TWI470786B - 可撓基板接合及去接合裝置 - Google Patents

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TWI470786B
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Description

可撓基板接合及去接合裝置
本發明關於一種可撓基板接合及去接合裝置，更特定言之係關於一種包含一加熱單元、一加壓單元和一分離單元的可撓基板接合及去接合裝置。
大體上來說，平板顯示器(FPDs)被劃分為液晶顯示器(LCD)、場發射顯示器(FED)、有機發光二極體顯示器(OLED)等。
FPD係形成於一可讓光線透射的透明玻璃基板上。但玻璃基板的剛性使其無法實現可撓顯示器。
因此，可採用i)一比傳統玻璃基板更可撓的薄玻璃基板、ii)一具有優異可撓特質且不易因外來衝擊而受損的塑膠基板和iii)一具有優異耐熱特質且可撓的金屬基板實現可撓顯示器。
本發明之一觀點提出一種可撓基板接合及去接合裝置，其包含用於使一支撐基板接合於一可撓基板的一加熱單元和一加壓單元、及一用於使該支撐基板從該可撓基板去接合的分離單元。
本發明之另一觀點提出一種可撓基板接合及去接合裝置，其包含i)一隔室；ii)一下夾盤，其設置在該隔室之一下部部分內且其內建一下部加熱單元和一冷卻導管；iii)一上夾盤，其設置在該下夾盤上方且其內建一上部加熱單元；iv)一加壓單元，其設置在該上夾盤上方；及v)一分離單元，其對 應於設置在該下夾盤與該上夾盤間之一支撐基板和一可撓基板之接合表面的兩側。
本發明之另一觀點提出一種可撓基板接合裝置，其包含i)一隔室；ii)一下夾盤，其設置在該隔室之一下部部分內且其內建一下部加熱單元和一冷卻導管；iii)一上夾盤，其設置在該下夾盤上方且其內建一上部加熱單元；及iv)一加壓單元，其設置在該上夾盤上方。
本發明之另一觀點提出一種可撓基板去接合裝置，其包含i)一隔室；ii)一下夾盤，其設置在該隔室之一下部部分內；及iii)一分離單元，其對應於設置在該下夾盤上之一支撐基板和一可撓基板之接合表面的兩側。本發明之另一觀點提出一種可撓基板接合及去接合裝置，其包括：i)一隔室，其包括彼此相對的第一和第二表面；ii)一位於該隔室之一第一部分內的第一夾盤，其中該第一夾盤包括一第一加熱器，且其中該第一部分較靠近該隔室之第一表面而離第二表面較遠；iii)一位於該隔室之一第二部分內的第二夾盤，其中該第二夾盤包括一第二加熱器，其中該第二部分較靠近該隔室之第二表面而離第一表面較遠，其中該第一和第二夾盤包括相對表面，其中該第一和第二夾盤經建構經由該等相對表面接觸一支撐基板和一可撓基板，且其中該可撓基板薄於該支撐基板；iv)一加壓器，其連接於該第二夾盤且經建構經由該第二夾盤向該支撐基板和可撓基板之至少一者施加壓力以便使該二基板接合；及v)一經建構用以分離該二基板的分離器。
該第一和第二加熱器之至少一者可包括線圈形熱線。該第一和第二加熱器之至少一者可包括鹵素燈。該第二夾盤可包括一經建構用以接收致冷劑的冷卻導管。該冷卻導管可被整合至該第一夾盤內。在該裝置中，該致冷劑是冷卻水。該第一和第二加熱器可分別被整合至該第一和第二夾盤內。該第一和第二加熱器可經建構分別用以加熱該支撐基板和可撓基板。該第一 夾盤可經建構用以接觸該支撐基板，且該第二夾盤可經建構用以接觸該可撓基板。該分離器可被定位在該第一和第二夾盤之間。該加壓器可被形成為一金屬葉片形狀。該分離器可由一金屬線構成。
