TWI475315B - A low-expansion glass substrate for a reflection type mask and a method for processing the same, and a reflection type mask using the glass substrate - Google Patents
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Description
本發明係關於一種作為半導體製造步驟中之微影步驟中所使用、特別是EUV(Extreme Ultra Violet，極紫外線)微影中所使用之反射型光罩之基材的低膨脹玻璃基板及其加工方法、以及具備該玻璃基板之反射型光罩。
自先前以來，於微影技術中廣泛利用用於將微細之電路圖案轉印至晶圓上而製造積體電路之曝光裝置。伴隨積體電路之高積體化以及高功能化，積體電路之微細化不斷進步，從而要求曝光裝置以較深之焦點深度使高解析度之電路圖案成像於晶圓面上，且曝光光源之短波長化得到進步。
曝光光源自先前之g線(波長為436nm)、i線(波長為365nm)或KrF準分子雷射(波長為248nm)起進一步短波長化，而開始使用ArF準分子雷射(波長為193nm)。
配合此種技術動向，將EUV光(極紫外光)用作曝光光源之微影技術作為製作較32~45nm之電路尺寸更微細之半導體元件的微影技術而受到矚目。所謂EUV光係指軟X射線區域或真空紫外線區域之波段之光，具體而言係指波長為0.2~100nm左右之光。目前，業界正研究使用波長為13.5nm之光作為微影光源。關於該EUV微影(以下簡稱為「EUVL」)之曝光原理，於使用投影光學系統轉印光罩圖案方面與先前之微影相同，但由於不存在EUV光之能量區域之光可透過之材料，因此無法使用折射光學系統，而使用反射光學系統(參照專利文獻1)。
EUVL中所使用之反射型光罩基本上係由(1)基板、(2)形成於基板上之反射多層膜、以及(3)形成於反射多層膜上之吸收體層構成。作為反射多層膜，可使用由對於曝光之光之波長的折射率不同之複數種材料以nm等級週期性地積層而成之結構者，作為具有代表性之材料，已知有Mo與Si。又，業界正研究將Ta或Cr用於吸收體層。
作為基板，需要具有即使於EUV光之照射下亦不會產生畸變之低熱膨脹係數之材料，業界正研究具有低熱膨脹係數之玻璃。以下，於本說明書中，將具有低熱膨脹係數之玻璃總稱為「低膨脹玻璃」或「超低膨脹玻璃」。
基板係藉由如下方式製造：將該等低膨脹玻璃或超低膨脹玻璃材料切割成特定之形狀以及尺寸後進行加工，以使該基板之形成反射多層膜之面、即基板之主面成為平坦度極其小之面，具體而言，係成為平坦度為50nm以下之面。因此，於測定基板之主面之平坦度時，必需以誤差為±10nm以內之非常高之精度進行測定。
另一方面，關於基板之側面，為了防止自基板側端面產生異物(微小之玻璃片)，專利文獻2中提出將基板之側面、倒角部以及凹口部中之任一者鏡面加工成表面粗糙度Ra為0.05μm以下，但關於基板之側面以及倒角部之平坦度，一般認為常規水準之加工即可。
專利文獻1：日本專利特表2003-505891號公報
專利文獻2：日本專利特開2005-333124號公報
然而，本案發明者等人發現：對於要求以高精度測定主面之平坦度之反射型光罩用基板而言，基板之側面或倒角部之表面性狀、具體而言係側面或倒角部之平坦度會對主面之平坦度之測定產生影響。
本發明係鑒於上述課題而完成者，其目的在於提供一種能夠以誤差為±10nm以內之非常高之精度測定主面之平坦度的反射型光罩用低膨脹玻璃基板、及用於獲得該反射型光罩用低膨脹玻璃基板之玻璃基板之加工方法、以及具備該反射型光罩用低膨脹玻璃基板之反射型光罩。
