TWI493574B - Transparent conductive laminates and transparent touch panels using them - Google Patents

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TWI493574B TW098131597A TW98131597A TWI493574B TW I493574 B TWI493574 B TW I493574B TW 098131597 A TW098131597 A TW 098131597A TW 98131597 A TW98131597 A TW 98131597A TW I493574 B TWI493574 B TW I493574B
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Description

透明導電性層合物及使用其之透明觸控面板
本發明係有關透明觸控面板及其所適用之透明導電性層合物。更詳細而言,本發明係有關視認性優良之透明觸控面板及其所使用之透明導電性層合物。
近年來為了實現人機界面(man machine interface)之一的對話型輸入方式多半係使用透明觸控面板。透明觸控面板可依據位置檢驗方式區分為光學方式、超音波方式、靜電容量方式、電阻膜方式等。其中又以電阻膜方式具有較單純且價格/性能比較優良之構造,而快速普及化。
電阻膜方式之透明觸控面板為,對向側具有導電層之2枚薄膜或片物保持一定間隔所構成的電子構件,其係藉由筆或手按壓可動電極基板(視認側之電極基板)後,環繞接觸固定電極基板(對向側之電極基板)而導通,以驗出檢驗回路之位置,而產生一定輸入之物。此時按壓部周圍會出現稱為牛頓環之干擾紋。又既使未按壓狀態也會藉由可動電極基板之撓性而使可動電極基板與固定電極基板之間隔變窄的部分出現牛頓環。發生牛頓環時會降低顯示器之視認性。
為了減輕該類構成電阻膜方式之透明觸控面板用的2枚透明電極基板之間所發生的牛頓環,適用於薄膜表面形成具有適當形狀及大小之凹凸的方法。具體上曾揭示,於塑料薄膜上形成含有一定量平均粒徑1至4μm之填料的塗覆層及透明導電層之方法(參考特開平10-323931號公報),及於塑料薄膜上形成含有平均二次粒徑成為1.0至3.0μm之二氧化矽粒子的突起塗佈層(具有突起之塗佈層)之方法(參考特開2002-373056號公報)。
如上述使用於塑料薄膜上形成含有平均一次粒徑及二次粒徑為數公絲之粒子的塗覆層及透明導電層之透明導電性層合物的透明觸控面板時,可減輕牛頓環發生。但近年來於高精細顯示器上設置上述透明觸控面板時,上述塗覆層中粒子周邊的樹脂會形成透鏡效果,而使來自顯示器的光發生色分離(閃光(sparkling)),因此會有明顯惡化顯示器之視認性的問題。
又除了上述外為了減輕牛頓環曾揭示,含有平均一次粒徑0.5μm以上5μm以下之無機微粒子的硬化樹脂中,添加平均一次粒徑100μm以下之無機超微粒子以控制凹凸形狀的塗覆層,可同時減輕因發生牛頓環及閃光而惡化視認性之問題的方法(參考特開2006-190512號公報)。但對該方法所形成的反牛頓環層進行觸控面板所要求的摺動耐久性及端壓耐久性試驗時,會因此等無機粒子所形成的突起部分而使透明導電層開始惡化、剝離,因此會有使最初觸控面板用之電特性惡化的問題。
又進行打點耐久試驗時,會因由可動電極基板之透明導電層形成面所含的無機微粒子,形成之突起,而破壞形成於固定電極基板上之點調距器,使碎片飛散於觸控面板內。該類飛散的點調距器碎片會阻礙可動電極基板與固定電極基板間的導通,而有使觸控面板之電特性惡化的問題。另外此等飛散的點調距器碎片會傷害可動電極基板及固定電極基板之透明導電層,同樣會有使觸控面板之電特性惡化的問題。
另外以使用該類無機微粒子形成之反牛頓環層作為固定電極基板用時,由無機微粒子形成之突起會傷害可動電極基板之透明導電層,同樣會有觸控面板之電特性惡化的問題。又使用照相凹版塗佈機等以濕塗方式形成含有數μm之微粒子的樹脂層時,塗佈液中的微粒子會經時沈澱,因此需頻繁交換塗佈液,而有生產性問題。
於膜表面形成凹凸形狀,但不使用1μm以上無機微粒子之方法如,組合使用熱可塑性樹脂及平均一次粒徑0.001μm以上且未達1μm之無機微粒子,以及照射活性化能量線時可聚合之化合物或其低聚物,但會極端提高該方法所形成的層的混濁度,而有顯示器之視認性惡化的問題(參考特開2002-275391號公報)。
又曾揭示,藉由將平均一次粒徑100μm以下之超微粒子作為未達1.0μm之凝聚物用或以未形成凝聚物之狀態分散於硬化樹脂層中,形成凹凸形狀之方法,但該方法所形成的反牛頓環層之凹凸較小,因此強按壓時確認會發生牛頓環(參考特開2006-056136號公報、特開2005-209431號公報、特開2004-351744號公報及特開2004-195898號公報)。
本發明之目的為,提供既使透明觸控面板設置於高精細顯示器上,也不會發生因閃光而使視認性惡化,且可防止構成透明觸控面板用之2枚透明電極基板間發生牛頓環的透明觸控面板用透明導電性層合物。
本發明之另一目的為,提供可維持上述視認性,且生產性良好的透明導電性層合物。
本發明又一目的為,提供使用上述透明導電性層合物之新穎的透明觸控面板。
為了解決上述課題,本發明者們針對使用超微粒子之粗面化技術專心檢討後發現,以特定比率混合使用金屬氧化物超微粒子及金屬氟化物超微粒子時,可使金屬氧化物超微粒子及金屬氟化物超微粒子於硬化樹脂層中形成弱會合狀態,而形成所希望之凹凸形狀(本發明之第1態樣)。又本發明者們發現,以特定比率混合使用金屬氧化物超微粒子及金屬氟化物超微粒子,且使硬化樹脂層具有特定厚度時,可使金屬氧化物超微粒子及金屬氟化物超微粒子於硬化樹脂層中形成弱會合狀態,而形成所希望之凹凸形狀,如此可得所希望之反牛頓環性、像鮮明度及耐閃光性(本發明之第2態樣)。另外本發明者們發現,以特定比率混合使用金屬氧化物超微粒子及金屬氟化物超微粒子時,可使金屬氧化物超微粒子及金屬氟化物超微粒子於硬化樹脂層中形成弱會合狀態,而形成所希望之凹凸形狀,又構成硬化樹脂層用之硬化樹脂成份含有至少2種基於物性差而相分離之樹脂成份時,可進一步控制該凹凸形狀形狀,如此可得所希望之反牛頓環性、像鮮明度及耐閃光性(本發明之第3態樣)。
(本發明之第1態樣)
本發明之第1態樣的透明導電性層合物為,透明有機高分子基板之至少一方表面上,依序層合具有凹凸表面之硬化樹脂層及透明導電層,且符合下述(a)至(d)之透明導電性層合物;
(a)上述硬化樹脂層為,含有硬化樹脂成份,及分散於上述硬化樹脂成份中之平均一次粒徑為100nm以下的金屬氧化物超微粒子A與平均一次粒徑為100nm以下之金屬氟化物超微粒子B,
(b)上述硬化樹脂層中金屬氧化物超微粒子A之含量為,相對於硬化樹脂成份100質量份為1質量份以上未達20質量份,