本發明之另一觀點提出一種可撓基板接合裝置，其包括：i)一隔室，其包括彼此相對的第一和第二表面；ii)一位於該隔室之一第一部分內的第一夾盤，其中該第一夾盤包括一第一加熱器和一冷卻導管，且其中該第一部分較靠近該隔室之第一表面而離第二表面較遠；iii)一位於該隔室之一第二部分內的第二夾盤，其中該第二夾盤包括一第二加熱器，其中該第二部分較靠近該隔室之第二表面而離第一表面較遠，其中該第一和第二夾盤包括相對表面，其中該第一和第二夾盤經建構經由該等相對表面接觸一支撐基板和一可撓基板，且其中該可撓基板薄於該支撐基板；及iv)一加壓器，其連接於該第二夾盤且經建構經由該第二夾盤向該支撐基板和可撓基板之至少一者施加壓力以便使該二基板接合。
該第一和第二加熱器每一者可包括線圈形熱線和鹵素燈之至少一種。該加壓器可經建構經由該第二夾盤向該可撓基板施加壓力。該第一和第二加熱器可經建構分別用以加熱該支撐基板和可撓基板。該冷卻導管可經建構用以導入冷卻水。
本發明之更另一觀點提出一種可撓基板去接合裝置，其包括：i)一隔室，其包括彼此相對的頂部和底部表面；ii)一位於該隔室之一部分內的夾盤，其中該第一夾盤包括一加熱器，其中該部分較靠近該隔室之底部表面而離頂部表面較遠，其中該夾盤經建構用以接收彼此接合之一支撐基板和一可撓基板，且其中該可撓基板薄於該支撐基板；及iii)一經建構用以分離該二基板的分離器。該分離單元可由一金屬葉片或一金屬線構成。
10‧‧‧下夾盤
11‧‧‧冷卻導管
12‧‧‧下部加熱單元
13‧‧‧支撐基板
14‧‧‧可撓基板
15‧‧‧分離單元
20‧‧‧上夾盤
21‧‧‧上部加熱單元
22‧‧‧加壓單元
30‧‧‧隔室
120‧‧‧半導體層
120a、160a‧‧‧源極
120b、160b‧‧‧汲極
120c‧‧‧通道區
130‧‧‧閘絕緣層
140‧‧‧閘極
150‧‧‧層間絕緣層
150a、150b‧‧‧接觸孔
170‧‧‧鈍化層
180‧‧‧平坦化層
190‧‧‧通孔
200‧‧‧像素電極
210‧‧‧像素定義層
220‧‧‧有機層
230‧‧‧反電極
以下參照隨附圖式說明本發明之實施例。
第1圖是一依據本發明一實施例一可撓基板接合於一支撐基板上的剖面圖。
第2A圖和第2B圖是依據本發明一實施例之可撓基板接合裝置的剖面圖。
第3A圖是一依據本發明另一實施例之可撓基板去接合裝置的剖面圖。
第3B圖是一依據本發明另一實施例之可撓基板去接合裝置的透視圖。
第4A圖是一依據本發明另一實施例之可撓基板接合及去接合裝置的剖面圖。
第4B圖是一依據本發明另一實施例之可撓基板去接合裝置的透視圖。
第5A圖至第5F圖是依據本發明一實施例製造包含一薄膜電晶體之OLED的流程的剖面圖。
一般而言，可撓基板具有極小的厚度，當在可撓基板上進行一包含一清潔程序、一薄膜沈積程序、一圖案化程序等之FPD製程時要處置可撓基板有其難度。
因此，一厚於可撓基板的支撐基板被接合至可撓基板之一表面使得製程可易於進行。
然後，一FPD譬如OLED形成於接合至支撐基板的可撓基板上。然後使支撐基板去接合並移除，藉此確保可撓基板所固有之可撓特質。
在接合及去接合可撓基板的過程中，當僅使用一熱處理程序進行接合時，可能需要大約超過1000℃的高溫，且進行接合及去接合程序可能會有困難。
以下將參照示出本發明之範例實施例的隨附圖式更詳細地說明本發明之實施例。但本發明可以不同樣式實施且不應解釋為侷限於本說明書揭示之實 施例。在圖式中，各層和區域之厚度經誇示以求清楚顯示。全說明書中以相同數字標示相同元件。
第1圖是一依據本發明一實施例一可撓基板接合於一支撐基板上的剖面圖。
參照第1圖，一支撐基板13和一接合在支撐基板13上的可撓基板14舉例來說由下述程序製得。
一般而言，首先會在支撐基板13和可撓基板14之相對接合表面上以物理和化學方式進行一拋光程序使該等相對接合表面變光滑。
