TWI475735B - 發光元件，發光裝置以及電子裝置 - Google Patents

發光元件，發光裝置以及電子裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI475735B
TWI475735B TW099100943A TW99100943A TWI475735B TW I475735 B TWI475735 B TW I475735B TW 099100943 A TW099100943 A TW 099100943A TW 99100943 A TW99100943 A TW 99100943A TW I475735 B TWI475735 B TW I475735B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
organic compound
light
electrode
emitting element
Prior art date
Application number
TW099100943A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201017949A (en
Inventor
Nobuharu Ohsawa
Original Assignee
Semiconductor Energy Lab
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Lab filed Critical Semiconductor Energy Lab
Publication of TW201017949A publication Critical patent/TW201017949A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI475735B publication Critical patent/TWI475735B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

發光元件，發光裝置以及電子裝置
本發明有關電流激發型發光元件。此外，本發明有關具有該發光元件之發光裝置與電子裝置。
近年來，已對於使用電致發光之發光元件徹底進行硏究與發展。此種發光元件之基本結構中，具有發光性質之物質係插入一對電極之間。藉由對此元件施加電壓，可自具有發光性質之物質得到發光。
此種發光元件係自發光型元件，一般認為其優於液晶顯示器之優點係像素能見度高、不需要背光等等，因此適於作為平板顯示元件。此外，此種發光元件之其他優點係此元件可製成薄且輕，而且反應速度非常高。
由於該發光元件可形成薄膜形，因此藉由形成大面積元件可以輕易獲得表面發光。此係以白熾燈與LED為代表之點狀光源或以螢光燈為代表之線性光源難獲得之特性。因此，該發光元件極有利於作為可用於照明等應用之表面光源。
使用電致發光之發光元件係概要分成是否使用有機化合物或無機化合物作為具有發光性質之物質。
使用有機化合物作為發光物質時，藉由對發光元件施加電壓而將電子與電洞自一對電極注入包括發光有機化合物之層，如此使電流流經彼。重組該電子與電洞(即，載子)，如此激發該發光有機化合物。該發光有機化合物自激態回到基態，因而發光。以此種機制為基礎之發光元件稱為電流激發型發光元件。
應注意的是，藉由有機化合物產生之激態可為單一激態或三重激態，而且來自單一激態之發光稱為螢光，來自三重激態之發光稱為磷光。
在改善此種發光元件之元件特徵時，存在許多與所使用材料相關之問題，為了解決此等問題，已進行改善元件結構、發展材料等。
例如，參考文獻1說明一種發光元件，其中客體物質係分散在介於電極間之整體有機功能層中，以加強電子與電洞注入與重組的可能性。不過，參考文獻1未提到該發光元件之使用壽命。
此種包括發光有機化合物之發光元件可在低於使用無機化合物之發光元件的電壓下驅動；不過，此種包括發光有機化合物之發光元件的問題在於其使用壽命短。因此，需要具有較長使用壽命之此種發光元件(參考文獻1：日本早期公開專利申請案第H6-158038號)。
有鑒於上述問題，本發明目的係提出具有長使用壽命之發光元件。另外，本發明另一目的係提出具有長使用壽命之發光元件與電子裝置。
根據本發明，發光元件中發光層的實質發光區係設置在該發光層中心附近。換言之，藉由結合具有不同載子傳輸性質之層而構成發光層，如此發光區設置在該發光層中心附近，取代設於該發光層與電洞傳輸層間之界面或介於該發光層與電子傳輸層間之界面。
因此，本發明一方面係一種發光元件，其包含介於該第一電極與第二電極間之電子傳輸層及電洞傳輸層；以及介於電子傳輸層與電洞傳輸層間之第一層與第二層。在該發光元件中，第一層包括第一有機化合物與具有電洞傳輸性質之有機化合物，第二層包括第二有機化合物與具有電子傳輸性質之有機化合物，第一層係製成與第二層之第一電極側接觸，第一有機化合物與第二有機化合物係相同化合物，並對第一電極與第二電極施加電壓，使第一電極之電位高於第二電極之電位，如此包括在第一層中之第一有機化合物與包括在第二層中之第二有機化合物二者均發光。
本發明另一方面係一種發光元件，其包括介於第一電極與第二電極間之電子傳輸層與電洞傳輸層；以及介於電子傳輸層與電洞傳輸層間之第一層與第二層。在該發光元件中，第一層包括第一有機化合物與具有電洞傳輸性質之有機化合物，該具有電洞傳輸性質之有機化合物的最高佔用分子軌域能階(HOMO能階)大於或等於-6.0eV且小於或等於-0.5eV，該具有電洞傳輸性質之有機化合物的最低未佔用分子軌域能階(LUMO能階)大於或等於-3.0eV且小於或等於-2.0eV，第二層包括第二有機化合物與具有電子傳輸性質之有機化合物，該具有電子傳輸性質之有機化合物的最高佔用分子軌域能階(HOMO能階)大於或等於-6.0eV且小於或等於-0.5eV，且該具有電子傳輸性質之有機化合物的最低未佔用分子軌域能階(LUMO能階)大於或等於-3.0eV且小於或等於-2.0eV，第一層係製成與第二層之第一電極側接觸，對第一電極與第二電極施加電壓，使第一電極之電位高於第二電極之電位，如此包括在第一層中之第一有機化合物與包括在第二層中之第二有機化合物二者均發光。
本發明另一方面係一種發光元件，其包括介於第一電極與第二電極間之電子傳輸層與電洞傳輸層；以及介於電子傳輸層與電洞傳輸層間之第一層與第二層。該發光元件中，第一層包括第一有機化合物與具有電洞傳輸性質之有機化合物，第二層包括第二有機化合物與具有電子傳輸性質之有機化合物，第一層係製成與第二層之第一電極側接觸，第一有機化合物與第二有機化合物係相同化合物，具有電洞傳輸性質之有機化合物與具有電子傳輸性質之有機化合物包括三環縮合芳族化合物、四環縮合芳族化合物、五環縮合芳族化合物與六環縮合芳族化合物其中至少一者，並對第一電極與第二電極施加電壓，使第一電極之電位高於第二電極之電位，如此包括在第一層中之第一有機化合物與包括在第二層中之第二有機化合物二者均發光。
本發明另一方面係一種發光元件，其包括介於第一電極與第二電極間之電子傳輸層與電洞傳輸層；以及介於電子傳輸層與電洞傳輸層間之第一層與第二層。該發光元件中，第一層包括第一有機化合物與具有電洞傳輸性質之有機化合物，第二層包括第二有機化合物與具有電子傳輸性質之有機化合物，第一層係製成與第二層之第一電極側接觸，第一有機化合物與第二有機化合物係相同化合物，具有電洞傳輸性質之有機化合物與具有電子傳輸性質之有機化合物對於氧化反應與還原反應具有可逆性，並對第一電極與第二電極施加電壓，使第一電極之電位高於第二電極之電位，如此包括在第一層中之第一有機化合物與包括在第二層中之第二有機化合物二者均發光。
本發明另一方面係一種發光元件，其包括介於第一電極與第二電極間之電子傳輸層與電洞傳輸層；以及介於電子傳輸層與電洞傳輸層間之第一層與第二層。該發光元件中，第一層包括第一有機化合物與具有電洞傳輸性質之有機化合物，第二層包括第二有機化合物與具有電子傳輸性質之有機化合物，第一層係製成與第二層之第一電極側接觸，第一有機化合物與第二有機化合物係相同化合物，具有電洞傳輸性質之有機化合物與具有電子傳輸性質之有機化合物係蒽衍生物，並對第一電極與第二電極施加電壓，使第一電極之電位高於第二電極之電位，如此包括在第一層中之第一有機化合物與包括在第二層中之第二有機化合物二者均發光。
本發明另一方面係一種發光元件，其包括介於第一電極與第二電極間之電子傳輸層與電洞傳輸層；以及介於電子傳輸層與電洞傳輸層間之第一層與第二層。該發光元件中，第一層包括第一有機化合物與具有電洞傳輸性質之有機化合物，第二層包括第二有機化合物與具有電子傳輸性質之有機化合物，第一層係製成與第二層之第一電極側接觸，第一有機化合物與第二有機化合物係相同化合物，介於具有電洞傳輸性質之有機化合物的最高佔用分子軌域能階與具有電子傳輸性質之有機化合物的最高佔用分子軌域能階間的差異為0.3eV或更低，介於具有電洞傳輸性質之有機化合物的最低未佔用分子軌域能階與具有電子傳輸性質之有機化合物的最低未佔用分子軌域能階間的差異係0.3eV或更低，對第一電極與第二電極施加電壓，使第一電極之電位高於第二電極之電位，如此包括在第一層中之第一有機化合物與包括在第二層中之第二有機化合物二者均發光。
上述結構中，更佳情況係介於具有電洞傳輸性質之有機化合物的最高佔用分子軌域能階與具有電子傳輸性質之有機化合物的最高佔用分子軌域能階間的差異係0.1eV或更低，介於具有電洞傳輸性質之有機化合物的最低未佔用分子軌域能階與具有電子傳輸性質之有機化合物的最低未佔用分子軌域能階間的差異係0.1eV或更低。
本發明另一方面係一種發光元件，其包括介於第一電極與第二電極間之發光層，且該發光層包括第一層與第二層。該發光元件中，第一層包括第一有機化合物與具有電洞傳輸性質之有機化合物，第二層包括第二有機化合物與具有電子傳輸性質之有機化合物，第一層係製成與第二層之第一電極側接觸，第一有機化合物與第二有機化合物係相同化合物，對第一電極與第二電極施加電壓，使第一電極之電位高於第二電極之電位，如此包括在第一層中之第一有機化合物與包括在第二層中之第二有機化合物二者均發光。
本發明另一方面係一種發光元件，其包括介於第一電極與第二電極間之發光層，且該發光層包括第一層與第二層。在該發光元件中，第一層包括第一有機化合物與具有電洞傳輸性質之有機化合物，該具有電洞傳輸性質之有機化合物的最高佔用分子軌域能階(HOMO能階)大於或等於-6.0eV且小於或等於-0.5eV，該具有電洞傳輸性質之有機化合物的最低未佔用分子軌域能階(LUMO能階)大於或等於-3.0eV且小於或等於-2.0eV，第二層包括第二有機化合物與具有電子傳輸性質之有機化合物，該具有電子傳輸性質之有機化合物的最高佔用分子軌域能階(HOMO能階)大於或等於-6.0eV且小於或等於-0.5eV，且該具有電子傳輸性質之有機化合物的最低未佔用分子軌域能階(LUMO能階)大於或等於-3.0eV且小於或等於-2.0eV，第一層係製成與第二層之第一電極側接觸，對第一電極與第二電極施加電壓，使第一電極之電位高於第二電極之電位，如此包括在第一層中之第一有機化合物與包括在第二層中之第二有機化合物二者均發光。
本發明另一方面係一種發光元件，其包括介於第一電極與第二電極間之發光層，且該發光層包括第一層與第二層。該發光元件中，第一層包括第一有機化合物與具有電洞傳輸性質之有機化合物，第二層包括第二有機化合物與具有電子傳輸性質之有機化合物，第一層係製成與第二層之第一電極側接觸，第一有機化合物與第二有機化合物係相同化合物，具有電洞傳輸性質之有機化合物與具有電子傳輸性質之有機化合物包括三環縮合芳族化合物、四環縮合芳族化合物、五環縮合芳族化合物與六環縮合芳族化合物其中至少一者，並對第一電極與第二電極施加電壓，使第一電極之電位高於第二電極之電位，如此包括在第一層中之第一有機化合物與包括在第二層中之第二有機化合物二者均發光。
本發明另一方面係一種發光元件，其包括介於第一電極與第二電極間之發光層，且該發光層包括第一層與第二層。該發光元件中，第一層包括第一有機化合物與具有電洞傳輸性質之有機化合物，第二層包括第二有機化合物與具有電子傳輸性質之有機化合物，第一層係製成與第二層之第一電極側接觸，第一有機化合物與第二有機化合物係相同化合物，具有電洞傳輸性質之有機化合物與具有電子傳輸性質之有機化合物對於氧化反應與還原反應具有可逆性，並對第一電極與第二電極施加電壓，使第一電極之電位高於第二電極之電位，如此包括在第一層中之第一有機化合物與包括在第二層中之第二有機化合物二者均發光。
本發明另一方面係一種發光元件，其包括介於第一電極與第二電極間之發光層，且該發光層包括第一層與第二層。該發光元件中，第一層包括第一有機化合物與具有電洞傳輸性質之有機化合物，第二層包括第二有機化合物與具有電子傳輸性質之有機化合物，第一層係製成與第二層之第一電極側接觸，第一有機化合物與第二有機化合物係相同化合物，具有電洞傳輸性質之有機化合物與具有電子傳輸性質之有機化合物係蒽衍生物，並對第一電極與第二電極施加電壓，使第一電極之電位高於第二電極之電位，如此包括在第一層中之第一有機化合物與包括在第二層中之第二有機化合物二者均發光。
本發明另一方面係一種發光元件，其包括介於第一電極與第二電極間之發光層，且該發光層包括第一層與第二層。該發光元件中，第一層包括第一有機化合物與具有電洞傳輸性質之有機化合物，第二層包括第二有機化合物與具有電子傳輸性質之有機化合物，第一層係製成與第二層之第一電極側接觸，第一有機化合物與第二有機化合物係相同化合物，介於具有電洞傳輸性質之有機化合物的最高佔用分子軌域能階與具有電子傳輸性質之有機化合物的最高佔用分子軌域能階間的差異為0.3eV或更低，介於具有電洞傳輸性質之有機化合物的最低未佔用分子軌域能階與具有電子傳輸性質之有機化合物的最低未佔用分子軌域能階間的差異係0.3eV或更低，並對第一電極與第二電極施加電壓，使第一電極之電位高於第二電極之電位，如此包括在第一層中之第一有機化合物與包括在第二層中之第二有機化合物二者均發光。
上述結構中，更佳情況係介於具有電洞傳輸性質之有機化合物的最高佔用分子軌域能階與具有電子傳輸性質之有機化合物的最高佔用分子軌域能階間的差異係0.1eV或更低，介於具有電洞傳輸性質之有機化合物的最低未佔用分子軌域能階與具有電子傳輸性質之有機化合物的最低未佔用分子軌域能階間的差異係0.1eV或更低。
此外，本說明書中之發光裝置包括影像顯示裝置、發光裝置與光源(包括照明裝置)。此外，該發光裝置包括所有下列模組：其中諸如FPC(可撓性印刷電路)、TAB(帶式自動黏合)帶或TCP(帶式載體封裝)係附接於形成有發光元件之面板的模組；在印刷電路板末端設有TAB帶或TCP之模組；以及藉由COG(玻璃上晶片)法將IC(積體電路)直接安裝在發光裝置上之模組。
顯示部分使用本發明發光元件之電子裝置亦包括在本發明範疇內。因此，本發明之電子裝置配備有上述發光元件與用於控制發光元件顯示部分之發光的控制器。
本發明之發光元件中，於該發光層中心附近形成發光區，取代在該發光層與電洞傳輸層間之界面或介於該發光層與電子傳輸層間之界面形成發光區，如此，該發光元件因鄰近電洞傳輸層或電子傳輸層之發光區所致的惡化較少。換言之，亮度隨著時間之變化小，並且可提供具有長使用壽命之發光元件。
此外，本發明之發光元件係應用於發光裝置與電子裝置，因此該發光裝置與電子裝置可具有較長使用壽命。
下文，茲參考圖式說明本發明實例模式。應注意的是，本發明可在不同模式下進行。熟悉本技術之人士很容易暸解在不違離本發明精神與範圍之下可修改本文揭示之模式與細節各方面。因此，應注意本發明不應視為受下文所提出之實例模式局限。
應注意的是，本說明書中「複合物」一辭不只意指兩種材料單純混合之狀態，亦意指混合複數種材料而且材料間之電荷轉移的狀態。
實例模式1
茲參考圖1A說明本發明發光元件模式之一。
本發明之發光元件包括介於一對電極間之複數層。本說明書中，在該對電極間形成之複數層泛稱為EL層。
本實例模式中，該發光元件包括第一電極102、第二電極104以及在第一電極102與第二電極104間形成之EL層103。此外，本實例模式中，第一電極102作為陽極且第二電極104作為陰極。換言之，對第一電極102與第二電極104施加電壓使第一電極102之電位高於第二電極104之電位時會發光。下文茲說明此種情況。
使用基材101作為發光元件支撐體。可使用例如玻璃、塑膠等作為基材101。應注意的是，只要可作為發光元件支撐體，可玻璃或塑膠以外之材料。
第一電極102較佳係由金屬、合金、導電化合物或此等物質之混合物等各具有高功函數(特別是，以4.0eV或更高之功函數為佳)的物質形成。更明確地說，提出例如氧化銦-氧化錫(ITO：氧化銦錫)、包括矽或氧化矽之氧化銦-氧化錫、氧化銦、氧化鋅(IZO：氧化銦鋅)、包括氧化鎢與氧化鋅之氧化銦(IWZO)等。通常藉由濺鍍形成此等導電金屬氧化物之薄膜；不過，亦可使用溶膠凝膠法等。例如，氧化銦-氧化鋅(IZO)可藉由使用相對於氧化銦包括1至20重量%氧化鋅之濺靶的濺鍍法形成。此外，包括氧化鎢與氧化鋅之氧化銦(IWZO)可藉由使用相對於氧化銦包括0.5至5重量%氧化鎢與0.1至1重量%氧化鋅之濺靶的濺鍍法形成。此外，可使用金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)、金屬材料之氮化物(諸如氮化鈦(TiN))等等。
EL層103之堆疊結構並無特別限制，並且於情況適當時可結合由具有高電子傳輸性質之物質、具有高電洞傳輸性質之物質、具有高電子注入性質之物質、具有高電洞注入性質之物質、雙極物質(具有高電子傳輸性質與電洞傳輸性質之物質)等形成之層。例如，若情況適當，可結合電洞注入層、電洞傳輸層、電洞阻隔層、發光層、電子傳輸層、電子注入層等後構成EL層103。下文茲提出形成各層之特定材料。圖1A至1C顯示依序堆疊第一電極102、電洞傳輸層112、發光層111、電子傳輸層113與第二電極104之實例。
電洞注入層可在第一電極102與電洞傳輸層112之間形成。電洞注入層係具有高電洞注入性質之層。可使用氧化鉬(MoOx )、氧化釩(VOx )、氧化釕(RuOx )、氧化鎢(WOx )、氧化錳(MnOx )等作為該具有高電洞注入性質之材料。此外，可能使用酞青素為底質化合物，諸如酞青素(H2 Pc)或酞青銅(CuPc)、高分子諸如聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)/聚(苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)等形成該電洞注入層。
