TWI471452B - A plasma processing apparatus, and a processing gas supply apparatus for use therewith - Google Patents

A plasma processing apparatus, and a processing gas supply apparatus for use therewith Download PDF

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Description

電漿處理裝置及使用於此之處理氣體供給裝置
本發明係關於對液晶顯示器(Liquid Crystal Display)或電激發光顯示器(Electro-Luminescence Display)等之平面顯示器(Flat Panel Display)用基板，施予特定處理之電漿處理裝置及使用於此之處理氣體供給裝置。
例如，在平面顯示器用基板(以下，也稱為FPD用基板)之表面，形成圖案之製程中，施予蝕刻或濺鍍、CVD(化學氣相沉積)等之電漿處理。作為用以執行如此之電漿處理之電漿處理裝置，可舉出例如平行平板電漿處理裝置。
此種之電漿處理裝置，係平行配置在處理室內具有下部電極之載置台，和兼作處理氣體導入部之上部電極，經上部電極將處理氣體導入至處理室內，並且對電極之至少之一方施加高頻而在電極間形成高頻電場，藉由該高頻電場形成處理氣體之電漿而對FPD用基板施予電漿處理。
然而，FPD用基板因與半導體晶圓不同，處理面積大，故為了使處理氣體從上部電極均勻分散至FPD用基板之全面而予以供給，則出現各種提案。例如，專利文獻1所示般，記載有設置將上部電極之中空部內區隔成使處理氣體噴出至基板之中央部區域之中央部室，和使處理氣體噴出至其周邊區域之周邊部室之區隔壁，連接分歧配 管，該分歧配管係用以使來自由例如具備有氣體供給源之氣體箱等所構成之處理氣體供給單元之處理氣體予以分歧而各供給至中央部室和周邊部室，為了調整流動於各分歧配管之處理氣體之流量，設置有質量流量控制器等之流量調整單元。若藉由此，藉由調整各分歧配管之流量調整單元，可以使供給至基板之中央部區域和周邊部區域之處理氣體成為均勻。
[專利文獻1]日本特開2007-324331號公報
然而，因用以對FPD用基板執行電漿處理之上部電極為大型，故通常連接於中央部室之分歧配管之長度比連接於周邊部室之分歧配管短。因此，連接於中央部室之分歧配管之傳導率(流動之容易性)大於連接於周邊部室之分歧配管之傳導率，有各分歧配管之管內壓力造成不均勻之問題。因此，必須調整流量調整單元，使連接於中央部室之分歧配管之傳導率小於連接於周邊部室之分歧配管之傳導率，使各分歧配管之管內壓力成為均勻。該點，也可考慮若以質量流量控制器構成上述各分歧配管之流量調整單元，調整流動於分歧配管之處理氣體之流量即可。
但是，當以質量流量控制器構成上述各分歧配管之流量調整單元之時，一般因在構成處理氣體供給單元之氣體箱也設置質量流量控制器，故氣體箱之下游側(比質量流 量控制器更下游側)則超過大氣壓。因此，若氣體箱之下游側之配管損傷時，因有氣體從其配管內洩漏至大氣中之虞，故為了防止此，必須例如將各配管設為兩層構造等，在配管構造費心思。
這一點藉由以針閥等之固定節流閥構成各分歧配管之流量調整單元，因氣體箱之下游側之配管可以設為大氣壓以下，故即使配管損傷，氣體亦不會洩漏至大氣中。
但是，於以固定節流閥構成各分歧配管之流量調整單元之時，則如上述般，使連接於中央部室之分歧配管之傳導率小於連接於周邊部室之分歧配管之傳導率，必須縮小固定連接於中央部室之分歧配管之固定節流閥之開閥度。在此情形下，例如於僅從上部電極之中央區域供給大流量之處理氣體而欲執行FPD基板之處理之時，則有無法確保充分之傳導率等，無法因應FPD基板之處理而執行最適合之處理氣體供給的問題。
於是，本發明係鑑於如此之問題而所研究出，其目的在於提供於自氣體箱等之處理氣體供給單元使處理氣體分歧而獨立供給至FPD基板之中央部區域和周邊部區域之時，可以邊將處理氣體供給單元之下游側之配管內保持大氣壓以下，邊因應FPD基板之處理而執行最適合處理氣體之供給的電漿處理裝置等。
為了解決上述課題，若藉由本發明之觀點，則提供一 種電漿處理裝置，在處理室內相向配設第1電極和第2電極，一邊將處理氣體導入至被上述第2電極支撐之平面顯示器用基板上，一邊將高頻電力供給至上述電極之一方或雙方而生成電漿，依此對上述平面顯示器用基板施予特定電漿處理，其特徵為：設置對上述第1電極供給處理氣體之處理氣體供給裝置，上述第1電極具備與上述第2電極相向，形成用以將上述處理氣體朝向上述處理室內噴出之複數氣體噴出孔之電極板，和支撐上述電極板之支撐體，和在上述支撐體中被形成在上述電極板之間，導入上述處理氣體之中空部，和將上述中空部區隔成中央部室和周邊部室之環狀的區隔壁，上述處理氣體供給裝置具備：處理氣體供給單元，和將來自該處理氣體供給單元之處理氣體予以2分歧之各分歧配管，和調整該些通過各分歧配管之流量的流量調整單元，和將來自上述各分歧配管之處理氣體各導入至上述中央部室和上述周邊部室之配管，上述各流量調整單元具備設置在上述各分歧配管之開關閥和固定節流閥(例如針閥)，被連接於上述中央部室之分歧配管之流量調整單元，又以與上述開關閥和上述固定節流閥並聯之方式設置旁通配管，並且在上述旁通配管設置有開關閥。
為了解決上述課題，若藉由本發明之另外的觀點，則提供一種處理氣體供給裝置，在處理室內相向配設第1電極和第2電極，一邊將處理氣體導入至被上述第2電極支撐之平面顯示器用基板上，一邊將高頻電力供給至上述電 極之一方或雙方而生成電漿，依此對上述平面顯示器用基板施予特定電漿處理的電漿處理裝置中，對上述第1電極供給處理氣體，其特徵為：設置對上述第1電極供給處理氣體之處理氣體供給裝置，上述第1電極具備與上述第2電極相向，形成用以將上述處理氣體朝向上述處理室內噴出之複數氣體噴出孔之電極板，和支撐上述電極板之支撐體，和在上述支撐體中被形成在上述電極板之間，導入上述處理氣體之中空部，和將上述中空部區隔成中央部室和周邊部室之環狀的區隔壁，具備：處理氣體供給單元，和將來自該處理氣體供給單元之處理氣體予以2分歧之各分歧配管，和調整該些通過各分歧配管之流量的流量調整單元，和將來自上述各分歧配管之處理氣體各導入至上述中央部室和上述周邊部室之配管，上述各流量調整單元具備設置在上述各分歧配管之開關閥和固定節流閥(例如針閥)，被連接於上述中央部室之分歧配管之流量調整單元，又以與上述開關閥和上述固定節流閥並聯之方式設置旁通配管，並且在上述旁通配管設置有開關閥。
