TWI477405B - 影像抹除設備及影像抹除方法 - Google Patents

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TWI477405B
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Tomomi Ishimi
Shinya Kawahara
Toshiaki Asai
Yoshihiko Hotta
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Description

影像抹除設備及影像抹除方法
本發明涉及影像抹除設備及影像抹除方法，其將雷射光掃描到熱可逆記錄介質上以抹除記錄在該熱可逆記錄介質上的影像。
在相關領域已知這樣的影像抹除設備，該影像抹除設備使橫截面為線形的雷射光在寬度方向上偏向(deflect)，將偏向的雷射光掃描到熱可逆記錄介質上以抹除記錄在熱可逆記錄介質上的影像(參見，例如專利文獻1：JP2011-104995A)。
然而，在該專利文獻1中，當照射到熱可逆記錄介質的線形雷射光的雷射光入射角變化時，照射到熱可逆記錄介質上的能量密度變化，因此要均勻地抹除記錄到熱可逆記錄介質上的影像是困難的。
根據本發明，提供一種在記錄影像的熱可逆介質上掃描雷射光的影像抹除設備，該影像抹除設備包括：一光源，該光源發出截面是線形的雷射光；複數個光學元件，該等光學元件將該光源發出的雷射光轉化為在寬度方向上會聚的會聚光，以發出該會聚光；以及一掃描單元，該掃描單元在寬度方向偏向從該等光學元件發出的該雷射光，以將該偏向的雷射光掃描該熱可逆記錄介質上。
本發明使在熱可逆記錄介質上均勻地抹除影像記錄成為可能。
1‧‧‧LD陣列
2‧‧‧寬度方向平行化單元
3‧‧‧柱面透鏡
4‧‧‧球面透鏡
5‧‧‧掃描單元
5a‧‧‧在α方向延伸的軸
6‧‧‧球面透鏡
7‧‧‧長度方向光分佈均勻化單元
8‧‧‧柱面透鏡
9‧‧‧寬度方向會聚單元
10‧‧‧熱可逆記錄介質
15‧‧‧透鏡
17、19‧‧‧照射能量總額控制單元
81‧‧‧IC晶片
82‧‧‧天線
85‧‧‧RF-ID標籤
100‧‧‧熱可逆記錄介質
101‧‧‧載體
102‧‧‧第一熱可逆記錄層
103‧‧‧光熱轉換層
104‧‧‧第二熱可逆記錄層
105‧‧‧第一氧阻擋層
106‧‧‧第二氧阻擋層
107‧‧‧紫外線吸收層
108‧‧‧背層
1000、2000‧‧‧影像抹除設備
AS‧‧‧角度感測器
DS‧‧‧測距感測器
PA‧‧‧輸出調節裝置
TS‧‧‧測溫感測器
第1A圖至第1C圖是示意性橫截面圖，闡明本發明的熱可逆記錄介質的層結構的一個實例(第一到第三部分)；第2A圖是闡明熱可逆記錄介質的顏色形成-顏色抹除特徵的曲線圖，同時第2B圖是顯示熱可逆記錄介質的顏色形成-顏色抹除變化的機制的示意性說明圖；第3A圖和第3B圖是本發明影像抹除設備之實例的第一部分和第二部分圖解；第4A圖和第4B圖是本發明影像抹除設備之另一個實例的第一部分和第二部分圖解；第5圖是闡明本發明的線形光束形狀和雷射光掃描方法的圖式；第6A圖是顯示在本發明第一實施例中熱可逆記錄介質的中心部分和邊緣部分的抹除特徵的圖式，同時第6B圖是圖解在第一對照範例中熱可逆記錄介質的中心部分和邊緣部分的抹除特徵的圖式；第7圖是闡明雷射光掃描跳躍(jumping)(沒有照射雷射光的雷射光掃描)的圖式；第8圖是圖解無線射頻辨識標籤(RF-ID tag)之實施例的示意性說明圖；第9A圖和第9B圖是描述在對照實施例中偏向線形光束時照射在熱可逆記錄介質上之光束寬度的圖(第一和第二部分)；以及第10圖是描述在本發明一實施方式中偏向線形光束時照射在熱可逆記錄介質上之光束寬度的圖。
(影像抹除設備和影像抹除方法)
本發明影像抹除設備至少包括：光源，該光源發出橫截面為線形的雷射光；光學元件；以及掃描單元，必要時，進一步包括照射能量控制單元和其它單元。
本發明的影像抹除方法至少包括轉換步驟和掃描步驟，必要時，包括其它步驟。
根據本發明的影像抹除設備及影像抹除方法，從光源發出橫截面為線 形的雷射光被轉換為在寬度方向上會聚的會聚光，轉換為會聚光的雷射光在寬度方向上偏向，從而將偏向的會聚光掃描到熱可逆記錄介質上以抹除記錄在熱可逆記錄介質上的影像記錄。
本發明的影像抹除方法使其可能配備有本發明的影像抹除設備，可由該等光學元件執行的轉換步驟，可由該掃描單元執行的掃描步驟，可由其它單元執行的其它的步驟。
光源
作為一實例，光源發出橫截面為線形的雷射光，該光源是一維雷射器陣列，其包括在單軸(mono-axis)方向(一維地對準的)佈置的多個半導體雷射器。
該一維雷射器陣列較佳包括3到300個半導體雷射器，更佳包括10到100個半導體雷射器。
當半導體雷射器的數量較少時，要提高照射功率可能會是不可能的，而當數量太多時，用於冷卻一維雷射器陣列的大型冷卻裝置可能變得必要。
一維雷射器陣列的發光單元的縱向長度，沒有特別的限制，可以根據它們的用途適當地選擇，較佳為1毫米至50毫米，更佳為3毫米和15毫米。當一維雷射器陣列的發光單元的縱向長度小於1毫米時，要提高照射功率可能變得不可能，而當它超過50毫米時，用於冷卻一維雷射器陣列的大型冷卻裝置可能變得必要，從而使該裝置的成本可能被增加。
在這裡，一維雷射器陣列的發光單元指的是在一維雷射器陣列中正在有效地且實際上發光的部分。
光源可以是二維雷射器陣列，例如，其中包括多個二維對準的半導體雷射器陣列，只要它們的橫截面發出線狀雷射光。
此外，該光源可以包括固態雷射器、光纖雷射器、二氧化碳(CO2 )雷射器等，以代替半導體雷射器。
在一維雷射器陣列中雷射光的波長較佳為至少700奈米，更佳為至少720奈米，進一步較佳為至少750奈米。雷射光波長的上限，其可以根據它們的用途適當地選擇，可較佳為小於或等於1,500奈米，更佳小於或等於1,300奈米，進一步較佳小於或等於1,200奈米。
當雷射光的波長被設定為短於700奈米時，就會產生問題：在可見光區域中熱可逆記錄介質的影像記錄時間相對減少，並且熱可逆記錄介質被著色。此外，還有一個問題，即在波長更短的紫外線區域中熱可逆記錄介 質發生劣化變得更可能。此外，為了將光熱轉換材料添加到熱可逆記錄介質上，高分解溫度對於保持耐久性以反復的影像處理來說是必要的，因此，當有機染料用於光熱轉換材料時，具有高分解溫度和長吸收波長的光熱轉換材料是難以獲得的。因此，雷射光的波長較佳小於或等於1,500奈米。
轉換過程和光學元件
轉換過程可以通過光學元件實現，該過程是將一維雷射器陣列發出的線形雷射陣列(下面稱為線形光束)轉換為在寬度方向(短邊方向)上會聚的會聚光的過程。“寬度方向”是和多個半導體雷射器的對準方向正交的方向平行的方向。
光學元件將線形光束轉換為在寬度方向上會聚的會聚光，從而將會聚光照射到掃描單元，所述光學元件配置在一維雷射器陣列發出的線形光束的光路徑上。
所述光學元件至少包括寬度方向會聚單元，並根據需要，包括寬度方向平行化單元、長度方向光分佈均勻化單元和長度方向平行化單元中的至少一個。
寬度方向會聚單元被佈置在一維雷射器陣列和掃描單元之間線形光束的光路徑上。
寬度方向會聚單元沒有特別的限制，可根據它們的用途適當選擇，因此它可通過柱面透鏡(一個聚光元件)或通過多個柱面透鏡的組合實現。
換句話說，至少一個柱面透鏡係佈置地以使得照射到掃描單元的線形光束在寬度方向上會聚。在這種情況下，至少一個柱面透鏡的位置係根據其焦距來確定。
寬度方向平行化單元在寬度方向與一維雷射器陣列發出的線形光束是平行的，該寬度方向平行化單元被佈置在一維雷射器陣列和寬度方向會聚單元之間的線形光束的光路徑上。
寬度方向平行化單元，沒有特別的限制，可根據它們的用途適當選擇，因此它包括，例如，凹柱面透鏡、多個凸柱面透鏡、具有一個凸側的柱面透鏡等的組合。
來自一維雷射器陣列的線形光束相對於長度方向(縱向方向)在寬度方向上具有一個大的發散角，因此，寬度方向平行化單元更適合佈置在一維雷射器陣列的發射面附近。在這種情況下，在寬度方向上線形光束的發散可以盡可能地抑制，同時透鏡可被做地盡可能地小。“長度方向”是和多個 半導體雷射器的對準方向平行的方向。
長度方向光分佈均勻化單元使線形光束在長度方向上均勻地發散，以使長度方向上線形光束的光分佈均勻。該長度方向光分佈均勻化單元被放置在一維雷射器陣列和掃描單元之間的線形光束的光路徑上。
長度方向光分佈均勻化單元較佳被放置在寬度方向平行化單元和寬度方向會聚單元之間的線形光束的光路徑上。
長度方向光分佈均勻化單元，沒有特別的限制，可以根據它們的用途適當選擇，所以它可以通過例如非球形柱面透鏡和球面透鏡的組合實現。例如，非球形柱面透鏡(長度方向)包括微透鏡陣列、凸透鏡陣列、凹透鏡陣列、菲涅耳透鏡等。所述透鏡陣列代表一組在長度方向上對準的多個凸或凹透鏡。非球形柱面透鏡可以引起線形光束在長度方向上發散，以獲得均勻的光分佈。
長度方向上平行化單元使線形光束在長度方向上平行，該長度方向上平行化單元被放置在一維雷射器陣列和掃描單元之間的線形光束的光路徑上。
長度方向上平行化單元較佳放置在長度方向光分佈均勻化單元和掃描單元之間線形光束的光路徑上。
長度方向上平行化單元，沒有特別的限制，可以根據它們的用途適當選擇，例如，它可以通過球面透鏡實現。
換句話說，球面透鏡係設置以在長度方向上平行化發射到掃描單元的線形光束。在這種情況下，球面透鏡的位置係根據其焦距進行確定的。
被長度方向平行化單元平行化的線形光束的長度較佳在10毫米到300毫米之間，更佳為30毫米和160毫米之間。可抹除的區域是根據線狀光束的長度來確定，所以，當其長度是短的時，可抹除的區域變得狹窄。
線狀光束的長度較佳是一維雷射器陣列的發光單元的縱向長度的兩倍以上，並且更佳大於其三倍。當線狀光束的長度比一維雷射器陣列的發光單元的縱向長度短時，為保持一個長的抹除區域必需使一維雷射器陣列的光源夠長，這可能導致該裝置的成本和尺寸增加。
被放置在通過光學元件的線形光束光路徑上的掃描單元使通過光學元件轉換成在寬度方向上會聚的會聚光的線形光束在寬度方向上偏向，以將偏向的線形光束掃描到熱可逆記錄介質上。其結果是，熱可逆記錄介質上記錄的影像被抹除了。
