JPH04259828A - 光パワーメータ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光パワーメータに関し
、特に円盤状記録媒体に光学的に各種情報を記録・再生
、または再生のみを行う光ディスク装置のピックアップ
、および、その光源である半導体レーザの光出力を測定
する光パワーメータに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の測定器は図７に示すよう
に、まず、ピックアップ１４の対物レンズ駆動装置１３
の対物レンズ１２の上部に、本体１９にケーブル１５に
よってジョイントされたヘッド２１を配置する。この時
、ヘッド２１は図８に示すように、その中央に受光素子
２２が設けられている。そこで、本体１９の出力表示部
２０を参照しながら、その出力が最大になるポイント、
すなわち対物レンズ１２からの全光量を受光素子２２が
受光するポイントを、対物レンズ１２の光軸に直交する
面内においてヘッド２１を移動することにより捜し出し
、その時の出力表示部２０の値を出射パワーとして測定
していた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の測定器
では、ピックアップ１４の対物レンズ駆動装置１３から
の出射パワーを測定するために、ヘッド２１を対物レン
ズ１２の光軸に直交する面内において移動させて、最大
パワーが検出される位置を捜し出すが、その際、対物レ
ンズ駆動装置１３から出射した光束は、ヘッド２１の受
光素子２２の受光面により表面反射を起こす。そして、
その反射光は再び対物レンズ１２を透過し、最終的には
ピックアップの光源である半導体レーザにまで達する。 その時、半導体レーザは、この戻り光の影響を受けて光
励起されてその出射パワーを増大させるため、正確な出
射パワーの測定ができない。

【０００４】また、半導体レーザをオートパワーコント
ロール（以下ＡＰＣという）駆動により発光させるよう
な場合には次のような問題点がある。まず、半導体レー
ザをＡＰＣ駆動させる場合には、図９に示すように、そ
の内部に内蔵された受光素子（ＰＤ）２４が捕らえた電
流をフィードバック回路により制御して行うが、上述し
た戻り光の影響があると、受光素子２４にもその光量が
回り込み、正確なフィードバック制御を行うことができ
ないばかりでなく、この戻り光の光量が受光素子２４を
飽和させてしまう程大きい場合には、フィードバック回
路の検出系はみかけ上、半導体レーザ（ＬＤ）２３が設
定されたパワーを発光していないとみなし、半導体レー
ザ２３に電流を無制限に流し込むため、その過電流によ
り半導体レーザ２３を破壊してしまうという問題点があ
った。

【０００５】本発明の目的は、半導体レーザおよびそれ
を光源として用いたピックアップの出射パワーの測定を
正確に行うことができるばかりでなく、半導体レーザを
ＡＰＣ駆動させている場合に、半導体レーザを破壊する
ことなく出射パワーの測定を行うことができる光パワー
メータを提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、ヘッドと、前
記ヘッドに設けられた第１の受光素子と、前記ヘッドと
ケーブルにより結合された本体と、前記第１の受光素子
からの出力を表示する、前記本体に設けられた第１の出
力表示部とを備える光パワーメータにおいて、前記ヘッ
ドの前記第１の受光素子の外周部に設けられた第１のネ
ジ部と、前記第１のネジ部に螺合する第２のネジ部を有
するアダプタと、前記アダプタの受光面に設けられた窓
部と、前記アダプタの内部に設けられた偏光ビームスプ
リッタと、前記偏光ビームスプリッタの、第１の受光素
子と相対する面に接合された第１のλ／４板と、前記偏
光ビームスプリッタの、Ｓ偏光成分の出射面に接合され
た第２のλ／４板と、前記第２のλ／４板に接合された
第２の受光素子と、前記第２の受光素子からの出力を表
示する、前記本体に設けられた第２の出力表示部とを有
することを特徴としている。

【０００７】また、本発明は、前記偏光ビームスプリッ
タの、Ｓ偏光成分の出射面であり、かつ前記第２のλ／
４板が接合されていない面に設けられた第３の受光素子
を有し、前記第３の受光素子からの出力を前記第１の受
光素子からの出力に加算して前記第１の出力表示部に表
示することを特徴としている。

