TWI486600B - Semiconductor inspection device - Google Patents

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TWI486600B
TWI486600B TW101115859A TW101115859A TWI486600B TW I486600 B TWI486600 B TW I486600B TW 101115859 A TW101115859 A TW 101115859A TW 101115859 A TW101115859 A TW 101115859A TW I486600 B TWI486600 B TW I486600B
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Hitoshi Saitoh
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Sharp Kk
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Description

半導體檢查裝置
本發明係關於例如對LSI元件、或LED元件及雷射元件等發光元件等檢查對象裝置檢查發光光量等之半導體檢查裝置。
先前，LED元件或雷射元件等發光元件之檢查有例如DC檢查、光量檢查及ESD檢查等，但例如光量檢查中，因來自鄰接之發光元件之光摻雜而無法進行正確檢查，因此每個元件晶片分別進行。於元件晶片之單片化後拉伸粘著片，在元件與鄰接元件間設置間隙，使探針與每個元件晶片之各端子接觸而進行光量檢查。如此，LED元件周邊在晶片單片化後拉伸粘著片，在元件與鄰接元件間設置間隙，並在片材狀態下從上面探測各元件晶片地進行LED元件之光量測定。
圖7係用以說明利用先前之半導體檢查裝置之光量檢查方法之模式圖。
如圖7所示，作為利用先前之半導體檢查裝置100之光量檢查方法，係將於粘著片101上單片化且於元件與鄰接元件間設有間隙之半導體晶圓102上多數個設置之各LED元件晶片103，於保持粘著片101之粘著片狀態下從上方降下各探針104、104，使各探針104、104與LED元件晶片103之各端子103a、103b接觸。接著對各探針104、104間施加特定電壓使之發光並進行光量檢查，向鄰接元件移動，重 複相同動作。又，從粘著片101逐一晶片拾取，定位於特定位置。接著，在夾入經定位之LED元件晶片103之狀態下從上方降下各探針104、104，使各探針104、104與LED元件晶片103之各端子103a、103b接觸。接著，對各探針104、104間施加特定電壓使之發光，並進行光量檢查。其後，在另外之粘著片上粘貼LED元件晶片。
接著，專利文獻1中揭示有粘著片本身具有電極且可進行LED元件晶片之背面接觸之裝置。
圖8係用以說明利用專利文獻1所揭示之先前之半導體檢查裝置之檢查方法之要部縱剖面圖。
圖8中，先前之半導體檢查裝置200中，在藉由晶圓製程設有多數個發光元件晶片201之晶圓中之發光元件晶片201之背面201a粘貼導電性粘著片202，分割晶圓，張開導電性粘著片202將各導電性粘著片202間分離。於導電性粘著片202上連接測試器203之導線204。使含探針電極205、光路變換部206及受光元件207之移動台208靠近經分離之發光元件晶片201。以佈線連接於測試器203之探針電極205之前端按壓發光元件晶片201之上部電極209，從測試器203通過探針電極205使驅動電流流動至上部電極209，使發光元件晶片201發光。使從發光元件晶片201之端面橫向出來之光藉由光路變換部206成為向上光，以受光元件207受光。再者，使自光路變換部206之分歧光進入頻譜分析儀210，檢查發光光譜。其後，使移動台208上升且使傳導性台座211向橫方向移動，在導電性粘著片202上依次進行 下一發光元件晶片201之檢查。藉此而減少晶片搬送次數，進而簡化搬送系統，削減伴隨搬送之時間、工夫，減少伴隨搬送之晶片損傷之可能性。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2008-2858號公報