然後，通常透過複數個階段進行一清潔乾燥程序以便去除在拋光程序中產生之異物。
然後通常在支撐基板13和可撓基板14之相對接合表面上進行一電漿程序。
在電漿程序中，某些層譬如具備高反應活性的自由基薄膜形成於支撐基板13和可撓基板14之表面上。然後，可利用該等自由基薄膜間之共價鍵使支撐基板13和可撓基板14暫時彼此接合。
接下來通常在暫時彼此接合的支撐基板13和可撓基板14上進行一熱處理程序和一壓力程序。依據一實施例，有可能獲得一具有更優異接合特質的可撓基板14。
依據一實施例，在熱處理程序和壓力程序進行時，有可能施行一在約低於300℃之低溫具有一優異接合特質的可撓基板14。
上述接合及去接合程序可藉由一依據本發明一實施例之可撓基板接合及去接合裝置實現。
第2A圖和第2B圖是依據本發明一實施例之可撓基板接合裝置的剖面圖。
參照第2A圖和第2B圖，可撓基板接合裝置包含一隔室30；一下夾盤10，其設置在隔室30之下部部分內且支承一支撐基板13和一可撓基板14；一設置在下夾盤10上方的上夾盤20；及一加壓單元22，其設置在上夾盤20上方且加壓上夾盤20。
更特定言之，由於下夾盤10設置在隔室30之下部部分內且可內建一下部加熱單元12，頃設置在下夾盤10上且藉由自由基薄膜暫時接合的支撐基板13和可撓基板14可被下部加熱單元12熱處理。
依據一實施例，當熱係在支撐基板13和可撓基板14可藉由自由基薄膜間之一共價鍵暫時接合的狀態下施加時，有可能獲得接合密度提高的優異接合特質。
在下夾盤10內側，可有一冷卻導管11設置在下部加熱單元下方且連接至一獨立冷卻裝置(圖中未示)。在一實施例中，某些冷卻液譬如冷卻水導入冷卻導管11內以便冷卻下夾盤10。然後，頃設置在下夾盤10上且彼此接合的可撓基板14和支撐基板13的溫度下降。在另一實施例中，可使用水以外的致冷劑。
上夾盤20設置在下夾盤10上方且可內建一上部加熱單元21。因此，頃設置在下夾盤10與上夾盤20之間且藉由自由基薄膜暫時接合的支撐基板13和可撓基板14可被上部加熱單元21熱處理。
因此，支撐基板13和可撓基板14可大致同時被上部加熱單元21和下部加熱單元12熱處理，致使支撐基板13和可撓基板14能被均勻地熱處理。在一實施例中，可撓基板14被阻止因一溫度差而彎曲，從而獲得一優異接合特質。
加壓單元22設置在上夾盤20上方。加壓單元22例如透過一缸體連接至上夾 盤20以便降下上夾盤20。
在一實施例中，大致在支撐基板13和可撓基板14被上部和下部加熱單元21和12熱處理之同時，上夾盤20藉由加壓單元22加壓支撐基板13和可撓基板14，從而獲得一更優異的接合特質。
上部和下部加熱單元21和12可如第2A圖所示為線圈形熱線。此外，上部和下部加熱單元21和12可為某些照明器件，譬如第2B圖所示鹵素燈。在此例中，下和上夾盤10和20之局部係由一能讓光線透射的材料譬如石英構成。因此，鹵素燈之光線透射到支撐基板13和可撓基板14上，因而有可能獲得一優異接合特質。
以下將說明第2A圖和第2B圖所示可撓基板接合裝置之操作。
首先，將暫時接合的支撐基板13和可撓基板14放到下夾盤10上。然後進行一壓力程序，其中加壓單元22施加一約100N的壓力以便降下上夾盤20。因此，頃設置在上夾盤20與下夾盤10之間且暫時接合的支撐基板13和可撓基板14可被100N的壓力彼此接合。
然後進行一熱處理程序約30分鐘。在熱處理程序中，藉由由線圈形熱線構成之上部加熱單元21和下部加熱單元12產生熱，或者例如藉由鹵素燈維持一約低於300℃之溫度。因此，頃暫時彼此接合的支撐基板13和可撓基板14可透過熱處理程序更牢固地接合。
