TWI467317B - Optical components for EUV microsurgery - Google Patents

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Description

EUV微影術用光學構件 發明領域
本發明係關於半導體製造等時所使用的EUV(Extreme Ultraviolet：超紫外光。以下簡稱「EUV」)用光學構件，具體係關於EUV微影術用附反射層基板(以下在本說明書中稱「EUV微影術用附反射層基板」、或簡稱「附反射層基板」)、EUV微影術用反射型光罩基底(以下在本說明書中亦稱「EUV光罩基底」)、對該EUV光罩基底施行圖案化的EUV微影術用反射型光罩(以下在本說明書中稱「EUV光罩」)、EUV微影術用反射型反射鏡(以下在本說明書中稱「EUV反射鏡」)(以下亦將該等統稱為「EUV微影術用光學構件」)。
 發明背景
習知，半導體產業中，在諸如矽基板等之上形成由細微圖案所構成積體電路之前提下，就所必要細微圖案的轉印技術，有採取使用可見光或紫外光的光學微影術法。但是，半導體裝置的細微化正加速中，另一方面亦已接近習知光學微影術法的極限。光學微影術法的情況，圖案的解像極限係曝光波長的1/2左右，即便使用液浸法亦僅為曝光波長的1/4左右而已，即便使用ArF雷射(193nm)的液浸法，預測45nm左右便屬極限。因而就使用較短於45nm之曝光波長的新一代曝光技術，著眼於使用較ArF雷射更短波長之EUV光的曝光技術--EUV微影術。本說明書中，所謂「EUV光」係指軟X射線區域或真空紫外線區域的波長光線，具體而言，係指波長10~20nm左右、特別係13.5nm±0.3nm左右的光線。
EUV光係對所有的物質較容易被吸收，且在其波長下，物質的折射率接近1，因而並無法使用如習知使用可見光或紫外光的光學微影術之折射光學系統中。所以，EUV光微影術便使用反射光學系統(即反射型光罩)、與反射鏡。
光罩基底係使用於光罩製造用的圖案化前之積層體。EUV光罩基底的情況，具有在諸如玻璃製等基板上，依序形成反射EUV光的反射層、與吸收EUV光的吸收體層之構造。反射層通常係使用藉由將低折射層的鉬(Mo)層與高折射層的矽(Si)層交互積層，而提高當EUV光照射於層表面時之光線反射率的Mo/Si多層反射膜。
吸收體層係使用對EUV光的吸收係數較高之材料，具體係使用例如以鉻(Cr)或鉭(Ta)為主成分的材料。
在上述反射層與吸收體層間，通常會形成保護層。該保護層係為使反射層在吸收體層上施行圖案形成之目的所實施的蝕刻製程中不致遭受損傷，以保護該反射層之目的而設置。專利文獻1有提案保護層的材料係使用釕(Ru)。專利文獻2有提案由含有Ru、與選自Mo、Nb、Zr、Y、B、Ti及La中至少1種的釕化合物(Ru含量10~95at%)構成的保護層。專利文獻3有提案Ru/Si雙層的多層保護層。
EUV微影術所使用的反射鏡係具有在諸如玻璃基板等基板上，形成會反射EUV光之反射層的構造。反射層係就從可達成高EUV光線反射率的觀點，通常係使用使高折射層與低折射率層呈交互複數次積層的多層反射膜。所以，EUV光微影術所使用的反射鏡通常係使用此種在基板上形成多層反射膜的多層膜反射鏡(參照專利文獻4)。
此種多層膜反射鏡係在保護多層反射膜免遭化學性、物理性侵蝕之目的下，大多在該多層反射膜上形成保護層(保護覆蓋層)。專利文獻4有記載EUV反射鏡的構成係為能承受化學性、物理性侵蝕，便在反射層上設置特定的覆蓋層(保護層)。專利文獻4所記載多層膜反射鏡的情況，設有由從釕(Ru)及銠(Rh)、以及該等的化合物或合金中所選擇材料構成之保護覆蓋層。
先行技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2002-122981號公報
專利文獻2：日本專利特開2005-268750號公報
專利文獻3：美國專利第7300724號說明書
專利文獻4：日本專利第4068285號公報(歐洲公開專利1065568號公報)
當保護層的材料係使用Ru時，可獲得對吸收體層的高蝕刻選擇比，且即便在反射層上形成保護層的情況下，當對保護層表面照射EUV光時仍可獲得高反射率。
然而，當保護層的材料係使用Ru時，在光罩基底與反射鏡製造時所實施的步驟、以及從該光罩基底製造光罩時所實施的步驟(例如：洗淨、缺陷檢查、加熱步驟、乾式蝕刻、缺陷修正等各步驟)中，或者在該EUV曝光時，因Ru保護層、甚至係多層反射膜最上層(Mo/Si多層反射膜的情況便為Si層)遭氧化，當EUV光照射於保護層表面時，便會有EUV光線反射率降低的問題。
特別係因為EUV曝光時的EUV光線反射率降低會經時性進行，因而會有曝光條件必需在途中進行變更的必要性、或關聯到光罩與反射鏡的壽命縮短等問題。
以下，本說明書中，在光罩基底與反射鏡製造時所實施的步驟、以及從該光罩基底製造光罩時所實施的步驟(例如：洗淨、缺陷檢查、加熱步驟、乾式蝕刻、缺陷修正等各步驟)，或者在該EUV曝光時，因Ru保護層、甚至係多層反射膜最上層遭氧化，導致當EUV光照射於保護層表面時所造成的EUV光線反射率降低情形，有簡稱為「因Ru保護層遭氧化而造成EUV光線反射率降低」之情況。
專利文獻2所記載的保護層係不會導致多層反射膜的反射率降低，且有記載能充分獲得多層反射膜的抗氧化效果，但此處所謂的「多層反射膜的反射率降低」，從該文獻的段落編號[0006]所記載中得知，係意在藉由在Ru保護層成膜時、或後續的加熱處理等，多層反射膜最上層的Si層與Ru保護層形成擴散層而造成反射率降低，但是否意在如上述因Ru保護層遭氧化而造成EUV光線反射率降低則不明確。
專利文獻3所記載的保護層雖企圖藉由形成Ru/Si雙層的多層保護層，俾解決因Si層的氧化而造成的反射率降低問題，以及因Ru層的EUV光吸收係數高於Si層，因而無法增加膜厚的問題等二項問題，但是否意在如上述因Ru保護層遭氧化而造成EUV光線反射率降低卻不明確。
