TWI479037B - High strength titanium foil and its manufacturing method - Google Patents

Description

高強度鈦銅箔及其製造方法

本發明係關於一種適合作為自動聚焦相機模組等之導電性彈簧材料的具備優異強度之Cu-Ti系合金箔。

於行動電話之相機透鏡部中使用有稱為自動聚焦相機模組之電子零件。行動電話之相機之自動聚焦功能係利用自動聚焦相機模組所使用之材料之彈力而使透鏡向固定方向移動，另一方面，藉由電流流過捲繞於周圍之線圈而產生之電磁力而使透鏡向與材料之彈力所作用之方向相反之方向移動。藉由此種機構而驅動相機透鏡，以發揮自動聚焦功能(例如專利文獻1、2)。

因此，對於自動聚焦相機模組中所使用之銅合金箔，需要可承受由電磁力所導致之材料變形之程度的強度。若強度低，則材料無法承受由電磁力所引起之位移而發生永久變形(老化)。若發生老化，則於流過固定之電流時，透鏡無法移動至所期望之位置而無法發揮自動聚焦功能。

於自動聚焦相機模組中，使用有箔厚0.1mm以下且具有1100MPa以上之0.2%保證應力之Cu-Ni-Sn系銅合金箔。但是，因近年之成本降低要求，而使用材料價格低於Cu-Ni-Sn系銅合金的鈦銅箔，並且其需求逐漸增加。

另一方面，鈦銅箔之強度低於Cu-Ni-Sn系銅合金箔，有發 生老化之問題，故而期望其高強度化。作為改善鈦銅之強度之技術，分別於專利文獻3中提出藉由最終再結晶退火而調整平均晶粒徑，其後，依序進行冷軋、時效處理之方法，於專利文獻4中提出於固溶處理後依序進行冷軋、時效處理、冷軋之方法，於專利文獻5中提出於進行熱軋及冷軋後，進行於750~1000℃之溫度區保持5秒~5分鐘之固溶處理，繼而，依序進行軋壓率0~50%之冷軋、300~550℃之時效處理、及軋壓率0~30%之最終冷軋，藉此調整板面中{420}之X射線繞射強度之方法，於專利文獻6中提出於特定之條件下依序進行第一固溶處理、中間軋壓、最終之固溶處理、退火、最終之冷軋、及時效處理，藉此調整軋壓面中{220}之X射線繞射強度之半高寬之方法。

[專利文獻1]日本特開2004-280031號公報

[專利文獻2]日本特開2009-115895號公報

[專利文獻3]日本專利4001491號公報

[專利文獻4]日本專利4259828號公報

[專利文獻5]日本專利特開2010-126777號公報

[專利文獻6]日本專利特開2011-208243號公報

於專利文獻3~6之實施例及比較例中，亦發現有一些1100MPa以上之0.2%保證應力之鈦銅。然而，於上述習知技術之情形時，可知若箔厚較薄為0.1mm以下，則於對材料施加荷重使其變形後去除荷重時， 會發生老化，若僅為高強度則無法用作自動聚焦相機模組等之導電性彈簧材料。

因此，本發明之目的在於提供一種適合作為自動聚焦相機模組等電子機器零件所用之導電性彈簧材料的高強度鈦銅箔。又，本發明之另一目的在於提供一種此種鈦銅箔之製造方法。

本發明人等係努力調查鈦銅箔之0.2%保證應力與老化之關係及表面粗糙度與老化之關係，結果發現0.2%保證應力越高且表面粗糙度越小，則老化量越小。本發明係以如上之見解為背景而完成者且由下進行限定。

(1)一種鈦銅箔，係含有1.5~5.0質量%之Ti，且剩餘部分由銅及不可避免之雜質構成，且與軋壓方向平行之方向上之0.2%保證應力為1100MPa以上，且與軋壓方向垂直之方向上之算術平均粗糙度(Ra)為0.1μm以下。

