TWI475302B - 對準材料，對準層，液晶顯示器裝置及其製造方法 - Google Patents

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Description

對準材料，對準層，液晶顯示器裝置及其製造方法
本發明是關於對準材料、對準層、液晶顯示裝置和其製造方法。
當前正發展不同種類的平板顯示器。在這之中，液晶顯示器為廣泛用於最多不同用途的平板顯示器。
根據液晶排列狀態和驅動方式，液晶顯示器包含TN(扭曲向列)液晶顯示器、VA(垂直對準)液晶顯示器、IPS(平面切換)液晶顯示器、OCB(光學補償彎曲)液晶顯示器等。在這些液晶顯示器中，由於對準層和液晶本質的效應，液晶在早期具有預定排列，而由於液晶的光學異向性、通過液晶之光的偏光狀態根據液晶排列狀態而變化以及由傳送通過偏光器以顯示影像之光的量差所表示的差，如果施加電場至此，則會改變液晶排列。
決定初始液晶排列的對準主要藉由使用摩擦法沿預定方向摩擦對準層來執行。不過，由於摩擦法為機械執行，其難以精確控制液晶的初始對準狀態和提供每一精細區域之不同的預傾斜。
為了解決上述問題，可提供一光對準方法，其經由照射沿特定方向對準液晶。然而，在使用光對準方法的實例中，對準亦可因為所需的錨定能量不足而劣化。
本發明提供液晶顯示器裝置和液晶顯示裝置的製造方法以改善響應速度。
本發明亦提供液晶顯示器裝置和液晶顯示裝置的製造方法以改善視角。
本發明亦提供液晶顯示器裝置和液晶顯示裝置的製造方法以在單一製程中形成對準層。
本發明亦提供液晶顯示器裝置和液晶顯示裝置的製造方法以增強對準層的對準力。
本發明解決的其他問題透過下文敘述的下列實施例當可更加明白。
為了達成前述目標並解決相關技術問題，本發明之一實施態樣的特徵在於液晶顯示裝置。根據本發明之一實施例的液晶顯示裝置包含一第一基材，其具有一形成在其上的第一電極；一第二基材，其面對該第一基材；一液晶層，其形成在該第一基材和該第二基材之間；及一第一對準層，其形成在該第一基材上，並接觸該液晶層。在此，該第一對準層包含一第一對準基底層，其經過光對準；及一第一調整調節器，其從該第一對準基底層的 內側延伸。
本發明之另一實施態樣的特徵在於一製造液晶顯示裝置的方法。根據本發明之一實施例的方法包含以下步驟：(a)在一第一基材及/或一第二基材上形成一對準材料，其中該對準材料是與一對準基底材料和一光聚合單體或寡聚物混合；以及(b)藉由照射光至該第一基材及/或該第二基材上而形成一第一對準層及/或一第二對準層。在此，該第一對準層及/或該第二對準層包含一對準基底層，其藉由光對準該對準材料而形成；及一調整調節器，其從該對準基底層延伸，並藉由光聚合該光聚合單體或寡聚物而形成。
本發明仍有另一實施態樣的特徵在於一製造液晶顯示裝置的方法。根據本發明之一實施例的方法包含以下步驟：(a)在一第一基材及/或一第二基材上形成一對準材料，其中一第一電極形成在該第一基材上，且其中該第一對準材料與一對準基底材料和一光聚合單體或寡聚物混合；(b)初始藉由照射一次光至該第一基材及/或該第二基材上來光對準該對準基底材料；(c)在該第一電極和一外部電極之間或在該第一電極和一第二電極之間施加一電壓，其中該第二電極形成在該第一基材或該第二基材的任何一側上；以及(d)藉由照射光至該第一基材及/或該第二基材上而形成一第一對準層及/或一第二對準層。在此，該第一對準層及/或該第二對準層包含一對準基底層，其藉由光對準該對準材料而形成；及一調整調節器， 其藉由聚合該光聚合單體或寡聚物而形成。
本發明尚有另一實施態樣的特徵在於一對準層，其適於對準一包含具有正或負之介電異向性之液晶的液晶層。在此，該對準層包含一對準基底層和複數個對準調節器，且該對準調節器從該對準基底層內側延伸，並藉由聚合單體或寡聚物而形成。
本發明之尚有另一實施態樣的特徵在於一對準材料，其具有一對準基底材料和一光聚合單體或寡聚物。在此，該對準材料是用來形成一對準層，其包含液晶，該液晶具有正或負的介電異向性。
本發明提供一液晶顯示裝置，當施加驅動電壓時，其藉由使用一對準基底層和一調整調節器調整該液晶的極角和方位角來改善液晶的響應速度。
本發明亦提供一液晶顯示裝置，其藉由在單一製程中製造一對準基底層和一調節器兩者而降低生產時間與成本。
本發明亦提供一液晶顯示裝置，其藉由使一調節器在每一場域的極角和方位角不同，以及接著使放置在每一場域中之液晶的傾斜角在每一場域皆相異而改善其視角。
本發明亦提供一液晶顯示裝置，其增強一藉由一調節器光對準之對準基底層的對準力。
由於可有多種本發明的置換與實施例，某些實施例將參照伴隨圖式說明與敘述。不過，這絕不是將本發明限制在某些實施例，而應解釋為包含本發明之精神和範圍所涵蓋的所有置換、等同物和替代。在圖式各處，類似元件給定類似的參考數字。在本發明之所有敘述中，當敘述某一技術決定避開本發明論點時，將省略其相關的詳細敘述。
措辭，例如，「第一」和「第二」，可用來敘述不同元件，但上述元件不應受限於上述措辭。上述措辭僅用於區別一元件與另一元件。舉例來說，在不偏離本發明之專利申請項範圍的情況下，第一元件可命名為第二元件，且反之亦然。措辭「及/或」應包含複數個列舉項目或任何複數個列舉項目的組合。
在敘述中所使用的措辭是打算僅敘述某些實施例，且不應限制本發明。除非以其他方式明確使用，否則單數表示包含複數意義。在本敘述中，例如「包含」或「由…構成」的措辭是打算指明一特徵、一數目、一步驟、一操作、一元件、一零件或其組合，且不應解釋為排除一或多個其他特徵、數目、步驟、操作、元件、零件或其組合的任何存在或可能性。
根據本發明的某些實施例將參照伴隨圖式透過下列敘述更詳細敘述之。那些相同或相應的元件不管圖號為何皆賦予相同的參考號碼，並省略多餘的敘述。
第1圖為根據本發明之一實施例之液晶顯示面板的平面圖，且第2圖為第1圖所示之液晶顯示面板的放大橫剖面II-II’。第1圖為VA模式之液晶顯示裝置之液晶顯示面板的平面圖，並顯示一液晶顯示面板的範例，其在未於像素電極和共用電極中形成圖案的情況下實現多場域。
下文為了敘述方便，一第一基材將指為一薄膜電晶體基材，且一第二基材將指為一濾色器基材。
參照第1和2圖，根據本發明之一實施例的液晶顯示面板包含薄膜電晶體基材100、濾色器基材200和液晶層300。在此，液晶層300可包含具有介電異向性的液晶。
在一更詳細的範例中，薄膜電晶體基材100包含第一絕緣基材1、薄膜電晶體(TFT)、鈍化層45、像素電極50。在此，第一對準層150是形成在像素電極50之上。
第一絕緣基材1是以透明玻璃或塑膠製成，且彈性透明基材亦可用於第一絕緣基材1。
一閘極線(GL)沿水平方向形成在第一絕緣基材1上，並與薄膜電晶體(TFT)連接。
一資料線(DL)連接至薄膜電晶體(TFT)，並與閘極線(GL)交叉地形成。
薄膜電晶體(TFT)是形成在閘極線(GL)和資料線(DL)的交點。薄膜電晶體(TFT)與閘極線(GL)和資料線(DL)連接，以便薄膜電晶體(TFT)可藉由接收閘極開/關電壓及/或資料電壓而開啟/關斷。在此，薄膜電晶體(TFT)可藉由底閘極型或頂閘極型的任一種來形成。雖然本發明是以薄膜電晶體(TFT)形成為底閘極型的範例來敘述，當明白本發明並未受限於此範例，且那些在此技術領域中具有普通知識者大體上可了解本發明之所屬。薄膜電晶體(TFT)亦可以非晶矽或類晶體矽製成。不過，在此敘述中，非晶矽將用作薄膜電晶體(TFT)的範例。
薄膜電晶體(TFT)可包含閘極電極5、半導體層12、歐姆接觸層13、源極電極30、汲極電極40。閘極電極5連接至閘極線(GL)，並供應閘極開/關電壓。閘極電極5與閘極線(GL)可形成在相同的層上，並可與閘極線(GL)以相同金屬形成。
半導體層12是以重疊方式和閘極電極5一起形成，其中閘極絕緣層11是插入在半導體層12和閘極電極5之間。半導體層12可以非晶矽製成。
歐姆接觸層13形成在半導體層12的頂部之上。在此，歐姆接觸層13分別形成在半導體層12和源極電極30之間與半導體層12和汲極電極40之間。歐姆接觸層13可以具有混合在其中之n+雜質的非晶矽製成。
與資料線(DL)接觸的源極電極30是形成在歐姆接觸層13的頂部之上。
面對源極電極30的汲極電極40形成在歐姆接觸層13的頂部之上。在此，源極電極30和汲極電極40是以重疊方式和閘極電極5一起形成。
鈍化層45形成為覆蓋源極電極30、汲極電極40和資料線(DL)。鈍化層45可以無機絕緣材料或有機絕緣材料製成。在第2圖中，可使用一有機絕緣材料作為一鈍化層45的範例。
像素電極50形成在由閘極線(GL)和資料線(DL)彼此相交所形成的像素區域中。像素電極50透過接觸孔46連接至汲極電極40，接觸孔46穿過鈍化層45，以便暴露汲極電極40。
第一對準層150形成在像素電極50的頂部之上。第一對準層150具有一預傾斜，並可包含第一對準基底層151和第一調節器152。
在本發明的解釋中，預傾斜可具有一角度和一方向。在下列敘述中，其分別定義為極角[0°至180°]和方位角[0°至360°]。
換言之，預傾斜應具有包含極角0至180°和方位角0至360°兩者的含義。方位角意指一介於一閘極線或一資料線與一液晶投影或基材上之一對準調節器之間的角度。極角意指一介於一基材之垂直線與液晶或對準調節器之間的角度。
第一對準層150可包含經過光對準的第一對準基底層151。在此，第一對準基底層151可包含一聚合物組系材料。在一更詳細的範例中，第一對準基底層151可包含聚醯胺酸、聚醯亞胺、尼龍和PVA(聚乙烯醇)的至少一個。
第一對準基底層151亦可包含一光對準材料。依據光所導致的化學反應類型，可將光對準材料劃分為光分解材料、光致異構化材料、光硬化材料和光聚合材料。光分解材料可使用藉由化學反應形成的結構異向性進行光對準，其中聚合物鏈的分解是藉由偏光紫外光而異向性地發生。舉例來說，當以偏光紫外光照射聚醯亞胺時，其聚合物鏈斷開，並可發生氧化反應。這類材料可具有優越的熱穩定性。
在光致異構化材料中，順式/反式異構物可藉由光而發生在其分子中，且因此光致異構化材料可藉由順式/反式異構物導致的方向分子來進行光對準。
光硬化材料可藉由具有由選擇性使光反應器起反應所形成的異向性來進行光對準，光反應器是藉由偏光紫外光而沿一偏光方向對準。
光聚合材料形成聚合物，當受照射時，其透過光聚合反應而具有預傾斜。