有鑑於上述事項，本發明目的在於提供：抑制因Ru保護層遭氧化而造成EUV光線反射率降低的EUV光罩基底、EUV反射鏡等光學構件，以及製造該光學構件時所使用附機能膜基板。
本發明者等為解決上述問題經深入鑽研的結果，發現藉由在Ru保護層間插入較薄的Mo層，便可抑制因Ru保護層遭氧化而造成EUV光線反射率降低。
接著，本發明者等發現將保護層中的Mo中間層膜厚設定在特定範圍內係屬有效。
本發明係根據上述本發明者等的發現而完成，提供一種EUV微影術用附反射層基板(以下，本說明書中亦稱「本發明附反射層基板」)，係在基板上依序形成有反射EUV光的反射層及保護該反射層的保護層者，其特徵在於：前述反射層係Mo/Si多層反射膜；前述保護層係從前述反射層之側依序積層有3層構造：由Ru層或Ru化合物層構成的第1層、由Mo層構成的第2層、以及由Ru層或Ru化合物層構成的第3層。
較佳係前述由Mo/Si多層反射膜所構成的反射層之最上層為Si膜；前述保護層係鄰接於該Si膜面而形成者。
本發明附反射層基板中，較佳係前述第2層的膜厚度為0.2nm以上，且滿足在2nm以下和前述保護層合計膜厚度之1/2以下這兩者中之較小者。
本發明附反射層基板中，較佳為前述保護層的合計膜厚度係1~10nm。
本發明附反射層基板中，較佳為前述保護層表面的表面粗糙度rms係0.5nm以下。
再者，本發明所提供的EUV微影術用反射型光罩基底(以下亦稱「本發明EUV光罩基底」)，係在上述本發明附反射層基板的保護層上，形成吸收體層而成。
本發明EUV光罩基底中，較佳為前述吸收體層係使用以鉭(Ta)為主成分的材料形成。
本發明EUV光罩基底中，較佳為使用氯系氣體作為蝕刻氣體而實施乾式蝕刻時，前述保護層對前述吸收體層的蝕刻選擇比係10以上。
本發明EUV光罩基底中，較佳為在前述吸收體層上設置有低反射層，該低反射層係使用以鉭(Ta)為主成分的材料所形成，且對於在光罩圖案檢查所使用的檢查光為低反射。
當在吸收體層上形成低反射層時，較佳係相對於用於檢查形成在吸收體層上之圖案的光波長，前述保護層表面的反射光與前述低反射層表面的反射光之對比係30%以上。
再者，本發明提供一種EUV微影術用反射型光罩(以下亦稱「本發明EUV光罩」)，係將上述本發明EUV光罩基底圖案化者。
再者，係提供一種EUV微影術用反射型反射鏡(以下亦稱「本發明EUV反射鏡」)，係使用上述EUV微影術用附反射層基板者。
再者，本發明提供一種半導體積體電路之製造方法，係使用上述本發明EUV光罩，藉由對被曝光體施行曝光而製造半導體積體電路。
本發明的附反射層基板、及使用該附反射層基板的EUV光罩基底、EUV反射鏡，係經抑制因Ru保護層遭氧化而造成EUV光線反射率降低。而，藉由抑制EUV曝光時EUV光線反射率的經時進行情形，減少曝光條件在途中進行變更的必要性，俾可達EUV光罩與EUV反射鏡的壽命長期化。
再者，使用本發明EUV光罩基底所製成的EUV光罩，在EUV曝光時，EUV光線反射率的經時變化較小，屬於可靠度較高的EUV光罩，可有效利用於由細微圖案構成的積體電路之製造。
圖式簡單說明
第1圖係本發明EUV光罩基底的實施形態概略剖視圖。
第2圖係在第1圖的EUV光罩基底之吸收體層上，形成低反射層的實施形態概略剖視圖。
第3圖係對第2圖的EUV光罩基底1'之吸收體層14及低反射層15，施行圖案形成的狀態概略剖視圖。
第4圖係本發明EUV反射鏡的實施形態之概略剖視圖。
 用以實施發明之形態
以下，參照圖式說明本發明。
第1圖所示係本發明EUV光罩基底的一實施形態概略剖視圖。第1圖所示光罩基底1係在基板11上依序形成：反射EUV光的反射層12、以及為保護該反射層12的保護層13。本發明的EUV光罩基底，保護層13係構成從前述反射層12側起，依序積層著：由Ru層或Ru化合物層構成的第1層13a、由Mo層構成的第2層13b、及由Ru層或Ru化合物層構成的第3層13c之3層構造。在該3層構造的保護層13上形成有吸收體層14。
第4圖所示係本發明EUV反射鏡的一實施形態概略剖視圖。第4圖所示EUV反射鏡2係在基板11上依序形成：反射EUV光的反射層12、以及為保護該反射層12的保護層13。但，本發明的EUV反射鏡，保護層13係構成從前述反射層12側起依序積層著：由Ru層或Ru化合物層構成的第1層13a、由Mo層構成的第2層13b、及由Ru層或Ru化合物層構成的第3層13c之3層構造。
以下，針對光罩基底1及反射鏡2的各個構成要件進行說明。另外，諸如光罩基底與反射鏡等具有反射EUV光之多層膜的構件，亦稱「EUV光學構件」。
基板11係要求滿足能當作EUV光罩基底用基板的特性。因而，基板11具有低熱膨脹係數之事便屬重要。具體而言，基板11的熱膨脹係數係宜為0±1.0×10-7 /℃、較佳係0±0.3×10-7 /℃、更佳係0±0.2×10-7 /℃、甚佳係0±0.1×10-7 /℃、特佳係0±0.05×10-7 /℃。又，基板較佳係平滑性、平坦度、以及對光罩基底或圖案形成後的光罩洗淨等所使用洗淨液之耐性均優異者。基板11具體上係可使用具有低熱膨脹係數的玻璃，例如SiO2 -TiO2 系玻璃等，惟並不僅侷限於此，尚可使用會析出β石英固溶體的結晶化玻璃、或石英玻璃、矽、金屬等基板。又，亦可在基板11上形成諸如應力補正膜之類的膜。
基板11較佳係具有表面粗度rms在0.15nm以下的平滑表面、與具有100nm以下的平坦度，因為圖案形成後的光罩能獲得高反射率及轉印精度。
基板11的大小與厚度等係依照光罩的設計值等而適當決定。後示實施例係使用外形6吋(152.4mm)方塊，且厚度0.25吋(6.3mm)的SiO2 -TiO2 系玻璃。反射鏡所使用的基板尺寸係依照曝光機的設計值等而適當決定，通常使用直徑50~500mm左右大小的基板。
光罩基底用基板係平面形狀呈正方形等的矩形。另一方面，反射鏡用基板大多係平面形狀呈圓形、橢圓形、多角形。
