JP6029364B2 - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は，液晶表示装置に係り，配向膜のピンホールに起因する液晶分子の配向乱れを対策したＩＰＳ方式の液晶表示装置に関する。

液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して、ＴＦＴ基板の画素電極と対応する場所にカラーフィルタ等が形成された対向基板が設置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。

液晶表示装置はフラットで軽量であることから、ＴＶ等の大型表示装置から、携帯電話やＤＳＣ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｔｉｌｌ Ｃａｍｅｒａ）等、色々な分野で用途が広がっている。一方、液晶表示装置では視野角特性が問題である。視野角特性は、画面を正面から見た場合と、斜め方向から見た場合に、輝度が変化したり、色度が変化したりする現象である。視野角特性は、液晶分子を水平方向の電界によって動作させるＩＰＳ（Ｉｎ Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式が優れた特性を有している。

液晶表示装置に使用する配向膜を配向処理すなわち配向制御能を付与する方法としてラビング処理が広くおこなわれている。このラビングによる配向処理は，配向膜を布で擦ることで配向処理を行うものである。「特許文献１」には、ラビング配向における配向膜の形成すなわち、配向膜の塗布および焼成プロセス等を省略するために、配向膜の下に形成されているオーバーコート膜をラビング処理可能な材料にし、このオーバーコート膜にラビング処理を施し、液晶分子を初期配向させる構成が記載されている。

一方，配向膜に非接触で配向制御能を付与する光配向法という手法がある。ＩＰＳ方式はプレティルト角が必要無いために、光配向法を容易に適用することが出来る。「特許文献２」には紫外線に代表される光の照射による光分解型の光配向処理が開示されている。

特開平９−２８１４７９号公報 特開２００４−２０６０９１号公報

配向膜はＴＦＴ基板側および対向基板側の最上層、すなわち、液晶層と接する場所に印刷等によって塗布される。しかしながら、ＴＦＴ基板あるいは対向基板等が汚染されていると、配向膜が印刷されない部分が発生する。そうすると、その部分において、液晶が配向されないために、輝点表示不良が発生する。例えば、ノーマリブラックのＩＰＳ（Ｉｎ Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｃｈｉｎｇ）方式液晶表示装置においては、黒表示時に光抜けが主ずる。

図１２はこの様子を示す模式図である。図１２において、ＴＦＴ基板１００に配線層１０１が形成され、その上に平坦化膜を兼ねた有機パッシベーション膜１０２が存在し、その上に配向膜１０５が形成されている。一方、対向基板２００には、ブラックマトリクス２０２とカラーフィルタ２０１が形成され、その上をオーバーコート膜２０３が覆っている。そして、オーバーコート膜２０３を覆って配向膜１０５が形成されている。図１２において、配向膜１０５はラビング処理によって配向能が付されている。

図１２において、配向膜１０５にピンホール（配向膜欠け部）１０５１が発生している。そうすると、その部分において、液晶分子１５０１が正常に配向されず、配向乱れ８０が発生する。この配向乱れ８０は、黒表示したときに光抜けとなり、輝点が発生する。

本発明の課題は、このような、配向膜１０５のピンホール１０５１あるいは配向膜欠け部１０５１に起因する配向乱れ８０を防止し、黒表示時の輝点の発生を防止することである。

本発明は、ラビング処理による配向膜に配向膜欠け部が存在しても、下地の有機膜に光配向可能な材料を所定の量含ませ、配向膜欠け部にスポット状の偏光ＵＶを照射することによって、下地の有機膜に配向能をもたせ、液晶分子の配向乱れを防止する。主な具体的な手段は次のとおりである。

（１）画素電極およびＴＦＴがマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、前記対向基板にはカラーフィルタが形成され、前記カラーフィルタを覆って第１の有機膜が形成され、前記第１の有機膜を覆ってラビング配向処理された配向膜が形成され、
前記第１の有機膜には偏光ＵＶによって配向可能な光配向性ポリマーが５０％以下で、５％以上混入していることを特徴とする液晶表示装置。

（２）前記ＴＦＴ基板には第２の有機膜が形成され、その上にラビング配向処理された配向膜が形成され、前記第２の有機膜には、偏光ＵＶによって配向可能な光配向性ポリマーが５０％以下で、５％以上混入していることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。