光對準材料可包含一選自由下列所構成之群組的聚合物材料：聚醯亞胺、聚醯胺酸、聚降冰片烯(polynorbornene)、苯基馬來醯亞胺共聚物(phenymaleimide copolymers)、聚乙烯醇肉桂酸酯(polyvinylcinnamate)、聚偶氮苯(polyazobenzene)、聚乙烯亞胺、聚乙烯醇、聚醯胺、聚乙烯、聚苯乙烯、聚伸苯酞醯胺(polyphenylenephthalamide)、聚酯、聚胺酯、聚矽氧烷肉桂酸酯(polysiloxanecinnamate)、纖維素肉桂酸酯(cellulosecinnamate)和聚甲基丙烯酸甲酯。第一對準基底層151可具有一預傾斜，且當照光時，第一對準基底層151的方位角和極角可根據光的偏光方向及/或基材的梯度程度來決定。
第一調節器152藉由聚合一光聚合單體或寡聚物而形成。作為光聚合單體或寡聚物，舉例來說，一反應液晶原(RM)，Norland股份有限公司製造的NOA系列等可用於第一調節器152。在此，液晶原可包含一材料或化合物，其包含至少一個具有棒狀、平板狀或碟狀結構的液晶基(那就是說，一液晶基具有在液晶中誘發流動性的能力)。對那些在本發明所屬之技術領域中具有普通技能者揭示具有棒狀或平板狀結構的液晶(LC)化合物為一「棒狀」液晶。亦對那些在此技術領域中具有普通技能者揭示具有碟狀結構的液晶化合物為一「碟狀」液晶。當明白一具有液晶基的材料或化合物實質上不必藉由其本身在液晶中誘發流動性。亦可在液晶中以一只有不同化合物的混合物、一液晶原化合物或材料或其一可聚合混合物來誘發流動性。在此，反應液晶原意指一可聚合液晶原化合物。
反應液晶原藉由光，例如，紫外射線，聚合，且為一根據鄰接材料之對準狀態對準的材料。反應液晶原的範例可為一以下列化學式表示的化合物：
P1-A1-(Z1-A2)n-P2，
其中，P1和P2獨立選自丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、乙烯基、乙烯氧基和環氧基；A1和A2獨立選自1,4-伸苯基(1,4-phenylene group)和萘-2,6-二基(naphthalene-2,6-diyl group)；Z1為COO-、OCO-和單鍵的任一個；及n為0、1和2的任一個。
更詳細地，其可為一以下列化學式的任一個表示的化合物：
其中，P1和P2獨立選自丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、乙烯基、乙烯氧基和環氧基。
第一調節器152形成為具有複數個從第一對準基底層151朝外側延伸的分支，以便具有一預傾斜。
第一調節器152的預傾斜是根據第一對準基底層151的預傾斜或根據照射製程或液晶層300的對準方向而受控。照射製程將在下文更詳細敘述。
濾色器基材200包含黑色矩陣210、濾色器220、平形層230、共用電極240和第二對準層250。
第二對準層250形成在共用電極240之上。第二對準層250可包含第二對準基底層251和第二對準控制層252。如同第一對準基底層151，第二對準基底層251可以一聚合物組系的聚合物材料或光對準材料製成。
如同第一調節器152，第二調節器252是藉由光聚合光聚合單體或寡聚物而形成。第二調節器252形成為具有複數個從第二對準基底層251的內側朝外側延伸的分支，以便具有一預傾斜。
第二對準基底層251和第二調節器252可包含與第一對準基底層151和第一調節器152相同的材料，且亦可透過與第一對準基底層151和第一調節器152相同的製程形成。因此，將省略相關的詳細敘述。
液晶層形成在第一基材和第二基材之間。液晶層包含具有介電異向性的液晶，並可根據第一對準層和第二對準層的預傾斜來排列。
如第1圖所繪示的範例，根據本發明之一實施例之液晶顯示面板的每一像素可劃分為複數個場域，亦即，八個場域。在此，場域意指具有相同預傾斜，亦即，相同方位角和相同極角，之液晶層的一部分。因此，液晶層的預傾斜可針對每一場域變化。如第1圖所繪示的範例，根據本發明之一實施例之液晶顯示面板的像素可劃分為一上部分區和一下部分區。像素的上部分區從其中心點開始由四個場域構成，且其下部分區亦從其中心點開始由四個場域構成。上部分區的四個場域包含第一調節器152，其針對每一場域具有不同的方位角和一第一極角。同樣地，下部分區的四個場域包含第一調節器152，其針對每一場域具有不同的方位角和一第二極角。如上述，針對每一場域，第一對準層151的方位角可與第一調節器152相同。
雖然本發明以一像素劃分為八個場域的範例敘述，當明白本發明不受限於此範例。在一範例中，一像素可劃分為二或多個場域。這在下文將參照相關圖式更詳細敘述。
第3圖為根據本發明之一實施例之液晶顯示裝置的平面圖。如第3圖所示，第一基材100包含第一閘極線121a和第二閘極線121b。第一閘極線121a和第二閘極線121b沿水平方向延伸，彼此實體和電分隔，且配置為傳輸一閘極訊號。
第一和第二閘極線121a和121b分別配置在一上側和一下側，並可包含分別向上和向下突出的第一閘極電極124a和第二閘極電極124b。
閘極絕緣層11形成在第一和第二閘極電極124a和124b之上。以非晶矽等製成的半導體層12形成在閘極絕緣層11之上。
由於半導體層12和歐姆接觸與本發明前述的實施例相同，下文將省略詳細解釋。
第一和第二源極電極173a和173b與第一和第二汲極電極175a和175b形成在歐姆接觸層之上。第一和第二閘極電極124a和124b、第一和第二源極電極173a和173b以及第一和第二汲極電極175a和175b可連同半導體層12形成第一和第二薄膜電晶體(TFT1和TFT2)。
具有接觸孔185a和185b的鈍化層45形成在閘極絕緣層11、第一和第二源極電極173a和173b、第一和第二汲極電極175a和175b以及半導體層12之上。
分別包含第一子像素電極190a和第二子像素電極190b的複數個像素電極形成在鈍化層45之上。第一和第二子像素電極190a和190b透過接觸孔185a和185b實體且電連接至第一和第二汲極電極175a和175b，並可接收一來自第一和第二汲極電極175a和175b的資料電壓。
一具有預傾斜的對準層形成在第一和第二子像素電極190a和190b之上。第一對準層150包含經過光對準的第一對準基底層151和第一調節器152。
如參照第1圖所述，第一對準基底層151可以一聚合物組系材料或光對準材料製成。
第一調節器152可包含一藉由光聚合單體或寡聚物形成的材料。第一對準基底層151和第一調節器152之材料的詳細敘述將予以省略。
第一子像素電極190a放置在第一分區(A1)中，並劃分為第一場域(D1)、第二場域(D2)、第三場域(D3)和第四場域(D4)。第一子像素電極190b放置在第二分區(A2)中，並劃分為第一場域(D1)、第二場域(D2)、第三場域(D3)和第四場域(D4)。將一比第二子像素電極190b高的電壓施加至第一子像素電極190a。因此，當施加一初始電壓時，液晶層300的液晶立即根據鄰接第一對準層150之調節器152之液晶的預傾斜在預傾斜處傾斜，從而改善響應速度。液晶的傾斜角度每一場域都不同，從而改善側面可見度。在施加初始電壓經過某一時間量之後，液晶的傾斜角度可藉由放置在不同分區並以不同電壓驅動的第一子像素電極190a和第二子像素電極190b而維持每一分區皆不相同，從而改善側面可見度。在更詳細的解釋中，藉由使用第一和第二薄膜電晶體分別控制第一分區(A1)和第二分區(A2)的電壓可控制每一分區的伽瑪曲線。以此方式，分區的組合伽瑪曲線可接近從正面觀看所獲得的參考伽瑪曲線，從而改善側面可見度。
雖然本發明以在其中形成第一對準層150的範例敘述，在濾色器基材200上形成第二對準層250亦為可行。僅在濾色器基材200上形成一對準層亦為可行。
液晶層形成在第一基材和第二基材之間。液晶層包含具有介電異向性的液晶，並可根據第一對準層和第二對準層的預傾斜來排列。
第4圖為循序說明一根據本發明之一實施例之製造液晶顯示裝置之方法的流程圖，且第5至9圖顯示根據本發明之一實施例之一製造液晶顯示裝置之方法的製程流程。
參照第4圖，該根據本發明之一實施例之製造液晶顯示裝置的方法包含以下步驟：形成一與一光聚合單體或寡聚物混合的對準材料，並在一第一基材或一第二基材上形成一對準基底材料(S10)；藉由照光至在其上形成該對準材料之該基材上而形成一對準層(S20)；以及形成一液晶層(S30)。在此敘述中，該第一基材將指為一薄膜電晶體基材，且該第二基材將指為一濾色器基材。將該第一基材和該第二基材彼此耦合可在該液晶層形成之前或之後執行。
參照第5圖，與一光聚合單體或寡聚物混合的對準材料160和一對準基底材料形成在薄膜電晶體基材100之上。在一範例中，該對準基底材料可以一聚合物材料製成，其選自由下列構成之群組：聚醯亞胺、聚醯胺酸、聚降冰片烯、苯基馬來醯亞胺共聚物、聚乙烯醇肉桂酸酯、聚偶氮苯、聚乙烯亞胺、聚乙烯醇、聚醯胺、聚乙烯、聚苯乙烯、聚伸苯酞醯胺、聚酯、聚胺酯、聚矽氧烷肉桂酸酯、纖維素肉桂酸酯和聚甲基丙烯酸甲酯。
該光聚合單體或寡聚物可包含一反應液晶原，但不受限於此。Norland股份有限公司製造的NOA系列等亦可用作該光聚合單體或寡聚物。
如參照第1和2圖所述，該反應液晶原以光聚合，並可根據鄰接材料的對準狀態來對準。該反應液晶原的範例可為一由下列化學式表示的化合物：
P1-A1-(Z1-A2)n-P2，
其中，P1和P2獨立選自丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、乙烯基、乙烯氧基和環氧基；A1和A2獨立選自1,4-伸苯基和萘-2,6-二基；Z1為COO-、OCO-和單鍵的任一個；及n為0、1和2的任一個。
更詳細地，其可為一以下列化學式的任一個表示的化合物：
其中，P1和P2獨立選自丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、乙烯基、乙烯氧基和環氧基。
該光聚合單體或寡聚物的質量可佔據與該光聚合單體或寡聚物混合之該對準基底材料之總質量的0.1 wt%至50 wt%，其中一溶劑從該對準基底材料移除。在所包含之該光聚合單體或寡聚物低於總質量之0.1 wt%的實例中，其可能太小而無法藉由光聚合該光聚合單體或寡聚物來決定液晶的預傾斜，或太小而無法在沒有摩擦製程的情況下對準液晶。另一方面，在所包含之該光聚合單體或寡聚物超過總質量之50 wt%的實例中，藉由光聚合該光聚合單體或寡聚物所獲得之一對準控制劑的對準力會太強，從而蓋過(overwhelming)該對準基底材料的對準效應，且液晶亦可受到在光聚合製程中沒有光聚合而留下之未反應單體或寡聚物的污染。