基板11有形成反射層12之側的表面最好不要有缺點存在。但是，即便有存在的情況，為不致因凹狀缺點及/或凸狀缺點出現相位缺點，最好凹狀缺點的深度及凸狀缺點的高度在2nm以下，且該等凹狀缺點及凸狀缺點的半值寬在60nm以下。
EUV光學構件的反射層12特性係高EUV光線反射率。具體而言，當EUV光波長區域的光線依入射角度6度照射於反射層12表面時，波長13.5nm附近的光線反射率最大值較佳達60%以上、更佳達65%以上。又，即便在反射層12上設置保護層13時，波長13.5nm附近的光線反射率最大值較佳達60%以上、更佳達65%以上。
反射層係基於從在EUV波長域能達高反射率的觀點，而使用使高折射率膜與低折射率膜呈交互複數次積層的多層反射膜。本發明的EUV光學構件係使用使低折射率膜的Mo膜、與高折射率膜的Si膜呈交互複數次積層的Mo/Si多層反射膜。該Mo/Si多層反射膜中，所積層的Mo/Si多層反射膜最上層宜為Si膜。
Mo/Si多層反射膜的情況，在形成EUV光線反射率最大值達60%以上的反射層12時，只要使膜厚2.3±0.1nm的Mo層、與膜厚4.5±0.1nm的Si層，依重複單位數成為30~60的方式進行積層便可。
另外，構成Mo/Si多層反射膜的各層係只要使用諸如磁控濺鍍法、離子束濺鍍法等成膜方法，形成所需厚度便可。例如當使用離子束濺鍍法形成Mo/Si多層反射膜時，最好將Mo靶材使用為靶材、將Ar氣體(氣體壓力1.3×10-2 Pa~2.7×10-2 Pa)使用為濺鍍氣體，並依離子加速電壓300~1500V、成膜速度0.03~0.30nm/sec形成厚度2.3nm的方式，形成Mo層，接著，再將Si靶材使用為靶材、將Ar氣體(氣體壓力1.3×10-2 Pa~2.7×10-2Pa )使用為濺鍍氣體，並依離子加速電壓300~1500V、成膜速度0.03~0.30nm/sec形成厚度4.5nm的方式，形成Si層。將此設為1週期，藉由使Mo層與Si層進行40~50週期積層，便形成Mo/Si多層反射膜。
保護層13係在當利用蝕刻製程(通常係乾式蝕刻製程)對吸收體層14施行圖案形成時，保護反射層12，俾使反射層12不致因蝕刻製程遭受損傷之目的而設置。所以，保護層13的材質便選擇不易受吸收體層14的蝕刻製程影響，即蝕刻速度較慢於吸收體層14，且不易因蝕刻製程遭受損傷的物質。
再者，保護層13係基於即便形成保護層13後，仍不會損及反射層12的EUV光線反射率，故保護層13本身的EUV光線反射率亦屬高為佳。
就從此觀點，如專利文獻1~3所記載，EUV光學構件的保護層構成材料係使用Ru。
本發明的EUV光學構件亦然，在3層構造的保護層13中，第1層13a及第3層13c係Ru層、或Ru化合物層。此處，亦可第1層13a及第3層13c雙方均為Ru層，亦可均為Ru化合物層。又，亦可第1層13a及第3層13c中，其中一者為Ru層，而另一者為Ru化合物層。上述Ru化合物最好係選自RuB、RuNb及RuZr所構成群組之至少1種。
另外，當第1層13a及第3層13c係Ru化合物層的情況，Ru含率較佳係50at%以上、更佳係80at%以上、特佳係90at%以上。但，當第1層13a及第3層13c係RuNb層的情況，Nb含率較佳係10~40at%左右。
第1層13a及第3層13c係Si含量較佳在5at%以下、更佳在3at%以下、特佳在1at%以下。
本發明的EUV光學構件，藉由在3層構造的保護層13中，將第2層13b設為Mo層，便可抑制因Ru保護層遭氧化而造成EUV光線反射率降低。3層構造的保護層13中，藉由將第2層13b設為Mo層，而抑制因Ru保護層遭氧化而造成EUV光線反射率降低的理由，係推測如下。
在光罩基底與反射鏡製造時所實施的步驟、或從該光罩基底製造光罩時所實施的步驟(例如洗淨、缺陷檢查、加熱步驟、乾式蝕刻、缺陷修正等各步驟)、或者該EUV曝光時發生保護層13遭氧化之類的狀況時，3層構造的保護層13係從位於最上層的第3層13c開始被氧化，接著依照第2層13b、再來第1層13a的順序進行氧化。
此處，若將構成第2層13b的Mo、與構成第1層13a的Ru或Ru化合物進行比較，因為Mo較Ru或Ru化合物容易遭氧化，因而判斷當第2層13b開始被氧化時，相較於對下層的第1層13a之氧化進行，第2層13b會更積極的進行氧化。換言之，藉由較Ru或Ru化合物更容易遭氧化的第2層13b被氧化，對第1層13a的氧化進行便被抑制。又，因為從第2層13b朝第1層13a擴散的氧，會優先的朝第2層13b與第1層13a的界面方向擴散，因而有效地抑制朝較第2層13b與第1層13a的界面更下方處擴散。
再者，相較於利用Ru單膜(或Ru化合物單膜)形成保護層的情況下，因為可將各個Ru層(或Ru化合物層)的膜厚變薄至1/2程度，因而可形成結晶性較低、結晶晶界較少的Ru層。藉此，可有效地抑制Ru層中通過結晶晶界的氧擴散。
利用該等的作用，判斷便抑制位於第1層13a更下方的Mo/Si多層反射膜遭氧化，更具體而言，抑制Mo/Si多層反射膜最上層的Si膜遭氧化情形，判斷結果上會抑制因Ru保護層遭氧化而造成EUV光線反射率降低情形。
構成第2層13b的Mo係亦使用於Mo/Si多層反射膜，屬於EUV光線反射率較高的材料、以及如後述第2層13b的膜厚較小，所以因第2層(Mo層)的氧化而造成EUV光線反射率降低(對保護層13表面照射EUV光時的EUV光線反射率降低)係屬輕微的，可忽視。
再者，在Mo/Si多層反射膜上形成Ru保護層時，會有Mo/Si多層反射膜最上層的Si膜中之Si擴散於Ru保護層中的情況，有構成問題的可能性，但本發明EUV光學構件，即便發生Si膜中的Si擴散於屬於第1層13a的Ru層中或Ru化合物層中之狀況時，藉由屬於第2層13b的Mo層存在，亦可抑制擴散於較第2層13b更靠上方的第3層13c中。所以，即便在Ru保護層形成時，發生Si膜中的Si擴散於Ru保護層中的狀況時，仍可將Si對Ru保護層中的擴散(更具體而言係Si對Ru保護層最上層的第3層13c中之擴散)抑制至最小極限。