【０００８】

【実施例】次に、本発明の実施例について、図面を参照
して説明する。

【０００９】図１は本発明の一実施例を示す構成図、図
２は本発明の一実施例の偏光ビームスプリッタを示す図
、図３は本発明の一実施例のＡ方向矢視図である。

【００１０】本体１６には受光素子３および９にそれぞ
れ対応した出力表示部１７および１８があり、本体１６
とヘッド１はケーブル１５によってジョイントされてい
る。ヘッド１の上部には第１の受光素子３が配置されて
おり、また、その外周部には螺合する第１のネジ部２を
有している。

【００１１】第１のネジ部２に対応する第２のネジ部５
を有するアダプタ４の内部には、図２に示すような偏光
ビームスプリッタ６が配置されている。また、この偏光
ビームスプリッタ６には２枚のλ／４板７および８と受
光素子９が接合されており、アダプタ４はヘッド１に対
して着脱可能な構成となっている。また、アダプタ４の
受光面には窓部１０が設けられている。

【００１２】次に、本実施例の動作について説明する。

【００１３】図４は偏光ビームスプリッタの特性を説明
するための図、図５は本発明の一実施例の使用状態を示
す図である。

【００１４】まず、ピックアップ１４からの出射パワー
を測定する場合で、あまり正確にそのパワー測定を行わ
なくても構わない場合、すなわち、ピックアップ１４か
らある一定以上のパワーが出射されていることを確認す
る場合や、極端な場合として半導体レーザの発光確認だ
けでよいというような場合には、ヘッド１にアダプタ４
を装着しないで従来例のように測定を行う。

【００１５】次に、ピックアップ１４からの出射パワー
を正確に測定する場合や、半導体レーザをＡＰＣ駆動し
ているときに出射パワーを測定する場合には、図５に示
すようにヘッド１にアダプタ４を装着してピックアップ
の対物レンズ１２の上部に配置する。この時、ヘッド１
に内蔵された偏光ビームスプリッタ６はその特性として
図４に示すようにＰ偏光を１００％透過し、Ｓ偏光を１
００％反射するような偏光特性を持ち、さらに、２枚の
λ／４板７および８により光アイソレータを構成してい
るため、ピックアップ１４からの出射光が偏光ビームス
プリッタ６に対してＰ偏光に相当する光束として入射す
るように設定する。

【００１６】この設定にあたっては、偏光ビームスプリ
ッタ６に入射した光束がすべてＰ偏光に相当するように
、すなわち、Ｓ偏光に相当する光量が最小になるように
ヘッド１を対物レンズ１２の光軸に直交する面内におい
て回転させればよいが、この回転位置を決定するために
は、受光素子９からの出力を本体の出力表示部１８を参
照して、その表示が最小になる位置を決定すればよい。

【００１７】偏光ビームスプリッタ６を透過した光束は
、λ／４板７を透過して円偏光となり、ヘッド１の受光
素子３からの出力を本体１６の出力表示部１７に表示さ
せることにより測定を完了する。

【００１８】ここで、従来例との相違点は、受光素子３
の表面反射による戻り光が、再びλ／４板７を透過して
偏光ビームスプリッタ６に入射する際、対物レンズ１２
出射後の光束と偏光の方位角が９０°となるＳ偏光とし
て入射し、今度は偏光ビームスプリッタ６のλ／４板８
が接合された面と対向する面から出射され、半導体レー
ザに戻り光は到達しないため、測定に影響を与えないこ
とである。