若藉由如此之本發明，因使用固定節流閥，當作被設置於自處理氣體供給單元分歧之各分歧配管的流量調整單元，故即使例如處理氣體供給單元使用質量流量控制器，處理氣體供給單元之下游側之配管亦可以保持於大氣壓以下。依此，即使處理氣體供給單元之下游側之配管損傷，亦可以防止氣體自其配管洩漏至大氣中。
並且，各分歧配管之流量調整單元因具備開關閥和固 定節流閥，故可以藉由因應各分歧配管之長度調整固定節流閥之開閥度，調整傳導率。依此，因藉由配管長度短於例如連接於第1電極之周邊部室之分歧配管，縮小連接於中央部之分歧配管之固定節流閥之開閥度，可以使各分歧配管之管內壓力均勻，故可以均勻供給處理氣體從第1電極之中央部室及周邊部室。
而且，被連接於第1電極之中央部室之分歧配管之流量調整單元因具備旁通配管，故可以以控制開關閥使不通過固定調節閥而通過旁通配管供給至中央部室之方式，切換分歧配管之處理氣體之流動。依此，即使在僅自例如中央部室供給處理氣體之時，亦可以確保充分之傳導率。如此一來，若藉由本發明，處理氣體供給單元之下游側之配管可以邊保持於大氣壓以下，邊因應FPD基板之處理而供給最適合之處理氣體。
再者，此時在被連接於上述周邊部室之分歧配管之流量調整單元，即使在上述開關閥和上述固定節流閥之間連接惰性氣體供給配管，並在該惰性氣體供給配管設置有開關閥亦可。依此，因可以自第1電極之中央部室僅供給處理氣體，自周邊部室僅供給惰性氣體，故可以更提高FPD用基板之處理的均勻性。
再者，上述各流量調整單元即使各以與上述開關閥和上述固定節流閥並聯之方式設置複數旁通配管，並且在上述各旁通配管各設置開關閥和固定節流閥，上述各流量調整單元之固定節流閥各以成為不同傳導率比之方式，調整 開閥度亦可。依此，藉由控制各流量調整單元之開關閥，將處理氣體流通至所欲之配管，利用此處理氣體所流通之配管的組合，則可以將所欲流量之處理氣體從各分歧配管供給至第1電極之中央部室、周邊部室。依此，處理氣體供給單元之下游側之配管亦可以邊保持於大氣壓以下，邊因應FPD基板之處理而控制供給於FPD用基板之中央部區域和周邊部區域之處理氣體流量之均勻性。
再者，即使在從上述各分歧配管導入至上述中央部室和上述周邊部室之氣體導入孔之上述中空部開口之吐出口，設置有將吐出於上述中空部之氣體流變更成水平方向之整流構件亦可。依此，可以在中空部內更寬範圍均勻地予以擴散。依此，可以使處理氣體自各氣體噴出孔更均勻地予以噴出。
若藉由本發明，可以邊將處理氣體供給單元之下游側之配管內保持於大氣壓以下，邊因應FPD基板之處理而執行最適合之處理氣體的供給。
以下一面參照附件圖面一面針對本發明之較佳實施型態予以詳細說明。並且，在本說明書及圖面中，針對實質上具有相同功能構成之構成要素，藉由賦予相同符號，省略重複說明。
(電漿處理裝置之構成例)
首先，針對本發明之實施型態所涉及之電漿處理裝置，一面參照圖面一面予以說明。第1圖為多腔室型之電漿處理裝置之外觀斜視圖。同圖所示之電漿處理裝置100具備用以對平面顯示器用基板(FPD用基板)S施予電漿處理之複數(例如3個)之處理室200。
在處理室200內設置有載置例如FPD用基板S之載置台，在該載置台之上方設置有兼作用以導入處理氣體(例如製程氣體)之噴淋頭的上部電極。在各處理室200中，即使執行相同之處理(例如蝕刻處理等)亦可，即使執行互相不同之處理(例如蝕刻處理和灰化處理等)亦可。並且，針對處理室200內之具體構成例於後述。
各處理室200各經閘閥102被連結於剖面呈多角形狀(例如剖面呈矩形狀)之搬運室110之側面。在搬運室110進一步經閘閥104連結有裝載鎖定室120。在搬運室120經閘閥106鄰設有基板搬出搬入機構130。
在基板搬出搬入機構130各鄰設有兩個指示器140。在指示器140載置收納FPD用基板S之卡匣142。卡匣142被構成能夠收納多片(例如25片)之FPD用基板S。
於藉由如此之電漿處理裝置對FPD用基板S執行電漿處理之時，首先藉由基板搬出搬入機構130，將卡匣142內之FPD用基板S搬入至裝載鎖定室120內。此時，若在裝載鎖定室120內具有處理完之FPD用基板S之 時，則將其處理完之FPD用基板S自裝載鎖定室120內搬出，與未處理之FPD用基板S更換。當FPD用基板S被搬入至裝載鎖定室120內之時，則關閉閘閥106。
接著，將裝載鎖定室120內減壓至特定真空度之後，打開搬運室110和裝載鎖定室120間之閘閥104。然後，藉由搬運室110內之搬運機構(無圖式)，將裝載鎖定室120內之FPD用基板S搬入至搬運室110內之後，關閉閘閥104。
在搬運室110內，更減壓而減壓至高於裝載鎖定室120內之高真空度之後，打開閘閥102。然後，將未處理之FPD用基板S搬入至兼作處理室200內之載置台的下部電極。此時，若具有處理完之FPD用基板S之時，則搬出其處理完之FPD用基板S，與未處理之FPD用基板S更換。
在處理室200內，使下部電極和上部電極間產生電漿，經上部電極將處理氣體導入至處理室內，依此對FPD用基板S執行特定電漿處理。
(處理室之構成例)
以下，針對處理室200之具體性構成例，一面參照圖面一面予以說明。在此，針對本發明之電漿處理裝置適用於蝕刻當作FPD用基板之例如液晶顯示器用之玻璃基板(以下，也單稱為「基板」)之裝置之時的處理室之構成例予以說明。第2圖為表示處理室200之概略構成的剖面 圖。
第2圖所示之處理室200具備例如由表面被陽極氧化處理(氧皮鋁處理)之鋁所構成之略角筒形狀之處理容器202。處理容器202係在上端附近二分割成上下，處理容器202之上部成為可以開關，以便於容易執行內部之維修。並且，處理容器202被接地。
在處理容器202內，在其底部，配設有具有當作第2電極之一例的下部電極212的載置台210。在該載置台210之上方，隔著間隙對向配置有兼作氣體導入部之第1電極之一例的上部電極300。上部電極300經整合部206而連接於高頻電源208。自該高頻電源208供給例如13.56MHz之高頻電力至上部電極300。