(2)如(1)之鈦銅箔，其中，上述0.2%保證應力為1200MPa以上。

(3)如(1)或(2)之鈦銅箔，其中，箔厚為0.1mm以下。

(4)如(1)至(3)中任一項之鈦銅箔，其含有總量為0~1.0質量%之Ag、B、Co、Fe、Mg、Mn、Mo、Ni、P、Si、Cr及Zr中之1種以上。

(5)一種鈦銅箔之製造方法，其包含：製作含有1.5~5.0質量%之Ti且剩餘部分由銅及不可避免之雜質構成之鑄錠，並對該鑄錠依序進行熱軋、冷軋，繼而依序進行於700~1000℃下5秒~30分鐘之固溶處理、軋縮率為55%以上之冷軋、於200~450℃下2~20小時之時效處理、及軋縮率 為35%以上之最終冷軋，且藉由具有0.1μm以下之算術平均粗糙度(Ra)之工作輥於最終冷軋之最終道次進行軋壓。

(6)如(5)之鈦銅箔之製造方法，其中，上述鑄錠含有總量為0~1.0質量%之Ag、B、Co、Fe、Mg、Mn、Mo、Ni、P、Si、Cr及Zr中之1種以上。

(7)一種伸銅品，其具備(1)至(4)中任一項之鈦銅箔。

(8)一種電子機器零件，其具備(1)至(4)中任一項之鈦銅箔。

(9)如(8)之電子機器零件，其中，電子機器零件為自動聚焦相機模組。

(10)一種自動聚焦相機模組，其具備透鏡；彈簧構件，其將該透鏡彈性施壓至光軸方向之初始位置；及電磁驅動手段，其產生抵抗該彈簧構件之彈壓力之電磁力而可向光軸方向驅動上述透鏡；且上述彈簧構件為(1)至(4)中任一項之鈦銅箔。

可獲得適合作為相機模組等電子機器零件所使用之導電性彈簧材料的高強度Cu-Ti系合金箔。

1‧‧‧自動聚焦相機模組

2‧‧‧磁軛

3‧‧‧透鏡

4‧‧‧磁鐵

5‧‧‧托架

6‧‧‧線圈

7‧‧‧基座

8‧‧‧框架

9a‧‧‧上側之彈簧構件

9b‧‧‧下側之彈簧構件

10a、10b‧‧‧蓋

圖1係表示本發明之自動聚焦相機模組之剖面圖。

圖2係圖1之自動聚焦相機模組之分解立體圖。

圖3係表示圖1之自動聚焦相機模組之動作之剖面圖。

圖4係表示測定老化量之方法之概略圖。

(1)Ti濃度

於本發明之鈦銅中，使Ti濃度為1.5~5.0質量%。鈦銅係藉由利用固溶處理使Ti固溶於Cu基質中，且利用時效處理使微細之析出物分散於合金中，而使強度及導電率上升。

若Ti濃度未達1.5質量%，則析出物之析出變得不足而無法獲得所期望之強度。若Ti濃度超過5.0質量%，則加工性變差，於軋壓時材料變得容易斷裂。若考慮強度及加工性之平衡，則較佳之Ti濃度為2.9~3.5質量%。

(2)其他添加元素

於本發明之鈦銅中，藉由含有總量為0~1.0質量%之Ag、B、Co、Fe、Mg、Mn、Mo、Ni、P、Si、Cr及Zr中之1種以上，可進一步提高強度。該等元素之合計含有量亦可為0、即亦可不包含該等元素。將該等元素之合計含有量之上限設為1.0質量%之原因在於：若超過1.0質量%，則加工性變差，於軋壓時材料容易斷裂。若考慮強度及加工性之平衡，則較佳為含有1種以上總量為0.005~0.5質量%之上述元素。

(3)0.2%保證應力

適合作為自動聚焦相機模組之導電性彈簧材料的鈦銅箔所需之0.2%保證應力為1100MPa以上，於本發明之鈦銅中，與軋壓方向平行之方向上之0.2%保證應力可達到1100MPa以上。本發明之鈦銅箔之0.2%保證應力於較佳之實施形態中為1200MPa以上，於更佳之實施形態中為1300MPa以上。

0.2%保證應力之上限值係就本發明之作為目標之強度方面而言並無特別限制，但花費時間及費用，故而本發明之鈦銅箔之0.2%保證 應力一般而言為2000MPa以下，普遍而言為1600MPa以下。

於本發明中，與鈦銅箔之軋壓方向平行之方向上之0.2%保證應力係依據JIS Z2241(金屬材料拉伸試驗方法)而測定。

(4)表面粗糙度(Ra)

