００において、ＴＦＴ１１４に信号を供給する配線である複数のゲート配線１１８ｇ及びソース配線１１８ｓが設けられる。ゲート配線１１８ｇとソース配線１１８ｓとは、互いに交差して配線される。

図１１に示されるように、表示領域１００の外部においては、ＴＦＴ１１４に供給される信号を外部から受け入れる端子１１６と、端子１１６から入力された信号をカラーフィルタ基板１２０側へ伝達するためのトランスファ電極１１７（図１０では、図示省略）と、端子１１６から入力された信号をゲート配線１１８ｇ、ソース配線１１８ｓ及びトランスファ電極１１７へ伝達する周辺配線（図示省略）とが設けられる。

図１０に示されるように、ＴＦＴ１１４は、ＴＦＴアレイ基板１１０上の表示領域１００において、それぞれ縦横に複数本配列して設けられるゲート配線１１８ｇとソース配線１１８ｓとの各交差部近傍に設けられる。また、画素電極１１３は、ゲート配線１１８ｇとソース配線１１８ｓとにより囲まれる各画素領域内にマトリクス状に配列して形成される。また、端子１１６、トランスファ電極１１７及び周辺配線については、図１１に示されるように、額縁領域１０１に形成される。また、図１１に示されるように、ガラス基板１１１の他方の面には偏光板１３１を有している。

一方、上述のカラーフィルタ基板１２０は、図１１に示されるように、透明基板であるガラス基板１２１の一方の面（液晶層１３０側の面）に、カラーフィルタ１２４と、遮光層であるブラックマトリクス１２５（ｂｌａｃｋｍａｔｒｉｘ、ＢＭ）と、ブラックマトリクス１２５上に形成される、ＴＦＴアレイ基板１１０上の画素電極１１３との間に電界を生じさせ液晶を駆動する共通電極１２３、共通電極１２３上に形成される、液晶を配向させる２層配向膜１２２とを備える。

ブラックマトリクス１２５は、カラーフィルタ１２４及びカラーフィルタ１２４間を遮光するため、あるいは表示領域１００に対応する領域外側に配置される額縁領域１０１を遮光するために設けられる。２層配向膜１２２は、下層（ガラス基板１２１より近い側）が配向膜１２２ａであり、上層（ガラス基板１２１より遠い側）が配向膜１２２ｂである。配向膜１２２ａは、例えば図１に示される高抵抗膜２に対応し、配向膜１２２ｂは、例えば図１に示される低抵抗膜３に対応する。

なお、２層配向膜１１２と２層配向膜１２２とは、いずれか一方が備えられる場合であってもよい。

カラーフィルタ基板１２０は、図１１に示されるように、ガラス基板１２１の他方の面（液晶層１３０側の面とは反対側の面）に、偏光板１３２を備える。

また、ＴＦＴアレイ基板１１０の表面に設けられる２層配向膜１１２に関して、２層配向膜１１２を構成する下層の配向膜１１２ａは、少なくともその上層に配置される配向膜１１２ｂと比べて体積抵抗値の高い配向膜である。配向膜１１２ａの形成領域は、表示領域１００全体と額縁領域１０１（基本的にはシールパターン１３３で囲まれる範囲内の４辺すべて）の双方にわたる。一方、上層の配向膜１１２ｂは、少なくとも下層に配置される配向膜１１２ａと比べて体積抵抗値の低い配向膜である。配向膜１１２ｂの形成領域は、表示領域１００と周辺白抜けが発生しやすい辺を除く額縁領域１０１とである。この周辺白抜けが発生しやすい辺の額縁領域１０１では、下層の体積抵抗値の高い配向膜１１２ａが表面に露出されるように形成される。

同様に、カラーフィルタ基板１２０の表面に設けられる２層配向膜１２２に関して、２層配向膜１２２を構成する下層の配向膜１２２ａは、少なくともその上層に配置される配向膜１２２ｂと比べて体積抵抗値の高い配向膜である。配向膜１２２ａの形成領域は、表示領域１００全体と額縁領域１０１（基本的にはシールパターン１３３で囲まれる範囲内の４辺すべて）の双方にわたる。一方、上層の配向膜１２２ｂは、少なくとも下層に配置される配向膜１２２ａと比べて体積抵抗値の低い配向膜である。配向膜１２２ｂの形成領域は、表示領域１００と周辺白抜けが発生しやすい辺を除く額縁領域１０１とである。この周辺白抜けが発生しやすい辺の額縁領域１０１では、下層の体積抵抗値の高い配向膜１２２ａが表面に露出されるように形成される。

