TWI484298B - 光阻組合物 - Google Patents

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TWI484298B TW099132097A TW99132097A TWI484298B TW I484298 B TWI484298 B TW I484298B TW 099132097 A TW099132097 A TW 099132097A TW 99132097 A TW99132097 A TW 99132097A TW I484298 B TWI484298 B TW I484298B
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Soon Shin Kim
Isao Yoshida
Koji Ichikawa
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Sumitomo Chemical Co
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Description

光阻組合物
本發明係關於光阻組合物。
用於利用微影製程之半導體微製造之光阻組合物含有酸產生劑，其包含藉由輻照產生酸之化合物。
US 2006/0194982 A1揭示包含樹脂、酸產生劑及2,6-二異丙基苯胺之光阻組合物，該樹脂具有酸不穩定基團且不溶或難溶於鹼性水溶液，但藉助酸的作用變得可溶於鹼性水溶液。
US 5916728 A揭示包含樹脂、酸產生劑及N-2(羥基乙基)嗎啉之光阻組合物，該樹脂具有酸不穩定基團且不溶或難溶於鹼性水溶液，但藉助酸的作用變得可溶於鹼性水溶液。
本發明將提供光阻組合物。
本發明係關於下列：<1>　一種光阻組合物，其包含樹脂、酸產生劑及由式(I)代表之化合物，該樹脂具有酸不穩定基團且不溶或難溶於鹼性水溶液，但藉助酸的作用變得可溶於鹼性水溶液，
其中Z1 代表C7-C20伸烷基、C3-C20二價飽和環狀基團或由至少一個C1-C6伸烷基與至少一個C3-C20二價飽和環狀基團組合形成的二價基團；<2>　如<1>之光阻組合物，其中Z1 係C7-C20伸烷基或C3-C20二價飽和環狀基團；<3>　如<1>之光阻組合物，其中Z1 係C7-C12伸烷基或C6-C20二價飽和環狀基團，<4>　如<1>之光阻組合物，其中Z1 係辛烷-1,8-二基、十二烷-1,12-二基或環己烷-1,2-二基；<5>　如<1>、<2>、<3>或<4>之光阻組合物，其中該酸產生劑係由式(B1)代表之鹽：
其中Q1 及Q2 各自獨立地代表氟原子或C1-C6全氟烷基，Lb1 代表單鍵或C1-C17二價飽和烴基，該二價飽和烴基中一個或多個亞甲基可由-O-或-CO-替代，Y代表可具有一個或多個取代基之C1-C18脂肪族烴基、或可具有一個或多個取代基之C3-C18飽和環狀烴基，且該脂肪族烴基及該飽和環狀烴基中之一個或多個亞甲基可由-O-、-CO-或-SO2 -替代，且Z+ 代表有機陽離子；<6>　如<5>之光阻組合物，其中Lb1 係*-CO-O-Lb2 -，其中*代表至-C(Q1 )(Q2 )-之結合位置且Lb2 代表單鍵或-CH2 -；<7>　如<5>或<6>之光阻組合物，其中Z+ 係三芳基鋶陽離子；<8>　一種製造光阻圖案之方法，其包含下列步驟(1)至(5)：
(1)將如<1>至<7>中任一項之光阻組合物施加至基板上之步驟，
(2)藉由實施乾燥以形成光阻膜之步驟，
(3)將該光阻膜曝露於輻射之步驟，
(4)烘烤該經曝光光阻膜之步驟，及
(5)用鹼性顯影劑對該經烘烤光阻膜實施顯影、藉此形成光阻圖案之步驟。
本發明光阻組合物包含樹脂、酸產生劑及由式(I)代表之化合物(在下文中簡稱為化合物(I))，該樹脂具有酸不穩定基團且不溶或難溶於鹼性水溶液，但藉助酸的作用變得可溶於鹼性水溶液，
其中Z1 代表C7-C20伸烷基、C3-C20二價飽和環狀基團或由至少一個C1-C6伸烷基與至少一個C3-C20二價飽和環狀基團組合形成的二價基團。
化合物(I)在本發明光阻組合物中充當淬滅劑。藉由添加化合物(I)作為淬滅劑可減小由因曝光後延遲(post exposure delay)而出現的酸失活所引起的性能劣化。
C7-C20伸烷基之實例包括庚烷-1,7-二基、辛烷-1,8-二基、壬烷-1,9-二基、十二烷-1,12-二基、十三烷-1,13-二基、十四烷-1,14-二基、十五烷-1,15-二基、十六烷-1,16-二基、十七烷-1,17-二基、2,5-二甲基己烷-1,6-二基、2,5-二乙基己烷-1,6-二基、2,5-二甲基壬烷-1,9-二基、十三烷-1,12-二基、亞甲基、亞乙基、亞丙基及亞異丙基，且較佳為C7-C20直鏈伸烷基，且更佳為C7-C12伸烷基。
C3-C20二價飽和環狀基團之實例包括C3-C20環烷烴二基及下列基團，且較佳為C6-C20二價飽和環狀基團，且更佳為C3-C20環烷烴二基。
C3-C20環烷烴二基之實例包括環丁烷-1,2-二基、環戊烷-1,2-二基、環己烷-1,2-二基、環己烷-1,3-二基、環己烷-1,4-二基、環庚烷-1,2-二基及環辛烷-1,2-二基。
由至少一個C1-C6伸烷基與至少一個C3-C20二價飽和環狀基團組合形成的二價基團之實例包括由1個C1-C6伸烷基與1個C3-C20二價飽和環狀基團組合形成的二價基團、由2個C1-C6伸烷基與1個C3-C20二價飽和環狀基團組合形成的二價基團、及由1個C1-C6伸烷基與2個C3-C20二價飽和環狀基團組合形成的二價基團，且較佳為由1個C1-C6伸烷基與1個C3-C20二價飽和環狀基團組合形成的二價基團、及由2個C1-C6伸烷基與1個C3-C20二價飽和環狀基團組合形成的二價基團。二價基團之具體實例包括下列。
Z1 較佳為C7-C20伸烷基或C3-C20二價飽和環狀基團，且Z1 更佳為C7-C12伸烷基或C6-C20二價飽和環狀基團，且Z1 尤佳為C7-C12伸烷基或C6-C20環烷烴二基。
化合物(I)之實例包括下列。
本發明光阻組合物可含有兩種或更多種化合物(I)。化合物(I)之含量以固體組份之量計通常為0.01重量%至5重量%，較佳為0.05重量%至4重量%，且更佳為0.05重量%至3重量%。在此說明書中，「固體組份」意指在光阻組合物中除溶劑外的組份。
該樹脂不溶或難溶於鹼性水溶液，但藉助酸的作用變得可溶於鹼性水溶液。該樹脂具有衍生自具有酸不穩定基團之化合物之結構單元，且可藉由聚合一或多種具有酸不穩定基團之化合物來製造。
在本說明書中，「酸不穩定基團」意指能夠藉助酸的作用而消除之基團。
酸不穩定基團之實例包括由式(1)代表之基團：
其中Ra1 、Ra2 及Ra3 各自獨立地代表C1-C8脂肪族烴基或C3-C20飽和環狀烴基，或Ra1 及Ra2 連同Ra1 及Ra2 所鍵結之碳原子一起相互鍵結以形成C3-C20環。
C1-C8脂肪族烴基之實例包括C1-C8烷基。C1-C8烷基之具體實例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、戊基、己基、庚基及辛基。C3-C20飽和環狀烴基可為單環或多環，且其實例包括單環脂環族烴基，例如C3-C20環烷基(例如環戊基、環己基、甲基環己基、二甲基環己基、環庚基及環辛基)；及多環脂環族烴基，例如十氫萘基、金剛烷基、降莰基、甲基降莰基、及下列：
飽和環狀烴基較佳具有3個至12個碳原子。
由Ra1 與Ra2 相互鍵結所形成的環之實例包括下列基團且該環較佳具有3個至20個碳原子，且更佳具有3個至12個碳原子。
其中Ra3 與上文定義相同。
較佳為Ra1 、Ra2 及Ra3 各自獨立地代表C1-C8烷基(例如第三丁基)之由式(1)代表之基團；Ra1 與Ra2 相互鍵結以形成金剛烷基環且Ra3 為C1-C8烷基(例如2-烷基-2-金剛烷基)之由式(1)代表之基團；及Ra1 及Ra2 係C1-C8烷基且Ra3 係金剛烷基之由式(1)代表之基團，例如1-(1-金剛烷基)-1-烷基烷氧基羰基。
具有酸不穩定基團之化合物較佳為側鏈中具有酸不穩定基團之丙烯酸酯單體或側鏈中具有酸不穩定基團之甲基丙烯酸酯單體。
