JP5490439B2 - 電子部品用チタン銅の製造方法 - Google Patents
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Description
Tiが2質量%未満ではチタン銅本来の変調構造の形成による強化機構を充分に得ることができないことから十分な強度が得られず、逆に4質量%を超えると粗大なTiCu3が析出し易くなり、強度及び曲げ加工性が劣化する傾向にある。従って、本発明に係る銅合金中のTiの含有量は2.0〜4.0質量%であり、好ましくは2.7〜3.5質量%である。このようにTiの含有量を適正化することで、電子部品用に適した強度及び曲げ加工性を共に実現することができる。
第3元素は結晶粒の微細化に寄与するため、所定の第3元素を添加することができる。具体的には、Tiが十分に固溶する高い温度で溶体化処理をしても結晶粒が容易に微細化し、強度が向上しやすい。また、第3元素は変調構造の形成を促進する。更に、TiCu3の析出を抑制する効果もある。そのため、チタン銅本来の時効硬化能が得られるようになる。
本発明に係る銅合金は、先述した特許文献1〜4に記載されているような公知のチタン銅の製造方法に所定の改変を加えることで製造可能である。すなわち、最終溶体化処理の後、冷間圧延前に予めスピノーダル分解を起こすことのできる熱処理を行うことである。
一方、本発明では、最終の溶体化処理後に熱処理を入れ、予めスピノーダル分解を起こし、その後に、従来レベルの冷間圧延、従来レベルの時効処理あるいはそれより低温・短時間の時効処理を行うことでチタン銅の高強度化を図る。
溶体化処理後のチタン銅を熱処理すると、スピノーダル分解の進行に伴い導電率が上昇するので、本発明では、適切な熱処理の度合を熱処理の前後での導電率の変化を指標として規定することとした。本発明者の研究によれば、熱処理は導電率が0.5〜8%IACS上昇する条件で行うのが好ましい。なお、β’相やβ相は少量析出する程度であれば問題ないが、多量に析出すると本発明の意図する強度向上効果が得られなくなったり、強度が高くても負け加工性が顕著に悪化したりするので、より好ましくは1〜4%IACS上昇させるような条件で行うのが望ましい。このような導電率の上昇に対応する具体的加熱条件は、材料温度300〜700℃として0.001〜12時間加熱する条件である。
・材料温度300℃以上400℃未満として0.5〜3時間加熱
・材料温度400℃以上500℃未満として0.01〜0.5時間加熱
・材料温度500以上600℃未満として0.005〜0.01時間加熱
・材料温度600℃以上700℃未満として0.001〜0.005時間加熱
・材料温度400℃以上450℃未満として0.25〜0.5時間加熱
・材料温度450℃以上500℃未満として0.01〜0.25時間加熱
・材料温度500℃以上550℃未満として0.0075〜0.01時間加熱
・材料温度550℃以上600℃未満として0.005〜0.0075時間加熱
・材料温度600℃以上650℃未満として0.0025〜0.005時間加熱
1)インゴット製造工程
溶解及び鋳造によるインゴットの製造は、基本的に真空中又は不活性ガス雰囲気中で行う。溶解において添加元素の溶け残りがあると、強度の向上に対して有効に作用しない。よって、溶け残りをなくすため、FeやCr等の高融点の添加元素は、添加してから十分に攪拌したうえで、一定時間保持する必要がある。一方、TiはCu中に比較的溶け易いので第3元素群の溶解後に添加すればよい。従って、Cuに、Mn、Fe、Mg、Co、Ni、Cr、V、Nb、Mo、Zr、Si、B及びPよりなる群から選択される1種又は2種以上を合計で0〜0.50質量%含有するように添加し、次いでTiを2.0〜4.0質量%含有するように添加してインゴットを製造する。
ここでは凝固偏析や鋳造中に発生した晶出物をできるだけ無くすことが望ましい。後の溶体化処理において、第二相粒子の析出を微細かつ均一に分散させる為であり、混粒の防止にも効果があるからである。
