JP5229765B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明は液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は、現在最も広く使用されている平板表示装置の一つであって、画素電極と共通電極など電場生成電極が形成されている二枚の表示板と、その間に挿入されている液晶層とからなり、電場生成電極に電圧を印加して液晶層に電場を生成し、これを通じて液晶層の液晶分子の配向を決定し、入射光の偏光を制御することによって映像を表示する。

また、液晶表示装置は、各画素電極に接続されているスイッチング素子及びスイッチング素子を制御して画素電極に電圧を印加するためのゲート線とデータ線などの複数の信号線を備える。

このような液晶表示装置の中でも、電場が印加されない状態で液晶分子の長軸を上下表示板に対して垂直をなすように配列した垂直配向方式（ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ ａｌｉｇｎｅｄ ｍｏｄｅ）の液晶表示装置は、コントラスト比が大きく、基準視野角が広いという長所があり脚光を浴びている。ここで、基準視野角とは、コントラスト比が１：１０である視野角または階調間輝度反転限界角度を意味する。

垂直配向モード液晶表示装置で広視野角を実現するための手段としては、電場生成電極に切開部を形成する方法と、電場生成電極上に突起を形成する方法などがある。切開部と突起によって液晶分子の傾斜方向を決定することができるので、これによって液晶分子の傾斜方向を多様な方向に分散して基準視野角を広くすることができる。

側面視認性を改善するために、一つの画素を二つの副画素に分割し、二つの副画素を容量性結合した後、一方の副画素には直接電圧を印加し、他方の副画素には容量性結合による電圧下降を生じさせて二つの副画素の電圧が異にするして、透過率を異なるようにする方法が提示された。

しかし、このような方法は、二つの副画素の透過率を所望の水準に正確に調整することができず、特に、色相によって光透過率が異なるため各色相に対する電圧配合を異なるようにすべきであるが、それを実行することができない。また、容量性結合するために導電体が追加されるなどして開口率が低下し、容量性結合による電圧降下のため透過率が減少する。

また、突起や切開部が存在する部分は光が透過し難く、突起や切開部が多いほど開口率が低下する。開口率を向上させるために、画素電極を大きくした超高開口率の構造が提示された。しかし、この場合、画素電極間の距離が近く、画素電極とデータ線間の距離も近いので、画素電極の周縁近傍に強い側方向電場（ｌａｔｅｒａｌ ｆｉｅｌｄ）が形成される。このような側方向電場によって液晶分子の配向が乱れ、その結果、テクスチャ（ｔｅｘｔｕｒｅ）や光漏れが生じ、応答時間が長くなる。

また、垂直配向モードの液晶表示装置は、前面視認性に比べて側面視認性が低い。例えば、切開部を有するＰＶＡ（ｐａｔｔｅｒｎｅｄ ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ ａｌｉｇｎｅｄ）方式の液晶表示装置の場合、側面に向かうほど映像が明るくなり、酷い場合には高階調間の輝度差が無くなって画像がぼやける。

本発明が解決しようとする技術的課題は、液晶表示装置の開口率を向上させながら透過率を向上させることである。

本発明の他の技術的課題は、側面視認性を向上させることである。

本発明の他の技術的課題は、縦線の表現を良くし、各副画素電極に対する電圧印加を容易にして、液晶表示板組立体の配置の柔軟性を高めることである。

本発明の実施形態による液晶表示装置は、基板と、前記基板上に形成されてそれぞれ第１及び第２副画素電極を有する画素電極を備え、前記第１副画素電極は、傾斜方向が互いに異なる少なくとも二つの平行四辺形の電極片を含む第１電極を有し、前記電極片の一方の短辺は、隣接する他の前記電極片の一方の短辺と連結され、前記第２副画素電極は、傾斜方向が互いに異なる少なくとも二つの平行四辺形の電極片を含む第２電極を有し、前記電極片の一方の短辺は、隣接する他の電極片の一方の短辺と連結され、前記第１電極および前記第２電極の電極片の短辺が互いに平行になるように前記第１電極と前記第２電極は隣接する。

前記第１電極および前記第２電極は、くの字形状を呈する。

前記画素電極は一側に整列させて配置することができる。

前記第１電極と前記第２電極の幅が互いに異なるようにすることができる。

前記第１電極の高さと前記第２電極の高さが互いに異なるようにすることができ、前記第１電極の高さが前記第２電極の高さより高く、２倍以下であり得る。

前記第２副画素電極は、傾斜方向が互いに異なる少なくとも二つの平行四辺形の電極片を含み、前記第１電極と左右に隣接し、前記第２電極に接続される第３電極を備えることができる。

前記第１副画素電極と前記第２副画素電極は広さが互いに異なるようにすることができ、前記第２副画素電極の面積は、前記第１副画素電極の面積の１．１倍乃至３倍であり得る。

前記画素電極と対向して切開部を有する共通電極をさらに備え、前記電極片は互いに並ぶ一対の斜辺を含み、前記切開部は、前記第１及び第２副画素電極を横切り、前記電極片の斜辺と平行な斜線部を含むことができる。

前記第１副画素電極と前記第２副画素電極の電圧は互いに異なることができ、一つの映像情報から得ることができる。

前記液晶表示装置は、前記第１副画素電極に接続される第１薄膜トランジスタ、前記第２副画素電極に接続される第２薄膜トランジスタ、前記第１薄膜トランジスタに接続される第１及び第２信号線、並びに前記第２薄膜トランジスタに接続される第３及び第４信号線をさらに備えることができる。

前記液晶表示装置は、前記第１副画素電極に接続される第１薄膜トランジスタ、前記第２副画素電極に接続される第２薄膜トランジスタ、前記第１薄膜トランジスタに接続される第１信号線、前記第２薄膜トランジスタに接続される第２信号線、並びに前記第１及び第２薄膜トランジスタに接続し、前記第１及び第２信号線と交差する第３信号線をさらに備えることができる。

前記第１及び第２薄膜トランジスタは、それぞれ前記第１及び第２信号線からの信号に従って導通して、前記第３信号線からの信号を伝達することができる。

前記第１及び第２薄膜トランジスタは、それぞれ前記第３信号線からの信号に従って導通して、前記第１及び第２信号線からの信号を伝達することができる。

前記第１電極及び第２電極の境界に沿って延びる第４信号線をさらに備えることができる。

前記第１及び第２薄膜トランジスタは、前記第４信号線と重畳する第１及び第２ドレイン電極をそれぞれ備えることができる。

前記第１電極の横中心線に沿って延びる第４信号線と、前記第２電極の横中心線に沿って延びる第５信号線をさらに備えることができる。

前記第１及び第２薄膜トランジスタは、それぞれ前記第４及び第５信号線と重畳する第１及び第２ドレイン電極を備えることができる。

前記第１副画素電極と前記第２副画素電極は、容量性結合することができる。

前記液晶表示装置は、前記第１副画素電極に接続し、前記第２副画素電極と重畳する結合電極をさらに備えることができる。

前記液晶表示装置は、前記第１副画素電極に接続される第１薄膜トランジスタ、前記第２副画素電極に接続される第２薄膜トランジスタ、前記第１及び第２薄膜トランジスタに接続されるゲート線、前記第１及び第２薄膜トランジスタに接続されるデータ線、前記第１副画素電極と重畳する第１維持電極線、並びに前記第２副画素電極と重畳する第２維持電極線をさらに備えることができる。

前記第１維持電極線に印加される電圧と前記第２維持電極線に印加される電圧の位相は互いに相反ことができる。

前記ゲート線は、前記第１副画素電極と前記第２副画素電極の間を通ることができる。

前記第２副画素電極は、切開部を有することができる。

前記液晶表示装置は、前記画素電極と対向する共通電極、及び前記画素電極と前記共通電極の間に介在する液晶層をさらに備えることができる。

前記共通電極は、切開部を有することができる。

前記液晶表示装置は、前記共通電極上に形成されている突起をさらに有することができる。

本発明の他の液晶表示装置は、基板と、前記基板上に形成されている複数の画素電極群を備え、前記画素電極群のそれぞれは複数の画素電極を有し、前記画素電極のそれぞれは互いに分離されている第１及び第２副画素電極を有し、前記第１及び第２副画素電極のそれぞれは傾斜方向が互いに異なる少なくとも二つの平行四辺形の電極片を含み、前記電極片の一方の短辺は、隣接する他の前記電極片の一方の短辺と連結され、前記第１副画素電極および前記第２副画素電極の電極片の短辺が互いに平行になるように前記第１副画素電極と前記第２副画素電極は隣接し、前記各画素電極群の画素電極の少なくとも一つは異なる形状を有する。

前記画素電極群が同一形状に行及び列方向に繰り返して配列させて配置することができる。

前記画素電極群の各画素電極の面積は、互いに同一であるか、異なるようにすることができる。

前記画素電極群は、左側または右側に整列させて配置することができる。

前記第２副画素電極の面積は、前記第１副画素電極面積の１．１倍乃至３倍であり得る。

前記第１副画素電極と前記第２副画素電極の電圧は、互いに異なるようにすることができる。

本発明によれば、開口率が一層向上し、側面視認性を向上させることができ、第１及び第２副画素電極にデータ電圧を別に印加することが容易である。また、縦線の表現がさらに良くなり、中大型表示装置における透過率を向上させることができる。ストレージキャパシタの容量調節、画素電極の面積調節及びデータ線間の間隔調節が自由で、データ線と画素電極との重畳面積の調節が容易であり、寄生キャパシタの容量を適切に調節することができる。

添付した図面を参照して、本発明の実施形態を、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は、多様な形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。

図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一な参照符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の「上に」あるとする時、これは他の部分の「すぐ上に」ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の「すぐ上に」あるとする時、これは中間に他の部分がない場合を意味する。

まず、図１及び図２を参照して本発明の一実施形態による液晶表示装置について詳細に説明する。

図１は、本発明の一実施形態による液晶表示装置のブロック図であり、図２は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の二つの副画素に対応する等価回路図である。

図１に示すように、本発明の一実施形態による液晶表示装置は、液晶表示板組立体（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｐａｎｅｌ ａｓｓｅｍｂｌｙ）３００、及びこれに接続されたゲート駆動部４００、データ駆動部５００、データ駆動部５００に接続された階調電圧生成部８００、並びにこれらを制御する信号制御部６００を備える。

液晶表示板組立体３００は、等価回路的に、複数の信号線（図示せず）と、これに接続されて略行列状に配列された複数の画素ＰＸを備える。これに対し、図２に示す構造によれば、液晶表示板組立体３００は、互いに対向する下部及び上部表示板１００、２００と、その間に介在する液晶層３を備える。

信号線は、下部表示板１００に備えられており、ゲート信号（走査信号とも言う。）を伝達する複数のゲート線（図示せず）とデータ信号を伝達する複数のデータ線（図示せず）を有する。ゲート線は略行方向に延びて互いに略平行であり、データ線は略列方向に延びて互いに略平行である。

各画素ＰＸは一対の副画素を有し、各副画素は液晶キャパシタＣｌｃ１、Ｃｌｃ２を有する。二つの副画素の少なくとも一つは、ゲート線、データ線、及び液晶キャパシタＣｌｃ１、Ｃｌｃ２に接続されたスイッチング素子（図示せず）を有する。

液晶キャパシタＣｌｃ１、Ｃｌｃ２は、下部表示板１００の副画素電極ＰＥ１、ＰＥ２と上部表示板２００の共通電極ＣＥを二つの端子とし、副画素電極ＰＥ１、ＰＥ２と共通電極ＣＥの間に配置されている液晶層３が誘電体として機能する。

一対の副画素電極ＰＥ１、ＰＥ２は互いに分離されており、一つの画素電極ＰＥをなす。

共通電極ＣＥは上部表示板２００の全面に形成されおり、共通電圧Ｖｃｏｍの印加を受ける。液晶層３は負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子は電場がない状態でその長軸が二つの表示板１００、２００の表面に対して垂直をなすように配向されることができる。

一方、色表示を実現するために、各画素ＰＸが基本色（ｐｒｉｍａｒｙ ｃｏｌｏｒ）の一つを固有に表示したり（空間分割）、各画素ＰＸが時間によって交互に基本色を表示するように（時間分割）して、これら基本色の空間的、時間的作用で所望の色相が認識されるようにする。基本色の例としては、赤色、緑色、青色などの三原色が挙げられる。図２は、空間分割の一例であって、各画素ＰＸが上部表示板２００の領域に基本色の一つを示すカラーフィルタＣＦを備えている。なお、カラーフィルタＣＦは、図２と異なって、下部表示板１００の副画素電極ＰＥ１、ＰＥ２の上または下に形成することもできる。

表示板１００、２００の外側面には偏光子（ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）（図示せず）が備えられているが、二つの偏光子の偏光軸は直交することができる。反射型液晶表示装置の場合、二つの偏光子のうちの一つは省略可能である。直交偏光子である場合、電場がない液晶層３に入る入射光を遮断する。

図３、図４、図５、図６、図７、図８、図９Ａ、図９Ｂ及び図９Ｃを参照して、このような液晶表示板組立体の画素電極及び共通電極の詳細構造について説明する。

図３乃至図８は、本発明の多様な実施形態による液晶表示板組立体における画素電極と共通電極の配置図であり、図９Ａ乃至図９Ｃは、図３乃至図８に示した各副画素電極の基本となる電極片及び基本電極の平面図である。

