TWI399598B - 液晶顯示器 - Google Patents

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TWI399598B TW094146727A TW94146727A TWI399598B TW I399598 B TWI399598 B TW I399598B TW 094146727 A TW094146727 A TW 094146727A TW 94146727 A TW94146727 A TW 94146727A TW I399598 B TWI399598 B TW I399598B
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Samsung Display Co Ltd
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Description

液晶顯示器
本發明係關於一種液晶顯示器。
液晶顯示器(LCD)係最廣泛使用之平板顯示裝置之一。LCD包括含有像素電極與一共同電極之一對面板(例如下面板與上面板)，以及一夾置於該等面板間之液晶(LC)層。在一實施例中，該LC層具有介電各向異性。LCD藉由施加電壓至電極而在LC層中產生一電場，且藉由借助於施加之電壓控制電場強度改變入射在LC層上之光透射率而獲得所要影像。
LCD進一步包括連接至像素電極之切換元件及用以施加訊號至該等切換元件之諸如閘極線與資料線之訊號線，進而施加電壓至像素電極。
在LCD之間，垂直對準(VA)模式LCD由於其獲得之高對比率與寬參照視角而係突出的，該VA模式LCD對準LC分子以使得在不存在電場的情況下LC分子之長軸垂直於面板。
該VA模式LCD之寬視角可藉由在場產生電極上形成突起及/或在其中形成切口而實現。因為該等切口與突起可確定LC分子之傾斜方向，所以該等傾斜方向可藉由使用切口與突起而分佈在若干方向以使得參照視角變寬。
然而，與正向可見度相比，VA模式LCD之側向可見度較差。舉例而言，側向伽瑪曲線與正向伽瑪曲線不同。
為了改良側向可見度，習知方法包括將像素分成兩個彼 此電容耦合之子像素。兩個子像素之一直接供有電壓，而另一者由於電容耦合而受到電壓降以使得該等兩個子像素具有不同電壓，且因此導致入射在LC層上之光的透射率不同。
然而，習知方法不能控制兩個子像素之透射率。具體言之，因為透射率視光之顏色而變化，所以不同顏色之電壓較佳係不同的，然而，這並不可能。另外，由於添加導體用於電容耦合而減小了孔徑比，且由於電容耦合導致之電壓降而使得透射率減小。
同時，資料電壓相對於共同電壓之極性以每訊框、每預定數目之列或行或每像素反轉，以防止產生包括由長時間施加單向電場而導致之降級的缺陷。在資料電壓之反轉方案中，行反轉以每預定數目之像素行顛倒資料線之極性，其使施加至資料線之資料電壓之極性保持預定時間以減小資料線之訊號延遲並減小功耗。
然而，行反轉可導致垂直閃爍及垂直串擾而降低LCD之影像品質。
根據本發明之一例示性實施例之液晶顯示器包括：一基板；與一置於該基板上之像素電極，且該像素電極包括一第一子像素電極與一第二子像素電極。該第一子像素電極包括一第一電極，其包括至少兩個具有不同傾斜方向之實質上成平行四邊形之電極件。該第二子像素電極包括一第二電極，其置於與該第一電極不同之縱向位置處，且該第 二電極包括至少兩個具有不同傾斜方向之實質上成平行四邊形之電極件。
該第一電極與該第二電極可彼此相鄰。
該第一電極與該第二電極可具有不同高度。
該第二子像素電極可包括一第三電極，其包括至少兩個具有不同傾斜方向之實質上成平行四邊形之電極件，且該第三電極可橫向鄰近於該第一電極且連接至該第二電極。
該第一與該第二像素電極可在一邊對準。
該第一電極與該第二電極可相對於彼此在對角方向上對準。
該第一電極與該第二電極可在界定兩個實質上成平行四邊形之電極件間之接合部之中心處對準。
該第一電極與該第二電極可具有不同寬度。
第一電極之高度可大於第二電極之高度，且等於或小於第二電極之高度的兩倍。
該第一子像素電極與該第二子像素電極可具有不同面積。
第二子像素電極之面積可係第一子像素電極之面積的約1.1倍至約3倍。
液晶顯示器可進一步包括一面向該像素電極且具有一切口之共同電極，其中每一電極件具有一對實質上互相平行之斜邊，且該切口穿過第一與第二子像素電極且包括一實質上平行於電極件之斜邊延伸之傾斜部分。
該第一子像素電極與該第二子像素電極可具有不同電 壓。
該第一子像素電極與該第二子像素電極之電壓可源自單影像資訊。
液晶顯示器可進一步包括：一耦合至該第一子像素電極之第一薄膜電晶體；一耦合至該第二子像素電極之第二薄膜電晶體；耦合至該第一薄膜電晶體之第一與第二訊號線；以及耦合至該第二薄膜電晶體之第三與第四訊號線。
液晶顯示器可進一步包括：一耦合至該第一子像素電極之第一薄膜電晶體；一耦合至該第二子像素電極之第二薄膜電晶體；一耦合至該第一薄膜電晶體之第一訊號線；一耦合至該第二薄膜電晶體之第二訊號線；以及一耦合至該第一薄膜電晶體及該第二薄膜電晶體且與該第一訊號線及該第二訊號線交叉之第三訊號線。
第一與第二薄膜電晶體可分別根據來自第一與第二訊號線之訊號而開啟，以傳輸來自第三訊號線之訊號。
第一與第二薄膜電晶體可分別根據來自第三訊號線之訊號而開啟，以傳輸來自第一與第二訊號線之訊號。
液晶顯示器可進一步包括一沿第一電極與第二電極之邊界延伸之第四訊號線。
第一薄膜電晶體可包括一與第四訊號線重疊之第一汲電極，且第二薄膜電晶體可包括一與第四訊號線重疊之第二汲電極。
液晶顯示器可進一步包括：一穿過該第一電極之一中心之第四訊號線；以及一穿過該第二電極之一中心之第五訊 號線，其中該中心由兩個實質上成平行四邊形之電極件之接合部界定。
第一薄膜電晶體可包括一與第四訊號線重疊之第一汲電極，且第二薄膜電晶體可包括一與第五訊號線重疊之第二汲電極。
該第一子像素電極與該第二子像素電極可相互電容耦合。
液晶顯示器可進一步包括一連接至該第一子像素電極且與該第二子像素電極重疊之耦合電極。
液晶顯示器可進一步包括：一耦合至該第一子像素電極之第一薄膜電晶體；一耦合至該第二子像素電極之第二薄膜電晶體；一耦合至該第一薄膜電晶體與該第二薄膜電晶體之閘極線；一耦合至該第一薄膜電晶體與該第二薄膜電晶體之資料線；一與該第一子像素電極重疊之第一儲存電極線；以及一與該第二子像素電極重疊之第二儲存電極線。
該第一儲存電極線之第一電壓之相位可與該第二儲存電極線之第二電壓之相位相反。
閘極線可穿過第一子像素電極與第二子像素電極間之一邊界。
第二子像素電極可具有一切口。
液晶顯示器可進一步包括：一面向該像素電極之共同電極；以及一置於該像素電極與該共同電極間之液晶層。
該共同電極可具有一切口。
液晶顯示器可進一步包括一形成於該共同電極上之突 起。
根據本發明之另一例示性實施例之液晶顯示器包括：一基板；以及形成於該基板上之複數個像素電極組。每一像素電極組包括複數個像素電極。每一像素電極包括一第一子像素電極以及一與該第一子像素電極分離之第二子像素電極。第一與第二子像素電極中之每一者包括至少兩個具有不同傾斜方向之實質上成平行四邊形之電極件，且該等像素電極組中之每一者中之至少一個像素電極具有與其它像素電極不同之形狀。
該等像素電極組可以列與行方向週期性排列。
每一像素電極組中之像素電極可具有相等面積。
每一像素電極組中之像素電極可具有不同面積。
每一像素電極組中之像素電極可在一邊對準。
第二子像素電極之面積可係第一子像素電極之面積的約1.1倍至約3倍。
該第一子像素電極與該第二子像素電極可具有不同電壓。
下文將參照附圖更充分描述本發明，在附圖中展示了本發明之例示性實施例。然而，本發明之例示性實施例可以許多不同形式體現，且不應理解為限於本文陳述之例示性實施例。
應瞭解，當諸如層、薄膜、區域或基板之元件被稱為位於另一元件"上"時，其可直接位於該另一元件上或其間亦 可存在介入元件。相反，當一元件被稱為"直接位於"另一元件"上"時，其間不存在介入元件。舉例而言，若提到層、薄膜、區域或板置放於一不同元件上，則包括該層、薄膜、區域或板恰好置放於該不同元件上之情況以及其間置有另一元件之情況。相反，舉例而言，若提到一個元件恰好置放於另一元件上，則意味著其間未置有元件。
在圖中，為清晰說明層與區域而放大了厚度。另外，在說明書中相似元件由相似標號表示。本文中使用之術語"及/或"包括一或多個相關列出之項目的任何及所有組合。
應瞭解，儘管術語第一、第二、第三等可在本文中用以描述各種元件、組件、區域、層及/或區，但是該等元件、組件、區域、層及/或區不應受該等術語限制。該等術語僅用於區分一個元件、組件、區域、層或區與另一個區域、層或區。因此，下文中論述之第一元件、組件、區域、層或區可稱為第二元件、組件、區域、層或區，而不會偏離本發明之教示。
本文使用之術語係僅出於描述特定實施例之目的且不欲限制本發明。除非上下文中清楚指出，否則本文使用之單數形式"一"(a、an)與"該"(the)意欲亦包括複數形式。應進一步瞭解，當用於本說明書中時，術語"包括"(comprises及/或comprising)或"包含"(includes及/或including)規定存在確定之特徵、區域、整數(integer)、步驟、操作、元件及/或組件，但並不排除存在或附加一或多個其它特徵、區域、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其群組。
此外，諸如"下"或"底"與"上"或"頂"之相對術語可在本文中用以描述如圖中說明之一個元件與其它元件之關係。應瞭解，相對術語意欲包含除圖中描述之定向以外之裝置之不同定向。舉例而言，若一個圖中之裝置翻轉，則描述為在其它元件"下"側之元件應定向為在其它元件"上"側。因此，例示性術語"下"可根據圖之特定定向而包含"上"與"下"兩種定向。