為達成上述目的，本發明提供一種反射型光罩用低膨脹玻璃基板，該低膨脹玻璃基板係半導體製造步驟之微影步驟中所使用之反射型光罩之基材，且沿該低膨脹玻璃基板之外周而形成之側面之中，處於相互對向之位置關係之2個側面的平坦度分別為25μm以下。
又，本發明提供一種反射型光罩用低膨脹玻璃基板，該低膨脹玻璃基板係半導體製造步驟之微影步驟中所使用之反射型光罩之基材，且沿該低膨脹玻璃基板之外周而形成之側面之中，設置在處於相互對向之位置關係之2個側面與該低膨脹玻璃基板之主面之間之角部的倒角部之平坦度分別為25μm以下。
又，本發明提供一種反射型光罩用低膨脹玻璃基板，該低膨脹玻璃基板係半導體製造步驟之微影步驟中所使用之反射型光罩之基材，且沿該低膨脹玻璃基板之外周而形成之側面之中，處於相互對向之位置關係之2個側面之平坦度、以及設置於該2個側面與該低膨脹玻璃基板之主面之間之角部的倒角部之平坦度分別為25μm以下。
本發明之反射型光罩用低膨脹玻璃基板較好的是，上述2個側面之平行度為0.01mm/inch。
本發明之反射型光罩用低膨脹玻璃基板較好的是，上述低膨脹玻璃基板之主面與上述2個側面之垂直度分別為0.01mm/inch以下。
本發明之反射型光罩用低膨脹玻璃基板較好的是，於20℃或60℃時之熱膨脹係數為0±30ppb/℃之低膨脹玻璃基板。
又，本發明提供一種具備本發明之反射型光罩用低膨脹玻璃基板之反射型光罩。
又，本發明提供一種低膨脹玻璃基板之加工方法，該低膨脹玻璃基板係半導體製造步驟之微影步驟中所使用之反射型光罩之基材，該低膨脹玻璃基板之加工方法中，測定沿該低膨脹玻璃基板之外周而形成之側面之中、處於相互對向之位置關係之2個側面之預研磨後的平坦度，並基於該2個側面之平坦度，而對各部位設定該2個側面之加工條件。
本發明之反射型光罩用低膨脹玻璃基板，因測定成膜面之平坦度時成為該低膨脹玻璃基板之保持部之側面或倒角部的平坦度優異，故被保持之基板之變形不會對主面之平坦度之測定產生影響。因此，能夠以誤差為±10nm以內之非常高之精度測定主面之平坦度，並可將基板之主面加工成平坦度優異之面、具體而言係平坦度為50nm以下之面。
根據本發明之低膨脹玻璃基板之加工方法，可使該低膨脹玻璃基板之側面成為平坦度優異之側面，因此適合於獲得本發明之反射型光罩用低膨脹玻璃基板。
本發明之低膨脹玻璃基板為了可應對積體電路之高積體化與高精細化，熱膨脹係數及熱膨脹係數之不均越小者越好。具體而言，該低膨脹玻璃基板係於20℃或60℃之熱膨脹係數為0±30ppb/℃者，較好的是0±10ppb/℃之低膨脹玻璃基板，特別好的是於20℃或60℃之熱膨脹係數為0±5ppb/℃之超低膨脹玻璃基板。若係熱膨脹係數為上述範圍之低膨脹玻璃基板，則可充分地應對半導體製造步驟中之溫度變化從而可良好地轉印高精細之電路圖案。作為該低膨脹玻璃基板之基材，例如可列舉含有TiO2
之合成石英玻璃、ULE(註冊商標：Corning Code 7972)、ZERODUR(德國Schott公司註冊商標)等低膨脹玻璃。其中，含有TiO2
之合成石英玻璃作為超低膨脹玻璃較優異，適合用作反射型光罩之基材。
以下，參照圖式說明本發明。圖1係通常用於反射型光罩之低膨脹玻璃基板之立體圖，圖2係該低膨脹玻璃基板之端部之放大剖面圖。
如圖1、2所示，低膨脹玻璃基板10之平面形狀為正方形或矩形，其包括處於相互對向之位置關係之2個主面1、1'、與沿低膨脹玻璃基板10之外周而形成之4個側面2、2'、3、3'。於主面1、1'與側面2、2'、3、3'之間之角部藉由倒角加工而形成有倒角部4、4'。又，為了判別低膨脹玻璃基板10之表背面，通常藉由倒角加工而形成有凹口部5以及倒角部6。