在處理容器202之外側，配設有處理氣體供給裝置400，該處理氣體供給裝置400係用以對基板S施予成膜或蝕刻等之特定處理之處理氣體。該處理氣體供給裝置400係將來自構成處理氣體供給單元之氣體箱410之處理氣體供給至處理室200內。氣體箱410具備處理氣體供給源，在處理氣體供給源之配管設置有開關閥、質量流量控制器。來自處理氣體供給源之處理氣體藉由質量流量控制器調整流量，自氣體箱410被供給。並且，氣體箱410即使具備複數處理氣體供給源亦可。此時，即使在各處理氣體供給源之配管各設置開關閥、質量流量控制器，從氣體箱410供給使該些配管之下游側合流而混合的處理氣體亦可。並且，針對氣體箱410之具體構成例於後述。
在處理容器202之側壁，連接排氣路240，在該排氣管240連接真空排氣單元242。再者，在處理容器202之側壁，設置有用以在上述搬運室110之間執行基板S之搬出入的搬出入口250，該搬出搬入口250藉由上述閘閥102而被開關。
在如此之處理室200中，藉由自處理氣體供給裝置400供給處理氣體至處理室200內，並且對上部電極300施加高頻電力，則可以在下部電極212和上部電極300間產生處理氣體之電漿，對被載置於載置台210上之基板S，執行蝕刻、灰化、成膜等之電漿處理。
上述下部電極212經絕緣材214而被支撐部216支撐。在支撐部216之下面中央部，設置有貫通被形成在處理容器202之底壁的開口部204而延伸於下方之保護管218。
保護管218之下面係藉由直徑大於該保護管218之導電性之支撐板220而被支撐。支撐板220係以塞住保護管218之管內之方式安裝於保護管218。在支撐板220之周邊固定有導電性之伸縮體222之下端。伸縮體222之上端係被固定於處理容器202之開口部204之開口緣。
伸縮體222係氣密區隔配置有保護管218之內部空間和大氣側空間。再者，在支撐體220設置有無圖式之升降機構。藉由該升降機構，使支撐板220升降，依此可以使載置台210升降。下部電極212經導電路213被連接於支撐板220。依此，下部電極212經導電路213、支撐板 220、伸縮體222而電性連接於處理容器202，被接地。
並且，即使經阻抗調整部電性連接載置台210之下部電極212和處理容器202亦可。具體而言，例如在下部電極212和支撐板220之間利用導線連接阻抗調整部。依此，阻抗調整部之一端連接於下部電極，並且另一端經支撐板220及伸縮體222而被電性連接於處理容器202之底部。藉由該阻抗調整部調整阻抗值，可以抑制連接高頻電源之上部電極300和處理容器202之側壁之間產生電漿。
另外，上部電極300經由絕緣性構件所構成之框體302而被安裝於處理容器202之上部內側面，並且在處理容器202之上壁經例如複數螺栓230而被懸掛。具體而言，在形成於處理容器202之上壁的孔安裝絕緣體232，並在其絕緣體232內插入螺栓230固定上部電極300。再者，即使使用表面被絕緣加工之螺栓亦可。
再者，上部電極300也兼具當作朝向被載置於載置台210之FPD用基板S之表面上噴出特定氣體之氣體導入部之功能，構成所謂的噴淋頭。在上部電極300如第2圖所示般形成由矩形之中空部所構成之氣體擴散用之緩衝室330。在上部電極300之下面(與下部電極對向之面)全面，均等分散配置有多數氣體噴出孔312，從該氣體噴出孔312利用下降流對處理室200內全體供給處理氣體。
具體而言，上部電極300被形成與形成上述氣體噴出孔312之矩形狀之電極板310，和該電極板310幾乎相同之形狀，具備裝卸自如地支撐電極板310之上面側的電極 支撐體320。電極板310和電極支撐體320係由表面被陽極氧化處理之鋁所構成。並且，氣體噴出孔312之數量或配置並不限定於第2圖所示者。
在電極支撐體320形成有構成上述緩衝室330之矩形之空間部。該空間部係被形成開口於電極支撐體320之邊部(底面)，藉由在電極支撐體320之底面安裝電極板310，關閉了上述空間部。
再者，在形成有電極支撐體320之緩衝室330之空間內，經複數懸掛構件360懸掛於形成其空間之電極支撐體320之上壁內面。懸掛構件360係由表面被陽極氧化處理之鋁或SUS(Stainless Used Steel)所構成。懸掛構件360係以螺栓等之締結構件364固定電極之支撐體320之上壁。
再者，即使以上述締結構件364將懸掛構件360固定於電極板310亦可，在懸掛構件360設置凸緣部，藉由小於締結構件364之螺栓等之締結構件另外固定其凸緣部和電極板亦可。
如此一來，不僅將電極板310安裝於電極支撐體320之邊部(底面)，就連在電極支撐體320之緩衝室330內中也藉由懸掛構件360懸掛，依此即使大型電極板310也可以不產生自重所引起之彎曲或變形地安裝在電極支撐體320。
電極支撐體320之緩衝室330係藉由環狀(框狀)之區隔壁350區隔成多室(例如中央部之第1室332和其周邊 部之第2室334)。再者，在電極支撐體320之上壁設置有複數氣體導入孔326。在該些氣體導入孔326各連接有處理氣體供給裝置400之分歧配管，來自處理氣體供給裝置400之處理氣體被流量控制而導入至每各室332、334。
例如，如第2圖所示般，來自氣體箱410之處理氣體，係自氣體箱410通過分歧成兩個之一方的分歧配管404而經流量調整單元420被導入至第1室332。通過另一方之分歧配管406之處理氣體經流量調整單元430而被導入至第2室334。被供給至各室332、334之處理氣體各藉由流量調整單元420、430而被流量控制。
如此一來，藉由個別控制自各室332、334朝向基板S被導入至處理氣體之流量，即使基板S大面積化亦可以使基板S全區域之氣體流量均等化，進而可以使電漿處理均勻化。
(處理氣體供給裝置之配管構成例)
在此，一面參照圖面，一面說明如此之處理氣體供給裝置400之配管構成例。第3圖為從下方觀看取下電極板310之時之電極支撐體320之圖式。第4圖為表示處理氣體供給裝置400之外觀的概略圖。第5圖為以方塊圖表示處理氣體供給裝置400之配管構成。並且，在第3圖、第5圖中，觀念性以線圖表示處理氣體供給裝置400之配管構成。
在此，針對在電極支撐體320形成5個氣體導入孔326之情形予以說明。具體而言，在電極支撐體320之中央配置有一個氣體導入孔326，在四個角附近各配置有一個氣體導入孔326。該些5個氣體導入孔326各對稱性地被配置於縱方向、橫方向。