(c)上述硬化樹脂層中金屬氟化物超微粒子B之含量為,相對於硬化樹脂成份100質量份為1質量份以上未達20質量份,且
(d)上述硬化樹脂層中金屬氧化物超微粒子A對金屬氟化物超微粒子B之質量比(A/B)大於0.3。
(本發明之第2態樣)
本發明之第2態樣的透明導電性層合物為,透明有機高分子基板之至少一方表面上,依序層合具有凹凸表面之硬化樹脂層及透明導電層,且符合下述(a)至(e)之透明導電性層合物;
(a)上述硬化樹脂層為,含有硬化樹脂成份,及分散於上述硬化樹脂成份中之平均一次粒徑為100nm以下的金屬氧化物超微粒子A與平均一次粒徑為100nm以下之金屬氟化物超微粒子B,
(b)上述硬化樹脂層中金屬氧化物超微粒子A之含量為,相對於硬化樹脂成份100質量份為1質量份以上未達20質量份,
(c)上述硬化樹脂層中金屬氟化物超微粒子B之含量為,相對於硬化樹脂成份100質量份為1質量份以上未達20質量份,且
(d)上述硬化樹脂層中金屬氧化物超微粒子A對金屬氟化物超微粒子B之質量比(A/B)為0.5以上2.0以下,且
(e)上述硬化樹脂層之膜厚為0.15μm以上未達1.0μm。
(本發明之第3態樣)
本發明之第3態樣的透明導電性層合物為,透明有機高分子基板之至少一方表面上,依序層合具有凹凸表面之硬化樹脂層及透明導電層,且符合下述(a)至(e)之透明導電性層合物;
(a)上述硬化樹脂層為,含有硬化樹脂成份,及分散於上述硬化樹脂成份中之平均一次粒徑為100nm以下的金屬氧化物超微粒子A與平均一次粒徑為100nm以下之金屬氟化物超微粒子B,
(b)上述硬化樹脂層中金屬氧化物超微粒子A之含量為,相對於硬化樹脂成份100質量份為1質量份以上未達20質量份,
(c)上述硬化樹脂層中金屬氟化物超微粒子B之含量為,相對於硬化樹脂成份100質量份為1質量份以上未達20質量份,且
(d)上述硬化樹脂層中金屬氧化物超微粒子A對金屬氟化物超微粒子B之質量比(A/B)大於0.3且未達10,且
(e)上述硬化樹脂成份為,含有至少2種基於特性差而相分離之樹脂成份。
本發明可提供,既使設置於高精細顯示器上,也不會因閃光而使視認性惡化之透明觸控面板中,可防止構成透明觸控面板用之2枚透明電極基板間發生牛頓環的透明觸控面板用透明導電性層合物。特別是該本發明之透明導電性層合物的第2及第3態樣中,不僅垂直方向,連斜坡方向也可具有較大像鮮明度。又本發明可提供,使用該類透明導電性層合物而得之顯示器及光學電子構件。
更具體而言,以本發明之透明導電性層合物作為光學電子構件用時,可減輕牛頓環發生,既使適應高精細顯示器也不易發生畫素色分離(閃光),又特別是本發明之第2及第3態樣中可得到廣角度下具有較大像鮮明度之光學特性的平衡性,因此可應用為先前技術所無法實現,具有優良視認性的光學特性之全新機能型觸控面板用基板。
又使用本發明之透明導電性層合物的透明觸控面板可抑制可動電極基板與固定電極基板間發生牛頓環,及抑制高精細顯示器上畫素色分離(閃光),又特別是本發明之第2及第3態樣中於廣角度下可具有較大像鮮明度。
另外本發明之透明導電性層合物可減少生產時塗佈液的交換頻率。
實施發明之形態
下面將說明本發明之實施形態,但本發明非限定於以下說明。
本發明之透明導電性層合物為,透明有機高分子基板之至少一方表面上,依序層合具有凹凸表面之硬化樹脂層及透明導電層的透明導電性層合物。該本發明的透明導電性層合物之一態樣為,如圖3所示於透明有機高分子基板(16)之至少一方表面上,依序層合具有凹凸表面之硬化樹脂層(15)及透明導電層(14)的透明導電性層合物。該圖3所示之本發明的透明導電性層合物之一態樣中,本發明之透明導電性層合物(14、15、16),與具有透明導電層(12)之玻璃板般的其他基板(11),係以相互之透明導電層(12、14)同士面對面方式配置,又其間配置調距器(13)可形成透明觸控面板(20)。
<透明有機高分子基板>
本發明之透明導電性層合物所使用的透明有機高分子基板可為任意之透明有機高分子基板,特佳為光學領域所使用的具有優良耐熱性、透明性等之透明有機高分子基板。
本發明之透明導電性層合物所使用的透明有機高分子基板如,聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯系聚合物;聚碳酸酯系聚合物;二乙醯基纖維素、三乙醯基纖維素等纖維素系聚合物;聚甲基甲基丙烯酸酯等丙烯酸系聚合物等之透明聚合物所形成的基板。又本發明之透明導電性層合物所使用的透明有機高分子基板如,聚苯乙烯、丙烯腈-苯乙烯共聚物等苯乙烯系聚合物;聚乙烯、聚丙烯、具有環狀至降莰烯構造之聚烯烴、乙烯-丙烯共聚物等烯烴系聚合物;氯乙烯系聚合物;尼龍及代表芳香族聚醯胺之醯胺系聚合物等之透明聚合物所形成的基板。另外本發明之透明導電性層合物所使用的透明有機高分子基板如,醯亞胺系聚合物、碸系聚合物、聚醚碸系聚合物、聚醚醚酮系聚合物、聚伸苯基硫化物系聚合物、乙烯醇系聚合物、偏氯乙烯系聚合物、乙烯基丁縮醛系聚合物、烯丙酸酯系聚合物、聚環氧甲烷系聚合物、環氧系聚合物及上述聚合物之摻混物等之透明聚合物所形成的基板等。
本發明之透明導電性層合物可因應用途適當選擇此等透明有機高分子基板中光學性雙折射較少,或雙折射控制於λ/4或λ/2之物及未控制雙折射之物。此時所言的因應用途適當選擇如,使用於液晶顯示器之偏光板、位相差薄膜、內配型之觸控面板般可發現利用直線偏光、橢圓偏光、圓偏光等偏光之機能的顯示器構件時,可使用本發明之透明導電性層合物。
又可適當選擇透明高分子基板之膜厚,一般就強度及處理性等作業性等觀點為10至500μm,較佳為20至300μm,更佳為30至200μm。
<硬化樹脂層>
本發明之透明導電性層合物所使用的具有凹凸形狀之硬化樹脂層為,含有硬化樹脂成份,及分散於該硬化樹脂成份中之至少1種平均一次粒徑為100nm以下的金屬氧化物超微粒子A與平均一次粒徑為100nm以下之金屬氟化物超微粒子B。
<硬化樹脂層-硬化樹脂成份> (第1及第2態樣)
有關本發明之第1及第2態樣的硬化性樹脂成份可為,能分散平均一次粒徑100nm以下之超微粒子,於形成硬化樹脂層後可使被膜具有充分強度且為透明性之物,並無特別限制,例如電離放射線硬化型樹脂及熱硬化型樹脂等。
賦予電離放射線硬化型樹脂之單體如,多元醇丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、賦予上述以外之硬層的胺基甲酸乙酯丙烯酸酯、環氧丙烯酸酯、改性苯乙烯丙烯酸酯、三聚氰胺丙烯酸酯、含矽之丙烯酸酯等單官能及多官能丙烯酸酯。
賦予電離放射線硬化型樹脂之具體單體如,三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷環氧乙烷改性三丙烯酸酯、三羥甲基丙烯環氧丙烷改性三丙烯酸酯、三聚異氰酸環氧乙烷改性三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二羥甲基三環癸烷二丙烯酸酯、三丙二醇三丙烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、環氧改性丙烯酸酯、胺基甲酸乙酯改性丙烯酸酯、環氧改性丙烯酸酯等多官能單體。