或者，可使用含受體物質之具有高電洞傳輸性質物質的複合材料。應注意的是，藉由使用此種含受體物質之具有高電洞傳輸性質物質，可以不顧慮功函數而選擇用以形成電極之材料。換言之，除了具有高功函數之材料之外，亦可使用具有低功函數之材料作為第一電極102。至於該受體物質，可提出7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟喹啉並二甲烷(縮寫：F4 -TCNQ)、氯醌等。此外，可提出過渡金屬氧化物。此外，可提出屬於元素週期表第4族至第8族之金屬的氧化物。更明確地說，因氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳與氧化錸之電子接受性質高，故以彼等為佳。其中，因氧化鉬在空氣中具有安定性，而且其吸濕性質低並容易處理，故以氧化鉬尤佳。
至於作為該複合材料之有機化合物，可使用各種化合物，諸如芳族胺化合物、咔唑衍生物、芳族烴與高分子化合物(諸如寡聚物、樹枝狀聚合物或聚合物)。作為該複合材料之有機化合物較佳係具有高電洞傳輸性質之有機化合物。更明確地說，較佳係使用電洞移動率為10-6 cm2 /Vs或更高之物質。不過，只要物質之電洞傳輸性質高於電子傳輸性質，亦可使用上述材料以外之此等物質。下文茲將具體說明可作為複合材料之有機化合物。
例如，下列各者可作為芳族胺化合物：N,N'-雙(4-甲基苯基)-N,N'-二苯基-對苯二胺(縮寫：DTDPPA)；4,4'-雙[N-(4-二苯基胺基苯基)-N-苯基胺基]聯苯(縮寫：DPAB)；4,4'-雙[N-(3-甲基苯基)-N-苯基胺基]聯苯(縮寫：DNTPD)；1,3,5-三[N-(4-二苯基胺基苯基)-N-苯基胺基]苯(縮寫：DPA3B)等。
至於可作為複合材料之咔唑衍生物，可具體提出下列各者：3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基胺基]-9-苯基咔唑(縮寫：PCzPCAl)；3,6-雙[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基胺基]-9-苯基咔唑(縮寫：PCzPCA2)；3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)胺基]-9-苯基咔唑(縮寫：PCzPCNl)等。
此外，亦可使用4,4'-二(N-咔唑基)聯苯(縮寫：CBP)；1,3,5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(縮寫：TCPB)；9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(縮寫：CzPA)；1,4-雙[4-(N-咔唑基)苯基]-2,3,5,6-苯基苯作為可當作複合材料之咔唑衍生物。
可提出例如下列各者作為可當作複合材料之芳族烴：2-第三丁基-9,10-二(2-萘基)蒽(縮寫：t-BuDNA)；2-第三丁基-9,10-二(1-萘基)蒽,9,10-雙(3,5-二苯基苯)蒽(縮寫：DPPA)；2-第三丁基-9,10-雙(4-苯基苯)蒽(縮寫：t-BuDBA)；9,10-二(2-萘基)蒽(縮寫：DNA)；9,10-二苯基蒽(縮寫：DPAnth)；2-第三丁基蒽(縮寫：t-BuAnth)；9,10-雙(4-甲基-1-萘基)蒽(縮寫：DMNA)；9,10-雙[2-(1-萘基)苯基]-2-第三丁基蒽；9,10-雙[2-(1-萘基)苯基]蒽；2,3,6,7-四甲基-9,10-二(1-萘基)蒽；2,3,6,7-四甲基-9,10-二(2-萘基)蒽；9,9'-聯蒽；10,10'-二苯基-9,9'-聯蒽；10,10'-雙(2-苯基苯)-9,9'-聯蒽；10,10'-雙[(2,3,4,5,6-五苯基)苯基]-9,9'-聯蒽；蒽；並四苯；紅螢烯；苝；2,5,8,11-四(第三丁基)苝等。除此之外，亦可使用並五苯、六苯並苯等。特別是，以電洞移動率為1×10-6 cm2 /Vs或更高且具有14至42個碳原子之芳族烴尤佳。
可作為複合材料之芳族烴可能具有乙烯基架構。至於具有乙烯基之芳族烴，可提出例如下列各者：4,4'-雙(2,2-二苯基乙烯基)聯苯(縮寫：DPVBi)；9,10-雙[4-(2,2-二苯基乙烯基)苯基]蒽(縮寫：DPVPA)等。
此外，亦可使用諸如聚(N-乙烯基咔唑)(縮寫：PVK)或聚(4-乙烯基三苯基胺)(縮寫：PVTPA)之高分子化合物。
該電洞傳輸層112係含有具有高電洞傳輸性質之物質的層。至於具有高電洞傳輸性質之物質，例如可使用諸如4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]聯苯(縮寫：NPB或α-NPD)、N,N'-雙(3-甲基苯基)-N,N-二苯基-[1,1'-聯苯]-4,4'-二胺(縮寫：TPD)、4,4',4"-三(N,N-二苯基胺基)三苯基胺(縮寫：TDATA)、4,4',4"-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基胺基]三苯基胺(縮寫：MTDATA)，或4,4'-雙[N-(螺-9,9'-雙茀-2-基)-N-苯基胺基]聯苯(縮寫：BSPB)之芳族胺化合物。此等物質主要係各具有10-6 cm2 /Vs或更高電洞移動率之物質。不過，只要材料之電洞傳輸性質高於電子傳輸性質，亦可使用上述物質以外之此等材料。含有具高電洞傳輸性質物質之層不限資單一層，可能堆疊二或更多層含有前述物質之層。
發光層111係含有具高度發光性質物質之層。本發明之發光元件中，發光層包括第一層121與第二層122。第一層121包括第一有機化合物與具有電洞傳輸性質之有機化合物，第二層122包括第一有機化合物與具有電子傳輸性質之有機化合物。第一層係設於第二層之第一電極側，換言之，設於第二層之陽極側。
第一有機化合物係具有高度發光性質之物質，並且可使用各種材料。更明確地說，可使用諸如N,N'-二甲基喹吖啶酮(縮寫：DMQd)、N,N'-二苯基喹吖啶酮(縮寫：DPQd)、香豆素6、香豆素545T、(2-{2-[4-(二甲基胺基)苯基]乙烯基}-6-甲基-4H-亞吡喃-4-基)丙二腈(縮寫：DCM1)、{2-甲基-6-[2-(2,3,6,7-四氫-1H,5H-苯并[ij]喹-9-基)乙烯基]-4H-亞吡喃-4-基}丙二腈(縮寫：DCM2)、{2-(1,1-二甲基乙基)-6-[2-(2,3,6,7-四氫-1,1,7,7-四甲基-1H,5H-苯并[ij]喹-9-基)乙烯基]-4H-亞吡喃-4-基}丙二腈(縮寫：DCJTB)、5,12-二苯基並四苯(縮寫：DPT)、4-(9H-咔唑-9-基)-4'-(10-苯基-9-蒽基)三苯基胺(縮寫：YGAPA)、4,4'-(2-第三丁基蒽-9,10-二基)雙{N-[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N-苯基苯胺}(縮寫：YGABPA)、N,9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(縮寫：PCAPA)、N,N"-(2-第三丁基蒽-9,10-二基二-4,1-伸苯基)雙[N,N',N'-三苯基-1,4-苯二胺](縮寫：DPABPA)、N,N'-雙[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N,N'-二苯基茋-4,4'二胺(縮寫：YGA2S)、N-[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N-苯基茋-4-胺(縮寫：YGAS)、N,N'-二苯基-N,N'-雙(9-苯基咔唑-3-基)茋-4,4'-二胺(縮寫：PCA2S)、4,4'-雙(2,2-二苯基乙烯基)聯苯(縮寫：DPVBi)、2,5,8,11-四(第三丁基)苝(縮寫：TBP)、苝、紅螢烯、1,3,6,8-四苯基芘等材料。
包括在第一層121內的具有具有電洞傳輸性質之有機化合物係顯示之電洞傳輸性質高於電子傳輸性質的物質。包括在第二層122內的具有電子傳輸性質之有機化合物係顯示之電子傳輸性質高於電洞傳輸性質之物質。
此處，圖20顯示本發明圖1A與1B圖示之發光元件的能帶圖。圖20中，自第一電極102射出之電洞係注入第一層121。注入第一層121之電洞係傳輸通過第一層121，並進一步進入第二層122。此處，包括在第二層122中的具有電子傳輸性質之有機化合物係顯示之電子傳輸性質高於電洞傳輸性質的物質，注入第二層122的電洞因而難以移動。因此，接近第一層121與第二層122間之界面處存在大量電洞。此外，可抑制發生電洞與電子在未經重組情況下到達電子傳輸層113之現象。
另一方面，自第二電極104射出之電子係注入第二層122。注入第二層122之電子係傳輸通過第二層122，並進一步注入第一層121。此處，第一層121中包括之具有電洞傳輸性質之有機化合物係顯示之電洞傳輸性質高於電子傳輸性質的物質，注入第一層121之電子因而難以移動。因此，接近第一層121與第二層122間之界面處存在大量電子。此外，可抑制發生在未經重組情況下電洞與電子到達電洞傳輸層112之現象。
如上述，鄰近第一層121與第二層122界面之區域131中存在大量電洞與電子，因此可提高該界面鄰近區域131中之重組度。換言之，在鄰近發光層111中心處形成發光區。結果，可抑制發生在未經重組情況下電洞到達電子傳輸層113與電子到達電洞傳輸層112之現象，因此可避免重組度降低。如此，可避免載子平衡隨著時間降低，因而提高可靠度。
為了令電洞與電子注入第一層121，具有電洞傳輸性質之有機化合物必須是可被氧化與還原之有機化合物。如此，具有電洞傳輸性質之有機化合物之最高佔用分子軌域能階(HOMO能階)較佳係-6.0eV且小於或等於-0.5eV。此外，具有電洞傳輸性質之有機化合物的最低未佔用分子軌域能階(LUMO能階)大於或等於-3.0eV且小於或等於-2.0eV。
同樣地，為了令電洞與電子注入第二層122，具有電子傳輸性質之有機化合物必須是可被氧化與還原之有機化合物。如此，具有電子傳輸性質之有機化合物的最高佔用分子軌域能階(HOMO能階)較佳係-6.0eV且小於或等於-0.5eV。此外，具有電子傳輸性質之有機化合物的最低未佔用分子軌域能階(LUMO能階)大於或等於-3.0eV且小於或等於-2.0eV。
最高佔用分子軌域能階(HOMO能階)與最低未佔用分子軌域能階(LUMO能階)之量測方法係使用循環伏安法(CV)測量之計算方法。或者，以光電子光譜裝置測量薄膜狀態之游離電位，並計算HOMO能階。然後，可由其結果與自薄膜狀態之吸收光譜獲得之能隙計算LUMO能階。
至於此種可被氧化與還原之有機化合物，可提出三環縮合芳族化合物、四環縮合芳族化合物、五環縮合芳族化合物與六環縮合芳族化合物。更具體地說，蒽衍生物、菲衍生物、芘衍生物、衍生物、二苯并[g,p]衍生物等。例如，可提出下列各者作為可當作第一層之具有電洞傳輸性質之有機化合物：9,10-二苯基蒽(縮寫：DPAnth)、N,N-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(縮寫：CzAlPA)、4-(10-苯基-9-蒽基)三苯基胺(縮寫：DPhPA)、N,9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(縮寫：PCAPA)、N,9-二苯基-N-{4-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]苯基}-9H-咔唑-3-胺(縮寫：PCAPBA)、6,12-二甲氧基-5,11-二苯基、N,N,N',N',N",N",N'",N'"-八苯基二苯并[g,p]-2,7,10,15-四胺等。可提出下列各者作為可當作第二層之具有電子傳輸性質之有機化合物：9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(縮寫：CzPA)、3,6-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(縮寫：DPCzPA)、9,10-雙(3,5-二苯基苯)蒽(縮寫：DPPA)、9,10-二(2-萘基)蒽(縮寫：DNA)、2-第三丁基-9,10-二(2-萘基)蒽(縮寫：t-BuDNA)、9,9'-聯蒽(縮寫：BANT)、9,9'-(茋-3,3'-二基)二菲(縮寫：DPNS)、9,9'-(茋-4,4'-二基)二菲(縮寫：DPNS2)、3,3',3"-(苯-1,3,5-三基)三芘(縮寫：TPB3)等。
如圖20之前述說明，本發明發光元件係構成自第一層121將電洞注入第二層122。因此，介於具有電洞傳輸性質之有機化合物的最高佔用分子軌域能階(HOMO能階)與具有電子傳輸性質之有機化合物的最高佔用分子軌域能階(HOMO能階)間之差界小為佳。此外，本發明之發光元件係構成使電子自第二層122注入第一層121。因此，介於具有電洞傳輸性質之有機化合物的最低未佔用分子軌域能階(LUMO能階)與具有電子傳輸性質之有機化合物的最低未佔用分子軌域能階(LUMO能階)間差異小為佳。若介於具有電洞傳輸性質之有機化合物的最高佔用分子軌域能階(HOMO能階)與具有電子傳輸性質之有機化合物的最高佔用分子軌域能階(HOMO能階)大，則發光區會到達第一層側或第二層側。同樣地，若介於具有電洞傳輸性質之有機化合物的LUMO能階與具有電子傳輸性質之有機化合物的LUMO能階間的差異大，則發光區會到達第一層側或第二層側。因此，介於具有電洞傳輸性質之有機化合物的最高佔用分子軌域能階(HOMO能階)與具有電子傳輸性質之有機化合物的最高佔用分子軌域能階(HOMO能階)間的差異較佳係0.3eV或更低，更佳情況係，0.1eV。此外，介於具有電洞傳輸性質之有機化合物的LUMO能階與具有電子傳輸性質之有機化合物的LUMO能階間的差異係0.3eV或更低，更佳係0.1eV或更低。
此外，該發光元件藉由重組電子與電洞而發光，因此發光層111中使用的有機化合物是即使重複氧化反應與還原反應時亦安定之有機化合物。換言之，該有機化合物較佳係對於氧化反應與還原反應具有可逆性。特別是，具有電洞傳輸性質之有機化合物與具有電子傳輸性質之有機化合物較佳係即使重複氧化反應與還原反應時亦安定之有機化合物。藉由使用循環伏安法(CV)測量可確認重複氧化反應與還原反應時此等有機化合物是否安定。
更明確地說，於CV測量中重複氧化反應與還原反應時，觀察到該有機化合物之氧化反應中的氧化尖峰電位(Epa)或還原反應中的還原尖峰電位(Epc)變化，因而確認重複氧化反應與還原反應時此等是否安定。氧化反應與還原反應之重複次數多為佳；不過，當反應重複50至200次時，可估計實質安定性。在類似之測量中，具有電洞傳輸性質之有機化合物與具有電子傳輸性質之有機化合物係用於發光層111，氧化尖峰電位強度與還原尖峰電位強度較佳係小於50%，更佳係小於30%。換言之，即使氧化尖峰電位降低時，較佳係保持例如50%或更高之尖峰強度。更佳情況係，保持70%或更高之尖峰強度。此外，氧化尖峰電位值與還原尖峰電位值的變化較佳係0.05V或更低。更佳情況係，該等變化係0.02V或更低。
至於即使重複氧化反應與還原反應時仍保持安定之有機化合物-換言之，對於氧化反應與還原反應具有可逆性之有機化合物-特別以蒽衍生物為佳。特別提出下列作為包括在第一層121中之具有電洞傳輸性質之有機化合物實例：9,10-二苯基蒽(縮寫：DPAnth)、N,N-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(縮寫：CzAlPA)、4-(10-苯基-9-蒽基)三苯基胺(縮寫：DPhPA)、N,9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(縮寫：PCAPA)、N,9-二苯基-N-{4-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]苯基}-9H-咔唑-3-胺(縮寫：PCAPBA)等。特別提出下列作為包括在第二層122中之具有電子傳輸性質之有機化合物：9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(縮寫：CzPA)、3,6-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(縮寫：DPCzPA)、9,10-雙(3,5-二苯基苯)蒽(縮寫：DPPA)、9,10-二(2-萘基)蒽(縮寫：DNA)、2-第三丁基-9,10-二(2-萘基)蒽(縮寫：t-BuDNA)、9,9'-聯蒽(縮寫：BANT)等。由於此等蒽衍生物在即使重複氧化反應與還原反應時仍具有安定性，故以彼等為佳。
使用相同物質作為第一層中包括之具有高度發光性質的物質與第二層中具有高度發光性質的物質，因此可能在鄰近發光層中心處發光。另一方面，若第一層與第二層使用不同物質，則第一層與第二層可能僅有其中之一發光。當僅有一層發光時，鄰近發光層中心處難以發光。此外，使用具有高度發光性質之不同物質形成第一層與第二層時，此等具有高度發光性質之物質均會發光，因此無法發出顏色純度良好的光。此外，發出的光顏色可能改變。因此，包括在第一層中之具有發光性質物質與包括在第二層中之具有發光性質物質較佳係同一種物質。
有鑒於上述期望，可於適當情況下選擇並結合作為發光層之第一層與第二層的材料。