本發明EUV光學構件，構成第2層13b的Mo層中之Si含量較佳係在5at%以下、更佳係在3at%以下、特佳係在1at%以下。
再者，構成第2層13b的Mo層係Mo含率較佳在60at%以上、更佳在80at%以上、特佳在90at%以上。
本發明EUV光學構件中，第2層13b的膜厚較佳係0.2nm以上。若膜厚少於0.2nm，則依照成膜條件會有第2層13b的形成不完全，抑制因Ru保護層遭氧化而造成EUV光線反射率降低的效果嫌不足的可能性。
另一方面，第2層13b的膜厚係若考慮對EUV特性的影響，較佳係滿足在2nm以下、或保護層13合計膜厚度之1/2以下這兩者當中較小者。
3層構造的保護層13中，發揮EUV光學構件的保護層機能、亦即保護反射層12不致因蝕刻製程遭受損傷的機能者，係屬於Ru層或Ru化合物層的第1層13a及第3層13c。
若第2層13b的膜厚大於保護層13的合計膜厚之1/2，則第1層13a及第3層13c的膜厚會變小，因而會有無法發揮上述EUV光學構件之保護層機能的可能性。
若第2層13b的膜厚超過2nm，為能發揮上述EUV光學構件的保護層機能所需要的保護層13之合計膜厚便會增加，除會有牽連EUV光線反射率降低的可能性之外，尚會有因第2層13b的氧化所造成EUV光線反射率降低無法忽視之可能性。
第2層13b的膜厚較佳係0.3nm~1nm、更佳係0.3nm~0.6nm。
就從提高EUV光線反射率、且能獲得耐蝕刻特性的理由，3層構造保護層13的合計膜厚較佳係1~10nm。保護層13的合計膜厚較佳係1~5nm、更佳係2~4nm。
3層構造保護層13中，第1層13a及第3層13c的膜厚並無特別的限定，可在符合上述保護層13的合計膜厚較佳範圍、及第2層13b的膜厚較佳範圍內適當選擇。為能發揮因第2層13b的形成而獲得的上述效果，即發揮抑制因Ru保護層遭氧化而造成EUV光線反射率降低的效果，第1層13a、及第3層13c的膜厚較佳係0.6~3nm、更佳係0.8~1.8nm。又，第1層13a及第3層13c的膜厚差值較佳係在0.5nm以下。
本發明中，保護層13表面的表面粗度較佳係在0.5nm以下。另外，表面粗度rms在0.5nm以下係意味著均方根表面粗度在0.5nm以下。若保護層13表面的表面粗度偏大，在該保護層13上所形成吸收體層14的表面粗度會變大，在該吸收體層14上所形成圖案的邊緣粗糙度會變大，導致圖案的尺寸精度變差。因為隨圖案的細微化，邊緣粗糙度的影響會趨於明顯，因而對吸收體層14表面要求平滑。
若保護層13表面的表面粗度rms在0.5nm以下，在該保護層13上所形成吸收體層14表面便充分平滑，因而不會有因邊緣粗糙度的影響而導致圖案的尺寸精度惡化的可能性。保護層13表面的表面粗度rms較佳係在0.4nm以下、更佳係在0.3nm以下。
3層構造保護層13的各層係可使用諸如磁控濺鍍法、離子束濺鍍法等成膜方法進行成膜。
當使用離子束濺鍍法形成當作第1層13a及第3層13c用的Ru層時，只要將Ru靶材使用為靶材，並在氬(Ar)氣體環 境中施行放電便可。具體而言，只要依以下的條件實施離子束濺鍍便可。
‧濺鍍氣體：Ar(氣體壓力：1.0×10-1 ~10×10-1 Pa、較佳係1.0×10-1 ~5.0×10-1 Pa、更佳係1.0×10-1 ~3.0×10-1 Pa)。
‧投入電力(針對各靶材)：30~1000W、較佳係50~750W、更佳係80~500W。
‧成膜速度：0.1~6nm/sec、較佳係0.1~4.5nm/sec、更佳係0.1~3nm/sec。
另一方面，當使用離子束濺鍍法，形成當作第2層13b用的Mo層時，只要將Mo靶材使用為靶材，並在氬(Ar)氣體環境中進行放電便可。具體而言，只要依以下的條件實施離子束濺鍍便可。
‧濺鍍氣體：Ar(氣體壓力：1.3×10-2 Pa~2.7×10-2 Pa)。
‧離子加速電壓：300~1500V。
‧成膜速度：0.005~0.3nm/sec、較佳係0.01~0.2nm/sec、更佳係0.02~0.1nm/sec。
依照以上的順序，獲得在基板11的成膜面上依序形成反射層12、及保護層13的本發明附反射層基板。本發明附反射層基板係成為EUV光罩基底的前驅物，在本發明附反射層基板的保護層上，依照後述順序形成吸收體層，更視需要在該吸收體層上形成低反射層，便成為本發明的EUV光罩基底。本發明附反射層基板亦可使用為EUV反射鏡。
本發明附反射層基板係當依照後述實施例所記載的順序施行加熱處理時，加熱處理前後的EUV光線反射率降低較佳係在7%以下、更佳係在6%以下。
另外，後述實施例中，為確認本發明所造成的效果，便依較光罩基底與反射鏡製造時所實施的加熱步驟、以及從光罩基底製造光罩時所實施的加熱步驟更嚴苛條件，實施加熱處理。
對吸收體層14特別要求的特性係EUV光線反射率極低。具體而言，當將EUV光波長區域的光線照射於吸收體層14表面時，波長13.5nm附近的最大光線反射率較佳在0.5%以下、更佳在0.1%以下。
為達成上述特性，較佳係由EUV光的吸收係數較高之材料構成，較佳係由以鉭(Ta)為主成分的材料形成。
此種吸收體層14係可舉例如依以下比率含有Ta、B、Si及氮(N)者(TaBSiN膜)。
‧B含率：1at%以上且低於5at%、較佳係1~4.5at%、更佳係1.5~4at%。
‧Si含率：1~25at%、較佳係1~20at%、更佳係2~12at%。
‧Ta與N的組成比(Ta：N)(原子比)：8：1~1：1。
‧Ta含率：較佳係50~90at%、更佳係60~80at%
‧N含率：較佳係5~30at%、更佳係10~25at%
上述組成的吸收體層14係結晶狀態呈非晶質，且表面平滑性優異。
上述組成的吸收體層14較佳係表面粗度在0.5nm以下。若吸收體層14表面的表面粗度較大，則在吸收體層14上所形成圖案的邊緣粗糙度會變大，導致圖案的尺寸精度變差。因為依照圖案的細微化，邊緣粗糙度的影響會趨於明顯，因而吸收體層14表面便要求平滑。