具有酸不穩定基團之化合物之較佳實例包括由式(a1-1)及(a1-2)代表之單體：
其中Ra4 及Ra5 各自獨立地代表氫原子或甲基，Ra6 及Ra7 各自獨立地代表C1-C8脂肪族烴基或C3-C10飽和環狀烴基，La1 及La2 各自獨立地代表*-O-或*-O-(CH2 )k1 -CO-O-，其中*代表至-CO-之結合位置，且k1代表1至7之整數，m1代表0至14之整數且n1代表0至10之整數。
脂肪族烴基較佳具有1個至6個碳原子，且飽和環狀烴基較佳具有3個至8個碳原子且更佳3個至6個碳原子。
脂肪族烴基之實例包括C1-C8烷基，例如甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第三丁基、2,2-二甲基乙基、1-甲基丙基、2,2-二甲基丙基、1-乙基丙基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1-丙基丁基、戊基、1-甲基戊基、己基、1,4-二甲基己基、庚基、1-甲基庚基及辛基。飽和環狀烴基之實例包括環己基、甲基環己基、二甲基環己基、環庚基、甲基環庚基、降莰基及甲基降莰基。
La1 較佳為*-O-或*-O-(CH2 )f1 -CO-O-，其中*代表至-CO-之結合位置，且f1代表1至4之整數，且更佳為*-O-或*-O-CH2 -CO-O-，且尤佳為*-O-。La2 較佳為*-O-或*-O-(CH2 )f1 -CO-O-，其中*代表至-CO-之結合位置，且f1與上文所定義相同，且更佳為*-O-或*-O-CH2 -CO-O-，且尤佳為*-O-。
在式(a1-1)中，m1較佳為0至3之整數，且更佳為0或1。在式(a1-2)中，n1較佳為0至3之整數，且更佳為0或1。
尤其當光阻組合物含有衍生自具有龐大結構(例如飽和環狀烴基)之單體的樹脂時，易於獲得具有極佳解析度之光阻組合物。
由式(a1-1)代表之單體之實例包括下列。
其中，較佳者為丙烯酸2-甲基-2-金剛烷基酯、甲基丙烯酸2-甲基-2-金剛烷基酯、丙烯酸2-乙基-2-金剛烷基酯、甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷基酯、丙烯酸2-異丙基-2-金剛烷基酯及甲基丙烯酸2-異丙基-2-金剛烷基酯，且更佳者為甲基丙烯酸2-甲基-2-金剛烷基酯、甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷基酯及甲基丙烯酸2-異丙基-2-金剛烷基酯。
由式(a1-2)代表之單體之實例包括下列。
其中，較佳者為丙烯酸1-乙基-1-環己基酯及甲基丙烯酸1-乙基-1-環己基酯，且更佳者為甲基丙烯酸1-乙基-1-環己基酯。
樹脂中衍生自具有酸不穩定基團之化合物之結構單元的含量以該樹脂所有結構單元之100莫耳%計通常為10莫耳%至95莫耳%，較佳為15莫耳%至90莫耳%，且更佳為20莫耳%至85莫耳%。
具有酸不穩定基團之化合物之其他實例包括由式(a1-3)代表之單體：
其中Ra9 代表氫原子、可具有一個或多個取代基之C1-C3脂肪族烴基、羧基、氰基或-COORa13 基團，其中Ra13 代表C1-C8脂肪族烴基或C3-C8飽和環狀烴基，且C1-C8脂肪族烴基及C3-C8飽和環狀烴基可具有一個或多個羥基，且C1-C8脂肪族烴基及C3-C8飽和環狀烴基中一個或多個-CH2 -可由-O-或-CO-替代，Ra10 、Ra11 及Ra12 各自獨立地代表C1-C12脂肪族烴基或C3-C12飽和環狀烴基，且Ra10 及Ra11 連同Ra10 及Ra11 所鍵結之碳原子可相互鍵結以形成環，且C1-C12脂肪族烴基及C3-C12飽和環狀烴基可具有一個或多個羥基，且C1-C12脂肪族烴基及C3-C12飽和環狀烴基中一個或多個-CH2 -可由-O-或-CO-替代。
取代基之實例包括羥基。可具有一個或多個取代基之C1-C3脂肪族烴基之實例包括甲基、乙基、丙基、羥基甲基及2-羥基乙基。Ra13 之實例包括甲基、乙基、丙基、2-側氧基-四氫呋喃-3-基及2-側氧基-四氫呋喃-4-基。Ra10 、Ra11 及Ra12 之實例包括甲基、乙基、環己基、甲基環己基、羥基環己基、側氧基環己基及金剛烷基，且Ra10 及Ra11 連同Ra10 及Ra11 所鍵結之碳原子相互鍵結所形成之環的實例包括環己烷環及金剛烷環。
由式(a1-3)代表之單體之實例包括5-降冰片烯-2-甲酸第三丁基酯、5-降冰片烯-2-甲酸1-環己基-1-甲基乙基酯、5-降冰片烯-2-甲酸1-甲基環己基酯、5-降冰片烯-2-甲酸2-甲基-2-金剛烷基酯、5-降冰片烯-2-甲酸2-乙基-2-金剛烷基酯、5-降冰片烯-2-甲酸1-(4-甲基環己基)-1-甲基乙基酯、5-降冰片烯-2-甲酸1-(4-羥基環己基)-1-甲基乙基酯、5-降冰片烯-2-甲酸1-甲基-1-(4-側氧基環己基)乙基酯、及5-降冰片烯-2-甲酸1-(1-金剛烷基)-1-甲基乙基酯。
當樹脂具有衍生自由式(a1-3)代表之單體之結構單元時，易於獲得具有極佳解析度及較高抗乾蝕刻性之光阻組合物。
當樹脂含有衍生自由式(a1-3)代表之單體之結構單元時，衍生自由式(a1-3)代表之單體之結構單元的含量以該樹脂所有結構單元之總莫耳計通常為10莫耳%至95莫耳%，且較佳為15莫耳%至90莫耳%，且更佳為20莫耳%至85莫耳%。
具有酸不穩定基團之化合物之其他實例包括由式(a1-4)代表之單體：
其中R10 代表氫原子、鹵素原子、C1-C6烷基或C1-C6鹵代烷基，R11 在每次出現時獨立地為鹵素原子、羥基、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、C2-C4醯基、C2-C4醯氧基、丙烯醯基或甲基丙烯醯基，1a代表0至4之整數，R12 及R13 各自獨立地代表氫原子或C1-C12烴基，Xa2 代表單鍵或C1-C17二價飽和烴基，該二價飽和烴基中一個或多個-CH2 -可由-O-、-CO-、-S-、-SQ2 -或-N(RC )-替代，其中Rc 代表氫原子或C1-C6烷基，且Ya3 代表C1-C12脂肪族烴基、C3-C18飽和環狀烴基或C6-C18芳香族烴基，且C1-C12脂肪族烴基、C2-C18飽和環狀烴基及C6-C18芳香族烴基可具有一個或多個取代基。
鹵素原子之實例包括氟原子。
C1-C6烷基之實例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基及己基，且較佳為C1-C4烷基，且更佳為C1-C2烷基且尤佳為甲基。
C1-C6鹵代烷基之實例包括三氟甲基、五氟乙基、七氟丙基、七氟異丙基、九氟丁基、九氟第二丁基、九氟第三丁基、全氟戊基及全氟己基。
C1-C6烷氧基之實例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、戊氧基及己氧基，且較佳為C1-C4烷氧基，且更佳為C1-C2烷氧基，且尤佳為甲氧基。
C2-C4醯基之實例包括乙醯基、丙醯基及丁醯基，且C2-C4醯氧基之實例包括乙醯氧基、丙醯氧基及丁醯氧基。
C1-C12烴基之實例包括C1-C12脂肪族烴基，例如甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、十一烷基及十二烷基；及C3-C12飽和環狀烴基，例如環己基、金剛烷基、2-烷基-2-金剛烷基、1-(1-金剛烷基)-1-烷基及異降莰基。
C1-C17二價飽和烴基之實例包括C1-C17烷二基，例如亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基、己烷-1,6-二基、庚烷-1,7-二基、辛烷-1,8-二基、壬烷-1,9-二基、癸烷-1,10-二基、十一烷-1,11-二基、十二烷-1,12-二基、十三烷-1,13-二基、十四烷-1,14-二基、十五烷-1,15-二基、十六烷-1,16-二基及十七烷-1,17-二基。