賦予電離放射線硬化型樹脂之此等單體可單獨使用,或混合數種使用,又可依情況添加適量的各種烷氧基矽烷之加水分解物。利用電離放射線進行樹脂層聚合時,一般係添加適量的光聚合引發劑,又必要時可添加適量的光增感劑。該光聚合引發劑如,乙醯苯、二苯甲酮、苯偶因、苯醯苯甲酸酯、噻噸類等,光增感劑如,三乙基胺、三-n-丁基膦等。
熱硬化型樹脂如,以甲基三乙氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷等矽烷化合物為單體之有機矽烷系熱硬化型樹脂、以醚化羥甲基三聚氰胺等為單體之三聚氰胺系熱硬化型樹脂、異氰酸酯系熱硬化型樹脂、苯酚系熱硬化型樹脂、環氧硬化型樹脂等。此等熱硬化型樹脂可單獨或複數組合使用。又必要時熱硬化型樹脂可混合熱塑性樹脂。
又利用熱進行樹脂層交聯時,可添加適量的反應促進劑及/或硬化劑。反應促進劑如,三伸乙基二胺、二丁基錫二月桂酸鹽、苄基甲基胺、吡啶等。又硬化劑如,甲基六氫酞酸酐、4,4'-二胺基二苯基甲烷、4,4'-二胺基-3,3'-二乙基二苯基甲烷、二胺基二苯基碸等。
又硬化樹脂層可含有塗平劑及光增感劑等第三成份。
(第3態樣)
有關本發明之第3態樣的硬化性樹脂成份可為,含有至少2種基於物性差而相分離之樹脂成份,能分散平均一次粒徑100nm以下之超微粒子,於形成硬化樹脂層後可使被膜持有充分強度且為透明性之物,並無特別限制,例如電離放射線硬化型樹脂及熱硬化型樹脂等。
至少2種基於物性差而相分離之樹脂成份可參考例如國際公開WO 2005/073763號公報。
例如該國際公開WO 2005/073763號公報所記載般,至少2種基於物性差而相分離之樹脂成份為,塗佈於透明有機高分子基板以形成硬化樹脂層時,係藉由基於第1及第2樹脂成份的物性差,而使第1樹脂成份與第2樹脂成份相分離,而形成表面具有無規凹凸之樹脂層。因此組合利用該第1及第2樹脂成份形成凹凸,與利用組合下述所說明之金屬氧化物超微粒子A及金屬氟化物超微粒子B形成凹凸表面,可更高度控制凹凸表面。
具體之第1及第2樹脂成份可各自獨立由單體、低聚物及樹脂群中所選出。
為了可基於第1及第2樹脂成份之物性差達成第1樹脂成份及第2樹脂成份相分離,第1樹脂及第2樹脂的特定物性值之差值,例如SP值(溶解性參數)(Solubility Parameter))、玻璃化溫度(Tg)、表面張力及/或數平均分子量等值之差值為具有一定大小。該第1及第2樹脂成份之使用比率可為1:99至99:1,較佳為1:99至50:50,更佳為1:99至20:80。
(第1及第2成份-SP值)
利用SP值(溶解性參數)之差值達成第1樹脂成份及第2樹脂成份相分離時,第1樹脂成份之SP值與第2樹脂成份的SP值之差值較佳為0.5以上,更佳為0.8以上。該SP值之差值的上限並無特別限制,一般為15以下。推斷第1樹脂成份之SP值與第2樹脂成份的SP值之差值為0.5以上時,可降低樹脂相互之相溶性,因此塗佈塗覆組成物後可使第1樹脂成份及第2樹脂成份達成相分離。
SP值之數值愈大時極性愈高,相反地數值愈小時極性愈低。有關本發明之SP值係由,SUH、CLARKE、J.P.S.A-1、5、1671至1681(1967)及引用該文獻之上述國際公開WO 2005/073763號公報所記載的方法實測而得。
此時之第1及第2樹脂成份如,第1樹脂成份為低聚物或樹脂,且第2樹脂成份為單體。第1樹脂成份之低聚物或樹脂更佳為含有不飽和雙鍵之丙烯酸共聚物,又第2樹脂成份之單體更佳為含有多官能性不飽和雙鍵之單體。本說明書之「低聚物」係指,具有重覆單位之聚合物中,該重覆單位數為3至10之物。
又第1及第2樹脂成份之其他例如,第1及第2樹脂成份同為低聚物或樹脂。該第1及第2樹脂成份較佳為骨架構造含有(甲基)丙烯酸樹脂之樹脂。該第1樹脂成份更佳為含有不飽和雙鍵之丙烯酸共聚物,又第2樹脂成份更佳為含有多官能性不飽和雙鍵之單體。
本發明之硬化樹脂層用的塗覆組成物可另含有有機溶劑。有機溶劑較佳如,甲基乙基酮等酮系溶劑、甲醇等醇系溶劑、苯甲醚等醚系溶劑等。此等溶劑可單獨使用1種,或混合使用2種以上之有機溶劑。
(第1及第2樹脂成份-玻璃化溫度(Tg))
利用玻璃化溫度(Tg)之差值達成第1樹脂成份及第2樹脂成份相分離時較佳為,第1及第2樹脂成份中任何一方為具有比塗佈塗覆組成物時之環境溫度更低的Tg,另一方為具有比塗佈塗覆組成物時之環境溫度更高的Tg。此時具有高於環境溫度之Tg的樹脂為,該環境溫度下可控制分子運動之玻璃狀態,因此推斷塗佈後會凝聚於塗覆組成物中,而使第1樹脂成份及第2樹脂成份達成相分離。
(第1及第2樹脂成份一表面張力)
利用表面張力之差值達成第1樹脂成份及第2樹脂成份相分離時,第1樹脂成份之表面張力與第2樹脂成份的表面張力之差值較佳為1至70dyn/cm,該差值更佳為5至30dyn/cm。表面張力之差值為該範圍時,具有更高表面張力之樹脂會傾向於凝聚,因此推斷塗佈塗覆組成物後可使第1樹脂成份及第2樹脂成份達成相分離。
該表面張力可由,使用巨化學公司製戴諾美求取以輪環法測得之靜態表面張力而得。
<硬化樹脂層-超微粒子> (材料)
加入硬化樹脂的平均一次粒徑100nm以下之金屬氧化物超微粒子A本質上並無限制,適用Al2 O3 、Bi2 O3 、CeO2 、In2 O3 、In2 O3 ‧SnO2 、HfO2 、La2 O3 、Sb2 O5 、Sb2 O5 ‧SnO2 、SiO2 、SnO2 、TiO2 、Y2 O3 、ZnO及ZrO2 群中所選出之至少一種,特佳為Al2 O3 、SiO2 。又金屬氧化物超微粒子A之平均一次粒徑可為100nm以下、90nm以下、80nm以下、70nm以下、60nm以下或50nm以下。
加入硬化樹脂的平均一次粒徑100nm以下之金屬氟化物超微粒子B特佳為MgF2 ,但非限定為此。又金屬氟化物超微粒子B之平均一次粒徑可為100nm以下、90nm以下、80nm以下、70nm以下、60nm以下或50nm以下。
(分散狀態)
相對於本發明之用途的形成凹凸形狀用之硬化樹脂層則要求,既使設置於高精細顯示器上也能保有良好視認性,但金屬氧化物超微粒子A及/或金屬氟化物超微粒子B形成光學波長以上之明確的凝聚物時,會增加閃光而降低視認性。又實質上金屬氧化物超微粒子A及金屬氟化物超微粒子B係均質分散時,會降低所形成的凹凸高度,而無法防止構成能控制面板用之2枚透明電極基板間發生牛頓環,故會明顯降低實用時之視認性。
因此本發明之透明導電性層合物較佳為,金屬氧化物超微粒子A及金屬氟化物超微粒子B不會形成1μm以上之二次凝聚物或二次粒子,特佳為不會形成光學波長以上之二次凝聚物或二次粒子,例如600nm以上之二次凝聚物或二次粒子。但平均一次粒徑100nm以下之金屬氧化物超微粒子A及/或金屬氟化物超微粒子B可為,能形成未達光學波長之二次凝聚物般的狀態。