上述先前之半導體檢查裝置100中，如圖7所示，一面進行粘著片101上之LED元件晶片103之x-y-θ修正，一面藉由探針104接觸。因此，需要對位之時間，且拉伸粘著片101之狀態下依次檢查半導體晶圓102上多數個設置之各LED元件晶片103，因此由LED元件晶片103之排列偏差而有探針104無法接觸之問題。又，由於1個1個依次測定半導體晶圓102上多數個設置之LED元件晶片103而需要大量檢查時間。
又，在LED元件晶片103上發光之光不僅朝上方亦朝下方之粘著片101側照射，即使粘著片101吸收光，在上側測定光量，亦無法進行正確之光量檢查。通常係在粘著片101側設置反射板，使從LED元件晶片103向下側照射之光亦朝向前方。
接著，專利文獻1所揭示之上述先前之半導體檢查裝置200中，如圖8所示，可使粘著片202本身具有電極並可進行背面接觸，但LED元件之情形中，由於將藍寶石玻璃作 為基座，故藉由藍寶石玻璃之研磨而削薄等在發光元件晶片201之背面201a形成電極係非常困難。
又，在片材狀態下之探針電極205與上部電極209之接觸下，測定大電流晶片之情形中，因發熱而粘著片202融化之可能性較高。有此時之片材溫度成攝氏200度以上之虞。
再者，先前技術之片材狀態下，無法與接觸背面發光(覆晶)對應，現有之裝置中，由於經由粘著片202測定光學系統而無法完全正確測定。
再者，片材狀態下測定發光光量之情形中，因與鄰接晶片之距離而阻礙發光，故無法測定正確之發光量。又，因粘著片202之介存而無法獲得自背面之反射光，導致成為與實際規格不同之環境測定。
再者，片材方式之情形中，因於拉伸粘著片202之狀態下檢查LED元件晶片201，故有在各LED元件晶片201上因拉伸粘著片202而產生θ偏差之問題。
本發明係解決上述先前問題者，其目的係提供一種可解決因拉伸粘著片狀態下之發光元件之光量檢查時產生之排列偏差之錯誤接觸之問題，大量檢查時間之問題，元件背面端子之製作問題或發熱問題，背面發光問題，且可有效率進行與實際規格一致之正確之光量檢查之半導體檢查裝置。
本發明之半導體檢查裝置係包含設有複數個台座且使該 複數個台座移動之分度工作台機構，及在該複數個台座上搭載複數個半導體晶片並檢查該複數個半導體晶片之檢查機構者，藉此而達成上述目的。
又，較佳為進而包含搭載於本發明之半導體檢查裝置之台座上，且於內部收納前述半導體晶片並可通電之插座機構。
再者，較佳為本發明之半導體檢查裝置之插座機構係構造成可對前述半導體晶片之上表面或下表面之各端子電性連接。
再者，較佳為在本發明之半導體檢查裝置中進而包含第1移送機構，其將使半導體晶圓單片化後之複數個半導體晶片中數量少於其之複數個半導體晶片，向前述分度工作台之複數個台座中數量少於其之複數個台座移送。
再者，較佳為本發明之半導體檢查裝置中之半導體晶片係發光元件晶片，前述檢查機構進行該發光元件晶片之光學檢查及DC特性檢查。
再者，較佳為本發明之半導體檢查裝置中之插座機構在前述半導體晶片之搭載面設有反射板。
再者，較佳為本發明之半導體檢查裝置之插座機構係使前述半導體晶片之周邊部開放或在該周邊部設有光透射材。
再者，較佳為進而包含第2移送機構，其根據檢查結果將本發明之半導體檢查裝置中之檢查後之插座機構內之半導體晶片向其他片材移送。
再者，較佳為本發明之半導體檢查裝置中之第1移送機構及第2移送機構在整批移送複數個半導體晶片之情形中，移送端與移送源之該複數個半導體晶片之拾取間距不同。
再者，較佳為本發明之半導體檢查裝置中之插座機構包含在內部定位前述半導體晶片之定位機構。
再者，較佳為本發明之半導體檢查裝置中之檢查機構於前述分度工作台機構之各台座上具有特定之各測定功能。
再者，較佳為同時驅動設於本發明之半導體檢查裝置中之分度工作台機構之各台座上之所有檢查機構並同時檢查。
再者，較佳為本發明之半導體檢查裝置中之插座機構係藉由插座蓋開閉機構而進行開閉。
再者，較佳為本發明之半導體檢查裝置中之分度工作台機構係外形為俯視圓形狀、橢圓形狀、長圓形狀，且角部分經圓角化之三角形狀、四角形狀、多角形狀及半圓形狀，乃至於一個或複數個直線狀中之任一者。
