JP2000288887A - エッジ面取り部のポリッシング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】酸化膜付シリコンウェーハあるいは窒化膜付化
合物半導体ウェーハ、ガラスディスク基板、あるいはニ
ッケル燐無電解メッキ層を施与したアルミディスクまた
はガラスディスク基板等よりなる硬度の高い工作物のエ
ッジ部のポリッシング加工を行なうための方法を提供す
る。 【構成】回転可能なドラムに、ポリッシングパッドを貼
付し、該ポリッシングパッドの表面にチャックテーブル
に把持された円板状の工作物を当接させ、前記ドラムお
よび前記チャックテーブルの少なくとも一方を回転さ
せ、研磨用組成物の液を滴下しながら円板状の工作物の
エッジ面取り部のポリッシングを行なう方法において、
ポリッシングパッドが、アラミド繊維および／またはポ
リパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維を基材の
一つとして含有する布帛類と樹脂との複合品であり、か
つ研磨用組成物が、酸化珪素及び／または酸化珪素以外
の砥粒微粒子を含んだ微粉末スラリーよりなるものであ
ることを特徴とする円板状の工作物のエッジ面取り部の
ポリッシング方法である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、酸化膜付シリコン
ウェーハ、ガラスディスク基板、あるいはニッケル燐無
電解メッキ層を施与したアルミディスク基板等よりなる
硬度の高い工作物のエッジ部の研磨加工を行なうための
方法に関する。更に詳しくは、アラミド系繊維あるいは
ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール系繊維の布
帛を主たる基材として用いたポリッシングパッドを貼付
した回転ドラム式のウェーハエッジ研磨装置と、特定の
研磨用組成物を用いて用いて上述の工作物のエッジ面取
り部の研磨を行なう方法に係わる。

【０００２】

【従来の技術】従来、シリコンウェーハあるいは化合物
半導体のウェーハ等よりなる半導体基板、あるいはガラ
ス、アルミ等よりなる円盤状の工作物（以下ウェーハ等
と略記する）のエッジ部分の研磨加工を行なう研磨用組
成物としては酸化珪素またはその水和物をコロイド状に
分散した懸濁液、所謂コロイダルシリカが使用され、加
工に際しては合成樹脂発泡体、布帛およびその樹脂との
複合品あるいはスウェード調合成皮革等よりなるポリッ
シングパッドを貼付した回転加工なドラムに工作物のエ
ッジ部分を押しあて、双方を回転しつつ前記研磨剤溶液
を定量的に供給しながら加工を行なう方法が一般的であ
る。ここで行なわれる加工とは、ベベリング、ラッピン
グ、エッチング等の前加工を行なったウェーハ等を、よ
り凹凸をなくした鏡面に近づけるために、そのエッジ部
をポリッシングする工程を指すものである。

【０００３】ここで用いられるポリッシングパッドと
は、ウェーハ等の表面のポリッシングに用いられるもの
であり、それがそのままエッジポリッシング用のパッド
として用いられる。性能上は研磨剤の保持に優れ、一定
の摩擦抵抗や適度な硬度を有することが必要であり、一
般的にはウレタンを基材としたものが多用されている。
具体的には硬質ウレタン発泡体をシート状にしたもの、
編織布あるいは不織布等の布帛類あるいは繊維積層体を
ウレタン樹脂等で加工したもの、スェード調の合成皮革
等を挙げることができる。また、布帛類の素材として
は、ポリエステル、ナイロン、ポリオレフィン、ビニロ
ン、炭素繊維あるいはガラス繊維等が使用される。

【０００４】研磨剤としては、例えば米国特許第３３２
８１４１号公報に示されているように、アルカリ成分を
含んだ溶液に微細なコロイド状酸化珪素粒子を分散した
溶液がシリコンウェーハのポリッシング用として一般的
に使用される。この加工は、一般的な機械的な加工とは
異なるものであって、その成分であるアルカリの化学的
作用と研磨剤粒子の機械的な作用との相乗作用により、
表面の加工が進むのである。