また、周辺白抜けが発生しやすい辺は、具体的には、駆動信号を発生する制御基板１３５又は端子１１６が配置される辺に対応し、特に、検査回路１１９の配置される２辺に相当する。これらの辺は、パネル駆動時に直流電圧が印加される配線の近傍であり、アレイ基板からの縦電界による配向の乱れが生じやすい。なお、周辺白抜けは、パネル周辺部が、直流電圧が印加される領域の割合がパネル中央部よりも高いことにより、パネル周辺部で生じやすい。図１０では、液晶パネル１０における図中上側の辺及び図中右側の辺にそれぞれ検査回路１１９が配置されており、これらの辺が周辺白抜けが発生しやすい辺に対応する。また、設計上、シール材の内側端部と表示エリアとの距離が短いパネル辺でも、周辺白抜けが発生しやすい。

一方で、焼き付きが発生しやすいパネル辺に関しては、通常であれば焼き付きの生じやすさはパネル面内において概ね均一であるため、相対的に周辺白抜けが発生しにくいパネル辺が相当することになる。ただし、ある特定の表示を長時間にわたって行うような領域は相対的に焼き付きが生じやすいため、そのような領域に近いパネル辺は、焼き付きが発生しやすいパネル辺と言える場合もある。

また、図１１に示されるように、ＴＦＴアレイ基板１１０とカラーフィルタ基板１２０とはシールパターン１３３を介して貼り合わされており、表示領域１００に配置される柱状スペーサ１３４により所定の基板間隔を保って保持されている。なお、異なる２種類の柱状スペーサ形態を混在して備えることも可能である。

その場合、一部の柱状スペーサを、例えば、相対的に高さの高いスペーサ（メインスペーサと呼ばれる）とし、当該スペーサは常に、各基板と接触し基板間隔を保持するものとし、他の一部の柱状スペーサを、例えば、相対的に高さの低いスペーサ（サブスペーサと呼ばれる）とし、外力などにより基板間隔が縮まった際にのみ各基板と接触し基板間隔を保持するものとするデュアルスペーサ構造であってもよい。

また、図１１に示されるように、このシールパターン１３３により密封され、柱状スペーサ１３４により保持されたカラーフィルタ基板１２０とＴＦＴアレイ基板１１０との間の間隙の少なくとも表示領域１００に対応する領域に、液晶層１３０が狭持されている。

さらに、図１１に示されるように、トランスファ電極１１７と共通電極１２３とは、シールパターン１３３中に混在される導電性粒子により電気的に接続されており、端子１１６から入力された信号が共通電極１２３に伝達される。導電性粒子としては、弾性変形可能なものが導通の安定の点で好ましく、例えば、表面に金メッキがなされた球形の樹脂を用いるとよい。

さらに、端子１１６のそれぞれのパッドに対しては、接続配線となるｆｌｅｘｉｂｌｅｆｌａｔｃａｂｌｅ（ＦＦＣ）１３６を介して制御基板１３５が接続される。制御基板１３５は、駆動ＩＣを制御する制御信号などを発生させる制御ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔ（ＩＣ）チップなどを装備している。

また、図１０に示されるように、制御基板１３５からの制御信号は、端子１１６を介して、突出部に取り付けられた駆動ＩＣチップ１３７の入力側に入力され、駆動ＩＣチップ１３７の出力側より出力される出力信号が、表示領域１００から引き出された多数の信号引き出し配線（図示省略）を介して、表示領域１００内のＴＦＴ１１４に供給される。

また、図１０に示されるように、制御基板１３５又は端子１１６の配置される辺には、この液晶パネル１０の製造過程において、特に、制御基板１３５の取り付けられる前の状態で、液晶パネル１０の表示動作を行うための検査回路１１９が配置される。

さらに、ＴＦＴアレイ基板１１０の偏光板１３１が備えられる側において、光源となるバックライトユニット（図示せず）が配置される。また、液晶パネル１０と当該バックライトユニットとの間には、光の偏光状態又は指向性などを制御する光学シートが配置される（図示せず）。

液晶パネル１０は、これら部材とともに、表示面となる表示領域１００におけるカラーフィルタ基板１２０の偏光板１３２が備えられる側が開放された筐体（図示せず）の中に収納され、本実施形態の液晶表示装置が構成される。

＜液晶表示装置の動作＞
次に、上記構成である本実施形態に関する液晶表示装置の動作について説明する。

例えば、制御基板１３５から制御信号が入力され、駆動ＩＣチップ１３７が動作し、表示領域１００内の配線を介して信号が画素領域に伝わる。その結果、各画素領域に配置される画素電極１１３とカラーフィルタ基板１２０上に配置される共通電極１２３との間に所定の駆動電圧が加わり、駆動電圧に合わせて液晶の分子の方向が変わる。そして、バックライトユニットの発する光がＴＦＴアレイ基板１１０、液晶層１３０及びカラーフィルタ基板１２０を介して観察者側に透過あるいは遮断されることにより、液晶パネル１０のカラーフィルタ基板１２０側の表示領域１００に形成される表示面に映像などが表示される。