C1-C12脂肪族烴基之實例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、十一烷基及十二烷基。C3-C18飽和環狀烴基之實例包括環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環壬基、環癸基、降莰基、1-金剛烷基、2-金剛烷基、異降莰基及下列基團：
C6-C18芳香族烴基之實例包括苯基、萘基、蒽基、對甲基苯基、對第三丁基苯基及對金剛烷基苯基。
由式(a1-4)代表之單體之實例包括下列。
當樹脂含有衍生自由式(a1-4)代表之單體之結構單元時，衍生自由式(a1-4)代表之單體之結構單元的含量以該樹脂所有結構單元之總莫耳計通常為10莫耳%至95莫耳%，且較佳為15莫耳%至90莫耳%，且更佳為20莫耳%至85莫耳%。
該樹脂可具有兩種或更多種衍生自具有酸不穩定基團之化合物之結構單元。
該樹脂較佳含有衍生自具有酸不穩定基團之化合物之結構單元及衍生自不含酸不穩定基團之化合物之結構單元。該樹脂可具有兩種或更多種衍生自不含酸不穩定基團之化合物之結構單元。當樹脂含有衍生自具有酸不穩定基團之化合物之結構單元及衍生自不含酸不穩定基團之化合物之結構單元時，衍生自具有酸不穩定基團之化合物之結構單元的含量以該樹脂所有結構單元之總莫耳計通常為10莫耳%至80莫耳%且較佳為20莫耳%至60莫耳%。出於光阻組合物之抗乾蝕刻性方面考慮，在衍生自不含酸不穩定基團之化合物之結構單元中衍生自具有金剛烷基之單體(尤其由式(a1-1)代表之單體)之結構單元的含量較佳為15莫耳%或更多。
不含酸不穩定基團之化合物較佳含有一個或多個羥基或內酯環。當樹脂含有衍生自不含酸不穩定基團且具有一個或多個羥基或內酯環之化合物之結構單元時，易於獲得具有良好的解析度及光阻對基板之黏著性的光阻組合物。
不含酸不穩定基團且具有一個或多個羥基之化合物之實例包括由式(a2-0)代表之單體：
其中R8 代表氫原子、鹵素原子、C1-C6烷基或C1-C6鹵代烷基，R9 在每次出現時獨立地為鹵素原子、羥基、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、C2-C4醯基、C2-C4醯氧基、丙烯醯基或甲基丙烯醯基，ma代表0至4之整數，且由式(a2-1)代表之單體：
其中Ra14 代表氫原子或甲基，Ra15 及Ra16 各自獨立地代表氫原子、甲基或羥基，La3 代表*-O-或*-O-(CH2 )k2 -CO-O-，其中*代表至-CO-之結合位置，且k2代表1至7之整數，且o1代表0至10之整數。
當KrF準分子雷射(波長：248 nm)微影系統或高能量雷射(例如電子束及超紫外光)用作曝光系統時，含有衍生自由式(a2-0)代表之單體之結構單元的樹脂較佳，但當ArF準分子雷射(波長：193 nm)用作曝光系統時，含有衍生自由式(a2-1)代表之單體之結構單元的樹脂較佳。
在式(a2-0)中，鹵素原子之實例包括氟原子，C1-C6烷基之實例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基及己基，且較佳為C1-C4烷基，且更佳為C1-C2烷基，且尤佳為甲基。C1-C6鹵代烷基之實例包括三氟甲基、五氟乙基、七氟丙基、七氟異丙基、九氟丁基、九氟第二丁基、九氟第三丁基、全氟戊基及全氟己基。C1-C6烷氧基之實例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、戊氧基及己氧基，且較佳為C1-C4烷氧基，且更佳為C1-C2烷氧基，且尤佳為甲氧基。C2-C4醯基之實例包括乙醯基、丙醯基及丁醯基，且C2-C4醯氧基之實例包括乙醯氧基、丙醯氧基及丁醯氧基。在式(a2-0)中，ma較佳為0、1或2，且更佳為0或1，且尤佳為0。
含有衍生自由式(a2-0)代表之單體之結構單元及衍生自具有酸產生劑之化合物之結構單元的樹脂可藉由(例如)以下方式來製造：使具有酸產生劑之化合物與藉由用乙醯基對由式(a2-0)代表之單體之羥基實施保護所獲得的單體聚合，隨後用鹼對所獲得之聚合物實施脫乙醯化。
由式(a2-0)代表之單體之實例包括下列。
其中，較佳者為4-羥基苯乙烯及4-羥基-α-甲基苯乙烯。
當樹脂含有衍生自由式(a2-0)代表之單體之結構單元時，衍生自由式(a2-0)代表之單體之結構單元的含量以該樹脂所有結構單元之總莫耳計通常為5莫耳%至90莫耳%，且較佳為10莫耳%至85莫耳%，且更佳為15莫耳%至80莫耳%。
在式(a2-1)中，Ra14 較佳為甲基，Ra15 較佳為氫原子，Ra16 較佳為氫原子或羥基，La3 較佳為*-O-或*-O-(CH2 )f2 -CO-O-，其中*代表至-CO-之結合位置，且f2代表1至4之整數，且更佳為*-O-，且o1較佳為0、1、2或3，且更佳為0或1。
由式(a2-1)代表之單體之實例包括下列，且較佳為丙烯酸3-羥基-1-金剛烷基酯、甲基丙烯酸3-羥基-1-金剛烷基酯、丙烯酸3,5-二羥基-1-金剛烷基酯、甲基丙烯酸3,5-二羥基-1-金剛烷基酯、丙烯酸1-(3,5-二羥基-1-金剛烷基氧基羰基)甲基酯及甲基丙烯酸1-(3,5-二羥基-1-金剛烷基氧基羰基)甲基酯，且更佳為甲基丙烯酸3-羥基-1-金剛烷基酯及甲基丙烯酸3,5-二羥基-1-金剛烷基酯。
當樹脂含有衍生自由式(a2-1)代表之單體之結構單元時，衍生自由式(a2-1)代表之單體之結構單元的含量以該樹脂所有結構單元之總莫耳計通常為3莫耳%至40莫耳%，且較佳為5莫耳%至35莫耳%，且更佳為5莫耳%至30莫耳%。
不含酸不穩定基團但具有內酯環之化合物之內酯環之實例包括單環內酯環(例如β-丙內酯環、γ-丁內酯環及γ-戊內酯環)、及由單環內酯環與另一環形成的稠環。其中，較佳者為γ-丁內酯環及由γ-丁內酯環與另一環形成的稠合內酯環。
不含酸不穩定基團但具有內酯環之單體之較佳實例包括由式(a3-1)、(a3-2)及(a3-3)代表之單體：
其中La4 、La5 及La6 各自獨立地代表*-O-或*-O-(CH2 )k3 -CO-O-，其中*代表至-CO-之結合位置且k3代表1至7之整數，Ra18 、Ra19 及Ra20 各自獨立地代表氫原子或甲基，Ra21 代表C1-C4脂肪族烴基，Ra22 及Ra23 在每次出現時獨立地為羧基、氰基或C1-C4脂肪族烴基，且p1代表0至5之整數，q1及r1各自獨立地代表0至3之整數。
較佳地，La4 、La5 及La6 各自獨立地代表*-O-或*-O-(CH2 )d1 -CO-O-，其中*代表至-CO-之結合位置且d1代表1至4之整數，且更佳地，La4 、La5 及La6 係*-O-。Ra18 、Ra19 及Ra20 較佳為甲基。Ra21 較佳為甲基。較佳地，Ra22 及Ra23 在每次出現時獨立地為羧基、氰基或甲基。較佳地，p1係0至2之整數，且更佳地，p1係0或1。較佳地，q1及r1各自獨立地代表0至2之整數，且更佳地，q1及r1各自獨立地代表0或1。
由式(a3-1)代表之單體之實例包括下列。
由式(a3-2)代表之單體之實例包括下列。
由式(a3-3)代表之單體之實例包括下列。
其中，較佳者為丙烯酸5-側氧基-4-氧雜三環[4.2.1.03,7 ]壬-2-基酯、甲基丙烯酸5-側氧基-4-氧雜三環[4.2.1.03,7 ]壬-2-基酯、丙烯酸四氫-2-側氧基-3-呋喃基酯、甲基丙烯酸四氫-2-側氧基-3-呋喃基酯、丙烯酸2-(5-側氧基-4-氧雜三環[4.2.1.03,7 ]壬-2-基氧基)-2-側氧基乙基酯及甲基丙烯酸2-(5-側氧基-4-氧雜三環[4.2.1.03,7 ]壬-2-基氧基)-2-側氧基乙基酯，且更佳者為甲基丙烯酸5-側氧基-4-氧雜三環[4.2.1.03,7 ]壬-2-基酯、甲基丙烯酸四氫-2-側氧基-3-呋喃基酯及甲基丙烯酸2-(5-側氧基-4-氧雜三環[4.2.1.03,7 ]壬-2-基氧基)-2-側氧基乙基酯。
當樹脂含有衍生自不含酸不穩定基團且具有內酯環之單體之結構單元時，其含量以該樹脂所有結構單元之總莫耳計通常為5莫耳%至50莫耳%，且較佳為10莫耳%至45莫耳%，且更佳為15莫耳%至40莫耳%。
該樹脂可含有衍生自具有含有內酯環之酸不穩定基團之單體之結構單元。具有含有內酯環之酸不穩定基團之單體之實例包括下列。
不含酸不穩定基團之其他單體之實例包括由式(a4-1)、(a4-2)及(a4-3)代表之單體：