於本發明之反射型光罩用低膨脹玻璃基板之第1態樣(以下稱為「第1低膨脹玻璃基板」)中，4個側面2、2'、3、3'之中，處於相互對向之位置關係之2個側面之平坦度分別為25μm以下。於圖1所示之低膨脹玻璃基板10之情形時，側面2、2'或側面3、3'之平坦度分別為25μm以下。
再者，所謂側面2、2'之平坦度分別為25μm以下係指側面2、2'之各個之側面整體之平坦度為25μm以下，即，各個側面整體之高低差為25μm以下(側面3、3'之平坦度分別為25μm以下之情形亦相同)。
側面之平坦度可使用平坦度測定裝置，例如Corning Tropel公司製造之FM200進行測定。
於第1低膨脹玻璃基板中，使處於相互對向之位置關係之2個側面之平坦度分別為25μm以下的理由如下所述。
基板之主面之平坦度之測定如圖3所示，例如通常於使主面1直立之狀態下利用保持器20保持基板10之側面(被保持面)2、2'而進行測定。於該狀態下，基板10因其自身重量與施加於側面2、2'之保持力而變形。然而，其變形量極其小，而且於對基板整體進行觀察之情形時，由於變形均等，因此認為不會對主面之平坦度之測定產生影響。
然而，本案發明者等人發現：於EUVL用之反射型光罩中所使用之低膨脹玻璃基板中，由於要求以高精度測定主面之平坦度，因此先前並未視作問題之側面之表面性狀、具體而言係側面之平坦度對主面之平坦度之測定產生影響。即，若成為被保持面之側面2、2'中之至少一者的平坦度較大，則於使主面直立之狀態下保持基板之側面時，基板上產生局部之變形，從而對主面之平坦度之測定產生影響。
若側面(被保持面)2、2'之平坦度分別為25μm以下，則於使主面直立之狀態下保持基板之側面時，基板上不會產生局部之變形，從而不會對主面之平坦度之測定產生影響。因此，能夠以誤差為±10nm以內之非常高之精度測定主面之平坦度。
側面(被保持面)2、2'之平坦度較好的是分別為10μm以下，更好的是5μm以下。
另一方面，4個側面2、2'、3、3'之中，未用作被保持面之側面(於被保持面為2、2'之情形時係側面3、3')之平坦度無需分別設定為25μm以下，而只要為通常所要求之水準之平坦度、例如分別為500μm以下即可，較好的是100μm以下，更好的是60μm以下，進而更好的是50μm以下。
然而，就被保持面之選擇變得無限制、可進行被保持面之變更等理由而言，更好的是，未用作被保持面之側面亦具有與被保持面相同之平坦度。因此，更好的是未用作被保持面之側面之平坦度亦分別為25μm以下，進而更好的是10μm以下，特別好的是5μm以下。
於上文中，將側面2、2'作為被保持面進行了說明，但亦可將側面3、3'作為被保持面。於此情形時，側面3、3'之平坦度分別為25μm以下，較好的是10μm以下，更好的是5μm以下。
於此情形時，未用作被保持面之側面2、2'之平坦度無需分別設定為25μm以下，而只要為通常所要求之水準之平坦度、例如分別為500μm以下即可，較好的是100μm以下，更好的是60μm以下，進而更好的是50μm以下。
然而，如上所述，更好的是未用作被保持面之側面之平坦度亦分別為25μm以下，進而更好的是10μm以下，特別好的是5μm以下。
又，於使主面1直立之狀態下將基板10之側面(被保持面)2、2'保持於保持器20時，為了防止基板10局部變形，成為被保持面之側面2、2'之平行度較好的是0.01mm/inch以下，更好的是0.005mm/inch以下，進而更好的是0.002mm/inch以下，特別好的是0.001mm/inch以下。
此處，所謂側面之平行度係指成為被保持面之側面2、2'之不平行程度之大小，其係定義為：當於至少2個方向上測定自一側面之代表平面至另一側面為止之距離時的、相對於所指定之長度之最大差與所指定之長度的比。例如，當將側面2'置於壓盤上，以側面2'為基準測定其至側面2為止之距離時，將側面2'稱為代表平面，將掃描1吋時所測量之各點之距離的最大差稱為「相對於所指定之長度之最大差」。側面之平行度可使用接觸式表面粗糙度‧輪廓形狀測定機，例如東京精密股份有限公司製造之Surfcom1400D進行測定。