若吸收體層14表面的表面粗度在0.5nm以下，因為吸收體層14表面充分平滑，因而不會有因邊緣粗糙度的影響而導致圖案尺寸精度惡化的可能性。吸收體層14表面的表面粗度更佳係0.4nm以下、特佳係0.3nm以下。
吸收體層14係藉由上述構成，當將氯系氣體使用為蝕刻氣體並施行乾式蝕刻時，蝕刻速度快速，在對保護層13的蝕刻選擇比呈10以上。本說明書中，蝕刻選擇比係可依下述(1)式進行計算：
‧蝕刻選擇比
=(吸收體層14的蝕刻速度)/(保護層13的蝕刻速度)…(1)
蝕刻選擇比較佳係達10以上、更佳係達11以上、特佳係達12以上。
吸收體層14的厚度較佳係50~100nm。上述構成的吸收層14係可使用諸如磁控濺鍍法、離子束濺鍍法之類的濺鍍法等成膜方法形成。
本發明EUV光罩基底係如第2圖所示之EUV光罩基底1'般，較佳係在吸收體層14上形成對光罩圖案檢查時所使用檢查光屬於低反射層15。
當製作EUV光罩時，在吸收體層上形成圖案後，便檢查該圖案是否有如設計般形成。該光罩圖案的檢查係採用檢查光通常使用257nm程度光的檢查機。即，利用該257nm程度光的反射率差，具體而言，利用吸收體層14經圖案形成而被去除並露出的面、與未因圖案形成被除去而殘留的吸收體層14表面間之反射率差進行檢查。其中，前者係保護層13表面。所以，對檢查光波長，若保護層13表面與吸收體層14表面的反射率差較小，則檢查時的對比會變差，導致無法正確的檢查。
上述構成的吸收體層14雖EUV光線反射率極低，具有當作EUV光罩基底之吸收層用的優異特性，但當就檢查光波長而言，光線反射率稱不上是必定充分低。結果，檢查光波長下的吸收體層14表面反射率與保護層13表面反射率的差會變小，會有無法充分獲得檢查時的對比之可能性。若無法充分獲得檢查時的對比，在光罩檢查便無法充分判斷圖案缺陷，導致無法執行正確的缺陷檢查。
如第2圖所示EUV光罩基底1'，藉由在吸收體層14上形成低反射層15，檢查時的對比便呈良好，換言之，檢查光波長下的光線反射率極低。在此種目的下所形成之低反射層15，當照射檢查光波長區域光線時，該檢查光波長的最大光線反射率較佳係在15%以下、更佳係在10%以下、特佳係在5%以下。
若低反射層15對檢查光波長的光線反射率在15%以下，該檢查時的對比便呈良好。具體而言，保護層13表面的檢查光波長之反射光、與低反射層15表面的檢查光波長之反射光兩者間的對比，成為30%以上。
本說明書中，對比係可使用下述(2)式進行求取。
‧對比(%)=((R2 -R1 )/(R2 +R1 ))×100...(2)
其中，檢查光波長的R2 係保護層13表面的反射率，R1 係低反射層15表面的反射率。另外，上述R1 及R2 係依在第2圖所示EUV光罩基底1'的吸收體層14及低反射層15上形成圖案的狀態(即，第3圖所示狀態)進行測定。上述R2 係在第3圖中，利用圖案形成去除吸收體層14及低反射層15，而露出於外部的保護層13表面進行測定之值，R1 係在未因圖案形成被除去而殘留的低反射層15表面進行測定之值。
本發明中，依上述(2)式所表示的對比更佳係達45%以上、特佳係達60%以上、最佳係達80%以上。
低反射層15係為能達成上述特性，最好由檢查光波長的折射率低於吸收體層14的材料構成，且結晶狀態係非晶質。
此種低反射層15的具體例係可舉依下述比率含有Ta、B、Si及氧(O)者(低反射層(TaBSiO))。
‧B含率：1at%以上且少於5at%、較佳係1~4.5at%、更佳係1.5~4at%。
‧Si含率：1~25at%、較佳係1~20at%、更佳係2~10at%。
‧Ta與O的組成比(Ta：O)(原子比)：7：2~1：2、較佳係7：2~1：1、更佳係2：1~1：1。
再者，低反射層15的具體例係可舉依下述比率含有Ta、B、Si、O及N者(低反射層(TaBSiON))。
‧B含率：1at%以上且少於5at%、較佳係1~4.5at%、更佳係2~4.0at%。
‧Si含率：1~25at%、較佳係1~20at%、更佳係2~10at%。
‧Ta與O及N的組成比(Ta：(O+N))(原子比)：7：2~1：2、較佳係7：2~1：1、更佳係2：1~1：1。
低反射層(TaBSiO)或(TaBSiON)係藉由上述構成，其結晶狀態便呈非晶質，且表面的平滑性優異。具體而言，低反射層(TaBSiO)、或(TaBSiON)表面的表面粗度rms，較佳係在0.5nm以下。
依如上述，為防止因邊緣粗糙度的影響而導致圖案的尺寸精度惡化，吸收體層14表面便要求屬平滑。因為低反射層15係形成於吸收體層14上，因而依同樣的理由，對其表面要求屬平滑。
若低反射層15表面的表面粗度rms在0.5nm以下，因為低反射層15表面充分平滑，因而不會有因邊緣粗糙度的影響而造成圖案尺寸精度惡化的可能性。低反射層15表面的表面粗度rms更佳係在0.4nm以下、特佳係在0.3nm以下。
當在吸收體層14上形成低反射層15時，吸收體層14與低反射層15的合計厚度較佳係55~130nm。又，若低反射層15的厚度較厚於吸收體層14的厚度，則會有吸收體層14的EUV光吸收特性降低之可能性，因而低反射層15的厚度較佳係小於吸收體層14的厚度。因而，低反射層15的厚度較佳係5~30nm、更佳係10~20nm。
低反射層(TaBSiO)或(TaBSiON)係可使用諸如磁控濺鍍法、離子束濺鍍法之類的濺鍍法等成膜方法形成。
另外，如第2圖所示EUV光罩基底1'，在吸收體層14上宜形成低反射層15的理由係由於圖案的檢查光波長與EUV光波長不同。所以，當圖案的檢查光係使用EUV光(13.5nm附近)時，可認為不需要在吸收體層14上形成低反射層15。檢查光的波長會有隨圖案尺寸縮小而朝短波長側位移的傾向，推測未來亦會朝193nm、甚至13.5nm位移。當檢查光的波長係13.5nm時，可認為不需要在吸收體層14上形成低反射層15。