又本發明之透明導電性層合物較佳為,可藉由金屬氧化物超微粒子A及金屬氟化物超微粒子B形成弱會合狀態,而使表面形成適當形狀之凹凸。
(添加比) (第1及第3態樣)
本發明之第1及第3態樣中,分散於硬化樹脂中的上述超微粒子之添加比中,相對於硬化樹脂成份100質量份的金屬氧化物超微粒子A及金屬氟化物超微粒子B各自需1質量份以上未達20質量份,較佳為1質量份以上15質量份以下,更佳為1質量份以上10質量份以下。其因為,金屬氧化物超微粒子A及/或金屬氟化物超微粒子B太少時,很難形成本發明之用途所必需的表面具有凹凸之樹脂層,又該比率太大時會減少硬化樹脂成份之比率,因此形成硬化樹脂層後很難持有被膜用之充分強度。
又為了使硬化樹脂層具有充分大小之凹凸,金屬氧化物超微粒子A對金屬氟化物超微粒子B的質量比(A/B)需大於0.3,該比值較佳為大於0.3且10.0以下,更佳為大於0.3且5.0以下。
(第2態樣)
本發明之第2態樣中為了使硬化樹脂層具有充分大小之凹凸,金屬氧化物超微粒子A對金屬氟化物超微粒子B的質量比(A/B)需為0.5以上2.0以下(即0.5或大於0.5,且2.0或小於2.0),該比值較佳為0.8以上2.0以下,更佳為0.8以上1.7以下。該比值太大或太小時,無法於硬化樹脂層表面形成本發明之第2態樣所希望的凹凸形狀。
<硬化樹脂層-膜厚> (第1態樣)
本發明之第1態樣中,表面具有凹凸之硬化樹脂層的膜厚較佳為0.1μm以上4.5μm以下,更佳為0.1μm以上3μm以下。膜厚太薄時,紫外線硬化樹脂特別易受氧影響而使硬化不足故不宜。一般膜厚太厚時,會因紫外線硬化樹脂的硬化收縮而使高分子基板彎曲,而發生卷邊故不宜。
因硬化樹脂層之表面凹凸會受膜厚影響,故控制膜厚係非常重要。特別是本發明僅藉由對硬化樹脂成份添加一定量的金屬氧化物超微粒子A及金屬氟化物超微粒子B而改變膜厚時,膜厚太薄會傾向使表面凹凸微細化而使表面平坦化,相反地膜厚太厚時會傾向使表面粗面化。
(第2態樣)
本發明之第2態樣中表面具有凹凸之硬化樹脂層的膜厚需為0.15μm以上1.0μm以下,較佳為0.15μm以上0.9μm以下,又以0.15μm以上0.8μm以下,更佳為0.15μm以上0.7μm以下。
組合使用該類膜厚,及有關本發明之第2態樣的上述特定質量比(A/B)時,可形成所希望之凹凸形狀,如此可得到所希望的反牛頓環性、像鮮明度及耐閃光性。一般膜厚太薄時易傾向降低反牛頓環特性而不宜。膜厚太厚時廣角度下無法具有較大像鮮明度。
(第3態樣)
本發明之第3態樣中表面具有凹凸之硬化樹脂層的膜厚較佳為0.1μm以上未達7μm,特佳為1μm以上未達7μm。因膜厚較厚的硬化樹脂層可得具有充分硬度之硬化樹脂層,而利用該硬化樹脂層易密封來自基材之發生物等故為佳。
有關於此本發明之第3態樣中,組合利用第1及第2樹脂成份形成凹凸,及藉由組合金屬氧化物超微粒子A及金屬氟化物超微粒子B形成凹凸時,既使膜厚較厚,例如2μm以上、3μm以上或4μm以上之膜厚,也能使凹凸之間距變細而得具有良好像鮮明度及耐閃光性之透明導電性層合物。
<硬化樹脂層-其他成份>
又本發明之硬化樹脂層表面的凹凸也依存於超微粒子之疏密性。因此為了發現或控制疏密性,形成硬化樹脂層時可適當選用溶劑及分散劑。溶劑如酮系、芳香族系、酮系、乳酸酯系、溶纖劑系、乙二醇系等各種物。分散劑如脂肪酸胺系、磺酸醯胺系、ε-己內酯系、氫硬脂酸系、聚羧酸系、聚酯胺等各種物。此等溶劑及分散劑可各自單獨或2種以上組合使用。
<硬化樹脂層-表面凹凸> (十點平均粗細度(Rz)) (第1態樣)
本發明之第1態樣中,硬化樹脂層表面之凹凸的十點平均粗細度(Rz)較佳為300nm以上未達1500nm,更佳為300nm以上未達1000nm,特佳為300nm以上未達800nm。
(第2及第3態樣)
本發明之第2及第3態樣中,硬化樹脂層表面之凹凸的十點平均粗細度(Rz)較佳為50nm以上未達2000nm,更佳為100nm以上未達1000nm,特佳為100nm以上未達800nm,最佳為100nm以上未達500nm。
十點平均粗細度(Rz)太小時,玻璃或薄膜基板會強力接觸本發明之凹凸面,而發生牛頓環。又十點平均粗細度(Rz)太大時會增加混濁度,因此適用於高精細之液晶顯示器時會造成畫素色分離而產生閃光等,故特別不適用為顯示器用途之基板。
有關本發明之十點平均粗細度(Rz)係依據JIS B0601-1982定義。具體上十點平均粗細度(Rz)為,利用模擬式表面粗細測定器求取之值,又係以基準長度下剖面曲線(直接測得之數據)中,自最高山頂之前5高的山高平均值及自最深谷底之前5深的谷深平均值之和定義。該基準長度為0.25mm。
(平均算術粗細度(Ra)) (第1態樣)
本發明之第1態樣中,硬化樹脂層表面之凹凸的平均算術粗細度(Ra)較佳為50nm以上未達300nm,更佳為50nm以上未達200nm,特佳為50nm以上未達150nm。
(第2及第3態樣)
本發明之第2及第3態樣中,硬化樹脂層表面之凹凸的平均算術粗細度(Ra)較佳為2nm以上未達200nm,又以10nm以上未達150nm為佳,更佳為20nm以上未達100nm,最佳為20nm以上未達60nm。
平均算術粗細度(Ra)太小時,玻璃或薄膜基板會強力接觸本發明之凹凸面,而發生牛頓環。又平均算術粗細度(Ra)較大時會增加混濁度,因此適用於高精細之液晶顯示器時會造成畫素色分離而產生閃光等,故特別不適用為顯示器用途之基板。
有關本發明之平均算術粗細度(中心線平均粗細度)(Ra)係依據JIS B0601-1994定義。具體上平均算術粗細度(Ra)為,由粗細曲線取出其中心線方向基準長度L的部分後,以該取出部分之中心線為X軸,以縱倍率之方向為Y軸,且以y=f(x)表示粗細曲線,再以下述式表示之值。
<硬化樹脂層-混濁度>
本發明具有凹凸表面之硬化樹脂層可藉由變更溶劑、分散劑、金屬氧化物超微粒子A及/或金屬氟化物超微粒子B之添加量、硬化樹脂層之膜厚、使用至少2種會相分離之硬化性樹脂成份時第1及第2樹脂成份的添加量等參數,自由控制Rz、Ra及混濁度。
就視認性觀點本發明之導電性層合物的混濁度較佳為1%以上未達10%,又以1%以上未達8%為佳,更佳為1%以上未達7%,特佳為1%以上未達6%。
有關本發明之混濁度係依據JIS K7136定義。具體上混濁度係以,相對於全光線透過率τt 之擴散透過率τd 的比值定義,更具體為以下述式求取。
混濁度(%)=[(τ42 )-τ321 )×100
τ1 :入射光之光束
τ2 :透過試驗片之全光束
τ3 :裝置所擴散之光束
τ4 :裝置及試驗片所擴散之光束
<硬化樹脂層-像鮮明度>
本發明及第2及第3態樣的硬化樹脂層,特別是本發明之導電性層合物中有關像鮮明度可為符合下述式(1)及(2):
70%≦α≦98%,較佳為75%≦α≦95%,又以77%≦α≦95%為佳,更佳為80%≦α≦93% …(1)