図３乃至図８を参照すれば、本発明の実施形態による液晶表示板組立体の各画素電極ＰＥは互いに分離されている一対の副画素電極ＰＥ１とＰＥ２、ＰＥｉｊとＰＥ（ｉ＋１）ｊ（ｉ＝１、３、５、ｊ＝１〜９）を含む。副画素電極は、場合によって切開部（ｃｕｔｏｕｔ）９０Ｕ、９０Ｌを有する。共通電極ＣＥ（図２参照）は、副画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥｉｊ、ＰＥ（ｉ＋１）ｊと対向する突起２８０または切開部６０Ｕ、６０Ｌを有する。

一つの画素電極ＰＥをなす二つの副画素電極ＰＥ１とＰＥ２、ＰＥｉｊとＰＥ（ｉ＋１）ｊは、それぞれ別個のスイッチング素子（図示せず）に接続される。これとは異なって、一つの副画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥｉｊ、ＰＥ（ｉ＋１）ｊはスイッチング素子（図示せず）に接続し、その他の副画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥｉｊ、ＰＥ（ｉ＋１）ｊはそれと容量性結合することができる。

副画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥｉｊ、ＰＥ（ｉ＋１）ｊのそれぞれは、少なくとも図９Ａに示した平行四辺形の電極片１９６一つと、図９Ｂに示した平行四辺形の電極片１９７の一つを含む。

図９Ａ及び図９Ｂに示した電極片１９６、１９７を上下に連結すれば図９Ｃに示した基本電極１９８となり、各副画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥｉｊ、ＰＥ（ｉ＋１）ｊは、このような基本電極１９８を根幹とする構造を有する。

図９Ａ及び図９Ｂ示すように、電極片１９６、１９７のそれぞれは、一対の斜辺（ｏｂｌｉｑｕｅ ｅｄｇｅ）１９６ｏ、１９７ｏ及び一対の横辺（ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ ｅｄｇｅ）１９６ｔ、１９７ｔを有し、略平行四辺形である。各斜辺１９６ｏ、１９７ｏは横辺１９６ｔ、１９７ｔに対して斜角（ｏｂｌｉｑｕｅ ａｎｇｌｅ）をなし、斜角の大きさは略４５度乃至１３５度であることが好ましい。説明上、以下、底辺１９６ｔ、１９７ｔを中心に垂直状態から傾斜した方向（傾斜方向）によって区分し、図９Ａのように右側に傾斜したものを「右傾斜」といい、図９Ｂのように左に傾斜したものを「左傾斜」という。

電極辺１９６、１９７において、横辺１９６ｔ、１９７ｔの長さ、つまり幅（Ｗ）と、横辺１９６ｔ、１９７ｔ間の距離、つまり高さ（Ｈ）は、表示板組立体３００の大きさに応じて自由に定めることができる。また、各電極辺１９６、１９７において、横辺１９６ｔ、１９７ｔは、他の部分との関係を考慮して折れ曲がったり突出するなどの変形が可能であり、以下、このような変形を全て含めて平行四辺形と称する。

共通電極ＣＥには電極片１９６、１９７と対向する切開部６１、６２が形成されており、電極片１９６、１９７は、切開部６１、６２を中心に二つの副領域Ｓ１、Ｓ２に区画される。切開部６１、６２は、電極片１９６、１９７の斜辺１９６ｏ、１９７ｏと並ぶ斜線部６１ｏ、６２ｏと、斜線部６１ｏ、６２ｏと鈍角をなしながら電極片１９６、１９７の横辺１９６ｔ、１９７ｔと重畳する横部６１ｔ、６２ｔを含む。

各副領域Ｓ１、Ｓ２は、切開部６１、６２の斜線部６１ｏ、６２ｏ及び電極片１９６、１９７の斜辺１９６ｏ、１９７ｏによって定義される二つの主辺（ｐｒｉｍａｒｙ ｅｄｇｅ）を有する。主辺間の距離つまり副領域Ｓ１、Ｓ２の幅は約２５〜４０μｍ程度であることが好ましい。

図９Ｃに示した基本電極１９８は、右傾斜電極片１９６と左傾斜電極片１９７が下上に結合してなる。右傾斜電極片１９６と左傾斜電極片１９７がなす角度は略直角であることが好ましく、二つの電極片１９６、１９７の連結は一部でのみなされる。連結されない部分は、切開部９０となって凹んだところに位置する。しかし、切開部９０は省略可能である。

二つの電極片１９６、１９７の外側横辺１９６ｔ、１９７ｔは基本電極１９８の横辺１９８ｔをなし、二つの電極片１９６の対応する斜辺１９６ｏ、１９７ｏは互いに連結されて基本電極１９８の屈曲辺（ｃｕｒｖｅｄ ｅｄｇｅ）１９８ｏ１、１９８ｏ２をなす。

屈曲辺１９８ｏ１、１９８ｏ２は、横辺１９８ｔと鈍角、例えば約１３５°をなして出会う凸辺（ｃｏｎｖｅｘ ｅｄｇｅ）１９８ｏ１、及び横辺１９８ｔ）と鋭角、例えば約４５°をなして出会う凹辺（ｃｏｎｃａｖｅ ｅｄｇｅ）１９８ｏ２を含む。屈曲辺１９８ｏ１、１９８ｏ２は、一対の斜辺１９６ｏ、１９７ｏが略直角に出会ってなるので、その屈曲角度は略直角である。

切開部９０は、凹辺１９８ｏ２上の凹頂点（ＣＶ）から凸辺１９８ｏ１上の凸頂点（ＶＶ）に向けて略基本電極１９８の中心まで延びていると言える。

また、共通電極ＣＥの切開部６１、６２は互いに連結されて一つの切開部６０を構成する。この時、切開部６１、６２で重畳する横部６１ｔ、６２ｔは結合して一つの横部６０ｔ１をなす。この新たな形態の切開部６０について以下のように説明する。

切開部６０は、屈曲点（ＣＰ）を有する屈曲部６０ｏ、屈曲部６０ｏの屈曲点（ＣＰ）に連結されている中央横部６０ｔ１、及び屈曲部６０ｏの両端に連結されている一対の終端横部６０ｔ２を含む。切開部６０の屈曲部６０ｏは直角に出会う一対の斜線部からなり、基本電極１９８の屈曲辺１９８ｏ１、１９８ｏ２に略平行であり、基本電極１９８を左半部と右半部に二等分する。切開部６０の中央横部６０ｔ１は、屈曲部６０ｏと鈍角、例えば約１３５°をなし、略基本電極１９８の凸頂点（ＶＶ）に向けて延びている。終端横部６０ｔ２は、基本電極１９８の横辺１９８ｔと整列されており、屈曲部６０ｏと鈍角、例えば約１３５°をなす。

基本電極１９８と切開部６０は、基本電極１９８の凸頂点（ＶＶ）と凹頂点（ＣＶ）を連結する仮想の直線（以下、横中心線という。）に対して略反転対称である。

図３乃至図８において、基本電極は２行で配列されている。各図において、基本電極の幅は同一であるが、異なるようにしてもよい。

図３乃至図７に示した構造の場合、上行に配置された基本電極の高さ（Ｈ０）と下行に配置された基本電極の高さ（Ｈ０）が同一である。

図３に示した構造の場合、下行と上行で各々３個ずつ全部で６個の基本電極が一つの単位（以下、ドットという。）を構成し、各副画素電極ＰＥ１、ＰＥ２は一つの基本電極を含む。

図４及び図７に示した構造の場合、下行と上行で各々５個ずつ全部で１０個の基本電極が一つのドットを構成する。

図４の場合、副画素電極ＰＥ１１、ＰＥ２１、ＰＥ１２、ＰＥ２２は行方向に隣接した二つの基本電極を含み、副画素電極ＰＥ１３、ＰＥ２３は一つの基本電極のみを含む。行方向に隣接した基本電極間の接続は基本電極の上段及び下段でなされており、これによって基本電極間の間隙が切開部９０Ｕ、９０Ｌとなる。

図７の場合、副画素電極ＰＥ３１、ＰＥ４１、ＰＥ３２、ＰＥ４２は列方向に隣接した二つの基本電極を有し、副画素電極ＰＥ３３、ＰＥ４３は一つの基本電極のみを有する。

図５及び図６に示した構造の場合、下行と上行で各々４個ずつ全部で８個の基本電極が一つのドットを構成する。

図５の場合、副画素電極ＰＥ１５、ＰＥ２４は行方向に隣接した二つの基本電極を有し、副画素電極ＰＥ１４、ＰＥ２５、ＰＥ１６、ＰＥ２６は一つの基本電極のみを有する。

図６の場合、副画素電極ＰＥ１７、ＰＥ２８は行方向に隣接した二つの基本電極を有し、副画素電極ＰＥ１８、ＰＥ２７、ＰＥ１９、ＰＥ２９は一つの基本電極のみを有する。

図６では、図１乃至図５及び図７と異なって、一つの画素電極を構成する副画素電極ＰＥ１７とＰＥ２７、ＰＥ１８とＰＥ２８が互いに交差して配置されている。

図８に示した構造の場合、上行に配置された基本電極の高さ（Ｈ１）が下行に配置された基本電極の高さ（Ｈ２）より高く、略１．１倍乃至２倍であることが好ましい。

下行と上行で各々５個ずつ全部で１０個の基本電極が一つのドットを構成する。副画素電極ＰＥ５１、ＰＥ５２、ＰＥ５３は一つの基本電極のみを有し、副画素電極ＰＥ６１、ＰＥ６３は上下に配置された一対の基本電極１９８Ｕ１と１９８Ｌ１、１９８Ｕ３と１９８Ｌ３を有し、副画素電極ＰＥ６２は下行に配置された隣接した３個の基本電極を有する。

副画素電極ＰＥ６１、ＰＥ６３をなす上下の基本電極１９８Ｕ１と１９８Ｌ１、１９８Ｕ３と１９８Ｌ３は連結部によって連結され、連結部は上下の基本電極１９８Ｕ３、１９８Ｌ３の隣接した角などを連結する。

図３乃至図８において、二つの副画素電極の位置関係及び折れ曲がった方向は変更することができ、図３乃至図８の画素電極を上下左右に反転対称に移動したり、回転移動することによって変形することができる。

再び図１を参照すれば、階調電圧生成部８００は、画素ＰＸの透過率と関連する複数の階調電圧を生成する。しかし、階調電圧生成部８００が全階調に対する階調電圧を直接生成せず、階調電圧を生成する基準となる階調基準電圧のみを生成して出力することもできる。

ゲート駆動部４００は、液晶表示板組立体３００のゲート線に接続し、ゲートオン電圧Ｖｏｎとゲートオフ電圧Ｖｏｆｆの組み合わせからなるゲート信号Ｖｇをゲート線に印加する。

データ駆動部５００は、液晶表示板組立体３００のデータ線に接続されており、階調電圧生成部８００からの階調電圧を選択し、これをデータ信号Ｖｄとしてデータ線に印加する。しかし、階調電圧生成部８００が全階調に対する電圧を全て提供するわけではなく、定められた数の基準階調電圧のみを提供する場合、データ駆動部５００は、基準階調電圧を分圧して全階調に対する階調電圧を生成し、この中でデータ信号Ｖｄを選択する。

信号制御部６００は、ゲート駆動部４００及びデータ駆動部５００などを制御する。

このような駆動装置４００、５００、６００、８００のそれぞれは、少なくとも一つの集積回路チップ形態で液晶表示板組立体３００上に直接装着されたり、フレキシブルプリント回路膜（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｆｉｌｍ）（図示せず）上に装着されてＴＣＰ（ｔａｐｅ ｃａｒｒｉｅｒ ｐａｃｋａｇｅ）の形態で液晶表示板組立体３００に付着されたり、別途のプリント回路基板（ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）（図示せず）上に装着されることもできる。また、これとは異なって、これら駆動装置４００、５００、６００、８００が液晶表示板組立体３００に集積されることもできる。さらには、駆動装置４００、５００、６００、８００は単一チップで集積されることができ、この場合、そのうちの少なくとも一つまたはそれらを構成する少なくとも一つの回路素子が単一チップの外側に存在し得る。

次に、このような液晶表示装置の動作について詳細に説明する。

信号制御部６００は、外部のグラフィック制御部（図示せず）から入力映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂ及びその表示を制御する入力制御信号を受信する。入力映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂは、各画素ＰＸの輝度情報を有しており、輝度は定められた数、例えば１０２４（＝２１０）、２５６（＝２８）または６４（＝２６）個の階調（ｇｒａｙ）を有する。入力制御信号の例としては、垂直同期信号Ｖｓｙｎｃと水平同期信号Ｈｓｙｎｃ、メインクロックＭＣＬＫ、データイネーブル信号ＤＥなどがある。

信号制御部６００は、入力映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂと入力制御信号に基づいて入力映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂを液晶表示板組立体３００及びデータ駆動部５００の動作条件に合うように適切に処理し、ゲート制御信号ＣＯＮＴ１及びデータ制御信号ＣＯＮＴ２などを生成した後、ゲート制御信号ＣＯＮＴ１をゲート駆動部４００に送り、データ制御信号ＣＯＮＴ２と処理した映像信号ＤＡＴをデータ駆動部５００に出力する。出力映像信号ＤＡＴは、デジタル信号として定められた数の値（または階調）を有する。