雖然該光聚合單體或寡聚物與該對準基底材料混合並塗佈，可進一步使用一聚合起始劑。即使該聚合起始劑非必要要求，該光聚合單體或寡聚物的聚合可使用該聚合起始劑快速執行。除了過氧化丁酮(methyl ethyl ketone peroxide)之外，舉例來說，可使用過氧化苯(benzoyl peroxide)、異丙苯基過氧化氫(cumene hydroperoxide)、辛過氧酸-1,1-二甲基乙基酯(t-butyl peroctoate)、過氧化二異丙苯(dicumyl peroxide)、苯甲醯烷乙醚組系(benzoyl alkyl ether series)、乙醯苯組系(acetoptenone series)、二苯甲酮組系(benzophenone series)、氧二苯甲酮組系(xanthone series)、安息香醚組系(benzoin ether seires)和苯甲縮酮組系(benzyl ketal series)，作為聚合起始劑，且其可直接使用或藉由適當混合來使用。
欲使用之聚合起始劑的量為可聚合化合物的10 wt%或更少應為較佳。如果使用大於10 wt%的聚合起始劑，則聚合起始劑作用如雜質，從而使顯示品質劣化。然而，欲使用的量不受限於10 wt%，當光聚合時，可使用任何最佳的聚合起始劑量。
接下來，一對準層藉由照光(例如，紫外射線)而形成至該第一基材上，在該第一基材上形成該對準材料(S20)。藉由照射紫外光至該基材上而光對準一包含在該對準材料中的對準基底材料，且在此同時，形成一調節器。在此，該紫外光可為偏光紫外光。舉例來說，照射紫外光可為線性偏光、橢圓偏光或圓偏光的偏光紫外光。在使用無偏光紫外光的實例中，可使用一鄰接該基材的偏光器，以這一類方式則偏光紫外光可照射至該基材上。
在藉由照射具有與其鄰接場域不同之偏光方向或偏光形式的紫外光來製造一具有複數個場域的液晶顯示裝置的實例中，則任何一個場域是以該對準層的方位角對每一場域皆不同的這一類方式形成。
此將參照第6至9圖更詳細敘述。在此實施例中，將敘述一照射線性偏光紫外光的方法作為一範例。
參照第6圖，藉由照射沿一第一方向線性偏光的紫外光至該第一場域(D1)上而光對準該對準基底材料，以便光對準該對準基底層，且該調節器藉由光聚合該光聚合單體或寡聚物而形成。在此，雖然該第一場域受到沿該第一方向偏光的紫外光照射，其他場域使用光罩600保護而免於照射紫外光。
在此，根據該對準基底材料的性質，該第一場域(D1)之對準基底層151的方位角可與該第一方向相同或垂直該第一方向。不過，根據該對準基底材料的光對準性質或反應來決定方位角是可行的。
該第一場域(D1)的調節器152可具有與對準基底層151相同的方位角。同樣地，該調節器可根據其部件和紫外光的偏光方向或偏光形式排列，以便控制方位角。
接下來，如第7圖所繪示，一對準基底層和一調節器藉由照射沿一第二方向線性偏光的紫外光至該第二場域(D2)而形成。接著，如第8圖所繪示，一對準基底層和一調節器亦可使用上述方法形成在其他場域之上，且最後的場域可在未使用光罩的情況下照射沿一n方向線性偏光的紫外光。
雖然本實施例以一藉由使紫外光的偏光方向不同而形成一具有多個場域之對準層的方法敘述，亦可藉由一與上述方法不同的方法來形成該具有多個場域的對準層。此將在下文參照第9圖更詳細敘述。
參照第9圖，當第一基材100以一第一角度θ傾斜時，使紫外光照射至該第一場域(D1)上。在此，其他場域使用光罩600保護而免於照射紫外光。以此方式，對準層150的極角可根據基材100的傾斜角度決定。雖然在伴隨圖式中未顯示，在該基材沿一不同方向或不同角度(D2)傾斜之後，該對準層形成在該第二場域之上。藉由使用上述方法，其他場域可具有形成在其上的該對準層，且最後的場域可在未使用光罩的情況下以紫外光照射。以此方式，該對準層的預傾斜對每一場域可不同。
雖然本發明以一參照第6至8圖照射偏光紫外光的製程和一參照第9圖將紫外光照射至傾斜基材上的製程敘述，將兩個製程分開、同時或循序執行亦為可行。
此外，一所需的方位角或極角可藉由在照射紫外光時調整照射的持續時間或強度而獲得。
接下來，形成一液晶層(S30)。在此，形成該液晶層可在該第一基材和該第二基材耦合之前或之後執行。引入液晶是藉由液滴法或真空注入法來執行。該液晶層可根據該對準層的對準性質來對準。
雖然本發明以一在該第一基材上形成該對準層的範例敘述，亦可使該對準層僅形成在第二基材上。此外，使對準層形成在第一基材和第二基材兩者之上是可行的，在每一基材上透過上述方法形成具有不同預傾斜之分開的對準層。亦可行的是在耦合第一基材和第二基材後，光可照射在第一基材和第二基材上，以便具有相同預傾斜的一第一對準層和一第二對準層可參照第一基材形成。
在對準層各自形成在第一基材和第二基材上的實例中，一第一基材的第一對準層和一第二基材的第二對準層可具有彼此相同方位角和極角，或可具有不同的方位角和極角。舉例來說，以該第一對準層的極角作為參考，該第二對準層的極角可形成在0°和180°之間的任一點，且以該第一對準層的方位角作為參考，該第二對準層的方位角可選自0°和360°之間的任一點。
根據一以本發明之一實施例為基礎之製造液晶裝置的方法，液晶的對準力可藉由對準基底層和調節器來增強。同樣地，由於可在未於像素電極和共用電極上形成一場域劃分裝置的情況下形成多個場域，視角可獲得改善，且開口率可獲得改善。
第10圖為說明一根據本發明之另一實施例之製造液晶顯示裝置之方法的流程圖。參照第10圖，該根據本發明之一實施例之製造液晶顯示裝置的方法包含以下步驟：形成一與一光聚合單體或寡聚物混合的對準材料，並在一第一基材或一第二基材上形成一對準基底材料(S100)；初始藉由照射一次紫外光至在其上形成該對準材料之該基材上而對準該對準材料(S200)；形成一液晶層(S300)；施加一電場(S400)；以及藉由照射二次紫外光來形成一對準層(S500)。在此，該第一基材將指為一薄膜電晶體基材，且該第二基材將指為一濾色器基材。首先，在該第一基材上形成一與一光聚合單體或寡聚物混合的對準材料和一對準基底材料(S100)。該對準基底材料可以一聚合物材料製成，並可包含一光對準材料。該光聚合單體或寡聚物可包含一反應液晶原。該對準材料可進一步包含一聚合起始劑。在下文將省略冗餘的解釋。
接下來，如第11圖所繪示，一對準材料初始藉由在其上形成該對準材料之該第一基材上照射一次紫外光而對準(S200)。當照射一次紫外光時，該對準基底材料進行光對準。接著，一部分的該光聚合單體或寡聚物藉由紫外光在該對準材料表面上聚合為一聚合物，且該聚合的聚合物可增強該對準基底材料的聚合力。紫外光可為偏光紫外光。舉例來說，照射紫外光可為線性偏光、橢圓偏光或圓偏光的偏光紫外光。在使用無偏光紫外光的實例中，可使用一鄰接該基材的偏光器，以便偏光紫外光可照射至該基材上。藉由照射紫外光至以一角度傾斜之該基材上來執行一次紫外光的照射亦為可行。照射偏光紫外光的製程和照射紫外光至傾斜基材上的製程可分開、同時或循序執行。
該對準基底材料的預傾斜可根據紫外光的偏光狀態和偏光方向或該基材的傾斜角度調整。
在此，照射一次紫外光是藉由照射在每個場域具有不同偏光方向或偏光形式的分開紫外光，或藉由照射光至在每個場域以一不同角度傾斜之該第一基材來執行，從而實現多個場域。在本發明之一實施例中，一一次對準分別在該第一基材和該第二基材上分開執行，接著，該兩基材彼此耦合。不過，本發明並未受限於此實施例，且亦可在耦合該兩基材後，可照射光，以便執行該一次對準。在此，形成在該第一基材和該第二基材上的該對準基底材料可光對準，以便具有參照該第一基材之相同的預傾斜。
接下來，形成一液晶層(S300)。該液晶層可在該第一基材和該第二基材耦合之前或之後形成，且引入液晶可藉由液滴法或真空注入法來執行。
接著，如第12圖所繪示，藉由施加一電壓至一形成在該第一基材及/或該第二基材上的電極而形成一電場，且液晶層300沿某一方向對準(S400)。在此，液晶分子根據該對準基底材料的對準方向和施加電壓時所形成之該電場的方向與強度而重新排列。所施加的該電壓可為數伏特和數十伏特之間的任一電壓，且該電壓施加的持續時間可介於數秒和兩小時之間。不過，本實施例並未受限於上述範例。接著，如第12圖所繪示，照射二次紫外光(S400)。在施加該電壓的狀態下，該光聚合單體或寡聚物藉由照射紫外光而光聚合，以形成該調節器。
如同照射一次紫外光，照射二次紫外光亦藉由照射在每個場域具有不同偏光方向或偏光形式的分開紫外光，或藉由照射光至在每個場域以一不同角度傾斜之該第一基材來執行，從而實現多個場域。雖然本發明以一在該第一基材和該第二基材上形成該對準層的範例敘述，如第10至12圖所繪示，亦可使該對準層僅形成在該第一基材或該第二基材之上。
第13圖為說明一根據本發明之一實施例之製造液晶顯示裝置之方法的流程圖。
參照第13圖，該根據本發明之一實施例之製造液晶顯示裝置的方法包含以下步驟：形成一與一光聚合單體或寡聚物混合的對準材料，並在一第一基材或一第二基材上形成一對準基底材料(S100)；初始藉由照射一次紫外光至在其上形成該對準材料之該基材上而對準該對準材料(S200)；施加一電場(S300)；藉由照射二次紫外光來形成一對準層(S400)；以及形成一液晶層(S500)。在此，該第一基材可為一電晶體基材或一在其上形成一像素電極及/或一共用電極的基材。
首先，在該第一基材或該第二基材上形成一與一光聚合單體或寡聚物混合的對準材料和一對準基底材料(S100)。該對準基底材料可以一聚合物材料製成，並可包含一光對準材料。該光聚合單體或寡聚物可包含一反應液晶原。該對準材料可進一步包含一聚合起始劑。在下文將省略冗餘的解釋。
接下來，一對準材料初始藉由照光(例如，紫外射線)來對準(S200)。當照射一次紫外光時，該對準基底材料進行光對準。
在此，一部分的該光聚合單體或寡聚物藉由紫外光在該對準材料表面上聚合為一聚合物，且該聚合的聚合物可增強該對準基底材料的聚合力。在此，該紫外光可為偏光紫外光。舉例來說，照射紫外光可為線性偏光、橢圓偏光或圓偏光的偏光紫外光。在使用無偏光紫外光的實例中，可使用一鄰接該基材的偏光器，以便偏光紫外光可照射至該基材上。
在製造一具有複數個場域之液晶顯示裝置的實例中，照射一次紫外光是藉由照射在每個場域具有不同偏光方向或偏光形式的分開紫外光，或藉由照射光至在每個場域以一不同角度傾斜之該第一基材來執行。照射偏光紫外光的製程和照射紫外光至傾斜基材上的製程可分開、同時或循序執行。
在本發明之一實施例中，一一次對準分別在該第一基材和該第二基材上分開執行。