掃描單元，因其沒有特別的限制只要其可以使線形光束在寬度方向上(單軸方向上)偏向，可以根據它們的用途適當選擇，因此它包括例如單軸電流鏡(monoaxial galvano-mirror)、多面鏡、步進電動鏡(step motor mirror)等等。
通過單軸電流鏡和步進電動鏡，有可能精細地控制速度調節；步進電動鏡與單軸電流鏡相比是廉價的；同時多面鏡是廉價的，但其速度調節是困難的。
熱可逆記錄介質上的線形光束的光束寬度，較佳為0.1毫米和10毫米之間，更佳為0.2毫米和5毫米之間。用該光束寬度，加熱熱可逆介質(加熱時間)的時間可以被控制。當光束寬度太窄，加熱時間變短，導致可抹除性降低。在另一方面，當光束寬度太寬時，隨著加熱時間變長，過多的能量被提供給熱可逆記錄介質，以使大量的能量變得必要，使得高速抹除困難。因此期望的是調節至適合熱可逆記錄介質的抹除特性的光束寬度。
再者，線形光束的掃描速度(偏向速度)，因其沒有特別的限制，較佳至少為2毫米/秒，更佳至少為10毫米/秒，進一步較佳為至少20毫米/秒。當掃描速度小於2毫米/秒，影像抹除是花費時間的。此外，雷射光的掃描速度的上限值，因其沒有特別的限制，可根據它們的用途適當地選擇，較佳小於或等於1000毫米/秒，更佳為小於或等於到300毫米/秒，進一步較佳小於或等於100毫米/秒。當掃描速度超過1000毫米/秒，均勻的影像抹除可能變得困難。
此外，線狀光束的輸出，因其沒有特別限制，可以據它們的用途適當地選擇，較佳是至少10瓦，更佳為至少20瓦，並進一步較佳為至少40瓦。當線狀光束的輸出小於10瓦，影像抹除是耗時的，同時，當試圖縮短影像抹除時間，輸出不足會發生，導致影像抹除失敗。此外，線狀光束的輸出的上限值，因其沒有特別的限制，可根據它們的用途適當地選擇，較佳小於或等於500瓦，更佳為小於或等於至200瓦，進一步較佳小於或等於120瓦。當雷射光的輸出超過500瓦，該半導體雷射器的冷卻裝置可能變大。
為在熱可逆記錄介質上掃描線形光束，該線形光束被掃描到一個靜止的熱可逆記錄介質上以抹除熱可逆記錄介質上記錄的影像，或者通過一個移動單元移動熱可逆記錄介質並且該線形光束被掃描到熱可逆記錄介質上以抹除熱可逆記錄介質上記錄的影像。例如，所述移動單元包括傳送帶、平臺等。在這種情況下，較佳由傳送帶移動容器來移動在熱可逆記錄介質 被黏貼在容器的表面上的熱可逆記錄介質。
例如，該容器包括紙板箱、塑膠容器、盒子等。
現在，如上所述，當將線形光束在寬度方向上掃描熱可逆記錄介質來抹除熱可逆記錄介質上記錄的影像時，熱可逆記錄介質的加熱時間，或者，在換句話說，熱可逆記錄介質上線形光束的光束寬度影響抹除特性。
這裡，例如，如第9A圖到第10圖所示，當線形光束被掃描單元掃描到熱可逆記錄介質時，線形光束的行進方向改變並且線形光束照射到熱可逆記錄介質上的入射角改變。然後，當線形光束照射到熱可逆記錄介質上的入射角改變時，熱可逆記錄介質上光束寬度通常改變。
在這種情況下，為了在熱可逆記錄介質整個表面上執行均勻的抹除，期望的是，由於線形光束入射角的改變導致的熱可逆記錄介質上光束寬度(加熱時間的變化)的改變盡可能的小，並且熱可逆記錄介質上的光束寬度變得盡可能恒定，不論線狀光束的掃描位置如何。
如在第9A圖所示，假使被掃描單元偏向的線形光束在寬度方向上發散，或者，換句話說，線形光束行進的同時在寬度方向上發散，所述線形光束偏向越多同時以越大的入射角入射到熱可逆記錄介質，掃描單元和熱可逆記錄介質之間光路徑長度越長(第9A圖中的θ更大)。第9A圖中的θ是線形光束的偏向角，它是以熱可逆記錄介質垂直的方向為基準的。
這裡，假設入射到熱可逆記錄介質之前即刻的光束寬度為W1，同時熱可逆記錄介質上的光束寬度W1(θ)，那麼W1(θ)=W1/cosθ。
在這種情況下，W1隨θ變大而變大，而cosθ是θ的遞減函數。
換句話說，熱可逆記錄介質上的光束寬度隨上述的光路徑長度的變長(θ變大)而顯著地變得大。換句話說，由於線形光束入射角的變化導致的熱可逆記錄介質上的光束寬度的變化顯著地大。
此外，如在第9B圖中所示，假使被掃描單元偏向的線形光束在寬度方向被平行化，或者，換句話說，線形光束以恒定寬度行進，所述線形光束以越大的入射角入射到熱可逆記錄介質上，掃描單元和熱可逆記錄介質之間的的光路徑長度越長(第9B圖中θ越大)。第9B圖中的θ是線形光束的偏向角，它是以熱可逆記錄介質垂直的方向為基準的。
這裡，假設入射到熱可逆記錄介質之前即刻的光束寬度為W2，同時熱可逆記錄介質上的光束寬度為W2(θ)，那麼W2(θ)=W2/cosθ。
在這種情況下，W2是恒定的，而cosθ是θ的遞減函數。
換句話說，熱可逆記錄介質上的光束寬度隨上述的光路徑長度的變大(θ變大)而變大。換句話說，由於線形光束入射角的變化導致的熱可逆記錄介質上的光束寬度的變化大。
此外，如在第10圖中所示，假使被掃描單元偏向的線形光束在寬度方向上會聚，或者，換句話說，線形光束在行進間在寬度方向上漸窄，所述線形光束入射熱可逆記錄介質上，使得線形光束越窄並且入射角越大時，掃描單元和熱可逆記錄介質之間的光路徑長度越長(第10圖中θ越大)。第10圖中的θ是線形光束的偏向角，它是以熱可逆記錄介質垂直的方向為基準的。
這裡，假設入射到熱可逆記錄介質之前即刻的光束寬度為W3，同時熱可逆記錄介質上的光束寬度為W3(θ)，那麼W3(θ)=W3/cosθ。
在這種情況下，W3隨θ變大而變小，而cosθ是θ的遞減函數。
換句話說，由於光路徑長度的變化導致的熱可逆記錄介質上的光束寬度的變化小。換句話說，由於線形光束入射角的變化導致的熱可逆記錄介質上的光束寬度的變化小。
因此，如上所述，本發明影像抹除設備的光學元件具有寬度方向會聚單元，進而將被掃描單元入射的線形光束轉換為在寬度方向上會聚的會聚光，使由於線形光束入射角的改變引起的熱可逆記錄介質上光束寬度的改變減小成為可能，結果，使在熱可逆記錄介質整個面上進行均勻的的抹除成為可能。
然後，寬度方向會聚單元的佈置和焦點位置以及掃描單元和熱可逆記錄介質之間的距離等中的至少一種可以被改變以調節照射到熱可逆記錄介質的線形光束在寬度上向上會聚的程度，結果，使得由於線形光束入射角的改變引起的熱可逆記錄介質上光束寬度的改變能被設為接近零，或者換句話說，熱可逆記錄介質上光束寬度W3(θ)能被設為接近定值而無需考慮線形光束的掃描位置，或者換句話說，忽略θ。結果，可以在熱可逆記錄介質整個面上進行更均勻的抹除。
現在，即使當熱可逆記錄介質上的光束寬度能被設為接近定值而無需考慮線形光束的入射角時，假設入射到掃描單元的線形光束在長度方向上發散或者會聚，由於經過掃描單元線形光束入射角改變，所述線形光束光路徑長度改變，因此，熱可逆記錄介質上線形光束的長度(光束長度)改變。
在這種情況下，由於線形光束入射角改變，線形光束在熱可逆記錄介質上的照射區域(光束寬度×光束長度)，或者換句話說，照射能量密度改變。
因此，為了在熱可逆記錄介質整個面上進行均勻的抹除，期望在長度方向上平行化通過掃描單元入射的線形光束。
那麼，如前所述，本發明影像抹除設備的光學元件，如果需要，包括長度方向平行化單元，可以在長度方向上平行化通過掃描單元入射的線形光束，以抑制因線形光束入射角變化引起的熱可逆記錄介質上光束長度的變化。結果，線形光束在熱可逆記錄介質上的照射區域(照射能量密度)可以設為盡可能接近定值，無需考慮線形光束的掃描位置。
此外，如前所述，本發明影像抹除設備，如果需要，包括長度方向光分佈均勻化單元，可以均勻化通過掃描單元入射的線形光束的在長度方向上的光分佈。因此，使均勻化線形光束在長度方向上的照射能量密度是可能的。
如前所述，除寬度方向會聚單元之外，光學元件還可包括長度方向平行化單元和長度方向光分佈均勻化單元其中之一，以就熱可逆記錄介質的整個面而言進行更均勻的抹除。此外，除寬度方向會聚單元之外，光學元件還可同時包括長度方向平行化單元和長度方向光分佈均勻化單元，以在熱可逆記錄介質的整個面上進行更均勻的抹除。
照射能量總額控制單元是調節照射到熱可逆記錄介質的能量總額的單元。
該照射能量總額控制單元包括：具有溫度感測器的裝置，該溫度感測器測量熱可逆記錄介質或者其環境的溫度；以及輸出調節裝置，該輸出調節裝置基於溫度感測器的測量值調節一維雷射器陣列的輸出。例如，該照射能量總額控制單元可能包括加熱時間調節裝置代替輸出調節裝置，該加熱時間調節裝置基於溫度感測器的測量值調節熱可逆記錄介質的加熱時間。
在這種情況下，不管熱可逆記錄介質的溫度，更適合抹除影像的大小的照射能量可以被照射到熱可逆記錄介質上。
此外，該照射能量總額控制單元可以包括距離感測器(位移感測器)代替溫度感測器，該距離感測器測量熱可逆記錄介質和掃描單元之間的距離。在這種情況下，可以設置輸出調節裝置以便根據距離感測器的測量值 調節一維雷射器陣列的輸出，或者設置加熱時間調節裝置以便根據距離感測器的測量值調節熱可逆記錄介質的加熱時間。
在這種情況下，熱可逆記錄介質上的光束寬度根據熱可逆記錄介質和掃描單元之間的距離而變化，使得在考慮光束寬度的改變下控制照射能量總額成為可能，因此，使得將更適合抹除影像量級的照射能量照射到熱可逆記錄介質上成為可能，無需考慮熱可逆記錄介質和掃描單元之間的距離。
該照射能量總額控制單元可包括溫度感測器和距離感測器。在這種情況下，可以設置輸出調節裝置，根據溫度感測器和距離感測器的測量值調節一維雷射器陣列的輸出，或者可以設置加熱時間調節裝置，根據溫度感測器和距離感測器的測量值調節熱可逆記錄介質的加熱時間。
此外，該照射能量總額控制單元可以包括輸出調節裝置，當通過掃描單元掃描線形光束時，該輸出調節裝置依照線形光束的掃描位置調節一維雷射器陣列的輸出。在這種情況下，可以設置照射能量總額控制單元來檢測線形光束自掃描單元工作狀態的掃描位置。
這使得有可能均勻化熱可逆記錄介質上的照射能量密度，無需考慮線形光束的掃描位置，即使在因為線形光束入射角變化導致熱可逆記錄介質上照射區域變化時。其結果是，可以在熱可逆記錄介質的整個面上進行更均勻的抹除。
該照射能量總額控制單元可包括加熱時間調節裝置代替輸出調節裝置，該加熱時間調節裝置根據線形光束的入射角調節熱可逆記錄介質的加熱時間。
其它過程和其它單元
其它過程，因其沒有特別限制，可以據它們的用途適當地選擇，因此，例如，它們包括控制過程。
所述控制過程可以較佳由控制單元實現，所述控制過程是控制各個過程的過程。
所述控制單元，只要它能控制各個單元的運動就沒有特別限制，可以據它們的用途適當地選擇，因此，它包含設備單元，如定序器，電腦等。