【００１９】また、λ／４板８の機能としては、ヘッド
１の上述した回転位置決定の際に、次のような役割を果
たす。まず、ピックアップ１４の対物レンズを出射した
光束が偏光ビームスプリッタ６にＳ偏光成分を伴って入
射した場合、図４に示すように偏光ビームスプリッタ６
の誘電体多層膜をコートした接合面によって、Ｐ偏光成
分は１００％透過し、また、Ｓ偏光成分は１００％反射
され、さらに、このＳ偏光成分はλ／４板８を透過して
受光素子９に達する。この時、やはり受光素子９の表面
反射により反射光がλ／４板８を再び透過し、偏光ビー
ムスプリッタ６に入射するが、今度はＰ偏光成分となっ
て接合面を透過し、偏光ビームスプリッタ６の外部に出
射するため、半導体レーザ側に戻り光として影響を与え
ないという効果がある。

【００２０】図６は本発明の他の実施例を示す図である
。先に述べた実施例の場合、偏光ビームスプリッタ６か
ら外部に数％の光束が出射されるが、この光束を捕らえ
るために、受光素子２５を偏光ビームスプリッタ６に接
合する。そして受光素子２５の出力を受光素子３の出力
に加算して本体１６の出力表示部１７に表示させること
により、より一層の検出精度を向上させることができる
。

【００２１】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、パワーメ
ータのヘッドに偏光ビームスプリッタとλ／４板からな
るアダプタを設けることにより、半導体レーザへの戻り
光を除去して正確に半導体レーザの出射パワーの測定を
行うことができるばかりでなく、半導体レーザをＡＰＣ
駆動させている場合に、半導体レーザを破壊することな
く出射パワーの測定を行うことができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す構成図である。

【図２】本発明の一実施例の偏光ビームスプリッタを示
す図である。

【図３】本発明の一実施例のＡ方向矢視図である。

【図４】偏光ビームスプリッタの特性を説明するための
図である。

【図５】本発明の一実施例の使用状態を示す図である。

【図６】本発明の他の実施例を示す図である。

【図７】従来のパワーメータの構成および使用状態を示
す図である。

【図８】従来のパワーメータのヘッド部分の構成を示す
図である。

【図９】半導体レーザの構成図である。

【符号の説明】

１，２１　　ヘッド ２　　第１のネジ部 ３　　第１の受光素子 ４　　アダプタ ５　　第２のネジ部 ６　　偏光ビームスプリッタ ７　　第１のλ／４板 ８　　第２のλ／４板 ９　　第２の受光素子 １０　　窓部 １２　　対物レンズ １３　　対物レンズ駆動装置 １４　　ピックアップ １５　　ケーブル １６，１９　　本体 １７　　第１の出力表示部 １８　　第２の出力表示部 ２０　　出力表示部 ２２，２４，２５　　受光素子 ２３　　半導体レーザ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ヘッドと、前記ヘッドに設けられた第１の
   受光素子と、前記ヘッドとケーブルにより結合された本
   体と、前記第１の受光素子からの出力を表示する、前記
   本体に設けられた第１の出力表示部とを備える光パワー
   メータにおいて、前記ヘッドの前記第１の受光素子の外
   周部に設けられた第１のネジ部と、前記第１のネジ部に
   螺合する第２のネジ部を有するアダプタと、前記アダプ
   タの受光面に設けられた窓部と、前記アダプタの内部に
   設けられた偏光ビームスプリッタと、前記偏光ビームス
   プリッタの、第１の受光素子と相対する面に接合された
   第１のλ／４板と、前記偏光ビームスプリッタの、Ｓ偏
   光成分の出射面に接合された第２のλ／４板と、前記第
   ２のλ／４板に接合された第２の受光素子と、前記第２
   の受光素子からの出力を表示する、前記本体に設けられ
   た第２の出力表示部とを有することを特徴とする光パワ
   ーメータ。
2. 【請求項２】請求項１記載の光パワーメータにおいて、
   前記偏光ビームスプリッタの、Ｓ偏光成分の出射面であ
   り、かつ前記第２のλ／４板が接合されていない面に設
   けられた第３の受光素子を有し、前記第３の受光素子か
   らの出力を前記第１の受光素子からの出力に加算して前
   記第１の出力表示部に表示することを特徴とする光パワ
   ーメータ。