除非另外定義，否則本文使用之所有術語(包括技術術語與科學術語)具有與本發明相關的熟習此項技術者通常理解之涵義相同之涵義。應進一步瞭解，諸如在通常使用之字典中定義之術語應解釋為具有與其在相關技術內容及本揭示內容中之涵義一致的涵義，且該涵義不會解釋為理想化或過分形式之意義，除非本文特意對其定義。
本文參照作為本發明之理想化實施例之示意說明的截面說明來描述本發明之實施例。同樣，預期到了(例如)製造技術及/或容差導致的說明內容形狀之變化。因此，本發明之實施例不應理解為限於本文說明之區域之特定形狀，而可包括由(例如)製造導致的形狀偏差。舉例而言，說明或描述為平坦之區域通常可具有粗糙及/或非線性特徵。此外，所說明之銳角可被磨圓。因此，圖中說明之區域本質上是示意性的，且其形狀不欲說明區域之精確形狀且不欲限制本發明之範疇。
將參照圖1與2詳細描述根據本發明之一例示性實施例之LCD。
圖1係根據本發明之一例示性實施例之LCD的方塊圖。圖2係圖1中之LCD之一像素之等效電路圖。
參照圖1，根據一例示性實施例之LCD包括一液晶(LC)面板總成300、連接至該面板總成300之一閘極驅動器400與一資料驅動器500、一連接至資料驅動器500之灰度電壓產生器800以及一用以控制上述列舉元件之訊號控制器600。
參照圖1，面板總成300包括複數條訊號線(未圖示)以及連接至該等訊號線且實質上以矩陣排列之複數個像素PX。在圖2所示之結構圖中，面板總成300包括一下面板100、一上面板200，以及一夾置於面板100與200間之LC層3。
提供於下面板100上之訊號線包括用以傳輸閘極訊號(亦稱為"掃描訊號")之複數條閘極線(未圖示)及用以傳輸資料訊號之複數條資料線(未圖示)。如圖1與2所說明，閘極線實質上在列或水平方向延伸且實質上相互平行延伸，而資料線實質上在行或垂直方向(例如實質上垂直於閘極線且在相同平面內)延伸且實質上相互平行延伸。
參照圖2，每一像素PX包括一對子像素，且每一子像素包括一液晶(LC)電容器(Clc1/Clc2)。該等兩個子像素中之至少一個包括一連接至閘極線、資料線與LC電容器Clc1/Clc2之切換元件(未圖示)。
LC電容器Clc1/Clc2包括一子像素電極PE1/PE2以及一置於上面板200上之共同電極CE作為兩個端子。置於電極PE1/PE2與共同電極CE間之LC層3充當LC電容器Clc1/Clc2之介電質。子像素電極PE1與PE2彼此分離且形成像素電極 PE。共同電極CE供有共同電壓Vcom且覆蓋上面板200之整個表面。LC層3具有負介電各向異性，且LC層3中之LC分子由可在不存在電場的情況下垂直於面板100與200之表面定向之長軸界定。
為了實現彩色顯示，每一像素PX獨特表示複數個原色中之一者(意即空間分隔)或每一像素PX依次輪流表示原色(意即時間分隔)，以使得原色之空間或時間總和被識別為所要顏色。一組原色之實例包括紅、綠與藍色。圖2展示空間分割之一實例，其中每一像素PX在面向像素電極PE之上面板200之區域中包括一表示原色中之一者的彩色濾光器CF。或者，彩色濾光器CF可位於下面板100上之子像素電極PE1或PE2上方或下方。
一對偏光器(未圖示)附著至面板100與200中之至少一者。兩個偏光器之偏光軸可交叉，而使得交叉之偏光器阻礙入射在LC層3上之光。熟習此項技術者將易認識到可省略偏光器中之一個。
下文將參照圖3、4、5、6、7、8、9A、9B與9C詳細描述LC面板總成中之共同電極與像素電極之詳細結構。
圖3-8係根據本發明之例示性實施例之LC面板總成中之像素電極與共同電極之平面布局圖。圖9A-9C係形成圖3-8中之子像素電極之基極與電極件之平面圖。
參照圖3-8，根據本發明之例示性實施例之LC面板總成之每一像素電極PE包括一對彼此分離之子像素電極PE1與PE2或PEij與PE(i+1)j(i=1,3,5,j=1-9)。子像素電極PEij與 PE(i+1)j中之一些具有切口90U與90L。共同電極CE(如圖2所示)具有複數個面向子像素電極PE1、PE2、PEij與PE(i+1)j之突起280或切口60U與60L(圖8)。
形成像素電極PE之子像素電極PE1與PE2或PEij與PE(i+1)j可耦合至各自切換元件(未圖示)。或者，子像素電極PE1、PE2、PEij與PE(i+1)j中之一個可耦合至切換元件(未圖示)，而子像素電極PE1、PE2、PEij與PE(i+1)j中之另一個電容耦合至子像素電極PE1、PE2、PEij與PE(i+1)j中之一個。
子像素電極PE1、PE2、PEij與PE(i+1)j中之每一個包括至少一個如圖9A所示之電極件196及至少一個如圖9B所示之電極件197。如圖9A與9B中所示之電極件196與197垂直連接在其縱向終端以形成如圖9C所示之基極198，該基極係子像素電極PE1、PE2、PEij與PE(i+1)j中之每一個之基礎結構。
如圖9A與9B所示，電極件196與197中之每一者實質上為平行四邊形，其分別具有一對斜邊196o與197o及一對橫邊196t與197t。斜邊196o與197o中之每一者分別與橫邊196t與197t成斜角，且該斜角在約45度至約135度之範圍內，此取決於哪對平行斜邊與各自橫邊對比。為了描述便利，電極件196與197基於相對於底邊196t與197t法線之傾斜方向分成兩類。如圖9A所示之電極件196稱為"右傾斜"，因為其向右傾斜，而如圖9B所示之電極件197稱為"左傾斜"，因為其向左傾斜。
電極件196與197之定義為橫邊196t與197t之長度之寬度 W及定義為橫邊196t與197t間之距離的高度H可基於面板總成300之大小確定。每一電極件196與197之橫邊196t與197t可變形而相對於其它部分彎曲或突出，且本說明書中使用之術語"平行四邊形"包括此等變形。
共同電極CE具有面向電極件196與197之切口61與62，且電極件196與197中之每一者藉由切口61與62分成兩個子區域S1與S2。切口61與62中之每一者包括分別實質上平行於電極件196與197之斜邊196o與197o的傾斜部分61o與62o，及各自對橫向部分61t與62t，該等橫向部分界定與傾斜部分61o與62o之鈍角且與電極件196與197之橫邊196t與197t重疊。
子區域S1與S2中之每一者具有一對由(分別為切口61與62之)傾斜部分61o與62o以及(分別為電極件196與197之)斜邊196o與197o界定之主邊。主邊間之距離(意即，子區域S1與S2之寬度)較佳等於約25微米至約40微米。
如圖9C所示之基極198藉由組合右傾斜電極件196與左傾斜電極件197之各自橫邊而形成。藉由組合右傾斜電極件196與左傾斜電極件197而形成之角度較佳約為直角，且電極件196與197間之連接包括僅僅各自橫邊196t與197t之部分的連接。彼此不相連之電極件196與197之最近面對橫邊部分形成以一凹度配置之切口90。然而，當在界定電極件196與197之鄰接橫邊196t與197t之所有部分處完成連接時，可不形成切口90。
電極件196與197之向外或外部橫邊196t與197t形成基極 198之橫邊198t。電極件196與197之對應斜邊196o與197o彼此相連以形成基極198之對應曲邊198o1與198o2。
曲邊198o1與198o2包括以鈍角(例如約135度)與相對橫邊198t相交之凸邊198o1以及以銳角(例如約45度)與相對橫邊198t相交之凹邊198o2。每一曲邊198o1與198o2藉由斜邊196o與197o之相交界定實質上90度之角。
切口90自凹邊198o2上之凹頂點CV向凸邊198o1之凸頂點VV延伸，且到達橫邊196t與197t間之接合部界定之基極198中心附近。
共同電極CE之切口61與62彼此相連以形成切口60。此時，彼此重疊之切口61與62之橫向部分61t與62t接合在一起以形成橫向部分60t1。新近形成之切口60可在下文描述。
切口60包括一具有彎曲點CP之彎曲部分60o、一連接至該彎曲部分60o之彎曲點CP的中心橫向部分60t1與一對連接至該彎曲部分60o之末端的終端橫向部分60t2。切口60之彎曲部分60o包括一對在基極198之中心處相交之界定實質上約直角之傾斜部分。切口60之彎曲部分60o實質上平行於基極198之曲邊198o1與198o2延伸，且將基極198二等分成左右兩半。切口60之中心橫向部分60t1與彎曲部分60o成例如約135度之鈍角，且向基極198之凸頂點VV延伸。向外之終端橫向部分60t2實質上與基極198之橫邊198t對準，且與彎曲部分60o成例如與135度之鈍角。
基極198與切口60相對於連接基極198之凸頂點VV與凹頂點CV之虛直線(稱為中心橫線)反向對稱。
在圖3-8中，基極排列成兩列。基極具有相同寬度，但是其可具有不同寬度，如圖3-8說明。
在如圖3-7所示之組態中，置於上列中之基極之高度H0等於置於下列中之基極之高度H0。
在如圖3所示之組態中，每一列中之3個基極(總共為6個基極)形成稱為點之基本單元。子像素電極PE1與PE2中之每一者包括一個基極。
在如圖4與7所示之每一組態中，每一列中之5個基極(總共為10個基極)形成一點。
如圖4中所示之子像素電極PE11、PE21、PE12與PE22中之每一者在一列中包括兩個相鄰基極，且子像素電極PE13與PE23中之每一者包括一個基極。該列中之相鄰基極間之連接在基極之上角與下角處完成，因此基極間之間隙形成一切口90U或90L。
如圖7中所示之子像素電極PE31、PE41、PE32與PE42中之每一者在一行中包括兩個相鄰基極，且子像素電極PE33與PE43中之每一者包括一個基極。
在如圖5與6所示之每一組態中，每一列中之4個基極(總共為8個基極)形成一點。
如圖5中所示之子像素電極PE15與PE24中之每一者在一列中包括兩個相鄰基極，且子像素電極PE14、PE25、PE16與PE26中之每一者包括一個基極。
如圖6中所示之子像素電極PE17與PE28中之每一者在一列中包括兩個相鄰基極，且子像素電極PE18、PE27、PE19 與PE29中之每一者包括一個基極。
應注意，如圖6中所示之形成像素電極之子像素電極PE17與PE27或PE18與PE28彼此對角設置，這與圖3-5及7中所示的不同。