隨著熱處理程序同時進行一壓力程序，使用約8000N之壓力進行約兩小時。在一實施例中，有可能在低溫獲得一可逆反應接合表面，這在約超過1000℃之溫度下無法獲得。
然後，從冷卻器件(圖中未示)將致冷劑譬如水供予冷卻導管11致使溫度下降至約低於5℃。
然後亦將加壓單元22之壓力減小至大致為0N從而完成接合程序。
然後將已經完全接合的支撐基板13和可撓基板14取出可撓基板接合裝置外。
第3A圖和第3B圖是依據本發明另一實施例之可撓基板去接合裝置的剖面圖。
參照第3A圖和第3B圖，可撓基板去接合裝置包含一隔室30；一設置在隔室30之下部部分內的下夾盤10；及一分離單元15，其設置在下夾盤10上方且面向可撓基板14和支撐基板13之接合表面的兩側。可撓基板14可包含一形成於其上的OLED(圖中未示)。
更特定言之，下夾盤10設置在隔室30之下部部分內且固定住頃彼此接合之可撓基板14和支撐基板13。此時，如第3A圖所示利用一定壓力將一例如呈金屬葉片形狀的分離單元15插入可撓基板14和支撐基板13之接合表面之間。因此，可撓基板14和支撐基板13之接合表面可被分離。
此外，如第3B圖所示，分離單元15例如可由一金屬線構成。金屬線可透過一由提供於兩側之固定單元施加的張力分離可撓基板14和支撐基板13之接合表面。
第4A圖和第4B圖是依據本發明另一實施例之可撓基板接合及去接合裝置的剖面圖。
參照第4A圖和第4B圖，可撓基板接合及去接合裝置包含一隔室30；一下夾盤10，其設置在隔室30之下部部分內且支承支撐基板13和可撓基板14；一設置在下夾盤10上方的上夾盤20；一加壓單元22，其設置在上夾盤20上方且加壓上夾盤20；及一設置在下夾盤10上方的分離單元15。
更特定言之，由於下夾盤10設置在隔室30之下部部分內且可內建一下部加熱單元12，頃設置在下夾盤10上且藉由自由基薄膜暫時接合的支撐基板13和可撓基板14可被下部加熱單元12熱處理。
在一實施例中，當熱係在支撐基板13和可撓基板14可藉由自由基薄膜間之一共價鍵暫時接合的狀態下施加時，有可能獲得接合密度提高的優異接合特質。
在下夾盤10內側，可有一冷卻導管11設置在下部加熱單元12下方且連接至一獨立冷卻裝置(圖中未示)。在一實施例中，某些冷卻液譬如冷卻水導入冷卻導管11內以便冷卻下夾盤10。然後，頃設置在下夾盤10上且彼此接合的可撓基板14和支撐基板13的溫度下降。
上夾盤20設置在下夾盤10上方且可內建一上部加熱單元21。因此，頃設置在下夾盤10與上夾盤20之間且藉由自由基薄膜暫時接合的支撐基板13和可撓基板14可被上部加熱單元21熱處理。
因此，支撐基板13和可撓基板14可大致同時被上部加熱單元21和下部加熱單元12熱處理，致使支撐基板13和可撓基板14能被均勻地熱處理。在此實施例中，可撓基板14被阻止因一溫度差而彎曲，從而獲得一優異接合特質。
加壓單元22設置在上夾盤20上方。加壓單元22例如透過一缸體連接至上夾盤20以便降下上夾盤20。
因此，大致在支撐基板13和可撓基板14被上部和下部加熱單元21和12熱處理之同時，上夾盤20可利用加壓單元22加壓支撐基板13和可撓基板14，從而獲得一更優異的接合特質。
上部和下部加熱單元21和12可如第2A圖所示為線圈形熱線。此外，上部和 下部加熱單元21和12可為某些照明器件，譬如第2B圖所示鹵素燈。在此例中，下和上夾盤10和20之局部係由一能讓光線透射的材料譬如石英構成。因此，鹵素燈之光線透射到支撐基板13和可撓基板14上，因而有可能獲得一優異接合特質。
分離單元15被設置為對應於可撓基板14和支撐基板13之接合表面的兩側。
利用一定壓力將一例如呈金屬葉片形狀的分離單元15插入接合表面之間以便分離可撓基板14和支撐基板13之接合表面，如第4A圖所示。此外，如第4B圖所示，分離單元15可由一金屬線構成。金屬線可透過一由提供於兩側之固定單元施加的張力分離可撓基板14和支撐基板13之接合表面。