ゲート制御信号ＣＯＮＴ１は、走査開始を指示する走査開始信号ＳＴＶとゲートオン電圧Ｖｏｎの出力周期を制御する少なくとも一つのクロック信号を含む。また、ゲート制御信号ＣＯＮＴ１は、ゲートオン電圧Ｖｏｎの持続時間を限定する出力イネーブル信号ＯＥをさらに含むことができる。

データ制御信号ＣＯＮＴ２は、一群の副画素に対する映像データの伝送開始を知らせる水平同期開始信号ＳＴＨと、液晶表示板組立体３００にデータ信号の印加を指示するロード信号ＬＯＡＤ、及びデータクロック信号ＨＣＬＫを含む。また、データ制御信号ＣＯＮＴ２は、共通電圧Ｖｃｏｍに対するデータ信号の電圧極性（以下、共通電圧に対する「データ信号の電圧極性」を略して「データ信号の極性」という。）を反転させる反転信号ＲＶＳをさらに含むことができる。

信号制御部６００からのデータ制御信号ＣＯＮＴ２に従って、データ駆動部５００は一群の副画素に対するデジタル映像信号ＤＡＴを受信し、各デジタル映像信号ＤＡＴに対応する階調電圧を選択することによって、デジタル映像信号ＤＡＴをアナログデータ信号に変換した後、これを当該データ線に印加する。

ゲート駆動部４００は、信号制御部６００からのゲート制御信号ＣＯＮＴ１に従って、ゲートオン電圧（Ｖｏｎ）をゲート線に印加し、該ゲート線に接続されたスイッチング素子を導通させる。すると、データ線に印加されたデータ信号が導通したスイッチング素子を介して当該副画素に印加される。

この時、図３乃至図８を参照すれば、一つの画素電極ＰＥをなす二つの副画素電極ＰＥ１とＰＥ２、ＰＥｉｊとＰＥ（ｉ＋１）ｊが別個のスイッチング素子に接続されている場合、つまり各副画素が各自のスイッチング素子を有する場合には、二つの副画素が互いに異なる時間に同一データ線を介して別個のデータ電圧の印加を受けたり、同一な時間に互いに異なるデータ線を介して別個のデータ電圧の印加を受けることができる。これとは異なって、一つの副画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥｉｊ、ＰＥ（ｉ＋１）ｊは、スイッチング素子（図示せず）に接続し、その他の副画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥｉｊ、ＰＥ（ｉ＋１）ｊはそれと容量性結合する場合には、スイッチング素子を含む副画素のみデータ電圧の印加を受け、その以外の副画素は、他の副画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥｉｊ、ＰＥ（ｉ＋１）ｊの電圧変化に従って変化する電圧を有することができる。この時、面積が相対的に小さい副画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥｉｊ、ＰＥ（ｉ＋１）ｊの電圧が、面積が相対的に大きい副画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥｉｊ、ＰＥ（ｉ＋１）ｊの電圧より高い。

これと異なって、二つの副画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥｉｊ、ＰＥ（ｉ＋１）ｊに同一の電圧を充電した後、ストレージキャパシタ（図示せず）などによって二つの副画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥｉｊ、ＰＥ（ｉ＋１）ｊの電圧を異なるようにすることもできる。

このように、液晶キャパシタＣｌｃ１、Ｃｌｃ２の両端に電位差が生じれば、表示板１００、２００の表面に略垂直である主電場（電界）（ｐｒｉｍａｒｙ ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｆｉｅｌｄ）が液晶層３に生成される（以下、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥを共に「電場生成電極（ｆｉｅｌｄ ｇｅｎｅｒａｔｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）」という。）。すると、液晶層３の液晶分子は、電場に応答してその長軸が電場の方向に垂直をなすように傾斜し、液晶分子が傾斜した程度によって液晶層３に入射する光の偏光変化の程度が変わる。このような偏光変化は、偏光子によって透過率変化として表れ、これによって画素は映像データＤＡＴが示す輝度を表示する。

液晶分子が傾斜する角度は電場の強さによって変わり、二つの液晶キャパシタＣｌｃ１、Ｃｌｃ２の電圧が互いに異なるため、液晶分子が傾斜する角度が異なり、その結果二つの副画素の輝度が異なる。従って、二つの液晶キャパシタＣｌｃ１、Ｃｌｃ２の電圧を適切に調整することにより、側面から見る映像が正面から見る映像に最大限に近づくことができる。つまり側面ガンマ曲線を正面ガンマ曲線に最大限に近づけることができる。このようにして側面視認性を向上させることができる。

また、高い電圧の印加を受ける副画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥｉｊ、ＰＥ（ｉ＋１）ｊの面積を低い電圧の副画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥｉｊ、ＰＥ（ｉ＋１）ｊの面積より小さくすれば、側面ガンマ曲線を正面ガンマ曲線により近づけることができる。特に、二つの副画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥｉｊ、ＰＥ（ｉ＋１）ｊの面積比が略１：２乃至１：３である場合、側面ガンマ曲線が正面ガンマ曲線に一層近づいて側面視認性がさらに良くなる。特に、本発明では、一つの画素電極群内で副画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥｉｊ、ＰＥ（ｉ＋１）ｊの幅と高さ調節が自由であるので、二つの副画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥｉｊ、ＰＥ（ｉ＋１）ｊの面積比を調節するのも自由で、１：２に調整し易い。

液晶分子が傾斜する方向は、一次的に電場生成電極ＰＥ、ＣＥの突起２８０または切開部９０Ｕ、９０Ｌ、６０Ｕ、６０Ｌと副画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥｉｊ、ＰＥ（ｉ＋１）ｊの辺が主電場を歪曲して形成する水平成分によって決定される。このような主電場の水平成分は、突起２８０が延びる方向、切開部９０Ｕ、９０Ｌ、６０Ｕ、６０Ｌの辺と副画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥｉｊ、ＰＥ（ｉ＋１）ｊの辺に略垂直である。

図３乃至図９Ｃに示すように、突起２８０及び切開部９０Ｕ、９０Ｌ、６０Ｕ、６０Ｌによって分離された各副領域上の液晶分子は大部分周辺に垂直である方向に傾斜しており、傾斜方向は略４つの方向である。このように、液晶分子が傾斜する方向を様々にすれば、液晶表示装置の基準視野角が大きくなる。

一方、副画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥｉｊ、ＰＥ（ｉ＋１）ｊ間の電圧差によって付随的に生成される副電場（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｆｉｅｌｄ）の方向は、副領域の主辺と垂直である。よって、副電場の方向と主電場の水平成分の方向と一致する。その結果、副画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥｉｊ、ＰＥ（ｉ＋１）ｊ間の副電場は、液晶分子が傾斜する方向の決定を強化する方向に働く。

１水平周期（１Ｈ）（水平同期信号Ｈｓｙｎｃ及びデータイネーブル信号ＤＥの一周期と同一である。）を単位として前記過程を繰り返すことによって、全画素ＰＸにデータ信号を印加して１フレーム（ｆｒａｍｅ）の映像を表示する。

１フレームが終了すれば次のフレームが開始され、各画素ＰＸに印加されるデータ信号の極性が直前フレームでの極性と逆になるように、データ駆動部５００に印加される反転信号ＲＶＳの状態が制御される（フレーム反転）。この時、１フレーム内でも反転信号ＲＶＳの特性に応じて一つのデータ線を通じて流れるデータ信号の極性が変わったり（例：行反転、ドット反転）、一つの群の画素に印加されるデータ信号の極性も互いに異なることができる（例：列反転、ドット反転）。

次に、このような液晶表示板組立体の構造について、図１０Ａ、図１０Ｂ、図１０、図１１、図１２、図１３、図１４、図１５、図１６、図１７、図１８、及び図１乃至図９Ｃを参照して詳細に説明する。

図１０Ａ及び図１０Ｂは、本発明の一実施形態による液晶表示板組立体における信号線と画素に対する等価回路図である。

図１０Ａ及び図１０Ｂに示すように、本実施形態による液晶表示板組立体は、複数対のゲート線ＧＬａ、ＧＬｂ及び複数のデータ線ＤＬ、ＤＬ１、ＤＬ２を有する信号線と、これに接続された複数の画素ＰＸを備える。図１０Ａの場合、信号線はゲート線ＧＬａ、ＧＬｂと略並んでいる複数の維持電極線ＳＬをさらに有する。

各画素ＰＸは、一対の副画素ＰＸａ、ＰＸｂを含み、各副画素ＰＸａ、ＰＸｂは、それぞれ当該ゲート線ＧＬａ、ＧＬｂ及びデータ線ＤＬ、ＤＬ１、ＤＬ２に接続されているスイッチング素子Ｑａ、Ｑｂと、それに接続された液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂを有する。図１０Ａに示した副画素ＰＸａ、ＰＸｂは、スイッチング素子Ｑａ、Ｑｂ及び維持電極線ＳＬに接続されているストレージキャパシタＣｓｔａ、Ｃｓｔｂをさらに有する。図１０Ａに示した一対の副画素ＰＸａ、ＰＸｂは同一のデータ線ＤＬに接続されているが、図１０Ｂに示した一対の副画素ＰＸａ、ＰＸｂは互いに異なるデータ線ＤＬ１、ＤＬ２に接続されている。

図２、図１０Ａ及び図１０Ｂを参照すれば、各スイッチング素子Ｑａ、Ｑｂは、下部表示板１００に備えられている薄膜トランジスタなどの三端子素子であって、その制御端子はゲート線ＧＬａ、ＧＬｂに接続されており、入力端子はデータ線ＤＬ、ＤＬ１、ＤＬ２に接続されており、出力端子は液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂ（及びストレージキャパシタＣｓｔａ、Ｃｓｔｂ）に接続されている。なお、液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂは図２中の液晶キャパシタＣｌｃ１、Ｃｌｃ２に対応する。

液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂの補助的な役割を果たすストレージキャパシタＣｓｔａ、Ｃｓｔｂは、下部表示板１００に備えられた維持電極線ＳＬと画素電極ＰＥが絶縁体を介在して重畳してなり、維持電極線ＳＬには共通電圧Ｖｃｏｍなどの定められた電圧が印加される。しかし、ストレージキャパシタＣｓｔａ、Ｃｓｔｂは、副画素電極ＰＥ１、ＰＥ２が絶縁体を媒介としてすぐ上の前段ゲート線と重畳してなることができる。

液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂについては既に記載したので、詳細な説明は省略する。

このような液晶表示板組立体を備える液晶表示装置において、信号制御部６００が一つの画素ＰＸに対する入力映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂを受信し、二つの副画素ＰＸａ、ＰＸｂに対する出力映像信号ＤＡＴに変換してデータ駆動部５００に伝送することができる。これとは異なって、階調電圧生成部８００において、二つの副画素ＰＸａ、ＰＸｂに対する階調電圧群を別に形成し、これを交互にデータ駆動部５００に提供したり、データ駆動部５００でそれを交互に選択することによって、二つの副画素ＰＸａ、ＰＸｂに互いに異なる電圧を印加することができる。

但し、この時、二つの副画素ＰＸａ、ＰＸｂの合成ガンマ曲線が正面の基準ガンマ曲線に近づくように映像信号を補正したり、階調電圧群を形成することが好ましい。例えば、正面からの合成ガンマ曲線は、この液晶表示板組立体に最も適するように定められた正面からの基準ガンマ曲線と一致するようにし、側面からの合成ガンマ曲線は、正面からの基準ガンマ曲線に最も近接するようにする。

次に、図１０Ａに示した液晶表示板組立体の一例について、図１１乃至図１４、及び図８を参照して詳細に説明する。

図１１は、本発明の一実施形態による液晶表示板組立体の下部表示板の配置図であり、図１２は、本発明の一実施形態による液晶表示板組立体の上部表示板の配置図であり、図１３は、図１１の下部表示板と図１２の上部表示板を備える液晶表示板組立体の配置図であり、図１４は、図１３の液晶表示板組立体のＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿った断面図である。

図１１乃至図１４に示すように、本実施形態による液晶表示板組立体は、互いに対向する下部表示板１００と上部表示板２００、及びこれら二つの表示板１００、２００の間に介在する液晶層３を備える。

まず、図１１、図１３及び図１４を参照して下部表示板１００について説明する。

透明なガラスまたはプラスチックなどで形成された絶縁基板１１０上に複数対の第１及び第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂと、複数の維持電極線１３１を有する複数のゲート導電体が形成されている。

第１及び第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂはゲート信号を伝達し、主に横方向に延びており、各々上側及び下側に位置する。

第１ゲート線１２１ａは、下方に突出した複数の第１ゲート電極１２４ａと、他の層またはゲート駆動部４００との接続のために広い端部１２９ａを有する。第２ゲート線１２１ｂは、上方に突出した複数の第２ゲート電極１２４ｂと、他の層またはゲート駆動部４００との接続のために広い端部１２９ｂを有する。ゲート駆動部４００が基板１１０上に集積されている場合、ゲート線１２１ａ、１２１ｂが延びてそれと直接接続されることができる。