熱可逆記錄介質
在熱可逆記錄介質中，透明度和色調(color tone)之一隨溫度可逆地改變。
所述熱可逆記錄介質，因其沒有特別限制，可以據它們的用途適當地 選擇，例如包括：載體(support)；第一熱可逆記錄層、光熱轉換層、和第二熱可逆記錄層，以此順序位於載體上；如果需要，也包括其它層，如第一氧阻擋層、第二氧阻擋層、紫外線吸收層、背層、保護層、中間層、底層、黏合劑層、黏性層、著色層、空氣層、光反射層等的適當選擇。光熱轉換材料可被加入到熱可逆記錄層以使第一和第二熱可逆記錄層成為一個，以除去光熱轉換層。各層可以是單層結構或層壓結構。要在光熱轉換層上提供的層較佳用在特定波長具有低吸收的材料構造，以便減少要照射的具有特定波長的雷射光的能量損失。
這裡，如第1A圖所示，熱可逆記錄介質100的層構造模式包括：載體101；以及第一熱可逆記錄層102、光熱轉換層103和第二熱可逆記錄層104，以此順序位於載體上。
此外，如第1B圖所示，其模式包括：載體101；以及第一氧阻擋層105、第一熱可逆記錄層102、光熱轉換層103、第二熱可逆記錄層104和第二氧阻擋層106，以此順序位於載體上。
此外，如第1C圖所示，其模式包括：載體101；以及第一氧阻擋層105、第一熱可逆記錄層102、光熱轉換層103、第二熱可逆記錄層104、紫外線吸收層107和第二氧阻擋層106，以此順序位於載體上，並且包括背層108，位於載體101上不包括熱可逆記錄層的等的那一側的表面上。
儘管省略圖解，保護層可形成在第1A圖中的第二熱可逆記錄層104上、第1B圖中的第二氧阻擋層106上和第1C圖中的第二氧阻擋層106上的最上表面層上。
載體
載體的形狀、結構和尺寸等，因其沒有特別限制，可根據其用途適當選擇，所以，例如，形狀包括平板形等；結構可以是單層結構或層壓結構；和尺寸可以根據熱可逆介質的尺寸等適當選擇。
載體的材料包括，例如，無機材料、有機材料等。
無機材料包括，例如，玻璃、石英、矽、氧化矽、氧化鋁、二氧化矽(SiO2 )、金屬等。
有機材料包括，例如：諸如紙以及三醋酸纖維素的纖維素衍生物；以及諸如聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚乙烯對苯二甲酸酯、合成紙等的薄膜。
無機材料和有機材料可作為一種類型單獨使用，或者其兩種或多種類 型可以組合使用。在這些材料中，有機材料是較佳的，諸如聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚乙烯對苯二甲酸酯等的薄膜是較佳的，並且聚乙烯對苯二甲酸酯是特別較佳的。
較佳的是，通過進行電暈放電、氧化反應(鉻酸等)、蝕刻、促進黏合、抗靜電處理等，使載體經歷表面處理，從而提高塗覆層的黏合性。
較佳的是，通過向載體添加白色顏料等如氧化鈦，給載體塗上白色。
載體的厚度，因其沒有特別限制，可根據其用途適當選擇，較佳為10微米與2000微米之間，更佳為50微米和1000微米之間。
第一熱可逆記錄層和第二熱可逆記錄層
第一熱可逆記錄層和第二熱可逆記錄層(下文可稱為"熱可逆記錄層")均是這樣的熱可逆記錄層，包括：無色染料，其是供電子(electron-donating)成色化合物；和顯影劑，其是受電子(electron-accepting)化合物。在熱可逆記錄層中，色調通過熱可逆地變化，並且如果需要，包括黏合劑樹脂和其它成分。
無色染料和可逆顯影劑是可呈現由於溫度變化可逆地發生可見變化的現象的材料，其中，無色染料其是供電子成色化合物、可逆顯影劑是受電子化合物、以及無色染料和可逆顯影劑色調通過熱可逆地變化。根據加熱溫度和加熱後冷卻速度的差異，材料可相對地變成著色狀態和脫色狀態。
無色染料
無色染料是本身無色或淺色的染料前驅物。無色染料，因其沒有特別限制，可從已知的那些中適當選擇，較佳包括，例如基於下列的無色化合物：三苯甲烷苯酞(triphenylmethane phthalide)、三烯丙基甲烷(triallylmethane)、螢烷(fluoran)、吩噻嗪(phenothiazine)、硫代螢烷(thiofluoran)、呫噸(xanthene)、吲哚苯二甲醯(indophthalyl)、螺吡喃(spiropyran)、氮雜苯酞(azaphthalide)、色烯吡唑(chromenopyrazole)、次甲基(methine)、若丹明苯胺基內醯胺(rhodamineanilinolactam)、若丹明內醯胺(rhodaminelactam)、喹唑啉(quinazoline)、二氮雜呫噸(diazaxanthene)、雙內酯(bislactone)等。其中，基於螢烷或苯酞的無色染料是特別較佳的，原因在於其著色和脫色性質、著色、儲存性質等優良。這些可作為一種類型單獨使用，或者其兩種或多種可組合使用，並且可以層壓顯示具有不同色調的顏色的層，以回應多種顏色和全彩。
可逆顯影劑
可逆顯影劑，只要其因為熱可以可逆地顯示和抹除顏色就沒有特別限制，可根據其用途適當選擇，並且較佳包括，例如在其分子中具有選自下列中至少一種結構的化合物：(1)具有能使無色染料顯色的顯色能力的結構(例如，酚性羥基團、羧酸基團、磷酸基團等)；以及(2)控制分子間黏合的結構(例如，將長鏈烴基團連接在一起的結構)。在連接部分，連接可以經由含雜原子的二價或高價連接基團。此外，長鏈烴基團也可其中包含相似的連接基團和芳基團中至少任一種。
對於(1)具有能使無色染料顯色的顯色能力的結構，酚是特別較佳的。
(2)控制分子間黏合的結構較佳是具有至少8個碳原子的長鏈烴基團，更佳是具有至少11個碳原子的長鏈烴基團，並且碳原子數的上限較佳小於或等於40，更佳小於或等於30。
在可逆顯影劑中，由化學式(1)表示的酚化合物是較佳的，由化學式(2)表示的酚化合物是更佳的。
在化學式(1)和化學式(2)中，R1 表示具有1至24個碳原子或單鍵的脂肪族烴基團(aliphatic hydrocarbon group)。R2 表示具有兩個或多個碳原子的脂肪族烴基團，其可具有取代基團，碳原子數較佳至少5個，更佳至少10個。R3 表示具有1至35個碳原子的脂肪族烴基團，碳原子數較佳6至35個，更佳8至35個。脂肪族烴基團可單獨作為一種類型提供，或者其兩種或多種類型可以組合提供。
R1 、R2 和R3 碳原子數之和，沒有特別限制，可根據其用途適當選擇；其下限較佳至少為8，更佳至少11，並且其上限較佳小於或等於40，更佳小於或等於35。
當碳原子數之和小於8時，著色穩定性和脫色性質可能下降。脂肪族 烴基團，其可以是直鏈基團(straight-chain group)或支鏈基團(branched-chain group)並且其可具有不飽和鍵，較佳是直鏈基團。此外，與烴基團結合的取代基團包括，例如羥基團、鹵素原子、烷氧基團等。
X和Y可以相同或不同，每一個表示含N原子或含O原子的二價基團。其具體實例包括氧原子、醯胺基團、脲基團(urea group)、二醯基肼基團(diacylhydrazine group)、二醯胺草酸酯基團(diamide oxalate group)和醯基脲基團(acylurea group)。其中，醯胺基團和脲基團是較佳的。
n表示0和1之間的整數。
受電子化合物(顯影劑)較佳與作為顏色抹除促進劑的化合物一起使用，作為顏色抹除促進劑的化合物在其分子中包含-NHCO-基團以及-OCONH-基團至少一種以在形成脫色狀態的過程中誘導顏色抹除促進劑和顯影劑之間的分子間相互作用，所以著色和脫色性質提高。
顏色抹除促進劑，沒有特別限制，可根據其用途適當選擇。
對於熱可逆記錄層，黏合劑樹脂可以使用，並且如果需要，也可以使用用於提高或控制熱可逆記錄層的塗佈性質以及著色和脫色性質的各種添加劑。這些添加劑包括，例如，表面活性劑、傳導劑、填充劑、抗氧化劑、光穩定劑、顏色抹除促進劑等。
黏合劑樹脂
儘管黏合劑樹脂，只要可以將熱可逆記錄層結合到載體上就沒有特別限制，可根據其用途適當選擇，但是可以使用那些已知樹脂中的一種，或者其兩種或多種可組合使用。其中，為了提高在重複時的耐久性，較佳使用通過熱、紫外線、電子束等可以固化的樹脂，並且具體地，異氰酸酯基(isocyanate based)化合物等被用作交聯劑(cross-link agent)的熱固性樹脂是較佳的。熱固性樹脂包括，例如，具有與交聯劑反應的基團，諸如羥基團、羧基團等的樹脂，和通過共聚(copolymer)含羥基團或含羧基單體和不同的單體生產的樹脂。該熱固性樹脂包括，例如，苯氧基樹脂、聚乙烯基丁縮醛(polyvinyl butyral)樹脂、乙酸丙酸纖維素(cellulose acetate propionate)樹脂、乙酸丁酸纖維素(cellulose acetate butyrate)樹脂、丙烯醯基多元醇(acrylpolyol)樹脂、聚酯多元醇樹脂、聚氨酯多元醇樹脂等。其中，丙烯醯基多元醇樹脂、聚酯多元醇樹脂和聚氨酯多元醇樹脂是特別較佳的。
熱可逆記錄層中著色劑與黏合劑樹脂的混合比(質量比)相對於1(著色劑)較佳為0.1至10。當黏合劑樹脂的量太小時，熱可逆記錄層可能變得 缺少熱強度，而當黏合劑樹脂的量太大時，可引起著色密度減少的問題。
交聯劑，沒有特別限制，可根據其用途適當選擇，包括例如異氰酸酯(isocyanate)、氨基樹脂、酚樹脂、胺、環氧化合物等。其中，異氰酸酯是較佳的，具有多個異氰酸酯基的多異氰酸酯化合物是特別較佳的。
儘管相對於黏合劑樹脂的量，添加的交聯劑的量沒有特別限制，但是交聯劑中官能基團的數量與黏合劑樹脂中活性基團的數量之比較佳在0.01與2之間。小於或等於0.01的比導致不足的熱強度，大於或等於2的比對著色和脫色性質引起不利作用。
此外，作為交聯促進劑，可以使用在這種反應中使用的催化劑。
熱交聯時熱固性樹脂的凝膠(gel)比例，沒有特別限制，較佳至少30%，更佳至少50%，具體地較佳在70%。當凝膠比例小於30%時，交聯狀態是不合適的，可導致耐久性下降。
塗覆膜可被浸沒在具有高溶解度的溶劑中，作為區分黏合劑樹脂是在交聯狀態或在非交聯狀態的方法。換句話說，就處於非交聯狀態的黏合劑樹脂而言，樹脂溶解在溶劑中，所以其沒有保持在溶質中。
熱可逆記錄層中的其它成分，沒有特別限制，可根據其用途適當選擇，包括例如表面活性劑、塑化劑等，從促進影像記錄的角度。