インゴット製造工程後には、900〜970℃に加熱して3〜24時間均質化焼鈍を行った後に、熱間圧延を実施するのが好ましい。液体金属脆性を防止するために、熱延前及び熱延中は960℃以下とし、且つ、元厚から全体の加工度が90%までのパスは900℃以上とするのが好ましい。そして、パス毎に適度な再結晶を起こしてTiの偏析を効果的に低減するために、パスごとの圧下量を10〜20mmで実施するとよい。
その後、冷延と焼鈍を適宜繰り返してから溶体化処理を行うのが好ましい。ここで予め溶体化を行っておく理由は、最終の溶体化処理での負担を軽減させるためである。すなわち、最終の溶体化処理では、第二相粒子を固溶させるための熱処理ではなく、既に溶体化されてあるのだから、その状態を維持しつつ再結晶のみ起こさせればよいので、軽めの熱処理で済む。具体的には、第一溶体化処理は加熱温度を850〜900℃とし、2〜10分間行えばよい。そのときの昇温速度及び冷却速度においても極力速くし、第二相粒子が析出しないようにするのが好ましい。
最終の溶体化処理前の中間圧延における加工度を高くするほど、最終の溶体化処理における第二相粒子が均一かつ微細に析出する。但し、加工度をあまり高くして最終の溶体化処理を行うと、再結晶集合組織が発達して、塑性異方性が生じ、プレス整形性を害することがある。従って、中間圧延の加工度は好ましくは70〜99%ある。加工度は{((圧延前の厚み−圧延後の厚み)/圧延前の厚み)×100%}で定義される。
最終の溶体化処理では、析出物を完全に固溶させることが望ましいが、完全に無くすまで高温に加熱すると、結晶粒が粗大化するので、加熱温度は第二相粒子組成の固溶限付近の温度とする(Tiの添加量が2.0〜4.0質量%の範囲でTiの固溶限が添加量と等しくなる温度は730〜840℃であり、例えばTiの添加量が3質量%では800℃程度)。そしてこの温度まで急速に加熱し、冷却速度も速くすれば粗大な第二相粒子の発生が抑制される。また、固溶温度での加熱時間は短い程、結晶粒が微細化する。従って、材料を730〜840℃のTiの固溶限が添加量よりも大きくなる温度で0.5〜3分加熱した後に水冷するのが好ましい。
最終の溶体化処理の後、熱処理を行う。熱処理の条件は先述した通りである。
上記熱処理後、最終の冷間圧延を行う。最終の冷間加工によってチタン銅の強度を高めることができる。この際、加工度が10%未満では充分な効果が得られないので加工度を10%以上とするのが好ましい。但し、加工度が高いほど次の時効処理で粒界析出が起こり易いので、加工度を50%以下、より好ましくは25%以下とする。
最終の冷間圧延の後、時効処理を行う。時効処理の条件は慣用の条件でよいが、時効処理を従来に比べて軽めに行うと、強度と曲げ加工性のバランスが更に向上する。具体的には、時効処理は材料温度300〜400℃で3〜12時間加熱の条件で行うのが好ましい。
・材料温度300℃以上320℃未満として7〜12時間加熱
・材料温度320℃以上340℃未満として6〜11時間加熱
・材料温度340℃以上360℃未満として5〜8時間加熱
・材料温度360℃以上380℃未満として4〜7時間加熱
・材料温度380℃以上400℃以下として3〜6時間加熱
・材料温度300℃以上320℃未満として8〜11時間加熱
・材料温度320℃以上340℃未満として7〜10時間加熱
・材料温度340℃以上360℃未満として6〜7時間加熱
・材料温度360℃以上380℃未満として5〜6時間加熱
・材料温度380℃以上400℃以下として4〜5時間加熱
本発明に係る製造方法によって得られる銅合金は一実施形態において、以下の特性を兼備することができる。
(A)圧延平行方向の0.2%耐力が900〜1250MPa
(B)BadwayのW曲げ試験を行って割れの発生しない最小半径(MBR)の板厚(t)に対する比であるMBR/t値が0.5〜2.5
(A)圧延平行方向の0.2%耐力が900〜1050MPa
(B)BadwayのW曲げ試験を行って割れの発生しない最小半径(MBR)の板厚(t)に対する比であるMBR/t値が0.5〜2.0
(A)圧延平行方向の0.2%耐力が1050〜1250MPa
(B)BadwayのW曲げ試験を行って割れの発生しない最小半径(MBR)の板厚(t)に対する比であるMBR/t値が1.5〜2.5