電子傳輸層113係含有具高度電子傳輸性質物質之層。例如，亦可使用具有喹啉架構或苯并喹啉架構之金屬錯合物之層，諸如三(8-喹啉酚)鋁(縮寫：Alq)、三(4-甲基-8-喹啉酚)鋁(縮寫：Almq3 )、雙(10-羥基苯并[h]-喹啉)鈹(縮寫：BeBq2 )、或雙(2-甲基-8-喹啉酚)(4-苯基苯酚根)鋁(縮寫：BAlq)等。或者，可使用具有唑為底質或噻唑為底質配位基之金屬錯合物，諸如雙[2-(2-羥基苯基)苯并唑]鋅(縮寫：Zn(BOX)2 )或雙[2-(2-羥基苯基)苯并噻唑]鋅(縮寫：Zn(BTZ)2 )等。除了金屬錯合物之外，亦可使用2-(4-聯苯基)-5-(4-第三丁基苯基)-1,3,4-二唑(縮寫：PBD)、1,3-雙[5-(p-第三丁基苯基)-1,3,4-二唑-2-基]苯(縮寫：OXD-7)、3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-(4-第三丁基苯基)-1,2,4-三唑(縮寫：TAZ)、紅菲啉(縮寫：BPhen)、浴銅靈(bathocuproine)(縮寫：BCP)等。此處提及的材料主要為各具有10-6 cm2 /Vs或更高電子移動率之材料。只要材料之電子傳輸性質高於電洞傳輸性質，亦可由上述以外之材料形成電子傳輸層。另外，電子傳輸層不局限於單層，可堆疊二或更多層由上述物質製得之層。
除了之外，於第一電子傳輸層113與第二電極104之間提供電子射出層，其係包括高度電子射出性質之層。可使用鹼金屬、鹼土金屬或其化合物，諸如氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)或氟化鈣(CaF2 )作為電子射出層。例如，可使用一層具有電子傳輸性質之含鹼金屬、鹼土金屬或其化合物(諸如含有鎂(Mg)之Alq)之材料層。使用具有電子傳輸性質之含鹼金屬或鹼土金屬之物質層作為電子射出層，可有效率地自第二電極104射出電子，此為較佳狀況。
可由具有低功函數(特別是，3.8eV或更低之功函數為佳)的金屬、合金、導電化合物或此等物質之混合物形成第二電極104。可使用屬於週期表中第1族或第2族之元素，即，諸如鋰(Li)或銫(Cs)之鹼金屬，或諸如鎂(Mg)、鈣(Ca)或鍶(Sr)之鹼土金屬；含有此等元素任一者之合金(諸如MgAg或AlLi)；諸如銪(Er)或鐿(Yb)之鹼土金屬；含此種鹼土金屬之合金等作為此種陰極材料的代表實例。不過，於第二電極104與電子傳輸層之間提供電子射出層時，第二電極104可不顧慮功函數而由各種導電材料形成，諸如Al、Ag、ITO或包括矽或氧化矽之氧化銦錫。
可使用各種方法作為EL層103之形成方法，而且可使用濕式方法或乾式方法。例如，可使用真空蒸發法、噴墨法、旋塗法等。各電極或各層可使用不同形成方法。
具有上述結構之本發明發光元件中，因第一電極102與第二電極104間之電位差導致電流流動，並於EL層103中重組電洞與電子，因而發光。更具體地說，在EL層103之發光層111中，於鄰近第一層121與第二層122處形成發光區。
發出的光穿透第一電極102與第二電極104其中之一或二者。因此，第一電極102與第二電極104其中之一或二者係具有透光性質之電極。只有第一電極102係具有透光性質之電極時，光係自基材側通過第一電極102發出，如圖1A所示。此外，只有第二電極104為具有透光性質之電極時，光係自基材反面通過第二電極104發出，如圖1B所示。此外，當第一電極102與第二電極104均為具有透光性質之電極時，光係由正反兩面(即該基材面與反面)通過第一電極102與第二電極104發出，如圖1C所示。
在第一電極102與第二電極104之間提供之層結構不局限於前文實例。除了上述結構之外，可使用任何結構，其中在第一電極102與第二電極104以外之部分提供電洞與電子重組用之發光區，且發光區包括第一層121與第二層122，如此可避免鄰接該發光區與金屬造成光熄滅。
換言之，層之堆疊結構並無特別限制，並且可自由組合由具有高度電子傳輸性質之物質、具有高度電洞傳輸性質之材料、具有高度電子注入性質之物質與具有高度電洞注入性質之物質、雙極物質(具有電子傳輸性質與電洞傳輸性質之材料)、電洞阻隔材料等形成之層。
圖2所示之發光元件具有作為陰極之第二電極304、EL層303以及作為陽極之第一電極302依序堆疊在基材301上之結構。EL層303包括電洞傳輸層312、發光層311與電子傳輸層313，且發光層311包括第一層321與第二層322。第一層321係設於第一電極側而非第二電極322側，並以第一電極作為陽極。
本實例模式中，在玻璃、塑膠等製成之基材上形成發光元件。於一基材上形成複數個此種發光元件，因而可製造被動發光裝置。此外，可在玻璃、塑膠等製成之基材上形成薄膜電晶體(TFT)，並且可於與該TFT電性連接之電極上製造發光元件。以此種方式，可製造該TFT控制發光元件驅動之主動矩陣發光裝置。亦應注意的是，該TFT之結構並無特定限制。可使用交錯TFT或反向交錯TFT。此外，TFT基材上形成之驅動電路可使用N通道與P通道TFT、或使用N通道或P通道TFT形成。作為該TFT之半導體薄膜亦不局限於結晶性薄膜。可使用非晶相半導體薄膜，或可使用結晶半導體薄膜。
本發明發光元件中，發光區係在鄰近發光層中心處形成，並在發光層與電洞傳輸層之間的界面或是發光層與電子傳輸層之間的界面形成。如此，當發光區與電洞傳輸層或電子傳輸層相鄰時，幾乎不會造成任何影響。因此，可以獲得使用壽命較長，惡化得較少之發光元件。此外，本發明發光元件之發光層係使用即使重複氧化反應與還原反應時亦具有安定性之化合物所形成，因而即使在重複重組電子與電洞而發光時亦不易惡化。因此，可獲得使用壽命較長之發光元件。
應注意本實例模式可與其他實例模式及實例自由組合。
實例模式2
實例模式2茲將參考圖3說明堆疊複數個本發明發光單元之發光元件模式(下文亦稱為堆疊型發光元件)。此發光元件係第一電極與第二電極之間包括複數個發光單元之發光元件。可使用與實例模式1所示之EL層相似的結構作為發光單元。換言之，實例模式1所示之發光元件係具有一個發光單元之發光元件，實例模式2茲將說明具有複數個發光單元之發光元件。
圖3中，第一發光單元511與第二發光單元512係堆疊在第一電極501與第二電極502之間。於第一電極501與第二電極502覆蓋與實例模式1所示相似之電極。第一發光單元511與第二發光單元512可能具有相同結構或不同結構，並可使用與實例模式1相似之結構為其結構。
電荷產生層513包括有機化合物與金屬氧化物之複合材料。有機化合物與金屬氧化物之複合材料係實例模式1所示之複合材料，並包括有機化合物與諸如氧化釩、氧化鉬或氧化鎢之金屬氧化物。至於該有機化合物，可使用各種化合物，諸如芳族胺化合物、咔唑衍生物、芳族烴與高分子化合物(寡聚物、樹枝狀聚合物、聚合物等)。有關該有機化合物，較佳係使用具有電洞傳輸性質且電洞移動率為10-6 cm2 /Vs或更高之有機化合物。不過，只要是電洞傳輸性質高於電子傳輸性質之物質，亦可使用此等物質作為上述材料以外之物質。由於電洞注入性質與電荷傳輸性質較佳之故，該有機化合物與金屬氧化物之複合材料可達到低電壓驅動與低電流驅動。
應注意的是，可結合該有機化合物與金屬氧化物之複合材料以及其他材料形成電荷產生層513。例如，含有該複合材料與金屬氧化物之複合材料的層可結合一層含有選自電子給予性質之物質的化合物與具有高度電子傳輸性質之化合物的層。此外，含有該複合材料與金屬氧化物之複合材料層可與透明導電薄膜結合。
在任一種情況下，對第一電極501與第二電極502施加電壓時，只要插入第一發光單元511與第二發光單元512之間的電荷產生層513將電子注入此等發光單元其中之一並將電洞注入入另一發光單元即可接受。
雖然本實例模式描述具有兩個發光單元之發光元件，但本發明同樣可應用於堆疊三個或更多個發光單元之發光元件。在該對電極間提供電荷產生層，以便如本實例模式之發光元件般劃分複數個發光單元，該元件的高亮度使用壽命長，同時保持低電流密度。此發光元件應用於照明時，可減少因電極材料之電阻造成的壓降，因而達到大面積均勻發光。此外，可完成以電壓驅動之低耗能發光裝置。
此等發光單元發出彼此不同顏色之光，因而在整個發光元件中獲得希望的顏色。例如，在具有兩個發光單元的發光元件中，將第一發光單元與第二發光單元發出的顏色製成互補，如此可獲得整體元件發出白光之發光元件。應注意的是「互補」一字意指混合顏色時獲得全色之色彩關係。換言之，當混合由發出互補色物質所獲得的光時，可以獲得白光。此外，此方式可應用於具有三個發光單元之發光元件。例如，當第一發光單元發出紅光、第二發光單元發出綠光且第三發光單元發出藍光時，可自整體發光元件發出白光。
應注意的是，本實例模式可與其他實例模式及實例自由組合。
實例模式3
實例模式3茲將說明具有本發明發光元件的發光裝置。
本實例模式茲將參考圖4A與4B說明像素部分具有本發明發光元件之發光裝置。圖4A係圖示發光裝置之俯視圖，圖4B係沿著圖4A之A-A'與B-B'線的橫剖面圖。虛線所示之參考數字601表示驅動電路部分(源極驅動電路)；602表示像素部分；603表示驅動電路部分(閘極側驅動電路)。此外，參考數字604表示密封基材；605表示密封材料；607表示被密封材料605環繞之空間。
引線608將一待輸入信號發送至源極側驅動電路601與閘極側驅動電路603，並自作為外部輸入發光區之FPC(撓性印刷電路)609接收影像信號、計時信號、開始信號、重設信號等。雖然此處僅顯示FPC，但此FPC可能設有印刷電路板(PWB)。本說明書中之發光裝置不只包括發光裝置本身，亦包括該發光裝置附裝有FPC或PWB之情況。
其次，茲參考圖4B說明橫剖面結構。於元件基材610上形成驅動電路部分與像素部分。此處，顯示作為驅動電路部分之源極側驅動電路601以及像素部分602其中一個像素。
源極側驅動電路601中，形成結合n通道TFT623與p通道TFT624之CMOS電路。此種驅動電路可藉由諸如CMOS電路、PMOS電路或NMOS電路等各種電路形成。雖然本實例模式舉例說明於基材上形成驅動電路之驅動整合類型，但本發明不局限於此，並且可在基材外部而非該基材上形成驅動電路。
像素602係由複數個像素形成，此等像素各包括開關TFT611、電流控制TFT612以及與電流控制TFT612之汲極電性連接的第一電極613。形成絕緣體614以覆蓋第一電極613一部分。此處，絕緣體614係使用正型光敏丙烯酸樹脂薄膜形成。
為了改善覆蓋率，形成絕緣體614之上端部分或下端部分，以便形成具有曲率之彎曲表面。例如，在使用正型光敏丙烯酸樹脂作為絕緣體614時，只有絕緣體614上端部分是具有曲率之彎曲表面(曲率半徑為0.2至3μm為佳。至於絕緣體614，可使用藉由照光變成不溶於蝕刻劑之負型光阻或藉由照光變成可溶於蝕刻劑之正型光阻。
在第一電極613上形成EL層616與第二電極617。此處，可以各種金屬、合金、導電化合物或其混合物形成作為陽極之第一電極613。若使用第一電極作為陽極，上述材料中較佳係使用高功函數(功函數為4.0eV或更高)材料等。例如，可使用於氧化銦中混入2至20重量%氧化鋅(ZnO)之含有矽、銦、氧化銦鋅(IZO)的氧化銦錫單層、氮化鈦薄膜、鉻薄膜、鎢薄膜、Zn薄膜、Pt薄膜等。此外，可使用包括含有氮化鈦之薄膜與含有鋁為主要組份之薄膜的多層；包括氮化鈦薄膜、含有鋁為主要組份之薄膜與氮化鈦薄膜的三層結構。多層結構可達成低導線電阻、較佳電阻接觸並作為陽極。
以各種方法形成EL層616，此等方法諸如使用蒸發遮罩之蒸發法、噴墨法、旋塗法等。EL層616具有實例模式1或實例模式2所述之發光層。至於構成EL層616一部分之其他材料，可使用低分子材料、中分子材料(包括寡聚物與樹枝狀聚合物)或高分子材料。至於EL層用之材料，不僅可使用有機化合物，亦可使用無機化合物。
至帶第二電極617之材料，可使用金屬、合金、導電化合物、其混合物等各種類型材料。其中，以各具有低功函數(功函數為3.8eV或更低)之金屬、合金、導電化合物或其混合物等為佳。至於其實例，可提出屬於屬於週期表中第1族或第2族之元素，即，諸如鋰(Li)或銫(Cs)之鹼金屬，或諸如鎂(Mg)、鈣(Ca)或鍶(sr)之鹼土金屬；含有此等元素任一者之合金(諸如Mg：Ag或Al：Li)。EL層616中產生的光經過第二電極617透射的情況下，第二電極617較佳係使用厚度製得很薄之金屬薄膜與透明導電薄膜(氧化銦錫(ITO)、包括矽或氧化矽之氧化銦錫、氧化銦鋅(IZO)、含有氧化鎢與氧化鋅之氧化銦(IWZO)等)的多層形成。
少密封基材604與元件基材610係藉由密封材料605彼此接附時，在元件基材610、密封基材604與密封材料605所圍繞之空間607中提供發光元件618。可以填料填充空間607，並可以惰性氣體(諸如氮或氬)、密封材料605等填充。
環氧為底質樹脂係較佳之密封材料605。此材料較佳係容許少量濕氣與氧滲透。至於作為密封基材604之材料，除了玻璃基材或石英基材之外，可使用FRP(經玻璃纖維強化塑膠)、PVF(聚氟乙烯)、聚酯、丙烯酸樹脂等製得之塑膠基材。
以此種方式，可獲得粒子本發明發光元件之發光裝置。
本發明之發光裝置具有實例模式1與實例模式2所示之發光元件。因此，該發光裝置可具有長使用壽命。
雖然本實例模式已描述藉由電晶體控制發光元件之驅動的主動矩陣型發光裝置，但此發光元件可為在不特別提供驅動用元件(諸如電晶體)之情況下驅動該發光元件的被動型發光裝置。圖5係應用本發明所製造之被動型發光裝置的透視圖。圖5中，在基材951上之電極952與電極956之間提供EL層955。電極952末端部分覆有絕緣層953。然後，於絕緣層953上提供分隔層954。分隔層954的側壁具有梯度，使得愈接近基材表面時，其中一側壁與另一側壁間之距離愈小。亦即，分隔層954短邊方向的橫剖面為梯形，其中底側(與絕緣層953之表面方向相同方向，與絕緣層953接觸一側)比頂側(與絕緣層953表面方向相同方向，不與絕緣層953接觸一側)短。以此種方式，藉由提供分隔層954可避免因靜電等所導致之發光元件中的瑕疵問題。又，藉由包括具有長使用壽命之本發明發光元件可製得具有長使用壽命的被動型發光裝置。
實例模式4
實例模式4茲將描述本發明電子裝置，其包括實例模式3之發光裝置為其一部分。本發明之發光裝置各具有實例模式1或實例模式2所述之發光元件以及具有長使用壽命之顯示部分。
至於使用本發明發光裝置製造之電子裝置，可提出諸如攝影機或數位相機之照相機、護目鏡型顯示器、導航系統、音頻重現裝置(諸如汽車音響組件或音響組件)、電腦、遊戲機、可攜式資訊終端機(可攜式電腦、行動由話、可攜式遊戲機或電子書)、配備記錄媒體之影像重現裝置(特別是，配備供重現諸如數位多功能光碟(DVD)等記錄媒體並顯示影像之顯示裝置)等。此等電子裝置的特定實例係示於圖6A至6D。
圖6A顯示根據本發明之電視裝置，其包括外殼9101、支架9102、顯示部分9103、擴音器部分9104、視頻輸入終端9105等。本電視裝置中，將類似實例模式1與2之發光元件排列成矩陣形式而形成顯示部分9103。此等發光元件具有長使用壽命之優點。由於使用本發光元件形成的顯示部分亦具有相同優點，故本電視裝置具有長使用壽命。換言之，可以提供可承受長時間使用之電視裝置。
圖6B顯示根據本發明之電腦，其包括主體9201、外殼9202、顯示部分9203、鍵盤9204、外部連接埠9205、指向裝置9206等。此電腦中，顯示部分9203係將類似實例模式1與2所述之發光元件排列成矩陣形式而形成。該等發光元件具有長使用壽命之優點。由於使用本發光元件形成的顯示部分亦具有相同優點，故本電腦具有長使用壽命。換言之，可以提供可承受長時間使用之電腦。
圖6C顯示根據本發明之行動電話，其包括主9401、外殼9402、顯示部分9403、音頻輸入部分9404、音頻輸出部分9405、操作鍵9406、外部連接埠9407、天線9408等。此顯示部分9403係將類似實例模式1與2之發光元件排列成矩陣形式而形成。該等發光元件具有長使用壽命。由於使用本發光元件形成的顯示部分9403亦具有相同優點，故本行動電話具有長使用壽命。換言之，可以提供可承受長時間使用之行動電話。
圖6D顯示根據本發明之照相機，其包括主體9501、顯示部分9502、外殼9503、外部連接埠9504、遙控接收部分9505、影像接收部分9506、電池組9507、音頻輸入部分9508、操作鍵9509、接目鏡部分9510等。此照相機中，顯示部分9502係將類似實例模式1與2之發光元件排列成矩陣而形成。該等發光元件具有長使用壽命。由於使用本發光元件形成的顯示部分9502亦具有相同優點，故本照相機具有長使用壽命。換言之，可以提供可承受長時間使用之照相機
如上述，本發明之發光裝置的應用範圍相當廣泛，而且此發光裝置可應用於各領域之電子裝置。藉由使用本發明發光裝置，可提供具有長使用壽命顯示部分的電子裝置，該裝置能承受長時間使用。
此外，本發明之發光裝置可作為照明裝置。茲參考圖7描述使用本發明發光元件作為照明裝置之實例。
圖7顯示使用本發明發光裝置作為背光之液晶顯示裝置。圖7所示之液晶顯示裝置包括外殼901、液晶層902、背光903與外殼904其中液晶層902係連接至驅動IC905。背光903使用本發明之發光裝置，經由終端906對背光903施加電流。
使用本發明之發光裝置作為液晶顯示裝置之背光時，可獲得具有長使用壽命之背光。此外，由於本發明之發光裝置係表面發光照明裝置，並且該發光裝置可能放大，故可製成較大背光，而且該液晶顯示裝置亦可具有較大面積。此外，由於此發光裝置薄並消耗較少電力，故可能減少顯示裝置的厚度與耗能。
圖8顯示使用本發明發光裝置作為照明裝置之桌燈的實例。圖8所示之桌燈包括外殼2001與光源2002。本發明之發光裝置係作為光源2002。由於本發明發光裝置具有長使用壽命，故該桌燈亦可能具有長使用壽命。
圖9圖示說明使用本發明發光裝置作為室內照明裝置3001之實例。由於本發明發光裝置可加大，故可使用該發光裝置作為大面積照明裝置。此外，由於本發明之發光裝置具有長使用壽命，故此照明設備亦可能具有長使用壽命。如此，可將與參考圖6A所述之電視裝置相似之本發明電視裝置3002安裝在使用本發明發光裝置作為照明裝置3001之室內，如此可以享用公眾廣播與電影。此種情況下，由於電視裝置與照明裝置二者均具有長使用壽命，不必經常購買新照明裝置或電視裝置(即，更換次數少)，並且可降低環境負荷。
實施例1
實施例1茲參考圖10特別描述本發明之發光元件。本實施例中所使用的有機化合物係如下圖所示：
(發光元件1)
首先，藉由濺鍍法在玻璃基材2101上形成含有氧化矽之氧化銦錫薄膜，並形成第一電極2102。其厚度為110nm，電極面積為2mm×2mm。