在如圖8所示之組態中，置於上列中之基極之高度H1大於置於下列中之基極之高度H2。在例示性實施例中，高度H1較佳係高度H2之約1.1倍至約2倍。
仍參照圖8，一點在每一列中包括5個基極，總共為10個基極。子像素電極PE51、PE52與PE53中之每一者包括僅一個基極，子像素電極PE61與PE63中之每一者包括置於不同列中之一對基極198U1與198L1或198U3與198L3，且子像素電極PE62包括置於下列中之3個相鄰基極。
形成子像素電極PE61或PE63之基極198U1與198L1或198U3與198L3連接至一使基極198U3與198L3之相鄰角相連之連接部。
可藉由以反向對稱移動像素電極或旋轉像素電極而改變如圖3-8中所示之子像素電極之位置及彎曲方向並修改如圖3-8中所示之組態。
再次參照圖1，灰度電壓產生器800產生與像素PX之透射率相關之複數個灰度電壓。然而，灰度電壓產生器800可產生僅一部分或給定量之灰度電壓(稱為參照灰度電壓)而不是產生所有灰度電壓。
閘極驅動器400連接至面板總成300之閘極線並合成來自外部裝置之開閘電壓Von與關閘電壓Voff以產生施加至閘 極線之閘極訊號Vg。
資料驅動器500連接至面板總成300之資料線並施加自灰度電壓產生器800供應之灰度電壓中選出之資料電壓Vd至資料線。然而，當灰度電壓產生器800產生參照灰度電壓時，資料驅動器500可藉由分割參照灰度電壓而產生所有灰度之灰度電壓，且自產生之灰度電壓選擇資料電壓Vd。
訊號控制器600控制閘極驅動器400與資料驅動器500等。
驅動單元400、500、600、700與800中之每一者可包括以捲帶式封裝(TCP)類型安裝在LC面板總成300上或可撓性印刷電路(FPC)膜上之至少一個積體電路(IC)晶片，該等驅動單元附著至面板總成300上。或者，處理單元400、500、600、700與800中之至少一者可與訊號線以及切換元件Qa及Qb一起整合在面板總成300中。或者，所有處理單元400、500、600、700與800可整合在單IC晶片中，但是處理單元400、500、600、700與800中之至少一者或處理單元400、500、600、700與800中之至少一者中的至少一個電路元件可位於單IC晶片外部。
現將詳細描述上述LCD之運作。
訊號控制器600供有輸入影像訊號R、G與B以及來自外部圖形控制器(未圖示)之用以控制其顯示之輸入控制訊號。輸入影像訊號R、G與B含有每一像素PX之亮度資訊，且該亮度具有預定數目之灰度，例如1024(=210 )、256(=28 )或64(=26 )個。輸入控制訊號包括一垂直同步訊號Vsync、一水平同步訊號Hsync、一主時脈MCLK與一資料賦能訊號DE 等。
在產生閘極控制訊號CONT1、資料控制訊號CONT2並基於輸入控制訊號及輸入影像訊號R、G與B處理適用於面板總成300及資料驅動器500之運作的輸入影像訊號R、G與B之後，訊號控制器600傳輸閘極控制訊號CONT1至閘極驅動器400，並傳輸經處理之影像訊號DAT及資料控制訊號CONT2至資料驅動器500。傳輸至資料驅動器500之輸出影像訊號DAT為具有預定數目之值(或灰度)之數位訊號。
閘極控制訊號CONT1包括一用以指示開始掃描之掃描開始訊號STV與至少一個用以控制開閘電壓Von之輸出時間之時脈訊號。閘極控制訊號CONT1可進一步包括一用以界定開閘電壓Von之持續時間之輸出賦能訊號OE。
資料控制訊號CONT2包括一用以通知一組子像素之資料傳輸開始的水平同步開始訊號STH、一用以指示施加至面板總成300之資料電壓的負載訊號LOAD及一資料時脈訊號HCLK。資料控制訊號CONT2可進一步包括一用以顛倒資料電壓之極性(相對於共同電壓Vcom)之反轉訊號RVS。
響應來自訊號控制器600之資料控制訊號CONT2，資料驅動器500自訊號控制器600接收用於該組子像素之影像資料DAT之一封包。資料驅動器500將影像資料DAT變換成選自灰度電壓產生器800供應之灰度電壓之類比資料電壓，並施加該等資料電壓至資料線。
閘極驅動器400響應來自訊號控制器600之閘極控制訊號CONT1施加開閘電壓Von至閘極線，進而開啟與閘極線連接 之切換元件。經由啟動之切換元件將施加至資料線之資料電壓供應至子像素。
參照圖3-8，當形成像素電極之兩個子像素電極PE1與PE2或PEij與PE(i+1)j耦合至各自切換元件時，意即當每一子像素包括其自身切換元件時，兩個子像素可在不同時間經由相同資料線或在相同時間經由不同資料線供有各自資料電壓。然而，當子像素電極PE1、PE2、PEij與PE(i+1)j中之一個耦合至切換元件(未圖示)，而子像素電極PE1、PE2、PEij與PE(i+1)j中之另一個電容耦合至其時，包括切換元件之子像素可直接供有資料電壓，而另一個子像素可具有視其變化之電壓。此時，子像素電極PE1、PE2、PEij與PE(i+1)j中較小之一個之電壓(相對於共同電壓)大於子像素電極PE1、PE2、PEij與PE(i+1)j中較大之一個之電壓。
相反，當兩個子像素電極PE1、PE2、PEij與PE(i+1)j充有相同電壓後，子像素電極PE1、PE2、PEij與PE(i+1)j之電壓可藉由使用儲存電容器(未圖示)等而不同。
參照圖1與2，當在LC電容器Clc1/Clc2之兩個端子之間產生電壓差時，在LC層3中產生實質上垂直於面板100及200之表面的主電場，而像素電極PE與共同電極CE統稱為場產生電極。LC電容器Clc1/Clc2中之LC分子傾向於響應電場而改變其定向，以使得其長軸可垂直於場方向。分子定向確定穿過LC層3之光之偏振。偏光器將光偏振變換為光透射，以使得像素PX顯示由影像資料DAT表示之亮度。
LC分子之傾斜角度視電場強度而定。因為LC電容器Clc1 與Clc2之電壓彼此不同，所以子像素中之LC分子的傾斜角度彼此不同，因此兩個子像素之亮度不同。因此，可調節兩個子像素之電壓，以使得自側面觀察到之影像與自正面觀察到之影像相似。意即，側向伽瑪曲線與正向伽瑪曲線相似或接近，進而改良側向可見度。
另外，電壓(相對於共同電壓Vcom)高於像素之另一子像素電極的子像素電極PE1、PE2、PEij與PE(i+1)j的面積可比另一子像素電極小，進而使得側向伽瑪曲線進一步接近正向伽瑪曲線。具體言之，當兩個子像素電極PE1、PE2、PEij與PE(i+1)j之面積比等於約1：2至約1：3時，側向伽瑪曲線進一步接近正向伽瑪曲線從而進一步改良側向可見度。因為本發明之例示性實施例可易調節每組像素電極PE中之子像素電極PE1、PE2、PEij與PE(i+1)j之寬度與高度，所以兩個子像素電極PE1、PE2、PEij與PE(i+1)j之面積比可易於調節。
LC分子之傾斜方向主要由水平場分量確定。該水平場分量由場產生電極PE與CE之突起280、切口90U、90L、60U與60L以及像素電極PE之邊產生，所有這些都會扭曲主電場。水平場分量實質上垂直於子像素電極PE1、PE2、PEij與PE(i+1)j之邊、切口90U、90L、60U與60L之邊與突起280之延伸方向。
參照圖3-9C，因為一組突起280以及切口90U、90L、60U與60L分隔開之每一子區域上之LC分子垂直於子區域之主邊傾斜，所以傾斜方向之方位分佈定位成4個方向。進而增大了LCD之參照視角。
同時，歸因於子像素電極PE1、PE2、PEij與PE(i+1)j間之電壓差而產生的次電場之方向垂直於子區域之主邊。因此，次電場之場方向與主電場之水平分量之方向一致。因此，子像素電極PE1、PE2、PEij與PE(i+1)j間之次電場增強了LC分子之傾斜方向之確定。
藉由將此程序重複一單位水平週期(由"1H"指示且等於水平同步訊號Hsync或資料賦能訊號DE之一個週期)，所有像素PX供有資料電壓。
當一個訊框結束而下一訊框開始時，控制施加至資料驅動器500之反轉控制訊號RVS，以使得資料訊號之極性顛倒(此稱為"訊框反轉")。亦可控制反轉控制訊號RVS，以使得在資料線中流動之影像資料訊號的極性在一訊框期間週期性顛倒(例如，列反轉與點反轉)或一封包中之影像資料訊號的極性顛倒(例如，行反轉與點反轉)。
現將參照圖10A、10B、11、12、13、14、15、16、17與18同時參照圖1與2詳細描述LC面板總成之結構。
圖10A與10B展示訊號線及像素PX之示意等效電路圖。
如圖10A與10B所示之LC面板總成包括複數條訊號線及與其相連之複數個像素PX。訊號線包括複數條閘極線GLa與GLb以及複數條資料線DL、DL1與DL2。如圖10A所示之訊號線進一步包括實質上平行於該對閘極線GLa與GLb延伸之複數條儲存電極線SL。
每一像素PX包括一對子像素PXa與PXb。每一子像素PXa與PXb包括一連接至閘極線GLa與GLb中之各自一條以及資 料線DL、DL1與DL2中之一條的切換元件Qa/Qb，以及一耦合至該切換元件Qa/Qb之各自LC電容器Clca/Clcb。如圖10A所示之每一子像素PXa/PXb進一步包括一連接在各自切換元件Qa/Qb與儲存電極線SL間之對應儲存電容器Csta/Cstb。應注意，如圖10A所示之兩個子像素PXa與PXb連接至相同資料線DL，而如圖10B所示之兩個子像素PXa與PXb連接至不同資料線DL1與DL2。
參照圖2、10A與10B，諸如薄膜電晶體(TFT)之切換元件Qa/Qb提供於下面板100上且具有3個端子：(1)連接至閘極線GLa/GLb之控制端子；(2)連接至資料線DL/DL1/DL2之輸入端子；與(3)連接至LC電容器Clca/Clcb之輸出端子。
儲存電容器Csta/Cstb分別為LC電容器Clca/Clcb之輔助電容器。儲存電容器Csta/Cstb包括子像素電極以及一單獨訊號線，該訊號線位於下面板100上、經由絕緣體與子像素電極重疊且供有諸如共同電壓Vcom之預定電壓。或者，儲存電容器Csta/Cstb包括子像素電極與相鄰閘極線，該閘極線被稱為先前閘極線，其經由絕緣體與像素電極Csta/Cstb重疊。