0.50<β/α<1.05,較佳為0.80<β/α<1.05,又以0.85<β/α<1.05為佳,更佳為0.90<β/α<1.05 …(2)
(α:使用2.0mm之光學梳時的垂直入射光之透光像鮮明度,β:使用2.0mm之光學梳時的入射角60°之入射光的透光像鮮明度)。
此等透光像鮮明度係依據JIS K7105(1999年版)測定的使用2.0mm之光學梳時的透光像鮮明度(%)。
符合式(1)之關係時,將透明導電性薄膜置於顯示器上,由垂直方向看到的透光像偏差較小。又同時符合式(1)及式(2)之關係時,將透明導電性薄膜置於顯示器上,由垂直方向及斜方向看到的透光像偏差較小。
<硬化樹脂層-形成方法>
本發明具有凹凸表面之硬化樹脂層的形成方法特佳為,使用濕式法形成,例如可使用刮刀、棒塗、照相凹版塗佈、幕塗、刀塗、旋塗、噴霧及浸漬等已知方法。
<透明導電層>
本發明之透明導電層並無特別限制,例如可為結晶質之金屬層或結晶質之金屬化合物層。構成透明導電層之成份如,氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化鎂、氧化鋅、氧化銦、氧化錫等金屬氧化物之層。其中較佳為以氧化銦為主成份之結晶質層,特佳為由結晶質之ITO(Indium Tin Oxide)形成的層。
又透明導電層為結晶質時,結晶粒徑無需特別設上限,但較佳為3000nm以下。結晶粒徑超過3000nm時會使筆記耐久性變差而不宜。該結晶粒徑係以,透過型電子顯微鏡(TEM)下觀察到的多角形狀或長圓形之各領域中對角線或直徑中最大之值定義。
透明導電層不為結晶質膜時,會降低觸控面板所要求的摺動耐久性及環境信賴性。
透明導電層可由已知方法形成,例如可使用DC磁控管濺鍍法、RF磁控管濺鍍法、離子鍍金法、真空蒸鍍法、脈衝雷射堆積法等物理性形成方法(Physical Vapor Deposition(以下稱為「PVD」))等,但就著目於相對於大面積形成均勻膜厚之金屬化合物層的工業生產性,較佳為DC磁控管濺鍍法。又除了上述物理性形成法(PVD),也可使用化學氣相堆積法(Chemical Vapor Deposition(以下稱為「CVD」)、溶膠凝膠法等化學性形成方法,但就控制膜厚觀點較佳為濺鍍法。
透明導電層之膜厚就透明性及導電性觀點較佳為5至50nm,更佳為5至30nm。透明導電層之膜厚未達5nm時傾向降低電阻值之經時安定性,又超過50nm時會降低表面電阻值而不適用於觸控面板。
觸控面板使用本發明之透明導電性層合物時,就降低觸控面板之消費電力及回路處理上的必要性等較佳為,使用膜厚10至30nm之透明導電層的表面電阻值為100至2000Ω/□(Ω/sq),更佳為140至1000Ω/□(Ω/sq)之透明導電層。
<金屬化合物層>
本發明之透明導電性層合物可為,具有凹凸表面之硬化樹脂層與透明導電層之間,設有膜厚0.5nm以上未達5.0nm之金屬化合物層。
依序層合透明有機高分子基板、具有凹凸表面之硬化樹脂層、控制膜厚之金屬化合物層及透明導電層時,可大幅改善各層間的密合性。另外硬化樹脂層中的金屬氧化物超微粒子A及/或金屬氟化物超微粒子B之金屬同上述金屬化合物層之金屬時,可進一步改善具有凹凸表面之硬化樹脂層與透明導電層之間的密合性。
使用該類具有金屬化合物層之透明導電性層合物的透明觸控面板時,比較無金屬化合物層時,可提升透明觸控面板所要求的筆記耐久性。金屬化合物層之膜厚為5.0nm以上時,會因以金屬化合物為首的連續物用機械物性,而無法提升透明觸控面板所要求的端壓耐久性。又膜厚未達0.5nm時除了難控制膜厚外,將難充分發現具有凹凸表面之硬化樹脂層與透明導電層的密合性,因此將無法充分提升透明觸控面板所要求的筆記耐久性。
構成金屬化合物層之成份如,氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化鎂、氧化鋅、氧化銦、氧化錫等金屬氧化物之層。
此等金屬化合物層可由已知方法形成,例如可使用DC磁控管濺鍍法、RF磁控管濺鍍法、離子鍍金法、真空蒸鍍法、脈衝雷射堆積法等物理性形成方法(PVD)等,但就著目於相對於大面積形成均勻膜厚之金屬化合物層的工業生產性,較佳為DC磁控管濺鍍法。除了上述物理性形成法(PVD)外,也可使用化學氣相堆積法(CVD)、溶膠凝膠法等化學性形成法,但就控制膜厚之觀點又以濺鍍法為佳。
濺鍍所使用的標靶較佳為金屬標靶,可廣泛採用反應性濺鍍法。其因為,金屬化合物層用之元素的氧化物多半為絕緣物,故金屬化合物標靶多半無法適應DC磁控管濺鍍法。又近年來已開發出同時使2個陰極放電,以抑制標靶形成絕緣物般的電源,因此可適應假性RF磁控管濺鍍法。
<光學干擾層及硬塗層>
本發明之透明導電性層合物於必要時可適切依序組合單獨或複數的因應用途藉由光學干擾以控制反射率的光學干擾層及硬塗層。透明導電層、光學干擾層及硬塗層之層合順序可為,因應用途可發現所期待之機能的順序並無特別限定。例如作為觸控面板用基板時,以透明導電層為A、以光學干擾層為B、以具有凹凸表面之硬化樹脂層為C、以透明有機高分子基板為D及以硬塗層為E時,此等層合順序如,A/B/C/D/E、A/B/C/D/C、A/B/B/C/D/E、A/B/B/C/D/C、A/C/D/E/B、A/C/D/C/B、A/C/D/E/B/B、A/C/D/C/B/B、B/A/C/D/E、B/A/C/D/C等。
光學干擾層係指,適當組合高折射率層及低折射率層以防止或抑制反射光的層。光學干擾層係由至少一層高折射率層及至少一層低折射率層所構成。又高折射率層及低折射率層之組合單位可為二個以上。光學干擾層係由一層高折射率層及一層低折射率層所構成時,光學干擾層之膜厚較佳為30nm至150nm,更佳為50nm至150nm。光學干擾層可由濕式法、乾式法中任何一種方法形成。例如適用濕式法中刮刀、棒塗、照相凹版塗佈、幕塗、刀塗、旋塗、噴霧及浸漬法等,或乾式法中濺鍍法、真空蒸鍍法、離子鍍金法等PVD法,或印刷法、CVD法等。
硬塗層適用熱硬化樹脂及活性能量線硬化樹脂等。其中又以使用活性能量線中的紫外線之紫外線硬化型樹脂具有優良生產性及經濟性而為佳。
硬塗層用之紫外線硬化型樹脂如,1,6-己二醇二丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、乙二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、四乙二醇二丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、1,4-丁二醇二甲基丙烯酸酯、聚(丁二醇)二丙烯酸酯、四丁二醇二甲基丙烯酸酯、1,3-丁二醇二丙烯酸酯、三乙二醇二丙烯酸酯、三異丙二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、及雙酚A二甲基丙烯酸酯等二丙烯酸酯類;三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、季戊四醇一羥基三丙烯酸酯及三羥甲基丙烷三乙氧基三丙烯酸酯等三丙烯酸酯類;季戊四醇四丙烯酸酯及二-三羥甲基丙烷四丙烯酸酯等四丙烯酸酯類;及二季戊四醇(一羥基)五丙烯酸酯等五丙烯酸酯類。其他的硬塗層用之紫外線硬化型樹脂可使用5官能以上之多官能丙烯酸酯。此等多官能丙烯酸酯可為1種單獨,或2種以上混合使用。另外此等丙烯酸酯類可添加1種或2種以上光引發劑、光增感劑、塗平劑、金屬氧化物或丙烯酸基成份等所形成的微粒子或超微粒子等第三成份。