（３）画素電極およびＴＦＴがマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置の製造方法であって、前記対向基板の前記液晶と接する面にはラビング処理がなされた第１の配向膜が形成され、前記第１の配向膜の下地には第１の有機膜が形成され、前記第１の有機膜には、偏光ＵＶによって配向可能な光配向性ポリマーが５０％以下で、５％以上混入しており、前記液晶表示装置を点灯した後、輝点が発生している場合に、前記輝点の位置に対して、偏光ＵＶを照射することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

（４）画素電極およびＴＦＴがマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置の製造方法であって、前記対向基板の前記液晶と接する面にはラビング処理がなされた第１の配向膜が形成され、前記第１の配向膜の下地には第１の有機膜が形成され、前記第１の有機膜には、偏光ＵＶによって配向可能な光配向性ポリマーが５０％以下で、５％以上混入しており、前記ＴＦＴ基板の前記液晶と接する面にはラビング処理がなされた第２の配向膜が形成され、前記第２の配向膜の下地には第２の有機膜が形成され、前記第２の有機膜には、偏光ＵＶによって配向可能な光配向性ポリマーが５０％以下で、５％以上混入しており、前記液晶表示装置を点灯した後、輝点が発生している場合に、前記輝点の位置に対して、偏光ＵＶを照射することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

配向膜は、印刷等によって塗布した場合に、ある割合で配向膜欠け部が生ずる。配向膜をラビング処理する場合にも、配向膜欠け部が存在すると、その部分において、液晶分子の配向乱れが生ずる。本発明によれば、配向膜欠け部が生じても、その部分において露出している有機材料に光配向可能な材料が存在しており、その有機材料にスポット的に偏光ＵＶを照射することによって、配向膜欠け部にも配向能を付与することが出来る。したがって、配向膜欠け部に起因する輝点不良を防止することが出来る。

実施例１の液晶表示装置の概略断面図である。 本発明におけるピンホール輝点修正方法を示す断面模式図である。 実施例１による液晶分子の配向状態を示す断面模式図である。 本発明で用いられるスポット偏光ＵＶを照射するシステムの模式図である。 本発明に用いられる、光配向可能な材料の例を示す表である。 シクロブタン系材料の光反応の例である。 シンナメート系材料の光反応の例である。 ＩＰＳ−ＰＲＯ方式の液晶表示装置の断面図である。 ＩＰＳ−ＬＩＴＥ方式の液晶表示装置の断面図である。 実施例２の効果を示す液晶表示装置の断面模式図である。 実施例３の効果を示す液晶表示装置の断面模式図である。 従来例において、配向膜欠け部に液晶分子の配向乱れが発生している例である。

以下に実施例を用いて本発明の内容を詳細に説明する。

図１は実施例１におけるＩＰＳ方式の液晶表示装置の概略断面図である。図１において、ガラス基板であるＴＦＴ基板１００に配線層１０１が形成されている。配線層１０１は、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ドレイン電極、ソース電極等からなるＴＦＴや、映像信号線、走査線等の総称である。配線層１０１の最上層にはＴＦＴを保護するための無機パッシベーション膜が形成されている。

配線層１０１の上には平坦化膜を兼ねる有機パッシベーション膜１０２が形成されている。本発明では、有機パッシベーション膜１０２に、光配向処理可能な物質が所定の量混合されている。これによって、後で有機パッシベーション膜１０２の上に形成される配向膜１０５に配向膜欠け部１０５１が生じて有機パッシベーション膜１０２が露出しても、この部分に対して、スポット状に偏光ＵＶを照射し、有機パッシベーション膜１０２を光配向することによって、配向乱れを防止している。

有機パッシベーション膜１０２の上には、櫛歯状あるいは線状の電極である、画素電極１０３と対向電極１０４が対向して形成されている。図１では、画素電極１０３を対向電極１０４が挟む形で形成されている。画素電極１０３および対向電極１０４を覆って配向膜１０５が形成されている。配向膜１０５はラビング処理によって配向能を付与されている。先に述べたように、配向膜１０５にピンホールのような配向膜欠け部１０５１が生じても、液晶表示パネルが完成した後、この配向膜欠け部１０５１に対してスポット的に偏光ＵＶを照射することによって、有機パッシベーション膜１０２によって液晶分子１５０１を配向し、液晶分子１０５１の配向乱れを防止することができる。スポット的な光配向のプロセスは後で詳細に説明する。

図１において、対向基板２００には、画素毎にカラーフィルタ２０１が形成され、カラー画像が形成される。カラーフィルタ２０１とカラーフィルタ２０１の間にはブラックマトリクス２０２が形成され、画像のコントラストを向上させる。カラーフィルタ２０１およびブラックマトリクス２０２を覆ってオーバーコート膜２０３が形成されている。

