TWI451939B - 研磨墊 - Google Patents

Description

研磨墊

本發明主張在日本於2009年10月14日所申請的特願2009-237120之優先權，藉由參照其全體而引用作為形成本申請案的一部分者。

本發明關於研磨墊，其特徵為研磨被研磨物的面係由高強力有機纖維所成的織物，及關於特別適合於半導體材料或金屬的研光(lap)及研磨之研磨墊。

作為半導體基材，單晶矽晶圓係為主流而使用，但在作為LED相關或高效率的功率裝置等之下一世代半導體基材矽晶圓方面，則是無法對應。特別地，要求高耐壓化(可靠性提高)、低通態(on)電阻化(低損失化)，使用以SiC為首的各種化合物半導體、藍寶石或陶瓷系基板之半導體裝置的開發、量產化係正在進行。特別地，與Si比較下，SiC及GaN係寬帶間隙廣，不僅可高溫動作(Si為175℃，但SiC為200～300℃)，絕緣擊穿電解強度為Si的10倍以上高，而適合於低電阻化，故在不久的將來，可期待代替矽而成為主流。

而且，於單晶及多晶系材料(SiC、藍寶石等)等的高硬度晶圓基材中，要求高度平坦化及高表面品質。於如此的加工中，一般經由數次的研光步驟及研磨步驟(例如：研光、粗研磨、中間研磨、精整研磨等)來精加工。

目前，於研光平台，主要使用錫、銅、鐵等的金屬。又，於研磨墊，使用胺甲酸酯系、不織布系、仿麂皮系等，而且於研磨磨粒，使用微細鑽石磨粒、膠態矽石磨粒、硫化鈰磨粒及氧化鋁系磨粒等的游離磨粒。

然而，使用高硬度的晶圓材料時，以往的研磨墊在研光步驟及研磨步驟中，使如此的材料成為高平坦化及高品位表面係非常困難。再者，已知由於晶圓材料硬，而在研光步驟、研磨步驟中所花費的加工時間亦變長。一般地，若製程中的研磨加工時間變長，則高平坦化及高表面晶質的確保變困難，故良率變差。即，由於以往的研磨墊無法提高研磨速率而生產性差，故要求可提高研磨速率的研光及研磨系統。又，於研光中，由於在金屬平台的平坦性管理上費功夫，故要求可將管理省力化的研光及研磨系統。

例如，專利文獻1(特開平9-117855號公報)中揭示，於具有為了保持用於研磨被研磨物的研磨劑用的複數孔之研磨墊中，特徵為前述研磨墊係在研磨前述被研磨物的面上具有溝。於此文獻中，作為研磨墊的硬質層，記載使用發泡聚胺甲酸酯。

於前述研磨墊中，藉由具有如此的溝，在半導體晶圓的研磨結束後，變成容易由研磨墊拆除半導體晶圓，同時可調整研磨劑的保持能力。

先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1：特開平9-117855

然而，專利文獻1所記載的研磨墊，於研光的正當中，胺甲酸酯層本身係被鑽石等的游離磨粒所劣化。又，為了使高硬度晶圓基材成為高平坦及高品位表面，研磨加工係非常複雜，各研磨步驟的加工時間亦長。為了縮短此加工時間、提高生產性，有進行各種嘗試，惟特別在高硬度晶圓基材時，由於研磨困難，而無法提高研磨速率，生產性低。

本發明之目的為提供可有效率地研磨高硬度的晶圓或金屬等的被研磨物，可提高生產性之耐切傷性、耐磨耗性及與游離磨粒的適度親和性優異之研磨墊。

本發明者們為了達成上述目的，進行專心致力的檢討，結果發現(1)若對於由具有特定強度的高強力纖維所成，以具有特定的覆蓋係數之織物當作研磨面之研磨墊，採用游離磨粒，則可極力抑制此等磨粒對研磨墊的劣化，(2)即使於研磨高硬度的被研磨物時，若組合使用具備如此的織物之研磨墊與游離磨粒，則可提高研磨速率，同時可確保高平坦及高表面品質，再者(3)以如此的研磨墊，可縮短以往之研光研磨所必要的調校時間，而完成本發明。

即，本發明係與游離磨粒組合而進行研磨用的研磨墊，前述研磨墊係在研磨被研磨物的面上具備由拉伸良強度15cN/dtex以上的高強力有機纖維所成的織物，前述織 物之以下述式1所表示的覆蓋係數K係700~4000的範圍。