其中Ra25 及Ra26 各自獨立地代表氫原子、可具有一個或多個取代基之C1-C3脂肪族烴基、羧基、氰基或-COORa27 基團，其中Ra27 代表C1-C36脂肪族烴基或C3-C36飽和環狀烴基，且C1-C36脂肪族烴基及C3-C36飽和環狀烴基中一個或多個-CH2 -可由-O-或-CO-替代，條件係與Ra27 之-COO-之-O-鍵結之碳原子不為三級碳原子，或使Ra25 與Ra26 一起鍵結以形成由-C(=O)OC(=O)-代表之羧酸酐殘基。
C1-C3脂肪族烴基之實例包括羥基。可具有一個或多個取代基之C1-C3脂肪族烴基之實例包括C1-C3烷基(例如甲基、乙基及丙基)及C1-C3羥基烷基(例如羥基甲基及2-羥基乙基)。由Ra27 代表之C1-C36脂肪族烴基較佳為C1-C8脂肪族烴基，且更佳為C1-C6脂肪族烴基。由Ra27 代表之C3-C36飽和環狀烴基較佳為C4-C36飽和環狀烴基，且更佳為C4-C12飽和環狀烴基。Ra27 之實例包括甲基、乙基、丙基、2-側氧基-四氫呋喃-3-基及2-側氧基-四氫呋喃-4-基。
由式(a4-3)代表之單體之實例包括2-降冰片烯、2-羥基-5-降冰片烯、5-降冰片烯-2-甲酸、5-降冰片烯-2-甲酸甲基酯、5-降冰片烯-2-甲酸2-羥基乙基酯、5-降冰片烯-2-甲醇及5-降冰片烯-2,3-二羧酸酐。
當樹脂含有衍生自由式(a4-1)、(a4-2)或(a4-3)代表之單體之結構單元時，其含量以該樹脂所有結構單元之總莫耳計通常為2莫耳%至40莫耳%，且較佳為3莫耳%至30莫耳%，且更佳為5莫耳%至20莫耳%。
較佳之樹脂係含有衍生自具有酸不穩定基團之單體之結構單元、及衍生自具有一個或多個羥基之單體及/或具有內酯環之單體之結構單元的樹脂。具有酸不穩定基團之單體較佳為由式(a1-1)代表之單體或由式(a1-2)代表之單體，且更佳為由式(a1-1)代表之單體。具有一個或多個羥基之單體較佳為由式(a2-1)代表之單體，且具有內酯環之單體較佳為由式(a3-1)或(a3-2)代表之單體。
該樹脂可根據已知聚合方法(例如自由基聚合)來製造。
該樹脂通常具有2,500或更大的重量平均分子量，且較佳3,000或更大的重量平均分子量。該樹脂通常具有50,000或更小的重量平均分子量，且較佳具有30,000或更小的重量平均分子量。重量平均分子量可用凝膠滲透層析儀來量測。
本發明第一光阻組合物通常包括80重量%或更多的固體組份。
本發明光阻組合物含有酸產生劑，且較佳為光致酸產生劑。
酸產生劑係如下之物質：藉由對該物質本身或對含有該物質之光阻組合物施加輻射(例如光、電子束或諸如此類)而分解以產生酸。由酸產生劑產生的酸作用於樹脂，使得存在於該樹脂中之酸不穩定基團解離。
酸產生劑之實例包括非離子型酸產生劑、離子型酸產生劑及其組合。較佳為離子型酸產生劑。非離子型酸產生劑之實例包括有機鹵素化合物、碸化合物(例如二碸、酮碸及磺醯基重氮甲烷)、磺酸酯化合物(例如2-硝基苄基磺酸酯、芳香族磺酸酯、肟磺酸酯、N-磺醯基氧基醯亞胺、磺醯基氧基酮及DNQ4-磺酸酯)。離子型酸產生劑之實例包括具有無機陰離子(例如BF4 - 、PF6 - 、AsF6 - 及SbF6 - )之酸產生劑、及具有有機陰離子(例如磺酸根陰離子及雙磺醯基亞胺基陰離子)之酸產生劑，且較佳為具有磺酸根陰離子之酸產生劑。酸產生劑之較佳實例包括由式(B1)代表之鹽：
其中Q1 及Q2 各自獨立地代表氟原子或C1-C6全氟烷基，Lb1 代表單鍵或C1-C17二價飽和烴基，該二價飽和烴基中一個或多個亞甲基可由-O-或-CO-替代，Y代表可具有一個或多個取代基之C1-C18脂肪族烴基，或可具有一個或多個取代基之C3-C18飽和環狀烴基，且該脂肪族烴基及該飽和環狀烴基中一個或多個亞甲基可由-O-、-CO-或-SO2 -替代，且Z+ 代表有機陽離子。
C1-C6全氟烷基之實例包括三氟甲基、五氟乙基、七氟丙基、九氟丁基、十一氟戊基及十三氟己基，且較佳為三氟甲基。Q1 及Q2 較佳各自獨立地代表氟原子或三氟甲基，且Q1 及Q2 更佳為氟原子。
C1-C17二價飽和烴基之實例包括C1-C17直鏈伸烷基，例如亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丙烷-1,2-二基、丁烷-1,4-二基、丁烷-1,3-二基、戊烷-1,5-二基、己烷-1,6-二基、庚烷-1,7-二基、辛烷-1,8-二基、壬烷-1,9-二基、癸烷-1,10-二基、十一烷-1,11-二基、十二烷-1,12-二基、十三烷-1,13-二基、十四烷-1,14-二基、十五烷-1,15-二基、十六烷-1,16-二基及十七烷-1,17-二基；C1-C17具支鏈伸烷基，例如1-甲基-1,3-伸丙基、2-甲基-1,3-伸丙基、2-甲基-1,2-伸丙基、1-甲基-1,4-伸丁基及2-甲基-1,4-伸丁基，二價飽和單環烴基，例如伸環烷基，例如1,3-伸環丁基、1,3-伸環戊基、1,4-伸環己基、及1,5-伸環辛基，及二價飽和多環烴基，例如1,4-伸降莰基、2,5-伸降莰基、1,5-伸金剛烷基及2,6-伸金剛烷基。
一個或多個亞甲基由-O-或-CO-替代之C1-C17飽和烴基之實例包括*-CO-O-Lb2 -、*-CO-O-Lb4 -CO-O-Lb3 -、*-Lb5 -O-CO-、*-Lb7 -O-Lb6 -、*-CO-O-Lb8 -O-及*-CO-O-Lb10 -O-Lb9 -CO-O-，其中Lb2 代表單鍵或C1-C15烷二基，Lb3 代表單鍵或C1-C12烷二基，Lb4 代表單鍵或C1-C13烷二基，條件係Lb3 與Lb4 之總碳數為1個至13個，Lb5 代表C1-C15烷二基，Lb6 代表C1-C15烷二基，Lb7 代表C1-C15烷二基，條件係Lb6 與Lb7 之總碳數為1個至16個，Lb8 代表C1-C14烷二基，Lb9 代表C1-C11烷二基，Lb10 代表C1-C11烷二基，條件係Lb9 與Lb10 之總碳數為1個至12個，且*代表至-C(Q1 )(Q2 )-之結合位置。其中，較佳者為*-CO-O-Lb2 -、*-CO-O-Lb4 -CO-O-Lb3 -、*-Lb5 -O-CO-及*-Lb7 -O-Lb6 -，且更佳者為*-CO-O-Lb2 -及*-CO-O-Lb4 -CO-O-Lb3 -，且甚至更佳者為*-CO-O-Lb2 -，且尤佳者為*-CO-O-Lb2 -，其中Lb2 係單鍵或-CH2 -。
*-CO-O-Lb2 -之實例包括*-CO-O-及*-CO-O-CH2 -。*-CO-O-Lb4 -CO-O-Lb3 -之實例包括*-CO-O-CH2 -CO-O-、*-CO-O-(CH2 )2 -CO-O-、*-CO-O-(CH2 )3 -CO-O-、*-CO-O-(CH2 )4 -CO-O-、*-CO-O-(CH2 )6-CO-O-、*-CO-O-(CH2 )8 -CO-O-、*-CO-O-CH2 -CH(CH3 )-CO-O-及*-CO-O-CH2 -C(CH3 )2 -CO-O-。*-Lb5 -O-CO-之實例包括*-CH2 -O-CO-、*-(CH2 )2 -O-CO-、*-(CH2 )3 -O-CO-、*-(CH2 )4-O-CO-、*-(CH2 )6 -O-CO-及*-(CH2 )8 -O-CO-。*-Lb7 -O-Lb6 -之實例包括*-CH2 -O-CH2 -。*-CO-O-Lb8 -O-之實例包括*-CO-O-CH2 -O-、*-CO-O-(CH2 )2 -O-、*-CO-O-(CH2 )3 -O-、*-CO-O-(CH2 )4 -O-及*-CO-O-(CH2 )6 -O-。*-CO-O-Lb10 -O-Lb9 -CO-O-之實例包括下列。
飽和烴基可具有一個或多個取代基，且取代基之實例包括鹵素原子、羥基、羧基、C6-C18芳香族烴基、C7-C21芳烷基(例如苄基、苯乙基、苯丙基、三苯甲基、萘甲基及萘乙基)、C2-C4醯基及縮水甘油基氧基。