オーバーコート膜２０３の上には、ラビング処理が行われる配向膜１０５が形成されている。本発明では、オーバーコート膜２０３に、光配向処理可能な物質が所定の量混合されている。これによって、オーバーコート膜２０３の上に形成される配向膜１０５に配向膜欠け部１０５１が生じてオーバーコート膜２０３が露出しても、オーバーコート膜２０３を光配向することが出来るために、液晶分子１５０１の配向乱れを防止することが出来る。

液晶層１５０がＴＦＴ基板１００と対向基板２００に挟持されている。この液晶層１５０の液晶分子１５０１は、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００に形成された配向膜１０５によって初期配向されている。図１において、画素電極１０３と対向電極１０４との間に電界が印加されると、矢印のような電気力線が発生し、液晶分子１０５１を回転させ、各画素におけるバックライトからの光の透過率が制御され、これによって画像が形成される。

図２は、ＴＦＴ基板１００側および対向基板２００側に配向膜欠け部１０５１が発生した場合に、光配向処理可能な物質が所定の量混合されている有機パッシベーション膜１０２、あるいは、オーバーコート膜２０３にスポット的に偏光ＵＶ３０を照射することによって、有機パッシベーション膜１０２およびオーバーコート膜２０３に配向能を付与している状態を示す断面模式図である。

液晶表示パネルが完成した後、点灯検査を行い、輝点が発生している箇所を特定する。この部分は、配向膜欠け部１０５１が存在している部分であり、下地膜である有機パッシベーション膜１０２あるいはオーバーコート膜２０３が露出している部分である。この輝点が生じている場所に対して、偏光ＵＶ３０を照射し、有機パッシベーション膜１０２あるいはオーバーコート膜２０３に対して光配向を行う。

配向膜１０５には、ラビングによって配向能を付与する方式と、光配向によって配向能を付与する方式がある。本発明が対象とする配向膜１０５は、ラビング方式の配向膜１０５である。ただし、配向膜欠け部１０５１において、露出している有機パッシベーション膜１０２あるいはオーバーコート膜２０３に対する配向能の付与は、光配向によって行う。

光配向方式の配向膜に対して配向能を付与する場合は、波長が２５０ｎｍ程度の偏光ＵＶ３０が使用される。しかしながら、本発明においては、有機パッシベーション膜１０２あるいはオーバーコート膜２０３に対する光配向は、ガラス基板であるＴＦＴ基板１００を通して行われる。ガラスは、波長が２５０ｎｍ程度の紫外線（ＵＶ）は吸収してしまうので、この領域の波長のＵＶを使用することは能率が悪い。

そこで、本発明においては、有機パッシベーション膜１０２あるいはオーバーコート膜２０３に含まれる光配向処理可能な物質は、３００ｎｍ〜４５０ｎｍの紫外線（ＵＶ）に感光波長を持つ物質が選ばれる。しかしながら、波長が３００ｎｍ〜４５０ｎｍ程度のＵＶは、対向基板２００に形成されたカラーフィルタ２０１によって吸収されるので、配向膜欠け部１０５１に対する紫外線の照射は、ＴＦＴ基板１００側から行われる。

図２において、ＴＦＴ基板１００側に配置された光源１０からＵＶを放射し、偏光子２０によって、偏光ＵＶ３０を形成する。この偏光ＵＶ３０をＴＦＴ基板１００側から配向膜欠け部１０５１に照射し、配向膜欠け部１０５１において露出しているＴＦＴ基板１００における有機パッシベーション膜１０２、あるいは、対向基板２００におけるオーバーコート膜２０３に対して光配向を行う。

ＵＶ照射後、液晶のＮ−Ｉ（ネマチックーアイソトロピック）相転移温度以上に液晶表示パネルを加熱し、その後冷却する。そうすると、図３に示すように、配向膜欠け部１０５１が存在している部分においても、液晶分子１５０１を、配向膜１０５が存在している部分と同様に配向させることが出来る。

このようにして配向処理される有機パッシベーション膜１０２あるいはオーバーコート膜２０３には弱い配向性しか付与できない。配向膜１０５とは異なり、光配向可能な物質は、所定の分量しか含まれていないからである。配向性が弱くとも、配向膜欠け部１０５１の径が１００μｍ以下であれば図３に示すように、初期配向を付与することが出来る。