再者，於將側面3、3'作為被保持面之情形時，側面3、3'之平行度較好的是0.01mm/inch以下，更好的是0.005mm/inch以下，進而更好的是0.002mm/inch以下，特別好的是0.001mm/inch以下。
又，當於使主面1直立之狀態下將基板10之側面(被保持面)2、2'保持於保持器20時，為了防止基板10局部變形，較好的是主面1(或者主面1')與成為被保持面之側面2、2'之垂直度分別為0.01mm/inch以下，更好的是0.005mm/inch以下，進而更好的是0.003mm/inch以下。
此處，主面1(或者主面1')與側面2(或者側面2')之垂直度係由垂直於側面2(或者側面2')之代表平面之直線與主面1(或者主面1')之平行度的值而定義，可使用接觸式表面粗糙度‧輪廓形狀測定機，例如東京精密股份有限公司製造之Surfcom1400D進行測定。
再者，於將側面3、3'作為被保持面之情形時，主面1(或者主面1')與側面3、3'之垂直度較好的是分別為0.01mm/inch以下，更好的是0.005mm/inch以下，進而更好的是0.003mm/inch以下。
於本發明之反射型光罩用低膨脹玻璃基板之第2態樣(以下稱為「第2低膨脹玻璃基板」)中，4個側面2、2'、3、3'之中，設置在處於相互對向之位置關係之2個側面(側面2與2'、或者側面3與3')與該低膨脹玻璃基板10之主面1、1"之間之角部的倒角部4、4'(設置於側面2'與主面1之間之角部的倒角部4、以及設置於側面2'與主面1'之間之角部的倒角部4'未圖示)之平坦度分別為25μm以下。
再者，所謂倒角部4,4'之平坦度分別為25μm以下係指倒角部4、4'之各個之倒角部整體之平坦度為25μm以下，即，各個倒角部整體之高低差為25μm以下。
倒角部之平坦度可使用平坦度測定裝置，例如Corning Tropel公司製造之FM200進行測定。
關於第2低膨脹玻璃基板中將設置在處於相互對向之位置關係之2個側面與該低膨脹玻璃基板10之主面1、1'之間之角部的倒角部4、4'之平坦度分別設定為25μm以下之理由，與第1低膨脹玻璃基板中將處於相互對向之位置關係之2個側面之平坦度分別設定為25μm以下的理由相同。
即便於將側面2、2'之側作為被保持面之情形時，根據保持器之形狀，亦存在如下情形：側面2、2'不與保持器接觸，而設置於該側面2、2'與主面1、1'之間之角部的倒角部4、4'與保持器接觸。於此情形時，倒角部4、4'成為被保持面。
若成為被保持面之倒角部4、4'中之至少一者之平坦度較大，則於使主面直立之狀態下保持基板時，基板上產生局部之變形，從而對主面之平坦度之測定產生影響。
若倒角部4、4'之平坦度分別為25μm以下，則於使主面直立之狀態下保持基板之側面時，基板上不會產生局部之變形，從而不會對主面之平坦度之測定產生影響。因此，能夠以誤差為±10nm以內之非常高之精度測定主面之平坦度。
倒角部4、4'之平坦度較好的是分別為10μm以下，更好的是5μm以下。
另一方面，未用作被保持面之倒角部(於將設置於側面2、2'與主面1、1'之間之角部的倒角部4、4'作為被保持面之情形時，係設置於側面3、3'與主面1、1'之間之角部的倒角部)之平坦度無需分別設定為25μm以下，而只要為通常所要求之水準之平坦度、例如分別為500μm以下即可，較好的是100μm以下，更好的是60μm以下，進而更好的是50μm以下。
然而，就被保持面之選擇變得無限制、可進行被保持面之變更等理由而言，更好的是，未用作被保持面之倒角部亦具有與被保持面相同之平坦度。因此，更好的是未用作被保持面之倒角部之平坦度亦分別為25μm以下，進而更好的是10μm以下，特別好的是5μm以下。