此處，N1：經紗的密度(條/吋)

N2：緯紗的密度(條/吋)

T1：經紗的總纖度(dtex)

T2：緯紗的總纖度(dtex)。

前述高強力有機纖維例如彈性模數可為300cN/dtex以上。又，前述高強力有機纖維之單纖維纖度可為0.3~15dtex左右，總纖度可為3~3,000dtex左右。作為如此的高強力有機纖維，較宜使用全芳香族聚酯纖維。

前述研磨墊係在廣泛的研磨方式中可使用，例如可以研磨墊、研光方式、MCP方式或CMP方式使用。

再者，本發明包含具備前述研磨墊的研磨裝置，前述研磨裝置具備：研磨墊，載件，其用於保持研磨對象物，使研磨對象物與研磨墊接觸，及游離磨粒，其供給至研磨墊與研磨對象物之間的研磨面，前述研磨墊係上述的研磨墊，研磨墊與研磨對象物係隔著游離磨粒而相對移動。

又，本發明亦包含將研磨對象物研磨的研磨墊之使用方法，前述使用方法具備：使研磨墊接觸研磨對象物的步驟，及將游離磨粒供給至研磨墊與研磨對象物之間的步驟，前述研磨墊係上述的研磨墊，研磨墊與研磨對象物係隔著游離磨粒而相對移動。

藉由使用本發明的研磨墊，於高硬度的半導體材料及精密金屬加工中，可使研磨速率升高，同時可使被研磨面成為高平坦且高表面品質。

又，以本發明的研磨墊，由於研磨效率高，而對於廣泛的研磨步驟可使用，可減低研磨步驟的步驟次數。

另外，以本發明的研磨墊，不僅可提高研磨墊本身的耐久性，而且可達成研光中的調校時間之縮短。

再者，藉由使用本發明的研磨墊，即使不高度地管理研磨裝置中的平台之平坦性，也可進行良好的研磨。

由參照附圖的以下適宜實施例之說明，可清晰地理解本發明。然而，實施例及圖面係為了圖示及說明者，不應利用於限定本發明的範圍。本發明的範圍係由所附的申請專利範圍來決定。

實施發明的形態 (研磨墊)

本發明的研磨墊係與游離磨粒一起使用而進行被研磨面之研磨者，於研磨被研磨物的面中，具備由高強力有機纖維所成的織物。從抑制來自游離磨粒所發生的劣化之觀點來看，高強力有機纖維的拉伸強度必須為15cN/dtex以上，較佳為18cN/dtex以上，更佳為20cN/dtex以上。又，其上限係沒有特別的限定，但多為100cN/dtex以下。再者，使用強度低於15cN/dtex的有機纖維所得之研磨墊，係在研磨步驟的使用中纖維會被磨斷，而變成無法研磨。

又，從抑制游離磨粒的凝聚之觀點來看，前述高強力有機纖維的彈性模數例如可為300cN/dtex以上(例如350～2000cN/dtex左右)，較佳可為400cN/dtex以上(例如450～1800cN/dtex左右)。

藉由利用以如此高強力有機纖維所形成的織物當作研磨墊，則(1)不僅可使研磨對象材料的研磨面成為高平坦化，而且(2)對於各種研磨對象材料，藉由變更研磨磨粒，可作出高研磨速率或高品位表面。

作為本發明中的高強力有機纖維，只要拉伸強度在本發明所規定的範圍內，則沒有特別的限定，例如可舉出全芳香族聚醯胺系纖維、全芳香族聚酯系纖維、超高分子量聚乙烯系纖維、聚乙烯醇系纖維及雜環芳香族纖維等。此等纖維可為單獨纖維，也可為2成分以上的複合纖維。又，亦可在織物階段使用由各個纖維所形成的絲條而使用。

更具體地，作為上述全芳香族聚醯胺系纖維，例如可舉出對位(para)系聚醯胺纖維(商品名：Kevlar、Twaron、Technora)；作為全芳香族聚酯系纖維，可舉出聚芳酯纖維(商品名：Vectran、Vecry)；作為超高分子量聚乙烯纖維，例如商品名可舉出Dyneema、Spectra：作為聚乙烯醇系纖維，例如商品名可舉出Vinylon、Kuraron；作為雜環芳香族纖維，可舉出聚對伸苯基苯并雙唑纖維(商品名：Zylon)等。