また、この液晶パネル１０の表示動作途中においては、ＴＦＴアレイ基板１１０の表面に配置される検査回路１１９の一部において、基本的にはゲート電圧のオフ電圧に相当する電圧に固定される部分が形成される。よって、ＴＦＴアレイ基板１１０とカラーフィルタ基板１２０との間に縦電界を生じて、液晶配向に乱れを生じることとなり、本来は、この検査回路１１９の配置される辺近傍の表示領域１００外周部においては、周辺白抜けが発生し易い。

しかし、この周辺白抜けが発生し易い辺において、２層配向膜１１２及び２層配向膜１２２は、特に、それぞれの下層である体積抵抗値の高い配向膜１１２ａあるいは配向膜１２２ａが配置されることから、これら検査回路１１９の配置される辺においても周辺白抜けが発生しにくい。

＜液晶表示装置の製造フロー＞
本実施形態に関する液晶表示装置の製造方法について概略的に説明する。特に、本実施形態に関する液晶表示装置における特徴的な組立て工程については、図１２に示されるフローチャートにしたがって説明することにする。

なお、液晶表示装置の主要部分となる液晶パネルは、通常、最終形状よりも大きなマザー基板から、液晶パネルを１枚あるいは複数枚（多面取り）切り出して製造され、図１２におけるステップＳ１からステップＳ９及びステップＳ１０途中までのプロセスは、そのマザー基板の状態でのプロセスである。

まず、基板準備工程として、それぞれマザー基板の状態で、ＴＦＴアレイ基板１１０及びカラーフィルタ基板１２０を準備する。ＴＦＴアレイ基板１１０及びカラーフィルタ基板１２０の製造方法については、一般的な方法を用いてもよいため、簡単に説明する。

ＴＦＴアレイ基板１１０は、ガラス基板１１１の一方の面に、成膜、フォトリソグラフィー法によるパターニング及びエッチングなどのパターン形成工程を繰り返し用いることにより、スイッチング素子であるＴＦＴ１１４、画素電極１１３、端子１１６及びトランスファ電極１１７が形成されることにより製造される。また、カラーフィルタ基板１２０は、同様に、ガラス基板１２１の一方の面に、カラーフィルタ１２４、ブラックマトリクス１２５、共通電極１２３及び有機樹脂膜をパターニングして形成された柱状スペーサ１３４が形成されることにより製造される。特に、柱状スペーサ１３４を異なる２種類の柱状スペーサを混在して備えるデュアルスペーサ構造とする場合には、公知のデュアルスペーサ構造の形成方法であるハーフトーン技術を利用して、その高さのみを作り分けるとよい。

続いて、図１２に示される組立て工程のフローチャートのとおり、まず、基板洗浄工程として、画素電極１１３が形成されているＴＦＴアレイ基板１１０を洗浄する（ステップＳ１）。

次に、配向膜材料の塗布工程として、ＴＦＴアレイ基板１１０の一方の面に、２層配向膜材料を塗布する（ステップＳ２）。具体的な塗布方法は図５から図９を用いて説明したとおりであるので、ここでは詳細な説明を省略する。

続いて、塗布された２層配向膜材料をホットプレートなどにより焼成処理し、乾燥させる。なお、乾燥処理については、２層配向膜の塗布の途中、すなわち、下層配向膜の塗布後（上層配向膜の塗布前）に、下層配向膜の仮乾燥処理又は本乾燥処理を実施するかを含め、適宜選択することができる。

その後、配向処理工程として、２層に塗布形成された２層配向膜材料に対して、例えば、ラビング処理などの２層配向膜材料表面に特定方向に沿った微細な溝又は傷などを形成する配向処理を行い、２層配向膜１１２とする（ステップＳ３）。

なお、上記説明は、ＴＦＴアレイ基板１１０に対するステップＳ１からステップＳ３までの工程を行う場合についてのものであるが、共通電極１２３が形成されているカラーフィルタ基板１２０についても、同様に、ステップＳ１の洗浄工程を行った後、ステップＳ２の２層配向膜材料の塗布を行い、さらに、ステップＳ３の配向処理としてのラビングを行うことにより、２層配向膜１２２を形成する。カラーフィルタ基板１２０上に２層配向膜１２２を形成するにあたり、より詳細には、カラーフィルタ基板１２０上に形成された柱状スペーサ１３４上についても、２層配向膜１２２で覆われる。しかし、柱状スペーサ１３４の高さに比べて２層配向膜１２２は薄いので、図においても、柱状スペーサ１３４上に塗布された配向膜は図示などを省略している。