第3圖所示之區隔壁350為形成與緩衝室330相似形之框狀之時的具體例。在該區隔壁350之上面及下面，沿著區隔壁350之框部設置有例如無圖式之O型環等之密封構件。若藉由如此之區隔壁350，緩衝室330則被區隔成包圍中央部之第1室332和包圍第1室332之外側之周邊部的第2室334。
如此之區隔壁350因被夾入電極支撐體320之上壁內面和電極板310之間而保持，故若自電極支撐體320取下電極板310，則可以容易與不同環形狀之區隔壁350交換。第3圖所示之區隔壁350為形成第1室332之面積成為緩衝室330之全體面積的大約25%之環形狀。於藉由如此之區隔壁350而被區隔之時，第1室332係從中央之氣體導入孔326被導入至處理氣體，第2室334係從四角附近之4個氣體導入孔326各被導入處理氣體。
將處理氣體導入至如此所配置之氣體導入孔326之時，處理氣體供給裝置400被構成如第3圖、第4圖所示般。即是，第3圖所示之處理氣體供給配管402被分歧成將處理氣體導入至第1室332之氣體導入孔326的分歧管404，和將處理氣體導入至第2室334之氣體導入孔326 的分歧配管406的兩個。在各分歧配管404、406設置有流量調整單元420、430。
上述分歧配管404經流量調整單元420連接於中央氣體導入孔326。再者，上述分歧配管406在流量調整單元430之下游側分歧成4個，該些各分歧配管406a~406d各連接於四角附近的4個氣體導入孔326。具體而言，如第4圖所示般，分歧配管406在流量調整器434之下游側，又分歧成兩個，將一方配管分歧成分歧配管406a、406b，將另一方配管分歧成分歧配管406c、406d。並不限定於如此配管之構成，分歧配管406即使在開關閥432、流量調整器434之下游側以放射狀分歧成4個亦可。
上述流量調整單元420、430各藉由例如被設置在上游側之開關閥422、423和被設置在下游側之流量調整器424、434所構成。依此該些流量調整單元420、430，可以個別控制自第1室332、第2室334被導入至處理室200內之處理氣體之流量。
氣體箱410係被構成例如第5圖所示般。在此，舉出經氣體供給配管510A~510D構成可供給4種氣體(第1氣體、第2氣體、第3氣體、惰性氣體)之情形為例。該些氣體之中，第1氣體、第2氣體、第3氣體為例如當作蝕刻氣體之碳氟化合物系之氟化合物、CF4 、C4 F6 、C4 F8 、C5 F8 等之CxFy氣體。於該等氣體，含有作為控制CF系反應生成物之積垢的氣體例如O2 氣體亦可。並且， 惰性氣體即使當作例如載體氣體之稀有氣體(例如Ar氣體)亦可，即使當作例如沖洗氣體使用之N2 氣體等亦可。並且，氣體供給源之數量並不限定於第5圖所示之例，即使例如一個或兩個亦可，再者即使設置成四個以上亦可。
如此一來，當作蝕刻氣體使用之第1氣體、第2氣體、第3氣體之氣體供給配管510A~510C也構成相同。即是，各氣體供給配管510A~510C具備有各針對第1氣體、第2氣體、第3氣體之氣體供給源520A~520C，各氣體供給源520A~520C各經氣體供給配管510A~510C而連接成合流至處理氣體供給配管402。
各氣體供給配管510A~510C之氣體供給配管510A~510C設置有用以調整來自氣體供給源520A~520C之氣體流量的流量控制器，例如質量流量控制器(MFC)540A~540C。在此之質量流量控制器(MFC)540A~540C即使各使用容量不同者亦可。
在各質量流量控制器(MFC)540A~540C之上游側及下游側各設置有第1斷流閥(上游側斷流閥)530A~530C，第2斷流閥(下游側斷流閥)550A~550C。藉由關閉第1斷流閥530A~530C、第2斷流閥550A~550C之雙方，則可以阻斷各質量流量控制器(MFC)540A~540C中氣體之流動。依此，可以將例如實際通往各質量流量控制器(MFC)540A~540C之氣體流量調整成0。
並且，如第5圖所示般，在氣體供給源520A~520C和第1斷流閥(上游側斷流閥)530A~530C之間，設置有 手動閥522A~522C。並且，在手動閥522A~522C和第1斷流閥(上游側斷流閥)530A~530C之間，雖然無圖式，但是即使又設置減壓閥(調節閥)、壓力計(PT)亦可。
另外，惰性氣體(例如，N2 氣體)之氣體供給配管510D具備惰性氣體之氣體供給源520D，成為可以將來自該氣體供給源520D之惰性氣體經其他各氣體供給配管510A~510C之質量流量控制器(MFC)540A~540C、第2斷流閥550A~550C而供給至處理室200內。依此，針對N2氣體因可以利用質量流量控制器(MFC)540A~540C，故不需要個別設置質量流量控制器(MFC)。並且，可以不經由該些各氣體供給配管510A~510C而經由處理氣體供給配管402而供給至處理室200。
具體而言，惰性氣體之氣體供給源520D係藉由氣體供給配管510D經第2斷流閥550D而連接於處理氣體供給配管402，並且各經斷流閥560A~560C而連接於各氣體供給配管510A~510C之第1斷流閥530A~530C和質量流量控制器(MFC)540A~540C之間。
再者，在氣體供給配管510D也與其他氣體供給配管510A~510C相同，連接有手動閥522D、第1斷流閥(上游側斷流閥)530D。並且，於以質量流量控制器(MFC)540A~540C控制惰性氣體之流量之時，即使將上述斷流閥560A~560C當作設置在質量流量控制器(MFC)之上游側的第1斷流閥(上游側斷流閥)而予以控制亦可。
在如此構成之處理氣體供給裝置400中，藉由控制氣 體箱410內之各閥及MFC等，以特定氣體流量所混合之處理氣體經處理氣體供給配管402而被供給至處理室200。此時，依據流量調整單元420、430，可以個別控制自第1室332、第2室334被導入至處理室200內之處理氣體之流量。
例如，為了從上部電極300朝向FPD基板S均勻供給氣體，必須使連接於中央之氣體導入孔326之分歧配管404，和連接於四角附近之4個氣體導入孔326之分歧配管406之管內壓力均勻。但是，因用以對FPD用基板S執行電漿處理之上部電極300為大型，連接於中央部之第1室332之分歧配管404之長度比連接於周邊部之第2室334之分歧配管406短，故傳導率(流動之容易性)也變大。因此，必須調整流量調整器424、434，使流入分歧配管404之處理氣體之流量少於流入分歧配管406之處理氣體之流量，而使各分歧配管404、406之管內壓力成為均勻。