以下將詳細說明依據本發明一實施例之可撓基板接合及去接合裝置的操作。
首先，將暫時接合的支撐基板13和可撓基板14放到下夾盤10上。然後進行一壓力程序，其中加壓單元22施加一約100N的壓力以便降下上夾盤20。因此，頃設置在上夾盤20與下夾盤10之間且暫時接合的支撐基板13和可撓基板14可被100N的壓力彼此接合。
然後進行一熱處理程序約30分鐘。在熱處理程序中，藉由由線圈形熱線構成之上部加熱單元21和下部加熱單元12產生熱，或者例如藉由鹵素燈維持一約低於300℃之溫度。因此，頃暫時彼此接合的支撐基板13和可撓基板14可透過熱處理程序更牢固地接合。
隨著熱處理程序同時進行一壓力程序，使用約8000N之壓力進行約兩小時。在一實施例中，有可能在低溫獲得一可逆反應接合表面，這在約超過1000℃之溫度下無法獲得。
然後，從冷卻器件(圖中未示)將致冷劑譬如冷卻水供予冷卻導管11致使溫 度下降至約低於5℃。
然後亦將加壓單元22之壓力減小至大致為0N從而完成接合程序。
然後將已經完全接合的支撐基板13和可撓基板14取出可撓基板接合裝置外。
在此之後，將已取出的支撐基板13和可撓基板14送入一製造FPD的程序中，該FPD譬如是包含一薄膜電晶體的OLED。
第5A至5F圖是依據本發明一實施例製造包含一薄膜電晶體之OLED的流程的剖面圖。
參照第5A圖，可在可撓基板14上形成一包含SiO 2的緩衝層(圖中未示)，該可撓基板經由熱處理程序和壓力程序接合於支撐基板13上。該緩衝層用於保護可撓基板14並使可撓基板14隔絕於一形成於其上之元件。
在此例中，可於進行熱處理程序和壓力程序之前更進一步在支撐基板13和可撓基板14之間形成一金屬中間層(圖中未示)，該層包含Fe、Ni、Sn、Zn、Cr、Co、Si、Mg、Ti、Zr、Al、Ag、Cu、或以上之一合金的至少一種。
當未形成此中間金屬層時，支撐基板13和可撓基板14之接合表面內的原子鍵係一共價鍵。但當此中間金屬層形成時，該共價鍵改變成一接合密度高的金屬鍵。在一實施例中，有可能獲得一更優異的接合特質。
然後在該緩衝層上形成一非晶矽層。該非晶矽層可為由一物理汽相沈積(PVD)方法譬如濺鍍或是一化學汽相沈積(CVD)方法譬如電漿增強化學汽相沈積(PECVD)或低壓化學汽相沈積(LPCVD)形成。
此外，當該非晶矽層形成時或之後，可進行一脫氫程序以降低氫濃度。
然後使該非晶矽層結晶成一多晶矽層。使非晶矽層結晶的方法可包含準分 子雷射退火(ELA)、順序側向凝固(SLS)、金屬誘致結晶化(MIC)、金屬誘致側向結晶化(MILC)、或超級粒化矽(SGS)。
接下來使該多晶矽層圖案化以形成一預定圖案之半導體層120。
然後如第5B圖所示，在基板全表面上有半導體層120形成之處形成一閘絕緣層130。閘絕緣層130保護形成於其下之元件且使這些元件電絕緣於將要形成在閘絕緣層130上之元件。
然後在閘絕緣層130上形成一由Al、Al合金、Mo、Mo合金之至少一種構成的閘金屬層。
然後使該閘金屬層圖案化以形成一對應於半導體層120之一預定區域的閘極140。
然後，利用閘極140當作遮罩，進行一注入n型或p型不純物的程序以在半導體層120中形成源極和汲極區120a和120b及一通道區120c。在此例中，半導體層120為何被劃分為源極和汲極區120a和120b及通道區120c的理由在於經上述程序注入不純物的區域被界定為源極和汲極區120a和120b，且因閘極140之存在而未注入不純物的區域被界定為通道區120c，當一薄膜電晶體被驅動時，一通道會形成在該通道區內。