本發明的EUV光罩基底係除反射層12、保護層13、吸收體層14、及低反射層15之外，亦可在EUV光罩基底的區域設置公知的機能膜。此種機能膜的具體例係有如日本專利特表2003-501823號公報(融入為本案說明書的揭示)所記載，為促進基板的靜電吸附，而對基板背面側施行高介電性塗佈。此處，所謂「基板背面」係指第1圖所示基板11中，與形成有反射層12側呈相反側之面。依此目的對基板背面施行的高介電性塗佈係依薄片電阻成為100Ω/□以下的方式，選擇構成材料的導電率與厚度。高介電性塗佈的構成材料係可廣泛從公知文獻所記載物中選擇。例如日本專利特表2003-501823號公報所記載的高介電常數塗佈，具體而言，係可適用由諸如矽、TiN、鉬、鉻、或TaSi所構成的塗佈。高介電性塗佈的厚度係可設為例如10~1000nm。
高介電性塗佈係可使用公知成膜方法，例如：磁控濺鍍法、離子束濺鍍法之類的濺鍍法、或CVD法、真空蒸鍍法、或電解電鍍法等方法形成。
另外，針對本發明的EUV反射鏡亦可具有上述高介電性塗佈。
藉由至少將本發明EUV光罩基底的吸收體層(當在吸收體層上形成有低反射層時，則為吸收體層及低反射層)施行圖案化，便可製造本發明的EUV光罩。吸收體層(當在吸收體層上形成有低反射層時，則為吸收體層及低反射層)的圖案化方法並無特別的限定，例如可採用在吸收體層(當在吸收體層上形成有低反射層時，則為吸收體層及低反射層)上塗佈光阻劑而形成光阻圖案，再以其為光罩對吸收體層(當在吸收體層上形成有低反射層時，則為吸收體層及低反射層)施行蝕刻的方法。光阻劑的材料與光阻圖案的描繪法係只要考慮吸收體層(當在吸收體層上形成有低反射層時，則為吸收體層及低反射層)的材質等來適當選擇便可。吸收體層(當在吸收體層上形成有低反射層時，則為吸收體層及低反射層)的蝕刻方法亦無特別的限定，可採用諸如反應性離子蝕刻等乾式蝕刻或濕式蝕刻。經對吸收體層(當在吸收體層上形成有低反射層時，則為吸收體層及低反射層)施行圖案化後，藉由利用剝離液將光阻予以剝離，便可獲得本發明的EUV光罩。
針對使用本發明EUV光罩的半導體積體電路之製造方法進行說明。本發明係可適用於利用EUV光作為曝光用光源的光學微影術法所進行的半導體積體電路之製造方法。具體而言，將已塗佈光阻劑的矽晶圓等基板配置於平台上，並將上述EUV光罩設置於組合了反射鏡所構成的反射型曝光裝置中。然後，將EUV光從光源經由反射鏡照射於EUV光罩，使EUV光利用EUV光罩而反射並照射於已塗佈光阻劑的基板上。藉由該圖案轉印步驟，電路圖案便被轉印於基板上。經轉印電路圖案的基板經利用顯影而對感光部分或非感光部分施行蝕刻後，便剝離光阻。半導體積體電路係藉由重複此種步驟而進行製造。
實施例
以下，針對本發明利用實施例更進一步說明。
(實施例1)
本實施例係製作第2圖所示光罩基底1'。
成膜用基板11係使用SiO2 -TiO2 系玻璃基板[外形6吋(152.4mm)方塊、厚度6.3mm]。該玻璃基板的熱膨脹率係0.2×10-7 /℃，彈性係數係67GPa，帕松比(Poisson's ratio)係0.17，比剛性係3.07×107 m2 /s2 。將該玻璃基板利用研磨而形成表面粗度rms在0.15nm以下的平滑表面、與100nm以下的平坦度。
在基板11的背面側藉由使用磁控濺鍍法形成厚度100nm的Cr膜，而施行薄片電阻100Ω/□的高介電性塗佈(未圖示)。
在形成平板形狀的普通靜電吸盤上，利用已形成之Cr膜固定基板11[外形6吋(152.4mm)方塊、厚度6.3mm]，在該基板11的表面上使用離子束濺鍍法交互形成Mo膜與Si膜，並重複此循環計50週期，便形成合計膜厚340nm((2.3nm+4.5nm)×50)的Mo/Si多層反射膜(反射層12)。另外，Mo/Si多層反射膜的最上層係Si膜。
Mo膜及Si膜的成膜條件係如下。
(Mo膜的成膜條件)
‧靶材：Mo靶材。
‧濺鍍氣體：Ar氣體(氣體壓力：0.02Pa)。
‧電壓：700V。
‧成膜速度：0.064nm/sec。
‧膜厚：2.3nm。
(Si膜的成膜條件)
‧靶材：Si靶材(硼摻雜)。
‧濺鍍氣體：Ar氣體(氣體壓力：0.02Pa)。
‧電壓：700V。
‧成膜速度：0.077nm/sec。
‧膜厚：4.5nm。
其次，在反射層12上，使用離子束濺鍍法形成當作保護層13之第1層13a用的Ru層。
第1層13a的形成條件係如下。
‧靶材：Ru靶材。
‧濺鍍氣體：Ar氣體(氣體壓力：0.02Pa)。
‧電壓：700V。
‧成膜速度：0.052nm/sec。
‧膜厚：1.25nm。
其次，使用離子束濺鍍法形成當作保護層13的第2層13b用之Mo層。
第2層13b的形成條件係如下。
‧靶材：Mo靶材。
‧濺鍍氣體：Ar氣體(氣體壓力：0.02Pa)。
‧電壓：700V。
‧成膜速度：0.064nm/sec。
‧膜厚：0.5nm。
其次，使用離子束濺鍍法形成當作保護層13的第3層13c用之Ru層。
第3層13c的形成條件係如下。
‧靶材：Ru靶材。
‧濺鍍氣體：Ar氣體(氣體壓力：0.02Pa)。
‧電壓：700V。
‧成膜速度：0.052nm/sec。
‧膜厚：1.25nm。
其次，保護層13上，更具體係在保護層13的第3層13c上，使用磁控濺鍍法形成當作吸收體層14用的TaBSiN層。
TaBSiN層的成膜條件係如下。
(TaBSiN層的成膜條件)
‧靶材：TaBSi化合物靶材(組成比：Ta 80at%、B 10at%、Si 10at%)。
‧濺鍍氣體：Ar與N2 的混合氣體(Ar：86體積%、N2 ：14體積%、氣體壓力：0.3Pa)。
‧投入電力：150W。
‧成膜速度：0.12nm/sec。
‧膜厚：60nm。
其次，在吸收體層14上，藉由使用磁控濺鍍法形成當作低反射層15用的TaBSiON層，便製得第2圖所示光罩基底1'。
TaBSiON層的成膜條件係如下。
(TaBSiON層的成膜條件)
‧靶材：TaBSi靶材(組成比：Ta 80at%、B 10at%、Si 10at%)。
‧濺鍍氣體：Ar與N2 及O2 的混合氣體(Ar：60體積%、N2 ：20體積%、O2 ：20體積%、氣體壓力：0.3Pa)。
‧投入電力：150W。