また、２層配向膜１１２及び２層配向膜１２２に対して行う配向処理は、ラビング処理に限られず、光配向処理などの公知の配向処理方法を選択してもよいが、特に、本実施形態の配向膜の膜削れ性良化の作用が効果的に発揮される点を考慮すれば、配向処理時に、配向膜表面に比較的大きな圧力が印加されるラビング処理を用いる場合に、本発明により得られる効果は顕著となる。

次に、柱状スペーサ１３４の高さを測定する（ステップＳ４）。本実施形態での柱状スペーサ１３４はカラーフィルタ基板１２０上に形成されるため、カラーフィルタ基板１２０上において初期の高さを測定すればよい。なお、この工程で柱状スペーサ１３４の高さを測定する意味は、滴下注入（ＯＤＦ）方式で液晶を注入するにあたり、液晶の滴下量を決定するためである。

したがって、液晶を満たす空間の容積に関係するセルギャップを決定することとなる柱状スペーサ１３４の高さ（デュアルスペーサ構造を用いた場合にはメインスペーサの高さ）を測定する。

次に、シール剤塗布工程として、スクリーン印刷装置を用いて、ＴＦＴアレイ基板１１０の２層配向膜１１２が形成されている側の面又はカラーフィルタ基板１２０の２層配向膜１２２が形成されている側の面に、シール剤を印刷ペーストとして塗布する（ステップＳ５）。シール剤は、液晶パネルの表示領域を囲うように塗布され、シールパターンを形成する。

次に、液晶滴下工程として、シールパターンが形成された側の面のシールパターンで囲まれた領域内に、液晶を滴下する（ステップＳ６）。この液晶の滴下量は、ステップＳ４において測定した柱状スペーサ１３４の高さに基づいて決定される。

次に、真空貼り合わせ工程として、マザー基板状態のＴＦＴアレイ基板１１０とマザー基板状態のカラーフィルタ基板１２０とを真空状態で貼り合わせて、マザーセル基板を形成する（ステップＳ７）。

次に、ＵＶ（紫外線）照射工程として、マザーセル基板に紫外線を照射し、シール剤を仮硬化させる（ステップＳ８）。その後、加熱によりアフターキュアを行い、シール剤を完全に硬化させて、硬化したシールパターン１３３を得る（ステップＳ９）。

次に、セル分断工程として、マザーセル基板をスクライブラインに沿って切断し、個々の液晶パネルに分断する（ステップＳ１０）。

次に、分断された個々の液晶パネルに対して、偏光板貼り付け工程として偏光板を貼り付け（ステップＳ１１）、さらに、制御基板実装工程として、制御基板を実装する（ステップＳ１２）。こうして一連の製造工程が完了し、液晶パネル１０が完成する。

さらに、液晶パネル１０の反視認側となるＴＦＴアレイ基板１１０の裏面側（偏光板１３１が備えられる側）に、位相差板などの光学フィルムを介して、バックライトユニットを配置する。そして、樹脂又は金属などからなるフレーム内に、液晶パネル１０及びこれら周辺部材を適宜収納し、最終的な液晶表示装置が完成する。

なお、上記の説明においては、液晶の動作モードがＴＮモードの液晶パネルを用いた液晶表示装置に本発明を適用した場合を例にとって説明を行ったが、特に、より高いレベルでの膜削れ性の良化（輝点不良を抑制）、配向規制力の向上及びＡＣ焼き付き特性の改善が配向膜に求められるＦＦＳ方式の液晶パネルを用いた液晶表示装置に適用した場合には、本発明により得られる効果は顕著となる。

＜効果＞
以下に、本実施形態による効果を例示する。

本実施形態によれば、液晶表示装置が、少なくとも一方の基板としての、ＴＦＴアレイ基板１１０又はカラーフィルタ基板１２０の、液晶に接触する側の面に設けられる配向膜を備える。ＴＦＴアレイ基板１１０の液晶に接触する側の面に設けられる配向膜は、２層配向膜１１２である。カラーフィルタ基板１２０の液晶に接触する側の面に設けられる配向膜は、２層配向膜１２２である。