【０００５】また、エッジ部分の加工は、例えばダイヤ
モンド砥石等により周縁エッジ部の面取りを行なったウ
ェーハ等を、特開昭６４−７１６５６号公報や特公平７
−６１６０６号公報に示す如きエッジポリッシング装置
を用いてポリッシングを行なうのである。すなわち、ウ
ェーハ等を回転させながら、そのエッジ面取り部を回転
ドラムの表面に貼付された研磨パッドに押し当て、コロ
イダルシリカを含んだ研磨用組成物の液を供給しながら
ポリッシング加工を行なう。加工に際しては、ウェーハ
等を適宜傾斜させながら面取り部のポリッシングを行な
う。このエッジポリッシングに使用するポリッシングパ
ッドは、前述の通りウェーハ等の表面の通常の加工に使
用されるものをそのまま使用するのであるが、この場合
ウェーハエッジ部との接触は局部的なものになり、その
箇所にかかる荷重は通常の面加工の場合の５０倍程度と
なる。そのため、この種のエッジポリッシング装置の場
合は、ドラムをスライドして、ウェーハと研磨パッドの
接触箇所が一箇所に集中しないようにすることができる
構造となっている。

【０００６】近年、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等半導体集
積回路の集積度が上がりまた、生産のより効率化が進ん
で来るのに伴い、例えばシリコンウェーハの場合も表面
に何の処理も行なわれていないベアウェーハの他に酸化
珪素の薄膜で表面が被覆されたシリコンウェーハの用途
が多くなることと、ポリッシング加工自体の高速化の傾
向が特に顕著である。酸化膜付のシリコンウェーハの場
合はその膜の厚みは２０００〜３０００Å程度であり、
ベアウェーハに比較してその硬度がはるかに高く、従っ
てエッジポリッシングにおいてはその加工に要する時間
が長くなり効率が低下する。また、ポリッシングパッド
自体の損傷も激しく、そのライフが短くなる。その対策
として、ポリッシング条件、例えば接圧や回転数を上げ
たり、あるいは研磨剤の濃度を上げたりすると、ポリッ
シングに伴う傷の発生が多くなったりするのみでなくポ
リッシングパッドに対する負荷を高め、そのライフを更
に著しく低下させるという弊害があることが指摘されて
いた。

【０００７】また、従来はエッジ面取り部のポリッシン
グを行なう必要のほとんどなかったガラスディスク基
板、あるいはニッケル燐無電解メッキ層を施与したアル
ミディスク基板等についても、近年高精度化の傾向か
ら、そのエッジ面取り部のポリッシングが必要になって
来ている。これらの素材の表面は、酸化膜付きシリコン
ウェーハと同様にその表面硬度は高く、上述と同様の問
題点を擁している。

【０００８】かかる弊害を回避するためには、例えば、
これらの表面硬度の高いウェーハ等を、まずダイヤモン
ド微粒子を表面に把持した研磨用テープ等で予め粗仕上
げを施し、然る後上述の方法でポリッシングする方法が
行なわれているが、工程が一つ増えることとなり好まし
くない。更に、コロイダルシリカより研磨力に優れた研
磨剤を含んだ研磨用組成物を用いる方法も試みられてい
るが（例えば特願平１０−１２５０７１号公報）、ポリ
ッシングパッドのライフについては考慮されておらず、
その点については十分なものとは言い難い。また、全く
異なる方法としてプラズマエッチングによる手法がすで
に特願平１０−３６４１３８号において提案されている
が、これは従来保有している装置を応用するという観点
からは、不十分であり直ちに応用することはできない。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明者等は、上述の
表面硬度の高いウェーハ等の工作物のエッジポリッシン
グ加工の持つ問題点に鑑み鋭意研究を行なった結果、回
転ドラム式のウェーハエッジ研磨装置に、強靱で機械特
性に優れた素材を基材の一つとして含有するポリッシン
グパッドを貼付して用いることで、研磨力の高い研磨剤
を含んだ研磨用組成物の使用に耐え、表面硬度の高いウ
ェーハ等のエッジポリッシングに好ましい結果が得られ
ることを見出し本発明を完成するに至ったものである。
即ち、本発明の目的は表面硬度が高く凹凸の大きいウェ
ーハ等のエッジポリッシングを効率よく行なう方法を提
供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上述の目的は、回転可能
なドラムに、ポリッシングパッドを貼付し、該ポリッシ
ングパッドの表面にチャックテーブルに把持された円板
状の工作物を当接させ、前記ドラムおよび前記チャック
テーブルの少なくとも一方を回転させ、研磨用組成物の
液を滴下しながら円板状の工作物のエッジ面取り部のポ
リッシングを行なう方法において、ポリッシングパッド
が、アラミド繊維及び／またはポリパラフェニレンベン
ゾビスオキサゾール繊維を基材の一つとして含有する布
帛類と樹脂との複合品であり、かつ研磨用組成物が、酸
化珪素及び／または酸化珪素以外の砥粒微粒子を含んだ
コロイド状及び／または微粉末スラリーよりなるもので
あることを特徴とする円板状の工作物のエッジ面取り部
のポリッシング方法にて達成される。上述のポリッシン
グ方法により加工されるに適した円板状の工作物は、酸
化膜付シリコンウェーハ、窒化膜付化合物半導体ウェー
ハ、ガラスディスク基板、あるいはニッケル燐無電解メ
ッキ層を施与したアルミディスクまたはガラスディスク
基板等であり、通常のシリコンウェーハ（ベアウェー
ハ）や化合物半導体ウェーハ等よりもその表面硬度の高
いものである。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明方法の肝要は、通常よりも
遥かに高い表面硬度を有する工作物のエッジ面取り部の
ポリッシング加工を行なうにおいて、ある特定の素材を
主たる基材の一つとして使用したポリッシングパッド
と、特定の成分を含有する研磨用組成物を用いることの
みで、従来の回転ドラム式のウェーハエッジ研磨装置
を、従来のベアウェーハに対すると殆ど同じ条件を踏襲
して、従来全く不可能であった上述の工作物のエッジ面
取り部のポリッシング加工を可能ならしめた点にある。