不過，本發明並未受限於此實施例，且亦可在耦合該第一和第二基材後，可照射光，以便執行該一次對準。在此，形成在該第一基材和該第二基材上的該對準基底材料可光對準，以便具有參照該第一基材之相同的預傾斜。
接下來，施加一電場(S300)。在該第一和第二基材彼此耦合後，施加該電場可使用一形成在每一該第一和第二基材上的電極執行。不同於此，一電壓可施加在兩電極之間，其中之一安裝在其外側上，且其另一個形成在該第一基材上，如果該第一基材形成為具有該像素電極和該共用電極兩者，該電壓可施加在該第一基材的該兩電極之間。所施加的該電壓可落在數伏特和數十伏特之間的任一電壓，且該電壓施加的持續時間可介於數秒和兩小時之間。不過，本實施例並未受限於上述範例。藉由施加該電場，混合在該對準基底材料中的該光聚合單體或寡聚物變為對該電場反應，以便光聚合單體或寡聚物可重新排列。
在施加該電場前，可將一溶劑加入該對準材料中。在一更詳細的範例中，當在其上形成該一次對準的對準材料之該第一基材和該第二基材彼此耦合之後，該溶劑可噴灑在該一次對準的對準材料上，或可注入該第一基材和該第二基材之間的間隔中。在將該溶劑加入該對準材料的實例中，該對準材料的黏度降低，以便該光聚合單體或寡聚物可藉由該電場有效地重新排列。在此，舉例來說，該溶劑可為丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)或一芳香族溶劑，例如，甲苯和二甲苯。在該光聚合單體或寡聚物藉由施加該電場而重新排列之後，或在該光聚合單體或寡聚物聚合之後，該溶劑可藉由執行一真空移除製程、一加熱製程或一風乾製程而移除。
接下來，藉由照射二次紫外光而形成一對準層(S400)。在施加該電壓的狀態下，該光聚合單體或寡聚物藉由照射紫外光而光聚合，以形成一調節器。在此，該調節器可根據該電場效應或根據該二次紫外光的偏光方向和照射角度排列，以便具有方位角和極角。
接下來，形成一液晶層(S500)。該液晶層可形成在該第一基材和該第二基材耦合之前或之後。引入液晶是藉由液滴法或真空注入法來執行。該液晶層可根據該對準層的預傾斜排列。
雖然本發明的本實施例以一在該第一基材上形成該對準層的範例敘述，亦可使該對準層形成在該第一基材和該第二基材兩者之上。
第14圖為循序說明一根據本發明之另一實施例之製造液晶顯示裝置之方法的流程圖。
參照第14圖，該根據本發明之一實施例之製造液晶顯示裝置的方法包含以下步驟：形成一與一光聚合單體或寡聚物混合的對準材料，並在一第一基材或一第二基材上形成一對準基底材料(S600)；形成一液晶層(S700)；以及藉由照射紫外光而形成一對準層(S800)。在一更詳細的範例中，形成該對準材料(S600)是藉由在該第一基材或該第二基材上形成該對準材料而實現。在此敘述中，本發明將以一在該第一基材上形成該對準材料的範例敘述，其中一薄膜電晶體陣列形成在該第一基材上。
該對準材料，如同第1圖的對準材料，為一與一對準基底材料和一光聚合單體或寡聚物混合的材料。在此，該對準基底材料可包含一聚合物組系的對準材料或一光對準材料。該對準材料可進一步包含一聚合起始劑。
接下來，形成一液晶層(S700)。該液晶層可在該第一基材和該第二基材耦合之前或之後形成，且引入液晶可藉由液滴法或真空注入法來執行。接著，在步驟S800中，藉由照射紫外光來光對準包含在該對準材料中之該對準基底材料而形成一對準基底層，在此同時，藉由聚合該光聚合單體或寡聚物而形成一調節器。
在一範例中，該對準層是藉由沿該第一方向照射紫外光至第1圖的該第一場域而形成，以便具有一預傾斜。在此，該對準層可包含一光對準對準基底層和一調節器，其包含複數個從該對準基底層延伸的分支。
在一更詳細的範例中，一具有沿一第一方向之方位角的對準層是藉由照射在該基材之該第一場域中沿該第一方向線性偏光的光而形成，該對準材料形成在該基材上，且另一具有沿一第二方向之方位角的對準層是藉由照射在該第二場域中沿該第二方向線性偏光的光而形成。
此外，在該基材以某一角度傾斜的狀態下，一第一對準層是藉由照射線性偏光的光至該第一場域而形成，接著在該基材以一不同角度傾斜的狀態下，一第二對準層是藉由照射線性偏光的光至該第二場域而形成。
雖然本發明以一在液晶層形成後不施加電壓的情況下藉由照光來形成對準層的範例敘述，亦可在施加電壓時藉由照光來形成對準層。
雖然本發明敘述多個場域作為參照第14圖之一範例，本發明並未受限於此範例，且亦可製造單一場域的液晶顯示裝置。
第15和16圖為說明根據第4至14圖所繪示之製造液晶顯示裝置之方法的任何一個所製造的液晶顯示裝置之每一像素之場域形式的平面圖。
第15圖顯示一具有四個場域的像素。每一場域以該像素的中心點劃分，以便具有一三角形分區。在此，形成在每一場域上的對準層在每一場域具有一不同的預傾斜。舉例來說，形成在一第一場域(D1)和一第二場域(D2)上的對準層具有彼此對稱的方位角。同樣地，形成在一第三場域(D3)和一第四場域(D4)上的對準層具有彼此對稱的方位角。同樣地，該第一場域(D1)和該第三場域(D3)的方位角彼此垂直。同樣地，該第二場域(D2)和該第四場域(D4)的方位角彼此垂直。
在此，形成在該第一至第四場域(D1至D4)的對準層可具有某一極角。舉例來說，形成在該第一至第四場域(D1至D4)之每一場域上的對準層可在每一場域具有一相同極角或一不同極角。
第16圖為簡要說明一劃分為12個場域的像素的平面圖。在第16圖中，一像素首先劃分為三個矩形場域，接著三個矩形場域的每一個再次劃分為四個三角形場域。
形成在一第一場域(D1)和一第二場域(D2)上的對準層可包含一對準基底層與一調節器，其具有彼此對稱之不同的方位角。如兩個場域成對地彼此對稱，其他場域以相同方式排列。形成在每一場域上的對準層具有一對稱的方位角。在此，每一場域的極角可不同。在此，方位角可沿四個方向形成，且具有相同方位角的場域可具有不同的極角。
第17圖為根據本發明之一實施例之液晶顯示裝置的平面圖，第18圖為第17圖所示之液晶顯示面板的放大橫剖面II-II’，且第19圖為簡要說明第17圖所示之液晶顯示裝置的概念圖。參照第17至19圖，根據本發明之一實施例的液晶顯示裝置包含第一基材100、第二基材200和液晶層300。在此，第一基材100為一薄膜電晶體基材，在其上形成一薄膜電晶體陣列，且第二基材200為一濾色器基材，在其上形成一濾色器陣列。
在一更詳細的範例中，第一基材100可包含第一絕緣基材1、一閘極線(GL)、一資料線(DL)、一薄膜電晶體(TFT)、像素電極50和第一對準層150。由於第一基材100與第1圖的液晶顯示裝置相同，冗餘的解釋因而省略。
第一對準層150形成在像素電極50的頂部之上。第一對準層150包含第一對準基底層151和第一調節器152。
第一對準基底層151可包含一聚合物組系材料或一光對準材料。
如參照第1圖所述，第一對準基底層151可包含一聚合物組系材料。在一更詳細的範例中，第一對準基底層151可包含聚醯胺酸、聚醯亞胺、尼龍和PVA(聚乙烯醇)的至少一個。第一對準基底層151亦可包含一選自由下列所構成之群組的材料：聚醯亞胺、聚醯胺酸、聚降冰片烯、苯基馬來醯亞胺共聚物、聚乙烯醇肉桂酸酯、聚偶氮苯、聚乙烯亞胺、聚乙烯醇、聚醯胺、聚乙烯、聚苯乙烯、聚伸苯酞醯胺、聚酯、聚胺酯、聚矽氧烷肉桂酸酯、纖維素肉桂酸酯和聚甲基丙烯酸甲酯。第一對準基底層151藉由照光至少一次而形成，並具有一根據光照射方向的預傾斜。在此，液晶層300的預傾斜可由第一對準基底層151的預傾斜決定。以此方式，液晶的對準穩定性可獲得改善。
例如紫外射線的光可用作光對準所使用的光，並可使用線性偏光、橢圓偏光或圓偏光的光。
第一調節器152形成為具有複數個從第一對準基底層151朝外側延伸的分支，以便具有一預傾斜。
第一調節器152藉由聚合一光聚合單體或寡聚物而形成。舉例來說，一反應液晶原(RM)，由Norland股份有限公司製造的NOA系列，等可用於第一調節器152。
第二基材200可包含第二絕緣基材201、黑色矩陣210、濾色器220、平形層230、共用電極240和第二對準層250。在此，由於第二基材200的第二絕緣基材201、黑色矩陣210、濾色器220、平形層230和共用電極240和第1圖的那些部件相同，因而省略冗餘的敘述。
第二對準層250形成在共用電極240之上。第二對準層250可包含第二對準基底層251和第二對準控制層252。如同第一對準基底層151，第二對準基底層251可以一聚合物組系的聚合物材料或光對準材料形成。如同第一調節器152，第二調節器252藉由光聚合光聚合單體或寡聚物而形成。
液晶層300包含具有介電異向性的液晶，且液晶是藉由對準基底層151的對準力沿一平行基材100和200的方向排列。接著，由於將一左旋或右旋的對掌性摻雜物加入液晶層300中，液晶層300扭曲為螺旋形。不過，本發明並未受限於此實施例，當明白可不加入對掌性摻雜物至液晶層300中。
如第19圖所繪示的範例，第一場域(D1)的第一調節器152和第二調節器252形成為具有彼此垂直的方位角。同樣地，第一調節器152和第二調節器252在第二場域(D2)中的方位角亦彼此垂直。以此配置，當液晶層300形成在兩基材100和200之間時，第一場域(D1)和第二場域(D2)中的液晶對準，順時針或逆時針旋轉90度。
第二調節器252之方位角的改變可根據液晶顯示裝置的模式變化。那就是說，第二調節器252的方位角可形成在離第一調節器152的方位角0°和360°之間的任一點。
第20圖為說明液晶顯示裝置之液晶響應速度的圖，在該液晶顯示裝置上藉由摩擦法形成一對準層，且第21圖為根據第17至19圖所繪示之本發明之一實施例之說明液晶顯示裝置之液晶響應速度的圖。
根據本發明之一實施例之一模式液晶顯示裝置的對準層是以一序列製造，其中一包含一光聚合單體或寡聚物的對準材料形成在該第一和第二基材上；照光至以30度角傾斜的基材上；施加10V電壓至該第一和第二電極；以及接著再次照光達15至30分鐘。
如第20和21圖所繪示，在於像素電極和共用電極間施加約6.5V之電壓的實例中，結果顯示根據本發明之一實施例的液晶顯示裝置顯示類似藉由摩擦法形成對準層之實例中的響應速度。
如上述，根據本發明之一實施例，液晶的響應速度可在未於像素電極上形成一場域劃分裝置的情況下改善，且亦可改善視角。
同時，根據本發明之一實施例的液晶顯示裝置可包含一像素電極及/或一共用電極，在其上形成一場域劃分裝置。
第22圖為根據本發明之一實施例之PVA液晶顯示裝置的平面圖，且第23圖為第22圖所示之液晶顯示面板的放大橫剖面III-III’。
與第1圖所繪示的範例相比，除了在像素電極和共用電極中形成一切除部分外，第22和23圖所繪示的範例包含上述部件。因此，將省略冗餘的解釋。