對於熱可逆記錄層塗佈溶液所使用的溶劑、塗佈溶液分散裝置、施加方法、乾燥和固化方法等，可採用已知方法。
關於熱可逆記錄層塗佈溶液，各材料可用分散(dispersing)裝置分散在溶劑中，或者它們可單獨分散在溶劑中，以將分散物混合。
此外，它們可以被加熱並溶解，然後通過快速冷卻或慢速冷卻沉澱。
形成熱可逆記錄層的方法，沒有特別限制，可根據其用途適當地選擇，較佳包括例如(1)在載體上塗佈熱可逆記錄層塗佈溶液這樣的方法，其中樹脂、無色染料和可逆顯影劑被溶解或分散在溶劑中，並且在通過蒸發溶劑將其製成片形等的同時或之後交聯塗佈溶液；(2)在載體上塗佈熱可逆記錄層塗佈溶液這樣的方法，其中無色染料和可逆顯影劑被分散在其中僅溶解有樹脂的溶劑中，並且在通過蒸發溶劑將其製成片形等的同時或之後交聯塗佈溶液；以及(3)沒有使用溶劑，加熱並熔融樹脂、無色染料和可逆顯影劑以便將它們一起混合，交聯熔融的混合物，之後將其製成片等以將其冷卻這樣的方法。在這些方法中，不使用載體形成片形熱可逆記錄介質也是可能的。
上述方法(1)或(2)中使用的溶劑，因其取決於樹脂、無色染料和可逆顯影劑的類型等可不進行明確限定，包括，例如，四氫呋喃(tetrahydrofuran)、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、氯仿、四氯化碳、乙醇、甲苯、苯等。
可逆顯影劑存在於熱可逆記錄層中，以顆粒形式分散。
為了作為塗佈材料呈現高性能，各種顏料、消泡劑、分散劑、增滑劑、防腐劑、交聯劑、塑化劑等可被加入熱可逆記錄層塗佈溶液。
熱可逆記錄層的塗佈方法，沒有特別限制，可根據其用途適當選擇，所以，輥型載體或切成片形的載體被運送，通過已知方法進行塗佈，例如，諸如刮刀塗佈、線棒塗佈、噴塗、氣刀塗佈、顆粒塗佈、簾式塗佈、凹版塗佈、接觸塗佈、逆輥塗佈、浸塗、擠壓式塗佈等。
熱可逆記錄層塗佈溶液的乾燥條件，沒有特別限制，可根據其用途適當選擇，包括例如，在室溫至140℃下乾燥約10秒至10分鐘。
熱可逆記錄層的厚度，沒有特別限制，可根據其用途適當選擇，例如，較佳為1微米至20微米，更佳為3微米至15微米。當熱可逆記錄層太薄時，因為著色密度下降，影像對比度可能下降。另一方面，當它太厚時，層中熱分佈增加，產生沒有達到著色溫度因此不顯色的部分，因此可能達不到期望的著色密度。
光熱轉換材料可被加入熱可逆記錄層，並且在那種情況下，可以省略光熱轉換層和阻擋層，第一和第二熱可逆記錄層可用一個熱可逆記錄層代替。
光熱轉換層
光熱轉換層至少包含光熱轉換材料，具有以高效率吸收雷射光並產生熱的功能。此外，為了抑制熱可逆記錄層和光熱轉換層之間的相互作用，可在它們之間形成阻擋層，較佳為具有高熱導率材料的一層。置於熱可逆記錄層和光熱轉換層之間的層，可根據其用途適當選擇，沒有限於此。
光熱轉換材料可大致分成無機基材料和有機基材料。
無機基材料，其包括例如炭黑、金屬如鍺(Ge)、鉍(Bi)、銦(In)、碲(Te)、硒(Se)、鉻(Cr)等或其半金屬和其合金，硼化鑭、氧化鎢、氧化錫銻(ATO)、氧化銦銻(ITO)等，通過真空蒸發法或通過用樹脂黏合顆粒材料等製成層型。
作為有機基材料，根據要吸收的光的波長可以適當地使用合適的染料，當用半導體雷射器作為光源時使用具有吸收峰在700奈米至1,500奈米的波長範圍內的近紅外吸收染料。更具體地，它包括花青(cyanine)染料、奎 寧基(quinine-based)染料、吲哚萘酚(indonaphthol)的喹啉(quinoline)衍生物、苯二胺基鎳(phenylene diamine-based nickel)絡合物、酞菁基(phthalocyanine-bsed)化合物等。為重複進行影像加工，較佳選擇耐熱性優良的光熱轉換材料，並且鑒於此，特別較佳酞菁基化合物。
近紅外吸收染料可作為一種單獨使用，或者其兩種或多種組合使用。
當提供光熱轉換層時，光熱轉換材料通常與樹脂組合使用。光熱轉換層中使用的樹脂，沒有特別限制，可適當選自本領域已知的那些，只要它可以保持無機基材料和有機基材料，較佳為熱塑性樹脂、熱固性樹脂等，可較佳使用與記錄層中使用的黏合劑樹脂類似的樹脂。其中，為了在重複時提高耐久性，較佳使用可通過熱、紫外線、電子束等固化的樹脂，並且用異氰酸酯基化合物等作為交聯劑的熱交聯樹脂是特別較佳的。在黏合劑樹脂中，其羥基值較佳為50 mgKOH/g至400 mgKOH/g。
光熱轉換層的厚度，沒有特別限制，可根據其用途適當選擇，較佳為0.1微米至20微米。
第一氧阻擋層和第二氧阻擋層
作為第一和第二氧阻擋層(其可簡稱為氧阻擋層)，較佳在第一熱可逆記錄層和第二熱可逆記錄層上方和下方提供氧阻擋層，為了防止氧進入熱可逆記錄層以防止第一和第二熱可逆記錄層內的無色染料光劣化(photo deterioration)。換句話說，較佳在載體和第一熱可逆記錄層之間提供第一氧阻擋層並在第二熱可逆記錄層上方提供第二氧阻擋層。
形成第一和第二氧阻擋層的材料，沒有特別限制，可根據其用途適當選擇，包括樹脂、聚合物薄膜等，具有大的可見光部分透射率和低的氧滲透。氧阻擋層根據其用途氧滲透、透明度、容易塗佈、黏合性等選擇。
氧阻擋層的具體實例包括二氧化矽沉積層、氧化鋁沉積層和二氧化矽-氧化鋁沉積層，其中無機氧化物被蒸汽沉積在聚合物薄膜，諸如聚乙烯對苯二甲酸酯、尼龍等，或者樹脂諸如尼龍-6、聚縮醛等、聚丙烯酸烷基酯(polyacrylic acid alkyl esters)、聚甲基丙烯酸烷基酯、聚甲基丙烯腈(polymethacrylonitrile)、聚烷基乙烯基酯、聚烷基乙烯基醚、聚氟化乙烯、聚苯乙烯、乙酸乙烯酯共聚物、醋酸纖維素、聚乙烯醇、聚偏二氯乙烯、乙腈共聚物、偏二氯乙烯共聚物、聚(氯三氟乙烯)、乙烯-乙烯醇共聚物、聚丙烯腈、丙烯腈共聚物、聚乙烯對苯二甲酸酯等。其中，無機氧化物被蒸汽沉積在聚合物薄膜上的薄膜是較佳的。
氧阻擋層的氧滲透率，沒有特別限制，較佳小於或等於20 ml/m2 /天/MPa或更小，更佳小於或等於5 ml/m2 /天/MPa，並且具體地較佳小於或等於1 ml/m2 /天/MPa。當其氧滲透率超過20 ml/m2 /天/MPa時，可不能抑制第一和第二熱可逆記錄層內的無色染料光劣化。
氧滲透率可以通過例如遵照JIS K7126 B方法的測量方法進行測量。
可以形成氧阻擋層，從而將熱可逆記錄層置於其間，諸如在熱可逆記錄層的下面或在載體的背面上。這樣可更有效地防止氧進入熱可逆記錄層，使減少無色染料的光劣化成為可能。
形成第一和第二氧阻擋層的方法，沒有特別限制，可根據其用途適當選擇，包括熔融擠出、塗佈、層壓等。
第一和第二氧阻擋層的厚度，根據樹脂或聚合物膜的氧滲透率而變化，較佳為0.1微米至100微米。當它小於0.1微米時，氧阻擋層性質不夠，而當它大於100微米時，因為其透明度下降，它不是較佳的。
黏合劑層可被提供在氧阻擋層和下層之間。形成黏合劑層的方法，沒有特別限制，可包括塗佈、層壓等常見方法。黏合劑層的厚度，沒有特別限制，較佳為0.1微米至5微米。黏合劑層可用交聯劑固化。對於交聯劑，可較佳使用與熱可逆記錄層中使用的那些相同的交聯劑。
保護層
在本發明的熱可逆記錄介質，較佳在熱可逆記錄層上提供保護層，以便保護熱可逆記錄層。保護層，沒有特別限制，可根據其用途適當選擇，例如可以由一層或多層形成，並較佳提供於所暴露的最外層。
保護層包含黏合劑樹脂，並且如果需要，也包含其它成分如填料、潤滑劑、著色顏料等。
保護層的黏合劑樹脂，沒有特別限制，可根據其用途適當選擇，較佳為熱固性樹脂、紫外線固化樹脂、電子束固化樹脂等，其中特別較佳紫外線固化樹脂和熱固性樹脂。
紫外線固化樹脂，固化後可形成很硬的膜，可以抑制表面物理接觸引起的損傷以及雷射光加熱引起的介質變形，所以獲得重複耐久性優良的熱可逆記錄介質。
此外，儘管稍差於紫外線固化樹脂，熱固性樹脂可類似地固化表面並且重複耐久性優良。
紫外線固化樹脂，沒有特別限制，可根據其已知的用途適當選擇，包 括例如基於尿烷丙烯酸酯(urethane acrylates)、環氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、乙烯基類和不飽和聚酯的低聚物，以及單體諸如各種單官能和多官能丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯(methacrylates)、乙烯基酯、乙烯衍生物、烯丙基化合物等。其中，單官能、四官能或更高官能的單體或低聚物是特別較佳的。這些單體或低聚物中的兩種或多種可以被混合以適當調節樹脂模的硬度、收縮度、柔性、塗佈強度等。
為了用紫外線固化單體或低聚物，必須使用光聚合引發劑或光聚合促進劑。
加入的光聚合引發劑或光聚合促進劑的量，沒有特別限制，相對於保護層的樹脂成分的總質量，較佳為0.1質量百分比至20質量百分比，更佳1質量百分比至10質量百分比。
用於固化紫外線固化樹脂的紫外線照射，可以採用已知的紫外線照射裝置進行，包括例如，提供有光源、燈、電源、冷卻裝置、傳送裝置等的紫外線照射裝置。
光源包括例如，汞燈、金屬鹵化物燈、鉀燈、汞-氙燈、閃光燈等。光源的波長可根據加入到熱可逆記錄介質組合物的光聚合引發劑或光聚合促進劑的紫外線吸收波長適當選擇。
紫外線照射的條件，沒有特別限制，可根據其已知的用途適當選擇，所以，例如根據交聯樹脂所必需的照射能量，它足以確定燈輸出、傳送速度等。
此外，為了提高傳送能力，可以加入剝離劑，諸如硬脂酸鋅或蠟；矽樹脂接枝聚合物；或具有可聚合基的矽樹脂；或潤滑劑諸如矽油等。這些的加入量，相對於保護層的樹脂成分的總質量，較佳為0.01質量百分比至50質量百分比，更佳0.1質量百分比至40質量百分比。這些可作為一種單獨使用，或者兩種或多種可以一起使用。此外，為了抗靜電，較佳使用傳導性填料(filler)，並且具體地較佳使用針形傳導性填料。
填料的粒徑，沒有特別限制，例如較佳為0.01微米至10.0微米，更佳為0.05微米至8.0微米。加入的填料的量，相對於1質量份(mass part)樹脂，較佳為0.001質量份至2質量份，更佳為0.005質量份至1質量份。
保護層可包含本領域已知的表面活性劑、均染劑(leveling agent)、抗靜電劑等作為添加劑。
此外，作為熱固性樹脂，例如，可較佳使用與熱可逆記錄層所使用的 黏合劑樹脂類似的熱固性樹脂。