【００１２】従来の回転ドラム式のウェーハエッジ研磨
装置に貼付されるポリッシングパッドは、前述の通り、
布帛類あるいは繊維積層体等を樹脂加工したものが用い
られるのであるが、ここでいう布帛類とは、短繊維ある
いは長繊維を糸状体としたものを織、編等の手段を用い
て布帛状としたもの、交絡等の手段を用いて不織布状と
したもの、パルプ状の積層体としたもの等を指すもので
あり、またこれらの複合体であってもよい。本発明方法
においては、上述の布帛類を構成する繊維として、アラ
ミド繊維あるいはポリパラフェニレンベンゾビスオキサ
ゾール繊維を主たる基材の一つとして使用する点にあ
る。これらの繊維素材は、単独あるいは他のポリエステ
ル繊維、ナイロン繊維、ポリオレフィン繊維、ビニロン
繊維、炭化珪素繊維、炭素繊維あるいはガラス繊維と複
合して用いてもよく、好ましくはその含有率は２０重量
％以上である。これ以下であるとその効果は十分でな
い。

【００１３】上述のアラミド繊維あるいはポリパラフェ
ニレンベンゾビスオキサゾール繊維と他のポリエステル
繊維、ナイロン繊維、ポリオレフィン繊維、ビニロン繊
維、炭化珪素繊維、炭素繊維あるいはガラス繊維との複
合手段については特に限定を行なうものではないが、例
えば混紡、交織、交編、混繊等の方法で行なってもよ
く、また各々単独で布帛状あるいは積層体としたものを
混合積層したものであってもよい。これらの製造過程に
おいて適度な空隙率を持つように調整することができ
る。

【００１４】本発明方法でいうアラミド繊維とは、芳香
族系のポリアミド繊維を指し、引っ張り強度、強靭性お
よび耐熱性において卓越した性能を示す合成繊維であ
る。具体的にはポリ-ｍ-フェニレンイソフタルアミド繊
維、ポリ-ｐ-フェニレンテレフタルアミド繊維等を挙げ
ることができる。また、ポリパラフェニレンベンゾビス
オキサゾール繊維とは、一般的にはＰＢＯ繊維と呼ばれ
るものであって、強度、弾性率、耐熱性において前述の
アラミド繊維よりも更に優れた性能を示す繊維である。

【００１５】本発明方法におけるポリッシングパッドは
上述の特徴を有する布帛類を樹脂と複合化したものであ
る。ここでいう樹脂との複合化とは、バルキー性の高い
繊維集合体を集束し一つのパッドとしてまとめるために
繊維集合体組織内に樹脂を含浸させ固定化することの他
に、例えば樹脂発泡層等を複合積層して設けた多層構造
のものとすることも含むものである。そしてその目的は
研磨用組成物中に含まれる研磨剤微粒子を好適に保持し
適度なクッション性を付与することにあるのであるか
ら、複合する樹脂としては、繊維に対する接着性に優
れ、かつ親水性に優れた多孔性のものであることが好ま
しい。具体的には、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、フェ
ノール樹脂、メラミン樹脂、ポリビニールアセタール樹
脂、尿素樹脂、ポリエステル樹脂あるいはポリアミド樹
脂等を挙げることができるが、特に好ましくはウレタン
樹脂を挙げることができる。