再者，較佳為本發明之半導體檢查裝置中之分度工作台機構具有由複數個該台座連續排列成直線狀之部分。
再者，較佳為本發明之半導體檢查裝置中之分度工作台機構係在經單片化之半導體晶圓之檢查對象之複數個半導體晶片之配置位置周邊附近配置有1個或複數個。
以下根據上述構成說明本發明之作用。
本發明中，具有設有複數個台座且使該複數個台座移動 之分度工作台機構、與在該複數個台座上搭載複數個半導體晶片並檢查該複數個半導體晶片之檢查機構。
藉此，並非在拉伸粘著片之狀態下直接進行檢查，而係經由分度工作台機構進行檢查，因此可改善拉伸粘著片狀態下之發光元件之光量檢查時產生之弊害。例如可解決因排列偏差之錯誤接觸之問題，大量檢查時間之問題，元件背面端子之製作問題或發熱問題，背面發光問題，且可有效率進行與實際規格一致之更正確之光量檢查。
由上，根據本發明，可利用分度方式在無晶片偏差之狀態下同時測定複數個。又，藉由採用分度工作台，而可將DC特性檢查、光學系統檢查(積分球)之配置及其設置數量配置為任意，從而可增加同測數。
又，由於係插座方式，因此可無發熱及遮光問題地進行測定，且可容易對應接觸面發光、接觸背面發光，可在接近實際規格之狀態下測定。
如此，可消除因拉伸粘著片狀態下之發光元件之光量檢查時產生之排列偏差之錯誤接觸之問題，大量檢查時間之問題，元件背面端子之製作問題或發熱問題，背面發光問題，且可有效率進行與實際規格一致之更正確之光量檢查。
以下針對本發明之半導體檢查裝置之實施形態1、2，一面參照附圖詳細說明。另，各圖之各構成構件之厚度或長 度等由附圖製作上之觀點而言不限於圖示之構成。
(實施形態1)
圖1係用以說明使用本發明之實施形態1之半導體檢查裝置之半導體檢查方法之模式圖。
圖1中，本實施形態1之半導體檢查裝置1具有：作為圓形分度工作台機構之分度工作台2，其設有複數個台座21，使複數個台座21移動；作為插座機構之插座6，其搭載於台座21上，於內部收納作為半導體晶片之LED元件晶片5並可通電；作為第1移送機構之取放器71，其將使半導體晶圓4單片化後之複數個LED元件晶片5中數量少於其之一個或複數個LED元件晶片5向分度工作台2之複數個台座21中數量少於其之一個或複數個台座21上之各插座6移送；檢查機構(未圖示)，其在複數個台座21上搭載複數個LED元件晶片5，檢查複數個LED元件晶片5；作為第2移送機構之取放器72、73，其根據檢查結果將檢查後之插座6內之LED元件晶片5向其他片材上移送。
分度工作台2係複數個台座21等間隔設置之俯視下圓形之分度工作台。分度工作台2，係每次旋轉1個台座21，於各台座21上裝卸自如地搭載有插座6。
插座6係依次載置粘著片3上經單片化之半導體晶圓4上多數個設置之各LED元件晶片5而定位，且可對LED元件晶片5之各端子施加特定電壓。如此，插座6因具有在內部定位LED元件晶片5之定位機構，故以即使晶片尺寸改變亦可對應之方式構成。插座6藉由詳情後述之插座蓋開閉機 構進行開閉。
取放器71將粘著片3上之LED元件晶片5放置於插座6內。取放器71藉由吸引等將粘著片3上之LED元件晶片5拾起取出，將該LED元件晶片5載置於插座6內。取放器72將插座6內之LED元件晶片5向良品片材81移送。取放器73將插座6內之LED元件晶片5向不良品片材82移送。取放器71~73中除移送1個LED元件晶片5之情形外，整批移送複數個LED元件晶片5之情形中，移送端與移送源之複數個LED元件晶片5之拾取間距不同。
檢查機構進行作為發光元件晶片之LED元件晶片5之光學檢查(例如光量檢查之積分球91、92)及DC特性檢查等。於分度工作台2之每一各台座21上搭載有具有特定之各測定功能之檢查機構。又，分別或同時驅動設於分度工作台2之各台座21上之所有檢查機構並分別或同時檢查。
圖2(a)係進行第1光量檢查與第1DC特性檢查之情形之圖1之分度工作台之俯視圖，圖2(b)係於第1光量檢查與第1DC特性檢查後進行第2光量檢查與第2DC特性檢查之情形之圖1之分度工作台之俯視圖，圖2(c)~圖2(e)係模式化顯示圖1之插座6之各實例之立體圖。