一般而言，自動聚焦相機模組等所使用之導電性彈簧材料之箔厚為0.1mm以下。於對材料施有荷重之情形時，該應力係集中於材料之箔厚最薄之部分。若材料之表面粗糙度大、即材料之箔厚較厚之部分與較薄之部分會存在於局部，則應力集中於箔厚較薄之部分，而發生老化。另一方面，若材料之表面粗糙度較小，則即便於施有荷重於材料時，應力亦難以集中於特定之處，故而不易發生老化。

根據本發明者之研究結果，可知若將算術平均粗糙度(Ra)控制為0.1μm以下，則耐老化性顯著地提高。因此，本發明之鈦銅箔之算術平均粗糙度(Ra)為0.1μm以下，較佳為0.08μm以下，更佳為0.06μm以下。表面粗糙度之下限值係就本發明之作為目標之強度方面而言並無特別限制。然而，由於製作極小之算術平均粗糙度(Ra)係花費時間及費用，故而算術平均粗糙度(Ra)於普遍之實施形態中為0.01μm以上，於更普遍之實施形態中為0.02μm以上。

於本發明中，沿著與鈦銅箔之軋壓方向垂直之方向選取基準長度300μm之粗糙度曲線，根據該曲線依據JIS B 0601來測定算術平均粗糙度(Ra)。

(5)銅箔之厚度

於本發明之鈦銅箔之一實施形態中箔厚為0.1mm以下，於普遍之實施 形態中箔厚為0.08~0.03mm，於更普遍之實施形態中箔厚為0.05~0.03mm。

(6)製造方法

於本發明之鈦銅箔之製造製程中，首先於熔解爐將電解銅、Ti等原料熔解，獲得所期望之組成之熔融液。繼而，將該熔融液鑄造為鑄錠。為了防止鈦之氧化磨耗，較佳為熔解及鑄造係於真空中或惰性氣體環境中進行。其後，依序實施熱軋、冷軋1、固溶處理、冷軋2、時效處理、冷軋3，以精加工成具有所期望之厚度及特性之箔。

熱軋及其後之冷軋1之條件係只要以於鈦銅之製造中進行之慣例條件進行便可，無特別要求之條件。又，對於固溶處理亦可為慣例之條件，例如可於700~1000℃且5秒~30分鐘之條件下進行。

為了獲得上述之強度，較佳為將冷軋2之軋縮率規定為55%以上。更佳為60%以上，最佳為65%。若該軋縮率未達55%，則難以獲得1100MPa以上之0.2%保證應力。軋縮率之上限係就本發明之作為目標之強度方面而言未作特別規定，但工業上未超過99.8%。

時效處理之加熱溫度為200~450℃、加熱時間為2~20小時。若加熱溫度未達200℃或超過450℃，則難以獲得1100MPa以上之0.2%保證應力。若加熱時間未達2小時或超過20小時，則難以獲得1100MPa以上之0.2%保證應力。

冷軋3之軋縮率較佳為規定在35%以上。更佳為40%以上、特佳為45%以上。若該軋縮率未達35%，則難以獲得1100MPa以上之0.2%保證應力。軋縮率之上限，就本發明之作為目標之強度方面而言未作特別規定，但工業上未超過99.8%。

又，為了獲得上述之表面粗糙度，重要的是使用於冷軋3之最終道次算術平均粗糙度(Ra)為0.1μm以下、較佳為0.08μm以下、更佳為0.06μm以下之工作輥。若工作輥之算術平均粗糙度超過0.1μm，則材料之表面粗糙度容易超過0.1μm。然而，對工作輥形成極小之算術平均粗糙度(Ra)將會花費時間及費用，故而算術平均粗糙度(Ra)於普遍之實施形態中為0.01μm以上，於更普遍之實施形態中為0.02μm以上。

於本發明中，相對於長度方向、即相對於與上述材料之軋壓方向垂直之方向所對應之方向，選取基準長度400μm之粗糙度曲線，依據JIS B 0601測定工作輥之算術平均粗糙度(Ra)。

軋壓之工作輥之粗糙度越小，軋壓中之材料越容易滑動，而容易產生斷裂或捲繞偏移之類的異常，故而只要無特別之理由，軋壓中所使用之工作輥之粗糙度越大，於工業上越佳。因此，於本發明中，較佳為僅於冷軋3之最終道次使用上述算術平均粗糙度(Ra)為0.1μm以下之工作輥。