‧成膜速度：0.18nm/sec。
‧膜厚：10nm。
針對依上述順序所獲得的光罩基底實施下述評估。
(1)膜組成
針對依照上述順序形成至保護層13的樣品，藉由使用X射線光電子光譜分析裝置(X-ray Photoelectron Spectrometer)(ULVAC-PHI公司製：Quantera SXM)，測定從保護層13的表面直到反射層(Mo/Si多層反射膜)12的深度方向組成，藉此確認到該保護層13係屬於下述3層構造。
‧第1層13a：Ru層。
‧第2層13b：Mo層。
‧第3層13c：Ru層。
再者，從利用X射線光電子光譜分析裝置施行的測定結果，確認到相對於保護層13的總組成，Mo組成為20%。此結果顯示，在保護層13中含有Mo，其組成量對上述成膜條件下保護層13之合計膜厚(1.25+0.5+1.25=3nm)、與第2層13b的膜厚(0.5nm)之關係沒有矛盾。
(2)表面粗度
保護層13的表面粗度係依照JIS-B0601(1994年)，使用原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope)(精工儀器公司製：編號SPI3800)進行確認。保護層13的表面粗度rms係0.15nm。
(3)加熱處理耐性
針對依上述順序形成至保護層13的樣品，在210℃下施行10分鐘的加熱處理(大氣中)。在此項處理的前後，對保護層13表面照射EUV光(波長13.5nm)，並使用EUV反射率計(AIXUV公司製MBR(製品名))測定EUV反射率。此項處理前後的EUV反射率降低係5.4%。
(4)反射特性(對比評估)
針對依上述順序形成至保護層13的樣品，使用分光光度計測定保護層13表面的圖案檢查光(波長257nm)之反射率。又，針對形成至低反射層15的樣品，測定低反射層15表面的圖案檢查光之反射率。結果，保護層13層表面的反射率係60.0%，低反射層15表面的反射率係6.9%。使用該等結果與上述(2)式求取對比，結果為79.4%。
針對所獲得EUV光罩基底1'，對低反射層15表面照射EUV光(波長13.5nm)，並測定EUV光的反射率。結果，EUV光的反射率係0.4%，確認到EUV吸收特性優異。
(比較例1)
比較例1係除在反射層12上，使用離子束濺鍍法形成當作保護層13用的單層Ru層之外，其餘均依照與實施例1同樣的順序實施。
Ru層的成膜條件係如下。
(Ru層的成膜條件)
‧靶材：Ru靶材。
‧濺鍍氣體：Ar氣體(氣體壓力：0.02Pa)。
‧電壓：700V。
‧成膜速度：0.052nm/sec。
‧膜厚：3nm。
針對依照上述順序所獲得的光罩基底實施下述評估。
(1)膜組成
針對依照上述順序形成至保護層13的樣品，藉由使用X射線光電子光譜分析裝置(X-ray Photoelectron Spectrometer)(ULVAC-PHI公司製：Quantera SXM)，測定從保護層13的表面直到反射層12的深度方向組成。保護層13係單層的Ru層，在該保護層13中並未檢測出Mo組成。
(2)表面粗度
針對依上述順序形成至保護層13的樣品，依照JIS-B0601(1994年)，使用原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope)(精工儀器公司製：編號SPI3800)確認保護層13的表面粗度。保護層13的表面粗度rms係0.15nm。
(3)加熱處理耐性
針對依上述順序形成至保護層13的樣品，在210℃下施行10分鐘的加熱處理(大氣中)。在此項處理的前後，對保護 層13表面照射EUV光(波長13.5nm)，並使用EUV反射率計測定EUV反射率。此項處理前後的EUV反射率降低係7.8%。
由此項結果確認到比較例1的光罩基底相較於實施例1的光罩基底之下，前者的加熱處理耐性較差。
(實施例2)
本實施例係製造第4圖所示EUV反射鏡2。
成膜用基板11係使用SiO2 -TiO2 系玻璃基板[外形6吋(152.4mm)方塊、厚度6.3mm]。該玻璃基板的熱膨脹率係0.2×10-7 /℃，彈性係數係67GPa，帕松比係0.17，比剛性係3.07×107 m2 /s2 。將該玻璃基板利用研磨而形成表面粗度rms在0.15nm以下的平滑表面、與100nm以下的平坦度。
在基板11的背面側藉由使用磁控濺鍍法形成厚度100nm的Cr膜，而施行薄片電阻100Ω/□的高介電性塗佈(未圖示)。
在形成平板形狀的普通靜電吸盤上，利用已形成之Cr膜固定基板11[外形6吋(152.4mm)方塊、厚度6.3mm]，在該基板11的表面上使用離子束濺鍍法交互形成Mo膜與Si膜，並重複此循環計50週期，便形成合計膜厚340nm((2.3nm+4.5nm)×50)的Mo/Si多層反射膜(反射層12)。另外，Mo/Si多層反射膜的最上層係Si膜。
Mo膜及Si膜的成膜條件係如下。
(Mo膜的成膜條件)
‧靶材：Mo靶材。
‧濺鍍氣體：Ar氣體(氣體壓力：0.02Pa)。
‧電壓：700V。
‧成膜速度：0.064nm/sec。
‧膜厚：2.3nm。
(Si膜的成膜條件)
‧靶材：Si靶材(硼摻雜)。
‧濺鍍氣體：Ar氣體(氣體壓力：0.02Pa)。
‧電壓：700V。
‧成膜速度：0.077nm/sec。
‧膜厚：4.5nm。
其次，在反射層12上，使用離子束濺鍍法形成當作保護層13之第1層13a用的Ru層。
第1層13a的形成條件係如下。
‧靶材：Ru靶材。
‧濺鍍氣體：Ar氣體(氣體壓力：0.02Pa)。
‧電壓：700V。
‧成膜速度：0.052nm/sec。
‧膜厚：1.25nm。
其次，使用離子束濺鍍法形成當作保護層13的第2層13b用之Mo層。
第2層13b的形成條件係如下。
‧靶材：Mo靶材。
‧濺鍍氣體：Ar氣體(氣體壓力：0.02Pa)。
‧電壓：700V。
‧成膜速度：0.064nm/sec。
‧膜厚：0.5nm。
其次，使用離子束濺鍍法形成當作保護層13的第3層13c用之Ru層。
第3層13c的形成條件係如下。