如圖2(a)所示，首先藉由取放器71取出粘著片3上之LED元件晶片5，將該取出之LED元件晶片5載置於插座6內後關閉插座6之蓋61。接著，分度工作台2僅旋轉1個台座後上升，將插座6之上方開口部對合於積分球9之下方開口部，藉此藉由積分球91正確地測定插座6內之LED元件晶 片5通電而發光之光量。接著，與該台座21上之插座6一同向下方移動，解除積分球91之下方開口部與插座6之窗部62之對合後，分度工作台2僅旋轉1個台座，並進行測定對插座6內之LED元件晶片5施加特定電壓時流動之電流值等之DC特性檢查。
其後，分度工作台2僅旋轉1個台座後，打開插座6之蓋，在第1光量檢查與第1DC特性檢查中LED元件晶片5為良品之情形中，藉由取放器72從內部取出LED元件晶片5，移送至良品片材81之特定位置。再者，分度工作台2進而旋轉1個台座後，在第1光量檢查與第1DC特性檢查之至少任一者中LED元件晶片5為不良品之情形中，藉由取放器73從內部取出LED元件晶片5，並將其區分為不良項目後移送並載置於不良品片材82之特定位置。
如此，於分度工作台2之任意台座21上設置光學系統測定台座(光量檢查)及電性特性測試台座(DC特性檢查)，而具有可容易增減同測數之機構。另，圖2(b)中，顯示以上第1光量檢查與第1DC特性檢查後進行第2光量檢查與第2DC特性檢查之情形。
接著，針對插座6之各實例進行說明。
如圖2(c)所示，插座6中，蓋61對殼體64開閉。於插座6之蓋61上設有用以提取發光之光之窗部62。窗部62可開放，亦可在窗部62設有光透射材。要之，插座6可在開放LED元件晶片5之周邊部以用於提取光，或亦可在周邊部設有光透射材以用於提取光。
插座6具有在內部定位LED元件晶片5之定位機構。探針或各端子63a、63b從對應於窗部62之蓋61之背面向下方突出。藉由關閉蓋61，該探針或各端子63a、63b分別與LED元件晶片5之表面側之各端子接觸，該LED元件晶片5係收納於殼體64之凹部65內，且在藉由銷66按壓而靠近一側定位之狀態下由吸著部67固定。藉此，可通過探針或各端子63a、63b對LED元件晶片5之表面側之各端子通電，使LED元件晶片5發光。插座6係在LED元件晶片5之搭載面側設有反射板，自LED元件晶片5之發光藉由反射板而照射於窗部62側。藉由使用該插座6，即使LED元件晶片5之晶片尺寸改變亦可容易對應。
如圖2(d)所示，插座6A亦係蓋61對殼體64上下開閉。於插座6A之蓋61上設有用以取出發光之光之窗部62A。探針或各端子63a、63b從殼體64之凹部65之底面向上方突出。藉由將背面照射型亦即背面向上、使表面側各端子向下側之LED元件晶片5插入於殼體64之凹部65之內部，且關閉蓋61，可利用定位機構在內部定位LED元件晶片5。如此，藉由關閉蓋61而使構成定位機構之銷66突出，以銷66按壓，使LED元件晶片5靠近一側而定位之狀態下以吸著部67固定。從殼體64之凹部65之底面使探針或各端子63a、63b與LED元件晶片5之各端子接觸，藉此導通，可從上側之窗部62A容易取出自LED元件晶片5之發光。此時插座6A在LED元件晶片5之搭載面側亦設有反射板，自LED元件晶片5之發光藉由反射板照射於窗部62A側。藉由 使用該插座6A，即使LED元件晶片5之晶片尺寸改變亦可容易對應。
以上插座6、6A係可對LED元件晶片5之上表面或下表面之各端子電性連接地構成。
如圖2(e)所示，插座6B係台構件69之上側開放。插座6B具有定位LED元件晶片5之定位機構。在俯視下4角形之對角方向之二個角部上，配置於對角位置之L字狀構件68以其內側角部分向對角方向中心側移動自如地構成。探針或各端子63a、63b從台構件69之中央部分上向上方突出，將LED元件晶片5搭載於台構件69上之時點下，使對角位置之二個L字狀構件68與LED元件晶片5一同向對角方向中心側(互為反向)移動，定位LED元件晶片5。該定位狀態下以吸著部67固定LED元件晶片5。藉此，使從台構件69突出之探針或各端子63a、63b與LED元件晶片5之各端子接觸並導通，可在上側容易取出自LED元件晶片5之發光。插座6B開放LED元件晶片5之周邊部。此時，即使LED元件晶片5之晶片尺寸改變亦可容易對應。
接著，針對插座6對於LED元件晶片5之定位機構，使用圖3(a)~圖3(c)進而詳細說明。