因為上文已參照圖2描述LC電容器Clca/Clcb及其它相關元件，所以將省略其詳細描述。
在參照圖1展示於圖10A與10B中之LCD中，訊號控制器600接收輸入影像資料R、G與B，並將每一像素之每一輸入影像資料R、G與B變換成待供應至資料驅動器之兩個子像素PXa與PXb之複數個輸出影像資料DAT。否則，灰度電壓 產生器800為兩個子像素PXa與PXb產生單獨組灰度電壓。該等兩組灰度電壓由灰度電壓產生器800交替供應至資料驅動器500或者由資料驅動器500交替選擇。在任一情況下，兩個子像素PXa與PXb供有不同電壓。
變換之輸出影像訊號之值與每組中灰度電壓之值較佳確定成使得兩個子像素PXa與PXb之伽瑪曲線之合成接近正視之參照伽瑪曲線。舉例而言，正視之合成伽瑪曲線與正視之最合適參照伽瑪曲線一致，且側視之合成伽瑪曲線與正視之參照伽瑪曲線最相似。
現在將參照圖11-14與圖8詳細描述根據本發明之一例示性實施例之圖10A中之LC面板總成的一實例。
圖11係根據本發明之一例示性實施例之下面板(TFT陣列面板)的平面布局圖。圖12係根據本發明之一例示性實施例之上面板(共同電極面板)的平面布局圖。圖13係包括圖11中之TFT陣列面板與圖12中之共同電極面板之LC面板總成的平面布局圖。圖14係沿線XIV-XIV截得之圖13中之LC面板總成的截面圖。
參照圖14，根據本發明之一例示性實施例之LC面板總成包括一TFT陣列面板100、一面向該TFT陣列面板100之共同電極面板200與一夾置在面板100與200間之液晶層3。
首先，下文將參照圖11、13與14描述TFT陣列面板100。
包括分別複數個第一與第二閘極線對121a與121b及複數條儲存電極線131之複數個閘極導體形成於諸如透明玻璃或塑料之絕緣基板110上。
閘極線121a與121b傳輸閘極訊號、實質上橫向延伸且分別置於相對上與下位置處。
每一條第一閘極線121a包括複數個向下突出之第一閘電極124a及一與另一層或外部驅動電路接觸之大面積末端部分129a。每一條第二閘極線121b包括複數個向上突出之第二閘電極124a及一與另一層或外部驅動電路接觸之大面積末端部分129b。閘極線121a與121b可延伸而連接至可整合在基板110上之閘極驅動器400。
儲存電極線131供有諸如共同電壓Vcom之預定電壓，且實質上平行於閘極線121a與121b延伸。每一儲存電極線131置於第一與第二閘極線121a與121b之間，且與第一閘極線121a之距離比與第二閘極線121b之距離小。每一儲存電極線131包括向上及向下擴展之複數個儲存電極137(參看圖11與13)。然而，儲存電極線131可具有各種形狀及配置。
閘極導體121a、121b與131較佳由含鋁金屬(諸如Al與Al合金)、含銀金屬(諸如Ag與Ag合金)、含銅金屬(諸如Cu與Cu合金)、含鉬金屬(諸如Mo與Mo合金)、Cr、Ta或Ti製成。然而，閘極導體可具有多層結構，包括兩個具有不同物理特性之傳導膜(未圖示)。該等兩個膜中之一者較佳由用以減少訊號延遲或電壓降之低電阻率金屬製成，該金屬包括含鋁金屬、含銀金屬及含銅金屬。另一膜較佳由具有與諸如氧化銦錫(ITO)及氧化銦鋅(IZO)之其它材料之良好物理、化學及電接觸特性的材料製成，諸如含個金屬、Cr、Ta或Ti。兩個膜之組合的合適實例包括下Cr膜與上Al(合金)膜以及 下Al(合金)膜與上Mo(合金)膜。然而，閘極導體121a、121b與131可由當前已知的或稍後將被已知的各種金屬或導體製成。
閘極導體121a、121b與131之側面相對於基板之表面傾斜，且其傾斜角在約30至約80度之範圍內。
較佳由氮化矽(SiNx )或氧化矽(SiOx )製成之閘極絕緣層140形成於閘極導體121a、121b與131上。
較佳由氫化非晶矽(簡稱為"a-Si")或多晶矽製成之複數個第一與第二半導體島154a與154b形成於閘極絕緣層140上。第一/第二半導體島154a/154b分別置於第一/第二閘電極124a/124b上。
複數個歐姆接觸島對163b與165b形成於半導體島154b上，且複數個歐姆接觸島對(未圖示)形成於半導體島154a上。歐姆接觸島163b與165b較佳由以諸如磷之n型雜質重度摻雜之n+氫化a-Si製成，或者其可由矽化物製成。
半導體島154a與154b以及歐姆接觸163b與165b之側面相對於基板110之表面傾斜，且其傾斜角較佳在約30至約80度之範圍內。
包括複數條資料線171及複數個第一與第二汲電極對175a與175b之複數個資料導體形成於歐姆接觸163b與165b及閘極絕緣層140上。
資料線171傳輸資料訊號且實質上縱向延伸而與閘極線121a與121b及儲存電極線131交叉。每一資料線171包括分別向第一與第二閘電極124a與124b突出之複數個第一與第 二源電極173a與173b，且第一與第二源電極173a與173b類似字母符號"C"彎曲。資料線171可延伸而連接至可整合在基板110上之資料驅動器500。
第一與第二汲電極175a與175b彼此分離且與資料線171分離。第一/第二汲電極175a/175b分別相對於第一/第二閘電極124a/124b與第一/第二源電極173a/173b相對安置。第一/第二汲電極175a/175b中之每一者分別包括一寬末端部分177a/177b及一窄末端部分。寬末端部分177a/177b與儲存電極137重疊及窄末端部分由第一/第二源電極173a/173b部分包圍。
第一/第二閘電極124a/124b、第一/第二源電極173a/173b與第一/第二汲電極175a/175b以及第一/第二半導體島154a/154b一起分別形成第一/第二TFT Qa/Qb，其具有形成於置於第一/第二源電極173a/173b與第一/第二汲電極175a/175b間之第一/第二半導體島154a/154b中的通道。第一/第二TFT Qa/Qb位於置於其間之資料線171左/右。
資料導體171、175a與175b較佳由耐熔金屬製成，諸如Cr、Mo、Ti、Ta或其合金。然而，其可具有多層結構，包括耐熔金屬膜(未圖示)與低電阻率膜(未圖示)。多層結構之合適實例為包括下Cr/Mo(合金)膜與上Al(合金)膜之雙層結構以及由下Mo(合金)膜、中間Al(合金)膜與上Mo(合金)膜組成之三層結構。然而，資料導體171、175a與175b可由當前已知的或稍後將被已知的各種金屬或導體製成。
資料導體171、175a與175b具有傾斜邊緣輪廓，且其傾斜 角在約30度至約80度之範圍內。
歐姆接觸163b與165b僅夾置在下方的半導體島154a及154b與其上的上方的資料導體171、175a及175b之間，並減少了其間的接觸電阻。半導體島154a及154b包括一些未受資料導體171、175a與175b覆蓋之曝露部分，諸如位於源電極173與汲電極175a及175b之間的部分。
鈍化層180形成於資料導體171、175a與175b以及半導體島154a及154b之曝露部分上。該鈍化層180較佳由無機或有機絕緣體形成，且其可具有平坦頂面。無機絕緣體之實例包括氮化矽與氧化矽，但不限於此。無機絕緣體可具有感光性，且其介電常數低於約4.0。鈍化層180可包括下無機絕緣體膜與上有機絕緣體膜，以使得鈍化層180呈現有機絕緣體之極佳絕緣特性同時防止半導體島154a及154b之曝露部分被有機絕緣體損壞。
鈍化層180具有分別曝露資料線171之末端部分179以及第一與第二汲電極175a與175b的複數個接觸孔182、185a與185b。鈍化層180與閘極絕緣層140具有曝露閘極線121a及121b之末端部分129a及129b的複數個接觸孔181a及181b。
複數個像素電極191R、191G與191B以及複數個接觸助件81a、81b與82形成於鈍化層180上。其較佳由諸如ITO或IZO之透明導體或諸如Ag、Al、Cr或其合金之反射導體製成。
像素電極191R、191G與191B具有圖8所示之結構，且每一像素電極191R/191G/191B包括一對子像素191Ra及191Rb/191Ga及191Gb/191Ba及191Bb。子像素電極191Ra、 191Rb、191Ga、191Ba及191Bb包括切口91a與91b，且子像素電極191b具有一對切口92。
第二子像素電極191Rb/191Bb包括藉由連接部192R/192B連接之第一與第二單元電極191Rb1及191Rb2/191Bb1及191Bb2。較佳情況係，第一單元電極191Rb1/191Bb1之高度大於第二單元電極191Rb2/191Bb2之高度，且更佳情況係，第一單元電極191Rb1/191Bb1之高度係第二單元電極191Rb2/191Bb2之高度的約1.1倍至約2倍。當第一子像素電極191Ra/191Ba之高度等於第一單元電極191Rb1/191Bb1之高度時，第一子像素電極191Ra/191Ba與第二子像素電極191Rb/191Bb之面積比等於約1：1.5至約1：2。可藉由調節第二子像素電極之第一與第二單元電極191Rb1、191Rb2、191Bb1與191Bb2以及第一子像素電極191Ra/191Ba之寬度與高度獲得所要之面積比，且面積比較佳等於約1：1.1至約1：3。
第二子像素電極191RG包括3個單元電極。一對切口92將第二子像素電極191Gb三等分。每一切口92包括一實質上平行於第二子像素電極191Gb之曲邊的彎曲部分以及一連接至該彎曲部分之橫向部分。第二子像素電極191Gb之寬度大於第一子像素電極191Ga之寬度，例如，係第一子像素電極191Ga之寬度的約3倍。第二子像素電極191Gb之高度較佳係第一子像素電極191Ga之高度的約1/2或與其大約相等。可藉由調節第一與第二子像素電極191Ga、191Gb之寬度與高度來控制面積比，且面積比較佳等於約1：1.1至約1：3。
可藉由調節子像素電極191Ra、191Rb、191Ga、191Gb、191Ba與191Bb之寬度與高度而使得像素電極191R、191G與191B之面積一致。
