CN102246269A - 反射型掩模用低膨胀玻璃基板及其加工方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种反射型掩模用低膨胀玻璃基板，是作为半导体制造工序的光刻工序中使用的反射型掩模的基材的低膨胀玻璃基板，其中，沿该低膨胀玻璃基板的外周形成的侧面中的处于彼此相对的位置关系的2个侧面的平面度分别为25μm以下。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造工序中的光刻工序中使用的、尤其是作为EUV(Extreme Ultra Violet：极端紫外)光刻中使用的反射型掩模的基材的低膨胀玻璃基板及其加工方法、以及具备该玻璃基板的反射型掩模。
背景技术
一直以来，在光刻技术中，广泛利用用于将微细的电路图案转印到晶片上而制造集成电路的曝光装置。伴随着集成电路的高集成化及高功能化，集成电路的微细化不断发展，要求曝光装置能够以深的焦点深度将高析像度的电路图案成像在晶片面上，因而曝光光源的短波长化不断发展。
曝光光源从以往的g线(波长436nm)、i线(波长365nm)或KrF准分子激光器(波长248nm)进一步发展，而使用了ArF准分子激光器(波长193nm)。
在此种技术动向中，使用EUV光(极端紫外光)作为曝光光源的光刻技术作为制造比电路尺寸32～45nm更微细的半导体装置的光刻技术而引起关注。EUV光是指软X射线区域或真空紫外区域的波长带的光，具体而言是指波长为0.2～100nm左右的光。在当前时点，讨论的是使用13.5nm的光作为光刻光源的情况。该EUV光刻(以下，简称为“EUVL”)的曝光原理是，在使用投影光学系统转印掩模图案的方面上与以往的光刻相同，但由于没有EUV光的能量区域的光所透过的材料而无法使用折射光学系统，因而使用反射光学系统。(参照专利文献1)
EUVL中使用的反射型掩模基本上包括(1)基板、(2)形成在基板上的反射多层膜、(3)形成在反射多层膜上的吸收体层。作为反射多层膜，使用将相对于曝光光的波长而折射率不同的多个材料以nm级进行周期性的层叠而形成的结构的多层膜，作为代表性的材料，已知有Mo和Si。而且，对于吸收体层正在研究Ta或Cr。
作为基板，为了在EUV光照射下也不产生变形而需要具有低热膨胀系数的材料，目前正在研究具有低热膨胀系数的玻璃。以下，在本说明书中，将具有低热膨胀系数的玻璃总称为“低膨胀玻璃”或“超低膨胀玻璃”。
对于基板如下所述进行制造：将这些低膨胀玻璃或超低膨胀玻璃材料切断成规定的形状及尺寸后，将该基板的形成反射多层膜的面即基板的主面加工成平面度极小的面，具体而言，加工成平面度为50nm以下的面。因此，测定基板的主面的平面度时，需要以误差±10nm以内这样非常高的精度进行测定。
另一方面，关于基板的侧面，专利文献2中提出为了防止来自基板侧端面的异物(微小的玻璃碎片)的产生而将基板的侧面、倒棱部及缺口部中的任一者镜面加工成表面粗糙度Ra0.05μm以下的情况，但对于基板的侧面及倒棱部的平面度，考虑通常水平的加工即可。
专利文献1：日本特表2003-505891号公报
专利文献2：日本特开2005-333124号公报
发明内容
然而，本发明者们发现了在要求高精度地测定主面的平面度的反射型掩模用基板的情况下，基板的侧面或倒棱部的表面特性、具体而言侧面或倒棱部的平面度会影响主面的平面度的测定的情况。
本发明鉴于上述课题而作出，其目的在于提供一种能够以误差±10nm以内这样非常高的精度测定主面的平面度的反射型掩模用低膨胀玻璃基板、及用于得到该反射型掩模用低膨胀玻璃基板的玻璃基板的加工方法、以及具备该反射型掩模用低膨胀玻璃基板的反射型掩模。