維持電極線１３１は、共通電圧Ｖｃｏｍなど所定電圧の印加を受け、主に横方向に延びている。各維持電極線１３１は、第１ゲート線１２１ａと第２ゲート線１２１ｂの間に位置し、第２ゲート線１２１ｂより第１ゲート線１２１ａに近接する。各維持電極線１３１は、下上に拡張された維持電極１３７を有する。しかし、維持電極１３７を始めとする維持電極線１３１の形状及び配置は、多様な形態に変形可能である。

ゲート導電体１２１ａ、１２１ｂ、１３１は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金などの銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金などの銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などのモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタニウム（Ｔｉ）などで形成することができる。

また、これらは物理的性質が異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することもできる。そのうちの一つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減らすことができるように比抵抗（ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）が低い金属、例えばアルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などで形成される。これに対して、もう一つの導電膜は、他の物質特にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）との物理的、化学的、電気的接触特性が優れた物質、例えばモリブデン系金属、クロム、タンタル、チタニウムなどで形成される。このような組み合わせの好適な例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜、及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜が挙げられる。しかし、ゲート導電体１２１ａ、１２１ｂ、１３１は、この他にも様々な金属または導電体で形成することができる。

ゲート導電体１２１ａ、１２１ｂ、１３１の側面は基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は約３０乃至８０°であることが好ましい。

ゲート導電体１２１ａ、１２１ｂ、１３１上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などで形成されたゲート絶縁膜１４０が形成されている。

ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンはａ−Ｓｉと略称する。）または多結晶シリコンなどで形成された複数の第１及び第２島状半導体１５４ａ、１５４ｂが形成されている。第１及び第２半導体１５４ａ、１５４ｂは、それぞれ第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂ上に位置する。

それぞれの第１半導体１５４ａ上には、一対の島状オーミック接触部材（ｏｈｍｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ）（図示せず）が形成されており、それぞれの第２半導体１５４ｂ上にも一対の島状オーミック接触部材１６３ｂ、１６５ｂが形成されている。オーミック接触部材１６３ｂ、１６５ｂは、リンなどのｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質で形成されたり、シリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）で形成される。

半導体１５４ａ、１５４ｂとオーミック接触部材１６３ｂ、１６５ｂの側面も基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は３０乃至８０°程度である。

オーミック接触部材１６３ｂ、１６５ｂ及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線１７１と複数対の第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂを有するデータ導電体が形成されている。

データ線１７１は、データ信号を伝達し、主に縦方向に延びてゲート線１２１ａ、１２１ｂ及び維持電極線１３１と交差する。各データ線１７１は、第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂに向けてそれぞれ延びた複数対の第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂと、他の層またはデータ駆動部５００との接続のために面積が広い端部１７９を有する。データ駆動部５００が基板１１０上に集積されている場合、データ線１７１が延びてそれと直接接続されるようにしてもよい。

第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂは互いに分離されており、データ線１７１とも分離されている。第１、第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂは、第１、第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂを中心に第１、第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂと対向し、広い一端部１７７ａ、１７７ｂと棒形ある他端部を有する。第２ドレイン電極１７５ｂの広い端部１７７ｂが、第１ドレイン電極１７５ａの広い端部１７７ａに比べて面積が大きい。広い端部１７７ａ、１７７ｂは維持電極１３７と重畳し、棒形端部は折れ曲がった第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂで一部が取り囲まれている。

第１、第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂ、第１、第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂ、及び第１、第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂは、第１、第２半導体１５４ａ、１５４ｂと共に第１、第２薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）Ｑａ、Ｑｂをなし、第１、第２薄膜トランジスタＱａ、Ｑｂのチャンネルは、第１、第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂと第１、第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの間の第１、第２半導体１５４ａ、１５４ｂに形成される。第１、第２薄膜トランジスタＱａ、Ｑｂは、それぞれデータ線１７１の左側及び右側に位置する。

データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂは、モリブデン、クロム、タンタル及びチタニウムなどの耐火性金属、またはこれらの合金で形成されることが好ましく、耐火性金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することができる。多重膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）上部膜の二重膜、モリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）中間膜とモリブデン（合金）上部膜の三重膜が挙げられる。しかし、データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂはこの他にも様々な金属または導電体で形成することができる。

データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂもまたその側面が基板１１０面に対して３０乃至８０程度の角度で傾斜していることが好ましい。

オーミック接触部材１６３ｂ、１６５ｂは、その下の半導体１５４ａ、１５４ｂとその上のデータ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂの間にのみ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。半導体１５４ａ、１５４ｂには、ソース電極１７３ａ、１７３ｂとドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの間を始めとして、データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂで覆われず露出する部分がある。

データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂ及び露出する半導体１５４ａ、１５４ｂ部分上には、保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は、無機絶縁物または有機絶縁物などで形成され、表面が平坦であることができる。有機絶縁物は、４．０以下の誘電常数を有することが好ましく、感光性（ｐｈｏｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ）を有することもできる。しかし、保護膜１８０は、有機膜の優れた絶縁特性を生かしながら、露出する半導体１５４ａ、１５４ｂ部分に害を及ぼさないために、下部無機膜と上部有機膜の二重膜構造を有することができる。

保護膜１８０には、データ線１７１の端部１７９と第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの広い端部１７７ａ、１７７ｂをそれぞれ露出する複数のコンタクトホール（接触孔）１８２、１８５ａ、１８５ｂが形成されており、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０には、ゲート線１２１ａ、１２１ｂの端部１２９ａ、１２９ｂをそれぞれ露出する複数のコンタクトホール１８１ａ、１８１ｂが形成されている。

保護膜１８０上には、複数の画素電極１９１Ｒ、１９１Ｇ、１９１Ｂ及び複数の接触補助部材８１ａ、８１ｂ、８２が形成されている。これらはＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質やアルミニウム、銀、クロムまたはその合金などの反射性金属で形成することができる。

画素電極１９１Ｒ、１９１Ｇ、１９１Ｂは、図８に示すものと同様の形態である。画素電極１９１Ｒ、１９１Ｇ、１９１Ｂは、上部表示板２００に形成され、基本色、例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の三原色の一つを示すカラーフィルタＣＦと各々対向する。各画素電極１９１Ｒ、１９１Ｇ、１９１Ｂは、互いに分離されている一対の第１及び第２副画素電極（１９１Ｒａ、１９１Ｒｂ）、（１９１Ｇａ、１９１Ｇｂ）、（１９１Ｂａ、１９１Ｂｂ）を含む。大部分の副画素電極１９１Ｒａ、１９１Ｒｂ、１９１Ｇａ、１９１Ｂａ、１９１Ｂｂは切開部９１ａ、９１ｂを有し、副画素電極１９１Ｇｂは一対の切開部９２を有する。

第２副画素電極１９１Ｒｂ、１９１Ｂｂは、図９Ｃに示した基本電極１９８と似た形状の第１及び第２単位電極１９１Ｒｂ１、１９１Ｒｂ２、１９１Ｂｂ１、１９１Ｂｂ２を有し、第１及び第２単位電極１９１Ｒｂ１、１９１Ｒｂ２、１９１Ｂｂ１、１９１Ｂｂ２は、連結部１９２Ｒ、１９２Ｂによって上下に接続されている。

第１単位電極１９１Ｒｂ１、１９１Ｂｂ１の高さが第２単位電極１９１Ｒｂ２、１９１Ｂｂ２の高さより高く、略１．１倍乃至２倍であることが好ましい。第１副画素電極１９１Ｒａ、１９１Ｂａの高さが第１単位電極１９１Ｒｂ１、１９１Ｂｂ１の高さと同一である場合、第１副画素電極１９１Ｒａ、１９１Ｂａと第２副画素電極１９１Ｒｂ、１９１Ｂｂの面積比は略１：１．５乃至１：２となる。このように第１副画素電極１９１Ｒａ、１９１Ｂａと第２副画素電極の第１及び第２単位電極１９１Ｒｂ１、１９１Ｒｂ２、１９１Ｂｂ１、１９１Ｂｂ２の幅と高さを調節すれば所望の面積比を得ることができ、略１：１．１から１：３程度の面積比を有することが好ましい。

第２副画素電極１９１ＲＧは、基本電極１９８と実質的に同一の構造を有し、下段と上段で連結された３個の単位電極を有する。一対の切開部９２は、第２副画素電極１９１Ｇｂを三等分し、切開部９２それぞれは第２副画素電極１９１Ｇｂの屈曲辺と平行な屈曲部、及びそれに接続された横部を含む。第２副画素電極１９１Ｇｂの幅は、第１副画素電極１９１Ｇａの幅より広く、例えば略３倍である。また、第２副画素電極１９１Ｇｂの高さは、第１副画素電極１９１Ｇａ高さの略１、２倍乃至１倍であることが好ましい。同様に、第１及び第２副画素電極１９１Ｇａ、１９１Ｇｂの幅と高さを調節して面積比を調節することができ、略１：１．１から１：３程度の面積比を有することが好ましい。

このように、副画素電極１９１Ｒａ、１９１Ｒｂ、１９１Ｇａ、１９１Ｇｂ、１９１Ｂａ、１９１Ｂｂの幅と高さを調節して、画素電極１９１Ｒ、１９１Ｇ、１９１Ｂの面積を互いに実質的に同一にすることができる。

このようにして、３つの基本色を示す画素電極１９１Ｒ、１９１Ｇ、１９１Ｂが一つの画素電極群をなすとする時、隣接する画素電極群の同一色を示す画素電極１９１Ｒ、１９１Ｇ、１９１Ｂの形状が同一に繰り返され、隣接する画素電極群自体の形状も同一に繰り返される。その結果、縦線の表現がさらに良くなり、第１及び第２副画素電極１９１Ｒａ、１９１Ｒｂ、１９１Ｇａ、１９１Ｇｂ、１９１Ｂａ、１９１Ｂｂにデータ電圧を別に印加することも容易である。

また、一つの画素電極群における副画素電極１９１Ｒａ、１９１Ｒｂ、１９１Ｇａ、１９１Ｇｂ、１９１Ｂａ、１９１Ｂｂの幅と高さ調節が容易であるので、各画素電極１９１Ｒ、１９１Ｇ、１９１Ｂ間の面積調節も容易となる。

画素の大きさが大きい表示装置、例えば３２インチまたはその以上の中大型表示装置の開口率及び透過率を向上させることができる。

第１副画素電極１９１Ｒａ、１９１Ｇａ、１９１Ｂａは、それぞれコンタクトホール１８５ａを介してそれぞれの第１ドレイン電極１７５ａに接続されており、第２副画素電極１９１Ｇｂと第２副画素電極１９１Ｒｂ、１９１Ｂｂの連結部１９２Ｒ、１９２Ｂは、それぞれコンタクトホール１８５ｂを介してそれぞれの第２ドレイン電極１７５ｂに接続されている。

維持電極線１３１、第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの広い端部１７７ａ、１７７ｂ及びコンタクトホール１８５ａ、１８５ｂは、第１副画素電極１９１Ｒａ、１９１Ｇａ、１９１Ｂａと第２副画素電極１９１Ｒｂ、１９１Ｂｂの第２単位電極１９１Ｒｂ２、１９１Ｂｂ２、または第２副画素電極１９１Ｇｂとの境界付近に位置する。この付近において、液晶分子の配列が乱れてテクスチャ（ｔｅｘｔｕｒｅ）が発生する場合があるが、前記のように配置すれば、テクスチャを覆いながら開口率を向上させることができる。また、第２ゲート線１２１ｂも第１副画素電極１９１Ｒａ、１９１Ｇａ、１９１Ｂａと第２副画素電極１９１Ｒｂ、１９１Ｂｂの第２単位電極１９１Ｒｂ２、１９１Ｂｂ２または第２副画素電極１９１Ｇｂとの境界付近に位置する。

第１、第２副画素電極１９１Ｒａ、１９１Ｇａ、１９１Ｂａ、１９１Ｒｂ、１９１Ｇｂ、１９１Ｂｂと上部表示板２００の共通電極ＣＥは、その間の液晶層３部分と共に各々第１、第２液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂを構成して、薄膜トランジスタＱａ、Ｑｂがターンオフされた後にも印加された電圧を維持する。

第１、第２副画素電極１９１Ｒａ、１９１Ｇａ、１９１Ｂａ、１９１Ｒｂ、１９１Ｇｂ、１９１Ｂｂ及びこれに接続された第１、第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂは、ゲート絶縁膜１４０を介在して維持電極１３７と重畳してそれぞれ第１、第２ストレージキャパシタＣｓｔａ、Ｃｓｔｂをなし、第１、第２ストレージキャパシタＣｓｔａ、Ｃｓｔｂは第１、第２液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂの電圧維持能力を強化する。

接触補助部材８１ａ、８１ｂ、８２は、それぞれコンタクトホール１８１ａ、１８１ｂ、１８２を介してゲート線１２１ａ、１２１ｂの端部１２９ａ、１２９ｂ及びデータ線１７１の端部１７９に接続される。接触補助部材８１ａ、８１ｂ、８２は、ゲート線１２１ａ、１２１ｂの端部１２９ａ、１２９ｂ及びデータ線１７１の端部１７９と外部装置との接着性を補完し、それらを保護する。

次に、図１２乃至図１４を参照して上部表示板２００について説明する。

透明なガラスまたはプラスチックなどで形成される絶縁基板２１０上に遮光部材２２０が形成されている。

遮光部材２２０は、画素電極１９１Ｒ、１９１Ｇ、１９１Ｂの屈曲辺に対応する屈曲部と、薄膜トランジスタに対応する四角形部分を含み、画素電極１９１Ｒ、１９１Ｇ、１９１Ｂ間の光漏れを防止し、画素電極１９１Ｒ、１９１Ｇ、１９１Ｂと対向する開口領域を定義する。