表示三原色(諸如紅、綠與藍色)之3個像素電極191R、191G與191B形成一組像素電極或一點。此例示性實施例中之子像素電極191Ra、191Rb、191Ga、191Gb、191Ba與191Bb之組態使表示相同顏色或屬於相鄰點之像素電極191R、191G或191B的形狀實質上相同。另外，點形狀實質上相同。因此，根據此例示性實施例之組態改良了縱線之顯示品質。
此外，因為子像素電極191Ra、191Rb、191Ga、191Gb、191Ba與191Bb之寬度與高度在一點易改變，所以像素電極191R、191G與191B之面積易改變。
此例示性實施例改良了大型顯示裝置(諸如具有大於32英吋或更大之大小的顯示裝置)之孔徑比及透射率。
第一子像素電極191Ra、191Ga與191Ba經由接觸孔185a實體並電連接至第一汲電極175a，以使得子像素電極191Ra、191Ga與191Ba自第一汲電極175a接收資料電壓。第二子像素電極191b經由接觸孔185b實體並電連接至第二汲電極175b，以使得子像素電極191b自第二汲電極175b接收資料電壓。
子像素電極191Ra、191Rb、191Ga、191Gb、191Ba或191Bb與共同電極270(圖14)形成LC電容器Clca或Clcb，該電容器儲存TFT切斷後施加之電壓。
用以提高電荷儲存容量之儲存電容器Csta/Cstb藉由使第一/第二子像素電極191Ra、191Ga及191Ba/191Rb、191Gb及191Bb與汲電極175a/175b與儲存電極137等重疊而形成。
儲存電極線131、第一與第二汲電極175a與175b之寬末端部分177a與177b、接觸孔185a與185b以及第二閘極線121b置於單元電極之相鄰列邊界附近。此組態覆蓋歸因於分子定向之混亂而在單元電極之相鄰列邊界附近出現之紋理，並增大了孔徑比。
接觸助件81a、81b與82分別經由接觸孔181a、181b與182連接至閘極線121a與121b之分別末端部分129a與129b以及資料線171之末端部分179。接觸助件81a、81b與82保護末端部分129a、129b與179並加強末端部分129a、129b及179與外部裝置間之黏附。
下文將參照圖12-14描述共同電極面板200。
用以防止漏光之阻光構件220(稱為黑色基質)形成於諸如透明玻璃或塑料之絕緣基板210上。阻光構件220包括複數個面向TFT陣列面板100上之資料線171(參看圖13)之彎曲部分(參看圖12)以及複數個面向TFT陣列面板100上之TFT Qa與Qb之加寬部分。然而，阻光構件220可具有各種用以阻止像素電極191R、191G與191B以及TFT Qa與Qb附近漏光的形狀。
複數個彩色濾光器230R與230G亦形成於基板210及阻光構件220上，且其實質上置於阻光構件220包圍之區域中。彩色濾光器230R與230G可沿像素電極191R、191G與191B 實質上縱向延伸。彩色濾光器230R表示紅色，彩色濾光器230G表示綠色，而其它彩色濾光器(未圖示)可表示藍色。
外塗層250形成於彩色濾光器230R與230G及阻光構件220上。外塗層250較佳由(有機)絕緣體形成，且防止彩色濾光器230R與230G被曝露並且提供平坦表面。然而，應認識到可省略外塗層250。
共同電極270形成於外塗層250上(圖14)。共同電極270較佳由諸如ITO及IZO之透明傳導材料製成，且具有複數個切口71Ra、71Rb1、71Rb2、71Ga、71Gb、71Ba、71Bb1與71Bb2之集合，此在上文中參照圖8描述。
切口71Ra、71Rb1、71Rb2、71Ga、71Gb、71Ba、71Bb1與71Bb2之數目可根據設計因子而變化，且阻光構件220亦可與切口71Ra、71Rb1、71Rb2、71Ga、71Gb、71Ba、71Bb1與71Bb2重疊以阻止經由切口71Ra、71Rb1、71Rb2、71Ga、71Gb、71Ba、71Bb1與71Bb2之漏光。
可為垂直之對準層11與21塗覆在面板100及200之內表面上。
在面板100及200之外表面上提供偏光器12與22，以使得其偏光軸可彼此交叉或橫斷，且該等偏光軸可與子像素電極191Ra、191Rb、191Ga、191Gb、191Ba與191Bb之曲邊成約45度角以增大光效率。應認識到，當LCD為反射LCD時，可省略偏光器12與22中之一者。
LCD可進一步包括用以補償LC層3之延遲的至少一個延遲膜(未圖示)。LCD可進一步包括一背光單元(未圖示)，其 穿過偏光器12與22、延遲膜以及面板100與200向LC層3供光。
LC層3較佳具有負介電各向異性且受到垂直對準。
熟習此項技術者將認識到，可修改切口71Ra、71Rb1、71Rb2、71Ga、71Gb、71Ba、71Bb1、71Bb2、91a、91b與92之形狀及配置。
切口71Ra、71Rb1、71Rb2、71Ga、71Gb、71Ba、71Bb1、71Bb2、91a、91b與92中之至少一個可用突起(未圖示)或凹陷(未圖示)替換。該等突起較佳由有機或無機材料製成，且置於場產生電極191R、191G、191B或270上方或下方。
將參照圖15-18詳細描述根據本發明之另一例示性實施例之圖10A中之LC面板總成的另一實例。
圖15係根據本發明之另一例示性實施例之TFT陣列面板的平面布局圖。圖16係根據本發明之另一例示性實施例之共同電極面板的平面布局圖。圖17係包括圖15中之TFT陣列面板與圖16中之共同電極面板之LC面板總成的平面布局圖。圖18係沿線XVIII-XVIII截得之圖17中之LC面板總成的截面圖。
根據圖15-18中說明之例示性實施例之LC面板總成包括一TFT陣列面板100、一面向該TFT陣列面板100之共同電極面板200、一液晶層3及一對偏光器12與22。
根據此例示性實施例之LC面板總成之分層結構幾乎與圖11-14中所示之面板總成相同。
就TFT陣列面板100而言，在基板110上形成包括複數條第 一與第二閘極線121a與121b以及複數條第一與第二儲存電極線131a與131b之閘極導體。第一與第二閘極線121a與121b分別包括第一與第二閘電極124a與124b以及末端部分129a與129b。第一與第二儲存電極線131a與131b包括第一與第二儲存電極137a與137b。第二儲存電極線131b進一步包括第三儲存電極136b。在閘極導體121a、121b、131a與131b上依次形成閘極絕緣層140、複數個半導體構件154a與154b以及複數個歐姆接觸163a及165a。包括複數條資料線171及複數個第一與第二汲電極175a與175b之資料導體形成於歐姆接觸163a與165a上。資料線171包括第一與第二源電極173a與173b以及末端部分179。汲電極175a與175b分別包括與第一與第二儲存電極137a與137b重疊之寬末端部分177a與177b。鈍化層180形成於資料導體171、175a與175b、閘極絕緣層140以及半導體構件154a及154b之曝露部分上。複數個接觸孔181a、181b、182、185a及185b形成於鈍化層180及閘極絕緣層140處。在鈍化層180上形成包括具有切口91a、91b與92之子像素電極191Ra、191Rb、191Ga、191Gb、191Ba與191Bb之複數個像素電極191R、191G與191B以及複數個接觸助件81a、81b與82。接著在其上塗覆一對準層11。
就共同電極面板200而言，在絕緣基板210上形成阻光構件220、外塗層250、具有複數個切口71Ra、71Rb1、71Rb2、71Ga、71Gb、71Ba、71Bb1與71Bb2之共同電極270以及對準層21。
與圖11-14中所示之LC面板總成不同，第一閘極線121a置於單元電極之相鄰列之邊界附近。
第一與第二儲存電極線131a與131b、第一與第二汲電極175a與175b之寬末端部分177a與177b以及接觸孔185a與185b置於單元電極之相鄰列邊界附近。此組態覆蓋歸因於分子定向之混亂而在邊界附近出現之紋理，並增大了孔徑比。
此外，儲存電容器Csta與Cstb以及接觸孔185a與185b置於切口71Ra、71Rb2、71Ga、71Gb、71Ba與71Bb2下以覆蓋切口71Ra、71Rb2、71Ga、71Gb、71Ba與71Bb2附近之紋理。
第一汲電極175a進一步包括沿第一儲存電極線131a自寬末端部分177a延伸之突起176a。第二汲電極175b進一步包括連接至寬末端部分177b並與第三儲存電極136b重疊之擴展物176b。
該組態便利了對儲存電極137a、137b及136b與汲電極175a與175b間之重疊面積以及儲存電容器Csta與Cstb之電容的控制。
第一與第二TFT Qa與Qb兩者皆恰好位於資料線171上以減小由對準誤差引起的缺陷。易調節資料線171間之距離以及資料線與像素電極191R、191G與191B間之重疊面積。亦可調節資料線171與像素電極191R、191G及191B間之寄生電容。
共同電極270之切口71Ra、71Rb1、71Rb2、71Ga、71Gb、71Ba、71Bb1與71Bb2之每一傾斜部分具有至少一個凹陷之 凹口。
另外，如圖15-18中所示之TFT陣列面板100包括置於鈍化層180下之複數個彩色濾光器230R，而共同電極面板200則不具有彩色濾光器也不具有外塗層。彩色濾光器230R沿縱向延伸且週期性彎曲，並且不提供於閘極線121及資料線171之末端部分129及179所位於之周邊區域中。彩色濾光器230R具有比接觸孔185a大之通孔235，以使得接觸孔185a可穿過該等通孔235。
相鄰彩色濾光器230R在資料線171上彼此重疊以類似於阻光構件220阻擋像素電極191R、191G與191B間之漏光。在此情況下，可省略位於共同電極面板200上之阻光構件220以簡化製程。
另一鈍化層(未圖示)可形成於彩色濾光器230R下。
此例示性實施例增大了入射光之透射面積從而改良了孔徑比與光透射率。
圖11-14中之LC面板總成之許多上述特徵對圖15-18中之LC面板總成也是適合的。