为了实现上述目的，本发明提供一种反射型掩模用低膨胀玻璃基板，是作为半导体制造工序的光刻工序中使用的反射型掩模的基材的低膨胀玻璃基板，其中，沿该低膨胀玻璃基板的外周形成的侧面中的处于彼此相对的位置关系的2个侧面的平面度分别为25μm以下。
另外，本发明提供一种反射型掩模用低膨胀玻璃基板，是作为半导体制造工序的光刻工序中使用的反射型掩模的基材的低膨胀玻璃基板，其中，在沿该低膨胀玻璃基板的外周形成的侧面中的处于彼此相对的位置关系的2个侧面与该低膨胀玻璃基板的主面之间的角部上设置的倒棱部的平面度分别为25μm以下。
另外，本发明提供一种反射型掩模用低膨胀玻璃基板，是作为半导体制造工序的光刻工序中使用的反射型掩模的基材的低膨胀玻璃基板，其中，沿该低膨胀玻璃基板的外周形成的侧面中处于彼此相对的位置关系的2个侧面的平面度、及在该2个侧面与该低膨胀玻璃基板的主面之间的角部上设置的倒棱部的平面度分别为25μm以下。
在本发明的反射型掩模用低膨胀玻璃基板中，优选所述2个侧面的平行度为0.01mm/英寸。
在本发明的反射型掩模用低膨胀玻璃基板中，优选所述低膨胀玻璃基板的主面和所述2个侧面的直角度分别为0.01mm/英寸以下。
在本发明的反射型掩模用低膨胀玻璃基板中，优选低膨胀玻璃基板是在20℃或60℃下的热膨胀系数为0±30ppb/℃的低膨胀玻璃基板。
另外，本发明提供一种反射型掩模，其具备本发明的反射型掩模用低膨胀玻璃基板。
另外，本发明提供一种低膨胀玻璃基板的加工方法，是作为半导体制造工序的光刻工序中使用的反射型掩模的基材的低膨胀玻璃基板的加工方法，测定沿该低膨胀玻璃基板的外周形成的侧面中处于彼此相对的位置关系的2个侧面的预备研磨后的平面度，并基于该2个侧面的平面度，对于每个部位设定该2个侧面的加工条件。
[发明效果]
在本发明的反射型掩模用低膨胀玻璃基板中，在测定成膜面的平面度时，由于作为该低膨胀玻璃基板的保持部的侧面或倒棱部的平面度优异，因此所保持的基板的变形不会影响主面的平面度的测定。因此，能够以误差±10nm以内这种非常高的精度测定主面的平面度，能够将基板的主面加工成平面度优异的面，具体而言加工成平面度为50nm以下的面。
根据本发明的低膨胀玻璃基板的加工方法，由于能够使该低膨胀玻璃基板的侧面形成为平面度优异的侧面，因此适合于获得本发明的反射型掩模用低膨胀玻璃基板。
附图说明
图1是在反射型掩模中通常使用的低膨胀玻璃基板的立体图。
图2是图1的低膨胀玻璃基板的端部的放大剖视图。
图3是表示测定主面的平面度时的基板的保持状态的示意图。
具体实施方式
本发明的低膨胀玻璃基板为了能够应对集成电路的高集成化和高精细化，而热膨胀系数越小且热膨胀系数的偏差越小越优选。具体而言，是在20℃或60℃下的热膨胀系数为0±30ppb/℃、优选为0±10ppb/℃的低膨胀玻璃基板，特别优选在20℃或60℃下的热膨胀系数为0±5ppb/℃的超低膨胀玻璃基板。若是热膨胀系数为上述范围的低膨胀玻璃基板，则对于半导体制造工序中的温度变化，能够充分应对而良好地进行高精细的电路图案的转印。作为该低膨胀玻璃基板的基材，例如可列举含有TiO2的合成石英玻璃、ULE(注册商标：康宁型号(Corning code)7972)、ZERODUR(独肖特(schott)公司注册商标)等低膨胀玻璃。其中，含有TiO2的合成石英玻璃作为超低膨胀玻璃优异，适合作为反射型掩模的基材。
以下，参照附图，对本发明进行说明。图1是反射型掩模中通常使用的低膨胀玻璃基板的立体图，图2是该低膨胀玻璃基板的端部的放大剖视图。
如图1、2所示，低膨胀玻璃基板10具有：平面形状为正方形或矩形且处于彼此相对的位置关系的2个主面1、1’；及沿低膨胀玻璃基板10的外周形成的4个侧面2、2’、3、3’。在主面1、1’、侧面2、2’、3、3’之间的角部上通过倒棱加工而形成有倒棱部4、4’。而且，为了判别低膨胀玻璃基板10的表里面，而通常通过倒棱加工形成缺口部5及倒棱部6。