參照第22和23圖，根據本發明之一實施例的液晶顯示面板包含薄膜電晶體基材100、濾色器基材200和液晶層300。在此，液晶層300包含具有介電異向性的液晶。
像素電極50連接至薄膜電晶體的汲極電極40。一場域劃分裝置形成在像素電極50之上。可使用一切除部分或突出部分作為場域劃分裝置。
第一切除部分401和402包含水平切除部分402，其水平形成在水平劃分像素電極50的位置；以及傾斜切除部分401，其各自沿一傾斜方向形成在劃分的像素電極50之一之中。在此，水平切除部分402以一形狀形成，其中水平切除部分402從像素電極50的右側朝其左側內縮，且入口寬廣而對稱地延伸。
像素電極50藉由放置在頂部分區和底部分區之間的水平切除部分402而實體對稱。在此，在頂部和底部分區中的傾斜切除部分401彼此垂直，以便邊緣電場的方向可沿四個方向展開。
濾色器基材200包含在其上形成一場域劃分裝置的共用電極240。形成在共用電極240上的場域劃分裝置可為切除部分和突出部分之一。在第22圖中，本發明以一在其中形成第二切除部分501和502作為場域劃分裝置的範例敘述。
第二切除部分501和502作用如第一切除部分401和402之間的場域劃分裝置。第二切除部分501和502以與第一切除部分之傾斜切除部分401交替的方式形成。第二切除部分501和502亦包含一與像素電極50之一側重疊的末端部分。在此，該末端部分可包含一垂直末端部分和一水平末端部分。
就此，像素區場域透過第一和第二切除部分401、402、501和502劃分為一第一場域、一第二場域、一第三場域和一第八場域(D1至D8)。
形成在每一場域上的第一和第二對準層150和250可具有與第1或3圖所述之對準層相同的預傾斜方向。此外，第一和第二對準層150和250可具有與第1或3圖所述之對準層相同的極角。參照第22圖，第一分區(A1)具有形成在其中的第一至第四場域(D1至D4)，且第二分區(A2)具有第五至第八場域(D5至D8)。在此，各自形成在第一至第八場域(D1至D8)上的第一和第二對準層彼此具有不同的預傾斜方向。
同時，各自形成在第一至第四場域(D1至D4)上之第一和第二對準層的預傾斜方向可與各自形成在第五至第八場域(D5至D8)上的第一和第二對準層相同。在一範例中，分別形成在第一場域(D1)和第五場域(D5)上的第一和第二對準層兩者可具有相同的預傾斜方向。同樣地，分別形成在第二場域(D2)和第六場域(D6)、第三場域(D3)和第七場域(D7)、第四場域(D4)和第八場域(D8)上的第一和第二對準層兩者可具有相同的預傾斜方向。
同時，根據本發明之一實施例之PVA液晶顯示裝置可具有複數個形成在像素電極上的圖案，如第24至29圖所繪示。在此，該圖案是用於劃分場域。
如第24圖所繪示的範例，像素電極50可包含複數個矩形切除部分404。
在此，切除部分404將像素電極50劃分為複數個三角形分區，且複數個三角形分區透過連接單元403和405彼此連接。在一更詳細的解釋中，切除部分404包含一第一切除部分，其從像素電極50之一邊界線沿一方向傾斜；以及一第二切除部分，其垂直或平行像素電極50的邊界線。與平行像素電極50之邊界線中之資料線的一部分垂直的第二切除部分將像素電極50劃分為三個分區。第一切除部分將以第二切除部分劃分的三個分區各自劃分為四個三角形分區。在不同圖案中可變化連接單元403和405。在一範例中，連接單元403和405是沿著像素電極50的邊界線配置。
就此，當配置切除部分404時，切除部分404致能一當在像素電極50和共用電極間施加電壓時所形成的電場具有一水平分量，且因此液晶分子可藉由電場排列。為了安排液晶分子，需要某一時間量。這是因為液晶分子執行一兩步驟操作。那就是說，液晶分子首先沿一垂直切除部分404的方向排列，接著由於先前發生的分子間碰撞緩和而使其再次排列。不過，在本實施例中，調節器是在液晶分子藉由電場預先排列之後形成，且因此調節器具有一根據液晶分子之最終排列狀態的預傾斜。結果，當施加電場時，液晶分子並未執行兩步驟操作，並立即位於最終排列狀態，從而縮短液晶的響應速度。
第24至29圖顯示可形成在像素電極50中之不同形式的切除部分。根據本發明之一實施例的液晶顯示裝置可包含一在其中形成一不同形式之切除部分的像素電極。
雖然本發明以一在其中揭示具有形成在其中之切除部分之PVA液晶顯示裝置的範例敘述，亦可使一突出部分而非切除部分形成在第一基材和第二基材的任一者之上。那就是說，一多場域液晶顯示裝置可藉由形成一突出部分取代在第24至29圖所繪示之範例中形成的切除部分來實現。
第30圖為IPS(平面切換)模式之液晶顯示裝置的平面圖，且第31圖為第30圖所示之液晶顯示裝置的放大橫剖面V-V’。本實施例是以一在其中使用一具有多個場域的液晶顯示裝置作為IPS模式液晶顯示裝置的範例敘述。
根據本發明之一實施例的IPS模式液晶顯示裝置包含第一基材100和面對第一基材100的第二基材200。在此，第一基材100包含至少一個第一線性電極81和至少一個與第一線性電極81以交替方式形成的第二線性電極82。在此，第一線性電極81連接至像素電極40，且第二線性電極82連接至共用電極140。像素電極40透過一接觸孔等連接至第一線性電極81。在此，第一對準層150形成在第一基材100之上，且第二對準層250形成在第二基材200之上。同樣地，液晶層300形成在第一基材100和第二基材200之間。每一對準層可具有不同的預傾斜，亦即，不同的方位角和不同的極角。每一對準層亦可包含一光對準對準基底層和一調節器，其包含複數個具有從該對準基底層內側延伸之預傾斜的分支。根據本發明之一實施例的IPS模式液晶顯示裝置可包含複數個場域。因此，每一場域的液晶具有不同的排列方向。在一更詳細的範例中，一第一場域(D1)和一第二場域(D2)藉由一將像素劃分為兩個分區的中心線(實線)分別定義為一上部分區和一下部分區。如第31圖所繪示的範例，形成在第一場域(D1)上的第一對準層150和第二對準層250，以便具有離第一基材100相同的預傾斜。那就是說，在第一場域(D1)中，第二對準基底層251具有與第一對準基底層151相同的方位角。同樣地，第二調節器252具有與第一調節器152相同的方位角。
第二場域(D2)的第一對準層150和第二對準層250具有與第一場域(D1)那些不同的預傾斜。在一範例中，形成在第一場域和第二場域上的對準層可具有從中心線(實線)彼此對稱的不同預傾斜。
在第30和31圖中，敘述一具有水平劃分為兩個場域之像素區場域的液晶顯示裝置作為一範例。不過，可使像素區場域垂直劃分為兩個場域。此外，根據本發明之一實施例的IPS模式液晶顯示裝置可形成為具有四或多個場域。
雖然本發明以IPS模式液晶顯示裝置作為一範例來敘述，本發明可同樣應用至類似IPS模式液晶顯示裝置的FFS(邊緣電場切換)模式液晶顯示裝置。
第32圖為根據本發明之一實施例之ASV(超廣視野)液晶顯示裝置的平面圖，且第33圖為第32圖所示之液晶顯示面板的放大橫剖面III-III’。
參照第32和33圖，ASV液晶顯示裝置包含第一基材100、第二基材200和液晶層300。
在一更詳細的範例中，第一基材100可包含第一絕緣基材1、一薄膜電晶體(TFT)、像素電極50和第一對準層150。
由於第一絕緣基材1、薄膜電晶體(TFT)、像素電極50和第一對準層150和第1圖的那些部件相同，冗餘的敘述因而省略。
第一對準層150包含第一對準基底層151和第一調節器152。
第一對準基底層151包含一聚合物組系材料或一光對準材料，並可以一選自第1圖所敘述之材料群組的材料製成。第一對準基底層151朝第二基材200的有機材料突出部分450傾斜。
第一調節器152藉由光聚合該光聚合單體或寡聚物而形成。在此，第一調節器152沿一平行第二基材200之有機材料突出部分450的方向形成。
第二基材200包含第二絕緣基材201、黑色矩陣210、濾色器220、平形層230、有機材料突出部分450和共用電極240。在此，由於第二絕緣基材201、黑色矩陣210、濾色器220、平形層230和共用電極240與第1圖的那些部件相同，因而省略冗餘的敘述。
有機材料突出部分450形成在平形層230之上，且針對每一像素可形成至少一個有機材料突出部分。在此，有機材料突出部分450可以圓形、正方形、卵形等形狀形成。
共用電極240形成在平形層230和有機材料突出部分450之上。
第二對準層250形成在共用電極240之上。第二對準層250可包含第二對準基底層251和第二對準控制層252。
第二對準基底層251以一聚合物組系材料或一光對準材料製成，並藉由有機材料突出部分450從一突出區場域朝外側傾斜。如同第二對準基底層251，第二調節器252亦藉由有機材料突出部分450從一突出區場域朝外側傾斜。
在此，液晶層300的初始對準是由第一對準層150和第二對準層250決定。
雖然本發明以一在其中針對每一像素形成一個有機材料突出部分450的範例敘述，亦可形成複數個有機材料突出部分450。
如第32圖所繪示的範例，像素電極50可包含一劃分為數個分區的子像素電極。每一子像素電極可形成為具有至少一個有機材料突出部分450。
雖然本發明以一在其中於像素電極50的中心形成有機材料突出部分450的範例敘述，當明白本發明並未受限於此範例，且亦可在像素電極50中形成一切除部分而非突出部分450。此外，本發明亦可藉由環繞像素電極50形成一分隔壁而實現一ASV模式液晶顯示裝置。
第34圖顯示一OCB(光學補償彎曲)模式液晶顯示裝置的實施例。
參照第34圖，OCB模式液晶顯示裝置包含第一基材100、第二基材200和液晶層300。
在一更詳細的範例中，第一基材100可包含第一絕緣基材1、一閘極線(GL)、一資料線(DL)、一薄膜電晶體(TFT)、像素電極50和第一對準層150。由於第一絕緣基材1、閘極線(GL)、資料線(DL)、薄膜電晶體(TFT)和像素電極50與第1圖之液晶顯示裝置的那些相同，將省略冗餘的解釋。
第一對準層150包含第一對準基底層151和第一調節器152。
第一對準基底層151藉由光聚合一聚合物組系材料或一光對準材料而形成。第一調節器152藉由光聚合一光聚合單體或寡聚物而形成。
第二基材200包含第二絕緣基材201、黑色矩陣210、濾色器220、平形層230、共用電極240和第二對準層250。由於第二基材200的第二絕緣基材201、黑色矩陣210、濾色器220、平形層230和共用電極240和第1圖的那些部件相同，因而省略冗餘的敘述。
第二基材250包含第二對準基底層251和第二調節器252。