圖3(a)~圖3(c)係用以說明圖1之插座6對於LED元件晶片5之定位機構之縱剖面圖。
如圖3(a)所示，插座6中，藉由鉸鏈61a而蓋61打開之狀態下，藉由取放器71移送LED元件晶片5，搭載於殼體64之凹部65內。
如圖3(b)所示，藉由鉸鏈61a而蓋61對殼體64關閉時，與其連動，銷66突出並推壓LED元件晶片5之側面，使LED元件晶片5靠近一側而定位。此時，若俯視下於殼體64之凹部65之內側面附有錐度，則亦可使LED元件晶片5靠近與銷66之突出方向正交之方向，可正確定位LED元件晶片5。
如圖3(c)所示，插座6中，藉由鉸鏈61a而蓋61對殼體64關閉之情形中，蓋61前端之掛鉤61b與殼體64扣合固定。此時，探針或各端子63a、63b與LED元件晶片5之各端子1對1對應並互相接觸。藉此，使探針或各端子63a、63b與LED元件晶片5之各端子導通，可使自LED元件晶片5之發光通過上側之窗部62容易取出。插座6係以關閉蓋61時，藉由其前端之掛鉤61b與殼體64扣合，於蓋61保持關閉狀態下，再一次按壓蓋61，則掛鉤61b從扣合部離開殼體64，容易打開蓋61之方式構成。
此處，針對開閉插座6之插座蓋開閉機構進行說明。插座蓋開閉機構具有圖4之插座蓋打開機構10A與圖5之插座蓋按壓機構10B。
圖4係顯示用於圖1之半導體檢查裝置1之插座蓋打開機構10A之側視圖。
圖4中，插座蓋打開機構10A中，臂12連同旋轉軸11旋轉自如地設於旋轉軸11之上端，藉由臂12之前端部分向下方彎曲成L字狀之前端部13按壓插座6之蓋61上，藉此可使掛鉤61b脫離並打開插座6之蓋61。插座蓋打開機構10A成為 設於分度工作台2之下游側，用以取出檢查後之LED元件晶片5而按壓打開插座6之蓋61之機構。
圖5係顯示用於圖1之半導體檢查裝置1之插座蓋按壓機構10B之側視圖。
圖5中，插座蓋按壓機構10B中，臂16連同旋轉軸15旋轉自如地設於旋轉軸15之上端，藉由臂16之前端部分向下方彎曲成L字狀之前端部17及其角部18，而以角部18關閉插座6之蓋61直至中途後，以前端部17按壓而完全關閉。藉此，可容易關閉插座6之蓋61。插座蓋按壓機構10B設於分度工作台2之上游側，藉由取放器71移送檢查前之LED元件晶片5，收納於插座6內後，關閉插座6之蓋61。
以下根據上述構成針對其動作進行說明。
首先，於分度工作台2之各台座21上以裝拆式搭載配合晶片尺寸之插座6。
接著，將粘著片2上經單片化之半導體晶圓3上多數個設置之各LED元件晶片5在拉伸粘著片2之狀態下從粘著片2逐個晶片以取放器71拾起取出，將取出之LED元件晶片5載置於分度工作台2之特定台座21上之插座6內。此時，以取放器71將LED元件晶片5移送至插座6內後，由於插座6具有定位機構，因此取放器71之晶片移送可無需精度地進行高速移送。
接著，使分度工作台2旋轉1台座，且藉由插座蓋按壓機構10B將插座6之蓋61以角部18關閉至中途，以前端部17按壓，完全關閉插座6之蓋61。
接著，分度工作台2上升，使插座6之窗部62與積分球91之下方開口部對合，藉此進行對插座6內之LED元件晶片5通電而藉由積分球91正確地測定發光之光量之光量檢查。
再者，分度工作台2與該台座上之插座6一同向下方移動，解除積分球91之下方開口部與插座6之窗部62之對合後，分度工作台2僅旋轉1個台座，進行測定對插座6內之LED元件晶片5施加特定電壓時流動之電流值等之DC特性檢查。
再者，分度工作台2僅旋轉1個台座後，於光量檢查與DC特性檢查中LED元件晶片5為良品之情形中，藉由插座蓋打開機構10A打開插座6之蓋，藉由取放器72從內部取出LED元件晶片5，移送至良品片材81之特定位置。此時，藉由測定判斷之LED元件晶片5按照良品類別向良品片材81移載。
再者，分度工作台2進而僅旋轉1個台座後，於光量檢查與第1DC特性檢查之至少任一者中LED元件晶片5為不良品之情形中，藉由插座蓋打開機構10A打開蓋61，從插座6之內部藉由取放器73取出LED元件晶片5，區分不良項目移送至不良品片材82之特定位置。