在本发明的反射型掩模用低膨胀玻璃基板的第一形态(以下，称为“第一低膨胀玻璃基板”)中，4个侧面2、2’、3、3’中的处于彼此相对的位置关系的2个侧面的平面度分别为25μm以下。在图1所示的低膨胀玻璃基板10的情况下，侧面2、2’或侧面3、3’的平面度分别为25μm以下。
需要说明的是，侧面2、2’的平面度分别为25μm以下是指侧面2、2’的各自的侧面整体的平面度为25μm以下，即，是指各自的侧面整体的高低差为25μm以下(关于侧面3、3’的平面度分别为25μm以下的情况也同样)。
侧面的平面度可以使用平面度测定装置，例如使用Corning Tropel公司制造的FM200进行测定。
在第一低膨胀玻璃基板中，使处于彼此相对的位置关系的2个侧面的平面度分别为25μm以下的理由如下所述。
如图3所示，通常例如在使主面1直立的状态下利用保持工具20保持基板10的侧面(被保持面)2、2’来实施基板主面的平面度的测定。在该状态下，基板10在其自重和施加于侧面2、2’的保持力的作用下发生变形。但是，该变形量极小，且从基板整体来看，变形均匀，因此认为不会影响主面的平面度的测定。
然而，本申请发明者们发现了在EUVL用的反射型掩模中使用的低膨胀玻璃基板中，由于要求以高精度来测定主面的平坦度，因此以往不成为问题的侧面的表面特性、具体而言侧面的平面度也会影响主面的平面度的测定。即，若作为被保持面的侧面2、2’中的至少一个面的平面度较大，则在使主面直立的状态下保持基板的侧面时，基板上会发生局部变形，而影响主面的平面度的测定。
若侧面(被保持面)2、2’的平面度分别为25μm以下，则在使主面直立的状态下保持基板的侧面时，基板上不会发生局部变形，而不会影响主面的平面度的测定。因此，能够以误差±10nm以内这种非常高的精度测定主面的平面度。
侧面(被保持面)2、2’的平面度分别优选为10μm以下，更优选为5μm以下。
另一方面，4个侧面2、2’、3、3’中的未作为被保持面使用的侧面(在被保持面为2、2’的情况下是侧面3、3’)的平面度无需分别为25μm以下，只要是通常要求的水平的平面度例如分别为500μm以下即可，优选为100μm以下，更优选为60μm以下，进一步优选为50μm以下。
但是，从被保持面的选择不受限制、能够变更被保持面等的理由出发，更优选对于未作为被保持面使用的侧面也形成为与被保持面同等的平面度。因此，对于未作为被保持面使用的侧面，平面度也分别更优选为25μm以下，进一步优选为10μm以下，特别优选为5μm以下。
以上说明了被保持面为侧面2、2’的情况，但也可以将侧面3、3’作为被保持面。这种情况下，侧面3、3’的平面度分别为25μm以下，优选为10μm以下，更优选为5μm以下。
这种情况下，未作为被保持面使用的侧面2、2’的平面度无需分别为25μm以下，只要是通常要求的水平的平面度例如分别为500μm以下即可，优选为100μm以下，更优选为60μm以下，进一步优选为50μm以下。
但是，如上所述，对于未作为被保持面使用的侧面，平面度也分别更优选为25μm以下，进一步优选为10μm以下，特别优选为5μm以下。
另外，在使主面1直立的状态下由保持工具20保持基板10的侧面(被保持面)2、2’时，为了防止基板10发生局部变形，成为被保持面的侧面2、2’的平行度优选为0.01mm/英寸以下，更优选为0.005mm/英寸以下，进一步优选为0.002mm/英寸以下，特别优选为0.001mm/英寸以下。
在此，侧面的平行度被定义为从成为被保持面的侧面2、2’的平行歪斜的大小，即定义为在至少两方向上测定从一个侧面的代表平面到另一个侧面的距离时相对于指定的长度的最大差与指定的长度之比。例如，将侧面2’放置在平台上，测定以侧面2’为基准到侧面2之间的距离时，将侧面2’称为代表平面，将扫描1英寸时计测到的各点的距离的最大差称为“相对于指定的长度的最大差”。侧面的平行度可以使用接触式表面粗糙度/轮廓形状测定仪、例如东京精密株式会社制的SURFCOM1400D进行测定。