【００１６】本発明方法において使用する研磨用組成物
とは、通常のベアウェーハのポリッシングに使用される
５〜２００ｎｍ程度のサイズの酸化珪素微粒子のコロイ
ドを含んだ液に、酸化珪素以外の砥粒の微粒子で略々同
等サイズのもの、具体的にはダイヤモンド、炭化珪素、
酸化クロム、アルミナ、酸化セリウム、酸化ジルコニウ
ム、酸化マンガン、酸化チタン、窒化珪素、窒化ホウ
素、炭酸バリウムからなる群から選ばれた砥粒微粒子の
うち少なくとも一つを添加したものである。これらは単
独でも使用することが出来るが、酸化珪素微粒子のコロ
イドとの併用において好ましい結果を得ることができ
る。特にこれらの砥粒微粒子のうち、酸化珪素よりも硬
度の高いもの、具体的にはダイヤモンド、窒化珪素、炭
化珪素、アルミナ等を選定することが好ましく、また、
ガラスディスク基板をポリッシング対象とした場合は酸
化セリウムを選定することが好ましい。またこれらの砥
粒微粒子の好ましい含有量は、研磨用組成物中の固形分
として１．５〜５０重量％の範囲である。この範囲以下
であると効果が十分でなく、またこれ以上であるとポリ
ッシングパッドのライフにやや悪影響を与え好ましくな
い。これらは研磨用組成物中においてはコロイド状また
は微粒子状で存在するものである。

【００１７】

【実施例】次に実施例及び比較例をあげて本発明の研磨
用組成物、およびそれを用いた研磨加工方法を具体的に
説明するが、特にこれに限定されるものではない。以下
の実施例及び比較例において使用したエッジポリッシン
グ研磨装置およびその基本的ポリッシング加工条件は以
下の通りである。 研磨装置：回転ドラム式ウェーハエッジ研磨装置、ＥＰ
−２００−Ｖ型（スピードファム株式会社製） 工作物（ワーク）の自転速度：１ｍｉｎ／周（正転、逆
転行なう） ドラム回転数：１８００ＲＰＭ、 ドラム上下速度：１
ｍｍ／ｍｉｎ ドラム荷重：５００ｇ、 横荷重：１２００ｇ 研磨用組成物流量：１０〜８００ｍｌ／ｍｉｎ

【００１８】実施例１ ８インチサイズのシリコンウェーハで、エッジ部分の面
取りを６００番のダイヤモンド砥石で行なった後、８０
００Å厚の酸化膜を付けたものを工作物とし、そのエッ
ジ面取り部のポリッシング加工を上述のエッジポリッシ
ング研磨装置を用いて行なった。使用したポリッシング
パッドおよび研磨用組成物は以下の通りである。ポリッ
シングパッド：アラミド繊維６０％を通常のナイロン繊
維と混合し製造した不織布にウレタン樹脂を施与し複合
しポリッシングパッドとしたもの。研磨用組成物：酸化
セリウム(セリア)で平均粒径が２０００ｎｍのものを８
重量％を含む固形分濃度２２重量％の平均粒径７０ｎｍ
のコロイダルシリカスラリー。上述の研磨用組成物を６
００ｍｌ／ｍｉｎの流量で供給し、正転１４分、逆転１
４分合計２８分のポリッシング加工を行なった所エッジ
面取り部分の酸化膜は完全に除去され鏡面を得ることが
できた。このポリッシングを４０枚連続して行なった
が、同様な結果が安定して得られた。更にこのポリッシ
ング加工を５０枚、時間にして約１４００分行なった
後、ポリッシングパッドの外観をチェックしたが表面の
劣化や損傷は全く見られなかった。

【００１９】比較例１ ポリッシングパッドとして、ロデールニッタ社製ＳＵＢ
Ａ４００（ポリエステル不織布に発泡性ウレタン樹脂を
含浸せしめたもの）を用いた他は実施例１と同様にして
ポリッシングを行なった。２０枚のポリッシングを行な
った時点でポリッシングパッドの損耗と荒れが目立ち、
ポリッシング時に異常な振動が出るようになり、加工を
中止した。また、酸化膜もこの時点で十分に除去されて
いなかった。