其次，將形成有第一電極2102之基材固定在位於真空蒸發設備中的基材座，如此在第一電極2102上形成的表面是為底面。將壓力降至約10-4 Pa之後，在第一電極2102上共蒸發4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]聯苯(縮寫：NPB)與氧化鉬(VI)，如此形成含有複合材料之層2103。其厚度為50nm，NPB對氧化鉬(VI)之重量比調整為4：1(=NPB：氧化鉬)。應注意的是，共蒸發法係在一個處理室中同時自複數個蒸發源進行蒸發作用之蒸發法。
其次，使用電阻加熱之蒸發法形成厚度為10nm之4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]聯苯(縮寫：NPB)薄膜，以形成電洞傳輸層2104。
此外，在電洞傳輸層2104上形成發光層2105。首先，在電洞傳輸層2104上共蒸發9,10-二苯基蒽(縮寫：DPAnth)與N,N'-雙[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N,N'-二苯基茋-4,4'-二胺(縮寫：YGA2S)，形成厚度為30nm之第一發光層2121。此處，DPAnth比YGA2S之重量比控制在1：0.05(=DPAnth：YGA2S)。此外，在第一發光層2121上共蒸發9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(縮寫：CzPA)與N,N'-雙[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N,N'-二苯基茋-4,4'二胺(縮寫：YGA2S)，形成厚度為30nm之第二發光層2122。此處，CzPA與YGA2S之重量比控制在1：0.05(=CzPA:YGA2S)。
然後，藉由使用電阻加熱之蒸發法在發光層2105上形成厚度為10nm之三(8-喹啉酚)鋁(縮寫：Alq)薄膜，形成電子傳輸層2106。
藉由共蒸發Alq與鋰(Li)在電子傳輸層2106上形成厚度為10nm之電子注入層2107。Alq對鋰之重量比調整成1：0.01(=Alq：鋰)。
最後，藉由使用電阻加熱整蒸發法形成厚度為200nm之鋁薄膜，以形成第二電極2108。以此種方式製造發光元件1。
(對照發光元件2)
首先，藉由濺鍍法在玻璃基材上形成含有氧化矽之氧化銦錫薄膜；因而形成第一電極。其厚度為110nm，並電極面積為2mm×2mm。
其次，將形成有第一電極之基材固定在位於真空蒸發設備中的基材座，如此在第一電極上形成的表面是為底面。將壓力降至約10-4 Pa之後，在第一電極上共蒸發4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]聯苯(縮寫：NPB)與氧化鉬(VI)，如此形成含有複合材料之層。其厚度為50nm，NPB對氧化鉬(VI)之重量比調整為4：1(=NPB：氧化鉬)。應注意的是，共蒸發法係在一個處理室中同時自複數個蒸發源進行蒸發作用之蒸發法。
其次，使用電阻加熱之蒸發法形成厚度為10nm之4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]聯苯(縮寫：NPB)薄膜，以形成電洞傳輸層。
此外，在電洞傳輸層上形成發光層。共蒸發9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(縮寫：CzPA)與N,N'-雙[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N,N'-二苯基茋-4,4'-二胺(縮寫：YGA2S)以形成厚度為30nm之發光層。此處，將CzPA比YGA2S之重量比控制在1：0.05(=CzPA：YGA2S)。
然後，藉由使用電阻加熱之蒸發法在發光層上形成厚度為10nm之Alq薄膜，形成電子傳輸層。
藉由共蒸發Alq與鋰(Li)在電子傳輸層上形成厚度為20nm之電子注入層。Alq對鋰之重量比調整成1：0.01(=Alq：鋰)。
最後，藉由使用電阻加熱整蒸發法形成厚度為200nm之鋁薄膜，如此形成第二電極。以此種方式製造對照發光元件2。
圖11顯示發光元件1與對照發光元件2之電流密度-亮度特徵。圖12顯示電壓-亮度特徵。圖13顯示亮度-電流效率特徵。圖14顯示施加1mA電流時之發射光譜。圖15顯示當初始亮度為1000cd/m2 時，發光元件1與對照發光元件2正規化亮度與時間之依存度。
對照發光元件2在亮度1000cd/m2 之下的CIE色度座標係x=0.16，y=0.17，而且對照發光元件2發出藍光。此外，於亮度1000cd/m2 之下的電流效率、電壓與電流密度分別為3.9cd/A、6.4V與25.3mA/cm2 。此外，根據圖15，在電流流動開始910小時之後，對照發光元件2顯示的亮度為初始亮度的56%。
另一方面，發光元件1在亮度1000cd/m2 之下的CIE色度座標係x=0.15，y=0.17，而且發光元件1發出藍光。此外，於亮度1000cd/m2 之下的電流效率、電壓與電流密度分別為4.0cd/A、7.6V與25.5mA/cm2 。此外，根據圖15，在電流流動開始1050小時之後，發光元件1顯示的亮度為初始亮度的67%，明顯看出發光元件1是為具有長使用壽命之發光元件。
因此，本發明應用可提供具有長使用壽命之發光元件。
實施例2
實施例2中，藉由循環伏安(CV)測量法測量作為發光元件1發光層之9,10-二苯基蒽(縮寫：DPAnth)與9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(縮寫：CzPA)的氧化反應特徵與還原反應特徵。此外，由該測量計算DPAnth與CzPA之HOMO能階與LUMO能階。另外，使用電化學分析儀(ALS 600A型，由BAS Inc.所製)供測量。
至於該CV測量中使用的溶液，使用脫水二甲基甲醯胺(DMF，由Aldrich所製，99.8%，型錄編號22705-6)作為溶劑。將作為支援電解質之過氯酸四正丁銨(n-Bu4 NCLO4 ，由Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.所製，型錄編號：T0836)溶解於該溶劑中，使過氯酸四正丁銨濃度為100mmol/L。此外，將待測量標的物溶解成濃度設於1mmol/L。另外，使用鉑電極(PTE鉑電極，由BAS Inc.所製)作為工作電極。使用鉑電極(VC-3Pt對電極(5cm)，由BAS Inc.所製)作為對電極。使用Ag/Ag+ 電極(RE5非水性溶劑參考電極，由BAS Inc.所製)作為參考電極。應注意的是，此測量係於室溫(20-25℃)進行。
(計算與參考電極之真空度相關的位能)
計算與實施例2中所使用參考電極(Ag/Ag+ 電極)之真空度有關的位能(eV)。換言之，計算Ag/Ag+ 電極之費米能階。已知與普通氫電極有關之甲醇中的二茂鐵氧化還原電位係+0.610[V vs.SHE](參考資料：Christian R. Goldsmith等人著之J. Am. Chem. Soc.，第124卷，第1,83-96號，2002年)。另一方面，使用實施例2中所使用的參考電極時計算甲醇中之二茂鐵氧化還原電位時，其係+0.20V[vs. Ag/Ag+ ]。因此，已發現實施例2當中所使用的參考電極的位能比普通氫電極的位能低0.41[eV]。
應注意的是，已知來自真空度的普通氫電極的位能係-4.44eV(參考資料：Toshihiro Ohnishi與Tamami Koyama，High molecular EL material，Kyoritsu shuppan，第64-67頁)。因此，與實施例2中所使用參考電極真空度有關的位能如下：-4.44-0.41=-4.85[eV]。
(測量實例1：DPAnth)
本測量實例1中，藉由循環伏安(CV)測量法測量氧化反應特徵與還原反應特徵。掃描速度係0.1V/秒，並進行100回合測量。
首先，圖16A顯示氧化反應特徵之測量結果。氧化反應特徵之測量當中，掃描到與參考電極有關之工作電極電位係自-0.05至1.20V，然後自1.20V至-0.05V，其為一個回合。
如圖16A所示，在100回合之前(初始狀態)與之後，氧化尖峰電位Epa 仍停留在0.93V處未有改變。此外，氧化尖峰電位中的電流量(氧化尖峰電流Ipa )係初始狀態中為-11.9μA，100回合之後為-8.49μA。即使100回合之後，仍保有71%初始狀態中之電流量。因此，DPAnth可說是對於氧化反應具有安定性之化合物。
此外，圖16B顯示圖16A中初始狀態之圖。可觀察到氧化尖峰Epa 係如上述之0.93V，還原尖峰電位Epc 係0.81V。如此，可計算出半波電位(介於Epa 與Epc 之中間電位)為0.87V。此顯示DPAnth係被0.87之[V vs. Ag/Ag+ ]電能氧化，此電能相當於HOMO能階。此處，如前文所述，實施例2所使用參考電極與真空度相關的位能係-4.85[eV]，因此已發現DPAnth之HOMO能階如下：-4.85-0.87=-5.72[eV]。
其次，圖17A顯示還原反應特徵之測量結果。還原反應特徵之測量當中，掃描到與參考電極有關之工作電極電位係自-0.20至-2.60V，然後自-2.60V至-0.20V，其為一個回合。
如圖17A所示，在100回合之前(初始狀態)與之後，還原尖峰電位Epc 仍停留在-2.30V處未有改變。此外，還原尖峰電位中的電流量(還原尖峰電流Ipc )係初始狀態中為8.37μA，100回合之後為7.72μA。即使100回合之後，仍保有92%初始狀態中之電流量。因此，DPAnth可說是對於還原反應具有安定性之化合物。
此外，圖17B顯示圖17A中初始狀態之圖。可觀察到還原尖峰電位Epc 係如上述之-2.30V，還原尖峰電位Epa 係-2.23V。如此，可計算出半波電位(介於Epa 與Epc 之中間電位)為-2.27V。此顯示DPAnth係被-2.27之[V vs. Ag/Ag+ ]電能還原，此電能相當於LUMO能階。此處，如前文所述，實施例2所使用參考電極與真空度相關的位能係-4.85[eV]，因此已發現DPAnth之LUMO能階如下：-4.85-(-2.27)=-2.58[eV]。
(測量實例2：CzPA)
於測量實例2，藉由循環伏安(CV)測量法測量CzPA之氧化反應特徵與還原反應特徵。掃描速度係0.1V/秒，並進行100回合測量。
首先，圖18A顯示氧化反應特徵之測量結果。氧化反應特徵之測量當中，掃描到與參考電極有關之工作電極電位係自-0.41至1.20V，然後自1.20V至-0.41，其為一個回合。
如圖18A所示，在100回合之前(初始狀態)與之後，氧化尖峰電位Epa 仍停留在0.87V處未有改變。此外，氧化尖峰電位中的電流量(氧化尖峰電流Ipa )係初始狀態中為-12.5μA，100回合之後為-12.0μA。即使100回合之後，仍保有96%初始狀態中之電流量。因此，CzPA可說是對於氧化反應具有安定性之化合物。
此外，圖18B顯示圖18A中初始狀態之圖。可觀察到氧化尖峰Epa 係如上述之0.87V，還原尖峰電位Epc 係0.79V。如此，可計算出半波電位(介於Epa 與Epc 之中間電位)為0.83V。此顯示CzPA係被0.83之[V vs. Ag/Ag+ ]電能氧化，此電能相當於HOMO能階。此處，如前文所述，實施例2所使用參考電極與真空度相關的位能係-4.85[eV]，因此已發現CzPA之HOMO能階如下：-4.85-0.83=-5.68[eV]。
其次，圖19A顯示還原反應特徵之測量結果。還原反應特徵之測量當中，掃描到與參考電極有關之工作電極電位係自-0.63至-2.40V，然後自-2.40V至-0.63V，其為一個回合。
如圖19A所示，在100回合之前(初始狀態)與之後，還原尖峰電位Epc 仍停留在-2.27V處未有改變。此外，還原尖峰電位中的電流量(還原尖峰電流Ipc )係初始狀態中為6.15μA，100回合之後為4.48μA。即使100回合之後，仍保有79%初始狀態中之電流量。因此，CzPA可說是對於還原反應具有安定性之化合物。
此外，圖19B顯示圖19A中初始狀態之圖。可觀察到還原尖峰電位Epc 係如上述之-2.27V，還原尖峰電位Epa 係-2.19V。如此，可計算出半波電位(介於Epa 與Epc 之中間電位)為-2.23V。此顯示CzPA係被-2.23之[V vs. Ag/Ag+ ]電能還原，此電能相當於LUMO能階。此處，如前文所述，實施例2所使用參考電極與真空度相關的位能係-4.85[eV]，因此已發現CzPA之LUMO能階如下：-4.85-(-2.23)=-2.62[eV]。
前文獲得之DPAnth與CzPA的HOMO能階與LUMO能階係顯示於表1。由表1明顯看出，介於DPAnth與CzPA間之HOMO能階差異係0.04eV，介於其LUMO能階間之差異係0.04eV。換言之，介於DPAnth與CzPA之HOMO能階間的能障以及介於DPAnth與CzPA之LUMO能階間的能障均為0.1eV或更低。因此，實施例1所顯示使用DPAnth作為第一層中之電洞傳輸化合物並使用CzPA作為第二層中之電子傳輸化合物的結構係對本發明而言較佳之結構。
實施例3
實施例3茲參考圖10具體描述本發明之發光元件。本實施例中使用之有機化合物的結構式係如下所示。
(發光元件3)
首先，藉由濺鍍法在玻璃基材2101上形成含有氧化矽之氧化銦錫薄膜，並形成第一電極2102。其厚度為110nm，電極面積為2mm×2mm。
其次，將形成有第一電極2102之基材固定在位於真空蒸發設備中的基材座，如此在第一電極2102上形成的表面是為底面。將壓力降至約10-4 Pa之後，在第一電極2102上共蒸發4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]聯苯(縮寫：NPB)與氧化鉬(VI)，如此形成含有複合材料之層2103。其厚度為50nm，NPB對氧化鉬(VI)之重量比調整為4：1(=NPB：氧化鉬)。應注意的是，共蒸發法係在一個處理室中同時自複數個蒸發源進行蒸發作用之蒸發法。
其次，使用電阻加熱之蒸發法形成厚度為10nm之4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]聯苯(縮寫：NPB)薄膜，以形成電洞傳輸層2104。
此外，在電洞傳輸層2104上形成發光層2105。首先，在電洞傳輸層2104上共蒸發9,10-二苯基蒽(縮寫：DPAnth)與N,9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(縮寫：PCAPA)，形成厚度為30nm之第一發光層2121。此處，DPAnth與PCAPA之重量比控制在1：0.05(=DPAnth：PCAPA)。此外，在第一發光層2121上共蒸發9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(縮寫：CzPA)與N,9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(縮寫：PCAPA)，形成厚度為30nm之第二發光層2122。此處，CzPA對PCAPA之重量比控制在1：0.05(=CzPA:PCAPA)。
然後，藉由使用電阻加熱之蒸發法在發光層2105上形成厚度為10nm之Alq薄膜，形成電子傳輸層2106。
藉由共蒸發Alq與鋰(Li)在電子傳輸層2106上形成厚度為10nm之電子注入層2107。Alq對鋰之重量比調整成1：0.01(=Alq：鋰)。
最後，藉由使用電阻加熱整蒸發法形成厚度為200nm之鋁薄膜，以形成第二電極2108。以此種方式製造發光元件3。
(對照發光元件4)
首先，藉由濺鍍法在玻璃基材上形成含有氧化矽之氧化銦錫薄膜；因而形成第一電極。其厚度為110nm，並電極面積為2mm×2mm。
其次，將形成有第一電極之基材固定在位於真空蒸發設備中的基材座，如此在第一電極上形成的表面是為底面。將壓力降至約10-4 Pa之後，在第一電極上共蒸發4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]聯苯(縮寫：NPB)與氧化鉬(VI)，如此形成含有複合材料之層。其厚度為50nm，NPB對氧化鉬(VI)之重量比調整為4：1(=NPB：氧化鉬)。應注意的是，共蒸發法係在一個處理室中同時自複數個蒸發源進行蒸發作用之蒸發法。
其次，使用電阻加熱之蒸發法形成厚度為10nm之4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]聯苯(縮寫：NPB)薄膜，以形成電洞傳輸層。
此外，在電洞傳輸層上形成發光層。共蒸發9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(縮寫：CzPA)與N,9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(縮寫：PCAPA)以形成厚度為30nm之發光層。此處，將CzPA與PCAPA之重量比控制在1：0.05(=CzPA：PCAPA)。
然後，藉由使用電阻加熱之蒸發法在發光層上形成厚度為10nm之Alq薄膜，形成電子傳輸層。
藉由共蒸發Alq與鋰(Li)在電子傳輸層上形成厚度為20nm之電子注入層。Alq對鋰之重量比調整成1：0.01(=Alq：鋰)。
最後，藉由使用電阻加熱整蒸發法形成厚度為200nm之鋁薄膜，如此形成第二電極。以此種方式製造對照發光元件4。
圖21顯示發光元件3與對照發光元件4之電流密度-亮度特徵。圖22顯示電壓-亮度特徵。圖23顯示亮度-電流效率特徵。圖24顯示施加1mA電流時之發射光譜。圖25顯示當初始亮度為1000cd/m2 時，發光元件3與對照發光元件4正規化亮度與時間之依存度。
對照發光元件4在亮度1100cd/m2 之下的CIE色度座標係x=0.16，y=0.22，而且對照發光元件4發出藍光。此外，於亮度1100cd/m2 之下的電流效率與外部量子效率分別為4.6cd/A與3.0%。於亮度1100cd/m2 之下的電壓與電流密度係5.6V與23.7mA/cm2 。此外，根據圖25，在電流流動開始710小時之後，對照發光元件4顯示的亮度為初始亮度的72%。