並且，針對上部電極300之區隔壁350，並不限定於第3圖所示者。例如，即使將處理氣體供給裝置400適用於設置第6圖所示之區隔壁350之上部電極300亦可。第6圖所示之區隔壁350設為第1室332之面積比起第3圖所示之區隔壁350為寬大之環形狀。若藉由第6圖所示之區隔壁350，第1室332之面積成為緩衝室330之全體面積的大約50%。
再者，如第6圖所示之區隔壁350所示般，設定成被 區隔之各室332、334之區域內所含有之氣體導入孔326之數量與第3圖所示之情形相同的環形狀，依此不用變更處理氣體供給裝置400之配管構成，可以僅變更緩衝室330之區隔面積。
然而，上述流量調整器424、434亦可由例如質量流量控制器構成。但是，當以質量流量構成流量調整器424、434之時，在氣體箱410內也設置有質量流量控制器540A~540C，故氣體箱410之下游側(較質量流量控制器540A~540C更下游側)超過大氣壓。因此，若氣體箱410之下游側之配管受損時，則有氣體從其配管內洩漏至大氣中之虞，故為了防止此，必須將配管設為雙層構造等，在配管構造上費心思。
在此，在本實施型態中，作為流量調整器424、434係以利如針閥等之固定節流閥來構成，依此氣體箱410之下游側成為大氣壓以下，即使配管損傷氣體也不會洩漏至大氣中。然後，於以固定節流閥構成流量調整器424、434之時，如上述般，以使流入分歧配管404之處理氣體之流量少於流入分歧配管406之處理氣體之流量的方式，在縮小固定節流閥之開閥度之狀態下固定。例如，當將固定節流閥之開閥度關閉之時設為0之時，並且將全開設為10之時，以分歧配管404和分歧配管406之傳導率成為3：10之方式，調整構成各流量調整器424、434之固定節流閥之開閥度。
但是，如此一來當縮小固定構成分歧配管404之流量 調整器424之固定節流閥之開閥度時，例如僅從上部電極300之中央區域供給大流量之處理氣體而欲執行FPD基板S之處理之時，則有無法確保充分之傳導率等，無法因應FPD基板S之處理而執行最適合之處理氣體供給的問題。因此，例如將不通過流量調整器424之旁通配管設置與流量調整器424並聯，藉由將處理氣體之流動能夠切換至旁通配管，並可以經旁通配管而供給大流量之處理氣體為佳。
一面參照圖面一面詳細說明如此之配管構成之具體例。第7圖為表示具備有旁通配管之配管構成之具體例的圖式。在此，為將旁通配管404A設置成與分歧配管404之流量調整器424並聯之情形。在旁通配管404A設置有開關閥422A，成為可以切換成使通過分歧配管404之處理氣體經流量調整器424而流動之情形和經旁通配管404A而流動之情形。
此時，例如當將固定節流閥之開閥度關閉之時設為0之時，並且將全開設為10之時，以分歧配管404和分歧配管406之傳導率成比為3：10之方式，先調整固定構成各流量調整器424、434之固定節流閥之開閥度。並且，固定節流閥之開閥度並不限定於上述之情形。事先因應分歧配管404和分歧配管406之長度等，求出分歧配管404和分歧配管406之管內壓力成為均勻之傳導率比，以成為其傳導率比之方式來調整固定節流閥之開閥度為佳。
若藉由具有如此配管構成之處理氣體供給裝置400之 時，例如於欲從上部電極300之中央區域和其周邊區域均勻供給處理氣體之時，打開開關閥432，並且打開開關閥422而關閉開關閥422A，依此處理氣體經流量調整器434流入至分歧配管406，並且處理氣體若經流量調整器424而流入至分歧配管404即可。
對此，於欲僅從上部電極300之中央區域供給大流量之處理氣體之時，關閉開關閥432，並且關閉開關閥422而打開開關閥422A，依此不在分歧配管406流入處理氣體，若經旁通配管404A從分歧配管404流通處理氣體即可。
依此，即使在縮小構成分歧配管404之流量調整器424之固定節流閥之開閥度而予以固定之時，亦可以經旁通配管404A而僅從上部電極300之中央區域可以供給大流量之處理氣體。
並且，在第7圖所示之配管構成中之分歧配管406中，例如第8圖所示般，即使又將供給惰性氣體(例如Ar氣體、He氣體等)之惰性氣體供給配管408連接於開關閥432和流量調整器434之間亦可。此時，在惰性氣體供給配管408設置開關閥409，成為被切換成從上部電極300之周邊區域僅供給惰性氣體。
即是，藉由關閉開關閥432並且打開開關閥409，可以自上部電極300之周邊區域僅供給惰性氣體。依此，藉由自上部電極300之中央區域供給處理氣體，且自周邊區域供給惰性氣體，則可以提高FPD基板之處理之均勻 性。
如此之惰性氣體即使構成自例如第5圖所示之氣體箱410內之惰性氣體之氣體供給配管510D直接供給第7圖所示之惰性氣體供給配管408亦可，再者，即使以與第5圖所示之氣體供給配管510A~510D不同之系統設置氣體供給流路，直接被供給至惰性氣體供給配管408亦可。
再者，在第7圖、第8圖中，雖然針對僅在分歧配管404設置旁通配管404A之時予以說明，但是並不限定於此，不僅分歧配管404，即使在分歧配管406也設置旁通配管亦可。
此時，例如第9圖所示般，在分歧配管404，將複數(例如兩個)之旁通配管404A、404B各設置成與流量調整器424並聯，在該些旁通配管404A、404B即使各設置有開關閥422A、422B、流量調整器424A、424B亦可。再者，在分歧配管406，將複數(例如兩個)之旁通配管406A、406B各設置成與流量調整器434並聯，在該些旁通配管406A、406B即使各設置有開關閥432A、432B、流量調整器434A、434B亦可。
然後，將流量調節器424、424A、424B之固定節流閥之開閥度固定於各不相同之開閥度，而調整傳導率比，依此可以利用控制各開關閥422、422A、422B所流通之配管的組合將複數種類之流量流入分歧配管404。
同樣地，即使針對流量調節器434、434A、434B之固定節流閥之開閥度，固定於各不相同之開閥度而調整傳 導率比，依此可以利用控制各開關閥432、432A、432B所流通之配管的組合將複數種類之流量流入分歧配管406。
具體而言，當將固定節流閥之開閥度關閉時設為0時，並且將全開之時設為10時，將流量調整器424、424A、424B之固定節流閥之開閥度設為例如10：5：2.5。再者，流量調整器434、434A、434B之固定節流閥之開閥度也設為例如10：5：2.5。依此，可以使分歧配管404和流通分歧配管406之處理氣體之傳導率比之組合更多。