現在將參照圖19-24詳細描述根據本發明之其它例示性實施例之圖10A與10B中之LC面板總成的其它實例。
圖19、21、22、23與24係根據本發明之其它例示性實施例之LC面板總成的平面布局圖。圖20係沿線XX-XX截得之圖19中之LC面板總成的截面圖。
如圖19、21、22、23與24所示之LC面板總成分別具有如圖3、4、5、6與7所示之像素電極組態。
LC面板總成包括一TFT陣列面板100、一面向該TFT陣列面板100之共同電極面板200以及一液晶層3。
根據此等例示性實施例之LC面板總成之分層結構幾乎與圖11-14中所示之LC面板總成相同。
就TFT陣列面板100而言，複數條第一與第二閘極線121a與121b分別形成於基板110上。第一與第二閘極線121a與121b分別包括第一與第二閘電極124a與124b。一閘極絕緣層140形成於閘極線121a與121b上，且複數個半導體構件154a與154b形成於該閘極絕緣層140上。複數個歐姆接觸接點對163a與165a形成於半導體構件154a上。複數個歐姆接觸接點對(未圖示)形成於半導體構件154b上。包括複數條資料線171及複數個汲電極175a與175b之資料導體形成於歐姆接觸163a與165a上。資料線171包括源電極173a與173b。鈍化層180形成於資料導體171、175a與175b、閘極絕緣層140以及半導體構件154a及154b之曝露部分上。複數個接觸孔185a與185b形成於鈍化層180處。在鈍化層180上形成包括具有切口93a與93b之子像素電極191a、191b、191Ra、191Rb、191Ga、191Gb、191Ba與191Bb之複數個像素電極191、191R、191G與191B。
就共同電極面板200而言，在絕緣基板210上形成阻光構件220、複數個彩色濾光器230與共同電極270。
與圖11-14中所示之LC面板總成不同，複數個突起280形成於共同電極270上，然而，共同電極270不具有切口。突起280由介電質形成且具有鋸齒形狀。突起280將彩色濾光 器230二等分。
一些或所有像素之子像素電極191a、191b、191Ra、191Rb、191Ga、191Gb、191Ba與191Bb耦合至不同資料線171，因而資料線171之源電極173a與173b置於資料線171之左側與右側。
在此組態中，可使在面板總成中之像素上出現的明顯反轉類型為點反轉。相反，使經由資料線171由資料驅動器500驅動之驅動器反轉類型為行反轉。因此，可採用行反轉與點反轉之優勢。意即，驅動器行反轉減小了資料線171之訊號延遲及功耗，而明顯點反轉防止顯性看到閃爍。
在如圖21-24所示之面板總成中，紅與綠像素之像素電極191R與191G之面積分別大於藍像素之像素電極191B之面積。以此方式，當調節切口93a與93b以及突起280分割開之子區域之寬度以改良液晶之響應時間時，藍像素之面積較佳被減小，因為與紅色及綠色相比，人眼對藍色相對不敏感。在例示性實施例中，子區域之寬度較佳等於約14微米至約25微米。
當像素電極191R、191G與191B面積不同時，資料線171間之距離可根據子像素電極191Ra、191Rb、191Ga、191Gb、191Ba與191Bb之配置而一致或不一致。在圖22之情況下，具有不同大小之像素之上與下子像素電極191Ra、191Rb、191Ga與191Gb排列在對角方向上，從而維持資料線171間之一致距離。
圖11-14中之LC面板總成之許多上述特徵對圖19-24中之 LC面板總成也是適合的。
現在將參照圖25、26與27結合圖1與2詳細描述根據本發明之另一例示性實施例之LC面板總成的結構。
圖25展示訊號線及像素PX之等效電路圖。
如圖25所示之LC面板總成包括複數條訊號線及與其相連之複數個像素PX。訊號線包括複數條閘極線GL、複數個資料線對DLc與DLd以及複數條儲存電極線SL。
每一像素PX包括一對子像素PXc與PXd。每一子像素PXc/PXd包括分別連接至閘極線GL之一及資料線DLc與DLd之一的切換元件Qc/Qd、耦合至該切換元件Qc/Qd之LC電容器Clcc/Clcd以及連接在切換元件Qc/Qd與儲存電極線SL間之儲存電容器Cstc/Cstd。
諸如薄膜電晶體(TFT)之切換元件Qc/Qd提供於下面板100上且具有3個端子：(1)連接至閘極線GL之控制端子；(2)連接至資料線DLc/DLd之輸入端子；與(3)連接至LC電容器Clcc/Clcd之輸出端子。
因為LC電容器Clcc/Clcd、儲存電容器Cstc與Cstd以及包括圖25所示之面板總成之LCD之運作等與上述實質上相同，所以將省略其詳細描述。
然而，應注意，形成圖25所示之像素PX之兩個像素PXc與PXd同時供有資料電壓，此與圖10A及10B所示不同。
現在將參照圖26與27詳細描述根據本發明之一例示性實施例之圖25中之LC面板總成的一實例。
圖26係根據本發明之一例示性實施例之LC面板總成的平 面局圖。圖27係沿線XXVII-XXVII截得之圖26中之LC面板總成的截面圖。
參照圖26與27，LC面板總成包括一TFT陣列面板100、一面向該TFT陣列面板100之共同電極面板200、一液晶層3及一對偏光器12與22。
根據此例示性實施例之LC面板總成之分層結構與圖11-14中所示之LC面板總成類似。
就TFT陣列面板100而言，包括複數條閘極線121及複數條儲存電極線131之閘極導體形成於基板110上。每一閘極線121包括第一與第二閘電極124c與124d以及末端部分129。儲存電極線131包括儲存電極137。一閘極絕緣層140形成於閘極導體121與131上，且包括第一與第二突起154c與154d之複數個半導體條形成於該閘極絕緣層140上。包括突起163c之複數個歐姆接觸條161及複數個歐姆接觸165c形成於半導體條151上。包括分別複數個第一與第二資料線對171c與171d以及分別複數個第一與第二汲電極175c與175d之資料導體形成於歐姆接觸161與165a上。第一與第二資料線171c與171d分別包括第一與第二源電極173c與173d以及末端部分179c與179d，且汲電極175c與175d包括寬末端部分177c與177d。鈍化層180形成於資料導體171c、171d、175c與175d、閘極絕緣層140以及半導體條151之曝露部分上。複數個接觸孔181、182a、182b、185a及185b形成於鈍化層180及閘極絕緣層140處。在鈍化層180上形成包括子像素電極191Rc、191Rd、191Gc、191Gd、191Bc與191Bd之複數個 像素電極191R、191G與191B以及複數個接觸助件81、82c與82d。第二子像素電極191Rd包括第一與第二單元電極191Rd1與191Rd2，且第二子像素電極191Bd包括第一與第二單元電極191Bd1與191Bd2。子像素電極191Rc、191Rd、191Gc、191Bc及191Bd具有切口91c與91d，且子像素電極191Gd具有一切口92。對準層11塗覆在像素電極191R、191G與191B以及鈍化層180上。
就共同電極面板200而言，在絕緣基板210上形成阻光構件220、複數個彩色濾光器230R、外塗層250、具有複數個切口71Rc、71Rd1、71Rd2、71Gc、71Gd、71Bc、71Bd1與71Bd2之共同電極270以及對準層21。
然而，圖26與27中所示之LC面板總成中之閘極線121的數目係圖11-14中所示之LC面板總成中的一半，且圖26與27中所示之LC面板總成中之資料線171c與171d的數目係圖11-14中所示之LC面板總成中的兩倍。此外，耦合至形成像素電極191R、191G或191B之第一與第二子像素電極191Rc、191Rd、191Gc、191Gd、191Bc與191Bd之第一與第二TFT Qc與Qd連接至相同閘極線121及不同資料線171c與171d。
第一與第二TFT Qc與Qd分別置於第一與第二資料線171c與171d左邊，如圖26所說明。
半導體154c與154d分別沿資料線171c與171d以及汲電極175c與175d延伸以形成半導體條151。半導體條151具有與資料導體171c、171d、175c及175d以及下方的歐姆接觸161 及165幾乎相同的平面形狀(參看圖27)。
根據一例示性實施例之TFT陣列面板的製造方法使用單光微影處理形成資料導體171c、171d、175c與175d、半導體151以及歐姆接觸161及165c。
用以光微影處理之光阻圖案具有依位置而定的厚度，且特定言之，光阻圖案具有厚度減少之第一與第二部分。該等第一部分位於將由資料導體171c、171d、175c與175d佔據之線區域上，且該等第二部分位於TFT之通道區域上。
光阻之依位置而定之厚度藉由若干技術而達成，例如在曝露遮罩上提供半透明區域以及透明區域與阻光不透明區域。半透明區域可具有隙縫圖案、晶格圖案、具有中間透射率或中間厚度之薄膜。當使用隙縫圖案時，隙縫寬度或隙縫間之距離較佳小於用於光微影之曝光物之解析度。另一實例係使用可回焊之光阻。一旦可回焊材料製成之光阻圖案藉由使用僅具有透明區域與不透明區域之正常曝露遮罩而形成後，其會受到回焊處理而流向不具有光阻之區域上，進而形成薄部分。
結果，製程藉由省略了一個光微影步驟而得到簡化。
圖11-14中之LC面板總成之許多上述特徵對圖26與27中之LC面板總成也是適合的。
現在將參照圖28、29、30、31、32與33結合圖1與2詳細描述根據本發明之其它例示性實施例之LC面板總成的結構。
圖28展示訊號線及像素PX之等效電路圖。
如圖28所示之LC面板總成包括複數條訊號線及與其相連之複數個像素PX。訊號線包括複數條閘極線GL以及複數條資料線DL。
每一像素PX包括一對第一與第二子像素PXe與PXf以及一連接在該第一子像素PXe與該第二子像素PXf間之耦合電容器Ccp。