於此等之中，較佳為全芳香族聚酯系纖維、超高聚合度聚乙烯系纖維，特別地，全芳香族聚酯系纖維(尤其聚芳酯纖維)係耐切傷性、耐磨耗性、耐熱性及耐藥品性優異，而且於研磨中幾乎沒有物理性的降低而較宜。

本發明中的高強力有機纖維之單纖維纖度，例如可為0.3～15dtex左右，更佳為1～10dtex左右，特佳為3～8dtex左右。單纖維纖度若過小，則即使是高強力纖維，在研磨中纖維也會被磨粒所磨斷。又，單纖維纖度若過大，則成為研磨布時，織物的凹凸變過大，不僅游離磨粒無法有效率地接觸被研磨物而研磨，而且加工屑亦無法有效率地排出，研磨效率會降低。

本發明中的高強力有機纖維之總纖度，例如可為3～3,000dtex左右，較佳為5～1,500dtex左右，特佳為25～1,000dtex左右。總纖度若過小，則製造研磨布之際的製織性變困難，不僅成本變非常高，而且會得不到品位佳的研磨布。又，由於織物的品位大幅影響研磨性，製織時的渣滓或絨毛等的混入係成為缺點，故無法使用。另一方面，總纖度若過大，則在成為研磨布時，織物的凹凸同樣地變過大，由於凹凸的各自範圍變過大，故不僅游離磨粒無法有效率地接觸被研磨物進行研磨，而且亦無法有效率地排出加工屑，研磨效率會降低。

本發明的研磨墊為了提高研磨效率，多以高壓使用。因此，編織物或不織布在研磨時會變形或剝離而無法使用。又，本發明的研磨墊係即使不對纖維本身進行微細加工(例如保持磨粒用的孔之形成等)，也可良好地研磨。

本發明中所使用的織物之織組織係沒有特別的限定。可使用平織、緞紋織、綾織或雙層織等各種織物。又，亦可為如2色織之組合有數種類的不同纖維之織物。

又，本發明所用的織物係以式1所表示的覆蓋係數K為700~4000的範圍之織物。組織為平織時，覆蓋係數K較佳為800~3000，更佳為1000~2500。又，組織為緞紋織時，覆蓋係數K較佳為2500至4000，更佳為3000~3800。

此處，N1：經紗的密度(條/吋)

N2：緯紗的密度(條/吋)

T1：經紗的總纖度(dtex)

T2：緯紗的總纖度(dtex)。

覆蓋係數K若低於700，織物會滑動或在研磨時磨粒會進入織物的纖維束之內側，而無法有效地研磨。又，覆蓋係數K若超過4000，則變過高密度而難以織造，由於變過硬，織物研磨布的特徵之緩衝性降低，而會無法得到高平坦且高品質面。

平織係經紗與緯紗幾乎各半地出現在研磨面，而成為稍硬的研磨墊。因此，游離磨粒的分布係容易變均勻，可提高研磨速率，因此適合於中間研磨。緞紋織係由於經紗覆蓋表面，而可增大縫線覆蓋係數。因此，成為緻密且有彈力性的研磨墊，適合於精整研磨。

再者，本發明的研磨布所使用的織物亦可在織造後進行精煉處理。又，為了提高與磨粒漿體的親和性，可進行親水化，也可給予柔軟整理劑。再者，對織物進行壓縮加工(例如軋光處理)係有效於使研磨面平滑、提高研磨效果。

又，本研磨墊係在其非研磨面上亦可具備各種的層(支持層等)。例如，亦可具備固定於平台用的雙面膠帶樣式之薄片、提高操縱性用的由PET薄片或發泡薄片所成的緩衝層等。還有，也可具備固定各種層用的黏著用樹脂等。

進行研磨的方式只要與游離磨粒組合而進行研磨，則沒有限制，例如可在研光方式或MCP(Mechano-Chemical Polishing)方式的單面研磨或兩面研磨、CMP方式(Chemical Mechanical Polishing)等中使用。

游離磨粒係可使用微細鑽石磨粒、膠態矽石磨粒、氧化鈰磨粒及氧化鋁系磨粒等的粒子。特別地，多結晶鑽石磨粒係在研磨中結晶崩潰，而成為微細的磨粒，適合於精密研磨。又，磨粒的粒徑係可按照目的，由平均粒徑1nm～100μm左右的廣範圍中選擇，較佳可為5nm～80μm，更佳可為10nm～50μm。