熱固性樹脂較佳被交聯。因此，熱固性樹脂較佳是這樣的，具有與固化劑反應的基團，諸如羥基團、氨基團、羧基團等，並且具體地較佳為含羥基團聚合物。為了提高具有紫外線吸收結構的含聚合物層的強度，羥基值至少10 mgKOH/g的聚合物導致獲得足夠的塗佈強度，更佳至少30 mgKOH/g，並且進一步較佳至少40 mgKOH/g。可以使保護層具有足夠的塗佈強度以防止熱可逆記錄介質的劣化，甚至在重複進行影像記錄和抹除時。
對於固化劑，沒有特別限制，例如可較佳使用與熱可逆記錄層使用的固化劑類似的固化劑。
作為保護層塗佈溶液使用的溶劑，塗佈溶液的分散裝置，保護層施加方法，乾燥方法等，沒有特別限制，可以使用記錄層所用的已知方法。當使用紫外線固化樹脂時，需要與塗佈和乾燥一起進行的借助紫外線照射的固化步驟，在這種情況下紫外線照射裝置、光源、照射條件如上所述。
保護層的厚度，沒有特別限制，較佳為0.1微米至20微米，更佳0.5微米至10微米，具體較佳1.5微米至6微米。當厚度小於0.1微米時，保護層可能沒有充分起到作為熱可逆記錄介質保護層的作用，熱可逆記錄介質在熱重複歷程中容易劣化，因此重複使用可能變得不可能。當厚度超過20微米時，將足夠的熱傳導至位於保護層下層部分的熱敏部分是不可能的，因此通過熱充分進行影像記錄和抹除可能變得不可能。
紫外線吸收層
對於熱可逆記錄介質，較佳提供紫外線吸收層，以便防止由於熱可逆記錄層內無色染料的紫外線光劣化和著色導致的非抹除，其使得提高記錄介質的耐光性成為可能。較佳地，適當選擇紫外線吸收層的厚度，以使它吸收小於或等於390奈米的紫外線。
紫外線吸收層至少包含黏合劑樹脂和紫外線吸收劑，並且如果需要，也包含其它成分諸如填料、潤滑劑、著色顏料等。
黏合劑樹脂，沒有特別限制，可根據其用途適當選擇，並且作為黏合劑樹脂，可以使用熱可逆記錄層的樹脂成分諸如熱固性樹脂、熱塑性樹脂、黏合劑樹脂等。樹脂成分包括，例如，聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚乙烯縮丁醛、聚氨酯、飽和聚酯、不飽和聚酯、環氧樹脂、酚樹脂、聚碳酸酯、聚醯胺等。
作為紫外線吸收劑，可以使用有機基化合物和無機基化合物之一。
此外，較佳使用具有紫外線吸收結構的聚合物(下文可被稱為“紫外線吸收聚合物”)。
這裡，具有紫外線吸收結構的聚合物是指在其分子中具有紫外線吸收結構(例如紫外線吸收基團)的聚合物。紫外線吸收結構包括，例如，水楊酸酯結構、氰基丙烯酸酯結構、苯並三疊氮基(benzotriazol)結構、二苯甲酮結構等，其中苯並三疊氮基結構和二苯甲酮結構是特別較佳的，因為它們吸收波長340奈米至400奈米的紫外線，其是無色染料光劣化的原因。
紫外線吸收聚合物較佳被交聯。因此，對於紫外線吸收聚合物，較佳使用具有與固化劑反應的基團諸如羥基團、氨基團、羧基團等的紫外線吸收聚合物，並且具體地，具有羥基團的聚合物是較佳的。為增加具有紫外線吸收結構的含聚合物層的物理強度，足夠的塗膜強度通過使用羥基值至少10 mgKOH/g的聚合物獲得，其羥基值更佳至少30 mgKOH/g並進一步較佳至少40 mgKOH/g。它可以被製成具有足夠的塗佈強度以防止記錄介質的劣化，甚至在重複進行抹除和印刷時。
紫外線吸收層的厚度，沒有特別限制，較佳為0.1微米至30微米，更佳為0.5微米至20微米。對於紫外線吸收層塗佈溶液所用的溶劑，紫外線吸收層施加方法，紫外線吸收層乾燥和切割方法等，沒有特別限制，可以使用熱可逆記錄層使用的已知方法。
中間層
作為熱可逆記錄介質，沒有特別限制，較佳在熱可逆記錄層和保護層之間提供中間層，以便提高熱可逆記錄層和保護層之間的黏合性，防止由於施加保護層引起的熱可逆記錄層質量的變化，以及防止保護層中的添加劑被轉移到記錄層。這使得提供著色影像的可維護性成為可能。
中間層，沒有特別限制，包括至少包含黏合劑樹脂的中間層，並且如需要還包括包含不同成分諸如填料、潤滑劑、著色顏料等的中間層。黏合劑樹脂，沒有特別限制，可根據其用途適當選擇，並且作為黏合劑樹脂，可以使用熱可逆記錄層的樹脂成分諸如熱固性樹脂、熱塑性樹脂、黏合劑樹脂等。樹脂成分包括，例如，聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚乙烯縮丁醛、聚氨酯、飽和聚酯、不飽和聚酯、環氧樹脂、酚樹脂、聚碳酸酯、聚醯胺等。
此外，中間層較佳包含紫外線吸收劑。作為紫外線吸收劑，可以使用 有機基化合物和無機基化合物之一。
此外，紫外線吸收聚合物可以使用，可以通過交聯劑進行切割。對於這些，可較佳使用與保護層中使用的相同的那些。
中間層的厚度較佳為0.1微米至20微米，更佳為0.5微米至5微米。對於中間層塗佈溶液所用的溶劑，中間層施加方法，中間層乾燥和切割方法等，可以使用熱可逆記錄層使用的已知方法。
底層
作為熱可逆記錄介質，沒有特別限制，可在熱可逆記錄層和載體之間提供底層，以便有效地利用施加的熱並實現高敏感度，或者提高載體和熱可逆記錄層之間的黏合性並防止記錄層材料滲透到載體中。
底層包括至少包含空心顆粒的底層和包含黏合劑樹脂的底層，並且如果需要，也包含其它成分。
空心顆粒包括單空心顆粒，其中在顆粒中存在一個空心部分，多空心顆粒，其中在顆粒中存在很多空心部分。其中，可單獨使用一種，或者可以組合使用兩種或多種。
空心顆粒的材料，沒有特別限制，可根據其用途適當選擇，較佳包括例如熱塑性樹脂等。空心顆粒可以被適當製造，或者它們可以是商業可獲得的產品。例如，商業可獲得的產品包括MICROSPHERE-R-300(由Matsumoto Yushi-Seiyaku有限公司製造)；ROPAQUE HP1055和ROPAQUE HP433J(兩者都由Zeon公司製造)；SX866(由JSR公司製造)等。
加入到底層的空心顆粒的量，沒有特別限制，可根據其用途適當選擇，例如，較佳為10質量百分比至80質量百分比。
作為黏合劑樹脂，可以使用與熱可逆記錄層所用的或者具有紫外線吸收結構的含聚合物層所用的相似的樹脂。
底層可包含下列中至少一種：各種有機填料和無機填料諸如碳酸鈣、碳酸鎂、氧化鈦、氧化矽、氫氧化鋁、高嶺土、滑石等。
底層也可包含潤滑劑、表面活性劑、分散劑等。
底層的厚度，沒有特別限制，可根據其用途適當選擇，較佳0.1微米至50微米，更佳2微米至30微米，具體較佳12微米至24微米。
背層
作為熱可逆記錄介質，沒有特別限制，背層可以被提供在載體上熱可逆記錄層所形成的那一面的對面上，以防止捲曲和靜電以及提高傳送能力。
背層，沒有特別限制，包括至少包含黏合劑樹脂的背層，並且如果需要，還包括包含不同成分的背層，諸如填料、傳導性填料、潤滑劑、著色顏料等。
保護層的黏合劑樹脂，沒有特別限制，可根據其用途適當選擇，並且包括，例如熱固性樹脂、紫外線固化樹脂、電子束固化樹脂等，其中特別較佳紫外線固化樹脂或熱固性樹脂。
對於紫外線固化樹脂，熱固性樹脂、填料、傳導性填料和潤滑劑，可以較佳使用與熱可逆記錄層或保護層所用的類似的那些。
黏合劑(adhesive)層和黏性(tackiness)層
黏合劑層或黏性層可被提供在載體的記錄層形成面的對面上以獲得熱可逆記錄標籤模式的熱可逆介質。
黏合劑層和黏性層的材料，沒有特別限制，可根據其用途適當選自常用的那些。
黏合劑層和黏性層的材料可以是熱熔型。此外，可以使用剝離紙(release paper)，或者可以使用非剝離型紙。這樣，黏合劑層或黏性層可以被提供以將記錄層黏貼到厚基底如磁條黏附的氯乙烯卡，其上難以施加記錄層，的整個表面或部分。這使得提高熱可逆介質的便利性如顯示磁儲存資訊部分的能力成為可能。
提供有黏合劑層或黏性層的熱可逆記錄標籤對於厚的卡片如晶片IC)卡、光卡等也是較佳的。
著色層
在熱可逆記錄介質中，著色層可被提供在載體和記錄層之間，以便提高可見性。
著色層可以通過將包含著色劑和樹脂黏合劑的分散溶液或溶液施加在目標面上並將其乾燥形成，或者它可簡單地通過將著色片黏貼到其上形成。
著色層可以被製成彩色印刷層。
彩色印刷層中的著色劑包括，例如包含在常見全彩印刷所用的彩色墨中的各種染料、顏料等。
樹脂黏合劑包括各種樹脂，包括熱塑性樹脂、熱固性樹脂、紫外線固化樹脂、電子束固化樹脂等。
彩色印刷層的厚度，沒有特別限制，可根據期望的印刷顏色密度適當選擇，因為它相對於印刷顏色密度適當變化。
在熱可逆記錄介質中，可以使用非可逆記錄層。在這種情況下，各記錄層的色調可以相同或不同。
此外，著色層，其上通過平板印刷、凹版印刷等或者通過噴墨印刷機、熱轉移印刷機、昇華印刷機等形成任意的畫報設計，可被提供在與熱可逆記錄介質的記錄層相對的部分面上，或者與之相同的整個部分面上，並且具有切割樹脂作為主要成分的上塗清漆(overpaint varnish)層也可被提供在整個或部分著色層上。
畫報設計包括，例如，文字、式樣、圖表、照片、用紅外線燈檢測的資訊等。
此外，簡單形成的各層的任意層可以通過向其添加染料或顏料而著色。
此外，熱可逆記錄介質可被提供有安全性全息圖。此外，為了提供設計效果，通過形成浮雕或凹雕中的凹陷和凸起，它還可被提供以涉及諸如肖像、公司商標、符號等。
熱可逆記錄介質的形狀和使用
熱可逆記錄介質可以根據其用途製成所需的形狀，因此，例如，它製成卡的形狀，標籤(tag)的形狀，標條(label)的形狀，片材(sheet)的形狀，輥的形狀，等等。
此外，製成卡的熱可逆記錄介質可用於預付卡、打折卡(即，所謂的點卡)、信用卡等。
製成標籤形狀的熱可逆記錄介質，其比卡的尺寸更小，可用於價格標籤等等，同時製成標籤形狀的熱可逆記錄介質，其比卡的尺寸更大，可用於票證、程序控制和裝運指令等。
製成標條形狀的熱可逆記錄介質可以被黏附，因此它能被製成多種尺寸，並且能被黏附到手推車、盛器、盒子、容器等，其被重複利用，以便被用於程序控制和物品控制等。此外，製成片材的熱可逆記錄介質，其比卡的尺寸更大，為記錄提供了廣泛的範圍，這樣它可用於一般使用的文件、程序控制指令等。
熱可逆記錄介質與RF-ID相結合的實施例
熱可逆記錄部件是非常適合應用為熱可逆記錄層，所述熱可逆記錄層是能夠可逆顯示的，而資訊儲存單元被提供在同樣的卡或者標籤，然後在資訊儲存單元儲存的一部分資訊在記錄層上顯示，這讓通過簡單地檢查卡或標籤來核對資訊成為可能，而不需要一個特殊的裝置。此外，在資訊儲 存單元的內容被重寫時，熱可逆記錄單元的顯示可以被重寫多次以重複使用熱可逆記錄介質。