【００２０】実施例２ ８インチサイズのシリコンウェーハで、８０００Å厚の
酸化膜を付けたものを工作物とし、そのエッジ面取り部
のポリッシング加工を上述のエッジポリッシング研磨装
置を用いて行なった。使用したポリッシングパッドおよ
び研磨用組成物は以下の通りである。 ポリッシングパッド：アラミド繊維７０％を炭素繊維と
混合して製造した不織布にポリエステル樹脂を施与し複
合しポリッシングパッドとしたもの。 研磨用組成物：酸化アルミニウム(アルミナ)で平均粒径
６００ｎｍのものを７重量％を含む固形分濃度１９重量
％の平均粒径１００ｎｍのコロイダルシリカスラリー。 上述の研磨用組成物を８００ｍｌ／ｍｉｎの流量で供給
し、正転１１分、逆転１１分合計２２分のポリッシング
加工を行なった所エッジ面取り部分の酸化膜は完全に除
去され鏡面を得ることができた。このポリッシングを６
０枚連続して行なったが、同様な結果が安定して得られ
た。さらにこのポリッシング加工を１００枚、時間にし
て約２０００分行なった後、ポリッシングパッドの外観
をチェックしたが表面の劣化や損傷は全く見られなかっ
た。

【００２１】比較例２ ポリッシングパッドとして、比較例１で用いたＳＵＢＡ
４００を用い、研磨用組成物として固形分濃度１９重量
％のコロイダルシリカスラリーを用いた他は実施例２と
同様にしてポリッシングを行なった。５枚のポリッシン
グを行なった時点で加工レートを測定した所、２００Å
／ｍｉｎであって実施例２のレートに比較して１／３以
下のレートであった。この時点で研磨用組成物を実施例
２で用いたアルミナ入りのものに切り替えてポリッシン
グを継続した所、１５枚目あたりよりポリッシングパッ
ドの荒れが目立ち始め、またポリッシング面の斑も顕著
となった。

【００２２】実施例３ ２．５インチサイズの青板ガラス製ディスクで６００番
ダイヤモンド砥石でエッジ部のチャンファー加工を行な
ったものを工作物とし、そのエッジ面取り部のポリッシ
ング加工を上述のエッジポリッシング研磨装置を用いて
行なった。使用したポリッシングパッドおよび研磨用組
成物は以下の通りである。 ポリッシングパッド：アラミド繊維１００％の不織布に
ウレタン樹脂を施与し複合しポリッシングパッドとした
もの。 研磨用組成物：酸化セリウム(セリア)で平均粒径３００
０ｎｍのものを７重量％含む固形分濃度１５重量％の平
均粒径５０ｎｍコロイダルシリカスラリー。 上述の研磨用組成物を４５０ｍｌ／ｍｉｎの流量で供給
し、正転１５分のポリッシング加工を行なった所エッジ
面取り部分の鏡面を得ることができた。このポリッシン
グを３０枚連続して行なったが、同様な結果が安定して
得られた。更にこのポリッシング加工を１００枚行なっ
た後、ポリッシングパッドの外観をチェックしたが表面
の劣化や損傷は全く見られなかった。

【００２３】比較例３ ポリッシングパッドとして、比較例１で用いたＳＵＢＡ
４００を用いた他は実施例３と同様にしてポリッシング
を行なった。５０枚のポリッシングを行なった時点でポ
リッシングパッドの損耗と荒れが目立ち、ポリッシング
時に異常な振動とバウンド現象が出るようになり、加工
を中止した。

【００２４】実施例４ ３．５インチサイズのアルミディスク基板でエッジ部分
の面取りを６００番のダイヤモンド砥石で行なった後、
ニッケル燐無電解メッキ層を施与したものを工作物と
し、そのエッジ面取り部のポリッシング加工を上述のエ
ッジポリッシング研磨装置を用いて行なった。使用した
ポリッシングパッドおよび研磨用組成物は以下の通りで
ある。 ポリッシングパッド：アラミド繊維６５％を炭化珪素繊
維とを混合して製造した不織布にウレタン樹脂を施与し
複合しポリッシングパッドとしたもの。 研磨用組成物：酸化アルミニウム(アルミナ)で平均粒径
８００ｎｍのものを７重量％を含む固形分濃度２３重量
％の平均粒径８０ｎｍのコロイダルジルコニァスラリ
ー。 上述の研磨用組成物を３００ｍｌ／ｍｉｎの流量で供給
し、正転８分のポリッシング加工を行なった所エッジ面
取り部分のニッケル燐無電解メッキ層は完全に除去され
鏡面を得ることができた。このポリッシングを１００枚
連続して行なったが、同様な結果が安定して得られた。
更にこのポリッシング加工を６０枚、時間にして約５０
０分行なった後、ポリッシングパッドの外観をチェック
したが表面の劣化や損傷は全く見られなかった。