接下來參照第5C圖，一層間絕緣層150形成於基板之全表面上。層間絕緣層150保護形成於其下的元件且使這些元件電絕緣於將要形成在層間絕緣層150上之元件。
閘絕緣層130和層間絕緣層150可由SiO 2和SiNx之至少一種構成。此外，閘絕緣層130和層間絕緣層150可由SiO 2和SiNx之一組合構成。
然後形成接觸孔150a和150b穿過層間絕緣層150和閘絕緣層130致使半導體 層120之源極和汲極區120a和120b之局部外露。
然後，在層間絕緣層150上形成預定圖案的源極和汲極160a和160b藉以形成一薄膜電晶體，該源極和汲極160a和160b係透過接觸孔150a和150b連接到半導體層120之源極和汲極區120a和120b。
源極和汲極160a和160b可由Al、Al合金、Mo、Mo合金之至少一種構成。
接下來如第5D圖所示，在基板之全表面上形成一鈍化層170。鈍化層170可由SiO 2和SiNx之至少一種構成。此外，鈍化層170可由SiO 2和SiNx之一組合構成。
然後在鈍化層170上形成一平坦化層180。平坦化層180可由一有機層構成且可由壓克力、苯並環丁烷(BCB)、及聚醯亞胺之至少一種構成以便減小基板上之段差。
然後如第5E圖所示，蝕刻鈍化層170和平坦化層180上之預定區域以形成一通孔190使源極和汲極160a和160b任一者外露。
接下來在平坦化層180上形成一像素電極200。像素電極200連接到源極和汲極160a和160b當中透過通孔190外露者。由一透明電極譬如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)構成的像素電極200可依底部方向發射光線。
像素電極200可包含一設置於其下的反射層(圖中未示)以便依頂部方向發射光線。該反射層係由Pt、Au、Ir、Cr、Mg、Ag、Al、及以上之一合金的至少一種構成。
接下來如第5F圖所示，在基板全表面上形成一具備一開口的像素定義層210，該開口使像素電極200之一預定區域外露。像素定義層210可由苯並環丁烷(BCB)、丙烯酸聚合物、及聚醯亞胺之至少一種構成。
隨後在透過該開口外露的像素電極200上形成一包含一有機發射層(圖中未示)的有機層220，且在基板全表面上形成一反電極230，從而實現一OLED。
在此之後，將頃在OLED形成於可撓基板14上之狀態接合的可撓基板14和支撐基板13放入依據本發明之可撓基板接合及去接合裝置內。
然後可由分離單元15分離可撓基板14和支撐基板13之接合表面，該分離單元例如係由第4A圖所示之金屬葉片或第4B圖所示之金屬線構成。
因此，支撐基板13被移離有OLED形成的可撓基板14，從而實現一具有可撓特質的OLED。
在本發明之至少一實施例中，頃已說明形成OLED的程序，該OLED包含形成於接合至支撐基板之可撓基板上的薄膜電晶體。然本發明不侷限於此程序，其亦可應用於包含一使用一可撓基板之FPD的所有接合及去接合方法。
依據本發明之至少一實施例，可撓基板接合及去接合裝置可隨一熱處理程序同時加壓一可撓基板和一支撐基板。因此，即使是在低溫，可撓基板仍可以更可靠地接合及去接合。
因此，當利用可撓基板接合及去接合裝置製造一包含一OLED的FPD時，有可能增進產量並提高產品品質。
儘管已參照某些範例實施例說明本發明，熟習此技藝者會理解到可不脫離如隨附申請專利範圍項暨其等效物界定之發明精神或範圍做出本發明之許多修改和變異。
10‧‧‧下夾盤
11‧‧‧冷卻導管
12‧‧‧下部加熱單元
13‧‧‧支撐基板
14‧‧‧可撓基板
15‧‧‧分離單元
20‧‧‧上夾盤
21‧‧‧上部加熱單元
22‧‧‧加壓單元
30‧‧‧隔室