資訊儲存單元，因其沒有特別限制，可以據它們的用途適當地選擇，並較佳包括如磁記錄層、磁條、IC記憶體、光學記憶體、RF-ID標籤，等等。對於在程序控制、物品控制等中的應用，特別是可以較佳使用RF-ID標籤。
RF-ID標籤包括IC晶片，和連接至該IC晶片的天線。
熱可逆記錄部件包括能夠可逆顯示的記錄層；和資訊儲存單元，較佳的實施例中包括RF-ID標籤。
第8圖顯示了RF-ID標籤示意圖的一個例子。RF-ID標籤85包括IC晶片81；以及連接至IC晶片81的天線82。IC晶片81被分成4個單元，即，儲存單元、功率調節單元、發送單元和接收單元，每個單元皆有分配的功能以進行通信。至於通信，RF-ID標籤85通過電波與讀取器/寫入器的天線進行通信來交換資料。更具體地，有兩種類型的方法，即，電磁感應方法，在該方法中，RF-ID標籤85的天線接收來自讀取器/寫入器的無線電波，並且電動勢由共振引起的電磁感應產生，以及無線電波方法，在該方法中，由輻射電磁場進行啟動。在這兩種方法中，RF-ID標籤85中的IC晶片81被來自外界的電磁場啟動，晶片內的資訊被轉換成一個信號，然後該信號從RF-ID標籤85發射。該資訊被讀取器/寫入器側的天線接收，並通過資料處理單元識別，並在軟體部分進行資料處理。
所述RF-ID標籤，該標籤製成標籤形狀或卡形狀，可以被附著至熱可逆記錄介質上。RF-ID標籤，其可以恒定到的記錄層表面或背層表面，較佳地恒定到背層面。
為將RF-ID標籤黏附到熱可逆記錄介質上，可以使用已知的黏合劑或黏著劑。
此外，熱可逆記錄介質和RF-ID標籤可以通過層壓等一體地形成，以形成卡片形狀或標籤形狀。
熱可逆記錄部件應用於程序控制一個例子被展示，在該熱可逆記錄部件中熱可逆記錄介質和RF-ID標籤是組合的。
其上運送包含被輸送的原料的容器生產線被提供有：在被運送時以非接觸方式將可見影像寫入顯示單元上的單元；以及以非接觸方式進行抹除的單元，並且進一步提供有讀取器/寫入器，用於執行通過電磁波的傳輸在 容器中提供之RF-ID中的非接觸讀取和重寫資訊。此外，生產線還提供控制單元，在分配線上，當容器被運輸時，該控制單元使用以非接觸的方式寫入或讀出容器的個體資訊以自動進行分類、稱重、管理等等。
對於配備連接到容器的熱可逆記錄介質RF-ID標籤，在熱可逆記錄介質和RF-ID標籤上的記錄資訊，例如商品名稱，數量等，執行檢查。在接下來的過程中，指令被給定以處理被運送的原料，用於處理的資訊被記錄在熱可逆記錄介質上和在RF-ID標籤裡，生成處理指示，並繼續進行的處理過程。接著，被記錄在熱可逆記錄介質和RF-ID標籤上的訂單資訊被作為訂購說明，用於加工產品，裝運資訊，這些資訊被讀取在產品裝運後，並帶有RF-ID標籤的容器和熱可逆記錄介質被再次使用為傳遞。
此時，用雷射器通過在熱可逆記錄介質上的非接觸式記錄，可以進行資訊的抹除/記錄，而無需從容器等上剝離熱可逆記錄介質，並且，由於也具有以非接觸的方式將資訊儲存在RF-ID標籤的能力，處理過程能被即時的管理同時RF-ID標籤內資訊能被顯示在熱可逆記錄介質上。
影像記錄和影像抹除機制
影像記錄和影像抹除機制是一種色調可通過熱可逆變化的模式。在該模式中，其包括無色染料和可逆顯影劑(下面稱為“顯影劑”)，色調熱可逆變化實現透明度和著色狀態。
第2A圖顯示了熱可逆記錄介質溫度-顏色濃度變化曲線的一實例，該熱可逆記錄介質具有包括樹脂中無色染料和顯影劑的熱可逆記錄層，第2B圖展示了熱可逆記錄介質的著色和脫色機制，例如，透明狀態和著色狀態的熱可逆地改變。
首先，當最初在脫色狀態(A)的熱可逆記錄層的溫度增加時，在熔融(fusing)溫度T1，無色染料和顯影劑融合在一起，產生著色，通向熔融著色狀態(B)。當從熔融著色狀態(B)快速冷卻時，它是能夠降低至室溫，同時在著色狀態，以便著色狀態被穩定通向一個恒定的著色狀態(C)。著色狀態是否被獲得依賴於從熔融狀態開始的溫度下降速度，使得脫色發生在溫度降低的緩慢冷卻的過程中，通向相對於通過快速冷卻獲得的著色狀態(C)低密度的狀態，或者褪色狀態(A)，這和初始狀態是相同的。在另一方面，當溫度再次從著色狀態(C)升高時，褪色(從D到E)將在溫度T2發生，這是比著色溫度更低；從該狀態的溫度降低導致的過渡回的脫色狀態(A)，這和初始狀態是相同的。
通過從熔融狀態迅速冷卻獲得的著色狀態(C)是這樣一個狀態，在這裡無色染料和顯影劑進行混合，這樣它們的分子可以進行接觸反應，這往往是固體狀態。這是一種無色染料和顯影劑的熔融混合物(著色混合物)結晶保持顏色的狀態，它被認為通過這種結構的形成獲得的著色是穩定的。另一方面，褪色狀態中二者是相分離的。可了解這是一種至少一種化合物的分子聚集形成一個域(domain)或者它們結晶的狀態，接著聚集或者結晶導致無色染料和顯影劑分離以穩定。以這種方式，在許多情況下，二者是相分離的，以致顯影劑結晶，引起更完全的褪色發生。
在由於從熔融狀態下緩慢冷卻引起的脫色和由於從著色狀態溫度的上升引起的脫色二者中，在溫度T2 處，聚集結構改變，引起顯影劑結晶和相分離發生，這被展示在第2A圖中。
此外，在第2A圖中，當記錄層的溫度被反復增加至溫度T3 ，其大於等於熔融溫度T1，抹除失敗可能發生，在此過程中即使被加熱到抹除溫度抹除是不可能的。據認為，這是由於的顯影劑接受熱分解，使其難以實現顯影劑進行會聚或者結晶，進而同無色染料分開。為抑制熱可逆記錄介質由於重複使用帶來的劣化，當加熱熱可逆記錄介質時，第2A圖中溫度T3 和熔融溫度T1 之間的差異被減小以抑制由於重複使用帶來的劣化。
現在，參考附圖描述關於本發明影像抹除設備實施方式。
如第3A圖和第3B圖所示，所示實施方式的影像抹除設備1000包括雷射二極體(LD)陣列1、寬度方向平行化單元2、長度方向光分佈均勻化單元7、長度方向平行化單元4、長度方向的會聚單元9、掃描單元5、以及照射能量總額控制單元17。
作為LD陣列1，一LD陣列被使用，在使用的LD陣列中多個的LD(半導體雷射器)在單軸方向(α軸方向)排列。
作為寬度方向平行化單元2，一光學透鏡被使用，使用的光學透鏡在寬度方向上會聚來自LD陣列的線形雷射光(線形光束)。
長度方向光分佈均勻化單元7具有在長度方向上(α軸方向)均勻化分散的線形光束的功能，該線形光束通過寬度方向平行化單元2，以在線形光束的長度方向上均勻光分佈。
作為長度方向平行化單元4，一光學透鏡被使用，被使用的光學透鏡在長度方向上使通過長度方向光分佈均勻化單元7的線形光束平行化。
作為寬度方向會聚單元9，一光學透鏡被使用，被使用的光學透鏡將通 過長度方向平行化單元4的線形光束轉換為在寬度方向上會聚的會聚光。
作為掃描單元5，(1)通過單軸電流鏡的雷射光掃描可以實現精細掃描控制，但成本很高；(2)通過步進電動鏡的雷射光掃描可以實現精細掃描控制，相比單軸電流鏡其成本更低；(3)通過多面鏡的雷射光掃描只能以恒定的速度進行，但是成本低。
此外，除了被掃描單元5偏向外，熱可逆記錄介質可以也可以被移動。作為一種實現的方法，(1)熱可逆記錄介質10可通過平臺來移動；或者(2)熱可逆記錄介質10通過傳送裝置(介質被恒定到一個盒子上，它隨傳送裝置移動)來移動。
照射能量總額控制單元17被使用，其包括：測溫感測器TS，用於測量熱可逆記錄介質10或者其周圍的溫度；測距感測器DS，用於測量熱可逆記錄介質10和掃描單元5之間的距離；以及輸出調節裝置PA，用於調節一維LD陣列1的輸出，所做的調節是基於測溫感測器TS和測距感測器DS的測量值的。
以這種方式，適合於抹除影像的照射能量可以被照射到熱可逆記錄介質10上，無需考慮熱可逆記錄介質10的溫度和熱可逆記錄介質10和掃描單元之5間的距離。
在這種情況下，輸出調節裝置PA調節LD陣列1的輸出，所做的調節是基於測溫感測器TS和測距感測器DS的測量值的，考慮到上述熱可逆記錄介質10的著色-褪色特徵。
照射能量總額控制單元17並沒有必要包括測溫感測器TS和測距感測器DS。換句話說，輸出調節裝置PA可以調節LD陣列1的輸出，所做的調節是基於測溫感測器TS和測距感測器DS的測量值的。
代替輸出調節裝置PA，照射能量總額控制單元17可以包括加熱時間調節裝置，其調節熱可逆記錄介質10加熱時間，所做的調節至少基於測溫感測器TS和測距感測器DS的測量值之一。
當線形光束在寬度方向上被偏移(掃描)以執行抹除，加熱時間可以被標記為W/V，其中光束寬度為W和掃描速度為V，其中為盡可能的實現均勻抹除，W/V理想是恒定的。
但是，依照線形光束的行進方向，從裝置成本方面考慮控制V是困難的，因此，依照線形光束的行進方向，控制W是可取的。更具體地，例如，W可以控制得盡可能恒定同時使V恒定。
第4A圖和第4B圖闡明本發明影像抹除設備的一實施例的原理圖。
本實施例中影像抹除設備2000使用LD陣列，例如，在這個LD陣列中47個LD沿α軸方向對齊，同時LD陣列1的發光單元在縱向方向上的長度是10毫米。
用柱面透鏡作為寬度方向平行化單元2，LD陣列1發出的線形雷射光光束(線形光束)在寬度方向上被輕微地會聚，以使會聚的光入射在球面透鏡6上，通過球面透鏡6入射光被收集到透鏡15。
透鏡15包括具有擴散並均勻化雷射光以擴展其長度和寬度的功能的透鏡(例如，微透鏡陣列、凹或凸的透鏡陣列、菲涅耳透鏡；或者微透鏡陣列TEL-150/500，這是由LIMO GmbH公司製造的，並在本實施例中使用的微透鏡陣列)。
通過透鏡15的線形光束通過柱面透鏡3在寬度方向上被會聚。
柱面透鏡2發射的線形光束的光分佈是並不均勻的，因為它是一個由多個光源(半導體雷射器)發射的光束的組合；因此，為均勻化需要的是配置一個上述的光學元件。
更具體地，具有一個凸(convex)側以及焦距為70毫米的如球面透鏡6的透鏡被設置，以及具有一個凸側以及焦距依照光束寬度變化的如柱面透鏡3的透鏡被設置，從而通過使用-1,000毫米、-400毫米和-200毫米獲得實例的光束寬度。凸透鏡陣列被安排為在長度方向上以40um間隔的步距。
用作為長度方向平行化單元的球面透鏡4，經過柱面透鏡3的線形光束在長度方向上被平行化。對於球面透鏡4，使用焦距200毫米具有一個凸側的透鏡。
經過球面透鏡4的線形光束用柱面透鏡8在寬度方向上被會聚。對於球面透鏡8，使用焦距200毫米具有一個凸側的透鏡。
經過柱面透鏡8的線形光束通過掃描單元5在寬度方向上偏向，從而將其在熱可逆記錄介質10上掃描。對於掃描單元5，使用單軸電流鏡，但是代替它，可以使用步進電動鏡、多邊鏡等。電流鏡可以在α方向延伸的軸5a周圍振動。