如鈦銅般，於在最終軋壓後進行熱處理、酸洗或拋光研磨之製造方法之情形時，其表面品質係依賴於拋光研磨，故而軋壓中所使用之工作輥之算術平均粗糙度(Ra)通常為0.13μm以上。因此，根據本發明者所知，習知並未進行使用如上述般之低粗糙度之工作輥。

再者，一般而言，於時效處理後，為了去除時效時生成之表面氧化皮膜，進行表面之酸洗或研磨等。於本發明中亦可於時效處理後進行表面之酸洗或研磨等。又，亦可於冷軋3之後進行低溫退火，其後為了去除在低溫退火時生成之表面氧化皮膜，亦可進行表面之酸洗或研磨等。 然而，此情形時，若研磨後之表面粗糙度並非本發明之規定範圍內則無法發揮本發明之效果。於按慣例所實施的用以去除氧化皮膜之研磨中，由於研磨所使用之拋光粗糙度較大，故而無法獲得本發明中規定之均等之平滑表面。為了藉由研磨獲得本發明中規定之表面粗糙度，需要降低拋光粗糙度等手段。

(7)用途

本發明之鈦銅箔並無限定，可較佳地用作為開關、連接器、插孔、端子、及繼電器等電子機器用零件之材料，尤其可較佳地用作為自動聚焦相機模組等電子機器零件中所使用之導電性彈簧材料。自動聚焦相機模組係於一實施形態中具備透鏡；彈簧構件，其將該透鏡彈性施壓至光軸方向之初始位置；及電磁驅動手段，其產生抵抗該彈簧構件之彈壓力之電磁力而可向光軸方向驅動上述透鏡。電磁驅動手段可例示有具備字形圓筒形狀之磁軛(yoke)；線圈，其被收容於磁軛之內周壁內側；及磁鐵，其圍繞線圈並且被收容於磁軛之外周壁內側。

圖1係表示本發明之自動聚焦相機模組之一例之剖面圖，圖2係圖1之自動聚焦相機模組之分解立體圖，圖3係表示圖1之自動聚焦相機模組之動作之剖面圖。

自動聚焦相機模組1具備：字形圓筒形狀之磁軛2；磁鐵4，其被安裝於磁軛2之外壁；托架5，其於中央位置具備透鏡3；線圈6，其被安裝於托架5；基座7，其安裝有磁軛2；框架8，其支撐基座7；2個彈簧構件9a、9b，其等於上下支撐托架5；以及2個蓋(cap)10a、10b，其等覆蓋彈簧構件9a、9b之上下方。2個彈簧構件9a、9b為相同物品，且以 相同之位置關係自上下夾持並支撐托架5，並且發揮作為向線圈6之供電路徑的功能。藉由對線圈6施加電流而使托架5向上方移動。再者，於本說明書中，適當使用上及下之用語，在表示圖1中之上下時，上表示自相機朝向被攝體之位置關係。

磁軛2為軟鐵等磁體，形成上表面部為封閉之字形的圓筒形狀，並且具有圓筒狀之內壁2a及外壁2b。於字形之外壁2b之內表面，安裝(接著)有環狀之磁鐵4。

托架5係具有底面部之圓筒形狀構造之由合成樹脂等形成之成形品，於中央位置支撐透鏡，於底面外側上接著並搭載經預先成形之線圈6。使磁軛2嵌合並組裝於矩形狀樹脂成形品之基座7之內周部，進而利用樹脂成形品之框架8固定磁軛2整體。

彈簧構件9a、9b均為外周部分別由框架8及基座7夾持而固定，內周部之均隔120°之切口槽部係嵌合於托架5，且利用熱填隙(thermal caulking)等固定。

彈簧構件9b與基座7及彈簧構件9a與框架8之間係藉由接著及熱填隙等固定，進而蓋10b係安裝於基座7之底面，蓋10a係安裝於框架8之上部，分別將彈簧構件9b夾入並固定於基座7與蓋10b之間，將彈簧構件9a夾入並固定於框架8與蓋10a之間。