例如，若以處理氣體在分歧配管404中僅通過流量調整器424A之方式，控制成關閉開關閥422、422B打開開關閥422A，並且以處理氣體在分歧配管406中僅通過流量調整器434之方式，控制成關閉開關閥432A、432B而打開開關閥432時，則可以將分歧配管404和分歧配管406之傳導率比設為5：10。此時，以處理氣體在分歧配管404僅通過流量調整器424A、424B之方式，控制成關閉開關閥422而打開開關閥422A、422B，依此亦可以將分歧配管404和分歧配管406之傳導率比設為7.5：10。
如此一來，藉由控制各開關閥，將處理氣體流通至所欲之配管，利用此處理氣體所流通之配管的組合，則可以將所欲流量之處理氣體從各分歧配管供給至中央部之第1室332、周邊部之第2室334。依此，可以因應基板S之處理控制被供給至基板S之中央部區域和周邊部區域之處 理氣體流量之均勻性。
再者，在上部電極300之各氣體導入孔326即使設置整流構件亦可，該整流構件係用以將被吐出至在緩衝室330開口之吐出口327的氣體之流動變更成水平方向之整流構件。例如，第10圖A至第10圖B所示般，從吐出口327之周圍以複數(例如4個)之懸掛構件329懸掛圓板狀之整流構件328。再者，如第11圖A、第11圖B所示般，即使將形成有從中央朝水平方向延伸之複數孔的圓板狀整流構件328安裝於各氣體導入孔326之吐出口327亦可。並且，在第10圖A、第11圖A所示之電極板310省略氣體噴出孔312。
如此一來，從各氣體導入孔326被導入之處理氣體因藉由整流構件328之作用朝向水平方向被供給，故可以使緩衝室330內更寬範圍均勻地擴散。依此，可以使處理氣體自電極板310之氣體噴出孔312更均勻地予以噴出。
尤其，因本實施型態之整流構件328為可以設置在每各氣體導入孔326之吐出口327般之小型構成，故即使將緩衝室330內以區隔壁350區隔成複數室332、334之時，亦可以設置成不會造成妨礙。因此，不管區隔壁350之形狀(例如，第3圖、第6圖等)，亦可以在各氣體導入孔326之吐出口327設置整流構件328。而且，如本實施型態所示般，在藉由區隔壁350所區隔之緩衝室330之各室332、334內之各個中，可以使自各氣體導入孔326所導入至處理氣體擴散至更寬範圍。如此之整流構件328之 形狀或大小也並不限定於上述。例如，整流構件328之形狀或大小即使因應各氣體導入孔326之配置或氣體噴出孔312之配置、區隔壁350之形狀等而予以決定亦可。
並且，本實施型態中之區隔壁350雖然針對設置成容易更換之情形予以說明，但是並不限定於此，即使區隔壁350以複數螺栓或螺絲固定在電極支撐體320之上壁亦可。
以上，雖然係一面參照附件圖面一面針對本發明之最佳實施型態予以說明，但是本發明當然並不限定於此例。若為本項技藝者在記載於申請專利範圍之範疇內應該能夠思及各種變更例或是修正例，針對該些變更例或修正例當然也屬於本發明之技術範圍。
例如，在本實施型態中，雖然針對本發明適用於將下部電極接地，僅對上部電極施加高頻電力之類型的電漿處理裝置之情形予以說明，但是並非限定於此。例如，即使適用於對上部電極和下部電極之雙方施加高頻電力之類型的電漿處理裝置亦可，再者，即使適用於僅對下部電極施加例如高頻不同之兩種類高頻電力之類型的電漿處理裝置亦可。
[產業上之利用可行性]
本發明可適用於對FPD用基板施予特定處理之電漿處理裝置及使用於此之處理氣體供給裝置。
100‧‧‧電漿處理裝置
102‧‧‧閘閥
104‧‧‧閘閥
106‧‧‧閘閥
110‧‧‧搬運室
120‧‧‧裝載鎖定室
130‧‧‧基板搬出搬入機構
140‧‧‧指示器
142‧‧‧卡匣
200‧‧‧處理室
202‧‧‧處理容器
204‧‧‧開口部
206‧‧‧整合器
208‧‧‧高頻電源
210‧‧‧載置台
212‧‧‧下部電極
213‧‧‧導電路
214‧‧‧絕緣材
216‧‧‧支撐部
218‧‧‧保護管
220‧‧‧支撐板
222‧‧‧伸縮體
230‧‧‧螺栓
232‧‧‧絕緣體
240‧‧‧排氣路
242‧‧‧真空排氣單元
250‧‧‧搬入搬出口
300‧‧‧上部電極
302‧‧‧框體
310‧‧‧電極板
312‧‧‧氣體噴出孔
320‧‧‧電極支撐體
326‧‧‧氣體導入孔
327‧‧‧吐出孔
328‧‧‧整流構件
329‧‧‧懸掛構件
330‧‧‧緩衝室
332‧‧‧第1室(中央部室)
334‧‧‧第2室(周邊部室)
350‧‧‧區隔壁
360‧‧‧懸掛構件
364‧‧‧締結構件
400‧‧‧處理氣體供給裝置
402‧‧‧處理氣體供給配管
404、406‧‧‧分歧配管
404A、404B‧‧‧旁通配管
406a~406d‧‧‧分歧配管
406A、406B‧‧‧旁通配管
408‧‧‧惰性氣體供給配管
409‧‧‧開關閥
410‧‧‧氣體箱
420、430‧‧‧流量調整單元
422、422A、422B‧‧‧開關閥
424、424A、424B‧‧‧流量調整器(固定節流閥)
430‧‧‧流量調節單元
432、432A、432B‧‧‧開關閥
434、434A、434B‧‧‧流量調整器(固定節流閥)
510A~510D‧‧‧氣體供給配管
520A~520D‧‧‧氣體供給源
522A~522D‧‧‧手動閥
530A~530D‧‧‧第1斷流閥
540A~540C‧‧‧質量流量控制器
550A~550D‧‧‧第2斷流閥
560A~560C‧‧‧斷流閥
S‧‧‧基板(FPD用基板)
第1圖為本發明之實施型態所涉及之電漿處理裝置之外觀斜視圖。
第2圖為同實施型態中之處理室之剖面圖。
第3圖為用以說明處理氣體供給裝置之配管構成例之圖式。
第4圖為表示第3圖所示之處理氣體供給裝置之外觀概略的斜視圖。
第5圖為表示第3圖所示之配管構成的方塊圖。
第6圖為用以說明適用於具備其他區隔壁之上部電極之時的處理氣體供給裝置之配管構成例的圖式。
第7圖為表示在同實施形態中設置旁通配管之流量調整單元之具體例的方塊圖。
第8圖為表示在同實施形態中設置旁通配管之流量調整單元之其他具體例的方塊圖。
第9圖為表示在同實施形態中設置旁通配管之流量調整單元之又一其他具體例的方塊圖。
第10圖A為表示被安裝在上部電極之各氣體導入孔之整流構件之具體例的縱剖面圖。
第10圖B為第10圖A所示之A-A剖面圖。
第11圖A為表示被安裝在上部電極之各氣體導入孔之整流構件之其他具體例的縱剖面圖。