【００２５】比較例４ ポリッシングパッドとして、比較例１で用いたＳＵＢＡ
４００を用いた他は実施例４と同様にしてポリッシング
を行なった。３５枚のポリッシングを行なった時点でポ
リッシングパッドの損耗と荒れが目立ち、加工を中止し
た。

【００２６】

【発明の効果】以上の説明で示される通り、本発明方法
になる組み合わせ、すなわち回転ドラム式ウェーハエッ
ジ研磨装置に、強靱で機械特性に優れた素材を基材の一
つとして含有するポリッシングパッドを貼付して用い、
研磨力の高い研磨剤を含んだ研磨用組成物を用いれば、
従来ポリッシングパッドの損傷が顕著でまた、加工速度
の遅い酸化膜を施与したシリコンウェーハ、ガラスディ
スクあるいはニッケル燐無電解メッキ層を施与したアル
ミディスク基板のエッジ面取り部のポリッシングがポリ
ッシング表面の品質を落とさず、安定にかつ高速行なう
ことが出来るようになった。また、ポリッシングパッド
の損傷が極めて少なくなったため、その交換頻度も少な
くなり、生産性のみならず、経済的にもその効果は大な
るものである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 丸屋 充 神奈川県綾瀬市早川2647 スピードファム 株式会社内 (72)発明者 小川 佳久 神奈川県綾瀬市早川2647 スピードファム 株式会社内 (72)発明者 井上 裕介 神奈川県綾瀬市早川2647 スピードファム 株式会社内 Ｆターム(参考） 3C049 AA07 AC04 CB03

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】回転可能なドラムに、ポリッシングパッド
   を貼付し、該ポリッシングパッドの表面にチャックテー
   ブルに把持された円板状の工作物を当接させ、前記ドラ
   ムおよび前記チャックテーブルの少なくとも一方を回転
   させ、研磨用組成物の液を滴下しながら円板状の工作物
   のエッジ面取り部のポリッシングを行なう方法におい
   て、ポリッシングパッドが、アラミド繊維及び／または
   ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維を基材
   の一つとして含有する布帛類と樹脂との複合品であり、
   かつ研磨用組成物が、酸化珪素及び／または酸化珪素以
   外の砥粒微粒子を含んだコロイド状及び／または微粉末
   スラリーよりなるものであることを特徴とする円板状の
   工作物のエッジ面取り部のポリッシング方法。
2. 【請求項２】円板状の工作物が、酸化膜付シリコンウェ
   ーハ、窒化膜付化合物ウェーハ、ガラスディスク基板、
   あるいはニッケル燐無電解メッキ層を施与したアルミデ
   ィスクまたはガラスディスク基板のいずれかであること
   を特徴とする請求項第１項記載の円板状の工作物のエッ
   ジ面取り部のポリッシング方法。
3. 【請求項３】布帛類が、織布、編布、不織布、繊維積層
   体あるいはその複合品であることを特徴とする請求項第
   １項記載の円板状の工作物のエッジ面取り部のポリッシ
   ング方法。
4. 【請求項４】布帛類が、アラミド繊維及び／またはポリ
   パラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維と、ポリエ
   ステル繊維、ナイロン繊維、ポリオレフィン繊維、ビニ
   ロン繊維、炭化珪素繊維、炭素繊維あるいはガラス繊維
   のいずれかとの複合品であり、かつアラミド繊維及び／
   またはポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維
   の含有率が２０重量％以上であることを特徴とする請求
   項第１項記載の円板状の工作物のエッジ面取り部のポリ
   ッシング方法。
5. 【請求項５】ポリッシングパッドが布帛類と、ウレタン
   樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、
   ポリビニールアセタール樹脂、尿素樹脂、ポリエステル
   樹脂あるいはポリアミド樹脂のうち少なくとも一つとの
   複合品であることを特徴とする請求項第１項記載の円板
   状の工作物のエッジ面取り部のポリッシング方法。
6. 【請求項６】酸化珪素以外の砥粒微粉末が、ダイヤモン
   ド、炭化珪素、酸化クロム、アルミナ、酸化セリウム、
   酸化ジルコニウム、酸化マンガン、酸化チタン、窒化珪
   素、窒化ホウ素、炭酸バリウムからなる群から選ばれた
   砥粒微粉末のうち少なくとも一つであることを特徴とす
   る請求項第１項記載の円板状の工作物のエッジ面取り部
   のポリッシング方法。