於上文中，將設置於側面2、2'與主面1、1'之間之角部的倒角部作為被保持面進行了說明，但亦可將設置於側面3、3'與主面1、1'之間之角部的倒角部作為被保持面。於此情形時，成為被保持面之倒角部之平坦度分別為25μm以下，較好的是10μm以下，更好的是5μm以下。
於此情形時，未用作被保持面之側之倒角部(設置於側面2、2'與主面1、1'之間之角部的倒角部4、4')之平坦度無需分別設定為25μm以下，而只要為通常所要求之水準之平坦度、例如分別為500μm以下即可，較好的是100μm以下，更好的是60μm以下，進而更好的是50μm以下。
然而，如上所述，更好的是未用作被保持面之倒角部之平坦度亦分別為25μm以下，進而更好的是10μm以下，特別好的是5μm以下。
於第2低膨脹玻璃基板中，於使主面1直立之狀態下將基板10之被保持面(倒角部4、4')保持於保持器20時，為了防止基板10局部變形，較好的是側面2、2'之平行度亦為0.01mm/inch以下，更好的是0.005mm/inch以下，進而更好的是0.002mm/inch以下，特別好的是0.001mm/inch以下。
根據相同之理由，主面1(或者主面1')與側面2、2'之垂直度較好的是分別為0.01mm/inch以下，更好的是0.005mm/inch以下，進而更好的是0.003mm/inch以下。
再者，於將設置於側面3、3'與主面1、1'之間之角部的倒角部作為被保持面之情形時，側面3、3'之平行度較好的是0.01mm/inch以下，更好的是0.005mm/inch以下，進而更好的是0.002mm/inch，特別好的是0.001mm/inch以下。又，主面1(或者主面1')與側面3、3'之垂直度較好的是分別為0.01mm/inch以下，更好的是0.005mm/inch以下，進而更好的是0.003mm/inch以下。
於本發明之反射型光罩用低膨脹玻璃基板之第3態樣(以下稱為「第3之低膨脹玻璃基板」)中，4個側面2、2'、3、3'之中，處於相互對向之位置關係之2個側面(側面2、2')的平坦度分別為25μm以下，而且設置於側面2、2'與主面1、1'之間之角部的倒角部4、4'之平坦度分別為25μm以下。
關於第3低膨脹玻璃基板中將側面2、2'之平坦度分別設定為25μm以下之理由，與第1低膨脹玻璃基板中將側面2、2'之平坦度分別設定為25μm以下的理由相同，而將倒角部4、4'之平坦度分別設定為25μm以下之理由與第2低膨脹玻璃基板中將倒角部之平坦度分別設定為25μm以下之理由相同。
於將側面2、2'之側作為被保持面之情形時，根據保持器之形狀，亦存在如下情形：側面2、2'以及設置於側面2、2'與主面1、1'之間之角部的倒角部4、4'兩者與保持器接觸。於此情形時，倒角部4、4'成為被保持面。
於此情形時，若成為被保持面之側面2、2'以及倒角部4、4'中之至少一者之平坦度較大，則於使主面直立之狀態下保持基板時，基板上產生局部之變形，從而對主面之平坦度之測定產生影響。
若側面2、2'以及倒角部4、4'之平坦度分別為25μm以下，則於使主面直立之狀態下保持基板之側面時，基板上不會產生局部之變形，從而不會對主面之平坦度之測定產生影響。因此，能夠以誤差為±10nm以內之非常高之精度測定主面之平坦度。
側面2、2'以及倒角部4、4'之平坦度較好的是分別為10μm以下，更好的是5μm以下。
另一方面，未用作被保持面之側面(側面3、3')之平坦度、以及設置於該側面(側面3、3')與主面1、1'之間之角部的倒角部之平坦度無需分別設定為25μm以下，而只要為通常所要求之水準之平坦度、例如分別為500μm以下即可，較好的是100μm以下，更好的是60μm以下，進而更好的是50μm以下。