另一方面，發光元件3在亮度1000cd/m2 之下的CIE色度座標係x=0.15，y=0.20，而且發光元件3發出藍光。此外，於亮度1000cd/m2 之下的電流效率與外部量子效率分別為4.8cd/A與3.4%。於亮度1000cd/m2 之下的電壓與電流密度係7.0V與21.0mA/cm2 。此外，根據圖25，在電流流動開始1900小時之後，發光元件3顯示的亮度為初始亮度的73%，明顯看出發光元件3是為具有長使用壽命之發光元件。
因此，本發明應用可提供具有長使用壽命之發光元件。
實施例4
實施例4將說明其他實例中所使用之材料。
<PCAPA之合成實例>
茲說明結構式(101)所示之N,9-二苯基-N[4-(10-苯基-9-蒽基)-苯基]-9H-咔唑-3-胺(縮寫：PCAPA)的合成方法。
[步驟1：9-(4-溴苯基)-10-苯基蒽(縮寫：PA)之合成方法] (1)合成9-苯基蒽
將5.4g(21.1mmol)之9-溴蒽、2.6g(21.1mmol)之苯基硼酸、60mg(0.21mmol)之醋酸鈀(II)(縮寫：Pd(OAc)2 )、10mL(20mmol)之碳酸鉀水溶液(2mol/L)、263mg(0.84mmol)之三(鄰甲苯基)膦(縮寫：P(鄰甲苯基)3 )與20mL之1,2-二甲氧基乙烷(縮寫：DME)置入一200mL三頸燒瓶中，然後在氮氣流中以80℃攪拌九小時。隨後，將固體溶解於甲苯中，然後經由矽酸鎂(florisil)、矽藻土(celite)與氧化鋁過濾。以水與飽和鹽水清洗濾液之後，使用硫酸鎂乾燥之。該混合物進行自然過濾之後，濃縮該濾液時，獲得21.5g之目標物質9-苯基蒽，其為淺棕色固體，產率為85%(合成圖(b-1))。
(2)9-溴-10-苯基蒽之合成
將6.0g(23.7mmol)之9-苯基蒽溶解於80mL之四氯化碳中，然後於其反應溶液中，藉由滴液漏斗滴入3.80g(21.1mmol)溴溶解於10mL四氯化碳之溶液。滴入之後，在室溫下攪拌一小時。反應之後，於其中添加硫代硫酸鈉水溶液並攪拌之。以氫氧化鈉水溶液與飽和鹽水清洗有機層，然後以硫酸鎂乾燥之。該混合物進行自然過濾之後，濃縮該濾液，並溶解於甲苯中，然後使用矽酸鎂(florisil)、矽藻土(celite)與氧化鋁進行過濾。製得該濾液然後以二氯甲烷及己烷再結晶時，獲得7.0g之目標物質9-溴-10-苯基蒽，其為淺黃色固體，產率為89%(合成圖(b-2))。
(3)合成9-碘-10-苯基蒽
將3.33g(10mmol)之9-溴-10-苯基蒽溶解於80mL之四氫呋喃(縮寫：THF)中，並冷卻至-78℃。然後在其反應溶液中，藉由滴液漏斗將7.5mL(12.0mmol)之正丁鋰(縮寫：n-BuLi)(1.6mol/L己烷溶液)滴入，然後攪拌一小時。於其中滴入5g(20.0mmol)碘溶解於20mL之THF中的溶液，於-78℃再攪拌2小時。反應之後，於其中添加硫代硫酸鈉水溶液並攪拌之。以硫代硫酸鈉水溶液與飽和鹽水清洗有機層，然後以硫酸鎂乾燥之。該混合物進行自然過濾之後，濃縮該濾液，然後以乙醇再結晶，獲得3.1g之目標物質9-碘-10-苯基蒽，其為淺黃色固體，產率為83%(合成圖(b-3))。
(4)合成9-苯基-10-(4-溴苯基)蒽(縮寫：PA)
將1.0g(2.63mmol)之9-碘-10-苯基蒽、542mg(2.70mmol)之對溴苯基硼酸、46mg(0.03mmol)之四(三苯基膦)鈀(0)(縮寫：Pd(PPh3 )4 )、3mL(6mmol)之碳酸鉀水溶液(2mol/L)以及10mL甲苯之混合物於80℃下攪拌九小時。反應之後，添加甲苯，並使用矽酸鎂(florisil)、矽藻土(celite)與氧化鋁進行過濾。以水及飽和鹽水清洗濾液，然後以硫酸鎂乾燥之。該混合物進行自然過濾之後，以氯仿及己烷使之再結晶，獲得562mg之目標物質9-苯基-10-(4-溴苯基)蒽，其係淺棕色固體，產率45%(合成圖(b-4))。
[步驟2：N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(縮寫：PCA)之合成方法] (1)合成-溴-9-苯基咔唑
首先，將24.3g(100mmol)之N-苯基咔唑溶解於600ml之冰醋酸，並將17.8g(100mmol)之N-溴代琥珀酸醯胺緩慢添加於其中。在室溫下攪拌該混合物約12小時。將此冰醋酸溶液滴入一公升冰水中，同時攪拌彼等。後水清洗沉澱之白色固體三次。將此固體溶解於150ml之二乙醚中，並以飽和碳酸氫鈉溶液及水清洗之。以硫酸鎂乾燥此有機層並過濾之。濃縮製得之濾液。以甲醇再結晶如此獲得之殘留物，獲得28.4g(產率：88%)3-溴-9-苯基咔唑，其係白色粉末(合成圖(c-1))。
(2)N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(縮寫：PCA)
將19g(60mmol)之3-溴-9-苯基咔唑、340mg(0.6mmol)之雙(亞苄基丙酮)鈀(0)(縮寫：Pd(dba)2 )、1.6g(3.0mmol)之1,1-雙(二苯基膦基)二茂鐵(縮寫：dppf)與13g(180mmol)之第三丁氧基鈉(縮寫：t-BuONa)置於500mL三頸燒瓶中。以氮取代該燒瓶中之空氣之後，添加110mL之脫水二甲苯與7.0g(75mmol)之苯胺。攪拌彼同時以90℃加熱7.5小時。於反應終止時，將約500mL已加熱至50℃之熱甲苯添加於反應溶液中，並經過矽酸鎂(florisil)、矽藻土(celite)與氧化鋁過濾此反應溶液。濃縮該濾液。以己烷與醋酸乙酯之混合溶液再結晶所獲得之固體時，製得15g目標物質N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(縮寫：PCA)，其為乳白色粉末，產率為75%(合成圖(c-2))。
下文顯示使用CDCl3 作為所獲得PCA之重質溶劑實例中的1 H-NMR。1 H-NMR圖係顯示如圖26A，且圖26B顯示圖26A中5.0至9.0ppm部分之放大圖。
1 H-NMR(300MHz,CDCl3 )：δ=6.84(t,j=6.9,1H),6.97(d,j=7.8,2H),7.20-7.61(m,13H),7.90(s,1H),8.04(d,j=7.8,1H)。
其次，下文顯示使用DMSO作為所獲得PCA之重質溶劑實例中的1 H-NMR。1 H-NMR圖係顯示如圖27A，且圖27B顯示圖27A中6.5至8.5ppm部分之放大圖。
1 H-NMR(300MHz,DMSO-d6 )：δ=6.73(t,j=7.5,1H),7.02(d,j=8.1,2H),7.16-7.70(m,12H),7.95(s,1H),8.06(s,1H),8.17(d,J=7.8,1H)。
其次，下文顯示使用DMSO作為所獲得PCA之重質溶劑實例中的13 C-NMR。13 C-NMR圖係顯示如圖28A，且圖28B顯示圖28A中100至150ppm部分之放大圖。
13 C-NMR(75.5MHz,DMSO-d6 )：δ=109.55,110.30,110.49,114.71,118.22,119.70,120.14,120.61,122.58,123.35,126.18,126.48,127.37,129.15,130.14,135.71,136.27,137.11,140.41,145.61。
[步驟3：N,9-二苯基-N[4-(10-苯基-9-蒽基)-苯基]-9H-咔唑-3-胺(縮寫：PCAPA)之合成方法]
將409mg(1.0mmol)之9-苯基-10-(4-溴苯基)蒽(PA)、339mg(1.0mmol)之N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(縮寫：PCA)、6mg(0.01mmol)之Pd(dba)2 、500mg(5.2mol)之第三丁氧基鈉(縮寫：t-BuONa)、0.1mL之三(第三丁基)膦(10wt%己烷溶液)(縮寫：P(tBU)3 )與10mL甲苯置入100mL三頸燒瓶中，並在80℃下攪拌四小時。反應之後，以水清洗溶液，以甲苯萃取出含水層，其係與有機層一起使用飽和鹽水清洗，然後以硫酸鎂乾燥。以矽膠純化藉由自然過濾混合物並濃縮該濾液所獲得油狀產物(柱狀層析術(己烷：甲苯=7：3)，並使用二氯甲烷及己烷之混合溶液再結晶，獲得534mg是為目標物質之黃色粉末狀固體，產率為81%(合成圖(d-1))。使用核磁共振(NMR)法測量此化合物時，確認其係N,9-二苯基-N[4-(10-苯基-9-蒽基)-苯基]-9H-咔唑-3-胺(縮寫：PCAPA)。
此化合物之1 H-NMR如下文所示。此外，1 H-NMR圖顯示於圖29A與29B。圖29B顯示圖29A中6.5至8.5ppm部分之放大圖。
1 H-NMR(300MHz,CDCl3 )：δ=8.11-8.08(m,2H),7.91-7.88(m,2H),7.70-7.67(m,2H),7.63-7.30(m,28H)。
PCAPA之吸收光譜係示於圖30。使用紫外線-可見光光譜儀(V-550，由JASCO Corporation所製)進行測量。圖30中，水平軸表示波長(nm)，垂直軸表示強度(任何單位)。此外，圖30中，線(a)表示PCAPA於單一薄膜中之狀態的吸收光譜，而線(b)表示PCAPA溶解於甲苯溶液中之狀態的吸收光譜。PCAPA之發光光譜係示於圖31。圖31當中，水平軸表示波長(nm)，垂直軸表示強度(任意單位)。線(a)表示PCAPA於單一薄膜中之狀態的吸收光譜(激發波長：402nm)，而線(b)表示PCAPA溶解於甲苯溶液中之狀態的吸收光譜(激發波長：370nm)。由圖12已發現在單一薄膜狀態中之PCAPA的發光尖峰在486nm處，在甲苯溶液中呈溶解狀態中的尖峰係在471nm處。此外，辨認發出的光為藍光。因此，發現PCAPA係適於作為特別顯現藍光之發光物質。
藉由蒸發法以製得之PCAPA形成薄膜，並使用光電子光譜儀(AC-2，由RIKEN KEIKI CO.,LTD.所製)測量薄膜狀態中之PCAPA游離電位時，該游離電位係5.29eV。此結果顯示HOMO能階係-5.29eV。薄膜狀態中之PCAPA的吸收光譜係使用紫外線-可見光光譜儀(V-550，由JASCO Corporation所製)測量，將該吸收光譜(圖30中的線(a))波長較長一側的吸收邊緣光譜設為能隙(2.74eV)。於此等條件下，測量LUMO能階時，其係-2.55eV。
此外，所獲得PCAPA之分解溫度Td 係藉由熱重/差示熱分析儀(TG/DTA 320，由Seiko Instruments Inc.所製)測量，Td 為402℃或更高。因此，已發現PCAPA具有較佳耐熱性質。
此外，藉由循環伏安(CV)測量法測量PCAPA之氧化還原反應特徵。另外，使用電化學分析儀(ALS 600A型，由BAS Inc.所製)以供測量。
至於該CV測量中使用的溶液，使用脫水二甲基甲醯胺(DMF)(99.8%，型錄編號22705-6，由Sigma-Aldrich所製)作為溶劑。將作為支援電解質之過氯酸四正丁銨(n-Bu4 NCLO4 )(型錄編號：T0836，由Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.所製)溶解於該溶劑中，使過氯酸四正丁銨濃度為100mmol/L。此外，將待測量標的物PCAPA溶解成濃度設於1mmol/L。另外，使用鉑電極(PTE鉑電極，由BAS Inc.所製)作為工作電極。使用鉑電極(VC-3 Pt對電極(5cm)，由BAS Inc.所製)作為對電極。使用Ag/Ag+ 電極(RE5非水性溶劑參考電極，由BAS Inc.所製)作為參考電極。應注意的是，此測量係於室溫(20-25℃)進行。
如下述測量氧化反應特徵。掃描到與參考電極有關之工作電極電位係自-0.27V變成0.70V，然後自0.70V變成-0.27V，其為一個回合。測量100回合之氧化反應特徵。應注意的是CV測量法的掃描速度設為0.1V/s。
如下文測量還原反應特徵。掃描到與參考電極有關之工作電極電位係自-0.36改變成-2.60V，然後自-2.60V改變成-0.36，其為一個回合。測量100回合之還原反應特徵。應注意的是CV測量法的掃描速度設為0.1V/s。
PCAPA之氧化反應特徵測量結果係示於圖32A。此外，PCAPA之還原反應特徵測量結果係示於圖32B。圖32A與32B當中，水平軸表示與參考電極有關之工作電極電位(V)，而垂直軸係介於工作電極與對電極之間的電流流動量(1×10-5 A)。
由圖32A發現氧化電位為0.47V(vs. Ag/Ag+ 電極)。由圖32B發現還原電位為-2.26V(vs. Ag/Ag+ 電極)。雖然重複掃描100回合，但清楚地觀察到氧化反應與還原反應各者中的CV曲線尖峰。因此，發現蒽衍生物係對於氧化還原反應顯示良好可靠度之物質，特別是對於氧化反應顯示出優良可靠度。
本申請案係以2006年6月1日提出之日本專利申請案序號2006-154077與2007年1月23日提出之日本專利申請案序號2007-012700為基礎，此等申請案整體內容係以提及的方式併入本文中。
101．．．基材
102．．．第一電極
103．．．EL層
104．．．第二電極
111．．．發光層
112．．．電洞傳輸層
113．．．電子傳輸層
121．．．第一層
122．．．第二層
131．．．鄰近界面之區域
301．．．基材
302．．．第一電極
303．．．EL層
304．．．第二電極
311．．．發光層
312．．．電洞傳輸層
313．．．電子傳輸層
321．．．第一層
322．．．第二層
501．．．第一電極
502．．．第二電極
511．．．第一發光單元
512．．．第二發光單元
513．．．電荷產生層
601．．．源極側驅動電路
602．．．像素部分
603．．．閘極側驅動電路
604．．．密封基材
605．．．密封材料
607．．．空間
608．．．引線
609．．．FPC(撓性印刷電路)
610．．．元件基材
611．．．開關TFT
612．．．電流控制TFT
613．．．第一電極
614．．．絕緣體
616．．．EL層
617．．．第二電極
618．．．發光元件
623．．．n通道TFT
624．．．p通道TFT
901．．．外殼
902．．．液晶層
903．．．背光
904．．．外殼
905．．．驅動IC
906．．．終端
951．．．基材
952．．．電極
953．．．絕緣層
954．．．分隔層
955．．．EL層
956．．．電極
2001．．．外殼
2002．．．光源
2101．．．玻璃基材
2102．．．第一電極
2103．．．含複合材料之層
2104．．．電洞傳輸層
2105．．．發光層
2106．．．電子傳輸層
2107．．．電子注入層
2108．．．第二電極
2121．．．第一發光層
2122．．．第二發光層
3001．．．照明裝置
3002．．．電視裝置
9101．．．外殼
9102．．．支架
9103．．．顯示部分
9104．．．擴音器部分
9105．．．視頻輸入終端
9201．．．主體
9202．．．外殼
9203．．．顯示部分
9204．．．鍵盤
9205．．．外部連接埠
9206．．．指向裝置
9401．．．主體
9402．．．外殼
9403．．．顯示部分
9404．．．音頻輸入部分
9405．．．音頻輸出部分
9406．．．操作鍵
9407．．．外部連接埠
9408．．．天線
9501．．．主體
9502．．．顯示部分
9503．．．外殼
9504．．．外部連接埠
9505．．．遙控接收部分
9506．．．影像接收部分
9507．．．電池組
9508．．．音頻輸入部分
9509．．．操作鍵
9510．．．接目鏡部分
根據附圖圖式：
圖1A至1C圖解本發明之發光元件；
圖2圖解本發明之發光元件；
圖3圖解本發明之發光元件；
圖4A與4B圖解本發明之發光裝置；
圖5圖解本發明之發光裝置；
圖6A至6D圖解本發明之電子裝置；
圖7圖解本發明之電子裝置；
圖8圖解本發明之照明裝置；
圖9圖解本發明之照明裝置；
圖10圖解實施例之發光元件；
圖11係顯示實施例1所形成之發光元件電流效率-亮度特徵之圖；
圖12係顯示實施例1所形成之發光元件電壓-亮度特徵之圖；
圖13係顯示實施例1所形成之發光元件亮度-電流效率特徵之圖；
圖14係顯示實施例1所形成之發光元件的發射光譜；
圖15係顯示實施例1所形成之發光元件的正規化亮度的時間依存度；
圖16A與16B係顯示DPAnth之氧化反應特徵的圖；
圖17A與17B係顯示DPAnth之還原反應特徵的圖；
圖18A與18B係顯示CzPA之氧化反應特徵的圖；
圖19A與19B係顯示CzPA之還原反應特徵的圖；
圖20係圖解本發明發光元件能階的圖；
圖21係顯示實施例3所形成之發光元件電流效率-亮度特徵之圖；
圖22係顯示實施例3所形成之發光元件電壓-亮度特徵之圖；
圖23係顯示實施例3所形成之發光元件亮度-電流效率特徵之圖；
圖24係顯示實施例3所形成之發光元件的發射光譜；
圖25係顯示實施例3所形成之發光元件的正規化亮度的時間依存度；
圖26A與26B係顯示N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(縮寫：PCA)之1 H-NMR圖；
圖27A與27B係顯示N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(縮寫：PCA)之1 H-NMR圖；
圖28A與28B係顯示N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(縮寫：PCA)之13 C-NMR圖；
圖29A與29B係顯示N,9-二苯基-N[4-(10-苯基-9-蒽基)-苯基]-9H-咔唑-3-胺(縮寫：PCAPA)之1 H-NMR圖；
圖30係顯示N,9-二苯基-N[4-(10-苯基-9-蒽基)-苯基]-9H-咔唑-3-胺(縮寫：PCAPA)之吸收光譜的圖；
圖31係顯示N,9-二苯基-N[4-(10-苯基-9-蒽基)-苯基]-9H-咔唑-3-胺(縮寫：PCAPA)之發射光譜的圖；以及
圖32A與32B係顯示N,9-二苯基-N[4-(10-苯基-9-蒽基)-苯基]-9H-咔唑-3-胺(縮寫：PCAPA)之CV測量結果的圖。
101．．．基材
102．．．第一電極
103．．．EL層
104．．．第二電極
111．．．發光層
112．．．電洞傳輸層
113．．．電子傳輸層
121．．．第一層
122．．．第二層