由上，根據本實施形態1，具有：分度工作台2，其設有複數個台座21，使複數個台座21移動；插座6，其搭載於台座21上，且於內部收納作為半導體晶片之LED元件晶片5並可通電；取放器71，其將使半導體晶圓4單片化後之複數個LED元件晶片5中數量少於其之一個或複數個LED元件 晶片5向分度工作台2之複數個台座中數量少於其之一個或複數個台座21上之各插座6移送；及檢查機構，其在一個或複數個台座21上搭載一個或複數個LED元件晶片5，檢查一個或複數個LED元件晶片5。
藉此，可藉由分度方式在無晶片偏差之狀態下同時測定1個或複數個。並且藉由在插座6設置定位機構之方式，可不產生LED元件晶片5之位置偏差而正確地進行檢查。又，藉由採用分度工作台2，而可任意配置DC特性檢查、光學系統檢查(積分球)之配置及其設置數，從而可增加同測數。
又，由於係插座方式，因此可無發熱及遮光問題地進行測定，且可容易對應接觸面發光、接觸背面發光，可在接近實際規格之狀態下進行測定。再者，藉由分度方式而不受先前之片材發熱影響。
再者，藉由使插座6本身成為反射規格，而可接近實際規格，不受遮光影響地測定正確光量。
因此，可消除如先前因拉伸粘著片狀態下之發光元件之光量檢查時產生之排列偏差之錯誤接觸之問題，大量檢查時間之問題，元件背面端子之製作問題或發熱問題，背面發光問題，且可有效率進行與實際規格一致之更正確之光量檢查。
(實施形態2)
上述實施形態1中，針對使1個或複數個(例如2個)LED元件晶片5移動至圓形分度工作台2之各台座21上之插座6上 並依次或同時檢查之情形進行說明，但本實施形態2中，針對整批同時移動更多特定數各LED元件晶片5至長圓形分度工作台2A之各台座21A上之複數個插座6上並依次或同時檢查之情形進行說明。本實施形態2中可由量產對應。
圖6係用以說明使用本發明之實施形態2之半導體檢查裝置之半導體檢查方法之模式圖。另，圖6中，對奏效與圖1之構成構件相同作用效果之構件附加同一構件符號而說明。
圖6中，本實施形態2之半導體檢查裝置1A具有：作為分度工作台機構之分度工作台2A，其設有複數個台座，使複數個台座21A一部份一直線狀地移動；作為插座機構之插座6，其搭載於台座21A上，於內部收納作為半導體晶片之LED元件晶片5並可通電；作為第1移送機構之取放器74，其將使半導體晶圓4單片化後之複數個LED元件晶片5中數量少於其之一個或複數個LED元件晶片5向分度工作台2A之複數個台座中數量少於其之一個或複數個台座21A上之各插座6同時整批移送；檢查機構，其在複數個台座21A上搭載一個或複數個LED元件晶片5，依次或整批檢查一個或複數個LED元件晶片5；作為第2移送機構之取放器72、73，其根據檢查結果將該檢查後之插座6內之LED元件晶片5向其他片材上移送。
分度工作台2A係複數個台座21A等間隔設置之俯視下長圓形分度工作台。分度工作台2A係每次旋轉1個台座或特 定台座數量，於各台座21A上分別裝拆自如地搭載插座6。分度工作台2A係俯視下長圓形，可在直線狀部分設置複數個台座21A。
插座6與上述實施形態1之情形相同，配置於該分度工作台2A之各台座21A上，可通電驅動LED元件晶片5。
取放器74可整批同時將粘著片3上之特定數(複數)個LED元件晶片5分別放置於長圓形之排列成直線之各插座6內。 上述實施形態1之情形中，即使可整批同時移送複數個LED元件晶片5，亦由於分度工作台2為圓形，因此為2個LED元件晶片5或最多為幾個。相對於此，分度工作台2A中可在直線狀部分設置多數個台座21A，因此對更多之同時檢查有利。
取放器74可藉由以粘著片3上之特定數(複數)之LED元件晶片5之排列間距排列成1排之多數個吸著噴嘴74a，整批同時吸引取出粘著片3上之一排之多數個LED元件晶片5，且將特定數之吸著噴嘴74a之間距擴大成排列於分度工作台2A之直線之多數個插座6之排列間距，而對該一排之特定數之LED元件晶片5，以分別藉由各吸著噴嘴74a而將特定數(複數)之LED元件晶片5同時載置於特定數之插座6內。