また、基板２１０及び遮光部材２２０上には、複数のカラーフィルタ２３０Ｒ、２３０Ｇが形成されている。カラーフィルタ２３０Ｒ、２３０Ｇは、遮光部材２３０で取り囲まれた領域内に大部分存在し、画素電極１９１Ｒ、１９１Ｇ、１９１Ｂ列に沿って長く延びることができる。カラーフィルタ２３０Ｒは赤色（Ｒ）を表示し、カラーフィルタ２３０Ｇは緑色（Ｇ）を表示し、図示していないが、青色（Ｂ）を示すカラーフィルタ２３０も含む。カラーフィルタは、赤色、緑色及び青色の三原色以外にも、他の基本色の一つを表示することができる。

カラーフィルタ２３０Ｒ、２３０Ｇ及び遮光部材２２０上には、オーバーコート膜（ｏｖｅｒ ｃｏａｔ）２５０が形成されている。オーバーコート膜２５０は（有機）絶縁物で形成することができ、カラーフィルタ２３０が露出するのを防ぎ、平坦面を提供する。オーバーコート膜２５０は省略することができる。

オーバーコート膜２５０上には共通電極２７０（図２に示した等価回路図における共通電極ＣＥである）が形成されている。共通電極２７０はＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明な導電体などで形成され、複数の切開部７１Ｒａ、７１Ｒｂ１、７１Ｒｂ２、７１Ｇａ、７１Ｇｂ、７１Ｂａ、７１Ｂｂ１、７１Ｂｂ２を有する。

共通電極２７０の切開部７１Ｒａ、７１Ｒｂ１、７１Ｒｂ２、７１Ｇａ、７１Ｇｂ、７１Ｂａ、７１Ｂｂ１、７１Ｂｂ２の形状については既に記載したので、詳細な説明は省略する。

切開部７１Ｒａ、７１Ｒｂ１、７１Ｒｂ２、７１Ｇａ、７１Ｇｂ、７１Ｂａ、７１Ｂｂ１、７１Ｂｂ２の数は設計要素によって異なり、遮光部材２２０が切開部７１Ｒａ、７１Ｒｂ１、７１Ｒｂ２、７１Ｇａ、７１Ｇｂ、７１Ｂａ、７１Ｂｂ１、７１Ｂｂ２と重畳して切開部７１Ｒａ、７１Ｒｂ１、７１Ｒｂ２、７１Ｇａ、７１Ｇｂ、７１Ｂａ、７１Ｂｂ１、７１Ｂｂ２付近の光漏れを遮断することができる。

表示板１００、２００の内側面には配向膜１１、２１が形成されており、これらは垂直配向膜を用いることができる。

表示板１００、２００の外側側面には偏光子１２、２２が備えられ、二つの偏光子１２、２２の偏光軸は直交して副画素電極１９１ａ、１９１ｂの屈曲辺と略４５°の角度をなすことが好ましい。反射型液晶表示装置の場合、二つの偏光子１２、２２のうちの一つが省略可能である。

液晶表示装置は、偏光子１２、２２、位相遅延膜、表示板１００、２００及び液晶層３に光を供給する照明部（ｂａｃｋｌｉｇｈｔ ｕｎｉｔ）（図示せず）を備えることができる。

液晶層３は、負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子は、電場がない状態でその長軸が二つの表示板の表面に対して垂直をなすように配向されている。

切開部７１Ｒａ、７１Ｒｂ１、７１Ｒｂ２、７１Ｇａ、７１Ｇｂ、７１Ｂａ、７１Ｂｂ１、７１Ｂｂ２は突起（ｐｒｏｔｒｕｓｉｏｎ）（図示せず）や陥没部（ｄｅｐｒｅｓｓｉｏｎ）（図示せず）に代替することができる。突起は有機物または無機物で形成することができ、電場生成電極１９１Ｒ、１９１Ｇ、１９１Ｂ、２７０の上または下に配置される。

次に、図１０Ａに示した液晶表示板組立体の他の例について、図１５乃至図１８、及び図１及び図２を参照して詳細に説明する。

図１５は、本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の下部表示板の配置図であり、図１６は、本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の上部表示板の配置図であり、図１７は、図１５の下部表示板と図１６の上部表示板を備える液晶表示板組立体の配置図であり、図１８は、図１７の液晶表示板組立体のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線に沿った断面図である。

図１５乃至図１８を参照すれば、本実施形態による液晶表示板組立体は、下部表示板１００、上部表示板２００、液晶層３、及び偏光子１２、２２を備える。

本実施形態による液晶表示板組立体の層状構造は、大概図１１乃至図１４に示した液晶表示板組立体の層状構造と同一である。

下部表示板１００について説明すると、絶縁基板１１０上に複数対の第１及び第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂと複数対の第１及び第２維持電極線１３１ａ、１３１ｂを有するゲート導電体が形成されている。

第１及び第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂは、それぞれ第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂと端部１２９ａ、１２９ｂを有し、第１及び第２維持電極線１３１ａ、１３１ｂは、それぞれ第１及び第２維持電極１３７ａ、１３７ｂを有する。第２維持電極線１３１ｂは、第３維持電極１３６ｂをさらに有する。

ゲート導電体１２１ａ、１２１ｂ、１３１ａ、１３１ｂ上にはゲート絶縁膜１４０が形成されている。ゲート絶縁膜１４０上には複数の半導体１５４ａ、１５４ｂが形成され、その上には複数のオーミック接触部材１６３ａ、１６５ａが形成されている。オーミック接触部材１６３ａ、１６５ａ及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線１７１と複数の第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂを含むデータ導電体が形成されている。

データ線１７１は複数の第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂと端部１７９を有し、ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂは、第１及び第２維持電極１３７ａ、１３７ｂとそれぞれ重畳する広い端部１７７ａ、１７７ｂを有する。データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂ及び露出した半導体１５４ａ、１５４ｂ部分上には保護膜１８０が形成されており、保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０には複数のコンタクトホール１８１ａ、１８１ｂ、１８２、１８５ａ、１８５ｂが形成されている。保護膜１８０上には、切開部９１ａ、９１ｂ、９２を有し、第１及び第２副画素電極１９１Ｒａ、１９１Ｒｂ、１９１Ｇａ、１９１Ｇｂ、１９１Ｂａ、１９１Ｂｂを有する複数の画素電極１９１Ｒ、１９１Ｇ、１９１Ｂと複数の接触補助部材８１ａ、８１ｂ、８２が形成されており、第１及び第２副画素電極１９１Ｒａ、１９１Ｒｂ、１９１Ｇａ、１９１Ｇｂ、１９１Ｂａ、１９１Ｂｂにはそれぞれ切開部９１ａ、９１ｂ、９２が形成されている。画素電極１９１Ｒ、１９１Ｇ、１９１Ｂ及び保護膜１８０上には配向膜１１が形成されている。

上部表示板２００について説明すると、絶縁基板２１０上に遮光部材２２０、切開部７１Ｒａ、７１Ｒｂ１、７１Ｒｂ２、７１Ｇａ、７１Ｇｂ、７１Ｂａ、７１Ｂｂ１、７１Ｂｂ２を有する共通電極２７０、及び配向膜２１が形成されている。

ここでは、図１１乃至図１４に示した液晶表示板組立体とは異なって、第１ゲート線１２１ａが第１副画素電極１９１Ｒａ、１９１Ｇａ、１９１Ｂａと第２副画素電極１９１Ｇまたは第２副画素電極１９１Ｒｂ、１９１Ｂｂの第２単位電極１９１Ｒｂ２、１９１Ｂｂ２との境界付近に位置する。

また、第１維持電極線１３１ａ、第１ドレイン電極１７５ａの拡張部１７７ａ及びコンタクトホール１８５ａは、第１副画素電極１９１Ｒａ、１９１Ｇａ、１９１Ｂａまたは第２副画素電極１９１Ｒｂ、１９１Ｂｂの第１単位電極１９１Ｒｂ１、１９１Ｂｂ１の屈曲点を連結する直線上に位置する。第２維持電極線１３１ｂ、第２ドレイン電極１７５ｂの拡張部１７７ｂ及びコンタクトホール１８５ｂは、第２副画素電極１９１Ｒｂ、１９１Ｂｂの第１単位電極１９１Ｒｂ１、１９１Ｂｂ１または第２副画素電極１９１Ｇｂの屈曲点を連結する直線上に位置する。副画素電極１９１Ｒａ、１９１Ｒｂ、１９１Ｇａ、１９１Ｇｂ、１９１Ｂａ、１９１Ｂｂの屈曲点を連結する直線部分では液晶分子の配列が乱れてテクスチャが発生し易いので、前記のように配置すれば、テクスチャを覆いながら開口率を向上させることができる。また、第１及び第２ストレージキャパシタＣｓｔａ、Ｃｓｔｂとコンタクトホール１８５ａ、１８５ｂが切開部７１Ｒａ、７１Ｒｂ２、７１Ｇａ、７１Ｇｂ、７１Ｂａ、７１Ｂｂ２の下に形成されているので、切開部７１Ｒａ、７１Ｒｂ２、７１Ｇａ、７１Ｇｂ、７１Ｂａ、７１Ｂｂ２付近のテクスチャを覆うことができる。

第１ドレイン電極１７５ａは、拡張部１７７ａにおいて、第１維持電極線１３１ａに沿って重畳して延びる突出部１７６ａを有する。第２副画素電極１９１Ｂｂに接続されている第２ドレイン電極１７５ｂは拡張部１７７ｂに接続されており、第３維持電極１３６ｂと重畳する拡張部１７６ｂをさらに有する。

このように配置することによって、維持電極１３７ａ、１３７ｂ、１３６ｂとドレイン電極１７５ａ、１７５ｂが重畳する面積を自由に調節することができ、ストレージキャパシタＣｓｔａ、Ｃｓｔｂの容量調節が自由である。

なお、第１、第２薄膜トランジスタＱａ、Ｑｂはいずれもデータ線１７１の右側に位置し、製造工程における偏差による不良を減少させることができる。また、データ線１７１間の間隔調節が自由であり、データ線１７１と画素電極１９１Ｒ、１９１Ｇ、１９１Ｂが重畳する面積の調節が容易であり、データ線１７１と画素電極１９１Ｒ、１９１Ｇ、１９１Ｂによってなされる寄生キャパシタの容量を調節することができる。

共通電極２７０の切開部７１Ｒａ、７１Ｒｂ１、７１Ｒｂ２、７１Ｇａ、７１Ｇｂ、７１Ｂａ、７１Ｂｂ１、７１Ｂｂ２の斜線部には凹んだ少なくとも一つのノッチ（ｎｏｔｃｈ）がある。

また、図１１乃至図１４に示した液晶表示板組立体とは異なって、本実施形態による液晶表示板組立体は、上部表示板２００にカラーフィルタとオーバーコート膜が存在せず、下部表示板１００の保護膜１８０下に複数のカラーフィルタ２３０Ｒが形成されている。

カラーフィルタ２３０Ｒは、画素電極１９１Ｒの列に沿って周期的に折曲しながら縦に長く延びており、ゲート線１２１ａ、１２１ｂの端部１２９ａ、１２９ｂ及びデータ線１７１の端部１７９が位置する周辺領域には存在しない。カラーフィルタ２３０Ｒにはコンタクトホール１８５ａが通過し、コンタクトホール１８５ａより大きい貫通孔２３５が形成されている。

隣接するカラーフィルタ２３０Ｒは、データ線１７１上で重畳して隣接する画素電極１９１Ｒ、１９１Ｇ、１９１Ｂの間から漏れる光を遮断する遮光部材の機能を有することができる。この場合、上部表示板２００の遮光部材は省略可能であり、その結果、製造工程が簡単になる。

カラーフィルタ２３０Ｒの下にも保護膜（図示せず）を設けることができる。

本実施形態のように配置することによって、光の透過面積が増加して開口率及び透過率が向上する。

図１１乃至図１４に示した液晶表示板組立体の多くの特徴は、図１５乃至図１８に示した液晶表示板組立体にも適用される。

次に、図１９乃至図２４を参照して図１０Ａ及び図１０Ｂに示した画素構造を有する液晶表示板組立体の他の例について説明する。

図１９、図２１、図２２、図２３及び図２４は、本発明の実施形態による液晶表示板組立体の配置図であり、図２０は、図１９の液晶表示板組立体のＸＸ−ＸＸ線に沿った断面図である。

図１９、図２１、図２２、図２３及び図２４は、各々図３、図４、図５、図６及び図７に示した画素電極構造を有する液晶表示板組立体である。

本実施形態による液晶表示装置は、下部表示板１００、上部表示板２００及びこれらの間に介在する液晶層３を備える。

この実施形態による液晶表示板組立体の層状構造は、大概図１１乃至図１４に示した液晶表示板組立体の層状構造と同一である。

下部表示板１００について説明すると、絶縁基板１００上に複数対のゲート線１２１ａ、１２１ｂが形成されている。各ゲート線１２１ａ、１２１ｂは複数のゲート電極１２４ａ、１２４ｂを有する。ゲート線１２１ａ、１２１ｂ上にはゲート絶縁膜１４０が形成されており、ゲート絶縁膜１４０上には複数対の島状半導体１５４ａ、１５４ｂが形成されている。