Y中取代基之實例包括鹵素原子、羥基、側氧基、縮水甘油基氧基、C2-C4醯基、C1-C12烷氧基、C2-C7烷氧基羰基、C1-C12脂肪族烴基、含有羥基之C1-C12脂肪族烴基、C3-C16飽和環狀烴基、C6-C18芳香族烴基、C7-C21芳烷基及-(CH2 )j2 -O-CORb1 -，其中Rb1 代表C1-C16脂肪族烴基、C3-C16-飽和環狀烴基或C6-C18芳香族烴基且j2代表0至4之整數。鹵素原子之實例包括氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。醯基之實例包括乙醯基及丙醯基，且烷氧基之實例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基及丁氧基。烷氧基羰基之實例包括甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、異丙氧基羰基及丁氧基羰基。脂肪族烴基之實例包括與上文所述相同者。含有羥基之脂肪族烴基之實例包括羥基甲基。C3-C16飽和環狀烴基之實例包括與上文所述相同者，且芳香族烴基之實例包括苯基、萘基、蒽基、對甲基苯基、對第三丁基苯基及對金剛烷基苯基。芳烷基之實例包括苄基、苯乙基、苯丙基、三苯甲基、萘基甲基及萘基乙基。
由Y代表之C1-C18脂肪族烴基之實例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、新戊基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、1,2-二甲基丙基、1-乙基丙基、己基、1-甲基戊基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、十一烷基及十二烷基，且較佳為C1-C6烷基。由Y代表之C3-C18飽和環狀烴基之實例包括由式(Y1)至(Y26)代表之基團：
其中，較佳者為由式(Y1)至(Y19)代表之基團，且更佳者為由式(Y11)、(Y14)、(Y15)及(Y19)代表之基團。尤佳為由式(Y11)及(Y14)代表之基團。
具有一個或多個取代基之Y之實例包括下列：
Y較佳為可具有一個或多個取代基之金剛烷基，且更佳為金剛烷基或側氧基金剛烷基。
在由式(B1)代表之酸產生劑之磺酸根陰離子中，較佳者為具有*-CO-O-Lb2 -之磺酸根陰離子，且更佳者為由式(b1-1-1)至(b1-1-9)代表之陰離子。
其中Q1 、Q2 及Lb2 與上文所定義相同，且Rb2 及Rb3 各自獨立地代表C1-C4脂肪族烴基，較佳為甲基。
磺酸根陰離子之具體實例包括下列。
其中，較佳為下列磺酸根陰離子。
由Z+ 代表之陽離子部分之實例包括鎓陽離子，例如鋶陽離子、碘鎓陽離子、銨陽離子、苯并噻唑鎓陽離子及鏻陽離子，且較佳為鋶陽離子及碘鎓陽離子，且更佳為芳基鋶陽離子。
由Z+ 代表之陽離子部分之較佳實例包括由式(b2-1)至(b2-4)代表之陽離子：
其中Rb4 、Rb5 及Rb6 各自獨立地代表C1-C30脂肪族烴基，其可具有一個或多個選自由羥基、C1-C12烷氧基及C6-C18芳香族烴基組成之群之取代基；C3-C36飽和環狀烴基，其可具有一個或多個選自由鹵素原子、C2-C4醯基及縮水甘油基氧基組成之群之取代基；或C6-C18芳香族烴基，其可具有一個或多個選自由鹵素原子、羥基、C1-C18脂肪族烴基、C3-C36飽和環狀烴基或C1-C12烷氧基組成之群之取代基，Rb7 及Rb8 在每次出現時獨立地為羥基、C1-C12脂肪族烴基或C1-C12烷氧基，m2及n2獨立地代表0至5之整數，Rb9 及Rb10 各自獨立地代表C1-C36脂肪族烴基或C3-C36飽和環狀烴基，或使Rb9 與Rb10 鍵結以形成C2-C11二價非環狀烴基，該二價非環狀烴基連同毗鄰S+ 一起形成環，且該二價非環狀烴基中一個或多個-CH2 -可由-CO-、-O-或-S-替代，且Rb11 代表氫原子、C1-C36脂肪族烴基、C3-C36飽和環狀烴基或C6-C18芳香族烴基，Rb12 代表C1-C12脂肪族烴基、C3-C18飽和環狀烴基或C6-C18芳香族烴基且該芳香族烴基可具有一個或多個選自由C1-C12脂肪族烴基、C1-C12烷氧基、C3-C18飽和環狀烴基及C2-C13醯氧基組成之群之取代基，或使Rb11 及Rb12 彼此鍵結以形成C1-C10二價非環狀烴基，該二價非環狀烴基連同毗鄰-CHCO-一起形成2-側氧基環烷基，且該二價非環狀烴基中一個或多個-CH2 -可由-CO-、-O-或-S-替代，且Rb13 、Rb14 、Rb15 、Rb16 、Rb17 及Rb18 各自獨立地代表羥基、C1-C12脂肪族烴基或C1-C12烷氧基，Lb11 代表-S-或-O-且o2、p2、s2及t2各自獨立地代表0至5之整數，q2及r2各自獨立地代表0至4之整數，且u2代表0或1。
由Rb9 至Rb11 代表之脂肪族烴基較佳具有1個至12個碳原子。由Rb9 至Rb11 代表之飽和環狀烴基較佳具有3個至18個碳原子且更佳4個至12個碳原子。
脂肪族烴基及芳香族烴基之實例包括與上文所述相同者。脂肪族烴基之較佳實例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、辛基及2-乙基己基。飽和環狀烴基之較佳實例包括環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環癸基、2-烷基-a-金剛烷基、1-(1-金剛烷基)-1-烷基及異降莰基。芳香族基團之較佳實例包括苯基、4-甲基苯基、4-乙基苯基、4-第三丁基苯基、4-環己基苯基、4-甲氧基苯基、聯苯基及萘基。具有芳香族烴基之脂肪族烴基之實例包括苄基。烷氧基之實例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、十一烷基氧基及十二烷基氧基。
Rb9 與Rb10 鍵結所形成之C3-C12二價非環狀烴基之實例包括三亞甲基、四亞甲基及五亞甲基。毗鄰S+ 與二價非環狀烴基一起形成之環基團之實例包括四氫噻吩-1-鎓環(四氫噻吩鎓環)、四氫噻喃-1-鎓環及1,4-氧雜四氫噻喃-4-鎓環。較佳為AC3-C7二價非環狀烴基。
Rb11 與Rb12 鍵結所形成之C1-C10二價非環狀烴基之實例包括亞甲基、伸乙基、三亞甲基、四亞甲基及五亞甲基且環基團之實例包括下列。
在上述陽離子中，較佳者為由式(b2-1)代表之陽離子，且更佳者為由式(b2-1-1)代表之陽離子，且尤佳者為三苯基鋶陽離子。
其中Rb19 、Rb20 及Rb21 在每次出現時獨立地為羥基、C1-C36脂肪族烴基、C3-C36飽和環狀烴基或C1-C12烷氧基，且脂肪族烴基中一個或多個氫原子可由羥基、C1-C12烷氧基或C6-C18芳香族烴基替代，飽和環狀烴基之一個或多個氫原子可由鹵素原子、C2-C4醯基或縮水甘油基氧基替代，且v2、w2及x2各自獨立地代表0至5之整數。脂肪族烴基較佳具有1個至12個碳原子，且飽和環狀烴基較佳具有4個至36個碳原子，且較佳地，v2、w2及x2各自獨立地代表0或1。較佳地，Rb19 、Rb20 及Rb21 獨立地為鹵素原子(較佳氯原子)、羥基、C1-C12烷基或C1-C12烷氧基。
由式(b2-1)代表之陽離子之實例包括下列。
由式(b2-2)代表之陽離子之實例包括下列。
由式(b2-3)代表之陽離子之實例包括下列。
由式(b2-4)代表之陽離子之實例包括下列。
由式(B1)代表之鹽之實例包括陰離子部分為上述陰離子部分中任一者且陽離子部分為上述陽離子部分中任一者的鹽。鹽之較佳實例包括由式(b1-1-1)至(b1-1-9)代表之陰離子中任一者與由式(b2-1-1)代表之陽離子的組合、及由式(b1-1-3)至(b1-1-5)代表之陰離子中任一者與由式(b2-3)代表之陽離子的組合。
較佳為由式(B1-1)至(B1-17)代表之鹽，且更佳為由式(B1-1)、(B1-2)、(B1-6)、(B1-11)、(B1-12)、(B1-13)及(B1-14)代表之鹽。
可將兩種或更多種酸產生劑組合使用。
酸產生劑之含量較佳為1重量份數或更多/100重量份數樹脂且更佳為3重量份數或更多/100重量份數樹脂。酸產生劑之含量較佳為50重量份數或更少/100重量份數樹脂且更佳為45重量份數或更少/100重量份數樹脂。
除化合物(I)外，本發明光阻組合物可含有鹼性化合物作為淬滅劑。