‧靶材：Ru靶材。
‧濺鍍氣體：Ar氣體(氣體壓力：0.02Pa)。
‧電壓：700V。
‧成膜速度：0.052nm/sec。
‧膜厚：1.25nm。
針對依上述順序所獲得的EUV反射鏡實施下述評估。
(1)膜組成
藉由使用X射線光電子光譜分析裝置(X-ray Photoelectron Spectrometer)(ULVAC-PHI公司製：Quantera SXM)，測定從保護層13的表面直到反射層(Mo/Si多層反射膜)12的深度方向組成，確認到該保護層13係屬於下述3層構造。
‧第1層13a：Ru層。
‧第2層13b：Mo層。
‧第3層13c：Ru層。
再者，從利用X射線光電子光譜分析裝置施行的測定結果，確認到相對於保護層13的總組成，Mo組成為20%。此結果顯示，在保護層13中含有Mo，其組成量對上述成膜條件下保護層13之合計膜厚(1.25+0.5+1.25=3nm)、與第2層13b的膜厚(0.5nm)之關係沒有矛盾。
(2)表面粗度
保護層13的表面粗度係依照JIS-B0601(1994年)，使用原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope)(精工儀器公司製：編號SPI3800)進行確認。保護層13的表面粗度rms係0.15nm。
(3)加熱處理耐性
將EUV反射鏡在210℃下施行10分鐘的加熱處理(大氣中)。在此項處理的前後，對保護層13表面照射EUV光(波長13.5nm)，並使用EUV反射率計(AIXUV公司製MBR(製品名))測定EUV反射率。此項處理前後的EUV反射率降低係5.4%。
產業上之可利用性
本發明的附反射層基板、及使用該附反射層基板的EUV光罩基底與EUV反射鏡，係經抑制因Ru保護層遭氧化而造成EUV光線反射率降低。且，藉由抑制EUV曝光時的EUV光線反射率經時性進行，而減少在途中變更曝光條件的必要性，俾可達EUV光罩與EUV反射鏡的壽命長期化。
再者，使用本發明EUV光罩基底製成的EUV光罩，係屬於EUV曝光時，EUV光線反射率的經時變化較小，可靠度較高的EUV光罩，可有效使用於由細微圖案所構成積體電路的製造。
另外，2009年12月9日所提出申請的日本專利申請案2009-279401號之說明書、申請專利範圍、圖式及摘要等全部內容，均爰引於本案中，並融入為本發明說明書的揭示。
1,1'‧‧‧EUV光罩基底
2‧‧‧EUV反射鏡
11‧‧‧基板
12‧‧‧反射層
13‧‧‧保護層
13a‧‧‧第1層
13b‧‧‧第2層
13c‧‧‧第3層
14‧‧‧吸收體層
15‧‧‧低反射層
第1圖係本發明EUV光罩基底的實施形態概略剖視圖。
第2圖係在第1圖的EUV光罩基底之吸收體層上，形成低反射層的實施形態概略剖視圖。
第3圖係對第2圖的EUV光罩基底1'之吸收體層14及低反射層15，施行圖案形成的狀態概略剖視圖。
第4圖係本發明EUV反射鏡的實施形態之概略剖視圖。
1‧‧‧EUV光罩基底
11‧‧‧基板
12‧‧‧反射層
13‧‧‧保護層
13a‧‧‧第1層
13b‧‧‧第2層
13c‧‧‧第3層
14‧‧‧吸收體層

Claims (13)

  1. 一種EUV微影術用附反射層基板，係在基板上依序形成有反射EUV光的反射層及保護該反射層的保護層者，其特徵在於：前述反射層係Mo/Si多層反射膜；前述保護層係從前述反射層之側依序積層有3層構造：由Ru層或Ru化合物層構成的第1層、由Mo層構成的第2層、以及由Ru層或Ru化合物層構成的第3層。
  2. 如申請專利範圍第1項之EUV微影術用附反射層基板，其中前述由Mo/Si多層反射膜所構成的反射層之最上層係Si膜；前述保護層係鄰接於該Si膜面而形成者。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之EUV微影術用附反射層基板，其中前述第2層的膜厚度係0.2nm以上，且滿足在2nm以下和前述保護層合計膜厚度之1/2以下這兩者中之較小者。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之EUV微影術用附反射層基板，其中前述保護層的合計膜厚度係1~10nm。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之EUV微影術用附反射層基板，其中前述保護層表面的表面粗糙度rms係0.5nm以下。
  6. 一種EUV微影術用反射型光罩基底(MASK BLANK)，其係在如申請專利範圍第1至5項中任一項之附反射層基板之保護層上，形成吸收體層而成。
  7. 如申請專利範圍第6項之EUV微影術用反射型光罩基 底，其中前述吸收體層係使用以鉭(Ta)為主成分的材料形成。
  8. 如申請專利範圍第6或7項之EUV微影術用反射型光罩基底，其中使用氯系氣體作為蝕刻氣體而實施乾式蝕刻時，前述保護層對前述吸收體層的蝕刻選擇比係10以上。
  9. 如申請專利範圍第6或7項之EUV微影術用反射型光罩基底，其中在前述吸收體層上設置有低反射層，該低反射層係使用以鉭(Ta)為主成分的材料所形成，且對於在光罩圖案檢查所使用的檢查光為低反射。
  10. 如申請專利範圍第9項之EUV微影術用反射型光罩基底，其中相對於用於檢查形成在吸收體層上之圖案的光波長，前述保護層表面的反射光與前述低反射層表面的反射光之對比係30%以上。
  11. 一種EUV微影術用反射型光罩，其係將如申請專利範圍第6至10項中任一項之EUV光罩基底圖案化。
  12. 一種半導體積體電路之製造方法，其特徵在於：使用如申請專利範圍第11項之EUV微影術用反射型光罩，對被曝光體施行曝光以製造半導體積體電路。
  13. 一種EUV微影用反射型反射鏡，係使用如申請專利範圍第1至5項中任一項之EUV微影術用附反射層基板。
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