第11圖B為第11圖A所示之B-B剖面圖。
400‧‧‧處理氣體供給裝置
402‧‧‧處理氣體供給配管
404‧‧‧分歧配管
404A‧‧‧旁通配管
406a~406d‧‧‧分歧配管
406‧‧‧分歧配管
410‧‧‧氣體箱
420、430‧‧‧流量調整單元
422、422A‧‧‧開關閥
424‧‧‧流量調整器(固定節流閥)
430‧‧‧流量調節單元
432‧‧‧開關閥
434‧‧‧流量調整器(固定節流閥)

Claims (7)

  1. 一種電漿處理裝置，在處理室內相向配設第1電極和第2電極，一邊將處理氣體導入至被上述第2電極支撐之平面顯示器用基板上，一邊將高頻電力供給至上述電極之一方或雙方而生成電漿，依此對上述平面顯示器用基板施予特定電漿處理，其特徵為：設置對上述第1電極供給處理氣體之處理氣體供給裝置，上述第1電極具備與上述第2電極相向，形成用以將上述處理氣體朝向上述處理室內噴出之複數氣體噴出孔之電極板，和支撐上述電極板之支撐體，和在上述支撐體中被形成在上述電極板之間，導入上述處理氣體之中空部，和將上述中空部區隔成中央部室和周邊部室之環狀的區隔壁，上述處理氣體供給裝置具備：處理氣體供給單元，和將來自該處理氣體供給單元之處理氣體予以2分歧之各分歧配管，和調整該些通過各分歧配管之流量的流量調整單元，和將來自上述各分歧配管之處理氣體各導入至上述中央部室和上述周邊部室之配管，上述各流量調整單元具備設置在上述各分歧配管之開關閥和固定節流閥，被連接於上述中央部室之分歧配管之流量調整單元，係以與上述開關閥和上述固定節流閥並聯之方式設置設計成上述處理氣體不通過上述固定節流閥的旁通配管，並且 在上述旁通配管設置有開關閥。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之電漿處理裝置，其中，在被連接於上述周邊部室之分歧配管之流量調整單元，係在上述開關閥和上述固定節流閥之間連接惰性氣體供給配管，並在該惰性氣體供給配管設置有開關閥。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所記載之電漿處理裝置，其中，上述各流量調整單元各以與上述開關閥和上述固定節流閥並聯之方式設置複數旁通配管，並且在上述各旁通配管各設置開關閥和固定節流閥，上述各流量調整單元之固定節流閥各以成為不同傳導率比之方式，調整開閥度。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所記載之電漿處理裝置，其中，在從上述各分歧配管導入至上述中央部室和上述周邊部室之氣體導入孔之上述中空部開口之吐出口，設置有將吐出於上述中空部之氣體流變更成水平方向之整流構件。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所記載之電漿處理裝置，其中，上述固定節流閥為針閥。
  6. 一種處理氣體供給裝置，在處理室內相向配設第1電極和第2電極，一邊將處理氣體導入至被上述第2電極支撐之平面顯示器用基板上，一邊將高頻電力供給至上述電極之一方或雙方而生成電漿，依此對上述平面顯示器用 基板施予特定電漿處理的電漿處理裝置中，對上述第1電極供給處理氣體，其特徵為：上述第1電極具備與上述第2電極相向，形成用以將上述處理氣體朝向上述處理室內噴出之複數氣體噴出孔之電極板，和支撐上述電極板之支撐體，和在上述支撐體中被形成在上述電極板之間，導入上述處理氣體之中空部，和將上述中空部區隔成中央部室和周邊部室之環狀的區隔壁，具備：處理氣體供給單元，和將來自該處理氣體供給單元之處理氣體予以2分歧之各分歧配管，和調整該些通過各分歧配管之流量的流量調整單元，和將來自上述各分歧配管之處理氣體各導入至上述中央部室和上述周邊部室之配管，上述各流量調整單元具備設置在上述各分歧配管之開關閥和固定節流閥，被連接於上述中央部室之分歧配管之流量調整單元，係以與上述開關閥和上述固定節流閥並聯之方式設置設計成上述處理氣體不通過上述固定節流閥的旁通配管，並且在上述旁通配管設置有開關閥。
  7. 如申請專利範圍第6項所記載之處理氣體供給裝置，其中，在從上述各分歧配管導入至上述中央部室和上述周邊部室之氣體導入孔之上述中空部開口之吐出口，設置有將吐出於上述中空部之氣體流變更成水平方向之整流構件。
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5871453B2 (ja) * 2010-05-20 2016-03-01 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置，基板保持機構，基板位置ずれ検出方法
JP5685417B2 (ja) * 2010-11-05 2015-03-18 株式会社アルバック クリーニング装置及びクリーニング方法
JP5528374B2 (ja) * 2011-03-03 2014-06-25 東京エレクトロン株式会社 ガス減圧供給装置、これを備えるシリンダキャビネット、バルブボックス、及び基板処理装置
TWI489054B (zh) * 2011-06-21 2015-06-21 Au Optronics Corp 閥箱模組
CN102913747B (zh) * 2011-08-03 2014-12-10 无锡华润上华科技有限公司 气柜控制装置
DE102011121755A1 (de) * 2011-12-21 2013-06-27 Wabco Gmbh Luftfederungsanlage eines Kraftfahrzeugs und Verfahren zu deren Steuerung
CN102522303B (zh) * 2011-12-23 2015-02-04 中微半导体设备(上海)有限公司 一种多分区气体输送装置
CN103244088B (zh) * 2012-02-03 2016-12-07 陕西得波材料科技有限公司 一种等干度分配器与分配方法
US9840778B2 (en) 2012-06-01 2017-12-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Plasma chamber having an upper electrode having controllable valves and a method of using the same