<用途>
本發明之透明導電性層合物適用為,由至少單面設有透明導電層之2枚透明電極基板以相互之透明導電層同士面對面方式配置所構成的透明觸控面板中,可動及/或固定電極基板用之透明電極基板。
下面將舉實施例更具體說明本發明,但本發明非限定於該實施例。又實施例中,無特別註明下「份」及「%」為質量基準。又實施例中各種測定係以下述方法進行。
<Ra(算術平均粗細度)>
使用Sloan公司製觸針段差計DEKTAK3測定。測定係依據JIS B0601-1994年版進行。
<Rz(十點平均粗細度)>
使用小板研究所(股)製Surfcorder SE-3400測定。測定係依據JIS B0601-1982年版進行。
<厚度>
使用Anritsu Electric公司製觸針式膜厚計艾爾發測定。
<混濁度>
使用日本電色(股)製混濁度計器(MDH 2000)測定。
<全光線透過率>
使用日本電色(股)製混濁度計器(MDH 2000)依據JIS K7316-1測定。
<反牛頓環性>
各自以2枚實施例及比較例之樣品作為可動電極基板及固定電極基板用,3波長螢光燈下自相對於觸控面板表面(垂直方向零度)為斜60度之方向,以目視觀察接觸基板同士之領域中有無牛頓環。將未觀測到牛頓環之物視為良好(○),稍觀測到之物視為稍良好(△),明顯觀測到之物視為不良(×)。
<閃光性-123dpi>
以目視確認實施例A及比較例A中,約123dip(對角10.4英寸,XGA(1024×768點))之液晶顯示器上設置觸控面板有無閃光。將無法確認閃光之物視為良好(○),稍確認之物視為稍良好(△),明確確認之物視為不良(×)。
<耐閃光性-183dpi及333dpi>
以目視確認實施例B及比較例B,以及實施例C及比較例C中,約183dip(對角2.7英寸,WQVGA(240×432點))之液晶顯示器上設置觸控面板有無閃光。將無法確認閃光之物視為良好(○),稍確認之物視為稍良好(△),明確確認之物視為不良(×)。另外既使約333dip(對角2.8英寸,WVGA(480×800點))之液晶顯示器上設置觸控面板也無法確認閃光之物視為最佳(◎)。
<像鮮明度(透過法)-0.5mm或2.0mm>
使用斯佳試驗機公司製ICM-1T進行測定。測定時係依據JIS K7105(1999年版)使用0.5mm光學梳(實施例A及比較例A),或2.0mm光學梳(實施例B及比較例B,以及實施例C及比較例C)測定透過之像鮮明度(%)。
[實施例A及比較例A]
以下係以特定比率混合使用金屬氧化物超微粒子及金屬氟化物超微粒子,而於硬化樹脂層中形成弱會合狀態,如此可形成所希望之凹凸形狀。
[實施例A1]
使用聚碳酸酯薄膜(帝人化成股份公司製C110-100)(PC)作為透明有機高分子基板用,其單面上利用金屬絲棒塗佈下述組成之塗佈液RA 後,40℃下加熱乾燥1分鐘,再以紫外線燈照射120mW/cm2 、400mW/cm2 之紫外線,形成膜厚約1.5μm之具有凹凸表面的硬化樹脂層。
塗佈液RA 之組成
4官能丙烯酸酯:100質量份「艾洛尼」M-405(東亞合成股份公司製)
金屬氧化物超微粒子分散液:80質量份(固體成份換算8質量份,西艾尹化成股份公司製SiO2 超微粒子10質量%異丙基醇分散液,超微粒子之一次平均粒徑為30nm)
金屬氟化物超微粒子分散液:20質量份(固體成份換算4質量份,西艾尹化成股份公司製MgF2 超微粒子20質量%異丙基醇分散液,超微粒子之一次平均粒徑為50nm)
光反應引發劑:5質量份「尹爾凱」184(吉巴斯化學股份公司製)
稀釋液:適當量(異丁基醇)
其次於形成硬化樹脂層之表面上,使用組成為氧化銦與氧化錫之質量比95:5且填充密度98%的氧化銦-氧化錫標靶以濺鍍法形成非晶質透明導電層(ITO層)。ITO層之厚度約為20nm,表面電阻值約為370Ω/□(Ω/sq)。
其後以130℃熱處理90分鐘,使透明導電層(ITO層)結晶化製作透明導電性層合物。ITO層結晶化後之透明導電層的表面電阻值約為450Ω/□(Ω/sq)。由TEM觀測到的透明導電層之結晶粒徑為50nm至200nm。所得透明導電性層合物之特性如表1所示。
(確認超微粒子之分散狀物)
為了確認超微粒子之分散狀物,將實施例A1所製作的附具有凹凸表面之硬化樹脂層的高分子基板埋入環氧樹脂中,使環氧樹脂完全硬化後使用切薄片機製作薄片試料。以透過型電子顯微鏡觀察該試料,結果如圖1及圖2所示。由此可確認超微粒子形成1μm以上之2次凝聚粒子且藉由粗細之差形成凹凸表面。
對應參考用的紫外線硬化樹脂係混合MgF2 超微粒子而得之硬化樹脂層的透過型電子顯微鏡(TEM)照片如圖4及圖5所示。
[實施例A2至A5]
除了變更金屬氧化物超微粒子分散液及金屬氟化物超微粒子分散液之使用量,及/或硬化樹脂層厚度外,同實施例A1如表1所示得實施例A2至A5之透明導電性層合物。所得透明導電性層合物之特性如表1所示。
[實施例A6]
除了以厚188μm之聚對苯二甲酸乙二醇酯(帝人都彭(股)製OFW)(PET)取代實施例A1之聚碳酸酯薄膜(PC)外,同實施例A1得透明導電性層合物。所得透明導電性層合物之特性如表1所示。
[比較例A1]
除了變更實施例A1之金屬氧化物超微粒子分散液為10質量份(固體成份換算1質量份),及金屬氟化物超微粒子分散液為20質量份(固體成份換算4質量份)外,同實施例A1得透明導電性層合物。所得透明導電性層合物之特性如表1所示。
[比較例A2]
除了實施例A1之金屬氧化物超微粒子分散液為150質量份(固體成份換算15質量份),且不使用金屬氟化物超微粒子分散液外,同實施例A1得透明導電性層合物。所得透明導電性層合物之特性如表1所示。
[比較例A3]
除了不使用金屬氧化物超微粒子分散液外,同實施例A1得透明導電性層合物。所得透明導電性層合物之特性如表1所示。
[比較例A4]
除了以氧化鋅奈米微粒子40質量份(固體成份換算4質量份,西艾尹化成股份公司製ZnO超微粒子10質量%異丙基醇分散液,超微粒子之一次平均粒徑為30nm)取代實施例A1之金屬氟化物超微粒子成份外,同實施例A1得透明導電性層合物。所得透明導電性層合物之特性如表1所示。
[比較例A5]
除了以氧化鈦奈米微粒子27質量份(固體成份換算4質量份,西艾尹化成股份公司製TiO2 超微粒子15質量%異丙基醇分散液,超微粒子之一次平均粒徑為30nm)取代實施例A1之金屬氟化物超微粒子成份外,同實施例A1得透明導電性層合物。所得透明導電性層合物之特性如表1所示。