図４は、本発明におけるスポット的光配向による配向膜欠け部１０５１における輝点修正を行うための装置の概略図である。図４において、スポットＵＶ照射装置４０からＵＶを発生させ、光ファイバケーブル等によって、ＵＶをレンズ５０に導く。レンズ５０によって、ＵＶを所定のスポット径に調整し、このＵＶを偏光生成装置６０に導き、偏光ＵＶ３０として、液晶表示パネル７０の輝点発生部分７１（以後ピンホール輝点部分）に照射する。

ピンホール輝点部分７１に対し、ＴＦＴ基板１００側から３００ｎｍ〜４５０ｎｍの波長を含む偏光ＵＶ３０を３００ｎｍ〜３６５ｎｍの積算照射量として１〜１０Ｊ/ｃｍ^２の強度で照射した。光源にはウシオ電機製のスポットＵＶ照射装置４０を使用し、出射光にグランレーザープリズム（シグマ光機ＧＬＰＯ−１０−１５ＡＮ）を配置して偏光を得た。偏光角は液晶表示パネル７０における配向方向に対して９０度直交する方向にプリズムを配置した。ＵＶ照射後、液晶のＮ−Ｉ（ネマチックーアイソトロピック）相転移温度以上に液晶表示パネル７０を加熱し、その後冷却することによって、輝点は消失した。

図３に戻り、対向基板１００側のオーバーコート膜２０３又はＴＦＴ基板１００側の有機パッシベーション膜１０２は光配向可能な材料を５％以上、５０％以下含むポリマーである。光配向可能な材料としては、図５の表１に示すように、（Ａ）光分解型と（Ｂ）光二量化・架橋型の材料が存在する。（Ａ）の光分解型としては、シクロブタンまたはその誘導体である。具体的な例としては、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物と、例えば、ナフラテン、アントラセン、フルオレン等の３００ｎｍ〜４５０ｎｍの光吸収波長を有するジアミンからなるポリアミド酸である。

図６はシクロブタンに偏光ＵＶを照射した場合の、偏光ＵＶの偏光方向１０００と、液晶分子の配向方向２０００の関係を示す構造式である。図６において、シクロブタンが偏光ＵＶによって分解し、偏光ＵＶの偏光方向１０と直角方向に液晶分子が配向する方向が生ずることを示している。

（Ｂ）の光二量化・架橋型の例としては、シンナメート基またはその誘導体を含む材料である。具体的な例としては、ポリビニルシンナメート等の、側鎖にケイ皮酸誘導体を有する重合性モノマーである。図７は、シンナメート系材料の光反応の例である。シンナメート系材料が偏光ＵＶを受けて架橋し、偏光ＵＶの偏光方向１０と直角方向に液晶の配向方向２０が発現する様子を示している。

このような、光配向可能な材料を含むオーバーコート膜２０３の形成方法は次のとおりである。光配向可能な材料を含む対向基板２００のカラーフィルタ２０１およびブラックマトリクス２０２の上に、オーバーコート膜２０３材料を溶媒、例えば、ＮＭＰ（Ｎ−メチルピリドン）に溶解させた材料をスピンコート等で塗布する。その後、２３０℃で１５分間加熱して膜形成をおこなった。

ＴＦＴ基板１００における、光配向可能な材料を含む有機パッシベーション膜１０２の形成方法も同様である。すなわち、ＴＦＴ基板１００の配線層１０１の上に、光配向可能な材料を含む有機パッシベーション膜材料を溶媒、例えば、ＮＭＰ（Ｎ−メチルピリドン）に溶解させた材料をスピンコート等で塗布する。その後、２３０℃で１５分間加熱して膜形成をおこなった。

対向基板２００側のオーバーコート膜２０３、ＴＦＴ基板側の有機パッシベーション膜１０２はこのような光配向可能な材料をポリマー中に５０％以下、５％以上の割合で含有したポリマーである。したがって、配向膜１０５のように、配向能は強くはないが、配向膜欠け部１０５１の径が１００ｎｍ以下であれば、液晶分子１５０１に初期配向をさせることが出来、配向膜欠け部１０５１に起因する輝点の発生を防止することが出来る。

実施例１は、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の両方の有機膜に光配向性ポリマーを混入させた例である。しかし、液晶表示装置によっては、ＴＦＴ基板１００において、配向膜１０５の直下に有機パッシベーション膜１０２が存在しない製品が存在する。そのような製品の断面模式図を図８に示す。