又，於研光步驟中或研光步驟後使用本發明的墊時，考慮將磨粒保持在織物的纖維間，選擇適當的磨粒，同時以高研磨速率進行研磨，而可作出符合目的之研磨表面品質。

再者，藉由使用本發明的墊，可縮短以下的管理及墊調試作業。即，(i)與以往的研光平台比較下，以本發明的研磨墊係不需要研光平台的平坦性管理。(ii)與以往的研磨墊(不織布系、胺甲酸酯系、仿麂皮系等)比較下，若使用本發明的織物墊，則可在短時間內完成墊的初期調試作業(以下稱為調校)時間。

與習用的研磨墊比較下，如此短的調校時間係非常有利，而與作業的高效率化有關聯。

(研磨裝置及研磨墊的使用方法)

本發明亦包含併入有上述研磨墊的研磨裝置。再者，於本發明中，所謂的研磨裝置，就是意味對於研光方式或MCP(Mechano-Chemical Polishing)方式的單面研磨或兩面研磨、CMP(Chemical Mechanical Polishing)方式等可適用的裝置全體。

例如，以表示本發明的研磨裝置之一實施態樣的圖1為基礎來說明，於圖1中，研磨裝置10具備：平台12，在此平台12上所配設的研磨墊14，保持研磨用的研磨對象物16同時使研磨對象物16的被研磨面17對此研磨墊14的研磨面15接觸而相對移動用的載件18，驅動此載件18用的心軸20，及含游離磨粒的研磨劑之供給噴嘴24。在研磨墊14的研磨面15上配設有織物。

更詳細地，研磨裝置10係至少略平坦地加工表面，圓盤狀的旋轉平台12係以圓盤的中心當作旋轉軸，配設成自由轉動，於此平台12上配設研磨墊14。然後，於研磨墊14的上方，保持用於研磨的研磨對象物16，同時使研磨對象物16的被研磨面17以指定的壓力對此研磨墊14的研磨面15接觸(或以指定的壓力對研磨墊推撞)而轉動用的載件18，及配設用於驅動此載件的心軸20。又，於此研磨裝置中，在研磨對象物16與研磨墊之間設置用於供給液狀的研磨劑22之供給噴嘴24，此研磨劑22含有游離磨粒。又，供給用噴嘴24係連接於儲存研磨劑22的桶槽(未圖示)。

作為研磨墊的使用方法之一實施形態，例如使用方法包含對研磨墊14供應游離磨粒22之步驟，及以指定的壓力使研磨對象物16對研磨墊14邊推撞邊轉動之步驟，在研磨墊14的研磨面15上配設有織物。

更詳細地，於研磨之際，可由供給噴嘴24對研磨墊供應含游離磨粒的研磨劑22，以指定的壓力(例如0.05～0.5kgf/cm² )使研磨對象物16對研磨墊14邊推撞邊轉動，而將研磨對象物16研磨。

藉由使用本發明的研磨墊(及研磨裝置)進行研光或研磨，可實現高硬度的半導體材料及金屬材料的高平坦、高表面品質、高精度端面。例如，作為研磨對象物，可舉出(1)SiC、藍寶石、各種化合物半導體等的單晶及多晶材料、(2)石英或各種陶瓷等的材料、(3)Cu、SUS、Ti等的金屬材料等之各種材料，對於此等研磨對象物，可於需要高平坦或高品位表面、高精度端面的全部之精密研磨及研光步驟中使用，同時可提高其研磨效率。

實施例

以下藉由實施例來更詳細說明本發明，惟本發明完全不受本實施例所限定。

[強度及彈性模數]

依照JIS L 1013，在25℃環境下，於試驗長度20cm、初荷重0.1g/d、拉伸速度10cm/min的條件下，求得斷裂強伸度及彈性模數(初期抗拉伸度)，採用5點以上的平均值。

(實施例1．比較例1)

使用全芳香族聚酯纖維((股)KURARAY製「Vectran HT」：單纖維纖度5.5dtex、總纖度560dtex、強度25cN/dtex、彈性模數510cN/dtex)，製作經紗密度45條/吋、緯紗密度45條/吋的平織組織之織物。此織物的覆蓋係數K為2,130。

然後，於此織物的一面上，用丙烯酸系黏結劑貼上PET薄膜(東麗(股)製，「Lumirror」，厚度50μm)，以湯姆生刀具將此沖切成圓形，而成為研磨墊(A)。

於研磨GaN晶圓的基板之藍寶石基板時，使用習用的錫平台與鑽石漿體(數種類粒徑1μm左右)進行研光研磨，接著使用絲織物與膠態矽石進行最終研磨，結果最終研磨步驟需要30小時(比較例1)。