然而，如上所述，更好的是未用作被保持面之側面或倒角部之平坦度亦分別為25μm以下，進而更好的是10μm以下，特別好的是5μm以下。
於上文中，將側面2、2'以及設置於側面2、2'與主面1、1'之間之角部的倒角部作為被保持面進行了說明，但亦可將側面3、3'以及設置於側面3、3'與主面1、1'之間之角部的倒角部作為被保持面。於此情形時，成為被保持面之側面3、3'以及設置於側面3、3'與主面1、1'之間之角部的倒角部之平坦度分別為25μm以下，較好的是10μm以下，更好的是5μm以下。
於此情形時，未用作被保持面之側之側面2、2'以及設置於側面2、2'與主面1、1'之間之角部的倒角部4、4'之平坦度無需分別設定為25μm以下，而只要為通常所要求之水準之平坦度、例如分別為500μm以下即可，較好的是100μm以下，更好的是60μm以下，進而更好的是50μm以下。
然而，如上所述，更好的是未用作被保持面之側面或倒角部之平坦度亦分別為25μm以下，進而更好的是10μm以下，特別好的是5μm以下。
於第3之低膨脹玻璃基板中，當於使主面1直立之狀態下將基板10之被保持面(側面2、2'及/或倒角部4、4')保持於保持器20時，為了防止基板10局部變形，較好的是側面2、2'之平行度亦為0.01mm/inch以下，更好的是0.005mm/inch以下，進而更好的是0.002mm/inch以下，特別好的是0.001mm/inch以下。
根據相同之理由，主面1(或者主面1')與側面2、2'之垂直度較好的是分別為0.01mm/inch以下，更好的是0.005mm/inch以下，進而更好的是0.003mm/inch以下。
再者，於將側面3、3'以及設置於側面3、3'與主面1、1'之間之角部的倒角部作為被保持面之情形時，側面3、3'之平行度較好的是0.01mm/inch以下，更好的是0.005mm/inch以下，進而更好的是0.002mm/inch，特別好的是0.001mm/inch以下。又，主面1(或者主面1')與側面3、3'之垂直度較好的是分別為0.01mm/inch以下，更好的是0.005mm/inch以下，進而更好的是0.003mm/inch以下。
上述之第1~第3之低膨脹玻璃基板可藉由如下方法獲得：對於以成為所需之尺寸以及形狀之方式自低膨脹玻璃或超低膨脹玻璃切出、並進行倒角加工而形成有倒角部以及凹口部之板狀體，進行精密研磨，以使成為被保持面之側面及/或倒角部之平坦度分別為25μm以下。作為精密研磨方法，例如可列舉：使用粒度為#1000以下之固定磨石研磨成為被保持面之側面及/或倒角部的方法；使用粒徑為0.1~3μm、較好的是0.5~2μm之研磨粒對成為被保持面之側面及/或倒角部進行毛刷研磨的方法；以及使用海棉狀之工具對成為被保持面之側面及/或倒角部進行研磨加工的方法等。
再者，關於成為被保持面之側之側面的平行度、及/或基板之主面與成為被保持面之側之側面的垂直度，亦可使用上述之精密研磨方法進行精密研磨，以使側面之平行度達到0.01mm/inch以下、及/或使主面與側面之垂直度分別達到0.01mm/inch以下。
又，對於預研磨後之玻璃基板，使用平坦度測定機，例如Corning Tropel公司製造之FM200測定成為被保持面之側面之平坦度，並基於所獲得之側面之平坦度，而對各部位設定側面之加工條件，藉此亦可獲得成為被保持面之側面之平坦度分別為25μm以下之第1低膨脹玻璃基板。
此處，作為預研磨，可列舉利用使研磨粒含浸於金屬或樹脂中而成者進行之研磨等。
玻璃基板之側面之平坦度的測定結果成為表示呈二維形狀之側面之各部位之高低差的平坦度圖(以下稱為「平坦度圖」)。於將呈二維形狀之側面之座標設定為(x,y)之情形時，平坦度圖係表示成S(x,y)(μm)。加工時間係表示成T(x,y)(min)。於將加工速率設定為Y(μm/min)之情形時，其等之關係係以下述式表示。