Claims (9)

  1. 一種發光元件，其包含：第一電極；第一電極上之電洞注入層，其包括具有電洞傳輸性質之物質與受體物質；電洞注入層上之第一層；第一層上且與第一層接觸之第二層；第二層上之電荷產生層；電荷產生層上之第三層；第三層上且與第三層接觸之第四層；及第四層上之第二電極；其中第一層包括第一發光有機化合物與具有電洞傳輸性質之第一有機化合物，其中第二層包括該第一發光有機化合物與具有電子傳輸性質之第二有機化合物，其中第三層包括第二發光有機化合物與具有電洞傳輸性質之第三有機化合物，其中第四層包括該第二發光有機化合物與具有電子傳輸性質之第四有機化合物，以及其中第一有機化合物、第二有機化合物、第三有機化合物與第四有機化合物為蒽衍生物。
  2. 一種發光元件，其包含：第一電極；第一電極上之電洞注入層，其包括具有電洞傳輸性質 之物質與受體物質；電洞注入層上之第一層；第一層上且與第一層接觸之第二層；第二層上之電荷產生層；電荷產生層上之第三層；第三層上且與第三層接觸之第四層；及第四層上之第二電極；其中第一層包括第一發光有機化合物與具有電洞傳輸性質之第一有機化合物，其中第二層包括該第一發光有機化合物與具有電子傳輸性質之第二有機化合物，其中第三層包括第二發光有機化合物與具有電洞傳輸性質之第三有機化合物，其中第四層包括該第二發光有機化合物與具有電子傳輸性質之第四有機化合物，其中該第一有機化合物的最高佔用分子軌域能階大於或等於-6.0eV且小於或等於-5.0eV，該第一有機化合物的最低未佔用分子軌域能階大於或等於-3.0eV且小於或等於-2.0eV，其中該第二有機化合物的最高佔用分子軌域能階大於或等於-6.0eV且小於或等於-5.0eV，該第二有機化合物的最低未佔用分子軌域能階大於或等於-3.0eV且小於或等於-2.0eV，其中該第三有機化合物的最高佔用分子軌域能階大於 或等於-6.0eV且小於或等於-5.0eV，該第三有機化合物的最低未佔用分子軌域能階大於或等於-3.0eV且小於或等於-2.0eV，其中該第四有機化合物的最高佔用分子軌域能階大於或等於-6.0eV且小於或等於-5.0eV，該第四有機化合物的最低未佔用分子軌域能階大於或等於-3.0eV且小於或等於-2.0eV，以及其中第一有機化合物、第二有機化合物、第三有機化合物與第四有機化合物為蒽衍生物。
  3. 一種發光元件，其包含：第一電極；第一電極上之電洞注入層，其包括具有電洞傳輸性質之物質與受體物質；電洞注入層上之第一層；第一層上且與第一層接觸之第二層；第二層上之電荷產生層；電荷產生層上之第三層；第三層上且與第三層接觸之第四層；及第四層上之第二電極；其中第一層包括第一發光有機化合物與具有電洞傳輸性質之第一有機化合物，其中第二層包括該第一發光有機化合物與具有電子傳輸性質之第二有機化合物，其中第三層包括第二發光有機化合物與具有電洞傳輸 性質之第三有機化合物，其中第四層包括該第二發光有機化合物與具有電子傳輸性質之第四有機化合物，其中第一有機化合物、第二有機化合物、第三有機化合物與第四有機化合物對氧化反應與還原反應為可逆的，以及其中第一有機化合物、第二有機化合物、第三有機化合物與第四有機化合物為蒽衍生物。
  4. 一種發光元件，其包含：第一電極；第一電極上之電洞注入層，其包括具有電洞傳輸性質之物質與受體物質；電洞注入層上之第一層；第一層上且與第一層接觸之第二層；第二層上之電荷產生層；電荷產生層上之第三層；第三層上且與第三層接觸之第四層；及第四層上之第二電極；其中第一層包括第一發光有機化合物與具有電洞傳輸性質之第一有機化合物，其中第二層包括該第一發光有機化合物與具有電子傳輸性質之第二有機化合物，其中第三層包括第二發光有機化合物與具有電洞傳輸性質之第三有機化合物， 其中第四層包括該第二發光有機化合物與具有電子傳輸性質之第四有機化合物，其中該第一有機化合物的最高佔用分子軌域能階與該第二有機化合物的最高佔用分子軌域能階間之差異為0.3eV或更低，其中該第一有機化合物的最低未佔用分子軌域能階與該第二有機化合物的最低未佔用分子軌域能階間之差異為0.3eV或更低，其中該第三有機化合物的最高佔用分子軌域能階與該第四有機化合物的最高佔用分子軌域能階間之差異為0.3eV或更低，其中該第三有機化合物的最低未佔用分子軌域能階與該第四有機化合物的最低未佔用分子軌域能階間之差異為0.3eV或更低，以及其中第一有機化合物、第二有機化合物、第三有機化合物與第四有機化合物為蒽衍生物。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之發光元件，其中該發光元件發射白光。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之發光元件，其中該發光元件應用至照明裝置。
  7. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之發光元件，其中該發光元件應用至桌燈、室內照明裝置、與液晶顯示裝置背光之一。
  8. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之發光元件， 其中該電荷產生層包括咔唑衍生物或芳族烴。
  9. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之發光元件，其中該電荷產生層包括金屬氧化物。
TW099100943A 2006-06-01 2007-05-29 發光元件，發光裝置以及電子裝置 TWI475735B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006154077 2006-06-01
JP2007012700 2007-01-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201017949A TW201017949A (en) 2010-05-01
TWI475735B true TWI475735B (zh) 2015-03-01