第二對準基底層251藉由光對準一聚合物組系材料或一光對準材料而形成。第二調節器252藉由光聚合該光聚合單體或寡聚物而形成。
形成具有與第一對準層150不同之預傾斜的第二對準層250。舉例來說，第二對準層250具有一對稱第一對準層150離液晶層300之方位角的方向。舉例來說，第一調節器152和第二調節器252具有從液晶層300彼此對稱的方位角。在此，第一調節器152和第二調節器252可具有相同的極角。然而，根據液晶顯示裝置，其可具有不同的極角。
如第34圖所繪示的範例，根據本發明之一實施例的OCB模式液晶顯示裝置可以多個場域實現。那就是說，OCB模式液晶顯示裝置的每一像素區場域可劃分為複數 個場域。在此，形成在第一場域(D1)和第二場域(D2)上的對準層可具有彼此不同的預傾斜。同樣地，形成在第三場域(D3)和第四場域(D4)上的對準層可具有彼此不同的預傾斜。
第34圖所繪示的OCB模式液晶顯示裝置可透過第4至14圖所繪示之製造液晶顯示裝置之方法的任何一種製造。
第35圖顯示一ECB(電控雙折射)模式液晶顯示裝置。
參照第35圖，ECB模式液晶顯示裝置包含第一基材100、第二基材200和液晶層300。
第一對準層150形成在第一基材100之上，且第二對準層250形成在第二基材200之上。
第一基材100為一在其上形成一薄膜電晶體陣列的基材，且第二基材200為一在其上形成一濾色器陣列的基材。第一基材100和第二基材200與第1至3圖所繪示之液晶顯示裝置的那些相同，因此將省略冗餘的解釋。
第一對準層150包含第一對準基底層151和第一調節器152。第一對準基底層151以一聚合物組系的對準基底材料或一光對準材料製成。第一調節器152藉由光聚合該光聚合單體或寡聚物而形成。
第二對準層250包含第二對準基底層251和第二調節器252。第二對準基底層251以一聚合物組系的對準基底材料或一光對準材料製成。第二調節器252藉由光聚合該光聚合單體或寡聚物而形成。
第一對準層150和第二對準層250之部件的詳細敘述與第1圖相同，因此將省略冗餘的解釋。
形成具有與第一對準層150相同之預傾斜的第二對準層250。舉例來說，第二對準層250具有一平行第一對準層150之方位角的方向。在此，第一調節器152和第二調節器252可具有相同極角。然而，根據液晶顯示裝置，其可具有不同的極角。
第一調節器152和第二調節器252各自以某一角度傾斜，以便具有一極角。液晶顯示裝置的製造可透過第4至14圖所繪示之製造液晶顯示裝置之方法的任何一種來執行。
在第35圖中，第一場域(D1)和第二場域(D2)中的第一對準層150和第二對準層250是沿一對每一場域對稱的方向形成。此外，第三場域(D3)和第四場域(D4)中的第一對準層150和第二對準層250是沿一對每一場域對稱的方向形成。
在第35圖中，敘述一實現多個場域的範例。不過，本發明並未受限於此範例，且亦可實現單一場域。
第36圖為根據本發明之一實施例之液晶顯示裝置的平面圖，且第37和38圖為第36圖所示之液晶顯示裝置的放大橫剖面。
根據本發明之一實施例的液晶顯示裝置將以一TN模式液晶顯示裝置作為一範例敘述。除了對準層對每一像素群具有不同預傾斜之外，第35至37圖所繪示的範例 具有相同部件，如其他實施例的那些一般。因此，省略部件(例如，薄膜電晶體基材、濾色器基材和液晶)的冗餘解釋。
參照第36和37圖，根據本發明之一實施例的液晶顯示裝置包含第一像素群500和第二像素群600。
第一像素群500包含紅(R)、綠(G)和藍(B)的子像素。第二像素群600包含與第一像素群500接觸之紅(R)、綠(G)和藍(B)的子像素。第一像素群500和第二像素群600可以馬賽克形狀形成。
第一像素群500包含一第一對準層和一第二對準層。第一對準層包含第一對準基底層151a和第一調節器152a，且第二對準層包含第二對準基底層251a和第二調節器252a。在此，第一對準基底層151a和第一調節器152a形成在第一基材100之上，且第二對準基底層251a和第二調節器252a形成在第二基材200之上。
第一和第二對準基底層151a和251a是以一聚合物組系材料或一光對準材料製成。第一和第二調節器152a和252a是藉由光聚合該光聚合單體或寡聚物而形成。對準層的組成材料與第1圖相同，因此將省略冗餘的解釋。
在此敘述中，如第37圖所繪示，形成在第一像素群500中之第一調節器152a的方位角和第二調節器252a的方位角彼此垂直。如第38圖所繪示的範例，第一調節器152a的方位角和第二調節器252a的方位角彼此平行。不過，本發明並未受限於這些範例，且方位角可形 成在0°和360°之間的任一角度。同樣地，第一調節器152a和第二調節器252a具有一極角。舉例來說，極角可決定在0°和180°之間的任一角度。
第二像素群600包含第三和第四對準基底層151b和251b與第三和第四調節器152b和252b。在此，第三對準基底層151b和第三調節器152b形成在第一基材100之上，且第四對準基底層251b和第四調節器252b形成在第二基材200之上
第三和第四對準基底層151b和251b是以一聚合物組系材料或一光對準材料製成。第三和第四調節器152b和252b是藉由光聚合該光聚合單體或寡聚物而形成。
第三調節器152b和第四調節器252b可形成為具有不同的方位角。如第37圖所繪示的範例，第三調節器152b的方位角和第四調節器252b的方位角彼此垂直。同樣地，如第38圖所繪示的範例，第三調節器152b的方位角和第四調節器252b的方位角彼此平行。不過，本發明並未受限於這些範例，且第三調節器152b的方位角和第四調節器252b的方位角可形成在0°和360°之間的任一角度。同樣地，第三調節器152b的極角和第四調節器252b的極角可形成在0°和180°之間的任一角度。
如第38圖所繪示的範例，形成在第一像素群500和第二像素群600上的對準層具有與鄰接像素群不同之彼此對稱的方位角。此外，形成在第一像素群500和第二像素群600上的對準層可具有相同的方位角，但其極角可 彼此不同。
與第36圖所繪示的液晶顯示裝置相比，除了第一像素群500和第二像素群600在一列中交替排列之外，第39圖的液晶顯示裝置包含上述部件。那就是說，第一和第二像素群500和600可沿垂直方向連續形成。
與第36圖所繪示的液晶顯示裝置相比，除了第一像素群500和第二像素群600在一行中交替排列之外，第40圖的液晶顯示裝置包含上述部件。那就是說，第一和第二像素群500和600可沿水平方向連續形成。
參照第36至40圖，本發明是以一在其中第一像素群500包含紅(R)、綠(G)和藍(B)三個子像素的範例敘述。不過，本發明並未受限於此範例，且亦可使第一像素群由兩個子像素構成。
雖然在第36至40圖中未繪示，第一像素群500和第二像素群600可以馬賽克形狀形成。
第36至40圖所繪示的液晶顯示裝置可根據第4至14圖所繪示之製造液晶顯示裝置之方法的任何一種來製造。
如第36至40圖所繪示的液晶顯示裝置，可使用一TN模式液晶顯示裝置或一VA模式液晶顯示裝置。亦可將第36至40圖所繪示的液晶顯示裝置應用至其他模式的液晶顯示裝置，例如，IPS、OCB、ECB和ASV。
雖然本發明以一在其中上述對準材料包含對準基底材料和光聚合單體或寡聚物的範例敘述，亦可使對準材料 僅包含光聚合單體或寡聚物。在此，對準層可包含聚合的光聚合單體或寡聚物。在此，對準層的預傾斜可藉由根據材料之液晶排列、光的輻射角度(基材的梯度)、偏光方向或偏光狀態、光的輻射強度等控制。
雖然本發明以一在其中上述液晶層包含具有介電異向性之液晶的範例敘述，亦可使液晶層包含光聚合單體或寡聚物。
雖然本發明之精神已參照特定實施例詳細敘述，該實施例僅用於說明目的而不應限制本發明。須了解那些熟悉此技術者可在不偏離本發明之範圍及精神的情況下變化或修改那些實施例。
1．．．第一絕緣基材
5．．．閘極電極
11．．．閘極絕緣層
12．．．半導體層
13．．．歐姆接觸層
30．．．源極電極
40．．．汲極電極
45．．．鈍化層
46．．．接觸孔
50．．．像素電極
81．．．第一線性電極
82．．．第二線性電極
100．．．薄膜電晶體基材
121a．．．第一閘極線
121b．．．第二閘極線
124a．．．第一閘極電極
124b．．．第二閘極電極
140．．．共用電極
150．．．第一對準層
151．．．第一對準基底層
151a．．．第一對準基底層
151b．．．第三對準基底層
152．．．第一調節器
152a．．．第一調節器
152b．．．第三調節器
160．．．對準材料
173a．．．第一源極電極
173b．．．第二源極電極
175a．．．第一汲極電極
175b．．．第二汲極電極
185a．．．接觸孔
185b．．．接觸孔
190a．．．第一子像素電極
190b．．．第二子像素電極
200．．．濾色器基材
201．．．第二絕緣基材
210．．．黑色矩陣
220．．．濾色器
230．．．平形層
240．．．共用電極
250．．．第二對準層
251．．．第二對準基底層
251a．．．第二對準基底層
251b．．．第四對準基底層
252．．．第二調節器
252a．．．第二調節器
252b．．．第四調節器
300．．．液晶層
401．．．切除部分
402．．．切除部分
403．．．連接單元
404．．．切除部分
405．．．連接單元
450．．．有機材料突出部分
500．．．第一像素群
501．．．切除部分
502．．．切除部分
600．．．光罩/第二像素群
A1．．．第一分區
A2．．．第二分區
D1．．．第一場域
D2．．．第二場域
D3．．．第三場域
D4．．．第四場域
D5．．．第五場域
D6‧‧‧第六場域
D7‧‧‧第七場域
D8‧‧‧第八場域
GL‧‧‧閘極線
DL‧‧‧資料線
S10‧‧‧步驟
S20‧‧‧步驟
S30‧‧‧步驟
S100‧‧‧步驟
S200‧‧‧步驟
S300‧‧‧步驟
S400‧‧‧步驟
S500‧‧‧步驟
S600‧‧‧步驟
S700‧‧‧步驟
S800‧‧‧步驟
TFT‧‧‧薄膜電晶體
θ‧‧‧第一角度
第1圖為根據本發明之一實施例之液晶顯示面板的平面圖。
第2圖為第1圖所示之液晶顯示面板的放大橫剖面II-II’。
第3圖為根據本發明之一實施例之液晶顯示裝置的平面圖。
第4圖為說明一根據本發明之一實施例之製造液晶顯示裝置之方法的流程圖。
第5至9圖顯示第4圖所示之製造液晶顯示裝置之方法的製程流程。
第10圖為說明一根據本發明之另一實施例之製造液晶顯示裝置之方法的流程圖。