需要说明的是，以侧面3、3’为被保持面时，侧面3、3’的平行度优选为0.01mm/英寸以下，更优选为0.005mm/英寸以下，进一步优选为0.002mm/英寸以下，特别优选为0.001mm/英寸以下。
另外，在使主面1直立的状态下由保持工具20保持基板10的侧面(被保持面)2、2’时，为了防止基板10发生局部变形，主面1(或主面1’)与成为被保持面的侧面2、2’的直角度分别优选为0.01mm/英寸以下，更优选为0.005mm/英寸以下，进一步优选为0.003mm/英寸以下。
在此，主面1(或主面1’)与侧面2(或侧面2’)的直角度被定义为垂直于侧面2(或侧面2’)的代表平面的直线与主面1(或主面1’)的平行度的值，可以使用接触式表面粗糙度/轮廓形状测定仪、例如东京精密株式会社制SURFCOM1400D进行测定。
需要说明的是，以侧面3、3’为被保持面时，主面1(或主面1’)与侧面3、3’的直角度分别优选为0.01mm/英寸以下，更优选为0.005mm/英寸以下，进一步优选为0.003mm/英寸以下。
在本发明的反射型掩模用低膨胀玻璃基板的第二形态(以下称为“第二低膨胀玻璃基板”)中，在4个侧面2、2’、3、3’中的处于彼此相对的位置关系的2个侧面(侧面2和2’、或侧面3和3’)与该低膨胀玻璃基板10的主面1、1’之间的角部上设置的倒棱部4、4’(在侧面2’与主面1之间的角部上设置的倒棱部4、及在侧面2’与主面1’之间的角部上设置的倒棱部4’未图示)的平面度分别为25μm以下。
需要说明的是，倒棱部4、4’的平面度分别为25μm以下是指倒棱部4、4’的各自的倒棱部整体的平面度为25μm以下，即，是指各自的倒棱部整体的高低差为25μm以下。
倒棱部的平面度可以使用平面度测定装置进行测定，例如使用Corning Tropel公司制的FM200进行测定。
在第二低膨胀玻璃基板中使处于彼此相对的位置关系的2个侧面与该低膨胀玻璃基板10的主面1、1’之间的角部上所设置的倒棱部4、4’的平面度分别为25μm以下的理由和在第一低膨胀玻璃基板中使处于彼此相对的位置关系的2个侧面的平面度分别为25μm以下的理由相同。
即使在侧面2、2’侧为被保持面的情况下，根据保持工具的形状，存在侧面2、2’不与保持工具相接而设置在该侧面2、2’与主面1、1’之间的角部上的倒棱部4、4’与保持工具相接的情况。这种情况下，倒棱部4、4’成为被保持面。
若作为被保持面的倒棱部4、4’中至少一方的平面度较大，则在使主面直立的状态下保持基板时，基板上会发生局部变形，而影响主面的平面度的测定。
若倒棱部4、4’的平面度分别为25μm以下，则在使主面直立的状态下保持基板的侧面时，基板上不会发生局部变形，而不会影响主面的平面度的测定。因此，能够以误差±10nm以内这样非常高的精度测定主面的平面度。
倒棱部4、4’的平面度分别优选为10μm以下，更优选为5μm以下。
另一方面，未作为被保持面使用的倒棱部(在侧面2、2’与主面1、1’之间的角部上设置的倒棱部4、4’为被保持面的情况下，是设置在侧面3、3’与主面1、1’之间的角部上的倒棱部)的平面度无需分别为25μm以下，只要是通常要求的水平的平面度例如分别为500μm以下即可，优选为100μm以下，更优选为60μm以下，进一步优选为50μm以下。
但是，从被保持面的选择不受限制、能够变更被保持面等的理由出发，更优选对于未作为被保持面使用的倒棱部也形成为与被保持面同等的平面度。因此，对于未作为被保持面使用的倒棱部，平面度也分别更优选为25μm以下，进一步优选为10μm以下，特别优选为5μm以下。