Family

ID=38778642

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099100943A TWI475735B (zh) 2006-06-01 2007-05-29 發光元件，發光裝置以及電子裝置
TW103124519A TWI492666B (zh) 2006-06-01 2007-05-29 發光元件，發光裝置以及電子裝置
TW096119180A TWI446607B (zh) 2006-06-01 2007-05-29 發光元件，發光裝置以及電子裝置

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103124519A TWI492666B (zh) 2006-06-01 2007-05-29 發光元件，發光裝置以及電子裝置
TW096119180A TWI446607B (zh) 2006-06-01 2007-05-29 發光元件，發光裝置以及電子裝置

Country Status (6)

Country Link
US (4) US7649211B2 (zh)
JP (3) JP5094218B2 (zh)
KR (2) KR101384785B1 (zh)
CN (2) CN101461073B (zh)
TW (3) TWI475735B (zh)
WO (1) WO2007139124A1 (zh)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6660410B2 (en) * 2000-03-27 2003-12-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence element
EP1928828B1 (en) * 2005-09-02 2012-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anthracene derivative
JP5064678B2 (ja) * 2005-12-16 2012-10-31 キヤノン株式会社 有機発光素子
US9112170B2 (en) * 2006-03-21 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
WO2008038607A1 (en) * 2006-09-28 2008-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anthracene derivative, and light emitting element, light emitting device, and electronic device using the anthracene derivative
US9397308B2 (en) * 2006-12-04 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
WO2008069153A1 (en) 2006-12-04 2008-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
EP1973386B8 (en) * 2007-03-23 2016-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device
US8384283B2 (en) 2007-09-20 2013-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
US9876187B2 (en) 2007-09-27 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic appliance
TWI479710B (zh) 2007-10-19 2015-04-01 Semiconductor Energy Lab 發光裝置
KR101587867B1 (ko) * 2008-03-18 2016-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광소자, 발광장치 및 전자기기
WO2009116547A1 (en) * 2008-03-18 2009-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device and electronic device
KR100924145B1 (ko) 2008-06-10 2009-10-28 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광소자 및 이의 제조방법
TWI475921B (zh) * 2008-09-10 2015-03-01 Ritdisplay Corp 白光有機發光元件
US8581237B2 (en) * 2008-12-17 2013-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element
EP2200407B1 (en) 2008-12-17 2017-11-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-Emitting element, light emitting device, and electronic device
TWI528862B (zh) * 2009-01-21 2016-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 發光元件，發光裝置以及電子裝置
US9741955B2 (en) * 2009-05-29 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and method for manufacturing the same
WO2010137509A1 (en) * 2009-05-29 2010-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, lighting device, and electronic appliance
EP2474204B1 (en) * 2009-09-04 2017-01-25 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Light-emitting device
JP2011139044A (ja) 2009-12-01 2011-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
US10570113B2 (en) * 2010-04-09 2020-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Aromatic amine derivative, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
US9490444B2 (en) * 2011-08-03 2016-11-08 Joled Inc. Organic light-emitting element with regulation insulating layer and two-component electron transport layer and method of making
TWI515936B (zh) * 2011-12-15 2016-01-01 友達光電股份有限公司 發光裝置及其製作方法
US20150279909A1 (en) * 2012-10-31 2015-10-01 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Organic electroluminescence element and illumination device
JP2014182933A (ja) * 2013-03-19 2014-09-29 Kaneka Corp 有機ｅｌ発光装置
US10439156B2 (en) 2013-05-17 2019-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display device, lighting device, and electronic device
JP5544040B2 (ja) * 2013-10-18 2014-07-09 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2015216245A (ja) * 2014-05-12 2015-12-03 Tdk株式会社 有機電界発光素子用化合物およびこれを用いた有機電界発光素子
US10388900B2 (en) 2016-07-28 2019-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
JP6967433B2 (ja) * 2017-11-27 2021-11-17 エスケーマテリアルズジェイエヌシー株式会社 有機電界発光素子

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW441211B (en) * 1994-12-15 2001-06-16 At & Amp T Corp Emergency calling from a wireless telephone
TW200306762A (en) * 2002-03-26 2003-11-16 Junji Kido Organic electroluminescent device