第一子像素PXe包括連接至閘極線GL之一及資料線DL之一的切換元件Q、耦合至該切換元件Q之第一LC電容器Clce以及連接至切換元件Q之儲存電容器Cste。第二子像素PXf包括耦合至該耦合電容器Ccp之第二LC電容器Clcb。
諸如薄膜電晶體(TFT)之切換元件Q提供於下面板100上且具有3個端子：(1)連接至閘極線GL之控制端子；(2)連接至資料線DL之輸入端子；與(3)連接至LC電容器Clce、儲存電容器Cste及耦合電容器Ccp之輸出端子。
切換元件Q響應來自閘極線GL之閘極訊號而自資料線DL傳輸資料電壓至第一LC電容器Clce與耦合電容器Ccp。耦合電容器Ccp變換資料電壓之量值並將其供應至第二LC電容器Clcf。
假設共同電壓Vcom施加至儲存電容器Cste以及電容器Clce、Cste、Clcf或Ccp，且其電容由相同標號表示，則儲存在第一LC電容器Clce中之電壓Ve以及儲存在第二LC電容器Clcf中之電壓Vf滿足：Vf=Ve×[Ccp/(Ccp+Clcf)]。
因為Ccp/(Ccp+Clcf)小於1，所以儲存在第二LC電容器Clcf中之電壓Vf小於儲存在第一LC電容器Clce中之電壓Ve。即使施加至儲存電容器Cste之電壓不為共同電壓Vcom，此關係仍滿足。
電壓Ve與Vf之理想比可藉由調節耦合電容器Ccp之電容而獲得。
將參照圖29-33詳細描述根據本發明之例示性實施例之圖28中之LC面板總成的實例。
圖29、31、32與33係根據本發明之例示性實施例之LC面板總成的平面布局圖。圖30係沿線XXX-XXX截得之圖29中之LC面板總成的截面圖。
如圖29、31、32與33所示之LC面板總成分別具有如圖3、4、5與6所示之像素電極組態。
LC面板總成包括一TFT陣列面板100、一面向該TFT陣列面板100之共同電極面板200以及一液晶層3。
根據此等例示性實施例之LC面板總成之分層結構與圖19-23中所示之LC面板總成類似。
就TFT陣列面板100而言，複數條閘極線121形成於基板110上。閘極線121包括閘電極124。在閘極線121上依次形成閘極絕緣層140、複數個半導體構件154以及複數個歐姆接觸接點對163及165。包括複數條資料線171及複數個汲電極175之資料導體形成於歐姆接觸163與165及閘極絕緣層140上。資料線171包括源電極173。鈍化層180形成於資料 導體171與175、閘極絕緣層140以及半導體構件154之曝露部分上。複數個接觸孔185形成於鈍化層180處。在鈍化層180上形成包括具有切口93a與93b之子像素電極191e、191f、191Re、191Rf、191Ge、191Gf、191Be與191Bf之複數個像素電極191、191R、191G與191B。
就共同電極面板200而言，在絕緣基板210上形成阻光構件220、複數個彩色濾光器230、共同電極270以及複數個突起280。
與圖19-23所示之LC面板總成不同，第二子像素電極191f、191Rf、191Gf與191Bf係電浮動的，而第一子像素電極191e、191Re、191Ge與191Be連接至汲電極175。
每一汲電極175包括一延伸至像素電極191、191R、191G與191B之斜邊的耦合電極176。耦合電極176沿第二子像素電極191f、191Rf、191Gf與191Bf下之突起280延伸而與第二子像素電極191f、191Rf、191Gf與191Bf重疊。因此，第一子像素電極191e、191Re、191Ge或191Be以及第二子像素電極191f、191Rf、191Gf與191Bf彼此電容耦合以形成耦合電容器Ccp。
圖19-23中之LC面板總成之許多上述特徵對圖29-33中之LC面板總成也是適合的。
現將參照圖34、35、36、37與38結合圖1與2詳細描述LC面板總成之結構。
圖34展示訊號線及像素PX之示意等效電路圖。
如圖34所示之LC面板總成包括複數條訊號線及與其相連 之複數個像素PX。訊號線包括複數條閘極線GL、複數條資料線DL以及實質上平行於閘極線GL延伸之複數個儲存電極線對SLg與SLh。
每一像素PX包括一對子像素PXg與PXh。每一子像素PXg/PXh包括分別連接至閘極線GL之一及資料線DL之一的切換元件Qg/Qh、耦合至該切換元件Qg/Qh之LC電容器Clcg/Clch以及連接在切換元件Qg/Qh與儲存電極線SLg/SLh之一間之儲存電容器Cstg/Csth。
諸如TFT之切換元件Qg/Qh提供於下面板100上且具有3個端子：(1)連接至閘極線GL之控制端子；(2)連接至資料線DL之輸入端子；與(3)連接至LC電容器Clcg/Clch以及儲存電容器Cstg/Csth之輸出端子。
儲存電容器Cstg/Csth為LC電容器Clcg/Clch之輔助電容器。儲存電容器Cstg/Csth包括子像素電極及儲存電極線SLg/SLh，其提供於下面板100上且經由絕緣體與子像素電極重疊。兩條儲存電極線SLg與SLh供有具有相反相位或極性之週期電壓。
因為上文已參照圖2描述LC電容器Clcg/Clch及其它相關元件，所以將省略其詳細描述。
在圖34所示之LCD中，當LC電容器Clcg與Clch以及儲存電容器Cstg與Csth充電且切換元件Qg與Qh切斷後，施加至儲存電極線SLg與SLh之電壓以相反方向移動而使得LC電容器Clcg與Clch之電壓不同。
將參照圖35-38詳細描述根據本發明之例示性實施例之 圖34中之LC面板總成的實例。
圖35、36、37與38係根據本發明之例示性實施例之LC面板總成的平面布局圖。
如圖35、36、37與38所示之LC面板總成分別具有如圖3、4、5與6所示之像素電極組態。
LC面板總成包括一TFT陣列面板100、一面向該TFT陣列面板100之共同電極面板200以及一液晶層3。
根據此等例示性實施例之LC面板總成之分層結構與圖19-23中所示之LC面板總成類似，因此將省略其截面圖。
就TFT陣列面板100而言，複數條閘極線121形成於基板110上。每一閘極線121分別包括第一與第二閘電極124g與124h。在閘極線121上依次形成閘極絕緣層140、複數個半導體構件154以及複數個歐姆接觸接點對(未圖示)。包括複數條資料線171及複數個汲電極175g與175h之資料導體形成於歐姆接觸及閘極絕緣層140上。資料線171包括源電極173g與173h。鈍化層180形成於資料導體171、175g與175h、閘極絕緣層140以及半導體構件154之曝露部分上。複數個接觸孔185g與185h形成於鈍化層180處。在鈍化層180上形成包括具有切口93a與93b之子像素電極191g、191h、191Rg、191Rh、191Gg、191Gh、191Bg與191Bh之複數個像素電極191、191R、191G與191B。
就共同電極面板200而言，在絕緣基板210上形成阻光構件220、複數個彩色濾光器230、共同電極270以及複數個突起280。
與圖19-23所示之LC面板總成不同，僅一條閘極線121分配給一個像素列，且閘極線121穿過子像素電極191g、191h、191Rg、191Rh、191Gg、191Gh、191Bg與191Bh之邊界。一對閘電極124g與124h彼此相連，且置於該對閘電極124g與124h上之一對源電極173g與173h連接至相同資料線171。
複數個儲存電極線對131g與131h形成於基板110上。每對儲存電極線131g與131h相對於閘極線121彼此相對設置，且供有具有相反相位之週期電壓。
形成像素電極191、191R、191G與191B之兩個子像素電極191g、191h、191Rg、191Rh、191Gg、191Gh、191Bg與191Bh與形成各自儲存電容器Cstg與Csth之各自儲存電極線131g與131h重疊。
圖19-23中之LC面板總成之許多上述特徵對圖35-38中之LC面板總成也是適合的。
因此，孔徑比及透射率增大以改良側向可見度。儲存電極之電容、像素電極之面積、資料線間之距離以及資料線與像素電極間之重疊面積等係易於控制的。
雖然已參照例示性實施例詳細描述了本發明，但是熟習此項技術者應瞭解，在不偏離附加申請專利範圍中列出之本發明之精神與範疇的情況下可對其進行各種修改及替換。
3‧‧‧液晶層
11、21‧‧‧對準層
12、22‧‧‧偏光器
71Ra-71Rd2、71Ga-71Gd、71Ba-71Bd2‧‧‧共同電極之切口
91a-91d、92、93a、93b‧‧‧像素電極之切口
81、81a、81b、82、82c、82d‧‧‧接觸助件
88‧‧‧屏蔽電極
100、200‧‧‧面板
110、210‧‧‧絕緣基板
121、121a、121b、129、129a、129b‧‧‧閘極線
124、124a、124b、124c、124d、124g、124h‧‧‧閘電極
131、131g、131h‧‧‧儲存電極線
137、137a、137b‧‧‧儲存電極
140‧‧‧閘極絕緣層
151、154a、154b‧‧‧半導體
161、163a、163b、163c、165a、165b、165c‧‧‧歐姆接觸
171、171c、171d、179、179c、179d‧‧‧資料線
173、173a-173d、173g、173h‧‧‧源電極
175a-175h、176a、177a-177d‧‧‧汲電極
176‧‧‧耦合電極
180‧‧‧鈍化層
181、181a、181b、182、182c、182d、185、185a-185d、185g、185h‧‧‧接觸孔
191、191R、191G、191B‧‧‧像素電極
191a、191b、191Ra-191Rd2、191Rg、191Rh、191Ga-191Gd、191Gg、191Gh、191Ba-191Bd2、91Bg、191Bh‧‧‧子像素電極
192R、192B‧‧‧像素電極連接
198、198U、198L‧‧‧基極
220‧‧‧阻光構件
230‧‧‧彩色濾光器
250‧‧‧外塗層
270‧‧‧共同電極
280‧‧‧突起
300‧‧‧液晶面板總成
400‧‧‧閘極驅動器
500‧‧‧資料驅動器
600‧‧‧訊號控制器
800‧‧‧灰度電壓產生器
CE‧‧‧共同電極
CF‧‧‧彩色濾光器