另一方面，於同樣地研磨藍寶石基板時，在研光研磨與最終研磨之間，導入使用前述研磨墊(A)與鑽石漿體的研磨步驟，最終研磨步驟所需要的時間僅花費20小時(實施例1)。

因此，藉由使用本發明的研磨墊(A)，可顯著提高研磨速率(3μm/hr)，而且最終研磨步驟所需要的時間係可由以往的30小時大幅縮短至20小時。

又，於此研磨墊中，由於磨粒容易穿刺纖維與纖維之間，故調校時間可由以往的3小時縮短至2.5小時。

(實施例2)

使用實施例1所得之研磨墊與鑽石漿體(粒徑15μm)，研磨具備有導電層(Au、Cu)、焊料層、絕緣層(SiO₂ )及樹脂層的SiC基板之截面。

研磨條件

旋轉數：150rpm

研磨荷重：2.5kg/個

使用時間：4小時

此研磨墊由於研磨效率高，故可將使用以往的各種研磨墊進行研磨的9個步驟之研磨步驟減少至4個步驟。又，若以光學顯微鏡觀察所得之SiC基板的截面，可確認為在研磨面中沒有塌角而為非常銳利之研磨面，同時可明確地觀察SiC基板、SiO₂ 絕緣層、Au電極等，裝置的截面觀察係可能。

(實施例3)

使用芳香族聚酯纖維((股)KURARAY製「Vectran HT」：單纖維纖度5.5dtex、總纖度220dtex、強度26cN/dtex、彈性模數520cN/dtex)，製作經紗密度55條/吋、緯紗密度55條/吋的平織組織之織物。此織物的覆蓋係數K為1,632。藉由與實施例1同樣的方法，由此織物來製作研磨墊。

又，除了使用粒徑9μm的鑽石漿體以外，與實施例1 同樣地用研磨墊來研磨SiC底座。

結果由於所使用的纖維之總纖度小、織物的密度高，可以粒徑小的9μm之鑽石漿體來高效率地研磨，SiC基板截面亦可與實施例2同等以上清晰地觀察。

(實施例4)

使用實施例1所得之織物，對於SUS、銅、Ti的金屬材料，各自使用研光裝置進行研磨。首先，由研光裝置中拆卸現行利用的研光裝置之研光平台，接著於研光平台附著的位置，以雙面膠帶固定實施例1所得之研磨墊，使研光裝置運轉而進行研磨。再者，漿體係使用粒徑3μm的鑽石漿體。

結果，對於SUS材及銅材使用上述研磨墊時，與用研光平台所進行的現行之研光平台加工比較下，係可在更短時間內精加工同等的研磨面。

又，於同樣的條件下用本發明的研磨墊將Ti金屬研磨加工，結果損傷係少於以現行的研光平台加工所得之研磨面，可製作高平坦度的研磨面。再者，藉由使用本發明的研磨墊，將現行的加工時間縮短至一半左右。

本發明的研磨墊由於可簡單地安裝於現行的研光裝置，故即使不進行特別的裝置改造，也可利用本發明之墊。

(實施例5~9及比較例2、3)

使用總纖度各自為110dtex、220dtex、560dlex不同的全芳香族聚酯纖維(「Vectran HT」、單纖維纖度皆5.5dtex)，如表1中所示地，製作覆蓋係數K不同的平織物，藉由與實施例1同樣的方法製作研磨墊(再者，實施例5係供應實施例1所作成的研磨墊A，而且實施例7係供應實施例3所作成的研磨墊)。

使用此等研磨墊，於下述條件下進行SiC研磨試驗而評價。表1中顯示結果。

[研磨試驗條件]

被研磨材：2吋SiC晶圓，Tannke Blue公司製，Lap精整品，微管50個/cm² 以下，厚度400μm

研磨裝置：MAT公司製BC-15(桌上小型研磨試驗裝置)

磨粒：

鑽石漿體，單晶0.1μmΦ，KOMET公司製　1/10-W2-MA-STD

‧鑽石漿體，多晶1μmΦ，KOMET公司製　1-W2-PC-STD

漿體供給流量：1cc/分鐘

頭荷重：0.15kg/cm²

平台旋轉數：40rpm

研磨頭旋轉數：39rpm

研磨時間：15分鐘

[評價方法]

研磨速度：以測微計來測定基板的厚度(μm/15分鐘)