以上说明了以设置在侧面2、2’与主面1、1’之间的角部上的倒棱部为被保持面的情况，但也可以将在侧面3、3’与主面1、1’之间的角部上设置的倒棱部作为被保持面。这种情况下，作为被保持面的倒棱部的平面度分别为25μm以下，优选为10μm以下，更优选为5μm以下。
这种情况下，未作为被保持面使用的倒棱部(设置在侧面2、2’与主面1、1’之间的角部上的倒棱部4、4’)的平面度无需分别为25μm以下，只要是通常要求的水平的平面度例如分别为500μm以下即可，优选为100μm以下，更优选为60μm以下，进一步优选为50μm以下。
但是，如上所述，对于未作为被保持面使用的倒棱部，平面度也分别更优选为25μm以下，进一步优选为10μm以下，特别优选为5μm以下。
在第二低膨胀玻璃基板中，在使主面1直立的状态下由保持工具20保持基板10的被保持面(倒棱部4、4’)时，为了防止基板10发生局部变形，侧面2、2’的平行度优选为0.01mm/英寸以下，更优选为0.005mm/英寸以下，进一步优选为0.002mm/英寸以下，特别优选为0.001mm/英寸以下。
从同样的理由出发，主面1(或主面1’)与侧面2、2’的直角度分别优选为0.01mm/英寸以下，更优选为0.005mm/英寸以下，进一步优选为0.003mm/英寸以下。
需要说明的是，以在侧面3、3’与主面1、1’之间的角部上设置的倒棱部为被保持面时，侧面3、3’的平行度优选为0.01mm/英寸以下，更优选为0.005mm/英寸以下，进一步优选为0.002mm/英寸以下，特别优选为0.001mm/英寸以下。而且，主面1(或主面1’)与侧面3、3’的直角度分别优选为0.01mm/英寸以下，更优选为0.005mm/英寸以下，进一步优选为0.003mm/英寸以下。
在本发明的反射型掩模用低膨胀玻璃基板的第三形态(以下，称为“第三低膨胀玻璃基板”)中，4个侧面2、2’、3、3’中的处于彼此相对的位置关系的2个侧面(侧面2和2’)的平面度分别为25μm以下，且在侧面2、2’与主面1、1’之间的角部上设置的倒棱部4、4’的平面度分别为25μm以下。
在第三低膨胀玻璃基板中，使侧面2、2’的平面度分别为25μm以下的理由和使第一低膨胀玻璃基板中的侧面2、2’的平面度分别为25μm以下的理由相同，使倒棱部4、4’的平面度分别为25μm以下的理由和使第二低膨胀玻璃基板中的倒棱部的平面度分别为25μm以下的理由相同。
在以侧面2、2’侧为被保持面的情况下，根据保持工具的形状，存在侧面2、2’及设置在该侧面2、2’与主面1、1’之间的角部上的倒棱部4、4’这双方与保持工具相接的情况。这种情况下，侧面2、2’及倒棱部4、4’成为被保持面。
这种情况下，若作为被保持面的侧面2、2’及倒棱部4、4’中的至少一方的平面度较大，则在使主面直立的状态下保持基板时，基板上会发生局部变形，而影响主面的平面度的测定。
若侧面2、2’及倒棱部4、4’的平面度分别为25μm以下，则在使主面直立的状态下保持基板的侧面时，基板上不会发生局部变形，而不会影响主面的平面度的测定。因此，能够以误差±10nm以内这种非常高的精度测定主面的平面度。
侧面2、2’及倒棱部4、4’的平面度分别优选为10μm以下，更优选为5μm以下。
另一方面，未作为被保持面使用的侧面(侧面3、3’)的平面度以及在该侧面(侧面3、3’)与主面1、1’之间的角部上设置的倒棱部的平面度无需分别为25μm以下，只要是通常要求的水平的平面度例如分别为500μm以下即可，优选为100μm以下，更优选为60μm以下，进一步优选为50μm以下。
但是，如上所述，对于未作为被保持面使用的侧面或倒棱部，平面度也分别更优选为25μm以下，进一步优选为10μm以下，特别优选为5μm以下。