在本實施方式中，照射能量總額控制單元19包括角度感測器AS，其檢測掃描單元5的工作狀態，或者換句話說電流鏡的振動角；以及輸出調節裝置PA，其基於角度感測器AS的檢測資訊調節LD陣列1的輸出。
輸出調節裝置PA調節LD陣列1的輸出，以便照射到熱可逆介質10上 的線形光束的能量密度變得恒定，而不論掃描單元5所掃描的線形光束的掃描位置。
更具體地，輸出調節裝置PA從線形光束的行進方向(熱可逆介質10上的入射角)上即時計算行進方向上的光束寬度(照射面積)，並且根據計算的光束寬度照射輸出的雷射光。輸出調節裝置PA可以在記憶體中預先儲存各入射角的光束寬度資料，並且根據線形光束的行進方向即時取出相應的資料。
代替輸出調節裝置PA，照射能量總額控制單元19可以包括加熱時間調節裝置，其基於從角度感測器AS檢測的資訊調節熱可逆記錄介質10的加熱時間。
此外，如上所述，熱可逆記錄介質10上的光束寬度為W3(θ)=W3/cosθ(參見第10圖)。
然後，在本實施方式中，設定柱面透鏡3和8的位置和焦距，以便W3(θ)變得盡可能恒定，而不論θ。因此，可以將線形光束在熱可逆記錄介質10上的光束寬度設定得盡可能恒定，而不論線形光束的掃描位置。
根據第3A圖至第4B圖中所示的影像抹除設備，熱可逆記錄介質10上的線形光束，如第5圖所示，具有在長度方向上均勻的光分佈，從而線形光束的長度變為抹除區域的一側。線形光束所掃描的長度(距離)變成抹除區域的剩餘側。然後，線形光束可僅僅在寬度方向(單軸方向)上掃描。
上述各實施方式的影像抹除設備1000、2000包括LD陣列1，其發出線形光束(具有線形橫截面的雷射光)；光學元件，包括至少一個光學透鏡(寬度方向會聚單元)，將LD陣列1發出的線形雷射光轉化為在寬度方向上會聚的會聚光，並發出該會聚光；以及掃描單元5，其在寬度方向偏向所述光學元件轉化成會聚光的線形光束，以將偏向的線形光束掃描到熱可逆記錄介質10上。
在這種情況下，使線形光束在熱可逆介質10上的光束寬度盡可能恒定是可能的，而不論掃描單元5所掃描的線形光束的掃描位置。換句話說，熱可逆記錄介質10的加熱時間可以變得盡可能恒定，而不論線形光束的掃描位置。因此，均勻地抹除熱可逆記錄介質10上記錄的影像是可能的。影像抹除設備1000、2000使得相對於傳統裝置獲得上述優勢十分可能，具體地，入射在熱可逆記錄介質10上掃描行程(stroke)一端和另一端的雷射光入 射角越大，或者換句話說，上述掃描行程相對於掃描單元5和熱可逆記錄介質10之間的距離比例越大。
此外，相比傳統的那些，增加照射能量寬度(下述的淨(NET)抹除能量寬度)是可能的，所述照射能量寬度可以在熱可逆記錄介質的整個記錄區域上均勻地抹除熱可逆記錄介質10上記錄的影像。換句話說，相比傳統的那些，選擇用於均勻地抹除熱可逆記錄介質10上記錄的影像的照射能量總量的寬度是寬的。
另外，除了寬度方向會聚單元外，影像抹除設備1000、2000包括光學透鏡(長度方向平行化單元)，其在長度方向上使由掃描單元5入射的線形光束平行化。
在這種情況下，使線形光束在熱可逆介質10上的光束長度恒定是可能的，而不論掃描單元5所掃描的線形光束的掃描位置。換句話說，線形光束照射到熱可逆記錄介質10上的面積可以設定得盡可能恒定，而不論線形光束的掃描位置。因此，更均勻地抹除熱可逆記錄介質10上記錄的影像是可能的。
此外，除了寬度方向會聚單元和長度方向平行化單元外，影像抹除設備1000、2000包括長度方向光分佈均勻化單元，其使得由掃描單元入射的線形光束在長度方向上均勻。
在這種情況下，線形光束在熱可逆記錄介質10上的照射能量密度可設定得盡可能恒定，而不論線形光束的掃描位置。因此，更均勻地抹除熱可逆記錄介質10上記錄的影像是可能的。
此外，除了寬度方向會聚單元、長度方向平行化單元和長度方向光分佈均勻化單元外，影像抹除設備1000、2000包括照射能量總額控制單元，其控制線形光束照射到熱可逆記錄介質10上的能量總額。因此，以極其均勻的方式抹除熱可逆記錄介質10上記錄的影像是可能的
通過線形光束進行抹除，足以僅在單軸方向上掃描雷射光，使得掃描鏡減少，使控制容易，使實現低成本成為可能。
用線形光束進行抹除使得相對於環狀雷射光以更低的能量進行抹除成為可能。由於將線形光束用作光源，使得減少熱擴散引起的能量損失成為可能，這是一個益處。
線形光束不要求用雷射光掃描進行跳躍(不照射雷射光的雷射光掃描)，從而沒有延長由於跳躍引起的抹除時間。
相比光纖耦合的LD，LD陣列使得容易以低成本獲得高輸出成為可能。
隨著重複進行抹除，背景部分密度通常增加；相對於初始背景部分密度其增加0.02的極限，相對於環形光束400次，對於線形光束為5,000次，這是一個重大的改進。這是因為沒有必要疊加雷射光束掃描。
本發明的影像抹除方法和影像抹除設備使得在熱可逆記錄介質諸如黏貼到容器諸如紙板箱、塑膠容器等的標籤上以非接觸方式重複進行抹除成為可能。因此，它們可具體地較佳用於分配和輸送系統。在這種情況下，例如，在移動置於傳送帶上的紙板箱或塑膠容器的同時，影像可在標籤上記錄並從標籤上抹除，使減少運輸時間成為可能，因為沒必要停止流水線。
此外，要黏貼標籤的紙板箱或塑膠容器可被重複利用，因為其無需從中剝離標籤，使得再次進行影像抹除和記錄成為可能。
(實施例)
下文描述的是本發明的實施例，但是完全不限於此。
(生產實施例1)
熱可逆記錄介質的生產
通過熱色調可逆地變化的熱可逆記錄介質如下生產：
載體
作為載體，使用厚度為125微米的白色混濁聚酯膜(TETORON FILM U2L98W，由Teijin DuPont Films Japan Limited製造)。
第一氧阻擋層的形成
5質量份尿烷基黏合劑(TM-567，由Toyo-Morton,Ltd.製造)、0.5質量份異氰酸酯(CAT-RT-37，由Toyo-Morton,Ltd.製造)和5質量份乙酸乙酯被加入並充分攪拌以製備氧阻擋層塗佈溶液。
接著，在二氧化矽沉積的聚對苯二甲酸乙酯(PET)薄膜(TECHBARRIER HX，由Mitsubishi Plastics,Inc.製造，氧滲透率：0.5 ml/m2 /天/MPa)，利用線棒(wire bar)施加氧阻擋層塗佈溶液，並且在80℃下加熱並乾燥1分鐘。具有如上所述形成的氧阻擋層的二氧化矽沉積的PET薄膜被貼到載體上，在50℃下加熱24小時，形成厚度為12微米的第一氧阻擋層。
第一熱可逆記錄層的形成
利用球磨機(ball mill)，將5質量份由下列結構式(1)表示的可逆顯影劑、0.5質量份由下列結構式(2)和結構式(3)表示的兩種顏色抹除促進劑的每一種、10質量份50質量百分比丙烯醯基多元醇溶液(羥基值=200 mgKOH/g) 和80質量份甲基乙基酮粉碎並分散直至平均粒徑變成大約1微米。
接著，向粉碎並分散有可逆顯影劑的分散溶液中，加入1質量份作為無色染料的2-苯胺基-3-甲基-6-二丁氨基螢烷和5質量份異氰酸酯(CORONATE HL，由Nippon Polyurethane Industry Co.,Ltd.製造)並充分攪拌以製備熱可逆記錄層塗佈溶液。
獲得的熱可逆記錄層塗佈溶液利用線棒施加到第一氧阻擋層，並在100℃下乾燥2分鐘，之後在60℃下固化24小時以形成厚度為6.0微米的第一熱可逆記錄層。
光熱轉換層的形成
4質量份1質量百分比酞菁基光熱轉換材料溶液(IR-915，由NIPPON SHOKUBAI Co.,Ltd.製造，吸收峰波長：956奈米)、10質量份質量百分比丙烯醯基多元醇溶液(羥基值=200 mgKOH/g)、20質量份甲基乙基酮和5質量份作為交聯劑的異氰酸酯(CORONATE HL，由Nippon Polyurethane Industry Co.,Ltd.製造)被充分攪拌以製備光熱轉換層塗佈溶液。獲得的光熱轉換層塗佈溶液利用線棒施加到第一熱可逆記錄層，並在90℃下乾燥1分鐘，之後在60℃下固化24小時以形成厚度為3微米的光熱轉換層。
第二熱可逆記錄層的形成
與第一熱可逆記錄層相同的熱可逆記錄層組合物利用線棒施加到光熱轉換層，並在100℃下乾燥2分鐘，之後在60℃下固化24小時以形成厚度 為6.0微米的第二熱可逆記錄層。
紫外線吸收層的形成
10質量份40質量百分比紫外線吸收聚合物溶液(UV-G300，由NIPPON SHOKUBAI CO.,LTD.製造)，1.5質量份異氰酸酯(CORONATE HL，由Nippon Polyurethane Industry Co.,Ltd.製造)和12質量份甲基乙基酮被加入並充分攪拌以製備紫外線吸收層塗佈溶液。
接下來，紫外線吸收層塗佈溶液利用線棒施加到第二熱可逆記錄層，並在90℃下乾燥1分鐘，之後在60℃下固化24小時以形成厚度為1微米的紫外線吸收層。
第二氧阻擋層的形成
與第一氧阻擋層相同的具有氧阻擋層的二氧化矽PET薄膜被黏貼到紫外線吸收層，在50℃下加熱24小時，形成厚度為12微米的第二氧阻擋層。
背層的形成
7.5質量份季戊四醇六丙烯酸酯(KAYARAD DPHA，由Nippon Kayaku Co.,Ltd.製造)、2.5質量份尿烷丙烯酸酯低聚物(ART RESIN UN-3320HA，由Negami Chemical.Industrial Co.,Ltd.製造)、2.5質量份針形傳導性氧化鈦(FT-3000，長軸(major axis)=5.15微米，短軸(minor axis)=0.27微米，結構：塗佈有摻銻的氧化錫的氧化鈦，由Ishihara Sangyo Kaisha,Ltd.製造)、0.5質量份光聚合引發劑(IRGACURE184，由Nihon Ciba-Geigy K.K.製造)和13質量份異丙醇被加入，利用球磨機充分攪拌以製備背層塗佈溶液。
接下來，背層塗佈溶液利用線棒施加到未形成第一熱可逆記錄層等的載體側的那一面上，在90℃下加熱並乾燥1分鐘，之後它用80 W/cm的紫外線燈交聯以形成厚度4微米的背層。如上所述，產生生產實施例1的熱可逆記錄介質。
(生產實施例2)
熱可逆記錄介質的生產
生產實施例2的熱可逆記錄介質以與生產實施例1相同的方式生產，除了作為光熱轉換材料的硼化鑭被施加到熱可逆記錄層塗佈溶液從而獲得與實施例1相同的靈敏度以形成厚度12微米的第一熱可逆記錄，並且沒有形成第二熱可逆記錄層、光熱轉換層和阻擋層。