[比較例A6]
除了將實施例A1之金屬氧化物超微粒子成份變更為一次平均粒徑為3.0μm之二氧化矽粒子,且不使用金屬氟化物超微粒子成份及將膜厚變更為2μm外,同實施例A1得透明導電性層合物。所得透明導電性層合物之特性如表1所示。
由表1得知,使用實施例A1至A5之透明導電性層合物的觸控面板會因,硬化樹脂層中金屬氧化物超微粒子及金屬氟化物超微粒子形成弱會合狀態而形成所希望的凹凸形狀,故可得優良的反牛頓環性、耐閃光性及像鮮明度。相對地使用比較例A1及A3之透明導電性層合物的觸控面板雖具有良好的耐閃光性,但反牛頓環性較差。又使用比較例A4至A6之透明導電性層合物的觸控面板雖具有良好的反牛頓環性,但耐閃光性較差。
[實施例B及比較例B]
以下係以特定比率混合使用金屬氧化物超微粒子及金屬氟化物超微粒子,且使硬化樹脂層具有特定厚度,而使金屬氧化物超微粒子及金屬氟化物超微粒子於硬化樹脂層中形成弱會合狀態,而形成所希望之凹凸形狀,因此可得所希望之反牛頓環性、像鮮明度及耐閃光性。
[實施例B1]
以聚碳酸酯薄膜(帝人化成股份公司製C110-100)作為透明有機高分子基板用,使用金屬絲棒將下述組成之塗佈液RB 塗佈於其單面上,40℃下加熱乾燥1分鐘後,以紫外線燈照射120mW/cm2 、400mW/cm2 之紫外線,形成膜厚約0.7μm之具有凹凸表面的硬化樹脂層。
塗佈液RB 之組成
4官能丙烯酸酯:100質量份「艾洛尼」M-405(東亞合成股份公司製)
金屬氧化物超微粒子分散液:80質量份(固體成份換算8質量份,西艾尹化成股份公司製SiO2 超微粒子10質量%異丙基醇分散液,超微粒子之一次平均粒徑為30nm)
金屬氟化物超微粒子分散液:25質量份(固體成份換算5質量份,西艾尹化成股份公司製MgF2 超微粒子20質量%異丙基醇分散液,超微粒子之一次平均粒徑為50nm)
光反應引發劑:5質量份「尹爾凱」184(吉巴斯化學股份公司製)
稀釋液:適當量(異丁基醇)
其次使用組成中氧化銦與氧化錫之質量比95:5且填充密度98%的氧化銦一氧化錫標靶,以測鍍法於形成硬化樹脂層之表面上形成非晶質透明導電層(ITO層)。ITO層之厚度約為20nm,表面電阻值約為370Ω/□(Ω/sq)。
其後以130℃熱處理90分鐘使透明導電層(ITO層)結晶化製作透明導電性層合物。ITO層結晶化後之透明導電層的表面電阻值約為450Ω/□(Ω/sq)。以TEM觀察到的透明導電層之結晶粒徑為50nm至200nm。所得透明導電性層合物之特性如表2所示。
由表2得知,使用本例之透明導電性層合物的觸控面板為,具有優良像鮮明度、60°/0°像鮮明度比、耐閃光性及反牛頓環性。
[實施例B2至B10]
除了變更金屬氧化物超微粒子分散液及金屬氟化物超微粒子分散液之使用量、硬化樹脂層厚度及/或基材外,同實施例B1如表2所示得實施例B2至B10之透明導電性層合物。所得透明導電性層合物之特性如表2所示。
[參考例B1至B6]
除了變更金屬氧化物超微粒子分散液及金屬氟化物超微粒子分散液之使用量、硬化樹脂層厚度及/或基材外,同實施例B1如表3所示得參考例B1至B6之透明導電性層合物。所得透明導電性層合物之特性如表3所示。
[比較例B1至B5]
除了變更金屬氧化物超微粒子分散液及金屬氟化物超微粒子分散液之使用量、金屬氧化物微粒子之使用量、硬化樹脂層厚度及/或基材外,同實施例B1如表3所示得比較例B1至B5之透明導電性層合物。所得透明導電性層合物之特性如表3所示。
又比較例B3所使用的金屬氧化物超微粒子為,一次平均粒徑為3.0μm之二氧化矽(SiO2 )粒子。比較例B4中係以氧化鋅奈米微粒子40質量份(固體成份換算4質量份,西艾尹化成股份公司製ZnO超微粒子10質量%異丙基醇分散液,超微粒子之一次平均粒徑為30nm)取代實施例B1之金屬氟化物超微粒子成份。比較例B5中係以氧化鈦奈米微粒子27質量份(固體成份換算4質量份,西艾尹化成股份公司製TiO2 超微粒子15質量%異丙基醇分散液,超微粒子之一次平均粒徑為30nm)取代實施例B1之金屬氟化物超微粒子成份。
由表2得知,實施例B2至B10之透明導電性層合物為,具有優良的像鮮明度、60°/0°像鮮明度比、耐閃光性及反牛頓環性。相對地由表3得知,參考例B1至B6之透明導電性層合物的像鮮明度、60°/0°像鮮明度比、耐閃光性及反牛頓環性中至少一項不良,無法完全優良化。
又比較例B1及B2之透明導電性層合物雖具有良好的耐閃光性,但反牛頓環性較差。比較例B3之透明導電性層合物雖具有良好的反牛頓環性,但置於高解像度液晶顯示器時會造成畫素相色離,而使耐閃光性變差。比較例B4及B5之透明導電性層合物雖具有良好的反牛頓環性,但耐閃光性較差。該較差的耐閃性推斷係來自奈米粒子的凝聚。
[實施例C及比較例C]
以下係以特定比率混合使用金屬氧化物超微粒子及金屬氟化物超微粒子,而使金屬氧化物超微粒子及金屬氟化物超微粒子於硬化樹脂層中形成弱會合狀態,而形成所希望之凹凸形狀,又構成硬化樹脂層之硬化性樹脂成份係含有至少2種基於物性差而相分離之樹脂成份,故更容易控制該凹凸形狀的形成,因此可得所希望之反牛頓環性、像鮮明度及耐閃光性。
[實施例C1] (形成硬化樹脂層)
使用棒塗法將下述塗佈液RC 塗佈於厚100μm之碳酸酯(PC)薄膜(帝人化成(股)製C110)(透明基板A,混濁度0.11%)之單面上,30℃下乾燥1分鐘後照射紫外線,硬化形成厚5.0μm之硬化樹脂層。
塗佈液RC 之組成
第1樹脂成份:4.5重量份的含有飽和雙鍵之丙烯酸基共聚物(Sp值:10.0,Tg:92℃)
第2樹脂成份:100重量份的季戊四醇三丙烯酸酯(Sp值:12.7)
金屬氧化物超微粒子分散液:80質量份(固體成份換算8質量份,西艾尹化成股份公司製SiO2 超微粒子10質量%異丙基醇分散液,超微粒子之一次平均粒徑為30nm)
金屬氟化物超微粒子分散液:20質量份(固體成份換算4質量份,西艾尹化成股份公司製MgF2 超微粒子20質量%異丙基醇分散液,超微粒子之一次平均粒徑為50nm)
光聚合引發劑:7質量份之尹爾凱184(吉巴斯化學公司製)
溶劑:固體成份為30重量%之異丁基醇
第1樹脂成份用的含有不飽和雙鍵之丙烯酸基共聚物(Sp值:10.0,Tg:92℃)係以下述方法調整。
混合異甲硼烷基甲基丙烯酸酯171.6g、甲基甲基丙烯酸酯2.6g、甲基丙烯酸9.2g得混合物。於備有攪拌翼、氮導入管、冷卻管及滴液漏斗之1000ml反應容器中,氮氣下以3小時同時等速滴入該混合液,及加溫至110℃之丙二醇一甲基醚330.0g中含有叔丁基過氧-2-乙基己酸酯1.8g的丙二醇一甲基醚80.0g溶液,其後以110℃反應30.分鐘。
其次滴入含有叔丁基過氧-2-乙基己酸酯0.2g的丙二醇一甲基醚17.0g溶液,再加入含有四丁基銨溴化物1.4g及氫醌0.1g的丙二醇一甲基醚5.0g溶液,空氣沸騰下以2小時滴入4-羥基丁基丙烯酸酯二縮水甘油醚22.4g及丙二醇一甲基醚5.0g溶液後再反應5小時,得第1成份的含有不飽和雙鍵之丙烯酸基共聚物。