線圈6之一邊之引線係通過設於托架5之內周面之槽內而向上方延伸，且焊接於彈簧構件9a。另一邊之引線係通過設於托架5底面之槽內而向下方延伸，且焊接於彈簧構件9b。

彈簧構件9a、9b係本發明之鈦銅箔之板彈簧。該彈簧構件 9a、9b具有彈性並將透鏡3彈性施壓至光軸方向之初始位置。同時，該彈簧構件9a、9b亦發揮作為向線圈6之供電路徑之作用。彈簧構件9a、9b之外周部之一處突出至外側，而發揮作為饋電端子之功能。

圓筒狀之磁鐵4係於徑向(直徑)方向被磁化，形成以字形狀磁軛2之內壁2a、上表面部及外壁2b為路徑之磁路，且於磁鐵4與內壁2a間之間隙中配置有線圈6。

彈簧構件9a、9b為相同形狀，且如圖1及2所示以相同之位置關係進行安裝，故而可抑制托架5向上方移動時之軸偏移。線圈6係於捲繞後進行加壓成形而製成，故而最終外徑之精度提高，且可容易地配置於特定之狹窄間隙中。托架5係於最下方之位置接觸基座7，於最上方之位置接觸磁軛2，故而於上下方向具備接觸機構，以防止脫落。

圖3係表示對線圈6施加電流，於自動聚焦用途中使具備透鏡3之托架移5動至上方時之剖面圖。若對彈簧構件9a、9b之饋電端子施加電源，則電流流過線圈6而於托架5作用有朝上方之電磁力。另一方面，連結之2個彈簧構件9a、9b之回復力會朝下方作用於托架5。因此，托架5之向上方之移動距離為電磁力與回復力達到平衡之位置。藉此，可藉由對線圈6施加之電流量而決定托架5之移動量。

上側彈簧構件9a係支撐托架5之上表面，下側彈簧構件9b係支撐托架5之下表面，故而回復力係於托架5之上表面及下表面均等地向下方作用，從而可將透鏡3之軸偏移抑制為較小。

因此，當托架5向上方移動時，無需利用凸緣等來引導。由於並無因引導而引起之滑動摩擦，故而托架5之移動量係純粹地由電磁力 與回復力之平衡來支配，從而可實現順利且精度良好之透鏡3之移動。藉此達成透鏡擺動較少之自動聚焦。

再者，已說明磁鐵4設為圓筒形狀，但並不限定於此，亦可分割成3個或4個部分並於徑向方向上磁化，且將其貼附並固定於磁軛2外壁2b之內表面。

[實施例]

以下將本發明之實施例與比較例一併表示，但該等係為了更良好地理解本發明及其優點而提供者，並非意欲限定發明。

將表1所示之含有合金成分且剩餘部分由銅及不可避免之雜質構成之合金作為實驗材料，調查合金成分及製造條件對0.2%保證應力及老化造成之影響。

藉由真空熔解爐熔解電解銅2.5kg，添加合金元素以獲得於表1中所記載之合金組成。將該熔融液澆鑄至鑄鐵製之鑄模中，製造厚度30mm、寬度60mm、長度120mm之鑄錠。以接下來之步驟順序對該鑄錠進行加工，製成具有表1中所記載之特定箔厚之製品試樣。

(1)熱軋：將鑄錠於950℃下加熱3小時，軋壓至厚度10mm為止。

(2)研削：藉由研磨機(grinder)去除於熱軋中生成之氧化皮。研削後之厚度為9mm。

(3)冷軋1：依軋縮率而軋壓至特定之厚度為止。

(4)固溶處理：將試樣裝入升溫至800℃之電爐中，保持5分鐘後，將試樣放入水槽進行急冷卻。

(5)冷軋2：依軋縮率而軋壓至特定之厚度為止。

(6)時效處理：於表1所示之溫度及時間、Ar環境中進行加熱。該溫度係以時效後之拉伸強度成為最大之方式進行選擇。

(7)酸洗、拋光研磨：為了去除於時效處理生成之氧化皮，於15vol%硫酸-1.5vol%過氧化水溶液中進行拋光研磨。

(8)冷軋3：軋壓至表1所示之箔厚為止。進而軋壓之最終道次係使用表1所示之粗糙度的工作輥。

對製成之製品試樣進行接下來之評價。

(a)0.2%保證應力

使用拉伸試驗機根據上述測定方法測定與軋壓方向平行之方向之0.2%保證應力。

(b)表面粗糙度

箔表面之算術平均粗糙度(Ra)係藉由Lasertec公司製造之共焦(Confocal)顯微鏡HD-100，利用上述測定方法而求出。測定係相對於軋壓方向垂直地進行。