そして、２層配向膜１１２及び２層配向膜１２２は、平面視において、周辺領域の体積抵抗値が、周辺領域に囲まれる内側の領域の体積抵抗値よりも高い。

このような構成によれば、異なる体積抵抗値の配向膜が分離度の高い状態で備えられる又は異なる体積抵抗値の配向膜が特定の領域に割り当てられることにより、焼き付き特性良化とパネル周辺部の液晶配向乱れ（周辺白抜け）の抑制とを両立させ、良好な表示品位を実現することができる。すなわち、パネル周辺部で生じやすい周辺白抜けを抑制するためにパネル周辺部に体積抵抗値の高い配向膜を配置し、かつ、それ以外の領域においては焼き付きを抑制するために体積抵抗値の低い配向膜を配置することによって、双方の不良が生じる領域に対応させて配向膜を配置し、双方の不良の抑制を効果的に行うことができる。また、例えば全体の体積抵抗値が均一な配向膜の体積抵抗値を調整する場合に比べて、抑制の効果を発揮できる範囲が広がる。

なお、これらの構成以外の構成については適宜省略することができるが、本明細書に示される任意の構成を適宜追加した場合でも、上記の効果を生じさせることができる。

また、本実施形態によれば、２層配向膜１１２は積層構造であり、第１抵抗膜としての配向膜１１２ａと、第２抵抗膜としての配向膜１１２ｂとを備える。また、２層配向膜１２２は積層構造であり、第１抵抗膜としての配向膜１２２ａと、第２抵抗膜としての配向膜１２２ｂとを備える。

配向膜１１２ａは、ＴＦＴアレイ基板１１０の液晶に接触する側の面に設けられる。また、配向膜１２２ａは、カラーフィルタ基板１２０の液晶に接触する側の面に設けられる。

配向膜１１２ｂは、配向膜１１２ａの上面に部分的に設けられ、配向膜１１２ａよりも体積抵抗値が低い。また、配向膜１２２ｂは、配向膜１２２ａの上面に部分的に設けられ、配向膜１２２ａよりも体積抵抗値が低い。

配向膜１１２ｂは、平面視における配向膜１１２ａの周辺領域を除く領域の上面に設けられる。また、配向膜１２２ｂは、平面視における配向膜１２２ａの周辺領域を除く領域の上面に設けられる。

このような構成によれば、焼き付き特性良化とパネル周辺部の液晶配向乱れ（周辺白抜け）の抑制とを両立させることができる。また、比較的容易に、領域ごとに体積抵抗値が異なる配向膜を形成することができる。

また、本実施形態によれば、配向膜は、第１抵抗膜としての高抵抗膜２ａと、第２抵抗膜としての低抵抗膜３ａとを備える。

高抵抗膜２ａは、基板１の液晶に接触する側の面に部分的に設けられる。低抵抗膜３ａは、基板１の液晶に接触する側の面に部分的に設けられ、高抵抗膜２ａよりも体積抵抗値が低い。

低抵抗膜３ａは、平面視において高抵抗膜２ａに囲まれて設けられる。

また、本実施形態によれば、第１抵抗膜としての高抵抗膜２ｂは、第２抵抗膜としての低抵抗膜３ａの周辺部において、低抵抗膜３ａを覆って設けられる。

このような構成によれば、表示領域内の周辺白抜けの発生し得る領域の抵抗を直接高くすることによって、周辺白抜けの抑制効果を高めることができる。なお、低抵抗膜３ａの厚さが十分に薄ければ（例えば、５００Å以上１８００Å以下）、低抵抗膜３ａの周辺部において高抵抗膜２ｂが低抵抗膜３ａを覆うことによって形成される段差（この場合、３００Å程度と想定される）による不具合も生じない。

また、本実施形態によれば、平面視において、高抵抗膜２が低抵抗膜３よりも外側に延び出て形成される領域である周辺領域の、その内側の領域（低抵抗膜３が形成される領域）に向かう方向の幅である周辺幅は、内側の領域を挟んで反対側における周辺幅と異なる。

このような構成によれば、周辺白抜けが発生しやすい液晶パネル１０の辺又は焼き付きが発生しやすい液晶パネル１０の辺など、それぞれの不良に対応して、低抵抗膜３が形成される相対的な位置を決定することができる。

また、本実施形態によれば、周辺白抜けが発生しやすい側の周辺幅は、平面視において内側の領域を挟んで反対側の周辺幅よりも広い。

このような構成によれば、周辺白抜けが発生しやすい液晶パネル１０の辺に特化して、周辺白抜けの抑制効果を高めることができる。

逆に、焼き付きが発生しやすい側の周辺幅が、平面視において内側の領域を挟んで反対側の周辺幅よりも狭く設定されることで、焼き付きが発生しやすい液晶パネル１０の辺に特化して、焼き付きの抑制効果を高めることができる。

また、本実施形態によれば、周辺白抜けが発生しやすい側は、液晶表示装置の駆動信号が入力される端子１１６が配置される側又は液晶表示装置の表示動作を検査するための検査回路１１９が配置される側である。