第11和12圖顯示第10圖所示之製造液晶顯示裝置之方法的製程流程。
第13圖為說明一根據本發明之一實施例之製造液晶顯示裝置的方法流程圖。
第14圖為循序說明一根據本發明之另一實施例之製造液晶顯示裝置之方法的流程圖。
第15和16圖為說明根據第4至14圖所述之製造液晶顯示裝置之方法的任何一個所製造的液晶顯示裝置之每一像素之場域形式的平面圖。
第16圖為簡要說明一劃分為12個場域的像素的平面圖。
第17圖為根據本發明之一實施例之液晶顯示裝置的平面圖。
第18圖為第17圖所示之液晶顯示面板的放大橫剖面II-II’。
第19圖為簡要說明第17圖所示之液晶顯示裝置的示意圖。
第20圖為說明液晶顯示裝置之液晶響應速度的圖，在該液晶顯示裝置上藉由摩擦法形成一對準層。
第21圖為根據第17至19圖所繪示之本發明之一實施例之說明液晶顯示裝置之液晶響應速度的圖。
第22圖為根據本發明之一實施例之PVA液晶顯示裝 置的平面圖。
第23圖為第22圖所示之液晶顯示面板的放大橫剖面III-III’。
第24至29圖為說明形成在像素電極中之不同形式之切除部分的平面圖。
第30圖為IPS(平面內切換)模式之液晶顯示裝置的平面圖。
第31圖為第30圖所示之液晶顯示裝置的放大橫剖面V-V’。
第32圖為根據本發明之一實施例之ASV(超廣視野)液晶顯示裝置的平面圖。
第33圖為第32圖所示之液晶顯示面板的放大橫剖面III-III’。
第34圖顯示根據本發明之一實施例之OCB(光學補償彎曲)模式之液晶顯示裝置的範例。
第35圖顯示一ECB(電控雙折射)模式液晶顯示裝置。
第36圖為根據本發明之一實施例之液晶顯示裝置的平面圖。
第37和38圖為第35圖所示之液晶顯示裝置的放大橫剖面。
第39和40圖顯示第36圖所示之液晶顯示裝置的不同範例。
5．．．閘極電極
30．．．源極電極
40．．．汲極電極
50．．．像素電極
D1．．．第一場域
D2．．．第二場域
D3．．．第三場域
D4．．．第四場域
D5．．．第五場域
D6．．．第六場域
D7．．．第七場域
D8．．．第八場域
GL．．．閘極線
TFT．．．薄膜電晶體

Claims (73)

  1. 一種液晶顯示裝置，其包含：第一基材，其具有形成在其上之第一電極；第二基材，其面對該第一基材；液晶層，其形成在該第一基材和該第二基材之間；及第一對準層，其形成在該第一基材之上，並與該液晶層接觸，其中該第一對準層包括相對於一點對稱之第一部份及第二部份，該第一部份具有第一預傾斜，該第二部份具有第二預傾斜，該第一預傾斜和第二預傾斜係相對於該點對稱；及其中該第一對準層包含：第一對準基底層，其經過光對準；及第一對準控制層，其包括從該第一對準基底層延伸的部件。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中該第一對準控制層是藉由聚合一光聚合單體或寡聚物而形成。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之液晶顯示裝置，其中該光聚合單體或寡聚物包含一反應液晶原。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之液晶顯示裝置，其中該反應液晶原以下列化學式表示：P1-A1-(Z1-A2)n-P2， 其中，P1和P2獨立選自丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、乙烯基、乙烯氧基和環氧基；A1和A2獨立選自1,4-伸苯基(1,4-phenylene group)和萘-2,6-二基(naphthalene-2,6-diyl group)；Z1為COO-、OCO-和單鍵的任一個；及n為0、1和2的任一個。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中該第一對準基底層是以聚醯胺酸、聚醯亞胺、卵磷脂、尼龍和PVA(聚乙烯醇)的至少一個製成。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中該第一對準基底層包含一光對準材料。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之液晶顯示裝置，其中該光對準材料為一對一光硬化反應、一光分解反應、一光聚合反應和一光致異構化反應的任何一個起反應的材料。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之液晶顯示裝置，其中該光對準材料包含聚醯亞胺、聚醯胺酸、聚降冰片烯(polynorbornene)、苯基馬來醯亞胺共聚物(phenymaleimide copolymers)、聚乙烯醇肉桂酸酯(polyvinylcinnamate)、聚偶氮苯(polyazobenzene)、聚乙烯亞胺、聚乙烯醇、聚醯胺、聚乙烯、聚苯乙烯、聚伸苯酞醯胺(polyphenylenephthalamide)、聚酯、聚胺酯、聚矽氧烷肉桂酸酯(polysiloxanecinnamate)、纖維素肉桂酸酯(cellulosecinnamate)和聚甲基丙烯酸甲酯的至少一個。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中該第一對準層進一步包含鄰接於該第一部份和該第二部份每一者之第三部份，其中該第三部份具有第三預傾斜，且其中在該第一部份和該第三部份之間的邊界係在相對於該液晶顯示裝置之矩形像素邊緣的銳角。
  10. 如申請專利範圍第1至9項之任何一項所述之液晶顯示裝置，其進一步包含一形成在該第二基材上的第二對準層。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之液晶顯示裝置，其中該第二對準層包含：一第二對準基底層；及一第二調節器，其從該第二對準基底層的內側延伸。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之液晶顯示裝置，其中該第二對準層具有一預傾斜。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之液晶顯示裝置，其中該第二對準層具有一介於離該第一對準層之一方位角0°和360°之間的預傾斜。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之液晶顯示裝置，其中該第二調節器是藉由聚合一光聚合單體或寡聚物而形成。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之液晶顯示裝置，其中該第二調節器是藉由光聚合一反應液晶原而形成。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之液晶顯示裝置，其中該反應液晶原以下列化學式表示： P1-A1-(Z1-A2)n-P2，其中，P1和P2獨立選自丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、乙烯基、乙烯氧基和環氧基；A1和A2獨立選自1,4-伸苯基和萘-2,6-二基；Z1為COO-、OCO-和單鍵的任一個；及n為0、1和2的任一個。
  17. 如申請專利範圍第11項所述之液晶顯示裝置，其中該第二對準基底層是以聚醯胺酸、聚醯亞胺、卵磷脂、尼龍和PVA(聚乙烯醇)的至少一個製成。
  18. 如申請專利範圍第11項所述之液晶顯示裝置，其中該第二對準基底層包含一光對準材料。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之液晶顯示裝置，其中該光對準材料為一對一光硬化反應、一光分解反應、一光聚合反應和一光致異構化反應的任何一個起反應的材料。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之液晶顯示裝置，其中該光對準材料包含聚醯亞胺、聚醯胺酸、聚降冰片烯、苯基馬來醯亞胺共聚物、聚乙烯醇肉桂酸酯、聚偶氮苯、聚乙烯亞胺、聚乙烯醇、聚醯胺、聚乙烯、聚苯乙烯、聚伸苯酞醯胺、聚酯、聚胺酯、聚矽氧烷肉桂酸酯、纖維素肉桂酸酯和聚甲基丙烯酸甲酯的至少一個。
  21. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其包含一形成在該第一基材或該第二基材之上的第二電極。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之液晶顯示裝置，其中該第一基材或該第二基材進一步包含一用於劃分一場 域的場域劃分裝置。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之液晶顯示裝置，其中該場域劃分裝置為一切除部分或一有機材料突出部分。
  24. 如申請專利範圍第21項所述之液晶顯示裝置，其中該第一電極和該第二電極形成在該第一基材之上，且為線性電極，該第一電極和該第二電極是以一交替方式形成，一絕緣層插入在該第一電極和該第二電極之間。
  25. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中該液晶顯示裝置根據該第一對準層之一預傾斜劃分為n個場域。
  26. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中該第一部份和第二部份之任一者為三角形。
  27. 如申請專利範圍第25項所述之液晶顯示裝置，其中該液晶顯示裝置包含n個像素群，且每一該n個像素群包含至少一個子像素，而每一該n個場域包含n個像素群。
  28. 如申請專利範圍第27項所述之液晶顯示裝置，其中該n個像素群在一列中交替排列。
  29. 如申請專利範圍第27項所述之液晶顯示裝置，其中該n個像素群在一行中交替排列。
  30. 如申請專利範圍第27項所述之液晶顯示裝置，其中該n個像素群以一馬賽克形狀形成。
  31. 一種製造一液晶顯示裝置的方法，其包含以下步 驟：(a)在第一基材及第二基材之至少一者上形成一對準材料，該對準材料與對準基底材料和光聚合單體或寡聚物混合；及(b)藉由照光至該第一基材及該第二基材之至少一者上而形成第一對準層及第二對準層之至少一者，其中該第一對準層及該第二對準層之至少一者包含：對準基底層，其藉由光對準該對準材料而形成；及對準控制層，其從該對準基底層延伸，並藉由光聚合該光聚合單體或寡聚物而形成，其中該藉由照光至該第一基材及該第二基材之至少一者上的步驟包括施加電壓至形成在該第一基材和第二基材上之第一電極和第二電極之間而進行，使得在該第一對準層之對準控制層形成根據該第一電極和該第二電極之間的電場的預傾斜狀態；且其中無論施加的電場，該在預傾斜狀態的對準控制層相對於對準基底層的傾斜是固定的。