(c)老化

以長度方向成為軋壓平行方向之方式選取寬度10mm之短條試樣，如圖4，將試樣之一端固定，使將前端加工為刀刃(knife edge)之打孔機以1mm/min之移動速度抵壓於距離該固定端L之位置，於對試樣賦予距離d之撓曲後，使打孔機返回至初始之位置並卸載。卸載後，求出老化量δ。

試驗條件係於試樣之箔厚為0.05mm以下之情形時L=3mm、d=2mm，於箔厚大於0.05mm之情形時L=5mm、d=4mm。又，老化量係以 0.01mm之解析力測定，於未檢測出老化之情形時記為<0.01mm。

工作輥之算術平均粗糙度(Ra)係使用接觸式粗糙度測定機，利用上述測定方法而求出。

於表1中表示試驗結果。對於未實施冷軋3之情形係記載為「無」。

本發明之規定範圍內之發明例1~32可獲得0.2%保證應力為1100MPa以上且表面粗糙度為0.1μm以下，其等之老化量較小為0.1mm以下，且可獲得良好之特性。

冷軋2之軋縮率未達55%之比較例1及2、時效處理之溫度為200~450℃之範圍外之比較例3及4、時效處理之時間為2~20小時之範圍外之比較例5及6、冷軋3之軋縮率未達35%之比較例7及8係0.2%保證應力未達1100MPa，且其等之老化量超過0.1mm。

於冷軋3之最終道次使用有粗糙度超過0.1μm之工作輥之比較例9~11之表面粗糙度Ra係超過0.1μm，其等之老化量係超過0.1mm。

Ti濃度未達1.5質量%之比較例12之0.2%保證應力為未達1100MPa，其老化量超過0.1mm。另一方面，Ti濃度超過5.0質量%之比較例13、除Ti以外之添加元素之總量超過1.0質量%之比較例14係於軋壓中發生斷裂而無法進行評價。

又，於時效處理後進行酸洗及拋光研磨後未進行冷軋3之比較例15之0.2%保證應力未達1100MPa，表面粗糙度超過0.1mm，且其老化量超過0.1mm。

Claims (8)

1. 一種鈦銅箔，係含有1.5~5.0質量%之Ti，且含有總量為0~1.0質量%之Ag、B、Co、Fe、Mg、Mn、Mo、Ni、P、Si、Cr及Zr中之1種以上，剩餘部分由銅及不可避免之雜質構成，且與軋壓方向平行之方向上之0.2%保證應力為1100MPa以上，與軋壓方向垂直之方向上之算術平均粗糙度(Ra)為0.1μm以下。
2. 如申請專利範圍第1項之鈦銅箔，其中，上述0.2%保證應力為1200MPa以上。
3. 如申請專利範圍第1或2項之鈦銅箔，其中，箔厚為0.1mm以下。
4. 一種鈦銅箔之製造方法，其包含：製作含有1.5~5.0質量%之Ti，含有總量為0~1.0質量%之Ag、B、Co、Fe、Mg、Mn、Mo、Ni、P、Si、Cr及Zr中之1種以上，且剩餘部分由銅及不可避免之雜質構成的鑄錠，並依序對該鑄錠進行熱軋、冷軋，繼而，依序進行於700~1000℃下5秒~30分鐘之固溶處理、軋縮率55%以上之冷軋、於200~450℃下2~20小時之時效處理、軋縮率35%以上之最終冷軋，並且藉由具有0.1μm以下之算術平均粗糙度(Ra)之工作輥而於最終冷軋之最終道次進行軋壓。
5. 一種伸銅品，其具備申請專利範圍第1至3項中任一項之鈦銅箔。
6. 一種電子機器零件，其具備申請專利範圍第1至3項中任一項之鈦銅箔。
7. 如申請專利範圍第6項之電子機器零件，其中，電子機器零件為自動聚焦相機模組。
8. 一種自動聚焦相機模組，係具備透鏡；彈簧構件，其將該透鏡彈性施壓至光軸方向之初始位置；及電磁驅動手段，其產生抵抗該彈簧構件之彈 壓力之電磁力而可向光軸方向驅動上述透鏡；且上述彈簧構件為申請專利範圍第1至3項中任一項之鈦銅箔。