Clc1、Clc2、Clca-Clch‧‧‧液晶電容器
CONT1、CONT2‧‧‧控制訊號
Csta-Csth‧‧‧儲存電容器
DAT‧‧‧輸出影像訊號
DE‧‧‧資料賦能訊號
DL、DL1、DL2、DLc、DLd‧‧‧資料線
GL、GLa、GLb‧‧‧閘極線
GVa、GVb‧‧‧灰度電壓
Hsync‧‧‧水平同步訊號
PE1、PE2、PE11-PE19、PE21-PE29、PE31-PE33、PE41-PE43、PE51-PE53、PE61-PE63‧‧‧子像素電極
PE‧‧‧像素電極
PXa-PXh‧‧‧子像素
PX‧‧‧像素
Qa-Qh‧‧‧切換元件
R、G、B‧‧‧輸入影像訊號
SL、SLg、SLh‧‧‧儲存電極線
Vcom‧‧‧共同電壓
Vd‧‧‧資料訊號
Vg‧‧‧閘極訊號
Voff‧‧‧關閘電壓
Von‧‧‧開閘電壓
Vsync‧‧‧垂直同步訊號
圖1係根據本發明之一例示性實施例之LCD的方塊圖； 圖2係根據本發明之一例示性實施例之圖1中之LCD之一像素的示意等效電路圖；圖3-8係根據本發明之例示性實施例之LC面板總成中之像素電極與共同電極之平面布局圖；圖9A-9C係形成圖3-8中之子像素電極之基極與電極件之平面圖；圖10A與10B係根據本發明之一例示性實施例之像素PX'與訊號線之示意等效電路圖；圖11係根據本發明之一例示性實施例之下面板(TFT陣列面板)的平面布局圖；圖12係根據本發明之一例示性實施例之上面板(共同電極面板)的平面布局圖；圖13係包括圖11中之TFT陣列面板與圖12中之共同電極面板之LC面板總成的平面布局圖；圖14係沿線XIV-XIV截得之圖13中之LC面板總成的截面圖；圖15係根據本發明之另一例示性實施例之TFT陣列面板的平面布局圖；圖16係根據本發明之另一例示性實施例之共同電極面板的平面布局圖；圖17係包括圖15中之TFT陣列面板與圖16中之共同電極面板之LC面板總成的平面布局圖；圖18係沿線XVIII-XVIII截得之圖17中之LC面板總成的截面圖； 圖19、21、22、23與24係根據本發明之其它例示性實施例之LC面板總成的平面布局圖；圖20係沿線XX-XX截得之圖19中之LC面板總成的截面圖；圖25展示根據本發明之一例示性實施例之像素PX與訊號線之示意等效電路圖；圖26係根據本發明之一例示性實施例之圖25中之LC面板總成的平面布局圖；圖27係沿線XXVII-XXVII截得之圖26中之LC面板總成的截面圖；圖28展示根據本發明之一例示性實施例之像素PX與訊號線之示意等效電路圖；圖29、31、32與33係根據本發明之例示性實施例之LC面板總成的平面布局圖；圖30係沿線XXX-XXX截得之圖29中之LC面板總成的截面圖；圖34展示根據本發明之一例示性實施例之像素PX與訊號線之示意等效電路圖；且圖35、36、37與38係根據本發明之例示性實施例之LC面板總成的平面布局圖。
PE51-PE53、PE61-PE63‧‧‧子像素電極
198U1、198U3、198L1、198L3‧‧‧基極
60U、60L、90L‧‧‧切口
H1、H2‧‧‧高度

Claims (38)

  1. 一種液晶顯示器，包括：一基板；及一置於該基板上之像素電極，該像素電極包括彼此分開之一第一子像素電極與一第二子像素電極，其中該第一子像素電極包括一第一電極，其包括至少兩個具有不同傾斜方向之實質上成平行四邊形之電極件，該第一電極之該至少兩個成平行四邊形之電極件於縱向方向彼此連接，該第二子像素電極包括一第二電極，該第二電極包括至少兩個具有不同傾斜方向之實質上成平行四邊形之電極件，該第二電極之該至少兩個成平行四邊形之電極件之兩者於縱向方向彼此連接，且該像素電極之該第一電極及該第二電極於該縱向方向彼此相鄰。
  2. 如請求項1之液晶顯示器，其中該第一電極與該第二電極彼此相鄰。
  3. 如請求項1之液晶顯示器，其中該第一電極與該第二電極相對於彼此於一對角方向對準。
  4. 如請求項1之液晶顯示器，其中該第一電極與該第二電極於界定該第一電極與該第二電極之一邊對準。
  5. 如請求項1之液晶顯示器，其中該第一電極與該第二電極在界定該等兩個實質上成平行四邊形之電極件間之一接合部之一中心處對準。
  6. 如請求項1之液晶顯示器，其中該第一電極與該第二電極具有不同寬度。
  7. 如請求項1之液晶顯示器，其中該第一電極與該第二電極具有不同高度。
  8. 如請求項7之液晶顯示器，其中該第一電極之該高度大於該第二電極之該高度，且等於或小於該第二電極之該高度的兩倍。
  9. 如請求項1之液晶顯示器，其中該第二子像素電極包括一第三電極，該第三電極包括至少兩個具有不同傾斜方向之實質上成平行四邊形之電極件，且該第三電極橫向鄰近於該第一電極且連接至該第二電極。
  10. 如請求項1之液晶顯示器，其中該第一子像素電極與該第二子像素電極具有不同面積。
  11. 如請求項10之液晶顯示器，其中該第二子像素電極之該面積係該第一子像素電極之該面積之1.1倍至3倍。
  12. 如請求項1之液晶顯示器，進一步包括一面向該像素電極之共同電極，該共同電極具有一切口，其中，該等電極件中之每一者具有一對實質上互相平行之斜邊，及該切口穿過該第一子像素電極與該第二子像素電極且包括一實質上平行於該等電極件之該等斜邊延伸之傾斜部分。
  13. 如請求項1之液晶顯示器，其中該第一子像素電極與該第二子像素電極具有不同電壓。
  14. 如請求項13之液晶顯示器，其中該第一子像素電極及該第二子像素電極之該等電壓係源自一單影像資訊。
  15. 如請求項14之液晶顯示器，進一步包括：一耦合至該第一子像素電極之第一薄膜電晶體；一耦合至該第二子像素電極之第二薄膜電晶體；耦合至該第一薄膜電晶體之第一與第二訊號線；及耦合至該第二薄膜電晶體之第三與第四訊號線。
  16. 如請求項14之液晶顯示器，進一步包括：一耦合至該第一子像素電極之第一薄膜電晶體；一耦合至該第二子像素電極之第二薄膜電晶體；一耦合至該第一薄膜電晶體之第一訊號線；一耦合至該第二薄膜電晶體之第二訊號線；及一耦合至該第一薄膜電晶體與該第二薄膜電晶體之第三訊號線，該第三訊號線與該第一訊號線及該第二訊號線交叉。
  17. 如請求項16之液晶顯示器，其中該第一薄膜電晶體與該第二薄膜電晶體分別根據來自該第一訊號線與該第二訊號線之訊號而開啟，以傳輸來自該第三訊號線之訊號。
  18. 如請求項16之液晶顯示器，其中該第一薄膜電晶體與該第二薄膜電晶體分別根據來自該第三訊號線之一訊號而開啟，以傳輸來自該第一訊號線與該第二訊號線之訊號。
  19. 如請求項16之液晶顯示器，進一步包括一沿該第一電極與該第二電極之一邊界延伸之第四訊號線。
  20. 如請求項19之液晶顯示器，其中該第一薄膜電晶體包括 一與該第四訊號線重疊之第一汲電極，且該第二薄膜電晶體包括一與該第四訊號線重疊之第二汲電極。
  21. 如請求項16之液晶顯示器，進一步包括：一穿過該第一電極之一中心之第四訊號線；及一穿過該第二電極之一中心之第五訊號線，其中該中心界定為該等各自兩個實質上成平行四邊形之電極件間之一接合部。
  22. 如請求項21之液晶顯示器，其中該第一薄膜電晶體包括一與該第四訊號線重疊之第一汲電極，且該第二薄膜電晶體包括一與該第五訊號線重疊之第二汲電極。
  23. 如請求項14之液晶顯示器，其中該第一子像素電極與該第二子像素電極彼此電容耦合。
  24. 如請求項23之液晶顯示器，進一步包括一連接至該第一子像素電極並與該第二子像素電極重疊之耦合電極。
  25. 如請求項14之液晶顯示器，進一步包括：一耦合至該第一子像素電極之第一薄膜電晶體；一耦合至該第二子像素電極之第二薄膜電晶體；一耦合至該第一薄膜電晶體與該第二薄膜電晶體之閘極線；一耦合至該第一薄膜電晶體與該第二薄膜電晶體之資料線；一與該第一子像素電極重疊之第一儲存電極線；及一與該第二子像素電極重疊之第二儲存電極線。
  26. 如請求項25之液晶顯示器，其中該第一儲存電極線之一 第一電壓之一相位與該第二儲存電極線之一第二電壓之一相位相反。
  27. 如請求項26之液晶顯示器，其中該閘極線穿過該第一子像素電極與該第二子像素電極間之一邊界。
  28. 如請求項1之液晶顯示器，其中該第二子像素電極具有一切口。
  29. 如請求項28之液晶顯示器，進一步包括：一面向該像素電極之共同電極；及一置於該像素電極與該共同電極間之液晶層。
  30. 如請求項29之液晶顯示器，其中該共同電極具有一切口。
  31. 如請求項29之液晶顯示器，進一步包括一形成於該共同電極上之突起。
  32. 一種液晶顯示器，包括：一基板；及形成於該基板上之複數個像素電極組，其中該等像素電極組中之每一者包括複數個像素電極，該等像素電極中之每一者包括一第一子像素電極以及一與該第一子像素電極分離之第二子像素電極，該第一子像素電極與該第二子像素電極中之每一者包括至少兩個具有不同傾斜方向之實質上成平行四邊形之電極件，該第一子像素電極與該第二子像素電極中之每一者之該至少兩個成平行四邊形之電極件之兩者於一縱向方向彼此連接， 該等像素電極組中之每一者中之至少一個像素電極具有一與其它像素電極不同之形狀，且該第一子像素電極及該第二子像素電極於該縱向方向彼此相鄰。
  33. 如請求項32之液晶顯示器，其中該等像素電極組以列與行方向週期性排列。
  34. 如請求項32之液晶顯示器，其中該等像素電極組中之每一者中之該等像素電極具有一相等面積。
  35. 如請求項32之液晶顯示器，其中該等像素電極組中之每一者中之該等像素電極具有不同面積。
  36. 如請求項32之液晶顯示器，其中該等像素電極組中之每一者中之該等像素電極在一邊對準。
  37. 如請求項32之液晶顯示器，其中該第二子像素電極之一面積係該第一子像素電極之一面積的1.1倍至3倍。
  38. 如請求項32之液晶顯示器，其中該第一子像素電極與該第二子像素電極具有不同電壓。
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