図８はＩＰＳ−ＰＲＯと呼ばれているＩＰＳ方式の製品である。図８において、ガラスで形成されたＴＦＴ基板１００の上に配線層１０１が形成されている。配線層１０１の上には平坦化膜を兼ねた有機パッシベーション膜１０２が形成されている。有機パッシベーション膜１０２の上には、平面ベタで形成された対向電極１０４が形成され、その上にＳｉＮ等で形成された層間絶縁膜１１０が形成され、その上に櫛歯状の画素電極１０３が形成されている。また、製品によっては、有機パッシベーション膜１０２の上に、平面ベタで形成された画素電極１０３が形成され、その上にＳｉＮ等で形成された層間絶縁膜１１０が形成され、その上に櫛歯状の対向電極１０４が形成される場合もある。

すなわち、図８におけるＴＦＴ基板１００側では、配向膜１０５の直下には有機膜は存在していないので、光配向性ポリマーを混入した有機膜を形成しても液晶分子の配向乱れを対策することは出来ない。

一方、対向基板２００側に形成されたカラーフィルタ２０１あるいはブラックマトリクス２０２の上にはオーバーコート膜２０３が形成されているので、このオーバーコート膜２０３に光配向性ポリマーを混入させることによって実施例１で述べたような、配向膜欠け部１０５１を補うように、オーバーコート膜２０３に光配向特性を発現させ、液晶分子１５０１の配向乱れを防止することができる。

図９は、ＴＦＴ基板１００において、配向膜１０５の直下に有機膜１０２が存在しない製品の他の例である。図１５はＩＰＳ−ＬＩＴＥと呼ばれているＩＰＳ製品である。図１５のＴＦＴ基板１００上の配線層１０１の上に平面ベタで形成された画素電極１０３が存在している。実際には、画素電極１０３はゲート絶縁膜の上に形成されている場合が多い。平面ベタで形成された画素電極１０３を覆って、ＳｉＮ等で形成された層間絶縁膜１１０が形成され、その上に櫛歯電極状の対向電極１０４が形成されている。対向電極１０４を覆って光配向されている配向膜１０５が形成されている。この製品においては、ＴＦＴ基板１００側には有機膜が形成されていないので、光配向性ポリマーを混入する構成は存在しない。

一方、対向基板２００側は、実施例１あるいは、上記で説明したＩＰＳ−ＰＲＯの場合と同様な構成であり、ガラスで形成された対向基板２００の上にカラーフィルタ２０１、あるいは、ブラックマトリクス２０２が形成され、その上にオーバーコート膜２０３が形成されている。オーバーコート膜２０３を覆ってラビング配向処理をされる配向膜１０５が形成されている。実施例１あるいは、ＩＰＳ−ＰＲＯの場合に説明したように、オーバーコート膜２０３に光配向性ポリマーを所定量混入させ、その部分に偏光UVを照射することにより、オーバーコート膜に配向能を与えることによって、配向膜欠け部１０５１における液晶分子１５０１の配向乱れを防止することができる。

図１０は図８、図９で述べた構成における本実施例の効果を示す断面模式図である。図１０には、対向基板２００側に配向膜欠け部１０５１が存在した場合であっても、この配向膜欠け部１０５１に偏光紫外線３０をスポット的に照射することによって下地のオーバーコート膜２０３に光配向能を生じさせ、配向膜欠け部１０５１においても、液晶分子１５０１を配向膜１０５が存在している部分と同様に配向させている状態を示している。図１０のＴＦＴ基板１００において、配向膜１０５と配線層１０１の間の層構造は省略されている。

本実施例においても、光配向可能な材料、オーバーコート膜２０３における光配向可能な材料の割合、光配向可能な材料を含むオーバーコート膜２０３の形成方法は、実施例１で説明したのと同様である。配向膜１０５のピンホール等による配向膜欠け部１０５１はＴＦＴ基板１００側と対向基板２００側の両方に発生するので、対向基板２００側にのみ本発明を適用することによっても、配向乱れによる不良を半分にすることが出来る。

本実施例は、実施例２とは逆に、対向基板２００側においては、配向膜１０５の直下にオーバーコート膜２０３は存在しない、あるいは、オーバーコート膜２０３に光配向性の材料を混入できないが、ＴＦＴ基板１００側において、配向膜の直下に有機パッシベーション膜１０２に光配向性材料を混入した例である。

図１１は本実施例を示す断面図である。図１１において、ＴＦＴ基板１００側に配向膜欠け部１０５１が存在していても、この部分の光配向可能な材料を含む有機パッシベーション膜１０２に対してスポット的に偏光紫外線３０を照射することによって、液晶分子１５０１の初期配向を他の部分と同様に行うことが出来る。これによって、配向膜欠け部１０５１に起因する輝点を防止することが出来る。