鹼性化合物較佳為鹼性含氮有機化合物，且其實例包括胺化合物(例如脂肪族胺及芳香族胺)及銨鹽。脂肪族胺之實例包括一級胺、二級胺及三級胺。芳香族胺之實例包括芳香族環具有一個或多個胺基之芳香族胺(例如苯胺)及雜芳香族胺(例如吡啶)。其較佳實例包括由式(C2)代表之芳香族胺：
其中Arc1 代表芳香族烴基，且Rc5 及Rc6 各自獨立地代表氫原子、脂肪族烴基、飽和環狀烴基或芳香族烴基，且脂肪族烴基、飽和環狀烴基及芳香族烴基可具有一個或多個選自由下列組成之群之取代基：羥基、胺基、具有一個或兩個C1-C4烷基之胺基及C1-C6烷氧基。
脂肪族烴基較佳為烷基且飽和環狀烴基較佳為環烷基。脂肪族烴基較佳具有1個至6個碳原子。飽和環狀烴基較佳具有5個至10個碳原子。芳香族烴基較佳具有6個至10個碳原子。
作為由式(C2)代表之芳香族胺，較佳係由式(C2-1)代表之胺：
其中Rc5 及Rc6 與上文所定義相同，且Rc7 在每次出現時獨立地為脂肪族烴基、烷氧基、飽和環狀烴基或芳香族烴基，且脂肪族烴基、烷氧基、飽和環狀烴基及芳香族烴基可具有一個或多個選自由下列組成之群之取代基：羥基、胺基、具有一個或兩個C1-C4烷基之胺基及C1-C6烷氧基，且m3代表0至3之整數。脂肪族烴基較佳為烷基且飽和環狀烴基較佳為環烷基。脂肪族烴基較佳具有1個至6個碳原子。飽和環狀烴基較佳具有5個至10個碳原子。芳香族烴基較佳具有6個至10個碳原子。烷氧基較佳具有1個至6個碳原子。
由式(C2)代表之芳香族胺之實例包括1-萘基胺、2-萘基胺、苯胺、二異丙基苯胺、2-甲基苯胺、3-甲基苯胺、4-甲基苯胺、4-硝基苯胺、N-甲基苯胺、N,N-二甲基苯胺及二苯基胺，且其中，較佳者為二異丙基苯胺且更佳者為2,6-二異丙基苯胺。
鹼性化合物之其他實例包括由式(C3)至(C11)代表之胺：
其中Rc8 、Rc20 、Rc21 、及Rc23 至Rc28 各自獨立地代表脂肪族烴基、烷氧基、飽和環狀烴基或芳香族烴基，且脂肪族烴基、烷氧基、飽和環狀烴基及芳香族烴基可具有一個或多個選自由下列組成之群之取代基：羥基、胺基、具有一個或兩個C1-C4烷基之胺基及C1-C6烷氧基，Rc9 、Rc10 、Rc11 至Rc14 、Rc16 至Rc19 、及Rc22 各自獨立地代表氫原子、脂肪族烴基、飽和環狀烴基或芳香族烴基，且脂肪族烴基、飽和環狀烴基及芳香族烴基可具有一個或多個選自由下列組成之群之取代基：羥基、胺基、具有一個或兩個C1-C4烷基之胺基及C1-C6烷氧基，Rc15 在每次出現時獨立地為脂肪族烴基、飽和環狀烴基或烷醯基，Lc1 及Lc2 各自獨立地代表二價脂肪族烴基、-CO-、-C(=NH)-、-C(=NRc3 )-、-S-、-S-S-或其組合且Rc3 代表C1-C4烷基，o3至u3各自獨立地代表0至3之整數且n3代表0至8之整數。
脂肪族烴基較佳具有1個至6個碳原子，且飽和環狀烴基較佳具有3個至6個碳原子，且烷醯基較佳具有2個至6個碳原子，且二價脂肪族烴基較佳具有1個至6個碳原子。二價脂肪族烴基較佳為伸烷基。
由式(C3)代表之胺之實例包括己基胺、庚基胺、辛基胺、壬基胺、癸基胺、二丁基胺、二戊基胺、二己基胺、二庚基胺、二辛基胺、二壬基胺、二癸基胺、三乙基胺、三甲基胺、三丙基胺、三丁基胺、三戊基胺、三己基胺、三庚基胺、三辛基胺、三壬基胺、三癸基胺、甲基二丁基胺、甲基二戊基胺、甲基二己基胺、甲基二環己基胺、甲基二庚基胺、甲基二辛基胺、甲基二壬基胺、甲基二癸基胺、乙基二丁基胺、乙基二戊基胺、乙基二己基胺、乙基二庚基胺、乙基二辛基胺、乙基二壬基胺、乙基二癸基胺、二環己基甲基胺、叁[2-(2-甲氧基乙氧基)乙基]胺、三異丙醇胺、乙二胺、四亞甲基二胺、六亞甲基二胺、4,4' -二胺基-1,2-二苯基乙烷、4,4' -二胺基-3,3' -二甲基二苯基甲烷及4,4' -二胺基-3,3' -二乙基二苯基甲烷。
由式(C4)代表之胺之實例包括哌嗪。由式(C5)代表之胺之實例包括嗎啉。由式(C6)代表之胺之實例包括六氫吡啶及如JP 11-52575 A中所述具有六氫吡啶骨架之受阻胺化合物。由式(C7)代表之胺之實例包括2,2' -亞甲基雙苯胺。由式(C8)代表之胺之實例包括咪唑及4-甲基咪唑。由式(C9)代表之胺之實例包括吡啶及4-甲基吡啶。由式(C10)代表之胺之實例包括二-2-吡啶基酮、1,2-二(2-吡啶基)乙烷、1,2-二(4-吡啶基)乙烷、1,3-二(4-吡啶基)丙烷、1,2-雙(2-吡啶基)乙烯、1,2-雙(4-吡啶基)乙烯、1,2-二(4-吡啶基氧基)乙烷、4,4' -二吡啶基硫、4,4' -二吡啶二硫、2,2' -二吡啶胺及2,2' -(二甲基吡啶)胺。由式(C11)代表之胺之實例包括聯吡啶。
當使用除化合物(I)外之鹼性化合物時，除化合物(I)外之鹼性化合物的量通常為200重量份數/100重量份數化合物(I)，且較佳為150重量份數/100重量份數化合物(I)且更佳為100重量份數/100重量份數化合物(I)。
本發明光阻組合物通常含有一個或多種溶劑。溶劑之實例包括二醇醚酯，例如乙二醇乙醚乙酸酯、乙二醇甲醚乙酸酯及丙二醇單甲基醚乙酸酯；二醇醚，例如丙二醇單甲基醚；非環狀酯，例如乳酸乙基酯、乙酸丁基酯、乙酸戊基酯及丙酮酸乙基酯；酮，例如丙酮、甲基異丁基酮、2-庚酮及環己酮；及環狀酯，例如γ-丁內酯。
溶劑的量以本發明光阻組合物之總量計通常為90重量%或更多，較佳為92重量%或更佳為94重量%或更多。溶劑的量以本發明光阻組合物之總量計通常為99.9重量%或更少且較佳為99重量%或更少。
只要不妨礙本發明之效果，本發明光阻組合物可含有(若需要)少量的各種添加劑，例如感光劑、溶解抑制劑、其他聚合物、表面活性劑、穩定劑及染料。
本發明光阻組合物可用於化學增幅光阻組合物。
光阻圖案可藉由下列步驟(1)至(5)來製造：
(1)將本發明光阻組合物施加至基板之步驟，
(2)藉由實施乾燥以形成光阻膜之步驟，
(3)將該光阻膜曝露於輻射之步驟，
(4)烘烤該經曝光光阻膜之步驟，及
(5)用鹼性顯影劑對該經烘烤光阻膜實施顯影、藉此形成光阻圖案之步驟。
通常使用習用裝置(例如旋塗儀)將光阻組合物施加至基板上。在施加前較佳用孔徑為0.2 μm之過濾器對光阻組合物進行過濾。基板之實例包括上面形成有感測器、電路、電晶體或諸如此類之矽晶圓或石英晶圓。
通常使用加熱裝置(例如熱板或減壓器)來形成光阻膜，且加熱溫度通常為50℃至200℃，且操作壓力通常為1 Pa至1.0*105 Pa。
使用曝光系統將所獲得之光阻膜曝露於輻射。通常藉助具有對應於預期光阻圖案之圖案之遮罩實施曝光。曝光源之實例包括在UV區域中輻射雷射光之光源，例如KrF準分子雷射(波長：248 nm)、ArF準分子雷射(波長：193 nm)及F2 雷射(波長：157 nm)；及藉由使來自固體雷射光源(例如YAG或半導體雷射)之雷射光之波長發生轉化以在遠UV區域或真空UV區域中輻射諧波雷射光的光源。
經曝光光阻膜之烘烤溫度通常為50℃至200℃，且較佳為70℃至150℃。
經烘烤光阻膜之顯影通常係使用顯影裝置來實施。所用鹼性顯影劑可為業內所用各種鹼性水溶液中之任一者。一般而言，四甲基氫氧化銨或(2-羥基乙基)三甲基氫氧化銨(俗稱「膽鹼」)之水溶液較為常用。顯影後，較佳用超純水洗滌所形成光阻圖案，且較佳去除光阻圖案及基板上殘留的水。
本發明光阻組合物提供展示良好遮罩錯誤增強因子(Mask Error Enhancement Factor)(MEEF)之光阻圖案，且因此，本發明光阻組合物適於ArF準分子雷射微影、KrF準分子雷射微影、ArF浸潤式微影、EUV(超紫外光)微影、EUV浸潤式微影及EB(電子束)微影。
實例
將藉助實例更具體地闡述本發明，該等實例不應解釋為限制本發明之範疇。
除非另有具體說明，否則用於代表下列實例及比較實例中所用任一組份含量及任一材料量的「%」及「份數」皆係以重量計。下列實例中所用任一材料之重量平均分子量皆係使用標準聚苯乙烯(由TOSOH公司製造)作為標準參照物質藉由凝膠滲透層析儀[HLC-8120GPC型，管柱(三個管柱與保護管柱)：TSKgel Multipore HXL-M(由TOSOH公司製造)，溶劑：四氫呋喃，流動速率：1.0 mL/分鐘，檢測器：RI檢測器，管柱溫度：40℃，注射體積：100 μL]來獲得。化合物結構係藉由NMR(EX-270型，由JEOL有限公司製造)來測定。