半導体１５４ａ上には一対の島状オーミック接触部材１６３ａ、１６５ａが形成されており、半導体１５４ｂ上にも一対の島状オーミック接触部材（図示せず）が形成されている。オーミック接触部材１６３ａ、１６５ａ及びゲート絶縁膜１４０上には複数のデータ線１７１と複数のドレイン電極１７５ａ、１７５ｂを含むデータ導電体が形成されている。データ線１７１は、複数のソース電極１７３ａ、１７３ｂを有する。

データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂ及び露出する半導体１５４ａ、１５４ｂ部分上には保護膜１８０が形成されており、保護膜１８０にはドレイン電極１７５ａ、１７５ｂを露出させる複数のコンタクトホール１８５が形成されている。保護膜１８０上には第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂ、１９１Ｒａ、１９１Ｒｂ、１９１Ｇａ、１９１Ｇｂ、１９１Ｂａ、１９１Ｂｂを含む複数の画素電極１９１、１９１Ｒ、１９１Ｇ、１９１Ｂが形成されている。

上部表示板２００について説明すると、絶縁基板２１０上に遮光部材２２０、複数のカラーフィルタ２３０及び共通電極２７０が形成されている。

しかし、図１１乃至図１４に示した液晶表示板組立体とは異なって、共通電極２７０が切開部を有する代わり共通電極２７０上に突起２８０が形成されている。突起２８０は誘電体で形成され、のこぎり状であり、各カラーフィルタ２３０を左右に両分する位置に配置される。

また、本実施形態による液晶表示板組立体では、図１０Ｂのように、一部または全画素の副画素電極１９１ａ、１９１ｂ、１９１Ｒａ、１９１Ｒｂ、１９１Ｇａ、１９１Ｇｂ、１９１Ｂａ、１９１Ｂｂが互いに異なるデータ線１７１に接続されている。これにより、一つのデータ線１７１のソース電極１７３ａ、１７３ｂがデータ線１７１の左右に配置される。

このようにすれば、データ駆動部５００がデータ線１７１に印加するデータ電圧の反転形態を列反転としながら、液晶表示板組立体３００の画素に現れる見掛け反転はドット反転とすることができる。その結果、列反転とドット反転のメリットを両方得る。即ち、駆動部反転を列反転とすることによって、データ線１７１の信号遅延と消費電力を減少させることができ、見掛け反転をドット反転とすることによって、フリッカー（ｆｌｉｃｋｅｒｉｎｇ）などが目立つのを低減させることができる。

図２１乃至図２４に示した液晶表示板組立体の場合、赤色及び緑色画素の画素電極１９１Ｒ、１９１Ｇの面積が青色画素の画素電極１９１Ｂの面積より大きい。このように、切開部９３ａ、９３ｂと突起２８０によって区画される小領域の幅を調節して応答速度を改善しようとする時、相対的に人間の目に敏感でない青色画素を小さくし、赤色と緑色画素を大きくすることが好ましい。ここで、小領域の適正幅は１４〜２５μｍである。

このように、画素電極１９１Ｒ、１９１Ｇ、１９１Ｂの面積を相違にすることによって、各副画素電極１９１Ｒａ、１９１Ｒｂ、１９１Ｇａ、１９１Ｇｂ、１９１Ｂａ、１９１Ｂｂの配置に応じてデータ線１７１間の距離が均一となったり、異なる場合がある。図２２の場合、大きさが異なる画素の上下副画素電極１９１Ｒａ、１９１Ｒｂ、１９１Ｇａ、１９１Ｇｂを交互に配置することによってデータ線１７１間の距離を同一に維持する。

図１１乃至図１４に示した液晶表示板組立体の多くの特徴は、図１９乃至図２４に示した液晶表示板組立体にも適用される。

次に、図２５乃至図２７、及び図１及び図２を参照して本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体について詳細に説明する。

図２５は、本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の一つの画素に対する等価回路図である。

図２５を参照すれば、本実施形態による液晶表示板組立体は、複数のゲート線ＧＬ、複数対のデータ線ＤＬｃ、ＤＬｄ及び複数の維持電極線ＳＬを有する信号線と、これに接続された複数の画素ＰＸを備える。

各画素ＰＸは、一対の副画素ＰＸｃ、ＰＸｄを有し、各副画素ＰＸｃ、ＰＸｄは、それぞれ当該ゲート線ＧＬ及びデータ線ＤＬｃ、ＤＬｄに接続されているスイッチング素子Ｑｃ、Ｑｄと、これに接続された液晶キャパシタＣｌｃｃ、Ｃｌｃｄ、並びにスイッチング素子Ｑｃ、Ｑｄ及び維持電極線ＳＬに接続されているストレージキャパシタＣｓｔｃ、Ｃｓｔｄを備える。

また、各スイッチング素子Ｑｃ、Ｑｄも下部表示板１００に備えられている薄膜トランジスタなどの三端子素子であって、その制御端子はゲート線ＧＬに接続されており、入力端子はデータ線ＤＬｃ、ＤＬｄに接続されており、出力端子は液晶キャパシタＣｌｃｃ、Ｃｌｃｄ及びストレージキャパシタＣｓｔｃ、Ｃｓｔｄに接続されている。

液晶キャパシタＣｌｃｃ、ＣｌｃｄとストレージキャパシタＣｓｔｃ、Ｃｓｔｄ、及びこのような液晶表示板組立体を備える液晶表示装置の動作などは上述した実施形態と実質的に同一であり、詳細な説明は省略する。

但し、図１０Ａ乃至図２４に示した液晶表示装置では、一つの画素ＰＸを構成する二つの副画素ＰＸｃ、ＰＸｄが時差をおいてデータ電圧の印加を受ける反面、本実施形態では、二つの副画素ＰＸｃ、ＰＸｄが同一時間にデータ電圧の印加を受ける。

次に、図２５に示した液晶表示板組立体の一例について図２６及び図２７を参照して詳細に説明する。

図２６は、本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の配置図であり、図２７は、図２５の液晶表示板組立体のＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩ線に沿った断面図である。

図２６及び図２７に示すように、本実施形態による液晶表示板組立体は、互いに対向する下部表示板１００と上部表示板２００、これら二つの表示板の間に介在する液晶層３、及び表示板１００、２００の外側面に付着されている一対の偏光子１２、２２を備える。

本実施形態による液晶表示板組立体の層状構造は、大概図１１乃至図１４に示した液晶表示板組立体の層状構造と同一である。

下部表示板１００について説明すると、絶縁基板１１０上に複数のゲート線１２１と複数の維持電極線１３１を有する複数のゲート導電体が形成されている。各ゲート線１２１は、複数対の第１及び第２ゲート電極１２４ｃ、１２４ｄと端部１２９を有する。維持電極線１３１は複数の維持電極１３７を有する。

ゲート導電体１２１、１３１上にはゲート絶縁膜１４０が形成されている。ゲート絶縁膜１４０上には第１及び第２突出部１５４ｃ、１５４ｄを有する複数の線状半導体１５１が形成されており、その上には突出部１６３ｃを有する複数の線状オーミック接触部材１６１及び複数の島状オーミック接触部材１６５ｃが形成されている。オーミック接触部材１６１、１６５ｃ上には複数対の第１及び第２データ線１７１ｃ、１７１ｄと複数の第１及び第２ドレイン電極１７５ｃ、１７５ｄを有するデータ導電体が形成されている。

第１及び第２データ線１７１ｃ、１７１ｄは、それぞれ複数の第１及び第２ソース電極１７３ｃ、１７３ｄと端部１７９ｃ、１７９ｄを有し、第１及び第２ドレイン電極１７５ｃは拡張部１７７ｃ、１７７ｄを有する。データ導電体１７１ｃ、１７１ｄ、１７５ｃ、１７５ｄ及び露出する半導体１５４ｃ、１５４ｄ部分上には保護膜１８０が形成され、保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０には複数のコンタクトホール１８１、１８２ｃ、１８２ｄ、１８５ｃ、１８５ｄが形成されている。

保護膜１８０上には、切開部９１ａ、９１ｂ、９２を有し、第１及び第２副画素電極１９１Ｒｃ、１９１Ｒｄ、１９１Ｇｃ、１９１Ｇｄ、１９１Ｂｃ、１９１Ｂｄを有する複数の画素電極１９１Ｒ、１９１Ｇ、１９１Ｂと、複数の接触補助部材８１、８２ｃ、８２ｄが形成されている。第２副画素電極１９１Ｒｄは、第１及び第２単位電極１９１Ｒｄ１、１９１Ｒｄ２を有し、第２副画素電極１９１Ｂｄは、第１及び第２単位電極１９１Ｂｄ１、１９１Ｂｄ２を有する。副画素電極１９１Ｒｃ、１９１Ｒｄ、１９１Ｇｃ、１９１Ｂｃ、１９１Ｂｄには切開部９１ｃ、９１ｄが形成されており、副画素電極１９１Ｇｄには切開部９２が形成されている。画素電極１９１Ｒ、１９１Ｇ、１９１Ｂ及び保護膜１８０上には配向膜１１が形成されている。

上部表示板２００について説明すると、絶縁基板２１０上に遮光部材２２０、複数のカラーフィルタ２３０Ｒ、オーバーコート膜２５０、切開部７１Ｒｃ、７１Ｒｄ１、７１Ｒｄ２、７１Ｇｃ、７１Ｇｄ、７１Ｂｃ、７１Ｂｄ１、７１Ｂｄ２を有する共通電極２７０、及び配向膜２１が形成されている。

ところが、本実施形態による液晶表示板組立体では、図１１乃至図１４に示した液晶表示板組立体と比較すれば、ゲート線１２１の数は半分であり、その代わりデータ線１７１ｃ、１７１ｄの数は２倍である。そして、一つの画素電極１９１Ｒ、１９１Ｇ、１９１Ｂをなす第１及び第２副画素電極１９１Ｒｃ、１９１Ｒｄ、１９１Ｇｃ、１９１Ｇｄ、１９１Ｂｃ、１９１Ｂｄに接続された第１及び第２薄膜トランジスタＱｃ、Ｑｄが同一のゲート線１２１、互いに異なるデータ線１７１ｃ、１７１ｄに接続されている。

第１及び第２薄膜トランジスタＱｃ、Ｑｄは、それぞれ第１及び第２データ線１７１ｃ、１７１ｄの左側に位置する。

また、半導体１５４ｃ、１５４ｄは、データ線１７１ｃ、１７１ｄ及びドレイン電極１７５ｃ、１７５ｄに沿って延びて線状半導体１５１をなし、オーミック接触部材１６３ｃは、データ線１７１ｃに沿って延びて線状オーミック接触部材１６１を構成する。線状半導体１５１は、データ導電体１７１ｃ、１７１ｄ、１７５ｃ、１７５ｄ及びその下部のオーミック接触部材１６１、１６５ｃと実質的に同一である平面形状を有する。

このような薄膜トランジスタ表示板を本発明の一実施形態によって製造する方法では、データ導電体１７１ｃ、１７１ｄ、１７５ｃ、１７５ｄ、半導体１５１及びオーミック接触部材１６１、１６５ｃを１回のフォト工程で形成する。

このようなフォト工程で用いる感光膜は位置によって厚さが異なり、特に、厚さが薄くなる順に第１部分と第２部分を含む。第１部分は、データ線１７１ｃ、１７１ｄとドレイン電極１７５ｃ、１７５ｄが占める配線領域に位置し、第２部分は、薄膜トランジスタのチャンネル領域に位置する。

位置によって感光膜の厚さを異ならせる方法は様々であり、例えば、光マスクに透光領域（ｌｉｇｈｔ ｔｒａｎｓｍｉｔｔｉｎｇ ａｒｅａ）及び遮光領域（ｌｉｇｈｔ ｂｌｏｃｋｉｎｇ ａｒｅａ）の他に半透明領域（ｔｒａｎｓｌｕｃｅｎｔ ａｒｅａ）を設ける方法がある。半透明領域にはスリットパターン、格子パターンまたは透過率が中間であるか厚さが中間である薄膜が具備される。

スリットパターンを用いる場合、スリットの幅やスリット間の間隔がフォト工程に用いる露光器の分解能（ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）より小さいことが望ましい。他の例としては、リフローが可能な感光膜を用いる方法がある。即ち、透光領域と遮光領域のみを有する通常の露光マスクにてリフロー可能な感光膜を形成した後、リフローさせて感光膜が残留しない領域に流れるようにして薄い部分を形成する。

このようにすれば、フォト工程を１回減らすことができ、製造工程が簡単になる。

図１１乃至図１４に示した液晶表示板組立体の多くの特徴は、図２６及び図２７に示した液晶表示板組立体にも適用される。

次に、図２８、図２９、図３０、図３１、図３２、図３３、及び図１、図２を参照して本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体について詳細に説明する。