有機パッシベーション膜１０２に混入する、光配向可能な材料の種類、有機パッシベーション膜１０２における光配向可能な材料の混入比率、光配向可能な材料を含む有機パッシベーション膜１０２の形成方法は実施例１と同様である。配向膜１０５のピンホール等による配向膜欠け部１０５１はＴＦＴ基板１００側と対向基板２００側の両方に発生するので、対向基板１００側にのみ本発明を適用することによっても、配向乱れによる不良を半分にすることが出来る。

１０…光源、 ２０…偏光子、 ３０…偏光ＵＶ、 ４０…スポットＵＶ照射装置、 ５０…レンズ、 ６０…偏光生成装置、 ７０…液晶表示パネル、 ７１…ピンホール輝点部、 ８０…配向乱れ、 １００…ＴＦＴ基板、 １０１…配線層、 １０２…有機パッシベーション膜、 １０３…画素電極、 １０４…対向電極、 １０５…配向膜、 １１０…層間絶縁膜、 １５０…液晶層、 ２００…対向基板、 ２０１…カラーフィルタ、 ２０２…ブラックマトリクス、 ２０３…オーバーコート膜、 ３００…光配向性ポリマー、 ３１０…非光配向性ポリマー、 １０００…ＵＶ偏光方向、 １０５１…配向膜欠け部、 １５０１…液晶分子、 ２０００…液晶分子の配向方向

Claims (10)

1. 画素電極およびＴＦＴがマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
   前記対向基板にはカラーフィルタが形成され、前記カラーフィルタを覆って第１の有機膜が形成され、前記第１の有機膜を覆って配向処理された配向膜が形成され、
   前記第１の有機膜には偏光ＵＶによって配向可能な光配向性ポリマーが５０％以下で、５％以上混入していることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記ＴＦＴ基板には第２の有機膜が形成され、その上に配向処理された配向膜が形成され、前記第２の有機膜には、偏光ＵＶによって配向可能な光配向性ポリマーが５０％以下で、５％以上混入していることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記第１の有機膜に混入されている光配向性ポリマーは、シンナメート基を含む材料であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
4. 前記第２の有機膜に混入されている光配向性ポリマーは、シンナメート基を含む材料であることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
5. 前記第１の有機膜に混入されている光配向性ポリマーは、シクロブタンを含む材料であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
6. 前記第２の有機膜に混入されている光配向性ポリマーは、シクロブタンを含む材料であることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
7. 画素電極およびＴＦＴがマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置の製造方法であって、
   前記対向基板の前記液晶と接する面には配向処理がなされた第１の配向膜が形成され、前記第１の配向膜の下地には第１の有機膜が形成され、前記第１の有機膜には、偏光ＵＶによって配向可能な光配向性ポリマーが５０％以下で、５％以上混入しており、
   前記液晶表示装置を点灯した後、輝点が発生している場合に、前記輝点の位置に対して、偏光ＵＶを照射することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
8. 前記偏光ＵＶは、３００ｎｍ〜４５０ｎｍの波長を含み、３００ｎｍ〜３６５ｎｍの積算照射量として１〜１０Ｊ/ｃｍ^２の強度で前記ＴＦＴ基板側から照射することを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。
9. 画素電極およびＴＦＴがマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置の製造方法であって、
   前記対向基板の前記液晶と接する面には配向処理がなされた第１の配向膜が形成され、前記第１の配向膜の下地には第１の有機膜が形成され、前記第１の有機膜には、偏光ＵＶによって配向可能な光配向性ポリマーが５０％以下で、５％以上混入しており、
   前記ＴＦＴ基板の前記液晶と接する面には配向処理がなされた第２の配向膜が形成され、前記第２の配向膜の下地には第２の有機膜が形成され、前記第２の有機膜には、偏光ＵＶによって配向可能な光配向性ポリマーが５０％以下で、５％以上混入しており、
   前記液晶表示装置を点灯した後、輝点が発生している場合に、前記輝点の位置に対して、偏光ＵＶを照射することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
10. 前記偏光ＵＶは、３００ｎｍ〜４５０ｎｍの波長を含み、３００ｎｍ〜３６５ｎｍの積算照射量として１〜１０Ｊ/ｃｍ^２の強度で前記ＴＦＴ基板側から照射することを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。

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