T(x,y)=S(x,y)/Y
因此，於基於自側面之平坦度之測定所獲得的結果而設定加工條件之情形時，根據上述式設定加工條件、具體而言係加工時間。
作為加工方法，較好的是使用上述之精密研磨方法。
作為半導體製造步驟之微影步驟中所使用之反射型光罩用低膨脹玻璃基板，通常分多個批次製造。因此，關於將成為被保持面之側面及/或倒角部精密研磨成平坦度分別達到25μm以下而製造出的反射型光罩用低膨脹玻璃基板，藉由測定成為被保持面之側面及/或倒角部之平坦度，可知精密研磨後之側面及/或倒角部之平坦度之傾向。
又，藉由測定成為被保持面之側之側面的平行度、及/或基板之主面與成為被保持面之側之側面的垂直度，可知精密研磨後之成為被保持面之側之側面的平行度、及/或基板之主面與成為被保持面之側之側面之垂直度的傾向。
於重新製造反射型光罩用低膨脹玻璃基板時，基於該等傾向，而對各部位設定側面及/或倒角部之加工條件，藉此亦可將成為被保持面之側面及/或倒角部加工成平坦度分別達到25μm以下。同樣地，基於該等傾向，而對各部位設定側面之加工條件，藉此亦可將成為被保持面之側之側面加工成平行度達到0.01mm/inch以下、及/或使基板之主面與成為被保持面之側之側面的垂直度分別達到0.01mm/inch以下。
再者，關於基於自先前所製造之反射型光罩用低膨脹玻璃基板之測定所獲得的傾向、而對各部位設定側面及/或倒角部之加工條件後對側面及/或倒角部進行加工的順序，能夠以與基於預研磨後之玻璃基板之側面的平坦度而對各部位設定側面之加工條件之順序相同之觀點而進行。
本申請案係基於2008年12月17日申請之日本專利申請2008-320876者，並將其內容以參照之形式引用於本文中。
1、1'．．．主面
2、2'．．．側面
3、3'．．．側面
4、4'．．．倒角部
5．．．凹口部
6．．．倒角部
10．．．低膨脹玻璃基板
20．．．保持器
圖1係通常用於反射型光罩之低膨脹玻璃基板之立體圖；
圖2係圖1之低膨脹玻璃基板之端部之放大剖面圖；及
圖3係表示測定主面之平坦度時之基板之保持狀態的示意圖。
1、1'．．．主面
2、2'、3、3'．．．側面
4、4'．．．倒角部
5．．．凹口部
6．．．倒角部
10．．．低膨脹玻璃基板
Claims (9)
- 一種反射型光罩用低膨脹玻璃基板，該低膨脹玻璃基板係半導體製造步驟之微影步驟中所使用之反射型光罩之基材，且沿該低膨脹玻璃基板之外周而形成之側面之中，處於相互對向之位置關係之2個側面的平坦度分別為25μm以下，且上述2個側面之平行度為0.01mm/inch以下。
- 一種反射型光罩用低膨脹玻璃基板，該低膨脹玻璃基板係半導體製造步驟之微影步驟中所使用之反射型光罩之基材，且沿該低膨脹玻璃基板之外周而形成之側面之中，設置在處於相互對向之位置關係之2個側面與該低膨脹玻璃基板之主面之間之角部的倒角部之平坦度分別為25μm以下，且上述2個側面之平行度為0.01mm/inch以下。
- 一種反射型光罩用低膨脹玻璃基板，該低膨脹玻璃基板係半導體製造步驟之微影步驟中所使用之反射型光罩之基材，且沿該低膨脹玻璃基板之外周而形成之側面之中，處於相互對向之位置關係之2個側面之平坦度、以及設置於該2個側面與該低膨脹玻璃基板之主面之間之角部的倒角部之平坦度分別為25μm以下，且上述2個側面之平行度為0.01mm/inch以下。
- 一種反射型光罩用低膨脹玻璃基板，該低膨脹玻璃基板係半導體製造步驟之微影步驟中所使用之反射型光罩之基材，且沿該低膨脹玻璃基板之外周而形成之側面之 中，處於相互對向之位置關係之2個側面的平坦度分別為25μm以下，且上述低膨脹玻璃基板之主面與上述2個側面之垂直度分別為0.01mm/inch以下。