また、本実施形態によれば、液晶表示装置の製造方法において、少なくとも一方の基板１の液晶に接触する側の面に、少なくとも１つの塗布装置を用いて配向膜を塗布する。

上記の配向膜を塗布することは、液晶に接触する側の面に第１抵抗膜としての高抵抗膜２を塗布し、高抵抗膜２の上面に、高抵抗膜２よりも体積抵抗値が低い第２抵抗膜としての低抵抗膜３を部分的に塗布することである。

低抵抗膜３は、平面視における高抵抗膜２の周辺領域を除く領域の上面に塗布される。また、高抵抗膜２と低抵抗膜３とは、それぞれ異なるアニロックスロールを介して塗布される。すなわち、高抵抗膜２は、アニロックスロール１２を介して塗布される。低抵抗膜３は、アニロックスロール１２ａを介して塗布される。

このような構成によれば、２つの層を形成するための切替え時間などが不要となり、連続で層構造を形成できるため、製造時間を短縮することができる。

また、本実施形態によれば、配向膜を塗布することは、少なくとも一方の基板１の液晶に接触する側の面に、１つの塗布装置を用いて配向膜を塗布することであり、高抵抗膜２と低抵抗膜３とは、それぞれ異なるアニロックスロールを介して１つの転写版１５に転写され、さらに、それぞれ塗布される。すなわち、高抵抗膜２は、アニロックスロール１２を介して転写版１５に転写され、さらに、基板１の液晶に接触する側の面に塗布される。低抵抗膜３は、アニロックスロール１２ａを介して転写版１５に転写され、さらに、基板１の液晶に接触する側の面に塗布される。

また、本実施形態によれば、配向膜を塗布することは、少なくとも一方の基板１の液晶に接触する側の面に、複数の塗布装置を用いて配向膜を塗布することであり、高抵抗膜２と低抵抗膜３とは、それぞれ異なる塗布装置を用いて塗布される。

また、本実施形態によれば、配向膜を塗布することは、基板１の液晶に接触する側の面に高抵抗膜２を塗布し、高抵抗膜２が乾燥する前に、高抵抗膜２の上面に、高抵抗膜２よりも体積抵抗値が低い低抵抗膜３を部分的に塗布することである。

このような構成によれば、各抵抗膜を形成するたびに仮乾燥させる必要がなく、連続で抵抗膜を形成することができるため、製造時間を短縮することができる。また、高抵抗膜２と低抵抗膜３との間の境界部、高抵抗膜２ａと低抵抗膜３ａとの間の境界部又は高抵抗膜２ｂと低抵抗膜３ａとの間の境界部において形成される段差が、緩やかになることも期待できる。

また、本実施形態によれば、液晶表示装置の製造方法において、少なくとも一方の基板１の液晶に接触する側の面に、配向膜を塗布する。

低抵抗膜３は、平面視における高抵抗膜２の周辺領域を除く領域の上面に塗布される。高抵抗膜２は、アニロックスロール１２を介して転写版１５に転写され、さらに、基板１の液晶に接触する側の面に塗布される。低抵抗膜３は、インクジェット印刷装置を用いて、高抵抗膜２の上面に部分的に塗布される。

このような構成によれば、２層目の低抵抗膜３は、１層目の高抵抗膜２よりも若干シュリンクされたパターン塗布となる。そして、低抵抗膜３のパターンエッジ（端部）には、インクジェット印刷方式のデメリットであるガタつきが生じる場合がある。しかし、液晶表示装置の表示領域として用いられるのは低抵抗膜３の周辺部を除く領域であるため、当該ガタつきを考慮する必要がない。図２に示されるように、基板１の上面において、低抵抗膜３ａが高抵抗膜２ａに囲まれて形成される場合でも、同様である。よって、インクジェット印刷方式を用いて低抵抗膜３を形成し、良好な表示品位を実現することができる。

また、本実施形態によれば、液晶表示装置の製造方法において、少なくとも一方の基板１の液晶に接触する側の面に、複数の塗布装置を用いて配向膜を塗布する。

上記の配向膜を塗布することは、液晶に接触する側の面に第１抵抗膜としての高抵抗膜２ａを部分的に塗布し、液晶に接触する側の面に、高抵抗膜２ａよりも体積抵抗値が低い第２抵抗膜としての低抵抗膜３ａを部分的に塗布することである。

低抵抗膜３ａは、平面視において高抵抗膜２ａに囲まれて塗布される。高抵抗膜２ａは、アニロックスロール１２を介して転写版１５に転写され、さらに、基板１の液晶に接触する側の面に塗布される。低抵抗膜３ａは、インクジェット印刷装置を用いて、液晶に接触する側の面に部分的に塗布される。