下列樹脂合成實例中所用單體為下列單體A、單體B、單體C、單體D、單體E、單體F及單體G。
樹脂合成實例1
在氮氣氛下向配備有攪拌器、冷凝器及溫度計之燒瓶中裝填24.47份單體A、43.00份單體B、4.91份單體C及63.64份單體D(莫耳比率：單體A/單體B/單體C/單體D=18/25/3/54)，並向其中添加為所有單體總份數的1.5倍份數之量的1,4-二噁烷以製備溶液。向該溶液中添加以所有單體莫耳量計為0.8莫耳%之比率的偶氮雙異丁腈作為起始劑及以所有單體莫耳量計為2.4莫耳%之比率的偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)作為起始劑，並在66℃下將所獲得之混合物加熱5小時。將所獲得之反應混合物倒入大量甲醇中以產生沉澱。分離出沉澱並用甲醇洗滌，獲得重量平均分子量為約1.1×104 且分散度為1.69之樹脂。此樹脂具有由下列代表之結構單元。此樹脂稱為樹脂A1。
樹脂合成實例2
將藉由將10.54份甲基丙烯酸2-甲基-2-金剛烷基酯、14.60份對乙醯氧基苯乙烯及3.55份甲基丙烯酸3-羥基-1-金剛烷基酯溶於47.09份1,4-二噁烷中所製得之溶液加熱至87℃。向溶液中添加2.96份偶氮雙異丁腈，並在87℃下將所得混合物攪拌6小時。將所獲得之反應混合物冷卻，且然後，倒入285.67份甲醇與122.43份離子交換水之混合物中。藉由過濾收集沉澱。將所獲得之沉澱與等量甲醇及2.93份4-二甲基胺基吡啶混合，並將所得混合物回流15小時。將所獲得之混合物冷卻且然後，用2.16份冰乙酸中和。將所獲得之混合物倒入過量的水中以產生沉澱。藉由過濾收集沉澱並溶於丙酮中。將所獲得之溶液倒入過量的水中以產生沉澱，並藉由過濾收集沉澱。重複此作業3次，獲得28.15份重量平均分子量為約3.7×103 之樹脂。此樹脂具有由下列代表之結構單元。此樹脂稱為樹脂A2。
樹脂合成實例3
在氮氣氛下向配備有攪拌器、冷凝器及溫度計之燒瓶中裝填42.00份單體E、3.14份單體A、3.03份單體C、4.44份單體F及31.85份單體G(莫耳比率：單體E/單體A/單體C/單體F/單體G=50/5/4/5.5/35.5)，並向其中添加為所有單體總份數的1.2倍份數之量的1,4-二噁烷以製備溶液。向該溶液中添加以所有單體莫耳量計為3.0莫耳%之比率的偶氮雙異丁腈作為起始劑及以所有單體莫耳量計為9.0莫耳%之比率的偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)作為起始劑，並在75℃下將所獲得之混合物加熱約5小時。將所獲得之反應混合物倒入大量的甲醇與水之混合物中以產生沉澱。分離出沉澱並用甲醇洗滌，獲得重量平均分子量為約3.6×103 且分散度為1.54之樹脂，產率為71%。此樹脂具有由下列代表之結構單元。此樹脂稱為樹脂A3。
樹脂合成實例4
在氣氛下向配備有攪拌器、冷凝器及溫度計之燒瓶中裝填40.00份單體E、2.99份單體A、3.08份單體F、28.20份單體G及4.15份單體D(莫耳比率：單體E/單體A/單體F/單體G/單體D=50/5/4/33/8)，並向其中添加為所有單體總份數的1.2倍份數之量的1,4-二噁烷以製備溶液。向該溶液中添加以所有單體莫耳量計為3.0莫耳%之比率的偶氮雙異丁腈作為起始劑及以所有單體莫耳量計為9.0莫耳%之比率的偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)作為起始劑，並在75℃下將所獲得之混合物加熱約5小時。將所獲得之反應混合物倒入大量的甲醇與水之混合物中以產生沉澱。分離出沉澱並用甲醇洗滌，獲得重量平均分子量為約3.5×103 且分散度為1.57之樹脂，產率為73%。此樹脂具有由下列代表之結構單元。此樹脂稱為樹脂A4。
合成實例1
在80℃下將50份由式(C1-1-a)代表之化合物與10份由式(C1-1-b)代表之化合物之混合物攪拌6小時。將所獲得之混合物冷卻至室溫，並向其中添加40份離子交換水。用120份乙酸乙酯萃取所得混合物。將所獲得之有機層用40份離子交換水洗滌5次，且然後，經硫酸鎂乾燥。在藉由過濾去除硫酸鎂後，濃縮所獲得之濾液，獲得9份呈黃色液體形式之由式(C1-1)代表之化合物。此化合物稱為化合物C1。1 H-NMR(CDCl3 ，內標：四甲基矽烷)：δ(ppm) 1.32-1.58(m,12H),2.31(t,2H,J=7.4 Hz),2.43(t,4H,J=4.6 Hz),3.63(t,2H,J=6.6 Hz),3.72(t,4H,J=4.6 Hz)。
合成實例2
在97℃下將47份由式(C1-2-a)代表之化合物、50份由式(C1-2-b)代表之化合物及28份離子交換水之混合物攪拌2小時。將所獲得之混合物冷卻至室溫,並向其中添加448份飽和氫氧化鈉水溶液。用186份甲基第三丁基醚萃取所得混合物。經硫酸鎂乾燥所獲得之有機層。在藉由過濾去除硫酸鎂後，濃縮所獲得之濾液。在減壓下對所獲得之殘餘物實施蒸餾，獲得63份呈無色液體形式之由式(C1-2)代表之化合物。此化合物稱為化合物C2。1 H-NMR(CDCl3 ，內標：四甲基矽烷)：δ(ppm) 1.14-1.28(m,4H),1.71-1.84(m,3H),2.09-2.22(m,2H),2.39-2.46(m,2H),2.69-2.76(m,2H),3.33-3.42(m,1H),3.64-3.78(m,4H),3.91(s,1H)。
合成實例3
在40℃下將120份由式(C1-3-a)代表之化合物與24份由式(C1-3-b)代表之化合物之混合物攪拌4小時。將所獲得之混合物冷卻至室溫，並向其中添加96份離子交換水。用288份乙酸乙酯萃取所得混合物。將所獲得之有機層用96份離子交換水洗滌5次，且然後，經硫酸鎂乾燥。在藉由過濾去除硫酸鎂後，濃縮所獲得之濾液，獲得22份呈乳白色固體形式之由式(C1-3)代表之化合物。此化合物稱為化合物C3。1 H-NMR(CDCl3 ，內標：四甲基矽烷)：δ(ppm) 1.27-1.59(m,20H),2.31(t,2H,J=7.4 Hz),2.43(t,4H,J=4.8 Hz),3.63(t,2H,J=6.6 Hz),3.72(t,4H,J=4.6 Hz)。
實例1至4及參照實例1至2
<樹脂>
樹脂A1
<酸產生劑>
B1：
<淬滅劑>
C1：化合物C1
C2：化合物C2
C3：化合物C3
X1：2,6-二異丙基苯胺
X2：N-(2-羥基乙基)嗎啉
<溶劑>
E1：丙二醇單甲基醚乙酸酯　190份
丙二醇單甲基醚　20份
2-庚酮　35份
γ-丁內酯　3份
E2：丙二醇單甲基醚乙酸酯　400份
丙二醇單甲基醚　150份
γ-丁內酯　5份
將下列組份混合並溶解以製備光阻組合物。
樹脂(種類及量闡述於表1中)
酸產生劑(種類及量闡述於表1中)
淬滅劑(種類及量闡述於表1中)
溶劑E1
將各矽晶圓用「ARC-29SR」(其為購自Nissan　Chemical Industries有限公司之有機抗反射塗層組合物)塗佈，且然後在下述條件下烘烤：205℃，60秒，以形成930厚的有機抗反射塗層。將如上製得之各光阻組合物旋塗於該抗反射塗層上，以使乾燥後所得膜之厚度變為0.11 μm。在平直熱板(direct hotplate)上在表1「PB」欄中所示溫度下對經相應光阻組合物如此塗佈之各矽晶圓實施預烘烤，持續60秒。使用ArF準分子步進機(由ASML製造之「XT:1900Gi」，NA=1.35，同軸四極，σ平面外=0.70，σ平面內=0.50，X-Y極化)對利用相應光阻膜如此形成之各晶圓實施線與間隔圖案曝光，同時逐步改變曝光品質。
曝光後，在熱板上在表1「PEB」欄中所示溫度下對各晶圓實施曝光後烘烤，持續60秒，且然後用2.38重量%的四甲基氫氧化銨水溶液實施槳式顯影(paddle development)，持續60秒。
顯影後，利用掃描電子顯微鏡觀測於有機抗反射塗層基板上顯影之各個線與間隔圖案，其結果示於表2中。
有效感光度(ES)：其表示為在曝光及顯影後42 nm的線圖案與間隔圖案變為1:1的曝光量。