図２８は、本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の一つの画素に対する等価回路図である。

図２８を参照すれば、本実施形態による液晶表示板組立体は、複数のゲート線ＧＬと複数のデータ線ＤＬを有する信号線と、これに接続されている複数の画素ＰＸを備える。

各画素ＰＸは、一対の第１及び第２副画素ＰＸｅ、ＰＸｆと、二つの副画素ＰＸｅ、ＰＸｆの間に接続されている結合キャパシタＣｃｐを有する。

第１副画素ＰＸｅは、当該ゲート線ＧＬ及びデータ線ＤＬに接続されているスイッチング素子Ｑと、これに接続された第１液晶キャパシタＣｌｃｅ及びストレージキャパシタＣｓｔを有し、第２副画素ＰＸｆは、結合キャパシタＣｃｐに接続されている第２液晶キャパシタＣｌｃｆを有する。

また、スイッチング素子Ｑも下部表示板１００に備えられている薄膜トランジスタなどの三端子素子であって、その制御端子はゲート線ＧＬに接続されており、入力端子はデータ線ＤＬに接続されており、出力端子は液晶キャパシタＣｌｃｅ、ストレージキャパシタＣｓｔｅ及び結合キャパシタＣｃｐに接続されている。

スイッチング素子Ｑは、ゲート線ＧＬからのゲート信号に従ってデータ線ＤＬからのデータ電圧を第１液晶キャパシタＣｌｃｅ及び結合キャパシタＣｃｐに印加し、結合キャパシタＣｃｐは、該電圧をその大きさを変えて第２液晶キャパシタＣｌｃｆに伝達する。

ストレージキャパシタＣｓｔｅに共通電圧Ｖｃｏｍが印加され、キャパシタＣｌｃｅ、Ｃｓｔｅ、Ｃｌｃｆ、Ｃｃｐとその静電容量を同一の図面符号で示すと、第１液晶キャパシタＣｌｃｅに充電された電圧Ｖｅと第２液晶キャパシタＣｌｃｆに充電された電圧Ｖｆは、以下のような関係を有する。

Ｖｆ＝Ｖｅ×［Ｃｃｐ、（Ｃｃｐ＋Ｃｌｃｆ）］
Ｃｃｐ、（Ｃｃｐ＋Ｃｌｃｆ）の値が１より小さいので第２液晶キャパシタＣｌｃｆに充電された電圧Ｖｆは、第１液晶キャパシタＣｌｃｅに充電された電圧Ｖｅに比べて常に小さい。この関係は、ストレージキャパシタＣｓｔｅに印加された電圧が共通電圧Ｖｃｏｍでなくても同様に成立する。

第１液晶キャパシタＣｌｃｅ電圧Ｖｅと第２液晶キャパシタＣｌｃｆ電圧Ｖｆの適正比率は、結合キャパシタＣｃｐの静電容量を調節することによって得られる。

次に、図２８に示した液晶表示板組立体の例について、図２９乃至図３３、及び図１、図２を参照して詳細に説明する。

図２９、図３１、図３２、図３３は、本発明の実施形態による液晶表示板組立体の配置図であり、図３０は、図２９の液晶表示板組立体のＸＸＸ−ＸＸＸ線に沿って切断した断面図である。

図２９、図３１、図３２及び図３３は、それぞれ図３、図４、図５及び図６に示した画素電極構造を有する液晶表示板組立体である。

本実施形態による液晶表示装置は、下部表示板１００、上部表示板２００及びこれらの間に介在する液晶層３を備える。

本実施形態による液晶表示板組立体の層状構造は、大概図１９乃至図２３に示した液晶表示板組立体の層状構造と同一である。

下部表示板１００について説明すると、絶縁基板１００上に複数のゲート線１２１が形成されている。各ゲート線１２１は複数のゲート電極１２４を有する。ゲート線１２１上にはゲート絶縁膜１４０が形成されており、ゲート絶縁膜１４０上には複数の島状半導体１５４が形成されている。

半導体１５４上には一対の島状オーミック接触部材１６３、１６５が形成されている。オーミック接触部材１６３、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線１７１と複数のドレイン電極１７５を有するデータ導電体が形成されている。データ線１７１は複数のソース電極１７３を有する。

データ導電体１７１、１７５及び露出する半導体１５４部分上には保護膜１８０が形成されており、保護膜１８０にはドレイン電極１７５を露出させる複数のコンタクトホール１８５が形成されている。

保護膜１８０上には第１及び第２副画素電極１９１ｅ、１９１ｆ、１９１Ｒｅ、１９１Ｒｆ、１９１Ｇｅ、１９１Ｇｆ、１９１Ｂｅ、１９１Ｂｆを有する複数の画素電極１９１、１９１Ｒ、１９１Ｇ、１９１Ｂが形成されている。図３１乃至図３３の一部画素電極１９１Ｒ、１９１Ｇは切開部９３ａ、９３ｂを有する。

上部表示板２００について説明すると、絶縁基板２１０上に遮光部材２２０、複数のカラーフィルタ２３０、共通電極２７０及び突起２８０が形成されている。

しかし、図１９乃至図２３に示した液晶表示板組立体とは異なって、第１副画素電極１９１ｅ、１９１Ｒｅ、１９１Ｇｅ、１９１Ｂｅはドレイン電極１７５に接続されているが、第２副画素電極１９１ｆ、１９１Ｒｆ、１９１Ｇｆ、１９１Ｂｆは電気的に孤立（ｆｌｏａｔｉｎｇ）している。

ドレイン電極１７５は、画素電極１９１、１９１Ｒ、１９１Ｇ、１９１Ｂの斜辺と平行に延びる結合電極１７６を有し、結合電極１７６は、第２副画素電極１９１ｆ、１９１Ｒｆ、１９１Ｇｆ、１９１Ｂｆ下に突起２８０に沿って延びて第２副画素電極１９１ｆ、１９１Ｒｆ、１９１Ｇｆ、１９１Ｂｆと重畳する。このように、第１副画素電極１９１ｅ、１９１Ｒｅ、１９１Ｇｅ、１９１Ｂｅと第２副画素電極１９１ｆ、１９１Ｒｆ、１９１Ｇｆ、１９１Ｂｆは容量性結合して結合キャパシタＣｃｐをなす。

図１９乃至図２３に示した液晶表示板組立体の多くの特徴は、図２９乃至図３３に示した液晶表示板組立体にも適用される。

次に、図３４、図３５、図３６、図３７、図３８、及び図１、図２を参照して本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体について詳細に説明する。

図３４は、本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の一つの画素に対する等価回路図である。

図３４に示すように、本実施形態による液晶表示板組立体は、複数のゲート線ＧＬａ、ＧＬｂ、複数のデータ線ＤＬ及び複数対の維持電極線ＳＬｇ、ＳＬｈを有する信号線と、これに接続された複数の画素ＰＸを備える。

各画素ＰＸは、一対の副画素ＰＸｇ、ＰＸｈを有し、各副画素ＰＸｇ、ＰＸｈは、それぞれ同一のゲート線ＧＬ及びデータ線ＤＬに接続されているスイッチング素子Ｑｇ、Ｑｈとこれに接続された液晶キャパシタＣｌｃｇ、Ｃｌｃｈ、並びにスイッチング素子Ｑｇ、Ｑｈ及び当該維持電極線ＳＬｇ、ＳＬｈに接続されているストレージキャパシタＣｓｔｇ、Ｃｓｔｈを備える。

図２及び図３４に示すように、各スイッチング素子Ｑｇ、Ｑｈは、下部表示板１００に備えられている薄膜トランジスタなどの三端子素子であって、その制御端子はゲート線ＧＬに接続されており、入力端子はデータ線ＤＬに接続されており、出力端子は液晶キャパシタＣｌｃｇ、Ｃｌｃｈ及びストレージキャパシタＣｓｔｇ、Ｃｓｔｈに接続されている。

液晶キャパシタＣｌｃｇ、Ｃｌｃｈの補助的な役割を果たすストレージキャパシタＣｓｔｇ、Ｃｓｔｈは、下部表示板１００に備えられた維持電極線ＳＬｇ、ＳＬｈと副画素電極が絶縁体を介在して重畳してなる。二つの維持電極線ＳＬｇ、ＳＬｈには位相が互いに逆であるか、極性が互いに逆である電圧が印加される。

液晶キャパシタＣｌｃｇ、Ｃｌｃｈなどについては既に記載したので、詳細な説明は省略する。

このような液晶表示板組立体を備える液晶表示装置では、二つの液晶キャパシタＣｌｃｇ、Ｃｌｃｈ及びストレージキャパシタＣｓｔｇ、Ｃｓｔｈに充電を終えてスイッチング素子Ｑｇ、Ｑｈがターンオフされた後、維持電極線ＳＬｇ、ＳＬｈに印加される電圧が互いに反対方向に動くため、二つの液晶キャパシタＣｌｃｇ、Ｃｌｃｈの電圧が異なる。

次に、図３４に示した液晶表示板組立体の例について図３５乃至図３８、及び図１及び図２を参照して詳細に説明する。

図３５、図３６、図３７及び図３８は、本発明の実施形態による液晶表示板組立体の配置図である。

図３５、図３６、図３７及び図３８は、それぞれ図３、図４、図５及び図６に示した画素電極構造を有する液晶表示板組立体である。

本実施形態による液晶表示板組立体は、下部表示板１００、上部表示板２００及びこれらの間に介在する液晶層３を備える。

本実施形態による液晶表示板組立体の層状構造は、大概図１９乃至図２３に示した液晶表示板組立体の層状構造と同一であるので、その断面は省略する。

下部表示板１００について説明すると、絶縁基板１００上に複数のゲート線１２１が形成されている。各ゲート線１２１は複数のゲート電極１２４ｇ、１２４ｈを有する。

ゲート線１２１上にはゲート絶縁膜１４０が形成されており、ゲート絶縁膜１４０上には複数の島状半導体１５４が形成されている。半導体１５４上には複数の島状オーミック接触部材（図示せず）が形成されている。

オーミック接触部材及びゲート絶縁膜１４０上には複数のデータ線１７１と複数のドレイン電極１７５ｇ、１７５ｈを有するデータ導電体が形成されている。データ線１７１は複数のソース電極１７３ｇ、１７３ｈを有する。

データ導電体１７１、１７５ｇ、１７５ｈ及び露出する半導体１５４部分上には保護膜１８０が形成されており、保護膜１８０にはドレイン電極１７５を露出させる複数のコンタクトホール１８５ｇ、１７５ｈが形成されている。

保護膜１８０上には第１及び第２副画素電極１９１ｇ、１９１ｈ、１９１Ｒｇ、１９１Ｒｈ、１９１Ｇｇ、１９１Ｇｈ、１９１Ｂｇ、１９１Ｂｈを有する複数の画素電極１９１、１９１Ｒ、１９１Ｇ、１９１Ｂが形成されている。図３６乃至図３８の一部の画素電極１９１Ｒ、１９１Ｇは切開部９３ａ、９３ｂを有する。

上部表示板２００について説明すると、絶縁基板２１０上に遮光部材２２０、複数のカラーフィルタ２３０、共通電極２７０及び突起２８０が形成されている。

この実施形態では、図１９乃至図２３に示した液晶表示板組立体とは異なって、一つの行の画素に対して一つのゲート線１２１のみ割り当てられており、ゲート線１２１は副画素電極１９１ｇ、１９１ｈ、１９１Ｒｇ、１９１Ｒｈ、１９１Ｇｇ、１９１Ｇｈ、１９１Ｂｇ、１９１Ｂｈの間を通る。一対のゲート電極１２４ｇ、１２４ｈが互いに接続されており、一対のゲート電極１２４ｇ、１２４ｈ上に位置する二つのソース電極１７３ｇ、１７３ｈが同一のデータ線１７１に接続されている。

基板１１０上にはゲート線１２１を中心に上下に配置される複数対の維持電極線１３１ｇ、１３１ｈが形成されており、二つの維持電極線１３１ｇ、１３１ｈには位相が逆である周期的な電圧が印加される。

一つの画素電極１９１、１９１Ｒ、１９１Ｇ、１９１Ｂをなす二つの副画素電極１９１ｇ、１９１ｈ、１９１Ｒｇ、１９１Ｒｈ、１９１Ｇｇ、１９１Ｇｈ、１９１Ｂｇ、１９１Ｂｈは、互いに異なる維持電極線１３１ｇ、１３１ｈと重畳してストレージキャパシタＣｓｔｇ、Ｃｓｔｈをなす。

図１９乃至図２３に示した液晶表示板組立体の多くの特徴は、図３５乃至図３８に示した液晶表示板組立体にも適用される。

このように本発明では、開口率が一層向上し、側面視認性を向上させることができ、第１及び第２副画素電極にデータ電圧を別に印加することが容易である。また、縦線の表現がさらに良くなり、中大型表示装置における透過率を向上させることができる。ストレージキャパシタの容量調節、画素電極の面積調節及びデータ線間の間隔調節が自由で、データ線と画素電極との重畳面積の調節が容易であり、寄生キャパシタの容量を適切に調節することができる。