このような構成によれば、内側の低抵抗膜３ａは高抵抗膜２ａに囲まれて塗布されるため、パターンエッジ（端部）におけるガタつきを考慮する必要がない。よって、インクジェット印刷方式を用いて低抵抗膜３を形成し、良好な表示品位を実現することができる。

＜変形例＞
上記実施形態では、各構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係又は実施の条件などについても記載している場合があるが、これらはすべての局面において例示であって、本発明が記載されたものに限られることはない。よって、例示されていない無数の変形例が、本発明の範囲内において想定される。例えば、任意の構成要素を変形する場合、追加する場合又は省略する場合が含まれる。

また、矛盾が生じない限り、上記各実施形態において「１つ」備えられるものとして記載された構成要素は、「１つ以上」備えられていてもよい。さらに、発明を構成する構成要素は概念的な単位であって、１つの構成要素が複数の構造物から成る場合及び１つの構成要素がある構造物の一部に対応する場合を含む。また、本発明の各構成要素には、同一の機能を発揮する限り、他の構造又は形状を有する構造物が含まれる。

また、本明細書における説明は、本発明のすべての目的のために参照され、いずれも、従来技術であると認めるものではない。

１基板、２，２ａ，２ｂ高抵抗膜、３，３ａ低抵抗膜、４，４ａディスペンサ、１０液晶パネル、１１，１１ａ，１１ｂ配向材、１２，１２ａアニロックスロール、１３，１３ａドクターブレード、１４版胴、１５転写版、３０，１１２ａ，１１２ｂ，１２２ａ，１２２ｂ配向膜、１００表示領域、１０１額縁領域、１１０ＴＦＴアレイ基板、１１１，１２１ガラス基板、１１２，１２２２層配向膜、１１３画素電極、１１４ＴＦＴ、１１５絶縁膜、１１６端子、１１７トランスファ電極、１１８ｇゲート配線、１１８ｓソース配線、１１９検査回路、１２０カラーフィルタ基板、１２３共通電極、１２４カラーフィルタ、１２５ブラックマトリクス、１３０液晶層、１３１，１３２偏光板、１３３シールパターン、１３４柱状スペーサ、１３５制御基板、１３６ＦＦＣ、１３７駆動ＩＣチップ。