線寬粗糙度(LWR)：量測在ES曝光量下線與間隔圖案之線寬並根據量測結果計算其3σ值並示於表2中。3σ值係顯示線寬變化之指標，且3σ值越小，LWR越佳。
量測於實例4及參照實例1及2中所獲得之線與間隔圖案之線圖案之高度。線與間隔圖案之線圖案之高度越接近0.11 μm(110 nm)(將光阻組合物旋塗於抗反射塗層上並乾燥所形成膜之厚度)，線與間隔圖案越佳。於實例4中所獲得之線與間隔圖案之線圖案之高度為86.4 nm，於參照實例1中所獲得之線與間隔圖案之線圖案之高度為76.7 nm，且於參照實例2中所獲得之線與間隔圖案之線圖案之高度為45.0 nm。
實例5及6
<樹脂>
樹脂A3、A4
<酸產生劑>
B1：
<淬滅劑>
C3：化合物C3
<溶劑>
E3：丙二醇單甲基醚乙酸酯　250份
丙二醇單甲基醚　20份
2-庚酮　10份
γ-丁內酯　3份
將下列組份混合並溶解以製備光阻組合物。
樹脂(種類及量闡述於表3中)
酸產生劑(種類及量闡述於表3中)
淬滅劑(種類及量闡述於表3中)
溶劑E3
將各矽晶圓用「ARC-29SR」(其為購自Nissan Chemical Industries有限公司之有機抗反射塗層組合物)塗佈，且然後在下述條件下烘烤：205℃，60秒，以形成930厚的有機抗反射塗層。將如上製得之光阻組合物旋塗於該抗反射塗層上，以使乾燥後所得膜之厚度變為0.10 μm。在平直熱板上在表3「PB」欄中所示溫度下對經光阻組合物如此塗佈之各矽晶圓實施預烘烤，持續60秒。使用ArF準分子步進機(由ASML製造之「XT:1900Gi」，NA=1.30，3/4環形，X-Y極化)，使用5個間距為110 nm且孔徑為62 nm至66 nm(其間之增量為1 nm)之光罩對利用光阻膜如此形成之各晶圓實施接觸孔圖案曝光。
曝光後，在熱板上在表3「PEB」欄中所示溫度下對各晶圓實施曝光後烘烤，持續60秒且然後用2.38重量%的四甲基氫氧化銨水溶液實施槳式顯影，持續60秒。
顯影後，利用掃描電子顯微鏡觀測於有機抗反射塗層基板上顯影之各個孔圖案，其結果示於表4中。
有效感光度(ES)：其表示為在曝光及顯影後孔圖案之孔徑變為60 nm且孔圖案之間距變為110 nm的曝光量。
聚焦深度(Focus margin)(DOF)：在ES曝光量下獲得光阻圖案，同時逐步改變焦點距離。在顯影後，觀測於有機抗反射塗層基板上顯影之各圖案並量測當獲得線寬在60 nm±5%內(約57.0 nm至63.0 nm)之圖案時的焦點距離並計算焦點距離最大值與焦點距離最小值間的差。差越大，DOF越佳。
遮罩錯誤增強因子(MEEF)：量測各孔圖案之孔徑，該等孔圖案係使用間距為110 nm且孔徑為62 nm至66 nm(其間之增量為1 nm)之遮罩在ES曝光量下曝光並顯影。MEEF表示為根據所用光罩之孔徑所獲得孔圖案之孔徑之變化。該變化越小，MEEF越好。
實例7及比較實例3
<樹脂>
樹脂A2
<酸產生劑>
B2：
<淬滅劑>
C3：化合物C3
X1：2,6-二異丙基苯胺
<溶劑>
E2：丙二醇單甲基醚乙酸酯　400份
丙二醇單甲基醚　150份
γ-丁內酯　5份
將下列組份混合並溶解以製備光阻組合物。
樹脂(種類及量闡述於表5中)
酸產生劑(種類及量闡述於表5中)
淬滅劑(種類及量闡述於表5中)
溶劑E2
在平直熱板上使各矽晶圓與六甲基二矽氮烷在90℃下接觸60秒並將如上製得之各光阻組合物旋塗於矽晶圓上以使乾燥後膜厚度為0.04 μm。在施加各光阻組合物後，在平直熱板上在表5「PB」欄中所示溫度下對經相應光阻組合物如此塗佈之各矽晶圓實施預烘烤，持續60秒。使用電子束直寫微影系統(由Hitachi有限公司製造之「HL-800D」，50 KeV)，使上面已如此形成有相應光阻膜之各晶圓暴露於線與間隔圖案，同時逐步改變曝光品質。
曝光後，在熱板上在表5「PEB」欄中所示溫度下對各晶圓實施曝光後烘烤，持續60秒，且然後用2.38重量%的四甲基氫氧化銨水溶液實施槳式顯影，持續60秒。
顯影後，利用掃描電子顯微鏡觀測於矽基板上顯影之各光阻圖案，其結果示於表6中。
解析度：各光阻圖案變為1:1線與間隔圖案的曝光量，如有效感光度一樣。當線寬為50 nm或更小之線與間隔圖案在有效感光度下顯影時，解析度良好且其評價標記為「○」，且當線寬大於50 nm之線與間隔圖案無法在有效感光度下顯影時，解析度差且其評價標記為「×」。
線邊緣粗糙度(LER)：利用掃描電子顯微鏡觀測線與間隔圖案之線寬為0.10 μm且線圖案與間隔圖案變為1:1之光阻圖案，並利用購自EUV Technology之SuMMIT軟體計算光阻圖案粗糙壁表面之最高點高度與最低點高度間的差。當差為6 nm或更小時，LER良好且其評價標記為「○」，且當差大於6 nm時，LER差且其評價標記為「×」。差越小，圖案輪廓越佳。
實例8
<樹脂>
樹脂A2
<酸產生劑>
B2：
<淬滅劑>
C3：化合物C3
<溶劑>
E2：丙二醇單甲基醚乙酸酯　400份
丙二醇單甲基醚　150份
γ-丁內酯　5份
將下列組份混合並溶解以製備光阻組合物。
樹脂(種類及量闡述於表7中)
酸產生劑(種類及量闡述於表7中)
淬滅劑(種類及量闡述於表7中)
溶劑E2
在平直熱板上使各矽晶圓與六甲基二矽氮烷在90℃下接觸60秒並將如上製得之光阻組合物旋塗於矽晶圓上以使乾燥後膜厚度為0.04 μm。在施加光阻組合物後，在平直熱板上在表7「PB」欄中所示溫度下對經相應光阻組合物如此塗佈之矽晶圓實施預烘烤，持續60秒。使用EUV(超紫外光)曝光系統，將上面已如此形成相應光阻膜之各晶圓暴露於線與間隔圖案，同時逐步改變曝光品質。
曝光後，在熱板上在表7「PEB」欄中所示溫度下對各晶圓實施曝光後烘烤，持續60秒，且然後用2.38重量%的四甲基氫氧化銨水溶液實施槳式顯影，持續60秒。
顯影後，利用掃描電子顯微鏡觀測於矽基板上顯影之圖案，其結果示於表8中。
解析度：各光阻圖案變為1:1線與間隔圖案的曝光量，如有效感光度一樣。量測在有效感光度下顯影之線與間隔圖案之線寬，且其值示於表8中。
本發明光阻組合物提供良好的光阻圖案，其具有良好的解析度及良好的圖案輪廓(例如線邊緣粗糙度、線寬粗糙度、焦距及遮罩錯誤增強因子)，且尤其適於ArF準分子雷射微影、EB微影及EUV微影。

Claims (8)

  1. 一種光阻組合物，其包含樹脂、酸產生劑及由式(I)代表之化合物，該樹脂具有酸不穩定基團且不溶或難溶於鹼性水溶液，但藉助酸的作用變得可溶於鹼性水溶液， 其中Z1 代表C7-C20伸烷基、C3-C20二價飽和環狀基團或由至少一個C1-C6伸烷基與至少一個C3-C20二價飽和環狀基團組合形成的二價基團。
  2. 如請求項1之光阻組合物，其中Z1 係C7-C20伸烷基或C3-C20二價飽和環狀基團。
  3. 如請求項1之光阻組合物，其中Z1 係C7-C12伸烷基或C6-C20二價飽和環狀基團。
  4. 如請求項1之光阻組合物，其中Z1 係辛烷-1,8-二基、十二烷-1,12-二基或環己烷-1,2-二基。
  5. 2、3或4之光阻組合物，其中該酸產生劑係由式(B1)代表之鹽： 其中Q1 及Q2 各自獨立地代表氟原子或C1-C6全氟烷基，Lb1 代表單鍵或C1-C17二價飽和烴基，該二價飽和烴基中之一個或多個亞甲基可由-O-或-CO-替代，Y代表可具有一個或多個取代基之C1-C18脂肪族烴基、或可具有一個或多個取代基之C3-C18飽和環狀烴基，且該脂肪族烴基及該飽和環狀烴基中之一個或多個亞甲基可由-O-、-CO-或-SO2 -替代，且Z+ 代表有機陽離子。
  6. 如請求項5之光阻組合物，其中Lb1 係*-CO-O-Lb2 -，其中*代表至-C(Q1 )(Q2 )-之結合位置且Lb2 代表單鍵或-CH2 -。
  7. 如請求項5之光阻組合物，其中Z+ 係三芳基鋶陽離子。
  8. 一種製造光阻圖案之方法，其包含下列步驟(1)至(5)：(1)　將如請求項1之光阻組合物施加至基板上之步驟，(2)　藉由實施乾燥以形成光阻膜之步驟，(3)　將該光阻膜曝露於輻射之步驟，(4)　烘烤該經曝光光阻膜之步驟，及(5)　用鹼性顯影劑對該經烘烤光阻膜實施顯影、藉此形成光阻圖案之步驟。
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