根據上述構成，首先在拉伸粘著片3之狀態下，將粘著片3上之一排特定數(多數)之LED元件晶片5以取放器74整批取出，將各吸著噴嘴74a之間距擴大成分度工作台2A之各台座之間距後，藉由1排之各吸著噴嘴74a分別將特定數 (多數)之LED元件晶片5整批同時載置於各台座21A上之各插座6內。如此，取放器74以粘著片3上之晶片尺寸吸著複數個晶片後，可將固定有特定數之各吸著噴嘴74a之臂擴大成分度工作台2A之台座尺寸，因此可藉由一次移動而將特定數(多數)之LED元件晶片5整批同時載置於各插座6內。其後與上述實施形態1之情形相同。
由上，根據本實施形態2，具有採用設置複數個取放器74之吸著噴嘴74a之結構，且將間隔由伸展粘著片3後之晶片間隔擴大成分度工作台2A之直線部分之台座間隔之機構，藉此可大幅削減以檢查處理能力控制速率之拾取&放置時間。又，於任意之台座21A上設置光學系統測定、電性特性測試台座，可具有可容易增減同測數之機構。
另，上述實施形態1中，分度工作台2外形為俯視圓形狀，該台座21以於外周側空出特定間隔設置之方式構成，上述實施形態2中，分度工作台2A其外形為俯視長圓形狀，且以具有複數個該台座21A連續排列成直線狀之部分之方式構成，但不限於此，除外形為俯視橢圓形狀外，亦可為角部分經圓角化之俯視三角形狀、四角形狀、多角形狀及半圓形狀中任一者，再者亦可為一個或複數個直線狀。要之，若複數個台座21或21A以具有複數個連續排列成直線狀之部分之方式構成，則對整批檢查處理時有利。
另，上述實施形態1中，針對在作為單片化之半導體晶圓4之檢查對象之複數個半導體晶片之複數個LED元件晶片5(例如10萬個)之配置位置周圍附近配置一個分度工作台 2、2A之情形進行說明，但不限於此，分度工作台2、2A亦可在單片化之半導體晶圓4之檢查對象複數個LED元件晶片5(例如10萬個)之配置位置周圍附近，於互相對向之相反側配置2處。要之，亦可在單片化之半導體晶圓4之兩側，設置分度工作台2、2A之任一者。要之，亦可在單片化之半導體晶圓4之單側設置分度工作台2，在單片化之半導體晶圓4之另一單側設置分度工作台2A。要之，分度工作台2、2A亦可在單片化之半導體晶圓4之檢查對象複數個LED元件晶片5(例如10萬個)之配置位置周圍附近配置複數處。
如上使用本發明之較佳實施形態1、2例示本發明，但本發明不應限於該實施形態1、2進行解釋。本發明應理解為僅藉由專利申請範圍解釋其範圍。相關領域技術人員可理解由本發明之具體較佳實施形態1、2之記載，基於本發明之記載及技術常識可實施等價範圍。應可理解本說明書中引用之專利、專利申請及文獻，其內容本身與具體記載於本說明書者相同，其內容作為對於本說明書之參考而援用。
[產業上之可利用性]
本發明例如在對LSI元件或LED元件及雷射元件等發光元件等檢查對象裝置檢查發光光量等之半導體檢查裝置領域中，可藉由分度方式在無晶片偏差之狀態下同時測定複數個。又，藉由採用分度工作台，可任意配置DC特性檢查、光學系統檢查(積分球)之配置及其設置數，從而可增 加同測數。又。由於係插座方式，因此可無發熱或遮光問題地進行測定，且可容易對應接觸面發光、接觸背面發光，可在接近實際規格之狀態下測定。因此可消除因拉伸粘著片狀態下之發光元件之光量檢查時產生之排列偏差之錯誤接觸之問題，大量檢查時間之問題，元件背面端子之製作問題或發熱問題，背面發光問題，且可有效率進行與實際規格一致之更正確之光量檢查。
1‧‧‧半導體檢查裝置
1A‧‧‧半導體檢查裝置
2‧‧‧分度工作台
2A‧‧‧分度工作台
3‧‧‧粘著片
4‧‧‧半導體晶圓
5‧‧‧LED元件晶片
6‧‧‧插座
6A‧‧‧插座
6B‧‧‧插座
10A‧‧‧插座蓋打開機構
11‧‧‧旋轉軸
12‧‧‧臂
13‧‧‧前端部
10B‧‧‧插座蓋按壓機構
15‧‧‧旋轉軸
16‧‧‧臂
17‧‧‧前端部
18‧‧‧角部
21‧‧‧台座
21A‧‧‧台座
61‧‧‧蓋
61a‧‧‧鉸鏈
61b‧‧‧掛鉤
62‧‧‧窗部
62A‧‧‧窗部
63a‧‧‧探針或各端子
63b‧‧‧探針或各端子
64‧‧‧殼體
65‧‧‧殼體之凹部
66‧‧‧銷
67‧‧‧吸著部
68‧‧‧L字狀構件
69‧‧‧台構件
71~74‧‧‧取放器
74a‧‧‧吸著噴嘴
81‧‧‧良品片材
82‧‧‧不良品片材
91‧‧‧積分球
92‧‧‧積分球
圖1係用以說明使用本發明之實施形態1之半導體檢查裝置之半導體檢查方法之模式圖。