以上说明了以侧面2、2’及在侧面2、2’与主面1、1’之间的角部上设置的倒棱部4、4’为被保持面的情况，但也可以将侧面3、3’及在侧面3、3’与主面1、1’之间的角部上设置的倒棱部作为被保持面。这种情况下，作为被保持面的侧面3、3’及在侧面3、3’与主面1、1’之间的角部上设置的倒棱部的平面度分别为25μm以下，优选为10μm以下，更优选为5μm以下。
这种情况下，未作为被保持面使用侧的侧面2、2’及设置在侧面2、2’与主面1、1’之间的角部上的倒棱部4、4’的平面度无需分别为25μm以下，只要是通常要求的水平的平面度例如分别为500μm以下即可，优选为100μm以下，更优选为60μm以下，进一步优选为50μm以下。
但是，如上所述，对于未作为被保持面使用的侧面或倒棱部，平面度也分别更优选为25μm以下，进一步优选为10μm以下，特别优选为5μm以下。
在第三低膨胀玻璃基板中，在使主面1直立的状态下由保持工具20保持基板10的被保持面(侧面2、2’及/或倒棱部4、4’)时，为了防止基板10发生局部变形，侧面2、2’的平行度优选为0.01mm/英寸以下，更优选为0.005mm/英寸以下，进一步优选为0.002mm/英寸以下，特别优选为0.001mm/英寸以下。
从同样的理由出发，主面1(或主面1’)与侧面2、2’的直角度分别优选为0.01mm/英寸以下，更优选为0.005mm/英寸以下，进一步优选为0.003mm/英寸以下。
需要说明的是，以侧面3、3’及设置在侧面3、3’与主面1、1’之间的角部上的倒棱部为被保持面时，侧面3、3’的平行度优选为0.01mm/英寸以下，更优选为0.005mm/英寸以下，进一步优选为0.002mm/英寸以下，特别优选为0.001mm/英寸以下。而且，主面1(或主面1’)与侧面3、3’的直角度分别优选为0.01mm/英寸以下，更优选为0.005mm/英寸以下，进一步优选为0.003mm/英寸以下。
上述第一至第三低膨胀玻璃基板通过如下方式获得：在从低膨胀玻璃或超低膨胀玻璃切出所希望的尺寸及形状并进行倒棱加工而形成了倒棱部及缺口部的板状体中，能够以使作为被保持面的侧面及/或倒棱部的平面度分别成为25μm以下的方式进行精密研磨。作为精密研磨方法，例如列举有使用粒度#1000以下的固定砂轮对作为被保持面的侧面及/或倒棱部进行研磨的方法，使用粒径为0.1～3μm、优选为0.5～2μm的磨粒进行刷式研磨的方法，使用海绵状的工具进行研磨加工的方法等。
需要说明的是，关于作为被保持面一侧的侧面的平行度及/或基板的主面与作为被保持面一侧的侧面的直角度，可以使用上述的精密研磨方法，以使侧面的平行度为0.01mm/英寸以下及/或主面与侧面的直角度分别为0.01mm/英寸以下的方式进行精密研磨。
另外，对于预备研磨后的玻璃基板，使用平面度测定仪，例如使用康宁诺佩尔(Corning Tropel)公司制FM200测定作为被保持面的侧面的平面度，并基于得到的侧面的平面度，对于每个部位设定侧面的加工条件，从而能够得到作为被保持面的侧面的平面度分别为25μm以下的第一低膨胀玻璃基板。
在此，作为预备研磨，可以列举在金属或树脂中浸渍有磨粒的研磨等。
玻璃基板的侧面的平面度的测定结果成为表示形成了二维形状的侧面的各部位上的高低差的平面度映射(以下，称为“平面度映射”)。形成了二维形状的侧面的坐标为(x，y)时，平面度映射表示成S(x，y)(μm)。加工时间表示为T(x，y)(min)。加工率为Y(μm/min)时，它们的关系由下式表示。
T(x，y)＝S(x，y)/Y
因此，基于根据侧面的平面度的测定所得到的结果而设定加工条件时，按照上式，设定加工条件，具体而言，设定加工时间。
作为加工方法，优选使用上述的精密研磨方法。