  32. 如申請專利範圍第31項所述之方法，在該步驟(b)之後，其包含以下步驟：在該第一基材及/或該第二基材上形成一液晶層。
  33. 如申請專利範圍第32項所述之方法，在該步驟(a)之後或在該液晶層形成之前或後，其包含以下步驟：使 該第一基材和該第二基材彼此耦合。
  34. 如申請專利範圍第31項所述之方法，在該步驟(b)之後，其包含以下步驟：使該第一基材和該第二基材彼此耦合；及在該第一基材和該第二基材之間形成一液晶層。
  35. 如申請專利範圍第34項所述之方法，在使該第一基材和該第二基材耦合之後，其包含以下步驟：施加一電場至一位於該第一基材和該第二基材之間的間隔。
  36. 如申請專利範圍第31項所述之方法，其中，在該步驟(b)中，該光為線性偏光、橢圓偏光或圓偏光。
  37. 如申請專利範圍第31項所述之方法，其中該步驟(b)包含以下步驟：藉由照射在每一場域具有一不同偏光方向之分開的光而允許該對準層之一方位角在每一場域不同。
  38. 如申請專利範圍第31項所述之方法，其中該步驟(b)是藉由以某一角度傾斜在其上形成該對準材料的該基材而執行。
  39. 如申請專利範圍第37或38項所述之方法，其中，在該步驟(b)中，在其上形成該第一對準材料的該基材是以一對每一場域具有至少兩個分開度數的角度傾斜。
  40. 如申請專利範圍第39項所述之方法，其中該步驟(b)進一步包含以下步驟：使用一光罩遮蓋至少一個場域。
  41. 如申請專利範圍第31項所述之方法，該對準控制層藉由光聚合一反應液晶原而形成。
  42. 如申請專利範圍第41項所述之方法，其中該反應液晶原以下列化學式表示：P1-A1-(Z1-A2)n-P2，其中，P1和P2獨立選自丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、乙烯基、乙烯氧基和環氧基；A1和A2獨立選自1,4-伸苯基和萘-2,6-二基；Z1為COO-、OCO-和單鍵的任一個；及n為0、1和2的任一個。
  43. 如申請專利範圍第31項所述之方法，其中該對準材料包含一光對準材料，其對一光硬化反應、一光分解反應、一光聚合反應和一光致異構化反應的任何一個起反應。
  44. 如申請專利範圍第43項所述之方法，其中該光對準材料以一選自由下列所構成之群組的聚合物材料製成：聚醯亞胺、聚醯胺酸、聚降冰片烯、苯基馬來醯亞胺共聚物、聚乙烯醇肉桂酸酯、聚偶氮苯、聚乙烯亞胺、聚乙烯醇、聚醯胺、聚乙烯、聚苯乙烯、聚伸苯酞醯胺、聚酯、聚胺酯、和聚甲基丙烯酸甲酯。
  45. 如申請專利範圍第31項所述之液晶顯示裝置，其中該對準材料進一步包含一聚合起始劑。
  46. 如申請專利範圍第45項所述之方法，其中該聚合起始劑包含過氧化丁酮(methyl ethyl ketone peroxide)、過氧化苯(benzoyl peroxide)、異丙苯基過氧化氫(cumene hydroperoxide)、辛過氧酸-1,1-二甲基乙基酯(t-butyl peroctoate)、過氧化二異丙苯(dicumyl peroxide)、苯甲 醯烷乙醚組系(benzoyl alkyl ether series)、乙醯苯組系(acetoptenone series)、二苯甲酮組系(benzophenone series)、氧二苯甲酮組系(xanthone series)、安息香醚組系(benzoin ether seires)和苯甲縮酮組系(benzyl ketal series)的任何一個。
  47. 如申請專利範圍第31項所述之方法，其中離該第一基材之該第一對準層之一預傾斜和該第二對準層之一預傾斜彼此不同，該第一對準層和該第二對準層位於一面對在其上形成該第一對準材料之該基材的基材上。
  48. 一種製造一液晶顯示裝置的方法，其包含以下步驟：(a)在第一基材及第二基材之至少一者上形成對準材料，第一電極形成在該第一基材上，該對準材料包含對準基底材料和光聚合單體或寡聚物；(b)在形成該對準材料後，藉由照射一次光至該第一基材及該第二基材之至少一者而光對準該對準基底材料以形成對準基底層；(c)在該第一電極和外部電極或在該第一電極和第二電極之間施加電壓，該第二電極形成在該第一基材或該第二基材的任何一側；及(d)在該對準基底材料之光對準後，藉由照二次光至該第一基材及該第二基材之至少一者上而形成第一對準層及第二對準層之至少一者，其中該第一對準層及該第二對準層之至少一者包 含：藉由該光對準該對準基底材料而形成的該對準基底層；及對準控制層，其藉由聚合該光聚合單體或寡聚物而形成。
  49. 如申請專利範圍第48項所述之方法，在該步驟(b)後，其包含以下步驟：使該第一基材和該第二基材彼此耦合。
  50. 如申請專利範圍第49項所述之方法，在使該第一基材和該第二基材耦合之後，其包含以下步驟：在該第一基材和該第二基材之間形成一液晶層。
  51. 如申請專利範圍第49項所述之方法，在該步驟(d)之後，其包含以下步驟：在該第一基材和該第二基材之間形成一液晶層。
  52. 如申請專利範圍第49項所述之方法，在該步驟(d)之後，其包含以下步驟：使該第一基材和該第二基材彼此耦合；及在該第一基材和該第二基材之間形成一液晶層。
  53. 如申請專利範圍第48項所述之方法，其中，在該步驟(b)中，該光為線性偏光、橢圓偏光或圓偏光。
  54. 如申請專利範圍第48項所述之方法，其中該步驟(b)是藉由以某一角度傾斜在其上形成該對準材料的該基材而執行。
  55. 如申請專利範圍第54項所述之方法，其中該步驟(b) 包含藉由照射在每一場域具有一不同偏光方向之分開的光而允許該第一對準控制層之一方位角在每一場域不同。
  56. 如申請專利範圍第54或55項所述之方法，其中，在照光之前，在其上形成該第一對準材料的該基材是以一對每一場域具有至少兩個分開度數的角度傾斜。
  57. 如申請專利範圍第56項所述之方法，其中該步驟(b)進一步包含以下步驟：使用一光罩遮蓋至少一個場域。
  58. 如申請專利範圍第48項所述之方法，其中該對準控制層藉由光聚合一反應液晶原而形成。
  59. 如申請專利範圍第58項所述之方法，其中該反應液晶原以下列化學式表示：P1-A1-(Z1-A2)n-P2，其中，P1和P2獨立選自丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、乙烯基、乙烯氧基和環氧基；A1和A2獨立選自1,4-伸苯基和萘-2,6-二基；Z1為COO-、OCO-和單鍵的任一個；及n為0、1和2的任一個。
  60. 如申請專利範圍第48項所述之方法，其中該對準材料包含聚醯胺酸、聚醯亞胺、尼龍和PVA(聚乙烯醇)的至少一個。
  61. 如申請專利範圍第60項所述之方法，其中該對準材料包含一光對準材料，其對一光硬化反應、一光分解反應、一光聚合反應和一光致異構化反應的任何一個起反應。
  62. 如申請專利範圍第61項所述之方法，其中該光對準材料以一選自由下列所構成之群組的聚合物材料製成：聚醯亞胺、聚醯胺酸、聚降冰片烯、苯基馬來醯亞胺共聚物、聚乙烯醇肉桂酸酯、聚偶氮苯、聚乙烯亞胺、聚乙烯醇、聚醯胺、聚乙烯、聚苯乙烯、聚伸苯酞醯胺、聚酯、聚胺酯、和聚甲基丙烯酸甲酯。
  63. 如申請專利範圍第48項所述之方法，其中該對準材料進一步包含一聚合起始劑。
  64. 如申請專利範圍第63項所述之方法，其中該聚合起始劑包含過氧化丁酮、過氧化苯、異丙苯基過氧化氫、辛過氧酸-1,1-二甲基乙基酯、過氧化二異丙苯、苯甲醯烷乙醚組系、乙醯苯組系、二苯甲酮組系、氧二苯甲酮組系、安息香醚組系和苯甲縮酮組系的任何一個。
  65. 如申請專利範圍第48項所述之方法，其中該第一對準層相對於該第一基材之預傾斜和該第二對準層相對於該第一基材之預傾斜不同。
  66. 一種適於對準包含具有正或負介電異向性之液晶之液晶層的對準層，其中該對準層包括相對於一點對稱之第一部份及第二部份，該第一部份具有第一預傾斜，該第二部份具有第二預傾斜，該第一預傾斜和第二預傾斜係相對於該點對稱；其中該對準層包含對準基底層和對準控制層，該對準控制層包括從該對準基底層延伸的部件，並藉由聚合單體或寡聚物而形成。
  67. 如申請專利範圍第66項所述之對準層，其中該對 準控制層藉由光聚合一反應液晶原(RM)而獲得。
  68. 如申請專利範圍第67項所述之對準層，其中該反應液晶原以下列化學式表示：P1-A1-(Z1-A2)n-P2，其中，P1和P2獨立選自丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、乙烯基、乙烯氧基和環氧基；A1和A2獨立選自1,4-伸苯基和萘-2,6-二基；Z1為COO-、OCO-和單鍵的任一個；及n為0、1和2的任一個。
  69. 如申請專利範圍第68項所述之對準層，其中該反應液晶原以下列化學式的任何一個表示： 其中，P1和P2獨立選自丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、乙烯基、乙烯氧基和環氧基。
  70. 如申請專利範圍第66至69項之任何一項所述之對準層，其中該對準基底層包含聚醯胺酸、聚醯亞胺、卵磷脂、尼龍和PVA(聚乙烯醇)的至少一個。
  71. 如申請專利範圍第66至69項之任何一項所述之對準層，其中該對準基底層包含一光對準材料，其對一光硬化反應、一光分解反應、一光聚合反應和一光致異構 化反應的任何一個起反應。
  72. 如申請專利範圍第71項所述之對準層，其中該光對準材料包含聚醯亞胺、聚醯胺酸、聚降冰片烯、苯基馬來醯亞胺共聚物、聚乙烯醇肉桂酸酯、聚偶氮苯、聚乙烯亞胺、聚乙烯醇、聚醯胺、聚乙烯、聚苯乙烯、聚伸苯酞醯胺、聚酯、聚胺酯、聚矽氧烷肉桂酸酯、纖維素肉桂酸酯和聚甲基丙烯酸甲酯的至少一個。
  73. 一種對準材料，其包含對準基底材料和光聚合單體或寡聚物，其中該對準材料用於形成如申請專利範圍第66至72項之任何一項所述之對準層。
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