研磨損傷(刮痕)：藉由數位顯微鏡的目視判定

如表1中所示，實施例5至9的研磨墊皆可以良好或實質上沒有問題的程度來研磨晶圓。於此等之中，實施例7及8係良好的表面狀態，實施例7係特別良好。再者，於實施例9中，即使磨粒的粒徑小，也可達成高的研磨速率，但看到若干研磨損傷的發生。

於此等研磨墊中，覆蓋係數K愈大，則研磨速度有愈高的傾向。

比較例2中，在研磨後的織物中看到織眼的滑動，而且由於在織眼的空隙部有磨粒聚集的部分，茲認為此等係研磨損傷的原因。又，比較例3係覆蓋係數過大而無法製作平織物。

(實施例10)

使用經紗為單纖維纖度5.5dtex、總纖度220dtex、緯紗為單纖維纖度5.5dtex、總纖度440dtex的全芳香族聚酯纖維(「Vectran HT」)，製作縱密度(N1)150條/吋、橫密度 50條/吋的5張緞紋織物。此織物的覆蓋係數K為3274。使此織物的經紗覆蓋面成為研磨面，藉由與實施例1同樣的方法來作成研磨墊。

使用此研磨墊代替由比較例1所用的絲織物所成的墊，與膠態矽石進行最終研磨。與由絲織物所成的墊相比，確認研磨時間係縮短3成且為良好的表面狀態。

產業上的利用可能性

本發明的研磨墊係可使用於(1)半導體元件領域(矽二極體、整流元件、電晶體、閘流體、熱阻體、變阻體、光電轉換元件等)、(2)積體電路領域(半導體積體電路(線形電路、計算電路等)、混合積體電路(SiP、CoC等)、(3)需要高平坦及高品位表面的金屬加工產業領域，可提高研磨效率。

如以上，說明本發明的適宜實施形態，惟在不脫離本發明的宗旨之範圍內，各種的追加、變更或刪除係可能，如此者亦包含於本發明的範圍內。

10‧‧‧研磨裝置

12‧‧‧平台

14‧‧‧研磨墊

15‧‧‧研磨面

16．．．研磨對象物

17．．．被研磨面

18．．．載件

20．．．心軸

22．．．研磨劑

24．．．供給噴嘴

圖1係用於說明本發明的研磨裝置之一實施態樣的概略剖面圖。

10．．．研磨裝置

12．．．平台

14．．．研磨墊

15．．．研磨面

16．．．研磨對象物

17．．．被研磨面

18．．．載件

20．．．心軸

22．．．研磨劑

24．．．供給噴嘴

Claims (8)

1. 一種研磨墊，其係與游離磨粒組合而用於進行研磨之研磨墊，該研磨墊係在將研磨對象物研磨的面上具備由拉伸強度15cN/dtex以上的高強力有機纖維所成的織物，該織物之以下述式1所表示的覆蓋係數K係700~4000的範圍， 此處，N1：經紗的密度(條/吋)N2：緯紗的密度(條/吋)T1：經紗的總纖度(dtex)T2：緯紗的總纖度(dtex)。
2. 如申請專利範圍第1項之研磨墊，其係由單纖維纖度為0.3~15dtex的高強力有機纖維所成的織物。
3. 如申請專利範圍第1項之研磨墊，其係由總纖度為3~3,000dtex的高強力有機纖維所成的織物。
4. 如申請專利範圍第1項之研磨墊，其中高強力有機纖維的彈性模數為300cN/dtex以上。
5. 如申請專利範圍第1項之研磨墊，其中高強力有機纖維係全芳香族聚酯纖維。
6. 如申請專利範圍第1項之研磨墊，其係以研光方式、MCP方式或CMP方式使用。
7. 一種研磨裝置，其具備：研磨墊，載件，其用於保持研磨對象物，使研磨對象物與研磨 墊接觸，及游離磨粒，其供給至研磨墊與研磨對象物之間的研磨面，該研磨墊係如申請專利範圍第1項之研磨墊，研磨墊與研磨對象物係隔著游離磨粒而相對移動。
8. 一種研磨墊之使用方法，其係將研磨對象物研磨的研磨墊之使用方法，其具備：使研磨墊接觸研磨對象物的步驟，及將游離磨粒供給至研磨墊與研磨對象物之間的步驟，該研磨墊係如申請專利範圍第1項之研磨墊，研磨墊與研磨對象物係隔著游離磨粒而相對移動。