Claims

１対の基板に挟まれる液晶を備え、かつ、液晶表示を行う画素領域を含む表示領域と、平面視において前記表示領域を囲む辺であり、かつ、前記画素領域を含まない額縁領域が設けられる液晶表示装置であり、
少なくとも一方の前記基板の、前記液晶に接触する側の面に設けられる配向膜を備え、
前記配向膜は、積層構造であり、
前記基板の前記液晶に接触する側の面に設けられる第１抵抗膜と、
前記第１抵抗膜の上面に部分的に設けられる、前記第１抵抗膜よりも体積抵抗値が低い第２抵抗膜とを備え、
前記第２抵抗膜は、平面視における前記第１抵抗膜の周辺領域を除く領域の上面に設けられ、
前記第２抵抗膜は、平面視において、前記表示領域と周辺白抜けが発生しやすい辺を除く辺に対応する前記額縁領域とに重なる、
液晶表示装置。
前記配向膜は、
前記基板の前記液晶に接触する側の面に部分的に設けられる第１抵抗膜と、
前記基板の前記液晶に接触する側の面に部分的に設けられる、前記第１抵抗膜よりも体積抵抗値が低い第２抵抗膜とを備え、
前記第２抵抗膜は、平面視において前記第１抵抗膜に囲まれて設けられる、
請求項１に記載の液晶表示装置。
前記第１抵抗膜は、前記第２抵抗膜の周辺部において、前記第２抵抗膜を覆って設けられる、
請求項２に記載の液晶表示装置。
平面視において、前記周辺領域の内側の領域に向かう方向の幅である周辺幅は、前記内側の領域を挟んで反対側における前記周辺幅と異なる、
請求項１から請求項３のうちのいずれか１項に記載の液晶表示装置。
周辺白抜けが発生しやすい側の前記周辺幅は、平面視において前記内側の領域を挟んで反対側の前記周辺幅よりも広い、
請求項４に記載の液晶表示装置。
前記周辺白抜けが発生しやすい側は、前記液晶表示装置の駆動信号が入力される端子が配置される側又は前記液晶表示装置の表示動作を検査するための検査回路が配置される側である、
請求項５に記載の液晶表示装置。
１対の基板に挟まれる液晶を備え、かつ、液晶表示を行う画素領域を含む表示領域と、平面視において前記表示領域を囲む辺であり、かつ、前記画素領域を含まない額縁領域が設けられる液晶表示装置の製造方法であり、
少なくとも一方の前記基板の前記液晶に接触する側の面に、少なくとも１つの塗布装置を用いて配向膜を塗布し、
前記配向膜を塗布することは、
前記液晶に接触する側の面に第１抵抗膜を塗布し、
前記第１抵抗膜の上面に、前記第１抵抗膜よりも体積抵抗値が低い第２抵抗膜を部分的に塗布することであり、
前記第２抵抗膜は、平面視における前記第１抵抗膜の周辺領域を除く領域の上面に塗布され、
前記第１抵抗膜と前記第２抵抗膜とは、それぞれ異なるアニロックスロールを介して塗布され、
前記第２抵抗膜は、平面視において、前記表示領域と周辺白抜けが発生しやすい辺を除く辺に対応する前記額縁領域とに重なる、
液晶表示装置の製造方法。
前記配向膜を塗布することは、
少なくとも一方の前記基板の前記液晶に接触する側の面に、１つの塗布装置を用いて前記配向膜を塗布することであり、
前記第１抵抗膜と前記第２抵抗膜とは、それぞれ異なる前記アニロックスロールを介して１つの転写版に転写され、さらに、それぞれ塗布される、
請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。
前記配向膜を塗布することは、
少なくとも一方の前記基板の前記液晶に接触する側の面に、複数の塗布装置を用いて前記配向膜を塗布することであり、
前記第１抵抗膜と前記第２抵抗膜とは、それぞれ異なる前記塗布装置を用いて塗布される、
請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。
前記配向膜を塗布することは、
前記基板の前記液晶に接触する側の面に第１抵抗膜を塗布し、
前記第１抵抗膜が乾燥する前に、前記第１抵抗膜の上面に、前記第１抵抗膜よりも体積抵抗値が低い第２抵抗膜を部分的に塗布することである、
請求項７から請求項９のうちのいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
１対の基板に挟まれる液晶を備え、かつ、液晶表示を行う画素領域を含む表示領域と、平面視において前記表示領域を囲む辺であり、かつ、前記画素領域を含まない額縁領域が設けられる液晶表示装置の製造方法であり、
少なくとも一方の前記基板の前記液晶に接触する側の面に、配向膜を塗布し、
前記配向膜を塗布することは、
前記液晶に接触する側の面に第１抵抗膜を塗布し、
前記第１抵抗膜の上面に、前記第１抵抗膜よりも体積抵抗値が低い第２抵抗膜を部分的に塗布することであり、
前記第２抵抗膜は、平面視における前記第１抵抗膜の周辺領域を除く領域の上面に塗布され、
前記第１抵抗膜は、アニロックスロールを介して転写版に転写され、さらに、前記基板の前記液晶に接触する側の面に塗布され、
前記第２抵抗膜は、インクジェット印刷装置を用いて、前記第１抵抗膜の上面に部分的に塗布され、
前記第２抵抗膜は、平面視において、前記表示領域と周辺白抜けが発生しやすい辺を除く辺に対応する前記額縁領域とに重なる、
液晶表示装置の製造方法。
１対の基板に挟まれる液晶を備え、かつ、液晶表示を行う画素領域を含む表示領域と、平面視において前記表示領域を囲む辺であり、かつ、前記画素領域を含まない額縁領域が設けられる液晶表示装置の製造方法であり、
少なくとも一方の前記基板の前記液晶に接触する側の面に、複数の塗布装置を用いて配向膜を塗布し、
前記配向膜を塗布することは、
前記液晶に接触する側の面に第１抵抗膜を部分的に塗布し、
前記液晶に接触する側の面に、前記第１抵抗膜よりも体積抵抗値が低い第２抵抗膜を部分的に塗布することであり、
前記第２抵抗膜は、平面視において前記第１抵抗膜に囲まれて塗布され、
前記第１抵抗膜は、アニロックスロールを介して転写版に転写され、さらに、前記基板の前記液晶に接触する側の面に塗布され、
前記第２抵抗膜は、インクジェット印刷装置を用いて、前記液晶に接触する側の面に部分的に塗布され、
前記第２抵抗膜は、平面視において、前記表示領域と周辺白抜けが発生しやすい辺を除く辺に対応する前記額縁領域とに重なる、
液晶表示装置の製造方法。
ＦＦＳ方式の液晶パネルを液晶表示に用いる、
請求項１に記載の液晶表示装置。
前記周辺領域は、内側の領域の全周に渡って形成される、
請求項１に記載の液晶表示装置。
ＦＦＳ方式の液晶パネルを液晶表示に用いる、
請求項７、請求項１１および請求項１２のうちのいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
前記配向膜は、ラビング処理を用いて塗布される、
請求項７、請求項１１および請求項１２のうちのいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。