以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属する。

本発明の一実施形態による液晶表示装置のブロック図である。 本発明の一実施形態による液晶表示装置の二つの副画素に対する等価回路図である。 本発明の様々な実施形態による液晶表示板組立体における一つの画素電極と共通電極の配置図である。 本発明の様々な実施形態による液晶表示板組立体における一つの画素電極と共通電極の配置図である。 本発明の様々な実施形態による液晶表示板組立体における一つの画素電極と共通電極の配置図である。 本発明の様々な実施形態による液晶表示板組立体における一つの画素電極と共通電極の配置図である。 本発明の様々な実施形態による液晶表示板組立体における一つの画素電極と共通電極の配置図である。 本発明の様々な実施形態による液晶表示板組立体における一つの画素電極と共通電極の配置図である。 図３乃至図８に示した各副画素電極の基本となる電極片及び基本電極の平面図である。 図３乃至図８に示した各副画素電極の基本となる電極片及び基本電極の平面図である。 図３乃至図８に示した各副画素電極の基本となる電極片及び基本電極の平面図である。 本発明の一実施形態による液晶表示板組立体の一つの画素に対する等価回路図である。 本発明の一実施形態による液晶表示板組立体の一つの画素に対する等価回路図である。 本発明の一実施形態による液晶表示板組立体の下部表示板の配置図である。 本発明の一実施形態による液晶表示板組立体の上部表示板の配置図である。 図１１の下部表示板と図１２の上部表示板を備える液晶表示板組立体の配置図である。 図１３の液晶表示板組立体のＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿った断面図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の下部表示板の配置図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の上部表示板の配置図である。 図１５の下部表示板と図１６の上部表示板を備える液晶表示板組立体の配置図である。 図１７の液晶表示板組立体のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線に沿った断面図である。 本発明の実施形態による液晶表示板組立体の配置図である。 図１９の液晶表示板組立体のＸＸ−ＸＸ線に沿った断面図である。 本発明の実施形態による液晶表示板組立体の配置図である。 本発明の実施形態による液晶表示板組立体の配置図である。 本発明の実施形態による液晶表示板組立体の配置図である。 本発明の実施形態による液晶表示板組立体の配置図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の一つの画素に対する等価回路図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の配置図である。 図２６の液晶表示板組立体のＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩ線に沿った断面図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の一つの画素に対する等価回路図である。 本発明の実施形態による液晶表示板組立体の配置図である。 図２９の液晶表示板組立体のＸＸＸ−ＸＸＸ線に沿った断面図である。 本発明の実施形態による液晶表示板組立体の配置図である。 本発明の実施形態による液晶表示板組立体の配置図である。 本発明の実施形態による液晶表示板組立体の配置図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の一つの画素に対する等価回路図である。 本発明の実施形態による液晶表示板組立体の配置図である。 本発明の実施形態による液晶表示板組立体の配置図である。 本発明の実施形態による液晶表示板組立体の配置図である。 本発明の実施形態による液晶表示板組立体の配置図である。

符号の説明

３…液晶層、
１２、２２…偏光板、
１１、２１…配向膜、
７１Ｒａ〜７１Ｒｄ２、７１Ｇａ〜７１Ｇｄ、７１Ｂａ〜７１Ｂｄ２…共通電極切開部、
９１ａ〜９１ｄ、９２、９３ａ、９３ｂ、９３Ｕ、９３Ｌ…画素電極切開部、
８１、８１ａ、８１ｂ、８２、８２ｃ、８２ｄ…接触補助部材、
１１０、２１０…基板、
１２１、１２１ａ、１２１ｂ、１２９ａ、１２９ｂ…ゲート線、
１２４、１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃ、１２４ｄ、１２４ｇ、１２４ｈ…ゲート電極、
１３１、１３１ｇ、１３１ｈ…維持電極線、
１３７、１３７ａ、１３７ｂ…維持電極、
１４０…ゲート絶縁膜、
１５４、１５４ａ〜１５４ｄ…半導体、
１６１、１６３ａ〜１６３ｃ、１６５ａ〜１６５ｃ…オーミック接触部材、
１７１、１７１ｃ、１７１ｄ、１７９、１７９ｃ、１７９ｄ…データ線、
１７３、１７３ａ〜１７３ｄ、１７３ｇ、１７３ｈ…ソース電極、
１７５ａ〜１７５ｈ、１７６ａ、１７７ａ〜１７７ｄ…ドレイン電極、
１７６…結合電極、
１８０…保護膜、
１８１、１８１ａ、１８１ｂ、１８２、１８２ｃ、１８２ｄ、１８５、１８５ａ〜１８５ｈ…コンタクトホール、
１９１、１９１Ｒ、１９１Ｇ、１９１Ｂ…画素電極、
１９１ａ、１９１ｂ、１９１Ｒａ〜１９１Ｒｄ２、１９１Ｒｇ、１９１Ｒｈ、１９１Ｇａ〜１９１Ｇｄ、１９１Ｇｇ、１９１Ｇｈ、１９１Ｂａ〜１９１Ｂｄ２、１９１Ｂｇ、１９１Ｂｈ…副画素電極、
１９２Ｒ、１９２Ｂ…画素電極連結部、
２２０…遮光部材、
２３０…カラーフィルタ、
２５０…オーバーコート膜、
２７０…共通電極、
２８０…突起、
３００…液晶表示板組立体、
４００…ゲート駆動部、
５００…データ駆動部、
６００…信号制御部、
８００…階調電圧生成部、
ＣＥ…共通電極、
ＣＦ…カラーフィルタ、
Ｃｌｃ１、Ｃｌｃ２、Ｃｌｃａ〜Ｃｌｃｈ…液晶キャパシタ、
Ｃｓｔａ〜Ｃｓｔｈ…ストレージキャパシタ、
ＤＬ、ＤＬ１、ＤＬ２、ＤＬｃ、ＤＬｄ…データ線、
ＧＬ、ＧＬａ、ＧＬｂ…ゲート線、
ＰＥ…画素電極、
ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ１１〜ＰＥ１９、ＰＥ２１〜ＰＥ２９、ＰＥ３１〜ＰＥ３３、ＰＥ４１〜ＰＥ４３、ＰＥ５１〜ＰＥ５３、ＰＥ６１〜ＰＥ６３…副画素電極、
ＰＸ…画素、
ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸａ〜ＰＸｈ…副画素、
Ｑａ〜Ｑｈ…スイッチング素子、
ＳＬ、ＳＬｇ、ＳＬｈ…維持電極線、
ＣＯＮＴ１、ＣＯＮＴ２…制御信号、
ＤＥ…データイネーブル信号、
Ｈｓｙｎｃ…水平同期信号、
Ｖｓｙｎｃ…垂直同期信号、
Ｒ、Ｇ，Ｂ…入力映像信号、
ＤＡＴ…出力映像信号、
Ｖｃｏｍ…共通電圧、
Ｖｄ…データ信号、
Ｖｇ…ゲート信号、
Ｖｏｎ…ゲートオン電圧、
Ｖｏｆｆ…ゲートオフ電圧。

Claims (37)

1. 基板と、前記基板上に形成されてそれぞれ第１及び第２副画素電極を有する画素電極とを備え、
   前記第１副画素電極は、傾斜方向が互いに異なる少なくとも二つの平行四辺形の電極片を含む第１電極を有し、前記電極片の一方の短辺は、隣接する他の前記電極片の一方の短辺と連結され、
   前記第２副画素電極は、傾斜方向が互いに異なる少なくとも二つの平行四辺形の電極片を含む第２電極を有し、前記電極片の一方の短辺は、隣接する他の電極片の一方の短辺と連結され、
   前記第１電極および前記第２電極の電極片の短辺が互いに平行になるように前記第１電極と前記第２電極は隣接する、液晶表示装置。
2. 前記第１電極および前記第２電極は、くの字形状を呈する、請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記第１電極と前記第２電極は、交互に配置される請求項１または請求項２に記載の液晶表示装置。
4. 前記画素電極は、一側に整列されている請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
5. 前記第１電極と前記第２電極の幅は、互いに異なる請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
6. 前記第１電極の高さと前記第２電極の高さは、互いに異なる請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
7. 前記第１電極の高さは、前記第２電極の高さより高く、２倍以下である請求項６に記載の液晶表示装置。
8. 前記第２副画素電極は、傾斜方向が互いに異なる少なくとも二つの平行四辺形の電極片を含み、前記第１電極と左右に隣接し、前記第２電極に接続される第３電極を有する請求項１に記載の液晶表示装置。
9. 前記第１副画素電極と前記第２副画素電極は、広さが互いに異なる請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
10. 前記第２副画素電極の面積は、前記第１副画素電極の面積の１．１倍乃至３倍である請求項９に記載の液晶表示装置。
11. 前記画素電極と対向し、切開部を有する共通電極をさらに備え、
    前記電極片は互いに並ぶ一対の斜辺を有し、
    前記切開部は前記第１及び第２副画素電極を横切り、前記電極片の斜辺と平行な斜線部を有する請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
12. 前記第１副画素電極と前記第２副画素電極の電圧は、互いに異なる請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
13. 前記第１副画素電極と前記第２副画素電極の電圧は、一つの映像情報から得られる請求項１２に記載の液晶表示装置。
14. 前記第１副画素電極に接続される第１薄膜トランジスタと、
    前記第２副画素電極に接続される第２薄膜トランジスタと、
    前記第１薄膜トランジスタに接続される第１及び第２信号線と、
    前記第２薄膜トランジスタに接続される第３及び第４信号線とをさらに備える請求項１３に記載の液晶表示装置。
15. 前記第１副画素電極に接続される第１薄膜トランジスタと、
    前記第２副画素電極に接続される第２薄膜トランジスタと、
    前記第１薄膜トランジスタに接続される第１信号線と、
    前記第２薄膜トランジスタに接続される第２信号線と、
    前記第１及び第２薄膜トランジスタに接続し、前記第１及び第２信号線と交差する第３信号線とをさらに備える請求項１３に記載の液晶表示装置。
16. 前記第１及び第２薄膜トランジスタは、それぞれ前記第１及び第２信号線からの信号に従って導通し、前記第３信号線からの信号を伝達する請求項１５に記載の液晶表示装置。
17. 前記第１及び第２薄膜トランジスタは、それぞれ前記第３信号線からの信号に従って導通し、前記第１及び第２信号線からの信号を伝達する請求項１５に記載の液晶表示装置。
18. 前記第１電極及び第２電極の境界に沿って延びる第４信号線をさらに備える請求項１５に記載の液晶表示装置。
19. 前記第１及び第２薄膜トランジスタは、前記第４信号線と重畳する第１及び第２ドレイン電極をそれぞれ有する請求項１８に記載の液晶表示装置。
20. 前記第１電極の横中心線に沿って延びる第４信号線と前記第２電極の横中心線に沿って延びる第５信号線をさらに備える請求項１５に記載の液晶表示装置。
21. 前記第１及び第２薄膜トランジスタは、それぞれ前記第４及び第５信号線と重畳する第１及び第２ドレイン電極を備える請求項２０に記載の液晶表示装置。
22. 前記第１副画素電極と前記第２副画素電極は、容量性結合する請求項１４乃至請求項２１のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
23. 前記第１副画素電極に接続し、前記第２副画素電極と重畳する結合電極をさらに備える請求項２２に記載の液晶表示装置。
24. 前記第１副画素電極に接続される第１薄膜トランジスタと、
    前記第２副画素電極に接続される第２薄膜トランジスタと、
    前記第１及び第２薄膜トランジスタに接続されるゲート線と、
    前記第１及び第２薄膜トランジスタに接続されるデータ線と、
    前記第１副画素電極と重畳する第１維持電極線と、
    前記第２副画素電極と重畳する第２維持電極線とをさらに備える請求項１４乃至請求項２３のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
25. 前記第１維持電極線に印加される電圧と前記第２維持電極線に印加される電圧は、位相が逆である請求項２４に記載の液晶表示装置。
26. 前記ゲート線は、前記第１副画素電極と前記第２副画素電極の間を通る請求項２５に記載の液晶表示装置。
27. 前記第２副画素電極は、切開部を有する請求項１乃至請求項２６のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
28. 前記画素電極と対向する共通電極と、
    前記画素電極と前記共通電極の間に介在する液晶層とをさらに備える請求項２７に記載の液晶表示装置。
29. 前記共通電極は、切開部を有する請求項２８に記載の液晶表示装置。
30. 前記共通電極上に形成されている突起をさらに有する請求項２８に記載の液晶表示装置。
31. 基板と、
    前記基板上に形成されている複数の画素電極群とを備え、
    前記画素電極群のそれぞれは複数の画素電極を有し、
    前記画素電極のそれぞれは互いに分離されている第１及び第２副画素電極を有し、
    前記第１及び第２副画素電極のそれぞれは傾斜方向が互いに異なる少なくとも二つの平行四辺形の電極片を含み、前記電極片の一方の短辺は、隣接する他の前記電極片の一方の短辺と連結され、
    前記第１副画素電極および前記第２副画素電極の電極片の短辺が互いに平行になるように前記第１副画素電極と前記第２副画素電極は隣接し、
    前記各画素電極群の画素電極の少なくとも一つは異なる形状を有する液晶表示装置。
32. 前記画素電極群は、同一形状で行及び列方向に繰り返して配列されている請求項３１に記載の液晶表示装置。
33. 前記画素電極群の各画素電極の面積は、互いに同一である請求項３１または請求項３２に記載の液晶表示装置。
34. 前記画素電極群の画素電極の面積は、互いに異なる請求項３１または請求項３２に記載の液晶表示装置。
35. 前記画素電極群は、一側に整列されている請求項３１乃至請求項３４のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
36. 前記第２副画素電極の面積は、前記第１副画素電極の面積の１．１倍乃至３倍である請求項３１に記載の液晶表示装置。
37. 前記第１副画素電極と前記第２副画素電極の電圧は、互いに異なる請求項３１乃至請求項３６のいずれか一項に記載の液晶表示装置。

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