所得的含有不飽和雙鍵之丙烯酸基共聚物為數平均分子量5,500、重量平均分子量18,000、Sp值:10.0、Tg:92℃、表面張力:31dym/cm。
接著使用組成中氧化銦與氧化錫之質量比為95:5且填充密度98%的氧化銦一氧化錫標靶,以濺鍍法於形成硬化樹脂層之表面上形成非晶質透明導電層(ITO層)。ITO層之厚度約為20nm,表面電阻值約為370Ω/□(Ω/sq)。
其後以130℃熱處理90分鐘使透明導電層(ITO層)結晶化製作透明導電性層合物。ITO層結晶化後之透明導電層的表面電阻值約為450Ω/□(Ω/sq)。又以TEM觀察到的透明導電層之結晶粒徑為50nm至200nm。所得透明導電性層合物之特性如表4所示。
[實施例C2及C3]
除了硬化樹脂層之膜厚各自為3.0μm及1.5μm外,同實施例C1得透明導電性層合物。所得透明導電性層合物之特性如表4所示。
[比較例C1]
除了調製塗佈液RC 時不添加金屬氧化物超微粒子分散液及金屬氟化物超微粒子分散液雙方外,同實施例C1得透明導電性層合物。所得透明導電性層合物之特性如表4所示。
[比較例C2]
除了調製塗佈液RC 時不添加金屬氧化物超微粒子分散液,且硬化樹脂層之膜厚為3.0μm外,同實施例C1得透明導電性層合物。所得透明導電性層合物之特性如表4所示。
[比較例C3至C5]
除了調製塗佈液RC 時不添加第2樹脂成份,且硬化樹脂層之膜厚各自為5μm、3μm及1.5μm外,同實施例C1得透明導電性層合物。所得透明導電性層合物之特性如表4所示。
由表4得知,使用實施例C1至C3之透明導電性層合物的觸控面板可具有不同於,使用不添加金屬氧化物超微粒子分散液及金屬氟化物超微粒子分散液雙方之比較例C1、不添加金屬氧化物超微粒子分散液之比較例C2,及不添加第2樹脂成份之比較例C3至C5的透明導電性層合物之觸控面板的特性。又由表4得知,使用實施例C1至C3之透明導電性層合物的觸控面板為,具有優良反牛頓環性、耐閃光性、60°/0°像鮮明度比及像顯明度。
1‧‧‧包埋樹脂
2‧‧‧含有超微粒子之具有凹凸表面的硬化樹脂層
3‧‧‧透明有機高分子基板
11‧‧‧基板(玻璃板)
12、14‧‧‧透明導電層
13‧‧‧調距器
15‧‧‧具有凹凸表面之硬化樹脂層
16‧‧‧透明有機高分子基板
20‧‧‧透明觸控面板
圖1為,使用透過電子顯微鏡拍攝的,以硬化樹脂包埋實施例A1所形成的附具有凹凸表面之硬化樹脂層的高分子基板後,以切薄片機製作之薄片試料的剖面相片。
圖2為,更擴大拍攝圖1之含有超微粒子的具有凹凸表面之硬化樹脂層的剖面相片。
圖3為,具有本發明之透明導電性層合物的觸控面板例圖。
圖4為,對應圖1之紫外線硬化樹脂係混合MgF2 超微粒子而得的硬化樹脂層之透過電子顯微鏡相片。
圖5為,對應圖2之紫外線硬化樹脂係混合MgF2 超微粒子而得的硬化樹脂層之透過電子顯微鏡相片。具體而言,本案發明中透過電子顯微鏡相片的拍攝條件如下所示。
11...基板(玻璃板)
12、14...透明導電層
13...調距器
15...具有凹凸表面之硬化樹脂層
16...透明有機高分子基板
20...透明觸控面板

Claims (13)

  1. 一種透明導電性層合物;其為,透明有機高分子基板之至少一方的表面上依序層合具有凹凸表面之硬化樹脂層及透明導電層,且符合下述(a)至(d)及(f):(a)前述硬化樹脂層為,含有硬化樹脂成份,及分散於前述硬化樹脂成份中的平均一次粒徑為100nm以下之金屬氧化物超微粒子A與平均一次粒徑為100nm以下之金屬氟化物超微粒子B,(b)前述硬化樹脂層中金屬氧化物超微粒子A之含量為,相對於硬化樹脂成份100質量份為1質量份以上未達20質量份,(c)前述硬化樹脂層中金屬氟化物超微粒子B之含量為,相對於硬化樹脂成份100質量份為1質量份以上未達20質量份,(d)前述硬化樹脂層中金屬氧化物超微粒子A對金屬氟化物超微粒子B之質量比(A/B)大於0.3,且(f)前述金屬氧化物超微粒子A為SiO2 ,且前記金屬氟化物超微粒子B為MgF2
  2. 如申請專利範圍第1項之透明導電性層合物,其中前述硬化樹脂層之十點平均粗細度(Rz)為300nm以上未達1500nm,且前述硬化樹脂層之算術平均粗細度(Ra)為50nm以上未達300nm。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之透明導電性層合物,其中前述硬化樹脂層之厚度為0.1至4.5μm。
  4. 如申請專利範圍第1項之透明導電性層合物,其中(d)前述硬化樹脂層中金屬氧化物超微粒子A對金屬氟化物超微粒子B之質量比(A/B)為0.5以上2.0以下,且(e)前述硬化樹脂層之膜厚為0.15μm以上未達1.0μm。
  5. 如申請專利範圍第1項之透明導電性層合物,其中(d)前述硬化樹脂層中金屬氧化物超微粒子A對金屬氟化物超微粒子B之質量比(A/B)大於0.3且未達10,又,(e)前述硬化樹脂成份為,含有至少2種基於物性差而相分離之樹脂成份。
  6. 如申請專利範圍第5項之透明導電性層合物,其中前述硬化樹脂層之膜厚為0.1μm以上未達7μm。
  7. 如申請專利範圍第4至6項中任何一項之透明導電性層合物,其為符合下述式(1)及(2):70%≦α≦98%…(1) 0.50<β/α<1.05…(2)(α:使用2.0mm之光學梳時的垂直入射光之透過像鮮明度,β:使用2.0mm之光學梳時的入射角60°之入射光的透過像鮮明度)。
  8. 如申請專利範圍第4至6項中任何一項之透明導電性層合物,其中前述硬化樹脂層之十點平均粗細度(Rz)為50nm以上未達2000nm,且前述硬化樹脂層之算術平均粗細度(Ra)為2nm以上未達200nm。
  9. 如申請專利範圍第1或2項之透明導電性層合物,其中基於前述透明有機高分子基板及前述硬化樹脂層之混 濁度為1%以上未達10%。
  10. 如申請專利範圍第1或2項之透明導電性層合物,其中前述透明導電層為,主成份為氧化銦之結晶質層,且前述透明導電層之厚度為5至50nm。
  11. 如申請專利範圍第1或2項之透明導電性層合物,其中前述硬化樹脂層與前述透明導電層之間具有,接連前述透明導電層且膜厚比前述透明導電層薄為0.5nm以上未達5.0nm之金屬化合物層。
  12. 如申請專利範圍第11項之透明導電性層合物,其中前述金屬化合物層之金屬為,同前述金屬氧化物超微粒子A及/或金屬氟化物超微粒子B之金屬。
  13. 一種透明觸控面板,其特徵為,至少單面設有透明導電層之2枚透明電極基板,以相互之透明導電層彼此面對面方式配置所構成的透明觸控面板中,至少一方之透明電極基板係使用如申請專利範圍第1或2項之透明導電性層合物。
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