本発明に係る銅合金は種々の板厚の伸銅品に加工することができ、各種の電子部品の材料として有用である。本発明に係る銅合金は特に高い寸法精度が要求される小型のばね材として優れており、限定的ではないが、スイッチ、コネクター、ジャック、端子、リレー等の材料として好適に使用することができる。
本発明例の銅合金を製造するに際しては、活性金属であるTiが第2成分として添加されるから、溶製には真空溶解炉を用いた。また、本発明で規定した元素以外の不純物元素の混入による予想外の副作用が生じることを未然に防ぐため、原料は比較的純度の高いものを厳選して使用した。
<強度>
引張方向が圧延方向と平行になるように、プレス機を用いてJIS13B号試験片を作製した。JIS−Z2241に従ってこの試験片の引張試験を行ない、圧延平行方向の0.2%耐力(YS)を測定した。
<曲げ加工性>
JIS H 3130に従って、Badway(曲げ軸が圧延方向と同一方向)のW曲げ試験を行って割れの発生しない最小半径(MBR)の板厚(t)に対する比であるMBR/t値を測定した。
<導電率>
JIS H 0505に準拠し、4端子法で導電率(%IACS)を測定した。
No.3は熱処理を行わずに時効処理を低温で行った比較例である。これに対して、熱処理を加えたNo.5の場合、強度が向上することが分かり、しかも、No.5は時効処理を低温で行ったため、強度と曲げ加工性が高い次元で両立できている。一方、熱処理を行わずに時効処理を高温で行ったNo.4の場合には、高強度が得られない上に、曲げ加工性が悪くなってしまう。すなわち、熱処理を行わずに時効処理のみでは高強度は得られないことがわかる。
No.6は、発明例ではあるが、時効処理の温度を低くし過ぎた例である。No.7は熱処理時の加熱温度をできるだけ高くした発明例である。No.8は熱処理時の加熱温度をできるだけ低くした発明例である。
No.9は熱処理の加熱温度が高すぎた比較例であり、No.10は熱処理の加熱温度が低すぎた比較例である。
No.11は熱処理による導電率の上昇度合いを大きくした発明例である。No.12及びNo.13は熱処理による導電率の上昇度合いが大きすぎた比較例である。強度は向上したが、曲げ加工性が極端に悪くなった。
No.14と15は第三元素を添加した系での本発明の効果を示したものである。
No.16と17は異なる第三元素を添加した系での本発明の効果を示したものである。
Claims (6)
- Tiを2.0〜4.0質量%含有し、第3元素群としてMn、Fe、Mg、Co、Ni、Cr、V、Nb、Mo、Zr、Si、B及びPよりなる群から選択される1種又は2種以上を合計で0〜0.5質量%含有し、残部銅及び不可避的不純物からなる電子部品用銅合金の製造方法であって、最終の溶体化処理後に、冷間圧延を行わずに導電率を0.5〜8%IACS上昇させる熱処理を行い、冷間圧延、及び時効処理を順に行うことを含む製造方法。
- Tiを2.0〜4.0質量%含有し、第3元素群としてMn、Fe、Mg、Co、Ni、Cr、V、Nb、Mo、Zr、Si、B及びPよりなる群から選択される1種又は2種以上を合計で0〜0.5質量%含有し、残部銅及び不可避的不純物からなる電子部品用銅合金の製造方法であって、最終の溶体化処理の後、冷間圧延を行わずに熱処理、冷間圧延、及び時効処理を順に行い、熱処理は材料温度300〜700℃で0.001〜12時間加熱することにより導電率を0.5〜8%IACS上昇させることを含む製造方法。
- 時効処理は材料温度300〜400℃で3〜12時間加熱の条件で行う請求項1又は2に記載の製造方法。
- 熱処理は材料温度400〜650℃で0.0025〜0.5時間加熱の条件で行い、時効処理は材料温度300〜400℃で3〜12時間加熱の条件で行う請求項1又は2に記載の製造方法。
- 請求項1〜4の何れか一項記載の方法によって銅合金を製造する工程と、該銅合金を加工する工程を含む電子部品の製造方法。
- 電子部品がコネクターである請求項5に記載の製造方法。
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