作为半导体制造工序的光刻工序中使用的反射型掩模用低膨胀玻璃基板，通常制造多批。因此，对于以使平面度分别为25μm以下的方式对作为被保持面的侧面及/或倒棱部进行精密研磨而制造的反射型掩模用低膨胀玻璃基板，通过测定作为被保持面的侧面及/或倒棱部的平面度，而能够了解精密研磨后的侧面及/或倒棱部的平面度的倾向。
另外，通过测定作为被保持面一侧的侧面的平行度及/或基板的主面与作为被保持面一侧的侧面的直角度，而能够了解精密研磨后的作为被保持面一侧的侧面的平行度及/或基板的主面与作为被保持面一侧的侧面的直角度的倾向。
在新制造反射型掩模用低膨胀玻璃基板时，基于上述倾向，对于每个部位设定侧面及/或倒棱部的加工条件，从而能够将作为被保持面的侧面及/或倒棱部加工成使平面度分别成为25μm以下。同样地，基于上述倾向，对于每个部位设定侧面的加工条件，从而能够进行加工以使作为被保持面一侧的侧面的平面度为0.01mm/英寸以下及/或使基板的主面与作为被保持面的一侧的侧面的直角度分别为0.01mm/英寸以下。
需要说明的是，基于根据先前制造的反射型掩模用低膨胀玻璃基板的测定所得到的倾向，对于每个部位设定侧面及/或倒棱部的加工条件而加工侧面及/或倒棱部的顺序可以与基于预备研磨后的玻璃基板的侧面的平面度而对于每个部位设定侧面的加工条件的顺序相同。
本申请基于2008年12月17日申请的日本专利申请2008-320876，并将其内容作为参照引用于此。
标号说明：
1、1’：主面
2、2’：侧面
3、3’：侧面
4、4’：倒棱部
5：缺口部
6：倒棱部
10：低膨胀玻璃基板
20：保持工具
Claims (8)
1.一种反射型掩模用低膨胀玻璃基板，是作为半导体制造工序的光刻工序中使用的反射型掩模的基材的低膨胀玻璃基板，其中，
沿该低膨胀玻璃基板的外周形成的侧面中的处于彼此相对的位置关系的2个侧面的平面度分别为25μm以下。
2.一种反射型掩模用低膨胀玻璃基板，是作为半导体制造工序的光刻工序中使用的反射型掩模的基材的低膨胀玻璃基板，其中，
在沿该低膨胀玻璃基板的外周形成的侧面中的处于彼此相对的位置关系的2个侧面与该低膨胀玻璃基板的主面之间的角部上设置的倒棱部的平面度分别为25μm以下。
3.一种反射型掩模用低膨胀玻璃基板，是作为半导体制造工序的光刻工序中使用的反射型掩模的基材的低膨胀玻璃基板，其中，
沿该低膨胀玻璃基板的外周形成的侧面中的处于彼此相对的位置关系的2个侧面的平面度、及在该2个侧面与该低膨胀玻璃基板的主面之间的角部上设置的倒棱部的平面度分别为25μm以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的反射型掩模用低膨胀玻璃基板，其中，
所述2个侧面的平行度为0.01mm/英寸以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的反射型掩模用低膨胀玻璃基板，其中，
所述低膨胀玻璃基板的主面和所述2个侧面的直角度分别为0.01mm/英寸以下。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的反射型掩模用低膨胀玻璃基板，其中，
低膨胀玻璃基板是在20℃或60℃下的热膨胀系数为0±30ppb/℃的低膨胀玻璃基板。
7.一种反射型掩模，具备权利要求1～6中任一项所述的反射型掩模用低膨胀玻璃基板。
8.一种低膨胀玻璃基板的加工方法，是作为半导体制造工序的光刻工序中使用的反射型掩模的基材的低膨胀玻璃基板的加工方法，
测定沿该低膨胀玻璃基板的外周形成的侧面中的处于彼此相对的位置关系的2个侧面的预备研磨后的平面度，并基于该2个侧面的平面度对于每个部位设定该2个侧面的加工条件。
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