Claims (16)

  1. 一種可撓基板接合及去接合裝置，其包括：一隔室，該隔室包括彼此相對之一第一表面和一第二表面；一第一夾盤，位於該隔室之一第一部分中，其中該第一夾盤包括一第一加熱器，且其中該第一部分較靠近該隔室之該第一表面而離該第二表面較遠；一第二夾盤，位於該隔室之一第二部分中，其中該第二夾盤包括一第二加熱器，且其中該第二部分較靠近該隔室之該第二表面而離該第一表面較遠，其中該第一和第二夾盤包括相對的表面，其中該第一和第二夾盤經建構經由該相對的表面接觸一支撐基板和一可撓基板，且其中該可撓基板薄於該支撐基板；一加壓器，其連接至該第二夾盤且經建構經由該第二夾盤向該支撐基板和該可撓基板之至少一者施加壓力以便接合該二基板；及一分離器，經建構用以分離該二基板，其中該第二夾盤包括一冷卻導管，該冷卻導管經建構用以接收致冷劑，並且該冷卻導管整合於該第一夾盤內。
  2. 如申請專利範圍第1項之可撓基板接合及去接合裝置，其中該第一和第二加熱器之至少一者包括線圈形熱線。
  3. 如申請專利範圍第1項之可撓基板接合及去接合裝置，其中該第一和第二加熱器之至少一者包括鹵素燈。
  4. 如申請專利範圍第1項之可撓基板接合及去接合裝置，其中該致冷劑是一冷卻水。
  5. 如申請專利範圍第1項之可撓基板接合及去接合裝置，其中該第一和第二 加熱器分別整合於該第一和第二夾盤內。
  6. 如申請專利範圍第1項之可撓基板接合及去接合裝置，其中該第一和第二加熱器經建構用以分別加熱該支撐基板和該可撓基板。
  7. 如申請專利範圍第1項之可撓基板接合及去接合裝置，其中該第一夾盤經建構用以接觸該支撐基板且該第二夾盤經建構用以接觸該可撓基板。
  8. 如申請專利範圍第1項之可撓基板接合及去接合裝置，其中該分離器被定位在該第一和第二夾盤之間。
  9. 如申請專利範圍第1項之可撓基板接合及去接合裝置，其中該加壓器經由一缸體連接至該第二夾盤。
  10. 如申請專利範圍第1項之可撓基板接合及去接合裝置，其中該分離器係形成為一金屬葉片形狀。
  11. 如申請專利範圍第1項之可撓基板接合及去接合裝置，其中該分離器係由一金屬線構成。
  12. 一種可撓基板接合裝置，其包括：一隔室，包括彼此相對之一第一表面和一第二表面；一第一夾盤，位於該隔室之一第一部分中，其中該第一夾盤包括一第一加熱器和一冷卻導管，且其中該第一部分較靠近該隔室之該第一表面而離該第二表面較遠，其中該冷卻導管之一部分係位於該第一夾盤之外，且其中該冷卻導管之剩餘部分係位於該第一夾盤之中並被彎折二次；一第二夾盤，位於該隔室之一第二部分中，其中該第二夾盤包括一第二加熱器，其中該第二部分較靠近該隔室之該第二表面而離該第一表面較遠，其中該第一和第二夾盤包括相對的表面，其中該第一和第二夾盤經建構經由該相對的表面接觸一支撐基板和一可撓基板，且其中該可撓基板薄於該支撐基板；一加壓器，其連接至該第二夾盤且經建構經由該第二夾盤向該支撐基 板和該可撓基板之至少一者施加壓力以便接合該二基板；及一分離器，經建構用以分離該二基板。
  13. 如申請專利範圍第12項之可撓基板接合裝置，其中該第一和第二加熱器每一者包括線圈形熱線和鹵素燈之至少其中之一。
  14. 如申請專利範圍第12項之可撓基板接合裝置，其中該加壓器經建構經由該第二夾盤向該可撓基板施加壓力。
  15. 如申請專利範圍第12項之可撓基板接合裝置，其中該第一和第二加熱器經建構用以分別加熱該支撐基板和該可撓基板。
  16. 如申請專利範圍第12項之可撓基板接合裝置，其中該冷卻導管經建構用以導入冷卻水。
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