圖2(a)係進行第1光量檢查與第1DC特性檢查之情形之圖1之分度工作台之俯視圖，(b)係第1光量檢查與第1DC特性檢查後進行第2光量檢查與第2DC特性檢查之情形之圖1之分度工作台之俯視圖，(c)~(e)係模式化顯示圖1之插座之各實例之立體圖。
圖3(a)~(c)係用以說明圖1之插座對於LED元件晶片之定位機構之縱剖面圖。
圖4係顯示用於圖1之半導體檢查裝置之插座蓋打開機構之側視圖。
圖5係顯示用於圖1之半導體裝置之插座蓋按壓機構之側視圖。
圖6係用以說明使用本發明之實施形態2之半導體檢查裝置之半導體檢查方法之模式圖。
圖7係用以說明利用先前之半導體檢查裝置之光量檢查 方法之模式圖。
圖8係用以說明利用專利文獻1所揭示之先前之半導體檢查裝置之檢查方法之要部縱剖面圖。
1‧‧‧半導體檢查裝置
2‧‧‧分度工作台
3‧‧‧粘著片
4‧‧‧半導體晶圓
5‧‧‧LED元件晶片
6‧‧‧插座
21‧‧‧台座
71‧‧‧取放器
72‧‧‧取放器
73‧‧‧取放器
81‧‧‧良品片材
82‧‧‧不良品片材

Claims (16)

  1. 一種半導體檢查裝置，其包含：設有複數個台座，且使該複數個台座移動之分度工作台機構；在該複數個台座上搭載複數個半導體晶片並檢查該複數個半導體晶片之檢查機構；及搭載於該台座上，且於內部收納該半導體晶片並可通電之插座機構；且該插座機構係以可對該半導體晶片之上表面或下表面之各端子藉由設置於該內部之探針或端子電性連接之方式構成，且該半導體晶片藉由於所搭載之搭載面設有之反射板將來自該半導體晶片之發光照射於該內部之上方開口部。
  2. 如請求項1之半導體檢查裝置，其中於前述插座機構設有可開閉之蓋，於該蓋設有為提取自前述半導體晶片所發之光之窗部作為前述上方開口部。
  3. 如請求項2之半導體檢查裝置，其中藉由關閉前述蓋，前述半導體晶片收納於前述插座機構之內部，該半導體機片之上表面或下表面之各端子及設置於該內部之探針或端子以可電性連接之方式構成。
  4. 如請求項1之半導體檢查裝置，其進而包含第1移送機構，其將使半導體晶圓單片化後之複數個半導體晶片中數量少於其之複數個半導體晶片，向前述分度工作台之複數個台座中數量少於其之複數個台座移送。
  5. 如請求項1之半導體檢查裝置，其中前述半導體晶片係發光元件晶片，前述檢查機構係進行該發光元件晶片之光學檢查及DC特性檢查。
  6. 如請求項1至3任一項之半導體檢查裝置，其中前述插座機構係使前述半導體晶片之周邊部開放或在該周邊部設有光透射材。
  7. 如請求項1或4之半導體檢查裝置，其進而包含第2移送機構，其對應檢查結果將檢查後之插座機構內之半導體晶片向其他片材移送。
  8. 如請求項4之半導體檢查裝置，其中前述第1移送機構在整批移送複數個半導體晶片之情形中，移送端與移送源之該複數個半導體晶片之拾取間距不同。
  9. 如請求項7之半導體檢查裝置，其中前述第1移送機構及前述第2移送機構中至少該第2移送機構在整批移送複數個半導體晶片之情形中，移送端與移送源之該複數個半導體晶片之拾取間距不同。
  10. 如請求項1之半導體檢查裝置，其中前述插座機構包含既使晶片尺寸改變在內部定位前述半導體晶片之定位機構。
  11. 如請求項1之半導體檢查裝置，其中前述檢查機構於前述分度工作台機構之各台座上具有特定之各測定功能。
  12. 如請求項11之半導體檢查裝置，其係同時驅動設於前述分度工作台機構之各台座上之所有檢查機構並同時檢查。
  13. 如請求項1之半導體檢查裝置，其中前述插座機構藉由插座蓋開閉機構進行開閉。
  14. 如請求項1之半導體檢查裝置，其中前述分度工作台機構係外形為俯視圓形狀、橢圓形狀、長圓形狀，且角部分經圓角化之三角形狀、四角形狀、多角形狀及半圓形狀，乃至於一個或複數個直線狀中之任一者。
  15. 如請求項14之半導體檢查裝置，其中前述分度工作台機構具有由複數個該台座連續排列成直線狀之部分。
  16. 如請求項1之半導體檢查裝置，其中前述分度工作台機構係在經單片化之半導體晶圓之檢查對象之複數個半導體晶片之配置位置周邊附近配置有1個或複數個。
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