(實施例1)
在實施例1中，通過第4A圖和第4B圖中所示的本發明影像抹除設備 (利用LD陣列的抹除裝置)利用線形光束針對在生產實施例2的熱可逆記錄介質上記錄的固體影像在改變掃描方向中心位置周圍的光束寬度時如下測量抹除能量和抹除寬度。結果顯示在表1中。
作為影像記錄方法，利用LD標記裝置進行影像記錄，其中雷射光從BMU25-975-10-R(中心波長：976奈米)由Oclaro製造的光纖耦合LD(半導體雷射器)照射，並且雷射光通過電流(galvano)掃描器6230H(由Cambridge製造)同時通過聚光透鏡系統(由兩個恒定透鏡和一個移動透鏡形成，位置用電流掃描器的角度調節以在相同工作單元之間的距離處聚集，而不取決於電流掃描器)聚集以聚集到熱可逆記錄介質上。
作為影像抹除方法，因為通過第4A圖和第4B圖中本發明影像抹除設備的線形光束進行抹除，光學透鏡系統利用裝備準直(collimator)透鏡的LD光源JOLD-108-CPFN-1L-976，通過JENOPTIK AG製造的LD棒光源(中心波長：976奈米，輸出：108 W)，作為LD陣列1和透鏡2；焦距70毫米的球面透鏡，作為透鏡6；微透鏡陣列TEL-150/500，由LIMO製造，作為透鏡15；柱面透鏡，作為透鏡3；焦距250毫米的球面透鏡，作為透鏡4；焦距300毫米的球面透鏡，作為透鏡8；和由Cambridge製造的電流掃描器6230H，其為電流鏡，作為掃描鏡5進行裝配；通過用線形光束以45毫米/秒的掃描線速度掃描10毫米的中心區域在熱可逆記錄介質上進行抹除，其中寬度通過改變透鏡3的焦距和安裝位置進行調節，長度設定成46毫米。
抹除能量和抹除寬度的測量
在印刷有固體影像的熱可逆介質上進行抹除同時在5℃環境下改變照射能量以確定抹除能量和抹除寬度，其中背景密度差變得小於或等於0.03。“抹除能量”被定義為可抹除能量的最大值和最小值的平均值，所述可抹除能量是這樣的雷射光照射能量，在該雷射光照射能量下抹除固體影像後的背景密度相對於形成固體影像之前的背景密度變成小於或等於+0.03。此外，利用可抹除能量的最大值和最小值，將“抹除寬度”定義為(最大值-最小值)/(最大值+最小值)。對於密度測量，利用反射密度計(938 Spectro-densito-meter；由X-rite製造)進行測量。
關於當光束寬度改變時抹除能量和抹除寬度的特性，隨著光束寬度的變化，熱可逆介質的加熱時間變化，並且抹除特性變化。因此，將熱可逆介質上的光速寬度設定成定值也使得抹除特性相匹配。
(實施例1和比較實施例1)
在實施例1中，在LD陣列1和透鏡2、以及透鏡6之間的距離設定成75毫米；透鏡6和透鏡15之間的距離設定成70毫米；透鏡15和透鏡3之間的距離設定成175毫米；透鏡3和透鏡4之間的距離設定成70毫米；透鏡4和透鏡8之間的距離設定成55毫米；透鏡8和掃描鏡5之間的距離設定成40毫米；掃描鏡5和熱可逆記錄介質10之間的距離設定成160毫米。
在第4A圖和第4B圖中顯示的光學元件中，在實施例1中，透鏡3和8(柱面透鏡)的安裝位置以及掃描鏡5和熱可逆記錄介質10之間的距離被調節以調節入射在熱可逆記錄介質10上的線形光束的會聚程度，使得熱可逆記錄介質上的光束寬度，或者換句話說第10圖中的W3(θ)幾乎不變，而不論θ。這裡，入射在熱可逆記錄介質10上的線形光束在長度方向上被校準(平行化)。
另一方面，在比較實施例1中，透鏡3和8(柱面透鏡)的安裝位置以及掃描鏡5和熱可逆記錄介質10之間的距離被設定以將線形光束的寬度設定為定值，而不論掃描鏡5和熱可逆記錄介質10之間的距離。
對於實施例1和比較實施例1，掃描中心位置處的光束寬度均被設定成0.5毫米。
對於實施例1和比較實施例1，在5℃環境下對於掃描鏡介質上150毫米的掃描寬度以45毫米/秒的掃描速度在熱可逆介質上進行掃描和抹除。結果顯示在表1中。第6A圖是顯示實施例1的抹除特性的圖，而第6B圖是顯示比較實施例1的抹除特性的圖。
這裡，利用雷射光照射能量的最大值和最小值，“淨抹除能量寬度”被定義為(最大值-最小值)/(最大值+最小值)，在該雷射光照射能量下抹除固體影像後的背景密度在150毫米的整個掃描區域相對於形成固體影像之前的背景密度變成小於或等於+0.03。
淨抹除能量寬度可以通過在掃描方向上具有相等可抹除性的中心部分和邊緣部分提高，在實際操作中抹除能量有可能變化，因此重要的是確保淨抹除能量盡可能寬。
表1
(實施例2)
在實施例2中，通過在5℃環境下根據線性光束的掃描位置調節雷射光照射能量以調節能量確定淨抹除能量寬度，從而進行抹除。結果顯示在表2中。
(實施例3)
在實施例3中，通過在5℃環境下根據線性光束的掃描位置調節掃描速度以調節能量確定淨抹除能量寬度，從而進行抹除。結果顯示在表2中。
在掃描方向，隨著雷射光斜射在熱可逆介質上，邊緣部分處的表面反射相對於中心部分變大，所以可用於抹除的能量減少，使得通過增加邊緣部分處的抹除能量獲得與中心部分相等的可抹除性成為可能並且使得增加淨抹除能量寬度成為可能。
(實施例4)
通過以與實施例1相同的方式進行固體影像印刷而進行抹除，除了在實施例4中，步進電動鏡被安裝，以代替第4A圖和第4B圖中顯示之本發明影像抹除設備中的電流鏡，並且步進電動鏡被控制以便45毫米/秒的掃描線速度進行掃描，使得完全抹除固體影像(被抹除部分和背景部分之間的密度差為0.00)成為可能。
(實施例5)
在實施例5中，通過以與實施例1相同的方式進行固體影像印刷而進行抹除，除了在實施例5中，多邊鏡被安裝，以代替第4A圖和第4B圖中顯示之本發明影像抹除設備中的電流鏡，並且多邊鏡的旋轉數被調節以便以45毫米/秒的掃描線速度進行掃描，使得完全抹除固體影像(被抹除部分和背景部分之間的密度差為0.00)成為可能。
(實施例6)
在實施例6中，通過去除第4A圖和第4B圖中顯示的本發明影像抹除設備中的電流鏡以與實施例2相同的方式在生產實施例1的熱可逆記錄介質上進行固體影像印刷；進行抹除，同時以20毫米/秒(1.2 m/分鐘)的傳送速度移動傳送帶上黏貼有熱可逆記錄介質的塑膠箱，使得完全抹除固體影像(被抹除部分和背景部分之間的密度差為0.00)成為可能。
(實施例7)
當在實施例7中第4A圖和第4B圖中顯示的本發明影像抹除設備中以與實施例2相同的方式對生產實施例1的熱可逆記錄介質進行固體影像抹除時，可以完全抹除固體影像(被抹除部分和背景部分之間的密度差為0.00)。
(實施例8和9)
對於實施例8，以在25℃下設定的照射能在25℃和5℃下進行抹除，具有當周圍溫度增加1℃進行增加照射能1.1%的校正的功能，周圍溫度感測器被安裝到第4A圖和第4B圖中顯示之本發明影像抹除設備中，並且對於實施例9沒有上述功能，以測量未抹除密度。結果顯示在表3中。
(實施例10和11)
對於實施例10，以掃描鏡和熱可逆介質之間的距離160毫米和170毫米進行抹除，具有控制掃描鏡的校正以使掃描位置變得相同而不論相互配 合位置如何，測量裝置和熱可逆介質之間的距離的位移感測器被安裝在第4A圖和第4B圖中顯示之本發明影像抹除設備中，並且對於實施例11沒有上述功能，以測量未抹除密度。結果顯示在表4中。
本專利申請案係基於在2011年12月5日提交之日本專利申請第2011-265370號之優先權權益。
1‧‧‧LD陣列
2‧‧‧寬度方向平行化單元
3‧‧‧柱面透鏡
4‧‧‧球面透鏡
5‧‧‧掃描單元
6‧‧‧球面透鏡
8‧‧‧柱面透鏡
10‧‧‧熱可逆記錄介質
15‧‧‧透鏡
19‧‧‧照射能量總額控制單元
2000‧‧‧影像抹除設備
AS‧‧‧角度感測器
PA‧‧‧輸出調節裝置

Claims (8)

  1. 一種影像抹除設備，其將一雷射光掃描到一其上記錄有一影像的熱可逆記錄介質上以抹除該影像，該影像抹除設備包括：一光源，該光源發出橫截面是一線形的該雷射光；複數個光學元件，該等光學元件將從該光源發出的該雷射光轉化為在一寬度方向上會聚的一會聚光，以發出該會聚光；以及一掃描單元，該掃描單元在該寬度方向偏向從該等光學元件發出的該雷射光，以將該偏向的雷射光掃描到該熱可逆記錄介質上，其中該光學元件包括一聚光元件，該聚光元件被設置以使該雷射光在該熱可逆記錄介質上的一寬度變成定值，而不論該掃描單元所掃描的該雷射光的一掃描位置；以及該光學元件進一步在一長度方向上使從該光源發出的該雷射光平行化，以發出該平行化的雷射光。
  2. 依據申請專利範圍第1項所述的影像抹除設備，其中該聚光元件為一柱面透鏡。
  3. 依據申請專利範圍第1項所述的影像抹除設備，其中該等光學元件進一步使該光源發出的該雷射光在一長度方向上的一光分佈均勻，以發出該雷射光。
  4. 依據申請專利範圍第1項所述的影像抹除設備，進一步包括：一照射能量總額控制單元，該照射能量總額控制單元根據由該掃描單元所掃描的該雷射光的該掃描位置控制照射到該熱可逆記錄介質上的該雷射光的一能量總額。
  5. 依據申請專利範圍第1項所述的影像抹除設備，進一步包括：一照射能量總額控制單元，該照射能量總額控制單元測量該熱可逆記錄介質或該熱可逆記錄介質周圍的一溫度，以根據該測量的溫度控制照射到該熱可逆記錄介質上的該雷射光的一能量總額。
  6. 依據申請專利範圍第1項所述的影像抹除設備，進一步包括：一照射能量總額控制單元，該照射能量總額控制單元測量該熱可逆記錄介質和該掃描單元之間的一距離，以根據該測量的距離控制照射到該熱可逆記錄介質上的該雷射光的一能量總額。
  7. 依據申請專利範圍第1項所述的影像抹除設備，其中該光源包括複數個一維對齊的半導體雷射器。
  8. 一種影像抹除方法，該影像抹除方法用一雷射光掃描到一其上記錄有一影像的熱可逆記錄介質上以抹除該影像，該影像抹除方法包括下列步驟：將一橫截面為一線形的一雷射光轉化為在一寬度方向上會聚的一會聚光；以及使用光學元件在該寬度方向偏向在會聚步驟中轉化為該會聚光的該雷射光，以將該偏向的雷射光掃描到該熱可逆記錄介質上，其中該光學元件包括一聚光元件，該聚光元件被設置以使該雷射光在該熱可逆記錄介質上的一寬度變成定值，而不論該掃描單元所掃描的該雷射光的一掃描位置；以及該光學元件進一步在一長度方向上使從該光源發出的該雷射光平行化，以發出該平行化的雷射光。
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