- 一種反射型光罩用低膨脹玻璃基板，該低膨脹玻璃基板係半導體製造步驟之微影步驟中所使用之反射型光罩之基材，且沿該低膨脹玻璃基板之外周而形成之側面之中，設置在處於相互對向之位置關係之2個側面與該低膨脹玻璃基板之主面之間之角部的倒角部之平坦度分別為25μm以下，且上述低膨脹玻璃基板之主面與上述2個側面之垂直度分別為0.01mm/inch以下。
- 一種反射型光罩用低膨脹玻璃基板，該低膨脹玻璃基板係半導體製造步驟之微影步驟中所使用之反射型光罩之基材，且沿該低膨脹玻璃基板之外周而形成之側面之中，處於相互對向之位置關係之2個側面之平坦度、以及設置於該2個側面與該低膨脹玻璃基板之主面之間之角部的倒角部之平坦度分別為25μm以下，且上述低膨脹玻璃基板之主面與上述2個側面之垂直度分別為0.01mm/inch以下。
- 如請求項1至3中任一項之反射型光罩用低膨脹玻璃基板，其中上述低膨脹玻璃基板之主面與上述2個側面之垂直度分別為0.01mm/inch以下。
- 如請求項1至6中任一項之反射型光罩用低膨脹玻璃基板，其中 低膨脹玻璃基板係於20℃或60℃時之熱膨脹係數為0±30ppb/℃之低膨脹玻璃基板。
- 一種反射型光罩，其具備如請求項1至6中任一項所述之反射型光罩用低膨脹玻璃基板。
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200605182A (en) * | 2004-04-22 | 2006-02-01 | Asahi Glass Co Ltd | Low-expansion glass substrate for a reflective mask and reflective mask |
| JP2008257131A (ja) * | 2007-04-09 | 2008-10-23 | Hoya Corp | フォトマスクブランク用基板及びその製造方法、フォトマスクブランク、並びにフォトマスク |
| JP2008257132A (ja) * | 2007-04-09 | 2008-10-23 | Hoya Corp | フォトマスクブランク用基板及びその製造方法、フォトマスクブランク、並びにフォトマスク |
Family Cites Families (7)
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|---|---|---|---|---|
| EP1218796A4 (en) | 1999-07-22 | 2006-08-23 | Corning Inc | EXTREMELY ULTRAVIOLET SOFT X-RAYS LITHOGRAPHIC PROJECTION AND MASKS |
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| JP2005333124A (ja) * | 2004-04-22 | 2005-12-02 | Asahi Glass Co Ltd | 反射型マスク用低膨張硝子基板および反射型マスク |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200605182A (en) * | 2004-04-22 | 2006-02-01 | Asahi Glass Co Ltd | Low-expansion glass substrate for a reflective mask and reflective mask |
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