KR101394669B1 (ko) * 2012-12-21 2014-05-12 세메스 주식회사 가스 유량 분류기 및 이를 포함한 기판 식각 장치
CN103903946B (zh) * 2012-12-26 2017-11-17 中微半导体设备(上海)有限公司 一种用于等离子反应器的气体喷淋头
JP6027490B2 (ja) 2013-05-13 2016-11-16 東京エレクトロン株式会社 ガスを供給する方法、及びプラズマ処理装置
JP6154677B2 (ja) 2013-06-28 2017-06-28 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法及び処理装置
JP6413293B2 (ja) * 2014-03-27 2018-10-31 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び記憶媒体
KR101594932B1 (ko) * 2014-04-01 2016-02-18 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP6346849B2 (ja) * 2014-08-20 2018-06-20 東京エレクトロン株式会社 ガス供給系、プラズマ処理装置、及びプラズマ処理装置の運用方法
CN105551995A (zh) * 2014-10-30 2016-05-04 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种真空腔室的充气气路及半导体加工设备
JP6573559B2 (ja) * 2016-03-03 2019-09-11 東京エレクトロン株式会社 気化原料供給装置及びこれを用いた基板処理装置
JP6667412B2 (ja) * 2016-09-30 2020-03-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2019035607A (ja) * 2017-08-10 2019-03-07 株式会社島津製作所 分析装置
US11718913B2 (en) * 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
CN109119322B (zh) * 2018-07-27 2020-10-02 上海硕余精密机械设备有限公司 一种磁增强型等离子体源
KR102311213B1 (ko) * 2019-04-19 2021-10-13 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN110906166A (zh) * 2019-12-03 2020-03-24 上海航天精密机械研究所 一种实现流量精确控制的组合式调节阀
CN111430213A (zh) * 2020-05-07 2020-07-17 上海邦芯半导体设备有限公司 一种进气结构及等离子刻蚀设备

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200746292A (en) * 2006-02-28 2007-12-16 Tokyo Electron Ltd Plasma etching method, and computer-readable recording medium
TW200901314A (en) * 2007-05-18 2009-01-01 Ulvac Inc Plasma treatment apparatus and manufacturing method of deposition-inhibitory member

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10156169A (ja) * 1996-12-04 1998-06-16 Sony Corp ガス供給システム
KR100439949B1 (ko) * 2001-11-08 2004-07-12 주식회사 아이피에스 박막증착용 반응용기
JP4298369B2 (ja) * 2003-05-02 2009-07-15 キヤノン株式会社 堆積膜形成方法
US7708859B2 (en) * 2004-04-30 2010-05-04 Lam Research Corporation Gas distribution system having fast gas switching capabilities
JP4358727B2 (ja) * 2004-12-09 2009-11-04 東京エレクトロン株式会社 ガス供給装置，基板処理装置及び供給ガス設定方法
JP4701776B2 (ja) * 2005-03-25 2011-06-15 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びエッチング装置
JP4916220B2 (ja) * 2006-05-31 2012-04-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びそれに用いられる電極

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200746292A (en) * 2006-02-28 2007-12-16 Tokyo Electron Ltd Plasma etching method, and computer-readable recording medium
TW200901314A (en) * 2007-05-18 2009-01-01 Ulvac Inc Plasma treatment apparatus and manufacturing method of deposition-inhibitory member

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