Family Cites Families (125)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06158038A (ja) 1992-11-17 1994-06-07 Pioneer Electron Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3949214B2 (ja) 1997-03-18 2007-07-25 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3287344B2 (ja) * 1998-10-09 2002-06-04 株式会社デンソー 有機ｅｌ素子
JP2000191560A (ja) * 1998-12-24 2000-07-11 Idemitsu Kosan Co Ltd 芳香族炭化水素化合物およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2001131174A (ja) * 1999-11-02 2001-05-15 Sony Corp バソフェナントロリン化合物及びその製造方法
US20010043043A1 (en) * 2000-01-07 2001-11-22 Megumi Aoyama Organic electroluminescent display panel and organic electroluminescent device used therefor
JP2001223084A (ja) * 2000-02-07 2001-08-17 Junji Kido 有機電界発光素子
DE60140720D1 (de) * 2000-03-29 2010-01-21 Idemitsu Kosan Co Anthracenderivate und organische elektrolumineszente vorrichtung die unter verwendung dieser derivate hergestellt ist
JP4382961B2 (ja) * 2000-05-02 2009-12-16 富士フイルム株式会社 発光素子
US7221088B2 (en) * 2000-11-29 2007-05-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Universal host for RG or RGB emission in organic light emitting devices
TW545080B (en) * 2000-12-28 2003-08-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
SG138467A1 (en) * 2000-12-28 2008-01-28 Semiconductor Energy Lab Luminescent device
TW518909B (en) * 2001-01-17 2003-01-21 Semiconductor Energy Lab Luminescent device and method of manufacturing same
TW519770B (en) * 2001-01-18 2003-02-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and manufacturing method thereof
CN101397649B (zh) * 2001-02-01 2011-12-28 株式会社半导体能源研究所 能够将有机化合物沉积在衬底上的装置
SG118110A1 (en) * 2001-02-01 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting element and display device using the element
TW582121B (en) * 2001-02-08 2004-04-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
US20030010288A1 (en) * 2001-02-08 2003-01-16 Shunpei Yamazaki Film formation apparatus and film formation method
US7432116B2 (en) * 2001-02-21 2008-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method and apparatus for film deposition
SG118118A1 (en) * 2001-02-22 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting device and display using the same
WO2002071813A1 (en) 2001-03-02 2002-09-12 The Trustees Of Princeton University Double doped-layer, phosphorescent organic light emitting devices
US6680570B2 (en) * 2001-03-21 2004-01-20 Agilent Technologies, Inc. Polymer organic light emitting device with improved color control
JP2002289360A (ja) * 2001-03-27 2002-10-04 Univ Toyama 有機電界発光素子
US7097917B1 (en) * 2001-04-19 2006-08-29 Tdk Corporation Compounds for use in organic EL devices and organic EL devices
US6998487B2 (en) * 2001-04-27 2006-02-14 Lg Chem, Ltd. Double-spiro organic compounds and organic electroluminescent devices using the same
US8058797B2 (en) * 2001-05-18 2011-11-15 Cambridge University Technical Services Limited Electroluminescent device
US7199515B2 (en) 2001-06-01 2007-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic light emitting element and light emitting device using the element
US6699597B2 (en) * 2001-08-16 2004-03-02 3M Innovative Properties Company Method and materials for patterning of an amorphous, non-polymeric, organic matrix with electrically active material disposed therein
US6603150B2 (en) * 2001-09-28 2003-08-05 Eastman Kodak Company Organic light-emitting diode having an interface layer between the hole-transporting layer and the light-emitting layer
US6956240B2 (en) * 2001-10-30 2005-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
EP1446823B1 (en) * 2001-11-22 2010-04-14 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting element, production method thereof, and light-emitting apparatus
US7141817B2 (en) * 2001-11-30 2006-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US6723445B2 (en) * 2001-12-31 2004-04-20 Canon Kabushiki Kaisha Organic light-emitting devices
KR20020025918A (ko) * 2002-02-15 2002-04-04 박병주 습식 공정으로 제작된 유기 반도체 디바이스 및 유기전계발광 소자
WO2003078542A1 (en) * 2002-03-19 2003-09-25 Neoview Co., Ltd. Red organic light-emitting compound and organic light-emitting device comprising the same
JP4060113B2 (ja) 2002-04-05 2008-03-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR20030093016A (ko) * 2002-06-01 2003-12-06 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 소자
US7074534B2 (en) * 2002-07-10 2006-07-11 E. I. Du Pont De Nemours And Company Polymeric charge transport compositions and electronic devices made with such compositions
US20040018380A1 (en) * 2002-07-26 2004-01-29 Xerox Corporation Display device with anthracene and triazine derivatives
US7169482B2 (en) 2002-07-26 2007-01-30 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Display device with anthracene and triazine derivatives
TWI272874B (en) 2002-08-09 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Organic electroluminescent device
JP4368638B2 (ja) 2002-08-09 2009-11-18 株式会社半導体エネルギー研究所 有機エレクトロルミネッセント素子
US6982179B2 (en) * 2002-11-15 2006-01-03 University Display Corporation Structure and method of fabricating organic devices
US20040126617A1 (en) * 2002-12-31 2004-07-01 Eastman Kodak Company Efficient electroluminescent device
KR20040072004A (ko) * 2003-02-07 2004-08-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자용 발광 화합물 및 그를 이용한 유기전계발광 소자
TWI265750B (en) * 2003-02-27 2006-11-01 Toyota Jidoshokki Kk Organic electro-luminescence devices
US6991859B2 (en) * 2003-03-18 2006-01-31 Eastman Kodak Company Cascaded organic electroluminescent devices
US7862906B2 (en) * 2003-04-09 2011-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electroluminescent element and light-emitting device
EP1623470A1 (en) * 2003-04-28 2006-02-08 Zheng-Hong Lu Light-emitting devices with fullerene layer
JP2004335122A (ja) * 2003-04-30 2004-11-25 Takasago Internatl Corp 発光素子
JP3984190B2 (ja) 2003-05-30 2007-10-03 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌ素子
JP2005011734A (ja) * 2003-06-20 2005-01-13 Sony Corp 表示素子および表示装置
JP4479171B2 (ja) * 2003-06-20 2010-06-09 ソニー株式会社 表示素子
CN1820550A (zh) * 2003-07-11 2006-08-16 出光兴产株式会社 白色系有机电致发光元件
WO2005010012A1 (ja) * 2003-07-28 2005-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 発光性有機化合物およびそれを用いた発光素子
KR100994083B1 (ko) * 2003-07-31 2010-11-12 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 화합물, 전하 수송 재료 및 유기 전계 발광 소자
US7511421B2 (en) * 2003-08-25 2009-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Mixed metal and organic electrode for organic device
US20050052119A1 (en) * 2003-09-08 2005-03-10 Gang Yu Organic electronic device having low background luminescence
JP2005123164A (ja) 2003-09-24 2005-05-12 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子
JP2005107890A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Sanyo Electric Co Ltd Ｅｌ表示装置
JP3728309B2 (ja) 2003-09-30 2005-12-21 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント素子用有機化合物
EP2276088B1 (en) * 2003-10-03 2018-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Light emitting element, and light emitting device using the light emitting element
JP4547599B2 (ja) * 2003-10-15 2010-09-22 奇美電子股▲ふん▼有限公司 画像表示装置
US7205716B2 (en) * 2003-10-20 2007-04-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US7061011B2 (en) * 2003-11-26 2006-06-13 The Trustees Of Princeton University Bipolar organic devices
JP2005174675A (ja) * 2003-12-10 2005-06-30 Sony Corp 有機電界発光素子及び発光装置
US7935433B2 (en) 2003-12-25 2011-05-03 Fujifilm Corporation Organic EL element, organic EL display apparatus, method for manufacturing organic EL element, and apparatus for manufacturing organic EL element
US7368178B2 (en) * 2004-01-08 2008-05-06 Eastman Kodak Company Stable organic light-emitting devices using aminoanthracenes
JP4378186B2 (ja) * 2004-02-06 2009-12-02 キヤノン株式会社 有機ｅｌ素子アレイ
TW200541401A (en) 2004-02-13 2005-12-16 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescent device
JP2005235403A (ja) * 2004-02-17 2005-09-02 Hitachi Displays Ltd 有機・ｅｌ表示装置
JP5167571B2 (ja) 2004-02-18 2013-03-21 ソニー株式会社 表示素子
EP1722602A1 (en) * 2004-03-05 2006-11-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent device and organic electroluminescent display
JP4393249B2 (ja) * 2004-03-31 2010-01-06 株式会社 日立ディスプレイズ 有機発光素子，画像表示装置、及びその製造方法
US7576486B2 (en) * 2004-04-02 2009-08-18 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence element having two electroluminescent layers through electron barrier layer
US7192659B2 (en) * 2004-04-14 2007-03-20 Eastman Kodak Company OLED device using reduced drive voltage
JP4384536B2 (ja) * 2004-04-27 2009-12-16 三井化学株式会社 アントラセン化合物、および該アントラセン化合物を含有する有機電界発光素子
US7365360B2 (en) * 2004-05-11 2008-04-29 Lg. Chem, Ltd. Organic electronic device
WO2005115061A1 (en) * 2004-05-20 2005-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and light emitting device
JP4823566B2 (ja) * 2004-05-21 2011-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、表示装置及びテレビ受像器
US7622200B2 (en) 2004-05-21 2009-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element
CN101847653B (zh) * 2004-05-21 2013-08-28 株式会社半导体能源研究所 发光元件及使用该元件的发光装置
US20060006792A1 (en) * 2004-07-09 2006-01-12 Eastman Kodak Company Flat panel light emitting devices with two sided
KR100669717B1 (ko) * 2004-07-29 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
JP2006049057A (ja) * 2004-08-04 2006-02-16 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置
EP1624502B1 (en) * 2004-08-04 2015-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, and electronic appliance
US7300731B2 (en) * 2004-08-10 2007-11-27 E.I. Du Pont De Nemours And Company Spatially-doped charge transport layers
US20060036114A1 (en) * 2004-08-13 2006-02-16 Suning Wang Organoboron luminescent compounds and methods of making and using same
TW200611602A (en) * 2004-08-27 2006-04-01 Showa Denko Kk Organic electroluminescent device and production method thereof
JP2006108190A (ja) * 2004-09-30 2006-04-20 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子
KR100719991B1 (ko) 2004-09-30 2007-05-21 산요덴키가부시키가이샤 일렉트로루미네센스 소자
US7750560B2 (en) * 2004-10-01 2010-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting-element
US20060088730A1 (en) * 2004-10-25 2006-04-27 Eastman Kodak Company Organic light-emitting devices with improved performance
US20060091794A1 (en) * 2004-11-04 2006-05-04 Eastman Kodak Company Passive matrix OLED display having increased size
KR100787423B1 (ko) * 2004-11-05 2007-12-26 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
WO2006059665A1 (en) * 2004-11-30 2006-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and electronic device using the same
WO2006062177A1 (en) * 2004-12-06 2006-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material including organic compound and inorganic compound, light-emitting element and light-emitting device using the composite compound, and manufacturing method of the light-emitting element
US8217569B2 (en) * 2004-12-28 2012-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Low drive voltage light emitting element
JP4939809B2 (ja) * 2005-01-21 2012-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US7494722B2 (en) * 2005-02-23 2009-02-24 Eastman Kodak Company Tandem OLED having an organic intermediate connector
DE502005002342D1 (de) * 2005-03-15 2008-02-07 Novaled Ag Lichtemittierendes Bauelement
US7649197B2 (en) * 2005-03-23 2010-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material, and light emitting element and light emitting device using the composite material
TWI307250B (en) * 2005-03-23 2009-03-01 Au Optronics Corp Organic electroluminescent device
US7745019B2 (en) * 2005-04-28 2010-06-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and light emitting device and method of manufacturing light emitting element
JP4915544B2 (ja) * 2005-05-11 2012-04-11 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US7564182B2 (en) * 2005-06-29 2009-07-21 Eastman Kodak Company Broadband light tandem OLED display
US7531959B2 (en) * 2005-06-29 2009-05-12 Eastman Kodak Company White light tandem OLED display with filters
KR100672535B1 (ko) * 2005-07-25 2007-01-24 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조방법
KR100806812B1 (ko) * 2005-07-25 2008-02-25 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조방법
US20070048545A1 (en) * 2005-08-31 2007-03-01 Eastman Kodak Company Electron-transporting layer for white OLED device
US20070046189A1 (en) * 2005-08-31 2007-03-01 Eastman Kodak Company Intermediate connector for a tandem OLED device
US20070077349A1 (en) * 2005-09-30 2007-04-05 Eastman Kodak Company Patterning OLED device electrodes and optical material
US8148891B2 (en) * 2005-10-04 2012-04-03 Universal Display Corporation Electron impeding layer for high efficiency phosphorescent OLEDs
US7645524B2 (en) * 2005-10-19 2010-01-12 Eastman Kodak Company OLED device with improved high temperature operation
US7767317B2 (en) * 2005-10-26 2010-08-03 Global Oled Technology Llc Organic element for low voltage electroluminescent devices
TWI371987B (en) * 2006-01-18 2012-09-01 Lg Chemical Ltd Oled having stacked organic light-emitting units
US20070247061A1 (en) * 2006-04-20 2007-10-25 Vadim Adamovich Multiple dopant emissive layer OLEDs
US7733009B2 (en) * 2006-04-27 2010-06-08 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device including an anthracene derivative
US20070252517A1 (en) * 2006-04-27 2007-11-01 Eastman Kodak Company Electroluminescent device including an anthracene derivative
US7582508B2 (en) * 2006-05-31 2009-09-01 Byoung-Choo Park Method for manufacturing an organic semiconductor device that utilizes ionic salt
EP1863105B1 (en) * 2006-06-02 2020-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
US9397308B2 (en) * 2006-12-04 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
WO2008069153A1 (en) * 2006-12-04 2008-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
EP1973386B8 (en) * 2007-03-23 2016-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device
US7759854B2 (en) * 2007-05-30 2010-07-20 Global Oled Technology Llc Lamp with adjustable color

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW441211B (en) * 1994-12-15 2001-06-16 At & Amp T Corp Emergency calling from a wireless telephone
TW200306762A (en) * 2002-03-26 2003-11-16 Junji Kido Organic electroluminescent device

Also Published As

Publication number Publication date
TWI492666B (zh) 2015-07-11
CN101931056A (zh) 2010-12-29
KR101384785B1 (ko) 2014-04-14
CN101931056B (zh) 2014-07-09
JP2012156143A (ja) 2012-08-16
WO2007139124A1 (en) 2007-12-06
TW201442561A (zh) 2014-11-01
US8076676B2 (en) 2011-12-13
JP5564526B2 (ja) 2014-07-30
JP5771298B2 (ja) 2015-08-26
US20120091442A1 (en) 2012-04-19
TW201017949A (en) 2010-05-01
TW200816537A (en) 2008-04-01
US20100171112A1 (en) 2010-07-08
KR20090029718A (ko) 2009-03-23
US8860019B2 (en) 2014-10-14
CN101461073B (zh) 2013-01-02
JP2014131068A (ja) 2014-07-10
KR101084100B1 (ko) 2011-11-16
KR20100017799A (ko) 2010-02-16
US20080006822A1 (en) 2008-01-10
JP5094218B2 (ja) 2012-12-12
US20130228762A1 (en) 2013-09-05
TWI446607B (zh) 2014-07-21
JP2008204934A (ja) 2008-09-04
US7649211B2 (en) 2010-01-19
CN101461073A (zh) 2009-06-17
US8410492B2 (en) 2013-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI475735B (zh) 發光元件，發光裝置以及電子裝置
JP6935468B2 (ja) 発光素子、発光モジュール、照明装置、及び電子機器
TWI545116B (zh) 喹啉衍生物
JP5489633B2 (ja) 発光素子用材料、発光素子、発光装置
US7960566B2 (en) Anthracene derivative and light-emitting devices, electronic devices, and lighting device using the anthracene derivative
JP5031445B2 (ja) 発光素子、発光装置並びに電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees